JP3318391B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置、各
種電子機器類のディスプレイにおける表示パネル中の要
素である青色発光部分あるいは、表示装置に単体で用い
られる青色発光素子（ＬＥＤ）、その他ＣＤプレーヤや
ＬＤプレーヤ中の信号読み取り、書き込み発光素子、バ
ーコードリーダの発光素子等として使用される半導体発
光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１９はこの種の半導体発光装置の基本
的構成と、それに対応するエネルギバンドの状態を模式
的に示している。一般に、半導体発光装置はＮ型半導体
基板Ａの表面に、半導体Ｎ型層Ｂ1、活性層Ｂ2、半導体
Ｐ型層Ｂ3 をその順序でＭＢＥ（Molecular Beam Epita
xy）成長してなるＰＮ接合構造の半導体膜Ｂを形成して
あり、さらにＮ型基板Ａと、半導体膜最上層の半導体Ｐ
型層Ｂ3とに金属電極Ｅ1、Ｅ2 を設けている。
【０００３】周知のように上記構成の半導体装置のエネ
ルギバンド構造では、半導体Ｎ型層Ｂ1、半導体Ｐ型層
Ｂ3のエネルギレベルが高く、ＰＮ接合部である活性層
Ｃがエネルギレベルの谷間をなす形となるため、電極Ｅ
2、Ｅ1間に順方向のバイアス電圧を印加すると、これに
よって注入されたキャリア、つまり正孔ｈや電子ｅがエ
ネルギレベルの低い活性層Ｃに閉じ込められて再結合す
ることにより自然光を発する。また、半導体レーザでは
励起電流が閾値を越えたとき、活性層Ｃの平行両端面間
で光が共振してレーザ発振が起こる。
【０００４】ところで、従来では前述のような青色に発
光する半導体発光装置を作製する場合、前記半導体膜Ｂ
はGaAs基板に直接、または該GaAs基板上に成長した該Ga
As基板と同一導電型のIII−V族半導体膜を介して、ZnCd
SSe系またはMgZnCdSSe系のII−VI族半導体をエピタキシ
ャル成長させていた。
【０００５】図２０は上記半導体発光装置の従来例を示
している。この図に示された従来装置はＮ型GaAs基板４
１上にZnCdSSe系またはMgZnCdSSe系のII−VI族半導体膜
４２を形成した、いわゆるZnSe系の青色発光半導体レー
ザである。
【０００６】II−VI族半導体膜４２はバッファ層である
Ｎ型ZnSe層４３、クラッド層であるＮ型ZnSSe層４４、
活性層であるZnCdSe層４５、クラッド層である Ｐ型ZnS
Se層４６及びバッファ層であるＰ型ZnSe層４７をその順
序で基板４１上にＭＢＥ成長させることによりＰＮ接合
構造を形成したものであり、このII−VI族半導体膜最上
層のＰ型ZnSe層４７上に直接、Au等の金属を蒸着して電
極４８を形成してある。４９は基板４１の裏面に形成さ
れた電極である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来構
成の半導体装置では図２１に示したエネルギバンド構造
から明らかなように、III−V族半導体であるＮ型GaAs基
板４１と、II−VI族半導体膜４２のＮ型ZnSe層４３との
間には、エネルギバンドの可成り大きなバンド不連続が
存在しているため、障壁電位ΔＶが生じてしまう。な
お、図１９及び図２１における破線矢印は電子ｅの流れ
を示している。
【０００８】従って、電極４８、４９間には相当な高電
圧を印加しないと、電子ｅが該障壁電位ΔＶを越えるの
に必要な電流が得られないため、装置の駆動に要する消
費電力が大きくなるだけでなく、該装置に数十Ａという
大電流が流れることから、装置内の電流密度が非常に高
くなるため、駆動時の発熱が避けられない等の問題点が
あった。
【０００９】このような問題点は前記従来例とは逆に、
Ｐ型GaAs基板を用いた場合にも同様に生起し得るもので
あり、この場合、正孔ｈがＰ型GaAs基板とII−VI族半導
体膜との間の電位障壁を越えるのに必要な電流が得られ
るだけの電圧を両電極間に印加する必要があるため、Ｎ
型GaAs基板を用いた場合と同様に、電力消費及び駆動時
における発熱の問題が生じる。
【００１０】また、GaAs基板上に、該基板と同一導電型
のIII−V族半導体膜を成長させたものについても、該II
I−V族半導体膜とII−VI族半導体膜間にバンドギャップ
が存在するため、上記と同様の問題点が生じる。
【００１１】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、III−V族半導体膜とII−VI族半
導体膜との間の障壁電位を小さくして、両者間における
電圧／電流特性を改善し、低い電圧で必要な電流が流れ
るようにすることにより、消費電力及び発熱量を減少さ
せ、また、半導体発光装置全体の温度特性の改善を図る
ことを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光装置
は、半導体Ｎ型層と半導体Ｐ型層とを活性層を挟んで積
層状に配してなるＰＮ接合構造の半導体膜を、GaAs基板
に直接、または該GaAs基板上に成長した該GaAs基板と同
一導電型のIII−V族半導体膜上に成長し、さらに前記半
導体膜とGaAs基板の互いに対向する外表面にそれぞれ電
極を形成したものを対象としている。
【００１３】そして、本発明では上記目的を達成するた
