JP3290497B2 - 輝尽性蛍光体およびその製造法 - Google Patents
輝尽性蛍光体およびその製造法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な輝尽性蛍光体、
およびその製造法に関するものである。
およびその製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の放射線写真法に代わる方法とし
て、たとえば特開昭５５−１２１４５号公報に記載され
ているような輝尽性蛍光体を用いる放射線像記録再生方
法が知られている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有す
る放射線像変換パネル（蓄積性蛍光体シート）を利用す
るもので、被写体を透過した、あるいは被検体から発せ
られた放射線を該パネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そ
ののちに輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波
（励起光）で時系列的に励起することにより、該輝尽性
蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（輝
尽発光光）として放出させ、この蛍光を光電的に読み取
って電気信号を得、次いで得られた電気信号に基づいて
被写体あるいは被検体の放射線画像を可視像として再生
するものである。読み取りを終えた該パネルは、残存す
る画像の消去が行なわれた後、次の撮影のために備えら
れる。すなわち、放射線像変換パネルは繰り返し使用す
ることができる。
て、たとえば特開昭５５−１２１４５号公報に記載され
ているような輝尽性蛍光体を用いる放射線像記録再生方
法が知られている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有す
る放射線像変換パネル（蓄積性蛍光体シート）を利用す
るもので、被写体を透過した、あるいは被検体から発せ
られた放射線を該パネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そ
ののちに輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波
（励起光）で時系列的に励起することにより、該輝尽性
蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（輝
尽発光光）として放出させ、この蛍光を光電的に読み取
って電気信号を得、次いで得られた電気信号に基づいて
被写体あるいは被検体の放射線画像を可視像として再生
するものである。読み取りを終えた該パネルは、残存す
る画像の消去が行なわれた後、次の撮影のために備えら
れる。すなわち、放射線像変換パネルは繰り返し使用す
ることができる。
【０００３】上記の放射線像記録再生方法によれば、従
来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せを用いる放
射線写真法による場合に比較して、はるかに少ない被曝
線量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができると
いう利点がある。さらに、従来の放射線写真法では一回
の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対し
て、この放射線像変換方法では放射線像変換パネルをく
り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有
利である。
来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せを用いる放
射線写真法による場合に比較して、はるかに少ない被曝
線量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができると
いう利点がある。さらに、従来の放射線写真法では一回
の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対し
て、この放射線像変換方法では放射線像変換パネルをく
り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有
利である。
【０００４】輝尽性蛍光体は、放射線を照射した後、励
起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用
上では、波長が４００〜９００ｎｍの範囲にある励起光
によって３００〜５００ｎｍの波長範囲の輝尽発光を示
すもの一般的に利用される。従来より放射線像変換パネ
ルに用いられてきた輝尽性蛍光体の例としては、二価ユ
ーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体
が挙げられる。放射線像記録再生方法に用いられる放射
線像変換パネルは、基本構造として、支持体とその表面
に設けられた輝尽性蛍光体層とからなるものである。た
だし、蛍光体層が自己支持性である場合には必ずしも支
持体を必要としない。輝尽性蛍光体層は、通常は輝尽性
蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからな
る。ただし、輝尽性蛍光体層としては、蒸着法や焼結法
によって形成される結合剤を含まないで輝尽性蛍光体の
凝集体のみから構成されるものが知られている。また、
輝尽性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されて
いる輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルも知ら
れている。これらのいずれの蛍光体層でも、輝尽性蛍光
体はＸ線などの放射線を吸収したのち励起光の照射を受
けると輝尽発光を示す性質を有するものであるから、被
写体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線
は、その放射線量に比例して放射線像変換パネルの輝尽
性蛍光体層に吸収され、パネルには被写体あるいは被検
