JP3352555B2 - オレフィン類重合用触媒 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オレフィン類を重合又
は共重合する際に使用して、分子量分布が比較的広いオ
レフィン重合体を製造することができ、しかもその分子
量分布を任意にコントロ−ルすることができる触媒に関
する。ここで、オレフィン重合体とは、オレフィン類の
単独重合体と共重合体を総称する。

【０００２】

【従来技術および発明が解決しようとする課題】ポリオ
レフィン、特にエチレン重合体又はエチレン・α−オレ
フィン共重合体を製造するに際して、ジルコニウム化合
物（典型的にはメタロセン）と、アルミノキサンとから
なる触媒組成物を使用することは、特開昭58-19309号公
報で公知である。しかし、この技術はエチレンの単独重
合体又は共重合体を高収率で製造できるものの、生成重
合体の分子量が低いうえに、単独重合体にあっては分子
量分布が狭いという欠点があった。生成重合体の分子量
を高めることだけについて言えば、触媒組成物の一成分
であるメタロセンの遷移金属の種類を適宜選択すること
により、ある程度分子量を高めることができる。例え
ば、特開昭63-251405 号公報には、ジシクロペンタジエ
ニルハフニウム化合物を使用することが提案されてい
る。しかしながら、このハフニウム化合物は概してその
合成が困難であるばかりでなく、ジシクロペンタジエニ
ルジルコニウム化合物に比較して重合活性が劣る難点が
ある。これに加えて、ジシクロペンタジエニルハフニウ
ム化合物を使用しても、生成重合体の分子量分布を広く
し、共重合体にあっては分子量分布の拡大と同時に組成
分布を狭めることができないという不都合があった。

【０００３】当業界では、分子量が高い上に分子量分布
が比較的広く、しかも共重合体の場合には組成分布が狭
いオレフィン重合体の開発が要望されているが、上に述
べた事情から、従来のメタロセンを触媒成分とした触媒
組成物を使用したのでは、当業界の要望に応え得るオレ
フィン重合体を製造することができないのが実情であ
る。また、上記のような触媒系を用いて重合体を高収率
で得るためにはプロモーターとしてアルミノキサンを多
量に使用しなければならないが、アルミノキサン、特に
メチルアルミノキサンは高価であるため、触媒がコスト
高になる。従って、アルミノキサンの使用量の低減化
も、当業界では強く望まれている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、アルミノ
キサンの遷移金属に対する使用比率を低くしても、さら
にはアルミノキサンを全く用いなくても、所期の性状を
備えたオレフィン重合体を高収率で製造できるところ
の、従来の触媒系とは触媒成分の構成を全く異にする新
規な触媒成分を用いた特定の触媒系を先に提案した（特
開平６−２４８０１０号など）。本発明者らは、先の提
案を踏まえてさらに研究を重ねて本発明を完成した。す
なわち、本発明に係る第１のオレフィン重合用触媒は、
下記の（Ａ）〜（Ｄ）の各成分を相互に接触させて得ら
れることを特徴とする。 （Ａ）一般式Ｍｅ¹（ＯＲ¹）_pＲ² _qＸ¹ _4-p-qで表される
化合物 ［式中、Ｒ¹、及びＲ² は個別に炭素数１〜２４の炭化
水素基、Ｘ¹ はハロゲン原子、Ｍｅ¹ はＴｉ、Ｚｒ又は
Ｈｆを示し、ｐは０≦ｐ≦４、ｑは０≦ｑ≦４、ｐ＋ｑ
は０≦ｐ＋ｑ≦４である。］ （Ｂ）下記の（ａ）〜（ｃ）で示されるメタルハイドラ
イド化合物の少なくとも１種 （ａ）Ｍｅ²Ｈ_aＲ³ _3-a （ｂ）Ｍｅ³［Ｍｅ²Ｈ_bＲ⁴ _c（ＯＲ⁵）_4-b-c］_z （ｃ）化３

【化３】 ［式中、Ｒ³、Ｒ⁴，Ｒ⁵およびＲ⁶は個別に炭素数１〜２
４の炭化水素基を示し、Ｍｅ²は周期律表第１３族元
素、Ｍｅ³は周期律表第１族、２族または１２族元素を
示し、ｚはＭｅ³の価数を示し、ａ、ｂ、ｃおよびｄ
は、各々１≦ａ≦３、１≦ｂ≦４、０≦ｃ≦３、０≦ｄ
≦４、しかも１≦ｂ＋ｃ≦４である。］ （Ｃ）シクロペンタジエニル環を有する炭化水素化合物
又は有機ケイ素化合物である共役二重結合を２個以上持
つ有機環状化合物 （Ｄ）ボレートおよび／またはボラン また、本発明に係る第２のオレフィン重合用触媒は、上
記の（Ａ）〜（Ｄ）にさらに下記の（Ｅ）成分を加えた
５成分を相互に接触させて得られることを特徴とする。 （Ｅ）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウム
化合物

【０００５】本発明の第１および第２触媒はそれぞれ遷
移金属あたりの触媒効率が高いばかりでなく、いずれの
触媒を用いた場合でも、て得られるオレフィン類重合体
は、 １．分子量が高い、 ２．分子量分布が比較的広く、また分子量分布は自由に
コントロールできる、 ３．得られるオレフィン類重合体が共重合である場合に
は、特にエチレン・α−オレフィン共重合体である場合
には、組成分布が狭い、 ４．生成するオレフィン重合体中の触媒残渣が少ない、 ５．融点が低い、 ６．ヒートシール性に優れる、 などの特徴を有している。また、本発明の方法で製造さ
れた重合体を成形する際には、インフレーション法にお
いても高速成形が可能であり、成形性および口開き性も
極めて良好であって、成形したフィルムは透明性及び抗
ブロッキング性に優れ、べとつきがなく、衝撃強度や引
張強度などの強度にも優れている。さらに、触媒成分と
して変性有機アルミニウム化合物を用いた本発明の第２
の触媒は、変性有機アルミニウム化合物の使用量が少な
くても、その触媒効率を高水準に維持することができ
る。これに加えて、本発明の上記両触媒は、調製が極め
て容易であり、短時間に効率的に触媒を調製することが
できる利点がある。

【０００６】本発明の成分（Ａ）としては、下記の一般
式で表される化合物の１種または２種以上が使用され
る。 一般式：Ｍｅ¹ （ＯＲ¹ ）_p Ｒ² _q Ｘ¹ _4-p-q 式中、Ｒ¹ およびＲ² は個別に炭素数１〜24、好ましく
は１〜12、さらに好ましくは１〜８の炭化水素基を示
す。これには、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル
基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル
基、ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基などのアルキル基、ビニル基、
アリル基などのアルケニル基、フェニル基、トリル基、
キシリル基、メシチル基、インデニル基、ナフチル基な
どのアリール基、ベンジル基、トリチル基、フェネチル
基、スチリル基、ベンズヒドリル基、フェニルブチル
基、フェニルプロピル基、ネオフィル基などのアラルキ
ル基などが包含され、これらの各炭化水素基には全ての
構造異性体が含まれる。そして、成分（Ａ）が２つ以上
の炭化水素基を持つ場合、個々の炭化水素基は同一であ
っても、相違していても差し支えない。Ｘ¹ はフッ素、
ヨウ素、塩素又は臭素のハロゲン原子、Ｍｅ¹ はＺｒ、
Ｔｉ又はＨｆを示し、好ましくはＺｒである。p 及びq
はそれぞれ０≦p ≦４、０≦q≦４、０≦p ＋q ≦４あ
り、好ましくは０＜p ＋q ≦４の整数である。

【０００７】成分（Ａ）として使用可能な化合物の具体
例を摘記すると、テトラメチルジルコニウム、テトラエ
チルジルコニウム、テトラプロピルジルコニウム、テト
ラn-ブチルジルコニウム、テトラペンチルジルコニウ
ム、テトラフェニルジルコニウム、テトラトリルジルコ
ニウム、テトラベンジルジルコニウム、テトラメトキシ
ジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラプ
ロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、
テトラフェノキシジルコニウム、テトラトリルオキシジ
ルコニウム、テトラペンチルオキシジルコニウム、テト
ラベンジルオキシジルコニウム、テトラアリルジルコニ
ウム、テトラネオフィルジルコニウム、トリメチルモノ
クロロジルコニウム、トリエチルモノクロロジルコニウ
ム、トリプロピルモノクロロジルコニウム、トリn-ブチ
ルモノクロロジルコニウム、トリベンジルモノクロロジ
ルコニウム、ジメチルジクロロジルコニウム、ジエチル
ジクロロジルコニウム、ジn-ブチルジクロロジルコニウ
ム、ジベンジルジクロロジルコニウム、モノメチルトリ
クロロジルコニウム、モノエチルトリクロロジルコニウ
ム、モノn-ブチルトリクロロジルコニウム、モノベンジ
ルトリクロロジルコニウム、テトラクロロジルコニウ
ム、トリメトキシモノクロロジルコニウム、ジメトキシ
ジクロロジルコニウム、モノメトキシトリクロロジルコ
ニウム、テトラエトキシジルコニウム、トリエトキシモ
ノクロロジルコニウム、ジエトキシジクロロジルコニウ
ム、モノエトキシトリクロロジルコニウム、テトライソ
プロポキシジルコニウム、トリイソプロポキシモノクロ
ロジルコニウム、ジイソプロポキシジクロロジルコニウ
ム、モノイソプロポキシトリクロロジルコニウム、テト
ラn-ブトキシジルコニウム、トリn-ブトキシモノクロロ
ジルコニウム、ジn-ブトキシジクロロジルコニウム、モ
ノn-ブトキシトリクロロジルコニウム、テトラペントキ
シジルコニウム、トリペントキシモノクロロジルコニウ
ム、ジペントキシジクロロジルコニウム、モノペントキ
シトリクロロジルコニウム、テトラフェノキシジルコニ
ウム、トリフェノキシモノクロロジルコニウム、ジフェ
ノキシジクロロジルコニウム、モノフェノキシトリクロ
ロジルコニウム、テトラトリルオキシルコニウム、トリ
トリルオキシモノクロロジルコニウム、ジトリルオキシ
ジクロロジルコニウム、モノトリルオキシトリクロロジ
ルコニウム、テトラベンジルオキシジルコニウム、トリ
ベンジルオキシモノクロロジルコニウム、ジベンジルオ
キシジクロロジルコニウム、モノベンジルオキシトリク
ロロジルコニウム、トリメチルモノブロモジルコニウ
ム、トリエチルモノブロモジルコニウム、トリプロピル
モノブロモジルコニウム、トリn-ブチルモノブロモジル
コニウム、トリベンジルモノブロモジルコニウム、ジメ
チルジブロモジルコニウム、ジエチルジブロモジルコニ
ウム、ジn-ブチルジブロモジルコニウム、ジベンジルジ
ブロモジルコニウム、モノメチルトリブロモジルコニウ
ム、モノエチルトリブロモジルコニウム、モノn-ブチル
トリブロモジルコニウム、モノベンジルトリブロモジル
コニウム、テトラブロモジルコニウム、トリメトキシモ
ノブロモジルコニウム、ジメトキシジブロモジルコニウ
ム、モノメトキシトリブロモジルコニウム、トリエトキ
シモノブロモジルコニウム、ジエトキシジブロモジルコ
ニウム、モノエトキシトリブロモジルコニウム、トリイ
ソプロポキシモノブロモジルコニウム、ジイソプロポキ
シジブロモジルコニウム、モノイソプロポキシトリブロ
モジルコニウム、トリn-ブトキシモノブロモジルコニウ
ム、ジn-ブトキシジブロモジルコニウム、モノn-ブトキ
シトリブロモジルコニウム、トリペントキシモノブロモ
ジルコニウム、ジペントキシジブロモジルコニウム、モ
ノペントキシトリブロモジルコニウム、トリフェノキシ
モノブロモジルコニウム、ジフェノキシジブロモジルコ
ニウム、モノフェノキシトリブロモジルコニウム、トリ
トリルオキシモノブロモジルコニウム、ジトリルオキシ
ジブロモジルコニウム、モノトリルオキシトリブロモジ
ルコニウム、トリベンジルオキシモノブロモジルコニウ
ム、ジベンジルオキシジブロモジルコニウム、モノベン
ジルオキシトリブロモジルコニウム、トリメチルモノヨ
ードジルコニウム、トリエチルモノヨードジルコニウ
ム、トリプロピルモノヨードジルコニウム、トリ-n- ブ
チルモノヨードジルコニウム、トリベンジルモノヨード
ジルコニウム、ジメチルジヨードジルコニウム、ジエチ
ルジヨードジルコニウム、ジn-ブチルジヨードジルコニ
ウム、ジベンジルジヨードジルコニウム、モノメチルト
リヨードジルコニウム、モノエチルトリヨードジルコニ
ウム、モノn-ブチルトリヨードジルコニウム、モノベン
ジルトリヨードジルコニウム、テトラヨードジルコニウ
ム、トリメトキシモノヨードジルコニウム、ジメトキシ
ジヨードジルコニウム、モノメトキシトリヨードジルコ
ニウム、トリエトキシモノヨードジルコニウム、ジエト
キシジヨードジルコニウム、モノエトキシトリヨードジ
ルコニウム、トリイソプロポキシモノヨードジルコニウ
ム、ジイソプロポキシジヨードジルコニウム、モノイソ
プロポキシトリヨードジルコニウム、トリn-ブトキシモ
ノヨードジルコニウム、ジn-ブトキシジヨードジルコニ
ウム、モノn-ブトキシトリヨードジルコニウム、トリペ
ントキシモノヨードジルコニウム、ジペントキシジヨー
ドジルコニウム、モノペントキシトリヨードジルコニウ
ム、トリフェノキシモノヨードジルコニウム、ジフェノ
キシジヨードジルコニウム、モノフェノキシトリヨード
ジルコニウム、トリトリルオキシモノヨードジルコニウ
ム、ジトリルオキシジヨードジルコニウム、モノトリル
オキシトリヨードジルコニウム、トリベンジルオキシモ
ノヨードジルコニウム、ジベンジルオキシジヨードジル
コニウム、モノベンジルオキシトリヨードジルコニウ
ム、トリベンジルモノメトキシジルコニウム、トリベン
ジルモノエトキシジルコニウム、トリベンジルモノプロ
ポキシジルコニウム、トリベンジルモノブトキシジルコ
ニウム、トリベンジルモノフェノキシジルコニウム、ジ
ベンジルジメトキシジルコニウム、ジベンジルジエトキ
シジルコニウム、ジベンジルジプロポキシジルコニウ
ム、ジベンジルジブトキシジルコニウム、ジベンジルジ
フェノキシジルコニウム、モノベンジルトリメトキシジ
ルコニウム、モノベンジルトリエトキシジルコニウム、
モノベンジルトリプロポキシジルコニウム、モノベンジ
ルトリブトキシジルコニウム、モノベンジルトリフェノ
キシジルコニウム、トリネオフィルモノメトキシジルコ
ニウム、トリネオフィルモノエトキシジルコニウム、ト
リネオフィルモノプロポキシジルコニウム、トリネオフ
ィルモノブトキシジルコニウム、トリネオフィルモノフ
ェノキシジルコニウム、ジネオフィルジメトキシジルコ
ニウム、ジネオフィルジエトキシジルコニウム、ジネオ
フィルジプロポキシジルコニウム、ジネオフィルジブト
キシジルコニウム、ジネオフィルジフェノキシジルコニ
ウム、モノネオフィルトリメトキシジルコニウム、モノ
ネオフィルトリエトキシジルコニウム、モノネオフィル
トリプロポキシジルコニウム、モノネオフィルトリブト
キシジルコニウム、モノネオフィルトリフェノキシジル
コニウム、

