JP3304828B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JP3304828B2 JP3304828B2 JP16952097A JP16952097A JP3304828B2 JP 3304828 B2 JP3304828 B2 JP 3304828B2 JP 16952097 A JP16952097 A JP 16952097A JP 16952097 A JP16952097 A JP 16952097A JP 3304828 B2 JP3304828 B2 JP 3304828B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit substrate
- boundary
- shoulder
- cutting
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
- H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09145—Edge details
- H05K2201/09154—Bevelled, chamferred or tapered edge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09145—Edge details
- H05K2201/0919—Exposing inner circuit layers or metal planes at the side edge of the PCB or at the walls of large holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/0228—Cutting, sawing, milling or shearing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
方法に関し、詳しくは、電極配設面を被覆材で被覆した
ユニット基板(親基板)を、所定の切断ラインに沿って
切断することにより、切断端面に電極の露出した電子部
品素子を得る工程を含む電子部品の製造方法に関する。
面に薄膜コイルパターン(導体パターン)を配設してな
るチップ型コイル部品は、例えば、図9に示すように、
複数の薄膜コイルパターン51が配設され、かつ、その
表面が、絶縁・保護膜(被覆材)52により被覆された
ユニット基板53を所定の位置で切断して、個々の素子
54を切り出す工程を経て製造されている。
面の平滑性、絶縁性、耐熱性、及びチップの小型化にと
もなう微細加工への適性などの見地から、通常は、例え
ばポリイミドなどの樹脂系の材料が用いられている。
で切断して、個々の素子54を切り出す方法として、ス
クライバーを用いてブレイクする方法が知られている
が、この方法は、劈開作用を利用した切り出し方法であ
り、絶縁・保護膜52がスクライブラインを覆っている
と切断することができないため、絶縁・保護膜の周囲に
切断しろ55(図9)を設けるようにしている。
電子部品、特に基板表面に薄膜コイルパターンなどの導
体パターンが配設されたチップ型コイル部品などにおい
ては、性能を維持、向上させるため、導体パターンを形
成することが可能な面積をいかに広く確保することがで
きるかが重要になる。しかし、上記のようにスクライブ
ブレイク工法によりユニット基板を切断する場合には、
導体パターンを形成することが可能な面積を確保するこ
とが困難になり、小型化への要求に十分に応えることが
できないという問題点がある。
て、個々の素子を切り出す他の方法として、ダイシング
ブレードを用いて切断するダイシング工法が広く用いら
れている。このダイシング工法は、加工精度に優れてい
るばかりでなく、絶縁・保護膜も同時に切断することが
できるため、切断しろが不要で、図10に示すように、
ユニット基板53の全面に絶縁・保護膜52を形成する
ことができる。したがって、スクライブブレイク工法な
どに比べてよりチップ外周部まで導体パターン51を形
成することが可能で、素子形成に使用可能な面積を広く
とることができるという利点がある。
用する見地から、図10にも示すように、基板のほぼ全
面に絶縁・保護膜を形成するとともに、外部端子電極と
の接続電極部58を、個々の素子54の端部に配置し、
ダイシングブレードを用いて切断(ダイシングカット)
することにより、切断端面に接続電極を露出させ、外部
電極との接続を行うようにしている。
どの導体パターンが配設されたチップ型コイル部品など
においては、近年、高周波に対応する特性が要求されよ
うになり、基板材料の低誘電率化が不可欠となってい
る。そのため、基板材料として、ガラス、ガラスセラミ
ックス、複合マイカセラミックス、フェライトなどの低
誘電率材料が使用されるようになっており、これらの低
誘電率材料は、従来のアルミナ基板などに比べて、切削
時の衝撃により切断面の接続電極の下側の基板材にチッ
ピングやクラック、剥がれなどが発生しやすく、外部端
子との接続不良などによる信頼性の低下や、基板と接続
電極間との間の剥離によるオープン不良などが生じやす
いという問題点がある。なお、図11(a),(b)は、導
体パターン51(接続電極58)が配設された面を絶縁
・保護膜52で覆ったユニット基板53をダイシングカ
ットした場合の、チッピングC及び剥がれDの発生状態
を模式的に示す図である。
あり、ユニット基板表面の素子形成に使用可能な面積を
広くとることが可能で、かつ、接続信頼性を低下させる
ことなく、所望の性能を備えた電子部品を効率よく製造
することが可能な電子部品の製造方法を提供することを
目的とする。
に、本願発明(請求項1)の電子部品の製造方法は、電
極配設面を被覆材で被覆したユニット基板(親基板)
を、所定の切断ラインに沿って切断することにより、切
断端面に電極の露出した電子部品素子を得る工程を含む
電子部品の製造方法において、前記ユニット基板の前記
電極配設面と切断端面との境界部(肩部)、又は、境界
部(肩部)となる部分と当接する部分が所定の角度で傾
斜した形状を有するブレードを用い、前記ユニット基板
の少なくとも一部を切削することにより、前記境界部
(肩部)、又は、境界部(肩部)となる部分に傾斜面を
形成し、前記電極の一部を前記傾斜面から露出させる工
程を含むことを特徴としている。
境界部(肩部)、又は、境界部(肩部)となる部分と当
接する部分が所定の角度で傾斜した形状を有するブレー
ドを用いてユニット基板の少なくとも一部を切削し、前
記境界部(肩部)、又は、境界部(肩部)となる部分に
傾斜面を形成して、電極の一部を傾斜面から露出させる
ことにより、境界部(肩部)に傾斜面を形成しない場合
(従来の方法)に比べて、電極の露出面積が増大し、外
部端子との電気的接続性が向上するとともに、インダク
タンスにおけるQの向上などの特性が向上する。
