JPH0995507A - オレフィン類重合用触媒成分 - Google Patents
オレフィン類重合用触媒成分Info
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- JPH0995507A JPH0995507A JP27715595A JP27715595A JPH0995507A JP H0995507 A JPH0995507 A JP H0995507A JP 27715595 A JP27715595 A JP 27715595A JP 27715595 A JP27715595 A JP 27715595A JP H0995507 A JPH0995507 A JP H0995507A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- component
- zirconium
- hafnium
- borate
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- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 オレフィン重合用触媒成分の提供
【構成】少なくとも、下記成分(1)〜成分(3)を接
触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物、 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物、 触媒成分として供する際に,1H−NMRにより、金属
Me1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペン
タジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構
造の5員環部分の水素のピークが観測されない形態であ
ることを特徴とするオレフィン類重合用触媒成分。
触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物、 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物、 触媒成分として供する際に,1H−NMRにより、金属
Me1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペン
タジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構
造の5員環部分の水素のピークが観測されない形態であ
ることを特徴とするオレフィン類重合用触媒成分。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、オレフィン類を重
合又は共重合する際に使用して、分子量が高く、さらに
分子量分布が比較的広く、また、共重合体の製造の際に
はその組成分布が狭いオレフィン重合体または共重合体
を高効率にすることができる触媒成分および触媒に関す
る。本発明はまたこの触媒の存在下粒子性状が良好であ
るオレフィン重合体または共重合体を製造する方法に関
する。
合又は共重合する際に使用して、分子量が高く、さらに
分子量分布が比較的広く、また、共重合体の製造の際に
はその組成分布が狭いオレフィン重合体または共重合体
を高効率にすることができる触媒成分および触媒に関す
る。本発明はまたこの触媒の存在下粒子性状が良好であ
るオレフィン重合体または共重合体を製造する方法に関
する。
【0002】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】ポリオ
レフィン、特にエチレン重合体またはエチレン・α−オ
レフィン共重合体を製造するに際して、例えばジルコニ
ウム化合物(典型的にはジルコノセン化合物)とアルミ
ノキサンとからなる触媒を使用することは、特開昭58
−19309号に示されている如く公知である。また,
ジルコニウム化合物(典型的にはジルコノセン化合物)
とボレートおよび/あるいはボランとからなる触媒を使
用することも公知である。このような従来技術において
はエチレン系重合体をある程度の収率で製造でき、得ら
れた共重合体は分子量分布が狭く、組成分布が狭いもの
である。
レフィン、特にエチレン重合体またはエチレン・α−オ
レフィン共重合体を製造するに際して、例えばジルコニ
ウム化合物(典型的にはジルコノセン化合物)とアルミ
ノキサンとからなる触媒を使用することは、特開昭58
−19309号に示されている如く公知である。また,
ジルコニウム化合物(典型的にはジルコノセン化合物)
とボレートおよび/あるいはボランとからなる触媒を使
用することも公知である。このような従来技術において
はエチレン系重合体をある程度の収率で製造でき、得ら
れた共重合体は分子量分布が狭く、組成分布が狭いもの
である。
【0003】しかし、かかる触媒系を用いて重合体を高
収率で得るためにはプロモーターとして用いるアルミノ
キサンのジルコニウム等遷移金属に対する使用量を多く
しなければならない。さらにアルミノキサン特にメチル
アルミノキサンが高価であるため触媒製造にかかるコス
トが高くなる欠点を有している。以上からアルミノキサ
ンの触媒成分に対する使用比率を低くすることが望まれ
ていた。この点を改善するために特開昭60−2808
02号、特開昭63−218707号などが提案されて
いるが、その効果はまだ十分とはいえない。また,ボレ
ート,ボラン化合物も高価であり触媒製造にかかるコス
トが高い。さらに上記した従来の触媒系は、反応系に可
溶性であることが多く、スラリー重合、気相重合に使用
すると、生成重合体はかさ密度が小さく、粒体性状に劣
るという問題点があった。また,従来の触媒系では,プ
ロモーターとして変性有機アルミニウム化合物(典型的
にはメチルアルミノキサン)と触媒成分を接触させた後
に,時間が経つと金属同士(チタン,ジルコニウム,ハ
フニウム)の2量化反応などが進行し重合活性が低下す
ることが知られている。他方、従来知られているオレフ
ィン類重合用触媒成分としては,例えばビスシクロペン
タジエニルジルコニウムジクロライド,ビス(1,3ジ
メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド,ビスインデニルジルコニウムジクロライド,エチレ
ンビスインデニルジルコニウムジクロライドなどが存在
する。しかし,これらはすべて溶液状態で1H−NMR
を測定することにより,シクロペンタジエニル,あるい
はインデニル,あるいはフルオレニルなどの5員環につ
いている水素を検出することができる。たとえば,ビス
シクロペンタジエニルジルコニウムジクロライドのシク
ロペンタジエニルの水素はδ=6.1ppmに,ビス
(1,3ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライドのシクロペンタジエニルの5員環について
いる水素はδ=6.0ppm,δ=5.7ppmに,ビ
スインデニルジルコニウムジクロライドのインデニルの
5員環についている水素はδ=6.2ppmと5.8p
pmに,エチレンビスインデニルジルコニウムジクロラ
イドのインデニルの5員環についている水素はδ=6.
2ppmと6.6ppmにピークが観測されていた。ま
た,従来のこのような触媒系では,プロモーターとして
変性有機アルミニウム化合物(典型的にはメチルアルミ
ノキサン)と触媒成分を接触させた後に,時間が経つと
金属同士(チタン,ジルコニウム,ハフニウム)の2量
化反応などが進行し重合活性が低下し易いなどの問題点
が知られていた。しかし,本発明では触媒成分として供
する際に,その溶液を1H−NMRで観測しても金属に
配位している,すなわち,チタノセン,ジルコノセン,
ハフノセン化合物などのシクロペンタジエニル,あるい
は,インデニル,あるいは,フルオレニルの5員環につ
いている水素が1H−NMRによって検出されないもの
である。
収率で得るためにはプロモーターとして用いるアルミノ
キサンのジルコニウム等遷移金属に対する使用量を多く
しなければならない。さらにアルミノキサン特にメチル
アルミノキサンが高価であるため触媒製造にかかるコス
トが高くなる欠点を有している。以上からアルミノキサ
ンの触媒成分に対する使用比率を低くすることが望まれ
ていた。この点を改善するために特開昭60−2808
02号、特開昭63−218707号などが提案されて
いるが、その効果はまだ十分とはいえない。また,ボレ
ート,ボラン化合物も高価であり触媒製造にかかるコス
トが高い。さらに上記した従来の触媒系は、反応系に可
溶性であることが多く、スラリー重合、気相重合に使用
すると、生成重合体はかさ密度が小さく、粒体性状に劣
るという問題点があった。また,従来の触媒系では,プ
ロモーターとして変性有機アルミニウム化合物(典型的
にはメチルアルミノキサン)と触媒成分を接触させた後
に,時間が経つと金属同士(チタン,ジルコニウム,ハ
フニウム)の2量化反応などが進行し重合活性が低下す
ることが知られている。他方、従来知られているオレフ
ィン類重合用触媒成分としては,例えばビスシクロペン
タジエニルジルコニウムジクロライド,ビス(1,3ジ
メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド,ビスインデニルジルコニウムジクロライド,エチレ
ンビスインデニルジルコニウムジクロライドなどが存在
する。しかし,これらはすべて溶液状態で1H−NMR
を測定することにより,シクロペンタジエニル,あるい
はインデニル,あるいはフルオレニルなどの5員環につ
いている水素を検出することができる。たとえば,ビス
シクロペンタジエニルジルコニウムジクロライドのシク
ロペンタジエニルの水素はδ=6.1ppmに,ビス
(1,3ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライドのシクロペンタジエニルの5員環について
いる水素はδ=6.0ppm,δ=5.7ppmに,ビ
スインデニルジルコニウムジクロライドのインデニルの
5員環についている水素はδ=6.2ppmと5.8p
pmに,エチレンビスインデニルジルコニウムジクロラ
イドのインデニルの5員環についている水素はδ=6.
2ppmと6.6ppmにピークが観測されていた。ま
た,従来のこのような触媒系では,プロモーターとして
変性有機アルミニウム化合物(典型的にはメチルアルミ
ノキサン)と触媒成分を接触させた後に,時間が経つと
金属同士(チタン,ジルコニウム,ハフニウム)の2量
化反応などが進行し重合活性が低下し易いなどの問題点
が知られていた。しかし,本発明では触媒成分として供
する際に,その溶液を1H−NMRで観測しても金属に
配位している,すなわち,チタノセン,ジルコノセン,
ハフノセン化合物などのシクロペンタジエニル,あるい
は,インデニル,あるいは,フルオレニルの5員環につ
いている水素が1H−NMRによって検出されないもの
である。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記した
従来技術の欠点を解決すべく鋭意検討した結果、例えば
触媒成分または触媒として供する際に,その溶液を1H
−NMRで観測しても金属に配位している,すなわち,
チタノセン,ジルコノセン,ハフノセン化合物などのシ
クロペンタジエニル,あるいは,インデニル,あるい
は,フルオレニルの5員環についている水素が1H−N
MRによって検出されないものであるなどの特徴と具備
するところの従来の触媒系とは全く異なる新規な触媒成
分または触媒および該触媒を用いた製造方法を見出し、
前述の従来技術に比較し、粒体性状が良好で、アルミノ
キサンの遷移金属に対する使用比率を低くしても高収率
でかつ分子量が高く、分子量分布が比較的広く、組成分
布の狭いオレフィン重合体を製造できる触媒成分、触媒
をも見出した。
従来技術の欠点を解決すべく鋭意検討した結果、例えば
触媒成分または触媒として供する際に,その溶液を1H
−NMRで観測しても金属に配位している,すなわち,
チタノセン,ジルコノセン,ハフノセン化合物などのシ
クロペンタジエニル,あるいは,インデニル,あるい
は,フルオレニルの5員環についている水素が1H−N
MRによって検出されないものであるなどの特徴と具備
するところの従来の触媒系とは全く異なる新規な触媒成
分または触媒および該触媒を用いた製造方法を見出し、
前述の従来技術に比較し、粒体性状が良好で、アルミノ
キサンの遷移金属に対する使用比率を低くしても高収率
でかつ分子量が高く、分子量分布が比較的広く、組成分
布の狭いオレフィン重合体を製造できる触媒成分、触媒
をも見出した。
【0005】すなわち、本発明は、第一に、少なくと
も、下記成分(1)〜成分(3)を接触することにより
得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24
の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1は
Zr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ0
≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハロ
ゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z は
Me2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物。 触媒成分として供する際に,1H−NMRにより、金属
Me1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペン
タジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構
造の5員環部分の水素のピークが観測されない形態であ
ることを特徴とするオレフィン類重合用触媒成分に関す
る。第2に、少なくとも、下記成分(1)〜成分(3)
を接触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24
の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1は
Zr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ0
≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜 24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハ
ロゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z
はMe2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物。触媒成分として供する際に,1H−NMRにより金
属Me1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペ
ンタジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル
の5員環部分の水素のピークが観測されない形態である
オレフィン類重合用触媒成分を,下記成分(4)および
/または成分(5)と接触させることにより得られるこ
とを特徴とするオレフィン類重合用触媒に関する。 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン 第3に、少なくとも下記成分(1)、成分(2)および
成分(3)、ならびに成分(4)および/または成分
(5)を相互に接触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24
の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1は
Zr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ0
≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハロ
ゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z は
Me2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物。 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン 触媒として供する際に,1H−NMRにより,金属Me
1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペンタジ
エニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構造の
5員環部分の水素のピークが観測されない形態であるこ
とを特徴とするオレフィン類重合用触媒に関する。前
記、第二の発明または第三の発明の触媒の存在下,オレ
フィン類を重合または共重合することを特徴とするポリ
オレフィンの製造方法に関する。
も、下記成分(1)〜成分(3)を接触することにより
得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24
の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1は
Zr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ0
≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハロ
ゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z は
Me2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物。 触媒成分として供する際に,1H−NMRにより、金属
Me1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペン
タジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構
造の5員環部分の水素のピークが観測されない形態であ
ることを特徴とするオレフィン類重合用触媒成分に関す
る。第2に、少なくとも、下記成分(1)〜成分(3)
を接触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24
の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1は
Zr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ0
≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜 24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハ
ロゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z
はMe2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物。触媒成分として供する際に,1H−NMRにより金
属Me1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペ
ンタジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル
の5員環部分の水素のピークが観測されない形態である
オレフィン類重合用触媒成分を,下記成分(4)および
/または成分(5)と接触させることにより得られるこ
とを特徴とするオレフィン類重合用触媒に関する。 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン 第3に、少なくとも下記成分(1)、成分(2)および
成分(3)、ならびに成分(4)および/または成分
(5)を相互に接触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24
の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1は
Zr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ0
≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハロ
ゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z は
Me2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物。 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン 触媒として供する際に,1H−NMRにより,金属Me
1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペンタジ
エニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構造の
5員環部分の水素のピークが観測されない形態であるこ
とを特徴とするオレフィン類重合用触媒に関する。前
記、第二の発明または第三の発明の触媒の存在下,オレ
フィン類を重合または共重合することを特徴とするポリ
オレフィンの製造方法に関する。
【0006】本発明の方法で使用する触媒成分は、アル
ミノキサンの遷移金属に対する使用比率を低くしても遷
移金属あたりの活性が高く、しかも得られるポリオレフ
ィンは分子量が高く、分子量分布が比較的広く、またそ
の分子量分布を自在にコントロールでき、特にエチレン
・α−オレフィン共重合体は組成分布が狭く、面粘着性
が極めて少なく、かつ、かさ密度が高い、粒形分布がせ
まいなど粒体性状も良好である。また,本発明の触媒成
分または触媒においては,従来みられていたプロモータ
ーとの接触後の重合活性低下もなく,工業化の際の触媒
の保存が長期にわたって可能となった。以下、本発明に
ついて詳述する。
ミノキサンの遷移金属に対する使用比率を低くしても遷
移金属あたりの活性が高く、しかも得られるポリオレフ
ィンは分子量が高く、分子量分布が比較的広く、またそ
の分子量分布を自在にコントロールでき、特にエチレン
・α−オレフィン共重合体は組成分布が狭く、面粘着性
が極めて少なく、かつ、かさ密度が高い、粒形分布がせ
まいなど粒体性状も良好である。また,本発明の触媒成
分または触媒においては,従来みられていたプロモータ
ーとの接触後の重合活性低下もなく,工業化の際の触媒
の保存が長期にわたって可能となった。以下、本発明に
ついて詳述する。
【0007】本発明のオレフィン類重合用触媒成分は、
前記の通り、少なくとも、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物, 成分(2):一般式Me2 R3 m X2 z-m で表される化
合物,および 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物,を相互に接触することにより得られるものである。
まず、成分(1)一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-q
で表される化合物について説明する。
前記の通り、少なくとも、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物, 成分(2):一般式Me2 R3 m X2 z-m で表される化
合物,および 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物,を相互に接触することにより得られるものである。
まず、成分(1)一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-q
で表される化合物について説明する。
【0008】(1)一般式Me1R1 p(OR2)qX1
4ーp-qで表される化合物について、R1は 上記の一般式
において、R1 およびR2 は個別に炭素数1〜24、好ま
しくは1〜12、さらに好ましくは1〜8の直鎖または分
岐鎖炭化水素基を示す。このような炭化水素基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、te
rt−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペ
ンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシ
ル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基などのアルキル基、ビニル基、アリル基
などのアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル
基、メシチル基、インデニル基、ナフチル基などのアリ
ール基、ベンジル基、トリチル基、フェネチル基、スチ
リル基、ベンズヒドリル基、フェニルブチル基、フェニ
ルプロピル基、ネオフィル基などのアラルキル基などが
挙げられる。 X1 はフッ素、ヨウ素、塩素又は臭素の
ハロゲン原子または水素原子を示す。Me1 はZr、T
i又はHfを示し、好ましくはZrである。p 及びq は
それぞれ0≦p ≦4、0≦q ≦4、0≦p +q ≦4の範
囲の整数であり、好ましくは0<p +q ≦4である。
4ーp-qで表される化合物について、R1は 上記の一般式
において、R1 およびR2 は個別に炭素数1〜24、好ま
しくは1〜12、さらに好ましくは1〜8の直鎖または分
岐鎖炭化水素基を示す。このような炭化水素基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、te
rt−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペ
ンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシ
ル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基などのアルキル基、ビニル基、アリル基
などのアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル
基、メシチル基、インデニル基、ナフチル基などのアリ
ール基、ベンジル基、トリチル基、フェネチル基、スチ
リル基、ベンズヒドリル基、フェニルブチル基、フェニ
ルプロピル基、ネオフィル基などのアラルキル基などが
挙げられる。 X1 はフッ素、ヨウ素、塩素又は臭素の
ハロゲン原子または水素原子を示す。Me1 はZr、T
i又はHfを示し、好ましくはZrである。p 及びq は
それぞれ0≦p ≦4、0≦q ≦4、0≦p +q ≦4の範
囲の整数であり、好ましくは0<p +q ≦4である。
【0009】これら一般式で表される化合物としては、
具体的には、テトラメチルジルコニウム、テトラエチル
ジルコニウム、テトラプロピルジルコニウム、テトラn
−ブチルジルコニウム、テトラペンチルジルコニウム、
テトラフェニルジルコニウム、テトラトリルジルコニウ
ム、テトラベンジルジルコニウム、テトラアリルジルコ
ニウム、テトラネオフィルジルコニウム、テトラメトキ
シジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラ
プロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウ
ム、テトラペンチルオキシジルコニウム、テトラフェノ
キシジルコニウム、テトラトリルオキシジルコニウム、
テトラベンジルオキシジルコニウム、テトラアリルオキ
シジルコニウム、テトラネオフィルオキシジルコニウ
ム、トリメチルモノクロロジルコニウム、トリエチルモ
ノクロロジルコニウム、トリプロピルモノクロロジルコ
ニウム、トリn−ブチルモノクロロジルコニウム、トリ
ペンチルモノクロロジルコニウム、トリフェニルモノク
ロロジルコニウム、トリトリルモノクロロジルコニウ
ム、トリベンジルモノクロロジルコニウム、トリアリル
モノクロロジルコニウム、トリネオフィルモノクロロジ
ルコニウム、ジメチルジクロロジルコニウム、ジエチル
ジクロロジルコニウム、ジプロピルジクロロジルコニウ
ム、ジn−ブチルジクロロジルコニウム、ジペンチルジ
クロロジルコニウム、ジフェニルジクロロジルコニウ
ム、ジトリルジクロロジルコニウム、ジベンジルジクロ
ロジルコニウム、ジアリルジクロロジルコニウム、ジネ
オフィルジクロロジルコニウム、モノメチルトリクロロ
ジルコニウム、モノエチルトリクロロジルコニウム、モ
ノプロピルトリクロロジルコニウム、モノn−ブチルト
リクロロジルコニウム、モノペンチルトリクロロジルコ
ニウム、モノフェニルトリクロロジルコニウム、モノト
リルトリクロロジルコニウム、モノベンジルトリクロロ
ジルコニウム、モノアリルトリクロロジルコニウム、モ
ノネオフィルトリクロロジルコニウム、テトラクロロジ
ルコニウム、トリメトキシモノクロロジルコニウム、ジ
メトキシジクロロジルコニウム、モノメトキシトリクロ
ロジルコニウム、トリエトキシモノクロロジルコニウ
ム、ジエトキシジクロロジルコニウム、モノエトキシト
リクロロジルコニウム、トリプロポキシモノクロロジル
コニウム、ジプロポキシジクロロジルコニウム、モノプ
ロポキシトリクロロジルコニウム、トリn−ブトキシモ
ノクロロジルコニウム、ジn−ブトキシジクロロジルコ
ニウム、モノn−ブトキシトリクロロジルコニウム、ト
リペンチルオキシモノクロロジルコニウム、ジペンチル
オキシジクロロジルコニウム、モノペンチルオキシトリ
クロロジルコニウム、トリフェノキシモノクロロジルコ
ニウム、ジフェノキシジクロロジルコニウム、モノフェ
ノキシトリクロロジルコニウム、トリトリルオキシモノ
クロロジルコニウム、ジトリルオキシジクロロジルコニ
ウム、モノトリルオキシトリクロロジルコニウム、トリ
ベンジルオキシモノクロロジルコニウム、ジベンジルオ
キシジクロロジルコニウム、モノベンジルオキシトリク
ロロジルコニウム、トリアリルオキシモノクロロジルコ
ニウム、ジアリルオキシジクロロジルコニウム、モノア
リルオキシトリクロロジルコニウム、トリネオフィルオ
キシモノクロロジルコニウム、ジネオフィルオキシジク
ロロジルコニウム、モノネオフィルオキシトリクロロジ
ルコニウム、テトラブロモジルコニウム、トリメチルモ
ノブロモジルコニウム、トリエチルモノブロモジルコニ
ウム、トリプロピルモノブロモジルコニウム、トリn−
ブチルモノブロモジルコニウム、トリペンチルモノブロ
モジルコニウム、トリフェニルモノブロモジルコニウ
ム、トリトリルモノブロモジルコニウム、トリベンジル
モノブロモジルコニウム、トリアリルモノブロモジルコ
ニウム、トリネオフィルモノブロモジルコニウム、ジメ
チルジブロモジルコニウム、ジエチルジブロモジルコニ
ウム、ジプロピルジブロモジルコニウム、ジn−ブチル
ジブロモジルコニウム、ジペンチルジブロモジルコニウ
ム、ジフェニルジブロモジルコニウム、ジトリルジブロ
モジルコニウム、ジベンジルジブロモジルコニウム、ジ
アリルジブロモジルコニウム、ジネオフィルジブロモジ
ルコニウム、モノメチルトリブロモジルコニウム、モノ
エチルトリブロモジルコニウム、モノプロピルトリブロ
モジルコニウム、モノn−ブチルトリブロモジルコニウ
ム、モノペンチルトリブロモジルコニウム、モノフェニ
ルトリブロモジルコニウム、モノトリルトリブロモジル
コニウム、モノベンジルトリブロモジルコニウム、モノ
アリルトリブロモジルコニウム、モノネオフィルトリブ
ロモジルコニウム、テトラブロモジルコニウム、トリメ
トキシモノブロモジルコニウム、ジメトキシジブロモジ
ルコニウム、モノメトキシトリブロモジルコニウム、ト
リエトキシモノブロモジルコニウム、ジエトキシジブロ
モジルコニウム、モノエトキシトリブロモジルコニウ
ム、トリプロポキシモノブロモジルコニウム、ジプロポ
キシジブロモジルコニウム、モノプロポキシトリブロモ
ジルコニウム、トリn−ブトキシモノブロモジルコニウ
ム、ジn−ブトキシジブロモジルコニウム、モノn−ブ
トキシトリブロモジルコニウム、トリペンチルオキシモ
ノブロモジルコニウム、ジペンチルオキシジブロモジル
コニウム、モノペンチルオキシトリブロモジルコニウ
ム、トリフェノキシモノブロモジルコニウム、ジフェノ
キシジブロモジルコニウム、モノフェノキシトリブロモ
ジルコニウム、トリトリルオキシモノブロモジルコニウ
ム、ジトリルオキシジブロモジルコニウム、モノトリル
オキシトリブロモジルコニウム、トリベンジルオキシモ
ノブロモジルコニウム、ジベンジルオキシジブロモジル
コニウム、モノベンジルオキシトリブロモジルコニウ
ム、トリアリルオキシモノブロモジルコニウム、ジアリ
ルオキシジブロモジルコニウム、モノアリルオキシトリ
ブロモジルコニウム、トリネオフィルオキシモノブロモ
ジルコニウム、ジネオフィルオキシジブロモジルコニウ
ム、モノネオフィルオキシトリブロモジルコニウム、テ
トラヨードジルコニウム、トリメチルモノヨードジルコ
ニウム、トリエチルモノヨードジルコニウム、トリプロ
ピルモノヨードジルコニウム、トリn−ブチルモノヨー
ドジルコニウム、トリペンチルモノヨードジルコニウ
ム、トリフェニルモノヨードジルコニウム、トリトリル
モノヨードジルコニウム、トリベンジルモノヨードジル
コニウム、トリアリルモノヨードジルコニウム、トリネ
オフィルモノヨードジルコニウム、ジメチルジヨードジ
ルコニウム、ジエチルジヨードジルコニウム、ジプロピ
ルジヨードジルコニウム、ジn−ブチルジヨードジルコ
ニウム、ジペンチルジヨードジルコニウム、ジフェニル
ジヨードジルコニウム、ジトリルジヨードジルコニウ
ム、ジベンジルジヨードジルコニウム、ジアリルジヨー
ドジルコニウム、ジネオフィルジヨードジルコニウム、
モノメチルトリヨードジルコニウム、モノエチルトリヨ
ードジルコニウム、モノプロピルトリヨードジルコニウ
ム、モノn−ブチルトリヨードジルコニウム、モノペン
チルトリヨードジルコニウム、モノフェニルトリヨード
ジルコニウム、モノトリルトリヨードジルコニウム、モ
ノベンジルトリヨードジルコニウム、テトラヨードジル
コニウム、トリメトキシモノヨードジルコニウム、ジメ
トキシジヨードジルコニウム、モノメトキシトリヨード
ジルコニウム、トリエトキシモノヨードジルコニウム、
ジエトキシジヨードジルコニウム、モノエトキシトリヨ
ードジルコニウム、トリプロポキシモノヨードジルコニ
ウム、ジプロポキシジヨードジルコニウム、モノプロポ
キシトリヨードジルコニウム、トリn−ブトキシモノヨ
ードジルコニウム、ジn−ブトキシジヨードジルコニウ
ム、モノn−ブトキシトリヨードジルコニウム、トリペ
ンチルオキシモノヨードジルコニウム、ジペンチルオキ
シジヨードジルコニウム、モノペンチルオキシトリヨー
ドジルコニウム、トリフェノキシモノヨードジルコニウ
ム、ジフェノキシジヨードジルコニウム、モノフェノキ
シトリヨードジルコニウム、トリトリルオキシモノヨー
ドジルコニウム、ジトリルオキシジヨードジルコニウ
ム、モノトリルオキシトリヨードジルコニウム、トリベ
ンジルオキシモノヨードジルコニウム、ジベンジルオキ
シジヨードジルコニウム、モノベンジルオキシトリヨー
ドジルコニウム、トリアリルオキシモノヨードジルコニ
ウム、ジアリルオキシジヨードジルコニウム、モノアリ
ルオキシトリヨードジルコニウム、トリネオフィルオキ
シモノヨードジルコニウム、ジネオフィルオキシジヨー
ドジルコニウム、モノネオフィルオキシトリヨードジル
コニウム、トリベンジルモノメトキシジルコニウム、ト
リベンジルモノエトキシジルコニウム、トリベンジルモ
ノプロポキシジルコニウム、トリベンジルモノブトキシ
ジルコニウム、トリベンジルモノペンチルオキシジルコ
ニウム、トリベンジルモノフェノキシジルコニウム、ト
リベンジルモノトリルオキシジルコニウム、トリベンジ
ルモノベンジルオキシジルコニウム、トリベンジルモノ
アリルオキシジルコニウム、トリベンジルモノネオフィ
ルオキシジルコニウム、ジベンジルジメトキシジルコニ
ウム、ジベンジルジエトキシジルコニウム、ジベンジル
ジプロポキシジルコニウム、ジベンジルジブトキシジル
コニウム、ジベンジルジペンチルオキシジルコニウム、
ジベンジルジフェノキシジルコニウム、ジベンジルジト
リルオキシジルコニウム、ジベンジルジベンジルオキシ
ジルコニウム、ジベンジルジアリルオキシジルコニウ
ム、ジベンジルジネオフィルオキシジルコニウム、モノ
ベンジルトリメトキシジルコニウム、モノベンジルトリ
エトキシジルコニウム、モノベンジルトリプロポキシジ
ルコニウム、モノベンジルトリブトキシジルコニウム、
モノベンジルトリペンチルオキシジルコニウム、モノベ
ンジルトリフェノキシジルコニウム、モノベンジルトリ
トリルオキシジルコニウム、モノベンジルトリベンジル
オキシジルコニウム、モノベンジルトリアリルオキシジ
ルコニウム、モノベンジルトリネオフィルオキシジルコ
ニウム、トリネオフィルモノメトキシジルコニウム、ト
リネオフィルモノエトキシジルコニウム、トリネオフィ
ルモノプロポキシジルコニウム、トリネオフィルモノブ
トキシジルコニウム、トリネオフィルモノフェノキシジ
ルコニウム、ジネオフィルジメトキシジルコニウム、ジ
ネオフィルジエトキシジルコニウム、ジネオフィルジプ
ロポキシジルコニウム、ジネオフィルジブトキシジルコ
ニウム、ジネオフィルジフェノキシジルコニウム、モノ
ネオフィルトリメトキシジルコニウム、モノネオフィル
トリエトキシジルコニウム、モノネオフィルトリプロポ
キシジルコニウム、モノネオフィルトリブトキシジルコ
ニウム、モノネオフィルトリフェノシジルコニウム、ジ
ルコニウムテトラハイドライド,ジルコニウムモノハイ
ドライドトリメトキサイド,ジルコニウムモノハイドラ
イドトリエトキサイド,ジルコニウムモノハイドライド
トリプロポキサイド,ジルコニウムモノハイドライドト
リブトキサイド,ジルコニウムジハイドライドジメトキ
サイド,ジルコニウムジハイドライドジエトキサイド,
ジルコニウムジハイドライドジプロポキサイド,ジルコ
ニウムジハイドライドジブトキサイド,ジルコニウムト
リハイドライドモノメトキサイド,ジルコニウムトリハ
イドライドモノエトキサイド,ジルコニウムトリハイド
ライドモノプロポキサイド,ジルコニウムトリハイドラ
イドモノブトキサイド,ジルコニウムモノハイドライド
トリクロライド,ジルコニウムモノハイドライドトリブ
ロマイド,ジルコニウムモノハイドライドトリアイオダ
イド,ジルコニウムモノハイドライドトリフルオライ
ド,ジルコニウムジハイドライドジクロライド,ジルコ
ニウムジハイドライドジブロマイド,ジルコニウムジハ
イドライドジアイオダイド,ジルコニウムジハイドライ
ドジフルオライド,ジルコニウムトリハイドライドモノ
クロライド,ジルコニウムトリハイドライドモノブロマ
イド,ジルコニウムトリハイドライドモノアイオダイ
ド,ジルコニウムトリハイドライドモノフルオライド,
ジルコニウムモノハイドライドトリメチル,ジルコニウ
ムモノハイドライドトリベンジル,ジルコニウムモノハ
イドライドトリフェニル,ジルコニウムジハイドライド
ジメチル,ジルコニウムジハイドライドジベンジル,ジ
ルコニウムジハイドライドジフェニル,ジルコニウムト
リハイドライドモノメチル,ジルコニウムトリハイドラ
イドモノベンジル,ジルコニウムトリハイドライドモノ
フェニル,ジルコニウムモノハイドライドジメトキサイ
ドモノクロライド,ジルコニウムモノハイドライドジエ
トキサイドモノクロライド,ジルコニウムモノハイドラ
イドジプロポキサイドモノクロライド,ジルコニウムモ
ノハイドライドジブトキサイドモノクロライド,ジルコ
ニウムジハイドライドモノメトキサイドモノクロライ
ド,ジルコニウムジハイドライドモノエトキサイドモノ
クロライド,ジルコニウムジハイドライドモノプロポキ
サイドモノクロライド,ジルコニウムジハイドライドモ
ノブトキサイドモノクロライド,ジルコニウムモノハイ
ドライドジメトキサイドモノメチル,ジルコニウムモノ
ハイドライドジエトキサイドモノベンジル,ジルコニウ
ムモノハイドライドジプロポキサイドモノフェニル,ジ
ルコニウムジハイドライドモノメトキサイドモノメチ
ル,ジルコニウムジハイドライドモノエトキサイドモノ
ベンジル,ジルコニウムジハイドライドモノプロポキサ
イドモノフェニル,ジルコニウムモノハイドライドモノ
メトキサイドモノクロライドモノベンジル,ジルコニウ
ムモノハイドライドモノメトキサイドモノクロライドモ
ノフェニル,ジルコニウムモノハイドライドモノメトキ
サイドモノクロライドモノメチル
具体的には、テトラメチルジルコニウム、テトラエチル
ジルコニウム、テトラプロピルジルコニウム、テトラn
−ブチルジルコニウム、テトラペンチルジルコニウム、
テトラフェニルジルコニウム、テトラトリルジルコニウ
ム、テトラベンジルジルコニウム、テトラアリルジルコ
ニウム、テトラネオフィルジルコニウム、テトラメトキ
シジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラ
プロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウ
ム、テトラペンチルオキシジルコニウム、テトラフェノ
キシジルコニウム、テトラトリルオキシジルコニウム、
テトラベンジルオキシジルコニウム、テトラアリルオキ
シジルコニウム、テトラネオフィルオキシジルコニウ
ム、トリメチルモノクロロジルコニウム、トリエチルモ
ノクロロジルコニウム、トリプロピルモノクロロジルコ
ニウム、トリn−ブチルモノクロロジルコニウム、トリ
ペンチルモノクロロジルコニウム、トリフェニルモノク
ロロジルコニウム、トリトリルモノクロロジルコニウ
ム、トリベンジルモノクロロジルコニウム、トリアリル
モノクロロジルコニウム、トリネオフィルモノクロロジ
ルコニウム、ジメチルジクロロジルコニウム、ジエチル
ジクロロジルコニウム、ジプロピルジクロロジルコニウ
ム、ジn−ブチルジクロロジルコニウム、ジペンチルジ
クロロジルコニウム、ジフェニルジクロロジルコニウ
ム、ジトリルジクロロジルコニウム、ジベンジルジクロ
ロジルコニウム、ジアリルジクロロジルコニウム、ジネ
オフィルジクロロジルコニウム、モノメチルトリクロロ
ジルコニウム、モノエチルトリクロロジルコニウム、モ
ノプロピルトリクロロジルコニウム、モノn−ブチルト
リクロロジルコニウム、モノペンチルトリクロロジルコ
ニウム、モノフェニルトリクロロジルコニウム、モノト
リルトリクロロジルコニウム、モノベンジルトリクロロ
ジルコニウム、モノアリルトリクロロジルコニウム、モ
ノネオフィルトリクロロジルコニウム、テトラクロロジ
ルコニウム、トリメトキシモノクロロジルコニウム、ジ
メトキシジクロロジルコニウム、モノメトキシトリクロ
ロジルコニウム、トリエトキシモノクロロジルコニウ
ム、ジエトキシジクロロジルコニウム、モノエトキシト
リクロロジルコニウム、トリプロポキシモノクロロジル
コニウム、ジプロポキシジクロロジルコニウム、モノプ
ロポキシトリクロロジルコニウム、トリn−ブトキシモ
ノクロロジルコニウム、ジn−ブトキシジクロロジルコ
ニウム、モノn−ブトキシトリクロロジルコニウム、ト
リペンチルオキシモノクロロジルコニウム、ジペンチル
オキシジクロロジルコニウム、モノペンチルオキシトリ
クロロジルコニウム、トリフェノキシモノクロロジルコ
ニウム、ジフェノキシジクロロジルコニウム、モノフェ
ノキシトリクロロジルコニウム、トリトリルオキシモノ
クロロジルコニウム、ジトリルオキシジクロロジルコニ
ウム、モノトリルオキシトリクロロジルコニウム、トリ
ベンジルオキシモノクロロジルコニウム、ジベンジルオ
キシジクロロジルコニウム、モノベンジルオキシトリク
ロロジルコニウム、トリアリルオキシモノクロロジルコ
ニウム、ジアリルオキシジクロロジルコニウム、モノア
リルオキシトリクロロジルコニウム、トリネオフィルオ
キシモノクロロジルコニウム、ジネオフィルオキシジク
ロロジルコニウム、モノネオフィルオキシトリクロロジ
ルコニウム、テトラブロモジルコニウム、トリメチルモ
ノブロモジルコニウム、トリエチルモノブロモジルコニ
ウム、トリプロピルモノブロモジルコニウム、トリn−
ブチルモノブロモジルコニウム、トリペンチルモノブロ
モジルコニウム、トリフェニルモノブロモジルコニウ
ム、トリトリルモノブロモジルコニウム、トリベンジル
モノブロモジルコニウム、トリアリルモノブロモジルコ
ニウム、トリネオフィルモノブロモジルコニウム、ジメ
チルジブロモジルコニウム、ジエチルジブロモジルコニ
ウム、ジプロピルジブロモジルコニウム、ジn−ブチル
ジブロモジルコニウム、ジペンチルジブロモジルコニウ
ム、ジフェニルジブロモジルコニウム、ジトリルジブロ
モジルコニウム、ジベンジルジブロモジルコニウム、ジ
アリルジブロモジルコニウム、ジネオフィルジブロモジ
ルコニウム、モノメチルトリブロモジルコニウム、モノ
エチルトリブロモジルコニウム、モノプロピルトリブロ
モジルコニウム、モノn−ブチルトリブロモジルコニウ
ム、モノペンチルトリブロモジルコニウム、モノフェニ
ルトリブロモジルコニウム、モノトリルトリブロモジル
コニウム、モノベンジルトリブロモジルコニウム、モノ
アリルトリブロモジルコニウム、モノネオフィルトリブ
ロモジルコニウム、テトラブロモジルコニウム、トリメ
トキシモノブロモジルコニウム、ジメトキシジブロモジ
ルコニウム、モノメトキシトリブロモジルコニウム、ト
リエトキシモノブロモジルコニウム、ジエトキシジブロ
モジルコニウム、モノエトキシトリブロモジルコニウ
ム、トリプロポキシモノブロモジルコニウム、ジプロポ
キシジブロモジルコニウム、モノプロポキシトリブロモ
ジルコニウム、トリn−ブトキシモノブロモジルコニウ
ム、ジn−ブトキシジブロモジルコニウム、モノn−ブ
トキシトリブロモジルコニウム、トリペンチルオキシモ
ノブロモジルコニウム、ジペンチルオキシジブロモジル
コニウム、モノペンチルオキシトリブロモジルコニウ
ム、トリフェノキシモノブロモジルコニウム、ジフェノ
キシジブロモジルコニウム、モノフェノキシトリブロモ
ジルコニウム、トリトリルオキシモノブロモジルコニウ
ム、ジトリルオキシジブロモジルコニウム、モノトリル
オキシトリブロモジルコニウム、トリベンジルオキシモ
ノブロモジルコニウム、ジベンジルオキシジブロモジル
コニウム、モノベンジルオキシトリブロモジルコニウ
ム、トリアリルオキシモノブロモジルコニウム、ジアリ
ルオキシジブロモジルコニウム、モノアリルオキシトリ
ブロモジルコニウム、トリネオフィルオキシモノブロモ
ジルコニウム、ジネオフィルオキシジブロモジルコニウ
ム、モノネオフィルオキシトリブロモジルコニウム、テ
トラヨードジルコニウム、トリメチルモノヨードジルコ
ニウム、トリエチルモノヨードジルコニウム、トリプロ
ピルモノヨードジルコニウム、トリn−ブチルモノヨー
ドジルコニウム、トリペンチルモノヨードジルコニウ
ム、トリフェニルモノヨードジルコニウム、トリトリル
モノヨードジルコニウム、トリベンジルモノヨードジル
コニウム、トリアリルモノヨードジルコニウム、トリネ
オフィルモノヨードジルコニウム、ジメチルジヨードジ
ルコニウム、ジエチルジヨードジルコニウム、ジプロピ
ルジヨードジルコニウム、ジn−ブチルジヨードジルコ
ニウム、ジペンチルジヨードジルコニウム、ジフェニル
ジヨードジルコニウム、ジトリルジヨードジルコニウ
ム、ジベンジルジヨードジルコニウム、ジアリルジヨー
ドジルコニウム、ジネオフィルジヨードジルコニウム、
モノメチルトリヨードジルコニウム、モノエチルトリヨ
ードジルコニウム、モノプロピルトリヨードジルコニウ
ム、モノn−ブチルトリヨードジルコニウム、モノペン
チルトリヨードジルコニウム、モノフェニルトリヨード
ジルコニウム、モノトリルトリヨードジルコニウム、モ
ノベンジルトリヨードジルコニウム、テトラヨードジル
コニウム、トリメトキシモノヨードジルコニウム、ジメ
トキシジヨードジルコニウム、モノメトキシトリヨード
ジルコニウム、トリエトキシモノヨードジルコニウム、
ジエトキシジヨードジルコニウム、モノエトキシトリヨ
ードジルコニウム、トリプロポキシモノヨードジルコニ
ウム、ジプロポキシジヨードジルコニウム、モノプロポ
キシトリヨードジルコニウム、トリn−ブトキシモノヨ
ードジルコニウム、ジn−ブトキシジヨードジルコニウ
ム、モノn−ブトキシトリヨードジルコニウム、トリペ
ンチルオキシモノヨードジルコニウム、ジペンチルオキ
シジヨードジルコニウム、モノペンチルオキシトリヨー
ドジルコニウム、トリフェノキシモノヨードジルコニウ
ム、ジフェノキシジヨードジルコニウム、モノフェノキ
シトリヨードジルコニウム、トリトリルオキシモノヨー
ドジルコニウム、ジトリルオキシジヨードジルコニウ
ム、モノトリルオキシトリヨードジルコニウム、トリベ
ンジルオキシモノヨードジルコニウム、ジベンジルオキ
シジヨードジルコニウム、モノベンジルオキシトリヨー
ドジルコニウム、トリアリルオキシモノヨードジルコニ
ウム、ジアリルオキシジヨードジルコニウム、モノアリ
ルオキシトリヨードジルコニウム、トリネオフィルオキ
シモノヨードジルコニウム、ジネオフィルオキシジヨー
ドジルコニウム、モノネオフィルオキシトリヨードジル
コニウム、トリベンジルモノメトキシジルコニウム、ト
リベンジルモノエトキシジルコニウム、トリベンジルモ
ノプロポキシジルコニウム、トリベンジルモノブトキシ
ジルコニウム、トリベンジルモノペンチルオキシジルコ
ニウム、トリベンジルモノフェノキシジルコニウム、ト
リベンジルモノトリルオキシジルコニウム、トリベンジ
ルモノベンジルオキシジルコニウム、トリベンジルモノ
アリルオキシジルコニウム、トリベンジルモノネオフィ
ルオキシジルコニウム、ジベンジルジメトキシジルコニ
ウム、ジベンジルジエトキシジルコニウム、ジベンジル
ジプロポキシジルコニウム、ジベンジルジブトキシジル
コニウム、ジベンジルジペンチルオキシジルコニウム、
ジベンジルジフェノキシジルコニウム、ジベンジルジト
リルオキシジルコニウム、ジベンジルジベンジルオキシ
ジルコニウム、ジベンジルジアリルオキシジルコニウ
ム、ジベンジルジネオフィルオキシジルコニウム、モノ
ベンジルトリメトキシジルコニウム、モノベンジルトリ
エトキシジルコニウム、モノベンジルトリプロポキシジ
ルコニウム、モノベンジルトリブトキシジルコニウム、
モノベンジルトリペンチルオキシジルコニウム、モノベ
ンジルトリフェノキシジルコニウム、モノベンジルトリ
トリルオキシジルコニウム、モノベンジルトリベンジル
オキシジルコニウム、モノベンジルトリアリルオキシジ
ルコニウム、モノベンジルトリネオフィルオキシジルコ
ニウム、トリネオフィルモノメトキシジルコニウム、ト
リネオフィルモノエトキシジルコニウム、トリネオフィ
ルモノプロポキシジルコニウム、トリネオフィルモノブ
トキシジルコニウム、トリネオフィルモノフェノキシジ
ルコニウム、ジネオフィルジメトキシジルコニウム、ジ
ネオフィルジエトキシジルコニウム、ジネオフィルジプ
ロポキシジルコニウム、ジネオフィルジブトキシジルコ
ニウム、ジネオフィルジフェノキシジルコニウム、モノ
ネオフィルトリメトキシジルコニウム、モノネオフィル
トリエトキシジルコニウム、モノネオフィルトリプロポ
キシジルコニウム、モノネオフィルトリブトキシジルコ
ニウム、モノネオフィルトリフェノシジルコニウム、ジ
ルコニウムテトラハイドライド,ジルコニウムモノハイ
ドライドトリメトキサイド,ジルコニウムモノハイドラ
イドトリエトキサイド,ジルコニウムモノハイドライド
トリプロポキサイド,ジルコニウムモノハイドライドト
リブトキサイド,ジルコニウムジハイドライドジメトキ
サイド,ジルコニウムジハイドライドジエトキサイド,
ジルコニウムジハイドライドジプロポキサイド,ジルコ
ニウムジハイドライドジブトキサイド,ジルコニウムト
リハイドライドモノメトキサイド,ジルコニウムトリハ
イドライドモノエトキサイド,ジルコニウムトリハイド
ライドモノプロポキサイド,ジルコニウムトリハイドラ
イドモノブトキサイド,ジルコニウムモノハイドライド
トリクロライド,ジルコニウムモノハイドライドトリブ
ロマイド,ジルコニウムモノハイドライドトリアイオダ
イド,ジルコニウムモノハイドライドトリフルオライ
ド,ジルコニウムジハイドライドジクロライド,ジルコ
ニウムジハイドライドジブロマイド,ジルコニウムジハ
イドライドジアイオダイド,ジルコニウムジハイドライ
ドジフルオライド,ジルコニウムトリハイドライドモノ
クロライド,ジルコニウムトリハイドライドモノブロマ
イド,ジルコニウムトリハイドライドモノアイオダイ
ド,ジルコニウムトリハイドライドモノフルオライド,
ジルコニウムモノハイドライドトリメチル,ジルコニウ
ムモノハイドライドトリベンジル,ジルコニウムモノハ
イドライドトリフェニル,ジルコニウムジハイドライド
ジメチル,ジルコニウムジハイドライドジベンジル,ジ
ルコニウムジハイドライドジフェニル,ジルコニウムト
リハイドライドモノメチル,ジルコニウムトリハイドラ
イドモノベンジル,ジルコニウムトリハイドライドモノ
フェニル,ジルコニウムモノハイドライドジメトキサイ
ドモノクロライド,ジルコニウムモノハイドライドジエ
トキサイドモノクロライド,ジルコニウムモノハイドラ
イドジプロポキサイドモノクロライド,ジルコニウムモ
ノハイドライドジブトキサイドモノクロライド,ジルコ
ニウムジハイドライドモノメトキサイドモノクロライ
ド,ジルコニウムジハイドライドモノエトキサイドモノ
クロライド,ジルコニウムジハイドライドモノプロポキ
サイドモノクロライド,ジルコニウムジハイドライドモ
ノブトキサイドモノクロライド,ジルコニウムモノハイ
ドライドジメトキサイドモノメチル,ジルコニウムモノ
ハイドライドジエトキサイドモノベンジル,ジルコニウ
ムモノハイドライドジプロポキサイドモノフェニル,ジ
ルコニウムジハイドライドモノメトキサイドモノメチ
ル,ジルコニウムジハイドライドモノエトキサイドモノ
ベンジル,ジルコニウムジハイドライドモノプロポキサ
イドモノフェニル,ジルコニウムモノハイドライドモノ
メトキサイドモノクロライドモノベンジル,ジルコニウ
ムモノハイドライドモノメトキサイドモノクロライドモ
ノフェニル,ジルコニウムモノハイドライドモノメトキ
サイドモノクロライドモノメチル
【0010】テトラメチルチタニウム、テトラエチルチ
タニウム、テトラプロピルチタニウム、テトラn−ブチ
ルチタニウム、テトラペンチルチタニウム、テトラフェ
ニルチタニウム、テトラトリルチタニウム、テトラベン
ジルチタニウム、テトラアリルチタニウム、テトラネオ
フィルチタニウム、テトラメトキシチタニウム、テトラ
エトキシチタニウム、テトラプロポキシチタニウム、テ
トラブトキシチタニウム、テトラペンチルオキシチタニ
ウム、テトラフェノキシチタニウム、テトラトリルオキ
シチタニウム、テトラベンジルオキシチタニウム、テト