体の放射線像が放射線エネルギーの蓄積像として形成さ
れる。この蓄積像は、上記励起光を照射することにより
輝尽発光光として放出させることができ、この輝尽発光
光を光電的に読み取って電気信号に変換することにより
放射線エネルギーの蓄積像を画像化することが可能とな
る。
起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用
上では、波長が４００〜９００ｎｍの範囲にある励起光
によって３００〜５００ｎｍの波長範囲の輝尽発光を示
すもの一般的に利用される。従来より放射線像変換パネ
ルに用いられてきた輝尽性蛍光体の例としては、二価ユ
ーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体
が挙げられる。放射線像記録再生方法に用いられる放射
線像変換パネルは、基本構造として、支持体とその表面
に設けられた輝尽性蛍光体層とからなるものである。た
だし、蛍光体層が自己支持性である場合には必ずしも支
持体を必要としない。輝尽性蛍光体層は、通常は輝尽性
蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからな
る。ただし、輝尽性蛍光体層としては、蒸着法や焼結法
によって形成される結合剤を含まないで輝尽性蛍光体の
凝集体のみから構成されるものが知られている。また、
輝尽性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されて
いる輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルも知ら
れている。これらのいずれの蛍光体層でも、輝尽性蛍光
体はＸ線などの放射線を吸収したのち励起光の照射を受
けると輝尽発光を示す性質を有するものであるから、被
写体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線
は、その放射線量に比例して放射線像変換パネルの輝尽
性蛍光体層に吸収され、パネルには被写体あるいは被検
体の放射線像が放射線エネルギーの蓄積像として形成さ
れる。この蓄積像は、上記励起光を照射することにより
輝尽発光光として放出させることができ、この輝尽発光
光を光電的に読み取って電気信号に変換することにより
放射線エネルギーの蓄積像を画像化することが可能とな
る。
【０００５】なお、輝尽性蛍光体層の表面（支持体に面
していない側の表面）には通常、ポリマーフィルムある
いは無機物の蒸着膜などからなる保護膜が設けられてい
て、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から
保護している。
していない側の表面）には通常、ポリマーフィルムある
いは無機物の蒸着膜などからなる保護膜が設けられてい
て、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から
保護している。
【０００６】これまでに各種の用途において多数の蛍光
体が見い出されている。しかし、前記のような輝尽性を
示す蛍光体としては、僅かな種類のものが確認されてい
るのみである。従って、実用上に利用できるレベルの輝
尽性を示す蛍光体の探索は依然として重要である。
体が見い出されている。しかし、前記のような輝尽性を
示す蛍光体としては、僅かな種類のものが確認されてい
るのみである。従って、実用上に利用できるレベルの輝
尽性を示す蛍光体の探索は依然として重要である。
【０００７】輝尽性を示す蛍光体として下記式： Ｙx Ｌｕy Ｇｄ2 ＳｉＯ5 ：ａＡ，ｂＢ ［ｘ＋ｙ＋ｚ＝２、Ｘ＞０、ｙ≧０、ｚ≧０であり、Ａ
はセリウムおよび／またはテルビウムであり、Ｂはジル
コニウムおよび／またはサマリウムであり、２×１０-5
＜ｘ＜０．０２であり、そして２×１０-5＜ｘ＜０．０
２である］で表わされる蛍光体が特開平２−３００６９
６号公報に開示されている。また、ジャーナル・オブ・
フィジクス・ディ：アプライド・フィジクス（Ｊ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｄ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）２４（１９９１）９
９７−１００２頁には、Ｙ2 ＳｉＯ5 −Ｃｅ，Ｓｍで表
わされる輝尽性蛍光体を焼成により製造する際に，フラ
ックスとしてＮＨ4 Ｆを用いることが記載されている。
はセリウムおよび／またはテルビウムであり、Ｂはジル
コニウムおよび／またはサマリウムであり、２×１０-5
＜ｘ＜０．０２であり、そして２×１０-5＜ｘ＜０．０
２である］で表わされる蛍光体が特開平２−３００６９
６号公報に開示されている。また、ジャーナル・オブ・
フィジクス・ディ：アプライド・フィジクス（Ｊ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｄ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）２４（１９９１）９
９７−１００２頁には、Ｙ2 ＳｉＯ5 −Ｃｅ，Ｓｍで表
わされる輝尽性蛍光体を焼成により製造する際に，フラ
ックスとしてＮＨ4 Ｆを用いることが記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の希土
類元素とＳｉＯ5 とを含む輝尽性蛍光体の輝尽性を改良
する（具体的には輝尽発光量を増大させる）ことを目的
とするものである。
類元素とＳｉＯ5 とを含む輝尽性蛍光体の輝尽性を改良
する（具体的には輝尽発光量を増大させる）ことを目的
とするものである。
【０００９】
組成式（Ｉ）： Ｙ2-x Ｌｎx ＳｉＯ5 ・ｙＭ：ｚＡｃ …（Ｉ） ［但し、ＬｎはＹ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の希土類元素を表わし、またＡｃはＥ
ｕ、Ｃｅ、Ｓｍ及びＺｒからなる群より選ばれる少なく
とも一種の元素を表わし、ＭはＡｌ及びＭｇからなる少
なくとも一種の元素を表わし、そしてｘ、ｙおよびｚ
は、それぞれ０＜ｘ≦２、０＜ｙ≦１．０、および０＜
ｚ≦０．１の数値を表わす。］で表わされる輝尽性蛍光
体。
る少なくとも一種の希土類元素を表わし、またＡｃはＥ
