JP3389197B2 - レーザ波長変換装置 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/3546—Active phase matching, e.g. by electro- or thermo-optic tuning
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ波長変換装置
に関し、レーザ光の繰り返し周波数をダイナミックに変
更しても、効率良く波長変換ができるように工夫したも
のである。
に関し、レーザ光の繰り返し周波数をダイナミックに変
更しても、効率良く波長変換ができるように工夫したも
のである。
【０００２】
【従来の技術】レーザ発振器から出力されたレーザ光の
波長を、波長変換して、波長の短いレーザ光を得ること
が行われている。例えば、高密度ＬＳＩを製作するため
に露光をする際には、紫外レーザ光が必要とされる。そ
こで固体レーザ発振器から発生した波長の長い赤外レー
ザ光を、レーザ波長変換装置により波長の短いレーザ光
に変換することにより、紫外レーザ光を得ることが行わ
れている。
波長を、波長変換して、波長の短いレーザ光を得ること
が行われている。例えば、高密度ＬＳＩを製作するため
に露光をする際には、紫外レーザ光が必要とされる。そ
こで固体レーザ発振器から発生した波長の長い赤外レー
ザ光を、レーザ波長変換装置により波長の短いレーザ光
に変換することにより、紫外レーザ光を得ることが行わ
れている。
【０００３】レーザ波長変換装置には、波長変換素子で
ある非線形光学結晶素子が備えられており、この非線形
光学結晶素子の入射端面からレーザ光を入射すると、波
長変換されて波長が短くなったレーザ光が、その出射端
面から出力される。このような非線形光学結晶素子とし
ては、ＫＴＰ（KTiOPO4 ）、ＬＢＯ（LiB3O ）、ＢＢＯ
（β-BaB2O6 ）、ＣＬＢＯ（CsLiB6010 ）等が知られて
いる。
ある非線形光学結晶素子が備えられており、この非線形
光学結晶素子の入射端面からレーザ光を入射すると、波
長変換されて波長が短くなったレーザ光が、その出射端
面から出力される。このような非線形光学結晶素子とし
ては、ＫＴＰ（KTiOPO4 ）、ＬＢＯ（LiB3O ）、ＢＢＯ
（β-BaB2O6 ）、ＣＬＢＯ（CsLiB6010 ）等が知られて
いる。
【０００４】上述した非線形光学結晶素子は、予め設定
した温度において位相整合条件を満たすようにカットさ
れる。ここで、設定温度を室温より数十度高い温度にし
ておくことにより、室温の変動による影響を受けにくく
することができる。また、素子の種類によっては、結晶
素子のくもり（ダークニング）が、高温にした方が起こ
りにくくなるものもある。例えば、ＫＴＰ（KTiOP
O4 ）、ＬＢＯ（LiB3O ）、ＢＢＯ（β-BaB2O6 ）では
８０°Ｃに設定し、ＣＬＢＯ（CsLiB6010 ）では１５０
°Ｃに設定することが良いとされている。
した温度において位相整合条件を満たすようにカットさ
れる。ここで、設定温度を室温より数十度高い温度にし
ておくことにより、室温の変動による影響を受けにくく
することができる。また、素子の種類によっては、結晶
素子のくもり（ダークニング）が、高温にした方が起こ
りにくくなるものもある。例えば、ＫＴＰ（KTiOP
O4 ）、ＬＢＯ（LiB3O ）、ＢＢＯ（β-BaB2O6 ）では
８０°Ｃに設定し、ＣＬＢＯ（CsLiB6010 ）では１５０
°Ｃに設定することが良いとされている。
【０００５】ここで正面図である図９を参照しつつ、従
来のレーザ波長変換装置１を説明する。非線形光学結晶
素子（波長変換素子）２はホルダ３に固定されており、
非線形光学結晶素子２及びホルダ３の下部内部にはヒー
タ４が配置されている。ヒータ４と非線形光学結晶素子
２との間には、熱電対５が設置されている。そして、ホ
ルダ３及びヒータ４の外周は、断熱材６で囲まれてい
る。
来のレーザ波長変換装置１を説明する。非線形光学結晶
素子（波長変換素子）２はホルダ３に固定されており、
非線形光学結晶素子２及びホルダ３の下部内部にはヒー
タ４が配置されている。ヒータ４と非線形光学結晶素子
２との間には、熱電対５が設置されている。そして、ホ
ルダ３及びヒータ４の外周は、断熱材６で囲まれてい
る。
【０００６】図９において、レーザ光は、紙面に垂直な
方向に沿い進行して非線形光学結晶素子２の入射端面
（図９において紙面の表側の面）に入射し、非線形光学
結晶素子２の内部を通過して波長変換され、出射端面
（紙面の裏側の奥に位置する面）から出射される。
方向に沿い進行して非線形光学結晶素子２の入射端面
（図９において紙面の表側の面）に入射し、非線形光学
結晶素子２の内部を通過して波長変換され、出射端面
（紙面の裏側の奥に位置する面）から出射される。
【０００７】ヒータコントローラ１０は、ヒータ４に送
る電流をオン・オフすることによりヒータ４の発熱を調
整するものであり、熱電対５により検出した温度検出信
号がヒータコントローラ１０に伝送されるようになって
いる。
る電流をオン・オフすることによりヒータ４の発熱を調
整するものであり、熱電対５により検出した温度検出信
号がヒータコントローラ１０に伝送されるようになって
いる。
【０００８】このような従来のレーザ波長変換装置１で
は、ヒータコントローラ１０による制御を基にヒータ４
を発熱させ、非線形光学結晶素子２及びホルダ３を加熱
昇温する。加熱昇温されると、断熱材６により断熱・保
温されるため外部への熱放散が抑制され、非線形光学結
晶素子２の温度が安定化する。ヒータコントローラ１０
には、ソリッドステートリレーが内蔵されており、熱電
対５により検出した温度検出信号の値（温度）が設定温
度となるように、このソリッドステートリレーがオン・
オフ制御される。
は、ヒータコントローラ１０による制御を基にヒータ４
を発熱させ、非線形光学結晶素子２及びホルダ３を加熱
昇温する。加熱昇温されると、断熱材６により断熱・保
温されるため外部への熱放散が抑制され、非線形光学結
晶素子２の温度が安定化する。ヒータコントローラ１０
には、ソリッドステートリレーが内蔵されており、熱電
対５により検出した温度検出信号の値（温度）が設定温
度となるように、このソリッドステートリレーがオン・
オフ制御される。
【０００９】従来では、一定の繰り返し周波数のレーザ
光が連続的に入射される場合のみを規定しているため、
レーザ光入射時に非線形光学結晶素子２においてレーザ
光の一部が吸収されることに伴う入熱量は一定であり、
