JP4720775B2

JP4720775B2 - 積層体の加工方法

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Publication number: JP4720775B2
Application number: JP2007112170A
Authority: JP
Inventors: 英昭二宮; 久雄師岡; 沙希高橋; 茂範平田
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2007-04-20
Filing date: 2007-04-20
Publication date: 2011-07-13
Anticipated expiration: 2027-04-20
Also published as: JP2008270560A

Description

本発明は、積層体の加工方法及び積層体に関する。

半導体デバイス等の電子部品を微細加工技術を用いて製造する場合、通常基板となるウェハーやフィルム等の上に多数の電子部品を同時に形成する。その後、電子部品のチップ化等のために、個々の電子部品は、所定の外形形状となるようにウェハーやフィルム等から切り出される。この切り出し方法としては、例えば、下記特許文献１に記載されているような、レーザー光の照射による加熱によって対象物の一部を部分的に除去して切断を行うレーザースクライブ法や、下記特許文献２に記載されているような、回転させた円板状の刃によって対象物を物理的に切断するメカニカルスクライブ法が知られている。
特公昭６１−１７５９５号公報特開２００４−０３９６６１号公報

しかしながら、上述のレーザースクライブ法によって切断を行うと、電子部品内の材料の一部が加熱により溶解することがある。このようなことが起きると、切断面に電気的に絶縁されている２つの導体層が露出する場合、その導体層を構成する材料の一部が溶解して２つの導体層間にある非導体層の切断面に付着し、２つの導体層間がショートしてしまうことがあった。

また、上述のメカニカルスクライブ法によって切断を行うと、切断した部分の材料が、切断面に付着することがある。このようなことが起きると、上述のレーザースクライブ法による場合と同様に、その導体層を構成する材料の一部が溶解して２つの導体層間にある非導体層の切断面に付着し、２つの導体層間がショートしてしまうことがあった。

そして、このような電子部品内の導体層のショートは、電子部品の不良に繋がるという不具合があった。

従って、本発明は、非導体層を挟んだ一対の導体層を有する積層体を加工する際、一対の導体層間がショートすることを十分に防止することができる積層体の加工方法、及びそのような積層体を提供することを目的とする。

本発明に係る積層体の加工方法は、一対の導体層と、一対の導体層の間に設けられた非導体層とを有する積層体に対して表裏を貫通する貫通部を形成する積層体の加工方法であって、貫通部を形成する側面に、一対の導体層の一方の表面から非導体層内まで伸びる第一側面と、一対の導体層の他方の表面から非導体層内まで伸び、かつ、第一側面から積層体の積層方向と垂直な方向に離間した第二側面と、第一側面と第二側面とを接続する段差部とが形成されるように貫通部を形成する。

本発明によれば、積層体の加工時に第一側面のうちの非導体層の側面に付着した一方の導体層を構成する材料と、積層体の加工時に第二側面のうちの非導体層の側面に付着した他方の導体層を構成する材料とは、段差部により積層体の積層方向と垂直方向に離間することとなる。そしてこの段差部の表面はすべて非導体層の表面の一部となる。そのため、積層体の加工時に、一対の導体層を構成する材料が一対の導体層と隣接する非導体層の側面にそれぞれ付着しても、一対の導体層間がショートすることを十分に防止することができる。

さらに、貫通部を形成する工程は、一対の導体層の一方の表面から非導体層内まで達する深さの凹部を形成する凹部形成工程と、非導体層の凹部の底面から一対の導体層の他方の表面にまで貫通し、凹部より積層体の積層方向と垂直方向の幅が狭い狭幅貫通部を形成する狭幅貫通部形成工程とを有することが好ましい。

これにより、相対的に幅が広い形状の凹部を適切な深さに形成し、相対的に幅が狭い形状の狭幅貫通部を適切な場所に形成するだけで、上述のように段差部によって離間された第一側面と第二側面を容易に形成することができる。

また、貫通部を形成する工程は、一対の導体層の一方の表面から非導体層内まで達する深さの凹部を形成する凹部形成工程と、凹部内に樹脂を充填して樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、樹脂部を貫通すると共に、非導体層の凹部の底面から一対の導体層の他方の表面にまで貫通し、凹部より積層体の積層方向と垂直方向の幅が狭い狭幅貫通部を形成する貫通部形成工程とを有することが好ましい。

これにより、狭幅貫通部を形成する際、他方の導体層を構成する材料が、第一側面や段差部に付着することを防止することができる。そのため、積層体の加工の際、一対の導体層がショートすることをより確実に防止することができる。

また、貫通部を形成する工程は、一対の導体層の一方の表面から一対の導体層の他方の表面まで達する狭幅貫通部を形成する狭幅貫通部形成工程と、一対の導体層の一方の表面から非導体層内まで伸びる、積層体の積層方向と垂直方向の幅が狭幅貫通部よりも広い凹部を、積層体の積層方向から見て狭幅貫通部と重ねて形成する凹部形成工程とを有することが好ましい。

これにより、相対的に幅が狭い形状の狭幅貫通部と、相対的に幅が広く適切な深さを有する形状の凹部を、それぞれ適切な位置に形成するだけで、上述の段差部によって離間された第一側面と第二側面を容易に形成することができる。

さらに、上述のいずれかの加工方法で貫通部を線状に形成することにより積層体を切断することが好ましい。

これにより、一対の導体層をショートさせることなく、積層体の所定領域を切断することが可能となる。

本発明に係る積層体は、一対の導体層と、一対の導体層の間に設けられた非導体層とを有する積層体であって、積層体の外側面が、又は、積層体の表裏を貫通する貫通部の内側面が、一対の導体層の一方の表面から非導体層内まで伸びる第一側面と、一対の導体層の他方の表面から非導体層内まで伸び、かつ、第一側面から積層体の積層方向と垂直な方向に離間した第二側面と、第一側面と第二側面とを接続する段差部とを有する。

本発明によれば、第一側面のうちの非導体層の側面に付着した一方の導体層を構成する材料と、第二側面のうちの非導体層の側面に付着した他方の導体層を構成する材料とは、段差部により積層体の積層方向と垂直方向に離間することとなる。そしてこの段差部の表面はすべて非導体層の表面の一部である。そのため、一対の導体層を構成する材料が一対の導体層と隣接する非導体層の側面にそれぞれ付着しても、一対の導体層間がショートすることを十分に防止することができる。その結果、このような積層体を含む電子部品等の不良発生を十分に防止することができる。

本発明によれば、非導体層を挟んだ一対の導体層を有する積層体を加工する際、一対の導体層間がショートすることを十分に防止することができる積層体の加工方法、及びそのような積層体が提供される。

以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。

[第一実施形態]
本発明に係る積層体の加工方法及び積層体の第一実施形態について、図１〜図３を用いて説明する。

図１の（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態の積層体の加工方法の一連の工程を示す端面図である。まず、図１の（ａ）に示すように、下部導体層１２、上部導体層１６、及び、下部導体層１２と上部導体層１６の間に設けられた非導体層１４からなる積層体３０を用意する。

下部導体層１２の厚さｔ１２及び上部導体層１６の厚さｔ１６は、特に制限されないが、例えば、１００Å〜１０００Åとすることができる。非導体層１４の厚さｔ１４も、特に制限されないが、後述のレーザースクライブ法による加工精度を考慮すると、７０００Å以上とするのが好ましい。導体層１２及び導体層１６の材質としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ等の金属を用いることができる。また、非導体層１４は、絶縁体、半導体やこれらの積層体からなるものである。非導体層１４の材質としては、絶縁体を用いる場合は、例えばＡｌ_２Ｏ_３等の酸化物やエポキシ樹脂等の樹脂を用いることができ、半導体を用いる場合は、ＳｉやＧａＡｓ等を用いることができる。

次に、図１の（ｂ）に示すように、導体層１６の表面から非導体層１４内まで達する深さの凹部２０を形成する。この凹部２０の積層体３０の積層方向（図１の上下方向）と垂直方向（図１の左右方向）の幅ｗ２０ａは、例えば２０〜５０μｍとすることができる。

続いて、図１の（ｃ）に示すように、図１の（ｂ）の工程で形成した凹部２０に隣接してさらに凹部を形成して、凹部２０の幅をｗ２０ｂの大きさまで広げる。この凹部２０の幅ｗ２０ｂは、例えば３０〜６０μｍとすることができる。そして、この工程において、凹部２０の側面を規定する導体層１６の側面１６ａと非導体層１４の側面１４ａが形成され、この側面１６ａと側面１４ａとが、第一側面２０ａとなる。また、この工程において、凹部２０の底面を規定する非導体層１４の底面１４ｘが形成される。

続いて、図１の（ｄ）に示すように、図１の（ｃ）の工程で形成した非導体層１４の底面１４ｘから導体層１２の表面まで貫通し、幅ｗ２２が幅ｗ２０ｂよりも小さい狭幅貫通部２２を形成する。この工程において、狭幅貫通部２２の側面を規定する非導体層１４の側面１４ｂと導体層１２の側面１２ａが形成される。この側面１４ｂと側面１２ａとが、第二側面となる。また、この工程において、非導体層１４に、第一側面２０ａと第二側面２２ａとを接続する段差部１４ｙが形成される。この段差部１４ｙの幅ｗ１４ｙの大きさは、後述のレーザースクライブ法による加工精度を考慮すると、好ましくは、５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。

以上の工程を経ることにより、積層体３０には、図１（ｄ）に示すように凹部２０と狭幅貫通部２２によって、表裏を貫通する貫通部２４が形成され、貫通部２４の内側面である第一側面２０ａと第二側面２２ａを有する積層体３０を得ることができる。

次に、図１及び図２を用いて、本実施形態における、凹部２０及び狭幅貫通部２２の具体的な形成方法を説明する。

図２は、レーザースクライブ法による積層体の加工方法を示す模式図である。積層体３０は、ＸＹステージ４０上に固定されている。また、ＸＹステージ４０の上方には、レーザー発生源５０ａ及び集束レンズ５０ｂを備えるレーザー装置５０が配置されている。レーザー発生源５０ａから出射したレーザー光５４は、集束レンズ５０ｂによって収束され、積層体３０の表面に照射される。積層体３０のレーザー光５４が照射された部分は、加熱されて溶解したり、アブレーション現象を起こしたりすることにより、積層体３０から除去されることになる。レーザー発生源５０ａとしては、例えば、ＹＡＧレーザの基本波、第二高調波、第三高調波、第四高調波を用いることができる。

また、ステージ４０とレーザー装置５０の相対位置は、図２のＸ軸及びＹ軸に沿った方向に移動させることが可能となっている。これにより、積層体３０の表面にレーザー光５４を照射しながらステージ４０とレーザー装置５０の相対位置を移動させることにより、積層体３０の表面の所望の領域をレーザー光５４で走査し、線状に加工することが可能となっている。

例えば、図２の積層体３０の線状部分３０ａを加工する場合、まず、線状部分３０ａにレーザー光５４を走査し、図１の（ｂ）に示す凹部２０を形成する。この際、凹部２０の幅ｗ２０ａの大きさ及び凹部２０の深さは、レーザー光５４が積層体３０に照射される際の照射径、レーザー光５４のエネルギーや波長、レーザー光５４の走査スピード、及びレーザー光５４に対する導体層１６並びに非導体層１４の吸収率等に依存し、これらの条件を適切に選択することにより、所望の形状の凹部２０を形成することができる。

次に、図１の（ｃ）に示すように、上述の工程で形成した凹部２０に隣接する領域にレーザー光５４を走査してさらに加工し、凹部２０の幅をｗ２０ｂの大きさにする。

続いて、図１の（ｄ）に示すように、線状部分３０ａにレーザー光５４を走査し、狭幅貫通部２２を形成する。このようにして、積層体３０には、凹部２０と狭幅貫通部２２によって、表裏を貫通する貫通部２４が形成される。