を切断ラインに沿って切断する」とは、特に明示してい
る場合を除いて、ダイシングブレードを用いてカットす
る場合や、スクライバーを用いてスクライブブレイクす
る場合などを含む広い概念である。また、本願発明の電
子部品の製造方法においては、ブレードの構成材料とし
ては、例えば、メタル結合材と粒度#200〜#120
0、好ましくは、#600〜#1000のダイヤモンド
粒からなるものなどを用いることが可能である。
製造方法は、電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板(親基板)を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、前記ユニッ
ト基板を前記切断ラインに沿って切断する前に、前記ユ
ニット基板の前記電極配設面と切断端面との境界部(肩
部)となる部分と当接する部分が所定の角度で傾斜した
形状を有するブレードを用い、所定の切断ラインに沿っ
て溝を形成することにより、前記ユニット基板の前記電
極配設面と切断端面との境界部(肩部)となる部分に傾
斜面を形成して、前記電極の一部を前記傾斜面から露出
させた後、前記傾斜面の、少なくとも前記電極の露出し
た部分が残るように、前記ユニット基板を前記切断ライ
ンに沿って切断する工程を含むことを特徴としている。
る前に、電極配設面と切断端面との境界部(肩部)とな
る部分を、該部分に当接する部分が所定の角度で傾斜し
た形状を有するブレードを用いて切削し、切断ラインに
沿って溝を形成し、ユニット基板の前記境界部(肩部)
となる部分に傾斜面を形成して電極の一部を傾斜面から
露出させた後、傾斜面の少なくとも電極の露出した部分
が残るように、ユニット基板を切断ラインに沿って切断
することにより、境界部(肩部)に傾斜面を形成しない
場合(従来の方法)に比べて、電極の露出面積を増やす
ことが可能になり、外部端子との電気的接続性を向上さ
せるとともに、インダクタンスにおけるQの向上などの
特性の改善を図ることが可能になる。
より所定量だけ厚みの小さいダイシングブレードを用
い、溝の略中央部に沿ってユニット基板を切断すること
により、傾斜面の電極の露出した部分を残しつつユニッ
ト基板を切断して個々の電子部品素子を得ることができ
る。
製造方法は、電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板(親基板)を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、前記ユニッ
ト基板を前記切断ラインに沿って切断した後、前記ユニ
ット基板の前記電極配設面と切断端面との境界部(肩
部)と当接する部分が所定の角度で傾斜した形状を有す
るブレードを用いて、前記ユニット基板の前記境界部
(肩部)に傾斜面を形成し、前記電極の一部を前記傾斜
面から露出させる工程を含むことを特徴としている。
た後、電極配設面と切断端面との境界部(肩部)に当接
する部分が傾斜した形状を有するブレードを用いて、ユ
ニット基板の電極配設面と切断端面との境界部(肩部)
に傾斜面を形成し、前記電極の一部を前記傾斜面から露
出させることにより、境界部(肩部)に傾斜面を形成し
ない場合(従来の方法)に比べて、電極の露出面積を確
実に増やして、外部端子との電気的接続性を向上させる
とともに、インダクタンスにおけるQの向上などの特性
の改善を図ることが可能になる。
製造方法は、前記ユニット基板の切断を、ダイシングブ
レードを用いて行うことを特徴としている。ユニット基
板の切断を、ダイシングブレードを用いて行う(すなわ
ち、ダイシングカットする)ことにより、スクライブカ
ットする場合のようにカットしろを設けることを不要に
して、基板表面を最大限に活用することが可能になり、
本願発明をより実効あらしめることができる。
製造方法は、前記ブレードとして、略円盤状で、径方向
の所定の位置より外周側の部分を厚みの小さい肉薄部と
し、前記肉薄部より中心側に近い部分に前記肉薄部より
厚みの大きい肉厚部を形成するとともに、前記肉薄部と
前記肉厚部の境界部を傾斜部としたダイシングブレード
を用い、前記肉薄部によりユニット基板を切断するとと
もに、前記傾斜部により、前記ユニット基板の前記境界
部(肩部)、又は、前記境界部(肩部)となる部分を切
削して、前記境界部(肩部)に傾斜面を形成することを
特徴としている。
された傾斜部を備えたダイシングブレードを用いた場
合、肉薄部によりユニット基板を切断するとともに、傾
斜部により、ユニット基板の電極配設面と切断端面との
境界部(肩部)を切削して、境界部(肩部)に傾斜面を
確実に形成することが可能になる。すなわち、上記のブ
レードを用いることにより、一種類のブレードを用い、
これを1ストローク動作をさせるだけで、ユニット基板
の切断と境界部(肩部)の傾斜面形成を同時に行うこと
が可能になり、生産性を向上させることができる。
関係を調整することにより、ユニット基板が肉薄部によ
り完全に切断される前に、傾斜部によりユニット基板の
電極配設面と切断端面との境界部(肩部)となる部分を
切削して傾斜面を形成したり、ユニット基板が肉薄部に
より完全に切断された後に、傾斜部によりユニット基板
の境界部(肩部)を切削して傾斜面を形成したり、ある
いは、ユニット基板の切断と傾斜面の形成をほぼ同時に
行ったりすることができる。
製造方法は、電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板(親基板)を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、前記ブレー
ドとして、外周面の厚み方向中央部が突出した形状を有
し、かつ、突出した中央先端部が、ユニット基板をブレ
イクする際のブレイク溝をユニット基板に形成するため
のブレイク溝形成部として機能し、前記中央先端部と隣
接する隣接傾斜部が、前記ユニット基板の前記電極配設
面と切断端面との境界部(肩部)となる部分を切削し
て、前記境界部(肩部)となる部分に傾斜面を形成する
傾斜面形成部として機能するように構成されているとと
もに、前記中央先端部の2つの面のなす角度θ1が、前
記傾斜面形成部の2つの面のなす角度θ2より小さく、
かつ、60〜90゜の範囲になるように構成されている
ブレードを用い、所定の切断ラインに沿って前記ユニッ
ト基板の表面に溝を形成することにより、前記ユニット
基板の表面に前記ブレイク溝を形成するとともに、前記
電極配設面と切断端面との境界部(肩部)となる部分に
傾斜面を形成した後、前記ブレイク溝に沿って前記ユニ
ット基板をブレイクすることにより、前記傾斜面から電
極の一部が露出した素子を得ることを特徴としている。
レイク溝をユニット基板に形成するためのブレイク溝形
成部として機能するとともに、中央先端部と隣接する隣
接傾斜部がユニット基板の境界部(肩部)を切削して傾
斜面を形成する傾斜面形成部として機能するように構成
され、かつ、中央先端部の2つの面のなす角度θ1を、