前記ソリッドステートリレーをオン・オフ制御する程度
で、非線形光学結晶素子２の温度は安定していた。つま
り、非線形光学結晶素子２の温度を、変換効率が最大と
なる温度ないしその温度近傍に維持することができた。
光が連続的に入射される場合のみを規定しているため、
レーザ光入射時に非線形光学結晶素子２においてレーザ
光の一部が吸収されることに伴う入熱量は一定であり、
前記ソリッドステートリレーをオン・オフ制御する程度
で、非線形光学結晶素子２の温度は安定していた。つま
り、非線形光学結晶素子２の温度を、変換効率が最大と
なる温度ないしその温度近傍に維持することができた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近では、ユ
ーザ側の要求に応じて、入射されるレーザ光の繰り返し
周波数をダイナミックに可変する運転を行う必要が生じ
てきた。このようにレーザ光の繰り返し周波数をダイナ
ミックに変更すると、繰り返し周波数の変更に応じて、
非線形光学結晶素子２へのレーザ光の吸収に伴う入熱量
が増大または減少する。
ーザ側の要求に応じて、入射されるレーザ光の繰り返し
周波数をダイナミックに可変する運転を行う必要が生じ
てきた。このようにレーザ光の繰り返し周波数をダイナ
ミックに変更すると、繰り返し周波数の変更に応じて、
非線形光学結晶素子２へのレーザ光の吸収に伴う入熱量
が増大または減少する。
【００１１】特に、レーザ光の繰り返し周波数を上昇さ
せる場合には、非線形光学結晶素子２への入熱量が増加
するため、非線形光学結晶素子２を冷却する必要がある
が、ヒータ４の加熱を停止した程度では、周囲に断熱材
６が存在するため、変換効率が良い温度範囲にまで迅速
に冷却することが困難であった。即ち、温度安定性が悪
いという結果を招いていた。
せる場合には、非線形光学結晶素子２への入熱量が増加
するため、非線形光学結晶素子２を冷却する必要がある
が、ヒータ４の加熱を停止した程度では、周囲に断熱材
６が存在するため、変換効率が良い温度範囲にまで迅速
に冷却することが困難であった。即ち、温度安定性が悪
いという結果を招いていた。
【００１２】本発明は、上記従来技術に鑑み、レーザ光
の繰り返し周波数をダイナミックに変更しても、非線形
光学結晶素子の温度を、変換効率が良い温度範囲に安定
に維持することができるレーザ波長変換装置を提供する
ことを目的とする。
の繰り返し周波数をダイナミックに変更しても、非線形
光学結晶素子の温度を、変換効率が良い温度範囲に安定
に維持することができるレーザ波長変換装置を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の構成は、入射端面から入射されたレーザ光を波長変
換して出射端面から波長を短くしたレーザ光を出射する
波長変換素子と、前記波長変換素子の周面を囲うと共に
冷却フィンを有するヒートシンクと、前記波長変換素子
の周囲を囲む状態で前記ヒートシンクに配置された均一
加熱用ヒータと、前記波長変換素子の温度を計測する温
度センサと、前記温度センサにより検出した温度が、予
め設定した温度となるように、前記均一加熱用ヒータに
供給する電流を制御するヒータコントローラとを有し、
前記均一加熱用ヒータは、前記波長変換素子の周囲を囲
む状態で均等に、かつ、光軸方向に伸びた状態で前記ヒ
ートシンクに配置された複数のロッド型のヒータである
ことを特徴とする。
明の構成は、入射端面から入射されたレーザ光を波長変
換して出射端面から波長を短くしたレーザ光を出射する
波長変換素子と、前記波長変換素子の周面を囲うと共に
冷却フィンを有するヒートシンクと、前記波長変換素子
の周囲を囲む状態で前記ヒートシンクに配置された均一
加熱用ヒータと、前記波長変換素子の温度を計測する温
度センサと、前記温度センサにより検出した温度が、予
め設定した温度となるように、前記均一加熱用ヒータに
供給する電流を制御するヒータコントローラとを有し、
前記均一加熱用ヒータは、前記波長変換素子の周囲を囲
む状態で均等に、かつ、光軸方向に伸びた状態で前記ヒ
ートシンクに配置された複数のロッド型のヒータである
ことを特徴とする。
【００１４】また本発明の構成は、前記ヒートシンクの
冷却フィンのうち、側面に位置する冷却フィンは垂直方
向に伸びた状態で配置されていることを特徴とする。
冷却フィンのうち、側面に位置する冷却フィンは垂直方
向に伸びた状態で配置されていることを特徴とする。
【００１５】
【００１６】
【００１７】また本発明の構成は、前記ヒートシンクの
入射側端面及び出射側端面に温度勾配補正用ヒータを配
置し、前記ヒータコントローラは、出射端面側の温度勾
配補正用ヒータの発熱量に比べて入射端面側の温度勾配
補正用ヒータの発熱量が多くなるように、温度制御をす
ることを特徴とする。
入射側端面及び出射側端面に温度勾配補正用ヒータを配
置し、前記ヒータコントローラは、出射端面側の温度勾
配補正用ヒータの発熱量に比べて入射端面側の温度勾配
補正用ヒータの発熱量が多くなるように、温度制御をす
ることを特徴とする。
【００１８】また本発明の構成は、前記ヒートシンクの
出射端面側には、前記波長変換素子の出射端面に向かっ
て周囲から均等に冷却ガスを吹き付けるループガス管が
配置されていることを特徴とする。
出射端面側には、前記波長変換素子の出射端面に向かっ
て周囲から均等に冷却ガスを吹き付けるループガス管が
配置されていることを特徴とする。
【００１９】また本発明の構成は、前記波長変換素子
は、光軸方向に沿い分割されていることを特徴とする。
また、分割された波長変換素子の端面には、無反射コー
トや、光学研磨が施されていることを特徴とする。
は、光軸方向に沿い分割されていることを特徴とする。
また、分割された波長変換素子の端面には、無反射コー
トや、光学研磨が施されていることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づき詳細に説明する。
に基づき詳細に説明する。
【００２１】＜第１の実施の形態＞本発明の第１の実施
の形態にかかるレーザ波長変換装置２０を、正面図（入
射端面側の図）である図１及び側面図である図２を参照
しつつ説明する。
の形態にかかるレーザ波長変換装置２０を、正面図（入
射端面側の図）である図１及び側面図である図２を参照
しつつ説明する。
【００２２】両図に示すように、非線形光学結晶素子２
１は、ヒートシンク２２の中央の孔に挿入配置されてい
る。ヒートシンク２２は、断面Ｌ字型のヒートシンク部
材２２ａ，２２ｂを組み合わせて構成されている。非線