ｕ、Ｃｅ、Ｓｍ及びＺｒからなる群より選ばれる少なく
とも一種の元素を表わし、ＭはＡｌ及びＭｇからなる少
なくとも一種の元素を表わし、そしてｘ、ｙおよびｚ
は、それぞれ０＜ｘ≦２、０＜ｙ≦１．０、および０＜
ｚ≦０．１の数値を表わす。］で表わされる輝尽性蛍光
体。
【００１０】組成式（II）： Ｙ2-x Ｌｎx ＳｉＯ5 ：ｚＡｃ …（II） ［但し、ＬｎはＹ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の希土類元素を表わし、またＡｃはＥ
ｕ、Ｃｅ、Ｓｍ及びＺｒからなる群より選ばれる少なく
とも一種の元素を表わし、そしてｘおよびｚは、それぞ
れ０＜ｘ≦２および０＜ｚ≦０．１の数値を表わす。］ で表わされる輝尽性蛍光体を製造するに際して、その原
料組成物の調製に際して、その原料組成物にＡｌＦ3 お
よびＭｇＦ2 からなる群より選ばれる少なくとも一種の
フッ化物を添加することを特徴とする下記組成式
（Ｉ）： Ｙ2-x Ｌｎx ＳｉＯ5 ・ｙＭ：ｚＡｃ …（Ｉ） ［但し、ＬｎおよびＡｃは上記と同じ意味を表わし、Ｍ
はＡｌ及びＭｇからなる少なくとも一種の元素を表わ
し、そしてｘおよびｚは上記と同じ意味を表わし、ｙは
０＜ｙ≦１．０の数値を表わす。］ で表わされる輝尽発光量の増大した輝尽性蛍光体の製造
法。
る少なくとも一種の希土類元素を表わし、またＡｃはＥ
ｕ、Ｃｅ、Ｓｍ及びＺｒからなる群より選ばれる少なく
とも一種の元素を表わし、そしてｘおよびｚは、それぞ
れ０＜ｘ≦２および０＜ｚ≦０．１の数値を表わす。］ で表わされる輝尽性蛍光体を製造するに際して、その原
料組成物の調製に際して、その原料組成物にＡｌＦ3 お
よびＭｇＦ2 からなる群より選ばれる少なくとも一種の
フッ化物を添加することを特徴とする下記組成式
（Ｉ）： Ｙ2-x Ｌｎx ＳｉＯ5 ・ｙＭ：ｚＡｃ …（Ｉ） ［但し、ＬｎおよびＡｃは上記と同じ意味を表わし、Ｍ
はＡｌ及びＭｇからなる少なくとも一種の元素を表わ
し、そしてｘおよびｚは上記と同じ意味を表わし、ｙは
０＜ｙ≦１．０の数値を表わす。］ で表わされる輝尽発光量の増大した輝尽性蛍光体の製造
法。
【００１１】組成式（Ｉ）および（II）において、Ｌｎ
はＬｕであることが好ましく、ＡｃはＣｅとＺｒとの組
合せであることが好ましい。また、ｘは１であること
が、ｙは０．２≦ｙ≦０．３であることが、そしてｚ
は、０．０００１≦ｚ≦０．０５であることが好まし
い。
はＬｕであることが好ましく、ＡｃはＣｅとＺｒとの組
合せであることが好ましい。また、ｘは１であること
が、ｙは０．２≦ｙ≦０．３であることが、そしてｚ
は、０．０００１≦ｚ≦０．０５であることが好まし
い。
【００１２】本発明の組成式（Ｉ）で表わされる輝尽性
蛍光体は、Ｙ2 Ｏ3 および／またはＬｎ2 Ｏ3 、そして
ＳｉＯ2 および一種もしくは二種以上のＡｃの酸化物を
目的蛍光体の組成になるように混合し、更にこれらの混
合物に対して１〜２０重量％（好ましくは３．７〜５．
６重量％）のＡｌＦ3 および／またはＭｇＦ2 を加えた
後、この混合物を固相撹拌し、得られた原料組成物を、
例えば電気炉のような焼成炉内で、窒素雰囲気のような
中性雰囲気で焼成することにより得ることができる。焼
成は一般に９００〜１７００℃で行なわれる。焼成時間
は一般に、１〜１００時間とされる。なお、焼成に際し
ては、焼成温度を変えて二工程もしくはそれ以上の工程
で焼成するのが好ましい。そして、二以上の工程で焼成
する場合には、その焼成工程の間に焼成物を一旦粉砕す
る工程を加えることが好ましい。即ち、上記のようにし
て蛍光体原料混合物を一旦焼成したのちその焼成物を焼
成炉から取り出して放冷し、必要により乳鉢、ボールミ
ル、チューブミル、遠心ミルなどの通常の粉砕機を用い
て微粉末状に粉砕し、更にその粉砕物を電気炉に入れて
再焼成（二次焼成）を行なってもよい。再焼成の際の焼
成温度は１０００〜１７００℃の範囲が適当であり、焼
成時間は０．５〜１０時間が適当である。
蛍光体は、Ｙ2 Ｏ3 および／またはＬｎ2 Ｏ3 、そして
ＳｉＯ2 および一種もしくは二種以上のＡｃの酸化物を
目的蛍光体の組成になるように混合し、更にこれらの混
合物に対して１〜２０重量％（好ましくは３．７〜５．
６重量％）のＡｌＦ3 および／またはＭｇＦ2 を加えた
後、この混合物を固相撹拌し、得られた原料組成物を、
例えば電気炉のような焼成炉内で、窒素雰囲気のような
中性雰囲気で焼成することにより得ることができる。焼
成は一般に９００〜１７００℃で行なわれる。焼成時間
は一般に、１〜１００時間とされる。なお、焼成に際し
ては、焼成温度を変えて二工程もしくはそれ以上の工程
で焼成するのが好ましい。そして、二以上の工程で焼成
する場合には、その焼成工程の間に焼成物を一旦粉砕す
る工程を加えることが好ましい。即ち、上記のようにし
て蛍光体原料混合物を一旦焼成したのちその焼成物を焼
成炉から取り出して放冷し、必要により乳鉢、ボールミ
ル、チューブミル、遠心ミルなどの通常の粉砕機を用い
て微粉末状に粉砕し、更にその粉砕物を電気炉に入れて
再焼成（二次焼成）を行なってもよい。再焼成の際の焼
成温度は１０００〜１７００℃の範囲が適当であり、焼
成時間は０．５〜１０時間が適当である。
【００１３】上記の焼成によって粉末状の蛍光体が得ら
れる。得られた蛍光体については、必要に応じて更に洗
浄、乾燥、ふるい分けなどの蛍光体の製造における各種
の一般的な操作を行なってもよい。なお、蛍光体は温水
で分解しやすいので洗浄はアセトン、酢酸エチル、エタ
ノールなどの有機溶媒で行なう。
れる。得られた蛍光体については、必要に応じて更に洗
浄、乾燥、ふるい分けなどの蛍光体の製造における各種
の一般的な操作を行なってもよい。なお、蛍光体は温水
で分解しやすいので洗浄はアセトン、酢酸エチル、エタ
ノールなどの有機溶媒で行なう。
【００１４】以上に説明した製造法によって、本発明の
組成式（Ｉ）： Ｙ2-x Ｌｎx ＳｉＯ5 ・ｙＭ：ｚＡｃ …（Ｉ） ［但し、ＬｎはＹ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の希土類元素を表わし、またＡｃはＥ
ｕ、Ｃｅ、Ｓｍ及びＺｒからなる群より選ばれる少なく
とも一種の元素を表わし、ＭはＡｌ及びＭｇからなる少
なくとも一種の元素を表わし、そしてｘ、ｙおよびｚ