めに、前記半導体膜をZnCdSSe系またはMgZnCdSSe系のII
−VI族半導体により形成するとともに、該II−VI族半導
体膜と前記GaAs基板またはIII−V族半導体膜との間に、
前記GaAs基板と同一導電型のZnSeとAlGaAsとにより構成
されるZnSe−AlGaAs超格子層を介在させている。
【００１４】上記構成において、III−V族半導体膜はGa
As基板上にAlGaAs膜を成長させることにより形成するこ
とができる。また、ZnSe−AlGaAs超格子層は、ZnSeとAl
GaAsとを一定の膜厚比で交互に積層状に成長させるか、
あるいはII−VI族半導体膜に近づくほどZnSeの膜厚が大
きく、GaAs基板またはIII−V族半導体膜に近づくほどAl
GaAsの膜厚が大きくなるように膜厚比を連続的に変化さ
せて交互に積層状に成長させることにより形成すること
ができる。
【００１５】なお、Ｎ型GaAs基板または該GaAs基板上に
成長したＮ型III−V族半導体膜上にII−VI族半導体膜を
形成したものでは、該半導体Ｐ型層と電極との間に、Ｐ
型GaAs膜とＰ型InGaAs膜とのいずれか一方を形成する
か、あるいはその両方の膜をその順序で積層状に形成す
る。さらには、Ｐ型AlGaAs膜とＰ型GaAs膜とをその順序
で積層状に形成することにより、II−VI族半導体膜と電
極間に存在するショットキー型のエネルギ障壁を段階状
のパターンとするようにしてもよい。
【００１６】
【作用】上記構成においては、ZnSe−AlGaAs超格子層の
エネルギレベルは、GaAs基板またはIII−V族半導体膜の
エネルギレベルとII−VI族半導体膜のエネルギレベルと
の中間に位置している。一般に、正負電極間のＰＮ接合
構造を流れる電流量はエネルギ障壁の高さに対して指数
関数的に減少する。
【００１７】従って、従来構成のように、GaAs基板また
はIII−V族半導体膜とII−VI族半導体膜との間に単一の
大きなエネルギ障壁があるよりも、上記のように中間の
エネルギレベルが存在していると、電流が流れやすくな
るため、同一電位差のエネルギ障壁であっても、電子ま
たは正孔がGaAs基板またはIII−V族半導体膜とII−VI族
半導体膜との間の障壁電位を越えるのに必要な電流を得
るための電圧を、従来に比べて大きく低下させることが
可能になる。
【００１８】ZnSeとAlGaAsとを一定の膜厚比で交互に積
層状に成長させた超格子層を有するものでは、GaAs基板
またはIII−V族半導体膜とII−VI族半導体膜との間に中
間バンドギャップが入ることになる。従って、GaAs基板
からII−VI族半導体膜に至る間のエネルギバンドの様子
は、段階的に小さい電位障壁が存在する形となるため、
バンド不連続が小さくなり、Ｎ型基板を用いたもの、あ
るいはＰ型基板を用いたもののいずれの場合も、電流が
流れやすくなる。
【００１９】また、II−VI族半導体膜に近づくほどZnSe
の膜厚が大きく、GaAs基板またはIII−V族半導体膜に近
づくほどAlGaAsの膜厚が大きくなるように膜厚比を連続
的に変化させて交互に積層状に成長させた超格子層を有
するものでは、エネルギバンドはGaAs基板またはIII−V
族半導体膜とII−VI族半導体膜との間で連続的に変化す
ることとなり、両者間のバンド不連続が殆ど存在しなく
なるため、更に電流が流れやすくなる。
【００２０】Ｎ型基板を用いたものにおいて、II−VI族
半導体膜と電極間に両者の中間レベルのエネルギバンド
をもつＰ型膜を介在させた場合、エネルギレベルは電極
＜Ｐ型InGaAs膜＜Ｐ型GaAs膜＜Ｐ型AlGaAs膜＜II−VI族
半導体膜の順に高くなる。従って、いずれのＰ型膜を備
えたものにおいても、電極からII−VI族半導体膜に至る
間のエネルギバンドの様子は、段階的にレベル差が作ら
れている状態となるため、同一電位差のエネルギ障壁で
あっても、正孔が電極と半導体Ｐ型層との間のエネルギ
障壁を越えるのに必要な電流を得るための電圧を従来と
比べて大きく低下させることが可能になる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を半導体レーザ装置に適用した
実施例について図面を参照しながら説明する。図１〜図
５は本発明の第１実施例を示している。図１は本実施例
の構成を模式的に示す断面図である。この図に示す装置
は、Ｎ型GaAs基板１上に後述するＮ型AlGaAs膜２、Ｎ型
ZnSe−AlGaAs超格子層３及び ZnCdSSe系のII−VI族半導
体膜４を成長し、且つ、II−VI族半導体膜４の表面とＮ
型GaAs基板１の裏面にAu等の金属からなる対向電極５、
６を形成してなる青色発光半導体レーザである。
【００２２】なお、本実施例では、GaAs基板に設けられ
た電極６は全面電極としているが、II−VI族半導体膜４
上の電極５は一定幅の帯状に形成してある。このような
帯状電極５では電流拡散が防止され、電流が効率よく発
光に寄与する点で有効であるが、本発明における電極形
状は必ずしもこれに限定されるものではない。
【００２３】II−VI族半導体膜４は、バッファ層である
Ｎ型ZnSe層７、クラッド層であるＮ型ZnSSe層８、ZnCdS
e層９、クラッド層であるＰ型ZnSSe層１０及びバッファ