【０００８】テトラメチルチタニウム、テトラエチルチ
タニウム、テトラプロピルチタニウム、テトラn-ブチル
チタニウム、テトラペンチルチタニウム、テトラフェニ
ルチタニウム、テトラトリルチタニウム、テトラベンジ
ルチタニウム、テトラメトキシチタニウム、テトラエト
キシチタニウム、テトラプロポキシチタニウム、テトラ
ブトキシチタニウム、テトラフェノキシチタニウム、テ
トラトリルオキシチタニウム、テトラペンチルオキシチ
タニウム、テトラベンジルオキシチタニウム、テトラア
リルチタニウム、テトラネオフィルチタニウム、トリメ
チルモノクロロチタニウム、トリエチルモノクロロチタ
ニウム、トリプロピルモノクロロチタニウム、トリn-ブ
チルモノクロロチタニウム、トリベンジルモノクロロチ
タニウム、ジメチルジクロロチタニウム、ジエチルジク
ロロチタニウム、ジn-ブチルジクロロチタニウム、ジベ
ンジルジクロロチタニウム、モノメチルトリクロロチタ
ニウム、モノエチルトリクロロチタニウム、モノn-ブチ
ルトリクロロチタニウム、モノベンジルトリクロロチタ
ニウム、テトラメトキシチタニウム、トリメトキシモノ
クロロチタニウム、ジメトキシジクロロチタニウム、モ
ノメトキシトリクロロチタニウム、テトラエトキシチタ
ニウム、トリエトキシモノクロロチタニウム、ジエトキ
シジクロロチタニウム、モノエトキシトリクロロチタニ
ウム、テトライソプロポキシチタニウム、トリイソプロ
ポキシモノクロロチタニウム、ジイソプロポキシジクロ
ロチタニウム、モノイソプロポキシトリクロロチタニウ
ム、テトラn-ブトキシチタニウム、トリn-ブトキシモノ
クロロチタニウム、ジn-ブトキシジクロロチタニウム、
モノn-ブトキシトリクロロチタニウム、テトラペントキ
シチタニウム、トリペントキシモノクロロチタニウム、
ジペントキシジクロロチタニウム、モノペントキシトリ
クロロチタニウム、テトラフェノキシチタニウム、トリ
フェノキシモノクロロチタニウム、ジフェノキシジクロ
ロチタニウム、モノフェノキシトリクロロチタニウム、
テトラトリルオキシチタニウム、トリトリルオキシモノ
クロロチタニウム、ジトリルオキシジクロロチタニウ
ム、モノトリルオキシトリクロロチタニウム、テトラベ
ンジルオキシチタニウム、トリベンジルオキシモノクロ
ロチタニウム、ジベンジルオキシジクロロチタニウム、
モノベンジルオキシトリクロロチタニウム、トリメチル
モノブロモチタニウム、トリエチルモノブロモチタニウ
ム、トリプロピルモノブロモチタニウム、トリ-n- ブチ
ルモノブロモチタニウム、トリベンジルモノブロモチタ
ニウム、ジメチルジブロモチタニウム、ジエチルジブロ
モチタニウム、ジn-ブチルジブロモチタニウム、ジベン
ジルジブロモチタニウム、モノメチルトリブロモチタニ
ウム、モノエチルトリブロモチタニウム、モノn-ブチル
トリブロモチタニウム、モノベンジルトリブロモチタニ
ウム、テトラブロモチタニウム、トリメトキシモノブロ
モチタニウム、ジメトキシジブロモチタニウム、モノメ
トキシトリブロモチタニウム、トリエトキシモノブロモ
チタニウム、ジエトキシジブロモチタニウム、モノエト
キシトリブロモチタニウム、トリイソプロポキシモノブ
ロモチタニウム、ジイソプロポキシジブロモチタニウ
ム、モノイソプロポキシトリブロモチタニウム、トリn-
ブトキシモノブロモチタニウム、ジn-ブトキシジブロモ
チタニウム、モノn-ブトキシトリブロモチタニウム、ト
リペントキシモノブロモチタニウム、ジペントキシジブ
ロモチタニウム、モノペントキシトリブロモチタニウ
ム、トリフェノキシモノブロモチタニウム、ジフェノキ
シジブロモチタニウム、モノフェノキシトリブロモチタ
ニウム、トリトリルオキシモノブロモチタニウム、ジト
リルオキシジブロモチタニウム、モノトリルオキシトリ
ブロモチタニウム、トリベンジルオキシモノブロモチタ
ニウム、ジベンジルオキシジブロモチタニウム、モノベ
ンジルオキシトリブロモチタニウム、トリメチルモノヨ
ードチタニウム、トリエチルモノヨードチタニウム、ト
リプロピルモノヨードチタニウム、トリ-n- ブチルモノ
ヨードチタニウム、トリベレジルモノヨードチタニウ
ム、ジメチルジヨードチタニウム、ジエチルジヨードチ
タニウム、ジn-ブチルジヨードチタニウム、ジベンジル
ジヨードチタニウム、モノメチルトリヨードチタニウ
ム、モノエチルトリヨードチタニウム、モノn-ブチルト
リヨードチタニウム、モノベンジルトリヨードチタニウ
ム、テトラヨードチタニウム、トリメトキシモノヨード
チタニウム、ジメトキシジヨードチタニウム、モノメト
キシトリヨードチタニウム、トリエトキシモノヨードチ
タニウム、ジエトキシジヨードチタニウム、モノエトキ
シトリヨードチタニウム、トリイソプロポキシモノヨー
ドチタニウム、ジイソプロポキシジヨードチタニウム、
モノイソプロポキシトリヨードチタニウム、トリn-ブト
キシモノヨードチタニウム、ジn-ブトキシジヨードチタ
ニウム、モノn-ブトキシトリヨードチタニウム、トリペ
ントキシモノヨードチタニウム、ジペントキシジヨード
チタニウム、モノペントキシトリヨードチタニウム、ト
リフェノキシモノヨードチタニウム、ジフェノキシジヨ
ードチタニウム、モノフェノキシトリヨードチタニウ
ム、トリトリルオキシモノヨードチタニウム、ジトリル
オキシジヨードチタニウム、モノトリルオキシトリヨー
ドチタニウム、トリベンジルオキシモノヨードチタニウ
ム、ジベンジルオキシジヨードドチタニウム、モノベン
ジルオキシトリヨードチタニウム、トリベンジルモノメ
トキシチタニウム、トリベンジルモノエトキシチタニウ
ム、トリベンジルモノプロポキシチタニウム、トリベン
ジルモノブトキシチタニウム、トリベンジルモノフェノ
キシチタニウム、ジベンジルジメトキシチタニウム、ジ
ベンジルジエトキシチタニウム、ジベンジルジプロポキ
シチタニウム、ジベンジルジブトキシチタニウム、ジベ
ンジルジフェノキシチタニウム、モノベンジルトリメト
キシチタニウム、モノベンジルトリエトキシチタニウ
ム、モノベンジルトリプロポキシチタニウム、モノベン
ジルトリブトキシチタニウム、モノベンジルトリフェノ
キシチタニウム、トリネオフィルモノメトキシチタニウ
ム、トリネオフィルモノエトキシチタニウム、トリネオ
フィルモノプロポキシチタニウム、トリネオフィルモノ
ブトキシチタニウム、トリネオフィルモノフェノキシチ
タニウム、ジネオフィルジメトキシチタニウム、ジネオ
フィルジエトキシチタニウム、ジネオフィルジプロポキ
シチタニウム、ジネオフィルジブトキシチタニウム、ジ
ネオフィルジフェノキシチタニウム、モノネオフィルト
リメトキシチタニウム、モノネオフィルトリエトキシチ
タニウム、モノネオフィルトリプロポキシチタニウム、
モノネオフィルトリブトキシチタニウム、モノネオフィ
ルトリフェノキシチタニウム、

【０００９】テトラメチルハフニウム、テトラエチルハ
フニウム、テトラプロピルハフニウム、テトラn-ブチル
ハフニウム、テトラペンチルハフニウム、テトラフェニ
ルハフニウム、テトラトリルハフニウム、テトラベンジ
ルハフニウム、テトラメトキシハフニウム、テトラエト
キシハフニウム、テトラプロポキシハフニウム、テトラ
ブシトリヨードチタニウム、トキシハフニウム、テトラ
フェノキシハフニウム、テトラトリルオキシハフニウ
ム、テトラペンチルオキシハフニウム、テトラベンジル
オキシハフニウム、テトラアリルハフニウム、テトラネ
オフィルハフニウム、トリメチルモノクロロハフニウ
ム、トリエチルモノクロロハフニウム、トリプロピルモ
ノクロロハフニウム、トリn-ブチルモノクロロハフニウ
ム、トリベンジルモノクロロハフニウム、ジメチルジク
ロロハフニウム、ジエチルジクロロハフニウム、ジn-ブ
チルジクロロハフニウム、ジベンジルジクロロハフニウ
ム、モノメチルトリクロロハフニウム、モノエチルトリ
クロロハフニウム、モノn-ブチルトリクロロハフニウ
ム、モノベンジルトリクロロハフニウム、テトラメトキ
シハフニウム、トリメトキシモノクロロハフニウム、ジ
メトキシジクロロハフニウム、モノメトキシトリクロロ
ハフニウム、テトラエトキシハフニウム、トリエトキシ
モノクロロハフニウム、ジエトキシジクロロハフニウ
ム、モノエトキシトリクロロハフニウム、テトライソプ
ロポキシハフニウム、トリイソプロポキシモノクロロハ
フニウム、ジイソプロポキシジクロロハフニウム、モノ
イソプロポキシトリクロロハフニウム、テトラn-ブトキ
シハフニウム、トリn-ブトキシモノクロロハフニウム、
ジn-ブトキシジクロロハフニウム、モノn-ブトキシトリ
クロロハフニウム、テトラペントキシハフニウム、トリ
ペントキシモノクロロハフニウム、ジペントキシジクロ
ロハフニウム、モノペントキシトリクロロハフニウム、
テトラフェノキシハフニウム、トリフェノキシモノクロ
ロハフニウム、ジフェノキシジクロロハフニウム、モノ
フェノキシトリクロロハフニウム、テトラトリルオキシ
ハフニウム、トリトリルオキシモノクロロハフニウム、
ジトリルオキシジクロロハフニウム、モノトリルオキシ
トリクロロハフニウム、テトラベンジルオキシハフニウ
ム、トリベンジルオキシモノクロロハフニウム、ジベン
ジルオキシジクロロハフニウム、モノベンジルオキシト
リクロロハフニウム、トリメチルモノブロモハフニウ
ム、トリエチルモノブロモハフニウム、トリプロピルモ
ノブロモハフニウム、トリ-n- ブチルモノブロモハフニ
ウム、トリベンジルモノブロモハフニウム、ジメチルジ
ブロモハフニウム、ジエチルジブロモハフニウム、ジn-
ブチルジブロモハフニウム、ジベンジルジブロモハフニ
ウム、モノメチルトリブロモハフニウム、モノエチルト
リブロモハフニウム、モノn-ブチルトリブロモハフニウ
ム、モノベンジルトリブロモハフニウム、テトラブロモ
ハフニウム、トリメトキシモノブロモハフニウム、ジメ
トキシジブロモハフニウム、モノメトキシトリブロモハ
フニウム、トリエトキシモノブロモハフニウム、ジエト
キシジブロモハフニウム、モノエトキシトリブロモハフ
ニウム、トリイソプロポキシモノブロモハフニウム、ジ
イソプロポキシジブロモハフニウム、モノイソプロポキ
シトリブロモハフニウム、トリn-ブトキシモノブロモハ
フニウム、ジn-ブトキシジブロモハフニウム、モノn-ブ
トキシトリブロモハフニウム、トリペントキシモノブロ
モハフニウム、ジペントキシジブロモハフニウム、モノ
ペントキシトリブロモハフニウム、トリフェノキシモノ
ブロモハフニウム、ジエノキシジブロモハフニウム、モ
ノフェノキシトリブロモハフニウム、トリトリルオキシ
モノブロモハフニウム、ジトリルオキシジブロモハフニ
ウム、モノトリルオキシトリブロモハフニウム、トリベ
ンジルオキシモノブロモハフニウム、ジベンジルオキシ
ジブロモハフニウム、モノベンジルオキシトリブロモハ
フニウム、トリメチルモノヨードハフニウム、トリエチ
ルモノヨードハフニウム、トリプロピルモノヨードハフ
ニウム、トリ-n- ブチルモノヨードハフニウム、トリベ
ンジルモノヨードハフニウム、ジメチルジヨードハフニ
ウム、ジエチルジヨードハフニウム、ジn-ブチルジヨー
ドハフニウム、ジベンジルジヨードハフニウム、モノメ
チルトリヨードハフニウム、モノエチルトリヨードハフ
ニウム、モノn-ブチルトリヨードハフニウム、モノベン
ジルトリヨードハフニウム、テトラヨードハフニウム、
トリメトキシモノヨードハフニウム、ジメトキシジヨー
ドハフニウム、モノメトキシトリヨードハフニウム、ト
リエトキシモノヨードハフニウム、ジエトキシジヨード
ハフニウム、モノエトキシトリヨードハフニウム、トリ
イソプロポキシモノヨードハフニウム、ジイソプロポキ
シジヨードハフニウム、モノイソプロポキシトリヨード
ハフニウム、トリn-ブトキシモノヨードハフニウム、ジ
n-ブトキシジヨードハフニウム、モノn-ブトキシトリヨ
ードハフニウム、トリペントキシモノヨードハフニウ
ム、ジペントキシジヨードハフニウム、モノペントキシ
トリヨードハフニウム、トリフェノキシモノヨードハフ
ニウム、ジエノキシジヨードハフニウム、モノフェノキ
シトリヨードハフニウム、トリトリルオキシモノヨード
ハフニウム、ジトリルオキシジヨードハフニウム、モノ
トリルオキシトリヨードハフニウム、トリベンジルオキ
シモノヨードハフニウム、ジベンジルオキシジヨードハ
フニウム、モノベンジルオキシトリヨードハフニウム、
トリベンジルモノメトキシハフニウム、トリベンジルモ
ノエトキシハフニウム、トリベンジルモノプロポキシハ
フニウム、トリベンジルモノブトキシハフニウム、トリ
ベンジルモノフェノキシハフニウム、ジベンジルジメト
キシハフニウム、ジベンジルジエトキシハフニウム、ジ
ベンジルジプロポキシハフニウム、ジベンジルジブトキ
シハフニウム、ジベンジルジフェノキシハフニウム、モ
ノベンジルトリメトキシハフニウム、モノベンジルトリ
エトキシハフニウム、モノベンジルトリプロポキシハフ
ニウム、モノベンジルトリブトキシハフニウム、モノベ
ンジルトリフェノキシハフニウム、トリネオフィルモノ
メトキシハフニウム、トリネオフィルモノエトキシハフ
ニウム、トリネオフィルモノプロポキシハフニウム、ト
リネオフィルモノブトキシハフニウム、トリネオフィル
モノフェノキシハフニウム、ジネオフィルジメトキシハ
フニウム、ジネオフィルジエトキシハフニウム、ジネオ
フィルジプロポキシハフニウム、ジネオフィルジブトキ
シハフニウム、ジネオフィルジフェノキシハフニウム、
モノネオフィルトリメトキシハフニウム、モノネオフィ
ルトリエトキシハフニウム、モノネオフィルトリプロポ
キシハフニウム、モノネオフィルトリブトキシハフニウ
ム、モノネオフィルトリフェノキシハフニムなどであ
る。