形光学結晶素子２１は、その周面にシリコンコンパウン
ドが塗布されてから、ヒートシンク２２の中央の孔に挿
入されている。換言すると、非線形光学結晶素子２１の
周面は、ヒートシンク２２により囲まれている。なおシ
リコンコンパウンドは、非線形光学結晶素子２１の熱膨
張を吸収する効果と、抜け止め防止効果を目的として塗
布されている。
１は、ヒートシンク２２の中央の孔に挿入配置されてい
る。ヒートシンク２２は、断面Ｌ字型のヒートシンク部
材２２ａ，２２ｂを組み合わせて構成されている。非線
形光学結晶素子２１は、その周面にシリコンコンパウン
ドが塗布されてから、ヒートシンク２２の中央の孔に挿
入されている。換言すると、非線形光学結晶素子２１の
周面は、ヒートシンク２２により囲まれている。なおシ
リコンコンパウンドは、非線形光学結晶素子２１の熱膨
張を吸収する効果と、抜け止め防止効果を目的として塗
布されている。
【００２３】ヒートシンク２２の左右側面には、垂直方
向に伸びる冷却フィン２３ａが形成され、ヒートシンク
２２の頂面には冷却フィン２３ｂが、ヒートシンク２２
の底面には冷却フィン２３ｃがそれぞれ形成されてい
る。
向に伸びる冷却フィン２３ａが形成され、ヒートシンク
２２の頂面には冷却フィン２３ｂが、ヒートシンク２２
の底面には冷却フィン２３ｃがそれぞれ形成されてい
る。
【００２４】また、非線形光学結晶素子２１の周囲を囲
む状態で、複数（本例では８本）のカートリッジヒータ
（均一加熱用ヒータ）２４が、ヒートシンク２２に均等
に配置されている。この各カートリッジヒータ２４はロ
ッド型のヒータであり光軸方向に伸びた状態で配置され
ており、その周面にシリコンコンパウンドが塗布されて
から、ヒートシンク２２に形成した孔に挿入されてい
る。
む状態で、複数（本例では８本）のカートリッジヒータ
（均一加熱用ヒータ）２４が、ヒートシンク２２に均等
に配置されている。この各カートリッジヒータ２４はロ
ッド型のヒータであり光軸方向に伸びた状態で配置され
ており、その周面にシリコンコンパウンドが塗布されて
から、ヒートシンク２２に形成した孔に挿入されてい
る。
【００２５】非線形光学結晶素子２１の下面とヒートシ
ンク２２との間には、熱電対２５が設置されており、こ
の熱電対２５により検出した温度検出信号がヒータコン
トローラ３０に伝送される。ヒータコントローラ３０
は、カートリッジヒータ２４に供給する電流値を制御す
るサイリスタ制御回路を内蔵している。そして、熱電対
２５により検出した温度検出信号の値（温度）が、非線
形光学結晶素子２１にとって最も変換効率が良くなる設
定値（設定温度）となるように、カートリッジヒータ２
４に供給する電流を制御する。なお、温度検出素子とし
ては、熱電対以外に、温度検出精度の高い測温抵抗体や
サーミスタを使用することもできる。
ンク２２との間には、熱電対２５が設置されており、こ
の熱電対２５により検出した温度検出信号がヒータコン
トローラ３０に伝送される。ヒータコントローラ３０
は、カートリッジヒータ２４に供給する電流値を制御す
るサイリスタ制御回路を内蔵している。そして、熱電対
２５により検出した温度検出信号の値（温度）が、非線
形光学結晶素子２１にとって最も変換効率が良くなる設
定値（設定温度）となるように、カートリッジヒータ２
４に供給する電流を制御する。なお、温度検出素子とし
ては、熱電対以外に、温度検出精度の高い測温抵抗体や
サーミスタを使用することもできる。
【００２６】上記構成となっているレーザ波長変換装置
２０では、繰り返し周波数の高いレーザ光が非線形光学
結晶素子２１に入射して、非線形光学結晶素子２１の温
度が上昇した場合、ヒータコントローラ３０は、カート
リッジヒータ２４への電流供給を停止して、カートリッ
ジヒータ２４の発熱を停止する。このとき、冷却フィン
２３ａ，２３ｂ，２３ｃにより良好な冷却が行われる。
特に、左右側面の冷却フィン２３ａが垂直方向に伸びた
状態となっているため、この冷却フィン２３ａにより加
熱された空気が上昇気流となって自然に上昇していくた
め、冷却フィン２３ａにより効果的な冷却ができる。ま
た、冷却フィン２３ａと冷却フィン２３ｂ，２３ｃが直
交しているため、冷却フィン２３ｃからの放熱気流は冷
却フィン２３ａに流入することはなく、冷却フィン２３
ａからの放熱気流は冷却フィン２３ｂへ流入することが
なく、効果的な冷却が可能である。
２０では、繰り返し周波数の高いレーザ光が非線形光学
結晶素子２１に入射して、非線形光学結晶素子２１の温
度が上昇した場合、ヒータコントローラ３０は、カート
リッジヒータ２４への電流供給を停止して、カートリッ
ジヒータ２４の発熱を停止する。このとき、冷却フィン
２３ａ，２３ｂ，２３ｃにより良好な冷却が行われる。
特に、左右側面の冷却フィン２３ａが垂直方向に伸びた
状態となっているため、この冷却フィン２３ａにより加
熱された空気が上昇気流となって自然に上昇していくた
め、冷却フィン２３ａにより効果的な冷却ができる。ま
た、冷却フィン２３ａと冷却フィン２３ｂ，２３ｃが直
交しているため、冷却フィン２３ｃからの放熱気流は冷
却フィン２３ａに流入することはなく、冷却フィン２３
ａからの放熱気流は冷却フィン２３ｂへ流入することが
なく、効果的な冷却が可能である。
【００２７】この結果、繰り返し周波数の高いレーザ光
が非線形光学結晶素子２１に入射して発熱量が多くなっ
ても、上記冷却フィン２３ａ，２３ｂ，２３ｃによる冷
却機能により、非線形光学結晶素子２１の温度は、最も
変換効率が良くなる設定温度に維持することができる。
逆に言うと、想定している最大繰り返し周波数でのレー
ザ光が非線形光学結晶素子２１に入射して発熱量が最大
になったときであっても、最も変換効率が良くなる設定
温度を越えないように、冷却フィン２３ａ，２３ｂ，２
３ｃの放熱量を設定している。
が非線形光学結晶素子２１に入射して発熱量が多くなっ
ても、上記冷却フィン２３ａ，２３ｂ，２３ｃによる冷
却機能により、非線形光学結晶素子２１の温度は、最も
変換効率が良くなる設定温度に維持することができる。
逆に言うと、想定している最大繰り返し周波数でのレー
ザ光が非線形光学結晶素子２１に入射して発熱量が最大
になったときであっても、最も変換効率が良くなる設定
温度を越えないように、冷却フィン２３ａ，２３ｂ，２
３ｃの放熱量を設定している。
【００２８】非線形光学結晶素子２１に入射するレーザ
光が、繰り返し周波数の低い場合、あるいは、レーザ光
の入射エネルギーが低下い場合には、非線形光学結晶素
子２１の温度が低下して、熱電対２５により検出した温
度検出信号の値（温度）も低下する。