ラアリルオキシチタニウム、テトラネオフィルオキシチ
タニウム、トリメチルモノクロロチタニウム、トリエチ
ルモノクロロチタニウム、トリプロピルモノクロロチタ
ニウム、トリn−ブチルモノクロロチタニウム、トリベ
ンジルモノクロロチタニウム、ジメチルジクロロチタニ
ウム、ジエチルジクロロチタニウム、ジn−ブチルジク
ロロチタニウム、ジベンジルジクロロチタニウム、モノ
メチルトリクロロチタニウム、モノエチルトリクロロチ
タニウム、モノn−ブチルトリクロロチタニウム、モノ
ベンジルトリクロロチタニウム、テトラクロロチタニウ
ム、トリメトキシモノクロロチタニウム、ジメトキシジ
クロロチタニウム、モノメトキシトリクロロチタニウ
ム、トリエトキシモノクロロチタニウム、ジエトキシジ
クロロチタニウム、モノエトキシトリクロロチタニウ
ム、トリプロポキシモノクロロチタニウム、ジプロポキ
シジクロロチタニウム、モノプロポキシトリクロロチタ
ニウム、トリn−ブトキシモノクロロチタニウム、ジn
−ブトキシジクロロチタニウム、モノn−ブトキシトリ
クロロチタニウム、トリペンチルオキシモノクロロチタ
ニウム、ジペンチルオキシジクロロチタニウム、モノペ
ンチルオキシトリクロロチタニウム、トリフェノキシモ
ノクロロチタニウム、ジフェノキシジクロロチタニウ
ム、モノフェノキシトリクロロチタニウム、トリトリル
オキシモノクロロチタニウム、ジトリルオキシジクロロ
チタニウム、モノトリルオキシトリクロロチタニウム、
トリベンジルオキシモノクロロチタニウム、ジベンジル
オキシジクロロチタニウム、モノベンジルオキシトリク
ロロチタニウム、テトラブロモチタニウム、トリメチル
モノブロモチタニウム、トリエチルモノブロモチタニウ
ム、トリプロピルモノブロモチタニウム、トリn−ブチ
ルモノブロモチタニウム、トリベンジルモノブロモチタ
ニウム、ジメチルジブロモチタニウム、ジエチルジブロ
モチタニウム、ジn−ブチルジブロモチタニウム、ジベ
ンジルジブロモチタニウム、モノメチルトリブロモチタ
ニウム、モノエチルトリブロモチタニウム、モノn−ブ
チルトリブロモチタニウム、モノベンジルトリブロモチ
タニウム、テトラブロモチタニウム、トリメトキシモノ
ブロモチタニウム、ジメトキシジブロモチタニウム、モ
ノメトキシトリブロモチタニウム、トリエトキシモノブ
ロモチタニウム、ジエトキシジブロモチタニウム、モノ
エトキシトリブロモチタニウム、トリプロポキシモノブ
ロモチタニウム、ジプロポキシジブロモチタニウム、モ
ノプロポキシトリブロモチタニウム、トリn−ブトキシ
モノブロモチタニウム、ジn−ブトキシジブロモチタニ
ウム、モノn−ブトキシトリブロモチタニウム、トリペ
ンチルオキシモノブロモチタニウム、ジペンチルオキシ
ジブロモチタニウム、モノペンチルオキシトリブロモチ
タニウム、トリフェノキシモノブロモチタニウム、ジフ
ェノキシジブロモチタニウム、モノフェノキシトリブロ
モチタニウム、トリトリルオキシモノブロモチタニウ
ム、ジトリルオキシジブロモチタニウム、モノトリルオ
キシトリブロモチタニウム、トリベンジルオキシモノブ
ロモチタニウム、ジベンジルオキシジブロモチタニウ
ム、モノベンジルオキシトリブロモチタニウム、テトラ
ヨードチタニウム、トリメチルモノヨードチタニウム、
トリエチルモノヨードチタニウム、トリプロピルモノヨ
ードチタニウム、トリn−ブチルモノヨードチタニウ
ム、トリベンジルモノヨードチタニウム、ジメチルジヨ
ードチタニウム、ジエチルジヨードチタニウム、ジn−
ブチルジヨードチタニウム、ジベンジルジヨードチタニ
ウム、モノメチルトリヨードチタニウム、モノエチルト
リヨードチタニウム、モノn−ブチルトリヨードチタニ
ウム、モノベンジルトリヨードチタニウム、テトラヨー
ドチタニウム、トリメトキシモノヨードチタニウム、ジ
メキシジヨードチタニウム、モノメトキシトリヨードチ
タニウム、トリエトキシモノヨードチタニウム、ジエト
キシジヨードチタニウム、モノエトキシトリヨードチタ
ニウム、トリプロポキシモノヨードチタニウム、ジプロ
ポキシジヨードチタニウム、モノプロポキシトリヨード
チタニウム、トリn−ブトキシモノヨードチタニウム、
ジn−ブトキシジヨードチタニウム、モノn−ブトキシ
トリヨードチタニウム、トリペンチルオキシモノヨード
チタニウム、ジペンチルオキシジヨードチタニウム、モ
ノペンチルオキシトリヨードチタニウム、トリフェノキ
シモノヨードチタニウム、ジフェノキシジヨードチタニ
ウム、モノフェノキシトリヨードチタニウム、トリトリ
ルオキシモノヨードチタニウム、ジトリルオキシジヨー
ドチタニウム、モノトリルオキシトリヨードチタニウ
ム、トリベンジルオキシモノヨードチタニウム、ジベン
ジルオキシジヨードチタニウム、モノベンジルオキシト
リヨードチタニウム、トリベンジルモノメトキシチタニ
ウム、トリベンジルモノエトキシチタニウム、トリベン
ジルモノプロポキシチタニウム、トリベンジルモノブト
キシチタニウム、トリベンジルモノフェノキシチタニウ
ム、ジベンジルジメトキシチタニウム、ジベンジルジエ
トキシチタニウム、ジベンジルプロポキシチタニウム、
ジベンジルジブトキシチタニウム、ジベンジルジフェノ
キシチタニウム、モノベンジルトリメトキシチタニウ
ム、モノベンジルトリエトキシチタニウム、モノベンジ
ルトリプロポキシチタニウム、モノベンジルトリブトキ
シチタニウム、モノベンジルトリフェノキシチタニウ
ム、トリネオフィルモノメトキシチタニウム、トリネオ
フィルモノエトキシチタニウム、トリネオフィルモノプ
ロポキシチタニウム、トリネオフィルモノブトキシチタ
ニウム、トリネオフィルモノフェノキシチタニウム、ジ
ネオフィルジメトキシチタニウム、ジネオフィルジエト
キシチタニウム、ジネオフィルジプロポキシチタニウ
ム、ジネオフィルジブトキシチタニウム、ジネオフィル
ジフェノキシチタニウム、モノネオフィルトリメトキシ
チタニウム、モノネオフィルトリエトキシチタニウム、
モノネオフィルトリプロポキシチタニウム、モノネオフ
ィルトリブトキシチタニウム、モノネオフィルトリフェ
ノキシチタニウム、チタニウムテトラハイドライド,チ
タニウムモノハイドライドトリメトキサイド,チタニウ
ムモノハイドライドトリエトキサイド,チタニウムモノ
ハイドライドトリプロポキサイド,チタニウムモノハイ
ドライドトリブトキサイド,チタニウムジハイドライド
ジメトキサイド,チタニウムジハイドライドジエトキサ
イド,チタニウムジハイドライドジプロポキサイド,チ
タニウムジハイドライドジブトキサイド,チタニウムト
リハイドライドモノメトキサイド,チタニウムトリハイ
ドライドモノエトキサイド,チタニウムトリハイドライ
ドモノプロポキサイド,チタニウムトリハイドライドモ
ノブトキサイド,チタニウムモノハイドライドトリクロ
ライド,チタニウムモノハイドライドトリブロマイド,
チタニウムモノハイドライドトリアイオダイド,チタニ
ウムモノハイドライドトリフルオライド,チタニウムジ
ハイドライドジクロライド,チタニウムジハイドライド
ジブロマイド,チタニウムジハイドライドジアイオダイ
ド,チタニウムジハイドライドジフルオライド,チタニ
ウムトリハイドライドモノクロライド,チタニウムトリ
ハイドライドモノブロマイド,チタニウムトリハイドラ
イドモノアイオダイド,チタニウムトリハイドライドモ
ノフルオライド,チタニウムモノハイドライドトリメチ
ル,チタニウムモノハイドライドトリベンジル,チタニ
ウムモノハイドライドトリフェニル,チタニウムジハイ
ドライドジメチル,チタニウムジハイドライドジベンジ
ル,チタニウムジハイドライドジフェニル,チタニウム
トリハイドライドモノメチル,チタニウムトリハイドラ
イドモノベンジル,チタニウムトリハイドライドモノフ
ェニル,チタニウムモノハイドライドジメトキサイドモ
ノクロライド,チタニウムモノハイドライドジエトキサ
イドモノクロライド,チタニウムモノハイドライドジプ
ロポキサイドモノクロライド,チタニウムモノハイドラ
イドジブトキサイドモノクロライド,チタニウムジハイ
ドライドモノメトキサイドモノクロライド,チタニウム
ジハイドライドモノエトキサイドモノクロライド,チタ
ニウムジハイドライドモノプロポキサイドモノクロライ
ド,チタニウムジハイドライドモノブトキサイドモノク
ロライド,チタニウムモノハイドライドジメトキサイド
モノメチル,チタニウムモノハイドライドジエトキサイ
ドモノベンジル,チタニウムモノハイドライドジプロポ
キサイドモノフェニル,チタニウムジハイドライドモノ
メトキサイドモノメチル,チタニウムジハイドライドモ
ノエトキサイドモノベンジル,チタニウムジハイドライ
ドモノプロポキサイドモノフェニル,チタニウムモノハ
イドライドモノメトキサイドモノクロライドモノベンジ
ル,チタニウムモノハイドライドモノメトキサイドモノ
クロライドモノフェニル,チタニウムモノハイドライド
モノメトキサイドモノクロライドモノメチル
タニウム、テトラプロピルチタニウム、テトラn−ブチ
ルチタニウム、テトラペンチルチタニウム、テトラフェ
ニルチタニウム、テトラトリルチタニウム、テトラベン
ジルチタニウム、テトラアリルチタニウム、テトラネオ
フィルチタニウム、テトラメトキシチタニウム、テトラ
エトキシチタニウム、テトラプロポキシチタニウム、テ
トラブトキシチタニウム、テトラペンチルオキシチタニ
ウム、テトラフェノキシチタニウム、テトラトリルオキ
シチタニウム、テトラベンジルオキシチタニウム、テト
ラアリルオキシチタニウム、テトラネオフィルオキシチ
タニウム、トリメチルモノクロロチタニウム、トリエチ
ルモノクロロチタニウム、トリプロピルモノクロロチタ
ニウム、トリn−ブチルモノクロロチタニウム、トリベ
ンジルモノクロロチタニウム、ジメチルジクロロチタニ
ウム、ジエチルジクロロチタニウム、ジn−ブチルジク
ロロチタニウム、ジベンジルジクロロチタニウム、モノ
メチルトリクロロチタニウム、モノエチルトリクロロチ
タニウム、モノn−ブチルトリクロロチタニウム、モノ
ベンジルトリクロロチタニウム、テトラクロロチタニウ
ム、トリメトキシモノクロロチタニウム、ジメトキシジ
クロロチタニウム、モノメトキシトリクロロチタニウ
ム、トリエトキシモノクロロチタニウム、ジエトキシジ
クロロチタニウム、モノエトキシトリクロロチタニウ
ム、トリプロポキシモノクロロチタニウム、ジプロポキ
シジクロロチタニウム、モノプロポキシトリクロロチタ
ニウム、トリn−ブトキシモノクロロチタニウム、ジn
−ブトキシジクロロチタニウム、モノn−ブトキシトリ
クロロチタニウム、トリペンチルオキシモノクロロチタ
ニウム、ジペンチルオキシジクロロチタニウム、モノペ
ンチルオキシトリクロロチタニウム、トリフェノキシモ
ノクロロチタニウム、ジフェノキシジクロロチタニウ
ム、モノフェノキシトリクロロチタニウム、トリトリル
オキシモノクロロチタニウム、ジトリルオキシジクロロ
チタニウム、モノトリルオキシトリクロロチタニウム、
トリベンジルオキシモノクロロチタニウム、ジベンジル
オキシジクロロチタニウム、モノベンジルオキシトリク
ロロチタニウム、テトラブロモチタニウム、トリメチル
モノブロモチタニウム、トリエチルモノブロモチタニウ
ム、トリプロピルモノブロモチタニウム、トリn−ブチ
ルモノブロモチタニウム、トリベンジルモノブロモチタ
ニウム、ジメチルジブロモチタニウム、ジエチルジブロ
モチタニウム、ジn−ブチルジブロモチタニウム、ジベ
ンジルジブロモチタニウム、モノメチルトリブロモチタ
ニウム、モノエチルトリブロモチタニウム、モノn−ブ
チルトリブロモチタニウム、モノベンジルトリブロモチ
タニウム、テトラブロモチタニウム、トリメトキシモノ
ブロモチタニウム、ジメトキシジブロモチタニウム、モ
ノメトキシトリブロモチタニウム、トリエトキシモノブ
ロモチタニウム、ジエトキシジブロモチタニウム、モノ
エトキシトリブロモチタニウム、トリプロポキシモノブ
ロモチタニウム、ジプロポキシジブロモチタニウム、モ
ノプロポキシトリブロモチタニウム、トリn−ブトキシ
モノブロモチタニウム、ジn−ブトキシジブロモチタニ
ウム、モノn−ブトキシトリブロモチタニウム、トリペ
ンチルオキシモノブロモチタニウム、ジペンチルオキシ
ジブロモチタニウム、モノペンチルオキシトリブロモチ
タニウム、トリフェノキシモノブロモチタニウム、ジフ
ェノキシジブロモチタニウム、モノフェノキシトリブロ
モチタニウム、トリトリルオキシモノブロモチタニウ
ム、ジトリルオキシジブロモチタニウム、モノトリルオ
キシトリブロモチタニウム、トリベンジルオキシモノブ
ロモチタニウム、ジベンジルオキシジブロモチタニウ
ム、モノベンジルオキシトリブロモチタニウム、テトラ
ヨードチタニウム、トリメチルモノヨードチタニウム、
トリエチルモノヨードチタニウム、トリプロピルモノヨ
ードチタニウム、トリn−ブチルモノヨードチタニウ
ム、トリベンジルモノヨードチタニウム、ジメチルジヨ
ードチタニウム、ジエチルジヨードチタニウム、ジn−
ブチルジヨードチタニウム、ジベンジルジヨードチタニ
ウム、モノメチルトリヨードチタニウム、モノエチルト
リヨードチタニウム、モノn−ブチルトリヨードチタニ
ウム、モノベンジルトリヨードチタニウム、テトラヨー
ドチタニウム、トリメトキシモノヨードチタニウム、ジ
メキシジヨードチタニウム、モノメトキシトリヨードチ
タニウム、トリエトキシモノヨードチタニウム、ジエト
キシジヨードチタニウム、モノエトキシトリヨードチタ
ニウム、トリプロポキシモノヨードチタニウム、ジプロ
ポキシジヨードチタニウム、モノプロポキシトリヨード
チタニウム、トリn−ブトキシモノヨードチタニウム、
ジn−ブトキシジヨードチタニウム、モノn−ブトキシ
トリヨードチタニウム、トリペンチルオキシモノヨード
チタニウム、ジペンチルオキシジヨードチタニウム、モ
ノペンチルオキシトリヨードチタニウム、トリフェノキ
シモノヨードチタニウム、ジフェノキシジヨードチタニ
ウム、モノフェノキシトリヨードチタニウム、トリトリ
ルオキシモノヨードチタニウム、ジトリルオキシジヨー
ドチタニウム、モノトリルオキシトリヨードチタニウ
ム、トリベンジルオキシモノヨードチタニウム、ジベン
ジルオキシジヨードチタニウム、モノベンジルオキシト
リヨードチタニウム、トリベンジルモノメトキシチタニ
ウム、トリベンジルモノエトキシチタニウム、トリベン
ジルモノプロポキシチタニウム、トリベンジルモノブト
キシチタニウム、トリベンジルモノフェノキシチタニウ
ム、ジベンジルジメトキシチタニウム、ジベンジルジエ
トキシチタニウム、ジベンジルプロポキシチタニウム、
ジベンジルジブトキシチタニウム、ジベンジルジフェノ
キシチタニウム、モノベンジルトリメトキシチタニウ
ム、モノベンジルトリエトキシチタニウム、モノベンジ
ルトリプロポキシチタニウム、モノベンジルトリブトキ
シチタニウム、モノベンジルトリフェノキシチタニウ
ム、トリネオフィルモノメトキシチタニウム、トリネオ
フィルモノエトキシチタニウム、トリネオフィルモノプ
ロポキシチタニウム、トリネオフィルモノブトキシチタ
ニウム、トリネオフィルモノフェノキシチタニウム、ジ
ネオフィルジメトキシチタニウム、ジネオフィルジエト
キシチタニウム、ジネオフィルジプロポキシチタニウ
ム、ジネオフィルジブトキシチタニウム、ジネオフィル
ジフェノキシチタニウム、モノネオフィルトリメトキシ
チタニウム、モノネオフィルトリエトキシチタニウム、
モノネオフィルトリプロポキシチタニウム、モノネオフ
ィルトリブトキシチタニウム、モノネオフィルトリフェ
ノキシチタニウム、チタニウムテトラハイドライド,チ
タニウムモノハイドライドトリメトキサイド,チタニウ
ムモノハイドライドトリエトキサイド,チタニウムモノ
ハイドライドトリプロポキサイド,チタニウムモノハイ
ドライドトリブトキサイド,チタニウムジハイドライド
ジメトキサイド,チタニウムジハイドライドジエトキサ
イド,チタニウムジハイドライドジプロポキサイド,チ
タニウムジハイドライドジブトキサイド,チタニウムト
リハイドライドモノメトキサイド,チタニウムトリハイ
ドライドモノエトキサイド,チタニウムトリハイドライ
ドモノプロポキサイド,チタニウムトリハイドライドモ
ノブトキサイド,チタニウムモノハイドライドトリクロ
ライド,チタニウムモノハイドライドトリブロマイド,
チタニウムモノハイドライドトリアイオダイド,チタニ
ウムモノハイドライドトリフルオライド,チタニウムジ
ハイドライドジクロライド,チタニウムジハイドライド
ジブロマイド,チタニウムジハイドライドジアイオダイ
ド,チタニウムジハイドライドジフルオライド,チタニ
ウムトリハイドライドモノクロライド,チタニウムトリ
ハイドライドモノブロマイド,チタニウムトリハイドラ
イドモノアイオダイド,チタニウムトリハイドライドモ
ノフルオライド,チタニウムモノハイドライドトリメチ
ル,チタニウムモノハイドライドトリベンジル,チタニ
ウムモノハイドライドトリフェニル,チタニウムジハイ
ドライドジメチル,チタニウムジハイドライドジベンジ
ル,チタニウムジハイドライドジフェニル,チタニウム
トリハイドライドモノメチル,チタニウムトリハイドラ
イドモノベンジル,チタニウムトリハイドライドモノフ
ェニル,チタニウムモノハイドライドジメトキサイドモ
ノクロライド,チタニウムモノハイドライドジエトキサ
イドモノクロライド,チタニウムモノハイドライドジプ
ロポキサイドモノクロライド,チタニウムモノハイドラ
イドジブトキサイドモノクロライド,チタニウムジハイ
ドライドモノメトキサイドモノクロライド,チタニウム
ジハイドライドモノエトキサイドモノクロライド,チタ
ニウムジハイドライドモノプロポキサイドモノクロライ
ド,チタニウムジハイドライドモノブトキサイドモノク
ロライド,チタニウムモノハイドライドジメトキサイド
モノメチル,チタニウムモノハイドライドジエトキサイ
ドモノベンジル,チタニウムモノハイドライドジプロポ
キサイドモノフェニル,チタニウムジハイドライドモノ
メトキサイドモノメチル,チタニウムジハイドライドモ
ノエトキサイドモノベンジル,チタニウムジハイドライ
ドモノプロポキサイドモノフェニル,チタニウムモノハ
イドライドモノメトキサイドモノクロライドモノベンジ
ル,チタニウムモノハイドライドモノメトキサイドモノ
クロライドモノフェニル,チタニウムモノハイドライド
モノメトキサイドモノクロライドモノメチル
【0011】テトラメチルハフニウム、テトラエチルハ
フニウム、テトラプロピルハフニウム、テトラn−ブチ
ルハフニウム、テトラペンチルハフニウム、テトラフェ
ニルハフニウム、テトラトリルハフニウム、テトラベン
ジルハフニウム、テトラアリルハフニウム、テトラネオ
フィルハフニウム、テトラメトキシハフニウム、テトラ
エトキシハフニウム、テトラプロポキシハフニウム、テ
トラブトキシハフニウム、テトラペンチルオキシハフニ
ウム、テトラフェノキシハフニウム、テトラトリルオキ
シハフニウム、テトラベンジルオキシハフニウム、テト
ラアリルオキシハフニウム、テトラネオフィルオキシハ
フニウム、トリメチルモノクロロハフニウム、トリエチ
ルモノクロロハフニウム、トリプロピルモノクロロハフ
ニウム、トリn−ブチルモノクロロハフニウム、トリベ
ンジルモノクロロハフニウム、ジメチルジクロロハフニ
ウム、ジエチルジクロロハフニウム、ジn−ブチルジク
ロロハフニウム、ジベンジルジクロロハフニウム、モノ
メチルトリクロロハフニウム、モノエチルトリクロロハ
フニウム、モノn−ブチルトリクロロハフニウム、モノ
ベンジルトリクロロハフニウム、テトラクロロハフニウ
ム、トリメトキシモノクロロハフニウム、ジメトキシジ
クロロハフニウム、モノメトキシトリクロロハフニウ
ム、トリエトキシモノクロロハフニウム、ジエトキシジ
クロロハフニウム、モノエトキシトリクロロハフニウ
ム、トリプロポキシモノクロロハフニウム、ジプロポキ
シジクロロハフニウム、モノプロポキシトリクロロハフ
ニウム、トリn−ブトキシモノクロロハフニウム、ジn
−ブトキシジクロロハフニウム、モノn−ブトキシトリ
クロロハフニウム、トリペンチルオキシモノクロロハフ
ニウム、ジペンチルオキシジクロロハフニウム、モノペ
ンチルオキシトリクロロハフニウム、トリフェノキシモ
ノクロロハフニウム、ジフェノキシジクロロハフニウ
ム、モノフェノキシトリクロロハフニウム、トリトリル
オキシモノクロロハフニウム、ジトリルオキシジクロロ
ハフニウム、モノトリルオキシトリクロロハフニウム、
トリベンジルオキシモノクロロハフニウム、ジベンジル
オキシジクロロハフニウム、モノベンジルオキシトリク
ロロハフニウム、テトラブロモハフニウム、トリメチル
モノブロモハフニウム、トリエチルモノブロモハフニウ
ム、トリプロピルモノブロモハフニウム、トリn−ブチ
ルモノブロモハフニウム、トリベンジルモノブロモハフ
ニウム、ジメチルジブロモハフニウム、ジエチルジブロ
モハフニウム、ジn−ブチルジブロモハフニウム、ジベ
ンジルジブロモハフニウム、モノメチルトリブロモハフ
ニウム、モノエチルトリブロモハフニウム、モノn−ブ
チルトリブロモハフニウム、モノベンジルトリブロモハ
フニウム、テトラブロモハフニウム、トリメトキシモノ
ブロモハフニウム、ジメトキシジブロモハフニウム、モ
ノメトキシトリブロモハフニウム、トリエトキシモノブ
ロモハフニウム、ジエトキシジブロモハフニウム、モノ
エトキシトリブロモハフニウム、トリプロポキシモノブ
ロモハフニウム、ジプロポキシジブロモハフニウム、モ
ノプロポキシトリブロモハフニウム、トリn−ブトキシ
モノブロモハフニウム、ジn−ブトキシジブロモハフニ
ウム、モノn−ブトキシトリブロモハフニウム、トリペ
ンチルオキシモノブロモハフニウム、ジペンチルオキシ
ジブロモハフニウム、モノペンチルオキシトリブロモハ
フニウム、トリフェノキシモノブロモハフニウム、ジエ
ノキシジブロモハフニウム、モノフェノキシトリブロモ
ハフニウム、トリトリルオキシモノブロモハフニウム、
ジトリルオキシジブロモハフニウム、モノトリルオキシ
トリブロモハフニウム、トリベンジルオキシモノブロモ
ハフニウム、ジベンジルオキシジブロモハフニウム、モ
ノベンジルオキシトリブロモハフニウム、テトラヨード
ハフニウム、トリメチルモノヨードハフニウム、トリエ
チルモノヨードハフニウム、トリプロピルモノヨードハ
フニウム、トリn−ブチルモノヨードハフニウム、トリ
ベンジルモノヨードハフニウム、ジメチルジヨードハフ
ニウム、ジエチルジヨードハフニウム、ジn−ブチルジ
ヨードハフニウム、ジベンジルジヨードハフニウム、モ
ノメチルトリヨードハフニウム、モノエチルトリヨード
ハフニウム、モノn−ブチルトリヨードハフニウム、モ
ノベンジルトリヨードハフニウム、テトラヨードハフニ
ウム、トリメトキシモノヨードハフニウム、ジメトキシ
ジヨードハフニウム、モノメトキシトリヨードハフニウ
ム、トリエトキシモノヨードハフニウム、ジエトキシジ
ヨードハフニウム、モノエトキシトリヨードハフニウ
ム、トリプロポキシモノヨードハフニウム、ジプロポキ
シジヨードハフニウム、モノプロポキシトリヨードハフ
ニウム、トリn−ブトキシモノヨードハフニウム、ジn
−ブトキシジヨードハフニウム、モノn−ブトキシトリ
ヨードハフニウム、トリペンチルオキシモノヨードハフ
ニウム、ジペンチルオキシジヨードハフニウム、モノペ
ンチルオキシトリヨードハフニウム、トリフェノキシモ
ノヨードハフニウム、ジフェノキシジヨードハフニウ
ム、モノフェノキシトリヨードハフニウム、トリトリル
オキシモノヨードハフニウム、ジトリルオキシジヨード
ハフニウム、モノトリルオキシトリヨードハフニウム、
トリベンジルオキシモノヨードハフニウム、ジベンジル
オキシジヨードハフニウム、モノベンジルオキシトリヨ
ードハフニウム、トリベンジルモノメトキシハフニウ
ム、トリベンジルモノエトキシハフニウム、トリベンジ
ルモノプロポキシハフニウム、トリベンジルモノブトキ
シハフニウム、トリベンジルモノフェノキシハフニウ
ム、ジベンジルジメトキシハフニウム、ジベンジルジエ
トキシハフニウム、ジベンジルジプロポキシハフニウ
ム、ジベンジルジブトキシハフニウム、ジベンジルジフ
ェノキシハフニウム、モノベンジルトリメトキシハフニ
ウム、モノベンジルトリエトキシハフニウム、モノベン
ジルトリプロポキシハフニウム、モノベンジルトリブト
キシハフニウム、モノベンジルトリフェノキシハフニウ
ム、トリネオフィルモノメトキシハフニウム、トリネオ
フィルモノエトキシハフニウム、トリネオフィルモノプ
ロポキシハフニウム、トリネオフィルモノブトキシハフ
ニウム、トリネオフィルモノフェノキシハフニウム、ジ
ネオフィルジメトキシハフニウム、ジネオフィルジエト
キシハフニウム、ジネオフィルジプロポキシハフニウ
ム、ジネオフィルジブトキシハフニウム、ジネオフィル
ジフェノキシハフニウム、モノネオフィルトリメトキシ
ハフニウム、モノネオフィルトリエトキシハフニウム、
モノネオフィルトリプロポキシハフニウム、モノネオフ
ィルトリブトキシハフニウム、モノネオフィルトリフェ
ノキシハフニウム、ハフニウムテトラハイドライド,ハ
フニウムモノハイドライドトリメトキサイド,ハフニウ
ムモノハイドライドトリエトキサイド,ハフニウムモノ
ハイドライドトリプロポキサイド,ハフニウムモノハイ
ドライドトリブトキサイド,ハフニウムジハイドライド
ジメトキサイド,ハフニウムジハイドライドジエトキサ
イド,ハフニウムジハイドライドジプロポキサイド,ハ
フニウムジハイドライドジブトキサイド,ハフニウムト
リハイドライドモノメトキサイド,ハフニウムトリハイ
ドライドモノエトキサイド,ハフニウムトリハイドライ
ドモノプロポキサイド,ハフニウムトリハイドライドモ
ノブトキサイド,ハフニウムモノハイドライドトリクロ
ライド,ハフニウムモノハイドライドトリブロマイド,
ハフニウムモノハイドライドトリアイオダイド,ハフニ
ウムモノハイドライドトリフルオライド,ハフニウムジ
ハイドライドジクロライド,ハフニウムジハイドライド
ジブロマイド,ハフニウムジハイドライドジアイオダイ
ド,ハフニウムジハイドライドジフルオライド,ハフニ
ウムトリハイドライドモノクロライド,ハフニウムトリ
ハイドライドモノブロマイド,ハフニウムトリハイドラ
イドモノアイオダイド,ハフニウムトリハイドライドモ
ノフルオライド,ハフニウムモノハイドライドトリメチ
ル,ハフニウムモノハイドライドトリベンジル,ハフニ
ウムモノハイドライドトリフェニル,ハフニウムジハイ
ドライドジメチル,ハフニウムジハイドライドジベンジ
ル,ハフニウムジハイドライドジフェニル,ハフニウム
トリハイドライドモノメチル,ハフニウムトリハイドラ
イドモノベンジル,ハフニウムトリハイドライドモノフ
ェニル,ハフニウムモノハイドライドジメトキサイドモ
ノクロライド,ハフニウムモノハイドライドジエトキサ
イドモノクロライド,ハフニウムモノハイドライドジプ
ロポキサイドモノクロライド,ハフニウムモノハイドラ
イドジブトキサイドモノクロライド,ハフニウムジハイ
ドライドモノメトキサイドモノクロライド,ハフニウム
ジハイドライドモノエトキサイドモノクロライド,ハフ
ニウムジハイドライドモノプロポキサイドモノクロライ
ド,ハフニウムジハイドライドモノブトキサイドモノク
ロライド,ハフニウムモノハイドライドジメトキサイド
モノメチル,ハフニウムモノハイドライドジエトキサイ
ドモノベンジル,ハフニウムモノハイドライドジプロポ
キサイドモノフェニル,ハフニウムジハイドライドモノ
メトキサイドモノメチル,ハフニウムジハイドライドモ
ノエトキサイドモノベンジル,ハフニウムジハイドライ
ドモノプロポキサイドモノフェニル,ハフニウムモノハ
イドライドモノメトキサイドモノクロライドモノベンジ
ル,ハフニウムモノハイドライドモノメトキサイドモノ
クロライドモノフェニル,ハフニウムモノハイドライド
モノメトキサイドモノクロライドモノメチル 上記した各化合物は2種以上を混合して使用することも
できる。上記の化合物のなかにあって、成分(a)とし
て好ましい化合物は、テトラメチルジルコニウム、テト
ラエチルジルコニウム、テトラベンジルジルコニウム、
テトラプロポキシジルコニウム、トリプロポキシモノク
ロロジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、テト
ラブトキシチタン、テトラブトキシハウニウム、テトラ
クロロジルコニウムなどであって、特に好ましいのはテ
トラプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニ
ウムなどのZr(OR2 )4 化合物(OR2 =アルコキ
シ)である。
フニウム、テトラプロピルハフニウム、テトラn−ブチ
ルハフニウム、テトラペンチルハフニウム、テトラフェ
ニルハフニウム、テトラトリルハフニウム、テトラベン
ジルハフニウム、テトラアリルハフニウム、テトラネオ
フィルハフニウム、テトラメトキシハフニウム、テトラ
エトキシハフニウム、テトラプロポキシハフニウム、テ
トラブトキシハフニウム、テトラペンチルオキシハフニ
ウム、テトラフェノキシハフニウム、テトラトリルオキ
シハフニウム、テトラベンジルオキシハフニウム、テト
ラアリルオキシハフニウム、テトラネオフィルオキシハ
フニウム、トリメチルモノクロロハフニウム、トリエチ
ルモノクロロハフニウム、トリプロピルモノクロロハフ
ニウム、トリn−ブチルモノクロロハフニウム、トリベ
ンジルモノクロロハフニウム、ジメチルジクロロハフニ
ウム、ジエチルジクロロハフニウム、ジn−ブチルジク
ロロハフニウム、ジベンジルジクロロハフニウム、モノ
メチルトリクロロハフニウム、モノエチルトリクロロハ
フニウム、モノn−ブチルトリクロロハフニウム、モノ
ベンジルトリクロロハフニウム、テトラクロロハフニウ
ム、トリメトキシモノクロロハフニウム、ジメトキシジ
クロロハフニウム、モノメトキシトリクロロハフニウ
ム、トリエトキシモノクロロハフニウム、ジエトキシジ
クロロハフニウム、モノエトキシトリクロロハフニウ
ム、トリプロポキシモノクロロハフニウム、ジプロポキ
シジクロロハフニウム、モノプロポキシトリクロロハフ
ニウム、トリn−ブトキシモノクロロハフニウム、ジn
−ブトキシジクロロハフニウム、モノn−ブトキシトリ
クロロハフニウム、トリペンチルオキシモノクロロハフ
ニウム、ジペンチルオキシジクロロハフニウム、モノペ
ンチルオキシトリクロロハフニウム、トリフェノキシモ
ノクロロハフニウム、ジフェノキシジクロロハフニウ
ム、モノフェノキシトリクロロハフニウム、トリトリル
オキシモノクロロハフニウム、ジトリルオキシジクロロ
ハフニウム、モノトリルオキシトリクロロハフニウム、
トリベンジルオキシモノクロロハフニウム、ジベンジル
オキシジクロロハフニウム、モノベンジルオキシトリク
ロロハフニウム、テトラブロモハフニウム、トリメチル
モノブロモハフニウム、トリエチルモノブロモハフニウ
ム、トリプロピルモノブロモハフニウム、トリn−ブチ
ルモノブロモハフニウム、トリベンジルモノブロモハフ
ニウム、ジメチルジブロモハフニウム、ジエチルジブロ
モハフニウム、ジn−ブチルジブロモハフニウム、ジベ
ンジルジブロモハフニウム、モノメチルトリブロモハフ
ニウム、モノエチルトリブロモハフニウム、モノn−ブ
チルトリブロモハフニウム、モノベンジルトリブロモハ
フニウム、テトラブロモハフニウム、トリメトキシモノ
ブロモハフニウム、ジメトキシジブロモハフニウム、モ
ノメトキシトリブロモハフニウム、トリエトキシモノブ
ロモハフニウム、ジエトキシジブロモハフニウム、モノ
エトキシトリブロモハフニウム、トリプロポキシモノブ
ロモハフニウム、ジプロポキシジブロモハフニウム、モ
ノプロポキシトリブロモハフニウム、トリn−ブトキシ
モノブロモハフニウム、ジn−ブトキシジブロモハフニ
ウム、モノn−ブトキシトリブロモハフニウム、トリペ
ンチルオキシモノブロモハフニウム、ジペンチルオキシ
ジブロモハフニウム、モノペンチルオキシトリブロモハ
フニウム、トリフェノキシモノブロモハフニウム、ジエ
ノキシジブロモハフニウム、モノフェノキシトリブロモ
ハフニウム、トリトリルオキシモノブロモハフニウム、
ジトリルオキシジブロモハフニウム、モノトリルオキシ
トリブロモハフニウム、トリベンジルオキシモノブロモ
ハフニウム、ジベンジルオキシジブロモハフニウム、モ
ノベンジルオキシトリブロモハフニウム、テトラヨード
ハフニウム、トリメチルモノヨードハフニウム、トリエ
チルモノヨードハフニウム、トリプロピルモノヨードハ
フニウム、トリn−ブチルモノヨードハフニウム、トリ
ベンジルモノヨードハフニウム、ジメチルジヨードハフ
ニウム、ジエチルジヨードハフニウム、ジn−ブチルジ
ヨードハフニウム、ジベンジルジヨードハフニウム、モ
ノメチルトリヨードハフニウム、モノエチルトリヨード
ハフニウム、モノn−ブチルトリヨードハフニウム、モ
ノベンジルトリヨードハフニウム、テトラヨードハフニ
ウム、トリメトキシモノヨードハフニウム、ジメトキシ
ジヨードハフニウム、モノメトキシトリヨードハフニウ
ム、トリエトキシモノヨードハフニウム、ジエトキシジ
ヨードハフニウム、モノエトキシトリヨードハフニウ
ム、トリプロポキシモノヨードハフニウム、ジプロポキ
シジヨードハフニウム、モノプロポキシトリヨードハフ
ニウム、トリn−ブトキシモノヨードハフニウム、ジn
−ブトキシジヨードハフニウム、モノn−ブトキシトリ
ヨードハフニウム、トリペンチルオキシモノヨードハフ
ニウム、ジペンチルオキシジヨードハフニウム、モノペ
ンチルオキシトリヨードハフニウム、トリフェノキシモ
ノヨードハフニウム、ジフェノキシジヨードハフニウ
ム、モノフェノキシトリヨードハフニウム、トリトリル
オキシモノヨードハフニウム、ジトリルオキシジヨード
ハフニウム、モノトリルオキシトリヨードハフニウム、
トリベンジルオキシモノヨードハフニウム、ジベンジル
オキシジヨードハフニウム、モノベンジルオキシトリヨ
ードハフニウム、トリベンジルモノメトキシハフニウ
ム、トリベンジルモノエトキシハフニウム、トリベンジ
ルモノプロポキシハフニウム、トリベンジルモノブトキ
シハフニウム、トリベンジルモノフェノキシハフニウ
ム、ジベンジルジメトキシハフニウム、ジベンジルジエ
トキシハフニウム、ジベンジルジプロポキシハフニウ
ム、ジベンジルジブトキシハフニウム、ジベンジルジフ
ェノキシハフニウム、モノベンジルトリメトキシハフニ
ウム、モノベンジルトリエトキシハフニウム、モノベン
ジルトリプロポキシハフニウム、モノベンジルトリブト
キシハフニウム、モノベンジルトリフェノキシハフニウ
ム、トリネオフィルモノメトキシハフニウム、トリネオ
フィルモノエトキシハフニウム、トリネオフィルモノプ
ロポキシハフニウム、トリネオフィルモノブトキシハフ
ニウム、トリネオフィルモノフェノキシハフニウム、ジ
ネオフィルジメトキシハフニウム、ジネオフィルジエト
キシハフニウム、ジネオフィルジプロポキシハフニウ
ム、ジネオフィルジブトキシハフニウム、ジネオフィル
ジフェノキシハフニウム、モノネオフィルトリメトキシ
ハフニウム、モノネオフィルトリエトキシハフニウム、
モノネオフィルトリプロポキシハフニウム、モノネオフ
ィルトリブトキシハフニウム、モノネオフィルトリフェ
ノキシハフニウム、ハフニウムテトラハイドライド,ハ
フニウムモノハイドライドトリメトキサイド,ハフニウ
ムモノハイドライドトリエトキサイド,ハフニウムモノ
ハイドライドトリプロポキサイド,ハフニウムモノハイ
ドライドトリブトキサイド,ハフニウムジハイドライド
ジメトキサイド,ハフニウムジハイドライドジエトキサ
イド,ハフニウムジハイドライドジプロポキサイド,ハ
フニウムジハイドライドジブトキサイド,ハフニウムト
リハイドライドモノメトキサイド,ハフニウムトリハイ
ドライドモノエトキサイド,ハフニウムトリハイドライ
ドモノプロポキサイド,ハフニウムトリハイドライドモ
ノブトキサイド,ハフニウムモノハイドライドトリクロ
ライド,ハフニウムモノハイドライドトリブロマイド,
ハフニウムモノハイドライドトリアイオダイド,ハフニ
ウムモノハイドライドトリフルオライド,ハフニウムジ
ハイドライドジクロライド,ハフニウムジハイドライド
ジブロマイド,ハフニウムジハイドライドジアイオダイ
ド,ハフニウムジハイドライドジフルオライド,ハフニ
ウムトリハイドライドモノクロライド,ハフニウムトリ
ハイドライドモノブロマイド,ハフニウムトリハイドラ
イドモノアイオダイド,ハフニウムトリハイドライドモ
ノフルオライド,ハフニウムモノハイドライドトリメチ
ル,ハフニウムモノハイドライドトリベンジル,ハフニ
ウムモノハイドライドトリフェニル,ハフニウムジハイ
ドライドジメチル,ハフニウムジハイドライドジベンジ
ル,ハフニウムジハイドライドジフェニル,ハフニウム
トリハイドライドモノメチル,ハフニウムトリハイドラ
イドモノベンジル,ハフニウムトリハイドライドモノフ
ェニル,ハフニウムモノハイドライドジメトキサイドモ
ノクロライド,ハフニウムモノハイドライドジエトキサ
イドモノクロライド,ハフニウムモノハイドライドジプ
ロポキサイドモノクロライド,ハフニウムモノハイドラ
イドジブトキサイドモノクロライド,ハフニウムジハイ
ドライドモノメトキサイドモノクロライド,ハフニウム
ジハイドライドモノエトキサイドモノクロライド,ハフ
ニウムジハイドライドモノプロポキサイドモノクロライ
ド,ハフニウムジハイドライドモノブトキサイドモノク
ロライド,ハフニウムモノハイドライドジメトキサイド
モノメチル,ハフニウムモノハイドライドジエトキサイ
ドモノベンジル,ハフニウムモノハイドライドジプロポ
キサイドモノフェニル,ハフニウムジハイドライドモノ
メトキサイドモノメチル,ハフニウムジハイドライドモ
ノエトキサイドモノベンジル,ハフニウムジハイドライ
ドモノプロポキサイドモノフェニル,ハフニウムモノハ
イドライドモノメトキサイドモノクロライドモノベンジ
ル,ハフニウムモノハイドライドモノメトキサイドモノ
クロライドモノフェニル,ハフニウムモノハイドライド
モノメトキサイドモノクロライドモノメチル 上記した各化合物は2種以上を混合して使用することも
できる。上記の化合物のなかにあって、成分(a)とし
て好ましい化合物は、テトラメチルジルコニウム、テト
ラエチルジルコニウム、テトラベンジルジルコニウム、
テトラプロポキシジルコニウム、トリプロポキシモノク
ロロジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、テト
ラブトキシチタン、テトラブトキシハウニウム、テトラ
クロロジルコニウムなどであって、特に好ましいのはテ
トラプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニ
ウムなどのZr(OR2 )4 化合物(OR2 =アルコキ
シ)である。
【0012】成分(2) 一般式Me2 R3 m (OR
4 )n X2 z-m-n で表される化合物 上記の一般式において、Me2 は周期律表第I〜III
族元素、好ましくはII〜III族元素のいずれかを示
し、具体的にはリチウム、ナトリウム、カリウム、マグ
ネシウム、カルシウム、亜鉛、アルミニウムから選ばれ
る。R3およびR4は個別に炭素数1〜24、好ましくは1
〜12、さらに好ましくは1〜8の直鎖または分岐鎖炭化
水素基を示す。このような炭化水素基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプ
ロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、イソヘ
キシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基
などのアルキル基、ビニル基、アリル基などのアルケニ
ル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル
基、インデニル基、ナフチル基などのアリール基、ベン
ジル基、トリチル基、フェネチル基、スチリル基、ベン
ズヒドリル基、フェニルブチル基、フェニルプロピル
基、ネオフィル基などのアラルキル基などが挙げられ
る。 X2 はフッ素、ヨウ素、塩素又は臭素のハロゲン
原子または水素原子を示す。但し、X2 が水素原子の場
合、Me2はホウ素、アルミニウムなどで例示される周
期律表第III族元素である。z はMe2 の価数を示
し、m 及びn は0≦m ≦z 、0≦n ≦z 、0<m +n ≦
z の関係にある。
4 )n X2 z-m-n で表される化合物 上記の一般式において、Me2 は周期律表第I〜III
族元素、好ましくはII〜III族元素のいずれかを示
し、具体的にはリチウム、ナトリウム、カリウム、マグ
ネシウム、カルシウム、亜鉛、アルミニウムから選ばれ
る。R3およびR4は個別に炭素数1〜24、好ましくは1
〜12、さらに好ましくは1〜8の直鎖または分岐鎖炭化
水素基を示す。このような炭化水素基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプ
ロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル
基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、イソヘ
キシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基
などのアルキル基、ビニル基、アリル基などのアルケニ
ル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル
基、インデニル基、ナフチル基などのアリール基、ベン
ジル基、トリチル基、フェネチル基、スチリル基、ベン
ズヒドリル基、フェニルブチル基、フェニルプロピル
基、ネオフィル基などのアラルキル基などが挙げられ
る。 X2 はフッ素、ヨウ素、塩素又は臭素のハロゲン
原子または水素原子を示す。但し、X2 が水素原子の場
合、Me2はホウ素、アルミニウムなどで例示される周
期律表第III族元素である。z はMe2 の価数を示
し、m 及びn は0≦m ≦z 、0≦n ≦z 、0<m +n ≦
z の関係にある。
【0013】本発明の成分(2)として使用可能な化合
物の具体例を摘記すれば、次の通りである。メチルリチ
ウム、エチルリチウム、n-プロピルリチウム、イソプロ
ピルリチウム、n-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、
ペンチルリチウム、オクチルリチウム、フェニルリチウ
ム、ベンジルリチウム、ジメチルマグネシウム、ジエチ
ルマグネシウム、ジn-プロピルマグネシウム、ジイソプ
ロピルマグネシウム、ジn-ブチルマグネシウム、ジt-ブ
チルマグネシウム、ジペンチルマグネシウム、ジオクチ
ルマグネシウム、ジフェニルマグネシウム、ジベンジル
マグネシウム、メチルマグネシウムクロライド、エチル
マグネシウムクロライド、n-プロピルマグネシウムクロ
ライド、イソプロピルマグネシウムクロライド、n-ブチ
ルマグネシウムクロライド、t-ブチルマグネシウムクロ
ライド、ペンチルマグネシウムクロライド、オクチルマ
グネシウムクロライド、フェニルマグネシウムクロライ
ド、ベンジルマグネシウムクロライド、メチルマグネシ
ウムブロマイド、メチルマグネシウムアイオダイド、エ
チルマグネシウムブロマイド、エチルマグネシウムアイ
オダイド、n-プロピルマグネシウムブロマイド、n-プロ
ピルマグネシウムアイオダイド、イソプロピルマグネシ
ウムブロマイド、イソプロピルマグネシウムアイオダイ
ド、n-ブチルマグネシウムブロマイド、n-ブチルマグネ
シウムアイオダイド、t-ブチルマグネシウムブロマイ
ド、t-ブチルマグネシウムアイオダイド、ペンチルマグ
ネシウムブロマイド、ペンチルマグネシウムアイオダイ
ド、オクチルマグネシウムブロマイド、
物の具体例を摘記すれば、次の通りである。メチルリチ
ウム、エチルリチウム、n-プロピルリチウム、イソプロ
ピルリチウム、n-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、
ペンチルリチウム、オクチルリチウム、フェニルリチウ
ム、ベンジルリチウム、ジメチルマグネシウム、ジエチ
ルマグネシウム、ジn-プロピルマグネシウム、ジイソプ
ロピルマグネシウム、ジn-ブチルマグネシウム、ジt-ブ
チルマグネシウム、ジペンチルマグネシウム、ジオクチ
ルマグネシウム、ジフェニルマグネシウム、ジベンジル
マグネシウム、メチルマグネシウムクロライド、エチル
マグネシウムクロライド、n-プロピルマグネシウムクロ
ライド、イソプロピルマグネシウムクロライド、n-ブチ
ルマグネシウムクロライド、t-ブチルマグネシウムクロ
ライド、ペンチルマグネシウムクロライド、オクチルマ
グネシウムクロライド、フェニルマグネシウムクロライ
ド、ベンジルマグネシウムクロライド、メチルマグネシ
ウムブロマイド、メチルマグネシウムアイオダイド、エ
チルマグネシウムブロマイド、エチルマグネシウムアイ
オダイド、n-プロピルマグネシウムブロマイド、n-プロ
ピルマグネシウムアイオダイド、イソプロピルマグネシ
ウムブロマイド、イソプロピルマグネシウムアイオダイ
ド、n-ブチルマグネシウムブロマイド、n-ブチルマグネ
シウムアイオダイド、t-ブチルマグネシウムブロマイ
ド、t-ブチルマグネシウムアイオダイド、ペンチルマグ
ネシウムブロマイド、ペンチルマグネシウムアイオダイ
ド、オクチルマグネシウムブロマイド、
【0014】オクチルマグネシウムアイオダイド、フェ
ニルマグネシウムブロマイド、フェニルマグネシウムア
イオダイド、ベンジルマグネシウムブロマイド、ベンジ
ルマグネシウムアイオダイド、ジメチル亜鉛、ジエチル
亜鉛、ジn-プロピル亜鉛、ジイソプロピル亜鉛、ジn-ブ
チル亜鉛、ジt-ブチル亜鉛、ジペンチル亜鉛、ジオクチ
ル亜鉛、ジフェニル亜鉛、ジベンジル亜鉛、トリメチル
アルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジエチルアル
ミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムクロライ
ド、ジエチルアルミニウムブロマイド、ジエチルアルミ
ニウムフルオライド、ジエチルアルミニウムアイオダイ
ド、エチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニ
ウムジブロマイド、エチルアルミニウムジフルオライ
ド、エチルアルミニウムジアイオダイド、トリプロピロ
アルミニウム、ジプロピルアルミニウムハイドライド、
ジプロピルアルミニウムクロライド、ジプロピルアルミ
ニウムブロマイド、ジプロピルアルミニウムフルオライ
ド、ジプロピルアルミニウムアイオダイド、ジイソブチ
ルアルミニウムハイドライド、
ニルマグネシウムブロマイド、フェニルマグネシウムア
イオダイド、ベンジルマグネシウムブロマイド、ベンジ
ルマグネシウムアイオダイド、ジメチル亜鉛、ジエチル
亜鉛、ジn-プロピル亜鉛、ジイソプロピル亜鉛、ジn-ブ
チル亜鉛、ジt-ブチル亜鉛、ジペンチル亜鉛、ジオクチ
ル亜鉛、ジフェニル亜鉛、ジベンジル亜鉛、トリメチル
アルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジエチルアル
ミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムクロライ
ド、ジエチルアルミニウムブロマイド、ジエチルアルミ
ニウムフルオライド、ジエチルアルミニウムアイオダイ
ド、エチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニ
ウムジブロマイド、エチルアルミニウムジフルオライ
ド、エチルアルミニウムジアイオダイド、トリプロピロ
アルミニウム、ジプロピルアルミニウムハイドライド、
ジプロピルアルミニウムクロライド、ジプロピルアルミ
ニウムブロマイド、ジプロピルアルミニウムフルオライ
ド、ジプロピルアルミニウムアイオダイド、ジイソブチ
ルアルミニウムハイドライド、
【0015】プロピルアルミニウムジクロライド、プロ
ピルアルミニウムジブロマイド、プロピルアルミニウム
ジフルオライド、プロピルアルミニウムジアイオダイ
ド、トリイソプロピルアルミニウム、ジイソプロピルア
ルミニウムクロライド、ジイソプロピルアルミニウムブ
ロマイド、ジイソプロピルアルミニウムフルオライド、
ジイソプロピルアルミニウアイオダイド、エチルアルミ
ニウムセスキクロライド、エチルアルミニウムセスキブ
ロマイド、プロピルアルミニウムセスキクロライド、プ
ロピルアルミニウムセスキブロマイド、n-ブチルアルミ
ニウムセスキクロライド、n-ブチルアルミニウムセスキ
ブロマイド、イソプロピルアルミニウムジクロライド、
イソプロピルアルミニウムジブロマイド、イソプロピル
アルミニウムジフルオライド、イソプロピルアルミニウ
ムジアイオダイド、トリブチルアルミニウム、ジブチル
アルミニウムクロライド、ジブチルアルミニウムブロマ
イド、ジブチルアルミニウムフルオライド、ジブチルア
ルミニウムアイオダイド、ブチルアルミニウムジクロラ
イド、ブチルアルミニウムジブロマイド、ブチルアルミ
ニウムジフルオライド、ブチルアルミニウムジアイオダ
イド、トリsec-ブチルアルミニウム、ジsec-ブチルアル
ミニウムクロライド、ジsec-ブチルアルミニウムブロマ
イド、ジsec-ブチルアルミニウムフルオライド、ジsec-
ブチルアルミニウムアイオダイド、sec-ブチルアルミニ
ウムジクロライド、sec-ブチルアルミニウムジブロマイ
ド、sec-ブチルアルミニウムジフルオライド、sec-ブチ
ルアルミニウムジアイオダイド、トリtert- ブチルアル
ミニウム、ジtert- ブチルアルミニウムクロライド、ジ
tert- ブチルアルミニウムブロマイド、ジtert- ブチル
アルミニウムフルオライド、ジtert- ブチルアルミニウ
ムアイオダイド、
ピルアルミニウムジブロマイド、プロピルアルミニウム
ジフルオライド、プロピルアルミニウムジアイオダイ
ド、トリイソプロピルアルミニウム、ジイソプロピルア
ルミニウムクロライド、ジイソプロピルアルミニウムブ
ロマイド、ジイソプロピルアルミニウムフルオライド、
ジイソプロピルアルミニウアイオダイド、エチルアルミ
ニウムセスキクロライド、エチルアルミニウムセスキブ
ロマイド、プロピルアルミニウムセスキクロライド、プ
ロピルアルミニウムセスキブロマイド、n-ブチルアルミ
ニウムセスキクロライド、n-ブチルアルミニウムセスキ
ブロマイド、イソプロピルアルミニウムジクロライド、
イソプロピルアルミニウムジブロマイド、イソプロピル
アルミニウムジフルオライド、イソプロピルアルミニウ
ムジアイオダイド、トリブチルアルミニウム、ジブチル
アルミニウムクロライド、ジブチルアルミニウムブロマ
イド、ジブチルアルミニウムフルオライド、ジブチルア
ルミニウムアイオダイド、ブチルアルミニウムジクロラ
イド、ブチルアルミニウムジブロマイド、ブチルアルミ
ニウムジフルオライド、ブチルアルミニウムジアイオダ
イド、トリsec-ブチルアルミニウム、ジsec-ブチルアル
ミニウムクロライド、ジsec-ブチルアルミニウムブロマ
イド、ジsec-ブチルアルミニウムフルオライド、ジsec-
ブチルアルミニウムアイオダイド、sec-ブチルアルミニ
ウムジクロライド、sec-ブチルアルミニウムジブロマイ
ド、sec-ブチルアルミニウムジフルオライド、sec-ブチ
ルアルミニウムジアイオダイド、トリtert- ブチルアル
ミニウム、ジtert- ブチルアルミニウムクロライド、ジ
tert- ブチルアルミニウムブロマイド、ジtert- ブチル
アルミニウムフルオライド、ジtert- ブチルアルミニウ
ムアイオダイド、
【0016】tert- ブチルアルミニウムジクロライド、
tert- ブチルアルミニウムジブロマイド、tert- ブチル
アルミニウムジフルオライド、tert- ブチルアルミニウ
ムジアイオダイド、トリイソブチルアルミニウム、ジイ
ソブチルアルミニウムクロライド、ジイソブチルアルミ
ニウムブロマイド、ジイソブチルアルミニウムフルオラ
イド、ジイソブチルアルミニウムアイオダイド、イソブ
チルアルミニウムジクロライド、イソブチルアルミニウ
ムジブロマイド、イソブチルアルミニウムジフルオライ
ド、イソブチルアルミニウムジアイオダイド、トリヘキ
シルアルミニウム、ジヘキシルアルミニウムクロライ
ド、ジヘキシルアルミニウムブロマイド、ジヘキシルア
ルミニウムフルオライド、ジヘキシルアルミニウムアイ
オダイド、ヘキシルアルミニウムジクロライド、ヘキシ
ルアルミニウムジブロマイド、ヘキシルアルミニウムジ
フルオライド、ヘキシルアルミニウムジアイオダイド、
トリペンチルアルミニウム、ジペンチルアルミニウムク
ロライド、ジペンチルアルミニウムブロマイド、ジペン
チルアルミニウムフルオライド、ジペンチルアルミニウ
ムアイオダイド、ペンチルアルミニウムジクロライド、
ペンチルアルミニウムジブロマイド、ペンチルアルミニ
ウムジフルオライド、ペンチルアルミニウムジアイオダ
イド、トリデシルアルミニウム、メチルアルミニウムジ
メトキシド、メチルアルミニウムジエトキシド、メチル
アルミニウムジプロポキシド、メチルアルミニウムジブ
トキシド、ジメチルアルミニウムメトキシド、ジメチル
アルミニウムエトキシド、ジメチルアルミニウムプロポ
キシド、ジメチルアルミニウムブトキシド、エチルアル
ミニウムジメトキシド、
tert- ブチルアルミニウムジブロマイド、tert- ブチル
アルミニウムジフルオライド、tert- ブチルアルミニウ
ムジアイオダイド、トリイソブチルアルミニウム、ジイ
ソブチルアルミニウムクロライド、ジイソブチルアルミ
ニウムブロマイド、ジイソブチルアルミニウムフルオラ
イド、ジイソブチルアルミニウムアイオダイド、イソブ
チルアルミニウムジクロライド、イソブチルアルミニウ
ムジブロマイド、イソブチルアルミニウムジフルオライ
ド、イソブチルアルミニウムジアイオダイド、トリヘキ
シルアルミニウム、ジヘキシルアルミニウムクロライ
ド、ジヘキシルアルミニウムブロマイド、ジヘキシルア
ルミニウムフルオライド、ジヘキシルアルミニウムアイ
オダイド、ヘキシルアルミニウムジクロライド、ヘキシ
ルアルミニウムジブロマイド、ヘキシルアルミニウムジ
フルオライド、ヘキシルアルミニウムジアイオダイド、
トリペンチルアルミニウム、ジペンチルアルミニウムク
ロライド、ジペンチルアルミニウムブロマイド、ジペン
チルアルミニウムフルオライド、ジペンチルアルミニウ
ムアイオダイド、ペンチルアルミニウムジクロライド、
ペンチルアルミニウムジブロマイド、ペンチルアルミニ
ウムジフルオライド、ペンチルアルミニウムジアイオダ
イド、トリデシルアルミニウム、メチルアルミニウムジ
メトキシド、メチルアルミニウムジエトキシド、メチル
アルミニウムジプロポキシド、メチルアルミニウムジブ
トキシド、ジメチルアルミニウムメトキシド、ジメチル
アルミニウムエトキシド、ジメチルアルミニウムプロポ
キシド、ジメチルアルミニウムブトキシド、エチルアル
ミニウムジメトキシド、
【0017】エチルアルミニウムジエトキシド、エチル
アルミニウムジプロポキシド、エチルアルミニウムジブ
トキシド、ジエチルアルミニウムメトキシド、ジエチル
アルミニウムエトキシド、ジエチルアルミニウムプロポ
キシド、ジエチルアルミニウムブトキシド、プロピルア
ルミニウムジメトキシド、プロピルアルミニウムジエト
キシド、プロピルアルミニウムジプロポキシド、プロピ
ルアルミニウムジブトキシド、ジプロピルアルミニウム
メトキシド、ジプロピルアルミニウムエトキシド、ジプ
ロピルアルミニウムプロポキシド、ジプロピルアルミニ
ウムブトキシド、ブチルアルミニウムメトキシド、ブチ
ルアルミニウムエトキシド、ブチルアルミニウムプロポ