【００１０】上記した各化合物の中にあって、テトラメ
チルジルコニウム、テトラエチルジルコニウム、テトラ
ベンジルジルコニウム、テトラプロポキシジルコニウ
ム、トリプロポキシモノクロロジルコニウム、テトラブ
トキシジルコニム、テトラクロロジルコニウム、テトル
ブトキシチタン、テトラブトキシハフニウムが好まし
く、特にテトラプロポキシジルコニウム、テトラブトキ
シジルコニムなどのテトラアルコキシジルコニムが好ま
しい。

【００１１】本発明の（Ｂ）成分としては、下記の
（ａ）〜（ｃ）で示されるメタルハイドライド化合物の
少なくとも１種が使用される。 （ａ）Ｍｅ²Ｈ_aＲ³ _3-a （ｂ）Ｍｅ³［Ｍｅ²Ｈ_bＲ⁴ _c（ＯＲ⁵）_4ーb-c］_z （ｃ）化４

【化４】 上記の一般式（ａ）〜（ｃ）において、Ｍｅ² はホウ
素、アルミニウムなどの周期律表第１３族元素を、Ｍｅ
³ はリチウム、ナトリウム、カリウムなどの周期律表第
１族元素、マグネシウム、カルシウム、バリウムなどの
周期律表第２族元素または亜鉛などの周期律表第１２族
元素を示す。Ｒ³、Ｒ⁴ 、Ｒ⁵およびＲ⁶は個別に炭素数
１〜24の、好ましくは１〜６の炭化水素基を示し、これ
にはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロ
プロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチ
ル、イソペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ヘ
キシル、イソヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、デシル、ドデシルなどの各アルキル基；ビニ
ル、アリルなどの各アルケニル基；フェニル、トリル、
キシリル、メシチル、インデニル、ナフチルなどの各ア
リール基；ベンジル、トリチル、フェネチル、スチリ
ル、ベンズヒドリル、フェニルブチル、フェニルプロピ
ル、ネオフィルなどの各アラルキル基などが包含され
る。そして、１分子中に２個以上の炭化水素基が存在す
る場合、個々の炭化水素基は同一であっても、相違して
いてもよい。ｚはＭｅ³の価数を示し、ａ、ｂおよびｃ
は、それぞれ１≦ａ≦３、１≦ｂ≦４、０≦ｃ≦３で、
しかも、１≦ｂ＋ｃ≦４であり、ｄは０≦ｄ≦４、好ま
しくは０≦ｄ≦２、さらに好ましくは０≦ｄ≦１、最も
好ましくはｄ＝０である。そして、ａ、ｂ、ｃおよびｄ
は通常整数である。

【００１２】メタルハイドライド（ｂ）において、Ｍｅ
²がホウ素である場合、Ｍｅ³ はリチウム、ナトリウム
または亜鉛であることが好ましく、Ｍｅ²がアルミニウ
ムである場合は、Ｍｅ³ がリチウム、ナトリウムまたは
カリウムであることが好ましい。また、メタルハイドラ
イド（ｃ）において、炭化水素基Ｒ6の結合位置は特に
限定はないが、ｄ＝２の場合は４位と５位、４位と６位
または５位と６位に結合し、ｄ＝の１の場合は４位また
は５位に結合するのが通例である。

【００１３】成分（Ｂ）として使用可能な化合物の具体
例を挙げれば、水素化アルミニウム、ジメチルアルミニ
ウムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライ
ド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソプロ
ピルアルミニウムハイドライド、ジブチルアルミニウム
ハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライ
ド、ジヘキシルアルミニウムハイドライド、ジシクロヘ
キシルアルミニウムハイドライド、リチウムアルミニウ
ムハイドライド、ナトリウムアルミニウムハイドライ
ド、リチウムアルミニウムトリメトキシハイドライド、
ナトリウムアルミニウムトリメトキシハイドライド、リ
チウムアルミニウムトリエトキシハイドライド、ナトリ
ウムアルミニウムトリエトキシハイドライド、リチウム
アルミニウムトリｔｅｒｔ−ブトキシハイドライド、ナ
トリウムアルミニウムトリｔ−ブトキシハイドライド、
ボラン、ジボラン、２，３−ジメチル−２−ブチルボラ
ン、ビス（３−メチル−２−ブチル）ボラン、ジシクロ
ヘキシルボラン、ジイソピノカンフェニルボラン、９−
ボラビシクロ〔３，３，１〕ノナン、カテコールボラ
ン、リチウムボロハイドライド、ナトリウムボロハイド
ライド、ジンクボロハイドライド、マグネシウムボロハ
イドライド、カルシウムボロハイドライド、バリウムボ
ロハイドライド、リチウムトリエチルボロハイドライ
ド、リチウムトリイソブチルボロハイドライド、カルウ
ムトリイソブチルボロハイドライド、ナトリウムシアノ
ボロハイドライド、カリウムシアノボロハイドライド、
カテコールボラン（１，３，２−ベンゾジオキサボラロ
ール）、４−メチル−１，３，２−ベンゾジオキサボラ
ロール、５−メチル−１，３，２−ベンゾジオキサボラ
ロール、４，５−ジメチル−１，３，２−ベンゾジオキ
サボラロール、４，６−ジメチル−１，３，２−ベンゾ
ジオキサボラロール、４，７−ジメチル−１，３，２−
ベンゾジオキサボラロール、４−エチル−１，３，２−
ベンゾジオキサボラロール、５−エチル−１，３，２−
ベンゾジオキサボラロール、４，５−ジエチル−１，
３，２−ベンゾジオキサボラレオール、４，６−ジエチ
ル１，３，２−ベンゾジオキサボラロール、４，７−ジ
エチル−１，３，２−ベンゾジオキサボラロール、４−
プロピル−１，３，２−ベンゾジオキサボラロール、５
−プロピル−１，３，２−ベンゾジオキサボラロール、
４，５−ジプロピル−１，３，２−ベンゾジオキサボラ
ロール、４，６−ジプロピル−１，３，２−ベンゾジオ
キサボラロール、４，７−ジプロピル−１，３，２−ベ
ンゾジオキサボラロール、４，５，６−トリメチル−
１，３，２−ベンゾジオキサボラロール、４，５，７−
トリメチル−１，３，２−ベンゾジオキサボラロール、
４，５，６，７−テトラメチル−１，３，２−ベンゾジ
オキサボラロールなどが挙げることができる。これらの
中でも、水素化アルミニウム、ジメチルアルミニウムハ
イドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジイ
ソブチルアルミニウムハイドライド、リチウムアルミニ
ウムハイドライド、リチウムアルミニウムトリメトキシ
ハイドライド、ナトリウムボロハイドライド、リチウム
トリイソブチルボロハイドライド、カリウムトリイソブ
チルボロハイドライドなどが好ましい。上記した各化合
物は２種以上を組み合せて使用することもでき、その組
み合せとしては、例えば、ジイソブチルアルミニウムハ
イドライドとナトリウムボロハイドライド、ジイソブチ
ルアルミニウムハイドライドとリチウムアルミニウムハ
イドライド、リチウムアルミニウムトリエトキシハイド
ライト、ナトリウムボロハイドライド、リチウムアルミ
ニウムトリエトキシハイドライドとリチウムアルミニウ
ムハイドライドなどの組み合わせが好ましい。

【００１４】成分（Ｃ）としては、シクロペンタジエニ
ル環を有する炭化水素化合物又は有機ケイ素化合物であ
る共役二重結合を２つ以上有する有機環状化合物が使用
され、これには共役二重結合を２個以上、好ましくは２
〜４個、さらに好ましくは２〜３個有する環を１個また
は２個以上持ち、全炭素数が４〜２４、好ましくは４〜
１２である環状炭化水素化合物；前記環状炭化水素化合
物が部分的に１〜６個の炭化水素基（典型的には、炭素
数１〜１２のアルキル基又はアラルキル基）で置換され
た環状炭化水素化合物；共役二重結合を２個以上、好ま
しくは２〜４個、さらに好ましくは２〜３個有し、全炭
素数が４〜２４、好ましくは４〜１２である環状炭化水
素基を有する有機ケイ素化合物；前記環状炭化水素基が
部分的に１〜６個の炭化水素残基で置換された有機ケイ
素化合物；さらには上記各化合物のアルカリ金属塩（ナ
トリウム塩、リチウム塩など）が含まれる。

【００１５】シクロペンタジエニル環を有する炭化水素
化合物の典型例は次の化５で例示される化合物である。

【化５】 ［式中、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、水素または炭素
数１〜１０の炭化水素基を示し、これらの任意の２つが
炭化水素基である場合、それら炭化水素基は共同して共
役二重結合を持つ環を形成することができる。］

【００１６】化５の炭化水素基Ｒ⁷ 、Ｒ⁸ 、Ｒ⁹ および
Ｒ¹⁰としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、オクチルなどの各
アルキル基；フェニルなどのアリール基；メトキシ、エ
トキシ、プロポキシなどのアルコキシ基；フェノキシな
どのアリールオキシ基；ベンジルなどのアラルキル基が
例示できる。また、炭化水素基Ｒ⁷ 〜Ｒ¹⁰の任意の２つ
が共同して共役二重結合を持つ環を形成する場合、その
環は通常６〜８員環である。化５で示される化合物の具
体例には、シクロペンタジエン、インデン、アズレンな
どのほか、これらの各化合物のアルキル誘導体、アリー
ル誘導体、アラルキル誘導体、アルコシキ誘導体および
アリールオキシ誘導体が例示できる。また、化５で示さ
れる化合物の２つ以上がアルキレン基（その炭素数は通
常２〜８、好ましくは２〜３）を介して結合（架橋）し
た化合物も、本発明の（Ｃ）成分として使用することが
できる。

【００１７】環状炭化水素基を有する有機ケイ素化合物
は、 （Ｃｐ）_L ＳｉＲ¹¹ _4-L で示すことができる。ここで、Ｃｐはシクロペンタジエ
ニル、置換シクロペンタジエニル、インデニル、置換イ
ンデニルで例示される前記環状炭化水素基を示し、Ｒ¹¹
はメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、
ｔ−ブチル、ヘキシル、オクチルなどのアルキル基；メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどのアルコ
キシ基；フェニルなどのアリ−ル基；フェノキシなどの
アリ−ルオキシ基；ベンジルなどのアラルキル基で例示
されるような、炭素数１〜24、好ましくは１〜12の炭化
水素基または水素を示し、L は１≦L ≦４、好ましくは
１≦L ≦３である。

【００１８】従って、本発明の成分（Ｃ）として使用可
能な有機環状炭化水素化合物には、下記の各化合物が含
まれる。シクロペンタジエン、メチルシクロペンタジエ
ン、エチルシクロペンタジエン、ｔ−ブチルシクロペン
タジエン、ヘキシルシクロペンタジエン、オクチルシク
ロペンタジエン、１，２−ジメチルシクロペンタジエ
ン、１，３−ジメチルシクロペンタジエン、１，２，４
−トリメチルシクロペンタジエン、１，２，３，４−テ
トラメチルシクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペ
ンタジエン、インデン、４−メチル−１−インデン、
４，７−ジメチルインデン、４，５，６，７−テトラハ
イドロインデン、アズレン、メチルアズレン、エチルア
ズレン、フルオレン、メチルフルオレンのような炭素数
７〜２４のシクロポリエン又は置換シクロポリエン、モ
ノシクロペンタジエニルシラン、ビスシクロペンタジエ
ニルシラン、トリスシクロペンタジエニルシラン、テト
ラキスシクロペンタジエニルシラン、モノシクロペンタ
ジエニルモノメチルシラン、モノシクロペンタジエニル
モノエチルシラン、モノシクロペンタジエニルジメチル
シラン、モノシクロペンタジエニルジエチルシラン、モ
ノシクロペンタジエニルトリメチルシラン、モノシクロ
ペンタジエニルトリエチルシラン、モノシクロペンタジ
エニルモノメトキシシラン、モノシクロペンタジエニル
モノエトキシシラン、モノシクロペンタジエニルモノフ
ェノキシシラン、ビスシクロペンタジエニルモノメチル
シラン、ジシクロペンタジエニルモノエチルシラン、ビ
スシクロペンタジエニルジメチルシラン、ビスシクロペ
ンタジエニルジエチルシラン、ビスシクロペンタジエニ
ルメチルエチルシラン、ビスシクロペンタジエニルジプ
ロピルシラン、ビスシクロペンタジエニルエチルプロピ
ルシラン、ビスシクロペンタジエニルジフェニルシラ
ン、ビスシクロペンタジエニルフェニルメチルシラン、
ビスシクロペンタジエニルモノメトキシシラン、ビスシ
クロペンタジエニルモノエトキシシラン、トリスシクロ
ペンタジエニルモノメチルシラン、トリスシクロペンタ
ジエニルモノエチルシラン、トリスシクロペンタジエニ
ルモノメトキシシラン、トリスシクロペンタジエニルモ
ノエトキシシラン、３−メチルシクロペンタジエニルシ
ラン、ビス３−メチルシクロペンタジエニルシラン、３
−メチルシクロペンタジエニルメチルシラン、１，２−
ジメチルシクロペンタジエニルシラン、１，３−ジメチ
ルシクロペンタジエニルシラン、１，２，４−トリメチ
ルシクロペンタジエニルシラン、１，２，３，４−テト
ラメチルシクロペンタジエニルシラン、ペンタメチルシ
クロペンタジエニルシラン、モノインデニルシラン、ビ
スインデニルシラン、トリスインデニルシラン、テトラ
キスインデニルシラン、モノインデニルモノメチルシラ
ン、モノインデニルモノエチルシラン、モノインデニル
ジメチルシラン、モノインデニルジエチルシラン、モノ
インデニルトリメチルシラン、モノインデニルトリエチ
ルシラン、モノインデニルモノメトキシシラン、モノイ
ンデニルモノエトキシシラン、モノインデニルモノフェ
ノキシシラン、ビスインデニルモノメチルシラン、ビス
インデニルモノエチルシラン、ビスインデニルジメチル
シラン、ビスインデニルジエチルシラン、ビスインデニ
ルメチルエチルシラン、ビスインデニルジプロピルシラ
ン、ビスインデニルエチルプロピルシラン、ビスインデ
ニルジフェニルシラン、ビスインデニルフェニルメチル
シラン、ビスインデニルモノメトキシシラン、ビスイン
デニルモノエトキシシラン、トリスインデニルモノメチ
ルシラン、トリスインデニルモノエチルシラン、トリス
インデニルモノメトキシシラン、トリスインデニルモノ
エトキシシラン、３−メチルインデニルシラン、ビス３
−メチルインデニルシラン、３−メチルインデニルメチ
ルシラン、１，２−ジメチルインデニルシラン、１，３
−ジメチルインデニルシラン、１，２，４−トリメチル
インデニルシラン、１，２，３，４−テトラメチルイン
デニルシラン、ペンタメチルインデニルシラン等。

