JP3279940B2 - 電子回路装置の製造方法、半田残渣均一化治具、金属ロウペースト転写用治具及び電子回路装置の製造装置 - Google Patents

電子回路装置の製造方法、半田残渣均一化治具、金属ロウペースト転写用治具及び電子回路装置の製造装置

Info

Publication number
JP3279940B2
JP3279940B2 JP31655596A JP31655596A JP3279940B2 JP 3279940 B2 JP3279940 B2 JP 3279940B2 JP 31655596 A JP31655596 A JP 31655596A JP 31655596 A JP31655596 A JP 31655596A JP 3279940 B2 JP3279940 B2 JP 3279940B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
solder
electronic circuit
manufacturing
metal brazing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31655596A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10163624A (ja
Inventor
知稔 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP31655596A priority Critical patent/JP3279940B2/ja
Priority to TW086116999A priority patent/TW422752B/zh
Priority to EP97120112A priority patent/EP0845807B1/en
Priority to DE69718755T priority patent/DE69718755T2/de
Priority to US08/971,985 priority patent/US6062460A/en
Priority to KR1019970062990A priority patent/KR100279133B1/ko
Priority to CN97126212A priority patent/CN1101642C/zh
Publication of JPH10163624A publication Critical patent/JPH10163624A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3279940B2 publication Critical patent/JP3279940B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/98—Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/1182—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • H01L2224/11822—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating by dipping, e.g. in a solder bath
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13022—Disposition the bump connector being at least partially embedded in the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8122—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/8123—Polychromatic or infrared lamp heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/035—Paste overlayer, i.e. conductive paste or solder paste over conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10984—Component carrying a connection agent, e.g. solder, adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0195—Tool for a process not provided for in H05K3/00, e.g. tool for handling objects using suction, for deforming objects, for applying local pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0278—Flat pressure, e.g. for connecting terminals with anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0338—Transferring metal or conductive material other than a circuit pattern, e.g. bump, solder, printed component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/043—Reflowing of solder coated conductors, not during connection of components, e.g. reflowing solder paste
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/0445—Removing excess solder on pads; removing solder bridges, e.g. for repairing or reworking
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17—Post-manufacturing processes
    • H05K2203/176—Removing, replacing or disconnecting component; Easily removable component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路装置を作
製する工程で、一度搭載された半導体装置が不良であっ
た場合に、不良半導体装置を半導体装置搭載用基板より
取り外し、再度新たな半導体装置を半導体装置搭載用基
板に搭載するリペアー工程を包含する電子回路装置の製
造方法及びこの製造方法で使用する半田残渣均一化治
具、金属ロウペースト転写用治具並びにこの製造方法の
実施に使用する電子回路装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のリペアー工程において、不良の
半導体装置（電子部品）を配線基板（半導体装置搭載用
基板）から取り外すと、配線基板上の接続部、即ちラン
ドには、例えば金属ロウからなる半田残渣が残留する。
この半田残渣の高さは不均一であるため、この状態で新
たな半導体装置を再搭載すると、接続不良を引き起こ
し、断線等の原因となる。
【０００３】そこで、従来のリペアー方法では、接続不
良を防止するために、以下に示す（１），（２）の工程
を行っていた。
【０００４】（１）まず、半田に濡れる金属板を半田残
渣に押し当て、この状態で金属板を加熱し、金属板側に
半田残渣を回収することにより、配線基板上の半田残渣
を完全に除去する。
【０００５】（２）そして、再搭載では、新たな半導体
装置の半田突起電極自体が、加熱することにより溶融
し、配線基板に接続できるので、ランドにフラックスを
塗布し、酸化を防止した上で、半田突起電極を加熱・溶
融して両者の接続を行う。
【０００６】なお、半田突起電極の加熱・溶融は、雰囲
気炉を用いたり、或いは半田突起電極に加熱空気を当て
ていた。
【０００７】この種の先行技術として、例えば特開平１
−２０９７３６号公報や特開平８−４６３５１号公報等
に開示されたものがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半田突起電
極を用いて回路基板に電子部品をフリップチップ実装す
る場合、半導体装置と配線基板の熱膨張係数に差がある
と、半田突起電極が加熱・溶融されている温度と常温と
の温度差或いは半導体装置の動作状態での温度と停止
（保存）状態での温度差等によって生じる半導体装置と
配線基板との伸び縮みの差、つまり熱応力に起因して、
半田突起電極部分に歪みが発生し、接続不良を誘発する
おそれがある。それ故、熱膨張係数の差に起因する歪み
は、製品の信頼性を低下させる原因となっていた。