光が、繰り返し周波数の低い場合、あるいは、レーザ光
の入射エネルギーが低下い場合には、非線形光学結晶素
子２１の温度が低下して、熱電対２５により検出した温
度検出信号の値（温度）も低下する。
【００２９】このときには、ヒータコントローラ３０
は、カートリッジヒータ２４への電流供給量を増大させ
る。しかも、非線形光学結晶素子２１にとって最も変換
効率が良くなる設定値（設定温度）に維持できるよう
に、カートリッジヒータ２４に供給する電流値をサイリ
スタ制御する。
は、カートリッジヒータ２４への電流供給量を増大させ
る。しかも、非線形光学結晶素子２１にとって最も変換
効率が良くなる設定値（設定温度）に維持できるよう
に、カートリッジヒータ２４に供給する電流値をサイリ
スタ制御する。
【００３０】このため、非線形光学結晶素子２１に入射
するレーザ光の繰り返し周波数をダイナミックに変更し
た場合でも、非線形光学結晶素子２１の温度を、冷却フ
ィン２３ａ，２３ｂ，２３ｃによる除熱およびカートリ
ッジヒータ２４による加熱によって、変換効率が最大と
なる設定温度に維持することができ、変換効率の低下を
抑制することができる。
するレーザ光の繰り返し周波数をダイナミックに変更し
た場合でも、非線形光学結晶素子２１の温度を、冷却フ
ィン２３ａ，２３ｂ，２３ｃによる除熱およびカートリ
ッジヒータ２４による加熱によって、変換効率が最大と
なる設定温度に維持することができ、変換効率の低下を
抑制することができる。
【００３１】＜第２の実施の形態＞本発明の第２の実施
の形態にかかるレーザ波長変換装置２０Ａを、側面断面
図である図３を参照しつつ説明する。
の形態にかかるレーザ波長変換装置２０Ａを、側面断面
図である図３を参照しつつ説明する。
【００３２】第２の実施の形態では、ヒートシンク２２
のうち、レーザ光が入射する側の入射端面（図３では左
側端面）にプレートヒータ２６ａを配置し、レーザ光が
出射する側の出射側端面（図３では右側端面）にプレー
トヒータ２６ｂを配置している。他の部分の構成は、図
１，図２に示す第１の実施の形態と同様である。なお、
プレートヒータ２６ａ，２６ｂは軸方向温度勾配補正用
ヒータであり、その温度制御は、ヒータコントローラ３
０（図１参照）により行う。
のうち、レーザ光が入射する側の入射端面（図３では左
側端面）にプレートヒータ２６ａを配置し、レーザ光が
出射する側の出射側端面（図３では右側端面）にプレー
トヒータ２６ｂを配置している。他の部分の構成は、図
１，図２に示す第１の実施の形態と同様である。なお、
プレートヒータ２６ａ，２６ｂは軸方向温度勾配補正用
ヒータであり、その温度制御は、ヒータコントローラ３
０（図１参照）により行う。
【００３３】第２の実施の形態では、非線形光学結晶素
子２１にレーザ光が入射された場合に、プレートヒータ
２６ｂの発熱量にくらべて、プレートヒータ２６ａの発
熱量が多くなるように、温度制御をしている。勿論、カ
ートリッジヒータ２４の温度制御もしており、非線形光
学結晶素子２１の設定温度が、変換効率が最大となる温
度になるように調整をしている。
子２１にレーザ光が入射された場合に、プレートヒータ
２６ｂの発熱量にくらべて、プレートヒータ２６ａの発
熱量が多くなるように、温度制御をしている。勿論、カ
ートリッジヒータ２４の温度制御もしており、非線形光
学結晶素子２１の設定温度が、変換効率が最大となる温
度になるように調整をしている。
【００３４】レーザ光、特に短波長の紫外光（概ね波長
４００ｎｍ以下）が変換光として出射される場合、非線
形光学結晶素子２１での吸収率は、変換光が可視光の場
合に比べて増加する。波長変換された紫外変換光は、非
線形光学結晶素子２１の入射端面で発生しはじめ、結晶
中を進行するにつれて変換量が増加し、出射端面で最大
となる。つまり、非線形光学結晶素子２１の光軸方向に
沿って紫外変換光が増加し、結晶中での吸収量も増大す
る。このため、プレートヒータ２６ａ，２６ｂが無い場
合には、入射端面側で温度が低く出射端面側で温度が高
い結果となり、光軸方向に沿う温度勾配（温度不均一）
が発生する。このような温度不均一があると結晶の屈折
率が変化して位相整合条件が崩れるため変換効率が低下
する。
４００ｎｍ以下）が変換光として出射される場合、非線
形光学結晶素子２１での吸収率は、変換光が可視光の場
合に比べて増加する。波長変換された紫外変換光は、非
線形光学結晶素子２１の入射端面で発生しはじめ、結晶
中を進行するにつれて変換量が増加し、出射端面で最大
となる。つまり、非線形光学結晶素子２１の光軸方向に
沿って紫外変換光が増加し、結晶中での吸収量も増大す
る。このため、プレートヒータ２６ａ，２６ｂが無い場
合には、入射端面側で温度が低く出射端面側で温度が高
い結果となり、光軸方向に沿う温度勾配（温度不均一）
が発生する。このような温度不均一があると結晶の屈折
率が変化して位相整合条件が崩れるため変換効率が低下
する。
【００３５】本実施の形態では、出射端面側のプレート
ヒータ２６ｂの発熱量にくらべて、入射端面側のプレー
トヒータ２６ａの発熱量が多くなるようにして、上述し
た光軸方向に沿う温度勾配（温度不均一）を解消してい
る。これにより、非線形光学結晶素子２１の変換効率の
低下を抑制することが可能となる。
ヒータ２６ｂの発熱量にくらべて、入射端面側のプレー
トヒータ２６ａの発熱量が多くなるようにして、上述し
た光軸方向に沿う温度勾配（温度不均一）を解消してい
る。これにより、非線形光学結晶素子２１の変換効率の
低下を抑制することが可能となる。
【００３６】なおプレートヒータ２６ａ，２６ｂの代わ
りに、ロッド型のヒータをヒートシンク２２の入射端面
及び出射端面に埋め込んだり、リボンヒータを用いるこ
ともできる。要は、非線形光学結晶素子２１を均一に加
熱するカートリッジヒータ２４の他に、ヒートシンク２
２の入射端面及び出射端面に光軸方向の温度勾配（温度
不均一）を解消するためのヒータを備えるようにすれば
よい。
りに、ロッド型のヒータをヒートシンク２２の入射端面
及び出射端面に埋め込んだり、リボンヒータを用いるこ
ともできる。要は、非線形光学結晶素子２１を均一に加
熱するカートリッジヒータ２４の他に、ヒートシンク２
２の入射端面及び出射端面に光軸方向の温度勾配（温度
不均一）を解消するためのヒータを備えるようにすれば
よい。
【００３７】＜第３の実施の形態＞本発明の第３の実施
の形態にかかるレーザ波長変換装置２０Ｂを、側面断面
図である図４及び出射端面側からみた図５を参照しつつ
説明する。
の形態にかかるレーザ波長変換装置２０Ｂを、側面断面
図である図４及び出射端面側からみた図５を参照しつつ