【００１９】また、上記した各化合物のいずれかが、ア
ルキレン基（その炭素数は通常２〜８、好ましくは２〜
３）を介して結合した化合物も、本発明の成分（Ｃ）と
して使用できる。例えば、ビスインデニルエタン、ビス
（4,5,6,7-テトラハイドロ-1-インデニル）エタン、1,3
-プロパンジニルビスインデン、1,3-プロパンジニルビ
ス（4,5,6,7-テトラハイドロ）インデン、プロピレンビ
ス（1-インデン）、イソプロピル（1-インデニル）シク
ロペンタジエン、ジフェニルメチレン（9-フルオレニ
ル）シクロペンタジエン、イソプロピルシクロペンタジ
エニル-1- フルオレンなどは、いずれも本発明の成分
（Ｃ）として使用可能な化合物である。

【００２０】成分（Ｄ）のとしては各種のボランおよび
／またはボレートが使用される。本発明で使用可能なボ
ランの第一例は、Ｒ¹² ₃Ｂで表される化合物である。こ
こで、Ｒ¹²は炭素数６〜２０、好ましくは６〜１２のフ
ェニル、トリルなどのアリール基、ベンジルなどのアラ
ルキル基、フルオロフェニル、ジフルオロフェニル、ト
リフルオロフェニル、ペンタフルオロフェニルなどのハ
ロアリール基、ペンタフルオロベンジルなどのハロアラ
ルキル基を示す。第一例のボランには、トリフェニルボ
ラン、トリ（o-トリル）ボラン、トリ（p-トリル）ボラ
ン、トリ（m-トリル）ボラン、トリ（o-フルオロフェニ
ル）ボラン、トリ（p-フルオロフェニル）ボラン、トリ
（m-フルオロフェニル）ボラン、トリ（3,5-ジフルオロ
フェニル）ボラン、トリ（ペンタフルオロフェニル）ボ
ランが包含される。これらの中ではトリ（o-フルオロフ
ェニル）ボラン、トリ（p-フルオロフェニル）ボラン、
トリ（m-フルオロフェニル）ボラン、トリ（3,5-ジフル
オロフェニル）ボラン、トリ（ペンタフルオロフェニ
ル）ボランが、本発明の成分（Ｄ）として好ましく、ト
リ（ペンタフルオロフェニル）ボランが特に好ましい。

【００２１】成分（Ｄ）として使用可能なボランの第二
例は、高級水素化ホウ素錯体、すなわち、ジボランの熱
分解により生成するホウ素数４以上、通常４〜１２のポ
リホウ素化合物であって、これにはテトラボラン、デカ
ボランなどが含まれる。成分（Ｄ）として使用可能なボ
ランの第三例は、上記のポリホウ素化合物においてその
分子中に炭素を含有するカルボランであって、これに
は、7,8-ジカルバウンデカボラン、2,7-ジカルバウンデ
カボラン、ウンデカヒドリド-7,8-ジメチル-7,8 -ジカ
ルバウンデカボラン、ドデカヒドリド-11-メチル-2,7-
ジカルバウンデカボラン、4-カルバノナボラン、1,3-ジ
カルバノナボラン、6,9-ジカルバデカボラン、ドデカヒ
ドリド-1-メチル-1、3-ジカルバノナボランなどが含ま
れる。

【００２２】本発明で成分（Ｄ）として使用されるボレ
ート(borate)とは、ホウ素を含有したアート錯体を言
う。ボレートの第一例は、高級水素化ホウ素アニオン錯
体、すなわち、ジボランとテトラヒドロボレートから誘
導される化合物であって、これにはトリブチルアンモニ
ウムノナボレート、トリブチルアンモニウムデカボレー
ト、トリブチルアンモニウムウンデカボレート、トリブ
チルアンモニウムドデカボレート、ジメチルアニリニウ
ムノナボレート、ジメチルアニリニウムデカボレート、
ジメチルアニリニウムウンデカボレート、ジメチルアニ
リニウムドデカボレート、トリフェニルホスホニウムノ
ナボレート、トリフェニルホスホニウムデカボレート、
トリフェニルホスホニウムウンデカボレート、トリフェ
ニルホスホニウムドデカボレート、トリチルノナボレー
ト、トリチルデカボレート、トリチルウンデカボレー
ト、トリチルドデカボレート、フェロセニウムノナボレ
ート、フェロセニウムデカボレート、フェロセニウムウ
ンデカボレート、フェロセニウムドデカボレート、トロ
ピリウムノナボレート、トロピリウムデカボレート、ト
ロピリウムウンデカボレート、トロピリウムドデカボレ
ートなどが含まれる。

【００２３】ボレートの第二例は、一般式： ［Ｌ¹ −Ｈ］⁺ ［ＢＲ¹³Ｒ¹⁴Ｘ² Ｘ³ ］^- (1) で表される。式中Ｌ¹ は中性ルイス塩基を、Ｈは水素原
子を示し、［Ｌ¹ −Ｈ］はアンモニウム、アニリニウ
ム、ホスフォニウム等のブレンステッド酸を示す。ブレ
ンステッド酸としてのアンモニウムには、トリメチルア
ンモニウム、トリエチルアンモニウム、トリプロピルア
ンモニウム、トリブチルアンモニウム、トリ（ｎ−ブチ
ル）アンモニウムなどのトリアルキル置換アンモニウ
ム、ジ（ｎ−プロピル）アンモニウム、ジシクロヘキシ
ルアンモニウムなどのジアルキルアンモニウムが含まれ
る。ブレンステッド酸としてのアニリニウムには、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアニリニウム、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニ
ウム、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペンタメチルアニリニウム
などのＮ，Ｎ−ジアルキルアニリニウムが含まれ、ブレ
ンステッド酸としてのホスフォニウムにはトリフェニル
ホスフォニウム、トリブチルホスホニウム、トリ（メチ
ルフェニル）ホスフォニウム、トリ（ジメチルフェニ
ル）ホスフォニウムなどのトリアリールホスフォニウ
ム、トリアルキルホスフォニウムが含まれる。Ｒ¹³及び
Ｒ¹⁴は個別に炭素数６〜20、好ましくは６〜16の芳香族
炭化水素基又は置換芳香族炭化水素基を示し、これらは
架橋基によって互いに連結されていてもよい。前記置換
芳香族炭化水素基の置換基としては、炭素数１〜４の炭
化水素基（例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピルなどで代表されるアルキル基）およびハロゲン（フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）が挙げられる。Ｘ² 及び
Ｘ³ は水素、ハロゲン、炭素数が１〜２０の炭化水素基
（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、シ
クロブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、
シクロペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、シクロヘキ
シル、ヘプチル、オクチルなどのアルキル基；ビニル、
アリルなどのアルケニル基；フェニル、トリル、キシリ
ル、メシチル、インデニル、ナフチルなどのアリール
基；ベンジル、トリチル、フェネチル、スチリル、ベン
ズヒドリル、フェニルブチル、フェニルプロピル、ネオ
フィルなどのアラルキル基）；前記炭化水素基から誘導
されるハロゲン置換炭化水素基（置換ハロゲンは、例え
ば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）を示す。

【００２４】ボレートの第二例に含まれる化合物の具体
例を例示すると、トリブチルアンモニウムテトラ（p-ト
リル）ボレート、トリブチルアンモニウムテトラ（m-ト
リル）ボレート、トリブチルアンモニウムテトラ（o-フ
ルオロフェニル）ボレート，トリブチルアンモニウムテ
トラ（p-フルオロフェニル）ボレート、トリブチルアン
モニウムテトラ（m-フルオロフェニル）ボレート、トリ
ブチルアンモニウムテトラ（3,5-ジフルオロフェニル）
ボレート、ジメチルアニリニウムテトラ（o-トリル）ボ
レート、ジメチルアニリニウムテトラ（p-トリル）ボレ
ート、ジメチルアニリニウムテトラ（m-トリル）ボレー
ト、ジメチルアニリニウムテトラ（o-フルオロフェニ
ル）ボレート、ジメチルアニリニウムテトラ（p-フルオ
ロフェニル）ボレート、ジメチルアニリニウムテトラ
（m-フルオロフェニル）ボレート、ジメチルアニリニウ
ムテトラ（3,5-ジフルオロフェニル）ボレート、ジメチ
ルアニリニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、トリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレー
ト、トリフェニルホスホニウムテトラ（o-トリル）ボレ
ート、トリフェニルホスホニウムテトラ（p-トリル）ボ
レート、トリフェニルホスホニウムテトラ（m-トリル）
ボレート、トリフェニルホスホニウムテトラ（o-フルオ
ロフェニル）ボレート、トリフェニルホスホニウムテト
ラ（p-フルオロフェニル）ボレート、トリフェニルホス
ホニウムテトラ（m-フルオロフェニル）ボレート、トリ
フェニルホスホニウムテトラ（3,5-ジフルオロフェニ
ル）ボレート、トリフェニルホスホニウムテトラ（ペン
タフルオロフェニル）ボレート、トリエチルアンモニウ
ムテトラ（ｏ−フルオロフェニル）ボレート、トリエチ
ルアンモニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレ
ート、トリエチルアンモニウムテトラ（フェニル）ボレ
ート、トリプロピルアンモニウムテトラフェニルボレー
ト、トリ（ｎ−ブチル）アンモニウムテトラフェニルボ
レート、トリメチルアンモニウムテトラ（ｐ−トリル）
ボレート、トリメチルアンモニウムテトラ（ｏ−トリ
ル）ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラ（ｏ，
ｐ−ジメチルフェニル）ボレート、トリブチルアンモニ
ウムテトラ（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）ボレー
ト、トリブチルアンモニウムテトラ（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレート、トリ（ｎ−ブチル）アンモニウムテ
トラ（ｏ−トリル）ボレートなどのトリアルキル置換ア
ンモニウム塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラ
（フェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウム
テトラ（フェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペ
ンタメチルアニリニウムテトラ（フェニル）ボレートな
どのＮ，Ｎ−ジアルキルアニリニウム塩、ジ（１−プロ
ピル）アンモニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）
ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラフェニ
ルボレートなどのジアルキルアンモニウム塩を例示する
ことができる。これらの中でもトリブチルアンモニウム
テトラ（o-フルオロフェニル）ボレート、トリブチルア
ンモニウムテトラ（p-フルオロフェニル）ボレート、ト
リブチルアンモニウムテトラ（m-フルオロフェニル）ボ
レート、トリブチルアンモニウムテトラ（3,5-ジフルオ
ロフェニル）ボレート、トリブチルアンモニウムテトラ
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチルアニリ
ニウムテトラ（o-フルオロフェニル）ボレート、ジメチ
ルアニリニウムテトラ（p-フルオロフェニル）ボレー
ト、ジメチルアニリニウムテトラ（m-フルオロフェニ
ル）ボレート、ジメチルアニリニウムテトラ（3,5-ジフ
ルオロフェニル）ボレート、ジメチルアニリニウムテト
ラ（ペンタフルオロフェニル）ボレートが好ましく、ト
リブチルアンモニウムテトラ（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、ジメチルアニリニウムテトラ（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートが特に好ましい。

【００２５】ボレートの第三例は、一般式： ［Ｌ² −Ｈ］［（ＣＸ⁴ ）_e （ＢＸ⁵ ）_f Ｘ⁶ _g ］^h- (2) で表される。式中、［Ｌ² −Ｈ］は、水素イオン、アン
モニウムカチオン、置換アンモニウムカチオン、ホスフ
ォニウム基または置換ホスフォニウム基を示す。ここで
言う置換アンモニウムカチオンまたは置換ホスフォニウ
ム基における置換基としては、炭素数１〜20、好ましく
は１〜８の炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブ
チル、ｔ−ブチル、シクロブチル、ペンチル、イソペン
チル、ネオペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、イソ
ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチルなどの
アルキル基；ビニル、アリルなどのアルケニル基；フェ
ニル、トリル、キシリル、メシチル、インデニル、ナフ
チルなどのアリール基；ベンジル、トリチル、フェネチ
ル、スチリル、ベンズヒドリル、フェニルブチル、フェ
ニルプロピル、ネオフィルなどのアラルキル基）と、こ
れら炭化水素基から誘導されるハロゲン置換炭化水素基
（置換ハロゲン例：フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等）が
挙げられ、またこれらの置換基はアンモニウムカチオン
またはホスフォニウムの３個以下の水素原子と置換され
る。［Ｌ² −Ｈ］の具体例を挙げれば、置換アンモニウ
ムカチオンとしては、トリメチルアンモニウム、トリエ
チルアンモニウム、トリプロピルアンモニウム、トリブ
チルアンモニウム、トリ（ｎ−ブチル）アンモニウムな
どの各トリアルキル置換アンモニウムカチオン、ジ（ｎ
−プロピル）アンモニウム、ジシクロヘキシルアンモニ
ウムなどのジアルキルアンモニウムカチオンがある。置
換ホスフォニウム基としては、トリフェニルホスフォニ
ウム、トリブチルホスホニウム、トリ（メチルフェニ
ル）ホスフォニウム、トリ（ジメチルフェニル）ホスフ
ォニウムなどのトリアリールホスフォニウムおよびトリ
アルキルホスフォニウムなどがある。Ｘ⁴ 、Ｘ⁵ 及びＸ
⁶ は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜20、好まし
くは１〜12の炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソ
ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、ペンチル、イソペ
ンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、イ
ソヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチルなど
のアルキル基；ビニル、アリルなどのアルケニル基；フ
ェニル、トリル、キシリル、メシチル、インデニル、ナ
フチルなどのアリール基；ベンジル、トリチル、フェネ
チル、スチリル、ベンズヒドリル、フェニルブチル、フ
ェニルプロピル、ネオフィルなどのアラルキル基）、上
記炭化水素基から誘導されるハロゲン置換炭化水素基
（置換ハロゲンは、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素）または有機部分が炭素数１〜20、好ましくは１〜12
の炭化水素置換基で、金属が周期律表IV−Ａ族から選ば
れる有機メタロイド基を示す。e 及びg は０以上の整数
で、h は１以上の整数である。e ＋g ＋h は通常２から
８までの偶数の整数で、f は通常５から22までの整数で
ある。