傾斜面形成部の2つの面のなす角度θ2より小さく、か
つ、60〜90゜の範囲にしたブレードを用い、所定の
切断ラインに沿ってユニット基板の表面に溝を形成する
ことにより、ユニット基板の表面に容易かつ確実に、ブ
レイク溝と傾斜面を形成することが可能になり、ブレイ
ク溝に沿ってユニット基板をブレイクすることにより、
前記傾斜面から電極の一部が露出した個々の素子を確実
に得ることが可能になる。
場合、溝の深さ(ユニット基板の表面から溝の最深部ま
での垂直距離)は、ユニット基板の厚みの10〜30%
の範囲とすることが望ましい。これは、溝の深さがユニ
ット基板の10%より浅いと、溝に沿って分割すること
が困難で、斜め割れが生じること、また、溝の深さがユ
ニット基板の30%より深いと後工程で不要な割れが発
生して好ましくないことによる。
製造方法は、前記ブレードとして、他の部分より先に前
記ユニット基板に当接するように先端部が突出した内側
部材と、前記内側部材をその両面側から挟持する外側部
材とを備え、かつ、前記内側部材が、前記ユニット基板
を切削するのに適した材料を用いて形成され、前記外側
部材が、前記被覆材を切削するのに適した材料を用いて
形成されたブレードを用いることを特徴としている。
て構成されており、かつ、内側部材がユニット基板を切
削するのに適した材料を用いて形成され、外側部材が被
覆材を切削するのに適した材料を用いて形成されたブレ
ードを用いることにより、内側部材により、チッピング
などが生じることを抑制しつつ、ユニット基板を切削す
るとともに、外側部材により、絶縁・保護膜などの被覆
材のかすを残すことなく絶縁・保護膜を切削することが
可能になり、本願発明をより実効あらしめることができ
る。
10に示すように、直交する切断ラインA及びBに沿っ
てユニット基板53を切断するが、その場合、例えば、
先ず切断ラインAに沿って一次切断し、その後スティッ
ク状になったユニット基板53aを切断ラインBに沿っ
て二次切断することにより個々の素子54を切り出すよ
うにする場合がある。
基板端(一次切断によりスティック状となったユニット
基板53aの端部)にダイシングブレードが当接するこ
とになる。このとき、図12に示すように、スティック
状のユニット基板53aの端部において、まず絶縁・保
護膜52がダイシングブレード57に接触して切削され
ることになるが、絶縁・保護膜52が基板構成材料に比
べて柔軟で伸びがあること、及び、ユニット基板53a
の端部では微小な欠けが生じやすいことから、基板端に
おいて、絶縁・保護膜52の伸びや逃げにより、絶縁・
保護膜52のかす56が発生し、個々の素子54に残存
する場合がある。
品は、外観不良となったり、完成品実装後のセット品の
不具合を招いたりするという問題点がある。しかし、本
願発明(請求項7)の電子部品の製造方法のように、ユ
ニット基板を切断するのに適した材料を用いて形成され
た外側部材と、被覆材を切断するのに適した材料を用い
て形成された内側部材の2種類の材料を用いて構成され
たブレードを用いることにより、絶縁・保護膜などの被
覆材のかすが残ることを効率よく防止して、外観不良の
発生や、実装後のセット品の不具合の発生などを回避す
ることが可能になる。
ニット基板を切断するのに適した材料とは、例えば、#
600〜#1000のダイヤモンド粒と、メタル系の結
合材からなる材料を用いることが可能であり、また、被
覆材を切断するのに適した材料としては、例えば、#2
00〜#600のダイヤモンド粒と、メタル系の結合材
からなる材料を用いることが可能である。但し、ブレー
ドを構成する材料はこれに限られるものではなく、公知
の種々の材料を用いることが可能である。
してその特徴とするところをさらに詳しく説明する。
体パターン)と、外部との接続のための接続電極が配設
され、かつ、薄膜コイルパターン及び接続電極の配設さ
れた面が、絶縁・保護膜(被覆材)により被覆された構
造を有するチップ型コイル部品を製造する場合を例にと
って説明する。なお、本願発明は、基板材料として、ガ
ラス、ガラスセラミックス、複合マイカセラミックス、
フェライトなどの種々の材料を用いる場合に適用するこ
とが可能である。
ット基板1に、接続電極2aを含む薄膜コイルパターン
(広義の電極)2を形成した後、薄膜コイルパターン2
を保護するための絶縁・保護膜3をユニット基板1の薄
膜コイルパターン2が配設された面に形成する。
ト基板1の表面にV字状の溝12(図2,図3)を形成
した後、切断して個々の素子に分割する。まず、溝12
を形成するにあたっては、図2に示すように、外周面の
厚み方向中央部が山形に突出した形状を有する切断刃
(ブレード)11を用い、ユニット基板1の表面に幅W
1のV字状の溝12を形成する。なお、ここで幅W1と
は、電極2(接続電極2a)の直下の基板に形成される
溝12の幅のことである。
材(メタル結合材)とダイヤモンド粒から形成されてい
る。なお、ブレード11の構成材料としては、例えば、
メタル結合材と粒度#200〜#1200、好ましく
は、#600〜#1000のダイヤモンド粒からなるも
のなどを用いることが可能である。
形成する角度θは75〜120゜の範囲に調整されてい
る。先端の2つの面が形成する角度θを75〜120゜
とすることが好ましいのは、角度θが小さくなりすぎる
と溝12の幅(切削幅)は安定するが、ユニット基板1
に対する衝撃を軽減する効果が不十分になること、ま
た、角度θが大きくなりすぎると、ユニット基板1の厚
みのバラツキなどにより、溝12の幅(切削幅)が大き
く変動して安定した管理が困難になることによる。
したユニット基板1を、図3に示すように、溝12の幅
W1よりも幅(厚み)W2の小さいダイシングブレード
13を用いて、V字状の溝12の中央部に沿ってユニッ
ト基板1を切断する。なお、ダイシングブレード13の
幅(厚み)W2は、接続電極2aの下側の基板傾斜面が
ある程度残るような大きさに設定されている。
基板1の、電極2の配設された面1aと切断端面(垂直
切削面)1bとの境界部(肩部)1cに傾斜面4が形成
され、接続電極2aが傾斜面4から露出した素子(チッ
プ型コイル部品素子)が得られる。
よりも幅(厚み)W2の小さいダイシングブレード13
を用いて、V字状の溝12に沿ってユニット基板1を切
断するようにしているので、境界部(肩部)1cの傾斜
面4の、電極の露出した部分を確実に残すことが可能に
なり、従来のように、境界部(肩部)に傾斜面を形成し
ない場合に比べて、電極の露出面積を増大させることが
できる。すなわち、接続電極2aが露出する傾斜面4と
垂直切削面1bとのなす角度をθ0(θ/2)(図3)
とすると、接続電極2aの露出面の面積は、傾斜加工を
していない従来の場合に比較して、1/cosθ0(>
1)倍に拡大される。
によりその露出面積が大きくなるとともに、接続電極の
露出面とその周囲の基板材が滑らかにつながるため、接
続電極2aと外部端子との電気的接続性を向上させると
ともに、インダクタンスにおけるQの向上などの特性の
改善を図ることが可能になる。
り、傾斜切削加工となるため、従来のように、外周面が
平坦なダイシングブレードを用いて切断する場合に比べ
て、切削時の接続電極直下の基板材に与える衝撃が小さ
く、チッピングやクラックの発生を抑えることができ
る。
く、切削抵抗が小さいため、より粒径の小さいダイヤモ
ンド粒を使用したブレードを用いて切削することが可能
になり、接続電極2a付近の基板表面状態(表面粗さ)
を改善することができる。
た後に、ダイシングブレード13によりユニット基板1
を切断するようにしているので、先に溝12を形成する
工程で、接続電極2aの直下の基板材が先にブレード1
1により傾斜切削加工されており、ダイシングブレード
13により直接切削されることがなく、また、ダイシン
グブレード13として、ユニット基板1の切断後に、接
続電極2aの下側の基板傾斜面がある程度残るような厚
みW2を有するものが用いられているため、仮にチッピ
ングやクラックが発生しても、接続電極2aの直下の基
板材にチッピングが生じることはなく、高い信頼性が得
られる。
め、正確なパターンを形成することが可能なスパッタな
どの方法により、素子の上下面から外部端子電極を形成
することが可能になり、特性を向上させることができ
る。
基板1の境界部(肩部)に傾斜面4を形成するための部
分を除いては、その形状や角度に特別の制約はなく、図
5に示すように、先端部の角度θ3を傾斜面4を形成す
るための部分がなす角度θより大きくすることも可能で
ある。
に溝12を形成するためのブレード11として、他の部
分より先にユニット基板1の表面を被覆する絶縁・保護
膜3に当接するように先端部が突出した内側部材15
を、その両面側から外側部材16により挟んだ構造を有
するブレード11を用いている。
を切削するのに適した材料を用いて形成され、外側部材
16は、絶縁・保護膜3を切削するのに適した材料を用
いて形成されている。
ては、例えば、金属系の結合材(メタル結合材)と所定
の粒度のダイヤモンド粒からなる材料を用いることが可
能である。
1を切削するのに適するように、ダイヤモンド粒の粒度
を小さくした材料(例えば、#600〜#1000のダ
イヤモンド粒)、外側部材用としては、絶縁・保護膜3
を切削するのに適するように、ダイヤモンド粒の粒度を
大きくした材料(例えば、#200〜#600のダイヤ
モンド粒)などを用いることが好ましい。
いた場合、内側部材15により、チッピングなどが生じ
ることを抑制しつつユニット基板1を切削するととも
に、外側部材16により、絶縁・保護膜3のかすが残る
ことを防止しつつ、絶縁・保護膜3を効率よく切削し
て、ユニット基板1の表面に確実にV字状の溝12を形
成することができる。
効果の他に、実施形態1において得られる効果と同様の
効果を得ることができる。
さをa、絶縁・保護膜3の厚みと電極(接続電極)2a
の厚みの合計をb、ブレード11の先端の2つの面が形
成する角度をθ、内側部材15の厚みをc、外側部材1
6の厚みをdとすると、内側部材15の厚みcは、 c=2atan(θ/2) で与えられ、外側部材16の厚みdは、 d≧btan(θ/2) で与えられる。そして、溝12を形成した後は、例え
ば、上記実施形態1の場合と同様にダイシングカットに
より個々の素子に分割することができる。
に溝12を形成するとともにユニット基板を切断するた
めのブレードとして、略円盤状で、径方向の所定の位置
より外周側の部分を厚みの小さい肉薄部17とし、肉薄
部17より中心側に近い部分を肉薄部17より厚みの大
きい肉厚部18とするとともに、肉薄部17と肉厚部1
8の境界部を傾斜部19としたブレード(ダイシングブ
レード)11を用いている。なお、このブレード11の
構成材料としては、例えば、メタル結合材と粒度#20
0〜#1200、好ましくは、#600〜#1000の
ダイヤモンド粒からなるものなどを用いることが可能で
ある。
び両者の境界部に形成された傾斜部19を備えたブレー
ド11を用いた場合、肉薄部17によりユニット基板1
を確実に切断するとともに、傾斜部19により、ユニッ
ト基板1の電極2の配設された面1aと切断端面1bと
の境界部(肩部)1cを切削して、境界部(肩部)1c
に傾斜面4を確実に形成することが可能になり、本願発
明をより実効あらしめることができる。すなわち、上記
のブレード11を用いることにより、一種類のブレード
を1ストローク動作をさせるだけで、ユニット基板の切
断と境界部(肩部)の傾斜面形成を同時に行うことが可
能になり、生産性を向上させることができる。
効果の他に、実施形態1において得られる効果と同様の
効果を得ることができる。
部19の位置関係を調整することにより、ユニット基板
1が肉薄部17により完全に切断される前に、傾斜部1
9によりユニット基板1の境界部(肩部)1cとなる部
分を切削して傾斜面4を形成したり、ユニット基板1が
肉薄部17により完全に切断された後に、傾斜部19に
よりユニット基板1の境界部(肩部)1cを切削して傾
斜面4を形成したり、あるいは、ユニット基板1の切断
と傾斜面4の形成をほぼ同時に行ったりすることができ
る。
て、外周面の厚み方向中央先端部21が突出した形状を
有し、かつ、突出した中央先端部21が、ユニット基板
1をブレイクする際のブレイク溝12aをユニット基板
1に形成するためのブレイク溝形成部として機能し、中
央先端部21と隣接する隣接傾斜部23が、ユニット基
板1の電極2の配設された面1aと切断端面1bとの境
界部(肩部)1cとなる部分を切削して、境界部(肩
部)1cとなる部分に傾斜面4を形成する傾斜面形成部
として機能するように構成されているとともに、中央先
端部21の2つの面のなす角度θ1が、傾斜面形成部
(隣接傾斜部)23の2つの面のなす角度θ2より小さ
く、かつ、60〜90゜の範囲になるように構成された
ブレード11を用いている。ブレードの構成材料として
は、例えば、メタル結合材と粒度#200〜#120
0、好ましくは、#600〜#1000のダイヤモンド
粒からなるものなどを用いることが可能である。
21の2つの面のなす角度θ1は、60〜90゜の範囲
が好ましく、また、傾斜面形成部(隣接傾斜部)23の
2つの面のなす角度θ2は、75〜120゜の範囲が好
ましい。なお、θ1の好ましい範囲が60〜90゜であ
るのは、θ1が60゜以下になると、ブレード11の摩
耗が著しく増加し、安定した切削を行うことが困難であ
り、また、θ1が90゜を越えると、ブレイクの際に加
えられる力が溝12の中央に集中せず、安定した分割を
行うことができないことによる。なお、傾斜面形成部
(隣接傾斜部)23の2つの面のなす角度θ2の好まし
い範囲が75〜120゜である理由は、角度θ2が75
゜より小さくなると溝12の幅(切削幅)は安定する
が、ユニット基板1に対する衝撃を軽減する効果が不十
分になること、また、角度θ2が120゜より大きくな
ると、ユニット基板1の厚みのバラツキなどにより、溝