層であるＰ型ZnSe層１１をその順序でＭＢＥ成長させた
ものであって、これによりＮ型ZnSe層７及びＮ型ZnSSe
層８からなる半導体Ｎ型層１２と、Ｐ型ZnSSe層１０及
びＰ型ZnSe層１１からなる半導体Ｐ型層１３との間に活
性層としてのZnCdSe層９が挟み込まれたＰＮ接合構造を
備えている。
【００２４】Ｎ型GaAs基板１及び該基板１上に成長させ
たＮ型AlGaAs膜２は共にIII−V族半導体により構成され
ているので、以下、該Ｎ型GaAs基板１及びＮ型AlGaAs膜
２の積層構造をIII−V族Ｎ型半導体層１４と呼ぶ。図２
にIII−V族Ｎ型半導体層１４とII−VI族半導体膜４間の
エネルギバンドを模式的に示している。図２に示すよう
に、III−V族Ｎ型半導体層１４とII−VI族半導体膜４間
には有意なエネルギギャップが存在しており、本実施例
では該エネルギギャップを分割するべく、両者１４、４
間に前述のＮ型ZnSe−AlGaAs超格子層３を介在させてい
る。
【００２５】図３はＮ型ZnSe−AlGaAs超格子層３の構造
を模式的に示している。このＮ型超格子層３は原子間距
離を基準単位とするようなＮ型ZnSeとＮ型AlGaAsの極薄
膜を交互に積層状に成長させたもので、本実施例ではＮ
型ZnSe膜３ａの膜厚Ｂと、Ｎ型AlGaAs膜３ｂの膜厚Ｗと
の比Ｂ：Ｗが超格子層３の全層に亙って一定となるよう
に構成されている。なお、図３における斜線部分はＮ型
ZnSeを、白抜き部分はＮ型AlGaAsを示す。
【００２６】図４は図２におけるIV部を拡大して示して
いる。いま、III−V族Ｎ型半導体層１４のエネルギレベ
ルをv1とし、II−VI族半導体膜４のエネルギレベルをv2
とすると、Ｎ型超格子層３は微視的に観察すれば、Ｎ型
ZnSe膜３ａの膜厚Ｂに対応する部分ではII−VI族半導体
膜４のエネルギレベルv2と同レベルとなり、Ｎ型AlGaAs
膜３ｂの膜厚Ｗに対応する部分ではIII−V族Ｎ型半導体
層１４のエネルギレベルv1と同レベルとなる。
【００２７】ところが巨視的には図２に示すように、Ｎ
型超格子層３のエネルギレベルは両方のエネルギレベル
v1、v2がその膜厚比に従って平均化されるため、III−V
族Ｎ型半導体層１４とII−VI族半導体膜４との中間レベ
ルとしての機能を有するものとなる。
【００２８】しかも、該Ｎ型超格子層３はIII−V族Ｎ型
半導体層１４とII−VI族半導体膜４間に介在しているこ
とにより、III−V族Ｎ型半導体層１４からII−VI族半導
体膜４までのエネルギバンド構造は、Ｎ型超格子層３に
よる中間バンドギャップが入って、段階的にレベル差が
作られている状態となるため、障壁電位は２段階に分割
された形となってバンド不連続が小さくなる。
【００２９】上記構成において、電極５、６間に順方
向、つまり電極５から電極６へバイアス電圧を印加する
と、電流は電極５からII−VI族半導体膜４へと流れ、該
電流によって正孔ｈが電極５とII−VI族半導体膜４との
間のエネルギ障壁を越えて、半導体Ｐ型層１３から活性
層であるZnCdSe層９へと流れ込む。同様に電子ｅがＮ型
GaAs基板１、Ｎ型AlGaAs層２及びＮ型超格子層３を経て
半導体Ｎ型層１２からZnCdSe層９へと流れ込む。
【００３０】このようにしてキャリアが注入されること
により、エネルギレベルの低いZnCdSe層９に閉じ込めら
れた電子ｅと正孔ｈの再結合が起こり、該ZnCdSe層９か
ら自然光を放出する。さらに、励起電流が閾値を越える
と、自然光の放出から誘導放出に移行し、ZnCdSe層９の
平行両端面間で光が共振してレーザ発振が起こる。
【００３１】図５は電子ｅがIII−V族Ｎ型半導体層１４
からII−VI族半導体膜４までに存在するエネルギギャッ
プを乗り越える状態を模式的に示している。この図にお
いて、Ｎ型AlGaAs層２とＮ型超格子層３間の障壁電位を
ΔＶ1 、Ｎ型超格子層３とＮ型ZnSe層７間の障壁電位を
ΔＶ2 としたとき、ΔＶ1とΔＶ2の和は、図２１に示し
た従来構成のIII−V族基板４１とII−VI族半導体膜４２
間の電位差ΔＶとほぼ等しいが、電極５、６間のＰＮ接
合構造を流れる電流量はエネルギ障壁の高さに対して指
数関数的に減少する。
【００３２】従って、本実施例のようにＮ型超格子層３
によってエネルギバンドが２段階に分割されていると電
流が流れやすくなるため、同一電位差のエネルギギャッ
プであっても、電子ｅがIII−V族Ｎ型半導体層１４とII
−VI族半導体膜４との間の障壁電位を越えるのに必要な
電流を得るための電圧は、従来と比べて大きく低下させ
ることが可能になる。なお図５中、破線矢印は電子ｅの
流れを示している。
【００３３】次に、上記構成の半導体レーザー装置の製
造工程の一例を説明すると、まず基板温度が３５０℃以
下の所定温度値に設定されたＮ型GaAs基板１上に、Ｎ型
AlGaAs層２をＭＢＥ成長した上で、該Ｎ型AlGaAs層２上
にＮ型ZnSe−AlGaAs超格子層３を作る。次いで、Ｎ型Zn
Se−AlGaAs超格子層３上にZnCdSSe系のII−VI族半導体
膜４をＭＢＥ成長させることにより、Ｎ型ZnSe層７、Ｎ
型ZnSSe層８、ZnCdSe層９、Ｐ型ZnSSe層１０及びＰ型Zn
Se層１１を積層状に形成する。
【００３４】このようにして形成されたＰ型ZnSe層１１
には電極５となるAu等の金属を蒸着し、さらに不要部分