なお、本実施形態においては、凹部２０を初めに幅がｗ２０ａ（図１の（ｂ））の大きさとなるように形成した後に、幅をｗ２０ｂ（図１の（ｃ））の大きさになるように形成しているが、各種の加工条件を調整し、初めからｗ２０ｂの大きさの幅の凹部２０を形成してもよい。また、エネルギーや波長の異なる２種類のレーザー光を積層体３０に同時に照射して走査することにより、図１の（ｄ）に示す凹部２０と狭幅貫通部２２を同時に形成することも可能である。

また、図２に示すように、積層体３０の線状部分３０ａと線状部分３０ｂを併せた部分を上述の方法で加工すると、即ち、加工の始点と終点が一致するように上述の方法で加工を行うと、積層体３０から積層体３０の部分領域３０ｃを切り出すことができる。図３の（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、このようにして切り出された積層体３０の部分領域３０ｃの斜視図とその断面図である。図３の（ｂ）に示すように、加工の始点と終点が一致するように加工を行うことにより、第一側面２０ａと第二側面２２ａからなる外側面を有する積層体３０の部分領域３０ｃが得られる。

本実施形態による積層体の加工方法によれば、積層体３０を加工する際、導体層１６と導体層１２間がショートすることを十分に防止することができる。

即ち、図１の（ｃ）に示す凹部２０を形成する際、導体層１６を構成する材料の一部は、溶解したり飛散したりすることが原因で、第一側面２０ａの一部である非導体層１４の側面１４ａに付着することがある。また、図１の（ｄ）に示す狭幅貫通部２２を形成する際、同様に、導体層１２を構成する材料の一部は、第二側面２２ａの一部である非導体層１４の側面１４ｂに付着することがある。しかし、側面１４ａと側面１４ｂは、段差部１４ｙによって、積層体３０の積層方向と垂直方向（図１の（ｄ）の左右方向）に離間させられている。さらに、段差部１４ｙの表面は、すべて非導体層１４の一部である。そのため、積層体３０を加工する際、非導体層１４の側面１４ａ、１４ｂに導体層１６、１２を構成する材料が付着しても、導体層１６と導体層１２間がショートすることを十分に防止することができる。また、このような加工方法を用いることにより、凹部２０及び狭幅貫通部２２からなる貫通部２４が形成され、導体層１６と導体層１２間がショートすることが十分に防止された積層体３０を得ることができる。

さらに、本実施形態による積層体の加工方法においては、相対的に幅が広い形状の凹部２０を適切な深さに形成し、相対的に幅が狭い形状の狭幅貫通部２２を適切な場所に形成するだけで、上述のように段差部１４ｙによって離間された第一側面２０ａと第二側面２２ａを容易に形成することができる。

さらに、本実施形態による積層体の加工方法においては、貫通部２４を線状に形成することにより積層体３０を切断している（図２参照）。これにより、導体層１６と導体層１２間をショートさせることなく、積層体３０の所定領域を切断することが可能となっている。その結果、このような積層体を含む電子部品等の不良発生を十分に防止することができる。

[第二実施形態]
次に、本発明に係る積層体の加工方法の第二実施形態について、図４〜図６を用いて説明する。

図４の（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の積層体の加工方法の一連の工程を示す端面図である。本実施形態は、図４に示すように、凹部２０を初めからｗ２０ｂの幅となるように形成する点、及び、積層体３０の加工を図５に示すメカニカルスクライブ法によって行う点において、第一実施形態と異なる。

図５に示すメカニカルスクライブ法による加工は、レーザー光による加工ではなく、回転する円板状の砥石６０によって積層体３０を加工する点で、第一実施形態におけるレーザースクライブ法と異なる。メカニカルスクライブ法においては、砥石６０を積層体３０に接触させた状態で、これらの相対位置を移動させ、積層体３０の一部を物理的に除去することにより、加工を行う。

本実施形態においては、図４の（ｂ）で形成される凹部２０を、断面の幅がｗ２０ｂの大きさと等しい砥石６０を用いた加工によって形成してもよいし、断面の幅がｗ２０ｂの大きさより小さい砥石６０を用いて複数回加工を行うことによって形成してもよい。その後、図４の（ｃ）に示すように、幅がｗ２０の大きさの狭幅貫通部２２を形成する。

本実施形態の場合、図４の（ａ）に示す積層体３０の非導体層１４の厚さｔ１４の大きさは、特に制限されないが、メカニカルスクライブ法による加工精度を考慮すると、５μｍ以上とするのが好ましい。また、図４の（ｃ）に示す段差部１４ｙの幅ｗ１４ｙの大きさは、メカニカルスクライブ法による加工精度を考慮すると、５μｍ以上とするのが好ましい。

また、図６に示すような断面形状の砥石６０を用いることもできる。図６に示す砥石６０は、本体部６０ａと狭幅部６０ｂからなっている。そして、本体部６０ａの幅ｗ６０ａは凹部２０の幅ｗ２０ｂ（図４の（ｂ）参照）と等しく、また、狭幅部６０ｂの幅ｗ６０ｂは狭幅貫通部２２の幅ｗ２２（図４の（ｃ）参照）と等しくなっている。このような砥石６０を用いたメカニカルスクライブ法による加工によれば、図４の（ａ）の積層体３０に対し、一回の加工で図４の（ｃ）の形状に加工することができるため、積層体３０の加工が容易となる。

本実施形態においても、第一実施形態における場合と同様の理由により、積層体３０を加工する際、導体層１６と導体層１２間がショートすることを十分に防止することができる。

[第三実施形態]
次に、本発明に係る積層体の加工方法の第三実施形態について、図７を用いて説明する。図７の（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に積層体の加工方法の一連の工程を示す端面図である。本実施形態においては、この一連の工程が上述の第一実施形態及び第二実施形態と異なる。

本実施形態においては、図７の（ａ）に示す積層体３０に対して、図７の（ｂ）に示すように、凹部２０を形成した後、その凹部２０に樹脂を充填して、樹脂部１８を形成する。続いて、図７の（ｃ）に示すように、樹脂部１８を貫通し、非導体層１４の底面１４ｘから導体層１２の表面まで貫通し、凹部２０の幅ｗ２０ｂよりも狭いｗ２２の大きさの幅である狭幅貫通部２２を形成する。その後、図７の（ｄ）に示すように、樹脂部１８を除去する。また、凹部２０と狭幅貫通部２２は、第一実施形態と同様にレーザースクライブ法によって形成してもよいし、第二実施形態と同様にメカニカルスクライブ法によって形成してもよい。また、樹脂部１８は除去しなくてもよい。

さらに、本実施形態に係る積層体の加工方法によれば、狭幅貫通部２２を形成する際、導体層１２を構成する材料が、第一側面２０ａや段差部１４ｙに付着することを防止することができる。そのため、積層体３０の加工の際、導体層１６及び導体層１２間がショートすることをより確実に防止することができる。また、このような効果に基づき、本実施形態においては、段差部１４ｙの幅ｗ１４ｙの大きさを第一実施形態や第二実施形態における場合よりも小さくすることができる。具体的には、幅ｗ１４ｙの大きさは、好ましくは、１μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上である。

[第四実施形態]
次に、本発明に係る積層体の加工方法の第四実施形態について、図８を用いて説明する。図８の（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に積層体の加工方法の一連の工程を示す端面図である。本実施形態においては、この一連の工程が上述の第一〜第三実施形態と異なる。

本実施形態においては、図８の（ａ）に示す積層体３０に対して、図８の（ｂ）に示すように導体層１６の表面から導体層１２の表面まで達する狭幅貫通部２２を形成する。続いて、導体層１６の表面から非導体層１４まで伸び、かつ、狭幅貫通部２２の幅ｗ２２よりも広いｗ２４の幅を有する凹部２０を、積層体３０の積層方向（図８の上下方向）から見て狭幅貫通部２２と重なるように形成する。この狭幅貫通部２２及び凹部２０は、レーザースクライブ法によって形成してもよいし、メカニカルスクライブ法によって形成してもよい。

さらに、本実施形態に係る積層体の加工方法によれば、相対的に幅が狭い形状の狭幅貫通部２２と、相対的に幅が広く適切な深さを有する形状の凹部２０を、それぞれ適切な位置に形成するだけで、段差部１４ｙによって離間された第一側面２０ａと第二側面２０ｂを容易に形成することができる。

[第五実施形態]
次に、本発明に係る積層体の第五実施形態について、図９を用いて説明する。

図９は、本実施形態に係る積層体である太陽電池１の断面図である。太陽電池１は、基材２と、下部反射電極１２と、光電変換層１４と、上部電極膜１６がこの順に積層されている。基材２は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）やＰＩ（ポリイミド）等の樹脂フィルムである。また、下部反射電極１２は、アルミニウム、チタン、銀等の金属で構成され、導体層となる。光電変換層１４は、ｎ型アモルファスシリコン薄膜１４ｎ、ｉ型アモルファスシリコン薄膜１４ｉ、ｐ型アモルファスシリコン薄膜１４ｐがこの順に積層された積層膜である。また、上部電極膜１６は、ＩＴＯ等の光学的に透明な導体層である。

また、光電変換層１４及び下部反射電極１２は、エポキシ樹脂等の絶縁材料層６によって、積層方向と直交する方向に複数の領域に分割されている。また、これに対応して、上部電極膜１６も開口７によって複数の領域に分割され、各領域は、２つの光電変換層１４を跨ぐように形成されている。さらに、上部電極膜１６と、下部反射電極１２とを導通する銀ペースト等から形成された導通部８が各領域に設けられ、各光電変換層１４が直列に接続されている。

そして、太陽電池１の外側面には、上部電極膜１６の側面１６ａと光電変換層１４の側面１４ａからなる第一側面２０ａ、及び、光電変換層１４の側面１４ｂと下部反射電極１２の側面１２ａからなる第二側面２２ａが形成されている。さらに、第一側面と第二側面を接続する段差部１４ｙが形成されている。

このような構成の太陽電池１では、上部電極膜１６と下部反射電極１２がショートすることが十分に防止されている。即ち、太陽電池１をこのような外形形状に加工する際、上部電極膜１６を構成する材料の一部が光電変換層１４の側面１４ａに付着することがある。また、同様に下部反射電極１２を構成する材料の一部が光電変換層１４の側面１４ｂに付着することがある。しかし、第一側面２０ａと第二側面２２ａは、段差部１４ｙによって、太陽電池１の積層方向と垂直な方向（図９の左右方向）に離間している。そして、段差部１４ｙを形成する光電変換層１４の抵抗率は、上部電極膜１６及び下部反射電極１２の低効率よりも十分に大きい。従って、光電変換層１４の側面１４ａ、１４ｂに付着した導電性を有する材料によって、上部電極膜１６と下部反射電極１２がショートしてしまうことが、十分に防止されている。

本発明は上記実施形態に限定されるものではない。

例えば、加工対象である積層体３０は、図１の（ａ）等に示すような導体層１６、非導体層１４及び導体層１２からなる３層の積層体には限られず、少なくともこのような３層の積層構造を含む積層体であればよい。また、非導体層１４は、複数の非導体層から構成されていてもよい。

また、加工後の積層体３０（図１の（ｄ）等参照）において、２箇所の段差部１４ｙの幅ｗ１４ｙの大きさがそれぞれ異なるように、又は、段差部１４ｙが1箇所のみとなるように、凹部２０及び狭幅貫通部２２を形成してもよい。

また、段差部１４ｙは、積層体３０の積層方向と垂直である必要はなく、第一側面２０ａや第二側面２０ｂと、鋭角又は鈍角で接していてもよい（図１の（ｄ）等参照）。

また、第一側面２０ａ及び第二側面２０ｂは、積層体３０の積層方向と平行である必要はなく、それぞれ導体層１６の表面及び導体層１２の表面と鋭角又は鈍角で接していてもよい（図１の（ｄ）等参照）。

また、上述の各実施形態では、積層体３０から、その部分領域３０ｃを切り出しているが（図２及び図３参照）、貫通部２４が線状をなすように切り込みを入れる、即ち、図２の線状部分３０ａのみを加工してもよい。また、貫通部２４は線状をなしていなくてもよく、例えば所定の径の貫通孔とすることも可能である。

また、レーザースクライブ法とメカニカルスクライブ法による加工を組み合わせてもよい。例えば、第一実施形態及び第二実施形態において、凹部２０をレーザースクライブ法で形成し、狭幅貫通部２２をメカニカルスクライブ法で形成してもよく、逆に、凹部２０をメカニカルスクライブ法で形成し、狭幅貫通部２２をレーザースクライブ法で形成してもよい。（図１及び図４参照）

また、加工対象である積層体３０の具体例としては、上述の第五実施形態における太陽電池１の他、例えば回路基板、半導体ウェハ、セラミック基板、ガラス基板、金属基板、絶縁物により表面コートされた金属基板を挙げることができる。

第一実施形態に係る積層体の加工方法の一連の工程を示す端面図である。レーザースクライブ法による積層体の加工方法を示す模式図である。図３の（ａ）は、第一実施形態に係る積層体の加工方法によって切り出された積層体の部分領域の斜視図であり、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）に示す積層体の断面図である。第二実施形態に係る積層体の加工方法の一連の工程を示す端面図である。メカニカルスクライブ法による積層体の加工方法を示す模式図である。メカニカルスクライブ法で使用される砥石の断面図である。第三実施形態に係る積層体の加工方法の一連の工程を示す端面図である。第四実施形態に係る積層体の加工方法の一連の工程を示す端面図である。第五実施形態に係る積層体の断面図である。

符号の説明

１２…導体層、１４…非導体層、１４ｙ…段差部、１６…導体層、２０…凹部、２０ａ…第一側面、２２…狭幅貫通部、２２ａ…第二側面、２４…貫通部。

Claims

一対の導体層と、前記一対の導体層の間に設けられた非導体層と、を有する積層体に対して表裏を貫通する貫通部を形成する積層体の加工方法であって、
前記貫通部を形成する側面に、前記一対の導体層の一方の表面から前記非導体層内まで伸びる第一側面と、前記一対の導体層の他方の表面から前記非導体層内まで伸び、かつ、前記第一側面から前記積層体の積層方向と垂直な方向に離間した第二側面と、前記第一側面と前記第二側面とを接続する段差部と、が形成されるように線状に前記貫通部を形成することにより前記積層体に切り込みを入れ、
前記貫通部を形成する工程は、
レーザースクライブ法によって、前記一対の導体層の一方の表面から前記非導体層内まで達する深さの凹部を形成する凹部形成工程と、
レーザースクライブ法によって、前記非導体層の前記凹部の底面から前記一対の導体層の他方の表面にまで貫通し、前記凹部より前記積層体の積層方向と垂直な方向の幅が狭い狭幅貫通部を形成する狭幅貫通部形成工程と、を有し、
前記凹部形成工程は、
前記積層体に線状にレーザー光を走査することにより、前記凹部よりも狭幅な狭幅凹部を形成する工程と、
前記積層体の前記狭幅凹部に隣接する領域にレーザー光を走査して前記狭幅凹部の幅を広げることにより、前記凹部を形成する工程と、を有する積層体の加工方法。
前記貫通部を形成する工程は、前記狭幅貫通部形成工程よりも前に前記凹部内に樹脂を充填して樹脂部を形成する樹脂部形成工程をさらに有し、
前記狭幅貫通部形成工程においては、前記樹脂部を貫通すると共に、前記非導体層の前記凹部の底面から前記一対の導体層の他方の表面にまで貫通し、前記凹部より前記積層体の積層方向と垂直な方向の幅が狭い前記狭幅貫通部を形成する請求項１に記載の積層体の加工方法。