12の幅(切削幅)が大きく変動して安定した管理が困
難になることによる。
て溝12を形成する場合、溝12の深さX(図8)は、
ユニット基板1の厚みTの10〜30%の範囲とする。
これは、溝12の深さXがユニット基板1の10%より
浅いと溝12に沿って分割することが困難で、斜め割れ
が生じること、30%より深いと後工程で不要な割れが
発生して好ましくないことによる。
ンに沿ってユニット基板1の表面に溝12を形成するよ
うにした場合、ユニット基板1の表面に容易かつ確実
に、ブレイク溝12aと傾斜面4を形成することが可能
になる。そして、ブレイク溝12aに沿ってユニット基
板1をブレイクすることにより、傾斜面4から電極2
(接続電極2a)の一部が露出した素子を容易に得るこ
とが可能になり、接続電極2の露出面積を増やして、外
部端子との電気的接続性を向上させるとともに、インダ
クタンスにおけるQの向上などの特性の改善を図ること
が可能になる。
効果の他に、実施形態1において得られる効果と同様の
効果を得ることができる。
イル部品を製造する場合を例にとって説明したが、本願
発明は、チップ型コイル部品に限らず、表面に絶縁・保
護膜などの被覆材を配設した種々の電子部品に適用する
ことが可能である。
板の一方の面にのみ絶縁・保護膜が形成されている場合
について説明したが、両面に絶縁・保護膜が形成されて
いる場合にも、本願発明を適用することが可能である。
上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の
範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能
である。
造方法は、ユニット基板の電極配設面と切断端面との境
界部(肩部)、又は、境界部(肩部)となる部分と当接
する部分が所定の角度で傾斜した形状を有するブレード
を用いてユニット基板の少なくとも一部を切削し、前記
境界部(肩部)、又は、境界部(肩部)となる部分に傾
斜面を形成して、電極の一部を傾斜面から露出させるよ
うにしているので、境界部(肩部)に傾斜面を形成しな
い場合(従来の方法)に比べて、電極の露出面積を増大
させ、外部端子との電気的接続性を向上させることが可
能になるとともに、インダクタンスにおけるQの向上な
どの特性を向上させることができる。
製造方法は、ユニット基板を切断ラインに沿って切断す
る前に、電極配設面と切断端面との境界部(肩部)とな
る部分を、該部分に当接する部分が所定の角度で傾斜し
た形状を有するブレードを用いて切削し、切断ラインに
沿って溝を形成し、ユニット基板の前記境界部(肩部)
となる部分に傾斜面を形成して電極の一部を傾斜面から
露出させた後、傾斜面の少なくとも電極の露出した部分
が残るように、ユニット基板を切断ラインに沿って切断
するようにしているので、境界部(肩部)に傾斜面を形
成しない場合(従来の方法)に比べて、電極の露出面積
を増やすことが可能になり、外部端子との電気的接続性
を向上させるとともに、インダクタンスにおけるQの向
上などの特性の改善を図ることができる。
製造方法は、ユニット基板を切断ラインに沿って切断し
た後、電極配設面と切断端面との境界部(肩部)に当接
する部分が傾斜した形状を有するブレードを用いて、ユ
ニット基板の電極配設面と切断端面との境界部(肩部)
に傾斜面を形成し、前記電極の一部を前記傾斜面から露
出させるようにしているので、境界部(肩部)に傾斜面
を形成しない場合(従来の方法)に比べて、電極の露出
面積を確実に増やして、外部端子との電気的接続性を向
上させるとともに、インダクタンスにおけるQの向上な
どの特性の改善を図ることができる。
製造方法のように、ユニット基板の切断を、ダイシング
ブレードを用いて行うようにした場合、基板表面を最大
限に活用することが可能になり、本願発明をより実効あ
らしめることができる。
製造方法は、肉薄部、肉厚部、及び両者の境界部に形成
された傾斜部を備えたダイシングブレードを用いるよう
にしているので、肉薄部によりユニット基板を切断する
とともに、傾斜部により、ユニット基板の電極配設面と
切断端面との境界部(肩部)を切削して、境界部(肩
部)に傾斜面を確実に形成することが可能になる。すな
わち、上記のブレードを用いることにより、一種類のブ
レードを用い、これを1ストローク動作をさせるだけ
で、ユニット基板の切断と境界部(肩部)の傾斜面形成
を同時に行うことが可能になり、生産性を向上させるこ
とができる。
製造方法は、ブレードとして、突出した中央部先端がブ
レイク溝をユニット基板に形成するためのブレイク溝形
成部として機能するとともに、中央先端部と隣接する隣
接傾斜部がユニット基板の境界部(肩部)を切削して傾
斜面を形成する傾斜面形成部として機能するように構成
され、かつ、中央先端部の2つの面のなす角度θ1を、
傾斜面形成部の2つの面のなす角度θ2より小さく、か
つ、60〜90゜の範囲にしたブレードを用い、所定の
切断ラインに沿ってユニット基板の表面に溝を形成する
ようにしているので、ユニット基板の表面に効率よくブ
レイク溝と傾斜面を形成することが可能になり、生産性
を向上させることが可能になる。
製造方法は、ブレードとして、内側部材と外側部材の2
種類の部材を用いて構成されており、かつ、内側部材
が、ユニット基板を切削するのに適した材料を用いて形
成され、外側部材が、被覆材を切削するのに適した材料
を用いて形成されたブレードを用いているので、内側部
材により、チッピングなどが生じることを抑制しつつユ
ニット基板を切削するとともに、外側部材により、絶縁
・保護膜などの被覆材のかすを残すことなく絶縁・保護
膜を切削することが可能になり、本願発明をより実効あ
らしめることができる。
方法の一工程において形成したユニット基板の要部を示
す図であり、(a)は正面断面図、(b)は(a)のB−B線
断面図である。
方法の一工程において、ユニット基板に溝を形成してい
る状態を示す図である。
方法の一工程において、溝の形成されたユニット基板を
切断している状態を示す図である。
方法の一工程において、ユニット基板を切断することに
より得られた素子を示す斜視図である。
方法において用いられるブレードの変形例を示す図であ
る。
造方法において用いたブレードの構造を示す図である。
品の製造方法において用いたブレードの構造を示す図で
ある。
品の製造方法において用いたブレードの構造を示す図で
ある。
ユニット基板を示す図である。
されたユニット基板を示す図である。
おいて、導体パターンが配設された面を絶縁・保護膜で
覆ったユニット基板をダイシングカットした場合の、チ
ッピング及び剥がれの発生状態を模式的に示す図であ
る。
ユニット基板を切断している状態を示す図である。
極)2の配設された面 1b 切断端面(垂直切削面) 1c 境界部(肩部) 2 電極(薄膜コイルパターン) 2a 接続電極 3 絶縁・保護膜 4 傾斜面 11 ブレード 12 溝 12a ブレイク溝 13 ダイシングブレード 15 内側部材 16 外側部材 17 肉薄部 18 肉厚部 19 傾斜部 21 中央先端部 23 傾斜面形成部(隣接傾斜部) W1 V字状の溝の幅 W2 ダイシングブレードの厚み θ ブレードの先端の2つの面が形成する