説明する。
【００３８】第３の実施の形態では、非線形光学結晶素
子２１の出射端面側にループ形状のループガス管２７が
配置されている。このループガス管２７は非線形光学結
晶素子２１の出射端面を囲う状態で配置されており、こ
のループガス管２７の内周側には複数の噴射口２７ａが
均等に配置されている。このループガス管２７には、例
えばヘリウム，窒素等の不活性ガスＧが供給され、この
不活性ガスは各噴射口２７ａから非線形光学結晶素子２
１の出射端面に向かい周囲から均等に噴射され、非線形
光学結晶素子２１の出射端面側を均等に冷却する。この
ため、非線形光学結晶素子２１の光軸方向に沿う温度勾
配（温度不均一）を解消して、変換効率の低下を抑制す
ることが可能となる。
子２１の出射端面側にループ形状のループガス管２７が
配置されている。このループガス管２７は非線形光学結
晶素子２１の出射端面を囲う状態で配置されており、こ
のループガス管２７の内周側には複数の噴射口２７ａが
均等に配置されている。このループガス管２７には、例
えばヘリウム，窒素等の不活性ガスＧが供給され、この
不活性ガスは各噴射口２７ａから非線形光学結晶素子２
１の出射端面に向かい周囲から均等に噴射され、非線形
光学結晶素子２１の出射端面側を均等に冷却する。この
ため、非線形光学結晶素子２１の光軸方向に沿う温度勾
配（温度不均一）を解消して、変換効率の低下を抑制す
ることが可能となる。
【００３９】＜第４の実施の形態＞本発明の第４の実施
の形態にかかるレーザ波長変換装置２０Ｃを、平面図で
ある図６を参照しつつ説明する。この実施の形態では、
ヒートシンク２２の左右側面に備えた冷却フィン２３ａ
−１は、入射端面側から出射端面側に向かうに従い長く
なっている。つまり出射端面側における放熱能力を高め
ている。このため、非線形光学結晶素子２１の光軸方向
に沿う温度勾配（温度不均一）を解消して、変換効率を
向上させることができる。
の形態にかかるレーザ波長変換装置２０Ｃを、平面図で
ある図６を参照しつつ説明する。この実施の形態では、
ヒートシンク２２の左右側面に備えた冷却フィン２３ａ
−１は、入射端面側から出射端面側に向かうに従い長く
なっている。つまり出射端面側における放熱能力を高め
ている。このため、非線形光学結晶素子２１の光軸方向
に沿う温度勾配（温度不均一）を解消して、変換効率を
向上させることができる。
【００４０】＜第５の実施の形態＞
本発明の第５の実施の形態にかかるレーザ波長変換装置
２０Ｄを、正面図である図７を参照しつつ説明する。こ
の実施の形態では、均一加熱用ヒータとして膜状ヒータ
２８を採用しており、カートリッジヒータ２４は採用し
ていない。膜状ヒータ２８はヒートシンク２２の周面の
うち冷却フィン２３ａ，２３ｂを有していない面に配置
されており、その温度はヒータコントローラ３０により
調整される。他の部分の構成は第１の実施の形態と同様
である。この膜上ヒータ２８により、ヒートシンク２２
ひいては非線形光学結晶素子２１の温度を均一に加熱す
ることができる。
２０Ｄを、正面図である図７を参照しつつ説明する。こ
の実施の形態では、均一加熱用ヒータとして膜状ヒータ
２８を採用しており、カートリッジヒータ２４は採用し
ていない。膜状ヒータ２８はヒートシンク２２の周面の
うち冷却フィン２３ａ，２３ｂを有していない面に配置
されており、その温度はヒータコントローラ３０により
調整される。他の部分の構成は第１の実施の形態と同様
である。この膜上ヒータ２８により、ヒートシンク２２
ひいては非線形光学結晶素子２１の温度を均一に加熱す
ることができる。
【００４１】＜第６の実施の形態＞次に本発明の第６の
実施の形態にかかるレーザ波長変換装置に用いる非線形
光学結晶素子２１Ａを、図８を参照して説明する。図８
に示すようにこの非線形光学結晶素子２１Ａは、軸方向
に沿う途中で２分割され、２つの非線形光学結晶素子２
１Ａ−１，２１Ａ−２を連結して構成されている。この
ように分割構成とすることにより、光軸方向の温度勾配
（温度不均一）が小さくなり、変換効率の低下の抑制が
可能となる。
実施の形態にかかるレーザ波長変換装置に用いる非線形
光学結晶素子２１Ａを、図８を参照して説明する。図８
に示すようにこの非線形光学結晶素子２１Ａは、軸方向
に沿う途中で２分割され、２つの非線形光学結晶素子２
１Ａ−１，２１Ａ−２を連結して構成されている。この
ように分割構成とすることにより、光軸方向の温度勾配
（温度不均一）が小さくなり、変換効率の低下の抑制が
可能となる。
【００４２】この場合、各非線形光学結晶素子２１Ａ−
１，２１Ａ−２の入射端面及び出射端面に、入射レーザ
光波長及び変換波長に対する無反射コートを施しておく
ことにより、損失を低減することができる。
１，２１Ａ−２の入射端面及び出射端面に、入射レーザ
光波長及び変換波長に対する無反射コートを施しておく
ことにより、損失を低減することができる。
【００４３】また、非線形光学結晶素子２１Ａ−１，２
１Ａ−２の接合端面を、光学研磨して張り合わせること
により、入射レーザ光と変換光の反射損失を低減するこ
とができる。
１Ａ−２の接合端面を、光学研磨して張り合わせること
により、入射レーザ光と変換光の反射損失を低減するこ
とができる。
【００４４】なお非線形光学結晶素子２１Ａを、２分割
以上の分割数に分割することもできる。
以上の分割数に分割することもできる。
【００４５】
【発明の効果】以上実施の形態と共に具体的に説明した
ように本発明では、入射端面から入射されたレーザ光を
波長変換して出射端面から波長を短くしたレーザ光を出
射する波長変換素子と、波長変換素子の周面を囲うと共
に冷却フィンを有するヒートシンクと、波長変換素子の
周囲を囲む状態でヒートシンクに配置された均一加熱用
ヒータと、波長変換素子の温度を計測する温度センサ
と、温度センサにより検出した温度が、予め設定した温
度となるように、均一加熱用ヒータに供給する電流を制
御するヒータコントローラとを有し、前記均一加熱用ヒ
ータは、前記波長変換素子の周囲を囲む状態で均等に、
かつ、光軸方向に伸びた状態で前記ヒートシンクに配置
された複数のロッド型のヒータとした構成とした。
ように本発明では、入射端面から入射されたレーザ光を
波長変換して出射端面から波長を短くしたレーザ光を出
射する波長変換素子と、波長変換素子の周面を囲うと共
に冷却フィンを有するヒートシンクと、波長変換素子の
周囲を囲む状態でヒートシンクに配置された均一加熱用
ヒータと、波長変換素子の温度を計測する温度センサ
と、温度センサにより検出した温度が、予め設定した温