キシド、ブチルアルミニウムブトキシド、ジブチルアル
ミニウムメトキシド、ジブチルアルミニウムエトキシ
ド、ジブチルアルミニウムプロポキシド、ジブチルアル
ミニウムブトキシド、ジメチルアルミニウムハイドライ
ド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプロピルア
ルミニウムハイドライド、ジイソプロピルアルミニウム
ハイドライド、ジブチルアルミニウムハイドライド、ジ
イソブチルアルミニウムハイドライド、ジヘキシルアル
ミニウムハイドライド、ジシクロヘキシルアルミニウム
ハイドライド、メチルアルミニウムジハイドライド、エ
チルアルミニウムジハイドライド、プロピルアルミニウ
ムジハイドライド、イソプロピルアルミニウムジハイド
ライド、ブチルアルミニウムジハイドライド、イソブチ
ルアルミニウムジハイドライド、ヘキシルアルミニウム
ジハイドライド、シクロヘキシルアルミニウムジハイド
ライド、
アルミニウムジプロポキシド、エチルアルミニウムジブ
トキシド、ジエチルアルミニウムメトキシド、ジエチル
アルミニウムエトキシド、ジエチルアルミニウムプロポ
キシド、ジエチルアルミニウムブトキシド、プロピルア
ルミニウムジメトキシド、プロピルアルミニウムジエト
キシド、プロピルアルミニウムジプロポキシド、プロピ
ルアルミニウムジブトキシド、ジプロピルアルミニウム
メトキシド、ジプロピルアルミニウムエトキシド、ジプ
ロピルアルミニウムプロポキシド、ジプロピルアルミニ
ウムブトキシド、ブチルアルミニウムメトキシド、ブチ
ルアルミニウムエトキシド、ブチルアルミニウムプロポ
キシド、ブチルアルミニウムブトキシド、ジブチルアル
ミニウムメトキシド、ジブチルアルミニウムエトキシ
ド、ジブチルアルミニウムプロポキシド、ジブチルアル
ミニウムブトキシド、ジメチルアルミニウムハイドライ
ド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプロピルア
ルミニウムハイドライド、ジイソプロピルアルミニウム
ハイドライド、ジブチルアルミニウムハイドライド、ジ
イソブチルアルミニウムハイドライド、ジヘキシルアル
ミニウムハイドライド、ジシクロヘキシルアルミニウム
ハイドライド、メチルアルミニウムジハイドライド、エ
チルアルミニウムジハイドライド、プロピルアルミニウ
ムジハイドライド、イソプロピルアルミニウムジハイド
ライド、ブチルアルミニウムジハイドライド、イソブチ
ルアルミニウムジハイドライド、ヘキシルアルミニウム
ジハイドライド、シクロヘキシルアルミニウムジハイド
ライド、
【0018】上記した各化合物は2種以上を混合して使
用することができる。上記の化合物のなかにあって、成
分(2)として好ましい化合物は、トリメチルアルミニ
ウム、トリエチルアルミニウム、ジエチルアルミニウム
クロライド、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロ
ピルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、トリ-sec
- ブチルアルミニウム、トリ-tert-ブチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミ
ニウム、トリペンチルアルミニウム、ジイソブチルアル
ミニウムハイドライド、トリデシルアルミニウムなどで
ある。
用することができる。上記の化合物のなかにあって、成
分(2)として好ましい化合物は、トリメチルアルミニ
ウム、トリエチルアルミニウム、ジエチルアルミニウム
クロライド、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロ
ピルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、トリ-sec
- ブチルアルミニウム、トリ-tert-ブチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミ
ニウム、トリペンチルアルミニウム、ジイソブチルアル
ミニウムハイドライド、トリデシルアルミニウムなどで
ある。
【0019】成分(3):環状で共役二重結合を2個以
上持つ化合物 成分(3)として使用可能な化合物を例示すると、 共役二重結合を2個以上、好ましくは2〜4個、さら
に好ましくは2〜3個有する炭素環を1個または2個以
上有し、全炭素数が4〜24、好ましくは4〜12であ
る環状炭化水素化合物、 上記の環状炭化水素化合物が1〜6個の炭化水素基
(典型的には、炭素数1〜12のアルキル基またはアラ
ルキル基)で部分的に置換された環状炭化水素化合物、 共役二重結合を2個以上、好ましくは2〜4個、さら
に好ましくは2〜3個有する炭素環を1個または2個以
上有し、全炭素数が4〜24、好ましくは4〜12であ
る環状炭化水素基を有する有機ケイ素化合物、 上記の環状炭化水素基の水素が、1〜6個の炭化水
素基で部分的に置換された環状炭化水素基を有機ケイ素
化合物、 上記〜で示す化合物のアルカリ金属塩(ナトリウ
ム塩またはリチウム塩)、を挙げることができる。これ
らの各化合物のなかでは、分子中にシクロペンタジエン
的構造、具体的にはシクロペンタジエン構造(骨格)、イ
ンデニル構造(骨格)、フルオレニル構造(骨格)を持つも
のが好ましい。
上持つ化合物 成分(3)として使用可能な化合物を例示すると、 共役二重結合を2個以上、好ましくは2〜4個、さら
に好ましくは2〜3個有する炭素環を1個または2個以
上有し、全炭素数が4〜24、好ましくは4〜12であ
る環状炭化水素化合物、 上記の環状炭化水素化合物が1〜6個の炭化水素基
(典型的には、炭素数1〜12のアルキル基またはアラ
ルキル基)で部分的に置換された環状炭化水素化合物、 共役二重結合を2個以上、好ましくは2〜4個、さら
に好ましくは2〜3個有する炭素環を1個または2個以
上有し、全炭素数が4〜24、好ましくは4〜12であ
る環状炭化水素基を有する有機ケイ素化合物、 上記の環状炭化水素基の水素が、1〜6個の炭化水
素基で部分的に置換された環状炭化水素基を有機ケイ素
化合物、 上記〜で示す化合物のアルカリ金属塩(ナトリウ
ム塩またはリチウム塩)、を挙げることができる。これ
らの各化合物のなかでは、分子中にシクロペンタジエン
的構造、具体的にはシクロペンタジエン構造(骨格)、イ
ンデニル構造(骨格)、フルオレニル構造(骨格)を持つも
のが好ましい。
【0020】成分(3)として好適な環状炭化水素化合
物の一つは、次の化1で示す一般式で表される。
物の一つは、次の化1で示す一般式で表される。
【化1】[式中、R5、R6、R7、R8 、R 9は個別に水
素または炭素数1〜10の炭化水素基を示し、その炭化
水素基の任意の2つは共同して環状炭化水素基を形成す
ることができる。] 化1の炭化水素基には、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、t−ブチル、ヘキシル、オクチルなどのアルキル
基、フェニルなどのアリール基、メトキシ、エトキシ、
プロポキシなどのアルコキシ基、フェノキシなどのアリ
ールオキシ基、ベンジルなどのアラルキル基が包含され
る。また、化1の炭化水素基の任意の2つが共同して環
状炭化水素基を形成した場合、その骨格としてはシクロ
ヘプタトリエン、アリールおよびそれらの縮合環があ
る。化1で示される環状炭化水素化合物のなかで、好適
なものとしては、シクロペンタジエン、インデン、フル
オレン、アズレンなどの外、これらに炭素数1〜10の
アルキル、アリール、アラルキル、アルコキシまたはア
リールオキシが置換した各誘導体などがあり、好ましく
はシクロペンタジエン、インデンおよびフルオレン、な
らびにこれらに炭素数1〜10のアルキル、アリール、
アラルキル、アルコキシまたはアリールオキシが置換し
た各誘導体が望ましい。化1で示される環状炭化水素化
合物が、アルキレン基(その炭素数は通常2〜8、好ま
しくは2〜3)を介して結合(架橋)した化合物も、本
発明の成分(3)として好適に用いられる。
素または炭素数1〜10の炭化水素基を示し、その炭化
水素基の任意の2つは共同して環状炭化水素基を形成す
ることができる。] 化1の炭化水素基には、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル、t−ブチル、ヘキシル、オクチルなどのアルキル
基、フェニルなどのアリール基、メトキシ、エトキシ、
プロポキシなどのアルコキシ基、フェノキシなどのアリ
ールオキシ基、ベンジルなどのアラルキル基が包含され
る。また、化1の炭化水素基の任意の2つが共同して環
状炭化水素基を形成した場合、その骨格としてはシクロ
ヘプタトリエン、アリールおよびそれらの縮合環があ
る。化1で示される環状炭化水素化合物のなかで、好適
なものとしては、シクロペンタジエン、インデン、フル
オレン、アズレンなどの外、これらに炭素数1〜10の
アルキル、アリール、アラルキル、アルコキシまたはア
リールオキシが置換した各誘導体などがあり、好ましく
はシクロペンタジエン、インデンおよびフルオレン、な
らびにこれらに炭素数1〜10のアルキル、アリール、
アラルキル、アルコキシまたはアリールオキシが置換し
た各誘導体が望ましい。化1で示される環状炭化水素化
合物が、アルキレン基(その炭素数は通常2〜8、好ま
しくは2〜3)を介して結合(架橋)した化合物も、本
発明の成分(3)として好適に用いられる。
【0021】また、環状炭化水素基を有する有機ケイ素
化合物は、下記の一般式で表示することができる。 (Cp)r SiR10 s X3 4-r-s ここで、Cpはシクロペンタジエニル基、置換シクロペ
ンタジエニル基、インデニル基、置換インデニル基で例
示される前記環状炭化水素基を示し、R10はメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t
−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基など
のアルキル基;ビニル基、アリル基などのアルケニル
基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基などのアルコキシ基;フェニル基、トリル基、キシリ
ル基などのアリール基;フェノキシ基などのアリールオ
キシ基;ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、ネオ
フィル基などのアラルキル基で例示されるような、炭素
数1〜24、好ましくは1〜12の炭化水素残基または
水素を示し、R10がn−のみならずiso−,s−,t
−,neo−等の各種構造異性基である場合も包含して
いるものである。X3はフッ素、ヨウ素、塩素または臭
素のハロゲン原子を示し、r およびs は0<r≦4、0
≦s ≦3の範囲であり、好ましくは1≦r +s ≦4であ
る。
化合物は、下記の一般式で表示することができる。 (Cp)r SiR10 s X3 4-r-s ここで、Cpはシクロペンタジエニル基、置換シクロペ
ンタジエニル基、インデニル基、置換インデニル基で例
示される前記環状炭化水素基を示し、R10はメチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t
−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基など
のアルキル基;ビニル基、アリル基などのアルケニル
基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基などのアルコキシ基;フェニル基、トリル基、キシリ
ル基などのアリール基;フェノキシ基などのアリールオ
キシ基;ベンジル基、フェネチル基、スチリル基、ネオ
フィル基などのアラルキル基で例示されるような、炭素
数1〜24、好ましくは1〜12の炭化水素残基または
水素を示し、R10がn−のみならずiso−,s−,t
−,neo−等の各種構造異性基である場合も包含して
いるものである。X3はフッ素、ヨウ素、塩素または臭
素のハロゲン原子を示し、r およびs は0<r≦4、0
≦s ≦3の範囲であり、好ましくは1≦r +s ≦4であ
る。
【0022】従って、成分(3)として使用可能な有機
環状炭化水素化合物には、次のような化合物が包含され
る。シクロペンタジエン、メチルシクロペンタジエン、
エチルシクロペンタジエン、t−ブチルシクロペンタジ
エン、ヘキシルシクロペンタジエン、オクチルシクロペ
ンタジエン、1,2−ジメチルシクロペンタジエン、
1,3−ジメチルシクロペンタジエン、1,2,4−ト
リメチルシクロペンタジエン、1,2,3,4−テトラ
メチルシクロペンタジエンなどの置換シクロペンタジエ
ン、インデン、4−メチル−1−インデン、4,7−ジ
メチルインデン、4,5,6,7−テトラハイドロイン
デンなどの置換インデン、シクロヘプタトリエン、メチ
ルシクロヘプタトリエンなどの置換シクロヘプタトリエ
ン、シクロオクタテトラエン、メチルシクロオクタテト
ラエンなどの置換シクロオクタテトラエン、アズレン、
メチルアズレン、エチルアズレン、フルオレン、メチル
フルオレンなどの置換フルオレンのような炭素数7〜2
4のシクロポリエン又は置換シクロポリエン、
環状炭化水素化合物には、次のような化合物が包含され
る。シクロペンタジエン、メチルシクロペンタジエン、
エチルシクロペンタジエン、t−ブチルシクロペンタジ
エン、ヘキシルシクロペンタジエン、オクチルシクロペ
ンタジエン、1,2−ジメチルシクロペンタジエン、
1,3−ジメチルシクロペンタジエン、1,2,4−ト
リメチルシクロペンタジエン、1,2,3,4−テトラ
メチルシクロペンタジエンなどの置換シクロペンタジエ
ン、インデン、4−メチル−1−インデン、4,7−ジ
メチルインデン、4,5,6,7−テトラハイドロイン
デンなどの置換インデン、シクロヘプタトリエン、メチ
ルシクロヘプタトリエンなどの置換シクロヘプタトリエ
ン、シクロオクタテトラエン、メチルシクロオクタテト
ラエンなどの置換シクロオクタテトラエン、アズレン、
メチルアズレン、エチルアズレン、フルオレン、メチル
フルオレンなどの置換フルオレンのような炭素数7〜2
4のシクロポリエン又は置換シクロポリエン、
【0023】モノシクロペンタジエニルシラン、ジシク
ロペンタジエニルシラン、トリシクロペンタジエニルシ
ラン、テトラシクロペンタジエニルシラン、モノシクロ
ペンタジエニルモノメチルシラン、モノシクロペンタジ
エニルモノエチルシラン、モノシクロペンタジエニルジ
メチルシラン、モノシクロペンタジエニルジエチルシラ
ン、モノシクロペンタジエニルトリメチルシラン、モノ
シクロペンタジエニルトリエチルシラン、モノシクロペ
ンタジエニルモノメトキシシラン、モノシクロペンタジ
エニルモノエトキシシラン、モノシクロペンタジエニル
モノフェノキシシラン、モノシクロペンタジエニルモノ
メチルモノクロロシラン、モノシクロペンタジエニルモ
ノエチルモノクロロシラン、モノシクロペンタジエニル
モノメチルジクロロシラン、モノシクロペンタジエニル
モノエチルジクロロシラン、モノシクロペンタジエニル
トリクロロシラン、ジシクロペンタジエニルモノメチル
シラン、ジシクロペンタジエニルモノエチルシラン、ジ
シクロペンタジエニルジメチルシラン、ジシクロペンタ
ジエニルジエチルシラン、ジシクロペンタジエニルメチ
ルエチルシラン、ジシクロペンタジエニルジプロピルシ
ラン、ジシクロペンタジエニルエチルプロピルシラン、
ジシクロペンタジエニルジフェニルシラン、ジシクロペ
ンタジエニルフェニルメチルシラン、ジシクロペンタジ
エニルメチルクロロシラン、ジシクロペンタジエニルエ
チルクロロシラン、ジシクロペンタジエニルジクロロシ
ラン、ジシクロペンタジエニルモノメトキシシラン、ジ
シクロペンタジエニルモノエトキシシラン、ジシクロペ
ンタジエニルモノメトキシモノクロロシラン、ジシクロ
ペンタジエニルモノエトキシモノクロロシラン、トリシ
クロペンタジエニルモノメチルシラン、トリシクロペン
タジエニルモノエチルシラン、トリシクロペンタジエニ
ルモノメトキシシラン、トリシクロペンタジエニルモノ
エトキシシラン、トリシクロペンタジエニルモノクロロ
シラン、3−メチルシクロペンタジエニルシラン、ビス
3−メチルシクロペンタジエニルシラン、3−メチルシ
クロペンタジエニルメチルシラン、1,2−ジメチルシ
クロペンタジエニルシラン、1,3−ジメチルシクロペ
ンタジエニルシラン、1,2,4−トリメチルシクロペ
ンタジエニルシラン、
ロペンタジエニルシラン、トリシクロペンタジエニルシ
ラン、テトラシクロペンタジエニルシラン、モノシクロ
ペンタジエニルモノメチルシラン、モノシクロペンタジ
エニルモノエチルシラン、モノシクロペンタジエニルジ
メチルシラン、モノシクロペンタジエニルジエチルシラ
ン、モノシクロペンタジエニルトリメチルシラン、モノ
シクロペンタジエニルトリエチルシラン、モノシクロペ
ンタジエニルモノメトキシシラン、モノシクロペンタジ
エニルモノエトキシシラン、モノシクロペンタジエニル
モノフェノキシシラン、モノシクロペンタジエニルモノ
メチルモノクロロシラン、モノシクロペンタジエニルモ
ノエチルモノクロロシラン、モノシクロペンタジエニル
モノメチルジクロロシラン、モノシクロペンタジエニル
モノエチルジクロロシラン、モノシクロペンタジエニル
トリクロロシラン、ジシクロペンタジエニルモノメチル
シラン、ジシクロペンタジエニルモノエチルシラン、ジ
シクロペンタジエニルジメチルシラン、ジシクロペンタ
ジエニルジエチルシラン、ジシクロペンタジエニルメチ
ルエチルシラン、ジシクロペンタジエニルジプロピルシ
ラン、ジシクロペンタジエニルエチルプロピルシラン、
ジシクロペンタジエニルジフェニルシラン、ジシクロペ
ンタジエニルフェニルメチルシラン、ジシクロペンタジ
エニルメチルクロロシラン、ジシクロペンタジエニルエ
チルクロロシラン、ジシクロペンタジエニルジクロロシ
ラン、ジシクロペンタジエニルモノメトキシシラン、ジ
シクロペンタジエニルモノエトキシシラン、ジシクロペ
ンタジエニルモノメトキシモノクロロシラン、ジシクロ
ペンタジエニルモノエトキシモノクロロシラン、トリシ
クロペンタジエニルモノメチルシラン、トリシクロペン
タジエニルモノエチルシラン、トリシクロペンタジエニ
ルモノメトキシシラン、トリシクロペンタジエニルモノ
エトキシシラン、トリシクロペンタジエニルモノクロロ
シラン、3−メチルシクロペンタジエニルシラン、ビス
3−メチルシクロペンタジエニルシラン、3−メチルシ
クロペンタジエニルメチルシラン、1,2−ジメチルシ
クロペンタジエニルシラン、1,3−ジメチルシクロペ
ンタジエニルシラン、1,2,4−トリメチルシクロペ
ンタジエニルシラン、
【0024】モノインデニルシラン、ジインデニルシラ
ン、トリインデニルシラン、テトラインデニルシラン、
モノインデニルモノメチルシラン、モノインデニルモノ
エチルシラン、モノインデニルジメチルシラン、モノイ
ンデニルジエチルシラン、モノインデニルトリメチルシ
ラン、モノインデニルトリエチルシラン、モノインデニ
ルモノメトキシシラン、モノインデニルモノエトキシシ
ラン、モノインデニルモノフェノキシシラン、モノイン
デニルモノメチルモノクロロシラン、モノインデニルモ
ノエチルモノクロロシラン、モノインデニルモノメチル
ジクロロシラン、モノインデニルモノエチルジクロロシ
ラン、モノインデニルトリクロロシラン、ジインデニル
モノメチルシラン、ジインデニルモノエチルシラン、ジ
インデニルジメチルシラン、ジインデニルジエチルシラ
ン、ジインデニルメチルエチルシラン、ジインデニルジ
プロピルシラン、ジインデニルエチルプロピルシラン、
ジインデニルジエフェニルシラン、ジインデニルフェニ
ルメチルシラン、ジインデニルメチルクロロシラン、ジ
インデニルエチルクロロシラン、ジインデニルジクロロ
シラン、ジインデニルモノメトキシシラン、ジインデニ
ルモノエトキシシラン、ジインデニルモノメトキシモノ
クロロシラン、ジインデニルモノエトキシモノクロロシ
ラン、トリインデニルモノメチルシラン、トリインデニ
ルモノエチルシラン、トリインデニルモノメトキシシラ
ン、トリインデニルモノエトキシシラン、トリインデニ
ルモノクロロシラン、3−メチルインデニルシラン、ビ
ス3−メチルインデニルシラン、3−メチルインデニル
メチルシラン、1,2−ジメチルインデニルシラン、
1,3−ジメチルインデニルシラン、1,2,4−トリ
メチルインデニルシラン、ペンタメチルインデニルシラ
ン等がある。好ましくはシクロペンタジエン、置換シク
ロペンタジエン、インデン、置換インデンなどが挙げら
れる。
ン、トリインデニルシラン、テトラインデニルシラン、
モノインデニルモノメチルシラン、モノインデニルモノ
エチルシラン、モノインデニルジメチルシラン、モノイ
ンデニルジエチルシラン、モノインデニルトリメチルシ
ラン、モノインデニルトリエチルシラン、モノインデニ
ルモノメトキシシラン、モノインデニルモノエトキシシ
ラン、モノインデニルモノフェノキシシラン、モノイン
デニルモノメチルモノクロロシラン、モノインデニルモ
ノエチルモノクロロシラン、モノインデニルモノメチル
ジクロロシラン、モノインデニルモノエチルジクロロシ
ラン、モノインデニルトリクロロシラン、ジインデニル
モノメチルシラン、ジインデニルモノエチルシラン、ジ
インデニルジメチルシラン、ジインデニルジエチルシラ
ン、ジインデニルメチルエチルシラン、ジインデニルジ
プロピルシラン、ジインデニルエチルプロピルシラン、
ジインデニルジエフェニルシラン、ジインデニルフェニ
ルメチルシラン、ジインデニルメチルクロロシラン、ジ
インデニルエチルクロロシラン、ジインデニルジクロロ
シラン、ジインデニルモノメトキシシラン、ジインデニ
ルモノエトキシシラン、ジインデニルモノメトキシモノ
クロロシラン、ジインデニルモノエトキシモノクロロシ
ラン、トリインデニルモノメチルシラン、トリインデニ
ルモノエチルシラン、トリインデニルモノメトキシシラ
ン、トリインデニルモノエトキシシラン、トリインデニ
ルモノクロロシラン、3−メチルインデニルシラン、ビ
ス3−メチルインデニルシラン、3−メチルインデニル
メチルシラン、1,2−ジメチルインデニルシラン、
1,3−ジメチルインデニルシラン、1,2,4−トリ
メチルインデニルシラン、ペンタメチルインデニルシラ
ン等がある。好ましくはシクロペンタジエン、置換シク
ロペンタジエン、インデン、置換インデンなどが挙げら
れる。
【0025】また、上記した各化合物のいずれかが、炭
化水素基基(その炭素数は通常2〜18、好ましくは2
〜13)を介して結合した化合物も、本発明の成分
(4)として使用できる。例えば、ビスインデニルエタ
ン、ビス(4,5,6,7−テトラハイドロ−1−イン
デニル)エタン、1,3−プロパンジエニルビスインデ
ン、1,3−プロパンジエニルビス(4,5,6,7−
テトラハイドロ)インデン、イソピリレンビス(1−イ
ンデン)、イソプロピリレン(1−インデニル)シクロ
ペンタジエン、ジフェニルメチレンビスインデン,ジフ
ェニルメチレン(9−フルオレニル)シクロペンタジエ
ン、イソプロピリレンシクロペンタジエニル−1−フル
オレンなどがあげられる。本発明の触媒成分は、少なく
とも前記成分(1)〜成分(3)を相互に接触させるこ
とによりえられるが、本発明を損なわない範囲で各種の
他の任意成分を併用してもよい。かかる任意成分として
は、例えば 成分(6):無機担体および/または粒子状ポリマー担
体 などが好適なものとして挙げられる。成分(6)として
任意に用いられる無機担体は、触媒調製時並びに重合反
応時に、固体として存在できるものであれば、その形状
は粉末状、粒状、フレーク状、箔状、繊維状などの何れ
であっても差し支えない。しかし、いずれの形状であっ
ても、最大長は通常5〜200μm、好ましくは10〜
100μmの範囲のものが適している。また、無機担体
は多孔性であることが好ましく、通常、その表面積は5
0〜1000m2 /g、細孔容積は0.05〜3cm3 の
範囲であることが望ましい。本発明の無機担体として
は、炭素質物、金属、金属酸化物、金属塩化物、金属炭
酸塩またはこれらの混合物が使用可能であり、これらは
通常200〜900℃で空気中または窒素、アルゴン等
の不活性ガス中で焼成して用いられる。無機担体に用い
ることができる好適な金属としては、例えば鉄、アルミ
ニウム、ニッケルなどが挙げられる。また、金属酸化物
としては周期律表第I〜VIII族から選ばれる金属の
単独酸化物または複酸化物が挙げられ、例えばSi
O2、Al2 O3 、MgO,CaO、B2 O3 、TiO
2 、ZrO2 、Fe2 O3 、SiO2 ・Al2 O3 、A
l2 O3 ・MgO、Al2 O3 ・CaO、Al2 O3・
MgO・CaO、Al2 O3 ・MgO・SiO2 、Al
2 O3 ・CuO、Al2 O3 ・Fe2 O3 、Al2 O3
・NiO、SiO2 ・MgOなどが挙げられる。なお、
酸化物で表示した上記の式は、分子式ではなく、組成の
みを表すものである。つまり、本発明において用いられ
る複酸化物の構造および成分比率は、特に限定されるも
のではない。また、本発明において用いる金属酸化物
は、少量の水分を吸着していても差し支えなく、少量の
不純物を含有していても差し支えない。金属塩化物とし
ては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属の塩化物
が好ましく、具体的にはMgCl2 ,CaCl2 などが
特に好適である。金属炭酸塩としてはアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属の炭酸塩が好ましく、具体的には、炭酸
マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウムなどが挙
げられる。炭素質物としては例えばカーボンブラック、
活性炭などが挙げられる。以上の無機担体はいずれも本
発明の成分(6)として使用できるが、特に金属酸化物
の使用が好ましい。
化水素基基(その炭素数は通常2〜18、好ましくは2
〜13)を介して結合した化合物も、本発明の成分
(4)として使用できる。例えば、ビスインデニルエタ
ン、ビス(4,5,6,7−テトラハイドロ−1−イン
デニル)エタン、1,3−プロパンジエニルビスインデ
ン、1,3−プロパンジエニルビス(4,5,6,7−
テトラハイドロ)インデン、イソピリレンビス(1−イ
ンデン)、イソプロピリレン(1−インデニル)シクロ
ペンタジエン、ジフェニルメチレンビスインデン,ジフ
ェニルメチレン(9−フルオレニル)シクロペンタジエ
ン、イソプロピリレンシクロペンタジエニル−1−フル
オレンなどがあげられる。本発明の触媒成分は、少なく
とも前記成分(1)〜成分(3)を相互に接触させるこ
とによりえられるが、本発明を損なわない範囲で各種の
他の任意成分を併用してもよい。かかる任意成分として
は、例えば 成分(6):無機担体および/または粒子状ポリマー担
体 などが好適なものとして挙げられる。成分(6)として
任意に用いられる無機担体は、触媒調製時並びに重合反
応時に、固体として存在できるものであれば、その形状
は粉末状、粒状、フレーク状、箔状、繊維状などの何れ
であっても差し支えない。しかし、いずれの形状であっ
ても、最大長は通常5〜200μm、好ましくは10〜
100μmの範囲のものが適している。また、無機担体
は多孔性であることが好ましく、通常、その表面積は5
0〜1000m2 /g、細孔容積は0.05〜3cm3 の
範囲であることが望ましい。本発明の無機担体として
は、炭素質物、金属、金属酸化物、金属塩化物、金属炭
酸塩またはこれらの混合物が使用可能であり、これらは
通常200〜900℃で空気中または窒素、アルゴン等
の不活性ガス中で焼成して用いられる。無機担体に用い
ることができる好適な金属としては、例えば鉄、アルミ
ニウム、ニッケルなどが挙げられる。また、金属酸化物
としては周期律表第I〜VIII族から選ばれる金属の
単独酸化物または複酸化物が挙げられ、例えばSi
O2、Al2 O3 、MgO,CaO、B2 O3 、TiO
2 、ZrO2 、Fe2 O3 、SiO2 ・Al2 O3 、A
l2 O3 ・MgO、Al2 O3 ・CaO、Al2 O3・
MgO・CaO、Al2 O3 ・MgO・SiO2 、Al
2 O3 ・CuO、Al2 O3 ・Fe2 O3 、Al2 O3
・NiO、SiO2 ・MgOなどが挙げられる。なお、
酸化物で表示した上記の式は、分子式ではなく、組成の
みを表すものである。つまり、本発明において用いられ
る複酸化物の構造および成分比率は、特に限定されるも
のではない。また、本発明において用いる金属酸化物
は、少量の水分を吸着していても差し支えなく、少量の
不純物を含有していても差し支えない。金属塩化物とし
ては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属の塩化物
が好ましく、具体的にはMgCl2 ,CaCl2 などが
特に好適である。金属炭酸塩としてはアルカリ金属、ア
ルカリ土類金属の炭酸塩が好ましく、具体的には、炭酸
マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウムなどが挙
げられる。炭素質物としては例えばカーボンブラック、
活性炭などが挙げられる。以上の無機担体はいずれも本
発明の成分(6)として使用できるが、特に金属酸化物
の使用が好ましい。
【0026】粒子状ポリマー担体としては、触媒調製時
および重合反応時において、溶融などせずに固体として
存在することができるものである限り、熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂のいずれもが使用でき、その粒径は通常5
〜2000μm、好ましくは10〜100μmの範囲に
ある。ポリマー担体の素材となるポリマーには、低分子
量のものから超高分子量のものまで任意に使用可能であ
る。素材となるポリマーの分子量は、その種類にもよる
が、通常、1000〜3000,000の範囲のものが
適している。粒子状ポリマー担体の具体例を摘記する
と、粒子状のエチレン重合体、エチレン・α−オレフィ
ン共重合体、プロピレン重合体または共重合体、ポリ1
−ブテンなどで代表される各種のポリオレフィン(好ま
しくは炭素数2〜12)、ポリエステル、ポリアミド、
ポリ塩化ビニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリ
ル酸メチル、ポリスチレン、ポリノルボルネンのほか、
各種の天然高分子およびこれらの混合物が挙げられる。
および重合反応時において、溶融などせずに固体として
存在することができるものである限り、熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂のいずれもが使用でき、その粒径は通常5
〜2000μm、好ましくは10〜100μmの範囲に
ある。ポリマー担体の素材となるポリマーには、低分子
量のものから超高分子量のものまで任意に使用可能であ
る。素材となるポリマーの分子量は、その種類にもよる
が、通常、1000〜3000,000の範囲のものが
適している。粒子状ポリマー担体の具体例を摘記する
と、粒子状のエチレン重合体、エチレン・α−オレフィ
ン共重合体、プロピレン重合体または共重合体、ポリ1
−ブテンなどで代表される各種のポリオレフィン(好ま
しくは炭素数2〜12)、ポリエステル、ポリアミド、
ポリ塩化ビニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリ
ル酸メチル、ポリスチレン、ポリノルボルネンのほか、
各種の天然高分子およびこれらの混合物が挙げられる。
【0027】上記した無機担体および粒子状ポリマー担
体は、本発明の成分(6)としてそのまま用いることも
できるが、これを予備処理してから成分(6)として使
用することもできる。この予備処理に使用する化合物に
は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウム、トリn−ヘキシルア
ルミニウム、ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチ
ルアルミニウムクロライド、ジエチルモノエトキシアル
ミニウム、トリエトキシアルミニウムなどの有機アルミ
ニウム化合物とか、本発明の成分(4)として示されて
いる変性有機アルミニウム化合物や、あるいはシラン化
合物などが使用可能である。特に無機担体については、
アルコール、アルデヒドのような活性水素含有化合物、
エステル、エーテルなどの電子供与性化合物、テトラア
ルコキシシリケート、テトラアルコキシアルミニウム、
遷移金属テトラアルコキシドなどのアルコキサイド基含
有化合物などが使用可能である。担体の予備処理は、窒
素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水
素(通常炭素数は6〜12)、ヘプタン、ヘキサン、デ
カン、ドデカン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは
脂環族炭化水素(通常炭素数5〜12)等の液状不活性
炭化水素溶媒中で、担体と予備処理用化合物とを、撹拌
下または非撹拌下に接触させる方法で通常行うことがで
きる。一般に、接触温度は−100℃〜200℃、好ま
しくは−50℃〜100℃の範囲にあり、接触時間は3
0分〜50時間、好ましくは1時間〜24時間の範囲に
ある。なお、担体の予備処理を、予備処理用化合物が可
溶な溶媒、すなわちベンゼン、トルエン、キシレン、エ
チルベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒(通常炭素数は
6〜12)中で行った場合には、予備処理された担体を
含む反応混合物から溶媒を除去することなく、この反応
混合物をそのまま本発明の触媒成分の調製に供すること
ができる。また、当該の反応混合物に、予備処理用化合
物が不溶もしくは難溶の液状不活性炭化水素(例えば、
予備処理用化合物が変性有機アルミニウム化合物の場合
は、ペンタン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロヘ
キサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水素)をさらに
添加して固形分を析出させれば、予備処理された成分
(6)を固体として取り出すことができる。また、上記
した反応混合物から、これに含まれる芳香族炭化水素溶
媒の一部または全部を除去させても、予備処理された成
分(6)を固体として取り出すことができる。予備処理
用化合物の使用量は、予備処理に供する担体1gに対し
て、通常0.01〜10000ミリモル、好ましくは
0.1〜100ミリモル(ただし、変性アルミニウム化
合物においてはAl原子濃度)の範囲内で選ばれる。ま
た、さらなる任意成分としては、C−X結合(X:フッ
素等のハロゲン)を有するハロゲン化炭化水素化合物、
ハロゲン化含酸素炭化水素化合物、ハロゲン・炭素化合
物やスルフィド類などが例示できる。本発明の触媒成分
は、前述の通り、前記成分(1)〜成分(3)を必須成
分質として用い、本発明を損なわない範囲で前述に例示
される各種任意成分、例えば成分(6)を併用してもよ
く、これらの成分の接触順序は特に限定されるものでは
ない。好ましい接触順序としてはは、 1−1.(1),(2),(3)を同時に加える方法。 1−2.(1),(2),(3)の順に加える方法。 1−3.(1),(3),(2)の順に加える方法。 1−4.(2),(3)を加えたものに(1)を加える
方法。 1−5.(1),(2)を加えた後に(6)を加える方
法。 1−6.(1),(2),(3)の順に加えた後に
(6)を加える方法。 1−7.(1),(3),(2)の順に加えた後に
(6)を加える方法。 1−8.(1),(2),(3)を同時に加えた後に
(6)を加える方法。 などがあげられる。このような本発明の触媒成分は、通
常プロモーター成分と組み合わせることで、オレフィン
類の重合又は共重合に有用な触媒となる。プロモーター
成分には、本発明の目的および前記触媒成分の性能を損
なわない限り、任意のプロモーターを使用することがで
きるが、好適な形態としては、後述する成分(4)の変
性有機アルミニウム化合物や成分(5)のボランおよび
/あるいはボレート化合物が使用される。一方、本発明
の触媒は、前述のとおり少なくとも成分(1)〜成分
(3)、および、下記成分(4)および/または成分
(5)を相互に接触することにより得られるものを用い
ることを特徴とするが、 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン その態様としては、(A)少なくとも成分(1)〜成分
(3)を相互に接触することにより得られ、触媒成分と
して供する際に1H−NMRにより金属Me1を中心原
子とするメタロセン化合物のシクロペンタジエニル構
造,インデニル構造またはフルオレニルの5員環部分の
水素のピークが観測されない形態であるオレフィン類重
合用触媒成分を,下記成分(4)および/または成分
(5)と接触させることにより得られる触媒、ならび
に、(B)少なくとも下記成分(1)〜(3)ならびに
成分(4)および/または成分(5)を含有する成分を
相互に接触することにより得られ、触媒として供する際
に,1H−NMRにより金属Me1を中心原子とするメ
タロセン化合物のシクロペンタジエニル構造,インデニ
ル構造またはフルオレニル構造の5員環部分の水素のピ
ークが観測されない形態である触媒が挙げられる。
体は、本発明の成分(6)としてそのまま用いることも
できるが、これを予備処理してから成分(6)として使
用することもできる。この予備処理に使用する化合物に
は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウム、トリn−ヘキシルア
ルミニウム、ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチ
ルアルミニウムクロライド、ジエチルモノエトキシアル
ミニウム、トリエトキシアルミニウムなどの有機アルミ
ニウム化合物とか、本発明の成分(4)として示されて
いる変性有機アルミニウム化合物や、あるいはシラン化
合物などが使用可能である。特に無機担体については、
アルコール、アルデヒドのような活性水素含有化合物、
エステル、エーテルなどの電子供与性化合物、テトラア
ルコキシシリケート、テトラアルコキシアルミニウム、
遷移金属テトラアルコキシドなどのアルコキサイド基含
有化合物などが使用可能である。担体の予備処理は、窒
素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水
素(通常炭素数は6〜12)、ヘプタン、ヘキサン、デ
カン、ドデカン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは
脂環族炭化水素(通常炭素数5〜12)等の液状不活性
炭化水素溶媒中で、担体と予備処理用化合物とを、撹拌
下または非撹拌下に接触させる方法で通常行うことがで
きる。一般に、接触温度は−100℃〜200℃、好ま
しくは−50℃〜100℃の範囲にあり、接触時間は3
0分〜50時間、好ましくは1時間〜24時間の範囲に
ある。なお、担体の予備処理を、予備処理用化合物が可
溶な溶媒、すなわちベンゼン、トルエン、キシレン、エ
チルベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒(通常炭素数は
6〜12)中で行った場合には、予備処理された担体を
含む反応混合物から溶媒を除去することなく、この反応
混合物をそのまま本発明の触媒成分の調製に供すること
ができる。また、当該の反応混合物に、予備処理用化合
物が不溶もしくは難溶の液状不活性炭化水素(例えば、
予備処理用化合物が変性有機アルミニウム化合物の場合
は、ペンタン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロヘ
キサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水素)をさらに
添加して固形分を析出させれば、予備処理された成分
(6)を固体として取り出すことができる。また、上記
した反応混合物から、これに含まれる芳香族炭化水素溶
媒の一部または全部を除去させても、予備処理された成
分(6)を固体として取り出すことができる。予備処理
用化合物の使用量は、予備処理に供する担体1gに対し
て、通常0.01〜10000ミリモル、好ましくは
0.1〜100ミリモル(ただし、変性アルミニウム化
合物においてはAl原子濃度)の範囲内で選ばれる。ま
た、さらなる任意成分としては、C−X結合(X:フッ
素等のハロゲン)を有するハロゲン化炭化水素化合物、
ハロゲン化含酸素炭化水素化合物、ハロゲン・炭素化合
物やスルフィド類などが例示できる。本発明の触媒成分
は、前述の通り、前記成分(1)〜成分(3)を必須成
分質として用い、本発明を損なわない範囲で前述に例示
される各種任意成分、例えば成分(6)を併用してもよ
く、これらの成分の接触順序は特に限定されるものでは
ない。好ましい接触順序としてはは、 1−1.(1),(2),(3)を同時に加える方法。 1−2.(1),(2),(3)の順に加える方法。 1−3.(1),(3),(2)の順に加える方法。 1−4.(2),(3)を加えたものに(1)を加える
方法。 1−5.(1),(2)を加えた後に(6)を加える方
法。 1−6.(1),(2),(3)の順に加えた後に
(6)を加える方法。 1−7.(1),(3),(2)の順に加えた後に
(6)を加える方法。 1−8.(1),(2),(3)を同時に加えた後に
(6)を加える方法。 などがあげられる。このような本発明の触媒成分は、通
常プロモーター成分と組み合わせることで、オレフィン
類の重合又は共重合に有用な触媒となる。プロモーター
成分には、本発明の目的および前記触媒成分の性能を損
なわない限り、任意のプロモーターを使用することがで
きるが、好適な形態としては、後述する成分(4)の変
性有機アルミニウム化合物や成分(5)のボランおよび
/あるいはボレート化合物が使用される。一方、本発明
の触媒は、前述のとおり少なくとも成分(1)〜成分
(3)、および、下記成分(4)および/または成分
(5)を相互に接触することにより得られるものを用い
ることを特徴とするが、 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン その態様としては、(A)少なくとも成分(1)〜成分
(3)を相互に接触することにより得られ、触媒成分と
して供する際に1H−NMRにより金属Me1を中心原
子とするメタロセン化合物のシクロペンタジエニル構
造,インデニル構造またはフルオレニルの5員環部分の
水素のピークが観測されない形態であるオレフィン類重
合用触媒成分を,下記成分(4)および/または成分
(5)と接触させることにより得られる触媒、ならび
に、(B)少なくとも下記成分(1)〜(3)ならびに
成分(4)および/または成分(5)を含有する成分を
相互に接触することにより得られ、触媒として供する際
に,1H−NMRにより金属Me1を中心原子とするメ
タロセン化合物のシクロペンタジエニル構造,インデニ
ル構造またはフルオレニル構造の5員環部分の水素のピ
ークが観測されない形態である触媒が挙げられる。
【0028】成分(4)として用いられる変性有機アル
ミニウム化合物としては、分子中にAl−O−Al結合
を含むものであり、その結合数は、通常1〜100、好
ましくは1〜50個であることが望ましい。このような
変性有機アルミニウム化合物は、通常有機アルミニウム
化合物と水との反応することにより得られる生成物であ
る。有機アルミニウムと水との反応は、通常不活性炭化
水素中で行われる。不活性炭化水素としてはペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘ
キサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の脂肪族炭化
水素、脂環族炭化水素及び芳香族炭化水素が使用できる
が、脂肪族炭化水素又は芳香族炭化水素を使用すること
が好ましい。
ミニウム化合物としては、分子中にAl−O−Al結合
を含むものであり、その結合数は、通常1〜100、好
ましくは1〜50個であることが望ましい。このような
変性有機アルミニウム化合物は、通常有機アルミニウム
化合物と水との反応することにより得られる生成物であ
る。有機アルミニウムと水との反応は、通常不活性炭化
水素中で行われる。不活性炭化水素としてはペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘ
キサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の脂肪族炭化
水素、脂環族炭化水素及び芳香族炭化水素が使用できる
が、脂肪族炭化水素又は芳香族炭化水素を使用すること
が好ましい。
【0029】変性有機アルミニウム化合物の調製に用い
る有機アルミニウム化合物は、一般式R11 c AlX4
3-c (式中、R5 は炭素数1〜18、好ましくは1〜1
2のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキ
ル基等の炭化水素基、X11は水素原子又はハロゲン原子
を示し、cは1≦c≦3の整数を示す)で表される化合
物がいずれも使用可能であるが、好ましくはトリアルキ
ルアルミニウムが使用される。トリアルキルアルミニウ
ムのアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等
のいずれでも差し支えないが、メチル基であることが特
に好ましい。
る有機アルミニウム化合物は、一般式R11 c AlX4
3-c (式中、R5 は炭素数1〜18、好ましくは1〜1
2のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキ
ル基等の炭化水素基、X11は水素原子又はハロゲン原子
を示し、cは1≦c≦3の整数を示す)で表される化合
物がいずれも使用可能であるが、好ましくはトリアルキ
ルアルミニウムが使用される。トリアルキルアルミニウ
ムのアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等
のいずれでも差し支えないが、メチル基であることが特
に好ましい。
【0030】水と有機アルミニウム化合物との反応比
(水/Alモル比)は、0.25/1〜1.2/1、特
に、0.5/1〜1/1であることが好ましく、反応温
度は通常−70〜100℃、好ましくは−20〜20℃
の範囲にある。反応時間は通常5〜24時間、好ましく
は10〜5時間の範囲で選ばれる。反応に要する水とし
て、単なる水のみならず、硫酸銅水和物、硫酸アルミニ
ウム水和物等に含まれる結晶水や反応系中に水が生成し
うる成分も利用することもできる。なお、上記した変性
有機アルミニウム化合物のうち、アルキルアルミニウム
と水とを反応させて得られるものは、通常アルミノキサ
ンと呼ばれ、特にメチルアルミノキサン(もしくはメチ
ルアルミノキサンから実質的になるもの)は、本発明の
成分(4)として好適である。もちろん、本発明の成分
(4)として、上記した各変性有機アルミニウム化合物
の2種以上を組み合わせて使用することもでき、また前
記変性有機アルミニウム化合物を前述の不活性炭化水素
溶媒に溶液または分散させた溶液としたものを用いても
良い。
(水/Alモル比)は、0.25/1〜1.2/1、特
に、0.5/1〜1/1であることが好ましく、反応温
度は通常−70〜100℃、好ましくは−20〜20℃
の範囲にある。反応時間は通常5〜24時間、好ましく
は10〜5時間の範囲で選ばれる。反応に要する水とし
て、単なる水のみならず、硫酸銅水和物、硫酸アルミニ
ウム水和物等に含まれる結晶水や反応系中に水が生成し
うる成分も利用することもできる。なお、上記した変性
有機アルミニウム化合物のうち、アルキルアルミニウム
と水とを反応させて得られるものは、通常アルミノキサ
ンと呼ばれ、特にメチルアルミノキサン(もしくはメチ
ルアルミノキサンから実質的になるもの)は、本発明の
成分(4)として好適である。もちろん、本発明の成分
(4)として、上記した各変性有機アルミニウム化合物
の2種以上を組み合わせて使用することもでき、また前
記変性有機アルミニウム化合物を前述の不活性炭化水素
溶媒に溶液または分散させた溶液としたものを用いても
良い。
【0031】次に,成分(5)として使用されるボレー
ト/あるいはボランについて説明する。ボレートの第1
例は、一般式: [L1 −H]+ [BR12 R13 X5 X6 ]- (一般式1) で表される。式中L1 は中性ルイス塩基、Hは水素原
子、[L1 −H]はアンモニウム、アニリニウム、ホス
フォニウム等のブレンステッド酸である。アンモニウム
としては、トリメチルアンモニウム、トリエチルアンモ
ニウム、トリプロピルアンモニウム、トリブチルアンモ
ニウム、トリ(n−ブチル)アンモニウムなどのトリア
ルキル置換アンモニウム、ジ(n−プロピル)アンモニ
ウム、ジシクロヘキシルアンモニウムなどのジアルキル
アンモニウムが例示できる。アニリウムとしては、N,
N−ジメチルアニリニウム、N,N−ジエチルアニリニ
ウム、N,N−2,4,6−ペンタメチルアニリニウム
などのN,N−ジアルキルアニリニウムが例示できる。
また、ホスフォニウムとしてはトリフェニルホスフォニ
ウム、トリブチルホスホニウム、トリ(メチルフェニ
ル)ホスフォニウム、トリ(ジメチルフェニル)ホスフ
ォニウムなどのトリアリールホスフォニウム、トリアル
キルホスフォニウムが挙げられる。R13 及びR14 は6
〜20、好ましくは6〜16の炭素原子を含む同じか又は異
なる芳香族又は置換芳香族炭化水素基で、架橋基によっ
て互いに連結されていてもよく、置換芳香族炭化水素基
の置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基等に代表されるアルキル基やフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等のハロゲンが好ましい。X5 及びX
6 はハイドライド基、ハライド基、1〜20の炭素原子を
含むヒドロカルビル基、1個以上の水素原子がハロゲン
原子によって置換された1〜20の炭素原子を含む置換ヒ
ドロカルビル基である。
ト/あるいはボランについて説明する。ボレートの第1
例は、一般式: [L1 −H]+ [BR12 R13 X5 X6 ]- (一般式1) で表される。式中L1 は中性ルイス塩基、Hは水素原
子、[L1 −H]はアンモニウム、アニリニウム、ホス
フォニウム等のブレンステッド酸である。アンモニウム
としては、トリメチルアンモニウム、トリエチルアンモ
ニウム、トリプロピルアンモニウム、トリブチルアンモ
ニウム、トリ(n−ブチル)アンモニウムなどのトリア
ルキル置換アンモニウム、ジ(n−プロピル)アンモニ
ウム、ジシクロヘキシルアンモニウムなどのジアルキル
アンモニウムが例示できる。アニリウムとしては、N,
N−ジメチルアニリニウム、N,N−ジエチルアニリニ
ウム、N,N−2,4,6−ペンタメチルアニリニウム
などのN,N−ジアルキルアニリニウムが例示できる。
また、ホスフォニウムとしてはトリフェニルホスフォニ
ウム、トリブチルホスホニウム、トリ(メチルフェニ
ル)ホスフォニウム、トリ(ジメチルフェニル)ホスフ
ォニウムなどのトリアリールホスフォニウム、トリアル
キルホスフォニウムが挙げられる。R13 及びR14 は6
〜20、好ましくは6〜16の炭素原子を含む同じか又は異
なる芳香族又は置換芳香族炭化水素基で、架橋基によっ
て互いに連結されていてもよく、置換芳香族炭化水素基
の置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基等に代表されるアルキル基やフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素等のハロゲンが好ましい。X5 及びX
6 はハイドライド基、ハライド基、1〜20の炭素原子を
含むヒドロカルビル基、1個以上の水素原子がハロゲン
原子によって置換された1〜20の炭素原子を含む置換ヒ
ドロカルビル基である。
【0032】ボレートの第2例は、一般式: [L2 −H][(CX7 )a (BX8 )b X9 c ]d- (一般式2) で表される。式中L2 −HはH+ 、アンモニウム又は3
個までの水素原子を持ち、通常1〜20個の炭素原子を含
むヒドロカルビル基、又は1個以上の水素原子がハロゲ
ン原子によって置換された、通常1〜20個までの炭素原
子を含む置換ヒドロカルビル基によって置換された置換
アンモニウムカチオン、ホスフォニウム基、3個までの
水素原子が通常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビ
ル基で、又は1個以上の水素原子がハロゲン原子によっ
て置換された通常1〜20個の炭素原子を含む置換ヒドロ
カルビル基で置換された置換ホスフォニウム基等のいづ
れかである。B及びCはそれぞれホウ素及び炭素であ
る。X7 、X8 及びX9 はハイドライド基、ハライド
基、通常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビル基、
1個以上の水素原子がハロゲン原子によって置換され
た、通常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビル基、
有機部分の各ヒドロカルビル置換基が通常1〜20個の炭
素原子を含み、金属が周期律標の表IV−A族から選ばれ
る有機メタロイド基等からなる群から個別に選択される
基である。a及びcは0以上の整数である。dは1以上
の整数である。a+c+dは通常2から8までの偶数の
整数である。bは通常5から22までの整数である。
個までの水素原子を持ち、通常1〜20個の炭素原子を含
むヒドロカルビル基、又は1個以上の水素原子がハロゲ
ン原子によって置換された、通常1〜20個までの炭素原
子を含む置換ヒドロカルビル基によって置換された置換
アンモニウムカチオン、ホスフォニウム基、3個までの
水素原子が通常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビ
ル基で、又は1個以上の水素原子がハロゲン原子によっ
て置換された通常1〜20個の炭素原子を含む置換ヒドロ
カルビル基で置換された置換ホスフォニウム基等のいづ
れかである。B及びCはそれぞれホウ素及び炭素であ
る。X7 、X8 及びX9 はハイドライド基、ハライド
基、通常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビル基、
1個以上の水素原子がハロゲン原子によって置換され
た、通常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビル基、
有機部分の各ヒドロカルビル置換基が通常1〜20個の炭