角度 θ0 傾斜面と垂直切削面とのなす角度 θ1 ブレードの中央先端部の2つの面のな
す角度 θ2 傾斜面形成部(隣接傾斜部)の2つの
面のなす角度 θ3 ブレードの先端部の角度 T ユニット基板の厚み X 溝の深さ a 溝の深さ b 絶縁・保護膜の厚みと電極(接続電
極)の厚みの合計 c 内側部材の厚み d 外側部材の厚み
Claims (7)
- 【請求項1】電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板(親基板)を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、 前記ユニット基板の前記電極配設面と切断端面との境界
部(肩部)、又は、境界部(肩部)となる部分と当接す
る部分が所定の角度で傾斜した形状を有するブレードを
用い、前記ユニット基板の少なくとも一部を切削するこ
とにより、前記境界部(肩部)、又は、境界部(肩部)
となる部分に傾斜面を形成し、前記電極の一部を前記傾
斜面から露出させる工程を含むことを特徴とする電子部
品の製造方法。 - 【請求項2】電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板(親基板)を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、 前記ユニット基板を前記切断ラインに沿って切断する前
に、前記ユニット基板の前記電極配設面と切断端面との
境界部(肩部)となる部分と当接する部分が所定の角度
で傾斜した形状を有するブレードを用い、所定の切断ラ
インに沿って溝を形成することにより、前記ユニット基
板の前記電極配設面と切断端面との境界部(肩部)とな
る部分に傾斜面を形成して、前記電極の一部を前記傾斜
面から露出させた後、前記傾斜面の、少なくとも前記電
極の露出した部分が残るように、前記ユニット基板を前
記切断ラインに沿って切断する工程を含むことを特徴と
する電子部品の製造方法。 - 【請求項3】電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板(親基板)を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、 前記ユニット基板を前記切断ラインに沿って切断した
後、前記ユニット基板の前記電極配設面と切断端面との
境界部(肩部)と当接する部分が所定の角度で傾斜した
形状を有するブレードを用いて、前記ユニット基板の前
記境界部(肩部)に傾斜面を形成し、前記電極の一部を
前記傾斜面から露出させる工程を含むことを特徴とする
電子部品の製造方法。 - 【請求項4】前記ユニット基板の切断を、ダイシングブ
レードを用いて行うことを特徴とする請求項1,2又は
3記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項5】前記ブレードとして、略円盤状で、径方向
の所定の位置より外周側の部分を厚みの小さい肉薄部と
し、前記肉薄部より中心側に近い部分に前記肉薄部より
厚みの大きい肉厚部を形成するとともに、前記肉薄部と
前記肉厚部の境界部を傾斜部としたダイシングブレード
を用い、 前記肉薄部によりユニット基板を切断するとともに、前
記傾斜部により、前記ユニット基板の前記境界部(肩
部)、又は、前記境界部(肩部)となる部分を切削し
て、前記境界部(肩部)に傾斜面を形成することを特徴
とする請求項1,2,3又は4記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項6】電極配設面を被覆材で被覆したユニット基
板(親基板)を、所定の切断ラインに沿って切断するこ
とにより、切断端面に電極の露出した電子部品素子を得
る工程を含む電子部品の製造方法において、 前記ブレードとして、外周面の厚み方向中央部が突出し
た形状を有し、かつ、突出した中央先端部が、ユニット
基板をブレイクする際のブレイク溝をユニット基板に形
成するためのブレイク溝形成部として機能し、前記中央
先端部と隣接する隣接傾斜部が、前記ユニット基板の前
記電極配設面と切断端面との境界部(肩部)となる部分
を切削して、前記境界部(肩部)となる部分に傾斜面を
形成する傾斜面形成部として機能するように構成されて
いるとともに、前記中央先端部の2つの面のなす角度θ
1が、前記傾斜面形成部の2つの面のなす角度θ2より
小さく、かつ、60〜90゜の範囲になるように構成さ
れているブレードを用い、 所定の切断ラインに沿って前記ユニット基板の表面に溝
を形成することにより、前記ユニット基板の表面に前記
ブレイク溝を形成するとともに、前記電極配設面と切断
端面との境界部(肩部)となる部分に傾斜面を形成した
後、 前記ブレイク溝に沿って前記ユニット基板をブレイクす
ることにより、前記傾斜面から電極の一部が露出した素
子を得ることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項7】前記ブレードとして、他の部分より先に前
記ユニット基板に当接するように先端部が突出した内側
部材と、前記内側部材をその両面側から挟持する外側部
材とを備え、かつ、前記内側部材が、前記ユニット基板
を切削するのに適した材料を用いて形成され、前記外側
部材が、前記被覆材を切削するのに適した材料を用いて
形成されたブレードを用いることを特徴とする請求項1
〜6のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16952097A JP3304828B2 (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 電子部品の製造方法 |
TW087108111A TW373198B (en) | 1997-06-10 | 1998-05-26 | Electronic part and manufacturing method thereof |
US09/090,367 US6276995B1 (en) | 1997-06-10 | 1998-06-04 | Electronic component and method of manufacturing same |
KR1019980021549A KR100328878B1 (ko) | 1997-06-10 | 1998-06-10 | 전자부품및그의제조방법 |
EP98401397A EP0884775A1 (en) | 1997-06-10 | 1998-06-10 | Electronic component and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16952097A JP3304828B2 (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH113833A JPH113833A (ja) | 1999-01-06 |