度となるように、均一加熱用ヒータに供給する電流を制
御するヒータコントローラとを有し、前記均一加熱用ヒ
ータは、前記波長変換素子の周囲を囲む状態で均等に、
かつ、光軸方向に伸びた状態で前記ヒートシンクに配置
された複数のロッド型のヒータとした構成とした。
【００４６】このためレーザ光の繰り返し周波数が高い
ときには均一加熱用ヒータによる加熱を停止すれば、冷
却フィンを有するヒートシンクにより良好な冷却が行わ
れ、波長変換素子の温度を、変換効率が良い設定温度に
することができる。また、レーザ光の繰り返し周波数が
低いときには、均一加熱用ヒータにより加熱することに
より、波長変換素子の温度を、変換効率が良い設定温度
にすることができる。この結果、入射するレーザ光の周
波数をダイナミックに変更しても、常に、良好な波長変
換ができる。また本発明では、均一加熱用ヒータは、波
長変換素子の周囲を囲む状態で均等に、かつ、光軸方向
に伸びた状態でヒートシンクに配置された複数のロッド
型のヒータである構成としたため、波長変換素子を均一
に加熱することができ、良好な波長変換を確保すること
ができる。
ときには均一加熱用ヒータによる加熱を停止すれば、冷
却フィンを有するヒートシンクにより良好な冷却が行わ
れ、波長変換素子の温度を、変換効率が良い設定温度に
することができる。また、レーザ光の繰り返し周波数が
低いときには、均一加熱用ヒータにより加熱することに
より、波長変換素子の温度を、変換効率が良い設定温度
にすることができる。この結果、入射するレーザ光の周
波数をダイナミックに変更しても、常に、良好な波長変
換ができる。また本発明では、均一加熱用ヒータは、波
長変換素子の周囲を囲む状態で均等に、かつ、光軸方向
に伸びた状態でヒートシンクに配置された複数のロッド
型のヒータである構成としたため、波長変換素子を均一
に加熱することができ、良好な波長変換を確保すること
ができる。
【００４７】また本発明では、ヒートシンクの冷却フィ
ンのうち、側面に位置する冷却フィンは垂直方向に伸び
た状態で配置されている構成とした。このため、冷却フ
ィンにより加熱された空気が上昇気流となって自然に上
昇するため、冷却効率が良くなる。また上下フィンと側
面フィンは直交しているため、相互のフィン間での放熱
気流の流入がなく各フィンによる冷却が効果的に行われ
る。
ンのうち、側面に位置する冷却フィンは垂直方向に伸び
た状態で配置されている構成とした。このため、冷却フ
ィンにより加熱された空気が上昇気流となって自然に上
昇するため、冷却効率が良くなる。また上下フィンと側
面フィンは直交しているため、相互のフィン間での放熱
気流の流入がなく各フィンによる冷却が効果的に行われ
る。
【００４８】
【００４９】また本発明では、ヒートシンクの入射側端
面及び出射側端面に温度勾配補正用ヒータを配置し、ヒ
ータコントローラは、出射端面側の温度勾配補正用ヒー
タの発熱量に比べて入射端面側の温度勾配補正用ヒータ
の発熱量が多くなるように、温度制御をするようにし
た。このため、光軸方向の温度勾配をなくし、波長変換
効率を更に良好にすることができる。
面及び出射側端面に温度勾配補正用ヒータを配置し、ヒ
ータコントローラは、出射端面側の温度勾配補正用ヒー
タの発熱量に比べて入射端面側の温度勾配補正用ヒータ
の発熱量が多くなるように、温度制御をするようにし
た。このため、光軸方向の温度勾配をなくし、波長変換
効率を更に良好にすることができる。
【００５０】また本発明では、ヒートシンクの出射端面
側には、波長変換素子の出射端面に向かって周囲から均
等に冷却ガスを吹き付けるループガス管が配置されてい
る構成とした。このため、光軸方向の温度勾配をなく
し、波長変換効率を更に良好にすることができる。
側には、波長変換素子の出射端面に向かって周囲から均
等に冷却ガスを吹き付けるループガス管が配置されてい
る構成とした。このため、光軸方向の温度勾配をなく
し、波長変換効率を更に良好にすることができる。
【００５１】また本発明では、波長変換素子は、光軸方
向に沿い分割されていたり、分割された波長変換素子の
端面には、無反射コートや、光学研磨が施されていたり
する構成とした。このため、損失の低減ができる。
向に沿い分割されていたり、分割された波長変換素子の
端面には、無反射コートや、光学研磨が施されていたり
する構成とした。このため、損失の低減ができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかるレーザ波長
変換装置を示す正面図。
変換装置を示す正面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかるレーザ波長
変換装置を示す側面図。
変換装置を示す側面図。
【図３】本発明の第２の実施の形態にかかるレーザ波長
変換装置を示す側面断面図。
変換装置を示す側面断面図。
【図４】本発明の第３の実施の形態にかかるレーザ波長
変換装置を示す側面断面図。
変換装置を示す側面断面図。
【図５】本発明の第３の実施の形態にかかるレーザ波長
変換装置を示す背面図。
変換装置を示す背面図。
【図６】本発明の第４の実施の形態にかかるレーザ波長
変換装置を示す平面図。
変換装置を示す平面図。
【図７】本発明の第５の実施の形態にかかるレーザ波長
変換装置を示す正面図。
変換装置を示す正面図。
【図８】本発明の第６の実施の形態に用いる非線形光学
結晶素子を示す正面図。
結晶素子を示す正面図。
【図９】従来のレーザ波長変換装置を示す正面図。
１ レーザ波長変換装置
２ 非線形光学結晶素子（波長変換素子）
３ ホルダ
４ ヒータ
５ 熱電対
６ 断熱材
１０ ヒータコントローラ
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ レーザ波長変
換装置 ２１，２１Ａ 非線形光学結晶素子（波長変換素子） ２２ ヒートシンク ２２ａ，２２ｂ ヒートシンク部材 ２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 冷却フィン ２４ カートリッジヒータ ２５ 熱電対 ２６ａ，２６ｂ プレートヒータ ２７ ループガス管 ２７ａ 噴射口 ２８ 膜状ヒータ ３０ ヒータコントローラ
換装置 ２１，２１Ａ 非線形光学結晶素子（波長変換素子） ２２ ヒートシンク ２２ａ，２２ｂ ヒートシンク部材 ２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 冷却フィン ２４ カートリッジヒータ ２５ 熱電対 ２６ａ，２６ｂ プレートヒータ ２７ ループガス管 ２７ａ 噴射口 ２８ 膜状ヒータ ３０ ヒータコントローラ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 野田 修