は、それぞれ０＜ｘ≦２、０＜ｙ≦１．０、及び＜ｚ≦
０．１の数値を表わす。］で表わされる輝尽性蛍光体が
得られる。
組成式（Ｉ）： Ｙ2-x Ｌｎx ＳｉＯ5 ・ｙＭ：ｚＡｃ …（Ｉ） ［但し、ＬｎはＹ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の希土類元素を表わし、またＡｃはＥ
ｕ、Ｃｅ、Ｓｍ及びＺｒからなる群より選ばれる少なく
とも一種の元素を表わし、ＭはＡｌ及びＭｇからなる少
なくとも一種の元素を表わし、そしてｘ、ｙおよびｚ
は、それぞれ０＜ｘ≦２、０＜ｙ≦１．０、及び＜ｚ≦
０．１の数値を表わす。］で表わされる輝尽性蛍光体が
得られる。
【００１５】なお、本発明の輝尽性蛍光体は、一般に放
射線像変換パネルの形態で用いるので、この放射線像変
換パネルについて簡単に述べる。放射線像変換パネルは
輝尽性蛍光体層を含むものである。すなわち、上記の本
発明の輝尽性蛍光体は、通常は結合剤（バインダ）と混
合したのち、これを層状に形成して輝尽性蛍光体層とす
る。なお、輝尽性蛍光体層は、結合剤を含まないで輝尽
性蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、あるいは輝
尽性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されてい
る蛍光体層などでもよい。
射線像変換パネルの形態で用いるので、この放射線像変
換パネルについて簡単に述べる。放射線像変換パネルは
輝尽性蛍光体層を含むものである。すなわち、上記の本
発明の輝尽性蛍光体は、通常は結合剤（バインダ）と混
合したのち、これを層状に形成して輝尽性蛍光体層とす
る。なお、輝尽性蛍光体層は、結合剤を含まないで輝尽
性蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、あるいは輝
尽性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されてい
る蛍光体層などでもよい。
【００１６】次に、蛍光体層が輝尽性蛍光体とこれを分
散状態で含有支持する結合剤とからなる場合を例にと
り、放射線像変換パネルを製造する方法を説明する。
散状態で含有支持する結合剤とからなる場合を例にと
り、放射線像変換パネルを製造する方法を説明する。
【００１７】蛍光体層は、次のような公知の方法により
支持体上に形成することができる。まず、輝尽性蛍光体
と結合剤とを溶剤に加え、これを充分に混合して、結合
剤溶液中に輝尽性蛍光体が均一に分散した塗布液を調製
する。塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比
は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種
類などによって異なるが、一般には結合剤と蛍光体との
混合比は、１：１乃至１：１００（重量比）の範囲から
選ばれ、そして特に１：８乃至１：４０（重量比）の範
囲から選ぶのが好ましい。上記のようにして調製された
蛍光体と結合剤とを含有する塗布液を、次に、支持体の
表面に均一に塗布することにより塗膜を形成する。この
塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ドクターブレ
ード、ロールコーター、ナイフコーターなどを用いるこ
とにより行なうことができる。
支持体上に形成することができる。まず、輝尽性蛍光体
と結合剤とを溶剤に加え、これを充分に混合して、結合
剤溶液中に輝尽性蛍光体が均一に分散した塗布液を調製
する。塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体との混合比
は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種
類などによって異なるが、一般には結合剤と蛍光体との
混合比は、１：１乃至１：１００（重量比）の範囲から
選ばれ、そして特に１：８乃至１：４０（重量比）の範
囲から選ぶのが好ましい。上記のようにして調製された
蛍光体と結合剤とを含有する塗布液を、次に、支持体の
表面に均一に塗布することにより塗膜を形成する。この
塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ドクターブレ
ード、ロールコーター、ナイフコーターなどを用いるこ
とにより行なうことができる。
【００１８】支持体としては、従来の放射線像変換パネ
ルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができ
る。公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体と蛍光
体層の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネ
ルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上
させるために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面に
ゼラチンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層とし
たり、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からな
る光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性
物質からなる光吸収層などを設けることが知られてい
る。本発明において用いられる支持体についても、これ
らの各種の層を設けることができ、それらの構成は所望
の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に
選択することができる。
ルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができ
る。公知の放射線像変換パネルにおいて、支持体と蛍光
体層の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネ
ルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上
させるために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面に
ゼラチンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層とし
たり、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からな
る光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性
物質からなる光吸収層などを設けることが知られてい
る。本発明において用いられる支持体についても、これ
らの各種の層を設けることができ、それらの構成は所望
の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に
選択することができる。
【００１９】上記のようにして支持体上に塗膜を形成し
たのち塗膜を乾燥して、支持体上への輝尽性蛍光体層の
形成を完了する。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線
像変換パネルの特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体と
の混合比などによって異なるが、通常は２０μｍ乃至１
ｍｍとする。ただし、この層厚は５０乃至５００μｍと
するのが好ましい。なお、輝尽性蛍光体層は、必ずしも
上記のように支持体上に塗布液を直接塗布して形成する
必要はなく、たとえば、別に、ガラス板、金属板、プラ
スチックシートなどのシート上に塗布液を塗布し乾燥す
ることにより蛍光体層を形成したのち、これを、支持体
上に押圧するか、あるいは接着剤を用いるなどして支持
体と蛍光体層とを接合してもよい。
たのち塗膜を乾燥して、支持体上への輝尽性蛍光体層の
形成を完了する。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線
像変換パネルの特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体と
の混合比などによって異なるが、通常は２０μｍ乃至１
ｍｍとする。ただし、この層厚は５０乃至５００μｍと
するのが好ましい。なお、輝尽性蛍光体層は、必ずしも
上記のように支持体上に塗布液を直接塗布して形成する
必要はなく、たとえば、別に、ガラス板、金属板、プラ
スチックシートなどのシート上に塗布液を塗布し乾燥す
ることにより蛍光体層を形成したのち、これを、支持体
上に押圧するか、あるいは接着剤を用いるなどして支持
体と蛍光体層とを接合してもよい。
【００２０】前述のように、通常は、蛍光体層の上に保
護膜が付設される。保護膜には、セルロース誘導体やポ
リメチルメタクリレートなどのような透明な有機高分子
物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍光体層の
上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチ
レンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明な
ガラス板などの保護膜形成用シートを別に形成して蛍光
体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるい
は無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜した
ものなどが用いられる。また、有機溶媒可溶性のフッ素
系樹脂の塗布膜により形成され、パーフルオロオレフィ
ン樹脂粉末もしくはシリコーン樹脂粉末を分散、含有さ
せた保護膜であってもよい。
護膜が付設される。保護膜には、セルロース誘導体やポ
リメチルメタクリレートなどのような透明な有機高分子
物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍光体層の
上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチ
レンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明な
ガラス板などの保護膜形成用シートを別に形成して蛍光
体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるい
は無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜した
ものなどが用いられる。また、有機溶媒可溶性のフッ素
系樹脂の塗布膜により形成され、パーフルオロオレフィ
ン樹脂粉末もしくはシリコーン樹脂粉末を分散、含有さ
せた保護膜であってもよい。
【００２１】なお、得られる画像の鮮鋭度を向上させる
ことを目的として、放射線像変換パネルを構成する上記
各層の少なくとも一つの層が励起光を吸収し、輝尽発光
光は吸収しないような着色剤によって着色されていても
よく、独立した着色中間層を設けてもよい（特公昭５４
−２３４００号公報参照）。
ことを目的として、放射線像変換パネルを構成する上記
各層の少なくとも一つの層が励起光を吸収し、輝尽発光
光は吸収しないような着色剤によって着色されていても
よく、独立した着色中間層を設けてもよい（特公昭５４
−２３４００号公報参照）。
【００２２】上記の方法により、支持体上に、組成式
（Ｉ）の輝尽性蛍光体とこれを分散状態で含有支持する
結合剤とからなる蛍光体層が付設されてなる放射線像変
換パネルを製造することができる。
（Ｉ）の輝尽性蛍光体とこれを分散状態で含有支持する
結合剤とからなる蛍光体層が付設されてなる放射線像変
換パネルを製造することができる。
【００２３】
【実施例】 ［実施例１］酸化イットリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）６．０７０
４ｇ（０．０２６８８モル）、酸化ルテシウム（Ｌｕ2
Ｏ3 ）１０．６９８２ｇ（０．０２６８８モル）、二酸
化ケイ素（ＳｉＯ2 ）３．２３０４ｇ（０．０５３７６
ｇ）、ＣｅＯ2 ０．００９２ｇ（０．００００５３８モ