【０００９】ここで、半田突起電極部分に生じる歪み
は、半導体装置と配線基板との間になにも充填しない場
合は、下記（１）式、（２）式で示されるコフィン・マ
ンソンの接続疲労寿命式から予測される値に良く一致
し、接続部における最大歪みγmaxを少なくするには、
上記（２）式からわかるように、接続部の高さＨjを高
くすればよい。そして、そのためには、半田量を増やせ
ばよい。
【００１０】
【数１】
【００１１】
【数２】
【００１２】但し、 Ｎf：不良に至るまでのサイクル数 Ｃ：比例定数 β：半田材料定数 Ｋ：ボルツマン定数 ｆ：温度サイクルの周波数 Ｔmax：温度サイクルの最高温度 Ｄmin：接続部の最小直径、具体的には図１３の上下の
接続部直径ＤB1，ＤB2のうちの小さい方の値 △α：配線基板と半導体装置の熱膨張係数の差 ｄ：熱応力からの中立点 △Ｅ：疲労に至る活性化エネルギ である。
【００１３】なお、参考のために、図１３中に、上記の
各値中の代表的なものを示してある。
【００１４】しかるに、上記従来のリペアー法では、半
田残渣を完全に除去し、かつ、半田電極自体のみの半田
量による接続であったため、半田量は少ない。このた
め、接続部の高さＨjを大きくすることができず、製品
の信頼性を向上することが困難であった。
【００１５】本発明はこのような現状に鑑みてなされた
ものであり、接続対象の半導体装置や配線基板に応じて
半田量を十分に確保でき、結果的に接続部の高さを高く
でき、製品の信頼性を向上することができる電子回路装
置の製造方法及びこの製造方法で使用する半田残渣均一
化治具、金属ロウペースト転写用治具並びにこの製造方
法の実施に使用する電子回路装置の製造装置を提供する
ことを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の電子回路装置の
製造方法は、金属ロウからなり、半導体装置の一主面上
に形成された突起電極と、該突起電極に対応する接続用
のランドを有する半導体装置搭載用基板とを位置合わせ
した後、該突起電極を加熱溶融して該半導体装置を該半
導体装置搭載用基板に搭載することにより電子回路装置
を作製する工程で、一度搭載された該半導体装置が不良
であった場合に、不良半導体装置を該半導体装置搭載用
基板より取り外し、再度新たな半導体装置を該半導体装
置搭載用基板に搭載するリペアー工程を行う電子回路装
置の製造方法において、該リペアー工程が、金属ロウに
濡れる金属からなる板を、該金属ロウ残渣の上に、一定
量の隙間を保った状態で載置し、該板を加熱することに
より、該不良半導体装置が取り外された該半導体装置搭
載用基板の該ランドに残留する金属ロウの残渣の内、余
分なものを取り除き、均一量だけ残す工程と、該新たな
半導体装置と該半導体装置搭載用基板とを位置合わせす
る工程と、該ランドに残留する均一化された金属ロウ及
び新たな半導体装置の突起電極を加熱溶融し、該新たな
半導体装置と該半導体装置搭載用基板とを接続する工程
とを包含しており、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００１７】また、本発明の電子回路装置の製造方法
は、金属ロウからなり、半導体装置の一主面上に形成さ
れた突起電極と、該突起電極に対応する接続用のランド
を有する半導体装置搭載用基板とを位置合わせした後、
該突起電極を加熱溶融して該半導体装置を該半導体装置
搭載用基板に搭載することにより電子回路装置を作製す
る工程で、一度搭載された該半導体装置が不良であった
場合に、不良半導体装置を該半導体装置搭載用基板より
取り外し、再度新たな半導体装置を該半導体装置搭載用
基板に搭載するリペアー工程を行う電子回路装置の製造
方法において、該リペアー工程が、金属ロウに濡れる金
属からなる板を、該金属ロウ残渣の上に、一定量の隙間
を保った状態で載置し、該板を加熱することにより、該
不良半導体装置が取り外された該半導体装置搭載用基板
の該ランドに残留する金属ロウの残渣の内、余分なもの
を取り除き、均一量だけ残す工程と、該新たな半導体装
置の突起電極の先端に金属ロウペーストを供給する工程
と、該新たな半導体装置と該半導体装置搭載用基板とを
位置合わせする工程と、該ランドに残留する均一化され
た金属ロウ及び新たな半導体装置の突起電極と金属ロウ
ペーストを加熱溶融し、該新たな半導体装置と該半導体
装置搭載用基板とを接続する工程とを包含しており、そ
のことにより上記目的が達成される。
【００１８】好ましくは、前記ランドに残留する前記均
一量が、前記金属ロウの表面張力に対応した高さであ
る。
【００１９】また、好ましくは、前記突起電極の先端に
金属ロウペーストを供給する工程を転写法で行う。
【００２０】また、好ましくは、前記金属ロウペースト
が金属ロウと同種の金属粉体をバインダー中に分散させ
た金属ロウペーストである。
【００２１】また、好ましくは、前記ランドに残留する
均一化された金属ロウ及び新たな半導体装置の突起電極
ないし新たな半導体装置の突起電極と金属ロウペースト
の加熱溶融をランプによる光加熱で行う。
【００２２】また、好ましくは、前記ランプとして近赤
外ランプを用いる。
【００２３】
【００２４】また、好ましくは、前記一定量の隙間が、
前記ランドのランド径の１／４〜１／１０の大きさであ
る。
【００２５】
【００２６】
【００２７】また、好ましくは、前記金属ロウが共晶半
田又は共晶半田に若干の添加物を加えて強度を増大した
半田である。
【００２８】また、好ましくは、前記半導体装置がエリ
アアレイ状の突起電極を有する半導体パッケージであ
る。
【００２９】また、本発明の半田残渣均一化治具は、前
記電子回路装置の製造方法に使用される半田残渣均一化
治具であって、前記板の外周縁部に複数本のピンを立設
してなり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３０】また、本発明の金属ロウペースト転写用治
具は、前記電子回路装置の製造方法において、前記新た
な半導体装置の突起電極の先端に金属ロウペーストを供
給するために使用される金属ロウペースト転写用治具で
あって、治具本体の中央部に割溝又は円形の凹溝が形成
され、該溝の深さが前記半導体装置の前記突起電極の高
さの１／３〜１／２であり、そのことにより上記目的が
達成される。
【００３１】また、本発明の電子回路装置の製造装置
は、金属ロウからなり、半導体装置の一主面上に形成さ
れた突起電極と、該突起電極に対応する接続用のランド
を有する半導体装置搭載用基板とを位置合わせした後、
該突起電極を加熱溶融して該半導体装置を該半導体装置
搭載用基板に搭載することにより電子回路装置を製造す
る装置であって、一度搭載された該半導体装置が不良で
あった場合に、不良半導体装置を該半導体装置搭載用基
板より取り外し、再度新たな半導体装置を該半導体装置
搭載用基板に搭載することが可能になった電子回路装置
の製造装置において、該半導体装置搭載用基板を保持す
る手段と、該半導体装置又は該新たな半導体装置を保持
する手段と、該半導体装置搭載用基板と該半導体装置又
は該新たな半導体装置との位置合わせを行う手段と、金
属ロウに濡れる金属からなる板であって、該金属ロウ残
渣の上に、一定量の隙間を保った状態で載置されて加熱
されることにより、該不良半導体装置が取り外された該
半導体装置搭載用基板の接続部に残留する金属ロウの残
渣の内、余分なものを取り除き、該金属ロウの表面張力
に対応した均一量だけ残す半田残渣均一化治具と、位置
合わせされた該新たな半導体装置の突起電極を加熱溶融
して該半導体装置搭載用基板に接続する加熱手段とを備
えており、そのことにより上記目的が達成される。
【００３２】また、本発明の電子回路装置の製造装置
は、金属ロウからなり、半導体装置の一主面上に形成さ
れた突起電極と、該突起電極に対応する接続用のランド
を有する半導体装置搭載用基板とを位置合わせした後、
該突起電極を加熱溶融して該半導体装置を該半導体装置
搭載用基板に搭載することにより電子回路装置を製造す
る装置であって、一度搭載された該半導体装置が不良で
あった場合に、不良半導体装置を該半導体装置搭載用基
板より取り外し、再度新たな半導体装置を該半導体装置
搭載用基板に搭載することが可能になった電子回路装置
の製造装置において、該半導体装置搭載用基板を保持す
る手段と、該半導体装置又は該新たな半導体装置を保持
する手段と、該半導体装置搭載用基板と該半導体装置又
は該新たな半導体装置との位置合わせを行う手段と、金
属ロウに濡れる金属からなる板であって、該金属ロウ残
渣の上に、一定量の隙間を保った状態で載置されて加熱
されることにより、該不良半導体装置が取り外された該
半導体装置搭載用基板の接続部に残留する金属ロウの残
渣の内、余分なものを取り除き、該金属ロウの表面張力
に対応した均一量だけ残す半田残渣均一化治具と、前記
金属ロウペースト転写用治具と、位置合わせされた該新
たな半導体装置の突起電極を加熱溶融して該半導体装置
搭載用基板に接続する加熱手段とを備えており、そのこ
とにより上記目的が達成される。
【００３３】好ましくは、前記不良半導体装置が取り外
された前記半導体装置搭載用基板の接続部に残留する金
属ロウの残渣の内、余分なものを取り除き、均一量だけ
残す手段が、前記半田残渣均一化治具である。
【００３４】好ましくは、前記加熱手段が近赤外ランプ
である。