JP3304828B2 true JP3304828B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=15888037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16952097A Expired - Fee Related JP3304828B2 (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6276995B1 (ja) |
EP (1) | EP0884775A1 (ja) |
JP (1) | JP3304828B2 (ja) |
KR (1) | KR100328878B1 (ja) |
TW (1) | TW373198B (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62180130A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-07 | Honda Motor Co Ltd | 可変オリフイスを有する複合エンジンマウント |
DE19927046B4 (de) | 1999-06-14 | 2007-01-25 | Electrovac Ag | Keramik-Metall-Substrat als Mehrfachsubstrat |
US6561177B2 (en) * | 2000-12-14 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Wafer dicing blade consisting of multiple layers |
JP2003053723A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Denso Corp | 硬脆材料の切断方法 |
TWI341983B (en) * | 2003-02-12 | 2011-05-11 | Nissha Printing | Touch panel |
US20060005672A1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-12 | Chapman Gregory M | Blades, saws, and methods for cutting microfeature workpieces |
JP4507175B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-07-21 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4501077B2 (ja) | 2006-02-17 | 2010-07-14 | Tdk株式会社 | 薄膜デバイス |
JP4172654B2 (ja) | 2006-02-17 | 2008-10-29 | Tdk株式会社 | 薄膜デバイス |
JP4539870B2 (ja) | 2006-03-31 | 2010-09-08 | Tdk株式会社 | 薄膜デバイス |
TW200805600A (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-16 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Heat-dissipating package structure and fabrication method thereof |
JP4720775B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2011-07-13 | Tdk株式会社 | 積層体の加工方法 |
WO2009141740A2 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Florian Bieck | Semiconductor wafer and method for producing the same |
JP4836150B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2011-12-14 | 株式会社日本製鋼所 | カッターホイール |
JP5535765B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2014-07-02 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックコンデンサの製造方法 |
KR101070114B1 (ko) * | 2009-09-15 | 2011-10-05 | 삼성전기주식회사 | 디스플레이용 어레이 기판 및 디스플레이용 기판의 제조 방법 |
JP2011124628A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 複合圧電チップ及び複合圧電チップの製造方法 |
JP5672242B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2015-02-18 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
JP5409726B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2014-02-05 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライビングホイール |
JP6330143B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2018-05-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体結晶から形成されている平板の表面に溝を形成する方法 |
US20150183131A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Chee Seng Foong | Semiconductor wafer dicing blade |
JP6493733B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2019-04-03 | 昭和電工株式会社 | 保護フィルムの製造方法 |