ル）、および硝酸ジルコニウム（Ｚｒ（ＮＯ3 ）4 ・５
Ｈ2 Ｏ）０．０２３１ｇ（０．００００５３８モル）か
らなる混合物に、これに対して約５重量％となる量（１
ｇ）のＭｇＦ2 を添加したのち、この原料混合物をボー
ルミルで充分に混合した。次いで、この混合物を石英ボ
ートに充填してチューブ型電気炉に入れ、窒素雰囲気中
にて１３００℃で２４時間焼成（一次焼成）した。次い
で、この焼成物を電気炉から取りだして、乳鉢で粉砕し
たのち、再度石英ボートに充填してチューブ型電気炉に
入れ、窒素雰囲気中、１４００℃にて４時間焼成（二次
焼成）した。二次焼成の後、石英ボートを電気炉から取
り出して窒素雰囲気中で室温まで冷却した。得られた焼
成物を粉砕した後、篩にかけた。このようにして、本発
明のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．２７Ｍｇ：０．００１Ｃｅ，
０．００１Ｚｒを得た。
４ｇ（０．０２６８８モル）、酸化ルテシウム（Ｌｕ2
Ｏ3 ）１０．６９８２ｇ（０．０２６８８モル）、二酸
化ケイ素（ＳｉＯ2 ）３．２３０４ｇ（０．０５３７６
ｇ）、ＣｅＯ2 ０．００９２ｇ（０．００００５３８モ
ル）、および硝酸ジルコニウム（Ｚｒ（ＮＯ3 ）4 ・５
Ｈ2 Ｏ）０．０２３１ｇ（０．００００５３８モル）か
らなる混合物に、これに対して約５重量％となる量（１
ｇ）のＭｇＦ2 を添加したのち、この原料混合物をボー
ルミルで充分に混合した。次いで、この混合物を石英ボ
ートに充填してチューブ型電気炉に入れ、窒素雰囲気中
にて１３００℃で２４時間焼成（一次焼成）した。次い
で、この焼成物を電気炉から取りだして、乳鉢で粉砕し
たのち、再度石英ボートに充填してチューブ型電気炉に
入れ、窒素雰囲気中、１４００℃にて４時間焼成（二次
焼成）した。二次焼成の後、石英ボートを電気炉から取
り出して窒素雰囲気中で室温まで冷却した。得られた焼
成物を粉砕した後、篩にかけた。このようにして、本発
明のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．２７Ｍｇ：０．００１Ｃｅ，
０．００１Ｚｒを得た。
【００２４】［実施例２］実施例１において、ＭｇＦ2
を１ｇのＡｌＦ3 に替えた以外は同様な方法により、本
発明のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．２０Ａｌ：０．００１Ｃ
ｅ，０．００１Ｚｒを得た。
を１ｇのＡｌＦ3 に替えた以外は同様な方法により、本
発明のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．２０Ａｌ：０．００１Ｃ
ｅ，０．００１Ｚｒを得た。
【００２５】［比較例１］実施例１において、ＭｇＦ2
を添加しなかった以外は同様な方法により、比較用のＹ
ＬｕＳｉＯ5 ：０．００１Ｃｅ，０．００１Ｚｒを得
た。
を添加しなかった以外は同様な方法により、比較用のＹ
ＬｕＳｉＯ5 ：０．００１Ｃｅ，０．００１Ｚｒを得
た。
【００２６】［比較例２］実施例１において、ＭｇＦ2
を１ｇのＮＨ4 Ｆに替えた以外は同様な方法により、比
較用のＹＬｕＳｉＯ5 ：０．００１Ｃｅ，０．００１Ｚ
ｒを得た。
を１ｇのＮＨ4 Ｆに替えた以外は同様な方法により、比
較用のＹＬｕＳｉＯ5 ：０．００１Ｃｅ，０．００１Ｚ
ｒを得た。
【００２７】［比較例３］実施例１において、ＭｇＦ2
を１ｇのＬｉＦに替えた以外は同様な方法によって、比
較用のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．６７Ｌｉ：０．００１Ｃ
ｅ，０．００１Ｚｒを得た。
を１ｇのＬｉＦに替えた以外は同様な方法によって、比
較用のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．６７Ｌｉ：０．００１Ｃ
ｅ，０．００１Ｚｒを得た。
【００２８】［比較例４］実施例１において、ＭｇＦ2
を１ｇのＮａＦに替えた以外は同様な方法によって、比
較用のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．４０Ｎａ：０．００１Ｃ
ｅ，０．００１Ｚｒを得た。
を１ｇのＮａＦに替えた以外は同様な方法によって、比
較用のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．４０Ｎａ：０．００１Ｃ
ｅ，０．００１Ｚｒを得た。
【００２９】［比較例５］実施例１において、ＭｇＦ2
を１ｇのＮａ2 ＳｉＦ6 に替えた以外は同様な方法によ
って、比較用のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．１８Ｎａ・０．０
８８Ｓｉ：０．００１Ｃｅ，０．００１Ｚｒを得た。
を１ｇのＮａ2 ＳｉＦ6 に替えた以外は同様な方法によ
って、比較用のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．１８Ｎａ・０．０
８８Ｓｉ：０．００１Ｃｅ，０．００１Ｚｒを得た。
【００３０】［蛍光体の評価］上記の各蛍光体に４０Ｋ
ＶｐのＸ線を３０ｍＲにて３０秒間照射したのちＨｅ−
Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）を照射して励起し、蛍光
体から放射された輝尽発光をフィルター（青色透過のバ
ンドパスフィルター）を通して光電子増倍管で受光する
ことにより、蛍光体の輝尽発光輝度を測定した。輝尽発
光のピークはいずれも４１０ｎｍであった。この輝尽発
光ピークの高さに基づいて、各蛍光体の輝尽発光強度を
測定した。得られた結果を相対値にまとめて表１に示
す。
ＶｐのＸ線を３０ｍＲにて３０秒間照射したのちＨｅ−
Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）を照射して励起し、蛍光
体から放射された輝尽発光をフィルター（青色透過のバ
ンドパスフィルター）を通して光電子増倍管で受光する
ことにより、蛍光体の輝尽発光輝度を測定した。輝尽発
光のピークはいずれも４１０ｎｍであった。この輝尽発
光ピークの高さに基づいて、各蛍光体の輝尽発光強度を
測定した。得られた結果を相対値にまとめて表１に示
す。