兵庫県高砂市荒井町新浜二丁目１番１号
三菱重工業株式会社 高砂研究所内
(72)発明者 三木 晋
兵庫県高砂市荒井町新浜二丁目１番１号
三菱重工業株式会社 高砂研究所内
(72)発明者 大谷 雄一
兵庫県高砂市荒井町新浜二丁目１番１号
三菱重工業株式会社 高砂研究所内
(56)参考文献 特開 平７−306428（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−289446（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−100267（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−72577（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/37
H01S 3/109
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (7)
- 【請求項１】 入射端面から入射されたレーザ光を波長
変換して出射端面から波長を短くしたレーザ光を出射す
る波長変換素子と、 前記波長変換素子の周面を囲うと共に冷却フィンを有す
るヒートシンクと、 前記波長変換素子の周囲を囲む状態で前記ヒートシンク
に配置された均一加熱用ヒータと、 前記波長変換素子の温度を計測する温度センサと、 前記温度センサにより検出した温度が、予め設定した温
度となるように、前記均一加熱用ヒータに供給する電流
を制御するヒータコントローラとを有し、 前記均一加熱用ヒータは、前記波長変換素子の周囲を囲
む状態で均等に、かつ、光軸方向に伸びた状態で前記ヒ
ートシンクに配置された複数のロッド型のヒータである
ことを特徴とするレーザ波長変換装置。 - 【請求項２】 前記ヒートシンクの冷却フィンのうち、
側面に位置する冷却フィンは垂直方向に伸びた状態で配
置されていることを特徴とする請求項１のレーザ波長変
換装置。 - 【請求項３】 前記ヒートシンクの入射側端面及び出射
側端面に温度勾配補正用ヒータを配置し、 前記ヒータコントローラは、出射端面側の温度勾配補正
用ヒータの発熱量に比べて入射端面側の温度勾配補正用
ヒータの発熱量が多くなるように、温度制御をすること
を特徴とする請求項１または請求項２のレーザ波長変換
装置。 - 【請求項４】 前記ヒートシンクの出射端面側には、前
記波長変換素子の出射端面に向かって周囲から均等に冷
却ガスを吹き付けるループガス管が配置されていること
を特徴とする請求項１または請求項２または請求項３の
レーザ波長変換装置。 - 【請求項５】 前記波長変換素子は、光軸方向に沿い分
割されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の
いずれか一項のレーザ波長変換装置。 - 【請求項６】 分割された波長変換素子の端面には、無
反射コートが施されていることを特徴とする請求項５の
レーザ波長変換装置。 - 【請求項７】 分割された波長変換素子の端面には、光
学研磨が施されていることを特徴とする請求項５のレー
ザ波長変換装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000117635A JP3389197B2 (ja) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | レーザ波長変換装置 |
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|---|---|
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Family
ID=18628925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000117635A Expired - Fee Related JP3389197B2 (ja) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | レーザ波長変換装置 |
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| EP (1) | EP1189101A4 (ja) |
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| US20060098698A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Lightwave Electronics Corporation | Frequency-converting lasers with non-linear materials optimized for high power operation |
| US7570679B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-08-04 | Optical Communication Products, Inc. | Wide temperature range uncooled transceiver module for uncontrolled environments |
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| JP2014089350A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学素子用マウント |
| SI24642A (sl) * | 2014-02-12 | 2015-08-31 | Optotek D.O.O. | Nosilec za temperaturno stabilizacijo optičnih komponent |
| CN103794972B (zh) * | 2014-02-26 | 2016-06-08 | 哈尔滨工业大学 | 一种大口径晶体高精度温度控制装置 |
| CN103794970B (zh) * | 2014-02-26 | 2016-06-08 | 哈尔滨工业大学 | 一种真空条件下大口径晶体高精度温度控制装置 |