【００２６】ボレートの第三例に包含される化合物の具
体例を列挙すれば、トリブチルアンモニウム-1-カルバ
ウンデカボレート、トリブチルアンモニウム-1-カルバ
デカボレート、トリブチルアンモニウム-6-カルバウン
デカボレート、トリブチルアンモニウム-7-カルバウン
デカボレート、トリブチルアンモニウム-7,8-ジカルバ
ウンデカボレート、トリブチルアンモニウム-2,9-ジカ
ルバウンデカボレート、メチルアンモニウム１−カルバ
ドデカボレート、エチルアンモニウム１−カルバドデカ
ボレート、プロピルアンモニウム１−カルバドデカボレ
ート、イソプロピルアンモニウム１−カルバドデカボレ
ート、（ｎ−ブチル）アンモニウム１−カルバドデカボ
レート、アニリニウム１−カルバドデカボレート、（ｐ
−トリル）アンモニウム１−カルバドデカボレートなど
のモノヒドロカルビル置換アンモニウム塩、ジメチルア
ニリニウム-1-カルバウンデカボレート、ジメチルアニ
リニウム-1-カルバドデカボレート、ジメチルアニリニ
ウム-1-カルバデカボレート、ジメチルアニリニウム-6-
カルバウンデカボレート、ジメチルアニリニウム-7-カ
ルバウンデカボレート、ジメチルアニリニウム-7,8-ジ
カルバウンデカボレート、ジメチルアニリニウム2,9-ジ
カルバウンデカボレート、ジメチルアンモニウム１−カ
ルバドデカボレート、ジエチルアンモニウム１−カルバ
ドデカボレート、ジプロピルアンモニウム１−カルバド
デカボレート、ジイソプロピルアンモニウム１−カルバ
ドデカボレート、ジ（ｎ−ブチル）アンモニウム１−カ
ルバドデカボレート、ジフェニルアンモニウム１−カル
バドデカボレート、ジ（ｐ−トリル）アンモニウム１−
カルバドデカボレートなどのジヒドロカルビル置換アン
モニウム塩、トリメチルアンモニウム１−カルバドデカ
ボレート、トリエチルアンモニウム１−カルバドデカボ
レート、トリプロピルアンモニウム１−カルバドデカボ
レート、トリ（ｎ−ブチル）アンモニウム１−カルバド
デカボレート、トリフェニルアンモニウム１−カルバド
デカボレート、トリ（ｐ−トリル）アンモニウム１−カ
ルバドデカボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム１
−カルバドデカボレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウ
ム１−カルバドデカボレートなどのトリヒドロカルビル
−置換アンモニウム塩を例示することができる。

【００２７】ボレートの第四例は、一般式： ［Ｌ² −Ｈ］〔［〈（ＣＸ⁴ ）_i （ＢＸ⁵ ）_j （Ｘ⁶ ）_k 〉^l-］₂ Ｍⁿ⁺〕^m- (3) で表される。式中、［Ｌ² −Ｈ］、Ｘ⁴ 、Ｘ⁵ 及びＸ⁶
は、一般式(2) で定義したところと同一内容を示し、Ｍ
はＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の遷移金属を示す。
i 及びk は０以上の同じか異なる整数である。l は２以
上の整数であり、i ＋k ＋l は通常４から８までの偶数
の整数である。j は通常６から12までの整数である。n
は２l −n ＝m となるような整数で、m は１以上の整数
である。

【００２８】ボレートの第四例に包含される化合物の具
体例を列挙すれば、トリブチルアンモニウムビス（ノナ
ヒドリド-1,3-ジカルバウナボレート）コバルテート（I
II）、トリブチルアンモニウムビス（ウンデカヒドリド
-7,8-ジカルバウンデカボレート）フェレート（III）、
トリブチルアンモニウムビス（ウンデカヒドリド-7,8-
ジカルバウンデカボレート）コバルテート（III）、ト
リブチルアンモニウムビス（ウンデカヒドリド-7,8-ジ
カルバウンデカボレート）ニッケレート（III）、トリ
ブチルアンモニウムビス（ドデカヒドリドジカルバドデ
カボレート）コバルテート（III）、トリブチルアンモ
ニウムビス（ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレ
ート）クロメート（III）、トリブチルアンモニウムビ
ス（ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート）マ
ンガネート（IV）、トリブチルアンモニウムビス（ウン
デカヒドリド-7-カルバウンデカボレート）コバルテー
ト（III）、トリブチルアンモニウムビス（ウンデカヒ
ドリド-7-カルバウンデカボレート）ニッケレート（I
V）、ジメチルアニリニウムビス（ノナヒドリド-1,3-ジ
カルバウナボレート）コバルテート（III）、ジメチル
アニリニウムビス（ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウ
ンデカボレート）フェレート（III）、ジメチルアニリ
ニウムビス（ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカ
ボレート）コバルテート（III）、ジメチルアニリニウ
ムビス（ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレ
ート）ニッケレート（III）、ジメチルアニリニウムビ
ス（ドデカヒドリドジカルバドデカボレート）コバルテ
ート（III）、ジメチルアニリニウムビス（ウンデカヒ
ドリド-7-カルバウンデカボレート）クロメート（II
I）、ジメチルアニリニウムビス（ウンデカヒドリド-7-
カルバウンデカボレート）マンガネート（IV）、ジメチ
ルアニリニウムビス（ウンデカヒドリド-7-カルバウン
デカボレート）コバルテート（III）、ジメチルアニリ
ニウムビス（ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレ
ート）ニッケレート（IV）、トリフェニルホスホニウム
ビス（ノナヒドリド-1,3-ジカルバウナボレート）コバ
ルテート（III）、トリフェニルホスホニウムビス（ウ
ンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート）フェ
レート（III）、トリフェニルホスホニウムビス（ウン
デカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート）コバル
テート（III）、トリフェニルホスホニウムビス（ウン
デカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート）ニッケ
レート（III）、トリフェニルホスホニウムビス（ドデ
カヒドリドジカルバドデカボレート）コバルテート（II
I）、トリフェニルホスホニウムビス（ウンデカヒドリ
ド-7-カルバウンデカボレート）クロメート（III）、ト
リフェニルホスホニウムビス（ウンデカヒドリド-7-カ
ルバウンデカボレート）マンガネート（IV）、トリフェ
ニルホスホニウムビス（ウンデカヒドリド-7-カルバウ
ンデカボレート）コバルテート（III）、トリフェニル
ホスホニウムビス（ウンデカヒドリド-7-カルバウンデ
カボレート）ニッケレート（IV）が挙げられる。

【００２９】ボレートの第五例は、一般式： ［Ｌ³］⁺ ［ＢＲ¹³Ｒ¹⁴Ｘ²Ｘ³］^- (4) で表される。式中、Ｌ³はカルボカチオンを示し、
Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｘ² 及びＸ³ は、一般式(1) で定義したと
ころと同一内容を示す。ここで言うカルボカチオンに
は、例えば、メチルカチオン、エチルカチオン、プロピ
ルカチオン、イソプロピルカチオン、ブチルカチオン、
イソブチルカチオン、ｔ−ブチルカチオン、ペンチルカ
チオン、ネオペンチルカチオンなどのいわゆるアルキル
カチオン、トロピリウムカチオンなどのシクロアルキル
カチオン、ベンジルカチオン、トリチルカチオン等が含
まれる。

【００３０】ボレートの第五例に包含される化合物の具
体例を列挙すれば、トリチルテトラフェニルボレート、
トリチルテトラ（o-トリル）ボレート、トリチルテトラ
（p-トリル）ボレート、トリチルテトラ（m-トリル）ボ
レート、トリチルテトラ（o-フルオロフェニル）ボレー
ト、トリチルテトラ（p-フルオロフェニル）ボレート、
トリチルテトラ（m-フルオロフェニル）ボレート、トリ
チルテトラ（3,5-ジフルオロフェニル）ボレート、トリ
チルテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トロ
ピリウムテトラフェニルボレート、トロピリウムテトラ
（o-トリル）ボレート、トロピリウムテトラ（p-トリ
ル）ボレート、トロピリウムテトラ（m-トリル）ボレー
ト、トロピリウムテトラ（o-フルオロフェニル）ボレー
ト、トロピリウムテトラ（p-フルオロフェニル）ボレー
ト、トロピリウムテトラ（m-フルオロフェニル）ボレー
ト、トロピリウムテトラ（3,5-ジフルオロフェニル）ボ
レート、トロピリウムテトラ（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレートを例示することができる。これらの中でも
トリチルテトラ（o-フルオロフェニル）ボレート、トリ
チルテトラ（p-フルオロフェニル）ボレート、トリチル
テトラ（m-フルオロフェニル）ボレート、トリチルテト
ラ（3,5-ジフルオロフェニル）ボレート、トリチルテト
ラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トロピリウム
テトラ（o-フルオロフェニル）ボレート、トロピリウム
テトラ（p-フルオロフェニル）ボレート、トロピリウム
テトラ（m-フルオロフェニル）ボレート、トロピリウム
テトラ（3,5-ジフルオロフェニル）ボレート、トロピリ
ウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレートが好ま
しく、特に、トリチルテトラ（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トロピリウムテトラ（ペンタフルオロフ
ェニル）ボレートが好ましい。

【００３１】ボレートの第六例は、一般式： ［Ｒ¹⁵ ₂ Ｍ］⁺ ［ＢＲ¹³Ｒ¹⁴Ｘ²Ｘ³］^- (5) で表される。式中、Ｒ¹⁵はシクロペンタジエニル基、置
換シクロペンタジエニル基、インデニル基または置換イ
ンデニル基を示し、ＭはＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
等の遷移金属を示す。そして、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｘ² 及びＸ
³ は、一般式(1)で定義したところと同一内容を示す。
上記した置換シクロペンタジエニル基または置換インデ
ニル基において、その置換基としては、ハロゲン原子、
炭素数１〜２０好ましくは１〜１２の炭化水素基が含ま
れる。

【００３２】ボレートの第六例に包含される化合物の具
体例を列挙すれば、フェロセニウムテトラフェニルボレ
ート、フェロセニウムテトラ（o-トリル）ボレート、フ
ェロセニウムテトラ（p-トリル）ボレート、フェロセニ
ウムテトラ（m-トリル）ボレート、フェロセニウムテト
ラ（o-フルオロフェニル）ボレート、フェロセニウムテ
トラ（p-フルオロフェニル）ボレート、フェロセニウム
テトラ（m-フルオロフェニル）ボレート、フェロセニウ
ムテトラ（3,5-ジフルオロフェニル）ボレート、フェロ
セニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレートを
例示することができる。この中でもフェロセニウムテト
ラ（o-フルオロフェニル）ボレート、フェロセニウムテ
トラ（p-フルオロフェニル）ボレート、フェロセニウム
テトラ（m-フルオロフェニル）ボレート、フェロセニウ
ムテトラ（3,5-ジフルオロフェニル）ボレート、フェロ
セニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレートが
好ましく、特に、フェロセニウムテトラ（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレートが好ましい。

【００３３】ボレートの第七例は、一般式： ［Ｌ³ ］⁺ ［（ＣＸ⁴ ）_e （ＢＸ⁵ ）_f Ｘ⁶ _g ］^h- (6) で表される。式中、Ｌ³ は一般式(4) で定義したところ
と同一内容を示す。またＸ⁴ 、Ｘ⁵、Ｘ⁶ 、e 、f 、g
及びh は一般式(2) で定義したところと同一内容を示
す。ボレートの第七例に包含される化合物の具体例を列
挙すれば、トリチル-1-カルバウンデカボレート、トリ
チル-1-カルバドデカボレート、トリチル-1-カルバデカ
ボレート、トリチル-6-カルバウンデカボレート、トリ
チル-7-カルバウンデカボレート、トリチル-7,8-ジカル
バウンデカボレート、トリチル-2,9-ジカルバウンデカ
ボレート、トロピリウム-1-カルバウンデカボレート、
トロピリウム-1-カルバドデカボレート、トロピリウム-
1-カルバデカボレート、トロピリウム-6-カルバウンデ
カボレート、トロピリウム-7-カルバウンデカボレー
ト、トロピリウム-7,8-ジカルバウンデカボレート、ト
ロピリウム-2,9-ジカルバウンデカボレートを例示する
ことができる。

【００３４】ボレートの第八例は、一般式： ［Ｒ¹⁵ ₂ Ｍ］⁺ ［（ＣＸ⁴ ）_e （ＢＸ⁵ ）_f Ｘ⁶ _g ］^h- (7) で表される。式中、Ｒ¹⁵およびＭは、一般式(5) で定義
したところと同一内容を示し、Ｘ⁴ 、Ｘ⁵ 、Ｘ⁶ 、e 、
f 、g 及びh は一般式(2) で定義したところと同一内容
を示す。ボレートの第八例に包含される化合物の具体例
を列挙すれば、フェロセニウム-1-カルバウンデカボレ
ート、フェロセニウム-1-カルバドデカボレート、フェ
ロセニウム-1-カルバデカボレート、フェロセニウム-6-
カルバウンデカボレート、フェロセニウム-7-カルバウ
ンデカボレート、フェロセニウム-7,8-ジカルバウンデ
カボレート、フェロセニウム-2,9-ジカルバウンデカボ
レートなどを例示することができる。

【００３５】ボレートの第九例は、一般式： ［Ｌ³ ］⁺ 〔［〈（ＣＸ⁴ ）_i （ＢＸ⁵ ）_j （Ｘ⁶ ）_k 〉^l-］₂ Ｍⁿ⁺〕^m- (8) で表される。式中、Ｌ³ は一般式(4) で定義したところ
と同一内容を示し、Ｘ⁴、Ｘ⁵ 、Ｘ⁶ 、Ｍ、i 、j 、k
、l 、n 及びm は一般式(3) で定義したところと同一
内容を示す。ボレートの第九例に包含される化合物の具
体例を列挙すれば、トリチルビス（ノナヒドリド-1,3-
ジカルバウナボレート）コバルテート（III）、トリチ
ルビス（ウンデカドリド-7,8-ジカルバウンデカボレー
ト）フェレート（III）、トリチルビス（ウンデカヒド
リド-7,8-ジカルバウンデカボレート）コバルテート（I
II）、トリチルビス（ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバ
ウンデカボレート）ニッケレート（III）、トリチルビ
ス（ドデカヒドリドジカルバドデカボレート）コバルテ
ート（III）、トリチルビス（ウンデカヒドリド-7-カル
バウンデカボレート）クロメート（III）、トリチルビ
ス（ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート）マ
ンガネート（IV）、トリチルビス（ウンデカヒドリド-7
-カルバウンデカボレート）コバルテート（III）、トリ
チルビス（ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレー
ト）ニッケレート（IV）、トロピリウムビス（ノナヒド
リド-1,3-ジカルバウナボレート）コバルテート（II
I）、トロピリウムビス（ウンデカヒドリド-7,8-ジカル
バウンデカボレート）フェレート（III）、トロピリウ
ムビス（ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレ
ート）コバルテート（III）、トロピリウムビス（ウン
デカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート）ニッケ
レート（III）、トロピリウムビス（ドデカヒドリドジ
カルバドデカボレート）コバルテート（III）、トロピ
リウムビス（ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレ
ート）クロメート（III）、トロピリウムビス（ウンデ
カヒドリド-7-カルバウンデカボレート）マンガネート
（IV）、トロピリウムビス（ウンデカヒドリド-7-カル
バウンデカボレート）コバルテート（III）、トロピリ
ウムビス（ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレー
ト）ニッケレート（IV）などを挙げることができる。

【００３６】ボレートの第拾例は、一般式： ［Ｒ¹⁵ ₂ Ｍ］⁺ 〔［〈（ＣＸ⁴ ）_i （ＢＸ⁵ ）_j （Ｘ⁶ ）_k 〉^l-］₂ Ｍⁿ⁺〕^m- (9) で表される。式中、Ｒ¹⁵およびＭは、一般式(5) で定義
したところと同一内容を示し、Ｘ⁴ 、Ｘ⁵ 、Ｘ⁶ 、Ｍ、
i 、j 、k 、l 、n 及びm は一般式(3) で定義したとこ
ろと同一内容を示す。ボレートの第拾例に包含される化
合物の具体例を列挙すれば、フェロセニウムビス（ノナ
ヒドリド-1,3-ジカルバウナボレート）コバルテート（I
II）、フェロセニウムビス（ウンデカヒドリド-7,8-ジ
カルバウンデカボレート）フェレート（III）、フェロ
セニウムビス（ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデ
カボレート）コバルテート（III）、フェロセニウムビ
ス（ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレー
ト）ニッケレート（III）、フェロセニウムビス（ドデ
カヒドリドジカルバドデカボレート）コバルテート（II
I）、フェロセニウムビス（ウンデカヒドリド-7-カルバ
ウンデカボレート）クロメート（III）、フェロセニウ
ムビス（ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレー
ト）マンガネート（IV）、フェロセニウムビス（ウンデ
カヒドリド-7-カルバウンデカボレート）コバルテート
（III）、フェロセニウムビス（ウンデカヒドリド-7-カ
ルバウンデカボレート）ニッケレート（IV）などを例示
することができる。

【００３７】本発明に係る第１のオレフィン重合用触媒
は、上記した成分（Ａ）〜（Ｄ）で構成されるが、本発
明が提案する第２のオレフィン重合用触媒は、上記の４
成分に成分（Ｅ）として変性有機アルミニウム化合物を
加えた５成分で構成される。本発明の成分（Ｅ）として
は、分子中に通常１〜１００個の、好ましくは１〜５０
個のＡｌ−Ｏ−Ａｌ結合を有する線状または環状変性有
機アルミニウム化合物が使用される。このような変性有
機アルミニウム化合物は、通常、有機アルミニウム化合
物を水と反応させることによって得ることができ、一般
に、その反応は不活性炭化水素中で行われる。不活性炭
化水素としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシ
レンなどの脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素又は芳香族
炭化水素のいずれもが使用可能であるが、脂肪族炭化水
素又は芳香族炭化水素を使用することが好ましい。

【００３８】変性有機アルミニウム化合物の調製に用い
る有機アルミニウム化合物には、一般式：Ｒ¹⁶ _yＡｌＸ⁷
_3-y （式中、Ｒ¹⁶は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１
２のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキ
ル基などの炭化水素基を示し、Ｘ⁷は水素原子又はハロ
ゲン原子を示す。y は１≦y ≦３の整数である）で示さ
れるものがいずれも使用可能であるが、好ましくはトリ
アルキルアルミニウムが使用される。トリアルキルアル
ミニウムのアルキル基は、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、オクチル、デシル、ドデシルのいずれであっても差
し支えないが、メチルであることが特に好ましい。

【００３９】水と有機アルミニウム化合物との反応比
（水／Ａｌモル比）は、０．２５／１〜１．２／１、特
に、０．５／１〜１／１であることが好ましく、反応温
度は通常、−７０〜１００℃、好ましくは−２０〜２０
℃の範囲にある。反応時間は通常５分〜２４時間、好ま
しくは１０分〜５時間の範囲で選ばれる。反応に要する
水には、所謂水が使用できる外、硫酸銅水和物、硫酸ア
ルミニウム水和物等に含まれる結晶水を使用することも
でき、また、反応系内で水を生成する成分から反応に要
する水を供給することもできる。なお、水と有機アルミ
ニウム化合物との反応で生成される変性有機アルミニウ
ム化合物のうち、アルキルアルミニウムと水との反応で
得られるものは、通常アルミノキサンと呼ばれ、本発明
の（Ｅ）成分としては、メチルアルミノキサンが特に好
適である。

【００４０】本発明に係る第１のオレフィン重合用触媒
は、上記した（Ａ）〜（Ｄ）の４成分を、第２のオレフ
ィン重合用触媒は、（Ａ）〜（Ｅ）の５成分を相互に接
触させることに得ることができるが、これら両触媒はそ
れぞれ必要に応じて、マグネシウム化合物、アルミナ、
シリカ、シリカ・アルミナなどの無機担体および／また
は粒状ポリマー担体に担持させて重合に供することもで
きる。

【００４１】本発明の触媒は各構成成分を次のような手
順で接触させることにより調製することができる。 １．（Ａ）に（Ｂ）を加え、さらに（Ｃ）、さらに
（Ｄ）を加える方法。 ２．（Ａ）に（Ｂ）を加え、さらに（Ｄ）、さらに
（Ｃ）を加える方法。 ３．（Ａ）に（Ｃ）を加え、さらに（Ｂ）、さらに
（Ｄ）を加える方法。 ４．（Ａ）に（Ｃ）を加え、さらに（Ｄ）、さらに
（Ｂ）を加える方法。 ５．（Ａ）に（Ｄ）を加え、さらに（Ｂ）、さらに
（Ｃ）を加える方法。 ６．（Ａ）に（Ｄ）を加え、さらに（Ｃ）、さらに
（Ｂ）を加える方法。 ７．（Ｂ）に（Ａ）を加え、さらに（Ｃ）、さらに
（Ｄ）を加える方法。 ８．（Ｂ）に（Ａ）を加え、さらに（Ｄ）、さらに
（Ｃ）を加える方法。 ９．（Ｂ）に（Ｃ）を加え、さらに（Ａ）、さらに
（Ｄ）を加える方法。 １０．（Ｂ）に（Ｃ）を加え、さらに（Ｄ）、さら
（Ａ）を加える方法。 １１．（Ｂ）に（Ｄ）を加え、さらに（Ａ）、さらに
（Ｃ）を加える方法。 １２．（Ｂ）に（Ｄ）を加え、さらに（Ｃ）、さらに
（Ａ）を加える方法。 １３．（Ｃ）に（Ａ）を加え、さらに（Ｂ）、さらに
（Ｄ）を加える方法。 １４．（Ｃ）に（Ａ）を加え、さらに（Ｄ）、さらに
（Ｂ）を加える方法。 １５．（Ｃ）に（Ｂ）を加え、さらに（Ａ）、さらに
（Ｄ）を加える方法。 １６．（Ｃ）に（Ｂ）を加え、さらに（Ｄ）、さらに
（Ａ）を加える方法。 １７．（Ｃ）に（Ｄ）を加え、さらに（Ａ）、さらに
（Ｂ）を加える方法。 １８．（Ｃ）に（Ｄ）を加え、さらに（Ｂ）、さらに
（Ａ）を加える方法。 １９．（Ｄ）に（Ａ）を加え、さらに（Ｂ）、さらに
（Ｃ）を加える方法。 ２０．（Ｄ）に（Ａ）を加え、さらに（Ｃ）、さらに
（Ｂ）を加える方法。 ２１．（Ｄ）に（Ｂ）を加え、さらに（Ａ）、さらに
（Ｃ）を加える方法。 ２２．（Ｄ）に（Ｂ）を加え、さらに（Ｃ）、さらに
（Ａ）を加える方法。 ２３．（Ｄ）に（Ｃ）を加え、さらに（Ａ）、さらに
（Ｂ）を加える方法。 ２４．（Ｄ）に（Ｃ）を加え、さらに（Ｂ）、さらに
（Ａ）を加える方法。 また、構成成分を分割して接触させる方法として、例え
ば、 ２５．（Ｄ）に（Ｂ）を加え、さらに（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）を加える方法。 ２６．（Ｂ）に（Ｄ）を加え、さらに（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）を加える方法。 なども有効である。また、予め幾つかの成分を接触させ
ておいたもの同士を接触させることもでき、例えば、 ２７．（Ｄ）に（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の接触物（この
接触順序は任意）を加える方法。 ２８．（Ｄ）に（Ｂ）を加え、さらに（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）の接触物（この接触順序は任意）を加える方法。 ２９．（Ｄ）に（Ｂ）を加え、さらに（Ａ）、（Ｃ）の
接触物（この接触順序は任意）を加える方法。 ３０．（Ｂ）に（Ｄ）を加え、さらに（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）の接触物（この接触順序は任意）を加える方法。 を採用することもできる。

【００４２】また、成分（Ｅ）を併用する場合の接触方
法としては、前記１〜３０の接触方法における任意の接
触段階で、成分（Ｅ）を加える方法が採用可能である。
例えば、 ３１．（Ｅ）に（Ｄ）を加え、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
の接触物（この接触順序は任意）を加える方法。 ３２．（Ｄ）に（Ｅ）を加え、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
の接触物（この接触順序は任意）を加える方法。 ３３．（Ｅ）に（Ｄ）を、次に（Ｂ）を加え、さらに
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の接触物（この接触順序は任
意）を加える方法。 ３４．（Ｅ）に（Ｂ）を、次に（Ｄ）を加え、さらに
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の接触物（この接触順序は任
意）を加える方法。 ３５．（Ｄ）に（Ｂ）を、次に（Ｅ）を加え、さらに
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の接触物（この接触順序は任
意）を加える方法。 ３６．（Ｄ）に（Ｅ）を、次に（Ｂ）を加え、さらに
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の接触物（この接触順序は任
意）を加える方法。 ３７．（Ｂ）に（Ｅ）を、次に（Ｄ）を加え、さらに
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の接触物（この接触順序は任
意）を加える方法。 ３８．（Ｂ）に（Ｄ）を、次に（Ｅ）を加え、さらに
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の接触物（この接触順序は任
意）を加える方法。 などを採用することができる。上に列記した接触手順の
中でも、１０、１１、１８、２２〜３８の方法が好まし
い。各成分の相互接触は、無溶媒でもこれを行うことが
できるが、一般的には、ベンゼン、ヘキサン、トルエ
ン、キシレンなどの不活性炭化水素溶媒の存在下、通
常、−１００〜２００℃、好ましくは−５０〜１００℃
の温度範囲で、１０分〜５０時間、好ましくは３０分〜
２４時間各成分を接触させることを可とする。

【００４３】各成分の使用割合は、成分（Ａ）１モルに
対して、成分（Ｂ）及び成分（Ｃ）はそれぞれ、０．０
１〜 １０００モル、好ましくは０．１〜１００モル、
さらに好ましくは０．５〜５０モルの範囲にある。成分
（Ｄ）の使用割合は、成分（Ａ）の遷移金属に対する成
分（Ｄ）のホウ素の原子比で、ホウ素／遷移金属＝０．
１〜１０００、好ましくは０．２〜１００の範囲にあ
る。成分（Ｅ）を併用する場合は、成分（Ａ）の遷移金
属に対する成分（Ｅ）のアルミニウムの原子比、アルミ
ニウム／遷移金属が０．１〜１０００、好ましくは１〜
１００、さらに好ましくは１〜８０の範囲になるよう調
節される。成分（Ｅ）を併用する場合の成分（Ｄ）と成
分（Ｅ）との比率は特に限定されないが、成分（Ｄ）の
ホウ素に対する成分（Ｅ）のアルミニウムの原子比で、
通常アルミニウム／ホウ素＝０．０１〜１００００、好
ましくは０．１〜１０００の範囲とすることを可とす
る。また、担体を用いる場合には、担体１ｇに対して本
発明の触媒に含まれる成分（Ａ）の遷移金属量基準で、
０．０００１ｇ〜１ｇの範囲とすることが好ましい。不
活性炭化水素溶媒中にて各成分を接触させて本発明の触
媒を調製した場合、その調製触媒は不活性炭化水素溶媒
と分離することなく、そのまま重合反応に使用すること
ができる。また、析出、乾燥などの適宜の手段で溶媒を
分離することができれば、溶媒から調製触媒を一旦取り
出し、これを固体触媒として重合に供することもでき
る。さらにまた、触媒の調製過程でも、各成分の接触段
階毎に不活性炭化水素溶媒を分離することなく、次の接
触段階に進むこともできれば、溶媒を分離してから、次
の接触段階に進むこともできる。

【００４４】本発明の触媒において、成分（Ａ）〜
（Ｄ）の好適な組み合わせを示せば、次の通りである。
成分（Ｅ）を併用する場合は、これらの各組み合わせに
成分（Ｅ）が追加される。組み合せ例１ 成分（Ａ）：テトラプロポキシジルコニウム、テトラブ
トキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジルコニウ
ム化合物、 成分（Ｂ）：ジエチルアルミニウムハイドライド、ジイ
ソブチルアルミニウムハイドライドなどのアルキルアル
ミニウムハイドライド化合物、 成分（Ｃ）：インデン、メチルインデンなどのインデン
誘導体またはシクロペンタジエン、メチルシクロペンタ
ジエン、ジメチルシクロペンタジエンなどのシクロペン
タジエン誘導体、 成分（Ｄ）：トリ（ペンタフルオロフェニル）ボランな
どのトリアリールホウ素化合物。組み合せ例２ 成分（Ａ）：テトラプロポキシジルコニウム、テトラブ
トキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジルコニウ
ム化合物、 成分（Ｂ）：ジエチルアルミニウムハイドライド、ジイ
ソブチルアルミニウムハイドライドなどのアルキルアル
ミニウムハイドライド化合物、 成分（Ｃ）：インデン、メチルインデンなどのインデン
誘導体またはシクロペンタジエン、メチルシクロペンタ
ジエン、ジメチルシクロペンタジエンなどのシクロペン
タジエン誘導体、 成分（Ｄ）：トリブチルアンモニウムテトラ（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニ
ウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，
Ｎ−ジエチルアニリニウムテトラ（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、トリチルテトラ（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、トロピリウムテトラ（ペンタフルオロ
フェニル）ボレート、フェロセニウムテトラ（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートのホウ素含有アート錯体。組み合せ例３ 成分（Ａ）：テトラプロピキシジルコニウム、テトラブ
トキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジルコニウ
ム化合物、 成分（Ｂ）：ジエチルアルミニウムハイドライド、ジイ
ソブチルアルミニウムハイドライドなどのアルキルアル
ミニウムハイドライド化合物、 成分（Ｃ）：ビスインデニルエタンまたはシクロペンタ
ジエニルフルオレニルイソプロパンのようなインデン誘
導体、シクロペンタジエン誘導体、フルオレン誘導体が
アルキレン基を介して結合した化合物あるいはジメチル
シリルビスシクロペンタジエンなどの前記一般式（Ｃ
ｐ）_L ＳｉＲ¹¹ _4-Lで表される化合物、 成分（Ｄ）：トリ（ペンタフルオロフェニル）ボランの
トリアリールホウ素化合物。組み合せ例４ 成分（Ａ）：テトラプロポキシジルコニウム、テトラブ
トキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジルコニウ
ム化合物、 成分（Ｂ）：ジエチルアルミニウムハイドライド、ジイ
ソブチルアルミニウムハイドライドなどのアルキルアル
ミニウムハイドライド化合物、 成分（Ｃ）：ビスインデニルエタンまたはシクロペンタ
ジエニルフルオレニルイソプロパンのようなインデン誘
導体、シクロペンタジエン誘導体、フルオレン誘導体が
アルキレン基を介して結合した化合物あるいはジメチル
シリルビスシクロペンタジエンなどの前記一般式（Ｃ
ｐ）_L ＳｉＲ¹¹ _4-Lで表される化合物、 成分（Ｄ）：トリブチルアンモニウムテトラ（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニ
ウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，
Ｎ−ジエチルアニリニウムテトラ（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、トリチルテトラ（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、トロピリウムテトラ（ペンタフルオロ
フェニル）ボレート、フェロセニウムテトラ（ペンタフ
ルオロフェニル）ボレートのホウ素含有アート錯体。

【００４５】本発明の触媒を使用してオレフィン類を単
独重合または共重合させる場合には、成分（Ａ）〜
（Ｄ）または成分（Ａ）〜（Ｅ）で構成される触媒を予
め調製しておき、これを重合系に供給するのが通例であ
る。しかし、成分（Ａ）〜（Ｃ）だけを予め接触させ、
その接触物に成分（Ｄ）を重合系内で接触させて本発明
の触媒を活性化させる方法とか、あるいは成分（Ａ）〜
（Ｄ）を予め接触させ、その接触物に成分（Ｅ）を重合
系内で接触させて本発明の触媒の活性を一段と向上させ
る方法も採用可能である。さらにまた、本発明の触媒を
使用するオレフィン類の単独重合ないし共重合では、重
合反応進行中に、成分（Ｄ）または成分（Ｅ）を追加導
入することもできる。

【００４６】成分（Ｅ）を重合系内で添加する場合、そ
の添加量は反応系内の触媒の遷移金属に対するアルミニ
ウムの原子比、アルミニウム／遷移金属が０．１〜１０
００、好ましく１〜１００の範囲になるよう選ばれる。

【００４７】本発明の触媒の存在下に単独重合または共
重合せしめられる原料オレフィンには、α−オレフィン
類、環状オレフィン類、ジエン類、トリエン類及びスチ
レン類似体が包含される。α−オレフィン類には、炭素
数２〜12、好ましくは２〜８のものが包含され、具体的
には、エチレン、プロピレン、ブテン−１、ヘキセン−
１、４−メチルペンテン−１等が例示される。α−オレ
フィン類は、本発明の触媒を使用して単独重合させるこ
とができるほか、共重合させることも可能であり、その
共重合には交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重
合が含まれる。α−オレフン類の共重合には、エチレン
とプロピレン、エチレンとブテン−１、エチレンとヘキ
セン−１、エチレンと４−メチルペンテン−１のよう
に、エチレンと炭素数３〜12、好ましくは３〜８のα−
オレフィンとを共重合する場合、プロピレンとブテン−
１、プロピレンと４−メチルペンテン−１、プロピレン
と４−メチルブテン−１、プロピレンとヘキセン−１、
プロピレンとオクテン−１のように、プロピレンと炭素
数３〜12、好ましくは３〜８のα−オレフィンとを共重
合する場合が含まれる。エチレン又はプロピレンと他の
α−オレフィンとを共重合させる場合、当該他のα−オ
レフィンの量は全モノマ−の90モル％以下の範囲で任意
に選ぶことができるが、一般的には、エチレン共重合体
にあっては、40モル％以下、好ましくは30モル％以下、
さらに好ましく20モル％以下であり、プロピレン共重合
体にあっては、１〜90モル％、好ましくは５〜90モル
％、さらに好ましくは10〜70モル％の範囲で選ばれる。
環状オレフィンとしては、炭素数３〜24、好ましくは３
〜18のものが本発明で使用可能であり、これには例え
ば、シクロペンテン、シクロブテン、シクロペンテン、
シクロヘキセン、３−メチルシクロヘキセン、シクロオ
クテン、シクロデセン、シクロドデセン、テトラシクロ
デセン、オクタシクロデセン、ジシクロペンタジエン、
ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、５−エ
チル−２−ノルボルネン、５−イソブチル−２−ノルボ
ルネン、５，６−ジメチル−２−ノルボルネン、５，
５，６−トリメチル−２−ノルボルネン、エチリデンノ
ルボルネンなどが包含される。環状オレフィンは前記の
α−オレフィンと共重合せしめるのが通例であるが、そ
の場合、環状オレフィンの量は共重合体の50モル％以
下、通常は１〜50モル％、好ましくは２〜50モル％の範
囲にある。本発明の触媒で重合可能なジエン類及びトリ
エン類は、炭素数４〜26、好ましくは６〜26のポリエン
である。具体的には、ブタジエン、１，３−ペンタジエ
ン、１，４−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン、
１，４−ヘキサジエン、１，５−ヘキサジエン、１，３
−シクロヘキサジエン、１，４−シクロヘキサジエン、
１，９−デカジエン、１，13−テトラデカジエン、２，
６−ジメチル−１，５−ヘプタジエン、２−メチル−
２，７−オクタジエン、２，７−ジメチル−２，６−オ
クタジエン、２，３−ジメチルブタジエン、エチリデン
ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、イソプレン、
１，３，７−オクタトリエン、１，５，９−デカトリエ
ンなどが例示される。鎖式ジエン又はトリエンを使用す
る場合、通常は上記したα−オレフィンと共重合させる
のが通例であるが、その共重合体中の鎖式ジエン及び／
又はトリエンの含有量は、一般に、0.1 〜50モル％、好
ましくは0.2 〜10モル％の範囲にある。原料オレフィン
として使用可能なスチレン類似体は、スチレン及びスチ
レン誘導体であって、その誘導体としては、ｔ−ブチル
スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、
ジビニルベンゼン、１，１−ジフェニルエチレン、Ｎ，
Ｎ−ジメチル−ｐ−アミノエチルスチレン、Ｎ，Ｎ−ジ
エチル−ｐ−アミノエチルスチレンなどを例示すること
ができる。

【００４８】本発明の触媒は、オレフィン類の単独重合
体又は共重合体に、極性モノマ−をさらに重合させて当
該単独重合体又は共重合体を改質する場合にも好適に使
用できる。極性モノマ−としては、アクリル酸メチル、
メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、マレイン酸
ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸モノメチ
ル、フマ−ル酸ジエチル、イタコン酸ジメチルなどで例
示される不飽和カルボン酸エステルを挙げることができ
る。改質された共重合体の極性モノマ−含有量は、通常
0.1 〜10モル％、好ましくは0.2 〜２モル％の範囲にあ
る。

【００４９】重合反応は前記した本発明の触媒の存在
下、スラリー重合、溶液重合または気相重合にて行うこ
とができる。特にスラリー重合または実質的に溶媒が共
存しない気相重合が好ましい。重合反応は実質的に酸
素、水等を断った状態で実施され、反応溶媒を使用する
場合は、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、シクロ
ヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂環族炭化水素等
から選ばれる不活性炭化水素溶媒が使用される。重合条
件は、温度20〜200 ℃、好ましくは50〜100 ℃、圧力常
圧〜 70kg/cm²G 、好ましくは常圧〜 20kg/cm² G の範
囲にあり、重合時間としては５分〜10時間、好ましくは
５分〜５時間が採用されるのが普通である。生成重合体
の分子量は、重合温度、触媒のモル比等の重合条件を変
えることによってもある程度調節可能であるが、重合反
応系に水素を添加することでより効果的に分子量調節を
行うことができる。

【００５０】重合反応系から水分を除去する目的で、系
内にいわゆるスカベンジを加えても重合反応を支障なく
実施することができる。そうしたスカベンジとしては、
トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ト
リプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウムなどのトリアルキルア
ルミニウムで代表される有機アルミニウム化合物、前記
の変性有機アルミニウム化合物、分岐アルキル基を有す
る変性有機アルミニウム化合物、ブチルリチウムなどの
有機リチウム、ジエチルマグネシウム、ジブチルマグネ
シウム、ブチルマグネシウムクロリドなどの有機マグネ
シウムが挙げられる。本発明の触媒は、水素濃度、モノ
マー濃度、重合圧力、重合温度などの重合条件が異なる
反応段を２段以上使用する多段重合様式にも使用するこ
とができる。なお、本重合の前に予めオレフィン類を触
媒と接触させて極微量のポリマーを含んだ触媒を作り、
これを本重合に供する、予備重合法の採用も可能であ
る。

【００５１】

【実施例】以下に本発明を実施例及び比較例によって具
体的に説明するが、それに先立ち実施例及び比較例で使
用する変性有機アルミニウム化合物の調製について説明
する。変性有機アルミニウム化合物（メチルアルミノキサン）
の調製 硫酸銅５水塩13ｇを容量300ml の電磁誘導攪拌機付き三
つ口フラスコに入れ、トルエン50mlで懸濁させた。次い
で濃度１mmol/ml のトリメチルアルミニウムの溶液150m
l を、０℃の温度条件下に、前記の懸濁液に２時間かけ
て滴下し、滴下終了後25℃に昇温し、その温度で24時間
反応させた。しかる後、反応物を濾過し、反応生成物を
含有する液中のトルエンを除去して白色結晶状メチルア
ルモキサン（ＭＡＯ）４ｇを得た。実施例及び比較例で
得られた重合体の物性は、次の方法で評価した。メルトインデックス（ＭＩ） ＡＳＴＭ Ｄ １２３８−５７Ｔに基づき測定した。密 度 ＡＳＴＭＤ １５０５−６８に準拠して測定した。示差熱走査熱量計（ＤＳＣ）による融点測定 セイコー電子（株）製のＤＳＣ−２０型融点測定装置を
使用し、180 ℃で５mgサンプルを３分間保持し、次いで
10℃／分で０℃まで冷却し、０℃で10分間保持し、その
後10℃／分で昇温することで融点を測定した。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の測定 ウォターズ製ゲルパーミェーンションクロマトグラフィ
ー（モデル １５０−型）を使用し、溶媒としてオルソ
ジクロロベンゼンを用い、温度135 ℃にて測定した。

【００５２】実施例１ （１）遷移金属触媒成分の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml 三口フラスコに精製
トルエン150ml を加えついで四塩化ジルコニウム3.3 ｇ
とインデン2.3 ｇを加え室温下30分攪拌後、０℃に系を
保持してカテコールボラン2.3 ｇを滴下し、滴下終了後
系を室温にして24時間攪拌して、遷移金属触媒成分を調
製した。この溶液の濃度はＺｒとして0.062mmol/mlであ
る。 （２）遷移金属触媒成分とプロモーターとの接触 50mlフラスコに上記溶液３mlを採取し、メチルアルミノ
キサンのトルエン溶液（濃度１mmol/ml ）3.7ml を加
え、室温で30分攪拌した。ついでトリエチルアンモニウ
ムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート0.2mmol
を添加し室温で３時間攪拌した。 （３）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換し、これに精製したトルエン１リッ
ターを加え、上記（２）で得た触媒をＺｒとして２mgを
添加し、60℃に系を昇温し、エチレンとブテン−１の混
合ガス（ブテン−１／エチレンモル比0.25）を９Kgf/cm
² Ｇとなるように張り込んで重合を開始し、エチレンと
ブテン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比0.
05）を連続的に供給しつつ、全圧を９Kgf/cm² Ｇに維持
して２時間の重合を行った。重合終了後、余剰のガスを
排出し、冷却して内容物を取り出し、白色ポリマ−20ｇ
を得た。触媒効率は10Kg/gＺｒであった。得られたポリ
マーの密度は0.9230g/cm³ 、融点は117.5 ℃、ＭＩは1.
1g/10minであった。 実施例２ （１）遷移金属触媒成分の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml 三口フラスコに精製
トルエン150ml を加え、ついでテトラプロポキシジルコ
ニウム3.3 ｇとインデン4.6 ｇを加え室温下30分攪拌
後、０℃に系を保持してジイソブチルアルミニウムハイ
ドライド3.2 ｇを滴下し、滴下終了後系を室温にして24
時間攪拌して、遷移金属触媒成分を調製した。この溶液
の濃度はＺｒとして0.062mmol/mlである。 （２）遷移金属触媒成分とプロモーターとの接触 50mlフラスコに上記溶液３mlを採取し、ジメチルアニリ
ニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート0.4m
mol を添加し室温で３時間攪拌した。 （３）重合 上記（２）で得た触媒のオートクレーブへの添加量をＺ
ｒとして1.5mg として、実施例１と同様に重合を行っ
た。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却して内容物
を取り出し、白色ポリマ−123 ｇを得た。触媒効率は83
Kg/gＺｒであった。得られたポリマーの密度は0.9170g/
cm³ 、融点は118.2 ℃、ＭＩは1.2g/10min、Mw/Mn は6.
7 であった。 実施例３ （１）遷移金属触媒成分の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml 三口フラスコに精製
トルエン150ml を加え、ついでテトラベンジルジルコニ
ウム3.8 ｇとシクロペンタジエン2.6 ｇを加え室温下30
分攪拌後、０℃に系を保持してリチウムアルミニウムト
リエトキシハイドライド1.3 ｇを滴下し、滴下終了後系
を室温にして４時間攪拌して、遷移金属触媒成分を調製
した。この溶液の濃度はＺｒとして0.06mmol/ml であ
る。 （２）遷移金属触媒成分とプロモーターとの接触 50mlフラスコに上記溶液３mlを採取し、メチルアルミノ
キサンのトルエン溶液（濃度１mmol/ml ）3.6ml を加
え、室温で30分攪拌した。 （３）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換し、これに精製したトルエン１リッ
ターを加え、上記（２）で得た混合物をＺｒとして２mg
を添加し、さらにフェロセニウムテトラ（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレートを0.05mmol添加し、60℃に系を昇
温し、エチレンとブテン−１の混合ガス（ブテン−１／
エチレンモル比0.25）を９Kgf/cm² Ｇとなるように張り
込んで重合を開始し、エチレンとブテン−１の混合ガス
（ブテン−１／エチレンモル比0.05）を連続的に供給し
つつ、全圧を９Kgf/cm² Ｇに維持して２時間の重合を行
った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却して内容
物を取り出し、白色ポリマ−50ｇを得た。触媒効率は25
Kg/gＺｒであった。得られたポリマーの密度は0.9150g/
cm3 、融点は114.2 ℃、ＭＩは1.3g/10min、Mw/Mn は6.
2 であった。 実施例４ （１）触媒の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml三口フラスコに精製
トルエン150mlを加え、ついでジブトキシジクロロジル
コニウム3.1gとインデン9.2gを加え室温下30分攪拌後、
０℃に系を保持してリチウムアルミニウムハイドライド
9.1gを加え、室温にして24時間攪拌した。得られたスラ
リーを50mlフラスコにジルコニウムとして0.2ミリモル
原子になるように採取し、メチルアルミノキサンのトル
エン溶液 （濃度1mmol/ml）４mlを加え、室温で30分攪
拌した。ついでアニリニウム１−カルバドデカボレート
0.2 mmolを添加して室温で３時間攪拌して触媒を得た。 （２）重合 実施例１と同様に行ったが上記（１）で得た触媒をＺｒ
として0.5mgを添加して重合を行った。得られたポリマ
ーは15gであり、触媒効率30kg/gＺｒであった。ポリマ
ーの密度は0.9250g/cm³，融点119.7℃、ＭＩは7.1g/10m
in，Mw/Mnは6.7であった。 実施例５ （１）触媒の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml三口フラスコに精製
トルエン150mlを加え、ついでトリブトキシクロロジル
コニウム3.5gとトリメチルシリルシクロペンタジエン11
gを加え室温下30分攪拌後、０℃に系を保持して水素化
アルミニウム3.2gを加え、室温にして24時間攪拌した。
得られた溶液を50mlフラスコにジルコニウムとして0.2
ミリモル原子になるように採取し、メチルアルミノキサ
ンのトルエン溶液（濃度１mmol/ml）４ml を加え、室温
で30分攪拌した。ついでトリブチルアンモニウムビス
（ノナヒドロ−１，３−ジカルバウナボレート）コバル
テート（III）0.2mmolを添加して室温で３時間攪拌して
触媒を得た。 （２）重合 実施例４と同様に行った。得られたポリマーは10gであ
り、触媒効率は20kg/gＺｒであった。ポリマーの密度は
0.9105g/cm³であり、融点は111.2℃、ＭＩは1.4g/10mi
n、Mw/Mnは7.3であった。 実施例６ （１）触媒の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml三口フラスコに精製
トルエン150mlを加え、ついでテトラブトキシジルコニ
ウム4.2gと１，３ジメチルシクロペンタジエン7.5gを加
え室温下30分攪拌後、０℃に系を保持してジイソブチル
アルミニウムハイドライド9.1gを滴下し、滴下終了後系
を室温にして24時間攪拌した。得られた溶液を50mlフラ
スコにジルコニウムとして0.2ミリモル原子になるよう
に採取し、メチルアルミノキサンのトルエン溶液（濃度
１mmol/ml）４mlを加え、室温で30分攪拌した。ついで
トリチルテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート0.
2mmolを添加して室温で３時間攪拌して、触媒を得た。 （２）重合 実施例４と同様に行った。得られたポリマーは200gであ
り、触媒効率は400kg/gＺｒであった。ポリマーの密度
は0.9150g/cm³、融点は114.5℃、ＭＩは0.9g/10min，Mw
/Mnは7.4であった。 実施例７ （１）触媒の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml三口フラスコに精製
トルエン150mlを加え、ついで四塩化ハフニウム2.3gと
インデン4.7gを加え室温下30分攪拌後、０℃に系を保持
してナトリウムボロハイドライド11.4gを加え、室温に
して24時間攪拌した。得られた溶液を50mlフラスコにジ
ルニウムとして0.2ミリモル原子になるように採取し、
トリチル−１−カルバウンデカボレート0.2mmolを添加
して室温で３時間攪拌した。ついでメチルアルミノキサ
ンのトルエン溶液（濃度１mmol/ml）４mlを加え室温で3
0分撹拌して触媒を得た。 （２）重合 実施例４と同様に行った。得られたポリマーは10gであ
り、触媒効率は20kg/gＨｆであった。ポリマーの密度は
0.9200g/cm³、融点は118.5℃、ＭＩは2.5g/10min，Mw/M
nは7.2であった。 実施例８ （１）触媒の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml三口フラスコに精製
トルエン150mlを加え、ついでテトラブトキシチタニウ
ム3.4gとシクロペンタジエン5.3gを加え室温下30分攪拌
後、０℃に系を保持してジイソブチルアルミニウムハイ
ドライド22.5gを滴下し、滴下 終了後系を室温にして24
時間攪拌した。得られた溶液を50mlフラスコにチタニウ
ムとして0.2ミリモル原子になるように採取し，メチル
アルミノキサンのトルエン溶液（濃度１mmol/ml）４ml
を加え，室温で30分攪拌した。ついでトリ（ペンタフル
オロフェニル）ボラン0.2mmolを添加して室温で３時間
攪拌して触媒を得た。 （２）重合 実施例４と同様に行った。得られたポリマーは95gであ
り、触媒効率は190kg/gＴｉであった。ポリマーの密度
は0.9250g/cm³、融点は118.7℃、ＭＩは1.3g/10min、Mw
/Mnは6.9であった。 実施例９ （１）触媒の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml三口フラスコに精製
トルエン150mlを加え、ついでテトラプロピルハフニウ
ム4.1gとシクロペンタジエン5.3gを加え室温下30分攪拌
後、０℃に系を保持してジンクボロハイドライド5.8gを
加え、室温にして24時間攪拌した。得られた溶液を50ml
フラスコにハフニウムとして0.2ミリモル原子になるよ
うに採取し、メチルアルミノキサンのトルエン溶液（濃
度１mmol/ml）４mlを加え、室温で30分攪拌した。つい
でフェロセニウム−２．９−ジカルバウンデカボレート
0.2mmolを添加して 室温で３時間攪拌して触媒を得た。 （２）重合 実施例４と同様に行った。得られたポリマーは10gであ
り、触媒効率は20kg/gＨｆであった。ポリマーの密度は
0.9250g/cm³、融点は117.9℃、ＭＩは0.3g/10min、Mw/M
nは7.2であった。 実施例１０ （１）触媒の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml三口フラスコに精製
トルエン150mlを加え、ついでテトラクロロジルコニウ
ム2.3gとメチルシクロペンタジエン6.5gを加え室温下30
分攪拌後、０℃に系を保持してジイソブチルアルミニウ
ムハイドライド9.1gを滴下し、滴下終了後系を室温にし
て24時間攪拌した。得られた溶液を50mlフラスコにジル
コニウムとして0.2ミリモル原子になるように採取し、
メチルアルミノキサンのトルエン溶液（濃度１mmol/m
l）４mlを加え、室温で30分攪拌した。ついでトリチル
−ビス（ノナヒドリド−１，３−ジカルバウナボレー
ト）コバルテート（III）0.2mmolを添加して室温で３時
間攪拌して触媒を得た。 （２）重合 実施例４と同様に行った。得られたポリマーは80gであ
り、触媒効率は160kg/gＺｒであった。ポリマーの密度
は0.9200g/cm³、融点は115.1℃、ＭＩは8.3g/10min，Mw
/Mnは7.5であった。 実施例１１ （１）触媒の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml三口フラスコに精製
トルエン150mlを加え、ついでテトラプロポキシジルコ
ニウム3.3gとインデン9.2gを加え室温下30分攪拌後、０
℃に系を保持してジイソブチルアルミニウムハイドライ
ド9.3gを添加し、添加終了後系を室温にして24時間攪拌
した。得られた溶液を50mlフラスコにジルコニウムとし
て0.2ミリモル原子になるように採取し、メチルアルミ
ノキサンのトルエン溶液（濃度１mmol/ml）10mlを加
え、室温30で分攪拌した。ついでフェロセニウムビス
（ウンデカヒドリド−７．８−ジカルバウンデカボレー
ト）ニッケレート（III）0.2mmolを添加して室温で３時
間攪拌して触媒を得た。 （２）重合 実施例４と同様に行った。得られたポリマーは100gであ
り、触媒効率は200kg/g Ｚｒであった。ポリマーの密度
は0.9105g/cm³、融点は114.3℃、ＭＩは1.3g/10min、Mw
/Mnは8.5であった。 実施例１２ （１）触媒の調製 窒素下で電磁誘導攪拌機付き300ml三口フラスコに精製
トルエン150mlを加え、ついでテトラプロポキシジルコ
ニウム3.3gとビスインデニルエタン9.3gを加え室温下30
分攪拌後、０℃に系を保持してジイソブチルアルミニウ
ムハイドライドの9.1gを30分かけて滴下し、滴下終了後
系を室温にして24時間攪拌した。この溶液の濃度はＺｒ
として0.058mmol/mlである。50mlフラスコに上記溶液３
mlを採取し、メチルアルミノキサン（濃度１mmol/ml）
のトルエン溶液4.4mlを加え、室温で30分攪拌した。つ
いでトリエチルアンモニウムテトラ（ｏ−フルオロフェ
ニル）ボレート0.2mmolを添加し室温で３時間攪拌して
触媒を得た。 （２）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換し、これに精製したトルエン１リッ
ターを加え、上記（１）で得られた触媒をＺｒとして２
mmgを添加し、60℃に系を昇温し、エチレンを９kgf/cm²
Ｇとなるように張り込んで重合を開始し、エチレンを連
続的に供給しつつ、全圧９kgf/cm²Ｇに維持して２時間
の重合を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷
却して内容物を取り出し、白色ポリマー40gを得た。触
媒効率は20kg/gＺｒであった。ポリマーの密度は0.9510
g/cm³、融点は132℃、ＭＩは3.5g/10min、Mw/Mnは6.3で
あった。 比較例１ カテコールボランを使用しないこと以外は実施例１と同
様に行った。触媒効率は0.3kg/gＺｒで、得られたポリ
マーの密度は0.9250g/cm³、融点は119.5℃、ＭＩは1.3g
/10minであった。 比較例２ インデンを使用ないこと以外は実施例１と同様に行っ
た。触媒効率は0.003kg/gＺｒで、得られたポリマーの
融点は123.5℃であった。 比較例３ トリエチルアンモニウムテトラ（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレートを使用しないこと以外は実施例１と同様に
行った。触媒効率は５kg/gＺｒで、得られたポリマーの
密度は0.9200g/cm³，融点は118.5℃、ＭＩは2.3g/10min
であった。 比較例４ トリ（ペンタフルオロフェニル）ボランを使用しないこ
と以外は実施例８と同様に行った。触媒効率は0.005kg/
gＺｒであった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で使用する触媒の調製工程を示すフロー
チャートである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−248010（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−292030（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−134120（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−34811（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−127614（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−93031（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08F 4/60 - 4/70 ＥＵＲＯＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ) ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｄ）の各成分を相互に
   接触させて得られるオレフィン重合用触媒。 （Ａ）一般式Ｍｅ¹（ＯＲ¹）_pＲ² _qＸ¹ _4-p-qで表される
   化合物 ［式中、Ｒ¹、及びＲ² は個別に炭素数１〜２４の炭化
   水素基、Ｘ¹ はハロゲン原子、Ｍｅ¹ はＴｉ、Ｚｒ又は
   Ｈｆを示し、ｐは０≦ｐ≦４、ｑは０≦ｑ≦４、ｐ＋ｑ
   は０≦ｐ＋ｑ≦４である。］ （Ｂ）下記の（ａ）〜（ｃ）で示されるメタルハイドラ
   イド化合物の少なくとも１種 （ａ）Ｍｅ²Ｈ_aＲ³ _3-a （ｂ）Ｍｅ³［Ｍｅ²Ｈ_bＲ⁴ _c（ＯＲ⁵）_4-b-c］_z （ｃ）化１ 【化１】 ［式中、Ｒ³、Ｒ⁴，Ｒ⁵およびＲ⁶は個別に炭素数１〜２
   ４の炭化水素基を示し、Ｍｅ²は周期律表第１３族元
   素、Ｍｅ³は周期律表第１族、２族または１２族元素を
   示し、ｚはＭｅ³の価数を示し、ａ、ｂ、ｃおよびｄ
   は、各々１≦ａ≦３、１≦ｂ≦４、０≦ｃ≦３、０≦ｄ
   ≦４、しかも１≦ｂ＋ｃ≦４である。］ （Ｃ）シクロペンタジエニル環を有する炭化水素化合物
   又は有機ケイ素化合物である共役二重結合を２個以上持
   つ有機環状化合物 （Ｄ）ボレートおよび／またはボラン
2. 【請求項２】 下記の（Ａ）〜（Ｅ）の各成分を相互に
   接触させて得られるオレフィン重合用触媒。 （Ａ）一般式Ｍｅ¹（ＯＲ¹）_pＲ² _qＸ¹ _4-p-qで表される
   化合物 ［式中、Ｒ¹、及びＲ² は個別に炭素数１〜２４の炭化
   水素基、Ｘ¹ はハロゲン原子、Ｍｅ¹ はＴｉ、Ｚｒ又は
   Ｈｆを示し、ｐは０≦ｐ≦４、ｑは０≦ｑ≦４、ｐ＋ｑ
   は０≦ｐ＋ｑ≦４である。］ （Ｂ）下記の（ａ）〜（ｃ）で示されるメタルハイドラ
   イド化合物の少なくとも１種 （ａ）Ｍｅ²Ｈ_aＲ³ _3-a （ｂ）Ｍｅ³［Ｍｅ²Ｈ_bＲ⁴ _c（ＯＲ⁵）_4-b-c］_z （ｃ）化２ 【化２】 ［式中、Ｒ³、Ｒ⁴，Ｒ⁵およびＲ⁶は個別に炭素数１〜２
   ４の炭化水素基を示し、Ｍｅ²は周期律表第１３族元
   素、Ｍｅ³は周期律表第１族、２族または１２族元素を
   示し、ｚはＭｅ³の価数を示し、ａ、ｂ、ｃおよびｄ
   は、各々１≦ａ≦３、１≦ｂ≦４、０≦ｃ≦３、０≦ｄ
   ≦４、しかも１≦ｂ＋ｃ≦４である。］ （Ｃ）シクロペンタジエニル環を有する炭化水素化合物
   又は有機ケイ素化合物である共役二重結合を２個以上持
   つ有機環状化合物 （Ｄ）ボレートおよび／またはボラン （Ｅ）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウム
   化合物
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の触媒の
   存在下にオレフィン類を重合または共重合することを特
   徴とするオレフィン類重合体の製造方法。