【００３１】 表１ 蛍光体組成 輝尽発光量（相対値） 実施例 １ ＹＬｕＳｉＯ5 ・Ｍｇ：Ｃｅ，Ｚｒ ２．２８ ２ ＹＬｕＳｉＯ5 ・Ａｌ：Ｃｅ，Ｚｒ ２．７０ 比較例 １ ＹＬｕＳｉＯ5 ：Ｃｅ，Ｚｒ １．００ ２ ＹＬｕＳｉＯ5 ：Ｃｅ，Ｚｒ １．０４ ３ ＹＬｕＳｉＯ5 ・Ｌｉ：Ｃｅ，Ｚｒ ０．９６ ４ ＹＬｕＳｉＯ5 ・Ｎａ：Ｃｅ，Ｚｒ ０．８０ ５ ＹＬｕＳｉＯ5 ・Ｎａ・Ｓｉ：Ｃｅ，Ｚｒ ０．６２ なお、表１において蛍光体の組成式は簡略化して記載し
た。
た。
【００３２】実施例１のＹＬｕＳｉＯ5 ・０．２７Ｍ
ｇ：０．００１Ｃｅ，０．００１Ｚｒの輝尽発光スペク
トルと輝尽励起スペクトルを、それぞれ図１と図２に示
す。
ｇ：０．００１Ｃｅ，０．００１Ｚｒの輝尽発光スペク
トルと輝尽励起スペクトルを、それぞれ図１と図２に示
す。
【００３３】次に放射線像変換パネルの製造例を示す。 ［参考例１］蛍光体層形成材料として、実施例１で得た
輝尽性のＹＬｕＳｉＯ5 ・Ｍｇ：０．００１Ｃｅ，０．
００１Ｚｒ蛍光体３５６ｇ、ポリウレタン樹脂（住友バ
イエルウレタン（株）製デスモラック4125）１５．８
ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２．０ｇをメチル
エチルケトン−トルエン（１：１）混合溶媒に添加し、
プロペラミキサーによって分散し、粘度２５〜３０ＰＳ
の塗布液を調製した。この塗布液をドクターブレードを
用いて下塗り付ポリエチレンテレフタレートフィルム上
に塗布した後、１００℃で１５分間乾燥させて、蛍光体
層を形成した。
輝尽性のＹＬｕＳｉＯ5 ・Ｍｇ：０．００１Ｃｅ，０．
００１Ｚｒ蛍光体３５６ｇ、ポリウレタン樹脂（住友バ
イエルウレタン（株）製デスモラック4125）１５．８
ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２．０ｇをメチル
エチルケトン−トルエン（１：１）混合溶媒に添加し、
プロペラミキサーによって分散し、粘度２５〜３０ＰＳ
の塗布液を調製した。この塗布液をドクターブレードを
用いて下塗り付ポリエチレンテレフタレートフィルム上
に塗布した後、１００℃で１５分間乾燥させて、蛍光体
層を形成した。
【００３４】次に、保護膜形成材料として、フッ素系樹
脂：フルオロオレフィン−ビニルエーテル共重合体（旭
硝子（株）製ルミフロン LF100）７０ｇ、架橋剤：イソ
シアネート（住友バイエルウレタン（株）製デスモジュ
ールZ4370)２５ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂５
ｇ、およびシリコーン樹脂微粉末（ＫＭＰ−５９０、信
越化学工業（株）製、粒子径１〜２μｍ）１０ｇをトル
エン−イソプロピルアルコール（１：１）混合溶媒に添
加し、塗布液を作った。この塗布液を上記のようにして
予め形成しておいた蛍光体層上にドクターブレートを用
いて塗布し、次に１２０℃で３０分間熱処理して熱硬化
させるとともに乾燥し、厚さ１０μｍの保護膜を設け
た。以上の方法により、放射線像変換パネルを得た。
脂：フルオロオレフィン−ビニルエーテル共重合体（旭
硝子（株）製ルミフロン LF100）７０ｇ、架橋剤：イソ
シアネート（住友バイエルウレタン（株）製デスモジュ
ールZ4370)２５ｇ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂５
ｇ、およびシリコーン樹脂微粉末（ＫＭＰ−５９０、信
越化学工業（株）製、粒子径１〜２μｍ）１０ｇをトル
エン−イソプロピルアルコール（１：１）混合溶媒に添
加し、塗布液を作った。この塗布液を上記のようにして
予め形成しておいた蛍光体層上にドクターブレートを用
いて塗布し、次に１２０℃で３０分間熱処理して熱硬化
させるとともに乾燥し、厚さ１０μｍの保護膜を設け
た。以上の方法により、放射線像変換パネルを得た。
【００３５】
【発明の効果】本発明のＡｌおよび／またはＭｇが添加
された蛍光体は、それらを添加しないで製造した蛍光体
に比べて、輝尽発光量が顕著に増大する。
された蛍光体は、それらを添加しないで製造した蛍光体
に比べて、輝尽発光量が顕著に増大する。
【図１】ＹＬｕＳｉＯ5 ・０．２７Ｍｇ：０．００１Ｃ
ｅ，０．００１Ｚｒの輝尽発光スペクトルである。
ｅ，０．００１Ｚｒの輝尽発光スペクトルである。
【図２】ＹＬｕＳｉＯ5 ・０．２７Ｍｇ：０．００１Ｃ
ｅ，０．００１Ｚｒの輝尽励起スペクトルである。
ｅ，０．００１Ｚｒの輝尽励起スペクトルである。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−248265（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−178491（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−205482（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−213388（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−203492（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−64885（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−127384（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−193983（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−321600（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−218588（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−300696（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−307381（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−154785（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−90086（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−5883（ＪＰ，Ａ) 特公 昭57−50833（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09K 11/79 C09K 11/80 C09K 11/08 G21K 4/00
Claims (2)
- 【請求項１】 組成式（Ｉ）： Ｙ2-x Ｌｎx ＳｉＯ5 ・ｙＭ：ｚＡｃ …（Ｉ） ［但し、ＬｎはＹ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の希土類元素を表わし、またＡｃはＥ
ｕ、Ｃｅ、Ｓｍ及びＺｒからなる群より選ばれる少なく
とも一種の元素を表わし、ＭはＡｌ及びＭｇからなる少
なくとも一種の元素を表わし、そしてｘ、ｙおよびｚ
は、それぞれ０＜ｘ≦２、０＜ｙ≦１．０、および０＜
ｚ≦０．１の数値を表わす。］で表わされる輝尽性蛍光
体。 - 【請求項２】 組成式（II）： Ｙ2-x Ｌｎx ＳｉＯ5 ：ｚＡｃ …（II） ［但し、ＬｎはＹ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれ
る少なくとも一種の希土類元素を表わし、またＡｃはＥ
ｕ、Ｃｅ、Ｓｍ及びＺｒからなる群より選ばれる少なく
とも一種の元素を表わし、そしてｘおよびｚは、それぞ
れ０＜ｘ≦２および０＜ｚ≦０．１の数値を表わす。］ で表わされる輝尽性蛍光体を製造するに際して、その原
料組成物の調製に際して、その原料組成物にＡｌＦ3 お
よびＭｇＦ2 からなる群より選ばれる少なくとも一種の
フッ化物を添加することを特徴とする下記組成式
（Ｉ）： Ｙ2-x Ｌｎx ＳｉＯ5 ・ｙＭ：ｚＡｃ …（Ｉ） ［但し、ＬｎおよびＡｃは上記と同じ意味を表わし、Ｍ
はＡｌ及びＭｇからなる少なくとも一種の元素を表わ
し、そしてｘおよびｚは上記と同じ意味を表わし、ｙは
０＜ｙ≦１．０の数値を表わす。］ で表わされる輝尽発光量の増大した輝尽性蛍光体の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10032293A JP3290497B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | 輝尽性蛍光体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10032293A JP3290497B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | 輝尽性蛍光体およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06287553A JPH06287553A (ja) | 1994-10-11 |
| JP3290497B2 true JP3290497B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=14270948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10032293A Expired - Fee Related JP3290497B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | 輝尽性蛍光体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3290497B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102433121A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-05-02 | 苏州大学 | 一种硅酸盐长余辉荧光粉及其制备方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3247643B2 (ja) * | 1997-09-10 | 2002-01-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 液晶ディスプレイ装置 |
| CN100368506C (zh) * | 2001-08-31 | 2008-02-13 | 上海跃龙新材料股份有限公司 | 长余辉磷光材料及其制备方法 |
| US7138074B1 (en) | 2003-03-14 | 2006-11-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process of preparation of rare earth silicate phosphor |
| FR2874021B1 (fr) | 2004-08-09 | 2006-09-29 | Saint Gobain Cristaux Detecteu | Materiau scintillateur dense et rapide a faible luminescence retardee |
| WO2012066425A2 (en) | 2010-11-16 | 2012-05-24 | Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs | Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP10032293A patent/JP3290497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102433121A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-05-02 | 苏州大学 | 一种硅酸盐长余辉荧光粉及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06287553A (ja) | 1994-10-11 |
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