【００３５】以下に、本発明の作用を説明する。
【００３６】上記のように、半田残渣を半田の表面張力
に対応した均一量だけ残し、かつ、新たな半導体装置側
に半田ペーストを供給する手法によれば、リペアーされ
た半導体装置に対しても十分な半田量を確保することが
できる。
【００３７】このため、上記のコフィン・マンソンの接
続疲労寿命式からわかるように、接続部の高さＨjを高
くでき、接続部における最大歪みγmaxを少なくできる
ので、接続不良、即ち断線を発生することがない。よっ
て、半導体装置の信頼性を向上できる。
【００３８】なお、製品の種類、即ち接続対象の半導体
装置及び配線基板の種類によっては、このような転写工
程は不要である。本発明者等の実験結果によれば、一例
として、ランドピッチＬPが０．６ｍｍの半導体装置
を、ランド径ＬDが２００μｍφの配線基板に搭載する
場合は、印刷半田は整地後の半田残渣高さで７０μｍφ
あるため、転写工程を行わずとも、信頼性の半導体装置
を得ることができることを確認できた。
【００３９】ここで、本発明では、リペアーのために除
去した後の半田残渣は、完全に除去するのではなく、積
極的に残し、半田量を増やすこととしているが、リペア
ーのために除去した後の半田残渣は、不均一な量が残る
が、溶融半田の表面張力を利用すれば、均一量、即ち高
さ一定の半田残渣に制御できる。
【００４０】この制御は、上記の半田残渣均一化治具を
用いて、半田残渣を加熱することにより容易に達成され
る。
【００４１】また、半導体装置側への、半田ペーストの
供給は、転写法が簡易で、かつ、均一量の供給ができ好
都合である。
【００４２】具体的には、上記の金属ロウペースト転写
用治具を用いれば、容易に達成できる。
【００４３】ここで、転写量は、上記したコフィン・マ
ンソンの接続疲労寿命式より、接続高さを高くするため
には、できるだけ多くの半田ペーストを転写すればよ
く、配線基板上に残留する半田残渣の量及びその表面張
力との関係で１／３以上が好ましい。一方、転写量を余
り多くすると、後述の図３（ａ）に示すように、半田ペ
ースト１２が半導体装置２０に付着し、半田突起電極２
１，２１間をブリッジ２３するおそれがある。このよう
なブリッジ２３が発生すると、図３（ｂ）に示すよう
に、リフロー（再搭載で加熱することも含む）で、溶融
した半田の表面張力で半田が一体化し、大径の半田突起
電極２４を生じるという不具合がある。このような、不
具合を防止するためには、転写量を半田突起電極２１の
高さの１／２、つまり半田突起電極２１の赤道面を越え
ない値に制限すればよい。
【００４４】そこで、本発明では、金属ロウペースト転
写用治具の溝の深さを、半田突起電極の高さの１／２〜
１／３に設定し、転写量が半田突起電極２１の高さの１
／２〜１／３になるようにしている。
【００４５】また、再接続のために加熱する手段として
は、余分な外力が作用しないものがよい。即ち、余分な
外力が作用しなければ、位置合わせ後の半導体装置と配
線基板とが位置ズレすることがなく、その分、容易かつ
効率良くリペアー工程を行えるからである。このため、
本発明では、外力の作用しないランプによる光加熱で加
熱を行っている。
【００４６】なお、ランプとしては、近赤外ランプ（Ｉ
Ｒランプ）が好適である。即ち、半導体装置では、主に
回路基板の材質としてＳｉが用いられており、Ｓｉは近
赤外領域（波長で１μｍ〜５μｍ）の光をよく透過する
性質があり、その波長の光を用いると、Ｓｉを透過して
直接半田突起電極と半田ペーストを効率良く加熱できる
からである。
【００４７】また、金属ロウは、共晶半田若しくは共晶
半田に若干の添加物を加えたものを用いると、半田強度
を向上できるので、実施する上で好ましいものになる。
【００４８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づき具体的に説明する。
【００４９】（本発明方法の実施形態１）図１〜図７は
本発明電子回路装置の製造方法の実施形態１を示す。本
発明方法は、リペアー工程に特徴を有するものであり、
以下に、図１に基づきリペアー工程の概略について説明
する。
【００５０】まず、ステップＳ１で、配線基板上の半導
体装置が不良であることを確認すると、ステップＳ２で
不良半導体装置をランプで加熱し、半田突起電極を熔融
させて配線基板から半導体装置を取り外す。
【００５１】次に、ステップＳ３で、不良半導体装置を
取り外した後に、配線基板上に残留する半田残渣を、均
一量だけ残すようにし、余分な半田は除去する。
【００５２】次に、ステップＳ４で、新たな半導体装置
を用意し、この新たな半導体装置の半田突起電極の先端
部に半田ペーストを転写法で供給し、再搭載の準備をす
る（ステップＳ５）。
【００５３】次に、ステップＳ６で、半田ペーストを転
写した新たな半導体装置と、均一量の半田残渣が残る配
線基板とを位置合わせする。
【００５４】次に、ステップＳ７で、再搭載した半導体
装置をランプの光で加熱し、半田突起電極と半田ペース
トを熔融させ、両者を接続し、これでリペアー工程を終
了する（ステップＳ８）。
【００５５】ここで、ランプとしては、以下に示す理由
により、近赤外ランプ（ＩＲランプ）が好ましい。即
ち、半導体装置では、主に回路基板の材質としてＳｉが
用いられており、Ｓｉは近赤外領域（波長で１μｍ〜５
μｍ）の光をよく透過する性質があり、その波長の光を
用いると、Ｓｉを透過して直接半田突起電極と半田ペー
ストを効率良く加熱できるからである。
【００５６】ステップＳ５に示す半田ペーストの転写工
程は、一例として、図２に示す半田ペースト転写治具１
０を用いて行われる。この治具１０は、直方体状をな
し、その表面の中央部に割溝状の溝１１を有する。溝１
１は半田ペースト１２を一定の厚さにするためのもので
あり、その深さは、半導体装置の半田突起電極２１（図
３参照）の高さの１／２〜１／３が適当である。
【００５７】その理由は、上記したコフィン・マンソン
の接続疲労寿命式より、接続高さを高くするためには、
できるだけ多くの半田ペースト１２を転写すればよく、
配線基板上に残留する半田残渣の量及びその表面張力と
の関係で１／３以上が好ましい。一方、転写量を余り多
くすると、図３（ａ）に示すように、半田ペースト１２
が半導体装置２０に付着し、半田突起電極２１，２１間
をブリッジ２３するおそれがある。このようなブリッジ
２３が発生すると、図３（ｂ）に示すように、リフロー
（再搭載で加熱することも含む）で、溶融した半田の表
面張力で半田が一体化し、大径の半田突起電極２４を生
じるという不具合がある。このような、不具合を防止す
るためには、転写量を半田突起電極２１の高さの１／
２、つまり半田突起電極２１の赤道面を越えない値に制
限すればよい。
【００５８】そこで、本実施形態１では、治具１０の溝
１１の深さを、半田突起電極２１の高さの１／２〜１／
３に設定し、転写量が半田突起電極２１の高さの１／２
〜１／３になるようにしている。
【００５９】次に、図４に基づき、上記治具１０を用い
た半田ペースト転写工程の詳細について説明する。ま
ず、治具１０の溝１１に半田ペースト１２を入れ、半田
ペースト１２がちょうど溝１１内に埋まるように、スキ
ージ等（図示せず）を用いて半田ペースト１２の表面を
平らにする。その後、半導体装置２０を治具１０に押し
当て（図４（ａ）参照）、半田突起電極２１の先端に半
田ペースト１２を付着させる。そして、半導体装置２０
を引き上げ、これで半田ペースト１２の転写工程を終了
する（図４（ｂ）参照）。
【００６０】図５は転写用治具の他の例を示す。この治
具１０’は、円盤状をなし、その中央部に円形の溝１
１’を有する。但し、その中央には、治具１０’の表面
と面一になった突部１３が残存している。この溝１１’
の深さも、上記同様に半田突起電極２１の高さの１／２
〜１／３に設定されている。
【００６１】図６はステップＳ３で示す、配線基板上の
半田残渣量を均一化するために用いる半田残渣均一化治
具を示す。この治具４０は、半田に漏れる金属からな
り、形状直方体の金属板４１の四隅にピン４２を立設し
たものである。ピン４２は配線基板３０（図７参照）と
の間に一定量の隙間を保つ機能を有する。
【００６２】次に、図７に基づき上記治具４０を用いた
配線基板３０上の半田残渣３１を均一化する工程を具体
的に説明する。まず、図７（ａ）に示すように、不良半
導体装置が取り外された配線基板３０に、上方より治具
４０をピン４２を下にして押し当てる。そして、この状
態で、治具４０を加熱する。すると、配線基板３０上の
半田残渣３１は熔融し、半田に漏れる金属板４１に漏れ
広がっていく（図７（ｂ）参照）。
【００６３】なお、図中では、繁雑になるため金属板４
１に漏れ広がった半田は示していないが、半田の表面張
力のために、一定量の半田が配線基板３０の接続用のラ
ンド３３に残った状態３２で治具４０への漏れ広がりは
止まる。この時、必要に応じてフラックス等を、治具４
０或いは配線基板３０に塗布しておいてもよい。その
後、治具４０を取り除けば、均一量だけの半田３２が配
線基板３０のランド３３に残存する（図７（ｃ）参
照）。
【００６４】ここで、半田の表面張力を利用して、半田
残渣３１を均一化するためには、ピン４２の高さが重要
であり、ランド３３の大きさ（ランドサイズ）に対して
１／４〜１／１０程度の高さがよいことを確認できた。