をエッチング等の手法により除去して、該電極５を帯状
に成形する。なお、Ｎ型GaAs基板１の裏面にも電極６と
なる全面電極を同様の手法により形成する。
【００３５】なお、上記実施例では、II−VI族半導体膜
４はZnCdSSe系II−VI族半導体により構成されているも
のを示したが、その他、該半導体膜４をMgZnCdSSe系II
−VI族半導体により構成しても、同様の作用、効果を得
ることができる。また、Ｎ型GaAs基板１上にＮ型AlGaAs
層２を成長させた上で、該Ｎ型AlGaAs層２にＮ型超格子
層３を成長させたものとしているが、その他、Ｎ型GaAs
基板１上に直接、Ｎ型超格子層３を成長させるようにし
てもよい。
【００３６】図６〜図１０は本発明の第２実施例を示し
ている。これらの図に示した本実施例の半導体レーザ装
置は、Ｐ型GaAs基板２１上にＰＮ接合構造を成長させた
ものである。即ち、本実施例では図６に示すように、Ｐ
型GaAs基板２１上にＰ型AlGaAs膜２２を成長し、該Ｐ型
AlGaAs膜２２上にＰ型ZnSe−AlGaAs超格子層２３を作っ
た上で、 ZnCdSSe系のII−VI族半導体膜２４を成長し、
さらにII−VI族半導体膜２４の表面とＰ型GaAs基板２１
の裏面にAu等の金属からなる対向電極２５、２６を形成
している。
【００３７】II−VI族半導体膜２２は、バッファ層であ
るＰ型ZnSe層２７、クラッド層であるＰ型ZnSSe層２
８、ZnCdSe層２９、クラッド層であるＮ型ZnSSe層３０
及びバッファ層であるＮ型ZnSe層３１をその順序でＭＢ
Ｅ成長させたものであり、前記第１実施例のものと同様
に、ＰＮ接合部に活性層としてのZnCdSe層２９を挟み込
んだ構成を備えている。
【００３８】図７にＰ型GaAs基板２１及びＰ型AlGaAs膜
２とにより構成されるIII−V族Ｐ型半導体層３４と、II
−VI族半導体膜２４間のエネルギバンドの状態を模式的
に示しており、この図に示すように前記両者３４、２４
間に前述のＰ型ZnSe−AlGaAs超格子層２３を介在させて
ある。
【００３９】図８はＰ型ZnSe−AlGaAs超格子層２３の構
造を模式的に示している。このＰ型超格子層２３も前記
第１実施例と同様に、Ｐ型ZnSeとＰ型AlGaAsの極薄膜を
交互に積層状に成長させたもので、本実施例では、II−
VI族半導体膜２４に近づくほどＰ型ZnSe膜２３ａの膜厚
が大きく、III−V族半導体層３４に近づくほどＰ型AlGa
As膜２３ｂの膜厚が大きくなるように膜厚比を連続的に
変化させてある。なお、図８における斜線部分はＰ型Zn
Seを、白抜き部分はＰ型AlGaAsを示す。
【００４０】図９は図７におけるIX部を拡大して示して
いる。この図に示すように、III−V族Ｐ型半導体層３４
のエネルギレベルをv1とし、II−VI族半導体膜２４のエ
ネルギレベルをv2とすると、Ｐ型超格子層２３は微視的
に観察すれば、Ｐ型ZnSe膜２３ａの膜厚に対応する部分
ではII−VI族半導体層３４のエネルギレベルv2と同レベ
ルとなり、Ｐ型AlGaAs膜２３ｂの膜厚に対応する部分で
はIII−V族Ｐ型半導体層３４のエネルギレベルv1と同レ
ベルとなる。
【００４１】この場合、Ｐ型超格子層２３におけるII−
VI族半導体膜２４に近い点ｐと、III−V族半導体層３４
に近い点ｑを考えると、点ｐにおいてはＰ型ZnSe膜２３
ａの膜厚Ｂ1がＰ型AlGaAs膜２３ｂの膜厚Ｗ1よりも大き
くなり、逆に、点ｑにおいてはＰ型AlGaAs膜２３ｂの膜
厚Ｗ2がＰ型ZnSe膜２３ａの膜厚Ｂ2よりも大きくなる。
このように両者２３ａ、２３ｂの膜厚比が連続的に変化
することにより巨視的には、図７に示すように、Ｐ型超
格子層２３のエネルギバンドは両方のエネルギバンド間
を繋ぐ傾斜状パターンとなる。
【００４２】しかも、該Ｐ型超格子層２３はIII−V族Ｐ
型半導体層３４とII−VI族半導体膜２４間に位置してい
るため、III−V族Ｐ型半導体層３４からII−VI族半導体
膜２４までのエネルギバンド構造は、Ｐ型超格子層３の
エネルギバンドの介入により、段差、つまりバンド不連
続がなくなる。
【００４３】上記構成においては、Ｐ型GaAs基板２１側
の電極２６からＮ型ZnSe層３１側の電極２５への電圧印
加が順方向となるが、該電圧印加時、電流はＰ型GaAs基
板２１からII−VI族半導体膜２４へと流れ、該電流によ
って正孔ｈがIII−V族Ｐ型半導体層３４とII−VI族半導
体膜２４との間のエネルギ障壁を越えて、半導体Ｐ型層
３２からZnCdSe層２９へと流れ込み、同様に電子ｅは半
導体Ｎ型層３３からZnCdSe層９へと流れ込む。
【００４４】図１０は正孔ｈがIII−V族半導体層３４か
らII−VI族半導体膜２４までに存在するエネルギギャッ
プを乗り越える状態を模式的に示している。この図に示
すように、Ｐ型超格子層２３のバンドパターンはＰ型Al
GaAs層２２とＰ型ZnSe層２７間の電位差ΔＶ間において
障壁電位を生じないので、電子ｅがIII−V族Ｐ型半導体
層３４とII−VI族半導体膜２４との間の障壁電位ΔＶを
越えるのに必要な電流を得るための電圧を低下させるこ
とが可能になる。なお、図１０中、実線矢印は正孔ｈの
流れを示している。
【００４５】なお、上記第１実施例の超格子層３と、第
