JP3191121B2 - 超低鉄損一方向性電磁箔帯の製造方法 - Google Patents
超低鉄損一方向性電磁箔帯の製造方法Info
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- JP3191121B2 JP3191121B2 JP12089992A JP12089992A JP3191121B2 JP 3191121 B2 JP3191121 B2 JP 3191121B2 JP 12089992 A JP12089992 A JP 12089992A JP 12089992 A JP12089992 A JP 12089992A JP 3191121 B2 JP3191121 B2 JP 3191121B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として変圧器その他の
電子機器等の鉄心として利用される一方向性電磁箔帯の
製造方法に関するものである。特に、出発材である一方
向性電磁鋼板の表面を効果的に仕上げることにより、製
造工程の簡略化と鉄損特性の向上を図ろうとするもので
ある。
電子機器等の鉄心として利用される一方向性電磁箔帯の
製造方法に関するものである。特に、出発材である一方
向性電磁鋼板の表面を効果的に仕上げることにより、製
造工程の簡略化と鉄損特性の向上を図ろうとするもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一方向性電磁箔帯は、磁気鉄心として多
くの電子機器に用いられている。一方向性電磁箔帯は、
製品の結晶粒の方位を｛１１０｝〈００１〉方位に高度
に集積させたものであり、磁気特性として磁束密度が高
く（Ｂ8値で代表される）、鉄損が低いことが要求され
る。特に、最近では省エネルギーの見地から電力損失の
低減に対する要求が高まっている。
くの電子機器に用いられている。一方向性電磁箔帯は、
製品の結晶粒の方位を｛１１０｝〈００１〉方位に高度
に集積させたものであり、磁気特性として磁束密度が高
く（Ｂ8値で代表される）、鉄損が低いことが要求され
る。特に、最近では省エネルギーの見地から電力損失の
低減に対する要求が高まっている。
【０００３】これまでの一方向性電磁箔帯の製造方法で
は、出発材に絶縁被膜が形成されているために、冷間圧
延を施して１５０μｍ以下の最終板厚とする場合の前処
理として、Ｈ2ＳＯ4、ＨＦ等の酸による絶縁被膜除去が
必要であった。ところが、この酸洗による絶縁被膜除去
の方法は、鋼帯の水素脆性を誘起し、圧延時に鋼帯の破
断を生じさせる問題点がある。また、薬液の濃度管理、
温度管理、公害設備の付与等の点でも大きな問題があ
る。
は、出発材に絶縁被膜が形成されているために、冷間圧
延を施して１５０μｍ以下の最終板厚とする場合の前処
理として、Ｈ2ＳＯ4、ＨＦ等の酸による絶縁被膜除去が
必要であった。ところが、この酸洗による絶縁被膜除去
の方法は、鋼帯の水素脆性を誘起し、圧延時に鋼帯の破
断を生じさせる問題点がある。また、薬液の濃度管理、
温度管理、公害設備の付与等の点でも大きな問題があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、一方
向性電磁箔帯の製造方法において、出発材の仕上焼鈍に
おいて絶縁被膜を形成させないようにすることによっ
て、酸洗工程を経ずに冷間圧延を施して１５０μｍ以下
の最終板厚にするところにある。
向性電磁箔帯の製造方法において、出発材の仕上焼鈍に
おいて絶縁被膜を形成させないようにすることによっ
て、酸洗工程を経ずに冷間圧延を施して１５０μｍ以下
の最終板厚にするところにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等はまず界面に
関する種々の検討の結果、出発材の仕上焼鈍前の一次再
結晶板を積層する際、アルミナ等の鋼板表面に存在する
酸化層（シリカ）と反応しないか、あるいは反応しにく
い物質を焼鈍分離剤として用い、かつこの焼鈍分離剤を
従来のように水スラリーではなく、水分を持ち込まない
ように塗布することにより絶縁被膜の不形成化が可能で
あることを見出した。
関する種々の検討の結果、出発材の仕上焼鈍前の一次再
結晶板を積層する際、アルミナ等の鋼板表面に存在する
酸化層（シリカ）と反応しないか、あるいは反応しにく
い物質を焼鈍分離剤として用い、かつこの焼鈍分離剤を
従来のように水スラリーではなく、水分を持ち込まない
ように塗布することにより絶縁被膜の不形成化が可能で
あることを見出した。
【０００６】ところが、このような焼鈍分離剤を用いた
場合、鋼板中のインヒビターは温度を上げるに従って早
く弱まってしまい、二次再結晶による方位制御が充分に
行われにくいことが分かった。このような出発材に圧延
・再結晶を施して電磁箔を作製しても鉄損の優れたもの
とならないことは、例えば特願昭６３−３２２０３０号
に述べられている。
場合、鋼板中のインヒビターは温度を上げるに従って早
く弱まってしまい、二次再結晶による方位制御が充分に
行われにくいことが分かった。このような出発材に圧延
・再結晶を施して電磁箔を作製しても鉄損の優れたもの
とならないことは、例えば特願昭６３−３２２０３０号
に述べられている。
【０００７】その対策として、鋼板表面でのシリカを濃
化させる焼鈍を行うことにより、絶縁被膜の存在しない
高磁束密度の出発材を得ることができ、これを出発材と
することによって絶縁被膜除去を不必要として、水素脆
性による破断も生じることなく圧延できることを見出し
た。以下に本発明を詳細に説明する。
化させる焼鈍を行うことにより、絶縁被膜の存在しない
高磁束密度の出発材を得ることができ、これを出発材と
することによって絶縁被膜除去を不必要として、水素脆
性による破断も生じることなく圧延できることを見出し
た。以下に本発明を詳細に説明する。
【０００８】現在、通常の出発材となる一方向性電磁鋼
板は、一次再結晶焼鈍後にマグネシアを主成分とする焼
鈍分離剤をスラリー状で塗布し、仕上焼鈍を行ってい
る。この製造法では、一次再結晶焼鈍後の鋼板表面に存
在するＳｉＯ2を主成分とする酸化層と焼鈍分離剤とし
てスラリー状で塗布したＭｇＯとが反応して、グラス
（フォルステライト）被膜を形成したり、インヒビター
構成元素として鋼中に存在するアルミニウムがマグネシ
アにより持ち込まれた水分と反応して鋼中に介在物を形
成することが分かった。
板は、一次再結晶焼鈍後にマグネシアを主成分とする焼
鈍分離剤をスラリー状で塗布し、仕上焼鈍を行ってい
る。この製造法では、一次再結晶焼鈍後の鋼板表面に存
在するＳｉＯ2を主成分とする酸化層と焼鈍分離剤とし
てスラリー状で塗布したＭｇＯとが反応して、グラス
（フォルステライト）被膜を形成したり、インヒビター
構成元素として鋼中に存在するアルミニウムがマグネシ
アにより持ち込まれた水分と反応して鋼中に介在物を形
成することが分かった。
【０００９】そこで検討の結果、フォルステライトを形
成させないために、焼鈍分離剤としてアルミナ等のシリ
カと反応しないか、もしくは反応しにくい物質を用いる
ことが重要であり、また鋼中にインヒビター構成元素と
して添加したアルミニウムを鋼中介在物として析出させ
ないためには仕上焼鈍の酸素分圧を低く保つことが重要
であることを見出した。この実行手段としては、水分を
持ち込まない静電塗布法が有効である。
成させないために、焼鈍分離剤としてアルミナ等のシリ
カと反応しないか、もしくは反応しにくい物質を用いる
ことが重要であり、また鋼中にインヒビター構成元素と
して添加したアルミニウムを鋼中介在物として析出させ
ないためには仕上焼鈍の酸素分圧を低く保つことが重要
であることを見出した。この実行手段としては、水分を
持ち込まない静電塗布法が有効である。
【００１０】このような焼鈍分離剤を用いて、一次再結
晶板を積層して仕上焼鈍を施したところ、シリカ濃化焼
鈍を行うと絶縁被膜が形成されず、二次再結晶が安定
し、磁束密度が向上することが分かった。重量で、Ｓ
ｉ：３．３％、Ｍｎ：０．１４％、Ｃ：０．０５％、
Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８％、Ｎ：
０．００８％を含み、残部はＦｅおよび不可避的不純物
からなる珪素鋼スラブを１１５０℃で加熱した後、板厚
１．６mmに熱延した。この熱延板を１１００℃で２分間
焼鈍した後、最終板厚０．１５mmに冷延した。この冷延
板を湿潤ガス中で、脱炭を兼ねて、（１）８３０℃およ
び（２）８５０℃で７０秒間焼鈍し、一次再結晶させ
た。
晶板を積層して仕上焼鈍を施したところ、シリカ濃化焼
鈍を行うと絶縁被膜が形成されず、二次再結晶が安定
し、磁束密度が向上することが分かった。重量で、Ｓ
ｉ：３．３％、Ｍｎ：０．１４％、Ｃ：０．０５％、
Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８％、Ｎ：
０．００８％を含み、残部はＦｅおよび不可避的不純物
からなる珪素鋼スラブを１１５０℃で加熱した後、板厚
１．６mmに熱延した。この熱延板を１１００℃で２分間
焼鈍した後、最終板厚０．１５mmに冷延した。この冷延
板を湿潤ガス中で、脱炭を兼ねて、（１）８３０℃およ
び（２）８５０℃で７０秒間焼鈍し、一次再結晶させ
た。
【００１１】その後、アンモニア窒化により窒素量を
０．０２％まで高めてインヒビターを強化し、酸素ポテ
ンシャルＰＨ2Ｏ／ＰＨ2＝０．１の雰囲気中７００℃で
焼鈍し、表面にシリカを濃化させた。この一次再結晶板
にアルミナを主成分とする焼鈍分離剤を静電塗布した
後、仕上焼鈍を施した。仕上焼鈍は１２００℃まではＮ
2：１００％の雰囲気ガス中で１５℃／ｈｒの昇温速度
で行い、１２００℃でＨ2：１００％に切りかえ、２０
時間純化焼鈍を行った。これらの出発材を、そのまま最
終板厚５０μｍに圧延を施した時の圧延材料百本あたり
の破断回数を表１に示す。比較として、絶縁被膜を酸洗
除去した後、圧延した時の圧延材料百本あたりの破断回
数を示す。
０．０２％まで高めてインヒビターを強化し、酸素ポテ
ンシャルＰＨ2Ｏ／ＰＨ2＝０．１の雰囲気中７００℃で
焼鈍し、表面にシリカを濃化させた。この一次再結晶板
にアルミナを主成分とする焼鈍分離剤を静電塗布した
後、仕上焼鈍を施した。仕上焼鈍は１２００℃まではＮ
2：１００％の雰囲気ガス中で１５℃／ｈｒの昇温速度
で行い、１２００℃でＨ2：１００％に切りかえ、２０
時間純化焼鈍を行った。これらの出発材を、そのまま最
終板厚５０μｍに圧延を施した時の圧延材料百本あたり
の破断回数を表１に示す。比較として、絶縁被膜を酸洗
除去した後、圧延した時の圧延材料百本あたりの破断回
数を示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１より、絶縁被膜除去のための酸洗処理
を必要としないために、圧延破断が皆無であることが分
かる。圧延破断の原因の一つとして、出発材の酸洗処理
による水素脆性が考えられることは前述したが、表２に
サンプリング材百点平均の鋼中水素量を示す。
を必要としないために、圧延破断が皆無であることが分
かる。圧延破断の原因の一つとして、出発材の酸洗処理
による水素脆性が考えられることは前述したが、表２に
サンプリング材百点平均の鋼中水素量を示す。
【００１４】
【表２】
【００１５】表２より、酸洗処理する従来材は２０ppm
以上の水素を含んでいることがわかる。これに対して本
発明材は１０ppm 以下であることがわかる。このような
初めから絶縁被膜を形成せず、かつ高磁束密度を有する
一方向性電磁鋼板を出発材として製造するにあたり、仕
上焼鈍前のシリカの濃化焼鈍の条件としては、温度は６
００〜９００℃、雰囲気の酸素ポテンシャル（ＰＨ2 Ｏ
／ＰＨ2 ）は０．０１〜０．１とする。焼鈍温度が９０
０℃を超えると一次再結晶の粒組織が変化するので二次
再結晶が不安定になる。焼鈍温度が６００℃未満だとシ
リカを表面に濃化するのに長時間を要し、非効率であ
る。酸素ポテンシャルは、ファイアライト（Ｆｅ2 Ｓｉ
Ｏ4 ）を形成しない酸素ポテンシャル（ＰＨ2 Ｏ／ＰＨ
2 ＜０．１）で行えば良い。０．０１未満となるとシリ
カを表面に濃化するのに長時間を要し、非効率となる。
以上の水素を含んでいることがわかる。これに対して本
発明材は１０ppm 以下であることがわかる。このような
初めから絶縁被膜を形成せず、かつ高磁束密度を有する
一方向性電磁鋼板を出発材として製造するにあたり、仕
上焼鈍前のシリカの濃化焼鈍の条件としては、温度は６
００〜９００℃、雰囲気の酸素ポテンシャル（ＰＨ2 Ｏ
／ＰＨ2 ）は０．０１〜０．１とする。焼鈍温度が９０
０℃を超えると一次再結晶の粒組織が変化するので二次
再結晶が不安定になる。焼鈍温度が６００℃未満だとシ
リカを表面に濃化するのに長時間を要し、非効率であ
る。酸素ポテンシャルは、ファイアライト（Ｆｅ2 Ｓｉ
Ｏ4 ）を形成しない酸素ポテンシャル（ＰＨ2 Ｏ／ＰＨ
2 ＜０．１）で行えば良い。０．０１未満となるとシリ
カを表面に濃化するのに長時間を要し、非効率となる。
【００１６】焼鈍分離剤として、シリカと反応しにくい
物質としては、コスト的にはアルミナが望ましいと考え
られるが、その他ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＢａＯ、ＣａＯ、
ＳｒＯ等を用いることもできる。またこれらの粉末を混
合して用いることもできる。これらの物質を溶射等の方
法で付着させたシートを積層する際のスペーサーとして
用いることも有効である。特に、このようなシートをス
ペーサーとして用いた場合、板厚の薄い製品を製造する
際に焼鈍中の座屈等による形状の劣化を防止する上でも
有効である。
物質としては、コスト的にはアルミナが望ましいと考え
られるが、その他ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＢａＯ、ＣａＯ、
ＳｒＯ等を用いることもできる。またこれらの粉末を混
合して用いることもできる。これらの物質を溶射等の方
法で付着させたシートを積層する際のスペーサーとして
用いることも有効である。特に、このようなシートをス
ペーサーとして用いた場合、板厚の薄い製品を製造する
際に焼鈍中の座屈等による形状の劣化を防止する上でも
有効である。
【００１７】
【実施例】実施例を図面に基づいて説明する。 実施例１ 重量で、Ｓｉ：３．３％、Ｍｎ：０．１４％、Ｃ：０．
０５％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８
％、Ｎ：０．００８％を含み、残部はＦｅおよび不可避
的不純物からなる珪素鋼スラブを１１５０℃で加熱した
後、板厚１．６mmに熱延した。この熱延板を１１００℃
で２分間焼鈍した後、最終板厚０．１５mmに冷延した。
この冷延板を湿潤ガス中で、脱炭を兼ねて８３０℃で７
０秒間焼鈍し、一次再結晶させた。次いでアンモニア雰
囲気中で７５０℃で焼鈍することにより、窒素量を０．
０２％に増加して、インヒビターの強化を行った。この
板を、酸素ポテンシャル０．０５、温度８５０℃で焼鈍
し、表面のシリカの濃化を行った。これらの鋼板をその
後、一部は（１）アルミナを溶射した鋼板をスペーサー
として用い、一部は（２）シリカを溶射した鋼板をスペ
ーサーとして用いた試料を積層した後、仕上焼鈍を施し
た。
０５％、Ｓ：０．００７％、酸可溶性Ａｌ：０．０２８
％、Ｎ：０．００８％を含み、残部はＦｅおよび不可避
的不純物からなる珪素鋼スラブを１１５０℃で加熱した
後、板厚１．６mmに熱延した。この熱延板を１１００℃
で２分間焼鈍した後、最終板厚０．１５mmに冷延した。
この冷延板を湿潤ガス中で、脱炭を兼ねて８３０℃で７
０秒間焼鈍し、一次再結晶させた。次いでアンモニア雰
囲気中で７５０℃で焼鈍することにより、窒素量を０．
０２％に増加して、インヒビターの強化を行った。この
板を、酸素ポテンシャル０．０５、温度８５０℃で焼鈍
し、表面のシリカの濃化を行った。これらの鋼板をその
後、一部は（１）アルミナを溶射した鋼板をスペーサー
として用い、一部は（２）シリカを溶射した鋼板をスペ
ーサーとして用いた試料を積層した後、仕上焼鈍を施し
た。
【００１８】仕上焼鈍は１２００℃まではＮ2：５０％
＋Ｈ2：５０％の雰囲気ガス中で１５℃／ｈｒの昇温速
度で行い、１２００℃でＨ2：１００％に切りかえ、１
０時間純化焼鈍を行った。このようにして得られた出発
材を冷間圧延した時の圧延材料百本あたりの破断回数と
サンプリング材１００点平均の水素含有量を表３に示
す。
＋Ｈ2：５０％の雰囲気ガス中で１５℃／ｈｒの昇温速
度で行い、１２００℃でＨ2：１００％に切りかえ、１
０時間純化焼鈍を行った。このようにして得られた出発
材を冷間圧延した時の圧延材料百本あたりの破断回数と
サンプリング材１００点平均の水素含有量を表３に示
す。
【００１９】
【表３】
【００２０】実施例２ 実施例１と同一の窒化処理した板を酸洗し、次いでアル
ミナを静電塗布して積層した後、仕上焼鈍を施した。仕
上焼鈍は１２００℃まではＮ2：５０％＋Ｈ2：５０％の
雰囲気ガス中で１５℃／ｈｒの昇温速度で行い、１２０
０℃でＨ2：１００％に切りかえ、１０時間純化焼鈍を
行った。
ミナを静電塗布して積層した後、仕上焼鈍を施した。仕
上焼鈍は１２００℃まではＮ2：５０％＋Ｈ2：５０％の
雰囲気ガス中で１５℃／ｈｒの昇温速度で行い、１２０
０℃でＨ2：１００％に切りかえ、１０時間純化焼鈍を
行った。
【００２１】このようにして得られた出発材を冷間圧延
した時の圧延材料百本あたりの破断回数とサンプリング
材１００点平均の水素含有量を表４に示す。
した時の圧延材料百本あたりの破断回数とサンプリング
材１００点平均の水素含有量を表４に示す。
【００２２】
【表４】
【００２３】
【発明の効果】本発明により、冷間圧延を施して板厚１
５０μｍ以下の箔帯にするにあたって、酸による出発材
の絶縁被膜除去を必要としないため、水素脆性が生じな
い。従って、製造工程の簡素化が可能となるだけでな
く、歩留りも著しく向上する。
５０μｍ以下の箔帯にするにあたって、酸による出発材
の絶縁被膜除去を必要としないため、水素脆性が生じな
い。従って、製造工程の簡素化が可能となるだけでな
く、歩留りも著しく向上する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ２２Ｃ 38/00 ３０３ Ｃ２２Ｃ 38/00 ３０３Ｕ 38/06 38/06 Ｈ０１Ｆ 3/04 Ｈ０１Ｆ 3/04 (56)参考文献 特開 平５−255755（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C21D 8/12 B21B 1/40 C21D 1/70 C21D 1/74 C21D 9/46 501 C22C 38/00 303 C22C 38/06 H01F 3/04
Claims (5)
- 【請求項１】 重量で、Ｓｉ：０．８〜４．８％、酸可
溶性Ａｌ：０．０１２〜０．０５０％、Ｎ≦０．０１
％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる電磁鋼帯
を、一回もしくは中間焼鈍をはさむ二回以上の冷間圧延
により所定の板厚とし、次いで一次再結晶焼鈍および仕
上焼鈍を施して得られた一方向性電磁鋼板を出発材と
し、この出発材に６０〜８０％の圧延率を適用する少な
くとも１回の冷間圧延を施して１５０μｍ以下の最終板
厚とし、次いで再結晶焼鈍を施すことからなる一方向性
電磁箔帯の製造方法において、前記出発材の仕上焼鈍前
に雰囲気の酸素ポテンシャル（ＰＨ 2 Ｏ／ＰＨ 2 ）を
０．０１〜０．１とし、６００〜９００℃の温度でシリ
カの濃化焼鈍を行った後、得られた一次再結晶板を積層
する際に焼鈍分離剤を静電塗布することにより、仕上焼
鈍において表面を鏡面化すると共に二次再結晶および純
化を行うことを特徴とする超低鉄損一方向性電磁箔帯の
製造方法。 - 【請求項２】 焼鈍分離剤として、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 、ＺｒＯ2 、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯからなる酸化物
群のうち１種または２種以上の物質の粉末を静電塗布す
ることを特徴とする請求項１記載の超低鉄損一方向性電
磁箔帯の製造方法。 - 【請求項３】 重量で、Ｓｉ：０．８〜４．８％、酸可
溶性Ａｌ：０．０１２〜０．０５０％、Ｎ≦０．０１
％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなる電磁鋼帯
を、一回もしくは中間焼鈍をはさむ二回以上の冷間圧延
により所定の板厚とし、次いで一次再結晶焼鈍および仕
上焼鈍を施して得られた一方向性電磁鋼板を出発材と
し、この出発材に６０〜８０％の圧延率を適用する少な
くとも１回の冷間圧延を施して１５０μｍ以下の最終板
厚とし、次いで再結晶焼鈍を施すことからなる一方向性
電磁箔帯の製造方法において、前記出発材の仕上焼鈍前
に雰囲気の酸素ポテンシャル（ＰＨ 2 Ｏ／ＰＨ 2 ）を
０．０１〜０．１とし、６００〜９００℃の温度でシリ
カの濃化焼鈍を行った後、得られた一次再結晶板を積層
する際に焼付き防止の板を挿入することにより、仕上焼
鈍において表面を鏡面化すると共に二次再結晶および純
化を行うことを特徴とする超低鉄損一方向性電磁箔帯の
製造方法。 - 【請求項４】 仕上焼鈍時のスペーサーとして、Ａｌ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯか
らなる酸化物群のうち１種または２種以上の物質を付着
したシートを用いることを特徴とする請求項３記載の超
低鉄損一方向性電磁箔帯の製造方法。 - 【請求項５】 仕上焼鈍前シリカ濃化焼鈍を行う前に、
鋼板表面の酸化膜を除去することを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載の超低鉄損一方向性電磁箔帯の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12089992A JP3191121B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 超低鉄損一方向性電磁箔帯の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12089992A JP3191121B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 超低鉄損一方向性電磁箔帯の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311239A JPH05311239A (ja) | 1993-11-22 |
| JP3191121B2 true JP3191121B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=14797755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12089992A Expired - Lifetime JP3191121B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 超低鉄損一方向性電磁箔帯の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3191121B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101233248B (zh) * | 2005-07-28 | 2012-10-24 | 欧姆龙株式会社 | 电磁钢板部件及其制造方法 |
| JP6911598B2 (ja) * | 2017-07-13 | 2021-07-28 | 日本製鉄株式会社 | グラス被膜のない方向性電磁鋼板用原板とその製造方法及び絶縁被膜の密着性が良好な方向性電磁鋼板の製造方法 |
| JP6911597B2 (ja) * | 2017-07-13 | 2021-07-28 | 日本製鉄株式会社 | 皮膜密着性に優れる一方向性珪素鋼板及びその製造方法 |
| JP6911596B2 (ja) * | 2017-07-13 | 2021-07-28 | 日本製鉄株式会社 | 皮膜密着性に優れる一方向性電磁鋼板及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP12089992A patent/JP3191121B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05311239A (ja) | 1993-11-22 |
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