JP3322600B2 - 電流調整回路 - Google Patents

電流調整回路

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JP3322600B2
JP3322600B2 JP08147297A JP8147297A JP3322600B2 JP 3322600 B2 JP3322600 B2 JP 3322600B2 JP 08147297 A JP08147297 A JP 08147297A JP 8147297 A JP8147297 A JP 8147297A JP 3322600 B2 JP3322600 B2 JP 3322600B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ザッピング回路の
出力信号に応じて出力電流が調整される電流調整回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路において、ザッピング用
のツェナーダイオードを集積化しておき、このツェナー
ダイオードに外部から所定レベル以上の電圧を印加する
ことによって、ツェナーダイオードを破壊し、ツェナー
ダイオードの破壊または非破壊に応じてオン/オフを示
す信号を発生させていた。このオン/オフを示す出力信
号は、集積回路内の各々の回路の特性のバラツキを補正
するために用いられる。回路特性のバラツキを補正する
際、例えば利用回路の動作電流を調整して補正を行う場
合がある。そのような場合には、複数のオン/オフ信号
によって、電流の大きさが調整される図2のような従来
回路が用いられる。
【0003】図2において、定電圧回路1の出力電圧V
1は、ベース−コレクタが共通接続されたトランジスタ
2のコレクタ及びベースに印加される。トランジスタ2
のエミッタ電圧は、定電圧V1からトランジスタ2のベ
ース−エミッタ間電圧Vbeだけレベルシフトされた電
圧となり、その結果、抵抗3に流れる電流I1は、抵抗
値をRとすると、
【0004】
【数1】
【0005】となる。この電流I1は、トランジスタ2
のコレクタに流れる。また、トランジスタ4乃至8は、
トランジスタ2とミラー接続され、トランジスタ2のコ
レクタ電流は、トランジスタ4乃至8のコレクタに反転
される。ここで、トランジスタ4乃至8のエミッタにそ
れぞれ接続される抵抗9乃至13の抵抗値は、R、2
R、4R、8R、16Rに設定されており、トランジス
タ4乃至8のコレクタ電流は、それぞれ4・I1’、2
・I1’、I1’、0.5・I1’、0、25・I1’
になる。但し、トランジスタ2と、トランジスタ4乃至
8のエミッタ電流とコレクタ電流は略等しいとする。ま
た、I1’=I1/4とする。
【0006】また、ザッピング回路20は、その内部に
含まれるザッピング用のツェナーダイオードの破壊/非
破壊に応じて、切換信号a乃至eを発生する。切換信号
a乃至eは切換回路14乃至18に印加され、切換回路
14乃至18は電源電圧Vcc側または利用回路19側
に切り換える。切換回路14乃至18の利用回路19側
の出力電流は、加算された後、利用回路19に流れる。
利用回路19に流れる電流Iaは、切換信号a乃至eに
対応するとともに、切換回路14乃至18が電源電圧V
cc側に切り換わったとき0となり、利用回路19側に
切り換わったとき1になる係数a、b、c、d、eを用
いると、
【0007】
【数2】
【0008】となる。よって、切換回路14乃至18の
切り換えに応じて、電流の大きさが変わり、電流Iaが
調整される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】図2の回路において、
電流の調整精度を高めようとする場合、微小電流を生成
する必要があり、微小電流を生成するためにはトランジ
スタのエミッタに接続された抵抗を大きくしなければな
らなかった。図2の回路をIC化した場合、抵抗の抵抗
値を大きくすると、チップ面積が大きくなっていた。ま
た、利用回路19に流れる電流自体を微小電流にする
と、式(1)より抵抗値を大きくしなければならず、他
のトランジスタの抵抗も、整数倍になるので、さらに大
きくする必要がある。その為、電流の調整精度を高める
為微小電流を用いたり、動作電流自体を微小電流とする
と、チップ面積の制限があるICにおいて、電流調整回
路のチップ面積、特にそれに用いられる抵抗のチップ面
積が増大し、他のICの集積化が困難になるという問題
があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、ダイオード接
続されるとともに、エミッタに第1抵抗が接続された第
1トランジスタと、前記第1トランジスタとミラー接続
されると共に、エミッタに接続される抵抗が各々異なる
大きさに設定されたn(nは1以上の整数)個以上のト
ランジスタと、それぞれのトランジスタが前記第1トラ
ンジスタとミラー接続されると共に、エミッタサイズの
比が各々異なるように設定されたトランジスタから成
る、m(mは1以上の整数)個以上の差動対と、切換信
号を発生する切換信号発生回路と、前記n個以上のトラ
ンジスタのコレクタ電流、または、前記差動対の一方の
トランジスタのコレクタ電流を、切換信号に応じてそれ
ぞれ切り換える複数の切換回路と、により構成され、前
記複数の切換回路の出力信号を加算することを特徴とす
る。
【0011】また、前記n個以上のトランジスタのエミ
ッタに接続される抵抗は、それぞれ前記第1の抵抗の2
n-1倍に設定されることを特徴とする。さらに、前記m
個以上の差動対を構成するトランジスタのエミッタサイ
ズは、それぞれ1:|2−2m-1|に設定されることを特
徴とする。本発明によれば、ダイオード接続されると共
に、第1抵抗の大きさに応じて定電流を発生する第1ト
ランジスタに対して、ミラー接続された差動対は、それ
を構成するトランジスタの共通エミッタに流れる動作電
流を、エミッタサイズの割合に応じて分流する。第1ト
ランジスタとミラー接続されたn個のトランジスタのコ
レクタ電流と共に、差動対の一方のトランジスタのコレ
クタ電流は、切換回路によって、切り換えられ、そのう
ち切り換えによって選択されたコレクタ電流は加算され
た後、後段の回路に供給される。
【0012】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態を示
す図であり、21及び22は差動対を構成するととも
に、トランジスタ2にミラー接続され、エミッタサイズ
が1:1に設定されるトランジスタ、23及び24は差
動対を構成するとともに、トランジスタ2にミラー接続
され、エミッタサイズが3:1に設定されるトランジス
タ、25はトランジスタ21及び22の共通エミッタに
接続された4Rの抵抗、26はトランジスタ23及び2
4の共通エミッタに接続された4Rの抵抗、27及び2
8は、トランジスタ22及び24のコレクタ電流を切換
信号d及びeに応じてそれぞれ切り換える切換回路であ
る。尚、図1において、図2と同一の素子については、
図2と同一の符号を付す。
【0013】図1において、定電圧回路1の出力電圧V
1がトランジスタ2のコレクタ及びベースに印加され、
その結果抵抗3に電流I1が流れるので、トランジスタ
2のコレクタ電流は電流I1になる。トランジスタ4乃
至6はトランジスタ2とミラー接続され、トランジスタ
2のコレクタ電流I1が反転される。ここで、抵抗9乃
至11の抵抗値はそれぞれR、2R、4Rとなるので、
トランジスタ4乃至6のコレクタ電流はそれぞれ4・I
1’、2・I1’、I1’になる。但し、I1’=I1
/4 また、トランジスタ21及び22はトランジスタ2とミ
ラー接続されるので、トランジスタ21及び22はトラ
ンジスタ2のコレクタ電流I1を反転する。そして、ト
ランジスタ21及び22のエミッタが共通接続されるの
で、トランジスタ21及び22を1つのトランジスタと
見ることができ、さらに、その共通エミッタには抵抗値
が4Rの抵抗25が接続されるので、トランジスタ21
及び22のコレクタ電流の合計は、電流I1’になる。
この合計電流I1’は抵抗25にも流れる。ここで、ト
ランジスタ21及び22のエミッタサイズは1:1の割
合に設定され、抵抗25に流れる電流I1’はトランジ
スタ21及び22に1:1に分流される。その結果、ト
ランジスタ21及び22のコレクタ電流はそれぞれ、
0.5・I1’になる。そのうちトランジスタ22のコ
レクタ電流は切換回路27に流れる。
【0014】さらに、トランジスタ23及び24にも、
トランジスタ21及び22と同様なことが言える。つま
り、トランジスタ23及び24も、トランジスタ2とミ
ラー接続され、トランジスタ2のコレクタ電流I1を反
転する。そして、トランジスタ23及び24のエミッタ
が共通接続され、トランジスタ23及び24のコレクタ
電流及び抵抗26に流れる電流は等しく電流I1’にな
る。ここで、トランジスタ23及び24のエミッタサイ
ズは3:1に設定されている。その為、抵抗26の電流
I1’はトランジスタ23及び24に3:1に分流され
る。その結果、トランジスタ23及び24のコレクタ電
流はそれぞれ、0.75・I1’、0.25・I1’に
なり、トランジスタ24のコレクタ電流0.25・I
1’は切換回路28に流れる。
【0015】ところで、ザッピング回路20からの切換
信号a乃至dが、切換回路14〜16、27及び28に
それぞれ印加される。切換回路の可動端子は切換信号a
乃至dに応じて電源電圧Vcc側または利用回路19側
に切り換えられる。例えば、切換回路27において、ト
ランジスタ22のコレクタ電流0.5・I1は、「L」
レベルの切換信号dに応じて電源電圧Vcc側に流れ、
また、「H」レベルの切換信号dに応じて利用回路19
に流れる。このように、切換回路のうち、切換信号に応
じて可動端子が利用回路19側に切り換わった切換回路
の出力電流が利用回路19に流れる。よって、可動端子
が利用回路19側に切り換わる切換回路を組み合わせる
ことにより、電流Iaが変わる。
【0016】切換信号a乃至eに対応するとともに、切
換回路14〜16、27及び28が電源電圧Vcc側に
切り換わったとき0となり、利用回路19側に切り換わ
ったとき1になる係数a、b、c、d、eを用いると、
利用回路19に流れる電流Iaは、式(2)と同じく成
る。つまり、トランジスタ21及び22と、トランジス
タ23及び24とがエミッタ共通接続され、エミッタサ
イズをそれぞれ1:1、3:1に設定することにより、
0.5・I1’、0.25・I1’の電流を生成するこ
とができるため、従来例と同一の関係式を生成できる。
よって、ザッピング回路20を調整して、切換信号a乃
至dを発生し、それに応じて切換回路の組み合わせを調
整すると、所望の電流Iaが得られる。
【0017】図1においては、トランジスタ4乃至6の
エミッタに接続される抵抗9乃至111の値を、R、2
R、4Rと設定したが、これに限らず、所望の電流調整
ステップに応じてこの抵抗の大きさを任意に設定するこ
とも可能である。但し、図1のように、トランジスタ抵
抗の大きさを、2進数のステップで抵抗の大きさを設定
すれば、それぞれの抵抗に流れる電流量は2進数のステ
ップで変わるため、電流調整を精度よく行うことができ
る。
【0018】また、図1において、差動対を構成するト
ランジスタのエミッタサイズを、1:1、3:1と設定
したが、これに限らず、所望の電流調整ステップに応じ
てエミッタサイズを任意に設定することも可能である。
特に、差動対がm個のとき、エミッタサイズを1:|2
−2m-1|に設定すれば、トランジスタ4乃至6ととも
に、2進数のステップで設定された電流を生成すること
ができ、その為、電流調整を精度良く行うことができ
る。
【0019】ところで、図2の従来では、電流調整の精
度を高めるため抵抗の大きさを大きくしており、例え
ば、抵抗3に流れる電流の0.25倍の電流を生成する
とき、抵抗3の4倍の抵抗13が必要であった。それに
対して、図1では、上記と同一の電流を生成するとき、
抵抗3と同一の抵抗26を接続し、新たにトランジスタ
24よりエミッタサイズが3倍のトランジスタ23を設
けている。つまり、図1では、従来よりも、抵抗の大き
さを1/4とし、代わりにエミッタサイズが3倍のトラ
ンジスタ23を付加してることになる。ここで、IC化
した場合、抵抗3や抵抗9乃至11、そして抵抗25及
び26に流れる電流は微小であったり、微小電流ずつ調
整するため、これらの抵抗のチップ面積はトランジスタ
のチップ面積に比べ大きくなる。特に、エミッタサイズ
が3倍のトランジスタをIC化しても、そのチップ面積
は抵抗のチップ面積よりも小さくなる。よって、抵抗の
大きさの低減に起因するチップ面積の減少が、トランジ
スタの付加に起因するチップ面積の増大よりも上回る。
その為、図1の回路を用いることによって、従来よりチ
ップ面積を低減することができる。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、ダイオード接続される
と共に、第1抵抗の大きさに応じて定電流を発生する第
1トランジスタに対して、ミラー接続されたトランジス
タの共通エミッタに流れる動作電流を、エミッタサイズ
の割合に応じて分流する差動対を使用することにより、
調整ステップが従来と変わらない電流調整回路を構成す
ることができる。特に、IC化の際、差動対を構成する
ため、トランジスタを新たに付加しても、新たなトラン
ジスタのチップ面積が第1抵抗等のチップ面積より十分
に小さいため、チップ面積の増加を招かないという効果
を奏する。
【0021】また、第1トランジスタにミラー接続され
るトランジスタのエミッタに接続される抵抗の大きさを
第1抵抗の2n-1に設定するので、電流調整回路の電流
調整の変化ステップが2進数のステップになり、高精度
な電流調整を達成することができる。さらに、差動対を
構成するトランジスタのエミッタサイズを|2−2m- 1
|とするので、差動対に係わる電流調整の変化ステップ
も2進数のステップになり、これによって高精度な電流
調整を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す回路図である。
【図2】従来例を示す回路図である。
【符号の説明】
1 定電圧回路 14、15、16、27、28 切換回路 19 利用回路 20 ザッピング回路

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイオード接続されるとともに、エミッ
    タに第1抵抗が接続された第1トランジスタと、 前記第1トランジスタとミラー接続されると共に、エミ
    ッタに接続される抵抗が各々異なる大きさに設定された
    n(nは1以上の整数)個以上のトランジスタと、 それぞれのトランジスタが前記第1トランジスタとミラ
    ー接続されると共に、エミッタサイズの比が各々異なる
    ように設定されたトランジスタから成る、m(mは1以
    上の整数)個以上の差動対と、 切換信号を発生する切換信号発生回路と、 前記n個以上のトランジスタのコレクタ電流、または、
    前記差動対の一方のトランジスタのコレクタ電流を、切
    換信号に応じてそれぞれ切り換える複数の切換回路と、 により構成され、前記複数の切換回路の出力信号を加算
    することを特徴とする電流調整回路。
  2. 【請求項2】 前記n個以上のトランジスタのエミッタ
    に接続される抵抗は、それぞれ前記第1の抵抗の2n-1
    倍に設定されることを特徴とする請求項1記載半導体集
    積回路の電流調整回路。
  3. 【請求項3】 前記m個以上の差動対を構成するトラン
    ジスタのエミッタサイズは、それぞれ1:|2−2m-1|
    に設定されることを特徴とする請求項1記載の電流調整
    回路。
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