２実施例の超格子層２３とでは、ZnSe膜とAlGaAs膜の膜
厚比が相違している点で構成が異なっているが、両者に
おけるZnSe膜とAlGaAs膜との導電型を各実施例装置に対
応させることにより、いずれの超格子層を適用しても差
し支えない。
【００４６】ところで、前掲の図１に示すように上記第
１実施例装置では、Ｐ型ZnSe層１１上に金属電極５を直
接形成しているが、該ZnSe系Ｐ型半導体は金属と直接接
合された状態では、両者１１、５間にショットキー型の
電圧／電流特性が生じることが知られている。
【００４７】即ち、図１１に示したエネルギバンド構造
から明らかなように、電極５、６間に順方向バイアスを
印加すると、II−VI族半導体膜４の表層をなすＰ型ZnSe
層１１と金属電極５との間に、急峻なショットキー型の
エネルギ障壁ΔV'が生じるため、相当な高電圧を印加し
ないと、正孔ｈが該エネルギ障壁ΔV'を越えるのに必要
な電流が得られない。
【００４８】図１２〜図１４は上記のような不都合を解
決するためになされた本発明の第３実施例を示してい
る。なお、本実施例で前記第１実施例と構成及び作用が
共通する部分には共通の符号を付して、重複を避けるた
めにその説明を省略する。本実施例では、II−VI族半導
体膜最上層のＰ型ZnSe層１１上に、ＭＢＥ成長させたＰ
型GaAs膜３５を形成してあり、その上で該Ｐ型GaAs膜３
５上にAu等の金属を蒸着して電極５を形成している。
【００４９】上記構成において、電極５、６間に順方向
バイアスを印加すると、電流は電極５及びＰ型GaAs膜３
５を経てII−VI族半導体膜４へと流れ、該電流によって
正孔ｈが電極５とＰ型ZnSe層１１との間のエネルギ障壁
を越えて、半導体Ｐ型層１３から活性層であるZnCdSe層
９へと流れ込む。
【００５０】図１３は本実施例における電極５からＰ型
ZnSe層１１までのエネルギバンドを示している。この図
に示すように各層のエネルギレベルは、電極５＜Ｐ型Ga
As膜３５＜Ｐ型ZnSe層１１の順序で高くなっている。従
って、電極５からＰ型ZnSe層１１に至る間のエネルギ障
壁はＰ型GaAs膜３５が介在することにより、ΔV1'、ΔV
2'の２段階に分割された形となる。
【００５１】そして、これらΔV1'、ΔV2'の和は、図１
１に示した第１実施例における電極５とＰ型ZnSe層１１
間の電位差ΔV'とほぼ等しいものであるが、この場合
も、電極５、６間のＰＮ接合構造を流れる電流量はエネ
ルギ障壁の高さに対して指数関数的に減少するので、正
孔ｈが電極５とＰ型ZnSe層１１間のエネルギ障壁を越え
るのに必要な電流を得るための電圧を大きく低下させる
ことができる。
【００５２】図１４は本実施例及び従来例の電圧／電流
特性を示している。この図から明らかなように、本実施
例では従来例と比較して、同一電位差のエネルギ障壁で
あっても低電圧で必要な電流を得ることができる。従っ
て、本実施例では、III−V族Ｎ型半導体層１４とII−VI
族半導体膜４間にＮ型超格子層３を介在させたことによ
って、該III−V族Ｎ型半導体層１４とII−VI族半導体膜
４間の電位障壁を電子ｅが乗り越えやすく構成している
ことと相俟って、さらに低電圧で装置を動作させること
ができる。
【００５３】なお、Ｐ型GaAs膜３５に代えて、該Ｐ型Ga
As膜３５と同様にエネルギ障壁のレベルがＰ型ZnSe層１
１と金属電極５の中間レベルとなるＰ型InGaAs膜を用い
ても同様の作用、効果を得ることができる。
【００５４】図１５及び図１６は本発明の第４実施例を
示している。なお、本実施例で前記第１、第３実施例と
構成及び作用が共通する部分には共通の符号を付して、
重複を避けるためにその説明を省略する。本実施例で
は、II−VI族半導体膜最上層のＰ型ZnSe層１１上に、Ｍ
ＢＥ成長させたＰ型GaAs膜３５を形成し、さらに該Ｐ型
GaAs膜３５上に、同様にＭＢＥ成長させたＰ型InGaAs膜
３６を形成してあり、その上で該Ｐ型InGaAs膜３６上に
Au等の金属を蒸着して電極５を形成している。
【００５５】上記構成において、電極５、６間に順方向
バイアスを印加すると、電流は電極５、Ｐ型InGaAs膜３
６及びＰ型GaAs膜３５を経てII−VI族半導体膜４へと流
れ、該電流によって正孔ｈが電極５とII−VI族半導体膜
４との間のエネルギ障壁を越えて、半導体Ｐ型層１３か
ら活性層であるZnCdSe層９へと流れ込む。
【００５６】図１６は本実施例における電極５からＰ型
ZnSe層１１までのエネルギバンドを示している。この図
に示すように各層のエネルギレベルは、電極５＜Ｐ型In
GaAs膜３６＜Ｐ型GaAs膜３５＜Ｐ型ZnSe層１１の順に高
くなっている。従って、電極５からＰ型ZnSe層１１に至
る間のエネルギ障壁はＰ型InGaAs膜３６及びＰ型GaAs膜
３５が介在することにより、電位差ΔVa'、ΔVb'、ΔV
c' の３段階に分割された形となるので、前記第３実施
例よりも更に電流が流れやすくなる。
【００５７】そして、これらの電位差 ΔVa'、ΔVb'、
ΔVc'の和は、図１１に示した第１実施例における電極
５とＰ型ZnSe層１１間の電位差ΔV'とほぼ等しいもので
あるが、この場合も、電極５、６間のＰＮ接合構造を流
れる電流量はエネルギ障壁の高さに対して指数関数的に
減少するので、正孔ｈが電極５とＰ型ZnSe層１１間のエ
ネルギ障壁を越えるのに必要な電流を得るための電圧を
大きく低下させることができる。
【００５８】このように本実施例においても、上記第３
実施例と同様に、III−V族Ｎ型半導体層１４とII−VI族
半導体膜４間にＮ型超格子層３を介在させたことによっ
て、該III−V族Ｎ型半導体層１４とII−VI族半導体膜４
間の電位障壁を電子ｅが乗り越えやすく構成しているこ
とと相俟って、より一層、低電圧で装置を動作させるこ
とができる。
【００５９】図１７及び図１８は本発明の第５実施例を
示している。なお、本実施例で前記第１、第３及び第４
実施例と構成及び作用が共通する部分には共通の符号を
付して、重複を避けるためにその説明を省略する。本実
施例では、II−VI族半導体膜最上層のＰ型ZnSe層１１上
に、ＭＢＥ成長させたＰ型AlGaAs膜３７を形成し、さら
に該Ｐ型AlGaAs膜３７上に、同様にＭＢＥ成長させたＰ
型GaAs膜３５を形成してあり、その上で該Ｐ型GaAs膜３
５上にAu等の金属を蒸着して電極５を形成している。
【００６０】上記構成において、電極５、６間に順方向
バイアスを印加すると、電流は電極５、Ｐ型GaAs膜３５
及びＰ型GaAs膜３７を経てII−VI族半導体膜４へと流
れ、該電流によって正孔ｈが電極５とII−VI族半導体膜
４との間のエネルギ障壁を越えて、半導体Ｐ型層１３か
ら活性層であるZnCdSe層９へと流れ込む。
【００６１】図１６は本実施例における電極５からＰ型
ZnSe層１１までのエネルギバンドを示している。この図
に示すように各層のエネルギレベルは、電極５＜Ｐ型Ga
As膜３５＜Ｐ型AlGaAs膜３７＜Ｐ型ZnSe層１１の順に高
くなっている。従って、電極５からＰ型ZnSe層１１に至
る間のエネルギ障壁はＰ型GaAs膜３５及びＰ型AlGaAs膜
３７が介在することにより、電位差ΔVd'、ΔVe'、ΔV
f' の３段階に分割された形となるので、前記第４実施
例と同様に電流が流れやすくなる。
【００６２】そして、これらΔVd'、ΔVe'、ΔVf'の和
は、図１１に示した第１実施例における電極５とＰ型Zn
Se層１１間の電位差ΔV'とほぼ等しいものであるが、こ
の場合も、前記第３及び第４実施例と同様に、電極５、
６間のＰＮ接合構造を流れる電流量はエネルギ障壁の高
さに対して指数関数的に減少するので、正孔ｈが電極５
とＰ型ZnSe層１１間のエネルギ障壁を越えるのに必要な
電流を得るための電圧を大きく低下させることができ
る。
【００６３】従って、本実施例においても、III−V族Ｎ
型半導体層１４とII−VI族半導体膜４間にＮ型超格子層
３を介在させたことによって、該III−V族Ｎ型半導体層
１４とII−VI族半導体膜４間の電位障壁を電子ｅが乗り
越えやすく構成していることと相俟って、より一層、低
電圧で装置を動作させることができる。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によるとき
は、ＰＮ接合構造を有する ZnCdSSe系またはMgZnCdSSe
系のII−VI族半導体膜を、GaAs基板に直接、または該Ga
As基板と同一導電型のIII−V族半導体膜上に成長し、該
II−VI族半導体膜とGaAs基板またはIII−V族半導体膜と
の間に、両者の中間のエネルギレベルとなるZnSe−AlGa
As超格子層を介在させたものとしたので、単一の大きな
エネルギ障壁を存する従来構成のものと比較してＮ型基
板を用いたもの、あるいはＰ型基板を用いたもののいず
れの場合も、電流が流れやすくなる。
【００６５】そして、請求項３のZnSe−AlGaAs超格子層
の構成、即ちZnSeとAlGaAsとを一定の膜厚比で交互に積
層状に成長させたものでは、段階的に小さい電位障壁が
存在する形となってバンド不連続が小さくなる。
【００６６】また、請求項４のZnSe−AlGaAs超格子層の
構成、即ちII−VI族半導体膜に近づくほどZnSeの膜厚が
大きく、GaAs基板またはIII−V族半導体膜に近づくほど
AlGaAsの膜厚が大きくなるように膜厚比を連続的に変化
させて交互に積層状に成長させたものでは、エネルギバ
ンドはGaAs基板またはIII−V族半導体膜とII−VI族半導
体膜との間で連続的に変化することとなり、両者間のバ
ンド不連続が殆ど存在しなくなるため、更に電流が流れ
やすくなる。
【００６７】従って、同一電位差のエネルギ障壁であっ
ても、電子または正孔がGaAs基板またはIII−V族半導体
膜とII−VI族半導体膜との間の障壁電位を越えるのに必
要な電流を得るための電圧を、従来に比べて大きく低下
させることができる。
【００６８】また、II−VI族半導体膜が、Ｎ型ＧａＡｓ
基板または該ＧａＡｓ基板上に成長したＮ型III−V族半
導体膜上に形成されたＰＮ接合構造を備えたものにおい
て、II−VI族半導体膜と電極間に両者の中間レベルのエ
ネルギバンドをもつＰ型膜を介在させると、同一電位差
のエネルギ障壁であっても、正孔が電極と半導体Ｐ型層
との間のエネルギ障壁を越えるのに必要な電流を得るた
めの電圧を従来と比べて大きく低下させることができ
る。
【００６９】このように本発明では、III−V族半導体上
にII−VI族半導体を成長させた半導体発光装置におい
て、両者間に超格子層を介在させることによって、電圧