【００６５】なお、本発明が適用される半導体装置とし
ては、一例として、エリアアレイ状の半田突起電極を有
する半導体パッケージが例示される。
【００６６】（本発明方法の実施形態２）図８は本発明
方法の実施形態２を示す。本実施形態２はリペアー工程
における半田残渣均一化方法に特徴を有する。即ち、本
実施形態２では、半田コテを用いて半田残渣の均一化工
程を行っている。以下にその詳細を説明する。
【００６７】まず、図８（ａ）に示すように、半田コテ
５０を配線基板３０の上方にセットする。より具体的に
は、その先端が配線基板３０上の半田残渣３１に接触し
得る高さにセットする。
【００６８】次に、同図（ｂ）に示すように、加熱状態
にある半田コテ５０を水平方向に一定速度で移動させ
る。ここで、半田コテ５０には、フラックスを塗布して
おくことが望ましい。
【００６９】半田コテ５０を移動させると、半田残渣３
１は半田コテ５０で加熱され、溶融し、半田コテ５０と
ランド３３とに漏れ広がって行く。なお、図中では、繁
雑になるため半田コテ５０に漏れ広がった半田は示して
いないが、半田の表面張力のために、一定量が配線基板
３０のランド３３に残存する状態３２で漏れ広がりは止
まる（図８（ｃ）参照）。半田ゴテ５０の移動速度は、
ランド３３を通過する時間が１／１０〜１秒程度がよい
ことを確認できた。
【００７０】この移動は、後述の本発明装置を用いて自
動的に行うようにしてもよいが、ここでは手動で行って
いる。
【００７１】上記のように、半田コテ５０を手動で移動
させて半田残渣３１をこすり、これを整地する場合は、
ランド径（ランドサイズ）ＬDとの関係を考慮する必要
がある。即ち、配線基板３０のランド径ＬDの大きさに
よっては、このような整地方法では、半田残渣３１のバ
ラツキ等を生じ、好ましくない事態を発生するからであ
る。以下にランド径ＬDの好ましい範囲について説明す
る。
【００７２】まず、図９に基づき、本発明が対象とする
半導体装置２０の半田電極サイズＨD、半田電極ピッチ
ＨP及び配線基板３０のランドピッチＬP（半田電極ピッ
チＨPと同じ）について説明する。
【００７３】半田電極サイズＨDは、０．２ｍｍφ〜
０．８ｍｍφ、半田電極ピッチＨP及び配線基板３０の
ランドピッチＬPは、０．５ｍｍ〜１．２７ｍｍであ
る。
【００７４】このような範囲の半導体装置２０及び配線
基板３０を用いて実験したところ、図１０に示すような
結果を得た。
【００７５】整地後の半田残渣の好ましい高さは、ラン
ド径ＬDに応じて異なり（例えば、図１０中に示すよう
に、ランド径ＬD＝１５０μｍφの場合の半田残渣の好
ましい高さは、５５μｍ〜９０μｍ、ランド径ＬD＝２
５０μｍφの場合の半田残渣の好ましい高さは、６０μ
ｍ〜１００μｍである。）、上記実験結果によれば、好
ましいランド径ＬDの範囲は、１５０μｍφ〜５５０μ
ｍφであることを確認できた。
【００７６】また、ランド径ＬDが８００μｍφ以上の
配線基板３０に対しては、半田残渣３１を半田コテでこ
すって整地するのは好ましい方法ではなく、この場合
は、半田ペーストをディスペンスする方法が好ましいこ
とを確認できた。因みに、ランド径ＬDが、１ｍｍφを
越えると、半田残渣３１の分布の最小値が下がる傾向に
あり、かつバラツキも大きくなり、好ましくないことを
確認できた。
【００７７】（本発明方法の実施形態３）上記の実施形
態１では、新たな半導体装置２０の半田突起電極２１に
半田ペーストを転写し、これにより接続高さを稼ぐ手法
を採用しているが、製品の種類、即ち接続対象の半導体
装置２０及び配線基板３０の種類によっては、このよう
な転写工程は不要である。即ち、実施形態１のステップ
Ｓ５の工程を省略したリペアー方法も可能である。
【００７８】本発明者等の実験結果によれば、一例とし
て、ランドピッチＬPが０．６ｍｍの半導体装置２０
を、ランド径ＬDが２００μｍφの配線基板３０に搭載
する場合は、印刷半田は整地後の半田残渣高さで７０μ
ｍφあるため、図１０からもわかるように、この場合
は、ステップＳ５の転写工程を行わずとも、信頼性のあ
るリペアー工程が可能であることを確認できた。
【００７９】下記表１に本発明方法によりリペアーした
半導体装置及びリペアーしない、即ち直行品との温度サ
イクル信頼性評価の試験結果を示す。リペアーした場合
も直行品と同様の信頼性を有することが確認できた。
【００８０】
【表１】
【００８１】次に、下記表２に、本発明方法でリペアー
した半導体装置と従来のリペアー法による半導体装置
（半田残渣を完全に除去し、半田ペーストを転写するこ
となくリペアーした半導体装置）との断線発生の比較結
果について説明する。
【００８２】
【表２】
【００８３】表２からわかるように、本発明方法によれ
ば、従来方法で多発していた断線不良を確実に無くせる
ことがわかる。
【００８４】なお、実験に使用した配線基板３０等の主
な仕様は以下の通り。
【００８５】ランド径ＬD＝０．３ｍｍφ、ランドには
２〜３μｍの無電解Ｎｉメッキ、フラッシュＡｕメッキ
仕上を行っている。
【００８６】実験に用いたＩＲランプはフェニックス電
機製で、タングステンフィラメントの近赤外ランプであ
る。電力２２５Ｗで使用している。配線基板の表面〜半
導体装置附近に焦点をもつように方物面鏡で集光してあ
る。
【００８７】ＩＲランプによる加熱は約１分で半導体装
置を２５０℃にする。
【００８８】実験に使用した半田ペーストはアルファメ
タルズ社の商品名ＲＭＡ５０１−８８−３−３０で、共
晶半田（Ｓｎ６３％，Ｐｂ３７％）の微小半田粉（平均
３０μｍ中）をＲＭＡタイプフラックスで練りあわせた
もので３０万ＣＰＳの粉度をもっている。
【００８９】これをＳＵＳ３０１板（６ｍｍ厚）にフラ
イス加工で１５０μｍ深さの溝を切った図２の治具１０
にのせてガラス板（コーニング社の商品名７０２７，
１．１ｍｍ厚）でスキージして溝に均一にならす。
【００９０】半導体装置２０を真空ピンセット（ハッコ
ー社の商品名３９２）で吸着し、１５０μｍ厚にならし
た半田ペーストに手でおしつける。半田ペーストを半導
体装置の半田突起電極２１になじませるため２分以上放
置した。
【００９１】半田残渣除去はシンチュウ板（１．０ｍｍ
厚）にＩＳＯ・Ｍ２ネジのメネジを４ヶ所設け、ＩＳＯ
・Ｍ２ネジの先端をシンチュウ板面から０．１ｍｍ出る
ようにしてピン（図６のピン４２）とした治具４０を用
いて行った。シンチュウ板にはディップ半田法で薄く半
田メッキしている。これにフラックス（日本アルミット
社の商品名ＲＦ−３５０−ＲＭＡ）を塗布（ハケ塗りの
ため膜厚は不明）したものを用いている。
【００９２】この治具４０を半田残渣の上に置きＩＲラ
ンプで加熱１２２５Ｗ（分）すると、半田はランド上で
５０〜７０μｍ厚の丘状になる。
【００９３】治具４０を使うかわりに、半田残渣の上に
フラックス（商品名ＲＦ−３５０−ＲＭＡ）を塗布（ハ
ケ塗り）し、半田ゴテ（ハッコー社の商品名９２６Ｍ、
コテ先９００Ｍ−Ｔ１−Ｃ）でコテ先温度３００℃〜３
２０℃にしたものでこすると上記と同等な半田残渣とな
った。
【００９４】再搭載に半田ペーストを転写した半導体装
置２０を真空ピンセットで吸着して配線基板のマーク
（『，』）を目標に目合わせで半導体装置２０を置い
た。
【００９５】ＩＲランプで加熱すると、半田残渣、半田
突起電極２１、転写された半田ペースト全てが熔融して
接続される。熔融した際、半田の表面張力が働き、位置
がずれていても正常な位置にもどる（セルフアライメン
ト効果）ので、０．３ｍｍランドの場合、±０．１５ｍ
ｍまで許容できる。このため目合わせの搭載でも可能で
あることを確認できた。
【００９６】（本発明装置の実施形態１）図１１は、本
発明電子回路装置の製造装置の実施形態１を示す。この
製造装置は、配線基板３０を保持し、位置合わせのため
に精密に移動可能な基板ステージ１３０と、半田ペース
ト転写用の治具１０と、不良半導体装置２０’の除去及
び半田残渣を均一化し、新たな半導体装置２０の再搭載
のために加熱する熱源としてのランプ１６０と、半導体
装置２０を保持、移動させるピックアップツール１７０
と、位置合わせのための光学系１９０と、位置合わせ確
認用モニターＴＶ１９１とを備えている。
【００９７】ここで、ピックアップツール１７０、加熱
用ランプ１６０及び位置合わせ用光学系１９０は図上左
右方向に移動できるようになっており、その移動は、例
えば図示しないリニアモータにより行われる。
【００９８】この製造装置において、リペアー工程は、
まず、ランプ１６０を不良半導体装置２０’の上に移動
させ、次いで、ランプ１６０を点灯し、不良半導体装置
２０’を加熱する。これにより、半田が加熱・溶融さ
れ、不良半導体装置２０’が取り外し可能となる。
【００９９】次に、ピックアップツール１７０を不良半
導体装置２０’の上に移動させ、これを吸着して、除去
する。
【０１００】次に、上記した治具４０を除去した後の半
田残渣３１の上に乗せて再びランプ１６０で加熱して半
田残渣を均一化する。
【０１０１】次に、新たな半導体装置２０をピックアッ
プツール１７０に吸着する。このとき、転写治具１０の
溝１１には半田ペースト１２を入れて、スキージ等で平
坦化しておく。ピックアップツール１７０に吸着した半
導体装着２０を半田ペースト１２を充填した転写治具１
０の溝１１に押し当て、半田ペースト１２を半導体装着
２０の半田突起電極２１の先端に転写する。
【０１０２】続いて、半導体装着２０を吸着した状態で
ピックアップツール１７０を配線基板３０の上に移動さ
せて、位置合わせ用光学系１９０及び位置合わせ確認用
モニター１９１を用いて、基板ステージ１３０を動かし
て配線基板３０と半導体装着２０とを位置合わせし、配
線基板３０上に半導体装置２０を搭載する。その後、ラ
ンプ１６０で半導体装着２０を加熱し、半田を加熱・溶
融して両者を接続する。なお、ランプ１６０には、ＩＲ
ランプを用いている。
【０１０３】（本発明装置の実施形態２）図１２は、本
発明電子回路装置の製造装置の実施形態２を示す。この
製造装置は、半田コテ５０及びこれを水平方向に移動さ
せる移動機構５１を備えてい点のみが、上記実施形態１
の製造装置と異なっている。このため、上記の製造装置
と対応する部分には同一の符号を付してあり、重複する
説明については仕様略する。なお、移動機構５１は、例
えばリニアモータで実現される。
【０１０４】本製造装置において、リペアー工程は、ま
ず、ランプ１６０を不良半導体装置２０’の上に移動さ
せ、次いで、加熱して、半田を加熱・溶融する。そし
て、ピックアップツール１７０を不良半導体装置２０’
の上に移動させ、これを吸着して除去する。次に、半田
コテ５０を配線基板３０に接触させ、この状態で半田コ
テ移動機構５１を駆動して、配線基板３０上の半田残渣
３１を均一化する。
【０１０５】次に、新たな半導体装置２０をピックアッ
プツール１７０に吸着し、半導体装着２０を半田ペース
ト１２を充填した半田ペースト転写用の治具１０の溝１
１に押し当て、半田ペースト１２を半導体装置２０の半
田突起電極２１の先端に転写する。
【０１０６】以下、上記同様にして、配線基板３０と半
導体装着２０とを位置合わせし、配線基板３０上に半導
体装置２０を搭載する。その後、ランプ１６０で半導体
装着２０を加熱し、両者を接続する。
【０１０７】本実施形態２の製造装置において、半田コ
テ５０の移動機構５１は、接触していることが重要であ
るが、移動速度のマージンが大きいため、省略して人手
で対応することも可能であり、その場合は、半田コテ５
０及び半田コテ移動機構５１のない、実施形態１の製造
装置と同じ構成でよい。
【０１０８】
【発明の効果】以上の本発明によれば、半田残渣を半田
の表面張力に対応した均一量だけ残し、かつ、新たな半
導体装置側に半田ペーストを供給する手法をとるので、
リペアーされた半導体装置に対しても十分な半田量を確
保することができる。このため、コフィン・マンソンの
接続疲労寿命式からわかるように、接続部の高さＨjを
高くでき、接続部における最大歪みγmaxを少なくでき
るので、接続不良、即ち断線を発生することがない。よ
って、半導体装置の信頼性を向上できる。
【０１０９】なお、製品の種類、即ち接続対象の半導体
装置及び配線基板の種類によっては、このような転写工
程は不要である。
【０１１０】ここで、本発明では、リペアーのために除
去した後の半田残渣は、完全に除去するのではなく、積
極的に残し、半田量を増やすこととしているが、リペア
ーのために除去した後の半田残渣は、不均一な量が残る
が、溶融半田の表面張力を利用すれば、均一量、即ち高
さ一定の半田残渣に制御できる。この制御は、本発明の
半田残渣均一化治具を用いて、半田残渣を加熱すること
により容易に達成される。
【０１１１】また、半導体装置側への、半田ペーストの
供給は、転写法が簡易で、かつ、均一量の供給ができ好
都合である。
【０１１２】具体的には、上記の金属ロウペースト転写
用治具を用いれば、容易に達成できる。
【０１１３】ここで、転写量は、コフィン・マンソンの
接続疲労寿命式より、接続高さを高くするためには、で
きるだけ多くの半田ペーストを転写すればよく、配線基
板上に残留する半田残渣の量及びその表面張力との関係
で１／３以上が好ましい。一方、転写量を余り多くする
と、半田突起電極間をブリッジするおそれがあり、この
ようなブリッジが発生すると、リフロー（再搭載で加熱
することも含む）で、溶融した半田の表面張力で半田が
一体化し、大径の半田突起電極を生じるという不具合が
あり、このような不具合を防止するためには、転写量を
半田突起電極の高さの１／２、つまり半田突起電極の赤
道面を越えない値に制限すればよい。
【０１１４】そこで、本発明では、金属ロウペースト転
写用治具の溝の深さを、半田突起電極の高さの１／２〜
１／３に設定し、転写量が半田突起電極の高さの１／２
〜１／３になるようにしている。
【０１１５】また、再接続のために加熱する手段として
は、余分な外力が作用しないものがよい。即ち、余分な
外力が作用しなければ、位置合わせ後の半導体装置と配
線基板とが位置ズレすることがなく、その分、容易かつ
効率良くリペアー工程を行えるからである。このため、
本発明では、外力の作用しないランプによる光加熱で加
熱を行っている。
【０１１６】なお、ランプとしては、近赤外ランプ（Ｉ
Ｒランプ）が好適である。即ち、半導体装置では、主に
回路基板の材質としてＳｉが用いられており、Ｓｉは近
赤外領域（波長で１μｍ〜５μｍ）の光をよく透過する
性質があり、その波長の光を用いると、Ｓｉを透過して
直接半田突起電極と半田ペーストを効率良く加熱できる
からである。
【０１１７】また、金属ロウは、共晶半田若しくは共晶
半田に若干の添加物を加えたものを用いると、半田強度
を向上できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法におけるリペアープロセスを示すフ
ローチャート。
【図２】（ａ）は本発明方法の実施に使用する半田ペー
スト転写用の治具を示す斜視図、（ｂ）はこの治具に転
写ペーストを充填した状態を示す斜視図。
【図３】半田ペーストの転写量が多すぎる場合の不具合
を説明するための図。
【図４】半田ペーストの転写工程を示す工程図。
【図５】（ａ）は本発明方法の実施に使用するまた別の
半田ペースト転写用の治具を示す斜視図、（ｂ）はこの
治具に転写ペーストを充填した状態を示す斜視図。
【図６】半田残渣の均一化治具を示す斜視図。
【図７】図６の治具を用いて、配線基板上の半田残渣を
均一化する工程を示す工程図。
【図８】また別の半田残渣の均一化治具を用いて半田残
渣を均一化する工程を示す工程図。
【図９】本発明が適用される半導体装置及び配線基板を
示す図。
【図１０】本発明が適用される配線基板のランド径の範
囲を説明するためのグラフ。
【図１１】本発明製造装置の実施形態１を示す斜視図。
【図１２】本発明製造装置の実施形態２を示す斜視図。
【図１３】コフィン・マンソンの接続疲労寿命式を説明
するための図。
【符号の説明】
１０，１０’ 半田ペースト転写用の治具 １１，１１’ 溝 １２ 半田ペースト ２０ 半導体装置（新たな半導体装置） ２０’ 不良半導体装置 ２１ 半導体装置の半田突起電極 ３０ 配線基板 ３１ 半田残渣 ３２ 均一化された半田残渣 ３３ 半田ゴテと基板の接続部の間で漏れ広がる半田 ４０ 半田残渣の均一化治具 ４１ 金属板 ４２ ピン ５０ 半田ゴテ １３０ 基板ステージ １６０ ランプ １７０ ピックアップツール １９０ 位置合わせ用光学系 １９１ 位置合わせ確認用モニターＴＶ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｂ２３Ｋ 1/018 Ｂ２３Ｋ 1/018 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１Ｓ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/34 510 H05K 3/34 505 H05K 3/34 507 B23K 1/018

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属ロウからなり、半導体装置の一主面
    上に形成された突起電極と、該突起電極に対応する接続
    用のランドを有する半導体装置搭載用基板とを位置合わ
    せした後、該突起電極を加熱溶融して該半導体装置を該
    半導体装置搭載用基板に搭載することにより電子回路装
    置を作製する工程で、一度搭載された該半導体装置が不
    良であった場合に、不良半導体装置を該半導体装置搭載
    用基板より取り外し、再度新たな半導体装置を該半導体
    装置搭載用基板に搭載するリペアー工程を行う電子回路
    装置の製造方法において、 該リペアー工程が、 金属ロウに濡れる金属からなる板を、該金属ロウ残渣の
    上に、一定量の隙間を保った状態で載置し、該板を加熱
    することにより、該不良半導体装置が取り外された該半
    導体装置搭載用基板の該ランドに残留する金属ロウの残
    渣の内、余分なものを取り除き、均一量だけ残す工程
    と、 該新たな半導体装置と該半導体装置搭載用基板とを位置
    合わせする工程と、 該ランドに残留する均一化された金属ロウ及び新たな半
    導体装置の突起電極を加熱溶融し、該新たな半導体装置
    と該半導体装置搭載用基板とを接続する工程とを包含す
    る電子回路装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 金属ロウからなり、半導体装置の一主面
    上に形成された突起電極と、該突起電極に対応する接続
    用のランドを有する半導体装置搭載用基板とを位置合わ
    せした後、該突起電極を加熱溶融して該半導体装置を該
    半導体装置搭載用基板に搭載することにより電子回路装
    置を作製する工程で、一度搭載された該半導体装置が不
    良であった場合に、不良半導体装置を該半導体装置搭載
    用基板より取り外し、再度新たな半導体装置を該半導体
    装置搭載用基板に搭載するリペアー工程を行う電子回路
    装置の製造方法において、 該リペアー工程が、 金属ロウに濡れる金属からなる板を、該金属ロウ残渣の
    上に、一定量の隙間を保った状態で載置し、該板を加熱
    することにより、該不良半導体装置が取り外された該半
    導体装置搭載用基板の該ランドに残留する金属ロウの残
    渣の内、余分なものを取り除き、均一量だけ残す工程
    と、 該新たな半導体装置の突起電極の先端に金属ロウペース
    トを供給する工程と、 該新たな半導体装置と該半導体装置搭載用基板とを位置
    合わせする工程と、 該ランドに残留する均一化された金属ロウ及び新たな半
    導体装置の突起電極と金属ロウペーストを加熱溶融し、
    該新たな半導体装置と該半導体装置搭載用基板とを接続
    する工程とを包含する電子回路装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記ランドに残留する前記均一量が、前
    記金属ロウの表面張力に対応した高さである請求項１又
    は請求項２記載の電子回路装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記突起電極の先端に金属ロウペースト
    を供給する工程を転写法で行う請求項２記載の電子回路
    装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記金属ロウペーストが金属ロウと同種
    の金属粉体をバインダー中に分散させた金属ロウペース
    トである請求項２〜請求項４のいずれかに記載の電子回
    路装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記ランドに残留する均一化された金属
    ロウ及び新たな半導体装置の突起電極ないし新たな半導
    体装置の突起電極と金属ロウペーストの加熱溶融をラン
    プによる光加熱で行う請求項１〜請求項５のいずれかに
    記載の電子回路装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記ランプとして近赤外ランプを用いる
    請求項６記載の電子回路装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記一定量の隙間が、前記ランドのラン
    ド径の１／４〜１／１０の大きさである請求項１または
    請求項２記載の電子回路装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記金属ロウが共晶半田又は共晶半田に
    若干の添加物を加えて強度を増大した半田である請求項
    １〜請求項８のいずれかに記載の電子回路装置の製造方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記半導体装置がエリアアレイ状の突
    起電極を有する半導体パッケージである請求項１〜請求
    項９のいずれかに記載の電子回路装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１又は請求項２記載の電子回路
    装置の製造方法に使用される半田残渣均一化治具であっ
    て、 前記板の外周縁部に複数本のピンを立設してなる半田残
    渣均一化治具。
  12. 【請求項１２】 請求項２、請求項４〜１０のいずれか
    に記載の電子回路装置の製造方法において、前記新たな
    半導体装置の突起電極の先端に金属ロウペーストを供給
    するために使用される金属ロウペースト転写用治具であ
    って、 治具本体の中央部に割溝又は円形の凹溝が形成され、該
    溝の深さが前記半導体装置の前記突起電極の高さの１／
    ３〜１／２である金属ロウペースト転写用治具。
  13. 【請求項１３】 金属ロウからなり、半導体装置の一主
    面上に形成された突起電極と、該突起電極に対応する接
    続用のランドを有する半導体装置搭載用基板とを位置合
    わせした後、該突起電極を加熱溶融して該半導体装置を
    該半導体装置搭載用基板に搭載することにより電子回路
    装置を製造する装置であって、一度搭載された該半導体
    装置が不良であった場合に、不良半導体装置を該半導体
    装置搭載用基板より取り外し、再度新たな半導体装置を
    該半導体装置搭載用基板に搭載することが可能になった
    電子回路装置の製造装置において、 該半導体装置搭載用基板を保持する手段と、 該半導体装置又は該新たな半導体装置を保持する手段
    と、 該半導体装置搭載用基板と該半導体装置又は該新たな半
    導体装置との位置合わせを行う手段と、 金属ロウに濡れる金属からなる板であって、該金属ロウ
    残渣の上に、一定量の隙間を保った状態で載置されて加
    熱されることにより、該不良半導体装置が取り外された
    該半導体装置搭載用基板の接続部に残留する金属ロウの
    残渣の内、余分なものを取り除き、該金属ロウの表面張
    力に対応した均一量だけ残す半田残渣均一化治具と、 位置合わせされた該新たな半導体装置の突起電極を加熱
    溶融して該半導体装置搭載用基板に接続する加熱手段と
    を備えた電子回路装置の製造装置。
  14. 【請求項１４】 金属ロウからなり、半導体装置の一主
    面上に形成された突起電極と、該突起電極に対応する接
    続用のランドを有する半導体装置搭載用基板とを位置合
    わせした後、該突起電極を加熱溶融して該半導体装置を
    該半導体装置搭載用基板に搭載することにより電子回路
    装置を製造する装置であって、一度搭載された該半導体
    装置が不良であった場合に、不良半導体装置を該半導体
    装置搭載用基板より取り外し、再度新たな半導体装置を
    該半導体装置搭載用基板に搭載することが可能になった
    電子回路装置の製造装置において、 該半導体装置搭載用基板を保持する手段と、 該半導体装置又は該新たな半導体装置を保持する手段
    と、 該半導体装置搭載用基板と該半導体装置又は該新たな半
    導体装置との位置合わせを行う手段と、 金属ロウに濡れる金属からなる板であって、該金属ロウ
    残渣の上に、一定量の隙間を保った状態で載置されて加
    熱されることにより、該不良半導体装置が取り外された
    該半導体装置搭載用基板の接続部に残留する金属ロウの
    残渣の内、余分なものを取り除き、該金属ロウの表面張
    力に対応した均一量だけ残す半田残渣均一化治具と、 請求項１２記載の金属ロウペースト転写用治具と、 位置合わせされた該新たな半導体装置の突起電極を加熱
    溶融して該半導体装置搭載用基板に接続する加熱手段と
    を備えた電子回路装置の製造装置。
  15. 【請求項１５】 前記半田残渣均一化治具が、前記板の
    外周縁部に複数本のピンを立設してなる請求項１４記載
    の電子回路装置の製造装置。
  16. 【請求項１６】 前記加熱手段が近赤外ランプである請
    求項１３〜請求項１５のいずれかに記載の電子回路装置
    の製造装置。
JP31655596A 1996-11-27 1996-11-27 電子回路装置の製造方法、半田残渣均一化治具、金属ロウペースト転写用治具及び電子回路装置の製造装置 Expired - Fee Related JP3279940B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31655596A JP3279940B2 (ja) 1996-11-27 1996-11-27 電子回路装置の製造方法、半田残渣均一化治具、金属ロウペースト転写用治具及び電子回路装置の製造装置
TW086116999A TW422752B (en) 1996-11-27 1997-11-14 Method for producing electronic circuit device, jig for making solder residue uniform, jig for transferring solder paste, and apparatus for producing electronic circuit device
DE69718755T DE69718755T2 (de) 1996-11-27 1997-11-17 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer elektronischen Schaltungsanordnung mit gleichförmigen Lötrückständen bei Übertragung von Lotpaste
US08/971,985 US6062460A (en) 1996-11-27 1997-11-17 Apparatus for producing an electronic circuit
EP97120112A EP0845807B1 (en) 1996-11-27 1997-11-17 Method and tool for making an electronic circuit having uniform solder residues after solder paste transfer
KR1019970062990A KR100279133B1 (ko) 1996-11-27 1997-11-26 전자회로장치의제조방법,땜납잔여물균일화지그,땜납페이스트전사용지그,및전자회로장치의제조장치
CN97126212A CN1101642C (zh) 1996-11-27 1997-11-27 制备电路装置的方法及设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31655596A JP3279940B2 (ja) 1996-11-27 1996-11-27 電子回路装置の製造方法、半田残渣均一化治具、金属ロウペースト転写用治具及び電子回路装置の製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10163624A JPH10163624A (ja) 1998-06-19
JP3279940B2 true JP3279940B2 (ja) 2002-04-30

Family

ID=18078410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31655596A Expired - Fee Related JP3279940B2 (ja) 1996-11-27 1996-11-27 電子回路装置の製造方法、半田残渣均一化治具、金属ロウペースト転写用治具及び電子回路装置の製造装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6062460A (ja)
EP (1) EP0845807B1 (ja)
JP (1) JP3279940B2 (ja)
KR (1) KR100279133B1 (ja)
CN (1) CN1101642C (ja)
DE (1) DE69718755T2 (ja)
TW (1) TW422752B (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3239335B2 (ja) 1999-08-18 2001-12-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電気的接続用構造体の形成方法およびはんだ転写用基板
JP3334693B2 (ja) * 1999-10-08 2002-10-15 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
CN1258305C (zh) * 2000-05-17 2006-05-31 日立化成工业株式会社 电路连接部的补修方法以及用该方法补修电路的电路接头的连接结构和连接方法
US6509318B1 (en) 2000-09-29 2003-01-21 The Regents Of The University Of California TGF-B inhibitors and methods
US20030019576A1 (en) * 2001-06-27 2003-01-30 Loctite Corporation Electronic component removal method through application of infrared radiation
US6637641B1 (en) * 2002-05-06 2003-10-28 Emc Corporation Systems and methods for manufacturing a circuit board
US6910615B2 (en) * 2003-03-27 2005-06-28 International Business Machines Corporation Solder reflow type electrical apparatus packaging having integrated circuit and discrete components
KR100542552B1 (ko) 2003-08-21 2006-01-11 삼성전자주식회사 인쇄회로기판, 및 이 인쇄회로기판을 갖는 화상기록장치
JP2007059652A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装方法
JP4799997B2 (ja) * 2005-10-25 2011-10-26 富士通株式会社 電子機器用プリント板の製造方法およびこれを用いた電子機器
KR100807478B1 (ko) 2007-03-06 2008-02-25 삼성전기주식회사 솔더 형성 방법 및 솔더 형성용 캡
US8371497B2 (en) * 2009-06-11 2013-02-12 Qualcomm Incorporated Method for manufacturing tight pitch, flip chip integrated circuit packages
CN101609793B (zh) * 2009-06-30 2011-07-27 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 Bga器件漏印工装及印制板bga器件的更新焊接方法
JP5726581B2 (ja) * 2011-03-16 2015-06-03 富士機械製造株式会社 電子部品リペア機および生産ライン
WO2012136733A1 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 Micronic Mydata AB Method and fluid transfer unit having squeegees for providing a smooth surface of fluid
JP2015220353A (ja) * 2014-05-19 2015-12-07 富士通株式会社 電子部品の取り付け方法及びハンダペーストの転写方法並びに電子部品の取り付け装置
US10362720B2 (en) 2014-08-06 2019-07-23 Greene Lyon Group, Inc. Rotational removal of electronic chips and other components from printed wire boards using liquid heat media
US10269762B2 (en) * 2015-10-29 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rework process and tool design for semiconductor package
FR3066937B1 (fr) * 2017-05-30 2019-07-12 Continental Automotive France Dispositif de chauffe
TWI632666B (zh) * 2017-12-11 2018-08-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 半導體晶片修補方法以及半導體晶片修補裝置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3804667A (en) * 1969-09-30 1974-04-16 Techni Tool Inc Method for opening eyelet holes in printed circuit boards
US3731866A (en) * 1971-01-04 1973-05-08 Cogar Corp Apparatus for removing and replacing multi-pinned components mounted on circuit boards
US4136444A (en) * 1977-06-06 1979-01-30 Burroughs Corporation Semiautomatic solid chip removal apparatus
JPS54143871A (en) * 1978-04-28 1979-11-09 Kokusan Denki Co Method of producing hybrid ic circuit
US4436242A (en) * 1981-12-15 1984-03-13 Rca Corporation Desoldering tool and method of desoldering leadless components
US4441647A (en) * 1982-06-04 1984-04-10 Northern Telecom Limited Resoldering tool for ceramic substrate hybrid electronic circuits
US4444559A (en) * 1982-06-28 1984-04-24 International Business Machines Corporation Process and apparatus for unsoldering solder bonded semiconductor devices
US4771932A (en) * 1985-12-09 1988-09-20 Henry Kim Method for soldering and desoldering electronic components
US4878611A (en) * 1986-05-30 1989-11-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Process for controlling solder joint geometry when surface mounting a leadless integrated circuit package on a substrate
ES2002897A6 (es) * 1986-11-04 1988-10-01 Del Pino Millan Bienvenido Desoldador automatico portatil
ATE91064T1 (de) * 1987-08-31 1993-07-15 Siemens Ag Loetkopf zum ein- und ausloeten von bauelementen.
JPH01209736A (ja) * 1988-02-17 1989-08-23 Nec Corp 半導体素子の交換方法
US5154793A (en) * 1988-09-27 1992-10-13 General Electric Company Method and apparatus for removing components bonded to a substrate
US5072874A (en) * 1991-01-31 1991-12-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method and apparatus for using desoldering material
GB2259039A (en) * 1991-09-02 1993-03-03 Pdr Microelectronics Limited Directed infra-red rework station
JP2813507B2 (ja) * 1992-04-23 1998-10-22 三菱電機株式会社 ボンディング方法およびボンディング装置
US5311404A (en) * 1992-06-30 1994-05-10 Hughes Aircraft Company Electrical interconnection substrate with both wire bond and solder contacts
JPH0618433A (ja) * 1992-06-30 1994-01-25 Mitsubishi Electric Corp ボンディング装置及び方法
JP2714520B2 (ja) * 1992-08-28 1998-02-16 株式会社日立製作所 実装部品着脱装置
US5325582A (en) * 1992-10-19 1994-07-05 Trw Inc. Multi-function workstation for assembly and repair of printed wiring board assemblies
US5439162A (en) * 1993-06-28 1995-08-08 Motorola, Inc. Direct chip attachment structure and method
JP3173547B2 (ja) * 1994-03-18 2001-06-04 松下電器産業株式会社 半田バンプの形成方法
US5783025A (en) * 1994-06-07 1998-07-21 Texas Instruments Incorporated Optical diebonding for semiconductor devices
JPH0846351A (ja) * 1994-08-01 1996-02-16 M & M Prod Kk プリント回路基板からのｂｇａパッケージの取り外し方法、及び実装方法と、これに使用するノズル
US5603857A (en) * 1995-02-24 1997-02-18 Assembly Technologies International, Inc. Handheld electric heater for removing or replacing surface-mounted integrated circuits from a circuit board
US5758817A (en) * 1996-03-19 1998-06-02 Resource Concepts, Inc. Apparatus and process for removing surface mounted components from printed wiring assemblies

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980042767A (ko) 1998-08-17
CN1183706A (zh) 1998-06-03
EP0845807A3 (en) 1999-04-07
EP0845807B1 (en) 2003-01-29
EP0845807A2 (en) 1998-06-03
CN1101642C (zh) 2003-02-12
DE69718755T2 (de) 2004-01-08
DE69718755D1 (de) 2003-03-06
TW422752B (en) 2001-02-21
US6062460A (en) 2000-05-16
KR100279133B1 (ko) 2001-02-01
JPH10163624A (ja) 1998-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3279940B2 (ja) 電子回路装置の製造方法、半田残渣均一化治具、金属ロウペースト転写用治具及び電子回路装置の製造装置
JP2000114301A (ja) 半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法
JPH11214441A (ja) バンプ付電子部品の実装方法
JP2001332583A (ja) 半導体チップの実装方法
JP2008153399A (ja) 接合装置および接合装置による接合方法
JPH10284535A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体部品
JP3385943B2 (ja) 金バンプ付電子部品の実装方法
JP3591344B2 (ja) バンプ付電子部品の実装方法
JP3266414B2 (ja) はんだ供給法
JP2510688B2 (ja) 過剰はんだ除去装置
JP2002057453A (ja) 半導体装置のリペア方法
JP3395609B2 (ja) 半田バンプ形成方法
JP3344289B2 (ja) バンプ付ワークの実装方法
JP2809207B2 (ja) 半導体装置のリペア方法とリペア装置
JP3211325B2 (ja) 電子部品の製造方法、及び装置、並びに実装方法。
JP2001156441A (ja) Ｃｓｐ・ｂｇａのリペア工法
JPH05218136A (ja) フリップチップ・ボンディング方法
JP4102538B2 (ja) 電子回路基板補修方法
US6116494A (en) Method for re-attachment of a SMT component using a heated air jet
JPH0983128A (ja) 半導体モジュールの接合構造
JP2812304B2 (ja) フリップチップ型半導体装置のリペア方法
JPH0621147A (ja) 電子部品の実装方法
JPH06196486A (ja) バンプ形成方法およびバンプ形成装置
JP3500132B2 (ja) フリップチップ実装方法
JP3284890B2 (ja) バンプ付きワークのボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020206

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080222

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090222

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100222

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees