JPH09151204A - ポリオレフィンの製造方法 - Google Patents
ポリオレフィンの製造方法Info
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- JPH09151204A JPH09151204A JP27703196A JP27703196A JPH09151204A JP H09151204 A JPH09151204 A JP H09151204A JP 27703196 A JP27703196 A JP 27703196A JP 27703196 A JP27703196 A JP 27703196A JP H09151204 A JPH09151204 A JP H09151204A
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- dimethyl
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分子量が高いポリオレフィンの製造法の提
供。 【解決手段】 Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍ
ｅ1Ｘ1'で表される化合物と、Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含
む変性有機アルミニウム化合物を接触させて得られる成
分（１）と、周期律表第IV〜VIII族の遷移金属成分、周
期律表第IV〜VIII族の遷移金属化合物成分または当該遷
移金属化合物とＭｅ'Ｒ'm（Ｏ Ｒ"）nＸ'z-m-nで表され
る化合物とを接触させて得られる成分から選ばれる成分
（２）と、無機化合物担体または粒子状ポリマー担体か
ら選ばれる成分（３）を接触させて得られる触媒の存在
下に、オレフィンを重合または共重合させる。
供。 【解決手段】 Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍ
ｅ1Ｘ1'で表される化合物と、Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含
む変性有機アルミニウム化合物を接触させて得られる成
分（１）と、周期律表第IV〜VIII族の遷移金属成分、周
期律表第IV〜VIII族の遷移金属化合物成分または当該遷
移金属化合物とＭｅ'Ｒ'm（Ｏ Ｒ"）nＸ'z-m-nで表され
る化合物とを接触させて得られる成分から選ばれる成分
（２）と、無機化合物担体または粒子状ポリマー担体か
ら選ばれる成分（３）を接触させて得られる触媒の存在
下に、オレフィンを重合または共重合させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はポリオレフィンの新
規な製造方法に関する。本発明はさらに詳細には、従来
とは全く異なった方法で重合体の分子量を高めることを
可能にしたポリオレフィンの製造方法に関する。
規な製造方法に関する。本発明はさらに詳細には、従来
とは全く異なった方法で重合体の分子量を高めることを
可能にしたポリオレフィンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】ポリオ
レフィン、特にエチレン重合体又はエチレン・α−オレ
フィン共重合体を製造するに際して、重合体の分子量を
高めることは製品グレード幅を広くする上で重要な課題
である。重合体の分子量を高める方法としては、重合反
応において連鎖移動剤として作用する化合物、例えば水
素の量を減少させるか全く使用しないで重合させる方
法、あるいは重合温度または重合圧力により制御する方
法が一般的に行われている。本発明の目的は重合体の分
子量を高めるために，従来とは全く異なった方法を提供
することにある。
レフィン、特にエチレン重合体又はエチレン・α−オレ
フィン共重合体を製造するに際して、重合体の分子量を
高めることは製品グレード幅を広くする上で重要な課題
である。重合体の分子量を高める方法としては、重合反
応において連鎖移動剤として作用する化合物、例えば水
素の量を減少させるか全く使用しないで重合させる方
法、あるいは重合温度または重合圧力により制御する方
法が一般的に行われている。本発明の目的は重合体の分
子量を高めるために，従来とは全く異なった方法を提供
することにある。
【０００３】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、 （１）少なくとも、下記に示す１）および２）の各成分
を接触させて得られる成分（成分（１）） １）一般式Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ
1'で表される化合物（式中，Ｍｅ1は周期律表ＩＶＢ族
の遷移金属を示し，Ｒ1はシクロペンタジエニル基，置
換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデ
ニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基を示し，
Ｒ1同士は炭素数２〜１８の炭化水素基及び／又はシリ
レン基を介し結合していてもよく，Ｘ1はハロゲン原
子，水素原子または炭素数１〜２４の炭化水素残基を示
し，ｐは１≦ｐ≦４を満たす整数を示し，Ｘ1'は炭素数
１〜２０のアルキリデン基を示す） ２）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウム化
合物 （２）下記（ア）および（イ）から選ばれる成分（成分
（２）） （ア）下記に示す１）からなる成分、または１）および
２）の成分を相互に接触させて得られる成分 １）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物（ただ
し、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルアセ
トナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホス
フィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル錯
体の中から選ばれる化合物である） ２）一般式Ｍｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-nで表される化
合物（式中、Ｒ'、Ｒ"は個別に炭素数１〜２４の炭化水
素基、Ｘ'はハロゲン原子または水素原子、Ｍｅ'は周期
律表第Ｉ〜ＩＩＩ族元素、ｚはＭｅ'の価数を示し、ｍ
及びｎはそれぞれ０＜ｍ≦ｚ、０≦ｎ≦ｚで、しかも０
＜ｍ＋ｎ≦ｚである） （イ）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属 を接触し、かつ(a)上記成分（１）および（２）の少な
くともいずれか一方 に、および／または、(b)上記成分
（１）の調製時および成分（２）の調製時の 少なくと
もいずれか一方に、 （３）無機化合物担体および／または粒子状ポリマー担
体 を接触することにより得られる触媒の存在下、オレフィ
ンを重合または共重合することを特徴とするポリオレフ
ィンの製造方法に関する。また、本発明は、 （１）下記（ア）および（イ）から選ばれる成分 （ア）下記に示す１）、２）および３）あるいは、１）
および３）を相互に接触させて得られる成分 １）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物（ただ
し、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルアセ
トナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホス
フィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル錯
体の中から選ばれる化合物である） ２）一般式Ｍｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-nで表される化
合物（式中、Ｒ'、Ｒ"は個別に炭素数１〜２４の炭化水
素基、Ｘ'はハロゲン原子または水素原子、Ｍｅ'は周期
律表第Ｉ〜ＩＩＩ族元素、ｚはＭｅ'の価数を示し、ｍ
及びｎはそれぞれ０＜ｍ≦ｚ、０≦ｎ≦ｚで、しかも０
＜ｍ＋ｎ≦ｚである） ３）無機化合物担体および／または粒子状ポリマー担体 （イ）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属と、無機化合物
担体および／または粒子状ポリマー担体を接触すること
により得られる成分ならびに （２）少なくとも、下記に示す１）および２）の各成分
を接触させて得られる成分 １）一般式Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ
1'で表される化合物（式中，Ｍｅ1は周期律表ＩＶＢ族
の遷移金属を示し，Ｒ1はシクロペンタジエニル基，置
換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデ
ニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基を示し，
Ｒ1同士は炭素数２〜１８の炭化水素基及び／又はシリ
レン基を介し結合していてもよく，Ｘ1はハロゲン原
子，水素原子または炭素数１〜２４の炭化水素残基を示
し，ｐは１≦ｐ≦４を満たす整数を示し，Ｘ1'は炭素数
１〜２０のアルキリデン基を示す） ２）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウム化
合物 を接触することにより得られる触媒の存在下に、オレフ
ィンを重合または共重合することを特徴とするポリオレ
フィンの製造方法に関する。本発明の製造方法は、分子
量が高く、分子量分布が比較的広いポリオレフィンを製
造でき、また共重合体を製造する際には、その組成分布
が狭いオレフィン重合体または共重合体を高収率で得る
ことができる。本発明はまた粒子性状が良好なポリオレ
フィンを提供できるものである。さらに、本発明の製造
方法では、従来とは全く異なった方法により重合体の分
子量を高めることができ、従来の方法に比較しポリオレ
フィンの分子量の制御などにさらに有利である等多くの
特長を具備する。以下本発明について詳述する。まず、
本発明において用いる触媒について説明する。本発明に
おいて用いる触媒は、前述のとおり、少なくとも１）一
般式Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ1'で表
される化合物（成分（Ａ））、２）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合
を含む変性有機アルミニウム化合物（成分（Ｂ））の各
成分を接触させて得られる成分（成分（１））と、
（ア）１）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物
（成分（Ｃ））、または成分（Ｃ）および２）一般式Ｍ
ｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-nで表される化合物（成分
（Ｄ））を接触させて得られる成分、または（イ）周期
律表第IV〜VIII族の遷移金属（成分（Ｅ））なる成分
（成分（２））と無機化合物担体および／または粒子状
ポリマー担体（成分（Ｆ））なる成分（成分（３））を
組み合わせたものである。すなわち、本発明で使用する
触媒の一つは、成分（１）および（２）のいずれか一方
を調製する過程で、その調製に使用される複数種の成分
のいずれかの成分に、成分（３）を接触させることによ
り、あるいは、調製された成分（１）及び（２）のいず
れか一方に、成分（３）を接触させることにより得るこ
とができる。本発明の方法で使用する触媒の他の一つ
は、成分（Ｄ）の存在下または不存在下に、成分（Ｄ）
と（Ｆ）を相互に接触させるか、あるいは、成分（Ｅ）
と（Ｆ）を相互に接触させて成分（Ｇ）を取得し、この
成分（Ｇ）に成分（Ｉ）を接触させることにより得るこ
とができる。以下順次各成分について詳述する。
を接触させて得られる成分（成分（１）） １）一般式Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ
1'で表される化合物（式中，Ｍｅ1は周期律表ＩＶＢ族
の遷移金属を示し，Ｒ1はシクロペンタジエニル基，置
換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデ
ニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基を示し，
Ｒ1同士は炭素数２〜１８の炭化水素基及び／又はシリ
レン基を介し結合していてもよく，Ｘ1はハロゲン原
子，水素原子または炭素数１〜２４の炭化水素残基を示
し，ｐは１≦ｐ≦４を満たす整数を示し，Ｘ1'は炭素数
１〜２０のアルキリデン基を示す） ２）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウム化
合物 （２）下記（ア）および（イ）から選ばれる成分（成分
（２）） （ア）下記に示す１）からなる成分、または１）および
２）の成分を相互に接触させて得られる成分 １）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物（ただ
し、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルアセ
トナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホス
フィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル錯
体の中から選ばれる化合物である） ２）一般式Ｍｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-nで表される化
合物（式中、Ｒ'、Ｒ"は個別に炭素数１〜２４の炭化水
素基、Ｘ'はハロゲン原子または水素原子、Ｍｅ'は周期
律表第Ｉ〜ＩＩＩ族元素、ｚはＭｅ'の価数を示し、ｍ
及びｎはそれぞれ０＜ｍ≦ｚ、０≦ｎ≦ｚで、しかも０
＜ｍ＋ｎ≦ｚである） （イ）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属 を接触し、かつ(a)上記成分（１）および（２）の少な
くともいずれか一方 に、および／または、(b)上記成分
（１）の調製時および成分（２）の調製時の 少なくと
もいずれか一方に、 （３）無機化合物担体および／または粒子状ポリマー担
体 を接触することにより得られる触媒の存在下、オレフィ
ンを重合または共重合することを特徴とするポリオレフ
ィンの製造方法に関する。また、本発明は、 （１）下記（ア）および（イ）から選ばれる成分 （ア）下記に示す１）、２）および３）あるいは、１）
および３）を相互に接触させて得られる成分 １）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物（ただ
し、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルアセ
トナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホス
フィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル錯
体の中から選ばれる化合物である） ２）一般式Ｍｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-nで表される化
合物（式中、Ｒ'、Ｒ"は個別に炭素数１〜２４の炭化水
素基、Ｘ'はハロゲン原子または水素原子、Ｍｅ'は周期
律表第Ｉ〜ＩＩＩ族元素、ｚはＭｅ'の価数を示し、ｍ
及びｎはそれぞれ０＜ｍ≦ｚ、０≦ｎ≦ｚで、しかも０
＜ｍ＋ｎ≦ｚである） ３）無機化合物担体および／または粒子状ポリマー担体 （イ）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属と、無機化合物
担体および／または粒子状ポリマー担体を接触すること
により得られる成分ならびに （２）少なくとも、下記に示す１）および２）の各成分
を接触させて得られる成分 １）一般式Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ
1'で表される化合物（式中，Ｍｅ1は周期律表ＩＶＢ族
の遷移金属を示し，Ｒ1はシクロペンタジエニル基，置
換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデ
ニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基を示し，
Ｒ1同士は炭素数２〜１８の炭化水素基及び／又はシリ
レン基を介し結合していてもよく，Ｘ1はハロゲン原
子，水素原子または炭素数１〜２４の炭化水素残基を示
し，ｐは１≦ｐ≦４を満たす整数を示し，Ｘ1'は炭素数
１〜２０のアルキリデン基を示す） ２）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウム化
合物 を接触することにより得られる触媒の存在下に、オレフ
ィンを重合または共重合することを特徴とするポリオレ
フィンの製造方法に関する。本発明の製造方法は、分子
量が高く、分子量分布が比較的広いポリオレフィンを製
造でき、また共重合体を製造する際には、その組成分布
が狭いオレフィン重合体または共重合体を高収率で得る
ことができる。本発明はまた粒子性状が良好なポリオレ
フィンを提供できるものである。さらに、本発明の製造
方法では、従来とは全く異なった方法により重合体の分
子量を高めることができ、従来の方法に比較しポリオレ
フィンの分子量の制御などにさらに有利である等多くの
特長を具備する。以下本発明について詳述する。まず、
本発明において用いる触媒について説明する。本発明に
おいて用いる触媒は、前述のとおり、少なくとも１）一
般式Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ1'で表
される化合物（成分（Ａ））、２）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合
を含む変性有機アルミニウム化合物（成分（Ｂ））の各
成分を接触させて得られる成分（成分（１））と、
（ア）１）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物
（成分（Ｃ））、または成分（Ｃ）および２）一般式Ｍ
ｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-nで表される化合物（成分
（Ｄ））を接触させて得られる成分、または（イ）周期
律表第IV〜VIII族の遷移金属（成分（Ｅ））なる成分
（成分（２））と無機化合物担体および／または粒子状
ポリマー担体（成分（Ｆ））なる成分（成分（３））を
組み合わせたものである。すなわち、本発明で使用する
触媒の一つは、成分（１）および（２）のいずれか一方
を調製する過程で、その調製に使用される複数種の成分
のいずれかの成分に、成分（３）を接触させることによ
り、あるいは、調製された成分（１）及び（２）のいず
れか一方に、成分（３）を接触させることにより得るこ
とができる。本発明の方法で使用する触媒の他の一つ
は、成分（Ｄ）の存在下または不存在下に、成分（Ｄ）
と（Ｆ）を相互に接触させるか、あるいは、成分（Ｅ）
と（Ｆ）を相互に接触させて成分（Ｇ）を取得し、この
成分（Ｇ）に成分（Ｉ）を接触させることにより得るこ
とができる。以下順次各成分について詳述する。
【０００４】まず成分（Ａ）は一般式Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-p
および／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ1'で表される化合物であ
る。かかる式中、Ｒ1はシクロペンタジエニル基，置換
シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデニ
ル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基を示し，Ｒ
1同士は炭素数２〜１８の炭化水素基及び／又はシリレ
ン基を介し結合してい てもよく，係る置換基として
は、炭素数１〜１８の炭化水素基、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ
−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基など
のアルキル基；ビニル基，アリル基などのアルケニル
基；フェニル基，トリル基，キシリル基などのアリール
基；ベンジル基，フェネチル基，スチリル基，ネオフィ
ル基などのアラルキル基で表されるような，炭素数１〜
２４，好ましくは１から１２の炭化水素基を表す。Ｒ1
同士は炭素数２〜１８の、炭化水素基及び／又はシリレ
ン基を介し結合していてもよく，炭化水素基としては、
メチレン，エチレン，イソプロピレンなどのアルキレン
基；ジフェニルメチレン，メチルフェニルメチレン，ジ
トリルメチレンなどのアリール置換基のついたアルキレ
ン基；ジビニルメチレン，ジアリルメチレンなどのアル
ケニル置換基のついたアルキレン基；ベンジル基，フェ
ネチル基，スチリル基，ネオフィル基などのアラルキル
置換基のついたアルキレン基、メチリデン、エチリデ
ン、プロピリデン、イソプロピリデンなどのアルキリデ
ン基などがあげられる。シリレン基としては、ジメチル
シリレン，ジエチルシリレンなどアルキル基のついたシ
リレン基；ジフェニルシリレン，メチルフェニルシリレ
ン，ジトリルシリレンなどのアリール置換基のついたシ
リレン基；ジビニルシリレン，ジアリルシリレンなどの
アルケニル置換基のついたシリレン基；ベンジル基，フ
ェネチル基，スチリル基，ネオフィル基などのアラルキ
ル置換基のついたシリレン基などがあげられる。もちろ
んＲ1同士が炭化水素基及び／又はシリ レン基を介して
結合する場合はＲ１中の任意の水素原子が１つ遊離原子
価となり、Ｒ１は二価の基になりうる。Ｍｅ1は、周期
律表ＩＶａ族の遷移金属、例えばジルコニウム、ハフニ
ウム、チタン、好ましくはジルコニウムがあげられ、Ｘ
1は塩素、臭素、フッ素、ヨウ素等のハロゲン原子，水
素原子または炭素数１〜２４の炭化水素残基を示す。係
る炭化水素残基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、シク
ロブチル基、イソペンチル基、ペンチル基、ネオペンチ
ル基、シクロペンチル基、イソヘキシル基、シクロヘキ
シル基、ヘキシル基、オクチル基などのアルキル基；ビ
ニル基、アリル基などのアルケニル基；メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチルン基
などのアリール基；フェノキシ基、トリルオキシ基など
のアリールオキシ基；ベンジル基、フェネチル基、スチ
リル基、ベンズヒドリル基、トリチル基、フェニルブチ
ル基、フェニルプロピル基ネオフィル基などのアラルキ
ル基があげられる。Ｘ1'は炭素数１〜２０のアルキリデ
ン基を示す。係るアルキリデン基としては，メチリデ
ン，エチリデン，プロピリデンなどがあげられる。ｐは
１≦ｐ≦４を満たす整数を示し、また、１≦ｐ≦２の場
合、Ｘ1は同種でも異種であってもよい。。一般式Ｒ1 p
Ｍｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ1'で表される化
合物の具体例としては、シクロペンタジエニルトリメチ
ルチタニウム、シクロペンタジエニルトリエチルチタニ
ウム、シクロペンタジエニルトリプロピルチタニウム、
シクロペンタジエニルトリブチルチタニウム、メチルシ
クロペンタジエニルトリメチルチタニウム、１，２−ジ
メチルシクロペンタジエニルトリメチルチタニウム、
１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニルトリメチ
ルチタニウム、１，２，３，４−テトラメチルシクロペ
ンタジエニルトリメチルチタニウム、ペンタメチルシク
ロペンタジエニルトリメチルチタニウム、ペンタメチル
シクロペンタジエニルトリエチルチタニウム、ペンタメ
チルシクロペンタジエニルトリプロピルチタニウム、ペ
ンタメチルシクロペンタジエニルトリブチルチタニウ
ム、シクロペンタジエニルメチルチタニウムジクロリ
ド、シクロペンタジエニルエチルチタニウムジクロリ
ド、ペンタメチルシクロペンタジエニルメチルチタニウ
ムジクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルエチ
ルチタニウムジクロリド、シクロペンタジエニルジメチ
ルチタニウムモノクロリド、シクロペンタジエニルジエ
チルチタニウムモノクロリド、シクロペンタジエニルチ
タニウムトリメトキシド、シクロペンタジエニルチタニ
ウムトリエトキシド、シクロペンタジエニルチタニウム
トリプロポキシド、シクロペンタジエニルチタニウムト
リフェノキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチ
タニウムトリメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジ
エニルチタニウムトリエトキシド、ペンタメチルシクロ
ペンタジエニルチタニウムトリプロポキシド、ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリブトキシド、
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリフェ
ノキシド、シクロペンタジエニルチタニウムトリクロリ
ド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ
クロリド、シクロペンジエニルメトキシチタニウムジク
ロリド、シクロペンタジエニルジメトキシチタニウムク
ロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルメトキシチ
タニウムジクロリド、シクロペンタジエニルトリベンジ
ルチタニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルメチ
ルジエトキシチタニウム、インデニルチタニウムトリク
ロリド、インデニルチタニウムトリメトキシド、インデ
ニルチタニウムトリエトキシド、インデニルトリメチル
チタニウム、インデニルトリベンジルチタニウム、シク
ロペンタジエニルトリメチルジルコニウム、シクロペン
タジエニルトリエチルジルコニウム、シクロペンタジエ
ニルトリプロピルジルコニウム、シクロペンタジエニル
トリブチルジルコニウム、メチルシクロペンタジエニル
トリメチルジルコニウム、１，２−ジメチルシクロペン
タジエニルトリメチルジルコニウム、１，２，４−トリ
メチルシクロペンタジエニルトリメチルジルコニウム、
１，２，３，４−テトラメチルシクロペンタジエニルト
リメチルジルコニウム、ペンタメチルシクロペンタジエ
ニルトリメチルジルコニウム、ペンタメチルシクロペン
タジエニルトリエチルジルコニウム、ペンタメチルシク
ロペンタジエニルトリプロピルジルコニウム、ペンタメ
チルシクロペンタジエニルトリブチルジルコニウム、シ
クロペンタジエニルメチルジルコニウムジクロリド、シ
クロペンタジエニルエチルジルコニウムジクロリド、ペ
ンタメチルシクロペンタジエニルメチルジルコニウムジ
クロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルエチルジ
ルコニウムジクロリド、シクロペンタジエニルジメチル
ジルコニウムモノクロリド、シクロペンタジエニルジエ
チルジルコニウムモノクロリド、シクロペンタジエニル
ジルコニウムトリメトキシド、シクロペンタジエニルジ
ルコニウムトリエトキシド、シクロペンタジエニルジル
コニウムトリプロポキシド、シクロペンタジエニルジル
コニウムトリフェノキシド、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルジルコニウムトリメトキシド、ペンタメチルシ
クロペンタジエニルジルコニウムトリエトキシド、ペン
タメチルシクロペンタジエニルジルコニウムトリプロポ
キシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウ
ムトリプトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
ジルコニウムトリフェノキシド、シクロペンタジエニル
ジルコニウムトリクロリド、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルジルコニウムトリクロリド、シクロペンタジエ
ニルメトキシジルコニウムジクロリド、シクロペンタジ
エニルジメトキシジルコニウムクロリド、ペンタメチル
シクロペンタジエニルメトキシジルコニウムジクロリ
ド、シクロペンタジエニルトリベンジルジルコニウム、
ペンタメチルシクロペンタジエニルメチルジエトキシジ
ルコニウム、インデニルジルコニウムトリクロリド、イ
ンデニルジルコニウムトリメトキシド、インデニルジル
コニウムトリエトキシド、インデニルトリメチルジルコ
ニウム、インデニルトリベンジルジルコニウム、シクロ
ペンタジエニルトリメチルハフニウム、シクロペンタジ
エニルトリエチルハフニウム、シクロペンタジエニルト
リプロピルハフニウム、シクロペンタジエニルトリブチ
ルハフニウム、メチルシクロペンタジエニルトリメチル
ハフニウム、１，２−ジメチルシクロペンタジエニルト
リメチルハフニウム、１，２，４−トリメチルシクロペ
ンタジエニルトリメチルハフニウム、１，２，３，４−
テトラメチルシクロペンタジエニルトリメチルハフニウ
ム、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリメチルハフ
ニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリエチル
ハフニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリプ
ロピルハフニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニル
トリブチルハフニウム、シクロペンタジエニルメチルハ
フニウムジクロリド、シクロペンタジエニルエチルハフ
ニウムジクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
メチルハフニウムジクロリド、ペンタメチルシクロペン
タジエニルエチルハフニウムジクロリド、シクロペンタ
ジエニルジメチルハフニウムモノクロリド、シクロペン
タジエニルジエチルハフニウムモノクロリド、シクロペ
ンタジエニルハフニウムトリメトキシド、シクロペンタ
ジエニルハフニウムトリエトキシド、シクロペンタジエ
ニルハフニウムトリプロポキシド、シクロペンタジエニ
ルハフニウムトリフェノキシド、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルハフニウムトリメトキシド、ペンタメチル
シクロペンタジエニルハフニウムトリエトキシド、ペン
タメチルシクロペンタジエニルハフニウムトリプロポキ
シド、ペンタメチルシクロペンタジエニルハフニウムト
リブトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルハフ
ニウムトリフェノキシド、シクロペンタジエニルハフニ
ウムトリクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
ハフニウムトリクロリド、シクロペンタジエニルメトキ
シハフニウムジクロリド、シクロペンタジエニルジメト
キシハフニウムクロリド、ペンタメチルシクロペンタジ
エニルメトキシハフニウムジクロリド、シクロペンタジ
エニルトリベンジルハフニウム、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルメチルジエトキシハフニウム、インデニル
ハフニウムトリクロリド、インデニルハフニウムトリメ
トキシド、インデニルハフニウムトリエトキシド、イン
デニルトリメチルハフニウム、インデニルトリベンジル
ハフニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロチ
タニウム、ビス（シクロペンタジエニル）メチルクロロ
チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルチ
タニウム、ビス（シクロペンタジエニル）エトキシクロ
ロチタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）プロポキ
シクロロチタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）フ
ェノキシクロロチタニウム、ビス（シクロペンタジエニ
ル）プロピルクロロチタニウム、ビス（シクロペンタジ
エニル）ジフェニルチタニウム、ビス（シクロペンタジ
エニル）ジトリルチタニウム、ビス（シクロペンタジエ
ニル）チタニウムジベンジル、ビス（シクロペンタジエ
ニル）チタニウムモノクロロモノハイドライド、ビス
（メチルシクロペンタジエニル）ジメチルチタニウム、
テトラシクロペンタジエニルチタニウム、ビス（インデ
ニル）ジクロロチタニウム、ビス（インデニル）ジメチ
ルチタニウム、エチレンビス（インデニル）チタニウム
ジクロリド、エチレンビス（テトラヒドロインデニル）
チタニウムジクロリド、テトラネオペンチルチタニウ
ム、テトラネオフィルチタニウム、テトラベンジルチタ
ニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコ
ニウム、ビス（シクロペンタジエニル）メチルクロロジ
ルコニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルジ
ルコニウム、ビス（インデニル）ジメチルジルコニウ
ム、ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム、エチレ
ンビス（インデニル）ジクロロジルコニウム、エチレン
ビス（テトラヒドロインデニル）ジクロロジルコニウ
ム、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジメチルジル
コニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム
モノクロロモノハイドライド、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジベンジル、テトラシクロペンタジ
エニルジルコニウム、テトラベンジルジルコニウム、ビ
ス（シクロペンタジエニル）エトキシクロロジルコニウ
ム、ビス（シクロペンタジエニル）プロポキシクロロジ
ルコニウム、ビス（シクロペンタジエニル）フェノキシ
クロロジルコニウム、ビス（シクロペンタジエニル）プ
ロピルクロロジルコニウム、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジフェニルジルコニウム、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジトリルジルコニウム、ビス（シクロペンタジエ
ニル）モノメチルモノハイドライドジルコニウム、ビス
（シクロペンタジエニル）モノエチルモノクロリドジル
コニウム、ビス（シクロペンタジエニル）モノフェニル
モノクロリドジルコニウム、テトラネオペンチルジルコ
ニウム、テトラネオフイルジルコニウム、ビスインデニ
ルジルコニウムジフェニル、ビスインデニルジルコニウ
ムジベンジル、ビスフルオレニルジルコニウムジフェニ
ル、ビスフルオレニルジルコニウムジベンジル、ビスペ
ンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジメチ
ル、ビスペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジフェニル、ビスペンタメチルシクロペンタジエニル
ジルコニウムジクロライド、ビスペンタメチルシクロペ
ンタジエニルジルコニウムジベンジル、ビス（シクロペ
ンタジエニル）ジメチルハフニウム、ビス（シクロペン
タジエニル）ジクロロハフニウム、ビス（シクロペンタ
ジエニル）メチルクロロハフニウム、ビス（シクロペン
タジエニル）エチルクロロハフニウム、ビス（シクロペ
ンタジエニル）プロピルクロロハフニウム、ビス（シク
ロペンタジエニル）フェニルクロロハフニウム、ビス
（シクロペンタジエニル）ジフェニルハフニウム、ビス
（シクロペンタジエニル）ジトリルハフニウム、ビス
（シクロペンタジエニル）モノクロロモノハイドライド
ハフニウム、ビス（シクロペンタジエニル）モノメチル
モノハイドライドハフニウム、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジベンジルハフニウム、エチレンビス（インデニ
ル）ジクロロハフニウム、エチレンビス（テトラヒドロ
インデニル）ジクロロハフニウム、テトラネオペンチル
ハフニウム、テトラネオフィルハフニウム、シリレンビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジクロライド、シリ
レンビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、シ
リレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジエチル、
シリレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、シリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムジクロライド、シリレンビスメチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムジメチル、シリレンビスメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムジエチル、シリレンビスメチル
シクロペンタジエニルチタニウムジフェニル、ジメチル
シリレンヒスシクロペンタジエニルチタニウムジクロラ
イド、ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジブロマイド、ジメチルシリレンビスシクロペン
タジエニルチタニウムジメチル、ジメチルシリレンビス
シクロペンタジエニルチタニウムジエチル、ジメチルシ
リレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニル
チタニウムジクロライド、ジメチルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、ジメチ
ルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウム
ジメチル、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジ
エニルチタニウムジエチル、ジメチルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウムジフェニル、フェニ
ルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロライド、フェニルメチルシリレンビスシクロペン
タジエニルチタニウムジブロマイド、フェニルメチルシ
リレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、
フェニルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジエチル、フェニルメチルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルチタニウムジフェニル、フェニルメチルシ
リレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジク
ロライド、フェニルメチルシリレンビスメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムジブロマイド、フェニルメチル
シリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジ
メチル、フェニルメチルシリレンビスメチルシクロペン
タジエニルチタニウムジエチル、フェニルメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジクロライド、ジフェニルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルチタニウムジブロマイド、ジフェニルシリ
レンビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、ジ
フェニルシリレンビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジエチル、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエニ
ルチタニウムジフェニル、ジフェニルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウムジクロライド、ジフ
ェニルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムジブロマイド、ジフェニルシリレンビスメチルシク
ロペンタジエニルチタニウムジメチル、ジフェニルシリ
レンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジエチ
ル、ジフェニルシリレンビスメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムジフェニル、ジシリレンビスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジクロライド、ジシリレンビスシク
ロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、ジシリレン
ビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、ジシリ
レンビスシクロペンタジエニルチタニウムジエチル、ジ
シリレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、ジシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムジクロライド、ジシリレンビスメチルシクロペンタ
ジエニルチタニウムジブロマイド、ジシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、ジシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジエチ
ル、ジシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムジフェニル、テトラメチルシリレンスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジクロライド、テトラメチルシリレ
ンビスシクロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、
テトラメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタニ
ウムジメチル、テトラメチルシリレンビスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジエチル、テトラメチルシリレンビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジフェニル、テトラ
メチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムジクロライド、テトラメチルシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、テトラメ
チルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムジメチル、テトラメチルシリレンビスメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムジエチル、テトラメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、シリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
クロライド、シリレンビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジブロマイド、シリレンビスシクロペンタジエニ
ルジルコニウムジメチル、シリレンビスシクロペンタジ
エニルジルコニウムジエチル、シリレンビスシクロペン
タジエニルジルコニウムジフェニル、シリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルジルコニウムジクロライド、シ
リレンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジ
ブロマイド、シリレンビスメチルシクロペンタジエニル
ジルコニウムジメチル、シリレンビスメチルシクロペン
タジエニルジルコニウムジエチル、シリレンビスメチル
シクロペンタジエニルジルコニウムジフェニル、ジメチ
ルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジク
ロライド、ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジブロマイド、ジメチルシリレンビスシク
ロペンタジエニルジルコニウムジメチル、ジメチルシリ
レンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジエチル、
ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジフェニル、ジメチルシリレンビスメチルシクロペン
タジエニルジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジブロ
マイド、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジメチル、ジメチルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルジルコニウムジエチル、ジメチ
ルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジフェニル、フェニルメチルシリレンビスシクロペン
タジエニルジルコニウムジクロライド、フェニルメチル
シリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジブロ
マイド、フェニルメチルシリレンビスシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジメチル、フェニルメチルシリレンビ
スシクロペンタジエニルジルコニウムジエチル、フェニ
ルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジフェニル、フェニルメチルシリレンビスメチルシク
ロペンタジエニルジルコニウムジクロライド、フェニル
メチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジブロマイド、フェニルメチルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルジルコニウムジメチル、フェニ
ルメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジル
コニウムジエチル、フェニルメチルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルジルコニウムジフェニル、ジフェ
ニルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
クロライド、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジブロマイド、ジフェニルシリレンビ
スシクロペンタジエニルジルコニウムジメチル、ジフェ
ニルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
エチル、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジフェニル、ジフェニルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルジルコニウムジクロライド、ジ
フェニルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジル
コニウムジブロマイド、ジフェニルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルジルコニウムジメチル、ジフェニ
ルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジエチル、ジフェニルシリレンビスメチルシクロペン
タジエニルジルコニウムジフェニル、ジシリレンビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジクロライド、ジシリ
レンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジブロマイ
ド、ジシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウム
ジメチル、ジシリレンビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジエチル、ジシリレンビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジフェニル、ジシリレンビスメチルシクロ
ペンタジエニルジルコニウムジクロライド、ジシリレン
ビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジブロマ
イド、ジシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジル
コニムジメチル、ジシリレンビスメチルシクロペンタジ
エニルジルコニウムジエチル、ジシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルジルコニウムジフェニル、テトラメ
チルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
クロライド、テトラメチルシリレンビスシクロペンタジ
エニルジルコニウムジブロマイド、テトラメチルシリレ
ンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジメチル、テ
トラメチルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニ
ウムジエチル、テトラメチルシリレンビスシクロペンタ
ジエニルジルコニウムジフェニル、テトラメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジクロ
ライド、テトラメチルシリレンビスメチルシクロペンタ
ジエニルジルコニウムジブロマイド、テトラメチルシリ
レンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジメ
チル、テトラメチルシリレンビスメチルシクロペンタジ
エニルジルコニウムジエチル、テトラメチルシリレンビ
スメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジフェニ
ル、シリレンビスシクロペンタジエニルハフニウムジク
ロライド、シリレンビスシクロペンタジエニルハフニウ
ムジブロマイド、シリレンビスシクロペンタジエニルハ
フニウムジメチル、シリレンビスシクロペンタジエニル
ハフニウムジエチル、シリレンビスシクロペンタジエニ
ルハフニウムジフェニル、シリレンビスメチルシクロペ
ンタジエニルハフニウムジクロライド、シリレンビスメ
チルシクロペンタジエニルハフニウムジブロマイド、シ
リレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジメ
チル、シリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニ
ウムジエチル、シリレンビスメチルシクロペンタジエニ
ルハフニウムジフェニル、ジメチルシリレンビスシクロ
ペンタジエニルハフニウムジクロライド、ジメチルシリ
レンビスシクロペンタジエニルハフニウムジブロマイ
ド、ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジメチル、ジメチルシリレンビスシクロペンタジエ
ニルハフニウムジエチル、ジメチルシリレンビスシクロ
ペンタジエニルハフニウムジフェニル、ジメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジクロラ
イド、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニ
ルハフニウムジブロマイド、ジメチルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルハフニウムジメチル、ジメチル
シリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジ
エチル、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエ
ニルハフニウムジフェニル、フェニルメチルシリレンビ
スシクロペンタジエニルハフニウムジクロライド、フェ
ニルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニウ
ムジブロマイド、フェニルメチルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルハフニウムジメチル、フェニルメチルシリ
レンビスシクロペンタジエニルハフニウムジエチル、フ
ェニルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジフェニル、フェニルメチルシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルハフニウムジクロライド、フェニル
メチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニ
ウムジブロマイド、フェニルメチルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルハフニウムジメチル、フェニルメ
チルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウ
ムジエチル、フェニルメチルシリレンビスメチルシクロ
ペンタジエニルハフニウムジフェニル、ジフェニルシリ
レンビスシクロペンタジエニルハフニウムジクロライ
ド、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエニルハフ
ニウムジブロマイド、ジフェニルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルハフニウムジメチル、ジフェニルシリレン
ビスシクロペンタジエニルハフニウムジエチル、ジフェ
ニルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニウムジフ
ェニル、ジフェニルシリレンビスメチルシクロペンタジ
エニルハフニウムジクロライド、ジフェニルシリレンビ
スメチルシクロペンタジエニルハフニウムジブロマイ
ド、ジフェニルシリレンビスメチルシクロペンタジエニ
ルハフニウムジメチル、ジフェニルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルハフニウムジエチル、ジフェニル
シリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジ
フェニル、ジシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジクロライド、ジシリレンビスシクロペンタジエニ
ルハフニウムジブロマイド、ジシリレンビスシクロペン
タジエニルハフニウムジメチル、ジシリレンビスシクロ
ペンタジエニルハフニウムジエチル、ジシリレンビスシ
クロペンタジエニルハフニウムジフェニル、ジシリレン
ビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジクロライ
ド、ジシリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニ
ウムジブロマイド、ジシリレンビスメチルシクロペンタ
ジエニルハフニウムジメチル、ジシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルハフニウムジエチル、ジシリレンビ
スメチルシクロペンタジエニルハフニウムジフェニル、
テトラメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジクロライド、テトラメチルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルハフニウムジブロマイド、テトラメチルシ
リレンビスシクロペンタジエニルハフニウムジメチル、
テトラメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジエチル、テトラメチルシリレンビスシクロペンタ
ジエニルハフニウムジフェニル、テトラメチルシリレン
ビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジクロライ
ド、テトラメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエ
ニルハフニウムジブロマイド、テトラメチルシリレンビ
スメチルシクロペンタジエニルハフニウムジメチル、テ
トラメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルハ
フニウムジエチル、テトラメチルシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルハフニウムジフェニルイソプロピリ
デンビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロライ
ド，イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルチタニ
ウムジメチル，イソプロピリデンビスシクロペンタジエ
ニルチタニウムジフェニル，イソプロピリデンビスシク
ロペンタジエニルチタニウムジベンジル，イソプロピリ
デンビスシクロペンタジエニルチタニウムジハイドライ
ド，イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルチタニ
ウムハイドライドクロライド、イソプロピリデンビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジクロライド，イソプ
ロピリデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジブ
ロマイド，イソプロピリデンビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジメチル，イソプロピリデンビスシクロペ
ンタジエニルジルコニウムジフェニル，イソプロピリデ
ンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジベンジル，
イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジネオフィル，イソプロピリデンビスシクロペンタジ
エニルジルコニウムジトリル，イソプロピリデンビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジハイドライド，イソ
プロピリデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムハ
イドライドメチル，イソプロピリデンビスシクロペンタ
ジエニルジルコニウムハイドライドクロライド，イソプ
ロピリデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムハイ
ドライドベンジル，イソプロピリデンビスシクロペンタ
ジエニルハフニウムジクロライド，イソプロピリデンビ
スシクロペンタジエニルハフニウムジメチル，イソプロ
ピリデンビスシクロペンタジエニルハフニウムジベンジ
ル，イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジハイドライド，イソプロピリデンビスシクロペン
タジエニルハフニウムハイドライドクロライド、ジフェ
ニルメチレン（シクロペンタジエニル）インデニルチタ
ニウムジクロライド，ジフェニルメチレン（シクロペン
タジエニル）フルオレニルチタニウムジクロライド，ジ
フェニルメチレン（インデニル）フルオレニルチタニウ
ムジクロライド，イソプロピリデン（シクロペンタジエ
ニル）インデニルチタニウムジクロライド，イソプロピ
リデン（シクロペンタジエニル）フルオレニルチタニウ
ムジクロライド，イソプロピリデン（インデニル）フル
オレニルチタニウムジクロライド，エチレン（シクロペ
ンタジエニル）インデニルチタニウムジクロライド，エ
チレン（シクロペンタジエニル）フルオレニルチタニウ
ムジクロライド，ジメチルシリレン（シクロペンタジエ
ニル）インデニルチタニウムジクロライド，ジメチルシ
リレン（シクロペンタジエニル）フルオレニルチタニウ
ムジクロライド，ジメチルシリレン（インデニル）フル
オレニルチタニウムジクロライド，ジフェニルシリレン
（シクロペンタジエニル）インデニルチタニウムジクロ
ライド，ジフェニルシリレン（シクロペンタジエニル）
フルオレニルチタニウムジクロライド，ジフェニルシリ
レン（インデニル）フルオレニルチタニウムジクロライ
ド，ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）イン
デニルチタニウムジメチル，ジフェニルメチレン（シク
ロペンタジエニル）フルオレニルチタニウムジメチル，
ジフェニルメチレン（インデニル）フルオレニルチタニ
ウムジメチル，イソプロピリデン（シクロペンタジエニ
ル）インデニルチタニウムジメチル，イソプロピリデン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルチタニウムジメ
チル，イソプロピリデン（インデニル）フルオレニルチ
タニウムジメチル，エチレン（シクロペンタジエニル）
インデニルチタニウムジメチル，エチレン（シクロペン
タジエニル）フルオレニルチタニウムジメチル，ジメチ
ルシリレン（シクロペンタジエニル）インデニルチタニ
ウムジメチル，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニ
ル）フルオレニルチタニウムジメチル，ジメチルシリレ
ン（インデニル）フルオレニルチタニウムジメチル，ジ
フェニルシリレン（シクロペンタジエニル）インデニル
チタニウムジメチル，ジフェニルシリレン（シクロペン
タジエニル）フルオレニルチタニウムジメチル，ジフェ
ニルシリレン（インデニル）フルオレニルチタニウムジ
メチル，ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）
インデニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルメチ
レン（シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウ
ムジクロライド，ジフェニルメチレン（インデニル）フ
ルオレニルジルコニウムジクロライド，イソプロピリデ
ン（シクロペンタジエニル）インデニルジルコニウムジ
クロライド，イソプロピリデン（シクロペンタジエニ
ル）フルオレニルジルコニウムジクロライド，イソプロ
ピリデン（インデニル）フルオレニルジルコニウムジク
ロライド，エチレン（シクロペンタジエニル）インデニ
ルジルコニウムジクロライド，エチレン（シクロペンタ
ジエニル）フルオレニルジルコニウムジクロライド，ジ
メチルシリレン（シクロペンタジエニル）インデニルジ
ルコニウムジクロライド，ジメチルシリレン（シクロペ
ンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，ジメチルシリレン（インデニル）フルオレニルジル
コニウムジクロライド，ジフェニルシリレン（シクロペ
ンタジエニル）インデニルジルコニウムジクロライド，
ジフェニルシリレン（シクロペンタジエニル）フルオレ
ニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルシリレン
（インデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）イン
デニルジルコニウムジメチル，ジフェニルメチレン（シ
クロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジメチ
ル，ジフェニルメチレン（インデニル）フルオレニルジ
ルコニウムジメチル，イソプロピリデン（シクロペンタ
ジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，イソプロ
ピリデン（シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコ
ニウムジメチル，イソプロピリデン（インデニル）フル
オレニルジルコニウムジメチル，エチレン（シクロペン
タジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，エチレ
ン（シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウム
ジメチル，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）
インデニルジルコニウムジメチル，ジメチルシリレン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジ
メチル，ジメチルシリレン（インデニル）フルオレニル
ジルコニウムジメチル，ジフェニルシリレン（シクロペ
ンタジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，ジフ
ェニルシリレン（シクロペンタジエニル）フルオレニル
ジルコニウムジメチル，ジフェニルシリレン（インデニ
ル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジフェニルメ
チレン（シクロペンタジエニル）インデニルハフニウム
ジクロライド，ジフェニルメチレン（シクロペンタジエ
ニル）フルオレニルハフニウムジクロライド，ジフェニ
ルメチレン（インデニル）フルオレニルハフニウムジク
ロライド，イソプロピリデン（シクロペンタジエニル）
インデニルハフニウムジクロライド，イソプロピリデン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルハフニウムジク
ロライド，イソプロピリデン（インデニル）フルオレニ
ルハフニウムジクロライド，エチレン（シクロペンタジ
エニル）インデニルハフニウムジクロライド，エチレン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルハフニウムジク
ロライド，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）
インデニルハフニウムジクロライド，ジメチルシリレン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルハフニウムジク
ロライド，ジメチルシリレン（インデニル）フルオレニ
ルハフニウムジクロライド，ジフェニルシリレン（シク
ロペンタジエニル）インデニルハフニウムジクロライ
ド，ジフェニルシリレン（シクロペンタジエニル）フル
オレニルハフニウムジクロライド，ジフェニルシリレン
（インデニル）フルオレニルハフニウムジクロライド，
ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）インデニ
ルハフニウムジメチル，ジフェニルメチレン（シクロペ
ンタジエニル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジフ
ェニルメチレン（インデニル）フルオレニルハフニウム
ジメチル，イソプロピリデン（シクロペンタジエニル）
インデニルハフニウムジメチル，イソプロピリデン（シ
クロペンタジエニル）フルオレニルハフニウムジメチ
ル，イソプロピリデン（インデニル）フルオレニルハフ
ニウムジメチル，エチレン（シクロペンタジエニル）イ
ンデニルハフニウムジメチル，エチレン（シクロペンタ
ジエニル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジメチル
シリレン（シクロペンタジエニル）インデニルハフニウ
ムジメチル，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニ
ル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジメチルシリレ
ン（インデニル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジ
フェニルシリレン（シクロペンタジエニル）インデニル
ハフニウムジメチル，ジフェニルシリレン（シクロペン
タジエニル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジフェ
ニルシリレン（インデニル）フルオレニルハフニウムジ
メチル，ジフェニルメチレン（メチルシクロペンタジエ
ニル）インデニルジルコニウムジクロライド，ジフェニ
ルメチレン（メチルシクロペンタジエニル）フルオレニ
ルジルコニウムジクロライド，ジフェニルメチレン（メ
チルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，イソプロピリデン（メチルシクロペンタジエニル）
インデニルジルコニウムジクロライド，イソプロピリデ
ン（メチルシクロペンタジエニル）フルオレニルジルコ
ニウムジクロライド，イソプロピリデン（メチルインデ
ニル）フルオレニルジルコニウムジクロライド，エチレ
ン（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニ
ウムジクロライド，エチレン（メチルシクロペンタジエ
ニル）フルオレニルジルコニウムジクロライド，ジメチ
ルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）インデニル
ジルコニウムジクロライド，ジメチルシリレン（メチル
シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジク
ロライド，ジメチルシリレン（メチルインデニル）フル
オレニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルシリレ
ン（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニ
ウムジクロライド，ジフェニルシリレン（メチルシクロ
ペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，ジフェニルシリレン（メチルインデニル）フルオレ
ニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルメチレン
（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニウ
ムジメチル，ジフェニルメチレン（メチルシクロペンタ
ジエニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジフェ
ニルメチレン（メチルインデニル）フルオレニルジルコ
ニウムジメチル，イソプロピリデン（メチルシクロペン
タジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，イソプ
ロピリデン（メチルシクロペンタジエニル）フルオレニ
ルジルコニウムジメチル，イソプロピリデン（メチルイ
ンデニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，エチレ
ン（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニ
ウムジメチル，エチレン（メチルシクロペンタジエニ
ル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジメチルシリ
レン（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコ
ニウムジメチル，ジメチルシリレン（メチルシクロペン
タジエニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジメ
チルシリレン（メチルインデニル）フルオレニルジルコ
ニウムジメチル，ジフェニルシリレン（メチルシクロペ
ンタジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，ジフ
ェニルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）フルオ
レニルジルコニウムジメチル，ジフェニルシリレン（メ
チルインデニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，
ジフェニルメチレン（ジメチルシクロペンタジエニル）
インデニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルメチ
レン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニルジ
ルコニウムジクロライド，ジフェニルメチレン（ジメチ
ルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，イソプロピリデン（ジメチルシクロペンタジエニ
ル）インデニルジルコニウムジクロライド，イソプロピ
リデン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニル
ジルコニウムジクロライド，イソプロピリデン（ジメチ
ルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，エチレン（ジメチルシクロペンタジエニル）インデ
ニルジルコニウムジクロライド，エチレン（ジメチルシ
クロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジクロ
ライド，ジメチルシリレン（ジメチルシクロペンタジエ
ニル）インデニルジルコニウムジクロライド，ジメチル
シリレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニ
ルジルコニウムジクロライド，ジメチルシリレン（ジメ
チルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，ジフェニルシリレン（ジメチルシクロペンタジエニ
ル）インデニルジルコニウムジクロライド，ジフェニル
シリレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニ
ルジルコニウムジクロライド，ジフェニルシリレン（ジ
メチルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロラ
イド，ジフェニルメチレン（ジメチルシクロペンタジエ
ニル）インデニルジルコニウムジメチル，ジフェニルメ
チレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニル
ジルコニウムジメチル，ジフェニルメチレン（ジメチル
インデニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，イソ
プロピリデン（ジメチルシクロペンタジエニル）インデ
ニルジルコニウムジメチル，イソプロピリデン（ジメチ
ルシクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジ
メチル，イソプロピリデン（ジメチルインデニル）フル
オレニルジルコニウムジメチル，エチレン（ジメチルシ
クロペンタジエニル）インデニルジルコニウムジメチ
ル，エチレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオ
レニルジルコニウムジメチル，ジメチルシリレン（ジメ
チルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニウムジ
メチル，ジメチルシリレン（ジメチルシクロペンタジエ
ニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジメチルシ
リレン（ジメチルインデニル）フルオレニルジルコニウ
ムジメチル，ジフェニルシリレン（ジメチルシクロペン
タジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，ジフェ
ニルシリレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオ
レニルジルコニウムジメチル，ジフェニルシリレン（ジ
メチルインデニル）フルオレニルジルコニウムジメチル ビスフルオレニルチタニウムジクロライド，ビスフルオ
レニルチタニウムジメチル，ビスフルオレニルチタニウ
ムジハイドライド，ビスフルオレニルジルコニウムジク
ロライド，ビスフルオレニルジルコニウムジブロマイ
ド，ビスフルオレニルジルコニウムジメチル，ビスフル
オレニルジルコニウムジハイドライド，ビスフルオレニ
ルジルコニウムハイドライドメチル，ビスフルオレニル
ジルコニウムハイドライドクロライド，ビスフルオレニ
ルジルコニウムハイドライドベンジル，ビスフルオレニ
ルハフニウムジクロライド，ビスフルオレニルハフニウ
ムジメチル，ビスフルオレニルハフニウムジハイドライ
ド，ビス（シクロペンタジエニル）メチリデンチタニウ
ム，ビス（メチルシクロペンタジエニル）メチリデンチ
タニウム，ビス（インデニル）メチリデンチタニウム，
エチレンビスインデニルメチリデンチタニウム，ジメチ
ルシリレンビスシクロペンタジエニルメチリデンチタニ
ウム，ビス（シクロペンタジエニル）プロピリデンチタ
ニウム，ビス（メチルシクロペンタジエニル）プロピリ
デンチタニウム，ビス（インデニル）プロピリデンチタ
ニウム，エチレンビスインデニルプロピリデンチタニウ
ム，ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルプロピ
リデンチタニウム ビス（シクロペンタジエニル）メチリデンジルコニウ
ム，ビス（メチルシクロペンタジエニル）メチリデンジ
ルコニウム，ビス（インデニル）メチリデンジルコニウ
ム，エチレンビスインデニルメチリデンジルコニウム，
ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルメチリデン
ジルコニウム，ビス（シクロペンタジエニル）プロピリ
デンジルコニウム，ビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）プロピリデンジルコニウム，ビス（インデニル）プ
ロピリデンジルコニウム，エチレンビスインデニルプロ
ピリデンジルコニウム，ジメチルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルプロピリデンジルコニウム ビス（シクロペンタジエニル）メチリデンハフニウム，
ビス（メチルシクロペンタジエニル）メチリデンハフニ
ウム，ビス（インデニル）メチリデンハフニウム，エチ
レンビスインデニルメチリデンハフニウム，ジメチルシ
リレンビスシクロペンタジエニルメチリデンハフニウ
ム，ビス（シクロペンタジエニル）プロピリデンハフニ
ウム，ビス（メチルシクロペンタジエニル）プロピリデ
ンハフニウム，ビス（インデニル）プロピリデンハフニ
ウム，エチレンビスインデニルプロピリデンハフニウ
ム，ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルプロピ
リデンハフニウムが挙げられる。もちろん、これらの化
合物を２種以上併用しても良い。これらの化合物の中で
好ましくはビスインデニルジルコニウムジメチル，ビス
インデニルジルコニウムジフェニル，ビスインデニルジ
ルコニウムジクロライド，ビスインデニルジルコニウム
ジベンジル，ビスフルオレニルジルコニウムジメチル，
ビスフルオレニルジルコニウムジフェニル，ビスフルオ
レニルジルコニウムジクロライド，ビスフルオレニルジ
ルコニウムジベンジル，ビスシクロペンタジエニルジル
コニウムジメチル，ビスシクロペンタジエニルジルコニ
ウムジフェニル，ビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジクロライド，ビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジベンジル，ビスペンタメチルシクロペンタジエニル
ジルコニウムジメチル，ビスペンタメチルシクロペンタ
ジエニルジルコニウムジフェニル，ビスペンタメチルシ
クロペンタジエニルジルコニウムジクロライド，ビスペ
ンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジベンジ
ル等があげられる。
および／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ1'で表される化合物であ
る。かかる式中、Ｒ1はシクロペンタジエニル基，置換
シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデニ
ル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基を示し，Ｒ
1同士は炭素数２〜１８の炭化水素基及び／又はシリレ
ン基を介し結合してい てもよく，係る置換基として
は、炭素数１〜１８の炭化水素基、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ
−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基など
のアルキル基；ビニル基，アリル基などのアルケニル
基；フェニル基，トリル基，キシリル基などのアリール
基；ベンジル基，フェネチル基，スチリル基，ネオフィ
ル基などのアラルキル基で表されるような，炭素数１〜
２４，好ましくは１から１２の炭化水素基を表す。Ｒ1
同士は炭素数２〜１８の、炭化水素基及び／又はシリレ
ン基を介し結合していてもよく，炭化水素基としては、
メチレン，エチレン，イソプロピレンなどのアルキレン
基；ジフェニルメチレン，メチルフェニルメチレン，ジ
トリルメチレンなどのアリール置換基のついたアルキレ
ン基；ジビニルメチレン，ジアリルメチレンなどのアル
ケニル置換基のついたアルキレン基；ベンジル基，フェ
ネチル基，スチリル基，ネオフィル基などのアラルキル
置換基のついたアルキレン基、メチリデン、エチリデ
ン、プロピリデン、イソプロピリデンなどのアルキリデ
ン基などがあげられる。シリレン基としては、ジメチル
シリレン，ジエチルシリレンなどアルキル基のついたシ
リレン基；ジフェニルシリレン，メチルフェニルシリレ
ン，ジトリルシリレンなどのアリール置換基のついたシ
リレン基；ジビニルシリレン，ジアリルシリレンなどの
アルケニル置換基のついたシリレン基；ベンジル基，フ
ェネチル基，スチリル基，ネオフィル基などのアラルキ
ル置換基のついたシリレン基などがあげられる。もちろ
んＲ1同士が炭化水素基及び／又はシリ レン基を介して
結合する場合はＲ１中の任意の水素原子が１つ遊離原子
価となり、Ｒ１は二価の基になりうる。Ｍｅ1は、周期
律表ＩＶａ族の遷移金属、例えばジルコニウム、ハフニ
ウム、チタン、好ましくはジルコニウムがあげられ、Ｘ
1は塩素、臭素、フッ素、ヨウ素等のハロゲン原子，水
素原子または炭素数１〜２４の炭化水素残基を示す。係
る炭化水素残基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、シク
ロブチル基、イソペンチル基、ペンチル基、ネオペンチ
ル基、シクロペンチル基、イソヘキシル基、シクロヘキ
シル基、ヘキシル基、オクチル基などのアルキル基；ビ
ニル基、アリル基などのアルケニル基；メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチルン基
などのアリール基；フェノキシ基、トリルオキシ基など
のアリールオキシ基；ベンジル基、フェネチル基、スチ
リル基、ベンズヒドリル基、トリチル基、フェニルブチ
ル基、フェニルプロピル基ネオフィル基などのアラルキ
ル基があげられる。Ｘ1'は炭素数１〜２０のアルキリデ
ン基を示す。係るアルキリデン基としては，メチリデ
ン，エチリデン，プロピリデンなどがあげられる。ｐは
１≦ｐ≦４を満たす整数を示し、また、１≦ｐ≦２の場
合、Ｘ1は同種でも異種であってもよい。。一般式Ｒ1 p
Ｍｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ1'で表される化
合物の具体例としては、シクロペンタジエニルトリメチ
ルチタニウム、シクロペンタジエニルトリエチルチタニ
ウム、シクロペンタジエニルトリプロピルチタニウム、
シクロペンタジエニルトリブチルチタニウム、メチルシ
クロペンタジエニルトリメチルチタニウム、１，２−ジ
メチルシクロペンタジエニルトリメチルチタニウム、
１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニルトリメチ
ルチタニウム、１，２，３，４−テトラメチルシクロペ
ンタジエニルトリメチルチタニウム、ペンタメチルシク
ロペンタジエニルトリメチルチタニウム、ペンタメチル
シクロペンタジエニルトリエチルチタニウム、ペンタメ
チルシクロペンタジエニルトリプロピルチタニウム、ペ
ンタメチルシクロペンタジエニルトリブチルチタニウ
ム、シクロペンタジエニルメチルチタニウムジクロリ
ド、シクロペンタジエニルエチルチタニウムジクロリ
ド、ペンタメチルシクロペンタジエニルメチルチタニウ
ムジクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルエチ
ルチタニウムジクロリド、シクロペンタジエニルジメチ
ルチタニウムモノクロリド、シクロペンタジエニルジエ
チルチタニウムモノクロリド、シクロペンタジエニルチ
タニウムトリメトキシド、シクロペンタジエニルチタニ
ウムトリエトキシド、シクロペンタジエニルチタニウム
トリプロポキシド、シクロペンタジエニルチタニウムト
リフェノキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチ
タニウムトリメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジ
エニルチタニウムトリエトキシド、ペンタメチルシクロ
ペンタジエニルチタニウムトリプロポキシド、ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタニウムトリブトキシド、
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリフェ
ノキシド、シクロペンタジエニルチタニウムトリクロリ
ド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリ
クロリド、シクロペンジエニルメトキシチタニウムジク
ロリド、シクロペンタジエニルジメトキシチタニウムク
ロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルメトキシチ
タニウムジクロリド、シクロペンタジエニルトリベンジ
ルチタニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルメチ
ルジエトキシチタニウム、インデニルチタニウムトリク
ロリド、インデニルチタニウムトリメトキシド、インデ
ニルチタニウムトリエトキシド、インデニルトリメチル
チタニウム、インデニルトリベンジルチタニウム、シク
ロペンタジエニルトリメチルジルコニウム、シクロペン
タジエニルトリエチルジルコニウム、シクロペンタジエ
ニルトリプロピルジルコニウム、シクロペンタジエニル
トリブチルジルコニウム、メチルシクロペンタジエニル
トリメチルジルコニウム、１，２−ジメチルシクロペン
タジエニルトリメチルジルコニウム、１，２，４−トリ
メチルシクロペンタジエニルトリメチルジルコニウム、
１，２，３，４−テトラメチルシクロペンタジエニルト
リメチルジルコニウム、ペンタメチルシクロペンタジエ
ニルトリメチルジルコニウム、ペンタメチルシクロペン
タジエニルトリエチルジルコニウム、ペンタメチルシク
ロペンタジエニルトリプロピルジルコニウム、ペンタメ
チルシクロペンタジエニルトリブチルジルコニウム、シ
クロペンタジエニルメチルジルコニウムジクロリド、シ
クロペンタジエニルエチルジルコニウムジクロリド、ペ
ンタメチルシクロペンタジエニルメチルジルコニウムジ
クロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルエチルジ
ルコニウムジクロリド、シクロペンタジエニルジメチル
ジルコニウムモノクロリド、シクロペンタジエニルジエ
チルジルコニウムモノクロリド、シクロペンタジエニル
ジルコニウムトリメトキシド、シクロペンタジエニルジ
ルコニウムトリエトキシド、シクロペンタジエニルジル
コニウムトリプロポキシド、シクロペンタジエニルジル
コニウムトリフェノキシド、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルジルコニウムトリメトキシド、ペンタメチルシ
クロペンタジエニルジルコニウムトリエトキシド、ペン
タメチルシクロペンタジエニルジルコニウムトリプロポ
キシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウ
ムトリプトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
ジルコニウムトリフェノキシド、シクロペンタジエニル
ジルコニウムトリクロリド、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルジルコニウムトリクロリド、シクロペンタジエ
ニルメトキシジルコニウムジクロリド、シクロペンタジ
エニルジメトキシジルコニウムクロリド、ペンタメチル
シクロペンタジエニルメトキシジルコニウムジクロリ
ド、シクロペンタジエニルトリベンジルジルコニウム、
ペンタメチルシクロペンタジエニルメチルジエトキシジ
ルコニウム、インデニルジルコニウムトリクロリド、イ
ンデニルジルコニウムトリメトキシド、インデニルジル
コニウムトリエトキシド、インデニルトリメチルジルコ
ニウム、インデニルトリベンジルジルコニウム、シクロ
ペンタジエニルトリメチルハフニウム、シクロペンタジ
エニルトリエチルハフニウム、シクロペンタジエニルト
リプロピルハフニウム、シクロペンタジエニルトリブチ
ルハフニウム、メチルシクロペンタジエニルトリメチル
ハフニウム、１，２−ジメチルシクロペンタジエニルト
リメチルハフニウム、１，２，４−トリメチルシクロペ
ンタジエニルトリメチルハフニウム、１，２，３，４−
テトラメチルシクロペンタジエニルトリメチルハフニウ
ム、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリメチルハフ
ニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリエチル
ハフニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリプ
ロピルハフニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニル
トリブチルハフニウム、シクロペンタジエニルメチルハ
フニウムジクロリド、シクロペンタジエニルエチルハフ
ニウムジクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
メチルハフニウムジクロリド、ペンタメチルシクロペン
タジエニルエチルハフニウムジクロリド、シクロペンタ
ジエニルジメチルハフニウムモノクロリド、シクロペン
タジエニルジエチルハフニウムモノクロリド、シクロペ
ンタジエニルハフニウムトリメトキシド、シクロペンタ
ジエニルハフニウムトリエトキシド、シクロペンタジエ
ニルハフニウムトリプロポキシド、シクロペンタジエニ
ルハフニウムトリフェノキシド、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルハフニウムトリメトキシド、ペンタメチル
シクロペンタジエニルハフニウムトリエトキシド、ペン
タメチルシクロペンタジエニルハフニウムトリプロポキ
シド、ペンタメチルシクロペンタジエニルハフニウムト
リブトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルハフ
ニウムトリフェノキシド、シクロペンタジエニルハフニ
ウムトリクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニル
ハフニウムトリクロリド、シクロペンタジエニルメトキ
シハフニウムジクロリド、シクロペンタジエニルジメト
キシハフニウムクロリド、ペンタメチルシクロペンタジ
エニルメトキシハフニウムジクロリド、シクロペンタジ
エニルトリベンジルハフニウム、ペンタメチルシクロペ
ンタジエニルメチルジエトキシハフニウム、インデニル
ハフニウムトリクロリド、インデニルハフニウムトリメ
トキシド、インデニルハフニウムトリエトキシド、イン
デニルトリメチルハフニウム、インデニルトリベンジル
ハフニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロチ
タニウム、ビス（シクロペンタジエニル）メチルクロロ
チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルチ
タニウム、ビス（シクロペンタジエニル）エトキシクロ
ロチタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）プロポキ
シクロロチタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）フ
ェノキシクロロチタニウム、ビス（シクロペンタジエニ
ル）プロピルクロロチタニウム、ビス（シクロペンタジ
エニル）ジフェニルチタニウム、ビス（シクロペンタジ
エニル）ジトリルチタニウム、ビス（シクロペンタジエ
ニル）チタニウムジベンジル、ビス（シクロペンタジエ
ニル）チタニウムモノクロロモノハイドライド、ビス
（メチルシクロペンタジエニル）ジメチルチタニウム、
テトラシクロペンタジエニルチタニウム、ビス（インデ
ニル）ジクロロチタニウム、ビス（インデニル）ジメチ
ルチタニウム、エチレンビス（インデニル）チタニウム
ジクロリド、エチレンビス（テトラヒドロインデニル）
チタニウムジクロリド、テトラネオペンチルチタニウ
ム、テトラネオフィルチタニウム、テトラベンジルチタ
ニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコ
ニウム、ビス（シクロペンタジエニル）メチルクロロジ
ルコニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルジ
ルコニウム、ビス（インデニル）ジメチルジルコニウ
ム、ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム、エチレ
ンビス（インデニル）ジクロロジルコニウム、エチレン
ビス（テトラヒドロインデニル）ジクロロジルコニウ
ム、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジメチルジル
コニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウム
モノクロロモノハイドライド、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジベンジル、テトラシクロペンタジ
エニルジルコニウム、テトラベンジルジルコニウム、ビ
ス（シクロペンタジエニル）エトキシクロロジルコニウ
ム、ビス（シクロペンタジエニル）プロポキシクロロジ
ルコニウム、ビス（シクロペンタジエニル）フェノキシ
クロロジルコニウム、ビス（シクロペンタジエニル）プ
ロピルクロロジルコニウム、ビス（シクロペンタジエニ
ル）ジフェニルジルコニウム、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジトリルジルコニウム、ビス（シクロペンタジエ
ニル）モノメチルモノハイドライドジルコニウム、ビス
（シクロペンタジエニル）モノエチルモノクロリドジル
コニウム、ビス（シクロペンタジエニル）モノフェニル
モノクロリドジルコニウム、テトラネオペンチルジルコ
ニウム、テトラネオフイルジルコニウム、ビスインデニ
ルジルコニウムジフェニル、ビスインデニルジルコニウ
ムジベンジル、ビスフルオレニルジルコニウムジフェニ
ル、ビスフルオレニルジルコニウムジベンジル、ビスペ
ンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジメチ
ル、ビスペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジフェニル、ビスペンタメチルシクロペンタジエニル
ジルコニウムジクロライド、ビスペンタメチルシクロペ
ンタジエニルジルコニウムジベンジル、ビス（シクロペ
ンタジエニル）ジメチルハフニウム、ビス（シクロペン
タジエニル）ジクロロハフニウム、ビス（シクロペンタ
ジエニル）メチルクロロハフニウム、ビス（シクロペン
タジエニル）エチルクロロハフニウム、ビス（シクロペ
ンタジエニル）プロピルクロロハフニウム、ビス（シク
ロペンタジエニル）フェニルクロロハフニウム、ビス
（シクロペンタジエニル）ジフェニルハフニウム、ビス
（シクロペンタジエニル）ジトリルハフニウム、ビス
（シクロペンタジエニル）モノクロロモノハイドライド
ハフニウム、ビス（シクロペンタジエニル）モノメチル
モノハイドライドハフニウム、ビス（シクロペンタジエ
ニル）ジベンジルハフニウム、エチレンビス（インデニ
ル）ジクロロハフニウム、エチレンビス（テトラヒドロ
インデニル）ジクロロハフニウム、テトラネオペンチル
ハフニウム、テトラネオフィルハフニウム、シリレンビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジクロライド、シリ
レンビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、シ
リレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジエチル、
シリレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、シリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムジクロライド、シリレンビスメチルシクロペンタジエ
ニルチタニウムジメチル、シリレンビスメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムジエチル、シリレンビスメチル
シクロペンタジエニルチタニウムジフェニル、ジメチル
シリレンヒスシクロペンタジエニルチタニウムジクロラ
イド、ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジブロマイド、ジメチルシリレンビスシクロペン
タジエニルチタニウムジメチル、ジメチルシリレンビス
シクロペンタジエニルチタニウムジエチル、ジメチルシ
リレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニル
チタニウムジクロライド、ジメチルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、ジメチ
ルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウム
ジメチル、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジ
エニルチタニウムジエチル、ジメチルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウムジフェニル、フェニ
ルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロライド、フェニルメチルシリレンビスシクロペン
タジエニルチタニウムジブロマイド、フェニルメチルシ
リレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、
フェニルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジエチル、フェニルメチルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルチタニウムジフェニル、フェニルメチルシ
リレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジク
ロライド、フェニルメチルシリレンビスメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムジブロマイド、フェニルメチル
シリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジ
メチル、フェニルメチルシリレンビスメチルシクロペン
タジエニルチタニウムジエチル、フェニルメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジクロライド、ジフェニルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルチタニウムジブロマイド、ジフェニルシリ
レンビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、ジ
フェニルシリレンビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジエチル、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエニ
ルチタニウムジフェニル、ジフェニルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウムジクロライド、ジフ
ェニルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムジブロマイド、ジフェニルシリレンビスメチルシク
ロペンタジエニルチタニウムジメチル、ジフェニルシリ
レンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジエチ
ル、ジフェニルシリレンビスメチルシクロペンタジエニ
ルチタニウムジフェニル、ジシリレンビスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジクロライド、ジシリレンビスシク
ロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、ジシリレン
ビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、ジシリ
レンビスシクロペンタジエニルチタニウムジエチル、ジ
シリレンビスシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、ジシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムジクロライド、ジシリレンビスメチルシクロペンタ
ジエニルチタニウムジブロマイド、ジシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルチタニウムジメチル、ジシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジエチ
ル、ジシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムジフェニル、テトラメチルシリレンスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジクロライド、テトラメチルシリレ
ンビスシクロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、
テトラメチルシリレンビスシクロペンタジエニルチタニ
ウムジメチル、テトラメチルシリレンビスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジエチル、テトラメチルシリレンビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジフェニル、テトラ
メチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニ
ウムジクロライド、テトラメチルシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルチタニウムジブロマイド、テトラメ
チルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウ
ムジメチル、テトラメチルシリレンビスメチルシクロペ
ンタジエニルチタニウムジエチル、テトラメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルチタニウムジフェニ
ル、シリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
クロライド、シリレンビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジブロマイド、シリレンビスシクロペンタジエニ
ルジルコニウムジメチル、シリレンビスシクロペンタジ
エニルジルコニウムジエチル、シリレンビスシクロペン
タジエニルジルコニウムジフェニル、シリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルジルコニウムジクロライド、シ
リレンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジ
ブロマイド、シリレンビスメチルシクロペンタジエニル
ジルコニウムジメチル、シリレンビスメチルシクロペン
タジエニルジルコニウムジエチル、シリレンビスメチル
シクロペンタジエニルジルコニウムジフェニル、ジメチ
ルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジク
ロライド、ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジブロマイド、ジメチルシリレンビスシク
ロペンタジエニルジルコニウムジメチル、ジメチルシリ
レンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジエチル、
ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジフェニル、ジメチルシリレンビスメチルシクロペン
タジエニルジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジブロ
マイド、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジメチル、ジメチルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルジルコニウムジエチル、ジメチ
ルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジフェニル、フェニルメチルシリレンビスシクロペン
タジエニルジルコニウムジクロライド、フェニルメチル
シリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジブロ
マイド、フェニルメチルシリレンビスシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジメチル、フェニルメチルシリレンビ
スシクロペンタジエニルジルコニウムジエチル、フェニ
ルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジフェニル、フェニルメチルシリレンビスメチルシク
ロペンタジエニルジルコニウムジクロライド、フェニル
メチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジブロマイド、フェニルメチルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルジルコニウムジメチル、フェニ
ルメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジル
コニウムジエチル、フェニルメチルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルジルコニウムジフェニル、ジフェ
ニルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
クロライド、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジブロマイド、ジフェニルシリレンビ
スシクロペンタジエニルジルコニウムジメチル、ジフェ
ニルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
エチル、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジフェニル、ジフェニルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルジルコニウムジクロライド、ジ
フェニルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジル
コニウムジブロマイド、ジフェニルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルジルコニウムジメチル、ジフェニ
ルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジエチル、ジフェニルシリレンビスメチルシクロペン
タジエニルジルコニウムジフェニル、ジシリレンビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジクロライド、ジシリ
レンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジブロマイ
ド、ジシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウム
ジメチル、ジシリレンビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジエチル、ジシリレンビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジフェニル、ジシリレンビスメチルシクロ
ペンタジエニルジルコニウムジクロライド、ジシリレン
ビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジブロマ
イド、ジシリレンビスメチルシクロペンタジエニルジル
コニムジメチル、ジシリレンビスメチルシクロペンタジ
エニルジルコニウムジエチル、ジシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルジルコニウムジフェニル、テトラメ
チルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
クロライド、テトラメチルシリレンビスシクロペンタジ
エニルジルコニウムジブロマイド、テトラメチルシリレ
ンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジメチル、テ
トラメチルシリレンビスシクロペンタジエニルジルコニ
ウムジエチル、テトラメチルシリレンビスシクロペンタ
ジエニルジルコニウムジフェニル、テトラメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジクロ
ライド、テトラメチルシリレンビスメチルシクロペンタ
ジエニルジルコニウムジブロマイド、テトラメチルシリ
レンビスメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジメ
チル、テトラメチルシリレンビスメチルシクロペンタジ
エニルジルコニウムジエチル、テトラメチルシリレンビ
スメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジフェニ
ル、シリレンビスシクロペンタジエニルハフニウムジク
ロライド、シリレンビスシクロペンタジエニルハフニウ
ムジブロマイド、シリレンビスシクロペンタジエニルハ
フニウムジメチル、シリレンビスシクロペンタジエニル
ハフニウムジエチル、シリレンビスシクロペンタジエニ
ルハフニウムジフェニル、シリレンビスメチルシクロペ
ンタジエニルハフニウムジクロライド、シリレンビスメ
チルシクロペンタジエニルハフニウムジブロマイド、シ
リレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジメ
チル、シリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニ
ウムジエチル、シリレンビスメチルシクロペンタジエニ
ルハフニウムジフェニル、ジメチルシリレンビスシクロ
ペンタジエニルハフニウムジクロライド、ジメチルシリ
レンビスシクロペンタジエニルハフニウムジブロマイ
ド、ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジメチル、ジメチルシリレンビスシクロペンタジエ
ニルハフニウムジエチル、ジメチルシリレンビスシクロ
ペンタジエニルハフニウムジフェニル、ジメチルシリレ
ンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジクロラ
イド、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニ
ルハフニウムジブロマイド、ジメチルシリレンビスメチ
ルシクロペンタジエニルハフニウムジメチル、ジメチル
シリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジ
エチル、ジメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエ
ニルハフニウムジフェニル、フェニルメチルシリレンビ
スシクロペンタジエニルハフニウムジクロライド、フェ
ニルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニウ
ムジブロマイド、フェニルメチルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルハフニウムジメチル、フェニルメチルシリ
レンビスシクロペンタジエニルハフニウムジエチル、フ
ェニルメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジフェニル、フェニルメチルシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルハフニウムジクロライド、フェニル
メチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニ
ウムジブロマイド、フェニルメチルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルハフニウムジメチル、フェニルメ
チルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウ
ムジエチル、フェニルメチルシリレンビスメチルシクロ
ペンタジエニルハフニウムジフェニル、ジフェニルシリ
レンビスシクロペンタジエニルハフニウムジクロライ
ド、ジフェニルシリレンビスシクロペンタジエニルハフ
ニウムジブロマイド、ジフェニルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルハフニウムジメチル、ジフェニルシリレン
ビスシクロペンタジエニルハフニウムジエチル、ジフェ
ニルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニウムジフ
ェニル、ジフェニルシリレンビスメチルシクロペンタジ
エニルハフニウムジクロライド、ジフェニルシリレンビ
スメチルシクロペンタジエニルハフニウムジブロマイ
ド、ジフェニルシリレンビスメチルシクロペンタジエニ
ルハフニウムジメチル、ジフェニルシリレンビスメチル
シクロペンタジエニルハフニウムジエチル、ジフェニル
シリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジ
フェニル、ジシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジクロライド、ジシリレンビスシクロペンタジエニ
ルハフニウムジブロマイド、ジシリレンビスシクロペン
タジエニルハフニウムジメチル、ジシリレンビスシクロ
ペンタジエニルハフニウムジエチル、ジシリレンビスシ
クロペンタジエニルハフニウムジフェニル、ジシリレン
ビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジクロライ
ド、ジシリレンビスメチルシクロペンタジエニルハフニ
ウムジブロマイド、ジシリレンビスメチルシクロペンタ
ジエニルハフニウムジメチル、ジシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルハフニウムジエチル、ジシリレンビ
スメチルシクロペンタジエニルハフニウムジフェニル、
テトラメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジクロライド、テトラメチルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルハフニウムジブロマイド、テトラメチルシ
リレンビスシクロペンタジエニルハフニウムジメチル、
テトラメチルシリレンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジエチル、テトラメチルシリレンビスシクロペンタ
ジエニルハフニウムジフェニル、テトラメチルシリレン
ビスメチルシクロペンタジエニルハフニウムジクロライ
ド、テトラメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエ
ニルハフニウムジブロマイド、テトラメチルシリレンビ
スメチルシクロペンタジエニルハフニウムジメチル、テ
トラメチルシリレンビスメチルシクロペンタジエニルハ
フニウムジエチル、テトラメチルシリレンビスメチルシ
クロペンタジエニルハフニウムジフェニルイソプロピリ
デンビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロライ
ド，イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルチタニ
ウムジメチル，イソプロピリデンビスシクロペンタジエ
ニルチタニウムジフェニル，イソプロピリデンビスシク
ロペンタジエニルチタニウムジベンジル，イソプロピリ
デンビスシクロペンタジエニルチタニウムジハイドライ
ド，イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルチタニ
ウムハイドライドクロライド、イソプロピリデンビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジクロライド，イソプ
ロピリデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジブ
ロマイド，イソプロピリデンビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジメチル，イソプロピリデンビスシクロペ
ンタジエニルジルコニウムジフェニル，イソプロピリデ
ンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジベンジル，
イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジネオフィル，イソプロピリデンビスシクロペンタジ
エニルジルコニウムジトリル，イソプロピリデンビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジハイドライド，イソ
プロピリデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムハ
イドライドメチル，イソプロピリデンビスシクロペンタ
ジエニルジルコニウムハイドライドクロライド，イソプ
ロピリデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムハイ
ドライドベンジル，イソプロピリデンビスシクロペンタ
ジエニルハフニウムジクロライド，イソプロピリデンビ
スシクロペンタジエニルハフニウムジメチル，イソプロ
ピリデンビスシクロペンタジエニルハフニウムジベンジ
ル，イソプロピリデンビスシクロペンタジエニルハフニ
ウムジハイドライド，イソプロピリデンビスシクロペン
タジエニルハフニウムハイドライドクロライド、ジフェ
ニルメチレン（シクロペンタジエニル）インデニルチタ
ニウムジクロライド，ジフェニルメチレン（シクロペン
タジエニル）フルオレニルチタニウムジクロライド，ジ
フェニルメチレン（インデニル）フルオレニルチタニウ
ムジクロライド，イソプロピリデン（シクロペンタジエ
ニル）インデニルチタニウムジクロライド，イソプロピ
リデン（シクロペンタジエニル）フルオレニルチタニウ
ムジクロライド，イソプロピリデン（インデニル）フル
オレニルチタニウムジクロライド，エチレン（シクロペ
ンタジエニル）インデニルチタニウムジクロライド，エ
チレン（シクロペンタジエニル）フルオレニルチタニウ
ムジクロライド，ジメチルシリレン（シクロペンタジエ
ニル）インデニルチタニウムジクロライド，ジメチルシ
リレン（シクロペンタジエニル）フルオレニルチタニウ
ムジクロライド，ジメチルシリレン（インデニル）フル
オレニルチタニウムジクロライド，ジフェニルシリレン
（シクロペンタジエニル）インデニルチタニウムジクロ
ライド，ジフェニルシリレン（シクロペンタジエニル）
フルオレニルチタニウムジクロライド，ジフェニルシリ
レン（インデニル）フルオレニルチタニウムジクロライ
ド，ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）イン
デニルチタニウムジメチル，ジフェニルメチレン（シク
ロペンタジエニル）フルオレニルチタニウムジメチル，
ジフェニルメチレン（インデニル）フルオレニルチタニ
ウムジメチル，イソプロピリデン（シクロペンタジエニ
ル）インデニルチタニウムジメチル，イソプロピリデン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルチタニウムジメ
チル，イソプロピリデン（インデニル）フルオレニルチ
タニウムジメチル，エチレン（シクロペンタジエニル）
インデニルチタニウムジメチル，エチレン（シクロペン
タジエニル）フルオレニルチタニウムジメチル，ジメチ
ルシリレン（シクロペンタジエニル）インデニルチタニ
ウムジメチル，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニ
ル）フルオレニルチタニウムジメチル，ジメチルシリレ
ン（インデニル）フルオレニルチタニウムジメチル，ジ
フェニルシリレン（シクロペンタジエニル）インデニル
チタニウムジメチル，ジフェニルシリレン（シクロペン
タジエニル）フルオレニルチタニウムジメチル，ジフェ
ニルシリレン（インデニル）フルオレニルチタニウムジ
メチル，ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）
インデニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルメチ
レン（シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウ
ムジクロライド，ジフェニルメチレン（インデニル）フ
ルオレニルジルコニウムジクロライド，イソプロピリデ
ン（シクロペンタジエニル）インデニルジルコニウムジ
クロライド，イソプロピリデン（シクロペンタジエニ
ル）フルオレニルジルコニウムジクロライド，イソプロ
ピリデン（インデニル）フルオレニルジルコニウムジク
ロライド，エチレン（シクロペンタジエニル）インデニ
ルジルコニウムジクロライド，エチレン（シクロペンタ
ジエニル）フルオレニルジルコニウムジクロライド，ジ
メチルシリレン（シクロペンタジエニル）インデニルジ
ルコニウムジクロライド，ジメチルシリレン（シクロペ
ンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，ジメチルシリレン（インデニル）フルオレニルジル
コニウムジクロライド，ジフェニルシリレン（シクロペ
ンタジエニル）インデニルジルコニウムジクロライド，
ジフェニルシリレン（シクロペンタジエニル）フルオレ
ニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルシリレン
（インデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）イン
デニルジルコニウムジメチル，ジフェニルメチレン（シ
クロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジメチ
ル，ジフェニルメチレン（インデニル）フルオレニルジ
ルコニウムジメチル，イソプロピリデン（シクロペンタ
ジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，イソプロ
ピリデン（シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコ
ニウムジメチル，イソプロピリデン（インデニル）フル
オレニルジルコニウムジメチル，エチレン（シクロペン
タジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，エチレ
ン（シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウム
ジメチル，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）
インデニルジルコニウムジメチル，ジメチルシリレン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジ
メチル，ジメチルシリレン（インデニル）フルオレニル
ジルコニウムジメチル，ジフェニルシリレン（シクロペ
ンタジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，ジフ
ェニルシリレン（シクロペンタジエニル）フルオレニル
ジルコニウムジメチル，ジフェニルシリレン（インデニ
ル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジフェニルメ
チレン（シクロペンタジエニル）インデニルハフニウム
ジクロライド，ジフェニルメチレン（シクロペンタジエ
ニル）フルオレニルハフニウムジクロライド，ジフェニ
ルメチレン（インデニル）フルオレニルハフニウムジク
ロライド，イソプロピリデン（シクロペンタジエニル）
インデニルハフニウムジクロライド，イソプロピリデン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルハフニウムジク
ロライド，イソプロピリデン（インデニル）フルオレニ
ルハフニウムジクロライド，エチレン（シクロペンタジ
エニル）インデニルハフニウムジクロライド，エチレン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルハフニウムジク
ロライド，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）
インデニルハフニウムジクロライド，ジメチルシリレン
（シクロペンタジエニル）フルオレニルハフニウムジク
ロライド，ジメチルシリレン（インデニル）フルオレニ
ルハフニウムジクロライド，ジフェニルシリレン（シク
ロペンタジエニル）インデニルハフニウムジクロライ
ド，ジフェニルシリレン（シクロペンタジエニル）フル
オレニルハフニウムジクロライド，ジフェニルシリレン
（インデニル）フルオレニルハフニウムジクロライド，
ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）インデニ
ルハフニウムジメチル，ジフェニルメチレン（シクロペ
ンタジエニル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジフ
ェニルメチレン（インデニル）フルオレニルハフニウム
ジメチル，イソプロピリデン（シクロペンタジエニル）
インデニルハフニウムジメチル，イソプロピリデン（シ
クロペンタジエニル）フルオレニルハフニウムジメチ
ル，イソプロピリデン（インデニル）フルオレニルハフ
ニウムジメチル，エチレン（シクロペンタジエニル）イ
ンデニルハフニウムジメチル，エチレン（シクロペンタ
ジエニル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジメチル
シリレン（シクロペンタジエニル）インデニルハフニウ
ムジメチル，ジメチルシリレン（シクロペンタジエニ
ル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジメチルシリレ
ン（インデニル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジ
フェニルシリレン（シクロペンタジエニル）インデニル
ハフニウムジメチル，ジフェニルシリレン（シクロペン
タジエニル）フルオレニルハフニウムジメチル，ジフェ
ニルシリレン（インデニル）フルオレニルハフニウムジ
メチル，ジフェニルメチレン（メチルシクロペンタジエ
ニル）インデニルジルコニウムジクロライド，ジフェニ
ルメチレン（メチルシクロペンタジエニル）フルオレニ
ルジルコニウムジクロライド，ジフェニルメチレン（メ
チルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，イソプロピリデン（メチルシクロペンタジエニル）
インデニルジルコニウムジクロライド，イソプロピリデ
ン（メチルシクロペンタジエニル）フルオレニルジルコ
ニウムジクロライド，イソプロピリデン（メチルインデ
ニル）フルオレニルジルコニウムジクロライド，エチレ
ン（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニ
ウムジクロライド，エチレン（メチルシクロペンタジエ
ニル）フルオレニルジルコニウムジクロライド，ジメチ
ルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）インデニル
ジルコニウムジクロライド，ジメチルシリレン（メチル
シクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジク
ロライド，ジメチルシリレン（メチルインデニル）フル
オレニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルシリレ
ン（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニ
ウムジクロライド，ジフェニルシリレン（メチルシクロ
ペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，ジフェニルシリレン（メチルインデニル）フルオレ
ニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルメチレン
（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニウ
ムジメチル，ジフェニルメチレン（メチルシクロペンタ
ジエニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジフェ
ニルメチレン（メチルインデニル）フルオレニルジルコ
ニウムジメチル，イソプロピリデン（メチルシクロペン
タジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，イソプ
ロピリデン（メチルシクロペンタジエニル）フルオレニ
ルジルコニウムジメチル，イソプロピリデン（メチルイ
ンデニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，エチレ
ン（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニ
ウムジメチル，エチレン（メチルシクロペンタジエニ
ル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジメチルシリ
レン（メチルシクロペンタジエニル）インデニルジルコ
ニウムジメチル，ジメチルシリレン（メチルシクロペン
タジエニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジメ
チルシリレン（メチルインデニル）フルオレニルジルコ
ニウムジメチル，ジフェニルシリレン（メチルシクロペ
ンタジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，ジフ
ェニルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）フルオ
レニルジルコニウムジメチル，ジフェニルシリレン（メ
チルインデニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，
ジフェニルメチレン（ジメチルシクロペンタジエニル）
インデニルジルコニウムジクロライド，ジフェニルメチ
レン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニルジ
ルコニウムジクロライド，ジフェニルメチレン（ジメチ
ルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，イソプロピリデン（ジメチルシクロペンタジエニ
ル）インデニルジルコニウムジクロライド，イソプロピ
リデン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニル
ジルコニウムジクロライド，イソプロピリデン（ジメチ
ルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，エチレン（ジメチルシクロペンタジエニル）インデ
ニルジルコニウムジクロライド，エチレン（ジメチルシ
クロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジクロ
ライド，ジメチルシリレン（ジメチルシクロペンタジエ
ニル）インデニルジルコニウムジクロライド，ジメチル
シリレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニ
ルジルコニウムジクロライド，ジメチルシリレン（ジメ
チルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロライ
ド，ジフェニルシリレン（ジメチルシクロペンタジエニ
ル）インデニルジルコニウムジクロライド，ジフェニル
シリレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニ
ルジルコニウムジクロライド，ジフェニルシリレン（ジ
メチルインデニル）フルオレニルジルコニウムジクロラ
イド，ジフェニルメチレン（ジメチルシクロペンタジエ
ニル）インデニルジルコニウムジメチル，ジフェニルメ
チレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオレニル
ジルコニウムジメチル，ジフェニルメチレン（ジメチル
インデニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，イソ
プロピリデン（ジメチルシクロペンタジエニル）インデ
ニルジルコニウムジメチル，イソプロピリデン（ジメチ
ルシクロペンタジエニル）フルオレニルジルコニウムジ
メチル，イソプロピリデン（ジメチルインデニル）フル
オレニルジルコニウムジメチル，エチレン（ジメチルシ
クロペンタジエニル）インデニルジルコニウムジメチ
ル，エチレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオ
レニルジルコニウムジメチル，ジメチルシリレン（ジメ
チルシクロペンタジエニル）インデニルジルコニウムジ
メチル，ジメチルシリレン（ジメチルシクロペンタジエ
ニル）フルオレニルジルコニウムジメチル，ジメチルシ
リレン（ジメチルインデニル）フルオレニルジルコニウ
ムジメチル，ジフェニルシリレン（ジメチルシクロペン
タジエニル）インデニルジルコニウムジメチル，ジフェ
ニルシリレン（ジメチルシクロペンタジエニル）フルオ
レニルジルコニウムジメチル，ジフェニルシリレン（ジ
メチルインデニル）フルオレニルジルコニウムジメチル ビスフルオレニルチタニウムジクロライド，ビスフルオ
レニルチタニウムジメチル，ビスフルオレニルチタニウ
ムジハイドライド，ビスフルオレニルジルコニウムジク
ロライド，ビスフルオレニルジルコニウムジブロマイ
ド，ビスフルオレニルジルコニウムジメチル，ビスフル
オレニルジルコニウムジハイドライド，ビスフルオレニ
ルジルコニウムハイドライドメチル，ビスフルオレニル
ジルコニウムハイドライドクロライド，ビスフルオレニ
ルジルコニウムハイドライドベンジル，ビスフルオレニ
ルハフニウムジクロライド，ビスフルオレニルハフニウ
ムジメチル，ビスフルオレニルハフニウムジハイドライ
ド，ビス（シクロペンタジエニル）メチリデンチタニウ
ム，ビス（メチルシクロペンタジエニル）メチリデンチ
タニウム，ビス（インデニル）メチリデンチタニウム，
エチレンビスインデニルメチリデンチタニウム，ジメチ
ルシリレンビスシクロペンタジエニルメチリデンチタニ
ウム，ビス（シクロペンタジエニル）プロピリデンチタ
ニウム，ビス（メチルシクロペンタジエニル）プロピリ
デンチタニウム，ビス（インデニル）プロピリデンチタ
ニウム，エチレンビスインデニルプロピリデンチタニウ
ム，ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルプロピ
リデンチタニウム ビス（シクロペンタジエニル）メチリデンジルコニウ
ム，ビス（メチルシクロペンタジエニル）メチリデンジ
ルコニウム，ビス（インデニル）メチリデンジルコニウ
ム，エチレンビスインデニルメチリデンジルコニウム，
ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルメチリデン
ジルコニウム，ビス（シクロペンタジエニル）プロピリ
デンジルコニウム，ビス（メチルシクロペンタジエニ
ル）プロピリデンジルコニウム，ビス（インデニル）プ
ロピリデンジルコニウム，エチレンビスインデニルプロ
ピリデンジルコニウム，ジメチルシリレンビスシクロペ
ンタジエニルプロピリデンジルコニウム ビス（シクロペンタジエニル）メチリデンハフニウム，
ビス（メチルシクロペンタジエニル）メチリデンハフニ
ウム，ビス（インデニル）メチリデンハフニウム，エチ
レンビスインデニルメチリデンハフニウム，ジメチルシ
リレンビスシクロペンタジエニルメチリデンハフニウ
ム，ビス（シクロペンタジエニル）プロピリデンハフニ
ウム，ビス（メチルシクロペンタジエニル）プロピリデ
ンハフニウム，ビス（インデニル）プロピリデンハフニ
ウム，エチレンビスインデニルプロピリデンハフニウ
ム，ジメチルシリレンビスシクロペンタジエニルプロピ
リデンハフニウムが挙げられる。もちろん、これらの化
合物を２種以上併用しても良い。これらの化合物の中で
好ましくはビスインデニルジルコニウムジメチル，ビス
インデニルジルコニウムジフェニル，ビスインデニルジ
ルコニウムジクロライド，ビスインデニルジルコニウム
ジベンジル，ビスフルオレニルジルコニウムジメチル，
ビスフルオレニルジルコニウムジフェニル，ビスフルオ
レニルジルコニウムジクロライド，ビスフルオレニルジ
ルコニウムジベンジル，ビスシクロペンタジエニルジル
コニウムジメチル，ビスシクロペンタジエニルジルコニ
ウムジフェニル，ビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジクロライド，ビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジベンジル，ビスペンタメチルシクロペンタジエニル
ジルコニウムジメチル，ビスペンタメチルシクロペンタ
ジエニルジルコニウムジフェニル，ビスペンタメチルシ
クロペンタジエニルジルコニウムジクロライド，ビスペ
ンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジベンジ
ル等があげられる。
【０００５】成分（Ｂ）の変性有機アルミニウム化合物
は、分子中に１〜１００個、好ましくは１〜５０個のＡ
ｌ−Ｏ−Ａｌ結合を有している。このような変性有機ア
ルミニウム化合物は通常、有機アルミニウム化合物と水
とを不活性炭化水素溶媒中で反応させた反応生成物であ
る。この場合の不活性炭化水素溶媒としては、脂肪族炭
化水素（例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等）、
脂環族炭化水素（例えば、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン等）および芳香族炭化水素（例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等）が使用できるが、脂肪族炭
化水素又は芳香族炭化水素を使用することが好ましい。
変性有機アルミニウム化合物の調製に用いる有機アルミ
ニウム化合物は、 一般式 ＲnＡｌＸ3-n （式中、Ｒは炭素数１〜１８、好ましくは１〜１２のア
ルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等
の炭化水素基、Ｘは水素原子又はハロゲン原子を示し、
n は１≦n ≦３の整数を示す）で表される化合物がいず
れも使用可能であるが、好ましくはトリアルキルアルミ
ニウムが使用される。トリアルキルアルミニウムのアル
キル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等のいずれで
も差し支えないが、メチル基であることが特に好まし
い。水と有機アルミニウム化合物との反応比（水／Ａｌ
モル比）は、0.25/1〜1.2/1、 特に、0.5/1 〜1/1 であ
ることが好ましく、反応温度は通常-70 〜100 ℃、好ま
しくは-20 〜20℃の範囲にある。反応時間は通常５分〜
２４時間、好ましくは１０分〜５時間の範囲で選ばれ
る。反応に要する水としては所謂水が使用できる外、硫
酸銅水和物、硫酸アルミニウム水和物等に含まれる結晶
水を利用することもできる。なお、上記した変性有機ア
ルミニウム化合物のうち、アルキルアルミニウムと水と
を反応させて得られるものは通常アルミノキサンと呼ば
れ、特にメチルアルミノキサン（もしくはメチルアルミ
ノキサンから実質的になるもの）は、本発明の成分
（Ｂ）として好適である。もちろん、本発明の成分
（Ｂ）として、上記した各変性有機アルミニウム化合物
の２種以上を組み合わせて使用することもでき、また前
記変性有機アルミニウム化合物を前述の不活性炭化水素
溶媒に溶液または分散させた溶液としたものを用いても
良い。
は、分子中に１〜１００個、好ましくは１〜５０個のＡ
ｌ−Ｏ−Ａｌ結合を有している。このような変性有機ア
ルミニウム化合物は通常、有機アルミニウム化合物と水
とを不活性炭化水素溶媒中で反応させた反応生成物であ
る。この場合の不活性炭化水素溶媒としては、脂肪族炭
化水素（例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等）、
脂環族炭化水素（例えば、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン等）および芳香族炭化水素（例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等）が使用できるが、脂肪族炭
化水素又は芳香族炭化水素を使用することが好ましい。
変性有機アルミニウム化合物の調製に用いる有機アルミ
ニウム化合物は、 一般式 ＲnＡｌＸ3-n （式中、Ｒは炭素数１〜１８、好ましくは１〜１２のア
ルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等
の炭化水素基、Ｘは水素原子又はハロゲン原子を示し、
n は１≦n ≦３の整数を示す）で表される化合物がいず
れも使用可能であるが、好ましくはトリアルキルアルミ
ニウムが使用される。トリアルキルアルミニウムのアル
キル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等のいずれで
も差し支えないが、メチル基であることが特に好まし
い。水と有機アルミニウム化合物との反応比（水／Ａｌ
モル比）は、0.25/1〜1.2/1、 特に、0.5/1 〜1/1 であ
ることが好ましく、反応温度は通常-70 〜100 ℃、好ま
しくは-20 〜20℃の範囲にある。反応時間は通常５分〜
２４時間、好ましくは１０分〜５時間の範囲で選ばれ
る。反応に要する水としては所謂水が使用できる外、硫
酸銅水和物、硫酸アルミニウム水和物等に含まれる結晶
水を利用することもできる。なお、上記した変性有機ア
ルミニウム化合物のうち、アルキルアルミニウムと水と
を反応させて得られるものは通常アルミノキサンと呼ば
れ、特にメチルアルミノキサン（もしくはメチルアルミ
ノキサンから実質的になるもの）は、本発明の成分
（Ｂ）として好適である。もちろん、本発明の成分
（Ｂ）として、上記した各変性有機アルミニウム化合物
の２種以上を組み合わせて使用することもでき、また前
記変性有機アルミニウム化合物を前述の不活性炭化水素
溶媒に溶液または分散させた溶液としたものを用いても
良い。
【０００６】成分（Ｃ）は周期律表第IV〜VIII族の遷移
金属化合物であるが、いわゆる水素化触媒と称されてい
るものを包含する。成分（Ｃ）は周期律表第IV〜VIII族
の遷移金属の、酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、酢酸
塩、アルコキシド（好ましくは炭素数１〜２４、更に好
ましくは１〜１２のアルコキシ基を有するもの）、アセ
チルアセトナート、メタロセン（シクロペンタジエニル
基(配位子)または置換シクロペンタジエニル基(配位子)
を有するもの）、水素錯体、アルキル錯体（好ましくは
炭素数１〜２４、更に好ましくは１〜１２のアルキル基
(配位子)を有するもの）、ホスフィン錯体、シアノ錯
体、ピリジル錯体、カルボニル錯体の中から選ばれる化
合物である。もちろん、当該遷移金属化合物において、
１種の単独化合物でも２種以上の遷移金属からなる複合
化合物でもよく、また、いわゆるアルコキシ・カルボニ
ル錯体やホスフィン・水素錯体、カルボニル・シクロペ
ンタジエニル錯体などのような２種以上の基(配位子)を
有する化合物でもよい。成分（Ｃ）として好適に用いら
れるものとしては、具体的には、酸化ルテニウム、ビス
シクロペンタジエニルチタニウムジクロリド、ビスシク
ロペンタジエニルチタニウムジメチル、ビスシクロペン
タジエニルチタニウムジベンジル、ビスシクロペンタジ
エニルジルコニウムジクロリド、ビスシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジメチル、ビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジベンジルなどに代表される一般式ＲpＭ
Ｘ4-pおよび／またはＲ2ＭＸ'で表されるメタロセン化
合物（式中，Ｍは周期律表ＩＶａ族の遷移金属を示し，
Ｒはシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニ
ル基，インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル
基，置換フルオレニル基を示し，Ｒ1同士は炭素数２〜
１８の炭化水素基及び／又 はシリレン基を介し結合し
ていてもよく，また、該置換シクロペンタジエニル基，
置換インデニル基および置換フルオレニル基はその５員
環部分に少なくとも一つの水素原子が直接結合してお
り、Ｘはハロゲン原子，水素原子または炭素数１〜２４
の炭化水素残基を示し，ｐは１≦ｐ≦４を満たす数を示
し，Ｘ'は炭素数 １〜２０のアルキリデン基を示す）
や、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4、Ｔｉ（Ｏｉ− Ｃ
4Ｈ9）4、Ｚｒ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ
4Ｈ9）4、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ
3Ｈ7）3、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）3、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ
4Ｈ9）3、Ｃｏ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）3、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ
4Ｈ9）3、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3などに代表される
Ｍ’(ＯＲ)z（式中、Ｍ’は周期律表IV〜VIII族の遷移
金属元素、Ｒは炭素数１〜２４、好ましくは１〜１２の
アルキル基、ｚはＭ’の価数を示す）、Ｃｒ（ａｃａｃ
*）3［*ａｃａｃ＝アセチルアセトネート(以下同
様)］、ＭｏＯ2（ａｃａｃ）2、Ｍｎ（ａｃａｃ）3、Ｍ
ｎ（ａｃａｃ）2、Ｆｅ（ａｃａｃ）3、Ｃｏ（ａｃａ
ｃ）3、Ｃｏ（ａｃａｃ）3、Ｒｕ（ａｃａｃ）3、ＶＯ
（ＯＣ2Ｈ5）3、ＶＯ（Ｏｎ-Ｃ4Ｈ9）3、Ｃｏ｛（Ｃ6Ｈ
5）3Ｐ｝2Ｃｌ 2、Ｎｉ（ａｃａｃ）2、Ｎｉ｛（ｎ−Ｃ4
Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃｌ2、Ｐｄ｛（ｎ−Ｃ4Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃ
ｌ2、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウ
ム、ヒドリドカルボニルト リス（トリフェニルホスフ
ィン）ロジウム、酢酸ロジウム、酢酸ルテニウム、クロ
ロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウ
ム、カルボキシラトヒドリドトリス（トリフェニルホス
フィン）ルテニウム、ヒドリドカルボニルトリス（トリ
フェニルホスフィン）イリジウム、トリヒドリドトリス
（トリフェニルホスフィン）コバルト、クロロカルボニ
ルビス（トリフェニルホスフィン）イリジウム、ペンタ
シアノコバルト（II）錯体、トリシアノビピリジンコバ
ルト（II）錯体、ビス（ジメチルグリオキシマト）コバ
ルト（II）錯体、第三有機ホスフィン−コバルトカルボ
ニル錯体、アレン−トリカルボニルクロム錯体、ビス
（トリカルボニルシクロペンタジエニルクロム）、ペン
タカルボニル鉄錯体などを挙げることができる。もちろ
ん、これらの化合物を２種以上混合して使用することが
できる。成分（Ｃ）は飽和炭化水素、不飽和炭化水素、
芳香族炭化水素、エーテル、エステル、アルコール、ア
ミド、スルホキシド、酸、ケトンなど該金属化合物を溶
解する溶媒に溶かして均一系溶液として使用しても良
い。
金属化合物であるが、いわゆる水素化触媒と称されてい
るものを包含する。成分（Ｃ）は周期律表第IV〜VIII族
の遷移金属の、酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、酢酸
塩、アルコキシド（好ましくは炭素数１〜２４、更に好
ましくは１〜１２のアルコキシ基を有するもの）、アセ
チルアセトナート、メタロセン（シクロペンタジエニル
基(配位子)または置換シクロペンタジエニル基(配位子)
を有するもの）、水素錯体、アルキル錯体（好ましくは
炭素数１〜２４、更に好ましくは１〜１２のアルキル基
(配位子)を有するもの）、ホスフィン錯体、シアノ錯
体、ピリジル錯体、カルボニル錯体の中から選ばれる化
合物である。もちろん、当該遷移金属化合物において、
１種の単独化合物でも２種以上の遷移金属からなる複合
化合物でもよく、また、いわゆるアルコキシ・カルボニ
ル錯体やホスフィン・水素錯体、カルボニル・シクロペ
ンタジエニル錯体などのような２種以上の基(配位子)を
有する化合物でもよい。成分（Ｃ）として好適に用いら
れるものとしては、具体的には、酸化ルテニウム、ビス
シクロペンタジエニルチタニウムジクロリド、ビスシク
ロペンタジエニルチタニウムジメチル、ビスシクロペン
タジエニルチタニウムジベンジル、ビスシクロペンタジ
エニルジルコニウムジクロリド、ビスシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジメチル、ビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジベンジルなどに代表される一般式ＲpＭ
Ｘ4-pおよび／またはＲ2ＭＸ'で表されるメタロセン化
合物（式中，Ｍは周期律表ＩＶａ族の遷移金属を示し，
Ｒはシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニ
ル基，インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル
基，置換フルオレニル基を示し，Ｒ1同士は炭素数２〜
１８の炭化水素基及び／又 はシリレン基を介し結合し
ていてもよく，また、該置換シクロペンタジエニル基，
置換インデニル基および置換フルオレニル基はその５員
環部分に少なくとも一つの水素原子が直接結合してお
り、Ｘはハロゲン原子，水素原子または炭素数１〜２４
の炭化水素残基を示し，ｐは１≦ｐ≦４を満たす数を示
し，Ｘ'は炭素数 １〜２０のアルキリデン基を示す）
や、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4、Ｔｉ（Ｏｉ− Ｃ
4Ｈ9）4、Ｚｒ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ
4Ｈ9）4、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ
3Ｈ7）3、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）3、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ
4Ｈ9）3、Ｃｏ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）3、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ
4Ｈ9）3、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3などに代表される
Ｍ’(ＯＲ)z（式中、Ｍ’は周期律表IV〜VIII族の遷移
金属元素、Ｒは炭素数１〜２４、好ましくは１〜１２の
アルキル基、ｚはＭ’の価数を示す）、Ｃｒ（ａｃａｃ
*）3［*ａｃａｃ＝アセチルアセトネート(以下同
様)］、ＭｏＯ2（ａｃａｃ）2、Ｍｎ（ａｃａｃ）3、Ｍ
ｎ（ａｃａｃ）2、Ｆｅ（ａｃａｃ）3、Ｃｏ（ａｃａ
ｃ）3、Ｃｏ（ａｃａｃ）3、Ｒｕ（ａｃａｃ）3、ＶＯ
（ＯＣ2Ｈ5）3、ＶＯ（Ｏｎ-Ｃ4Ｈ9）3、Ｃｏ｛（Ｃ6Ｈ
5）3Ｐ｝2Ｃｌ 2、Ｎｉ（ａｃａｃ）2、Ｎｉ｛（ｎ−Ｃ4
Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃｌ2、Ｐｄ｛（ｎ−Ｃ4Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃ
ｌ2、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウ
ム、ヒドリドカルボニルト リス（トリフェニルホスフ
ィン）ロジウム、酢酸ロジウム、酢酸ルテニウム、クロ
ロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウ
ム、カルボキシラトヒドリドトリス（トリフェニルホス
フィン）ルテニウム、ヒドリドカルボニルトリス（トリ
フェニルホスフィン）イリジウム、トリヒドリドトリス
（トリフェニルホスフィン）コバルト、クロロカルボニ
ルビス（トリフェニルホスフィン）イリジウム、ペンタ
シアノコバルト（II）錯体、トリシアノビピリジンコバ
ルト（II）錯体、ビス（ジメチルグリオキシマト）コバ
ルト（II）錯体、第三有機ホスフィン−コバルトカルボ
ニル錯体、アレン−トリカルボニルクロム錯体、ビス
（トリカルボニルシクロペンタジエニルクロム）、ペン
タカルボニル鉄錯体などを挙げることができる。もちろ
ん、これらの化合物を２種以上混合して使用することが
できる。成分（Ｃ）は飽和炭化水素、不飽和炭化水素、
芳香族炭化水素、エーテル、エステル、アルコール、ア
ミド、スルホキシド、酸、ケトンなど該金属化合物を溶
解する溶媒に溶かして均一系溶液として使用しても良
い。
【０００７】成分（Ｄ）は下記の一般式で表される化合
物である。 一般式 一般式Ｍｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-n 式中、Ｍｅ'は周期律表第Ｉ〜ＩＩＩ族元素のいずれか
を示し、これにはリチウム、ナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム、亜鉛、ホウ素、アルミニウム
などが包含され、特にIII 族が望ましい。Ｒ'、Ｒ"は炭
素数１〜２４、好ましくは１〜１２、さらに好ましくは
１〜８の炭化水素基を示し、これにはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、
ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、
イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、
ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基などのアル
キル基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基、フェ
ニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、インデニ
ル基、ナフチル基などのアリール基；ベンジル基、トリ
チル基、フェネチル基、スチリル基、ベンズヒドリル
基、フェニルブチル基、フェニルプロピル基、ネオフィ
ル基などのアラルキル基などが包含される。これらは分
岐があってもよい。Ｘ2 はフッ素、ヨウ素、塩素又は臭
素のハロゲン原子または水素原子を示す。但し、Ｘ2 が
水素原子の場合、Ｍｅ’ はホウ素、アルミニウムなど
で例示される周期律表第ＩＩＩ族元素である。z はＭ
ｅ’ の価数を示し、m 及びn は０≦m≦z 、０≦n ≦z
、０＜m ＋n ≦z の関係にある。成分（Ｄ）として使
用可能な化合物の具体例を挙げれば、メチルリチウム、
エチルリチウム、プロピルリチウム、イソプロピルリチ
ウム、ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、ペンチル
リチウム、オクチルリチウム、フェニルリチウム、ベン
ジルリチウム、ジメチルマグネシウム、ジエチルマグネ
シウム、ジｎ−プロピルマグネシウム、ジイソプロピル
マグネシウム、ジブチルマグネシウム、ジｔ−ブチルマ
グネシウム、ジペンチルマグネシウム、ジオクチルマグ
ネシウム、ジフェニルマグネシウム、ジベンジルマグネ
シウム、メチルマグネシウムクロライド、エチルマグネ
シウムクロライド、プロピルマグネシウムクロライド、
イソプロピルマグネシウムクロライド、ブチルマグネシ
ウムクロライド、ｔ−ブチルマグネシウムクロライド、
ペンチルマグネシウムクロライド、オクチルマグネシウ
ムクロライド、フェニルマグネシウムクロライド、ベン
ジルマグネシウムクロライド、メチルマグネシウムブロ
マイド、メチルマグネシウムアイオダイド、エチルマグ
ネシウムブロマイド、エチルマグネシウムアイオダイ
ド、プロピルマグネシウムブロマイド、プロピルマグネ
シウムアイオダイド、イソプロピルマグネシウムブロマ
イド、イソプロピルマグネシウムアイオダイド、ブチル
マグネシウムブロマイド、ブチルマグネシウムアイオダ
イド、ｔ−ブチルマグネシウムブロマイド、ｔ−ブチル
マグネシウムアイオダイド、ペンチルマグネシウムブロ
マイド、ペンチルマグネシウムアイオダイド、オクチル
マグネシウムブロマイド、オクチルマグネシウムアイオ
ダイド、フェニルマグネシウムブロマイド、フェニルマ
グネシウムアイオダイド、ベンジルマグネシウムブロマ
イド、ベンジルマグネシウムアイオダイド、ジメチル亜
鉛、ジエチル亜鉛、ジプロピル亜鉛、ジイソプロピル亜
鉛、ジｎ−ブチル亜鉛、ジｔ−ブチル亜鉛、ジペンチル
亜鉛、ジオクチル亜鉛、ジフェニル亜鉛、ジベンジル亜
鉛、トリメチルボロン、トリエチルボロン、トリプロピ
ルボロン、トリイソプロピルボロン、トリブチルボロ
ン、トリｔ−ブチルボロン、トリペンチルボロン、トリ
オクチルボロン、トリフェニルボロン、トリベンジルボ
ロン、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、ジエチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミ
ニウムブロマイド、ジエチルアルミニウムフルオライ
ド、ジエチルアルミニウムアイオダイド、エチルアルミ
ニウムジクロライド、エチルアルミニウムジブロマイ
ド、エチルアルミニウムジフルオライド、エチルアルミ
ニウムジアイオダイド、トリプロピルアルミニウム、ジ
プロピルアルミニウムクロライド、ジプロピルアルミニ
ウムブロマイド、ジプロピルアルミニウムフルオライ
ド、ジプロピルアルミニウムアイオダイド、プロピルア
ルミニウムジクロライド、プロピルアルミニウムジブロ
マイド、プロピルアルミニウムジフルオライド、プロピ
ルアルミニウムジアイオダイド、トリイソプロピルアル
ミニウム、ジイソプロピルアルミニウムクロライド、ジ
イソプロピルアルミニウムブロマイド、ジイソプロピル
アルミニウムフルオライド、ジイソプロピルアルミニウ
ムアイオダイド、エチルアルミニウムセスキクロライ
ド、エチルアルミニウムセスキブロマイド、プロピルア
ルミニウムセスキクロライド、プロピルアルミニウムセ
スキブロマイド、ブチルアルミニウムセスキクロライ
ド、ブチルアルミニウムセスキブロマイド、イソプロピ
ルアルミニウムジクロライド、イソプロピルアルミニウ
ムジブロマイド、イソプロピルアルミニウムジフルオラ
イド、イソプロピルアルミニウムジアイオダイド、トリ
ブチルアルミニウム、ジブチルアルミニウムクロライ
ド、ジブチルアルミニウムブロマイド、ジブチルアルミ
ニウムフルオライド、ジブチルアルミニウムアイオダイ
ド、ブチルアルミニウムジクロライド、ブチルアルミニ
ウムジブロマイド、ブチルアルミニウムジフルオライ
ド、ブチルアルミニウムジアイオダイド、トリｓｅｃ−
ブチルアルミニウム、ジｓｅｃ−ブチルアルミニウムク
ロライド、ジｓｅｃ−ブチルアルミニウムブロマイド、
ジｓｅｃ−ブチルアルミニウムフルオライド、ジｓｅｃ
−ブチルアルミニウムアイオダイド、ｓｅｃ−ブチルア
ルミニウムジクロライド、ｓｅｃ−ブチルアルミニウム
ジブロマイド、ｓｅｃ−ブチルアルミニウムジフルオラ
イド、ｓｅｃ−ブチルアルミニウムジアイオダイド、ト
リｔｅｒｔ−ブチルアルミニウム、ジｔｅｒｔ−ブチル
アルミニウムクロライド、ジｔｅｒｔ−ブチルアルミニ
ウムブロマイド、ジｔｅｒｔ−ブチルアルミニウムフル
オライド、ジｔｅｒｔ−ブチルアルミニウムアイオダイ
ド、ｔｅｒｔ−ブチルアルミニウムジクロライド、ｔｅ
ｒｔ−ブチルアルミニウムジブロマイド、ｔｅｒｔ−ブ
チルアルミニウムジフルオライド、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルミニウムジアイオダイド、トリイソブチルアルミニウ
ム、ジイソブチルアルミニウムクロライド、ジイソブチ
ルアルミニウムブロマイド、ジイソブチルアルミニウム
フルオライド、ジイソブチルアルミニウムアイオダイ
ド、イソブチルアルミニウムジクロライド、イソブチル
アルミニウムジブロマイド、イソブチルアルミニウムジ
フルオライド、イソブチルアルミニウムジアイオダイ
ド、トリヘキシルアルミニウム、ジヘキシルアルミニウ
ムクロライド、ジヘキシルアルミニウムブロマイド、ジ
ヘキシルアルミニウムフルオライド、ジヘキシルアルミ
ニウムアイオダイド、ヘキシルアルミニウムジクロライ
ド、ヘキシルアルミニウムジブロマイド、ヘキシルアル
ミニウムジフルオライド、ヘキシルアルミニウムジアイ
オダイド、トリペンチルアルミニウム、ジペンチルアル
ミニウムクロライド、ジペンチルアルミニウムブロマイ
ド、ジペンチルアルミニウムフルオライド、ジペンチル
アルミニウムアイオダイド、ペンチルアルミニウムジク
ロライド、ペンチルアルミニウムジブロマイド、ペンチ
ルアルミニウムジフルオライド、ペンチルアルミニウム
ジアイオダイド、トリデシルアルミニウム、メチルアル
ミニウムジメトキシド、メチルアルミニウムジエトキシ
ド、メチルアルミニウムジプロポキシド、メチルアルミ
ニウムジブトキシド、ジメチルアルミニウムメトキシ
ド、ジメチルアルミニウムエトキシド、ジメチルアルミ
ニウムプロポキシド、ジメチルアルミニウムブトキシ
ド、エチルアルミニウムジメトキシド、エチルアルミニ
ウムジエトキシド、エチルアルミニウムジプロポキシ
ド、エチルアルミニウムジブトキシド、ジエチルアルミ
ニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、
ジエチルアルミニウムプロポキシド、ジエチルアルミニ
ウムブトキシド、プロピルアルミニウムジメトキシド、
プロピルアルミニウムジエトキシド、プロピルアルミニ
ウムジプロポキシド、プロピルアルミニウムジブトキシ
ド、ジプロピルアルミニウムメトキシド、ジプロピルア
ルミニウムエトキシド、ジプロピルアルミニウムプロポ
キシド、ジプロピルアルミニウムブトキシド、ブチルア
ルミニウムジメトキシド、ブチルアルミニウムジエトキ
シド、ブチルアルミニウムジプロポキシド、ブチルアル
ミニウムジブトキシド、ジブチルアルミニウムメトキシ
ド、ジブチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミ
ニウムプロポキシド、ジブチルアルミニウムブトキシ
ド、ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルアル
ミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイド
ライド、ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、ジ
ブチルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミ
ニウムハイドライド、ジヘキシルアルミニウムハイドラ
イド、ジシクロヘキシルアルミニウムハイドライド、メ
チルアルミニウムジハイドライド、エチルアルミニウム
ジハイドライド、プロピルアルミニウムジハイドライ
ド、イソプロピルアルミニウムジハイドライド、ブチル
アルミニウムジハイドライド、イソブチルアルミニウム
ジハイドライド、ヘキシルアルミニウムジハイドライ
ド、シクロヘキシルアルミニウムジハイドライドなどが
挙げられる。上記した各化合物は２種以上を混合して使
用することができる。上記の化合物のなかにあって、成
分（Ｄ）として好ましい化合物は、トリメチルアルミニ
ウム、トリエチルアルミニウム、ジエチルアルミニウム
クロライド、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロ
ピルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、トリ-sec
- ブチルアルミニウム、トリ-tert-ブチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミ
ニウム、トリペンチルアルミニウム、ジイソブチルアル
ミニウムハイドライド、トリデシルアルミニウム、ジエ
チル亜鉛、ｎ−ブチルリチウム、ブチルマグネシウムク
ロリドなどであり、さらに特に好ましいのはトリエチル
アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジエチル
亜鉛、ｎ−ブチルリチウム、ブチルマグネシウムクロリ
ドなどである。
物である。 一般式 一般式Ｍｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-n 式中、Ｍｅ'は周期律表第Ｉ〜ＩＩＩ族元素のいずれか
を示し、これにはリチウム、ナトリウム、カリウム、マ
グネシウム、カルシウム、亜鉛、ホウ素、アルミニウム
などが包含され、特にIII 族が望ましい。Ｒ'、Ｒ"は炭
素数１〜２４、好ましくは１〜１２、さらに好ましくは
１〜８の炭化水素基を示し、これにはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、
ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、
イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、
ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基などのアル
キル基；ビニル基、アリル基などのアルケニル基、フェ
ニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、インデニ
ル基、ナフチル基などのアリール基；ベンジル基、トリ
チル基、フェネチル基、スチリル基、ベンズヒドリル
基、フェニルブチル基、フェニルプロピル基、ネオフィ
ル基などのアラルキル基などが包含される。これらは分
岐があってもよい。Ｘ2 はフッ素、ヨウ素、塩素又は臭
素のハロゲン原子または水素原子を示す。但し、Ｘ2 が
水素原子の場合、Ｍｅ’ はホウ素、アルミニウムなど
で例示される周期律表第ＩＩＩ族元素である。z はＭ
ｅ’ の価数を示し、m 及びn は０≦m≦z 、０≦n ≦z
、０＜m ＋n ≦z の関係にある。成分（Ｄ）として使
用可能な化合物の具体例を挙げれば、メチルリチウム、
エチルリチウム、プロピルリチウム、イソプロピルリチ
ウム、ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、ペンチル
リチウム、オクチルリチウム、フェニルリチウム、ベン
ジルリチウム、ジメチルマグネシウム、ジエチルマグネ
シウム、ジｎ−プロピルマグネシウム、ジイソプロピル
マグネシウム、ジブチルマグネシウム、ジｔ−ブチルマ
グネシウム、ジペンチルマグネシウム、ジオクチルマグ
ネシウム、ジフェニルマグネシウム、ジベンジルマグネ
シウム、メチルマグネシウムクロライド、エチルマグネ
シウムクロライド、プロピルマグネシウムクロライド、
イソプロピルマグネシウムクロライド、ブチルマグネシ
ウムクロライド、ｔ−ブチルマグネシウムクロライド、
ペンチルマグネシウムクロライド、オクチルマグネシウ
ムクロライド、フェニルマグネシウムクロライド、ベン
ジルマグネシウムクロライド、メチルマグネシウムブロ
マイド、メチルマグネシウムアイオダイド、エチルマグ
ネシウムブロマイド、エチルマグネシウムアイオダイ
ド、プロピルマグネシウムブロマイド、プロピルマグネ
シウムアイオダイド、イソプロピルマグネシウムブロマ
イド、イソプロピルマグネシウムアイオダイド、ブチル
マグネシウムブロマイド、ブチルマグネシウムアイオダ
イド、ｔ−ブチルマグネシウムブロマイド、ｔ−ブチル
マグネシウムアイオダイド、ペンチルマグネシウムブロ
マイド、ペンチルマグネシウムアイオダイド、オクチル
マグネシウムブロマイド、オクチルマグネシウムアイオ
ダイド、フェニルマグネシウムブロマイド、フェニルマ
グネシウムアイオダイド、ベンジルマグネシウムブロマ
イド、ベンジルマグネシウムアイオダイド、ジメチル亜
鉛、ジエチル亜鉛、ジプロピル亜鉛、ジイソプロピル亜
鉛、ジｎ−ブチル亜鉛、ジｔ−ブチル亜鉛、ジペンチル
亜鉛、ジオクチル亜鉛、ジフェニル亜鉛、ジベンジル亜
鉛、トリメチルボロン、トリエチルボロン、トリプロピ
ルボロン、トリイソプロピルボロン、トリブチルボロ
ン、トリｔ−ブチルボロン、トリペンチルボロン、トリ
オクチルボロン、トリフェニルボロン、トリベンジルボ
ロン、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、ジエチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミ
ニウムブロマイド、ジエチルアルミニウムフルオライ
ド、ジエチルアルミニウムアイオダイド、エチルアルミ
ニウムジクロライド、エチルアルミニウムジブロマイ
ド、エチルアルミニウムジフルオライド、エチルアルミ
ニウムジアイオダイド、トリプロピルアルミニウム、ジ
プロピルアルミニウムクロライド、ジプロピルアルミニ
ウムブロマイド、ジプロピルアルミニウムフルオライ
ド、ジプロピルアルミニウムアイオダイド、プロピルア
ルミニウムジクロライド、プロピルアルミニウムジブロ
マイド、プロピルアルミニウムジフルオライド、プロピ
ルアルミニウムジアイオダイド、トリイソプロピルアル
ミニウム、ジイソプロピルアルミニウムクロライド、ジ
イソプロピルアルミニウムブロマイド、ジイソプロピル
アルミニウムフルオライド、ジイソプロピルアルミニウ
ムアイオダイド、エチルアルミニウムセスキクロライ
ド、エチルアルミニウムセスキブロマイド、プロピルア
ルミニウムセスキクロライド、プロピルアルミニウムセ
スキブロマイド、ブチルアルミニウムセスキクロライ
ド、ブチルアルミニウムセスキブロマイド、イソプロピ
ルアルミニウムジクロライド、イソプロピルアルミニウ
ムジブロマイド、イソプロピルアルミニウムジフルオラ
イド、イソプロピルアルミニウムジアイオダイド、トリ
ブチルアルミニウム、ジブチルアルミニウムクロライ
ド、ジブチルアルミニウムブロマイド、ジブチルアルミ
ニウムフルオライド、ジブチルアルミニウムアイオダイ
ド、ブチルアルミニウムジクロライド、ブチルアルミニ
ウムジブロマイド、ブチルアルミニウムジフルオライ
ド、ブチルアルミニウムジアイオダイド、トリｓｅｃ−
ブチルアルミニウム、ジｓｅｃ−ブチルアルミニウムク
ロライド、ジｓｅｃ−ブチルアルミニウムブロマイド、
ジｓｅｃ−ブチルアルミニウムフルオライド、ジｓｅｃ
−ブチルアルミニウムアイオダイド、ｓｅｃ−ブチルア
ルミニウムジクロライド、ｓｅｃ−ブチルアルミニウム
ジブロマイド、ｓｅｃ−ブチルアルミニウムジフルオラ
イド、ｓｅｃ−ブチルアルミニウムジアイオダイド、ト
リｔｅｒｔ−ブチルアルミニウム、ジｔｅｒｔ−ブチル
アルミニウムクロライド、ジｔｅｒｔ−ブチルアルミニ
ウムブロマイド、ジｔｅｒｔ−ブチルアルミニウムフル
オライド、ジｔｅｒｔ−ブチルアルミニウムアイオダイ
ド、ｔｅｒｔ−ブチルアルミニウムジクロライド、ｔｅ
ｒｔ−ブチルアルミニウムジブロマイド、ｔｅｒｔ−ブ
チルアルミニウムジフルオライド、ｔｅｒｔ−ブチルア
ルミニウムジアイオダイド、トリイソブチルアルミニウ
ム、ジイソブチルアルミニウムクロライド、ジイソブチ
ルアルミニウムブロマイド、ジイソブチルアルミニウム
フルオライド、ジイソブチルアルミニウムアイオダイ
ド、イソブチルアルミニウムジクロライド、イソブチル
アルミニウムジブロマイド、イソブチルアルミニウムジ
フルオライド、イソブチルアルミニウムジアイオダイ
ド、トリヘキシルアルミニウム、ジヘキシルアルミニウ
ムクロライド、ジヘキシルアルミニウムブロマイド、ジ
ヘキシルアルミニウムフルオライド、ジヘキシルアルミ
ニウムアイオダイド、ヘキシルアルミニウムジクロライ
ド、ヘキシルアルミニウムジブロマイド、ヘキシルアル
ミニウムジフルオライド、ヘキシルアルミニウムジアイ
オダイド、トリペンチルアルミニウム、ジペンチルアル
ミニウムクロライド、ジペンチルアルミニウムブロマイ
ド、ジペンチルアルミニウムフルオライド、ジペンチル
アルミニウムアイオダイド、ペンチルアルミニウムジク
ロライド、ペンチルアルミニウムジブロマイド、ペンチ
ルアルミニウムジフルオライド、ペンチルアルミニウム
ジアイオダイド、トリデシルアルミニウム、メチルアル
ミニウムジメトキシド、メチルアルミニウムジエトキシ
ド、メチルアルミニウムジプロポキシド、メチルアルミ
ニウムジブトキシド、ジメチルアルミニウムメトキシ
ド、ジメチルアルミニウムエトキシド、ジメチルアルミ
ニウムプロポキシド、ジメチルアルミニウムブトキシ
ド、エチルアルミニウムジメトキシド、エチルアルミニ
ウムジエトキシド、エチルアルミニウムジプロポキシ
ド、エチルアルミニウムジブトキシド、ジエチルアルミ
ニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、
ジエチルアルミニウムプロポキシド、ジエチルアルミニ
ウムブトキシド、プロピルアルミニウムジメトキシド、
プロピルアルミニウムジエトキシド、プロピルアルミニ
ウムジプロポキシド、プロピルアルミニウムジブトキシ
ド、ジプロピルアルミニウムメトキシド、ジプロピルア
ルミニウムエトキシド、ジプロピルアルミニウムプロポ
キシド、ジプロピルアルミニウムブトキシド、ブチルア
ルミニウムジメトキシド、ブチルアルミニウムジエトキ
シド、ブチルアルミニウムジプロポキシド、ブチルアル
ミニウムジブトキシド、ジブチルアルミニウムメトキシ
ド、ジブチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミ
ニウムプロポキシド、ジブチルアルミニウムブトキシ
ド、ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルアル
ミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイド
ライド、ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、ジ
ブチルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミ
ニウムハイドライド、ジヘキシルアルミニウムハイドラ
イド、ジシクロヘキシルアルミニウムハイドライド、メ
チルアルミニウムジハイドライド、エチルアルミニウム
ジハイドライド、プロピルアルミニウムジハイドライ
ド、イソプロピルアルミニウムジハイドライド、ブチル
アルミニウムジハイドライド、イソブチルアルミニウム
ジハイドライド、ヘキシルアルミニウムジハイドライ
ド、シクロヘキシルアルミニウムジハイドライドなどが
挙げられる。上記した各化合物は２種以上を混合して使
用することができる。上記の化合物のなかにあって、成
分（Ｄ）として好ましい化合物は、トリメチルアルミニ
ウム、トリエチルアルミニウム、ジエチルアルミニウム
クロライド、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロ
ピルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、トリ-sec
- ブチルアルミニウム、トリ-tert-ブチルアルミニウ
ム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミ
ニウム、トリペンチルアルミニウム、ジイソブチルアル
ミニウムハイドライド、トリデシルアルミニウム、ジエ
チル亜鉛、ｎ−ブチルリチウム、ブチルマグネシウムク
ロリドなどであり、さらに特に好ましいのはトリエチル
アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジエチル
亜鉛、ｎ−ブチルリチウム、ブチルマグネシウムクロリ
ドなどである。
【０００８】成分（Ｅ）としてはチタン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロ
ム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウ
ム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバル
ト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白
金などが包含される。もちろん、成分（３）と接触させ
る場合は成分（Ｅ）は金属でもよいし、接触後金属とな
りうる前駆体の形で使用してもよい。
ム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロ
ム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウ
ム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバル
ト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白
金などが包含される。もちろん、成分（３）と接触させ
る場合は成分（Ｅ）は金属でもよいし、接触後金属とな
りうる前駆体の形で使用してもよい。
【０００９】成分（２）として使用可能な化合物または
該化合物の組み合わせの好適な具体例を挙げれば、コロ
イド白金、白金ブラック、コロイドパラジウム、パラジ
ウムブラック、還元ニッケル、ラネーニッケル、還元コ
バルト、ラネーコバルト、ロジウム、ロジウム、ルテニ
ウム、酸化ルテニウム、ビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジクロリド−ｎ-ブチルリチウム、ビスシクロペ
ンタジエニルチタニウムジクロリド−ジエチル亜鉛、ビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジクロリド−ジエチ
ルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロリド−エチルマグネシウムクロリド、ビスシクロ
ペンタジエニルチタニウムジクロリド−トリエチルアル
ミニウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロ
リド−トリイソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジメチル−ｎ-ブチルリチウム、ビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジメチル−ジエチル
亜鉛、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル−
ジエチルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジメチル−エチルマグネシウムクロリド、ビスシ
クロペンタジエニルチタニウムジメチル−トリエチルア
ルミニウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジメ
チル−トリイソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジベンジル−ｎ-ブチルリチウム、
ビスシクロペンタジエニルチタニウムジベンジル−ジエ
チル亜鉛、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジベン
ジル−ジエチルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニ
ルチタニウムジベンジル−エチルマゲネシウムクロリ
ド、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジベンジル−
トリエチルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニルチ
タニウムジベンジル−トリイソブチルアルミニウム、ビ
スシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド−ｎ-
ブチルリチウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジクロリド−ジエチル亜鉛、ビスシクロペンタジエニ
ルジルコニウムジクロリド−ジエチルマグネシウム、ビ
スシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド−エチ
ルマグネシウムクロリド、ビスシクロペンタジエニルジ
ルコニウムジクロリド−トリイソブチルアルミニウム、
ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド−ト
リイソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジメチル−ｎ-ブチルリチウム、ビスシク
ロペンタジエニルジルコニウムジメチル−ジエチル亜
鉛、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジメチル−
ジエチルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルジル
コニウムジメチル−エチルマグネシウムクロリド、ビス
シクロペンタジエニルジルコニウムジメチル−トリイソ
ブチルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジメチル−トリイソブチルアルミニウム、ビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジベンジル−ｎ-ブチ
ルリチウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
ベンジル−ジエチル亜鉛、ビスシクロペンタジエニルジ
ルコニウムジベンジル−ジエチルマグネシウム、ビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジベンジル−エチルマ
ゲネシウムクロリド、ビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジベンジル−トリエチルアルミニウム、ビスシク
ロペンタジエニルジルコニウムジベンジル−トリイソブ
チルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−トリエチ
ルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−トリイソブ
チルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−ｎ-ブチル
リチウム、Ｔｉ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−トリエチルアルミ
ニウム、Ｔｉ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−トリイソブチルアル
ミニウム、Ｔｉ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−ｎ-ブチルリチウ
ム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウ
ム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニ
ウム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｔ
ｉ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウム、Ｔｉ
（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｔ
ｉ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｔｉ（Ｏｎ
−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｎ−
Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｎ
−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ
3Ｈ7）4−トリエチルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ
7）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ3
Ｈ7）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−
トリエチルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−ト
リイソブチルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−
ｎ-ブチルリチウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチ
ルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブ
チルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチル
リチウム、Ｚｒ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミ
ニウム、Ｚｒ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアル
ミニウム、Ｚｒ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウ
ム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウ
ム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニ
ウム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｖ
Ｏ（ＯＣ2Ｈ5）3−トリエチルアルミニウム、ＶＯ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）3−トリイソブチルアルミニウム、ＶＯ（ＯＣ2
Ｈ5）3−ジイソブチルアルミニウムハイドライド、ＶＯ
（Ｏｎ-Ｃ4Ｈ9）3−トリエチルアルミニウム、ＶＯ（Ｏ
ｎ-Ｃ4Ｈ9）3−トリイソブチルアルミニウム、ＶＯ（Ｏ
ｎ-Ｃ4Ｈ9）3−ジイソブチルアルミニウムハイドライ
ド、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）3−トリエチルアルミニウ
ム、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）3−トリイソブチルアルミニ
ウム、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）3−ｎ-ブチルリチウム、Ｃ
ｏ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ
（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃ
ｏ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）3−ｎ-ブチルリチウム、Ｃｏ（Ｏｉ
−Ｃ4Ｈ9）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｉ−
Ｃ4Ｈ9）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｉ
−Ｃ4Ｈ9）3−ｎ-ブチルリチウム、Ｃｏ（Ｏｔ−Ｃ
4Ｈ9）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ
9）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｔ−Ｃ4
Ｈ9）3−ｎ-ブチルリチウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）3−
トリエチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）3−ト
リイソブチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）3−
ｎ-ブチルリチウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−トリエ
チルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−トリイソ
ブチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−ｎ-ブ
チルリチウム、Ｃｒ（ａｃａｃ*）3−トリエチルアルミ
ニウム、Ｃｒ（ａｃａｃ）3−トリイソブチルアルミニ
ウム、* ａｃａｃ＝アセチルアセトネート ＭｏＯ2（ａｃａｃ）2−トリエチルアルミニウム、Ｍｏ
Ｏ2（ａｃａｃ）2−トリイソブチルアルミニウム、Ｍｎ
（ａｃａｃ）3−トリエチルアルミニウム、Ｍｎ（ａｃ
ａｃ）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｍｎ（ａｃａ
ｃ）2−トリエチルアルミニウム、Ｍｎ（ａｃａｃ）2−
トリイソブチルアルミニウム、Ｆｅ（ａｃａｃ）3−ト
リエチルアルミニウム、Ｆｅ（ａｃａｃ）3−トリイソ
ブチルアルミニウム、Ｃｏ（ａｃａｃ）3−トリエチル
アルミニウム、Ｃｏ（ａｃａｃ）3−トリイソブチルア
ルミニウム、Ｃｏ（ａｃａｃ）3−ｎ-ブチルリチウム、
Ｒｕ（ａｃａｃ）3−トリエチルアルミニウム、Ｒｕ
（ａｃａｃ）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃｏ
｛（Ｃ6Ｈ5）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリエチルアルミニウム、
Ｃｏ｛（Ｃ6Ｈ5）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリイソブチルアルミ
ニウム、Ｎｉ（ａｃａｃ）2−トリエチルアルミニウ
ム、Ｎｉ（ａｃａｃ）2−トリイソブチルアルミニウ
ム、Ｎｉ｛（ｎ−Ｃ4Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリエチルア
ルミニウム、Ｎｉ｛（ｎ−Ｃ4Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリ
イソブチルアルミニウム、Ｐｄ｛（ｎ−Ｃ4Ｈ9）3Ｐ｝2
Ｃｌ2−トリエチルアルミニウム、Ｐｄ｛（ｎ−Ｃ
4Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリイソブチルアルミニウム、ク
ロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ヒド
リドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ロジ
ウム、酢酸ロジウム、酢酸ルテニウム、クロロヒドリド
トリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、カルビ
キシラトヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ル
テニウム、ヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホ
スフィン）イリジウム、トリヒドリドトリス（トリフェ
ニルホスフィン）コバルト、クロロカルボニルビス（ト
リフェニルホスフィン）イリジウム、ペンタシアノコバ
ルト（II）錯体、トリシアノビピリジンコバルト（II）
錯体、ビス（ジメチルグリオキシマト）コバルト（II）
錯体、コバルトカルボニル錯体、アレントリカルボニル
クロム錯体、ビス（トリカルボニルシクロペンタジエニ
ルクロム）、ペンタカルボニル鉄錯体などを挙げること
ができる。上記の各化合物または該化合物の組み合わせ
としては２種以上を混合して使用することができる。上
記の化合物または該化合物の組み合わせのなかにあっ
て、成分（２）として好ましい化合物または該化合物の
組み合わせは、パラジウムブラック、ニッケル−ケイソ
ウ土、ラネーニッケル、ビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジクロリド−トリイソブチルアルミニウム、ビス
シクロペンタジエニルチタニウムジメチル−トリイソブ
チルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニ
ウムジクロリド−トリイソブチルアルミニウム、Ｔｉ
（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−トリエチルアルミニウム、Ｔｉ
（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｔ
ｉ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウム、Ｔｉ
（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｃ
ｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ
（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃ
ｏ（ａｃａｃ）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ（ａ
ｃａｃ）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｎｉ（ａｃ
ａｃ）2−トリエチルアルミニウム、Ｎｉ（ａｃａｃ）2
−トリイソブチルアルミニウム、クロロトリス（トリフ
ェニルホスフィン）ロジウム、などである。
該化合物の組み合わせの好適な具体例を挙げれば、コロ
イド白金、白金ブラック、コロイドパラジウム、パラジ
ウムブラック、還元ニッケル、ラネーニッケル、還元コ
バルト、ラネーコバルト、ロジウム、ロジウム、ルテニ
ウム、酸化ルテニウム、ビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジクロリド−ｎ-ブチルリチウム、ビスシクロペ
ンタジエニルチタニウムジクロリド−ジエチル亜鉛、ビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジクロリド−ジエチ
ルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウム
ジクロリド−エチルマグネシウムクロリド、ビスシクロ
ペンタジエニルチタニウムジクロリド−トリエチルアル
ミニウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロ
リド−トリイソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジメチル−ｎ-ブチルリチウム、ビ
スシクロペンタジエニルチタニウムジメチル−ジエチル
亜鉛、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジメチル−
ジエチルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジメチル−エチルマグネシウムクロリド、ビスシ
クロペンタジエニルチタニウムジメチル−トリエチルア
ルミニウム、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジメ
チル−トリイソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタ
ジエニルチタニウムジベンジル−ｎ-ブチルリチウム、
ビスシクロペンタジエニルチタニウムジベンジル−ジエ
チル亜鉛、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジベン
ジル−ジエチルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニ
ルチタニウムジベンジル−エチルマゲネシウムクロリ
ド、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジベンジル−
トリエチルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニルチ
タニウムジベンジル−トリイソブチルアルミニウム、ビ
スシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド−ｎ-
ブチルリチウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニウ
ムジクロリド−ジエチル亜鉛、ビスシクロペンタジエニ
ルジルコニウムジクロリド−ジエチルマグネシウム、ビ
スシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド−エチ
ルマグネシウムクロリド、ビスシクロペンタジエニルジ
ルコニウムジクロリド−トリイソブチルアルミニウム、
ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリド−ト
リイソブチルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニル
ジルコニウムジメチル−ｎ-ブチルリチウム、ビスシク
ロペンタジエニルジルコニウムジメチル−ジエチル亜
鉛、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジメチル−
ジエチルマグネシウム、ビスシクロペンタジエニルジル
コニウムジメチル−エチルマグネシウムクロリド、ビス
シクロペンタジエニルジルコニウムジメチル−トリイソ
ブチルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジメチル−トリイソブチルアルミニウム、ビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジベンジル−ｎ-ブチ
ルリチウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジ
ベンジル−ジエチル亜鉛、ビスシクロペンタジエニルジ
ルコニウムジベンジル−ジエチルマグネシウム、ビスシ
クロペンタジエニルジルコニウムジベンジル−エチルマ
ゲネシウムクロリド、ビスシクロペンタジエニルジルコ
ニウムジベンジル−トリエチルアルミニウム、ビスシク
ロペンタジエニルジルコニウムジベンジル−トリイソブ
チルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−トリエチ
ルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−トリイソブ
チルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−ｎ-ブチル
リチウム、Ｔｉ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−トリエチルアルミ
ニウム、Ｔｉ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−トリイソブチルアル
ミニウム、Ｔｉ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−ｎ-ブチルリチウ
ム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウ
ム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニ
ウム、Ｔｉ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｔ
ｉ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウム、Ｔｉ
（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｔ
ｉ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｔｉ（Ｏｎ
−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｎ−
Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｔｉ（Ｏｎ
−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ
3Ｈ7）4−トリエチルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ
7）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ3
Ｈ7）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−
トリエチルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−ト
リイソブチルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）4−
ｎ-ブチルリチウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチ
ルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブ
チルアルミニウム、Ｚｒ（Ｏｉ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチル
リチウム、Ｚｒ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミ
ニウム、Ｚｒ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアル
ミニウム、Ｚｒ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウ
ム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウ
ム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニ
ウム、Ｚｒ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−ｎ-ブチルリチウム、Ｖ
Ｏ（ＯＣ2Ｈ5）3−トリエチルアルミニウム、ＶＯ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）3−トリイソブチルアルミニウム、ＶＯ（ＯＣ2
Ｈ5）3−ジイソブチルアルミニウムハイドライド、ＶＯ
（Ｏｎ-Ｃ4Ｈ9）3−トリエチルアルミニウム、ＶＯ（Ｏ
ｎ-Ｃ4Ｈ9）3−トリイソブチルアルミニウム、ＶＯ（Ｏ
ｎ-Ｃ4Ｈ9）3−ジイソブチルアルミニウムハイドライ
ド、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）3−トリエチルアルミニウ
ム、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）3−トリイソブチルアルミニ
ウム、Ｃｏ（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）3−ｎ-ブチルリチウム、Ｃ
ｏ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ
（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃ
ｏ（Ｏｎ−Ｃ3Ｈ7）3−ｎ-ブチルリチウム、Ｃｏ（Ｏｉ
−Ｃ4Ｈ9）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｉ−
Ｃ4Ｈ9）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｉ
−Ｃ4Ｈ9）3−ｎ-ブチルリチウム、Ｃｏ（Ｏｔ−Ｃ
4Ｈ9）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｔ−Ｃ4Ｈ
9）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｔ−Ｃ4
Ｈ9）3−ｎ-ブチルリチウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）3−
トリエチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）3−ト
リイソブチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）3−
ｎ-ブチルリチウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−トリエ
チルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−トリイソ
ブチルアルミニウム、Ｃｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−ｎ-ブ
チルリチウム、Ｃｒ（ａｃａｃ*）3−トリエチルアルミ
ニウム、Ｃｒ（ａｃａｃ）3−トリイソブチルアルミニ
ウム、* ａｃａｃ＝アセチルアセトネート ＭｏＯ2（ａｃａｃ）2−トリエチルアルミニウム、Ｍｏ
Ｏ2（ａｃａｃ）2−トリイソブチルアルミニウム、Ｍｎ
（ａｃａｃ）3−トリエチルアルミニウム、Ｍｎ（ａｃ
ａｃ）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｍｎ（ａｃａ
ｃ）2−トリエチルアルミニウム、Ｍｎ（ａｃａｃ）2−
トリイソブチルアルミニウム、Ｆｅ（ａｃａｃ）3−ト
リエチルアルミニウム、Ｆｅ（ａｃａｃ）3−トリイソ
ブチルアルミニウム、Ｃｏ（ａｃａｃ）3−トリエチル
アルミニウム、Ｃｏ（ａｃａｃ）3−トリイソブチルア
ルミニウム、Ｃｏ（ａｃａｃ）3−ｎ-ブチルリチウム、
Ｒｕ（ａｃａｃ）3−トリエチルアルミニウム、Ｒｕ
（ａｃａｃ）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃｏ
｛（Ｃ6Ｈ5）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリエチルアルミニウム、
Ｃｏ｛（Ｃ6Ｈ5）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリイソブチルアルミ
ニウム、Ｎｉ（ａｃａｃ）2−トリエチルアルミニウ
ム、Ｎｉ（ａｃａｃ）2−トリイソブチルアルミニウ
ム、Ｎｉ｛（ｎ−Ｃ4Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリエチルア
ルミニウム、Ｎｉ｛（ｎ−Ｃ4Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリ
イソブチルアルミニウム、Ｐｄ｛（ｎ−Ｃ4Ｈ9）3Ｐ｝2
Ｃｌ2−トリエチルアルミニウム、Ｐｄ｛（ｎ−Ｃ
4Ｈ9）3Ｐ｝2Ｃｌ2−トリイソブチルアルミニウム、ク
ロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ヒド
リドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ロジ
ウム、酢酸ロジウム、酢酸ルテニウム、クロロヒドリド
トリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、カルビ
キシラトヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ル
テニウム、ヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホ
スフィン）イリジウム、トリヒドリドトリス（トリフェ
ニルホスフィン）コバルト、クロロカルボニルビス（ト
リフェニルホスフィン）イリジウム、ペンタシアノコバ
ルト（II）錯体、トリシアノビピリジンコバルト（II）
錯体、ビス（ジメチルグリオキシマト）コバルト（II）
錯体、コバルトカルボニル錯体、アレントリカルボニル
クロム錯体、ビス（トリカルボニルシクロペンタジエニ
ルクロム）、ペンタカルボニル鉄錯体などを挙げること
ができる。上記の各化合物または該化合物の組み合わせ
としては２種以上を混合して使用することができる。上
記の化合物または該化合物の組み合わせのなかにあっ
て、成分（２）として好ましい化合物または該化合物の
組み合わせは、パラジウムブラック、ニッケル−ケイソ
ウ土、ラネーニッケル、ビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジクロリド−トリイソブチルアルミニウム、ビス
シクロペンタジエニルチタニウムジメチル−トリイソブ
チルアルミニウム、ビスシクロペンタジエニルジルコニ
ウムジクロリド−トリイソブチルアルミニウム、Ｔｉ
（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−トリエチルアルミニウム、Ｔｉ
（Ｏｉ−Ｃ3Ｈ7）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｔ
ｉ（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−トリエチルアルミニウム、Ｔｉ
（Ｏｎ−Ｃ4Ｈ9）4−トリイソブチルアルミニウム、Ｃ
ｏ（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ
（Ｏｎ−Ｃ8Ｈ17）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｃ
ｏ（ａｃａｃ）3−トリエチルアルミニウム、Ｃｏ（ａ
ｃａｃ）3−トリイソブチルアルミニウム、Ｎｉ（ａｃ
ａｃ）2−トリエチルアルミニウム、Ｎｉ（ａｃａｃ）2
−トリイソブチルアルミニウム、クロロトリス（トリフ
ェニルホスフィン）ロジウム、などである。
【００１０】本発明の成分（Ｆ）としては、無機物担体
および／または粒子状ポリマー担体が使用される。無機
物担体は、本発明の触媒を調製する段階において、本来
の形状を保持している限り、粉末状、粒状、フレーク
状、箔状、繊維状などいずれの形状であっても差し支え
ないが、いずれの形状であっても、最大直径は通常５〜
２００μｍ、好ましくは１０〜１５０μｍの範囲のもの
が適している。また、無機物担体は多孔性であることが
好ましく、通常、その表面積は３０〜１０００ｍ2／
ｇ、細孔容積は０．１〜３ｃｍ3／ｇの範囲にある。本
発明の無機物担体としては、金属、金属酸化物、金属塩
化物、金属炭酸塩，金属硫酸塩、炭素物質、またはこれ
らの混合物が使用可能であり、これらは通常２００〜９
００℃で空気中または窒素、アルゴン等の不活性ガス中
で焼成して用いられる。無機物担体に用いることができ
る好適な金属としては、例えば鉄、アルミニウム、ニッ
ケルなどが挙げられる。また、金属酸化物としては周期
律表I〜VIII族の単独酸化物または複酸化物が挙げら
れ、例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂ2Ｏ
3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ａl2Ｏ3・ＭｇＯ、Ａ
l2Ｏ3・ＣａＯ、Ａl2Ｏ3・ＳｉＯ2、Ａl2Ｏ3・ＭｇＯ・
ＣａＯ、Ａl2Ｏ3・ＭｇＯ・ＳｉＯ2、Ａl2Ｏ3・Ｃｕ
Ｏ、Ａl2Ｏ3・Ｆｅ2Ｏ3、Ａl2Ｏ3・ＮｉＯ、ＳｉＯ2・
ＭｇＯなどの天然または合成の各種複酸化物を例示する
事ができる。ここで上記の式は分子式ではなく、組成の
みを表すものであって、本発明において用いられる複酸
化物の構造および成分比率は特に限定されるものではな
い。また、本発明において用いる金属酸化物は、少量の
水分を吸収していても差し支えなく、少量の不純物を含
有していても差し支えない。金属塩化物としては、例え
ばアルカリ金属、アルカリ土類金属の塩化物が好まし
く、具体的にはＭｇＣｌ2、ＣａＣｌ2などが特に好適で
ある。金属炭酸塩としてはアルカリ金属、アルカリ土類
金属の炭酸塩が好ましく、具体的には、炭酸マグネシウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸バリウムなどが挙げられる。
炭素物質としては例えばカーボンブラック、活性炭、カ
ーボン（炭酸ストロンチウムカーボン等）などが挙げら
れ、また、その他のものとしてケイソウ土、活性炭、硫
酸バリウム、石綿、軽石、などが挙げられる。以上の無
機物担体はいずれも本発明に好適に用いることができる
が、特に金属酸化物、シリカ、アルミナなどの使用が好
ましい。一方、粒子ポリマー担体としては、触媒調製時
および重合反応時において、溶融などせずに固体状を保
つものである限り、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいず
れもが使用でき、その粒径は通常５〜２０００μｍ、好
ましくは１０〜１００μｍの範囲のものが望ましい。こ
れらポリマー担体の分子量は、当該ポリマーが触媒調製
時および重合反応時において固体状物質として存在でき
る程度であれば、特に限定されることはなく、低分子量
のものから超高分子量のものまで任意に使用可能であ
る。具体的には粒子状のエチレン重合体、エチレン・α
−オレフィン共重合体、プロピレン重合体または共重合
体、ポリ１−ブテンなどで代表される各種のポリオレフ
ィン（好ましくは炭素数２〜１２）、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリ塩化ビニル、ポリメタクリル酸メチル、
ポリアクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリノルボルネ
ンのほか、各種の天然高分子およびこれらの混合物が、
ポリマー担体として使用できる。上記した無機物担体お
よび粒子状ポリマー担体は、もちろん本発明の成分
（Ｆ）としてそのまま用いることもできるが、予備処理
としてこれらの担体を、トリメチルアルミニウム、トリ
エチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ト
リｎ−ヘキシルアルミニウム、ジメチルアルミニウムク
ロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジエチル
モノエトキシアルミニウムなどの有機アルミニウム化合
物とか、Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウ
ム化合物（成分（Ｂ）として例示した化合物と同様のも
の）とか、あるいはシラン化合物などに接触処理させた
後、成分（Ｆ）として用いることもできる。さらに無機
物担体について言えば、これをアルコール、アルデヒド
のような活性水素含有化合物、エステル、エーテルなど
の電子供与性化合物、テトラアルコキシシリケート、ト
リアルコキシアルミニウム、遷移金属テトラアルコキシ
ドなどのアルコキシ基含有化合物などに、予め接触させ
てから成分（Ｆ）として使用する方法も好ましく用いら
れる。接触処理方法としては、通常窒素またはアルゴン
などの不活性雰囲気中、一般にベンゼン、トルエン、キ
シレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素（通常炭
素数は６〜１２）、ヘプタン、ヘキサン、デカン、ドデ
カン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化
水素（通常炭素数は５〜１２）等の液状不活性炭化水素
の存在下、攪拌下または非攪拌下に、担体を予備処理用
化合物と接触させる方法が挙げられる。この接触は，通
常−１００℃〜２００℃、好ましくは−５０℃〜１００
℃の温度にて、３０分〜５０時間、好ましくは１時間〜
２４時間行うことが望ましい。なお、この接触反応は、
前記した予備処理用化合物が可溶な溶媒、すなわちベン
ゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香
族炭化水素（通常炭素数は６〜１２）中で行うことが好
ましく、この場合は、接触反応後、溶媒を除去すること
なく、これをそのまま本発明の接触成分の調製に供する
ことができる。また、当該の接触反応生成物に、予備処
理用化合物が不溶もしくは難溶の液状不活性炭化水素
（例えば、予備処理用化合物が変性有機アルミニウム化
合物の場合は、ペンタン、ヘキサン、デカン、ドデカ
ン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水
素）を添加し、固体成分として成分（Ｆ）を析出させて
乾燥させるか、あるいは予備処理時の溶媒溶液である芳
香族炭化水素の一部または全部を、乾燥等の手段により
除去した後、成分（Ｆ）を固体成分として取り出すこと
もできる。予備処理に供する無機物担体および／または
粒子状ポリマー担体と、予備処理用化合物との割合は、
本発明の目的を損なわない限り特に制限はないが、通常
は担体１００ｇに対して１〜１００００ミリモル、好ま
しくは５〜１５００ミリモル（ただし、変性アルミニウ
ム化合物においてはＡｌ原子濃度）の範囲内で選ばれ
る。
および／または粒子状ポリマー担体が使用される。無機
物担体は、本発明の触媒を調製する段階において、本来
の形状を保持している限り、粉末状、粒状、フレーク
状、箔状、繊維状などいずれの形状であっても差し支え
ないが、いずれの形状であっても、最大直径は通常５〜
２００μｍ、好ましくは１０〜１５０μｍの範囲のもの
が適している。また、無機物担体は多孔性であることが
好ましく、通常、その表面積は３０〜１０００ｍ2／
ｇ、細孔容積は０．１〜３ｃｍ3／ｇの範囲にある。本
発明の無機物担体としては、金属、金属酸化物、金属塩
化物、金属炭酸塩，金属硫酸塩、炭素物質、またはこれ
らの混合物が使用可能であり、これらは通常２００〜９
００℃で空気中または窒素、アルゴン等の不活性ガス中
で焼成して用いられる。無機物担体に用いることができ
る好適な金属としては、例えば鉄、アルミニウム、ニッ
ケルなどが挙げられる。また、金属酸化物としては周期
律表I〜VIII族の単独酸化物または複酸化物が挙げら
れ、例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂ2Ｏ
3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ａl2Ｏ3・ＭｇＯ、Ａ
l2Ｏ3・ＣａＯ、Ａl2Ｏ3・ＳｉＯ2、Ａl2Ｏ3・ＭｇＯ・
ＣａＯ、Ａl2Ｏ3・ＭｇＯ・ＳｉＯ2、Ａl2Ｏ3・Ｃｕ
Ｏ、Ａl2Ｏ3・Ｆｅ2Ｏ3、Ａl2Ｏ3・ＮｉＯ、ＳｉＯ2・
ＭｇＯなどの天然または合成の各種複酸化物を例示する
事ができる。ここで上記の式は分子式ではなく、組成の
みを表すものであって、本発明において用いられる複酸
化物の構造および成分比率は特に限定されるものではな
い。また、本発明において用いる金属酸化物は、少量の
水分を吸収していても差し支えなく、少量の不純物を含
有していても差し支えない。金属塩化物としては、例え
ばアルカリ金属、アルカリ土類金属の塩化物が好まし
く、具体的にはＭｇＣｌ2、ＣａＣｌ2などが特に好適で
ある。金属炭酸塩としてはアルカリ金属、アルカリ土類
金属の炭酸塩が好ましく、具体的には、炭酸マグネシウ
ム、炭酸カルシウム、炭酸バリウムなどが挙げられる。
炭素物質としては例えばカーボンブラック、活性炭、カ
ーボン（炭酸ストロンチウムカーボン等）などが挙げら
れ、また、その他のものとしてケイソウ土、活性炭、硫
酸バリウム、石綿、軽石、などが挙げられる。以上の無
機物担体はいずれも本発明に好適に用いることができる
が、特に金属酸化物、シリカ、アルミナなどの使用が好
ましい。一方、粒子ポリマー担体としては、触媒調製時
および重合反応時において、溶融などせずに固体状を保
つものである限り、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいず
れもが使用でき、その粒径は通常５〜２０００μｍ、好
ましくは１０〜１００μｍの範囲のものが望ましい。こ
れらポリマー担体の分子量は、当該ポリマーが触媒調製
時および重合反応時において固体状物質として存在でき
る程度であれば、特に限定されることはなく、低分子量
のものから超高分子量のものまで任意に使用可能であ
る。具体的には粒子状のエチレン重合体、エチレン・α
−オレフィン共重合体、プロピレン重合体または共重合
体、ポリ１−ブテンなどで代表される各種のポリオレフ
ィン（好ましくは炭素数２〜１２）、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリ塩化ビニル、ポリメタクリル酸メチル、
ポリアクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリノルボルネ
ンのほか、各種の天然高分子およびこれらの混合物が、
ポリマー担体として使用できる。上記した無機物担体お
よび粒子状ポリマー担体は、もちろん本発明の成分
（Ｆ）としてそのまま用いることもできるが、予備処理
としてこれらの担体を、トリメチルアルミニウム、トリ
エチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ト
リｎ−ヘキシルアルミニウム、ジメチルアルミニウムク
ロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジエチル
モノエトキシアルミニウムなどの有機アルミニウム化合
物とか、Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウ
ム化合物（成分（Ｂ）として例示した化合物と同様のも
の）とか、あるいはシラン化合物などに接触処理させた
後、成分（Ｆ）として用いることもできる。さらに無機
物担体について言えば、これをアルコール、アルデヒド
のような活性水素含有化合物、エステル、エーテルなど
の電子供与性化合物、テトラアルコキシシリケート、ト
リアルコキシアルミニウム、遷移金属テトラアルコキシ
ドなどのアルコキシ基含有化合物などに、予め接触させ
てから成分（Ｆ）として使用する方法も好ましく用いら
れる。接触処理方法としては、通常窒素またはアルゴン
などの不活性雰囲気中、一般にベンゼン、トルエン、キ
シレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素（通常炭
素数は６〜１２）、ヘプタン、ヘキサン、デカン、ドデ
カン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化
水素（通常炭素数は５〜１２）等の液状不活性炭化水素
の存在下、攪拌下または非攪拌下に、担体を予備処理用
化合物と接触させる方法が挙げられる。この接触は，通
常−１００℃〜２００℃、好ましくは−５０℃〜１００
℃の温度にて、３０分〜５０時間、好ましくは１時間〜
２４時間行うことが望ましい。なお、この接触反応は、
前記した予備処理用化合物が可溶な溶媒、すなわちベン
ゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香
族炭化水素（通常炭素数は６〜１２）中で行うことが好
ましく、この場合は、接触反応後、溶媒を除去すること
なく、これをそのまま本発明の接触成分の調製に供する
ことができる。また、当該の接触反応生成物に、予備処
理用化合物が不溶もしくは難溶の液状不活性炭化水素
（例えば、予備処理用化合物が変性有機アルミニウム化
合物の場合は、ペンタン、ヘキサン、デカン、ドデカ
ン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水
素）を添加し、固体成分として成分（Ｆ）を析出させて
乾燥させるか、あるいは予備処理時の溶媒溶液である芳
香族炭化水素の一部または全部を、乾燥等の手段により
除去した後、成分（Ｆ）を固体成分として取り出すこと
もできる。予備処理に供する無機物担体および／または
粒子状ポリマー担体と、予備処理用化合物との割合は、
本発明の目的を損なわない限り特に制限はないが、通常
は担体１００ｇに対して１〜１００００ミリモル、好ま
しくは５〜１５００ミリモル（ただし、変性アルミニウ
ム化合物においてはＡｌ原子濃度）の範囲内で選ばれ
る。
【００１１】本発明のポリオレフィン製造方法において
用いる触媒は、前述のように、少なくとも成分（Ａ）、
成分（Ｂ）の各成分を接触させて得られる成分（１）
と、（ア）成分（Ｃ）なる成分、または成分（Ｃ）と成
分（Ｄ）を接触させて得られる成分、あるいは（イ）成
分（Ｅ）なる成分（２）と成分（Ｆ）を組み合わせたも
のである。即ち、係る成分（１）、成分（１）の調製
時、成分（２）、成分（２）の調製時の少なくともいず
れかの成分にまたは調製(接触)段階で成分（３）を接触
せしめることにより得られるものである。また、本発明
の種々の効果をさらに高めるには、前記成分（Ｃ）と
（Ｄ）と（Ｆ）、（Ｃ）と（Ｆ）、または（Ｅ）と
（Ｆ）をまず接触させて成分（Ｇ）とし、しかる後に成
分（Ａ）および（Ｂ）を接触させたもの（成分（Ｈ））
を成分（Ｇ）に接触させることが望ましい。成分（１）
の該成分（Ｈ）を構成する成分（Ａ）および（Ｂ）の接
触順序は特に限定されない。また、２成分の接触方法も
任意であるが、通常は窒素またはアルゴンなどの不活性
雰囲気中、成分（Ａ）と成分（Ｂ）をヘプタン、ヘキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの不活性炭化水
素溶媒の存在下、通常−１００℃〜２００℃、好ましく
は−５０℃〜１５０℃の温度にて、５分〜２５０時間、
好ましくは３０分〜２４時間接触させる方法が採用でき
る。不活性炭化水素溶媒中にて各成分を接触させる場
合、生成触媒は、全接触反応終了後、溶液状態にてその
まま他の成分（２）または、成分（２）と（３）との接
触に供してもよいし、また、もし可能であれば、析出、
乾燥などの手段により、固体触媒成分として一旦取り出
した後、他の成分（２）または、成分（２）と（３）と
の接触に用いてもよい。もちろん、各成分の接触反応は
複数回行ってもよい。本発明の成分（１）における成分
（Ａ）および（Ｂ）の使用割合は、成分（Ａ）１モルに
対して成分（Ｂ）を通常１〜１０，０００モル、好まし
くは５〜１０００モル、さらに好ましくは１０〜５００
モルの割合で調製することが望ましい。
用いる触媒は、前述のように、少なくとも成分（Ａ）、
成分（Ｂ）の各成分を接触させて得られる成分（１）
と、（ア）成分（Ｃ）なる成分、または成分（Ｃ）と成
分（Ｄ）を接触させて得られる成分、あるいは（イ）成
分（Ｅ）なる成分（２）と成分（Ｆ）を組み合わせたも
のである。即ち、係る成分（１）、成分（１）の調製
時、成分（２）、成分（２）の調製時の少なくともいず
れかの成分にまたは調製(接触)段階で成分（３）を接触
せしめることにより得られるものである。また、本発明
の種々の効果をさらに高めるには、前記成分（Ｃ）と
（Ｄ）と（Ｆ）、（Ｃ）と（Ｆ）、または（Ｅ）と
（Ｆ）をまず接触させて成分（Ｇ）とし、しかる後に成
分（Ａ）および（Ｂ）を接触させたもの（成分（Ｈ））
を成分（Ｇ）に接触させることが望ましい。成分（１）
の該成分（Ｈ）を構成する成分（Ａ）および（Ｂ）の接
触順序は特に限定されない。また、２成分の接触方法も
任意であるが、通常は窒素またはアルゴンなどの不活性
雰囲気中、成分（Ａ）と成分（Ｂ）をヘプタン、ヘキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの不活性炭化水
素溶媒の存在下、通常−１００℃〜２００℃、好ましく
は−５０℃〜１５０℃の温度にて、５分〜２５０時間、
好ましくは３０分〜２４時間接触させる方法が採用でき
る。不活性炭化水素溶媒中にて各成分を接触させる場
合、生成触媒は、全接触反応終了後、溶液状態にてその
まま他の成分（２）または、成分（２）と（３）との接
触に供してもよいし、また、もし可能であれば、析出、
乾燥などの手段により、固体触媒成分として一旦取り出
した後、他の成分（２）または、成分（２）と（３）と
の接触に用いてもよい。もちろん、各成分の接触反応は
複数回行ってもよい。本発明の成分（１）における成分
（Ａ）および（Ｂ）の使用割合は、成分（Ａ）１モルに
対して成分（Ｂ）を通常１〜１０，０００モル、好まし
くは５〜１０００モル、さらに好ましくは１０〜５００
モルの割合で調製することが望ましい。
【００１２】本発明の成分（２）の（ア）の構成成分で
ある成分（Ｃ）と（Ｄ）の接触順序も特に限定されな
い。また、成分（Ｃ）と（Ｄ）を接触させる方法として
は、通常窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、一
般にベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンな
どの芳香族炭化水素、ヘプタン、ヘキサン、デカン、ド
デカン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭
化水素等の液状不活性炭化水素の存在下、攪拌下または
非攪拌下に、成分（Ｃ）と（Ｄ）を接触させる。特に前
記した成分（Ｃ）および（Ｄ）が可溶な溶媒すなわちベ
ンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳
香族炭化水素中で行うか、窒素雰囲気下で行うのが好ま
しい。この接触は通常−１００〜２００℃、好ましくは
−５０〜１５０℃の温度にて、５分〜２５０時間、好ま
しくは３０分〜２４時間行うことが望ましい。また、成
分（Ｃ）と成分（Ｄ）の使用割合は、成分（Ｃ）１モル
にたいして成分（Ｄ）を通常０．０１〜１０００モル、
好ましくは０．０５〜２００モル、さらに好ましくは
０．５〜２０モルの割合で調製することが望ましい。
ある成分（Ｃ）と（Ｄ）の接触順序も特に限定されな
い。また、成分（Ｃ）と（Ｄ）を接触させる方法として
は、通常窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、一
般にベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンな
どの芳香族炭化水素、ヘプタン、ヘキサン、デカン、ド
デカン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭
化水素等の液状不活性炭化水素の存在下、攪拌下または
非攪拌下に、成分（Ｃ）と（Ｄ）を接触させる。特に前
記した成分（Ｃ）および（Ｄ）が可溶な溶媒すなわちベ
ンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳
香族炭化水素中で行うか、窒素雰囲気下で行うのが好ま
しい。この接触は通常−１００〜２００℃、好ましくは
−５０〜１５０℃の温度にて、５分〜２５０時間、好ま
しくは３０分〜２４時間行うことが望ましい。また、成
分（Ｃ）と成分（Ｄ）の使用割合は、成分（Ｃ）１モル
にたいして成分（Ｄ）を通常０．０１〜１０００モル、
好ましくは０．０５〜２００モル、さらに好ましくは
０．５〜２０モルの割合で調製することが望ましい。
【００１３】本発明の成分（１）と（３）、すなわち、
成分（Ａ）、（Ｂ）および成分（Ｆ）を接触させる順序
も特に限定されないが、以下のような方法が挙げられ
る。 〈ア〉成分（Ａ）と成分（Ｂ）の反応生成物を成分
（Ｆ）と接触反応させる方法。 〈イ〉成分（Ｂ）と成分（Ｆ）の反応生成物を成分
（Ａ）と接触反応させる方法。 〈ウ〉成分（Ｆ）と成分（Ａ）の反応生成物を成分
（Ｂ）と接触反応させる方法。 これらの接触順序の中で、〈ア〉〈イ〉が好ましく用いら
れる。成分（Ａ）、（Ｂ）と成分（Ｆ）を接触させる方
法としては、通常窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲
気中、一般にベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素、ヘプタン、ヘキサン、デ
カン、ドデカン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは
脂環族炭化水素等の液状不活性炭化水素の存在下、攪拌
下または非攪拌下に、成分（Ａ）、（Ｂ）と成分（Ｆ）
を接触させる。特に前記した成分（Ａ）、（Ｂ）が可溶
な溶媒すなわちベンゼン、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼンなどの芳香族炭化水素中で行うことが好まし
い。この接触は通常−１００〜２００℃、好ましくは−
５０〜１５０℃の温度にて、５分〜２５０時間、好まし
くは３０分〜２４時間行うことが望ましい。成分
（Ａ）、（Ｂ）と成分（Ｆ）の接触に際しては、上記し
た通り、ある種の成分が可溶な芳香族炭化水素溶媒と、
ある種の成分が不溶ないしは難溶な脂肪族または脂環族
炭化水素溶媒とがいずれも使用可能であるが、特に成分
（Ａ）、（Ｂ）が可溶な芳香族炭化水素を溶媒として使
用することが望ましい。そして、各成分同士の接触反応
を段階的に行う場合にあっては、前段で用いた可溶性の
芳香族炭化水素溶媒を何等除去することなく、これをそ
のまま後段の接触反応の溶媒に用いてもよい。また、可
溶性溶媒を使用した前段の接触反応後、ある種の成分が
不溶もしくは難溶な液状不活性炭化水素（例えば、ペン
タン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロヘキサンな
どの脂肪族あるいは脂環族炭化水素）を添加して、所望
生成物を固形物として取り出した後に、この所望生成物
の後段の接触反応を、上記した不活性炭化水素溶媒のい
ずれかを使用して実施することもできる。本発明では各
成分の接触反応を複数回行うことを妨げない。成分
（Ａ）、（Ｂ）と成分（Ｆ）を接触する場合の成分
（Ｆ）の使用割合は、成分（Ｆ）１ｇに対し、成分
（Ａ）が通常０．０００１〜５ミリモル、好ましくは
０．００１〜０．５ミリモルさらに好ましくは０．０１
〜０．１ミリモルの割合とするのが望ましい。
成分（Ａ）、（Ｂ）および成分（Ｆ）を接触させる順序
も特に限定されないが、以下のような方法が挙げられ
る。 〈ア〉成分（Ａ）と成分（Ｂ）の反応生成物を成分
（Ｆ）と接触反応させる方法。 〈イ〉成分（Ｂ）と成分（Ｆ）の反応生成物を成分
（Ａ）と接触反応させる方法。 〈ウ〉成分（Ｆ）と成分（Ａ）の反応生成物を成分
（Ｂ）と接触反応させる方法。 これらの接触順序の中で、〈ア〉〈イ〉が好ましく用いら
れる。成分（Ａ）、（Ｂ）と成分（Ｆ）を接触させる方
法としては、通常窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲
気中、一般にベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素、ヘプタン、ヘキサン、デ
カン、ドデカン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは
脂環族炭化水素等の液状不活性炭化水素の存在下、攪拌
下または非攪拌下に、成分（Ａ）、（Ｂ）と成分（Ｆ）
を接触させる。特に前記した成分（Ａ）、（Ｂ）が可溶
な溶媒すなわちベンゼン、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼンなどの芳香族炭化水素中で行うことが好まし
い。この接触は通常−１００〜２００℃、好ましくは−
５０〜１５０℃の温度にて、５分〜２５０時間、好まし
くは３０分〜２４時間行うことが望ましい。成分
（Ａ）、（Ｂ）と成分（Ｆ）の接触に際しては、上記し
た通り、ある種の成分が可溶な芳香族炭化水素溶媒と、
ある種の成分が不溶ないしは難溶な脂肪族または脂環族
炭化水素溶媒とがいずれも使用可能であるが、特に成分
（Ａ）、（Ｂ）が可溶な芳香族炭化水素を溶媒として使
用することが望ましい。そして、各成分同士の接触反応
を段階的に行う場合にあっては、前段で用いた可溶性の
芳香族炭化水素溶媒を何等除去することなく、これをそ
のまま後段の接触反応の溶媒に用いてもよい。また、可
溶性溶媒を使用した前段の接触反応後、ある種の成分が
不溶もしくは難溶な液状不活性炭化水素（例えば、ペン
タン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロヘキサンな
どの脂肪族あるいは脂環族炭化水素）を添加して、所望
生成物を固形物として取り出した後に、この所望生成物
の後段の接触反応を、上記した不活性炭化水素溶媒のい
ずれかを使用して実施することもできる。本発明では各
成分の接触反応を複数回行うことを妨げない。成分
（Ａ）、（Ｂ）と成分（Ｆ）を接触する場合の成分
（Ｆ）の使用割合は、成分（Ｆ）１ｇに対し、成分
（Ａ）が通常０．０００１〜５ミリモル、好ましくは
０．００１〜０．５ミリモルさらに好ましくは０．０１
〜０．１ミリモルの割合とするのが望ましい。
【００１４】本発明の成分（２）と（３）と接触させる
順序、すなわち、成分（Ｃ）、成分（Ｃ）と（Ｄ）、ま
たは成分（Ｅ）各々と、成分（Ｆ）を接触させる順序も
特に限定されないが、以下の様な方法が挙げられる。 〈エ〉成分（Ｃ）と成分（Ｄ）の反応生成物を成分
（Ｆ）と接触反応させる方法。 〈オ〉成分（Ｄ）と成分（Ｆ）の反応生成物を成分
（Ｃ）と接触反応させる方法。 〈カ〉成分（Ｆ）と成分（Ｃ）の反応生成物を成分
（Ｄ）と接触反応させる方法。 〈キ〉成分（Ｅ）を成分（Ｆ）に担持する方法。 <ク> 成分（Ｃ）を成分（Ｆ）と接触反応させる方法 これらの接触順序の中で、〈エ〉〈オ〉が好ましく用いら
れる。成分（Ｃ）、成分（Ｃ）と（Ｄ）、または成分
（Ｅ）各々と、成分（Ｆ）を接触させる方法としては、
通常窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、一般に
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの
芳香族炭化水素、ヘプタン、ヘキサン、デカン、ドデカ
ン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水
素等の液状不活性炭化水素の存在下、攪拌下または非攪
拌下に、成分（Ｃ）、（Ｄ）または（Ｅ）と（Ｆ）を接
触させる。特に前記した成分（Ｃ）、（Ｄ）が可溶な溶
媒すなわちベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベン
ゼンなどの芳香族炭化水素中で行うことが好ましい。こ
の接触は通常−１００〜２００℃、好ましくは−５０〜
１５０℃の温度にて、５分〜２５０時間、好ましくは３
０分〜２４時間行うことが望ましい。成分（Ｃ）、成分
（Ｃ）と（Ｄ）、または成分（Ｅ）各々と、成分（Ｆ）
の接触に際しては、上記した通り、ある種の成分が可溶
な芳香族炭化水素溶媒と、ある種の成分が不溶ないしは
難溶な脂肪族または脂環族炭化水素溶媒とがいずれも使
用可能であるが、特に成分（Ｃ）、（Ｄ）が可溶な芳香
族炭化水素を溶媒として使用することが望ましい。そし
て、各成分同士の接触反応を段階的に行う場合にあって
は、前段で用いた可溶性の芳香族炭化水素溶媒を何等除
去することなく、これをそのまま後段の接触反応の溶媒
に用いてもよい。また、可溶性溶媒を使用した前段の接
触反応後、ある種の成分が不溶もしくは難溶な液状不活
性炭化水素（例えば、ペンタン、ヘキサン、デカン、ド
デカン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭
化水素）を添加して、所望生成物を固形物として取り出
した後に、この所望生成物の後段の接触反応を、上記し
た不活性炭化水素溶媒のいずれかを使用して実施するこ
ともできる。本発明では各成分の接触反応を複数回行う
ことを妨げない。成分（Ｃ）、成分（Ｃ）と（Ｄ）、ま
たは成分（Ｅ）各々と、成分（Ｆ）を接触する場合の
（Ｆ）の使用割合は、成分（Ｆ）１ｇに対し、成分
（Ｃ）または成分（Ｅ）が通常０．０００１〜５ミリモ
ル、好ましくは０．００１〜０．５ミリモルさらに好ま
しくは０．０１〜０．１ミリモルの割合とするのが望ま
しい。
順序、すなわち、成分（Ｃ）、成分（Ｃ）と（Ｄ）、ま
たは成分（Ｅ）各々と、成分（Ｆ）を接触させる順序も
特に限定されないが、以下の様な方法が挙げられる。 〈エ〉成分（Ｃ）と成分（Ｄ）の反応生成物を成分
（Ｆ）と接触反応させる方法。 〈オ〉成分（Ｄ）と成分（Ｆ）の反応生成物を成分
（Ｃ）と接触反応させる方法。 〈カ〉成分（Ｆ）と成分（Ｃ）の反応生成物を成分
（Ｄ）と接触反応させる方法。 〈キ〉成分（Ｅ）を成分（Ｆ）に担持する方法。 <ク> 成分（Ｃ）を成分（Ｆ）と接触反応させる方法 これらの接触順序の中で、〈エ〉〈オ〉が好ましく用いら
れる。成分（Ｃ）、成分（Ｃ）と（Ｄ）、または成分
（Ｅ）各々と、成分（Ｆ）を接触させる方法としては、
通常窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中、一般に
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの
芳香族炭化水素、ヘプタン、ヘキサン、デカン、ドデカ
ン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水
素等の液状不活性炭化水素の存在下、攪拌下または非攪
拌下に、成分（Ｃ）、（Ｄ）または（Ｅ）と（Ｆ）を接
触させる。特に前記した成分（Ｃ）、（Ｄ）が可溶な溶
媒すなわちベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベン
ゼンなどの芳香族炭化水素中で行うことが好ましい。こ
の接触は通常−１００〜２００℃、好ましくは−５０〜
１５０℃の温度にて、５分〜２５０時間、好ましくは３
０分〜２４時間行うことが望ましい。成分（Ｃ）、成分
（Ｃ）と（Ｄ）、または成分（Ｅ）各々と、成分（Ｆ）
の接触に際しては、上記した通り、ある種の成分が可溶
な芳香族炭化水素溶媒と、ある種の成分が不溶ないしは
難溶な脂肪族または脂環族炭化水素溶媒とがいずれも使
用可能であるが、特に成分（Ｃ）、（Ｄ）が可溶な芳香
族炭化水素を溶媒として使用することが望ましい。そし
て、各成分同士の接触反応を段階的に行う場合にあって
は、前段で用いた可溶性の芳香族炭化水素溶媒を何等除
去することなく、これをそのまま後段の接触反応の溶媒
に用いてもよい。また、可溶性溶媒を使用した前段の接
触反応後、ある種の成分が不溶もしくは難溶な液状不活
性炭化水素（例えば、ペンタン、ヘキサン、デカン、ド
デカン、シクロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭
化水素）を添加して、所望生成物を固形物として取り出
した後に、この所望生成物の後段の接触反応を、上記し
た不活性炭化水素溶媒のいずれかを使用して実施するこ
ともできる。本発明では各成分の接触反応を複数回行う
ことを妨げない。成分（Ｃ）、成分（Ｃ）と（Ｄ）、ま
たは成分（Ｅ）各々と、成分（Ｆ）を接触する場合の
（Ｆ）の使用割合は、成分（Ｆ）１ｇに対し、成分
（Ｃ）または成分（Ｅ）が通常０．０００１〜５ミリモ
ル、好ましくは０．００１〜０．５ミリモルさらに好ま
しくは０．０１〜０．１ミリモルの割合とするのが望ま
しい。
【００１５】また、成分（１）、成分（２）および成分
（３）の３成分を接触させる場合においても接触順序は
特に限定されない。例えば以下のような方法が挙げられ
る。<ケ>成分（１）と成分（２）の反応生成物を成分
（３）と接触反応させる方法。<コ>成分（２）と成分
（３）の反応生成物を成分（１）と接触反応させる方
法。<サ>成分（３）と成分（１）の反応生成物を成分
（２）と接触反応させる方法。これらの接触順序の中
で、本発明の種々の効果をさらに高めることができるの
が<コ>の方法である。成分（１）、（２）、（３）を接
触させる方法としては、通常窒素またはアルゴンなどの
不活性雰囲気中、一般にベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素、ヘプタン、
ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロヘキサンなどの脂
肪族あるいは脂環族炭化水素等の液状不活性炭化水素の
存在下、攪拌下または非攪拌下に、成分（１）、
（２）、（３）を接触させる。特に前記した成分
（１）、（２）が可溶な溶媒すなわちベンゼン、トルエ
ン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素中
で行うことが好ましい。この接触は通常−１００〜２０
０℃、好ましくは−５０〜１５０℃の温度にて、５分〜
２５０時間、好ましくは３０分〜２４時間行うことが望
ましい。成分（１）、（２）、（３）の接触に際して
は、上記した通り、ある種の成分が可溶な芳香族炭化水
素溶媒と、ある種の成分が不溶ないしは難溶な脂肪族ま
たは脂環族炭化水素溶媒とがいずれも使用可能である
が、特に成分（１）、（２）が可溶な芳香族炭化水素を
溶媒として使用することが望ましい。そして、各成分同
士の接触反応を段階的に行う場合にあっては、前段で用
いた可溶性の芳香族炭化水素溶媒を何等除去することな
く、これをそのまま後段の接触反応の溶媒に用いてもよ
い。また、可溶性溶媒を使用した前段の接触反応後、あ
る種の成分が不溶もしくは難溶な液状不活性炭化水素
（例えば、ペンタン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シ
クロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水素）を
添加して、所望生成物を固形物として取り出した後に、
この所望生成物の後段の接触反応を、上記した不活性炭
化水素溶媒のいずれかを使用して実施することもでき
る。本発明では各成分の接触反応を複数回行うことを妨
げない。なお、成分（１）と成分（２）の使用割合は、
成分（１）における成分（Ａ）１モルに対し成分（２）
の（Ｃ）または（Ｅ）が０．０１〜１００モル、好まし
くは０．１〜１０モルの割合にするのが望ましい。成分
（１）、（２）、（３）を接触する場合の（３）の使用
割合は、成分（３）１ｇに対し、成分（１）の（Ａ）お
よび、成分（２）の（Ｃ）または（Ｅ）が通常０．００
００５〜２．５ミリモル、好ましくは０．０００５〜
０．２５ミリモルさらに好ましくは０．００５〜０．０
５ミリモルの割合とするのが望ましい。本発明に用いる
触媒としては、成分（１）、（２）、（３）を前記のよ
うに相互に接触することにより得られるが、さらに所望
により別の成分を用いることもできる。かかる成分とし
ては、Ｃ−Ｘ結合（Ｘ：フッ素等のハロゲン）を有する
ハロゲン化炭化水素化合物、ハロゲン化含酸素炭化水素
化合物、ハロゲン・炭素化合物やスルフィド類、ならび
にボラン類、ボレート類を併用しても良い。
（３）の３成分を接触させる場合においても接触順序は
特に限定されない。例えば以下のような方法が挙げられ
る。<ケ>成分（１）と成分（２）の反応生成物を成分
（３）と接触反応させる方法。<コ>成分（２）と成分
（３）の反応生成物を成分（１）と接触反応させる方
法。<サ>成分（３）と成分（１）の反応生成物を成分
（２）と接触反応させる方法。これらの接触順序の中
で、本発明の種々の効果をさらに高めることができるの
が<コ>の方法である。成分（１）、（２）、（３）を接
触させる方法としては、通常窒素またはアルゴンなどの
不活性雰囲気中、一般にベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素、ヘプタン、
ヘキサン、デカン、ドデカン、シクロヘキサンなどの脂
肪族あるいは脂環族炭化水素等の液状不活性炭化水素の
存在下、攪拌下または非攪拌下に、成分（１）、
（２）、（３）を接触させる。特に前記した成分
（１）、（２）が可溶な溶媒すなわちベンゼン、トルエ
ン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素中
で行うことが好ましい。この接触は通常−１００〜２０
０℃、好ましくは−５０〜１５０℃の温度にて、５分〜
２５０時間、好ましくは３０分〜２４時間行うことが望
ましい。成分（１）、（２）、（３）の接触に際して
は、上記した通り、ある種の成分が可溶な芳香族炭化水
素溶媒と、ある種の成分が不溶ないしは難溶な脂肪族ま
たは脂環族炭化水素溶媒とがいずれも使用可能である
が、特に成分（１）、（２）が可溶な芳香族炭化水素を
溶媒として使用することが望ましい。そして、各成分同
士の接触反応を段階的に行う場合にあっては、前段で用
いた可溶性の芳香族炭化水素溶媒を何等除去することな
く、これをそのまま後段の接触反応の溶媒に用いてもよ
い。また、可溶性溶媒を使用した前段の接触反応後、あ
る種の成分が不溶もしくは難溶な液状不活性炭化水素
（例えば、ペンタン、ヘキサン、デカン、ドデカン、シ
クロヘキサンなどの脂肪族あるいは脂環族炭化水素）を
添加して、所望生成物を固形物として取り出した後に、
この所望生成物の後段の接触反応を、上記した不活性炭
化水素溶媒のいずれかを使用して実施することもでき
る。本発明では各成分の接触反応を複数回行うことを妨
げない。なお、成分（１）と成分（２）の使用割合は、
成分（１）における成分（Ａ）１モルに対し成分（２）
の（Ｃ）または（Ｅ）が０．０１〜１００モル、好まし
くは０．１〜１０モルの割合にするのが望ましい。成分
（１）、（２）、（３）を接触する場合の（３）の使用
割合は、成分（３）１ｇに対し、成分（１）の（Ａ）お
よび、成分（２）の（Ｃ）または（Ｅ）が通常０．００
００５〜２．５ミリモル、好ましくは０．０００５〜
０．２５ミリモルさらに好ましくは０．００５〜０．０
５ミリモルの割合とするのが望ましい。本発明に用いる
触媒としては、成分（１）、（２）、（３）を前記のよ
うに相互に接触することにより得られるが、さらに所望
により別の成分を用いることもできる。かかる成分とし
ては、Ｃ−Ｘ結合（Ｘ：フッ素等のハロゲン）を有する
ハロゲン化炭化水素化合物、ハロゲン化含酸素炭化水素
化合物、ハロゲン・炭素化合物やスルフィド類、ならび
にボラン類、ボレート類を併用しても良い。
【００１６】本発明によれば、上述のように調製された
触媒の存在下、オレフィン類が単独重合または共重合せ
しめられる。重合方法は特に限定されず、気相重合、ス
ラリー重合、溶液重合いずれでもよい。特に気相重合が
好ましい。スラリー重合、溶液重合における溶媒はヘキ
サン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン等の脂環族炭化水素等から選ばれ
る。本発明でいうオレフィン類には、α−オレフィン
類、環状オレフィン類、ジエン類、トリエン類が包含さ
れる。α−オレフィン類には、炭素数２〜１２、好まし
くは２〜８のものが包含され、具体的には、エチレン、
プロピレン、ブテン−１、ヘキセン−１、４−メチルペ
ンテン−１等が例示される。α−オレフィン類は、本発
明の触媒成分を使用して単独重合させることができる
他、２種類以上のα−オレフィンを共重合させることも
可能であり、その共重合は交互共重合、ランダム共重
合、ブロック共重合のいずれであっても差し支えない。
α−オレフィン類の共重合には、エチレンとプロピレ
ン、エチレンとブテン−１、エチレンとヘキセン−１、
エチレンと４−メチルペンテン−１のように、エチレン
と炭素数３〜１２、好ましくは３〜８のα−オレフィン
とを共重合する場合、プロピレンとブテン−１、プロピ
レンと４−メチルペンテン−１、プロピレンと４−メチ
ルブテン−１、プロピレンとヘキセン−１、プロピレン
とオクテン−１のように、プロピレンと炭素数３〜１
２、好ましくは３〜８のα−オレフィンとを共重合する
場合が含まれる。エチレン又はプロピレンと他のα−オ
レフィンとを共重合させる場合、当該他のα−オレフィ
ンの量は全モノマ−の90モル％以下の範囲で任意に選ぶ
ことができるが、一般的には、エチレン共重合体にあっ
ては、40モル％以下、好ましくは30モル％以下、さらに
好ましく20モル％以下であり、プロピレン共重合体にあ
っては、１〜90モル％、好ましくは５〜９０モル％、さ
らに好ましくは10〜70モル％の範囲で選ばれる。環状オ
レフィンとしては、炭素数３〜２４、好ましくは３〜１
８のものが本発明で使用可能であり、これには例えば、
シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３−
メチルシクロヘキセン、シクロオクテン、シクロデセ
ン、シクロドデセン、テトラシクロデセン、オクタシク
ロデセン、ジシクロペンタジエン、ノルボルネン、５−
メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボル
ネン、５−イソブチル−２−ノルボルネン、５，６−ジ
メチル−２−ノルボルネン、５，５，６−トリメチル−
２−ノルボルネン、エチリデンノルボルネンなどが包含
される。環状オレフィンは前記のα−オレフィンと共重
合せしめるのが通例であるが、その場合、環状オレフィ
ンの量は共重合体の50モル％以下、通常は１〜50モル
％、好ましくは２〜50モル％の範囲にある。本発明で使
用可能なジエン類及びトリエン類は、炭素数４〜26、好
ましくは６〜26のポリエンである。具体的には、ブタジ
エン、１，３−ペンタジエン、１，４−ペンタジエン、
１，３−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，５
−ヘキサジエン、１，３−シクロヘキサジエン、１，４
−シクロヘキサジエン、１，９−デカジエン、１，１３
−テトラデカジエン、２，６−ジメチル−１，５−ヘプ
タジエン、２−メチル−２，７−オクタジエン、２，７
−ジメチル−２，６−オクタジエン、２，３ジメチルブ
タジエン、エチリデンノルボルネン、ジシクロペンタジ
エン、イソプレン、１，３，７−オクタトリエン、１，
５，９−デカトリエンなどが例示される。本発明で鎖式
ジエン又はトリエンを使用する場合、通常は上記したα
−オレフィンと共重合させるのが通例であるが、その共
重合体中の鎖式ジエン及び／又はトリエンの含有量は、
一般に、０．１〜５０モル％、好ましくは０．２〜１０
モル％の範囲にある。本発明の重合反応は前記した触媒
の存在下、すべて実質的に酸素、水などを絶った状態で
行われる。この時の重合条件は温度２０〜２００℃、好
ましくは５０〜１２０℃、圧力常圧〜 ７０kg/cm2 G 、
好ましくは常圧〜２０kg/cm2 G の範囲にあり、重合時
間としては５分〜２０時間、好ましくは３０分〜１０時
間が採用されるのが普通である。また、重合反応系中
に、水分等の不純物除去を目的とした成分、いわゆるス
カベンジャーを加えることができ、そのスカベンジャー
とはしては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアル
ミニウム、トリイソブチルアルミニウムなどの有機アル
ミニウムなどが使用可能である。また、本発明の特徴の
一つは従来とは全く異なった方法により生成重合体の分
子量を調節可能ならしめる点にあるが、このことは、重
合条件（温度、圧力、触媒使用量、水素分圧など）の調
節によって生成重合体の分子量を制限する手段の採用
を、本発明が排除していることを意味しない。さらにま
た、本発明は個々の重合条件が互いに異なる２段階以上
の反応段を使用する多段重合方法にも、支障なく適用す
ることができる。
触媒の存在下、オレフィン類が単独重合または共重合せ
しめられる。重合方法は特に限定されず、気相重合、ス
ラリー重合、溶液重合いずれでもよい。特に気相重合が
好ましい。スラリー重合、溶液重合における溶媒はヘキ
サン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサン、メ
チルシクロヘキサン等の脂環族炭化水素等から選ばれ
る。本発明でいうオレフィン類には、α−オレフィン
類、環状オレフィン類、ジエン類、トリエン類が包含さ
れる。α−オレフィン類には、炭素数２〜１２、好まし
くは２〜８のものが包含され、具体的には、エチレン、
プロピレン、ブテン−１、ヘキセン−１、４−メチルペ
ンテン−１等が例示される。α−オレフィン類は、本発
明の触媒成分を使用して単独重合させることができる
他、２種類以上のα−オレフィンを共重合させることも
可能であり、その共重合は交互共重合、ランダム共重
合、ブロック共重合のいずれであっても差し支えない。
α−オレフィン類の共重合には、エチレンとプロピレ
ン、エチレンとブテン−１、エチレンとヘキセン−１、
エチレンと４−メチルペンテン−１のように、エチレン
と炭素数３〜１２、好ましくは３〜８のα−オレフィン
とを共重合する場合、プロピレンとブテン−１、プロピ
レンと４−メチルペンテン−１、プロピレンと４−メチ
ルブテン−１、プロピレンとヘキセン−１、プロピレン
とオクテン−１のように、プロピレンと炭素数３〜１
２、好ましくは３〜８のα−オレフィンとを共重合する
場合が含まれる。エチレン又はプロピレンと他のα−オ
レフィンとを共重合させる場合、当該他のα−オレフィ
ンの量は全モノマ−の90モル％以下の範囲で任意に選ぶ
ことができるが、一般的には、エチレン共重合体にあっ
ては、40モル％以下、好ましくは30モル％以下、さらに
好ましく20モル％以下であり、プロピレン共重合体にあ
っては、１〜90モル％、好ましくは５〜９０モル％、さ
らに好ましくは10〜70モル％の範囲で選ばれる。環状オ
レフィンとしては、炭素数３〜２４、好ましくは３〜１
８のものが本発明で使用可能であり、これには例えば、
シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３−
メチルシクロヘキセン、シクロオクテン、シクロデセ
ン、シクロドデセン、テトラシクロデセン、オクタシク
ロデセン、ジシクロペンタジエン、ノルボルネン、５−
メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボル
ネン、５−イソブチル−２−ノルボルネン、５，６−ジ
メチル−２−ノルボルネン、５，５，６−トリメチル−
２−ノルボルネン、エチリデンノルボルネンなどが包含
される。環状オレフィンは前記のα−オレフィンと共重
合せしめるのが通例であるが、その場合、環状オレフィ
ンの量は共重合体の50モル％以下、通常は１〜50モル
％、好ましくは２〜50モル％の範囲にある。本発明で使
用可能なジエン類及びトリエン類は、炭素数４〜26、好
ましくは６〜26のポリエンである。具体的には、ブタジ
エン、１，３−ペンタジエン、１，４−ペンタジエン、
１，３−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，５
−ヘキサジエン、１，３−シクロヘキサジエン、１，４
−シクロヘキサジエン、１，９−デカジエン、１，１３
−テトラデカジエン、２，６−ジメチル−１，５−ヘプ
タジエン、２−メチル−２，７−オクタジエン、２，７
−ジメチル−２，６−オクタジエン、２，３ジメチルブ
タジエン、エチリデンノルボルネン、ジシクロペンタジ
エン、イソプレン、１，３，７−オクタトリエン、１，
５，９−デカトリエンなどが例示される。本発明で鎖式
ジエン又はトリエンを使用する場合、通常は上記したα
−オレフィンと共重合させるのが通例であるが、その共
重合体中の鎖式ジエン及び／又はトリエンの含有量は、
一般に、０．１〜５０モル％、好ましくは０．２〜１０
モル％の範囲にある。本発明の重合反応は前記した触媒
の存在下、すべて実質的に酸素、水などを絶った状態で
行われる。この時の重合条件は温度２０〜２００℃、好
ましくは５０〜１２０℃、圧力常圧〜 ７０kg/cm2 G 、
好ましくは常圧〜２０kg/cm2 G の範囲にあり、重合時
間としては５分〜２０時間、好ましくは３０分〜１０時
間が採用されるのが普通である。また、重合反応系中
に、水分等の不純物除去を目的とした成分、いわゆるス
カベンジャーを加えることができ、そのスカベンジャー
とはしては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアル
ミニウム、トリイソブチルアルミニウムなどの有機アル
ミニウムなどが使用可能である。また、本発明の特徴の
一つは従来とは全く異なった方法により生成重合体の分
子量を調節可能ならしめる点にあるが、このことは、重
合条件（温度、圧力、触媒使用量、水素分圧など）の調
節によって生成重合体の分子量を制限する手段の採用
を、本発明が排除していることを意味しない。さらにま
た、本発明は個々の重合条件が互いに異なる２段階以上
の反応段を使用する多段重合方法にも、支障なく適用す
ることができる。
【００１７】
【実施例】以下に本発明を実施例及び比較例によって具
体的に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら
限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で得
られた重合体の物性測定は次の方法で行った。 メルトフローレート（ＭＦＲ） ＡＳＴＭ Ｄ １２３８−５７Ｔ １９０℃、２．１６
kg荷重に基づき測定した。なお、ＭＦＲの増減により分
子量の指標のひとつとした。 数平均分子量（Ｍｎ） ゲルパーミエイションクロマトグラフィ（ウォーターズ
製、モデル形式１５０−Ｃ型）にて、溶媒にオルソジク
ロロベンゼンを使用し、測定温度を１３５℃として算出
した。 実施例１ （Ａ）触媒の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた５００ｍｌ三口フラスコに、ビスシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジクロリドを３．０×１０-3モル加
え、ここにメチルアルミノキサンのトルエン溶液（シェ
リング社製、濃度３．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍＬ）を１００
ｍｌ加え、室温で１時間攪拌反応させて、成分（１）を
得た。窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機を取り付けた１
００ｍｌ三口フラスコにビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジクロリド１５ｍｍｏｌとトリイソブチルアルミ
ニウムのヘキサン溶液（１．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍｌ）３
０ｍｌ（３０ｍｍｏｌ）を常温、常圧で混合し２時間攪
拌反応させて、成分（２）を得た。上記成分（１）に成
分（２）を２２ｍｌ加え、常温、常圧で２時間攪拌させ
た。窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取
り付けた１Ｌ三口フラスコに、予め５００℃で７時間焼
成処理したシリカ（富士デビソン製# ９５２）１５０ｇ
を入れ、フラスコを１５０℃まで加熱して１時間減圧乾
燥を行った。乾燥終了後、フラスコを室温まで冷却し、
ここに上記で得られた溶液を添加し、常温で１時間反応
させた。次いで、フラスコを４０℃まで昇温し、得られ
たスラリー溶液を６０分間減圧乾燥して溶媒を除去する
ことにより、流動性の良い固体触媒２０８ｇを得た。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を７５℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍ
ｏｌ／ｍｌ）を０．３ｍｌ添加した後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．１
５）を８Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇとなるように張り込み、上記
で得られた固体触媒を１０６ｍｇ（Ｚｒ＝０．１４ｍ
ｇ）供給して重合を開始し、エチレンとブテン−１の混
合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．０５）を連続
的に供給しつつ、全圧を９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇに維持して
２時間の重合を行った。重合終了後、余剰のガスを排出
し、冷却して内容物を取り出し、白色ポリマ−２４ｇを
得た。このときの触媒効率は１７４Ｋｇ／ｇＺｒであっ
た。この白色ポリマーのＭＦＲは１．１ｇ／１０ｍｉ
ｎ、Ｍｎは６８１００であった。 比較例１ 実施例１の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を１１０ｍｇ（Ｚｒ＝０．１
５ｍｇ）用いて重合したこと以外は実施例１と同様に実
験を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、白色ポリマ−２５ｇを得た。触媒
効率は１６７Ｋｇ／ｇＺｒであった。この白色ポリマー
のＭＦＲは２．３ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは５７８００で
あった。 実施例２ （Ａ）触媒の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた５００ｍｌ三口フラスコにビスシクロペンタジエニ
ルジルコニウムジメチルを３．０×１０-3モル加え、こ
こにメチルアルミノキサンのトルエン溶液（シェリング
社製、濃度３．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍＬ）を１００ｍｌ加
え、室温で１時間攪拌反応させて、成分（１）を得た。
一方、窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を
取り付けた５００ｍｌ三口フラスコにオルトチタン酸テ
トライソプロピル３０ｍｍｏｌとトリイソブチルアルミ
ニウムのヘキサン溶液（１．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍｌ）１
００ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を常温、常圧で混合し２時
間攪拌して、成分（２）を得た。窒素雰囲気下で、電磁
誘導攪拌機および冷却管を取り付けた１Ｌ三口フラスコ
に、予め５００℃で７時間焼成処理したシリカ（富士デ
ビソン製 ＃９５２）１５０ｇを入れ、フラスコを１５
０℃まで加熱して１時間減圧乾燥を行った。乾燥終了
後、フラスコを室温まで冷却し、上記で得られた成分
（２）を２２ｍｌ添加し、さらに精製トルエン１００ｍ
ｌ加え、常温で１時間反応させた。引き続いて、成分
（１）を全量添加し、さらに常温で１時間攪拌反応させ
た。次いで、フラスコを４０℃まで昇温し、得られたス
ラリー溶液を６０分間減圧乾燥して溶媒を除去すること
により、流動性の良い固体触媒２０５ｇを得た。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を７５℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍ
ｏｌ／ｍｌ）を０．３ｍｌ添加した後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．１
５）９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇとなるように張り込み、上記で
得られた固体触媒を９７ｍｌ（Ｚｒ＝０．１３ｍｇ）供
給して重合を開始した。重合開始後、エチレンとブテン
−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．０
５）を連続的に供給しつつ、全圧を９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇ
に維持して２時間の重合を行った。重合終了後、余剰の
ガスを排出し、冷却して内容物を取り出し、白色ポリマ
−２０ｇを得た。このときの触媒効率は１５３Ｋｇ／ｇ
Ｚｒであった。この白色ポリマーのＭＦＲは０．２５ｇ
／１０ｍｉｎ、Ｍｎは９３５００であった。 比較例２ 実施例２の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を１０３ｍｇ（Ｚｒ＝０．１
４ｍｇ）用いて重合したこと以外は実施例２と同様に実
験を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、白色ポリマ−２２ｇを得た。触媒
効率は１５６Ｋｇ／ｇＺｒであった。この白色ポリマー
のＭＦＲは１．６ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは６３７００で
あった。 実施例３ （Ａ）触媒の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた５００ｍｌ三口フラスコにエチレンビスインデニル
ジルコニウムジクロリドを３．０×１０-3モル加え、こ
こにメチルアルミノキサンのトルエン溶液（シェリング
社製、濃度３．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍＬ）を１００ｍｌ加
え、室温で１時間攪拌反応させて、成分（１）を得た。
一方、窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を
取り付けた５００ｍｌ三口フラスコにオルトチタン酸テ
トライソプロピル３０ｍｍｏｌとトリエチルアルミニウ
ムのヘキサン溶液（１．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍｌ）１００
ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を常温、常圧で混合し２時間攪
拌して、成分（２）を得た。窒素雰囲気下で、電磁誘導
攪拌機および冷却管を取り付けた１Ｌ三口フラスコに、
予め５００℃で７時間焼成処理したシリカ（富士デビソ
ン製 ＃９５２）１５０ｇを入れ、フラスコを１５０℃
まで加熱して１時間減圧乾燥を行った。乾燥終了後、フ
ラスコを室温まで冷却し、上記で得られた成分（２）を
２２ｍｌ添加し、さらに精製トルエン１００ｍｌ加え、
常温で１時間反応させた。引き続いて、成分（１）を全
量添加し、さらに常温で１時間攪拌反応させた。次い
で、フラスコを４０℃まで昇温し、得られたスラリー溶
液を６０分間減圧乾燥して溶媒を除去することにより、
流動性の良い固体触媒２０８ｇを得た。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を７５℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍ
ｏｌ／ｍｌ）を０．３ｍｌ添加した後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．１
５）９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇとなるように張り込み、上記で
得られた固体触媒を９７ｍｌ（Ｚｒ＝０．１３ｍｇ）供
給して重合を開始した。重合開始後、エチレンとブテン
−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．０
５）を連続的に供給しつつ、全圧を９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇ
に維持して２時間の重合を行った。重合終了後、余剰の
ガスを排出し、冷却して内容物を取り出し、白色ポリマ
−２２ｇを得た。このときの触媒効率は１６６Ｋｇ／ｇ
Ｚｒであった。この白色ポリマーのＭＦＲは０．５３ｇ
／１０ｍｉｎ、Ｍｎは８２１００であった。 比較例３ 実施例３の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を１０１ｍｇ（Ｚｒ＝０．１
４ｍｇ）用いて重合したこと以外は実施例３と同様に実
験を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、白色ポリマ−２０ｇを得た。触媒
効率は１４６Ｋｇ／ｇＺｒであった。この白色ポリマー
のＭＦＲは１．０ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは６８８００で
あった。 実施例４ （Ａ）触媒の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた５００ｍｌ三口フラスコにビスシクロペンタジエニ
ルジルコニウムジクロリドを３．０×１０-3モル加え、
ここにメチルアルミノキサンのトルエン溶液（シェリン
グ社製、濃度３．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍＬ）を１００ｍｌ
加え、室温で１時間攪拌反応させて、成分（１）を得
た。一方、窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却
管を取り付けた５００ｍｌ三口フラスコに精製トルエン
１００ｍｌを加え、ついで、ビスシクロペンタジエニル
チタニウムジクロリド３０ｍｍｏｌとトリエチルアルミ
ニウムのヘキサン溶液（１．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍｌ）６
０ｍｌ（６０ｍｍｏｌ）を常温、常圧で混合し２時間攪
拌して、成分（２）を得た。窒素雰囲気下で、電磁誘導
攪拌機および冷却管を取り付けた１Ｌ三口フラスコに、
予め十分乾燥させたスチレン−ジビニルベンゼン共重合
体ビーズ（オルガノ社製）１５０ｇを入れ、フラスコを
９０℃まで加熱して１時間減圧乾燥を行った。乾燥終了
後、フラスコを室温まで冷却し、上記で得られた成分
（２）を２２ｍｌ添加し、常温で１時間反応させた。引
き続いて、成分（１）を全量添加し、さらに常温で１時
間攪拌反応させた。次いで、フラスコを４０℃まで昇温
し、得られたスラリー溶液を６０分間減圧乾燥して溶媒
を除去することにより、流動性の良い固体触媒１９８ｇ
を得た。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を７５℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍ
ｏｌ／ｍｌ）を０．３ｍｌ添加した後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．１
５）９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇとなるように張り込み、上記で
得られた固体触媒を１１０ｍｌ（Ｚｒ＝０．１５ｍｇ）
供給して重合を開始した。重合開始後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．０
５）を連続的に供給しつつ、全圧を９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇ
に維持して２時間の重合を行った。重合終了後、余剰の
ガスを排出し、冷却して内容物を取り出し、白色ポリマ
−２２ｇを得た。このときの触媒効率は１４５Ｋｇ／ｇ
Ｚｒであった。この白色ポリマーのＭＦＲは１．１ｇ／
１０ｍｉｎ、Ｍｎは６８２００であった。 比較例４ 実施例４の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を１０３ｍｇ（Ｚｒ＝０．１
４ｍｇ）用いて重合したこと以外は実施例４と同様に実
験を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、白色ポリマ−２０ｇを得た。触媒
効率は１４６Ｋｇ／ｇＺｒであった。この白色ポリマー
のＭＦＲは２．２ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは５８３００で
あった。 実施例５ （Ａ）触媒の調製 実施例１と同様に調製した。 （Ｂ）重合 気相重合装置に攪拌機のついたステンレス製オートクレ
ーブを使用し、ブロワー、流量調節器および乾式サイク
ロンでループをつくり、オートクレーブはジャケットに
温水を流すことによって温度を調節した。６０℃に調節
したオートクレーブに（Ａ）で得られた固体触媒を１０
０ｍｇ／ｈの速度で供給し、またオートクレーブ気相中
のブテン−１／エチレンモル比を０．２５になるように
調節しながら各々のガスを供給し、全圧を８Ｋｇｆ／ｃ
ｍ2Ｇに保ちながらブロワーにより系内のガスを循環さ
せ、生成ポリマーを間欠的に抜き出しながら１０時間の
連続重合を行った。触媒効率は８６ｋｇ／ｇＺｒで、Ｍ
ＦＲは０．４８ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは８３８００であ
った。 比較例５ 実施例５の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を用いて重合したこと以外は
実施例５と同様に実験を行ったところ、触媒効率は８３
Ｋｇ／ｇＺｒで、ＭＦＲは１．４ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎ
は６５２００であった。 実施例６ （Ａ）触媒の調製 実施例１と同様に調製した。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製のオー
トクレーブを窒素置換し、これに精製したトルエン１Ｌ
を加え、更に重合系内のスカベンジを行うためトリエチ
ルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍｏｌ／ｍ
ｌ）を０．３ｍｌ添加した後、上記触媒のトルエン希釈
溶液（濃度１０ｍｇ／ｍｌ）１０ｍｌを加え、８０℃に
昇温し続いてエチレンと１−ブテン（ブテン／エチレン
＝０．２）の混合ガスを連続的に供給しつつ、全圧を９
Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇに維持して２時間の重合を行った。触
媒効率は３７８ｋｇ／ｇＺｒで、ＭＦＲは０．０２ｇ／
１０ｍｉｎ、Ｍｎは１１１５００であった。 比較例６ 実施例６の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を用いて重合したこと以外は
実施例６と同様に実験を行ったところ、触媒効率は３３
５Ｋｇ／ｇＺｒで、ＭＦＲは０．０４ｇ／１０ｍｉｎ、
Ｍｎは１０７２００であった。
体的に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら
限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で得
られた重合体の物性測定は次の方法で行った。 メルトフローレート（ＭＦＲ） ＡＳＴＭ Ｄ １２３８−５７Ｔ １９０℃、２．１６
kg荷重に基づき測定した。なお、ＭＦＲの増減により分
子量の指標のひとつとした。 数平均分子量（Ｍｎ） ゲルパーミエイションクロマトグラフィ（ウォーターズ
製、モデル形式１５０−Ｃ型）にて、溶媒にオルソジク
ロロベンゼンを使用し、測定温度を１３５℃として算出
した。 実施例１ （Ａ）触媒の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた５００ｍｌ三口フラスコに、ビスシクロペンタジエ
ニルジルコニウムジクロリドを３．０×１０-3モル加
え、ここにメチルアルミノキサンのトルエン溶液（シェ
リング社製、濃度３．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍＬ）を１００
ｍｌ加え、室温で１時間攪拌反応させて、成分（１）を
得た。窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機を取り付けた１
００ｍｌ三口フラスコにビスシクロペンタジエニルチタ
ニウムジクロリド１５ｍｍｏｌとトリイソブチルアルミ
ニウムのヘキサン溶液（１．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍｌ）３
０ｍｌ（３０ｍｍｏｌ）を常温、常圧で混合し２時間攪
拌反応させて、成分（２）を得た。上記成分（１）に成
分（２）を２２ｍｌ加え、常温、常圧で２時間攪拌させ
た。窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取
り付けた１Ｌ三口フラスコに、予め５００℃で７時間焼
成処理したシリカ（富士デビソン製# ９５２）１５０ｇ
を入れ、フラスコを１５０℃まで加熱して１時間減圧乾
燥を行った。乾燥終了後、フラスコを室温まで冷却し、
ここに上記で得られた溶液を添加し、常温で１時間反応
させた。次いで、フラスコを４０℃まで昇温し、得られ
たスラリー溶液を６０分間減圧乾燥して溶媒を除去する
ことにより、流動性の良い固体触媒２０８ｇを得た。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を７５℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍ
ｏｌ／ｍｌ）を０．３ｍｌ添加した後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．１
５）を８Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇとなるように張り込み、上記
で得られた固体触媒を１０６ｍｇ（Ｚｒ＝０．１４ｍ
ｇ）供給して重合を開始し、エチレンとブテン−１の混
合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．０５）を連続
的に供給しつつ、全圧を９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇに維持して
２時間の重合を行った。重合終了後、余剰のガスを排出
し、冷却して内容物を取り出し、白色ポリマ−２４ｇを
得た。このときの触媒効率は１７４Ｋｇ／ｇＺｒであっ
た。この白色ポリマーのＭＦＲは１．１ｇ／１０ｍｉ
ｎ、Ｍｎは６８１００であった。 比較例１ 実施例１の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を１１０ｍｇ（Ｚｒ＝０．１
５ｍｇ）用いて重合したこと以外は実施例１と同様に実
験を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、白色ポリマ−２５ｇを得た。触媒
効率は１６７Ｋｇ／ｇＺｒであった。この白色ポリマー
のＭＦＲは２．３ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは５７８００で
あった。 実施例２ （Ａ）触媒の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた５００ｍｌ三口フラスコにビスシクロペンタジエニ
ルジルコニウムジメチルを３．０×１０-3モル加え、こ
こにメチルアルミノキサンのトルエン溶液（シェリング
社製、濃度３．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍＬ）を１００ｍｌ加
え、室温で１時間攪拌反応させて、成分（１）を得た。
一方、窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を
取り付けた５００ｍｌ三口フラスコにオルトチタン酸テ
トライソプロピル３０ｍｍｏｌとトリイソブチルアルミ
ニウムのヘキサン溶液（１．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍｌ）１
００ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を常温、常圧で混合し２時
間攪拌して、成分（２）を得た。窒素雰囲気下で、電磁
誘導攪拌機および冷却管を取り付けた１Ｌ三口フラスコ
に、予め５００℃で７時間焼成処理したシリカ（富士デ
ビソン製 ＃９５２）１５０ｇを入れ、フラスコを１５
０℃まで加熱して１時間減圧乾燥を行った。乾燥終了
後、フラスコを室温まで冷却し、上記で得られた成分
（２）を２２ｍｌ添加し、さらに精製トルエン１００ｍ
ｌ加え、常温で１時間反応させた。引き続いて、成分
（１）を全量添加し、さらに常温で１時間攪拌反応させ
た。次いで、フラスコを４０℃まで昇温し、得られたス
ラリー溶液を６０分間減圧乾燥して溶媒を除去すること
により、流動性の良い固体触媒２０５ｇを得た。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を７５℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍ
ｏｌ／ｍｌ）を０．３ｍｌ添加した後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．１
５）９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇとなるように張り込み、上記で
得られた固体触媒を９７ｍｌ（Ｚｒ＝０．１３ｍｇ）供
給して重合を開始した。重合開始後、エチレンとブテン
−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．０
５）を連続的に供給しつつ、全圧を９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇ
に維持して２時間の重合を行った。重合終了後、余剰の
ガスを排出し、冷却して内容物を取り出し、白色ポリマ
−２０ｇを得た。このときの触媒効率は１５３Ｋｇ／ｇ
Ｚｒであった。この白色ポリマーのＭＦＲは０．２５ｇ
／１０ｍｉｎ、Ｍｎは９３５００であった。 比較例２ 実施例２の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を１０３ｍｇ（Ｚｒ＝０．１
４ｍｇ）用いて重合したこと以外は実施例２と同様に実
験を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、白色ポリマ−２２ｇを得た。触媒
効率は１５６Ｋｇ／ｇＺｒであった。この白色ポリマー
のＭＦＲは１．６ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは６３７００で
あった。 実施例３ （Ａ）触媒の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた５００ｍｌ三口フラスコにエチレンビスインデニル
ジルコニウムジクロリドを３．０×１０-3モル加え、こ
こにメチルアルミノキサンのトルエン溶液（シェリング
社製、濃度３．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍＬ）を１００ｍｌ加
え、室温で１時間攪拌反応させて、成分（１）を得た。
一方、窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を
取り付けた５００ｍｌ三口フラスコにオルトチタン酸テ
トライソプロピル３０ｍｍｏｌとトリエチルアルミニウ
ムのヘキサン溶液（１．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍｌ）１００
ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）を常温、常圧で混合し２時間攪
拌して、成分（２）を得た。窒素雰囲気下で、電磁誘導
攪拌機および冷却管を取り付けた１Ｌ三口フラスコに、
予め５００℃で７時間焼成処理したシリカ（富士デビソ
ン製 ＃９５２）１５０ｇを入れ、フラスコを１５０℃
まで加熱して１時間減圧乾燥を行った。乾燥終了後、フ
ラスコを室温まで冷却し、上記で得られた成分（２）を
２２ｍｌ添加し、さらに精製トルエン１００ｍｌ加え、
常温で１時間反応させた。引き続いて、成分（１）を全
量添加し、さらに常温で１時間攪拌反応させた。次い
で、フラスコを４０℃まで昇温し、得られたスラリー溶
液を６０分間減圧乾燥して溶媒を除去することにより、
流動性の良い固体触媒２０８ｇを得た。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を７５℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍ
ｏｌ／ｍｌ）を０．３ｍｌ添加した後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．１
５）９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇとなるように張り込み、上記で
得られた固体触媒を９７ｍｌ（Ｚｒ＝０．１３ｍｇ）供
給して重合を開始した。重合開始後、エチレンとブテン
−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．０
５）を連続的に供給しつつ、全圧を９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇ
に維持して２時間の重合を行った。重合終了後、余剰の
ガスを排出し、冷却して内容物を取り出し、白色ポリマ
−２２ｇを得た。このときの触媒効率は１６６Ｋｇ／ｇ
Ｚｒであった。この白色ポリマーのＭＦＲは０．５３ｇ
／１０ｍｉｎ、Ｍｎは８２１００であった。 比較例３ 実施例３の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を１０１ｍｇ（Ｚｒ＝０．１
４ｍｇ）用いて重合したこと以外は実施例３と同様に実
験を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、白色ポリマ−２０ｇを得た。触媒
効率は１４６Ｋｇ／ｇＺｒであった。この白色ポリマー
のＭＦＲは１．０ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは６８８００で
あった。 実施例４ （Ａ）触媒の調製 窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却管を取り付
けた５００ｍｌ三口フラスコにビスシクロペンタジエニ
ルジルコニウムジクロリドを３．０×１０-3モル加え、
ここにメチルアルミノキサンのトルエン溶液（シェリン
グ社製、濃度３．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍＬ）を１００ｍｌ
加え、室温で１時間攪拌反応させて、成分（１）を得
た。一方、窒素雰囲気下で、電磁誘導攪拌機および冷却
管を取り付けた５００ｍｌ三口フラスコに精製トルエン
１００ｍｌを加え、ついで、ビスシクロペンタジエニル
チタニウムジクロリド３０ｍｍｏｌとトリエチルアルミ
ニウムのヘキサン溶液（１．０ｍｍｏｌＡｌ／ｍｌ）６
０ｍｌ（６０ｍｍｏｌ）を常温、常圧で混合し２時間攪
拌して、成分（２）を得た。窒素雰囲気下で、電磁誘導
攪拌機および冷却管を取り付けた１Ｌ三口フラスコに、
予め十分乾燥させたスチレン−ジビニルベンゼン共重合
体ビーズ（オルガノ社製）１５０ｇを入れ、フラスコを
９０℃まで加熱して１時間減圧乾燥を行った。乾燥終了
後、フラスコを室温まで冷却し、上記で得られた成分
（２）を２２ｍｌ添加し、常温で１時間反応させた。引
き続いて、成分（１）を全量添加し、さらに常温で１時
間攪拌反応させた。次いで、フラスコを４０℃まで昇温
し、得られたスラリー溶液を６０分間減圧乾燥して溶媒
を除去することにより、流動性の良い固体触媒１９８ｇ
を得た。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製オート
クレーブを窒素置換した後、オートクレーブ内を７５℃
まで昇温した。続いて、重合系内のスカベンジを行うた
めトリエチルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍ
ｏｌ／ｍｌ）を０．３ｍｌ添加した後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．１
５）９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇとなるように張り込み、上記で
得られた固体触媒を１１０ｍｌ（Ｚｒ＝０．１５ｍｇ）
供給して重合を開始した。重合開始後、エチレンとブテ
ン−１の混合ガス（ブテン−１／エチレンモル比０．０
５）を連続的に供給しつつ、全圧を９Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇ
に維持して２時間の重合を行った。重合終了後、余剰の
ガスを排出し、冷却して内容物を取り出し、白色ポリマ
−２２ｇを得た。このときの触媒効率は１４５Ｋｇ／ｇ
Ｚｒであった。この白色ポリマーのＭＦＲは１．１ｇ／
１０ｍｉｎ、Ｍｎは６８２００であった。 比較例４ 実施例４の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を１０３ｍｇ（Ｚｒ＝０．１
４ｍｇ）用いて重合したこと以外は実施例４と同様に実
験を行った。重合終了後、余剰のガスを排出し、冷却し
て内容物を取り出し、白色ポリマ−２０ｇを得た。触媒
効率は１４６Ｋｇ／ｇＺｒであった。この白色ポリマー
のＭＦＲは２．２ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは５８３００で
あった。 実施例５ （Ａ）触媒の調製 実施例１と同様に調製した。 （Ｂ）重合 気相重合装置に攪拌機のついたステンレス製オートクレ
ーブを使用し、ブロワー、流量調節器および乾式サイク
ロンでループをつくり、オートクレーブはジャケットに
温水を流すことによって温度を調節した。６０℃に調節
したオートクレーブに（Ａ）で得られた固体触媒を１０
０ｍｇ／ｈの速度で供給し、またオートクレーブ気相中
のブテン−１／エチレンモル比を０．２５になるように
調節しながら各々のガスを供給し、全圧を８Ｋｇｆ／ｃ
ｍ2Ｇに保ちながらブロワーにより系内のガスを循環さ
せ、生成ポリマーを間欠的に抜き出しながら１０時間の
連続重合を行った。触媒効率は８６ｋｇ／ｇＺｒで、Ｍ
ＦＲは０．４８ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎは８３８００であ
った。 比較例５ 実施例５の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を用いて重合したこと以外は
実施例５と同様に実験を行ったところ、触媒効率は８３
Ｋｇ／ｇＺｒで、ＭＦＲは１．４ｇ／１０ｍｉｎ、Ｍｎ
は６５２００であった。 実施例６ （Ａ）触媒の調製 実施例１と同様に調製した。 （Ｂ）重合 攪拌機を付した容量３Ｌのステンレススチール製のオー
トクレーブを窒素置換し、これに精製したトルエン１Ｌ
を加え、更に重合系内のスカベンジを行うためトリエチ
ルアルミニウムのトルエン希釈溶液（１ｍｍｏｌ／ｍ
ｌ）を０．３ｍｌ添加した後、上記触媒のトルエン希釈
溶液（濃度１０ｍｇ／ｍｌ）１０ｍｌを加え、８０℃に
昇温し続いてエチレンと１−ブテン（ブテン／エチレン
＝０．２）の混合ガスを連続的に供給しつつ、全圧を９
Ｋｇｆ／ｃｍ2Ｇに維持して２時間の重合を行った。触
媒効率は３７８ｋｇ／ｇＺｒで、ＭＦＲは０．０２ｇ／
１０ｍｉｎ、Ｍｎは１１１５００であった。 比較例６ 実施例６の触媒の調製において、成分（２）を加えずに
触媒を調製した。この触媒を用いて重合したこと以外は
実施例６と同様に実験を行ったところ、触媒効率は３３
５Ｋｇ／ｇＺｒで、ＭＦＲは０．０４ｇ／１０ｍｉｎ、
Ｍｎは１０７２００であった。
【図１】本発明の重合用触媒の代表的な調製工程を示す
フローシートである。
フローシートである。
Claims (2)
- 【請求項１】（１）少なくとも、下記に示す１）および
２）の各成分を接触させて得られる成分（成分（１）） １）一般式Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ
1'で表される化合物（式中，Ｍｅ1は周期律表ＩＶａ族
の遷移金属を示し，Ｒ1はシクロペンタジエニル基，置
換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデ
ニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基を示し，
Ｒ1同士は炭素数２〜１８の炭化水素基及び／又はシリ
レン基を介し結合していてもよく，Ｘ1はハロゲン原
子，水素原子または炭素数１〜２４の炭化水素残基を示
し，ｐは１≦ｐ≦４を満たす整数を示し，Ｘ1'は炭素数
１〜２０のアルキリデン基を示す） ２）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウム化
合物 （２）下記（ア）および（イ）から選ばれる成分（成分
（２）） （ア）下記に示す１）からなる成分、または１）および
２）の成分を相互に接触させて得られる成分 １）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物（ただ
し、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルアセ
トナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホス
フィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル錯
体の中から選ばれる化合物である） ２）一般式Ｍｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-nで表される化
合物（式中、Ｒ'、Ｒ"は個別に炭素数１〜２４の炭化水
素基、Ｘ'はハロゲン原子または水素原子、Ｍｅ'は周期
律表第Ｉ〜ＩＩＩ族元素、ｚはＭｅ'の価数を示し、ｍ
及びｎはそれぞれ０＜ｍ≦ｚ、０≦ｎ≦ｚで、しかも０
＜ｍ＋ｎ≦ｚである、） （イ）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属 を接触し、かつ(a)上記成分（１）および（２）の少な
くともいずれか一方 に、および／または、(b)上記成分
（１）の調製時および成分（２）の調製時の 少なくと
もいずれか一方に、 （３）無機化合物担体および／または粒子状ポリマー担
体 を接触することにより得られる触媒の存在下、オレフィ
ンを重合または共重合することを特徴とするポリオレフ
ィンの製造方法。 - 【請求項２】（１）下記（ア）および（イ）から選ばれ
る成分 （ア）下記に示す１）、２）および３）あるいは、１）
および３）を相互に接触させて得られる成分 １）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属元素化合物（ただ
し、該化合物はこれらの遷移金属元素の酸化物、ハロゲ
ン化物、炭酸塩、酢酸塩、アルコキシド、アセチルアセ
トナート、メタロセン、水素錯体、アルキル錯体、ホス
フィン錯体、シアノ錯体、ピリジル錯体、カルボニル錯
体の中から選ばれる化合物である） ２）一般式Ｍｅ'Ｒ'm（ＯＲ"）nＸ'z-m-nで表される化
合物（式中、Ｒ'、Ｒ"は個別に炭素数１〜２４の炭化水
素基、Ｘ'はハロゲン原子または水素原子、Ｍｅ'は周期
律表第Ｉ〜ＩＩＩ族元素、ｚはＭｅ'の価数を示し、ｍ
及びｎはそれぞれ０＜ｍ≦ｚ、０≦ｎ≦ｚで、しかも０
＜ｍ＋ｎ≦ｚである） ３）無機化合物担体および／または粒子状ポリマー担体 （イ）周期律表第IV〜VIII族の遷移金属と、無機化合物
担体および／または粒子状ポリマー担体を接触すること
により得られる成分ならびに （２）少なくとも、下記に示す１）および２）の各成分
を接触させて得られる成分 １）一般式Ｒ1 pＭｅ1Ｘ1 4-pおよび／またはＲ1 2Ｍｅ1Ｘ
1'で表される化合物（式中，Ｍｅ1は周期律表ＩＶａ族
の遷移金属を示し，Ｒ1はシクロペンタジエニル基，置
換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデ
ニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基を示し，
Ｒ1同士は炭素数２〜１８の炭化水素基及び／又はシリ
レン基を介し結合していてもよく，Ｘ1はハロゲン原
子，水素原子または炭素数１〜２４の炭化水素残基を示
し，ｐは１≦ｐ≦４を満たす整数を示し，Ｘ1'は炭素数
１〜２０のアルキリデン基を示す） ２）Ａｌ−Ｏ−Ａｌ結合を含む変性有機アルミニウム化
合物 を接触することにより得られる触媒の存在下に、オレフ
ィンを重合または共重合することを特徴とするポリオレ
フィンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27703196A JPH09151204A (ja) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | ポリオレフィンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-276834 | 1995-09-29 | ||
| JP27683495 | 1995-09-29 | ||
| JP27703196A JPH09151204A (ja) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | ポリオレフィンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09151204A true JPH09151204A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=26552135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27703196A Pending JPH09151204A (ja) | 1995-09-29 | 1996-09-27 | ポリオレフィンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09151204A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002504958A (ja) * | 1997-06-16 | 2002-02-12 | ボレアリス エー／エス | 異なる触媒活性部位を有する触媒を用いる多段階重合プロセス |
| JP2006233208A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Mitsui Chemicals Inc | オレフィンの重合方法 |
| JP2014505771A (ja) * | 2011-01-14 | 2014-03-06 | ダブリュー・アール・グレイス・アンド・カンパニー−コネチカット | 修飾メタロセン触媒の作成法、生成された触媒およびそれらの使用 |
| JP2021506994A (ja) * | 2017-12-18 | 2021-02-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | ジルコノセン−チタノセン触媒系 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP27703196A patent/JPH09151204A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002504958A (ja) * | 1997-06-16 | 2002-02-12 | ボレアリス エー／エス | 異なる触媒活性部位を有する触媒を用いる多段階重合プロセス |
| JP2006233208A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-09-07 | Mitsui Chemicals Inc | オレフィンの重合方法 |
| JP2014505771A (ja) * | 2011-01-14 | 2014-03-06 | ダブリュー・アール・グレイス・アンド・カンパニー−コネチカット | 修飾メタロセン触媒の作成法、生成された触媒およびそれらの使用 |
| JP2017141455A (ja) * | 2011-01-14 | 2017-08-17 | ダブリュー・アール・グレイス・アンド・カンパニー−コネチカット | 修飾メタロセン触媒の作成法、生成された触媒およびそれらの使用 |
| JP2021506994A (ja) * | 2017-12-18 | 2021-02-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | ジルコノセン−チタノセン触媒系 |
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