／電流特性が小さな電圧で必要な電流が流れるように改
善されるので、消費電力及び発熱量を効果的に抑制する
ことができるので、半導体発光装置全体の温度特性の改
善を図ることができ、また、装置の劣化速度も抑えられ
て、製品寿命も長くなる等の優れた効果を発揮するもの
となった。
【００７０】また、装置の動作時における発熱が抑制さ
れることによって、III−V族半導体とII−VI族半導体と
の間の熱膨張係数の差による歪みも緩和することでき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施例の構成を模式的に示す断
面図。
【図２】 そのIII−V族半導体層とII−VI族半導体膜間
のエネルギバンドの状態を模式的に示す特性図。
【図３】 Ｎ型超格子層を模式的に示す部分拡大図。
【図４】 図２におけるIV部を模式的に示す部分拡大
図。
【図５】 電子がエネルギギャップを乗り越える状態を
模式的に示す図。
【図６】 本発明の第２実施例の構成を模式的に示す断
面図。
【図７】 そのIII−V族半導体層とII−VI族半導体膜間
のエネルギバンドの状態を模式的に示す特性図。
【図８】 Ｐ型超格子層を模式的に示す部分拡大図。
【図９】 図７におけるIX部を模式的に示す部分拡大
図。
【図１０】 正孔がエネルギギャップを乗り越える状態
を模式的に示す図。
【図１１】 電極とII−VI族半導体膜間のエネルギバン
ドの状態を模式的に示す特性図。
【図１２】 本発明の第３実施例の構成を模式的に示す
断面図。
【図１３】 第３実施例における正孔がエネルギギャッ
プを乗り越える状態を模式的に示す図。
【図１４】 第３実施例と従来例との電圧／電流特性を
比較して示す線図。
【図１５】 本発明の第４実施例の構成を模式的に示す
断面図。
【図１６】 第４実施例における正孔がエネルギギャッ
プを乗り越える状態を模式的に示す図。
【図１７】 本発明の第５実施例の構成を模式的に示す
断面図。
【図１８】 第５実施例における正孔がエネルギギャッ
プを乗り越える状態を模式的に示す図。
【図１９】 一般的な半導体レーザの構成及びそれに対
応するエネルギバンドの状態を模式的に示す図。
【図２０】 従来例の構成を模式的に示す断面図。
【図２１】 そのIII−V族基板とII−VI族ＰＮ接合層間
のエネルギバンドの状態を模式的に示す特性図。
【符号の説明】
１ Ｎ型GaAs基板 ２ Ｎ型AlGaAs膜 ３ Ｎ型ZnSe−AlGaAs超格子層 ４ II−VI族半導体膜 ５ 電極 ６ 電極 ９ 活性層 １２ 半導体Ｎ型層 １３ 半導体Ｐ型層 １４ III−V族Ｎ型半導体層 ２１ Ｐ型GaAs基板 ２２ Ｐ型AlGaAs膜 ２３ Ｐ型ZnSe−AlGaAs超格子層 ２４ II−VI族半導体膜 ２５ 電極 ２６ 電極 ３２ 半導体Ｐ型層 ３３ 半導体Ｎ型層 ３４ III−V族Ｎ型半導体層 ３５ Ｐ型GaAs膜 ３６ Ｐ型InGaAs膜 ３７ Ｐ型AlGaAs膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−200784（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−218565（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−97598（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21893（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21892（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−296687（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−224230（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−272179（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−145883（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 C30B 29/68 H01L 21/12 H01L 33/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体Ｎ型層と半導体Ｐ型層とを活性層
    を挟んで積層状に配してなる半導体膜を、GaAs基板に直
    接、または該GaAs基板上に成長した該GaAs基板と同一導
    電型のIII−V族半導体膜上に成長し、さらに前記半導体
    膜とGaAs基板の互いに対向する外表面にそれぞれ電極を
    形成した半導体発光装置において、前記半導体膜をZnCd
    SSe系またはMgZnCdSSe系のII−VI族半導体により形成す
    るとともに、該II−VI族半導体膜と前記GaAs基板または
    III−V族半導体膜との間に、前記GaAs基板と同一導電型
    のZnSeとAlGaAsとにより構成されるZnSe−AlGaAs超格子
    層を介在させたことを特徴とする半導体発光装置。
  2. 【請求項２】 III−V族半導体膜はGaAs基板上に成長し
    たAlGaAsにより形成されている請求項１の半導体発光装
    置。
  3. 【請求項３】 ZnSe−AlGaAs超格子層は、ZnSeとAlGaAs
    とを一定の膜厚比で交互に積層状に成長させたものであ
    る請求項１の半導体発光装置。
  4. 【請求項４】 ZnSe−AlGaAs超格子層は、II−VI族半導
    体膜に近づくほどZnSeの膜厚が大きく、GaAs基板または
    III−V族半導体膜に近づくほどAlGaAsの膜厚が大きくな
    るように膜厚比を連続的に変化させて交互に積層状に成
    長させたものである請求項１の半導体発光装置。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07231142A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子
US6996150B1 (en) 1994-09-14 2006-02-07 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
DE29511927U1 (de) * 1995-07-24 1997-01-09 THERA Patent GmbH & Co. KG Gesellschaft für industrielle Schutzrechte, 82229 Seefeld Lichtpolymerisationsgerät
JP3457468B2 (ja) * 1995-09-12 2003-10-20 株式会社東芝 多層構造半導体装置
JPH1168158A (ja) * 1997-08-20 1999-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体装置
JP2000022276A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Sony Corp 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子
JP5236847B2 (ja) * 2001-08-10 2013-07-17 克巳 岸野 Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体結晶および光電変換機能素子
JP5313816B2 (ja) * 2009-09-11 2013-10-09 住友電気工業株式会社 窒化物系半導体素子、及び窒化物系半導体素子を作製する方法
US9640716B2 (en) 2015-07-28 2017-05-02 Genesis Photonics Inc. Multiple quantum well structure and method for manufacturing the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3480631D1 (de) * 1983-06-24 1990-01-04 Nec Corp Halbleiterstruktur mit uebergitter hoher traegerdichte.
JPH03104183A (ja) * 1989-09-18 1991-05-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ及びその製造方法
US5262660A (en) * 1991-08-01 1993-11-16 Trw Inc. High power pseudomorphic gallium arsenide high electron mobility transistors
JP2998375B2 (ja) * 1991-12-20 2000-01-11 日本電気株式会社 アバランシェフォトダイオード
US5319219A (en) * 1992-05-22 1994-06-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Single quantum well II-VI laser diode without cladding
KR100292308B1 (ko) * 1992-06-19 2001-09-17 이데이 노부유끼 반도체장치
JPH06104533A (ja) * 1992-09-22 1994-04-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 青色発光素子およびその製造方法
FR2696278B1 (fr) * 1992-09-25 1994-11-18 Thomson Csf Dispositif comprenant des moyens d'injection de porteurs électroniques dans des matériaux à grand gap.
JPH07231142A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子

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