素原子を含み、金属が周期律標の表IV−A族から選ばれ
る有機メタロイド基等からなる群から個別に選択される
基である。a及びcは0以上の整数である。dは1以上
の整数である。a+c+dは通常2から8までの偶数の
整数である。bは通常5から22までの整数である。
【0033】ボレートの第3例は、一般式:[L2 −
H]〔[〈(CX10 )e (BX11 )f (X12)
g 〉h-]2 Mn+〕i-(一般式3)で表される。式中L2
−HはH+ 、アンモニウム又は3個までの水素原子と、
通常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビル基、又は
1個以上の水素原子がハロゲン原子によって置換され
た、通常1〜20個までの炭素原子を含む置換ヒドロカル
ビル基によって置換された置換アンモニウム、ホスフォ
ニウム基、3個までの水素原子が通常1〜20個の炭素原
子を含むヒドロカルビル基で、又は1個以上の水素原子
がハロゲン原子によって置換された通常1〜20個の炭素
原子を含む置換ヒドロカルビル基で置換された置換ホス
フォニウム基等のいづれかである。B、C、M、Hはそ
れぞれホウ素、炭素、遷移金属及び水素である。X
10 、X11 及びX12はハイドライド基、ハライド基、通
常1〜20個の炭素原子を有するヒドロカルビル基、1個
以上の水素原子がハロゲン原子によって置換された、通
常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビル基、有機メ
タロイドの有機部分の各ヒドロカルビル置換基が通常1
〜20個の炭素原子を含み、金属が周期律標の表IV−A族
から選ばれる有機メタロイド基等から成る群から個別に
選択される基である。e及びgは0以上の同じか異なる
整数である。hは2以上の整数であり、e+g+hは通
常4から8までの偶数の整数である。fは通常6から12
までの整数である。nは2h−n=iとなるような整数
で、iは1以上の整数である。
H]〔[〈(CX10 )e (BX11 )f (X12)
g 〉h-]2 Mn+〕i-(一般式3)で表される。式中L2
−HはH+ 、アンモニウム又は3個までの水素原子と、
通常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビル基、又は
1個以上の水素原子がハロゲン原子によって置換され
た、通常1〜20個までの炭素原子を含む置換ヒドロカル
ビル基によって置換された置換アンモニウム、ホスフォ
ニウム基、3個までの水素原子が通常1〜20個の炭素原
子を含むヒドロカルビル基で、又は1個以上の水素原子
がハロゲン原子によって置換された通常1〜20個の炭素
原子を含む置換ヒドロカルビル基で置換された置換ホス
フォニウム基等のいづれかである。B、C、M、Hはそ
れぞれホウ素、炭素、遷移金属及び水素である。X
10 、X11 及びX12はハイドライド基、ハライド基、通
常1〜20個の炭素原子を有するヒドロカルビル基、1個
以上の水素原子がハロゲン原子によって置換された、通
常1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビル基、有機メ
タロイドの有機部分の各ヒドロカルビル置換基が通常1
〜20個の炭素原子を含み、金属が周期律標の表IV−A族
から選ばれる有機メタロイド基等から成る群から個別に
選択される基である。e及びgは0以上の同じか異なる
整数である。hは2以上の整数であり、e+g+hは通
常4から8までの偶数の整数である。fは通常6から12
までの整数である。nは2h−n=iとなるような整数
で、iは1以上の整数である。
【0034】ボレートの第4例は、一般式: [L3]+[BR13R14X5X6]- (一般式4) で表される。式中L3はカルボカチオン、メチルカチオ
ン、エチルカチオン、プロピルカチオン、イソプロピル
カチオン、ブチルカチオン、イソブチルカチオン、tert
-ブチルカチオン、ペンチルカチオン、トロピニウムカ
チオン、ベンジルカチオン、トリチルカチオン等が挙げ
られる。R6、R7、X5及びX6は一般式1のものと同じ
である。ボレートの第5例は、一般式: [R2M]+[BR13R14X5X6]- (一般式5) で表される。式中Rはシクロペンタジエニル基、置換シ
クロペンタジエニル基、インデニル基及び置換インデニ
ル基である。MはCr,Mn,Fe,Co,Ni等の遷
移金属である。ボレートの第6例は、一般式: [L3]+[(CX7 )a (BX8 )b X9 c ]d- (一般式6) で表される。式中L3は一般式4のものと同じである。
またC、X7、X8、X9、a,b,c及びdは一般式2
のものと同じである。ボレートの第7例は、一般式: [R2M]+[(CX7 )a (BX8 )b X9 c ]d- (一般式7) で表される。式中R,Mは一般式5のものと同じであ
る。またC、X7、X8、X9、a,b,c及びdは一般
式2のものと同じである。ボレートの第8例は、一般
式: [L3]+〔[〈(CX10 )e (BX11 )f (X12)g 〉h-]2 Mn+〕i- (一般式8) で表される。式中L3は一般式4のものと同じである。ま
たC、X10、X11、X12、M、n,e,f,g,h及び
iは一般式3のものと同じである。ボレートの第9例
は、一般式: [R2M]+〔[〈(CX10 )e (BX11 )f (X12)g 〉h-]2 Mn+〕i- (一般式9) で表される。式中R,Mは一般式5のものと同じであ
る。またC、X10、X11、X12、M、n,e,f,g,
h及びiは一般式3のものと同じである。
ン、エチルカチオン、プロピルカチオン、イソプロピル
カチオン、ブチルカチオン、イソブチルカチオン、tert
-ブチルカチオン、ペンチルカチオン、トロピニウムカ
チオン、ベンジルカチオン、トリチルカチオン等が挙げ
られる。R6、R7、X5及びX6は一般式1のものと同じ
である。ボレートの第5例は、一般式: [R2M]+[BR13R14X5X6]- (一般式5) で表される。式中Rはシクロペンタジエニル基、置換シ
クロペンタジエニル基、インデニル基及び置換インデニ
ル基である。MはCr,Mn,Fe,Co,Ni等の遷
移金属である。ボレートの第6例は、一般式: [L3]+[(CX7 )a (BX8 )b X9 c ]d- (一般式6) で表される。式中L3は一般式4のものと同じである。
またC、X7、X8、X9、a,b,c及びdは一般式2
のものと同じである。ボレートの第7例は、一般式: [R2M]+[(CX7 )a (BX8 )b X9 c ]d- (一般式7) で表される。式中R,Mは一般式5のものと同じであ
る。またC、X7、X8、X9、a,b,c及びdは一般
式2のものと同じである。ボレートの第8例は、一般
式: [L3]+〔[〈(CX10 )e (BX11 )f (X12)g 〉h-]2 Mn+〕i- (一般式8) で表される。式中L3は一般式4のものと同じである。ま
たC、X10、X11、X12、M、n,e,f,g,h及び
iは一般式3のものと同じである。ボレートの第9例
は、一般式: [R2M]+〔[〈(CX10 )e (BX11 )f (X12)g 〉h-]2 Mn+〕i- (一般式9) で表される。式中R,Mは一般式5のものと同じであ
る。またC、X10、X11、X12、M、n,e,f,g,
h及びiは一般式3のものと同じである。
【0035】以下にボレートの具体例を例示する。一般
式(1)のボレートの具体例を摘記すると、トリブチル
アンモニウムテトラ(p-トリル)ボレート,トリブチル
アンモニウムテトラ(m-トリル)ボレート,トリブチル
アンモニウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,
トリブチルアンモニウムテトラ(p-フルオロフェニル)
ボレート,トリブチルアンモニウムテトラ(m-フルオロ
フェニル)ボレート,トリブチルアンモニウムテトラ
(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,ジメチルアニリ
ニウムテトラ(o-トリル)ボレート,ジメチルアニリニ
ウムテトラ(p-トリル)ボレート,ジメチルアニリニウ
ムテトラ(m-トリル)ボレート,ジメチルアニリニウム
テトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,ジメチルアニ
リニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレート,ジメ
チルアニリニウムテトラ(m-フルオロフェニル)ボレー
ト,ジメチルアニリニウムテトラ(3,5-ジフルオロフェ
ニル)ボレート,ジメチルアニリニウムテトラ(ペンタ
フルオロフェニル)ボレートトリフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレート,トリフェニルホスホニウムテ
トラ(o-トリル)ボレート,トリフェニルホスホニウム
テトラ(p-トリル)ボレート,トリフェニルホスホニウ
ムテトラ(m-トリル)ボレート,トリフェニルホスホニ
ウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トリフェ
ニルホスホニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレー
ト,トリフェニルホスホニウムテトラ(m-フルオロフェ
ニル)ボレート,トリフェニルホスホニウムテトラ(3,
5-ジフルオロフェニル)ボレート,トリフェニルホスホ
ニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートを例
示することができる。さらにトリエチルアンモニウムテ
トラ(o−フルオロフェニル)ボレート、トリエチルア
ンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト、トリエチルアンモニウムテトラ(フェニル)ボレー
ト、トリプロピルアンモニウムテトラフェニルボレー
ト、トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラフェニルボ
レート、トリメチルアンモニウムテトラ(p−トリル)
ボレート、トリメチルアンモニウムテトラ(o−トリ
ル)ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラ(o,
p−ジメチルフェニル)ボレート、トリブチルアンモニ
ウムテトラ(p−トリフルオロメチルフェニル)ボレー
ト、トリブチルアンモニウムテトラ(ペンタフルオロフ
ェニル)ボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウムテ
トラ(o−トリル)ボレートなどのトリアルキル置換ア
ンモニウム塩、N,N−ジメチルアニリニウムテトラ
(フェニル)ボレート、N,N−ジエチルアニリニウム
テトラ(フェニル)ボレート、N,N−2,4,6−ペ
ンタメチルアニリニウムテトラ(フェニル)ボレートな
どのN,N−ジアルキルアニリニウム塩、ジ(1−プロ
ピル)アンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)
ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラフェニ
ルボレートなどのジアルキルアンモニウム塩を例示する
ことができる。これらの中でもトリブチルアンモニウム
テトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トリブチルア
ンモニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレート,ト
リブチルアンモニウムテトラ(m-フルオロフェニル)ボ
レート,トリブチルアンモニウムテトラ(3,5-ジフルオ
ロフェニル)ボレート,トリブチルアンモニウムテトラ
(ペンタフルオロフェニル)ボレート,ジメチルアニリ
ニウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,ジメチ
ルアニリニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレー
ト,ジメチルアニリニウムテトラ(m-フルオロフェニ
ル)ボレート,ジメチルアニリニウムテトラ(3,5-ジフ
ルオロフェニル)ボレート,ジメチルアニリニウムテト
ラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートが好ましく、ト
リブチルアンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニ
ル)ボレート,ジメチルアニリニウムテトラ(ペンタフ
ルオロフェニル)ボレートが特に好ましい。
式(1)のボレートの具体例を摘記すると、トリブチル
アンモニウムテトラ(p-トリル)ボレート,トリブチル
アンモニウムテトラ(m-トリル)ボレート,トリブチル
アンモニウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,
トリブチルアンモニウムテトラ(p-フルオロフェニル)
ボレート,トリブチルアンモニウムテトラ(m-フルオロ
フェニル)ボレート,トリブチルアンモニウムテトラ
(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,ジメチルアニリ
ニウムテトラ(o-トリル)ボレート,ジメチルアニリニ
ウムテトラ(p-トリル)ボレート,ジメチルアニリニウ
ムテトラ(m-トリル)ボレート,ジメチルアニリニウム
テトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,ジメチルアニ
リニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレート,ジメ
チルアニリニウムテトラ(m-フルオロフェニル)ボレー
ト,ジメチルアニリニウムテトラ(3,5-ジフルオロフェ
ニル)ボレート,ジメチルアニリニウムテトラ(ペンタ
フルオロフェニル)ボレートトリフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレート,トリフェニルホスホニウムテ
トラ(o-トリル)ボレート,トリフェニルホスホニウム
テトラ(p-トリル)ボレート,トリフェニルホスホニウ
ムテトラ(m-トリル)ボレート,トリフェニルホスホニ
ウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トリフェ
ニルホスホニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレー
ト,トリフェニルホスホニウムテトラ(m-フルオロフェ
ニル)ボレート,トリフェニルホスホニウムテトラ(3,
5-ジフルオロフェニル)ボレート,トリフェニルホスホ
ニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートを例
示することができる。さらにトリエチルアンモニウムテ
トラ(o−フルオロフェニル)ボレート、トリエチルア
ンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト、トリエチルアンモニウムテトラ(フェニル)ボレー
ト、トリプロピルアンモニウムテトラフェニルボレー
ト、トリ(n−ブチル)アンモニウムテトラフェニルボ
レート、トリメチルアンモニウムテトラ(p−トリル)
ボレート、トリメチルアンモニウムテトラ(o−トリ
ル)ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラ(o,
p−ジメチルフェニル)ボレート、トリブチルアンモニ
ウムテトラ(p−トリフルオロメチルフェニル)ボレー
ト、トリブチルアンモニウムテトラ(ペンタフルオロフ
ェニル)ボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウムテ
トラ(o−トリル)ボレートなどのトリアルキル置換ア
ンモニウム塩、N,N−ジメチルアニリニウムテトラ
(フェニル)ボレート、N,N−ジエチルアニリニウム
テトラ(フェニル)ボレート、N,N−2,4,6−ペ
ンタメチルアニリニウムテトラ(フェニル)ボレートな
どのN,N−ジアルキルアニリニウム塩、ジ(1−プロ
ピル)アンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)
ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラフェニ
ルボレートなどのジアルキルアンモニウム塩を例示する
ことができる。これらの中でもトリブチルアンモニウム
テトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トリブチルア
ンモニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレート,ト
リブチルアンモニウムテトラ(m-フルオロフェニル)ボ
レート,トリブチルアンモニウムテトラ(3,5-ジフルオ
ロフェニル)ボレート,トリブチルアンモニウムテトラ
(ペンタフルオロフェニル)ボレート,ジメチルアニリ
ニウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,ジメチ
ルアニリニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレー
ト,ジメチルアニリニウムテトラ(m-フルオロフェニ
ル)ボレート,ジメチルアニリニウムテトラ(3,5-ジフ
ルオロフェニル)ボレート,ジメチルアニリニウムテト
ラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートが好ましく、ト
リブチルアンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニ
ル)ボレート,ジメチルアニリニウムテトラ(ペンタフ
ルオロフェニル)ボレートが特に好ましい。
【0036】一般式(2)のボレートの具体例を摘記す
ると、トリブチルアンモニウム-1-カルバウンデカボレ
ート,トリブチルアンモニウム-1-カルバデカボレー
ト,トリブチルアンモニウム-6-カルバウンデカボレー
ト,トリブチルアンモニウム-7-カルバウンデカボレー
ト,トリブチルアンモニウム-7,8-ジカルバウンデカボ
レート,トリブチルアンモニウム-2,9-ジカルバウンデ
カボレート,メチルアンモニウム1−カルバドデカボレ
ート、エチルアンモニウム1−カルバドデカボレート、
プロピルアンモニウム1−カルバドデカボレート、イソ
プロピルアンモニウム1−カルバドデカボレート、(n
−ブチル)アンモニウム1−カルバドデカボレート、ア
ニリニウム1−カルバドデカボレート、(p−トリル)
アンモニウム1−カルバドデカボレートなどのモノヒド
ロカルビル置換アンモニウム塩、ジメチルアニリニウム
-1-カルバウンデカボレート,ジメチルアニリニウム-1-
カルバドデカボレート,ジメチルアニリニウム-1-カル
バデカボレート,ジメチルアニリニウム-6-カルバウン
デカボレート,ジメチルアニリニウム-7-カルバウンデ
カボレート,ジメチルアニリニウム-7,8-ジカルバウン
デカボレート,ジメチルアニリニウム-2,9-ジカルバウ
ンデカボレート,ジメチルアンモニウム1−カルバドデ
カボレート、ジエチルアンモニウム1−カルバドデカボ
レート、ジプロピルアンモニウム1−カルバドデカボレ
ート、ジイソプロピルアンモニウム1−カルバドデカボ
レート、ジ(n−ブチル)アンモニウム1−カルバドデ
カボレート、ジフェニルアンモニウム1−カルバドデカ
ボレート、ジ(p−トリル)アンモニウム1−カルバド
デカボレートなどのジヒドロカルビル置換アンモニウム
塩、トリメチルアンモニウム1−カルバドデカボレー
ト、トリエチルアンモニウム1−カルバドデカボレー
ト、トリプロピルアンモニウム1−カルバドデカボレー
ト、トリ(n−ブチル)アンモニウム1−カルバドデカ
ボレート、トリフェニルアンモニウム1−カルバドデカ
ボレート、トリ(p−トリル)アンモニウム1−カルバ
ドデカボレート、N,N−ジメチルアニリニウム1−カ
ルバドデカボレート、N,N−ジエチルアニリニウム1
−カルバドデカボレートなどのトリヒドロカルビル−置
換アンモニウム塩を例示することができる。
ると、トリブチルアンモニウム-1-カルバウンデカボレ
ート,トリブチルアンモニウム-1-カルバデカボレー
ト,トリブチルアンモニウム-6-カルバウンデカボレー
ト,トリブチルアンモニウム-7-カルバウンデカボレー
ト,トリブチルアンモニウム-7,8-ジカルバウンデカボ
レート,トリブチルアンモニウム-2,9-ジカルバウンデ
カボレート,メチルアンモニウム1−カルバドデカボレ
ート、エチルアンモニウム1−カルバドデカボレート、
プロピルアンモニウム1−カルバドデカボレート、イソ
プロピルアンモニウム1−カルバドデカボレート、(n
−ブチル)アンモニウム1−カルバドデカボレート、ア
ニリニウム1−カルバドデカボレート、(p−トリル)
アンモニウム1−カルバドデカボレートなどのモノヒド
ロカルビル置換アンモニウム塩、ジメチルアニリニウム
-1-カルバウンデカボレート,ジメチルアニリニウム-1-
カルバドデカボレート,ジメチルアニリニウム-1-カル
バデカボレート,ジメチルアニリニウム-6-カルバウン
デカボレート,ジメチルアニリニウム-7-カルバウンデ
カボレート,ジメチルアニリニウム-7,8-ジカルバウン
デカボレート,ジメチルアニリニウム-2,9-ジカルバウ
ンデカボレート,ジメチルアンモニウム1−カルバドデ
カボレート、ジエチルアンモニウム1−カルバドデカボ
レート、ジプロピルアンモニウム1−カルバドデカボレ
ート、ジイソプロピルアンモニウム1−カルバドデカボ
レート、ジ(n−ブチル)アンモニウム1−カルバドデ
カボレート、ジフェニルアンモニウム1−カルバドデカ
ボレート、ジ(p−トリル)アンモニウム1−カルバド
デカボレートなどのジヒドロカルビル置換アンモニウム
塩、トリメチルアンモニウム1−カルバドデカボレー
ト、トリエチルアンモニウム1−カルバドデカボレー
ト、トリプロピルアンモニウム1−カルバドデカボレー
ト、トリ(n−ブチル)アンモニウム1−カルバドデカ
ボレート、トリフェニルアンモニウム1−カルバドデカ
ボレート、トリ(p−トリル)アンモニウム1−カルバ
ドデカボレート、N,N−ジメチルアニリニウム1−カ
ルバドデカボレート、N,N−ジエチルアニリニウム1
−カルバドデカボレートなどのトリヒドロカルビル−置
換アンモニウム塩を例示することができる。
【0037】一般式(3)のボレートの具体例を摘記す
ると、トリブチルアンモニウムビス(ノナヒドリド-1,3
-ジカルバウナボレート)コバルテート(III),トリブ
チルアンモニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカル
バウンデカボレート)フェレート(III),トリブチル
アンモニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウ
ンデカボレート)コバルテート(III),トリブチルア
ンモニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウン
デカボレート)ニッケレート(III),トリブチルアン
モニウムビス(ドデカヒドリドジカルバドデカボレー
ト)コバルテート(III),トリブチルアンモニウムビ
ス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ク
ロメート(III),トリブチルアンモニウムビス(ウン
デカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)マンガネー
ト(IV),トリブチルアンモニウムビス(ウンデカヒド
リド-7-カルバウンデカボレート)コバルテート(II
I),トリブチルアンモニウムビス(ウンデカヒドリド-
7-カルバウンデカボレート)ニッケレート(IV)、ジメ
チルアニリニウムビス(ノナヒドリド-1,3-ジカルバウ
ナボレート)コバルテート(III),ジメチルアニリニ
ウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボ
レート)フェレート(III),ジメチルアニリニウムビ
ス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレー
ト)コバルテート(III),ジメチルアニリニウムビス
(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)
ニッケレート(III),ジメチルアニリニウムビス(ド
デカヒドリドジカルバドデカボレート)コバルテート
(III),ジメチルアニリニウムビス(ウンデカヒドリ
ド-7-カルバウンデカボレート)クロメート(III),ジ
メチルアニリニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバ
ウンデカボレート)マンガネート(IV),ジメチルアニ
リニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)コバルテート(III),ジメチルアニリニウム
ビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)
ニッケレート(IV)、トリフェニルホスホニウムビス
(ノナヒドリド-1,3-ジカルバウナボレート)コバルテ
ート(III),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデ
カヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)フェレー
ト(III),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデカ
ヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コバルテー
ト(III),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデカ
ヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッケレー
ト(III),トリフェニルホスホニウムビス(ドデカヒ
ドリドジカルバドデカボレート)コバルテート(II
I),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリ
ド-7-カルバウンデカボレート)クロメート(III),ト
リフェニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カ
ルバウンデカボレート)マンガネート(IV),トリフェ
ニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウ
ンデカボレート)コバルテート(III),トリフェニル
ホスホニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデ
カボレート)ニッケレート(IV)が挙げられる。
ると、トリブチルアンモニウムビス(ノナヒドリド-1,3
-ジカルバウナボレート)コバルテート(III),トリブ
チルアンモニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカル
バウンデカボレート)フェレート(III),トリブチル
アンモニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウ
ンデカボレート)コバルテート(III),トリブチルア
ンモニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウン
デカボレート)ニッケレート(III),トリブチルアン
モニウムビス(ドデカヒドリドジカルバドデカボレー
ト)コバルテート(III),トリブチルアンモニウムビ
ス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ク
ロメート(III),トリブチルアンモニウムビス(ウン
デカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)マンガネー
ト(IV),トリブチルアンモニウムビス(ウンデカヒド
リド-7-カルバウンデカボレート)コバルテート(II
I),トリブチルアンモニウムビス(ウンデカヒドリド-
7-カルバウンデカボレート)ニッケレート(IV)、ジメ
チルアニリニウムビス(ノナヒドリド-1,3-ジカルバウ
ナボレート)コバルテート(III),ジメチルアニリニ
ウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボ
レート)フェレート(III),ジメチルアニリニウムビ
ス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレー
ト)コバルテート(III),ジメチルアニリニウムビス
(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)
ニッケレート(III),ジメチルアニリニウムビス(ド
デカヒドリドジカルバドデカボレート)コバルテート
(III),ジメチルアニリニウムビス(ウンデカヒドリ
ド-7-カルバウンデカボレート)クロメート(III),ジ
メチルアニリニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバ
ウンデカボレート)マンガネート(IV),ジメチルアニ
リニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)コバルテート(III),ジメチルアニリニウム
ビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)
ニッケレート(IV)、トリフェニルホスホニウムビス
(ノナヒドリド-1,3-ジカルバウナボレート)コバルテ
ート(III),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデ
カヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)フェレー
ト(III),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデカ
ヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コバルテー
ト(III),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデカ
ヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッケレー
ト(III),トリフェニルホスホニウムビス(ドデカヒ
ドリドジカルバドデカボレート)コバルテート(II
I),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリ
ド-7-カルバウンデカボレート)クロメート(III),ト
リフェニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カ
ルバウンデカボレート)マンガネート(IV),トリフェ
ニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウ
ンデカボレート)コバルテート(III),トリフェニル
ホスホニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデ
カボレート)ニッケレート(IV)が挙げられる。
【0038】一般式(4)のボレートの具体例を摘記す
ると、トリチルテトラフェニルボレート,トリチルテト
ラ(o-トリル)ボレート,トリチルテトラ(p-トリル)
ボレート,トリチルテトラ(m-トリル)ボレート,トリ
チルテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トリチル
テトラ(p-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテト
ラ(m-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ
(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トロピニウムテ
トラフェニルボレート,トロピニウムテトラ(o-トリ
ル)ボレート,トロピニウムテトラ(p-トリル)ボレー
ト,トロピニウムテトラ(m-トリル)ボレート,トロピ
ニウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トロピ
ニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレート,トロピ
ニウムテトラ(m-フルオロフェニル)ボレート,トロピ
ニウムテトラ(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,ト
ロピニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート
を例示することができる。これらの中でもトリチルテト
ラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ
(p-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ(m-
フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ(3,5-ジ
フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ(ペンタ
フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ(o-
フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ(p-
フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ(m-
フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ(3,
5-ジフルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ
(ペンタフルオロフェニル)ボレートが好ましい。更に
好ましくは、トリチルテトラ(ペンタフルオロフェニ
ル)ボレート,トロピニウムテトラ(ペンタフルオロフ
ェニル)ボレートが挙げられる。
ると、トリチルテトラフェニルボレート,トリチルテト
ラ(o-トリル)ボレート,トリチルテトラ(p-トリル)
ボレート,トリチルテトラ(m-トリル)ボレート,トリ
チルテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トリチル
テトラ(p-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテト
ラ(m-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ
(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トロピニウムテ
トラフェニルボレート,トロピニウムテトラ(o-トリ
ル)ボレート,トロピニウムテトラ(p-トリル)ボレー
ト,トロピニウムテトラ(m-トリル)ボレート,トロピ
ニウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トロピ
ニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレート,トロピ
ニウムテトラ(m-フルオロフェニル)ボレート,トロピ
ニウムテトラ(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,ト
ロピニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート
を例示することができる。これらの中でもトリチルテト
ラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ
(p-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ(m-
フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ(3,5-ジ
フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ(ペンタ
フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ(o-
フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ(p-
フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ(m-
フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ(3,
5-ジフルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテトラ
(ペンタフルオロフェニル)ボレートが好ましい。更に
好ましくは、トリチルテトラ(ペンタフルオロフェニ
ル)ボレート,トロピニウムテトラ(ペンタフルオロフ
ェニル)ボレートが挙げられる。
【0039】一般式(5)のボレートの具体例を摘記す
ると、フェロセニウムテトラフェニルボレート,フェロ
セニウムテトラ(o-トリル)ボレート,フェロセニウム
テトラ(p-トリル)ボレート,フェロセニウムテトラ
(m-トリル)ボレート,フェロセニウムテトラ(o-フル
オロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(p-フ
ルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(m-
フルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ
(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,フェロセニウム
テトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートを例示する
ことができる。この中でもフェロセニウムテトラ(o-フ
ルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(p-
フルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ
(m-フルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテト
ラ(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,フェロセニウ
ムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートが好まし
い。更に好ましくはフェロセニウムテトラ(ペンタフル
オロフェニル)ボレートが挙げられる。
ると、フェロセニウムテトラフェニルボレート,フェロ
セニウムテトラ(o-トリル)ボレート,フェロセニウム
テトラ(p-トリル)ボレート,フェロセニウムテトラ
(m-トリル)ボレート,フェロセニウムテトラ(o-フル
オロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(p-フ
ルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(m-
フルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ
(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,フェロセニウム
テトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートを例示する
ことができる。この中でもフェロセニウムテトラ(o-フ
ルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(p-
フルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ
(m-フルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテト
ラ(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,フェロセニウ
ムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートが好まし
い。更に好ましくはフェロセニウムテトラ(ペンタフル
オロフェニル)ボレートが挙げられる。
【0040】一般式(6)のボレートの具体例を摘記す
ると、トリチル-1-カルバウンデカボレート,トリチル-
1-カルバドデカボレート,トリチル-1-カルバデカボレ
ート,トリチル-6-カルバウンデカボレート,トリチル-
7-カルバウンデカボレート,トリチル-7,8-ジカルバウ
ンデカボレート,トリチル-2,9-ジカルバウンデカボレ
ート,トロピニウム-1-カルバウンデカボレート,トロ
ピニウム-1-カルバドデカボレート,トロピニウム-1-カ
ルバデカボレート,トロピニウム-6-カルバウンデカボ
レート,トロピニウム-7-カルバウンデカボレート,ト
ロピニウム-7,8-ジカルバウンデカボレート,トロピニ
ウム-2,9-ジカルバウンデカボレートが例示される。一
般式(7)のボレートの具体例を摘記すると、フェロセ
ニウム-1-カルバウンデカボレート,フェロセニウム-1-
カルバドデカボレート,フェロセニウム-1-カルバデカ
ボレート,フェロセニウム-6-カルバウンデカボレー
ト,フェロセニウム-7-カルバウンデカボレート,フェ
ロセニウム-7,8-ジカルバウンデカボレート,フェロセ
ニウム-2,9-ジカルバウンデカボレート等が例示され
る。一般式(8)のボレートの具体例を摘記すると、ト
リチルビス(ノナヒドリド-1,3-ジカルバウナボレー
ト)コバルテート(III),トリチルビス(ウンデカヒ
ドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)フェレート(I
II),トリチルビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバ
ウンデカボレート)コバルテート(III),トリチルビ
ス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレー
ト)ニッケレート(III),トリチルビス(ドデカヒド
リドジカルバドデカボレート)コバルテート(III),
トリチルビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)クロメート(III),トリチルビス(ウンデカ
ヒドリド-7-カルバウンデカボレート)マンガネート(I
V),トリチルビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデ
カボレート)コバルテート(III),トリチルビス(ウ
ンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ニッケレ
ート(IV)、トロピニウムビス(ノナヒドリド-1,3-ジ
カルバウナボレート)コバルテート(III),トロピニ
ウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボ
レート)フェレート(III),トロピニウムビス(ウン
デカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コバル
テート(III),トロピニウムビス(ウンデカヒドリド-
7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッケレート(II
I),トロピニウムビス(ドデカヒドリドジカルバドデ
カボレート)コバルテート(III),トロピニウムビス
(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)クロ
メート(III),トロピニウムビス(ウンデカヒドリド-
7-カルバウンデカボレート)マンガネート(IV),トロ
ピニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)コバルテート(III),トロピニウムビス(ウ
ンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ニッケレ
ート(IV)等が例示される。一般式(9)のボレートの
具体例を摘記すると、フェロセニウムビス(ノナヒドリ
ド-1,3-ジカルバウナボレート)コバルテート(III),
フェロセニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバ
ウンデカボレート)フェレート(III),フェロセニウ
ムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレ
ート)コバルテート(III),フェロセニウムビス(ウ
ンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッ
ケレート(III),フェロセニウムビス(ドデカヒドリ
ドジカルバドデカボレート)コバルテート(III),フ
ェロセニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデ
カボレート)クロメート(III),フェロセニウムビス
(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)マン
ガネート(IV),フェロセニウムビス(ウンデカヒドリ
ド-7-カルバウンデカボレート)コバルテート(III),
フェロセニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウン
デカボレート)ニッケレート(IV)等が例示される。
ると、トリチル-1-カルバウンデカボレート,トリチル-
1-カルバドデカボレート,トリチル-1-カルバデカボレ
ート,トリチル-6-カルバウンデカボレート,トリチル-
7-カルバウンデカボレート,トリチル-7,8-ジカルバウ
ンデカボレート,トリチル-2,9-ジカルバウンデカボレ
ート,トロピニウム-1-カルバウンデカボレート,トロ
ピニウム-1-カルバドデカボレート,トロピニウム-1-カ
ルバデカボレート,トロピニウム-6-カルバウンデカボ
レート,トロピニウム-7-カルバウンデカボレート,ト
ロピニウム-7,8-ジカルバウンデカボレート,トロピニ
ウム-2,9-ジカルバウンデカボレートが例示される。一
般式(7)のボレートの具体例を摘記すると、フェロセ
ニウム-1-カルバウンデカボレート,フェロセニウム-1-
カルバドデカボレート,フェロセニウム-1-カルバデカ
ボレート,フェロセニウム-6-カルバウンデカボレー
ト,フェロセニウム-7-カルバウンデカボレート,フェ
ロセニウム-7,8-ジカルバウンデカボレート,フェロセ
ニウム-2,9-ジカルバウンデカボレート等が例示され
る。一般式(8)のボレートの具体例を摘記すると、ト
リチルビス(ノナヒドリド-1,3-ジカルバウナボレー
ト)コバルテート(III),トリチルビス(ウンデカヒ
ドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)フェレート(I
II),トリチルビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバ
ウンデカボレート)コバルテート(III),トリチルビ
ス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレー
ト)ニッケレート(III),トリチルビス(ドデカヒド
リドジカルバドデカボレート)コバルテート(III),
トリチルビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)クロメート(III),トリチルビス(ウンデカ
ヒドリド-7-カルバウンデカボレート)マンガネート(I
V),トリチルビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデ
カボレート)コバルテート(III),トリチルビス(ウ
ンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ニッケレ
ート(IV)、トロピニウムビス(ノナヒドリド-1,3-ジ
カルバウナボレート)コバルテート(III),トロピニ
ウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボ
レート)フェレート(III),トロピニウムビス(ウン
デカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コバル
テート(III),トロピニウムビス(ウンデカヒドリド-
7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッケレート(II
I),トロピニウムビス(ドデカヒドリドジカルバドデ
カボレート)コバルテート(III),トロピニウムビス
(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)クロ
メート(III),トロピニウムビス(ウンデカヒドリド-
7-カルバウンデカボレート)マンガネート(IV),トロ
ピニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)コバルテート(III),トロピニウムビス(ウ
ンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ニッケレ
ート(IV)等が例示される。一般式(9)のボレートの
具体例を摘記すると、フェロセニウムビス(ノナヒドリ
ド-1,3-ジカルバウナボレート)コバルテート(III),
フェロセニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバ
ウンデカボレート)フェレート(III),フェロセニウ
ムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレ
ート)コバルテート(III),フェロセニウムビス(ウ
ンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッ
ケレート(III),フェロセニウムビス(ドデカヒドリ
ドジカルバドデカボレート)コバルテート(III),フ
ェロセニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデ
カボレート)クロメート(III),フェロセニウムビス
(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)マン
ガネート(IV),フェロセニウムビス(ウンデカヒドリ
ド-7-カルバウンデカボレート)コバルテート(III),
フェロセニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウン
デカボレート)ニッケレート(IV)等が例示される。
【0041】また、一般式(1)〜(9)以外のボレー
トとして高級水素化ホウ素アニオン錯体、即ち,ジボラ
ンとテトラヒドロボレートから生成する化合物が挙げら
れる。これらの具体的な例として,トリブチルアンモニ
ウムノナボレート,トリブチルアンモニウムデカボレー
ト,トリブチルアンモニウムウンデカボレート,トリブ
チルアンモニウムドデカボレート,ジメチルアニリニウ
ムノナボレート,ジメチルアニリニウムデカボレート,
ジメチルアニリニウムウンデカボレート,ジメチルアニ
リニウムドデカボレート,トリフェニルホスホニウムノ
ナボレート,トリフェニルホスホニウムデカボレート,
トリフェニルホスホニウムウンデカボレート,トリフェ
ニルホスホニウムドデカボレート,トリチルノナボレー
ト,トリチルデカボレート,トリチルウンデカボレー
ト,トリチルドデカボレート,フェロセニウムノナボレ
ート,フェロセニウムデカボレート,フェロセニウムウ
ンデカボレート,フェロセニウムドデカボレート,トロ
ピニウムノナボレート,トロピニウムデカボレート,ト
ロピニウムウンデカボレート,トロピニウムドデカボレ
ートがあげられる。
トとして高級水素化ホウ素アニオン錯体、即ち,ジボラ
ンとテトラヒドロボレートから生成する化合物が挙げら
れる。これらの具体的な例として,トリブチルアンモニ
ウムノナボレート,トリブチルアンモニウムデカボレー
ト,トリブチルアンモニウムウンデカボレート,トリブ
チルアンモニウムドデカボレート,ジメチルアニリニウ
ムノナボレート,ジメチルアニリニウムデカボレート,
ジメチルアニリニウムウンデカボレート,ジメチルアニ
リニウムドデカボレート,トリフェニルホスホニウムノ
ナボレート,トリフェニルホスホニウムデカボレート,
トリフェニルホスホニウムウンデカボレート,トリフェ
ニルホスホニウムドデカボレート,トリチルノナボレー
ト,トリチルデカボレート,トリチルウンデカボレー
ト,トリチルドデカボレート,フェロセニウムノナボレ
ート,フェロセニウムデカボレート,フェロセニウムウ
ンデカボレート,フェロセニウムドデカボレート,トロ
ピニウムノナボレート,トロピニウムデカボレート,ト
ロピニウムウンデカボレート,トロピニウムドデカボレ
ートがあげられる。
【0042】ボラン化合物の具体例を摘記すると、トリ
フェニルボラン,トリ(o-トリル)ボラン,トリ(p-ト
リル)ボラン,トリ(m-トリル)ボラン,トリ(o-フル
オロフェニル)ボラン,トリ(p-フルオロフェニル)ボ
ラン,トリ(m-フルオロフェニル)ボラン,トリ(3,5-
ジフルオロフェニル)ボラン,トリ(ペンタフルオロフ
ェニル)ボランがあげられる。これらの中でもトリ(o-
フルオロフェニル)ボラン,トリ(p-フルオロフェニ
ル)ボラン,トリ(m-フルオロフェニル)ボラン,トリ
(3,5-ジフルオロフェニル)ボラン,トリ(ペンタフル
オロフェニル)ボランがより好ましく,さらに好ましく
はトリ(ペンタフルオロフェニル)ボランが例示され
る。また、他のボランとしては高級水素化ホウ素錯体、
即ち,ジボランの熱分解により生成する化合物が挙げら
れる。これらの具体的な例として,デカボラン,7,8-ジ
カルバウンデカボラン,2,7-ジカルバウンデカボラン,
ウンデカヒドリド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカ
ボラン,ドデカヒドリド-11-メチル-2,7-ジカルバウン
デカボラン,4-カルバノナボラン,1,3-ジカルバノナボ
ラン,6,9-ジカルバデカボラン,ドデカヒドリド-1-メ
チル-1,3-ジカルバノナボランなどがあげられる。本発
明のオレフィン類重合用触媒は、前述の通り、成分
(1)、成分(2)および成分(3)、ならびに成分
(4)および/または成分(5)、さらに所望により任
意成分(例えば成分(6)等)を相互に接触することに
より得られるが、これらの成分の接触順序は特に限定さ
れない。例えば成分(1)〜成分(4)を接触させて本
発明の触媒を得る場合については、 〈1〉成分(1)、(2)、(3)、(4)および/ま
たは(5)を同時に加える方法。 〈2〉成分(1)、(2)、(3)を同時に接触させ、
次ぎに成分(4)および/または(5)を接触させる方
法。(以下同時に接触させる場合を{}で、順次接触さ
せる場合を→で表す。〈2〉の場合は{(1)(2)
(3)}→(4)および/または(5)と記す) 〈3〉 {(1)(2)(4)および/または(5)}→
(3) 〈4〉 {(1)(3)(4)および/または(5)}→
(2) 〈5〉 {(2)(3)(4)および/または(5)}→
(1) 〈6〉 {(1)(2)}→{(3)(4)および/また
は(5)} 〈7〉 {(1)(3)}→{(2)(4)および/また
は(5)} 〈8〉 {(1)(4)および/または(5)}→
{(2)(3)} 〈9〉 {(1)(2)}→(3)→(4)および/また
は(5) 〈10〉{(1)(2)}→(4)および/または(5)
→(3) 〈11〉{(1)(3)}→(2)→(4)および/また
は(5) 〈12〉{(1)(3)}→(4)および/または(5)
→(2) 〈13〉{(1)(4)および/または(5)}→(2)
→(3) 〈14〉{(1)(4)および/または(5)}→(3)
→(2) 〈15〉{(2)(3)}→(1)→(4)および/また
は(5) 〈16〉{(2)(3)}→(4)および/または(5)
→(1) 〈17〉{(2)(4)および/または(5)}→(1)
→(3) 〈18〉{(2)(4)および/または(5)}→(3)
→(1) 〈19〉{(3)(4)および/または(5)}→(1)
→(2) 〈20〉{(3)(4)および/または(5)}→(2)
→(1) 〈21〉(3)→((1)(2)}→(4)および/また
は(5) 〈22〉(4)および/または(5)→((1)(2)}
→(3) 〈23〉(2)→((1)(3)}→(4)および/また
は(5) 〈24〉(4)および/または(5)→((1)(3)}
→(2) 〈25〉(2)→{(1)(4)および/または(5)}
→(3) 〈26〉(3)→{(1)(4)および/または(5)}
→(2) 〈27〉(1)→{(2)(3)}→(4)および/また
は(5) 〈29〉(4)および/または(5)→{(2)(3)}
→(1) 〈30〉(1)→{(2)(4)および/または(5)}
→(3) 〈31〉(3)→{(2)(4)および/または(5)}
→(1) 〈32〉(1)→{(3)(4)および/または(5)}
→(2) 〈33〉(2)→{(3)(4)および/または(5)}
→(1) などの接触順序が挙げられる。これらの接触順序の中
で、〈1〉〈2〉〈5〉〈7〉〈11〉〈15〉〈23〉〈27〉が
好ましく用いられる。4成分の接触方法も任意である
が、通常は窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、
成分(1)、成分(2)、成分(3)、及び成分(4)
および/または(5)をヘプタン、ヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンなどの不活性炭化水素溶媒の存
在下、通常−100℃〜200℃、好ましくは−50℃
〜150℃の温度にて、5分〜250時間、好ましくは
30分〜24時間接触させる方法が採用できる。不活性
炭化水素溶媒中にて各成分を接触させる場合、生成触媒
は、全接触反応終了後、溶液状態にてそのまま重合に供
してもよいし、また、もし可能であれば、析出、乾燥な
どの手段により、固体触媒成分として一旦取り出した
後、重合に用いてもよい。もちろん、各成分の接触反応
は複数回行ってもよい。また、成分(1)〜成分(3)
および成分(6)ならびに成分(4)および/または成
分(5)を接触させて本発明の触媒を得る場合について
は、例えば 〈34〉上記〈1〉〜〈33〉の接触順序で成分(1)〜
(4)および/または成分(5)の反応生成物を作り、
それを成分(6)と接触反応させる方法。({(1)
(2)(3)(4)および/または(5)}→(6)と
記す) 〈35〉(6)→(4)および/または(5)→{(1)
(2)(3)} 〈36〉(6)→(4)および/または(5)→{(1)
(2)}→(3) 〈37〉(6)→(4)および/または(5)→{(1)
(3)}→(2) 〈38〉(6)→(4)および/または(5)→{(2)
(3)}→(1) 〈39〉(6)→(4)および/または(5)→(3)→
{(1)(2)} 〈40〉(6)→(4)および/または(5)→(2)→
{(1)(3)} 〈41〉(6)→(4)および/または(5)→(1)→
{(2)(3)} 〈42〉(6)→(4)および/または(5)→(1)→
(2)→(3) 〈43〉(6)→(4)および/または(5)→(1)→
(3)→(2) 〈44〉(6)→(4)および/または(5)→(2)→
(3)→(1) 〈45〉(6)→(4)および/または(5)→(2)→
(1)→(3) 〈46〉(6)→(4)および/または(5)→(3)→
(1)→(2) 〈47〉(6)→(4)および/または(5)→(3)→
(2)→(1) 〈48〉(6)→(1)→{(2)(3)(4)および/
または(5)} 〈49〉(6)→(1)→{(2)(3)}→(4)およ
び/または(5) 〈50〉(6)→(1)→{(2)(4)および/または
(5)}→(3) 〈51〉(6)→(1)→{(3)(4)および/または
(5)}→(2) 〈52〉(6)→(1)→(4)および/または(5)→
{(2)(3)} 〈53〉(6)→(1)→(3)→{(2)(4)および
/または(5)} 〈54〉(6)→(1)→(2)→{(3)(4)および
/または(5)} 〈55〉(6)→(1)→(2)→(3)→(4)および
/または(5) 〈56〉(6)→(1)→(2)→(4)および/または
(5)→(3) 〈57〉(6)→(1)→(3)→(2)→(4)および
/または(5) 〈58〉(6)→(1)→(3)→(4)および/または
(5)→(2) 〈59〉(6)→(1)→(4)および/または(5)→
(2)→(3) 〈60〉(6)→(1)→(4)および/または(5)→
(3)→(2) 〈61〉(6)→(2)→{(1)(3)(4)および/
または(5)} 〈62〉(6)→(3)→{(1)(2)(4)および/
または(5)} これらの接触順序の中で、〈34〉〈35〉〈48〉が好まし
く用いられる。
フェニルボラン,トリ(o-トリル)ボラン,トリ(p-ト
リル)ボラン,トリ(m-トリル)ボラン,トリ(o-フル
オロフェニル)ボラン,トリ(p-フルオロフェニル)ボ
ラン,トリ(m-フルオロフェニル)ボラン,トリ(3,5-
ジフルオロフェニル)ボラン,トリ(ペンタフルオロフ
ェニル)ボランがあげられる。これらの中でもトリ(o-
フルオロフェニル)ボラン,トリ(p-フルオロフェニ
ル)ボラン,トリ(m-フルオロフェニル)ボラン,トリ
(3,5-ジフルオロフェニル)ボラン,トリ(ペンタフル
オロフェニル)ボランがより好ましく,さらに好ましく
はトリ(ペンタフルオロフェニル)ボランが例示され
る。また、他のボランとしては高級水素化ホウ素錯体、
即ち,ジボランの熱分解により生成する化合物が挙げら
れる。これらの具体的な例として,デカボラン,7,8-ジ
カルバウンデカボラン,2,7-ジカルバウンデカボラン,
ウンデカヒドリド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカ
ボラン,ドデカヒドリド-11-メチル-2,7-ジカルバウン
デカボラン,4-カルバノナボラン,1,3-ジカルバノナボ
ラン,6,9-ジカルバデカボラン,ドデカヒドリド-1-メ
チル-1,3-ジカルバノナボランなどがあげられる。本発
明のオレフィン類重合用触媒は、前述の通り、成分
(1)、成分(2)および成分(3)、ならびに成分
(4)および/または成分(5)、さらに所望により任
意成分(例えば成分(6)等)を相互に接触することに
より得られるが、これらの成分の接触順序は特に限定さ
れない。例えば成分(1)〜成分(4)を接触させて本
発明の触媒を得る場合については、 〈1〉成分(1)、(2)、(3)、(4)および/ま
たは(5)を同時に加える方法。 〈2〉成分(1)、(2)、(3)を同時に接触させ、
次ぎに成分(4)および/または(5)を接触させる方
法。(以下同時に接触させる場合を{}で、順次接触さ
せる場合を→で表す。〈2〉の場合は{(1)(2)
(3)}→(4)および/または(5)と記す) 〈3〉 {(1)(2)(4)および/または(5)}→
(3) 〈4〉 {(1)(3)(4)および/または(5)}→
(2) 〈5〉 {(2)(3)(4)および/または(5)}→
(1) 〈6〉 {(1)(2)}→{(3)(4)および/また
は(5)} 〈7〉 {(1)(3)}→{(2)(4)および/また
は(5)} 〈8〉 {(1)(4)および/または(5)}→
{(2)(3)} 〈9〉 {(1)(2)}→(3)→(4)および/また
は(5) 〈10〉{(1)(2)}→(4)および/または(5)
→(3) 〈11〉{(1)(3)}→(2)→(4)および/また
は(5) 〈12〉{(1)(3)}→(4)および/または(5)
→(2) 〈13〉{(1)(4)および/または(5)}→(2)
→(3) 〈14〉{(1)(4)および/または(5)}→(3)
→(2) 〈15〉{(2)(3)}→(1)→(4)および/また
は(5) 〈16〉{(2)(3)}→(4)および/または(5)
→(1) 〈17〉{(2)(4)および/または(5)}→(1)
→(3) 〈18〉{(2)(4)および/または(5)}→(3)
→(1) 〈19〉{(3)(4)および/または(5)}→(1)
→(2) 〈20〉{(3)(4)および/または(5)}→(2)
→(1) 〈21〉(3)→((1)(2)}→(4)および/また
は(5) 〈22〉(4)および/または(5)→((1)(2)}
→(3) 〈23〉(2)→((1)(3)}→(4)および/また
は(5) 〈24〉(4)および/または(5)→((1)(3)}
→(2) 〈25〉(2)→{(1)(4)および/または(5)}
→(3) 〈26〉(3)→{(1)(4)および/または(5)}
→(2) 〈27〉(1)→{(2)(3)}→(4)および/また
は(5) 〈29〉(4)および/または(5)→{(2)(3)}
→(1) 〈30〉(1)→{(2)(4)および/または(5)}
→(3) 〈31〉(3)→{(2)(4)および/または(5)}
→(1) 〈32〉(1)→{(3)(4)および/または(5)}
→(2) 〈33〉(2)→{(3)(4)および/または(5)}
→(1) などの接触順序が挙げられる。これらの接触順序の中
で、〈1〉〈2〉〈5〉〈7〉〈11〉〈15〉〈23〉〈27〉が
好ましく用いられる。4成分の接触方法も任意である
が、通常は窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、
成分(1)、成分(2)、成分(3)、及び成分(4)
および/または(5)をヘプタン、ヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンなどの不活性炭化水素溶媒の存
在下、通常−100℃〜200℃、好ましくは−50℃
〜150℃の温度にて、5分〜250時間、好ましくは
30分〜24時間接触させる方法が採用できる。不活性
炭化水素溶媒中にて各成分を接触させる場合、生成触媒
は、全接触反応終了後、溶液状態にてそのまま重合に供
してもよいし、また、もし可能であれば、析出、乾燥な
どの手段により、固体触媒成分として一旦取り出した
後、重合に用いてもよい。もちろん、各成分の接触反応
は複数回行ってもよい。また、成分(1)〜成分(3)
および成分(6)ならびに成分(4)および/または成
分(5)を接触させて本発明の触媒を得る場合について
は、例えば 〈34〉上記〈1〉〜〈33〉の接触順序で成分(1)〜
(4)および/または成分(5)の反応生成物を作り、
それを成分(6)と接触反応させる方法。({(1)
(2)(3)(4)および/または(5)}→(6)と
記す) 〈35〉(6)→(4)および/または(5)→{(1)
(2)(3)} 〈36〉(6)→(4)および/または(5)→{(1)
(2)}→(3) 〈37〉(6)→(4)および/または(5)→{(1)
(3)}→(2) 〈38〉(6)→(4)および/または(5)→{(2)
(3)}→(1) 〈39〉(6)→(4)および/または(5)→(3)→
{(1)(2)} 〈40〉(6)→(4)および/または(5)→(2)→
{(1)(3)} 〈41〉(6)→(4)および/または(5)→(1)→
{(2)(3)} 〈42〉(6)→(4)および/または(5)→(1)→
(2)→(3) 〈43〉(6)→(4)および/または(5)→(1)→
(3)→(2) 〈44〉(6)→(4)および/または(5)→(2)→
(3)→(1) 〈45〉(6)→(4)および/または(5)→(2)→
(1)→(3) 〈46〉(6)→(4)および/または(5)→(3)→
(1)→(2) 〈47〉(6)→(4)および/または(5)→(3)→
(2)→(1) 〈48〉(6)→(1)→{(2)(3)(4)および/
または(5)} 〈49〉(6)→(1)→{(2)(3)}→(4)およ
び/または(5) 〈50〉(6)→(1)→{(2)(4)および/または
(5)}→(3) 〈51〉(6)→(1)→{(3)(4)および/または
(5)}→(2) 〈52〉(6)→(1)→(4)および/または(5)→
{(2)(3)} 〈53〉(6)→(1)→(3)→{(2)(4)および
/または(5)} 〈54〉(6)→(1)→(2)→{(3)(4)および
/または(5)} 〈55〉(6)→(1)→(2)→(3)→(4)および
/または(5) 〈56〉(6)→(1)→(2)→(4)および/または
(5)→(3) 〈57〉(6)→(1)→(3)→(2)→(4)および
/または(5) 〈58〉(6)→(1)→(3)→(4)および/または
(5)→(2) 〈59〉(6)→(1)→(4)および/または(5)→
(2)→(3) 〈60〉(6)→(1)→(4)および/または(5)→
(3)→(2) 〈61〉(6)→(2)→{(1)(3)(4)および/
または(5)} 〈62〉(6)→(3)→{(1)(2)(4)および/
または(5)} これらの接触順序の中で、〈34〉〈35〉〈48〉が好まし
く用いられる。
【0043】本発明において成分(1)から(5)、任
意成分である成分(6)を用いる場合の好適な組み合わ
せとして次の組み合わせが挙げられ,これらの成分のう
ちいくつかを用いることにより好適な組み合わせとする
ことができるが,ただし,これらに特に限定されない。
以下に好適な,触媒成分あるいは触媒として供する際
に,1H−NMRにより、メタロセン化合物のシクロペ
ンタジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル
構造の5員環部分の水素のピークが観測されない形態と
する組み合わせを示す。
意成分である成分(6)を用いる場合の好適な組み合わ
せとして次の組み合わせが挙げられ,これらの成分のう
ちいくつかを用いることにより好適な組み合わせとする
ことができるが,ただし,これらに特に限定されない。
以下に好適な,触媒成分あるいは触媒として供する際
に,1H−NMRにより、メタロセン化合物のシクロペ
ンタジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル
構造の5員環部分の水素のピークが観測されない形態と
する組み合わせを示す。
【0044】A.成分(1)のうちテトラメチルジルコ
ニウム,テトラベンジルジルコニウム,テトラネオフィ
ルジルコニウム,テトラフェニルジルコニウムなどのテ
トラアルキルジルコニウム,成分(2)のうちブチルリ
チウム,メチルリチウム,ジブチルマグネシウム,エチ
ルマグネシウム化合物などのアルキルリチウム化合物お
よびアルキルマグネシウム化合物,成分(3)のうちエ
チレンビスインデン,イソプロピリレンビスシクロペン
タジエン,ジフェニルシリレン(1−シクロペンタジエ
ニル)フルオレンなどのシクロペンタジエン誘導体,イ
ンデン誘導体,フルオレン誘導体がアルキレン基または
シリレン基を介して結合した化合物,成分(4)のうち
メチルアルミノキサン,成分(5)のうちトリブチルア
ンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト,N,N−ジメチルアニリニウムテトラ(ペンタフル
オロフェニル)ボレート,N,N−ジエチルアニリニウ
ムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,トリチ
ルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,トロピ
リウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,フ
ェロセニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト,成分(6)のうちシリカ,シリカ・アルミナ,アル
ミナ,ポリエチレンパウダー B.成分(1)のうちテトラメトキシジルコニウム,テ
トラブトキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジル
コニウム,成分(2)のうちトリメチルアルミニウム,
トリエチルアルミニウム,トリイソブチルアルミニウム
などのトリアルキルアルミニウム,成分(3)のうちエ
チレンビスインデン,イソプロピリレンビスシクロペン
タジエン,ジフェニルシリレン(1−シクロペンタジエ
ニル)フルオレンなどのシクロペンタジエン誘導体,イ
ンデン誘導体,フルオレン誘導体がアルキレン基または
シリレン基を介して結合した化合物,成分(4)のうち
メチルアルミノキサン,成分(5)のうちトリブチルア
ンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト,N,N−ジメチルアニリニウムテトラ(ペンタフル
オロフェニル)ボレート,N,N−ジエチルアニリニウ
ムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,トリチ
ルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,トロピ
リウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,フ
ェロセニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト,成分(6)のうちシリカ,シリカ・アルミナ,アル
ミナ,ポリエチレンパウダー C.成分(1)のうちテトラメトキシジルコニウム,テ
トラブトキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジル
コニウム,成分(2)のうちトリメチルアルミニウム,
トリエチルアルミニウム,トリイソブチルアルミニウム
などのトリアルキルアルミニウム,成分(3)のうちイ
ンデン,メチルインデンなどのインデン誘導体;シクロ
ペンタジエン,メチルシクロペンタジエン,ジメチルシ
クロペタジエンなどのシクロペンタジエン誘導体,成分
(4)のうちメチルアルミノキサン,成分(5)のうち
トリブチルアンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニ
ル)ボレート,N,N−ジメチルアニリニウムテトラ
(ペンタフルオロフェニル)ボレート,N,N−ジエチ
ルアニリニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレ
ート,トリチルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレ
ート,トロピリウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)
ボレート,フェロセニウムテトラ(ペンタフルオロフェ
ニル)ボレート,成分(6)のうちシリカ,シリカ・ア
ルミナ,アルミナ,ポリエチレンパウダー D.成分(1)のうちテトラメチルジルコニウム,テト
ラベンジルジルコニウム,テトラネオフィルジルコニウ
ム,テトラフェニルジルコニウム,などのテトラアルキ
ルジルコニウム,成分(2)のうちトリメチルアルミニ
ウム,トリブチルアルミニウム,トリヘキシルアルミニ
ウムなどのトリアルキルアルミニウム,成分(3)のう
ちインデン,メチルインデンなどのインデン誘導体;シ
クロペンタジエン,メチルシクロペンタジエン,ジメチ
ルシクロペタジエンなどのシクロペンタジエン誘導体,
成分(4)のうちメチルアルミノキサン,成分(5)の
うちトリブチルアンモニウムテトラ(ペンタフルオロフ
ェニル)ボレート,N,N−ジメチルアニリニウムテト
ラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,N,N−ジエ
チルアニリニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボ
レート,トリチルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボ
レート,トロピリウムテトラ(ペンタフルオロフェニ
ル)ボレート,フェロセニウムテトラ(ペンタフルオロ
フェニル)ボレート,成分(6)のうちシリカ,シリカ
・アルミナ,アルミナ,ポリエチレンパウダー E.成分(1)のうちテトラメトキシジルコニウム,テ
トラブトキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジル
コニウム,成分(2)のうちジエチルアルミニウムハイ
ドライド,ジイソブチルアルミニウムハイドライドなど
のジアルキルアルミニウムハイドライド,成分(3)の
うちインデン,メチルインデンなどのインデン誘導体;
シクロペンタジエン,メチルシクロペンタジエン,ジメ
チルシクロペタジエンなどのシクロペンタジエン誘導
体,成分(4)のうちメチルアルミノキサン,成分
(5)のうちトリブチルアンモニウムテトラ(ペンタフ
ルオロフェニル)ボレート,N,N−ジメチルアニリニ
ウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,N,
N−ジエチルアニリニウムテトラ(ペンタフルオロフェ
ニル)ボレート,トリチルテトラ(ペンタフルオロフェ
ニル)ボレート,トロピリウムテトラ(ペンタフルオロ
フェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(ペンタフ
ルオロフェニル)ボレート,成分(6)のうちシリカ,
シリカ・アルミナ,アルミナ,ポリエチレンパウダー F.成分(1)のうちテトラメチルジルコニウム,テト
ラベンジルジルコニウム,テトラネオフィルジルコニウ
ム,テトラフェニルジルコニウムなどのテトラアルキル
ジルコニウム,成分(2)のうちトリメチルアルミニウ
ム,トリブチルアルミニウム,トリヘキシルアルミニウ
ムなどのトリアルキルアルミニウム,成分(3)のうち
インデン,メチルインデンなどのインデン誘導体;シク
ロペンタジエン,メチルシクロペンタジエン,ジメチル
シクロペタジエンなどのシクロペンタジエン誘導体,成
分(4)としてメチルアルミノキサン,成分(5)のう
ちトリ(ペンタフルオロフェニルボレート)などのトリ
アリールホウ素化合物, G.成分(1)のうちトリメトキシジルコニウムクロラ
イド,ジブトキシジルコニウムジクロライドなどのアル
コキシクロルジルコニウム,成分(2)のうちトリメチ
ルアルミニウム,トリエチルアルミニウム,トリイソブ
チルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウム,成
分(3)のうちインデン,メチルインデンなどのインデ
ン誘導体;シクロペンタジエン,メチルシクロペンタジ
エン,ジメチルシクロペタジエンなどのシクロペンタジ
エン誘導体,成分(4)のうちメチルアルミノキサン,
成分(5)のうちトリ(ペンタフルオロフェニルボレー
ト)などのトリアリールホウ素化合物,成分(6)のう
ちシリカ,シリカ・アルミナ,アルミナ,ポリエチレン
パウダー H.成分(1)のうちテトラメトキシジルコニウム,テ
トラブトキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジル
コニウム,成分(2)のうちブチルリチウム,メチルリ
チウム,ジブチルマグネシウム,エチルマグネシウム化
合物などのアルキルリチウム化合物およびアルキルマグ
ネシウム化合物,成分(3)のうちインデン,メチルイ
ンデンなどのインデン誘導体;シクロペンタジエン,メ
チルシクロペンタジエン,ジメチルシクロペタジエンな
どのシクロペンタジエン誘導体,成分(4)のうちメチ
ルアルミノキサン,成分(5)のうちトリ(ペンタフル
オロフェニルボレート)などのトリアリールホウ素化合
物,成分(6)のうちシリカ,シリカ・アルミナ,アル
ミナ,ポリエチレンパウダー
ニウム,テトラベンジルジルコニウム,テトラネオフィ
ルジルコニウム,テトラフェニルジルコニウムなどのテ
トラアルキルジルコニウム,成分(2)のうちブチルリ
チウム,メチルリチウム,ジブチルマグネシウム,エチ
ルマグネシウム化合物などのアルキルリチウム化合物お
よびアルキルマグネシウム化合物,成分(3)のうちエ
チレンビスインデン,イソプロピリレンビスシクロペン
タジエン,ジフェニルシリレン(1−シクロペンタジエ
ニル)フルオレンなどのシクロペンタジエン誘導体,イ
ンデン誘導体,フルオレン誘導体がアルキレン基または
シリレン基を介して結合した化合物,成分(4)のうち
メチルアルミノキサン,成分(5)のうちトリブチルア
ンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト,N,N−ジメチルアニリニウムテトラ(ペンタフル
オロフェニル)ボレート,N,N−ジエチルアニリニウ
ムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,トリチ
ルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,トロピ
リウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,フ
ェロセニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト,成分(6)のうちシリカ,シリカ・アルミナ,アル
ミナ,ポリエチレンパウダー B.成分(1)のうちテトラメトキシジルコニウム,テ
トラブトキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジル
コニウム,成分(2)のうちトリメチルアルミニウム,
トリエチルアルミニウム,トリイソブチルアルミニウム
などのトリアルキルアルミニウム,成分(3)のうちエ
チレンビスインデン,イソプロピリレンビスシクロペン
タジエン,ジフェニルシリレン(1−シクロペンタジエ
ニル)フルオレンなどのシクロペンタジエン誘導体,イ
ンデン誘導体,フルオレン誘導体がアルキレン基または
シリレン基を介して結合した化合物,成分(4)のうち
メチルアルミノキサン,成分(5)のうちトリブチルア
ンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト,N,N−ジメチルアニリニウムテトラ(ペンタフル
オロフェニル)ボレート,N,N−ジエチルアニリニウ
ムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,トリチ
ルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,トロピ
リウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,フ
ェロセニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレー
ト,成分(6)のうちシリカ,シリカ・アルミナ,アル
ミナ,ポリエチレンパウダー C.成分(1)のうちテトラメトキシジルコニウム,テ
トラブトキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジル
コニウム,成分(2)のうちトリメチルアルミニウム,
トリエチルアルミニウム,トリイソブチルアルミニウム
などのトリアルキルアルミニウム,成分(3)のうちイ
ンデン,メチルインデンなどのインデン誘導体;シクロ
ペンタジエン,メチルシクロペンタジエン,ジメチルシ
クロペタジエンなどのシクロペンタジエン誘導体,成分
(4)のうちメチルアルミノキサン,成分(5)のうち
トリブチルアンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニ
ル)ボレート,N,N−ジメチルアニリニウムテトラ
(ペンタフルオロフェニル)ボレート,N,N−ジエチ
ルアニリニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレ
ート,トリチルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレ
ート,トロピリウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)
ボレート,フェロセニウムテトラ(ペンタフルオロフェ
ニル)ボレート,成分(6)のうちシリカ,シリカ・ア
ルミナ,アルミナ,ポリエチレンパウダー D.成分(1)のうちテトラメチルジルコニウム,テト
ラベンジルジルコニウム,テトラネオフィルジルコニウ
ム,テトラフェニルジルコニウム,などのテトラアルキ
ルジルコニウム,成分(2)のうちトリメチルアルミニ
ウム,トリブチルアルミニウム,トリヘキシルアルミニ
ウムなどのトリアルキルアルミニウム,成分(3)のう
ちインデン,メチルインデンなどのインデン誘導体;シ
クロペンタジエン,メチルシクロペンタジエン,ジメチ
ルシクロペタジエンなどのシクロペンタジエン誘導体,
成分(4)のうちメチルアルミノキサン,成分(5)の
うちトリブチルアンモニウムテトラ(ペンタフルオロフ
ェニル)ボレート,N,N−ジメチルアニリニウムテト
ラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,N,N−ジエ
チルアニリニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボ
レート,トリチルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボ
レート,トロピリウムテトラ(ペンタフルオロフェニ
ル)ボレート,フェロセニウムテトラ(ペンタフルオロ
フェニル)ボレート,成分(6)のうちシリカ,シリカ
・アルミナ,アルミナ,ポリエチレンパウダー E.成分(1)のうちテトラメトキシジルコニウム,テ
トラブトキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジル
コニウム,成分(2)のうちジエチルアルミニウムハイ
ドライド,ジイソブチルアルミニウムハイドライドなど
のジアルキルアルミニウムハイドライド,成分(3)の
うちインデン,メチルインデンなどのインデン誘導体;
シクロペンタジエン,メチルシクロペンタジエン,ジメ
チルシクロペタジエンなどのシクロペンタジエン誘導
体,成分(4)のうちメチルアルミノキサン,成分
(5)のうちトリブチルアンモニウムテトラ(ペンタフ
ルオロフェニル)ボレート,N,N−ジメチルアニリニ
ウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート,N,
N−ジエチルアニリニウムテトラ(ペンタフルオロフェ
ニル)ボレート,トリチルテトラ(ペンタフルオロフェ
ニル)ボレート,トロピリウムテトラ(ペンタフルオロ
フェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(ペンタフ
ルオロフェニル)ボレート,成分(6)のうちシリカ,
シリカ・アルミナ,アルミナ,ポリエチレンパウダー F.成分(1)のうちテトラメチルジルコニウム,テト
ラベンジルジルコニウム,テトラネオフィルジルコニウ
ム,テトラフェニルジルコニウムなどのテトラアルキル
ジルコニウム,成分(2)のうちトリメチルアルミニウ
ム,トリブチルアルミニウム,トリヘキシルアルミニウ
ムなどのトリアルキルアルミニウム,成分(3)のうち
インデン,メチルインデンなどのインデン誘導体;シク
ロペンタジエン,メチルシクロペンタジエン,ジメチル
シクロペタジエンなどのシクロペンタジエン誘導体,成
分(4)としてメチルアルミノキサン,成分(5)のう
ちトリ(ペンタフルオロフェニルボレート)などのトリ
アリールホウ素化合物, G.成分(1)のうちトリメトキシジルコニウムクロラ
イド,ジブトキシジルコニウムジクロライドなどのアル
コキシクロルジルコニウム,成分(2)のうちトリメチ
ルアルミニウム,トリエチルアルミニウム,トリイソブ
チルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウム,成
分(3)のうちインデン,メチルインデンなどのインデ
ン誘導体;シクロペンタジエン,メチルシクロペンタジ
エン,ジメチルシクロペタジエンなどのシクロペンタジ
エン誘導体,成分(4)のうちメチルアルミノキサン,
成分(5)のうちトリ(ペンタフルオロフェニルボレー
ト)などのトリアリールホウ素化合物,成分(6)のう
ちシリカ,シリカ・アルミナ,アルミナ,ポリエチレン
パウダー H.成分(1)のうちテトラメトキシジルコニウム,テ
トラブトキシジルコニウムなどのテトラアルコキシジル
コニウム,成分(2)のうちブチルリチウム,メチルリ
チウム,ジブチルマグネシウム,エチルマグネシウム化
合物などのアルキルリチウム化合物およびアルキルマグ
ネシウム化合物,成分(3)のうちインデン,メチルイ
ンデンなどのインデン誘導体;シクロペンタジエン,メ
チルシクロペンタジエン,ジメチルシクロペタジエンな
どのシクロペンタジエン誘導体,成分(4)のうちメチ
ルアルミノキサン,成分(5)のうちトリ(ペンタフル
オロフェニルボレート)などのトリアリールホウ素化合
物,成分(6)のうちシリカ,シリカ・アルミナ,アル
ミナ,ポリエチレンパウダー
【0045】本発明の触媒成分または触媒は、触媒成分
または触媒として供する際に,前述のとおり1H−NM
Rにより、金属Me1を中心原子とするメタロセン化合
物のシクロペンタジエニル構造,インデニル構造または
フルオレニル構造の5員環部分の水素のピークが観測さ
れない形態であることを特徴とする。このような触媒成
分または触媒を得る方法は特に限定されないが、例え
ば、好適なものとして以下の方法が挙げられる。 I.成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンなど
の芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分(3)
を加え,0℃から300℃,好ましくは30℃から25
0℃,さらに好ましくは60℃から200℃,特に好ま
しくは100℃を越え170℃で,5分から150時
間,好ましくは10分から50時間,さらに好ましくは
30分から10時間攪拌することにより,メタロセン化
合物のシクロペンタジエニル,あるいはインデニル,あ
るいはフルオレニルなどの5員環部分の水素のピークが
1H−NMRにより観測されない触媒成分を得る。 II.成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンなど
の芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分(3)
を加え,−50℃から200℃,好ましくは0℃から1
50℃,さらに好ましくは20℃から120℃で,5分
から250時間,好ましくは10分から100時間,さ
らに好ましくは30分から50時間攪拌し,成分(4)
を加え,室温で1時間から10000時間,好ましくは
5時間から1000時間,さらに好ましくは12時間か
ら500時間,特に好ましくは50時間を越えから30
0時間、さらに特に好ましくは100時間から300時
間攪拌することにより,メタロセン化合物のシクロペン
タジエニル,あるいはインデニル,あるいはフルオレニ
ルなどの5員環部分の水素のピークが1H−NMRによ
り観測されない触媒を得る。 III .成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンな
どの芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分
(3)を加え,0℃から300℃,好ましくは30℃か
ら250℃,さらに好ましくは60℃から200℃,特
に好ましくは100℃から170℃で,5分から150
時間,好ましくは10分から50時間,さらに好ましく
は30分から10時間攪拌し,成分(4)および/ある
いは成分(5)を加え,室温で1分から10000時
間,好ましくは2分から1000時間,さらに好ましく
は10分から500時間,特に好ましくは50時間越え
300時間、さらに特に好ましくは100時間から30
0時間攪拌することにより,メタロセン化合物のシクロ
ペンタジエニル,あるいはインデニル,あるいはフルオ
レニルなどの5員環部分の水素のピークが1H−NMR
により観測されない触媒を得る。 IV.成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンなど
の芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分(3)
を加え,−50℃から200℃,好ましくは0℃から1
50℃,さらに好ましくは20℃から120℃で,5分
から250時間,好ましくは10分から100時間,さ
らに好ましくは30分から50時間攪拌し,成分(4)
を加え,0℃から300℃,好ましくは30℃から25
0℃,さらに好ましくは60℃から200℃,特に好ま
しくは100℃を越え170℃で,5分から150時
間,好ましくは10分から50時間,さらに好ましくは
30分から10時間攪拌することにより,メタロセン化
合物のシクロペンタジエニル,あるいはインデニル,あ
るいはフルオレニルなどの5員環部分の水素のピークが
1H−NMRにより観測されない触媒を得る。 V.成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンなど
の芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分(3)
を加え,0℃から300℃,好ましくは30℃から25
0℃,さらに好ましくは60℃から200℃,特に好ま
しくは100℃から170℃で,5分から150時間,
好ましくは10分から50時間,さらに好ましくは30
分から10時間攪拌し,成分(4)を加え,0℃から3
00℃,好ましくは30℃から250℃,さらに好まし
くは60℃から200℃,特に好ましくは100℃を越
え170℃で,5分から150時間,好ましくは10分
から50時間,さらに好ましくは30分から10時間攪
拌することにより,メタロセン化合物のシクロペンタジ
エニル,あるいはインデニル,あるいはフルオレニルな
どの5員環部分の水素のピークが1H−NMRにより観
測されない触媒を得る。
または触媒として供する際に,前述のとおり1H−NM
Rにより、金属Me1を中心原子とするメタロセン化合
物のシクロペンタジエニル構造,インデニル構造または
フルオレニル構造の5員環部分の水素のピークが観測さ
れない形態であることを特徴とする。このような触媒成
分または触媒を得る方法は特に限定されないが、例え
ば、好適なものとして以下の方法が挙げられる。 I.成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンなど
の芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分(3)
を加え,0℃から300℃,好ましくは30℃から25
0℃,さらに好ましくは60℃から200℃,特に好ま
しくは100℃を越え170℃で,5分から150時
間,好ましくは10分から50時間,さらに好ましくは
30分から10時間攪拌することにより,メタロセン化
合物のシクロペンタジエニル,あるいはインデニル,あ
るいはフルオレニルなどの5員環部分の水素のピークが
1H−NMRにより観測されない触媒成分を得る。 II.成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンなど
の芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分(3)
を加え,−50℃から200℃,好ましくは0℃から1
50℃,さらに好ましくは20℃から120℃で,5分
から250時間,好ましくは10分から100時間,さ
らに好ましくは30分から50時間攪拌し,成分(4)
を加え,室温で1時間から10000時間,好ましくは
5時間から1000時間,さらに好ましくは12時間か
ら500時間,特に好ましくは50時間を越えから30
0時間、さらに特に好ましくは100時間から300時
間攪拌することにより,メタロセン化合物のシクロペン
タジエニル,あるいはインデニル,あるいはフルオレニ
ルなどの5員環部分の水素のピークが1H−NMRによ
り観測されない触媒を得る。 III .成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンな
どの芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分
(3)を加え,0℃から300℃,好ましくは30℃か
ら250℃,さらに好ましくは60℃から200℃,特
に好ましくは100℃から170℃で,5分から150
時間,好ましくは10分から50時間,さらに好ましく
は30分から10時間攪拌し,成分(4)および/ある
いは成分(5)を加え,室温で1分から10000時
間,好ましくは2分から1000時間,さらに好ましく
は10分から500時間,特に好ましくは50時間越え
300時間、さらに特に好ましくは100時間から30
0時間攪拌することにより,メタロセン化合物のシクロ
ペンタジエニル,あるいはインデニル,あるいはフルオ
レニルなどの5員環部分の水素のピークが1H−NMR
により観測されない触媒を得る。 IV.成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンなど
の芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分(3)
を加え,−50℃から200℃,好ましくは0℃から1
50℃,さらに好ましくは20℃から120℃で,5分
から250時間,好ましくは10分から100時間,さ
らに好ましくは30分から50時間攪拌し,成分(4)
を加え,0℃から300℃,好ましくは30℃から25
0℃,さらに好ましくは60℃から200℃,特に好ま
しくは100℃を越え170℃で,5分から150時
間,好ましくは10分から50時間,さらに好ましくは
30分から10時間攪拌することにより,メタロセン化
合物のシクロペンタジエニル,あるいはインデニル,あ
るいはフルオレニルなどの5員環部分の水素のピークが
1H−NMRにより観測されない触媒を得る。 V.成分(1)のトルエン,キシレン,メシチレンなど
の芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,成分(3)
を加え,0℃から300℃,好ましくは30℃から25
0℃,さらに好ましくは60℃から200℃,特に好ま
しくは100℃から170℃で,5分から150時間,
好ましくは10分から50時間,さらに好ましくは30
分から10時間攪拌し,成分(4)を加え,0℃から3
00℃,好ましくは30℃から250℃,さらに好まし
くは60℃から200℃,特に好ましくは100℃を越
え170℃で,5分から150時間,好ましくは10分
から50時間,さらに好ましくは30分から10時間攪
拌することにより,メタロセン化合物のシクロペンタジ
エニル,あるいはインデニル,あるいはフルオレニルな
どの5員環部分の水素のピークが1H−NMRにより観
測されない触媒を得る。
【0046】1H−NMRにより,メタロセン化合物の
シクロペンタジエニル,あるいはインデニル,あるいは
フルオレニルなどの5員環部分の水素のピークが1H−
NMRにより観測されないことを示す具体的な方法に関
して以下に記すが,以下の方法に特に限定されない。1
H−NMRにおいてメタロセン(チタノセン,ジルコノ
セン,ハフノセン)化合物のシクロペンタジエニル,あ
るいはインデニル,あるいはフルオレニルなどの5員環
部分についている水素のピークは通常ケミカルシフトで
δ=4ppm〜7ppmの範囲で観測される。この範囲
に観測される代表的な化合物としてオレフィン類があげ
られる。本発明の溶液中にこれらのオレフィン類が観測
されることもあるが,通常は溶媒を減圧下で除くことに
より同時にこれらオレフィンも取り除くことができる。
再度溶媒を加えて1H−NMRを測定すると,δ=4p
pm〜δ=7ppmに係る5員環部分に直接結合してい
る水素のピークが現れてない。
シクロペンタジエニル,あるいはインデニル,あるいは
フルオレニルなどの5員環部分の水素のピークが1H−
NMRにより観測されないことを示す具体的な方法に関
して以下に記すが,以下の方法に特に限定されない。1
H−NMRにおいてメタロセン(チタノセン,ジルコノ
セン,ハフノセン)化合物のシクロペンタジエニル,あ
るいはインデニル,あるいはフルオレニルなどの5員環
部分についている水素のピークは通常ケミカルシフトで
δ=4ppm〜7ppmの範囲で観測される。この範囲
に観測される代表的な化合物としてオレフィン類があげ
られる。本発明の溶液中にこれらのオレフィン類が観測
されることもあるが,通常は溶媒を減圧下で除くことに
より同時にこれらオレフィンも取り除くことができる。
再度溶媒を加えて1H−NMRを測定すると,δ=4p
pm〜δ=7ppmに係る5員環部分に直接結合してい
る水素のピークが現れてない。
【0047】本発明の触媒成分および触媒を得る際の各
成分の接触方法については、触媒成分または触媒として
供する際に,前述のとおり1H−NMRにより、金属M
e1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペンタ
ジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構造
の5員環部分の水素のピークが観測されない形態である
ことを満たすものである限り、成分の接触方法にも特に
限定はないが、通常は窒素またはアルゴンなどの不活性
雰囲気中、一般にベンゼン、トルエン、キシレン、エチ
ルベンゼンなどの芳香族炭化水素(通常炭素数は6〜1
2)、ヘプタン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロ
ヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水素(通常炭
素数5〜12)等の液状不活性炭化水素の存在下、撹拌
下または非撹拌下に各成分を接触させる方法が採用され
る。この接触は、通常−100℃〜300℃、好ましく
は−50℃〜250℃の温度にて、5分〜1000時
間、好ましくは10分〜500時間行うことが望まし
い。
成分の接触方法については、触媒成分または触媒として
供する際に,前述のとおり1H−NMRにより、金属M
e1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペンタ
ジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構造
の5員環部分の水素のピークが観測されない形態である
ことを満たすものである限り、成分の接触方法にも特に
限定はないが、通常は窒素またはアルゴンなどの不活性
雰囲気中、一般にベンゼン、トルエン、キシレン、エチ
ルベンゼンなどの芳香族炭化水素(通常炭素数は6〜1
2)、ヘプタン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロ
ヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水素(通常炭
素数5〜12)等の液状不活性炭化水素の存在下、撹拌
下または非撹拌下に各成分を接触させる方法が採用され
る。この接触は、通常−100℃〜300℃、好ましく
は−50℃〜250℃の温度にて、5分〜1000時
間、好ましくは10分〜500時間行うことが望まし
い。
【0048】成分(1)〜(5)の接触に際しては、上
記した通り、ある種の成分が可溶な芳香族炭化水素溶媒
と、ある種の成分が不溶ないしは難溶な脂肪族または脂
環族炭化水素溶媒とがいずれも使用可能である。各成分
同士の接触反応を段階的に行う場合にあっては、前段で
用いた可溶性の芳香族炭化水素溶媒を何等除去すること
なく、これをそのまま後段の接触反応の溶媒に用いても
よい。また、可溶性溶媒を使用した前段の接触反応後、
ある種の成分が不溶もしくは難溶な液状不活性炭化水素
(例えば、ペンタン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シ
クロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水素)を
添加して、所望生成物を固形物として回収した後に、あ
るいは一旦芳香族炭化水素溶媒の一部または全部を、乾
燥等の手段により除去して所望生成物を固形物として取
り出した後に、この所望生成物の後段の接触反応を、上
記した不活性炭化水素溶媒のいずれかを使用して実施す
ることもできる。本発明では各成分の接触反応を複数回
行うことを妨げない。
記した通り、ある種の成分が可溶な芳香族炭化水素溶媒
と、ある種の成分が不溶ないしは難溶な脂肪族または脂
環族炭化水素溶媒とがいずれも使用可能である。各成分
同士の接触反応を段階的に行う場合にあっては、前段で
用いた可溶性の芳香族炭化水素溶媒を何等除去すること
なく、これをそのまま後段の接触反応の溶媒に用いても
よい。また、可溶性溶媒を使用した前段の接触反応後、
ある種の成分が不溶もしくは難溶な液状不活性炭化水素
(例えば、ペンタン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シ
クロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水素)を
添加して、所望生成物を固形物として回収した後に、あ
るいは一旦芳香族炭化水素溶媒の一部または全部を、乾
燥等の手段により除去して所望生成物を固形物として取
り出した後に、この所望生成物の後段の接触反応を、上
記した不活性炭化水素溶媒のいずれかを使用して実施す
ることもできる。本発明では各成分の接触反応を複数回
行うことを妨げない。
【0049】本発明の成分(1)〜(5)の使用割合
は、成分(1)1モルに対して、成分(2)を通常0.
01〜100モル、好ましくは0.1〜50モル、さら
に好ましくは1〜20モルの範囲で、成分(3)を通常
0.01〜100モル、好ましくは0.1〜50モル、
さらに好ましくは0.5〜20モルの範囲で、成分
(4)は成分(1)の遷移金属濃度(Me1 )に対する
アルミニウムの原子比(Al/Me1 )が、通常0.1
〜10000好ましくは10〜1000であることが望
ましく,成分(5)を通常0.01〜100モル、好ま
しくは0.05〜50モル、さらに好ましくは0.1〜
10モルの範囲で選択することが望ましい。成分(6)
の使用量は、成分(1)0.0001〜5ミリモル当た
り成分(6)1g以下、特に成分(1)0.0001〜
5ミリモル当たり成分(6)1g、好ましくは成分
(1)0.001〜0.5ミリモル当たり成分(6)1
g、さらに好ましくは成分(1)0.02〜0.04ミ
リモル当たり成分(6)1gである。本発明によれば、
上記した1H−NMRにより,メタロセン化合物のシク
ロペンタジエニル,あるいはインデニル,あるいはフル
オレニルなどの5員環部分の水素のピークが1H−NM
Rにより観測されない触媒成分と、ボランおよび/また
はボレート化合物で例示されるプロモーター成分とから
構成される触媒または前記1H−NMRにより,メタロ
セン化合物のシクロペンタジエニル,あるいはインデニ
ル,あるいはフルオレニルなどの5員環部分の水素のピ
ークが1H−NMRにより観測されない触媒の存在下
に、オレフィン類が単独重合又は共重合せしめられる。
この場合、係る触媒成分と変性有機アルミニウム化合物
は,あるいは触媒成分とボランおよび/あるいはボレー
ト化合物は、別々にまたは予め混合して重合反応系内に
供給することができる。なお、予め混合する場合は、触
媒成分と変性有機アルミニウム,あるいは触媒成分とボ
ランおよび/あるいはボレート化合物を単に接触させる
方法はもちろん、触媒成分の調製時において、各原料成
分を接触させるいずれの段階で接触(混合)させてもよ
い。いずれにしても、触媒成分と変性有機アルミニウム
化合物との使用割合は、触媒成分中の遷移金属に対する
変性有機アルミニウム化合物中のアルミニウムの原子比
が、1〜100,000、好ましくは5〜1,000、
さらに好ましくは50〜100の範囲になるように選ば
れる。触媒成分とボランおよび/あるいはボレート化合
物との使用割合は,触媒中の遷移金属に対するホウ素化
合物中のホウ素の原子比が,0.01〜100,好まし
くは0.1〜50,さらに好ましくは0.2〜10の範
囲になるように選ばれる。
は、成分(1)1モルに対して、成分(2)を通常0.
01〜100モル、好ましくは0.1〜50モル、さら
に好ましくは1〜20モルの範囲で、成分(3)を通常
0.01〜100モル、好ましくは0.1〜50モル、
さらに好ましくは0.5〜20モルの範囲で、成分
(4)は成分(1)の遷移金属濃度(Me1 )に対する
アルミニウムの原子比(Al/Me1 )が、通常0.1
〜10000好ましくは10〜1000であることが望
ましく,成分(5)を通常0.01〜100モル、好ま
しくは0.05〜50モル、さらに好ましくは0.1〜
10モルの範囲で選択することが望ましい。成分(6)
の使用量は、成分(1)0.0001〜5ミリモル当た
り成分(6)1g以下、特に成分(1)0.0001〜
5ミリモル当たり成分(6)1g、好ましくは成分
(1)0.001〜0.5ミリモル当たり成分(6)1
g、さらに好ましくは成分(1)0.02〜0.04ミ
リモル当たり成分(6)1gである。本発明によれば、
上記した1H−NMRにより,メタロセン化合物のシク
ロペンタジエニル,あるいはインデニル,あるいはフル
オレニルなどの5員環部分の水素のピークが1H−NM
Rにより観測されない触媒成分と、ボランおよび/また
はボレート化合物で例示されるプロモーター成分とから
構成される触媒または前記1H−NMRにより,メタロ
セン化合物のシクロペンタジエニル,あるいはインデニ
ル,あるいはフルオレニルなどの5員環部分の水素のピ
ークが1H−NMRにより観測されない触媒の存在下
に、オレフィン類が単独重合又は共重合せしめられる。
この場合、係る触媒成分と変性有機アルミニウム化合物
は,あるいは触媒成分とボランおよび/あるいはボレー
ト化合物は、別々にまたは予め混合して重合反応系内に
供給することができる。なお、予め混合する場合は、触
媒成分と変性有機アルミニウム,あるいは触媒成分とボ
ランおよび/あるいはボレート化合物を単に接触させる
方法はもちろん、触媒成分の調製時において、各原料成
分を接触させるいずれの段階で接触(混合)させてもよ
い。いずれにしても、触媒成分と変性有機アルミニウム
化合物との使用割合は、触媒成分中の遷移金属に対する
変性有機アルミニウム化合物中のアルミニウムの原子比
が、1〜100,000、好ましくは5〜1,000、
さらに好ましくは50〜100の範囲になるように選ば
れる。触媒成分とボランおよび/あるいはボレート化合
物との使用割合は,触媒中の遷移金属に対するホウ素化
合物中のホウ素の原子比が,0.01〜100,好まし
くは0.1〜50,さらに好ましくは0.2〜10の範
囲になるように選ばれる。
【0050】本発明でいうオレフィン類には、α−オレ
フィン類、環状オレフィン類、ジエン類、トリエン類及
びスチレン類似体が包含される。α−オレフィン類に
は、炭素数2〜12、好ましくは2〜8のものが包含さ
れ、具体的には、エチレン、プロピレン、ブテン−1、
ヘキセン−1,4−メチルペンテン−1等が例示され
る。α−オレフィン類は、本発明の触媒成分を使用して
単独重合させることができる他、2種類以上のα−オレ
フィンを共重合させることも可能であり、その共重合は
交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重合のいずれ
であっても差し支えない。
フィン類、環状オレフィン類、ジエン類、トリエン類及
びスチレン類似体が包含される。α−オレフィン類に
は、炭素数2〜12、好ましくは2〜8のものが包含さ
れ、具体的には、エチレン、プロピレン、ブテン−1、
ヘキセン−1,4−メチルペンテン−1等が例示され
る。α−オレフィン類は、本発明の触媒成分を使用して
単独重合させることができる他、2種類以上のα−オレ
フィンを共重合させることも可能であり、その共重合は
交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重合のいずれ
であっても差し支えない。
【0051】α−オレフィン類の共重合には、エチレン
とプロピレン、エチレンとブテン−1、エチレンとヘキ
セン−1、エチレンと4−メチルペンテン−1のよう
に、エチレンと炭素数3〜12、好ましくは3〜8のα
−オレフィンとを共重合する場合、プロピレンとブテン
−1、プロピレンと4−メチルペンテン−1、プロピレ
ンと3−メチルブテン−1、プロピレンとヘキセン−
1、プロピレンとオクテン−1のように、プロピレンと
炭素数3〜12、好ましくは3〜8のα−オレフィンと
を共重合する場合が含まれる。エチレン又はプロピレン
と他のα−オレフィンとを共重合させる場合、当該他α
−オレフィンの量は全モノマーの90モル%以下の範囲
で任意に選ぶことができるが、一般的には、エチレン共
重合体にあっては、40モル%以下、好ましくは30モ
ル%以下、さらに好ましくは20モル%以下であり、プ
ロピレン共重合体にあっては、1〜90モル%、好まし
くは5〜90モル%、さらに好ましくは10〜70モル
%の範囲で選ばれる。
とプロピレン、エチレンとブテン−1、エチレンとヘキ
セン−1、エチレンと4−メチルペンテン−1のよう
に、エチレンと炭素数3〜12、好ましくは3〜8のα
−オレフィンとを共重合する場合、プロピレンとブテン
−1、プロピレンと4−メチルペンテン−1、プロピレ
ンと3−メチルブテン−1、プロピレンとヘキセン−
1、プロピレンとオクテン−1のように、プロピレンと
炭素数3〜12、好ましくは3〜8のα−オレフィンと
を共重合する場合が含まれる。エチレン又はプロピレン
と他のα−オレフィンとを共重合させる場合、当該他α
−オレフィンの量は全モノマーの90モル%以下の範囲
で任意に選ぶことができるが、一般的には、エチレン共
重合体にあっては、40モル%以下、好ましくは30モ
ル%以下、さらに好ましくは20モル%以下であり、プ
ロピレン共重合体にあっては、1〜90モル%、好まし
くは5〜90モル%、さらに好ましくは10〜70モル
%の範囲で選ばれる。
【0052】環状オレフィンとしては、炭素数3〜2
4、好ましくは3〜18のものが本発明で使用可能であ
り、これには例えば、シクロペンテン、シクロブテン、
シクロペンテン、シクロヘキセン、4−メチルシクロヘ
キセン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロドデセ
ン、テトラシクロデセン、オクタシクロデセン、ジシク
ロペンタジエン、ノルボルネン、5−メチル−2−ノル
ボルネン、5−エチル−2−ノルボルネン、5−イソブ
チル−2−ノルボルネン、5,6−ジメチル−2−ノル
ボルネン、5,5,6−トリメチル−2−ノルボルネ
ン、エチリデンノルボルネンなどが包含される。環状オ
レフィンは前記のα−オレフィンと共重合せしめるのが
通例であるが、その場合、環状オレフィンの量は共重合
体の50モル%以下、通常は1〜50モル%、好ましく
は2〜50モル%の範囲にある。
4、好ましくは3〜18のものが本発明で使用可能であ
り、これには例えば、シクロペンテン、シクロブテン、
シクロペンテン、シクロヘキセン、4−メチルシクロヘ
キセン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロドデセ
ン、テトラシクロデセン、オクタシクロデセン、ジシク
ロペンタジエン、ノルボルネン、5−メチル−2−ノル
ボルネン、5−エチル−2−ノルボルネン、5−イソブ
チル−2−ノルボルネン、5,6−ジメチル−2−ノル
ボルネン、5,5,6−トリメチル−2−ノルボルネ
ン、エチリデンノルボルネンなどが包含される。環状オ
レフィンは前記のα−オレフィンと共重合せしめるのが
通例であるが、その場合、環状オレフィンの量は共重合
体の50モル%以下、通常は1〜50モル%、好ましく
は2〜50モル%の範囲にある。
【0053】本発明で使用可能なジエン類及びトリエン
類は、次の一般式で表すことができる。鎖式ポリエンで
ある。 CH2 CH(CH)n (CHCH2 )m ここで、mは1又は2、nは0〜20、好ましくは2〜
20の数を示す。具体的には、ブタジエン、1,4−ヘ
キサジエン、1,5−ヘキサジエン、1,9−デカジエ
ン、1,13−テトラデカジエン、2,6−ジメチル−
1,5−ヘプタジエン、2−メチル−2,7−オクタジ
エン、2,7−ジメチル−2,6−オクタジエン、1,
5,9−デカトリエンなどが例示される。本発明で鎖式
ジエン又はトリエンを使用する場合、通常は上記したα
−オレフィンと共重合させるのが通例であるが、その共
重合体中の鎖式ジエン及び/又はトリエンの含有量は、
一般に、0.1〜50モル%、好ましくは0.2〜10
モル%の範囲にある。
類は、次の一般式で表すことができる。鎖式ポリエンで
ある。 CH2 CH(CH)n (CHCH2 )m ここで、mは1又は2、nは0〜20、好ましくは2〜
20の数を示す。具体的には、ブタジエン、1,4−ヘ
キサジエン、1,5−ヘキサジエン、1,9−デカジエ
ン、1,13−テトラデカジエン、2,6−ジメチル−
1,5−ヘプタジエン、2−メチル−2,7−オクタジ
エン、2,7−ジメチル−2,6−オクタジエン、1,
5,9−デカトリエンなどが例示される。本発明で鎖式
ジエン又はトリエンを使用する場合、通常は上記したα
−オレフィンと共重合させるのが通例であるが、その共
重合体中の鎖式ジエン及び/又はトリエンの含有量は、
一般に、0.1〜50モル%、好ましくは0.2〜10
モル%の範囲にある。
【0054】本発明で使用可能なスチレン類似体は、ス
チレン及びスチレン誘導体であって、その誘導体として
は、t−ブチルスチレン、α−メチルスチレン、p−メ
チルスチレン、ジビニルベンゼン、1,1−ジフェニル
エチレン、N,N−ジメチル−p−アミノエチルスチレ
ン、N,N−ジエチル−p−アミノエチルスチレンなど
を例示することができる。本発明の触媒成分は、オレフ
ィン類の単独重合体又は共重合体に、極性モノマーをさ
らに重合させて単独重合体又は共重合体を改質する場合
にも好適に使用できる。極性モノマーとしては、アクリ
ル酸メチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチ
ル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイ
ン酸モノメチル、フマール酸ジエチル、イタコン酸ジメ
チルなどで例示される不飽和カルボン酸エステルを挙げ
ることができる。改質された共重合体の極性モノマー含
有量は、通常0.1〜10モル%、好ましくは0.2〜
2モル%の範囲にある。
チレン及びスチレン誘導体であって、その誘導体として
は、t−ブチルスチレン、α−メチルスチレン、p−メ
チルスチレン、ジビニルベンゼン、1,1−ジフェニル
エチレン、N,N−ジメチル−p−アミノエチルスチレ
ン、N,N−ジエチル−p−アミノエチルスチレンなど
を例示することができる。本発明の触媒成分は、オレフ
ィン類の単独重合体又は共重合体に、極性モノマーをさ
らに重合させて単独重合体又は共重合体を改質する場合
にも好適に使用できる。極性モノマーとしては、アクリ
ル酸メチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチ
ル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイ
ン酸モノメチル、フマール酸ジエチル、イタコン酸ジメ
チルなどで例示される不飽和カルボン酸エステルを挙げ
ることができる。改質された共重合体の極性モノマー含
有量は、通常0.1〜10モル%、好ましくは0.2〜
2モル%の範囲にある。
【0055】重合反応は前記した触媒成分とプロモータ
ー成分の存在下、スラリー重合、溶液重合、又は気相重
合にて行うことができる。特にスラリー重合又は気相重
合が好ましく、実質的に酸素、水等を断った状態で、ヘ
キサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサン、
メチルシクロヘキサン等の脂環族炭化水素等から選ばれ
る不活性炭化水素溶媒の存在下または不存在下で、オレ
フィンを重合させる。この時の重合条件は温度20〜2
00℃、好ましくは50〜100℃、圧力常圧〜70kg
/cm2 G、好ましくは常圧〜20kg/cm2 Gの範囲にあ
り、重合時間としては5分〜10時間、好ましくは5分
〜5時間が採用されるのが普通である。
ー成分の存在下、スラリー重合、溶液重合、又は気相重
合にて行うことができる。特にスラリー重合又は気相重
合が好ましく、実質的に酸素、水等を断った状態で、ヘ
キサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサン、
メチルシクロヘキサン等の脂環族炭化水素等から選ばれ
る不活性炭化水素溶媒の存在下または不存在下で、オレ
フィンを重合させる。この時の重合条件は温度20〜2
00℃、好ましくは50〜100℃、圧力常圧〜70kg
/cm2 G、好ましくは常圧〜20kg/cm2 Gの範囲にあ
り、重合時間としては5分〜10時間、好ましくは5分
〜5時間が採用されるのが普通である。
【0056】生成重合体の分子量は、重合温度、触媒の
モル比等の重合条件を変えることによってもある程度調
節可能であるが、重合反応系に水素を添加することでよ
り効果的に分子量調節を行うことができる。また、重合
系中に、水分除去を目的とした成分、いわゆるスカベン
ジを加えても何ら支障なく実施することができる。な
お、かかるスカベンジとしては、トリメチルアルミニウ
ム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニ
ウムなどの有機アルミニウム、前記変性有機アルミニウ
ム化合物、分岐アルキルを含有する変性有機アルミニウ
ムなどである。などが例示される。水素濃度、モノマー
量、重合圧力、重合温度等の重合条件が互いに異なる2
段階以上の多段階重合方式にも、支障なく適用すること
ができる。
モル比等の重合条件を変えることによってもある程度調
節可能であるが、重合反応系に水素を添加することでよ
り効果的に分子量調節を行うことができる。また、重合
系中に、水分除去を目的とした成分、いわゆるスカベン
ジを加えても何ら支障なく実施することができる。な
お、かかるスカベンジとしては、トリメチルアルミニウ
ム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニ
ウムなどの有機アルミニウム、前記変性有機アルミニウ
ム化合物、分岐アルキルを含有する変性有機アルミニウ
ムなどである。などが例示される。水素濃度、モノマー
量、重合圧力、重合温度等の重合条件が互いに異なる2
段階以上の多段階重合方式にも、支障なく適用すること
ができる。
【0057】
【実施例】以下に本発明を実施例によって具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。なお,実施例及び比較例で測定した1H−NMRは
次の方法で行った。NMRによるメタロセンのシクロペンタジエニルあるい
はインデニルの5員環についている水素の測定 日本電子製のEX−270またはEX−400を使用し
た。測定条件は以下のように行った。温度27℃,積算
回数128回,サンプル調製は以下のように行った。5
mmの試料管に,金属濃度(Ti,Zr,Hf)で0.
03mmolMetal/ml以上の触媒溶液0.2mlと重溶媒
として脱水した重ベンゼンもしくは重トルエンを0.2
ml加えたものを測定した。なお、実施例及び比較例で
得られた重合体の物性測定は次の方法で行った。メルトインデックス(MI) ASTM D 1238−57T 190℃,2.16
kg荷重に基づき測定した。密 度 ASTMD 1505−68に準拠して測定した。示差熱走査熱量計(DSC)による融点測定 セイコー電子製のDSC−20型融点測定装置を使用
し、サンプル(5mg)を180℃で3分間保持し、次い
で10℃/分で0℃まで冷却し、0℃で10分間保持
し、その後10℃/分で昇温することで融点を測定し
た。変性有機アルミニウム化合物の調製 以下の実施例及び比較例で使用するプロモーターとして
用いるところの変性有機アルミニウム化合物(メチルア
ルミノキサン)は、次のように調製した。硫酸銅5水塩
13gを容量300mlの電磁誘導撹拌機付き三ツ口フラ
スコに入れ、トルエン50mlで懸濁させた。次いで濃度
1ミリモル/mlのトリメチルアルミニウムの溶液150
mlを、0℃の温度下に前記の懸濁液に2時間かけて滴下
し、滴下終了25℃に昇温し、その温度で24時間反応
させた。しかるのち反応物を濾過し、反応生成物を含有
する液中のトルエンを除去して白色結晶状メチルアルミ
ノキサン(以下MAOで表す)4gを得た。
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。なお,実施例及び比較例で測定した1H−NMRは
次の方法で行った。NMRによるメタロセンのシクロペンタジエニルあるい
はインデニルの5員環についている水素の測定 日本電子製のEX−270またはEX−400を使用し
た。測定条件は以下のように行った。温度27℃,積算
回数128回,サンプル調製は以下のように行った。5
mmの試料管に,金属濃度(Ti,Zr,Hf)で0.
03mmolMetal/ml以上の触媒溶液0.2mlと重溶媒
として脱水した重ベンゼンもしくは重トルエンを0.2
ml加えたものを測定した。なお、実施例及び比較例で
得られた重合体の物性測定は次の方法で行った。メルトインデックス(MI) ASTM D 1238−57T 190℃,2.16
kg荷重に基づき測定した。密 度 ASTMD 1505−68に準拠して測定した。示差熱走査熱量計(DSC)による融点測定 セイコー電子製のDSC−20型融点測定装置を使用
し、サンプル(5mg)を180℃で3分間保持し、次い
で10℃/分で0℃まで冷却し、0℃で10分間保持
し、その後10℃/分で昇温することで融点を測定し
た。変性有機アルミニウム化合物の調製 以下の実施例及び比較例で使用するプロモーターとして
用いるところの変性有機アルミニウム化合物(メチルア
ルミノキサン)は、次のように調製した。硫酸銅5水塩
13gを容量300mlの電磁誘導撹拌機付き三ツ口フラ
スコに入れ、トルエン50mlで懸濁させた。次いで濃度
1ミリモル/mlのトリメチルアルミニウムの溶液150
mlを、0℃の温度下に前記の懸濁液に2時間かけて滴下
し、滴下終了25℃に昇温し、その温度で24時間反応
させた。しかるのち反応物を濾過し、反応生成物を含有
する液中のトルエンを除去して白色結晶状メチルアルミ
ノキサン(以下MAOで表す)4gを得た。
【0058】実施例1 窒素雰囲気下、300ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン100mlを加え、次いで3.8gのZr(0n-B
u)4 、9.3gのインデンを加え室温で30分攪拌し
た後、これに19.8mlのトリイソブチルアルミニウ
ムを2時間かけて徐々に滴下した。この溶液を140℃
でさらに3時間攪拌して触媒成分溶液を得た。この溶液
を1H−NMRにより測定するとジルコノセンに由来す
るインデニル基の水素のピークが1H−NMRでは観測
されない。攪拌機を付した容量3リットルのステンレス
スチール製オートクレーブを窒素置換した後、乾燥した
海砂200gを加え、さらに上記の触媒成分溶液をZr
として1mg、メチルアルミノキサンの1ミリモル/m
l溶液を1ml加えて攪拌下に75℃に加熱した。次
に、エチレンとブテン−1の混合ガス(ブテン−1/エ
チレンのモル比=0.20)を、9kgf/cm2 とな
るようオートクレーブに張り込んで重合を開始し、エチ
レンとブテン−1の混合ガス(ブテン−1/エチレンの
モル比=0.05)を連続的にオートクレーブに供給し
つつ、全圧を9kgf/cm2 に維持し、1時間重合を
行った。重合終了後、余剰の混合ガスを排出してオート
クレーブを冷却し、海砂を除いて白色ポリマー198g
を得た。触媒効率は198kg/gZrであり、ポリマ
ーのMFRは3.1g/10分であり、密度は0.92
00g/cm2 であり、融点は114.2℃、Mw/M
nは3.3であった。 実施例2 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製メシ
チレン50mlを加え、次いで3.3gのZr(0i-P
r)4 、2.6gのシクロペンタジエンを加え、室温で
30分攪拌した後、これに室温で13.7mlのトリエ
チルアルミニウムを3時間かけて徐々に滴下した。この
溶液を160℃でさらに5時間攪拌して触媒成分溶液を
得た。この溶液を1H−NMRにより測定するとジルコ
ノセンに由来するシクロペンタジエニル基の水素のピー
クが1H−NMRでは観測されない。窒素雰囲気下、5
0ccのフラスコに上記の触媒成分溶液をZrとして1
mg採取し、これにメチルアルミノキサンの1ミリモル
/ml溶液を1ml加えて室温で30分攪拌した。上記
の接触生成物を使用して、実施例1と同様な重合反応を
行った。白色ポリマー181gを得た。触媒効率は18
1kg/gZrであり、ポリマーのMFRは3.9g/
10分であり、密度は0.9219g/cm2 であり、
融点は115.2℃、Mw/Mnは3.3であった。 実施例3 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで4.6gのテトラベンジル
ジルコニウム 、7.4gのジメチルシクロペンタジエ
ンを加えて室温で30分攪拌した後、これに室温で3
4.4mlのトリヘキシルアルミニウムを3時間かけて
徐々に滴下した。この溶液を140℃でさらに5時間攪
拌して触媒成分溶液を得た。この溶液を1H−NMRに
より測定するとジルコノセンに由来するシクロペンタジ
エニル基の水素のピークが1H−NMRでは観測されな
い。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の触媒成
分溶液をZrとして1mg採取し、これにメチルアルミ
ノキサンの1ミリモル/ml溶液を1ml加えて室温で
30分攪拌した。上記の接触生成物を使用して、実施例
1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー235gを
得た。触媒効率は235kg/gZrであり、ポリマー
のMFRは0.05g/10分であり、密度は0.92
08g/cm2 であり、融点は112.1℃、Mw/M
nは2.9であった。 実施例4 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製トル
エン50mlを加え、次いで2.7gのZr(0Et)
4 、11.6gのインデンを加え、室温で30分攪拌し
た後、これに室温で27.5mlのトリヘキシルアルミ
ニウムを3時間かけて徐々に滴下した。この溶液を11
0℃でさらに8時間攪拌して触媒成分溶液を得た。この
溶液を1H−NMRにより測定するとジルコノセンに由
来するインデニル基の水素のピークが1H−NMRでは
観測されない。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上
記の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これにメ
チルアルミノキサンの1ミリモル/ml溶液を1ml加
えて室温で30分攪拌した。上記の接触生成物を使用し
て、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー
194gを得た。触媒効率は194kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは3.2g/10分であり、密度
は0.9234g/cm2 であり、融点は114.7
℃、Mw/Mnは3.6であった。 実施例5 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4 H
9 )4 、9.3gのインデンを加え、室温で30分攪拌
した後、これに室温で25.3mlのトリイソブチルア
ルミニウムを3時間かけて徐々に滴下した。この溶液を
140℃でさらに4時間攪拌して触媒成分溶液を得た。
この溶液を1H−NMRにより測定するとジルコノセン
に由来するインデニル基の水素のピークが1H−NMR
では観測されない。窒素雰囲気下、50ccのフラスコ
に上記の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これ
にトリチルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート
0.01ミリモルを加えて室温で30分攪拌した。上記
の接触生成物を使用して、実施例1と同様な重合反応を
行った。白色ポリマー198gを得た。触媒効率は19
8kg/gZrであり、ポリマーのMFRは3.1g/
10分であり、密度は0.9205g/cm2 であり、
融点は114.3℃、Mw/Mnは3.1であった。 実施例6 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4 H
9 )4 、9.3gのインデンを加え、室温で30分攪拌
した後、これに室温で25.3mlのトリイソブチルア
ルミニウムを3時間かけて徐々に滴下した。この溶液を
140℃でさらに4時間攪拌して触媒成分溶液を得た。
この溶液を1H−NMRにより測定するとジルコノセン
に由来するインデニル基の水素のピークが1H−NMR
では観測されない。窒素雰囲気下、50ccのフラスコ
に上記の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これ
にトリ(ペンタフルオロフェニル)ボランの0.02ミ
リモルを加えて室温で30分攪拌した。上記の接触生成
物を使用して、実施例1と同様な重合反応を行った。白
色ポリマー203gを得た。触媒効率は203kg/g
Zrであり、ポリマーのMFRは2.2g/10分であ
り、密度は0.9225g/cm2 であり、融点は11
4.6℃、Mw/Mnは3.4であった。 実施例7 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製メシ
チレン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4
H9 )4 、10.3gのビスインデニルエタンを加え、
室温で30分攪拌した後、これに室温で27.5mlの
トリヘキシルアルミニウムを1時間かけて徐々に滴下し
た。この溶液を160℃でさらに2時間攪拌して触媒成
分溶液を得た。この溶液を1H−NMRにより測定する
とジルコノセンに由来するインデニル基の水素のピーク
が1H−NMRでは観測されない。窒素雰囲気下、50
ccのフラスコに上記の触媒成分溶液をZrとして1m
g採取し、これにトリエチルアンモニウムテトラ(ペン
タフルオロフェニル)ボレートの0.01ミリモルを加
えて室温で30分攪拌した。上記の接触生成物を使用し
て、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー
210gを得た。触媒効率は210kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは0.5g/10分であり、密度
は0.9181g/cm2 であり、融点は110.9
℃、Mw/Mnは3.8であった。 実施例8 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製トル
エン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4 H
9 )4 、9.3gのインデンを加え、室温で30分攪拌
した後、これに室温で25.3mlのトリイソブチルア
ルミニウムを2時間かけて徐々に滴下した。この溶液を
110℃でさらに2時間攪拌して触媒成分溶液を得た。
窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の触媒成分溶
液をZrとして1mg採取し、これにメチルアルミノキ
サンの4ミリモル/ml溶液を0.25ml加えて室温
で1週間攪拌した。この溶液を1H−NMRにより測定
するとジルコノセンに由来するインデニル基の水素のピ
ークが1H−NMRでは観測されない。上記の接触生成
物を使用して、実施例1と同様な重合反応を行った。白
色ポリマー165gを得た。触媒効率は165kg/g
Zrであり、ポリマーのMFRは2.7g/10分であ
り、密度は0.9218g/cm2 であり、融点は11
4.7℃、Mw/Mnは3.7であった。 実施例9 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで2.3gの四塩化ジルコニ
ウム、3.2gのメチルシクロペンタジエンを加え、室
温で30分攪拌した後、これに室温で25.3mlのト
リイソブチルアルミニウムを2時間かけて徐々に滴下し
た。この溶液を140℃でさらに2時間攪拌して触媒成
分溶液を得た。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上
記の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これにメ
チルアルミノキサンの4ミリモル/ml溶液を0.14
ml加えて110℃で2時間で30分攪拌し,さらに室
温で4日間攪拌した。この溶液を1H−NMRにより測
定するとジルコノセンに由来するシクロペンタジエニル
基の水素のピークが1H−NMRでは観測されない。窒
素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の触媒成分溶液
をZrとして1mg採取し、これにトリチルテトラ(ペ
ンタフルオロフェニル)ボレート0.01ミリモルを加
えて室温で30分攪拌した。この接触生成物を使用し
て、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー
265gを得た。触媒効率は265kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは1.5g/10分であり、密度
は0.9208g/cm2 であり、融点は113.5
℃、Mw/Mnは3.5であった。 実施例10 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで3.2gのZr(0C4 H
9 )4 、10.4gのメチルインデンを加え、室温で3
0分攪拌した後、これに室温で12.3gのジエチル亜
鉛を1時間かけて徐々に滴下した。この溶液を140℃
でさらに5時間攪拌して触媒成分溶液を得た。窒素雰囲
気下、50ccのフラスコに上記の触媒成分溶液をZr
として1mg採取し、これにメチルアルミノキサンの4
ミリモル/ml溶液を0.25ml加えて室温で1週間
攪拌した。この溶液を1H−NMRにより測定するとジ
ルコノセンに由来するインデニル基の水素のピークが1
H−NMRでは観測されない。上記の接触生成物を使用
して、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマ
ー155gを得た。触媒効率は155kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは0.1g/10分であり、密度
は0.9232g/cm2 であり、融点は115.2
℃、Mw/Mnは3.3であった。 実施例11 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製トル
エン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4 H
9 )4 、9.8gのノルマルブチルシクロペンタジエン
を加え、室温で30分攪拌した後、これに室温で10モ
ルのn−BuMgClを1時間かけて徐々に滴下した。
この溶液を110℃でさらに2時間攪拌して触媒成分溶
液を得た。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の
触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これにメチル
アルミノキサンの4ミリモル/ml溶液を0.25ml
加えて室温で1週間攪拌した。この溶液を1H−NMR
により測定するとジルコノセンに由来するシクロペンタ
ジエニル基の水素のピークが1H−NMRでは観測され
ない。上記の接触生成物を使用して、実施例1と同様な
重合反応を行った。白色ポリマー182gを得た。触媒
効率は182kg/gZrであり、ポリマーのMFRは
1.9g/10分であり、密度は0.9273g/cm
2 であり、融点は116.3℃、Mw/Mnは3.5で
あった。 実施例12 実施例1で使用したのと同一の触媒を使用して、次の要
領で重合反応を行った。攪拌機を付した容量3リットル
のステンレススチール製オートクレーブを窒素置換した
後、乾燥した海砂200gを加え、さらに実施例1の触
媒成分溶液をZrとして1mg、メチルアルミノキサン
の1ミリモル/ml溶液を1ml加えて攪拌下に75℃
に加熱した。次に、エチレンを9kgf/cm2 となる
ようオートクレーブに張り込んで重合を開始した後、エ
チレンを連続的にオートクレーブに供給しつつ、全圧を
9kgf/cm2 に維持し、1時間重合を行った。重合
終了後、余剰の混合ガスを排出してオートクレーブを冷
却し、海砂を除いて白色ポリマー177gを得た。触媒
効率は177kg/gZrであり、ポリマーのMFRは
1.9g/10分であり、密度は0.9503g/cm
2 であり、融点は132.5℃であり、Mw/Mnは
3.1であった。 実施例13 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製トル
エン50mlを加え、次いで3.4gのTi(0C4 H
9 )4 、9.3gのインデンを加え、室温で30分攪拌
した後、これに室温で20mlのアルミニウムトリイソ
ブチルを1時間かけて徐々に滴下した。この溶液を室温
でさらに2時間攪拌して触媒成分溶液を得た。この溶液
を1H−NMRにより測定するとチタノセンに由来する
インデニル基の水素のピークが1H−NMRでは観測さ
れない。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の触
媒成分溶液をTiとして1mg採取し、これにメチルア
ルミノキサンの1ミリモル/ml溶液を2ml加えて室
温で30分攪拌した。上記の接触生成物を使用して、実
施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー131
gを得た。触媒効率は131kg/gTiであり、ポリ
マーのMFRは1.8g/10分であり、密度は0.9
218g/cm2 であり、融点は99.2℃、Mw/M
nは3.2であった。 比較例1 窒素雰囲気下、300ccの三つ口フラスコに精製トル
エン100mlを加え、次いで3.8gのジルコニウム
テトラノルマルブトキサイド、9.3gのインデンを加
え、室温で30分攪拌した後、これに室温で25mlの
トリイソブチルアルミニウムを2時間かけて徐々に滴下
した。この溶液を室温でさらに1時間攪拌して触媒成分
溶液を得た。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記
の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これにメチ
ルアルミノキサンの1ミリモル/ml溶液を1ml加え
て室温で2時間攪拌した。上記の触媒成分溶液をを使用
して、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマ
ー112gを得た。触媒効率は112kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは1.9g/10分であり、密度
は0.9223g/cm2 であり、融点は114.8℃
であった。 実施例14 実施例1で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに600℃で5時間焼成したSiO2 (富
士デビソン社製、グレード#952、表面積300m2
/g)2gを加え、さらに精製トルエン10mlを加え
た。その後上記実施例1で用いた触媒溶液の全量を加
え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性の
ある固体状触媒成分を得た。攪拌機を付したステンレス
製オートクレーブを用い,ブロワー,流量調節器および
乾式サイクロンでループをつくり、オートクレーブはジ
ャケットに温水を流すことによって温度を調節した。6
0℃に調節したオートクレーブに上記固体触媒を100
mg/hおよびメチルアルミノキサンのトルエン溶液
(1mmol/l)の1ml/hの速度で供給し、オー
トクレーブの気相中のブテン−1/エチレンモル比を
0.25になるように調節しながら各々のガスを供給し
て全圧を8kg/cm2Gに保ちながらブロワーにより
系内のガスを循環させ,生成ポリマーを間欠的に抜き出
しながら8時間の連続重合を行った。触媒効率は192
kg/gZrであり,生成したエチレン共重合体はMF
R1.9g/10min,密度 0.9221g/cm
3,かさ密度 0.45g/cm3,ポリマーの融点 1
15.0℃であった。 実施例15 実施例2で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したSi
O2 (富士デビソン社製、グレード#952、表面積3
00m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10ml
を加えた。その後濃度1mmol/mlのメチルアルミノキサ
ン溶液3mlを加え,室温で2時間攪はんした。上記の
シリカスラリーに上記実施例2で用いた触媒溶液の全量
を加え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動
性のある固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に重
合を行った。触媒効率は185kg/gZrであり,生
成したエチレン共重合体はMFR6.8g/10min,
密度0.9223g/cm3,かさ密度0.42g/c
m3,ポリマーの融点 114.0℃であった。 実施例16 実施例3で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したSi
O2 (富士デビソン社製、グレード#952、表面積3
00m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10ml
を加えた。その後濃度1mmol/mlのトリエチルアルミニ
ウムのトルエン溶液 3mlを加え,室温で2時間攪は
んした。上記のシリカスラリーに上記の実施例3で用い
た触媒溶液の全量を加え,窒素ブローおよび減圧下で溶
媒を除去して流動性のある固体状触媒成分を得た。実施
例14と同様に重合を行った。触媒効率は164kg/
gZrであり,生成したエチレン共重合体はMFR0.
05g/10min,密度 0.9208g/cm3,
かさ密度 0.43g/cm3,ポリマーの融点 11
2.7℃であった。 実施例17 実施例4で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したSi
O2 (富士デビソン社製、グレード#952、表面積3
00m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10ml
を加えた。その後Zr(OnBu)40.7mgを加え,室温で
2時間攪はんした。上記のシリカスラリーに上記の実施
例4で用いた触媒溶液全量を加え,窒素ブローおよび減
圧下で溶媒を除去して流動性のある固体状触媒成分を得
た。実施例14と同様に重合を行った。触媒効率は16
2kg/gZrであり,生成したエチレン共重合体はM
FR3.5g/10min,密度 0.9243g/c
m3,かさ密度 0.44g/cm3,ポリマーの融点
114.1℃であった。 実施例18 実施例5で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコにアルミナ 2gを加え、さらに精製トル
エン10mlを添加し、室温で2時間撹はんした。ついで
上記の実施例5で用いた触媒溶液全量を加え、窒素ブロ
ーおよび減圧下で溶媒を除去して流動性のある固体状触
媒成分を得た。実施例14と同様に重合を行った。触媒
効率は165kg/gZrであり,生成したエチレン共
重合体はMFR2.3g/10min,密度 0.92
39g/cm3,かさ密度 0.43g/cm3,ポリマ
ーの融点 114.0℃であった。 実施例19 実施例6で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したSi
O2 (富士デビソン社製、グレード#952、表面積3
00m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10ml
を加えた。その後ブタノール0.75gを加え,室温で
2時間攪はんした。その後窒素ブロー,減圧下で溶媒を
除去して粉末固体状にした。その後トルエン10mlお
よび濃度1mmol/mlのメチルアルミノキサン溶液 7.
5mlを加えて室温で1時間撹拌した。上記のシリカス
ラリーに上記実施例6で用いた触媒溶液の全量を加え,
窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性のある
固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に重合を行っ
た。触媒効率は193kg/gZrであり,生成したエ
チレン共重合体はMFR1.1g/10min,密度
0.9208g/cm3,かさ密度 0.47g/c
m3,ポリマーの融点 113.8℃であった。 実施例20 実施例7で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したシリ
カ・アルミナ(表面積200m2 /g)2gを加え、さ
らに精製トルエン10mlを加えた。その後濃度1mmol/
mlのメチルアルミノキサン溶液 3mlを加え,室温で
2時間攪はんした。上記シリカ・アルミナのスラリーに
上記実施例7で用いた触媒溶液の全量を加え,窒素ブロ
ーおよび減圧下で溶媒を除去して流動性のある固体状触
媒成分を得た。実施例14と同様に重合を行った。触媒
効率は187kg/gZrであり,生成したエチレン共
重合体はMFR3.0g/10min,密度 0.92
19g/cm3,かさ密度 0.43g/cm3,ポリマ
ーの融点 112.9℃であった。 実施例21 実施例8で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。1
00mlフラスコに窒素下で80℃で5時間減圧乾燥した
ポリエチレンパウダー(リニャーローデンシティポリエ
チレン MFR1.0g/10min,嵩密度0.41
g/cm3,粒径 500μm)2gを加え,ついで濃
度1mmol/mlのメチルアルミノキサン溶液 6.3ml
を十分に分散するように加え,室温で1時間攪はんした
後,上記実施例8で用いた触媒溶液の全量を加え,窒素
ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性のある固体
触媒成分を得た。実施例14と同様に重合を行った。触
媒効率は167kg/gZrであり,生成したエチレン
共重合体はMFR15g/10min,密度 0.92
25g/cm3,かさ密度 0.34g/cm3,ポリマ
ーの融点 113.3℃であった。 実施例22 実施例9で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに600℃で5時間焼成したSiO2 (富
士デビソン社製、グレード#952、表面積300m2
/g)2gを加え、さらに精製トルエン10mlを加え
た。その後上記実施例9で用いた触媒溶液の全量を加
え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性の
ある固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に重合を
行った。触媒効率は156kg/gZrであり,生成し
たエチレン共重合体はMFR2.3g/10min,密
度 0.9237g/cm3,かさ密度 0.40g/
cm3,ポリマーの融点 115.0℃であった。 実施例23 実施例13で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。
50mlフラスコに600℃で5時間焼成したSiO2
(富士デビソン社製、グレード#952、表面積300
m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10mlを加
えた。その後上記実施例13で用いた触媒溶液の全量を
加え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性
のある固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に重合
を行った。触媒効率は108kg/gTiであり,生成
したエチレン共重合体はMFR3.1g/10min,
密度 0.9200g/cm3,かさ密度 0.42g
/cm3,ポリマーの融点 98.3℃であった。 実施例24 実施例 14の触媒を用いてエチレン単独重合を行っ
た。実施例14と同様に行ったが,供給ガスとしてオー
トクレーブの気相中のブテン−1/エチレン混合ガスを
エチレンに変えて重合を行った。触媒効率は166kg
/gZrであり,生成したエチレン共重合体はMFR
1.2g/10min,密度 0.9503g/c
m3,かさ密度 0.42g/cm3,ポリマーの融点
130.9℃であった。 比較例2 比較例1で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに600℃で5時間焼成したSiO2 (富
士デビソン社製、グレード#952、表面積300m2
/g)2gを加え、さらに精製トルエン10mlを加え
た。その後上記比較例1で用いた触媒溶液の全量を加
え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性の
ある固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に行っ
た。触媒効率は131kg/gZrであり,生成したエ
チレン共重合体はMFR1.7g/10min,密度
0.9221g/cm3,かさ密度 0.41g/c
m3,ポリマーの融点 114.9℃であった。
レン100mlを加え、次いで3.8gのZr(0n-B
u)4 、9.3gのインデンを加え室温で30分攪拌し
た後、これに19.8mlのトリイソブチルアルミニウ
ムを2時間かけて徐々に滴下した。この溶液を140℃
でさらに3時間攪拌して触媒成分溶液を得た。この溶液
を1H−NMRにより測定するとジルコノセンに由来す
るインデニル基の水素のピークが1H−NMRでは観測
されない。攪拌機を付した容量3リットルのステンレス
スチール製オートクレーブを窒素置換した後、乾燥した
海砂200gを加え、さらに上記の触媒成分溶液をZr
として1mg、メチルアルミノキサンの1ミリモル/m
l溶液を1ml加えて攪拌下に75℃に加熱した。次
に、エチレンとブテン−1の混合ガス(ブテン−1/エ
チレンのモル比=0.20)を、9kgf/cm2 とな
るようオートクレーブに張り込んで重合を開始し、エチ
レンとブテン−1の混合ガス(ブテン−1/エチレンの
モル比=0.05)を連続的にオートクレーブに供給し
つつ、全圧を9kgf/cm2 に維持し、1時間重合を
行った。重合終了後、余剰の混合ガスを排出してオート
クレーブを冷却し、海砂を除いて白色ポリマー198g
を得た。触媒効率は198kg/gZrであり、ポリマ
ーのMFRは3.1g/10分であり、密度は0.92
00g/cm2 であり、融点は114.2℃、Mw/M
nは3.3であった。 実施例2 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製メシ
チレン50mlを加え、次いで3.3gのZr(0i-P
r)4 、2.6gのシクロペンタジエンを加え、室温で
30分攪拌した後、これに室温で13.7mlのトリエ
チルアルミニウムを3時間かけて徐々に滴下した。この
溶液を160℃でさらに5時間攪拌して触媒成分溶液を
得た。この溶液を1H−NMRにより測定するとジルコ
ノセンに由来するシクロペンタジエニル基の水素のピー
クが1H−NMRでは観測されない。窒素雰囲気下、5
0ccのフラスコに上記の触媒成分溶液をZrとして1
mg採取し、これにメチルアルミノキサンの1ミリモル
/ml溶液を1ml加えて室温で30分攪拌した。上記
の接触生成物を使用して、実施例1と同様な重合反応を
行った。白色ポリマー181gを得た。触媒効率は18
1kg/gZrであり、ポリマーのMFRは3.9g/
10分であり、密度は0.9219g/cm2 であり、
融点は115.2℃、Mw/Mnは3.3であった。 実施例3 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで4.6gのテトラベンジル
ジルコニウム 、7.4gのジメチルシクロペンタジエ
ンを加えて室温で30分攪拌した後、これに室温で3
4.4mlのトリヘキシルアルミニウムを3時間かけて
徐々に滴下した。この溶液を140℃でさらに5時間攪
拌して触媒成分溶液を得た。この溶液を1H−NMRに
より測定するとジルコノセンに由来するシクロペンタジ
エニル基の水素のピークが1H−NMRでは観測されな
い。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の触媒成
分溶液をZrとして1mg採取し、これにメチルアルミ
ノキサンの1ミリモル/ml溶液を1ml加えて室温で
30分攪拌した。上記の接触生成物を使用して、実施例
1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー235gを
得た。触媒効率は235kg/gZrであり、ポリマー
のMFRは0.05g/10分であり、密度は0.92
08g/cm2 であり、融点は112.1℃、Mw/M
nは2.9であった。 実施例4 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製トル
エン50mlを加え、次いで2.7gのZr(0Et)
4 、11.6gのインデンを加え、室温で30分攪拌し
た後、これに室温で27.5mlのトリヘキシルアルミ
ニウムを3時間かけて徐々に滴下した。この溶液を11
0℃でさらに8時間攪拌して触媒成分溶液を得た。この
溶液を1H−NMRにより測定するとジルコノセンに由
来するインデニル基の水素のピークが1H−NMRでは
観測されない。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上
記の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これにメ
チルアルミノキサンの1ミリモル/ml溶液を1ml加
えて室温で30分攪拌した。上記の接触生成物を使用し
て、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー
194gを得た。触媒効率は194kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは3.2g/10分であり、密度
は0.9234g/cm2 であり、融点は114.7
℃、Mw/Mnは3.6であった。 実施例5 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4 H
9 )4 、9.3gのインデンを加え、室温で30分攪拌
した後、これに室温で25.3mlのトリイソブチルア
ルミニウムを3時間かけて徐々に滴下した。この溶液を
140℃でさらに4時間攪拌して触媒成分溶液を得た。
この溶液を1H−NMRにより測定するとジルコノセン
に由来するインデニル基の水素のピークが1H−NMR
では観測されない。窒素雰囲気下、50ccのフラスコ
に上記の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これ
にトリチルテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート
0.01ミリモルを加えて室温で30分攪拌した。上記
の接触生成物を使用して、実施例1と同様な重合反応を
行った。白色ポリマー198gを得た。触媒効率は19
8kg/gZrであり、ポリマーのMFRは3.1g/
10分であり、密度は0.9205g/cm2 であり、
融点は114.3℃、Mw/Mnは3.1であった。 実施例6 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4 H
9 )4 、9.3gのインデンを加え、室温で30分攪拌
した後、これに室温で25.3mlのトリイソブチルア
ルミニウムを3時間かけて徐々に滴下した。この溶液を
140℃でさらに4時間攪拌して触媒成分溶液を得た。
この溶液を1H−NMRにより測定するとジルコノセン
に由来するインデニル基の水素のピークが1H−NMR
では観測されない。窒素雰囲気下、50ccのフラスコ
に上記の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これ
にトリ(ペンタフルオロフェニル)ボランの0.02ミ
リモルを加えて室温で30分攪拌した。上記の接触生成
物を使用して、実施例1と同様な重合反応を行った。白
色ポリマー203gを得た。触媒効率は203kg/g
Zrであり、ポリマーのMFRは2.2g/10分であ
り、密度は0.9225g/cm2 であり、融点は11
4.6℃、Mw/Mnは3.4であった。 実施例7 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製メシ
チレン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4
H9 )4 、10.3gのビスインデニルエタンを加え、
室温で30分攪拌した後、これに室温で27.5mlの
トリヘキシルアルミニウムを1時間かけて徐々に滴下し
た。この溶液を160℃でさらに2時間攪拌して触媒成
分溶液を得た。この溶液を1H−NMRにより測定する
とジルコノセンに由来するインデニル基の水素のピーク
が1H−NMRでは観測されない。窒素雰囲気下、50
ccのフラスコに上記の触媒成分溶液をZrとして1m
g採取し、これにトリエチルアンモニウムテトラ(ペン
タフルオロフェニル)ボレートの0.01ミリモルを加
えて室温で30分攪拌した。上記の接触生成物を使用し
て、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー
210gを得た。触媒効率は210kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは0.5g/10分であり、密度
は0.9181g/cm2 であり、融点は110.9
℃、Mw/Mnは3.8であった。 実施例8 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製トル
エン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4 H
9 )4 、9.3gのインデンを加え、室温で30分攪拌
した後、これに室温で25.3mlのトリイソブチルア
ルミニウムを2時間かけて徐々に滴下した。この溶液を
110℃でさらに2時間攪拌して触媒成分溶液を得た。
窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の触媒成分溶
液をZrとして1mg採取し、これにメチルアルミノキ
サンの4ミリモル/ml溶液を0.25ml加えて室温
で1週間攪拌した。この溶液を1H−NMRにより測定
するとジルコノセンに由来するインデニル基の水素のピ
ークが1H−NMRでは観測されない。上記の接触生成
物を使用して、実施例1と同様な重合反応を行った。白
色ポリマー165gを得た。触媒効率は165kg/g
Zrであり、ポリマーのMFRは2.7g/10分であ
り、密度は0.9218g/cm2 であり、融点は11
4.7℃、Mw/Mnは3.7であった。 実施例9 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで2.3gの四塩化ジルコニ
ウム、3.2gのメチルシクロペンタジエンを加え、室
温で30分攪拌した後、これに室温で25.3mlのト
リイソブチルアルミニウムを2時間かけて徐々に滴下し
た。この溶液を140℃でさらに2時間攪拌して触媒成
分溶液を得た。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上
記の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これにメ
チルアルミノキサンの4ミリモル/ml溶液を0.14
ml加えて110℃で2時間で30分攪拌し,さらに室
温で4日間攪拌した。この溶液を1H−NMRにより測
定するとジルコノセンに由来するシクロペンタジエニル
基の水素のピークが1H−NMRでは観測されない。窒
素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の触媒成分溶液
をZrとして1mg採取し、これにトリチルテトラ(ペ
ンタフルオロフェニル)ボレート0.01ミリモルを加
えて室温で30分攪拌した。この接触生成物を使用し
て、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー
265gを得た。触媒効率は265kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは1.5g/10分であり、密度
は0.9208g/cm2 であり、融点は113.5
℃、Mw/Mnは3.5であった。 実施例10 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製キシ
レン50mlを加え、次いで3.2gのZr(0C4 H
9 )4 、10.4gのメチルインデンを加え、室温で3
0分攪拌した後、これに室温で12.3gのジエチル亜
鉛を1時間かけて徐々に滴下した。この溶液を140℃
でさらに5時間攪拌して触媒成分溶液を得た。窒素雰囲
気下、50ccのフラスコに上記の触媒成分溶液をZr
として1mg採取し、これにメチルアルミノキサンの4
ミリモル/ml溶液を0.25ml加えて室温で1週間
攪拌した。この溶液を1H−NMRにより測定するとジ
ルコノセンに由来するインデニル基の水素のピークが1
H−NMRでは観測されない。上記の接触生成物を使用
して、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマ
ー155gを得た。触媒効率は155kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは0.1g/10分であり、密度
は0.9232g/cm2 であり、融点は115.2
℃、Mw/Mnは3.3であった。 実施例11 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製トル
エン50mlを加え、次いで3.8gのZr(0C4 H
9 )4 、9.8gのノルマルブチルシクロペンタジエン
を加え、室温で30分攪拌した後、これに室温で10モ
ルのn−BuMgClを1時間かけて徐々に滴下した。
この溶液を110℃でさらに2時間攪拌して触媒成分溶
液を得た。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の
触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これにメチル
アルミノキサンの4ミリモル/ml溶液を0.25ml
加えて室温で1週間攪拌した。この溶液を1H−NMR
により測定するとジルコノセンに由来するシクロペンタ
ジエニル基の水素のピークが1H−NMRでは観測され
ない。上記の接触生成物を使用して、実施例1と同様な
重合反応を行った。白色ポリマー182gを得た。触媒
効率は182kg/gZrであり、ポリマーのMFRは
1.9g/10分であり、密度は0.9273g/cm
2 であり、融点は116.3℃、Mw/Mnは3.5で
あった。 実施例12 実施例1で使用したのと同一の触媒を使用して、次の要
領で重合反応を行った。攪拌機を付した容量3リットル
のステンレススチール製オートクレーブを窒素置換した
後、乾燥した海砂200gを加え、さらに実施例1の触
媒成分溶液をZrとして1mg、メチルアルミノキサン
の1ミリモル/ml溶液を1ml加えて攪拌下に75℃
に加熱した。次に、エチレンを9kgf/cm2 となる
ようオートクレーブに張り込んで重合を開始した後、エ
チレンを連続的にオートクレーブに供給しつつ、全圧を
9kgf/cm2 に維持し、1時間重合を行った。重合
終了後、余剰の混合ガスを排出してオートクレーブを冷
却し、海砂を除いて白色ポリマー177gを得た。触媒
効率は177kg/gZrであり、ポリマーのMFRは
1.9g/10分であり、密度は0.9503g/cm
2 であり、融点は132.5℃であり、Mw/Mnは
3.1であった。 実施例13 窒素雰囲気下、200ccの三つ口フラスコに精製トル
エン50mlを加え、次いで3.4gのTi(0C4 H
9 )4 、9.3gのインデンを加え、室温で30分攪拌
した後、これに室温で20mlのアルミニウムトリイソ
ブチルを1時間かけて徐々に滴下した。この溶液を室温
でさらに2時間攪拌して触媒成分溶液を得た。この溶液
を1H−NMRにより測定するとチタノセンに由来する
インデニル基の水素のピークが1H−NMRでは観測さ
れない。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記の触
媒成分溶液をTiとして1mg採取し、これにメチルア
ルミノキサンの1ミリモル/ml溶液を2ml加えて室
温で30分攪拌した。上記の接触生成物を使用して、実
施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマー131
gを得た。触媒効率は131kg/gTiであり、ポリ
マーのMFRは1.8g/10分であり、密度は0.9
218g/cm2 であり、融点は99.2℃、Mw/M
nは3.2であった。 比較例1 窒素雰囲気下、300ccの三つ口フラスコに精製トル
エン100mlを加え、次いで3.8gのジルコニウム
テトラノルマルブトキサイド、9.3gのインデンを加
え、室温で30分攪拌した後、これに室温で25mlの
トリイソブチルアルミニウムを2時間かけて徐々に滴下
した。この溶液を室温でさらに1時間攪拌して触媒成分
溶液を得た。窒素雰囲気下、50ccのフラスコに上記
の触媒成分溶液をZrとして1mg採取し、これにメチ
ルアルミノキサンの1ミリモル/ml溶液を1ml加え
て室温で2時間攪拌した。上記の触媒成分溶液をを使用
して、実施例1と同様な重合反応を行った。白色ポリマ
ー112gを得た。触媒効率は112kg/gZrであ
り、ポリマーのMFRは1.9g/10分であり、密度
は0.9223g/cm2 であり、融点は114.8℃
であった。 実施例14 実施例1で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに600℃で5時間焼成したSiO2 (富
士デビソン社製、グレード#952、表面積300m2
/g)2gを加え、さらに精製トルエン10mlを加え
た。その後上記実施例1で用いた触媒溶液の全量を加
え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性の
ある固体状触媒成分を得た。攪拌機を付したステンレス
製オートクレーブを用い,ブロワー,流量調節器および
乾式サイクロンでループをつくり、オートクレーブはジ
ャケットに温水を流すことによって温度を調節した。6
0℃に調節したオートクレーブに上記固体触媒を100
mg/hおよびメチルアルミノキサンのトルエン溶液
(1mmol/l)の1ml/hの速度で供給し、オー
トクレーブの気相中のブテン−1/エチレンモル比を
0.25になるように調節しながら各々のガスを供給し
て全圧を8kg/cm2Gに保ちながらブロワーにより
系内のガスを循環させ,生成ポリマーを間欠的に抜き出
しながら8時間の連続重合を行った。触媒効率は192
kg/gZrであり,生成したエチレン共重合体はMF
R1.9g/10min,密度 0.9221g/cm
3,かさ密度 0.45g/cm3,ポリマーの融点 1
15.0℃であった。 実施例15 実施例2で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したSi
O2 (富士デビソン社製、グレード#952、表面積3
00m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10ml
を加えた。その後濃度1mmol/mlのメチルアルミノキサ
ン溶液3mlを加え,室温で2時間攪はんした。上記の
シリカスラリーに上記実施例2で用いた触媒溶液の全量
を加え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動
性のある固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に重
合を行った。触媒効率は185kg/gZrであり,生
成したエチレン共重合体はMFR6.8g/10min,
密度0.9223g/cm3,かさ密度0.42g/c
m3,ポリマーの融点 114.0℃であった。 実施例16 実施例3で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したSi
O2 (富士デビソン社製、グレード#952、表面積3
00m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10ml
を加えた。その後濃度1mmol/mlのトリエチルアルミニ
ウムのトルエン溶液 3mlを加え,室温で2時間攪は
んした。上記のシリカスラリーに上記の実施例3で用い
た触媒溶液の全量を加え,窒素ブローおよび減圧下で溶
媒を除去して流動性のある固体状触媒成分を得た。実施
例14と同様に重合を行った。触媒効率は164kg/
gZrであり,生成したエチレン共重合体はMFR0.
05g/10min,密度 0.9208g/cm3,
かさ密度 0.43g/cm3,ポリマーの融点 11
2.7℃であった。 実施例17 実施例4で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したSi
O2 (富士デビソン社製、グレード#952、表面積3
00m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10ml
を加えた。その後Zr(OnBu)40.7mgを加え,室温で
2時間攪はんした。上記のシリカスラリーに上記の実施
例4で用いた触媒溶液全量を加え,窒素ブローおよび減
圧下で溶媒を除去して流動性のある固体状触媒成分を得
た。実施例14と同様に重合を行った。触媒効率は16
2kg/gZrであり,生成したエチレン共重合体はM
FR3.5g/10min,密度 0.9243g/c
m3,かさ密度 0.44g/cm3,ポリマーの融点
114.1℃であった。 実施例18 実施例5で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコにアルミナ 2gを加え、さらに精製トル
エン10mlを添加し、室温で2時間撹はんした。ついで
上記の実施例5で用いた触媒溶液全量を加え、窒素ブロ
ーおよび減圧下で溶媒を除去して流動性のある固体状触
媒成分を得た。実施例14と同様に重合を行った。触媒
効率は165kg/gZrであり,生成したエチレン共
重合体はMFR2.3g/10min,密度 0.92
39g/cm3,かさ密度 0.43g/cm3,ポリマ
ーの融点 114.0℃であった。 実施例19 実施例6で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したSi
O2 (富士デビソン社製、グレード#952、表面積3
00m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10ml
を加えた。その後ブタノール0.75gを加え,室温で
2時間攪はんした。その後窒素ブロー,減圧下で溶媒を
除去して粉末固体状にした。その後トルエン10mlお
よび濃度1mmol/mlのメチルアルミノキサン溶液 7.
5mlを加えて室温で1時間撹拌した。上記のシリカス
ラリーに上記実施例6で用いた触媒溶液の全量を加え,
窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性のある
固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に重合を行っ
た。触媒効率は193kg/gZrであり,生成したエ
チレン共重合体はMFR1.1g/10min,密度
0.9208g/cm3,かさ密度 0.47g/c
m3,ポリマーの融点 113.8℃であった。 実施例20 実施例7で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに窒素下で600℃で5時間焼成したシリ
カ・アルミナ(表面積200m2 /g)2gを加え、さ
らに精製トルエン10mlを加えた。その後濃度1mmol/
mlのメチルアルミノキサン溶液 3mlを加え,室温で
2時間攪はんした。上記シリカ・アルミナのスラリーに
上記実施例7で用いた触媒溶液の全量を加え,窒素ブロ
ーおよび減圧下で溶媒を除去して流動性のある固体状触
媒成分を得た。実施例14と同様に重合を行った。触媒
効率は187kg/gZrであり,生成したエチレン共
重合体はMFR3.0g/10min,密度 0.92
19g/cm3,かさ密度 0.43g/cm3,ポリマ
ーの融点 112.9℃であった。 実施例21 実施例8で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。1
00mlフラスコに窒素下で80℃で5時間減圧乾燥した
ポリエチレンパウダー(リニャーローデンシティポリエ
チレン MFR1.0g/10min,嵩密度0.41
g/cm3,粒径 500μm)2gを加え,ついで濃
度1mmol/mlのメチルアルミノキサン溶液 6.3ml
を十分に分散するように加え,室温で1時間攪はんした
後,上記実施例8で用いた触媒溶液の全量を加え,窒素
ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性のある固体
触媒成分を得た。実施例14と同様に重合を行った。触
媒効率は167kg/gZrであり,生成したエチレン
共重合体はMFR15g/10min,密度 0.92
25g/cm3,かさ密度 0.34g/cm3,ポリマ
ーの融点 113.3℃であった。 実施例22 実施例9で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに600℃で5時間焼成したSiO2 (富
士デビソン社製、グレード#952、表面積300m2
/g)2gを加え、さらに精製トルエン10mlを加え
た。その後上記実施例9で用いた触媒溶液の全量を加
え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性の
ある固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に重合を
行った。触媒効率は156kg/gZrであり,生成し
たエチレン共重合体はMFR2.3g/10min,密
度 0.9237g/cm3,かさ密度 0.40g/
cm3,ポリマーの融点 115.0℃であった。 実施例23 実施例13で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。
50mlフラスコに600℃で5時間焼成したSiO2
(富士デビソン社製、グレード#952、表面積300
m2 /g)2gを加え、さらに精製トルエン10mlを加
えた。その後上記実施例13で用いた触媒溶液の全量を
加え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性
のある固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に重合
を行った。触媒効率は108kg/gTiであり,生成
したエチレン共重合体はMFR3.1g/10min,
密度 0.9200g/cm3,かさ密度 0.42g
/cm3,ポリマーの融点 98.3℃であった。 実施例24 実施例 14の触媒を用いてエチレン単独重合を行っ
た。実施例14と同様に行ったが,供給ガスとしてオー
トクレーブの気相中のブテン−1/エチレン混合ガスを
エチレンに変えて重合を行った。触媒効率は166kg
/gZrであり,生成したエチレン共重合体はMFR
1.2g/10min,密度 0.9503g/c
m3,かさ密度 0.42g/cm3,ポリマーの融点
130.9℃であった。 比較例2 比較例1で用いた触媒を用いて以下の反応を行った。5
0mlフラスコに600℃で5時間焼成したSiO2 (富
士デビソン社製、グレード#952、表面積300m2
/g)2gを加え、さらに精製トルエン10mlを加え
た。その後上記比較例1で用いた触媒溶液の全量を加
え,窒素ブローおよび減圧下で溶媒を除去して流動性の
ある固体状触媒成分を得た。実施例14と同様に行っ
た。触媒効率は131kg/gZrであり,生成したエ
チレン共重合体はMFR1.7g/10min,密度
0.9221g/cm3,かさ密度 0.41g/c
m3,ポリマーの融点 114.9℃であった。
Claims (47)
- 【請求項1】少なくとも、下記成分(1)〜成分(3)
を接触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物、(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜2
4の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1
はZr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ
0≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜 24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハ
ロゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z
はMe2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物、 触媒成分として供する際に,1H−NMRにより、金属
Me1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペン
タジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構
造の5員環部分の水素のピークが観測されない形態であ
ることを特徴とするオレフィン類重合用触媒成分。 - 【請求項2】少なくとも、下記成分(1)〜成分(3)
を接触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物、(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜2
4の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1
はZr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ
0≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜 24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハ
ロゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z
はMe2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物、 触媒成分として供する際に,1H−NMRにより金属M
e1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペンタ
ジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニルの5
員環部分の水素のピークが観測されない形態であるオレ
フィン類重合用触媒成分を,下記成分(4)および/ま
たは成分(5)と接触させることにより得られることを
特徴とするオレフィン類重合用触媒。 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン - 【請求項3】少なくとも下記成分(1)、成分(2)お
よび成分(3)、ならびに成分(4)および/または成
分(5)を相互に接触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24
の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1は
Zr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ0
≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハロ
ゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z は
Me2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン 触媒として供する際に,1H−NMRにより,金属Me
1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペンタジ
エニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構造の
5員環部分の水素のピークが観測されない形態であるこ
とを特徴とするオレフィン類重合用触媒。 - 【請求項4】少なくとも、下記成分(1)〜成分(3)
および成分(6)を接触することにより得られ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24
の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1は
Zr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ0
≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜 24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハ
ロゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z
はMe2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物。 成分(6):無機担体および/または粒子状ポリマー担
体 触媒成分として供する際に,1H−NMRにより金属M
e1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペンタ
ジエニル構造,インデニル構造またはフルオレニルの5
員環部分の水素のピークが観測されない形態であるオレ
フィン類重合用触媒成分を,下記成分(4)および/ま
たは成分(5)と接触させることにより得られることを
特徴とするオレフィン類重合用触媒。 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン - 【請求項5】少なくとも下記成分(1)、成分(2)お
よび成分(3)、成分(6)ならびに成分(4)および
/または成分(5)を相互に接触することにより得ら
れ、 成分(1):一般式Me1R1 p(OR2)qX1 4ーp-qで表
される化合物(式中、R1、R2は個別に炭素数1〜24
の炭化水素基、X1はハロゲン原子または水素、Me1は
Zr、TiまたはHfを示し、pおよびqはそれぞれ0
≦p≦4、0≦q≦4、0≦p+q≦4である) 成分(2):一般式Me2 R3 m (OR4 )n X2
z-m-n で表される化合物、(式中、R3 、R4 は個別に
炭素数1〜24の炭化水素基、X2 は水素原子またはハロ
ゲン原子、Me2 は周期律表第I〜III族元素、z は
Me2 の価数を示し、mおよびnはそれぞれ0≦m≦
z、0≦n≦z、0<m+n≦zである。) 成分(3):共役二重結合を2個以上持つ有機環状化合
物 成分(4):Al−O−Al結合を含む変性有機アルミ
ニウム化合物 成分(5):ボレートおよび/またはボラン 成分(6):無機担体および/または粒子状ポリマー担
体 触媒として供する際に,1H−NMRにより,金属Me
1を中心原子とするメタロセン化合物のシクロペンタジ
エニル構造,インデニル構造またはフルオレニル構造の
5員環部分の水素のピークが観測されない形態であるこ
とを特徴とするオレフィン類重合用触媒。 - 【請求項6】請求項2、3、4または5に記載された成
分(1)において、式中のR1、R2が個別に炭素数1〜
12のアルキル基、アルケニル基、アリール基またはア
ラルキル基であり、X1がフッ素、ヨウ素、塩素又は臭
素のハロゲン原子または水素原子、p 及びq は0<p +
q ≦4であることを特徴とするオレフィン類重合触媒。 - 【請求項7】請求項2、3、4または5に記載された成
分(1)が、テトラメチルジルコニウム、テトラエチル
ジルコニウム、テトラプロピルジルコニウム、テトラn
−ブチルジルコニウム、テトラペンチルジルコニウム、
テトラフェニルジルコニウム、テトラトリルジルコニウ
ム、テトラベンジルジルコニウム、テトラアリルジルコ
ニウム、テトラネオフィルジルコニウム、テトラメトキ
シジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラ
プロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウ
ム、テトラペンチルオキシジルコニウム、テトラフェノ
キシジルコニウム、テトラトリルオキシジルコニウム、
テトラベンジルオキシジルコニウム、テトラアリルオキ
シジルコニウム、テトラネオフィルオキシジルコニウ
ム、トリメチルモノクロロジルコニウム、トリエチルモ
ノクロロジルコニウム、トリプロピルモノクロロジルコ
ニウム、トリn−ブチルモノクロロジルコニウム、トリ
ペンチルモノクロロジルコニウム、トリフェニルモノク
ロロジルコニウム、トリトリルモノクロロジルコニウ
ム、トリベンジルモノクロロジルコニウム、トリアリル
モノクロロジルコニウム、トリネオフィルモノクロロジ
ルコニウム、ジメチルジクロロジルコニウム、ジエチル
ジクロロジルコニウム、ジプロピルジクロロジルコニウ
ム、ジn−ブチルジクロロジルコニウム、ジペンチルジ
クロロジルコニウム、ジフェニルジクロロジルコニウ
ム、ジトリルジクロロジルコニウム、ジベンジルジクロ
ロジルコニウム、ジアリルジクロロジルコニウム、ジネ
オフィルジクロロジルコニウム、モノメチルトリクロロ
ジルコニウム、モノエチルトリクロロジルコニウム、モ
ノプロピルトリクロロジルコニウム、モノn−ブチルト
リクロロジルコニウム、モノペンチルトリクロロジルコ
ニウム、モノフェニルトリクロロジルコニウム、モノト
リルトリクロロジルコニウム、モノベンジルトリクロロ
ジルコニウム、モノアリルトリクロロジルコニウム、モ
ノネオフィルトリクロロジルコニウム、テトラクロロジ
ルコニウム、トリメトキシモノクロロジルコニウム、ジ
メトキシジクロロジルコニウム、モノメトキシトリクロ
ロジルコニウム、トリエトキシモノクロロジルコニウ
ム、ジエトキシジクロロジルコニウム、モノエトキシト
リクロロジルコニウム、トリプロポキシモノクロロジル
コニウム、ジプロポキシジクロロジルコニウム、モノプ
ロポキシトリクロロジルコニウム、トリn−ブトキシモ
ノクロロジルコニウム、ジn−ブトキシジクロロジルコ
ニウム、モノn−ブトキシトリクロロジルコニウム、ト
リペンチルオキシモノクロロジルコニウム、ジペンチル
オキシジクロロジルコニウム、モノペンチルオキシトリ
クロロジルコニウム、トリフェノキシモノクロロジルコ
ニウム、ジフェノキシジクロロジルコニウム、モノフェ
ノキシトリクロロジルコニウム、トリトリルオキシモノ
クロロジルコニウム、ジトリルオキシジクロロジルコニ
ウム、モノトリルオキシトリクロロジルコニウム、トリ
ベンジルオキシモノクロロジルコニウム、ジベンジルオ
キシジクロロジルコニウム、モノベンジルオキシトリク
ロロジルコニウム、トリアリルオキシモノクロロジルコ
ニウム、ジアリルオキシジクロロジルコニウム、モノア
リルオキシトリクロロジルコニウム、トリネオフィルオ
キシモノクロロジルコニウム、ジネオフィルオキシジク
ロロジルコニウム、モノネオフィルオキシトリクロロジ
ルコニウム、テトラブロモジルコニウム、トリメチルモ
ノブロモジルコニウム、トリエチルモノブロモジルコニ
ウム、トリプロピルモノブロモジルコニウム、トリn−
ブチルモノブロモジルコニウム、トリペンチルモノブロ
モジルコニウム、トリフェニルモノブロモジルコニウ
ム、トリトリルモノブロモジルコニウム、トリベンジル
モノブロモジルコニウム、トリアリルモノブロモジルコ
ニウム、トリネオフィルモノブロモジルコニウム、ジメ
チルジブロモジルコニウム、ジエチルジブロモジルコニ
ウム、ジプロピルジブロモジルコニウム、ジn−ブチル
ジブロモジルコニウム、ジペンチルジブロモジルコニウ
ム、ジフェニルジブロモジルコニウム、ジトリルジブロ
モジルコニウム、ジベンジルジブロモジルコニウム、ジ
アリルジブロモジルコニウム、ジネオフィルジブロモジ
ルコニウム、モノメチルトリブロモジルコニウム、モノ
エチルトリブロモジルコニウム、モノプロピルトリブロ
モジルコニウム、モノn−ブチルトリブロモジルコニウ
ム、モノペンチルトリブロモジルコニウム、モノフェニ
ルトリブロモジルコニウム、モノトリルトリブロモジル
コニウム、モノベンジルトリブロモジルコニウム、モノ
アリルトリブロモジルコニウム、モノネオフィルトリブ
ロモジルコニウム、テトラブロモジルコニウム、トリメ
トキシモノブロモジルコニウム、ジメトキシジブロモジ
ルコニウム、モノメトキシトリブロモジルコニウム、ト
リエトキシモノブロモジルコニウム、ジエトキシジブロ
モジルコニウム、モノエトキシトリブロモジルコニウ
ム、トリプロポキシモノブロモジルコニウム、ジプロポ
キシジブロモジルコニウム、モノプロポキシトリブロモ
ジルコニウム、トリn−ブトキシモノブロモジルコニウ
ム、ジn−ブトキシジブロモジルコニウム、モノn−ブ
トキシトリブロモジルコニウム、トリペンチルオキシモ
ノブロモジルコニウム、ジペンチルオキシジブロモジル
コニウム、モノペンチルオキシトリブロモジルコニウ
ム、トリフェノキシモノブロモジルコニウム、ジフェノ
キシジブロモジルコニウム、モノフェノキシトリブロモ
ジルコニウム、トリトリルオキシモノブロモジルコニウ
ム、ジトリルオキシジブロモジルコニウム、モノトリル
オキシトリブロモジルコニウム、トリベンジルオキシモ
ノブロモジルコニウム、ジベンジルオキシジブロモジル
コニウム、モノベンジルオキシトリブロモジルコニウ
ム、トリアリルオキシモノブロモジルコニウム、ジアリ
ルオキシジブロモジルコニウム、モノアリルオキシトリ
ブロモジルコニウム、トリネオフィルオキシモノブロモ
ジルコニウム、ジネオフィルオキシジブロモジルコニウ
ム、モノネオフィルオキシトリブロモジルコニウム、テ
トラヨードジルコニウム、トリメチルモノヨードジルコ
ニウム、トリエチルモノヨードジルコニウム、トリプロ
ピルモノヨードジルコニウム、トリn−ブチルモノヨー
ドジルコニウム、トリペンチルモノヨードジルコニウ
ム、トリフェニルモノヨードジルコニウム、トリトリル
モノヨードジルコニウム、トリベンジルモノヨードジル
コニウム、トリアリルモノヨードジルコニウム、トリネ
オフィルモノヨードジルコニウム、ジメチルジヨードジ
ルコニウム、ジエチルジヨードジルコニウム、ジプロピ
ルジヨードジルコニウム、ジn−ブチルジヨードジルコ
ニウム、ジペンチルジヨードジルコニウム、ジフェニル
ジヨードジルコニウム、ジトリルジヨードジルコニウ
ム、ジベンジルジヨードジルコニウム、ジアリルジヨー
ドジルコニウム、ジネオフィルジヨードジルコニウム、
モノメチルトリヨードジルコニウム、モノエチルトリヨ
ードジルコニウム、モノプロピルトリヨードジルコニウ
ム、モノn−ブチルトリヨードジルコニウム、モノペン
チルトリヨードジルコニウム、モノフェニルトリヨード
ジルコニウム、モノトリルトリヨードジルコニウム、モ
ノベンジルトリヨードジルコニウム、テトラヨードジル
コニウム、トリメトキシモノヨードジルコニウム、ジメ
トキシジヨードジルコニウム、モノメトキシトリヨード
ジルコニウム、トリエトキシモノヨードジルコニウム、
ジエトキシジヨードジルコニウム、モノエトキシトリヨ
ードジルコニウム、トリプロポキシモノヨードジルコニ
ウム、ジプロポキシジヨードジルコニウム、モノプロポ
キシトリヨードジルコニウム、トリn−ブトキシモノヨ
ードジルコニウム、ジn−ブトキシジヨードジルコニウ
ム、モノn−ブトキシトリヨードジルコニウム、トリペ
ンチルオキシモノヨードジルコニウム、ジペンチルオキ
シジヨードジルコニウム、モノペンチルオキシトリヨー
ドジルコニウム、トリフェノキシモノヨードジルコニウ
ム、ジフェノキシジヨードジルコニウム、モノフェノキ
シトリヨードジルコニウム、トリトリルオキシモノヨー
ドジルコニウム、ジトリルオキシジヨードジルコニウ
ム、モノトリルオキシトリヨードジルコニウム、トリベ
ンジルオキシモノヨードジルコニウム、ジベンジルオキ
シジヨードジルコニウム、モノベンジルオキシトリヨー
ドジルコニウム、トリアリルオキシモノヨードジルコニ
ウム、ジアリルオキシジヨードジルコニウム、モノアリ
ルオキシトリヨードジルコニウム、トリネオフィルオキ
シモノヨードジルコニウム、ジネオフィルオキシジヨー
ドジルコニウム、モノネオフィルオキシトリヨードジル
コニウム、トリベンジルモノメトキシジルコニウム、ト
リベンジルモノエトキシジルコニウム、トリベンジルモ
ノプロポキシジルコニウム、トリベンジルモノブトキシ
ジルコニウム、トリベンジルモノペンチルオキシジルコ
ニウム、トリベンジルモノフェノキシジルコニウム、ト
リベンジルモノトリルオキシジルコニウム、トリベンジ
ルモノベンジルオキシジルコニウム、トリベンジルモノ
アリルオキシジルコニウム、トリベンジルモノネオフィ
ルオキシジルコニウム、ジベンジルジメトキシジルコニ
ウム、ジベンジルジエトキシジルコニウム、ジベンジル
ジプロポキシジルコニウム、ジベンジルジブトキシジル
コニウム、ジベンジルジペンチルオキシジルコニウム、
ジベンジルジフェノキシジルコニウム、ジベンジルジト
リルオキシジルコニウム、ジベンジルジベンジルオキシ
ジルコニウム、ジベンジルジアリルオキシジルコニウ
ム、ジベンジルジネオフィルオキシジルコニウム、モノ
ベンジルトリメトキシジルコニウム、モノベンジルトリ
エトキシジルコニウム、モノベンジルトリプロポキシジ
ルコニウム、モノベンジルトリブトキシジルコニウム、
モノベンジルトリペンチルオキシジルコニウム、モノベ
ンジルトリフェノキシジルコニウム、モノベンジルトリ
トリルオキシジルコニウム、モノベンジルトリベンジル
オキシジルコニウム、モノベンジルトリアリルオキシジ
ルコニウム、モノベンジルトリネオフィルオキシジルコ
ニウム、トリネオフィルモノメトキシジルコニウム、ト
リネオフィルモノエトキシジルコニウム、トリネオフィ
ルモノプロポキシジルコニウム、トリネオフィルモノブ
トキシジルコニウム、トリネオフィルモノフェノキシジ
ルコニウム、ジネオフィルジメトキシジルコニウム、ジ
ネオフィルジエトキシジルコニウム、ジネオフィルジプ
ロポキシジルコニウム、ジネオフィルジブトキシジルコ
ニウム、ジネオフィルジフェノキシジルコニウム、モノ
ネオフィルトリメトキシジルコニウム、モノネオフィル
トリエトキシジルコニウム、モノネオフィルトリプロポ
キシジルコニウム、モノネオフィルトリブトキシジルコ
ニウム、モノネオフィルトリフェノシジルコニウム、ジ
ルコニウムテトラハイドライド,ジルコニウムモノハイ
ドライドトリメトキサイド,ジルコニウムモノハイドラ
イドトリエトキサイド,ジルコニウムモノハイドライド
トリプロポキサイド,ジルコニウムモノハイドライドト
リブトキサイド,ジルコニウムジハイドライドジメトキ
サイド,ジルコニウムジハイドライドジエトキサイド,
ジルコニウムジハイドライドジプロポキサイド,ジルコ
ニウムジハイドライドジブトキサイド,ジルコニウムト
リハイドライドモノメトキサイド,ジルコニウムトリハ
イドライドモノエトキサイド,ジルコニウムトリハイド
ライドモノプロポキサイド,ジルコニウムトリハイドラ
イドモノブトキサイド,ジルコニウムモノハイドライド
トリクロライド,ジルコニウムモノハイドライドトリブ
ロマイド,ジルコニウムモノハイドライドトリアイオダ
イド,ジルコニウムモノハイドライドトリフルオライ
ド,ジルコニウムジハイドライドジクロライド,ジルコ
ニウムジハイドライドジブロマイド,ジルコニウムジハ
イドライドジアイオダイド,ジルコニウムジハイドライ
ドジフルオライド,ジルコニウムトリハイドライドモノ
クロライド,ジルコニウムトリハイドライドモノブロマ
イド,ジルコニウムトリハイドライドモノアイオダイ
ド,ジルコニウムトリハイドライドモノフルオライド,
ジルコニウムモノハイドライドトリメチル,ジルコニウ
ムモノハイドライドトリベンジル,ジルコニウムモノハ
イドライドトリフェニル,ジルコニウムジハイドライド
ジメチル,ジルコニウムジハイドライドジベンジル,ジ
ルコニウムジハイドライドジフェニル,ジルコニウムト
リハイドライドモノメチル,ジルコニウムトリハイドラ
イドモノベンジル,ジルコニウムトリハイドライドモノ
フェニル,ジルコニウムモノハイドライドジメトキサイ
ドモノクロライド,ジルコニウムモノハイドライドジエ
トキサイドモノクロライド,ジルコニウムモノハイドラ
イドジプロポキサイドモノクロライド,ジルコニウムモ
ノハイドライドジブトキサイドモノクロライド,ジルコ
ニウムジハイドライドモノメトキサイドモノクロライ
ド,ジルコニウムジハイドライドモノエトキサイドモノ
クロライド,ジルコニウムジハイドライドモノプロポキ
サイドモノクロライド,ジルコニウムジハイドライドモ
ノブトキサイドモノクロライド,ジルコニウムモノハイ
ドライドジメトキサイドモノメチル,ジルコニウムモノ
ハイドライドジエトキサイドモノベンジル,ジルコニウ
ムモノハイドライドジプロポキサイドモノフェニル,ジ
ルコニウムジハイドライドモノメトキサイドモノメチ
ル,ジルコニウムジハイドライドモノエトキサイドモノ
ベンジル,ジルコニウムジハイドライドモノプロポキサ
イドモノフェニル,ジルコニウムモノハイドライドモノ
メトキサイドモノクロライドモノベンジル,ジルコニウ
ムモノハイドライドモノメトキサイドモノクロライドモ
ノフェニル,ジルコニウムモノハイドライドモノメトキ
サイドモノクロライドモノメチル テトラメチルチタニウム、テトラエチルチタニウム、テ
トラプロピルチタニウム、テトラn−ブチルチタニウ
ム、テトラペンチルチタニウム、テトラフェニルチタニ
ウム、テトラトリルチタニウム、テトラベンジルチタニ
ウム、テトラアリルチタニウム、テトラネオフィルチタ
ニウム、テトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチ
タニウム、テトラプロポキシチタニウム、テトラブトキ
シチタニウム、テトラペンチルオキシチタニウム、テト
ラフェノキシチタニウム、テトラトリルオキシチタニウ
ム、テトラベンジルオキシチタニウム、テトラアリルオ
キシチタニウム、テトラネオフィルオキシチタニウム、
トリメチルモノクロロチタニウム、トリエチルモノクロ
ロチタニウム、トリプロピルモノクロロチタニウム、ト
リn−ブチルモノクロロチタニウム、トリベンジルモノ
クロロチタニウム、ジメチルジクロロチタニウム、ジエ
チルジクロロチタニウム、ジn−ブチルジクロロチタニ
ウム、ジベンジルジクロロチタニウム、モノメチルトリ
クロロチタニウム、モノエチルトリクロロチタニウム、
モノn−ブチルトリクロロチタニウム、モノベンジルト
リクロロチタニウム、テトラクロロチタニウム、トリメ
トキシモノクロロチタニウム、ジメトキシジクロロチタ
ニウム、モノメトキシトリクロロチタニウム、トリエト
キシモノクロロチタニウム、ジエトキシジクロロチタニ
ウム、モノエトキシトリクロロチタニウム、トリプロポ
キシモノクロロチタニウム、ジプロポキシジクロロチタ
ニウム、モノプロポキシトリクロロチタニウム、トリn
−ブトキシモノクロロチタニウム、ジn−ブトキシジク
ロロチタニウム、モノn−ブトキシトリクロロチタニウ
ム、トリペンチルオキシモノクロロチタニウム、ジペン
チルオキシジクロロチタニウム、モノペンチルオキシト
リクロロチタニウム、トリフェノキシモノクロロチタニ
ウム、ジフェノキシジクロロチタニウム、モノフェノキ
シトリクロロチタニウム、トリトリルオキシモノクロロ
チタニウム、ジトリルオキシジクロロチタニウム、モノ
トリルオキシトリクロロチタニウム、トリベンジルオキ
シモノクロロチタニウム、ジベンジルオキシジクロロチ
タニウム、モノベンジルオキシトリクロロチタニウム、
テトラブロモチタニウム、トリメチルモノブロモチタニ
ウム、トリエチルモノブロモチタニウム、トリプロピル
モノブロモチタニウム、トリn−ブチルモノブロモチタ
ニウム、トリベンジルモノブロモチタニウム、ジメチル
ジブロモチタニウム、ジエチルジブロモチタニウム、ジ
n−ブチルジブロモチタニウム、ジベンジルジブロモチ
タニウム、モノメチルトリブロモチタニウム、モノエチ
ルトリブロモチタニウム、モノn−ブチルトリブロモチ
タニウム、モノベンジルトリブロモチタニウム、テトラ
ブロモチタニウム、トリメトキシモノブロモチタニウ
ム、ジメトキシジブロモチタニウム、モノメトキシトリ
ブロモチタニウム、トリエトキシモノブロモチタニウ
ム、ジエトキシジブロモチタニウム、モノエトキシトリ
ブロモチタニウム、トリプロポキシモノブロモチタニウ
ム、ジプロポキシジブロモチタニウム、モノプロポキシ
トリブロモチタニウム、トリn−ブトキシモノブロモチ
タニウム、ジn−ブトキシジブロモチタニウム、モノn
−ブトキシトリブロモチタニウム、トリペンチルオキシ
モノブロモチタニウム、ジペンチルオキシジブロモチタ
ニウム、モノペンチルオキシトリブロモチタニウム、ト
リフェノキシモノブロモチタニウム、ジフェノキシジブ
ロモチタニウム、モノフェノキシトリブロモチタニウ
ム、トリトリルオキシモノブロモチタニウム、ジトリル
オキシジブロモチタニウム、モノトリルオキシトリブロ
モチタニウム、トリベンジルオキシモノブロモチタニウ
ム、ジベンジルオキシジブロモチタニウム、モノベンジ
ルオキシトリブロモチタニウム、テトラヨードチタニウ
ム、トリメチルモノヨードチタニウム、トリエチルモノ
ヨードチタニウム、トリプロピルモノヨードチタニウ
ム、トリn−ブチルモノヨードチタニウム、トリベンジ
ルモノヨードチタニウム、ジメチルジヨードチタニウ
ム、ジエチルジヨードチタニウム、ジn−ブチルジヨー
ドチタニウム、ジベンジルジヨードチタニウム、モノメ
チルトリヨードチタニウム、モノエチルトリヨードチタ
ニウム、モノn−ブチルトリヨードチタニウム、モノベ
ンジルトリヨードチタニウム、テトラヨードチタニウ
ム、トリメトキシモノヨードチタニウム、ジメキシジヨ
ードチタニウム、モノメトキシトリヨードチタニウム、
トリエトキシモノヨードチタニウム、ジエトキシジヨー
ドチタニウム、モノエトキシトリヨードチタニウム、ト
リプロポキシモノヨードチタニウム、ジプロポキシジヨ
ードチタニウム、モノプロポキシトリヨードチタニウ
ム、トリn−ブトキシモノヨードチタニウム、ジn−ブ
トキシジヨードチタニウム、モノn−ブトキシトリヨー
ドチタニウム、トリペンチルオキシモノヨードチタニウ
ム、ジペンチルオキシジヨードチタニウム、モノペンチ
ルオキシトリヨードチタニウム、トリフェノキシモノヨ
ードチタニウム、ジフェノキシジヨードチタニウム、モ
ノフェノキシトリヨードチタニウム、トリトリルオキシ
モノヨードチタニウム、ジトリルオキシジヨードチタニ
ウム、モノトリルオキシトリヨードチタニウム、トリベ
ンジルオキシモノヨードチタニウム、ジベンジルオキシ
ジヨードチタニウム、モノベンジルオキシトリヨードチ
タニウム、トリベンジルモノメトキシチタニウム、トリ
ベンジルモノエトキシチタニウム、トリベンジルモノプ
ロポキシチタニウム、トリベンジルモノブトキシチタニ
ウム、トリベンジルモノフェノキシチタニウム、ジベン
ジルジメトキシチタニウム、ジベンジルジエトキシチタ
ニウム、ジベンジルプロポキシチタニウム、ジベンジル
ジブトキシチタニウム、ジベンジルジフェノキシチタニ
ウム、モノベンジルトリメトキシチタニウム、モノベン
ジルトリエトキシチタニウム、モノベンジルトリプロポ
キシチタニウム、モノベンジルトリブトキシチタニウ
ム、モノベンジルトリフェノキシチタニウム、トリネオ
フィルモノメトキシチタニウム、トリネオフィルモノエ
トキシチタニウム、トリネオフィルモノプロポキシチタ
ニウム、トリネオフィルモノブトキシチタニウム、トリ
ネオフィルモノフェノキシチタニウム、ジネオフィルジ
メトキシチタニウム、ジネオフィルジエトキシチタニウ
ム、ジネオフィルジプロポキシチタニウム、ジネオフィ
ルジブトキシチタニウム、ジネオフィルジフェノキシチ
タニウム、モノネオフィルトリメトキシチタニウム、モ
ノネオフィルトリエトキシチタニウム、モノネオフィル
トリプロポキシチタニウム、モノネオフィルトリブトキ
シチタニウム、モノネオフィルトリフェノキシチタニウ
ム、チタニウムテトラハイドライド,チタニウムモノハ
イドライドトリメトキサイド,チタニウムモノハイドラ
イドトリエトキサイド,チタニウムモノハイドライドト
リプロポキサイド,チタニウムモノハイドライドトリブ
トキサイド,チタニウムジハイドライドジメトキサイ
ド,チタニウムジハイドライドジエトキサイド,チタニ
ウムジハイドライドジプロポキサイド,チタニウムジハ
イドライドジブトキサイド,チタニウムトリハイドライ
ドモノメトキサイド,チタニウムトリハイドライドモノ
エトキサイド,チタニウムトリハイドライドモノプロポ
キサイド,チタニウムトリハイドライドモノブトキサイ
ド,チタニウムモノハイドライドトリクロライド,チタ
ニウムモノハイドライドトリブロマイド,チタニウムモ
ノハイドライドトリアイオダイド,チタニウムモノハイ
ドライドトリフルオライド,チタニウムジハイドライド
ジクロライド,チタニウムジハイドライドジブロマイ
ド,チタニウムジハイドライドジアイオダイド,チタニ
ウムジハイドライドジフルオライド,チタニウムトリハ
イドライドモノクロライド,チタニウムトリハイドライ
ドモノブロマイド,チタニウムトリハイドライドモノア
イオダイド,チタニウムトリハイドライドモノフルオラ
イド,チタニウムモノハイドライドトリメチル,チタニ
ウムモノハイドライドトリベンジル,チタニウムモノハ
イドライドトリフェニル,チタニウムジハイドライドジ
メチル,チタニウムジハイドライドジベンジル,チタニ
ウムジハイドライドジフェニル,チタニウムトリハイド
ライドモノメチル,チタニウムトリハイドライドモノベ
ンジル,チタニウムトリハイドライドモノフェニル,チ
タニウムモノハイドライドジメトキサイドモノクロライ
ド,チタニウムモノハイドライドジエトキサイドモノク
ロライド,チタニウムモノハイドライドジプロポキサイ
ドモノクロライド,チタニウムモノハイドライドジブト
キサイドモノクロライド,チタニウムジハイドライドモ
ノメトキサイドモノクロライド,チタニウムジハイドラ
イドモノエトキサイドモノクロライド,チタニウムジハ
イドライドモノプロポキサイドモノクロライド,チタニ
ウムジハイドライドモノブトキサイドモノクロライド,
チタニウムモノハイドライドジメトキサイドモノメチ
ル,チタニウムモノハイドライドジエトキサイドモノベ
ンジル,チタニウムモノハイドライドジプロポキサイド
モノフェニル,チタニウムジハイドライドモノメトキサ
イドモノメチル,チタニウムジハイドライドモノエトキ
サイドモノベンジル,チタニウムジハイドライドモノプ
ロポキサイドモノフェニル,チタニウムモノハイドライ
ドモノメトキサイドモノクロライドモノベンジル,チタ
ニウムモノハイドライドモノメトキサイドモノクロライ
ドモノフェニル,チタニウムモノハイドライドモノメト
キサイドモノクロライドモノメチル テトラメチルハフニウム、テトラエチルハフニウム、テ
トラプロピルハフニウム、テトラn−ブチルハフニウ
ム、テトラペンチルハフニウム、テトラフェニルハフニ
ウム、テトラトリルハフニウム、テトラベンジルハフニ
ウム、テトラアリルハフニウム、テトラネオフィルハフ
ニウム、テトラメトキシハフニウム、テトラエトキシハ
フニウム、テトラプロポキシハフニウム、テトラブトキ
シハフニウム、テトラペンチルオキシハフニウム、テト
ラフェノキシハフニウム、テトラトリルオキシハフニウ
ム、テトラベンジルオキシハフニウム、テトラアリルオ
キシハフニウム、テトラネオフィルオキシハフニウム、
トリメチルモノクロロハフニウム、トリエチルモノクロ
ロハフニウム、トリプロピルモノクロロハフニウム、ト
リn−ブチルモノクロロハフニウム、トリベンジルモノ
クロロハフニウム、ジメチルジクロロハフニウム、ジエ
チルジクロロハフニウム、ジn−ブチルジクロロハフニ
ウム、ジベンジルジクロロハフニウム、モノメチルトリ
クロロハフニウム、モノエチルトリクロロハフニウム、
モノn−ブチルトリクロロハフニウム、モノベンジルト
リクロロハフニウム、テトラクロロハフニウム、トリメ
トキシモノクロロハフニウム、ジメトキシジクロロハフ
ニウム、モノメトキシトリクロロハフニウム、トリエト
キシモノクロロハフニウム、ジエトキシジクロロハフニ
ウム、モノエトキシトリクロロハフニウム、トリプロポ
キシモノクロロハフニウム、ジプロポキシジクロロハフ
ニウム、モノプロポキシトリクロロハフニウム、トリn
−ブトキシモノクロロハフニウム、ジn−ブトキシジク
ロロハフニウム、モノn−ブトキシトリクロロハフニウ
ム、トリペンチルオキシモノクロロハフニウム、ジペン
チルオキシジクロロハフニウム、モノペンチルオキシト
リクロロハフニウム、トリフェノキシモノクロロハフニ
ウム、ジフェノキシジクロロハフニウム、モノフェノキ
シトリクロロハフニウム、トリトリルオキシモノクロロ
ハフニウム、ジトリルオキシジクロロハフニウム、モノ
トリルオキシトリクロロハフニウム、トリベンジルオキ
シモノクロロハフニウム、ジベンジルオキシジクロロハ
フニウム、モノベンジルオキシトリクロロハフニウム、
テトラブロモハフニウム、トリメチルモノブロモハフニ
ウム、トリエチルモノブロモハフニウム、トリプロピル
モノブロモハフニウム、トリn−ブチルモノブロモハフ
ニウム、トリベンジルモノブロモハフニウム、ジメチル
ジブロモハフニウム、ジエチルジブロモハフニウム、ジ
n−ブチルジブロモハフニウム、ジベンジルジブロモハ
フニウム、モノメチルトリブロモハフニウム、モノエチ
ルトリブロモハフニウム、モノn−ブチルトリブロモハ
フニウム、モノベンジルトリブロモハフニウム、テトラ
ブロモハフニウム、トリメトキシモノブロモハフニウ
ム、ジメトキシジブロモハフニウム、モノメトキシトリ
ブロモハフニウム、トリエトキシモノブロモハフニウ
ム、ジエトキシジブロモハフニウム、モノエトキシトリ
ブロモハフニウム、トリプロポキシモノブロモハフニウ
ム、ジプロポキシジブロモハフニウム、モノプロポキシ
トリブロモハフニウム、トリn−ブトキシモノブロモハ
フニウム、ジn−ブトキシジブロモハフニウム、モノn
−ブトキシトリブロモハフニウム、トリペンチルオキシ
モノブロモハフニウム、ジペンチルオキシジブロモハフ
ニウム、モノペンチルオキシトリブロモハフニウム、ト
リフェノキシモノブロモハフニウム、ジエノキシジブロ
モハフニウム、モノフェノキシトリブロモハフニウム、
トリトリルオキシモノブロモハフニウム、ジトリルオキ
シジブロモハフニウム、モノトリルオキシトリブロモハ
フニウム、トリベンジルオキシモノブロモハフニウム、
ジベンジルオキシジブロモハフニウム、モノベンジルオ
キシトリブロモハフニウム、テトラヨードハフニウム、
トリメチルモノヨードハフニウム、トリエチルモノヨー
ドハフニウム、トリプロピルモノヨードハフニウム、ト
リn−ブチルモノヨードハフニウム、トリベンジルモノ
ヨードハフニウム、ジメチルジヨードハフニウム、ジエ
チルジヨードハフニウム、ジn−ブチルジヨードハフニ
ウム、ジベンジルジヨードハフニウム、モノメチルトリ
ヨードハフニウム、モノエチルトリヨードハフニウム、
モノn−ブチルトリヨードハフニウム、モノベンジルト
リヨードハフニウム、テトラヨードハフニウム、トリメ
トキシモノヨードハフニウム、ジメトキシジヨードハフ
ニウム、モノメトキシトリヨードハフニウム、トリエト
キシモノヨードハフニウム、ジエトキシジヨードハフニ
ウム、モノエトキシトリヨードハフニウム、トリプロポ
キシモノヨードハフニウム、ジプロポキシジヨードハフ
ニウム、モノプロポキシトリヨードハフニウム、トリn
−ブトキシモノヨードハフニウム、ジn−ブトキシジヨ
ードハフニウム、モノn−ブトキシトリヨードハフニウ
ム、トリペンチルオキシモノヨードハフニウム、ジペン
チルオキシジヨードハフニウム、モノペンチルオキシト
リヨードハフニウム、トリフェノキシモノヨードハフニ
ウム、ジフェノキシジヨードハフニウム、モノフェノキ
シトリヨードハフニウム、トリトリルオキシモノヨード
ハフニウム、ジトリルオキシジヨードハフニウム、モノ
トリルオキシトリヨードハフニウム、トリベンジルオキ
シモノヨードハフニウム、ジベンジルオキシジヨードハ
フニウム、モノベンジルオキシトリヨードハフニウム、
トリベンジルモノメトキシハフニウム、トリベンジルモ
ノエトキシハフニウム、トリベンジルモノプロポキシハ
フニウム、トリベンジルモノブトキシハフニウム、トリ
ベンジルモノフェノキシハフニウム、ジベンジルジメト
キシハフニウム、ジベンジルジエトキシハフニウム、ジ
ベンジルジプロポキシハフニウム、ジベンジルジブトキ
シハフニウム、ジベンジルジフェノキシハフニウム、モ
ノベンジルトリメトキシハフニウム、モノベンジルトリ
エトキシハフニウム、モノベンジルトリプロポキシハフ
ニウム、モノベンジルトリブトキシハフニウム、モノベ
ンジルトリフェノキシハフニウム、トリネオフィルモノ
メトキシハフニウム、トリネオフィルモノエトキシハフ
ニウム、トリネオフィルモノプロポキシハフニウム、ト
リネオフィルモノブトキシハフニウム、トリネオフィル
モノフェノキシハフニウム、ジネオフィルジメトキシハ
フニウム、ジネオフィルジエトキシハフニウム、ジネオ
フィルジプロポキシハフニウム、ジネオフィルジブトキ
シハフニウム、ジネオフィルジフェノキシハフニウム、
モノネオフィルトリメトキシハフニウム、モノネオフィ
ルトリエトキシハフニウム、モノネオフィルトリプロポ
キシハフニウム、モノネオフィルトリブトキシハフニウ
ム、モノネオフィルトリフェノキシハフニウム、ハフニ
ウムテトラハイドライド,ハフニウムモノハイドライド
トリメトキサイド,ハフニウムモノハイドライドトリエ
トキサイド,ハフニウムモノハイドライドトリプロポキ
サイド,ハフニウムモノハイドライドトリブトキサイ
ド,ハフニウムジハイドライドジメトキサイド,ハフニ
ウムジハイドライドジエトキサイド,ハフニウムジハイ
ドライドジプロポキサイド,ハフニウムジハイドライド
ジブトキサイド,ハフニウムトリハイドライドモノメト
キサイド,ハフニウムトリハイドライドモノエトキサイ
ド,ハフニウムトリハイドライドモノプロポキサイド,
ハフニウムトリハイドライドモノブトキサイド,ハフニ
ウムモノハイドライドトリクロライド,ハフニウムモノ
ハイドライドトリブロマイド,ハフニウムモノハイドラ
イドトリアイオダイド,ハフニウムモノハイドライドト
リフルオライド,ハフニウムジハイドライドジクロライ
ド,ハフニウムジハイドライドジブロマイド,ハフニウ
ムジハイドライドジアイオダイド,ハフニウムジハイド
ライドジフルオライド,ハフニウムトリハイドライドモ
ノクロライド,ハフニウムトリハイドライドモノブロマ
イド,ハフニウムトリハイドライドモノアイオダイド,
ハフニウムトリハイドライドモノフルオライド,ハフニ
ウムモノハイドライドトリメチル,ハフニウムモノハイ
ドライドトリベンジル,ハフニウムモノハイドライドト
リフェニル,ハフニウムジハイドライドジメチル,ハフ
ニウムジハイドライドジベンジル,ハフニウムジハイド
ライドジフェニル,ハフニウムトリハイドライドモノメ
チル,ハフニウムトリハイドライドモノベンジル,ハフ
ニウムトリハイドライドモノフェニル,ハフニウムモノ
ハイドライドジメトキサイドモノクロライド,ハフニウ
ムモノハイドライドジエトキサイドモノクロライド,ハ
フニウムモノハイドライドジプロポキサイドモノクロラ
イド,ハフニウムモノハイドライドジブトキサイドモノ
クロライド,ハフニウムジハイドライドモノメトキサイ
ドモノクロライド,ハフニウムジハイドライドモノエト
キサイドモノクロライド,ハフニウムジハイドライドモ
ノプロポキサイドモノクロライド,ハフニウムジハイド
ライドモノブトキサイドモノクロライド,ハフニウムモ
ノハイドライドジメトキサイドモノメチル,ハフニウム
モノハイドライドジエトキサイドモノベンジル,ハフニ
ウムモノハイドライドジプロポキサイドモノフェニル,
ハフニウムジハイドライドモノメトキサイドモノメチ
ル,ハフニウムジハイドライドモノエトキサイドモノベ
ンジル,ハフニウムジハイドライドモノプロポキサイド
モノフェニル,ハフニウムモノハイドライドモノメトキ
サイドモノクロライドモノベンジル,ハフニウムモノハ
イドライドモノメトキサイドモノクロライドモノフェニ
ル,ハフニウムモノハイドライドモノメトキサイドモノ
クロライドモノメチルから成る群から選ばれる1種また
は2種以上の化合物であることを特徴とするオレフィン
類重合触媒。 - 【請求項8】請求項2、3、4または5に記載された成
分(2)において、式中のMe2 がマグネシウム、カル
シウム、亜鉛またはアルミニウム、R3および R4は個
別に1〜12のアルキル基、アルケニル基、アリール基ま
たはアラルキル基、X2 はフッ素、ヨウ素、塩素又は臭
素のハロゲン原子または水素原子であり、かつX2 が水
素原子の場合、Me2 はホウ素、アルミニウムであるこ
とを特徴とするオレフィン類重合触媒。 - 【請求項9】請求項2、3、4または5に記載された成
分(1)が、メチルリチウム、エチルリチウム、n-プロ
ピルリチウム、イソプロピルリチウム、n-ブチルリチウ
ム、t-ブチルリチウム、ペンチルリチウム、オクチルリ
チウム、フェニルリチウム、ベンジルリチウム、ジメチ
ルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジn-プロピル
マグネシウム、ジイソプロピルマグネシウム、ジn-ブチ
ルマグネシウム、ジt-ブチルマグネシウム、ジペンチル
マグネシウム、ジオクチルマグネシウム、ジフェニルマ
グネシウム、ジベンジルマグネシウム、メチルマグネシ
ウムクロライド、エチルマグネシウムクロライド、n-プ
ロピルマグネシウムクロライド、イソプロピルマグネシ
ウムクロライド、n-ブチルマグネシウムクロライド、t-
ブチルマグネシウムクロライド、ペンチルマグネシウム
クロライド、オクチルマグネシウムクロライド、フェニ
ルマグネシウムクロライド、ベンジルマグネシウムクロ
ライド、メチルマグネシウムブロマイド、メチルマグネ
シウムアイオダイド、エチルマグネシウムブロマイド、
エチルマグネシウムアイオダイド、n-プロピルマグネシ
ウムブロマイド、n-プロピルマグネシウムアイオダイ
ド、イソプロピルマグネシウムブロマイド、イソプロピ
ルマグネシウムアイオダイド、n-ブチルマグネシウムブ
ロマイド、n-ブチルマグネシウムアイオダイド、t-ブチ
ルマグネシウムブロマイド、t-ブチルマグネシウムアイ
オダイド、ペンチルマグネシウムブロマイド、ペンチル
マグネシウムアイオダイド、オクチルマグネシウムブロ
マイド、 オクチルマグネシウムアイオダイド、フェニルマグネシ
ウムブロマイド、フェニルマグネシウムアイオダイド、
ベンジルマグネシウムブロマイド、ベンジルマグネシウ
ムアイオダイド、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、ジn-プ
ロピル亜鉛、ジイソプロピル亜鉛、ジn-ブチル亜鉛、ジ
t-ブチル亜鉛、ジペンチル亜鉛、ジオクチル亜鉛、ジフ
ェニル亜鉛、ジベンジル亜鉛、トリメチルアルミニウ
ム、トリエチルアルミニウム、ジエチルアルミニウムハ
イドライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジエチ
ルアルミニウムブロマイド、ジエチルアルミニウムフル
オライド、ジエチルアルミニウムアイオダイド、エチル
アルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジブロ
マイド、エチルアルミニウムジフルオライド、エチルア
ルミニウムジアイオダイド、トリプロピロアルミニウ
ム、ジプロピルアルミニウムハイドライド、ジプロピル
アルミニウムクロライド、ジプロピルアルミニウムブロ
マイド、ジプロピルアルミニウムフルオライド、ジプロ
ピルアルミニウムアイオダイド、ジイソブチルアルミニ
ウムハイドライド、 プロピルアルミニウムジクロライド、プロピルアルミニ
ウムジブロマイド、プロピルアルミニウムジフルオライ
ド、プロピルアルミニウムジアイオダイド、トリイソプ
ロピルアルミニウム、ジイソプロピルアルミニウムクロ
ライド、ジイソプロピルアルミニウムブロマイド、ジイ
ソプロピルアルミニウムフルオライド、ジイソプロピル
アルミニウアイオダイド、エチルアルミニウムセスキク
ロライド、エチルアルミニウムセスキブロマイド、プロ
ピルアルミニウムセスキクロライド、プロピルアルミニ
ウムセスキブロマイド、n-ブチルアルミニウムセスキク
ロライド、n-ブチルアルミニウムセスキブロマイド、イ
ソプロピルアルミニウムジクロライド、イソプロピルア
ルミニウムジブロマイド、イソプロピルアルミニウムジ
フルオライド、イソプロピルアルミニウムジアイオダイ
ド、トリブチルアルミニウム、ジブチルアルミニウムク
ロライド、ジブチルアルミニウムブロマイド、ジブチル
アルミニウムフルオライド、ジブチルアルミニウムアイ
オダイド、ブチルアルミニウムジクロライド、ブチルア
ルミニウムジブロマイド、ブチルアルミニウムジフルオ
ライド、ブチルアルミニウムジアイオダイド、トリsec-
ブチルアルミニウム、ジsec-ブチルアルミニウムクロラ
イド、ジsec-ブチルアルミニウムブロマイド、ジsec-ブ
チルアルミニウムフルオライド、ジsec-ブチルアルミニ
ウムアイオダイド、sec-ブチルアルミニウムジクロライ
ド、sec-ブチルアルミニウムジブロマイド、sec-ブチル
アルミニウムジフルオライド、sec-ブチルアルミニウム
ジアイオダイド、トリtert- ブチルアルミニウム、ジte
rt- ブチルアルミニウムクロライド、ジtert- ブチルア
ルミニウムブロマイド、ジtert- ブチルアルミニウムフ
ルオライド、ジtert- ブチルアルミニウムアイオダイ
ド、 tert- ブチルアルミニウムジクロライド、tert- ブチル
アルミニウムジブロマイド、tert- ブチルアルミニウム
ジフルオライド、tert- ブチルアルミニウムジアイオダ
イド、トリイソブチルアルミニウム、ジイソブチルアル
ミニウムクロライド、ジイソブチルアルミニウムブロマ
イド、ジイソブチルアルミニウムフルオライド、ジイソ
ブチルアルミニウムアイオダイド、イソブチルアルミニ
ウムジクロライド、イソブチルアルミニウムジブロマイ
ド、イソブチルアルミニウムジフルオライド、イソブチ
ルアルミニウムジアイオダイド、トリヘキシルアルミニ
ウム、ジヘキシルアルミニウムクロライド、ジヘキシル
アルミニウムブロマイド、ジヘキシルアルミニウムフル
オライド、ジヘキシルアルミニウムアイオダイド、ヘキ
シルアルミニウムジクロライド、ヘキシルアルミニウム
ジブロマイド、ヘキシルアルミニウムジフルオライド、
ヘキシルアルミニウムジアイオダイド、トリペンチルア
ルミニウム、ジペンチルアルミニウムクロライド、ジペ
ンチルアルミニウムブロマイド、ジペンチルアルミニウ
ムフルオライド、ジペンチルアルミニウムアイオダイ
ド、ペンチルアルミニウムジクロライド、ペンチルアル
ミニウムジブロマイド、ペンチルアルミニウムジフルオ
ライド、ペンチルアルミニウムジアイオダイド、トリデ
シルアルミニウム、メチルアルミニウムジメトキシド、
メチルアルミニウムジエトキシド、メチルアルミニウム
ジプロポキシド、メチルアルミニウムジブトキシド、ジ
メチルアルミニウムメトキシド、ジメチルアルミニウム
エトキシド、ジメチルアルミニウムプロポキシド、ジメ
チルアルミニウムブトキシド、エチルアルミニウムジメ
トキシド、 エチルアルミニウムジエトキシド、エチルアルミニウム
ジプロポキシド、エチルアルミニウムジブトキシド、ジ
エチルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウム
エトキシド、ジエチルアルミニウムプロポキシド、ジエ
チルアルミニウムブトキシド、プロピルアルミニウムジ
メトキシド、プロピルアルミニウムジエトキシド、プロ
ピルアルミニウムジプロポキシド、プロピルアルミニウ
ムジブトキシド、ジプロピルアルミニウムメトキシド、
ジプロピルアルミニウムエトキシド、ジプロピルアルミ
ニウムプロポキシド、ジプロピルアルミニウムブトキシ
ド、ブチルアルミニウムメトキシド、ブチルアルミニウ
ムエトキシド、ブチルアルミニウムプロポキシド、ブチ
ルアルミニウムブトキシド、ジブチルアルミニウムメト
キシド、ジブチルアルミニウムエトキシド、ジブチルア
ルミニウムプロポキシド、ジブチルアルミニウムブトキ
シド、ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルア
ルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイ
ドライド、ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、
ジブチルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアル
ミニウムハイドライド、ジヘキシルアルミニウムハイド
ライド、ジシクロヘキシルアルミニウムハイドライド、
メチルアルミニウムジハイドライド、エチルアルミニウ
ムジハイドライド、プロピルアルミニウムジハイドライ
ド、イソプロピルアルミニウムジハイドライド、ブチル
アルミニウムジハイドライド、イソブチルアルミニウム
ジハイドライド、ヘキシルアルミニウムジハイドライ
ド、シクロヘキシルアルミニウムジハイドライド、から
成る群から選ばれる1種または2種以上の化合物である
ことを特徴とするオレフィン類重合触媒。 - 【請求項10】請求項2、3、4または5に記載された
成分(3)が、 次の化1で示す一般式で表される化合物、 【化1】 [式中、R5、R6、R7、R8 、R9は個別に水素または
炭素数1〜10の炭化水素基を示し、その炭化水素基の
任意の2つは共同して環状炭化水素基を形成することが
できる。] 化1で示される環状炭化水素化合物が、アルキレン基
(その炭素数は通常2〜8、好ましくは2〜3)を介し
て結合(架橋)した化合物、および 下記の一般式で表示することができる。 (Cp)r SiR10 s X3 4-r-s [式中、Cpはシクロペンタジエニル基、置換シクロペ
ンタジエニル基、インデニル基、置換インデニル基、フ
ルオレニル基、置換フルオレニル基、R10は炭素数1〜
24の炭素数アルキル基、アルケニル基、アルコキシ
基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基また
は水素を示し、X3 はフッ素、ヨウ素、塩素または臭素
を示し、r およびs は0<r ≦4、0≦s ≦3の範囲の
整数を示す]から成る群から選ばれる1種または2種以
上の化合物であることを特徴とするオレフィン類重合触
媒。 - 【請求項11】請求項2、3、4または5に記載された
成分(3)が、シクロペンタジエン、メチルシクロペン
タジエン、エチルシクロペンタジエン、t−ブチルシク
ロペンタジエン、ヘキシルシクロペンタジエン、オクチ
ルシクロペンタジエン、1,2−ジメチルシクロペンタ
ジエン、1,3−ジメチルシクロペンタジエン、1,
2,4−トリメチルシクロペンタジエン、1,2,3,
4−テトラメチルシクロペンタジエン、インデン、4−
メチル−1−インデン、4,7−ジメチルインデン、
4,5,6,7−テトラハイドロインデン、フルオレ
ン、メチルフルオレン、モノシクロペンタジエニルシラ
ン、ジシクロペンタジエニルシラン、トリシクロペンタ
ジエニルシラン、テトラシクロペンタジエニルシラン、
モノシクロペンタジエニルモノメチルシラン、モノシク
ロペンタジエニルモノエチルシラン、モノシクロペンタ
ジエニルジメチルシラン、モノシクロペンタジエニルジ
エチルシラン、モノシクロペンタジエニルトリメチルシ
ラン、モノシクロペンタジエニルトリエチルシラン、モ
ノシクロペンタジエニルモノメトキシシラン、モノシク
ロペンタジエニルモノエトキシシラン、モノシクロペン
タジエニルモノフェノキシシラン、モノシクロペンタジ
エニルモノメチルモノクロロシラン、モノシクロペンタ
ジエニルモノエチルモノクロロシラン、モノシクロペン
タジエニルモノメチルジクロロシラン、モノシクロペン
タジエニルモノエチルジクロロシラン、モノシクロペン
タジエニルトリクロロシラン、ジシクロペンタジエニル
モノメチルシラン、ジシクロペンタジエニルモノエチル
シラン、ジシクロペンタジエニルジメチルシラン、ジシ
クロペンタジエニルジエチルシラン、ジシクロペンタジ
エニルメチルエチルシラン、ジシクロペンタジエニルジ
プロピルシラン、ジシクロペンタジエニルエチルプロピ
ルシラン、ジシクロペンタジエニルジフェニルシラン、
ジシクロペンタジエニルフェニルメチルシラン、ジシク
ロペンタジエニルメチルクロロシラン、ジシクロペンタ
ジエニルエチルクロロシラン、ジシクロペンタジエニル
ジクロロシラン、ジシクロペンタジエニルモノメトキシ
シラン、ジシクロペンタジエニルモノエトキシシラン、
ジシクロペンタジエニルモノメトキシモノクロロシラ
ン、ジシクロペンタジエニルモノエトキシモノクロロシ
ラン、トリシクロペンタジエニルモノメチルシラン、ト
リシクロペンタジエニルモノエチルシラン、トリシクロ
ペンタジエニルモノメトキシシラン、トリシクロペンタ
ジエニルモノエトキシシラン、トリシクロペンタジエニ
ルモノクロロシラン、3−メチルシクロペンタジエニル
シラン、ビス3−メチルシクロペンタジエニルシラン、
3−メチルシクロペンタジエニルメチルシラン、1,2
−ジメチルシクロペンタジエニルシラン、1,3−ジメ
チルシクロペンタジエニルシラン、1,2,4−トリメ
チルシクロペンタジエニルシラン、 モノインデニルシラン、ジインデニルシラン、トリイン
デニルシラン、テトラインデニルシラン、モノインデニ
ルモノメチルシラン、モノインデニルモノエチルシラ
ン、モノインデニルジメチルシラン、モノインデニルジ
エチルシラン、モノインデニルトリメチルシラン、モノ
インデニルトリエチルシラン、モノインデニルモノメト
キシシラン、モノインデニルモノエトキシシラン、モノ
インデニルモノフェノキシシラン、モノインデニルモノ
メチルモノクロロシラン、モノインデニルモノエチルモ
ノクロロシラン、モノインデニルモノメチルジクロロシ
ラン、モノインデニルモノエチルジクロロシラン、モノ
インデニルトリクロロシラン、ジインデニルモノメチル
シラン、ジインデニルモノエチルシラン、ジインデニル
ジメチルシラン、ジインデニルジエチルシラン、ジイン
デニルメチルエチルシラン、ジインデニルジプロピルシ
ラン、ジインデニルエチルプロピルシラン、ジインデニ
ルジエフェニルシラン、ジインデニルフェニルメチルシ
ラン、ジインデニルメチルクロロシラン、ジインデニル
エチルクロロシラン、ジインデニルジクロロシラン、ジ
インデニルモノメトキシシラン、ジインデニルモノエト
キシシラン、ジインデニルモノメトキシモノクロロシラ
ン、ジインデニルモノエトキシモノクロロシラン、トリ
インデニルモノメチルシラン、トリインデニルモノエチ
ルシラン、トリインデニルモノメトキシシラン、トリイ
ンデニルモノエトキシシラン、トリインデニルモノクロ
ロシラン、3−メチルインデニルシラン、ビス3−メチ
ルインデニルシラン、3−メチルインデニルメチルシラ
ン、1,2−ジメチルインデニルシラン、1,3−ジメ
チルインデニルシラン、1,2,4−トリメチルインデ
ニルシラン、ペンタメチルインデニルシラン、ビスイン
デニルエタン、ビス(4,5,6,7−テトラハイドロ
−1−インデニル)エタン、1,3−プロパンジエニル
ビスインデン、1,3−プロパンジエニルビス(4,
5,6,7−テトラハイドロ)インデン、イソピリレン
ビス(1−インデン)、イソプロピリレン(1−インデ
ニル)シクロペンタジエン、ジフェニルメチレンビスイ
ンデン,ジフェニルメチレン(9−フルオレニル)シク
ロペンタジエン、イソプロピリレンシクロペンタジエニ
ル−1−フルオレンから成る群から選ばれる1種または
2種以上の化合物であることを特徴とするオレフィン類
重合触媒。 - 【請求項12】請求項2、3、4または5に記載された
成分(4)が分子中にAl−O−Al結合を1〜100
個含有し、かつ通常有機アルミニウム化合物と水との反
応により得られる生成物であることを特徴とするオレフ
ィン類重合触媒、 - 【請求項13】請求項12における有機アルミニウム化
合物が、一般式R11 c AlX4 3-cで表される化合物
(式中、R5 は炭素数1〜18、好ましくは1〜12の
アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基
の炭化水素基、X11は水素原子又はハロゲン原子を示
し、cは1≦c≦3の整数を示す)であることを特徴と
するオレフィン類重合触媒 - 【請求項14】請求項12における有機アルミニウム化
合物が、一般式R11 c AlX4 3-cで表される化合物
(式中、R5 は炭素数1〜18、好ましくは1〜12の
アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基
の炭化水素基、X11は水素原子又はハロゲン原子を示
し、cは1≦c≦3の整数を示す)であることを特徴と
するオレフィン類重合触媒 - 【請求項15】請求項14における有機アルミニウム化
合物が、トリアルキルアルミニウムであることを特徴と
するオレフィン類重合触媒 - 【請求項16】請求項12における水と有機アルミニウ
ム化合物との反応比(水/Alモル比)が0.25/1
〜1.2/1であることを特徴とするオレフィン類重合
触媒 - 【請求項17】請求項2、3、4または5に記載された
成分(4)がメチルアルミノキサン、またはメチルアル
ミノキサンを含有する不活性炭化水素からなる溶液であ
ることを特徴とするオレフィン類重合触媒。 - 【請求項18】請求項2、3、4または5に記載された
成分(5)が下記一般式1〜9から選ばれる化合物であ
ることを特徴とするオレフィン類重合触媒 [L1 −H]+ [BR12 R13 X5 X6 ]- (一般式1) (式中L1 は中性ルイス塩基、Hは水素原子、[L1 −
H]はa)トリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニ
ウム、トリプロピルアンモニウム、トリブチルアンモニ
ウム、トリ(n−ブチル)アンモニウムなどのトリアル
キル置換アンモニウム、ジ(n−プロピル)アンモニウ
ム、ジシクロヘキシルアンモニウムなどのジアルキルア
ンモニウム、b)N,N−ジメチルアニリニウム、N,N
−ジエチルアニリニウム、N,N−2,4,6−ペンタ
メチルアニリニウムなどのN,N−ジアルキルアニリニ
ウム、c)トリフェニルホスフォニウム、トリブチルホス
ホニウム、トリ(メチルフェニル)ホスフォニウム、ト
リ(ジメチルフェニル)ホスフォニウムなどのトリアリ
ールホスフォニウム、トリアルキルホスフォニウム、な
どのブレンステッド酸を示し、R13 及びR14 は6〜2
0、好ましくは6〜16の炭素原子を含む同じか又は異な
る芳香族又は置換芳香族炭化水素基で、架橋基によって
互いに連結されていてもよく、置換芳香族炭化水素基の
置換基としてはアルキル基やのハロゲンであり、X5 及
びX6 はハイドライド基、ハライド基、1〜20の炭素原
子を含むヒドロカルビル基、1個以上の水素原子がハロ
ゲン原子によって置換された1〜20の炭素原子を含む置
換ヒドロカルビル基である)。 [L2 −H][(CX7 )a (BX8 )b X9 c ]d- (一般式2) (式中L2 −HはH+ 、アンモニウム又は3個までの水
素原子を持ち、1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビ
ル基、又は1個以上の水素原子がハロゲン原子によって
置換された、1〜20個までの炭素原子を含む置換ヒドロ
カルビル基によって置換された置換アンモニウムカチオ
ン、ホスフォニウム基、3個までの水素原子が1〜20個
の炭素原子を含むヒドロカルビル基で、又は1個以上の
水素原子がハロゲン原子によって置換された1〜20個の
炭素原子を含む置換ヒドロカルビル基で置換された置換
ホスフォニウム基等のいづれかである。B及びCはそれ
ぞれホウ素及び炭素である。X7 、X8 及びX9 はハイ
ドライド基、ハライド基、1〜20個の炭素原子を含むヒ
ドロカルビル基、1個以上の水素原子がハロゲン原子に
よって置換された、1〜20個の炭素原子を含むヒドロカ
ルビル基、有機部分の各ヒドロカルビル置換基が1〜20
個の炭素原子を含み、金属が周期律標の表IV−A族から
選ばれる有機メタロイド基等からなる群から個別に選択
される基である。a及びcは0以上の整数である。dは
1以上の整数である。a+c+dは2から8までの偶数
の整数である。bは5から22までの整数である。) [L2 −H]〔[〈(CX10 )e (BX11 )f (X12)g 〉h-]2 Mn+〕i- (一般式3) (式中L2 −HはH+ 、アンモニウム又は3個までの水
素原子と、1〜20個の炭素原子を含むヒドロカルビル
基、又は1個以上の水素原子がハロゲン原子によって置
換された、1〜20個までの炭素原子を含む置換ヒドロカ
ルビル基によって置換された置換アンモニウム、ホスフ
ォニウム基、3個までの水素原子が1〜20個の炭素原子
を含むヒドロカルビル基で、又は1個以上の水素原子が
ハロゲン原子によって置換された1〜20個の炭素原子を
含む置換ヒドロカルビル基で置換された置換ホスフォニ
ウム基等のいづれかである。B、C、M、Hはそれぞれ
ホウ素、炭素、遷移金属及び水素である。X10 、X11
及びX12はハイドライド基、ハライド基、1〜20個の炭
素原子を有するヒドロカルビル基、1個以上の水素原子
がハロゲン原子によって置換された、1〜20個の炭素原
子を含むヒドロカルビル基、有機メタロイドの有機部分
の各ヒドロカルビル置換基が1〜20個の炭素原子を含
み、金属が周期律標の表IV−A族から選ばれる有機メタ
ロイド基等から成る群から個別に選択される基である。
e及びgは0以上の同じか異なる整数である。hは2以
上の整数であり、e+g+hは4から8までの偶数の整
数である。fは6から12までの整数である。nは2h−
n=iとなるような整数で、iは1以上の整数である) [L3]+[BR13R14X5X6]- (一般式4) (式中L3はカルボカチオン、メチルカチオン、エチル
カチオン、プロピルカチオン、イソプロピルカチオン、
ブチルカチオン、イソブチルカチオン、tert-ブチルカ
チオン、ペンチルカチオン、トロピニウムカチオン、ベ
ンジルカチオン、トリチルカチオン等が挙げられる。R
6、R7、X5及びX6は一般式1のものと同じである) [R2M]+[BR13R14X5X6]- (一般式5) (式中Rはシクロペンタジエニル基、置換シクロペンタ
ジエニル基、インデニル基及び置換インデニル基であ
る。MはCr,Mn,Fe,Co,Ni等の遷移金属で
ある) [L3]+[(CX7 )a (BX8 )b X9 c ]d- (一般式6) (式中L3は一般式4のものと同じである。またC、
X7、X8、X9、a,b,c及びdは一般式2のものと
同じである) [R2M]+[(CX7 )a (BX8 )b X9 c ]d- (一般式7) (式中R,Mは一般式5のものと同じである。またC、
X7、X8、X9、a,b,c及びdは一般式2のものと
同じである) [L3]+〔[〈(CX10 )e (BX11 )f (X12)g 〉h-]2 Mn+〕i- (一般式8) (式中L3は一般式4のものと同じである。またC、
X10、X11、X12、M、n,e,f,g,h及びiは一
般式3のものと同じである。) [R2M]+〔[〈(CX10 )e (BX11 )f (X12)g 〉h-]2 Mn+〕i- (一般式9) (式中R,Mは一般式5のものと同じである。またC、
X10、X11、X12、M、n,e,f,g,h及びiは一
般式3のものと同じである)。 - 【請求項19】請求項2、3、4または5に記載された
成分(5)が トリブチルアンモニウムテトラ(p-トリル)ボレート,
トリブチルアンモニウムテトラ(m-トリル)ボレート,
トリブチルアンモニウムテトラ(o-フルオロフェニル)
ボレート,トリブチルアンモニウムテトラ(p-フルオロ
フェニル)ボレート,トリブチルアンモニウムテトラ
(m-フルオロフェニル)ボレート,トリブチルアンモニ
ウムテトラ(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,ジメ
チルアニリニウムテトラ(o-トリル)ボレート,ジメチ
ルアニリニウムテトラ(p-トリル)ボレート,ジメチル
アニリニウムテトラ(m-トリル)ボレート,ジメチルア
ニリニウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレート,ジ
メチルアニリニウムテトラ(p-フルオロフェニル)ボレ
ート,ジメチルアニリニウムテトラ(m-フルオロフェニ
ル)ボレート,ジメチルアニリニウムテトラ(3,5-ジフ
ルオロフェニル)ボレート,ジメチルアニリニウムテト
ラ(ペンタフルオロフェニル)ボレートトリフェニルホ
スホニウムテトラフェニルボレート,トリフェニルホス
ホニウムテトラ(o-トリル)ボレート,トリフェニルホ
スホニウムテトラ(p-トリル)ボレート,トリフェニル
ホスホニウムテトラ(m-トリル)ボレート,トリフェニ
ルホスホニウムテトラ(o-フルオロフェニル)ボレー
ト,トリフェニルホスホニウムテトラ(p-フルオロフェ
ニル)ボレート,トリフェニルホスホニウムテトラ(m-
フルオロフェニル)ボレート,トリフェニルホスホニウ
ムテトラ(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,トリフ
ェニルホスホニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)
ボレート、 トリエチルアンモニウムテトラ(o−フルオロフェニ
ル)ボレート、トリエチルアンモニウムテトラ(ペンタ
フルオロフェニル)ボレート、トリエチルアンモニウム
テトラ(フェニル)ボレート、トリプロピルアンモニウ
ムテトラフェニルボレート、トリ(n−ブチル)アンモ
ニウムテトラフェニルボレート、トリメチルアンモニウ
ムテトラ(p−トリル)ボレート、トリメチルアンモニ
ウムテトラ(o−トリル)ボレート、トリプロピルアン
モニウムテトラ(o,p−ジメチルフェニル)ボレー
ト、トリブチルアンモニウムテトラ(p−トリフルオロ
メチルフェニル)ボレート、トリブチルアンモニウムテ
トラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリ(n−
ブチル)アンモニウムテトラ(o−トリル)ボレート、
N,N−ジメチルアニリニウムテトラ(フェニル)ボレ
ート、N,N−ジエチルアニリニウムテトラ(フェニ
ル)ボレート、N,N−2,4,6−ペンタメチルアニ
リニウムテトラ(フェニル)ボレート、ジ(1−プロピ
ル)アンモニウムテトラ(ペンタフルオロフェニル)ボ
レート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラフェニル
ボレートなどのジアルキルアンモニウム トリブチルアンモニウム-1-カルバウンデカボレート,
トリブチルアンモニウム-1-カルバデカボレート,トリ
ブチルアンモニウム-6-カルバウンデカボレート,トリ
ブチルアンモニウム-7-カルバウンデカボレート,トリ
ブチルアンモニウム-7,8-ジカルバウンデカボレート,
トリブチルアンモニウム-2,9-ジカルバウンデカボレー
ト,メチルアンモニウム1−カルバドデカボレート、エ
チルアンモニウム1−カルバドデカボレート、プロピル
アンモニウム1−カルバドデカボレート、イソプロピル
アンモニウム1−カルバドデカボレート、(n−ブチ
ル)アンモニウム1−カルバドデカボレート、アニリニ
ウム1−カルバドデカボレート、(p−トリル)アンモ
ニウム1−カルバドデカボレート、ジメチルアニリニウ
ム-1-カルバウンデカボレート,ジメチルアニリニウム-
1-カルバドデカボレート,ジメチルアニリニウム-1-カ
ルバデカボレート,ジメチルアニリニウム-6-カルバウ
ンデカボレート,ジメチルアニリニウム-7-カルバウン
デカボレート,ジメチルアニリニウム-7,8-ジカルバウ
ンデカボレート,ジメチルアニリニウム-2,9-ジカルバ
ウンデカボレート,ジメチルアンモニウム1−カルバド
デカボレート、ジエチルアンモニウム1−カルバドデカ
ボレート、ジプロピルアンモニウム1−カルバドデカボ
レート、ジイソプロピルアンモニウム1−カルバドデカ
ボレート、ジ(n−ブチル)アンモニウム1−カルバド
デカボレート、ジフェニルアンモニウム1−カルバドデ
カボレート、ジ(p−トリル)アンモニウム1−カルバ
ドデカボレート、トリメチルアンモニウム1−カルバド
デカボレート、トリエチルアンモニウム1−カルバドデ
カボレート、トリプロピルアンモニウム1−カルバドデ
カボレート、トリ(n−ブチル)アンモニウム1−カル
バドデカボレート、トリフェニルアンモニウム1−カル
バドデカボレート、トリ(p−トリル)アンモニウム1
−カルバドデカボレート、N,N−ジメチルアニリニウ
ム1−カルバドデカボレート、N,N−ジエチルアニリ
ニウム1−カルバドデカボレート、 トリブチルアンモニウムビス(ノナヒドリド-1,3-ジカ
ルバウナボレート)コバルテート(III),トリブチル
アンモニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウ
ンデカボレート)フェレート(III),トリブチルアン
モニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデ
カボレート)コバルテート(III),トリブチルアンモ
ニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカ
ボレート)ニッケレート(III),トリブチルアンモニ
ウムビス(ドデカヒドリドジカルバドデカボレート)コ
バルテート(III),トリブチルアンモニウムビス(ウ
ンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)クロメー
ト(III),トリブチルアンモニウムビス(ウンデカヒ
ドリド-7-カルバウンデカボレート)マンガネート(I
V),トリブチルアンモニウムビス(ウンデカヒドリド-
7-カルバウンデカボレート)コバルテート(III),ト
リブチルアンモニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カル
バウンデカボレート)ニッケレート(IV)、ジメチルア
ニリニウムビス(ノナヒドリド-1,3-ジカルバウナボレ
ート)コバルテート(III),ジメチルアニリニウムビ
ス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレー
ト)フェレート(III),ジメチルアニリニウムビス
(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)
コバルテート(III),ジメチルアニリニウムビス(ウ
ンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッ
ケレート(III),ジメチルアニリニウムビス(ドデカ
ヒドリドジカルバドデカボレート)コバルテート(II
I),ジメチルアニリニウムビス(ウンデカヒドリド-7-
カルバウンデカボレート)クロメート(III),ジメチ
ルアニリニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウン
デカボレート)マンガネート(IV),ジメチルアニリニ
ウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレー
ト)コバルテート(III),ジメチルアニリニウムビス
(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ニッ
ケレート(IV)、トリフェニルホスホニウムビス(ノナ
ヒドリド-1,3-ジカルバウナボレート)コバルテート(I
II),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリ
ド-7,8-ジカルバウンデカボレート)フェレート(II
I),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリ
ド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コバルテート(II
I),トリフェニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリ
ド-7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッケレート(II
I),トリフェニルホスホニウムビス(ドデカヒドリド
ジカルバドデカボレート)コバルテート(III),トリ
フェニルホスホニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カル
バウンデカボレート)クロメート(III),トリフェニ
ルホスホニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウン
デカボレート)マンガネート(IV),トリフェニルホス
ホニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)コバルテート(III),トリフェニルホスホニ
ウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレー
ト)ニッケレート(IV)、 トリチルテトラフェニルボレート,トリチルテトラ(o-
トリル)ボレート,トリチルテトラ(p-トリル)ボレー
ト,トリチルテトラ(m-トリル)ボレート,トリチルテ
トラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ
(p-フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ(m-
フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ(3,5-ジ
フルオロフェニル)ボレート,トリチルテトラ(ペンタ
フルオロフェニル)ボレート、トロピニウムテトラフェ
ニルボレート,トロピニウムテトラ(o-トリル)ボレー
ト,トロピニウムテトラ(p-トリル)ボレート,トロピ
ニウムテトラ(m-トリル)ボレート,トロピニウムテト
ラ(o-フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテト
ラ(p-フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテト
ラ(m-フルオロフェニル)ボレート,トロピニウムテト
ラ(3,5-ジフルオロフェニル)ボレート,トロピニウム
テトラ(ペンタフルオロフェニル)ボレート、 フェロセニウムテトラフェニルボレート,フェロセニウ
ムテトラ(o-トリル)ボレート,フェロセニウムテトラ
(p-トリル)ボレート,フェロセニウムテトラ(m-トリ
ル)ボレート,フェロセニウムテトラ(o-フルオロフェ
ニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(p-フルオロフ
ェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(m-フルオロ
フェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(3,5-ジフ
ルオロフェニル)ボレート,フェロセニウムテトラ(ペ
ンタフルオロフェニル)ボレート、 トリチル-1-カル
バウンデカボレート,トリチル-1-カルバドデカボレー
ト,トリチル-1-カルバデカボレート,トリチル-6-カル
バウンデカボレート,トリチル-7-カルバウンデカボレ
ート,トリチル-7,8-ジカルバウンデカボレート,トリ
チル-2,9-ジカルバウンデカボレート,トロピニウム-1-
カルバウンデカボレート,トロピニウム-1-カルバドデ
カボレート,トロピニウム-1-カルバデカボレート,ト
ロピニウム-6-カルバウンデカボレート,トロピニウム-
7-カルバウンデカボレート,トロピニウム-7,8-ジカル
バウンデカボレート,トロピニウム-2,9-ジカルバウン
デカボレート、 フェロセニウム-1-カルバウンデカボレート,フェロセ
ニウム-1-カルバドデカボレート,フェロセニウム-1-カ
ルバデカボレート,フェロセニウム-6-カルバウンデカ
ボレート,フェロセニウム-7-カルバウンデカボレー
ト,フェロセニウム-7,8-ジカルバウンデカボレート,
フェロセニウム-2,9-ジカルバウンデカボレート、 トリチルビス(ノナヒドリド-1,3-ジカルバウナボレー
ト)コバルテート(III),トリチルビス(ウンデカヒ
ドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)フェレート(I
II),トリチルビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバ
ウンデカボレート)コバルテート(III),トリチルビ
ス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレー
ト)ニッケレート(III),トリチルビス(ドデカヒド
リドジカルバドデカボレート)コバルテート(III),
トリチルビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)クロメート(III),トリチルビス(ウンデカ
ヒドリド-7-カルバウンデカボレート)マンガネート(I
V),トリチルビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデ
カボレート)コバルテート(III),トリチルビス(ウ
ンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ニッケレ
ート(IV)、トロピニウムビス(ノナヒドリド-1,3-ジ
カルバウナボレート)コバルテート(III),トロピニ
ウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボ
レート)フェレート(III),トロピニウムビス(ウン
デカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コバル
テート(III),トロピニウムビス(ウンデカヒドリド-
7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッケレート(II
I),トロピニウムビス(ドデカヒドリドジカルバドデ
カボレート)コバルテート(III),トロピニウムビス
(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)クロ
メート(III),トロピニウムビス(ウンデカヒドリド-
7-カルバウンデカボレート)マンガネート(IV),トロ
ピニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)コバルテート(III),トロピニウムビス(ウ
ンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ニッケレ
ート(IV)、 フェロセニウムビス(ノナヒドリド-1,3-ジカルバウナ
ボレート)コバルテート(III),フェロセニウムビス
(ウンデカヒドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)
フェレート(III),フェロセニウムビス(ウンデカヒ
ドリド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コバルテート
(III),フェロセニウムビス(ウンデカヒドリド-7,8-
ジカルバウンデカボレート)ニッケレート(III),フ
ェロセニウムビス(ドデカヒドリドジカルバドデカボレ
ート)コバルテート(III),フェロセニウムビス(ウ
ンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)クロメー
ト(III),フェロセニウムビス(ウンデカヒドリド-7-
カルバウンデカボレート)マンガネート(IV),フェロ
セニウムビス(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボ
レート)コバルテート(III),フェロセニウムビス
(ウンデカヒドリド-7-カルバウンデカボレート)ニッ
ケレート(IV)、 トリブチルアンモニウムノナボレート,トリブチルアン
モニウムデカボレート,トリブチルアンモニウムウンデ
カボレート,トリブチルアンモニウムドデカボレート,
ジメチルアニリニウムノナボレート,ジメチルアニリニ
ウムデカボレート,ジメチルアニリニウムウンデカボレ
ート,ジメチルアニリニウムドデカボレート,トリフェ
ニルホスホニウムノナボレート,トリフェニルホスホニ
ウムデカボレート,トリフェニルホスホニウムウンデカ
ボレート,トリフェニルホスホニウムドデカボレート,
トリチルノナボレート,トリチルデカボレート,トリチ
ルウンデカボレート,トリチルドデカボレート,フェロ
セニウムノナボレート,フェロセニウムデカボレート,
フェロセニウムウンデカボレート,フェロセニウムドデ
カボレート,トロピニウムノナボレート,トロピニウム
デカボレート,トロピニウムウンデカボレート,トロピ
ニウムドデカボレート、 トリフェニルボラン,トリ(o-トリル)ボラン,トリ
(p-トリル)ボラン,トリ(m-トリル)ボラン,トリ
(o-フルオロフェニル)ボラン,トリ(p-フルオロフェ
ニル)ボラン,トリ(m-フルオロフェニル)ボラン,ト
リ(3,5-ジフルオロフェニル)ボラン,トリ(ペンタフ
ルオロフェニル)ボランがあげられる。これらの中でも
トリ(o-フルオロフェニル)ボラン,トリ(p-フルオロ
フェニル)ボラン,トリ(m-フルオロフェニル)ボラ
ン,トリ(3,5-ジフルオロフェニル)ボラン,トリ(ペ
ンタフルオロフェニル)ボランがより好ましく,さらに
好ましくはトリ(ペンタフルオロフェニル)ボラン、 デカボラン,7,8-ジカルバウンデカボラン,2,7-ジカル
バウンデカボラン,ウンデカヒドリド-7,8-ジメチル-7,
8-ジカルバウンデカボラン,ドデカヒドリド-11-メチル
-2,7-ジカルバウンデカボラン,4-カルバノナボラン,
1,3-ジカルバノナボラン,6,9-ジカルバデカボラン,ド
デカヒドリド-1-メチル-1,3-ジカルバノナボランから
成る群から選ばれる1種または2種以上の化合物である
ことを特徴とするオレフィン類重合触媒。 - 【請求項20】請求項4または5に記載された成分
(6)がSiO2 、Al2 O3 、MgO,CaO、B2
O3 、TiO2 、ZrO2 、Fe2 O3 、SiO2 ・A
l2 O3 、Al2 O3 ・MgO、Al2 O3 ・CaO、
Al2 O3 ・MgO・CaO、Al2 O3 ・MgO・S
iO2 、Al2 O3 ・CuO、Al2 O3 ・Fe
2 O3 、Al2 O3 ・NiO、SiO2 ・MgOからな
る群から選ばれる周期律表第I〜VIII族から選ばれ
る金属の単独酸化物または複酸化物、またはアルカリ土
類金属の塩化物であることを特徴とするオレフィン類重
合触媒。 - 【請求項21】請求項4または5に記載された成分
(6)が無機担体であり、かつその最大長が5〜200
μm、表面積は50〜1000m2 /g、細孔容積は
0.05〜3cm3 のものであることを特徴とするオレフ
ィン類重合触媒。 - 【請求項22】請求項4または5に記載された成分
(6)が無機担体であり、有機アルミニウム化合物、変
性有機アルミニウム化合物、シラン化合物、アルコー
ル、アルデヒド、エステル、エーテル、遷移金属テトラ
アルコキシドにより予備処理されたものであることを特
徴とするオレフィン類重合触媒。 - 【請求項23】請求項22記載された予備処理が、液状
不活性炭化水素溶媒中で、−100℃〜200℃なる条
件で行われたことを特徴とするオレフィン類重合触媒。 - 【請求項24】請求項2に記載された成分(1)〜成分
(3)の接触が下記の順序により行われることを特徴と
するオレフィン類重合触媒。 1−1.(1),(2),(3)を同時に加える方法。 1−2.(1),(2),(3)の順に加える方法。 1−3.(1),(3),(2)の順に加える方法。 1−4.(2),(3)を加えたものに(1)を加える
方法。 - 【請求項25】請求項3に記載された成分(1)〜成分
(5)の接触が下記の順序により行われることを特徴と
するオレフィン類重合触媒。 ・成分(1)、(2)、(3)、(4)および/または
(5)を同時に加える方法。 ・成分(1)、(2)、(3)を同時に接触させ、次ぎ
に成分(4)および/または(5)を接触させる方法。
(以下同時に接触させる場合を{}で、順次接触させる
場合を→で表す。従って、当該方法は{(1)(2)
(3)}→(4)および/または(5)で記される) ・{(2)(3)(4)および/または(5)}→
(1) ・{(1)(3)}→{(2)(4)および/または
(5)} ・{(1)(3)}→(2)→(4)および/または
(5) ・{(2)(3)}→(1)→(4)および/または
(5) ・(2)→((1)(3)}→(4)および/または
(5) ・(1)→{(2)(3)}→(4)および/または
(5) - 【請求項26】請求項4に記載された成分(1)〜成分
(3)、成分(6)の接触が下記の順序により行われる
ことを特徴とするオレフィン類重合触媒。 ・(1),(2)を加えた後に(6)を加える方法。 ・(1),(2),(3)の順に加えた後に(6)を加
える方法。 ・(1),(3),(2)の順に加えた後に(6)を加
える方法。 ・(1),(2),(3)を同時に加えた後に(6)を
加える方法。 - 【請求項27】請求項5に記載された成分(1)〜成分
(5)の接触が下記の順序により行われることを特徴と
するオレフィン類重合触媒。 (その1) 下記の〜の接触順序で成分(1)〜
(4)および/または成分(5)の反応生成物を作り、
それを成分と接触反応させる方法。(以下この方法を
{(1)(2)(3)(4)および/または(5)}→
(6)と記す) 成分(1)、(2)、(3)、(4)および/または
(5)を同時に加える方法。 成分(1)、(2)、(3)を同時に接触させ、次ぎ
に成分(4)および/または(5)を接触させる方法。
(以下同時に接触させる場合を{}で、順次接触させる
場合を→で表す、の場合は{(1)(2)(3)}→
(4)および/または(5)と記す) {(2)(3)(4)および/または(5)}→
(1) {(1)(3)}→{(2)(4)および/または
(5)} {(1)(3)}→(2)→(4)および/または
(5) {(2)(3)}→(1)→(4)および/または
(5) {(2)→((1)(3)}→(4)および/または
(5) (1)→{(2)(3)}→(4)および/または
(5) (その2)(6)→(4)および/または(5)→
{(1)(2)(3)} (その3)(6)→(1)→{(2)(3)(4)およ
び/または(5)} - 【請求項28】請求項2、3、4または5に記載された
各成分の接触が、不活性雰囲気中、芳香族炭化水素、肪
族族炭化水素、脂環族炭化水素から選ばれる液状不活性
炭化水素の存在下、撹拌下または非撹拌下に各成分を−
100℃〜300℃、5分〜1000時間接触させる方
法であることを特徴とするオレフィン類重合触媒。 - 【請求項29】請求項2に記載された各成分の接触が、
成分(1)の芳香族炭化水素溶液に成分(2)および,
成分(3)を加え,0℃から300℃60℃から200
℃、10分から50時間攪拌する方法であることを特徴
とするオレフィン類重合触媒。 - 【請求項30】請求項3に記載された各成分の接触が、
下記接触方法〓〜〓より選ばれる方法であることを特徴
とするオレフィン類重合触媒。 I.成分(1)の芳香族炭化水素溶液に、成分(2)お
よび,成分(3)を加え,0℃から150℃,10分か
ら100時間攪拌し,成分(4)を加え,室温で12時
間から500時間攪拌する方法。 II.成分(1)の芳香族炭化水素溶液に成分(2)およ
び,成分(3)を加え,30℃から250℃,10分か
ら50時間攪拌し,成分(4)および/あるいは成分
(5)を加え,室温で10分から500時間攪拌する方
法。 III.成分(1)の芳香族炭化水素溶液に成分(2)お
よび,成分(3)を加え,0℃から150℃10分から
100時間攪拌し,成分(4)を加え,60℃から20
0℃,10分から50時間攪拌する方法 IV.成分(1)芳香族炭化水素溶液に成分(2)およ
び,成分(3)を加え,60℃から200℃10分から
50時間攪拌し,成分(4)を加え,60℃から200
℃10分から50時間攪拌する方法。 - 【請求項31】請求項2、3、4または5に記載された
シクロペンタジエニル構造,インデニル構造またはフル
オレニル構造の5員環部分の水素のピークが、δ=4p
pm〜δ=7ppmにおいて観測されない形態であるこ
とを特徴とするオレフィン類重合用触媒。 - 【請求項32】請求項2または3に記載されたオレフィ
ン類重合用触媒において、各成分の使用割合が、成分
(1)1モルに対して、成分(2)を0.01〜100
モル、成分(3)を0.01〜100モル、成分(4)
は成分(1)の遷移金属濃度(Me1 )に対するアルミ
ニウムの原子比(Al/Me1 )が10000以下、成
分(5)を100モル以下であることを特徴とするオレ
フィン類重合用触媒成分。 - 【請求項33】請求項2または3に記載されたオレフィ
ン類重合用触媒において、各成分の使用割合が、成分
(1)1モルに対して、成分(2)を0.1〜50モ
ル、成分(3)を0.1〜50モル、成分(4)は成分
(1)の遷移金属濃度(Me1 )に対するアルミニウム
の原子比(Al/Me1 )が10〜1000、成分
(5)を0.05〜50モルであることを特徴とするオ
レフィン類重合用触媒成分。 - 【請求項34】請求項4または5に記載されたオレフィ
ン類重合用触媒において、各成分の使用割合が、成分
(1)1モルに対して、成分(2)を0.01〜100
モル、成分(3)を0.01〜100モル、成分(4)
は成分(1)の遷移金属濃度(Me1 )に対するアルミ
ニウムの原子比(Al/Me1 )が10000以下、成
分(5)を100モル以下、成分(6)は、成分(1)
0.0001〜5ミリモル当たり成分(6)1gである
ことを特徴とするオレフィン類重合用触媒成分。 - 【請求項35】請求項2または3に記載されたオレフィ
ン類重合用触媒において、各成分の使用割合が、成分
(1)1モルに対して、成分(2)を0.1〜50モ
ル、成分(3)を0.1〜50モルモル、成分(4)は
成分(1)の遷移金属濃度(Me1)に対するアルミニ
ウムの原子比(Al/Me1 )が10〜1000、成分
(5)を0.05〜50モル、成分(6)は、成分
(1)0.001〜0.5ミリモル当たり成分(6)1
gであることを特徴とするオレフィン類重合用触媒成
分。 - 【請求項36】請求項2、3、4または5で記載された
触媒の存在下,オレフィン類を重合または共重合するこ
とを特徴とするポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項37】請求項36のオレフィン類がα−オレフ
ィン類、環状オレフィン類、ジエン類、トリエン類及び
スチレン類似体からなる群から選ばれるオレフィン類で
あることを特徴とするポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項38】請求項37のαーオレフィンが炭素数2
〜12のものであることを特徴とするポリオレフィンの
製造方法。 - 【請求項39】請求項36の製造方法が、炭素数2〜1
2のαーオレフィンの重合または共重合であることを特
徴とするポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項40】請求項36の製造方法が、エチレンと炭
素数3〜12のα−オレフィンの共重合であることを特
徴とするポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項41】請求項36の製造方法が、プロピレンと
炭素数2または4〜12のα−オレフィンの共重合であ
ることを特徴とするポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項42】請求項40または41の製造方法が、α
ーオレフィン量が40モル%以下であることを特徴とす
るポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項43】請求項36の重合または共重合がスラリ
ー重合、溶液重合、又は気相重合であることを特徴とす
るポリオレフィンの製造方法。 - 【請求項44】請求項36の重合または共重合がスラリ
ー重合又は気相重合であり、温度20〜200℃、圧力
常圧〜70kg/cm2 Gであることを特徴とするポリオレ
フィンの製造方法。 - 【請求項45】請求項36の重合または共重合がスラリ
ー重合または気相重合であり、温度50〜100℃、圧
力常圧〜20kg/cm2 Gであることを特徴とするポリオ
レフィンの製造方法。 - 【請求項46】請求項36の重合または共重合が、スカ
ベンジの存在下行うことを特徴とするポリオレフィンの
製造方法。 - 【請求項47】請求項39のスカベンジが、トリメチル
アルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチ
ルアルミニウム、Al−O−Al結合を有する変性有機
アルミニウム化合物、分岐アルキルを含有する変性有機
アルミニウムから選ばれるものであることを特徴とする
ポリオレフィンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27715595A JPH0995507A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | オレフィン類重合用触媒成分 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27715595A JPH0995507A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | オレフィン類重合用触媒成分 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0995507A true JPH0995507A (ja) | 1997-04-08 |
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JP27715595A Pending JPH0995507A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | オレフィン類重合用触媒成分 |
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JP (1) | JPH0995507A (ja) |
-
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- 1995-09-29 JP JP27715595A patent/JPH0995507A/ja active Pending
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