| CN107615599B (zh) * | 2015-05-12 | 2019-12-10 | 株式会社岛津制作所 | 被动q开关激光器及其动作优化方法 |
| US11586092B2 (en) * | 2015-10-05 | 2023-02-21 | Qubitekk, Inc. | Tunable source bi-photons |
| DE102016202028B4 (de) | 2016-02-11 | 2017-12-07 | Trumpf Laser Gmbh | Halter für einen Wellenlängenumwandlungskristall und optisches System mit einem solchen Halter |
| US10153215B2 (en) * | 2016-08-04 | 2018-12-11 | Kla-Tencor Corporation | Oven enclosure for optical components with integrated purge gas pre-heater |
| CN107887781A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-04-06 | 山东航天电子技术研究所 | 一种光纤输出ld泵浦小型化介质模块 |
| US11204536B1 (en) * | 2020-12-17 | 2021-12-21 | Raytheon Company | Ultra-stable dual-mode operation optical crystal assembly for harmonic conversion |
| WO2024019727A1 (en) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | Ipg Photonics Corporation | Ovens for nonlinear optical crystals and method of use |
| CN118040435A (zh) * | 2024-03-04 | 2024-05-14 | 齐鲁中科光物理与工程技术研究院 | 一种用于倍频晶体的快速稳定控温装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0254921B1 (en) * | 1986-07-07 | 1993-12-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength conversion device, and a method of making the same |
| US5315433A (en) * | 1991-02-28 | 1994-05-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength converting apparatus |
| JPH0572577A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 非線形光学結晶の保持具 |
| JPH05100267A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光高調波発生装置 |
| US5353292A (en) * | 1991-10-31 | 1994-10-04 | Hoya Corporation | Laser light wavelength conversion apparatus capable of providing a uniform temperature distribution |
| JPH05218530A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Hoya Corp | レーザ光学部品保持装置及び固体レーザ装置 |
| JPH06289446A (ja) * | 1993-04-05 | 1994-10-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光高調波発生器 |
| JPH07306428A (ja) * | 1994-05-07 | 1995-11-21 | Samsung Electron Co Ltd | 第２高調波発生装置 |
| US5754714A (en) * | 1994-09-17 | 1998-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor optical waveguide device, optical control type optical switch, and wavelength conversion device |
| JPH0895104A (ja) * | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Agency Of Ind Science & Technol | レーザ共振装置 |
| US5935467A (en) * | 1997-05-14 | 1999-08-10 | General Electric Company | Oven for heating a crystal for a laser frequency conversion |
| JPH1164903A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-05 | Sony Corp | 波長変換素子及びその使用方法 |
| US6069792A (en) * | 1997-09-16 | 2000-05-30 | Nelik; Jacob | Computer component cooling assembly |
| JPH11119272A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Hyper Photon System:Kk | レーザシステム |
| US6374906B1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-04-23 | Hewlett-Packard Company | Heat sink having a captive handle |
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