JP2016122682A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板 |
US10070536B2 (en) | 2016-07-05 | 2018-09-04 | Unimicron Technology Corp. | Manufacturing method of circuit board structure |
KR102080842B1 (ko) * | 2018-01-12 | 2020-02-24 | 주식회사 케이씨씨 | 세라믹 회로기판 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE494992C (de) * | 1930-03-31 | Rodenstock Optik G | Herstellung von Diamantschneidezaehnen und Schneidewerkzeugen fuer Mineralien | |
DE2730130C2 (de) * | 1976-09-14 | 1987-11-12 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
JPS6074642A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
DE4306655C2 (de) | 1992-03-04 | 1997-04-30 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zum Herstellen eines planaren Induktionselements |
JP3147666B2 (ja) | 1994-07-21 | 2001-03-19 | 株式会社村田製作所 | 積層電子部品およびその製造方法 |
TW308581B (ja) * | 1995-11-06 | 1997-06-21 | Mitsuboshi Diamond Kogyo Kk |
-
1997
- 1997-06-10 JP JP16952097A patent/JP3304828B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-26 TW TW087108111A patent/TW373198B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-04 US US09/090,367 patent/US6276995B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-10 EP EP98401397A patent/EP0884775A1/en not_active Ceased
- 1998-06-10 KR KR1019980021549A patent/KR100328878B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW373198B (en) | 1999-11-01 |
EP0884775A1 (en) | 1998-12-16 |
KR19990006850A (ko) | 1999-01-25 |
JPH113833A (ja) | 1999-01-06 |
KR100328878B1 (ko) | 2002-05-09 |
US6276995B1 (en) | 2001-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3304828B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
CN101151802A (zh) | 弹性表面波装置及其制造方法 | |
JP3958532B2 (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
JPWO2006030705A1 (ja) | チップ形電子部品 | |
US5639507A (en) | Method of making a planar multi-layer capacitor | |
JPH10199728A (ja) | 薄膜型コイル部品及びその製造方法 | |
KR100309820B1 (ko) | 전자부품의 제조방법 | |
WO2003060929A1 (fr) | Procede de fabrication d'un pave resistif | |
JP2002270409A (ja) | チップ型抵抗器の製造方法、およびチップ型抵抗器 | |
US4520561A (en) | Method of fabricating an electronic circuit including an aperture through the substrate thereof | |
JP3466411B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
JP2000306711A (ja) | 多連チップ抵抗器およびその製造方法 | |
JP4037248B2 (ja) | 回路保護素子とその製造方法 | |
JP2937774B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
WO2023100858A1 (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
JP3425712B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP2959561B1 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPH09260140A (ja) | 薄膜型コイル部品及びその製造方法 | |
JP3582922B2 (ja) | 誘電体フィルタ及びその調整方法 | |
JP2000357601A (ja) | チップ抵抗器、およびその製造方法 | |
JPH11176605A (ja) | チップ部品 | |
CN114765086A (zh) | 电阻器的制造方法 | |
US20070148823A1 (en) | Method of manufacturing an electronic protection device | |
CN110911069A (zh) | 电子组件及其制造方法 | |
JP2008147271A (ja) | 静電気対策部品およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020409 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140510 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |