JP3303546B2 - ビスラクトン系化合物及びその製造方法 - Google Patents

ビスラクトン系化合物及びその製造方法

Info

Publication number
JP3303546B2
JP3303546B2 JP20348494A JP20348494A JP3303546B2 JP 3303546 B2 JP3303546 B2 JP 3303546B2 JP 20348494 A JP20348494 A JP 20348494A JP 20348494 A JP20348494 A JP 20348494A JP 3303546 B2 JP3303546 B2 JP 3303546B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
general formula
bislactone
represented
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP20348494A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0859667A (ja
Inventor
直子 鈴木
弘俊 中西
恭子 長瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to JP20348494A priority Critical patent/JP3303546B2/ja
Priority to SG1995001166A priority patent/SG33467A1/en
Priority to TW084108819A priority patent/TW303363B/zh
Priority to EP95113479A priority patent/EP0699959A1/en
Priority to KR1019950026797A priority patent/KR960007598A/ko
Priority to US08/520,096 priority patent/US5591871A/en
Publication of JPH0859667A publication Critical patent/JPH0859667A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3303546B2 publication Critical patent/JP3303546B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D493/04—Ortho-condensed systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なビスラクトン系化
合物及びその製造方法に関し、より詳しくはポリマー安
定化剤、或いは平版印刷版やIC等の作製に用いられるポ
ジ型レジストのための原材料として有用なビスラクトン
系化合物及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開平４−177351号及び特開平５
−323598号公報には、下式
【０００３】
【化５】
【０００４】で示されるモノラクトン化合物と１，２−
ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物を感
光剤として含むポジ型レジスト組成物が記載されてい
る。一方、ビスラクトン化合物については、例えば特公
昭63−26771 号公報（実施例１）にマンデリン酸及びレ
ゾルシノールを副生する水を留去しながら加熱反応させ
て下式
【０００５】
【化６】
【０００６】で示されるポリマー安定化剤を製造したこ
とが記載されているが、ポジ型レジストへの利用は知ら
れていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】特公昭63−26771 号公
報に記載のビスラクトン化合物はフェノール性水酸基を
有しないので、アルカリ性現像液により現像して所望の
画像（レジストパターン）を得る、平版印刷版やIC等の
作製に用いられるポジ型レジストのための原材料として
利用しにくいという問題点がある。本発明はポリマー安
定化剤ばかりでなく、平版印刷版やIC等の作製に用いら
れるポジ型レジストのための原材料としても有用なビス
ラクトン系化合物及びその製造方法を提供することを課
題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）
【０００９】
【化７】
【００１０】（式中、Ｒ1 及びＲ2 は各々独立して水素
又は炭素数６以下のアルキル基を表わし、Ｒ3 〜Ｒ6 は
各々独立して水素、水酸基又は炭素数６以下のアルキル
基を表わす。）で示されるビスラクトン系化合物、並び
に一般式（ＩＩＩ）
【００１１】
【化８】
【００１２】（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は上記の意味を有す
る。）で示される４−ヒドロキシマンデル酸類及び一般
式（ＩＶ）
【００１３】
【化９】
【００１４】（式中、Ｒ5 及びＲ6 は上記の意味を有す
る。）で示されるフェノール化合物を酸触媒の存在下に
反応させることを特徴とする、前記一般式（Ｉ）で示さ
れるビスラクトン系化合物の製造方法である。
【００１５】一般式（Ｉ）において、Ｒ1 〜Ｒ6 で表さ
れるアルキル基としては直鎖又は分岐状のものが挙げら
れ、好ましいアルキル基としてはメチル基及びエチル基
等が挙げられる。好ましい一般式（Ｉ）で示されるビス
ラクトン系化合物としては、例えば一般式（ＩＩ）
【００１６】
【化１０】
【００１７】（式中、Ｒ7 は水素又は炭素数６以下のア
ルキル基を表わす。）で示される化合物が挙げられる。
上記一般式（ＩＩＩ）で示される４−ヒドロキシマンデ
ル酸類及び一般式（ＩＶ）で示されるフェノール化合物
を反応させて一般式（Ｉ）で示されるビスラクトン系化
合物を製造する際の好ましい酸触媒としては、例えば無
機酸（塩酸、硫酸及び燐酸等）又は有機酸（メタンスル
ホン酸、トリクロロ酢酸、トリフロロ酢酸及びｐ−トル
エンスルホン酸等）が挙げられる。酸触媒の使用量は一
般式（ＩＩＩ）で示される４−ヒドロキシマンデル酸類
100 重量部に対して通常５〜100重量部であり、好まし
くは５〜50重量部である。上記反応においては、媒体と
して水又は有機溶媒を用いることが好ましく、好ましい
有機溶媒としては酢酸アルキルエステル（酢酸エチル及
び酢酸ｎ−プロピル等）及び脂肪族環状エーテル（テト
ラヒドロフラン及びジオキサン等）等が挙げられる。水
又は有機溶媒の使用量は一般式（ＩＶ）で示されるフェ
ノール化合物100 重量部に対して通常10〜500 重量部で
あり、好ましくは50〜400 重量部である。好ましいフェ
ノール化合物としては、例えばレゾルシン、２−メチル
レゾルシン、ピロガロール及び２−エチルレゾルシン等
が挙げられる。フェノール化合物と４−ヒドロキシマン
デル酸類との反応モル比は通常１：２〜１：10であり、
好ましくは１：２〜１：４である。反応温度の範囲は通
常０〜100 ℃であり、反応時間の範囲は通常１〜120 時
間である。反応終了後、反応混合物に結晶化、濾過、洗
浄及び乾燥等の操作を加えて一般式（Ｉ）で示されるビ
スラクトン系化合物を単離することができる。一般式
（ＩＩＩ）で示される４−ヒドロキシマンデル酸類は、
例えば市販品、或いは４−ヒドロキシ−ベンズアルデヒ
ド化合物を亜硫酸水素ナトリウム及び青酸ソーダと反応
させて相当するシアンヒドリンを得、当該シアンヒドリ
ンを加水分解してオキシカルボン酸としたものを利用す
ることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明のビスラクトン系化合物はポリマ
ー安定化剤としてばかりでなく、アルカリ性現像液によ
り現像して所望の画像を得るような平版印刷版やIC等の
作製に用いられるポジ型レジストの原材料としても有用
である。特に本発明のビスラクトン系化合物、多価フェ
ノール類の１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸エステル化物（感光剤）及び、クレゾールを含むフ
ェノール類の混合物、ホルムアルデヒド及び蓚酸等の酸
性触媒の縮合反応生成物であるアルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂の３成分からなるポジ型レジスト組成物はアルカ
リ現像可能であって感度及び解像度等の諸性能に優れて
いるから、当該組成物を用いてLSI やICを生産性良く作
製することができる。又、本発明の製造方法によれば、
特公昭63−26771 号公報の実施例１に記載の方法とは異
なって酸触媒の存在下に反応させるから、反応温度を低
くすることが可能であり、高純度且つ高収率で、即ち工
業的有利に上記ビスラクトン系化合物を製造することが
できる。
【００１９】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説
明する。例中、部は特に断らない限り、重量部を示す。
【００２０】実施例１ ２−メチルレゾルシン124 部、水460 部及びｐ−トルエ
ンスルホン酸102 部の混合物中に攪拌しながら60〜65℃
で１時間かけて４−ヒドロキシマンデル酸504部を添加
した。添加終了後、同温度で20時間反応させた。水5000
部を添加後、室温まで冷却した。反応混合物を濾過し、
得られた結晶を水5000部で洗浄した。洗浄後の結晶を酢
酸エチル及びトルエンの混合物（容量比で６：１）に溶
解した後、水洗した。得られた有機層を水洗後、濃縮
し、油状物を得た。この油状物にほぼ２倍量の酢酸エチ
ル及びトルエンの混合物（重量比で１：３）を加えて冷
却し、得られたスラリーを濾過した。濾過後、得られた
再結晶化物を酢酸エチル及びトルエンの混合物（重量比
で１：４）で洗浄し、次いで乾燥して下式
【００２１】
【化１１】
【００２２】で示される化合物を収率44.3％（対．４−
ヒドロキシマンデル酸）で得た。 FD−MS（マススペクトル）：ｍ／ｅ＝388 融点：238 〜240 ℃
【００２３】実施例２ レゾルシン275 部、水660 部、ｐ−トルエンスルホン酸
105 部及び４−ヒドロキシマンデル酸1051部の混合物を
攪拌しながら50〜55℃で28時間反応させた後、室温まで
冷却した。反応混合物を濾過し、得られた結晶を水5000
部で洗浄した。洗浄後の結晶に酢酸エチル2500部を加え
て60〜65℃で溶解した後、濾過した。得られた濾液を室
温まで冷却して再結晶させた。得られた再結晶化物を酢
酸エチル100 部で洗浄後、乾燥して下式
【００２４】
【化１２】
【００２５】で示される化合物を収率23.5％（対．４−
ヒドロキシマンデル酸）で得た。 FD−MS（マススペクトル）：ｍ／ｅ＝374 融点：209 〜210 ℃ 実施例３〜７ ４−ヒドロキシマンデル酸類及びフェノール化合物を各
々、下表に示す化合物に変える以外は実施例２と同様に
してビスラクトン系化合物を得た。
【００２６】
【表１】
【００２７】応用例 ビスラクトン系化合物、アルカリ可溶性ノボラック樹脂
〔ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾール／２−tertブチル−
５−メチルフェノール／ホルムアルデヒド＝50／50／2.
5 ／66（モル比）混合物から得られた重量平均分子量80
00の樹脂〕及び下記感光剤を下表に示す組成で２−ヘプ
タノン及びγ−ブチロラクトン（重量比で95：５）の混
合溶媒に溶かした後、精密濾過してレジスト液を調製し
た〔溶媒量は塗布、ベーク後の膜厚が1.07μｍになるよ
うに調整した〕。常法により洗浄したシリコンウエハー
にスピンナーを用いてレジスト液を塗布し、90℃のホッ
トプレートで１分ベーク後、365nm （ｉ線）の露光波長
を有する縮小投影露光機（ニコン社製NSR2005i9C NA ＝
0.57）を用いて露光量を段階的に変化させて露光した。
露光後、110 ℃のホットプレートで１分ベークし、これ
を現像液SOPD〔住友化学工業株式会社製〕で１分現像し
てポジ型パターンを得た。露光量に対するレジストの残
膜厚をプロットすることによりレジストの感度を求め
た。又、露光量の対数に対する規格化膜厚（＝残膜厚／
初期膜厚）をプロットし、その傾きθからtan θを計算
してγ値とした。解像度は0.35μｍラインアンドスペー
スが１：１になる露光量（実効感度）のときの膜減りな
く分離する、最小のパターンの寸法を求めた。尚、下表
中、感光剤Ａは下記式
【００２８】
【化１３】
【００２９】で示される化合物とナフトキノン−（１，
２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリドとの
縮合反応（モル比１：２）生成物である。感光剤Ｂは下
記式
【００３０】
【化１４】
【００３１】で示される化合物とナフトキノン−（１，
２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロリドとの
縮合反応（モル比１：３）生成物である。又、ビスラク
トンＩは下記式
【００３２】
【化１５】
【００３３】で示される化合物である。
【００３４】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−17083（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−177351（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−323598（ＪＰ，Ａ) 特表 昭55−501181（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07D 493/04 ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＣＡ（ＳＴＮ)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 及びＲ2 は各々独立して水素又は炭素数６
    以下のアルキル基を表わし、Ｒ3 〜Ｒ6 は各々独立して
    水素、水酸基又は炭素数６以下のアルキル基を表わ
    す。）で示されるビスラクトン系化合物。
  2. 【請求項２】一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ7 は水素又は炭素数６以下のアルキル基を表
    わす。）で示される、請求項１に記載のビスラクトン系
    化合物。
  3. 【請求項３】一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は請求項１に記載の意味を有す
    る。）で示される４−ヒドロキシマンデル酸類及び一般
    式（ＩＶ） 【化４】 （式中、Ｒ5 及びＲ6 は請求項１に記載の意味を有す
    る。）で示されるフェノール化合物を酸触媒の存在下に
    反応させることを特徴とする、前記一般式（Ｉ）で示さ
    れるビスラクトン系化合物の製造方法。
  4. 【請求項４】水、酢酸アルキルエステル又は脂肪族環状
    エーテルの共存下に反応させる、請求項３に記載の製造
    方法。
JP20348494A 1994-08-29 1994-08-29 ビスラクトン系化合物及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3303546B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20348494A JP3303546B2 (ja) 1994-08-29 1994-08-29 ビスラクトン系化合物及びその製造方法
SG1995001166A SG33467A1 (en) 1994-08-29 1995-08-21 A bislactone compound and a process for producing the same
TW084108819A TW303363B (ja) 1994-08-29 1995-08-24
EP95113479A EP0699959A1 (en) 1994-08-29 1995-08-28 A bislactone compound and a process for producing the same
KR1019950026797A KR960007598A (ko) 1994-08-29 1995-08-28 비스락톤계화합물 및 그 제조방법
US08/520,096 US5591871A (en) 1994-08-29 1995-08-28 Bislactone compound and a process for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20348494A JP3303546B2 (ja) 1994-08-29 1994-08-29 ビスラクトン系化合物及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0859667A JPH0859667A (ja) 1996-03-05
JP3303546B2 true JP3303546B2 (ja) 2002-07-22

Family

ID=16474925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20348494A Expired - Fee Related JP3303546B2 (ja) 1994-08-29 1994-08-29 ビスラクトン系化合物及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5591871A (ja)
EP (1) EP0699959A1 (ja)
JP (1) JP3303546B2 (ja)
KR (1) KR960007598A (ja)
TW (1) TW303363B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665150A (en) * 1996-09-27 1997-09-09 Xerox Corporation Dye and ink compositions
JP4951941B2 (ja) * 2005-11-11 2012-06-13 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト用化合物及び感放射線性組成物
KR100840784B1 (ko) * 2006-08-24 2008-06-23 삼성전자주식회사 반사 방지막 형성용 폴리머, 이를 포함하는 유기반사방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법
US7625695B2 (en) * 2006-08-24 2009-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Polymers for anti-reflective coatings, anti-reflective coating compositions and methods of forming a pattern using the same
KR20130018159A (ko) * 2011-08-11 2013-02-20 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화합물
JP7233871B2 (ja) * 2017-09-27 2023-03-07 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7220536B2 (ja) * 2017-09-27 2023-02-10 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2042562B (en) 1979-02-05 1983-05-11 Sandoz Ltd Stabilising polymers
JPS6317083A (ja) * 1986-07-10 1988-01-25 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 感熱記録材料
JPH04177351A (ja) 1990-11-13 1992-06-24 Hitachi Chem Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの製造法
JPH05323598A (ja) 1992-05-20 1993-12-07 Hitachi Chem Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの製造法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0859667A (ja) 1996-03-05
EP0699959A1 (en) 1996-03-06
US5591871A (en) 1997-01-07
KR960007598A (ko) 1996-03-22
TW303363B (ja) 1997-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0616174B2 (ja) ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物
US5866724A (en) Positive resist composition and photosensitizers
JP3303546B2 (ja) ビスラクトン系化合物及びその製造方法
KR100395581B1 (ko) 테트라페놀화합물및이의제조방법
KR100198185B1 (ko) 다가 페놀 화합물 및 그것을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물
US5283155A (en) Positive resist composition comprising an alkali-soluble resin and a quinone diazide sulfonic acid ester of a hydroxy flavan derivative
JPH07333842A (ja) 感光性樹脂組成物
US5082932A (en) Process for preparing substituted 1,2-naphthoquinone-(2)-diazide-4-sulfonic acid esters and their use in a radiation-sensitive mixture
US5283324A (en) Process for preparing radiation sensitive compound and positive resist composition
EP2137140A2 (en) Novel diazonaphthoquinonesulfonic acid bisphenol derivative useful in photo lithographic sub micron patterning and a process for preparation thereof
JP3722121B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP2676902B2 (ja) トリフェニルメタン誘導体及びその製法
JP3199077B2 (ja) ポジ型感光性組成物
JP3921709B2 (ja) ペンタフェノール系化合物およびその用途
JP3799643B2 (ja) ペンタフェノール系化合物、その製法及び用途
JP2002241331A (ja) ２，２’−メチレンビス（アルキルフェノール）類の製造方法
JP3855285B2 (ja) ジメチロール化トリフェノール系化合物およびその製法
JP4067905B2 (ja) フェノール化合物の製造方法
JP3834852B2 (ja) ペンタフェノール系化合物およびその用途
JP3921698B2 (ja) ペンタフェノール系化合物およびその用途
JP3921701B2 (ja) ペンタフェノール系化合物およびそれの感光剤への使用
JP3921700B2 (ja) ５核体ノボラック化合物およびそれの感光剤への使用
JP3921699B2 (ja) ５核体ノボラック化合物およびその用途
JPH09194415A (ja) フェノール系２核体化合物、その製法および用途
EP0504724A1 (en) Positive resist composition

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080510

Year of fee payment: 6

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D05

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees