JP3135203B2 - 異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法 - Google Patents
異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法Info
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、極異方性磁石等の異方
性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法に関する。
性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、酸化物永久磁石材料には、マグネ
トプランバイト型（Ｍ型）の六方晶系のＳｒフェライ
ト、あるいはＢａフェライトが主に用いられており、そ
の焼結磁石やボンド磁石が製造されている。Ｓｒあるい
はＢａフェライト焼結磁石を製造するには原料のＦｅ2
Ｏ3 とＳｒＣＯ3 あるいはＢａＣＯ3 とを配合混合し、
これを仮焼し、粉砕し、これを磁場中成形し焼成する。
この際、例えば特開平３−２９１９０１号公報や同４−
５８０２号公報等の実施例に示されるように、ＣａＣＯ
3 とＳｉＯ2 とを複合添加することが一般的である。
トプランバイト型（Ｍ型）の六方晶系のＳｒフェライ
ト、あるいはＢａフェライトが主に用いられており、そ
の焼結磁石やボンド磁石が製造されている。Ｓｒあるい
はＢａフェライト焼結磁石を製造するには原料のＦｅ2
Ｏ3 とＳｒＣＯ3 あるいはＢａＣＯ3 とを配合混合し、
これを仮焼し、粉砕し、これを磁場中成形し焼成する。
この際、例えば特開平３−２９１９０１号公報や同４−
５８０２号公報等の実施例に示されるように、ＣａＣＯ
3 とＳｉＯ2 とを複合添加することが一般的である。
【０００３】六方晶Ｂａフェライトでは、原料として用
いるＢａＣＯ3 がＳｒフェライトの場合のＳｒＣＯ3 よ
り安価であるため製造コストの低減化には有利である
が、異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石は結晶磁気異
方性がＳｒフェライトよりも１０％程度小さいため、大
きなｉＨｃ（保磁力）が得られにくい。このため、例え
ば３kOe 以上のｉＨｃが必要とされる製品には、六方晶
Ｓｒフェライト焼結磁石が用いられている。
いるＢａＣＯ3 がＳｒフェライトの場合のＳｒＣＯ3 よ
り安価であるため製造コストの低減化には有利である
が、異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石は結晶磁気異
方性がＳｒフェライトよりも１０％程度小さいため、大
きなｉＨｃ（保磁力）が得られにくい。このため、例え
ば３kOe 以上のｉＨｃが必要とされる製品には、六方晶
Ｓｒフェライト焼結磁石が用いられている。
【０００４】一方、ＳｒフェライトまたはＢａフェライ
ト焼結磁石を製造する際、従来のようにＣａＣＯ3 とＳ
ｉＯ2 を複合添加すると焼結時の縮率はｃ軸方向とａ軸
方向とで大きく異なり、その比は、通常、ｃ軸方向／ａ
軸方向が最大で２．１程度にもなる。このため、焼結時
の収縮により大きな変形が生じ、例えばあらかじめ変形
量を計算に入れて金型の設計を行ったり、研磨・研削等
の後加工を十分に行う必要が生じ、製造コストを上昇さ
せてしまう場合がある。
ト焼結磁石を製造する際、従来のようにＣａＣＯ3 とＳ
ｉＯ2 を複合添加すると焼結時の縮率はｃ軸方向とａ軸
方向とで大きく異なり、その比は、通常、ｃ軸方向／ａ
軸方向が最大で２．１程度にもなる。このため、焼結時
の収縮により大きな変形が生じ、例えばあらかじめ変形
量を計算に入れて金型の設計を行ったり、研磨・研削等
の後加工を十分に行う必要が生じ、製造コストを上昇さ
せてしまう場合がある。
【０００５】このような収縮率のちがいによる変形が大
きい例として、極異方性リング磁石が知られている。こ
の磁石はリング状をなし、その内周面あるいは外周面が
強く多極着磁されるように配向されており、ステッピン
グモータ等に用いられている。このリング磁石を製造す
るには、リング状の成形体を得る際に、周面に交互に異
極を配置して磁場配向を行ってｃ軸を配向させ、これを
焼結する。しかし、前記のように収縮率が大きな異方性
をもつため、周面が変形してしまうので、周面に表われ
る凸部を研磨しなければならず、研磨代を大きくとらな
ければならない。
きい例として、極異方性リング磁石が知られている。こ
の磁石はリング状をなし、その内周面あるいは外周面が
強く多極着磁されるように配向されており、ステッピン
グモータ等に用いられている。このリング磁石を製造す
るには、リング状の成形体を得る際に、周面に交互に異
極を配置して磁場配向を行ってｃ軸を配向させ、これを
焼結する。しかし、前記のように収縮率が大きな異方性
をもつため、周面が変形してしまうので、周面に表われ
る凸部を研磨しなければならず、研磨代を大きくとらな
ければならない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、焼結
密度および保磁力がいずれも高く、しかもｃ軸方向の縮
率とａ軸方向の縮率との差による焼結時の変形が少な
く、研磨等の後工程が簡略化あるいは省略できる異方性
六方晶Ｂａフェライト焼結磁石、特に極異方性磁石を製
造する方法を提供することである。
密度および保磁力がいずれも高く、しかもｃ軸方向の縮
率とａ軸方向の縮率との差による焼結時の変形が少な
く、研磨等の後工程が簡略化あるいは省略できる異方性
六方晶Ｂａフェライト焼結磁石、特に極異方性磁石を製
造する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１１）のいずれかの構成により達成される。 （１）六方晶Ｂａフェライトの仮焼体に、酸化カルシウ
ムまたは焼成により酸化カルシウムとなる化合物である
Ｃａ成分を添加せずに、酸化ケイ素または焼成により酸
化ケイ素となる化合物であるＳｉ成分および酸化バリウ
ムまたは焼成により酸化バリウムとなる化合物であるＢ
ａ成分を添加して調整されたＢａフェライト原料粉末を
磁場中成形して成形体とし、この成形体を焼結するか、
または前記成形体を解砕した後、磁場中成形して焼結す
ることによりｃ軸方向の縮率Ｓhcとａ軸方向の縮率Ｓha
との比Ｓhc／Ｓhaが０．５〜１．５である異方性六方晶
Ｂａフェライト焼結磁石を製造する異方性六方晶Ｂａフ
ェライト焼結磁石の製造方法。 （２）Ｂａフェライトを主相とし、粒界のＳｉ含有量が
主相グレイン内部のＳｉ含有量の２〜１００倍であり、
粒界のＢａ含有量が主相グレイン内部のＢａ含有量の
１．１〜２０倍である上記（１）の異方性六方晶Ｂａフ
ェライト焼結磁石の製造方法。 （３）前記Ｓｉ成分がＳｉＯ2 換算で成形体の０．１〜
２．０wt％、前記Ｂａ成分がＢａＣＯ3 換算で成形体の
０．５〜７wt% 、前記Ｓｉ成分と前記Ｂａ成分とのモル
比がＢａＣＯ3 ／ＳｉＯ2 換算で０．５〜３となるよう
に前記Ｓｉ成分および前記Ｂａ成分を成形体に含有させ
る上記（１）または（２）の異方性六方晶Ｂａフェライ
ト焼結磁石の製造方法。 （４）粒界のＢａ含有量が０．５〜１０at% である異方
性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石が製造される上記
（１）〜（３）のいずれかの異方性六方晶Ｂａフェライ
ト焼結磁石の製造方法。 （５）前記Ｂａフェライト原料粉末中に、酸化ストロン
チウムまたは焼成により酸化ストロンチウムとなる化合
物であるＳｒ成分を含有させる上記（１）〜（４）のい
ずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方
法。 （６）前記Ｓｉ成分がＳｉＯ2 換算で成形体の０．１〜
２．０wt％、前記Ｓｒ成分がＳｒＣＯ3 換算で成形体の
０．５〜５wt% 、前記Ｓｉ成分と前記Ｓｒ成分とのモル
比がＳｒＣＯ3 ／ＳｉＯ2 換算で０．５〜３となるよう
に前記Ｓｉ成分および前記Ｓｒ成分を成形体に含有させ
る上記（５）の異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の
製造方法。 （７）粒界のＳｒ含有量が主相グレイン内部のＳｒ含有
量の１．１〜２０倍である異方性六方晶Ｂａフェライト
焼結磁石が製造される上記（５）または（６）の異方性
六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法。 （８）粒界のＳｉ含有量が２〜３０at% である異方性六
方晶Ｂａフェライト焼結磁石が製造される上記（１）〜
（７）のいずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁
石の製造方法。 （９）前記Ｂａフェライト原料粉末の平均粒径が１μm
以下である上記（１）〜（８）のいずれかの異方性六方
晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法。 （１０）前記主相のａ軸方向の平均結晶粒径が１．０μ
m 以下である異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石が製
造される上記（１）〜（９）のいずれかの異方性六方晶
Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法。 （１１）周面が多極に配向している極異方性六方晶Ｂａ
フェライト焼結磁石が製造される上記（１）〜（１０）
のいずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製
造方法。
（１）〜（１１）のいずれかの構成により達成される。 （１）六方晶Ｂａフェライトの仮焼体に、酸化カルシウ
ムまたは焼成により酸化カルシウムとなる化合物である
Ｃａ成分を添加せずに、酸化ケイ素または焼成により酸
化ケイ素となる化合物であるＳｉ成分および酸化バリウ
ムまたは焼成により酸化バリウムとなる化合物であるＢ
ａ成分を添加して調整されたＢａフェライト原料粉末を
磁場中成形して成形体とし、この成形体を焼結するか、
または前記成形体を解砕した後、磁場中成形して焼結す
ることによりｃ軸方向の縮率Ｓhcとａ軸方向の縮率Ｓha
との比Ｓhc／Ｓhaが０．５〜１．５である異方性六方晶
Ｂａフェライト焼結磁石を製造する異方性六方晶Ｂａフ
ェライト焼結磁石の製造方法。 （２）Ｂａフェライトを主相とし、粒界のＳｉ含有量が
主相グレイン内部のＳｉ含有量の２〜１００倍であり、
粒界のＢａ含有量が主相グレイン内部のＢａ含有量の
１．１〜２０倍である上記（１）の異方性六方晶Ｂａフ
ェライト焼結磁石の製造方法。 （３）前記Ｓｉ成分がＳｉＯ2 換算で成形体の０．１〜
２．０wt％、前記Ｂａ成分がＢａＣＯ3 換算で成形体の
０．５〜７wt% 、前記Ｓｉ成分と前記Ｂａ成分とのモル
比がＢａＣＯ3 ／ＳｉＯ2 換算で０．５〜３となるよう
に前記Ｓｉ成分および前記Ｂａ成分を成形体に含有させ
る上記（１）または（２）の異方性六方晶Ｂａフェライ
ト焼結磁石の製造方法。 （４）粒界のＢａ含有量が０．５〜１０at% である異方
性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石が製造される上記
（１）〜（３）のいずれかの異方性六方晶Ｂａフェライ
ト焼結磁石の製造方法。 （５）前記Ｂａフェライト原料粉末中に、酸化ストロン
チウムまたは焼成により酸化ストロンチウムとなる化合
物であるＳｒ成分を含有させる上記（１）〜（４）のい
ずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方
法。 （６）前記Ｓｉ成分がＳｉＯ2 換算で成形体の０．１〜
２．０wt％、前記Ｓｒ成分がＳｒＣＯ3 換算で成形体の
０．５〜５wt% 、前記Ｓｉ成分と前記Ｓｒ成分とのモル
比がＳｒＣＯ3 ／ＳｉＯ2 換算で０．５〜３となるよう
に前記Ｓｉ成分および前記Ｓｒ成分を成形体に含有させ
る上記（５）の異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の
製造方法。 （７）粒界のＳｒ含有量が主相グレイン内部のＳｒ含有
量の１．１〜２０倍である異方性六方晶Ｂａフェライト
焼結磁石が製造される上記（５）または（６）の異方性
六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法。 （８）粒界のＳｉ含有量が２〜３０at% である異方性六
方晶Ｂａフェライト焼結磁石が製造される上記（１）〜
（７）のいずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁
石の製造方法。 （９）前記Ｂａフェライト原料粉末の平均粒径が１μm
以下である上記（１）〜（８）のいずれかの異方性六方
晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法。 （１０）前記主相のａ軸方向の平均結晶粒径が１．０μ
m 以下である異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石が製
造される上記（１）〜（９）のいずれかの異方性六方晶
Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法。 （１１）周面が多極に配向している極異方性六方晶Ｂａ
フェライト焼結磁石が製造される上記（１）〜（１０）
のいずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製
造方法。
【０００８】
【作用および効果】本発明により製造されるＢａフェラ
イト焼結磁石は、焼結密度と保磁力とが高く、従来のＳ
ｒフェライト焼結磁石と同等の保磁力が得られる。しか
も、Ｓｒフェライト焼結磁石に比べ原料コストが低い。
さらにｃ軸方向の縮率とａ軸方向の縮率との比（Shc ／
Sha ）が１に近い。このため、焼結時の変形が少なく、
したがって研磨工程等を簡略化あるいは省略することが
できる。したがって本発明は、例えば極異方性リング磁
石のような特殊な配向を必要とする磁石を製造するとき
に、特にすぐれた効果を示す。
イト焼結磁石は、焼結密度と保磁力とが高く、従来のＳ
ｒフェライト焼結磁石と同等の保磁力が得られる。しか
も、Ｓｒフェライト焼結磁石に比べ原料コストが低い。
さらにｃ軸方向の縮率とａ軸方向の縮率との比（Shc ／
Sha ）が１に近い。このため、焼結時の変形が少なく、
したがって研磨工程等を簡略化あるいは省略することが
できる。したがって本発明は、例えば極異方性リング磁
石のような特殊な配向を必要とする磁石を製造するとき
に、特にすぐれた効果を示す。
【０００９】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】本発明により製造される異方性六方晶Ｂａ
フェライト焼結磁石は、主相が六方晶Ｂａフェライトで
あり、最終組成がＢａＯ・ｎＦｅ2 Ｏ3 （ｎは、４．５
〜６．５）であることが好ましい。さらに、Ｐｂ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｌａ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｌｉ等が全体の５at％以下含有
されていてもよい。また、Ｂａはその５０at% 未満、例
えば０〜４０at% 、特に０〜５at% 程度のＳｒで置換さ
れていてもよい。
フェライト焼結磁石は、主相が六方晶Ｂａフェライトで
あり、最終組成がＢａＯ・ｎＦｅ2 Ｏ3 （ｎは、４．５
〜６．５）であることが好ましい。さらに、Ｐｂ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｌａ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｌｉ等が全体の５at％以下含有
されていてもよい。また、Ｂａはその５０at% 未満、例
えば０〜４０at% 、特に０〜５at% 程度のＳｒで置換さ
れていてもよい。
【００１１】この異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石
は、粒界成分としてＳｉおよびＢａを含むか、Ｓｉ、Ｂ
ａおよびＳｒを含む。本明細書における粒界とは、一般
に、境界領域（固溶体が形成される領域であり、粒界領
域や相境界領域ともいう）、あるいは粒子間（粒子間析
出物、粒子間相、粒子間含有物などを含む）と呼ばれる
領域を意味する。そして、本明細書において粒界成分と
は、粒界での濃度がグレイン内部での濃度よりも高い元
素を意味し、本発明では、後述するようにＳｉ成分、Ｂ
ａ成分、Ｓｒ成分をＢａフェライト仮焼体に添加して成
形し焼結することにより、これらの元素を粒界成分とす
る。Ｓｉ、Ｂａ、Ｓｒが粒界成分として存在するのを確
認するには種々の方法があるが、測定が精度よく安定し
て行なえることから、以下の方法を用いることが好まし
い。
は、粒界成分としてＳｉおよびＢａを含むか、Ｓｉ、Ｂ
ａおよびＳｒを含む。本明細書における粒界とは、一般
に、境界領域（固溶体が形成される領域であり、粒界領
域や相境界領域ともいう）、あるいは粒子間（粒子間析
出物、粒子間相、粒子間含有物などを含む）と呼ばれる
領域を意味する。そして、本明細書において粒界成分と
は、粒界での濃度がグレイン内部での濃度よりも高い元
素を意味し、本発明では、後述するようにＳｉ成分、Ｂ
ａ成分、Ｓｒ成分をＢａフェライト仮焼体に添加して成
形し焼結することにより、これらの元素を粒界成分とす
る。Ｓｉ、Ｂａ、Ｓｒが粒界成分として存在するのを確
認するには種々の方法があるが、測定が精度よく安定し
て行なえることから、以下の方法を用いることが好まし
い。
【００１２】この方法では、ＴＥＭ（透過型電子顕微
鏡）による観察とＥＤＳ（Energy Dispersive X-ray Sp
ectroscopy：エネルギー分散型Ｘ線分光）による局所分
析とが同時にできる分析電子顕微鏡（Analytical Elect
ron Microscopy）を用いる。ＴＥＭ−ＥＤＳを利用する
この方法では、研磨により作製された磁石薄片を測定用
サンプルとする。粒界相と粒内のフェライト相とは、結
晶構造像から容易に区別できる。粒界相はグレイン周囲
に均一な厚さで存在してはおらず、多結晶粒界部分に特
に集中して存在している。多結晶粒界部分とは、図２の
透過型電子顕微鏡写真および図４の模式図に示すような
三結晶粒界（三重点）など、３個以上のグレインの境界
を意味する。なお、図３に、図２の透過型電子顕微鏡写
真を説明するための模式図を示す。粒界の組成分析に際
しては、このような多結晶粒界部分で測定することが好
ましい。２個のグレインの境界に存在する二結晶粒界部
分は粒界相の厚さが薄いので、ＥＤＳ局所分析に際して
粒界成分を正確に分析することが困難である。
鏡）による観察とＥＤＳ（Energy Dispersive X-ray Sp
ectroscopy：エネルギー分散型Ｘ線分光）による局所分
析とが同時にできる分析電子顕微鏡（Analytical Elect
ron Microscopy）を用いる。ＴＥＭ−ＥＤＳを利用する
この方法では、研磨により作製された磁石薄片を測定用
サンプルとする。粒界相と粒内のフェライト相とは、結
晶構造像から容易に区別できる。粒界相はグレイン周囲
に均一な厚さで存在してはおらず、多結晶粒界部分に特
に集中して存在している。多結晶粒界部分とは、図２の
透過型電子顕微鏡写真および図４の模式図に示すような
三結晶粒界（三重点）など、３個以上のグレインの境界
を意味する。なお、図３に、図２の透過型電子顕微鏡写
真を説明するための模式図を示す。粒界の組成分析に際
しては、このような多結晶粒界部分で測定することが好
ましい。２個のグレインの境界に存在する二結晶粒界部
分は粒界相の厚さが薄いので、ＥＤＳ局所分析に際して
粒界成分を正確に分析することが困難である。
【００１３】なお、粒子を配向させた異方性の焼結体の
場合、粒界にはａ面粒界とｃ面粒界との２種類がある
が、どちらで測定してもよい。
場合、粒界にはａ面粒界とｃ面粒界との２種類がある
が、どちらで測定してもよい。
【００１４】上記方法により求めた粒界のＳｉ含有量Ｓ
ｉO は、好ましくは２〜３０at% であり、より好ましく
は５〜２５at% である。そして、ＳｉO をグレイン内部
のＳｉ含有量ＳｉI で除した値ＳｉO ／ＳｉI は、２〜
１００であり、好ましくは１０〜８０である。一方、粒
界のＢａ含有量ＢａO は、好ましくは０．５〜１０at%
であり、より好ましくは１〜８at% である。そして、Ｂ
ａO をグレイン内部のＢａ含有量ＢａI で除した値Ｂａ
O ／ＢａI は、１．１〜２０であり、好ましくは１．５
〜５である。
ｉO は、好ましくは２〜３０at% であり、より好ましく
は５〜２５at% である。そして、ＳｉO をグレイン内部
のＳｉ含有量ＳｉI で除した値ＳｉO ／ＳｉI は、２〜
１００であり、好ましくは１０〜８０である。一方、粒
界のＢａ含有量ＢａO は、好ましくは０．５〜１０at%
であり、より好ましくは１〜８at% である。そして、Ｂ
ａO をグレイン内部のＢａ含有量ＢａI で除した値Ｂａ
O ／ＢａI は、１．１〜２０であり、好ましくは１．５
〜５である。
【００１５】また、Ｂａフェライト仮焼体に対して、Ｓ
ｉ成分およびＢａ成分に加えＳｒ成分を添加した場合、
粒界のＳｒ含有量ＳｒO は、好ましくは０．５〜８at%
、より好ましくは１〜４at% である。そして、ＳｒO
をグレイン内部のＳｒ含有量ＳｒI で除した値ＳｒO ／
ＳｒI は、１．１〜２０であり、好ましくは３〜１５で
ある。
ｉ成分およびＢａ成分に加えＳｒ成分を添加した場合、
粒界のＳｒ含有量ＳｒO は、好ましくは０．５〜８at%
、より好ましくは１〜４at% である。そして、ＳｒO
をグレイン内部のＳｒ含有量ＳｒI で除した値ＳｒO ／
ＳｒI は、１．１〜２０であり、好ましくは３〜１５で
ある。
【００１６】なお、Ｂａフェライト仮焼体に対してＳｒ
成分を添加しない場合であって、かつＢａフェライト仮
焼体にＳｒが含まれている場合には、粒界のＳｒ含有量
ＳｒO とグレイン内部のＳｒ含有量ＳｒI とはほぼ同
等、例えばＳｒO ／ＳｒI は１．１未満以下となる。
成分を添加しない場合であって、かつＢａフェライト仮
焼体にＳｒが含まれている場合には、粒界のＳｒ含有量
ＳｒO とグレイン内部のＳｒ含有量ＳｒI とはほぼ同
等、例えばＳｒO ／ＳｒI は１．１未満以下となる。
【００１７】本発明の磁石において、粒界の平均厚さ
は、好ましくは２０〜３００A 、より好ましくは４０〜
２００A 程度である。また、主相のａ軸方向の平均結晶
粒径は、好ましくは１μm 以下、より好ましくは０．５
〜１．０μm 程度である。結晶粒径は走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）によって測定することができる。
は、好ましくは２０〜３００A 、より好ましくは４０〜
２００A 程度である。また、主相のａ軸方向の平均結晶
粒径は、好ましくは１μm 以下、より好ましくは０．５
〜１．０μm 程度である。結晶粒径は走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）によって測定することができる。
【００１８】このようなＢａフェライト焼結磁石は、一
般に、２．５kOe 以上のｉＨｃを示し、好ましい態様で
は３〜４．０kOe 程度のｉＨｃが得られる。そして、従
来のＣａとＳｉとの複合添加の場合のｉＨｃに対し、同
一量で１０〜２５％の向上がみられる。なお、Ｂｒは
４．１〜４．４kG程度である。またｃ軸方向とａ軸方向
との縮率比（Ｓhc／Ｓha）を１に近づけることができ、
通常、０．５〜１．５の範囲、特に０．７〜１．３の範
囲内に収めることが可能となる。
般に、２．５kOe 以上のｉＨｃを示し、好ましい態様で
は３〜４．０kOe 程度のｉＨｃが得られる。そして、従
来のＣａとＳｉとの複合添加の場合のｉＨｃに対し、同
一量で１０〜２５％の向上がみられる。なお、Ｂｒは
４．１〜４．４kG程度である。またｃ軸方向とａ軸方向
との縮率比（Ｓhc／Ｓha）を１に近づけることができ、
通常、０．５〜１．５の範囲、特に０．７〜１．３の範
囲内に収めることが可能となる。
【００１９】このような異方性六方晶Ｂａフェライト焼
結磁石は、六方晶Ｂａフェライトの仮焼体と、酸化ケイ
素または焼成により酸化ケイ素となる化合物であるＳｉ
成分と、酸化バリウムまたは焼成により酸化バリウムと
なる化合物であるＢａ成分とを含むＢａフェライト原料
粉末を、磁場中成形して成形体とし、この成形体を焼結
するか、前記成形体を解砕した後、磁場中成形して焼結
することにより製造する。
結磁石は、六方晶Ｂａフェライトの仮焼体と、酸化ケイ
素または焼成により酸化ケイ素となる化合物であるＳｉ
成分と、酸化バリウムまたは焼成により酸化バリウムと
なる化合物であるＢａ成分とを含むＢａフェライト原料
粉末を、磁場中成形して成形体とし、この成形体を焼結
するか、前記成形体を解砕した後、磁場中成形して焼結
することにより製造する。
【００２０】なお、六方晶Ｂａフェライトの仮焼体は、
通常、粉末状であるが、これをさらに粉砕して用いる。
通常、粉末状であるが、これをさらに粉砕して用いる。
【００２１】Ｓｉ成分の含有量は、ＳｉＯ2 換算で成形
体の好ましくは０．１〜２．０wt％、より好ましくは
０．２〜１．５wt% 、さらに好ましくは０．３〜１．０
wt% である。また、Ｂａ成分の含有量は、ＢａＣＯ3 換
算で成形体の好ましくは０．５〜７wt% 、より好ましく
は１〜５wt% 、さらに好ましくは１．５〜３wt% であ
る。そして、Ｂａ成分とＳｉ成分とのモル比は、ＢａＣ
Ｏ3 ／ＳｉＯ2 に換算して好ましくは０．５〜３、より
好ましくは０．７〜２．５、さらに好ましくは０．９〜
２である。また、Ｓｒ成分を添加する場合、Ｓｒ成分の
含有量はＳｒＣＯ3換算で成形体の好ましくは０．５〜
５wt% 、より好ましくは１．０〜２．５wt%、さらに好
ましくは１．２〜２．２wt% である。そして、Ｓｒ成分
とＳｉ成分とのモル比は、ＳｒＣＯ3 ／ＳｉＯ2 に換算
して好ましくは０．５〜３、より好ましくは０．７〜
２．５、さらに好ましくは０．９〜２．０である。この
ような範囲でこれらの成分を添加することによりｉＨｃ
が向上し、また、ｃ軸方向の縮率とａ軸方向の縮率とが
ほぼ等しくなる。
体の好ましくは０．１〜２．０wt％、より好ましくは
０．２〜１．５wt% 、さらに好ましくは０．３〜１．０
wt% である。また、Ｂａ成分の含有量は、ＢａＣＯ3 換
算で成形体の好ましくは０．５〜７wt% 、より好ましく
は１〜５wt% 、さらに好ましくは１．５〜３wt% であ
る。そして、Ｂａ成分とＳｉ成分とのモル比は、ＢａＣ
Ｏ3 ／ＳｉＯ2 に換算して好ましくは０．５〜３、より
好ましくは０．７〜２．５、さらに好ましくは０．９〜
２である。また、Ｓｒ成分を添加する場合、Ｓｒ成分の
含有量はＳｒＣＯ3換算で成形体の好ましくは０．５〜
５wt% 、より好ましくは１．０〜２．５wt%、さらに好
ましくは１．２〜２．２wt% である。そして、Ｓｒ成分
とＳｉ成分とのモル比は、ＳｒＣＯ3 ／ＳｉＯ2 に換算
して好ましくは０．５〜３、より好ましくは０．７〜
２．５、さらに好ましくは０．９〜２．０である。この
ような範囲でこれらの成分を添加することによりｉＨｃ
が向上し、また、ｃ軸方向の縮率とａ軸方向の縮率とが
ほぼ等しくなる。
【００２２】Ｓｉ成分は、粒界成分の核となる成分で、
前記範囲より多すぎると非磁性相が増加して、Ｂｒが低
くなってしまう。また少なすぎると焼成時の粒成長を制
御できなくなり、ｉＨｃが低くなってしまう。
前記範囲より多すぎると非磁性相が増加して、Ｂｒが低
くなってしまう。また少なすぎると焼成時の粒成長を制
御できなくなり、ｉＨｃが低くなってしまう。
【００２３】また、Ｂａ成分量やＢａＣＯ3 ／ＳｉＯ2
が前記範囲を外れると、ｉＨｃが低くなり、縮率比（Ｓ
hc／Ｓha）も１から遠ざかってしまう。
が前記範囲を外れると、ｉＨｃが低くなり、縮率比（Ｓ
hc／Ｓha）も１から遠ざかってしまう。
【００２４】本発明で用いる六方晶Ｂａフェライトの仮
焼体を得るためには、原料粉末として酸化鉄粉末とＢａ
を含む粉末とを所定の量混合しこれを仮焼する。Ｂａを
含む粉末としては、酸化物または後の焼成により酸化物
となるもの、例えば炭酸塩、水酸化物、硝酸塩等であれ
ば特に制限はない。通常は炭酸塩を用いればよい。また
平均粒径は特に制限はないが、特に酸化鉄は微細粉末が
好ましく、１μm 以下、特に０．５μm 以下の一次粒子
であることが好ましい。本発明では、上記の原料粉末の
他にさらに必要に応じてＳｒ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉ
ｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｌｉ、Ｓｉ等を添加してもよい。
焼体を得るためには、原料粉末として酸化鉄粉末とＢａ
を含む粉末とを所定の量混合しこれを仮焼する。Ｂａを
含む粉末としては、酸化物または後の焼成により酸化物
となるもの、例えば炭酸塩、水酸化物、硝酸塩等であれ
ば特に制限はない。通常は炭酸塩を用いればよい。また
平均粒径は特に制限はないが、特に酸化鉄は微細粉末が
好ましく、１μm 以下、特に０．５μm 以下の一次粒子
であることが好ましい。本発明では、上記の原料粉末の
他にさらに必要に応じてＳｒ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉ
ｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｌｉ、Ｓｉ等を添加してもよい。
【００２５】また仮焼後に特に微細なフェライト粒子を
得るためには、例えば混合に際して、まず酸化鉄を湿式
粉砕し、これに、Ｎａ2 ＣＯ3 等の存在下、Ｂａの水溶
性塩の水溶液を添加してもよい。これにより、Ｂａの炭
酸塩が析出し、微細酸化鉄粒子と高精度に混合される。
また、微細なＢａの炭酸塩を用いて酸化鉄と十分に混合
してもよい。この後、洗浄、乾燥し、仮焼する。仮焼は
大気中で、例えば１０００〜１３５０℃で１秒〜１０時
間、特に１秒〜３時間程度行えばよい。また、原料を乾
式粉砕機により、十分に粉砕混合してもよい。
得るためには、例えば混合に際して、まず酸化鉄を湿式
粉砕し、これに、Ｎａ2 ＣＯ3 等の存在下、Ｂａの水溶
性塩の水溶液を添加してもよい。これにより、Ｂａの炭
酸塩が析出し、微細酸化鉄粒子と高精度に混合される。
また、微細なＢａの炭酸塩を用いて酸化鉄と十分に混合
してもよい。この後、洗浄、乾燥し、仮焼する。仮焼は
大気中で、例えば１０００〜１３５０℃で１秒〜１０時
間、特に１秒〜３時間程度行えばよい。また、原料を乾
式粉砕機により、十分に粉砕混合してもよい。
【００２６】また仮焼体は、原料として酸化鉄粉末と前
記Ｂａを含む粉末とを混合粉砕し、この混合物を仮焼す
る前にこの混合物に対して、仮焼体組成よりＢａ−リッ
チの酸化物〔例えばＢａＦｅ2 Ｏ4 やＢａＦｅＯ3-x
（０≦ｘ＜１）等〕の中間相が生成する条件で熱処理
し、さらにこの中間相を含む混合物を粉砕した後に仮焼
して得てもよい。
記Ｂａを含む粉末とを混合粉砕し、この混合物を仮焼す
る前にこの混合物に対して、仮焼体組成よりＢａ−リッ
チの酸化物〔例えばＢａＦｅ2 Ｏ4 やＢａＦｅＯ3-x
（０≦ｘ＜１）等〕の中間相が生成する条件で熱処理
し、さらにこの中間相を含む混合物を粉砕した後に仮焼
して得てもよい。
【００２７】このようにして得られた仮焼体は、実質的
にマグネトプランバイト型のフェライト構造をもち、そ
の一次粒子の平均粒径は、好ましくは１μm 以下、より
好ましくは０．１〜１μm 、さらに好ましくは０．１〜
０．５μm である。平均粒径は走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により測定すればよい。また、飽和磁化σｓは６５
〜６９emu/g 、保磁力ｉＨｃは４０００〜６０００Oeで
あることが好ましい。
にマグネトプランバイト型のフェライト構造をもち、そ
の一次粒子の平均粒径は、好ましくは１μm 以下、より
好ましくは０．１〜１μm 、さらに好ましくは０．１〜
０．５μm である。平均粒径は走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により測定すればよい。また、飽和磁化σｓは６５
〜６９emu/g 、保磁力ｉＨｃは４０００〜６０００Oeで
あることが好ましい。
【００２８】次いで、この仮焼体を粉砕する。本発明で
は、Ｓｉ成分、Ｂａ成分、Ｓｒ成分を前記範囲で添加す
るが、これらは磁場中成形時までに添加されていればよ
く、添加時期は仮焼体の粉砕から成形前までのいずれで
あってもよいが、特に、仮焼体の粉砕時、通常は粉砕工
程の初期に添加することが好ましい。Ｓｉ成分としては
ＳｉＯ2 が、Ｂａ成分としてはＢａＣＯ3 が、Ｓｒ成分
としてはＳｒＣＯ3 がそれぞれ一般的である。この他、
BR>Ｓｉとの化合物等を用いたりしてもよい。粉末とし
て添加するときの粒径は０．０１〜５μm 程度とするこ
とが好ましい。
は、Ｓｉ成分、Ｂａ成分、Ｓｒ成分を前記範囲で添加す
るが、これらは磁場中成形時までに添加されていればよ
く、添加時期は仮焼体の粉砕から成形前までのいずれで
あってもよいが、特に、仮焼体の粉砕時、通常は粉砕工
程の初期に添加することが好ましい。Ｓｉ成分としては
ＳｉＯ2 が、Ｂａ成分としてはＢａＣＯ3 が、Ｓｒ成分
としてはＳｒＣＯ3 がそれぞれ一般的である。この他、
BR>Ｓｉとの化合物等を用いたりしてもよい。粉末とし
て添加するときの粒径は０．０１〜５μm 程度とするこ
とが好ましい。
【００２９】この仮焼体粉砕工程では、仮焼した粉末に
結晶歪を導入しｂＨｃを小さくすることが好ましい。仮
焼体粒子が微細化（単磁区粒子化）してｉＨｃおよびｂ
Ｈｃが大きくなると、粒子間に磁気的な力が働き、これ
によってフェライト粒子が凝集しやすくなる。この結
果、磁場による異方性化が妨げられる。フェライト粒子
間の吸引力（凝集力）は、粒子の表面の磁束密度の二乗
に比例する。フェライト粒子１個のヒステリシスループ
におけるｂＨｃが大きいほど表面磁束密度は大きくな
り、その結果、凝集力が大きくなる。したがって、フェ
ライト粒子の凝集力を弱めるためには、結晶歪の導入に
よりｂＨｃを小さくし第二象限の角型性を小さくするほ
ど有利である。これにより、磁場配向時に高い配向度が
得られるようになる。そして、この粒子に導入された歪
は、磁場中成形後の焼成工程で除去され、高い磁気特性
をもつ永久磁石を得ることができる。
結晶歪を導入しｂＨｃを小さくすることが好ましい。仮
焼体粒子が微細化（単磁区粒子化）してｉＨｃおよびｂ
Ｈｃが大きくなると、粒子間に磁気的な力が働き、これ
によってフェライト粒子が凝集しやすくなる。この結
果、磁場による異方性化が妨げられる。フェライト粒子
間の吸引力（凝集力）は、粒子の表面の磁束密度の二乗
に比例する。フェライト粒子１個のヒステリシスループ
におけるｂＨｃが大きいほど表面磁束密度は大きくな
り、その結果、凝集力が大きくなる。したがって、フェ
ライト粒子の凝集力を弱めるためには、結晶歪の導入に
よりｂＨｃを小さくし第二象限の角型性を小さくするほ
ど有利である。これにより、磁場配向時に高い配向度が
得られるようになる。そして、この粒子に導入された歪
は、磁場中成形後の焼成工程で除去され、高い磁気特性
をもつ永久磁石を得ることができる。
【００３０】なお、結晶歪によりＢａフェライト粒子の
ｉＨｃを低減させると、ｉＨｃの温度に対する変化量が
少なくなるという新たな効果も生じる。ｉＨｃの温度係
数は−１００〜＋１５０℃において１〜６Oe／℃程度ま
で低減する。このため、歪の導入された粒子はそのまま
磁気記録媒体用の磁性粉としても用いることができる。
ｉＨｃを低減させると、ｉＨｃの温度に対する変化量が
少なくなるという新たな効果も生じる。ｉＨｃの温度係
数は−１００〜＋１５０℃において１〜６Oe／℃程度ま
で低減する。このため、歪の導入された粒子はそのまま
磁気記録媒体用の磁性粉としても用いることができる。
【００３１】このような結晶歪の導入には、機械的な粉
砕が有効である。このような粉砕を行うには、例えばま
ず乾式粉砕を行って十分な結晶歪を導入することが好ま
しい。乾式粉砕に用いる粉砕機としては、乾式振動ミ
ル、乾式アトライター（媒体攪拌型ミル）、乾式ボール
ミル等が使用できるが、特に乾式振動ミルを用いること
が好ましい。
砕が有効である。このような粉砕を行うには、例えばま
ず乾式粉砕を行って十分な結晶歪を導入することが好ま
しい。乾式粉砕に用いる粉砕機としては、乾式振動ミ
ル、乾式アトライター（媒体攪拌型ミル）、乾式ボール
ミル等が使用できるが、特に乾式振動ミルを用いること
が好ましい。
【００３２】この乾式粉砕により、ＢＥＴ比表面積が２
〜１０倍程度となるまで粉砕し、例えば（２０６）面の
結晶歪を３×１０-4〜７×１０-4程度導入する。この
際、乾式粉砕粉の平均粒径は０．１〜１μm 程度、ＢＥ
Ｔ比表面積は４〜１０m2/g程度とする。
〜１０倍程度となるまで粉砕し、例えば（２０６）面の
結晶歪を３×１０-4〜７×１０-4程度導入する。この
際、乾式粉砕粉の平均粒径は０．１〜１μm 程度、ＢＥ
Ｔ比表面積は４〜１０m2/g程度とする。
【００３３】次いで、通常はこの乾式粉砕粉を湿式粉砕
する。湿式粉砕により、ＢＥＴ比表面積が１〜４倍程
度、特に１〜３倍程度となるようにし、平均粒径を０．
１〜０．８μm 、ＢＥＴ比表面積を６〜１２m2/gとす
る。この湿式粉砕でも結晶歪は増加し、最終的フェライ
ト粒子は１０-4以上の歪量で上記のＨｃに調整する。な
お、乾式粉砕を省略して湿式粉砕のみによってもこのよ
うな歪量やＨｃにすることができるので、粉砕を湿式粉
砕のみとしてもよい。また乾式粉砕のみを用いてもよ
い。なお、粉砕終了後のσｓは５０〜６７emu/g 程度で
ある。このような湿式粉砕には、ボールミル、アトライ
ター、振動ミル等が好適に使用される。
する。湿式粉砕により、ＢＥＴ比表面積が１〜４倍程
度、特に１〜３倍程度となるようにし、平均粒径を０．
１〜０．８μm 、ＢＥＴ比表面積を６〜１２m2/gとす
る。この湿式粉砕でも結晶歪は増加し、最終的フェライ
ト粒子は１０-4以上の歪量で上記のＨｃに調整する。な
お、乾式粉砕を省略して湿式粉砕のみによってもこのよ
うな歪量やＨｃにすることができるので、粉砕を湿式粉
砕のみとしてもよい。また乾式粉砕のみを用いてもよ
い。なお、粉砕終了後のσｓは５０〜６７emu/g 程度で
ある。このような湿式粉砕には、ボールミル、アトライ
ター、振動ミル等が好適に使用される。
【００３４】この湿式粉砕において用いる溶媒は、水等
の水系の溶媒を用いてもよいが、本発明では、この湿式
粉砕時のスラリーの溶媒として非水系溶媒を用いること
が好ましい。用いる非水系溶媒としては、各種有機溶剤
等の常温で液体の有機化合物を用いればよいが、炭化水
素、例えば、ヘプタン、工業ガソリン、燈油、シクロヘ
キサン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テレピ
ン油等；ハロゲン化炭化水素類、例えば、１，２−ジブ
ロモエタン、テトラクロロエチレン、パークロロエチレ
ン、ジクロロペンタン、モノクロロベンゼン等；１価ア
ルコール類、フェノール類、エーテル類、例えば、メタ
ノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブ
チルアルコール、シクロヘキサノール、フェノール、ｎ
−ブチルエーテル等；酸類、エステル類、例えば、酢酸
ブチル等；多価アルコールとそのエーテル、エステル
類、例えば、エチレングリコール等；アルデヒド類、ア
セタール類、ケトン類、例えばアセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等；シリコーン油系、例えば低粘度のシリコーン油；含
窒素化合物類、例えば、エチレンジアミン等；硫黄化合
物、例えば、二硫化炭素等；塗料シンナー類、例えば、
ラッカーシンナー等あるいはこれらの混合溶媒が使用可
能である。この場合、このような非水系溶媒の単独また
は混合溶媒は、２０℃での粘度が０．３〜３cps 、より
好ましくは０．３〜２．０cps 、特に０．４〜１．５cp
s であることが好ましい。これにより成形性や成形体の
配向度が格段と向上する。非水系溶媒の２０℃での蒸気
圧は、０．１〜２００mmHg、より好ましくは１〜２００
mmHgであり、その沸点は、５０〜３００℃、より好まし
くは５０〜２００℃である。また湿式粉砕に際し非水系
溶媒がスラリー中の１０〜９０重量％程度を構成し、ス
ラリー中のフェライト粒子が１０〜９０重量％であるこ
とが好ましい。
の水系の溶媒を用いてもよいが、本発明では、この湿式
粉砕時のスラリーの溶媒として非水系溶媒を用いること
が好ましい。用いる非水系溶媒としては、各種有機溶剤
等の常温で液体の有機化合物を用いればよいが、炭化水
素、例えば、ヘプタン、工業ガソリン、燈油、シクロヘ
キサン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テレピ
ン油等；ハロゲン化炭化水素類、例えば、１，２−ジブ
ロモエタン、テトラクロロエチレン、パークロロエチレ
ン、ジクロロペンタン、モノクロロベンゼン等；１価ア
ルコール類、フェノール類、エーテル類、例えば、メタ
ノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブ
チルアルコール、シクロヘキサノール、フェノール、ｎ
−ブチルエーテル等；酸類、エステル類、例えば、酢酸
ブチル等；多価アルコールとそのエーテル、エステル
類、例えば、エチレングリコール等；アルデヒド類、ア
セタール類、ケトン類、例えばアセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等；シリコーン油系、例えば低粘度のシリコーン油；含
窒素化合物類、例えば、エチレンジアミン等；硫黄化合
物、例えば、二硫化炭素等；塗料シンナー類、例えば、
ラッカーシンナー等あるいはこれらの混合溶媒が使用可
能である。この場合、このような非水系溶媒の単独また
は混合溶媒は、２０℃での粘度が０．３〜３cps 、より
好ましくは０．３〜２．０cps 、特に０．４〜１．５cp
s であることが好ましい。これにより成形性や成形体の
配向度が格段と向上する。非水系溶媒の２０℃での蒸気
圧は、０．１〜２００mmHg、より好ましくは１〜２００
mmHgであり、その沸点は、５０〜３００℃、より好まし
くは５０〜２００℃である。また湿式粉砕に際し非水系
溶媒がスラリー中の１０〜９０重量％程度を構成し、ス
ラリー中のフェライト粒子が１０〜９０重量％であるこ
とが好ましい。
【００３５】このような湿式粉砕において、スラリー中
には界面活性剤の１種以上を添加することが好ましい。
界面活性剤の添加量は、乾式粉砕した原料粉に対し、
０．１〜５．０重量％、特に０．３〜３．０重量％とす
ることが好ましい。この界面活性剤は一般に両親媒性で
あり、スラリー中で原料粉のフェライト粒子の表面に吸
着することができるとともに、吸着状態で用いる非水系
溶媒に可溶化する。すなわち、通常はフェライト粒子表
面に吸着可能な親水性基と、用いる非水系溶媒に溶解す
る親油性基（疎水性基）を有する。そして、用いる界面
活性剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）と用いる非水系溶
媒の溶解度パラメータ（ＳＰ値）とが近似しているもの
が好ましい。また、スラリー中で原料粉に対し、添加し
たうちの実質的に全量が吸着するようなものが好まし
い。このような吸着および可溶化をおこしてミセル化す
ることにより、湿式粉砕後のスラリー中で１次粒子はき
わめて良好に分散し、これを湿式磁場中成形することに
より配向度の著しい向上が図られる。
には界面活性剤の１種以上を添加することが好ましい。
界面活性剤の添加量は、乾式粉砕した原料粉に対し、
０．１〜５．０重量％、特に０．３〜３．０重量％とす
ることが好ましい。この界面活性剤は一般に両親媒性で
あり、スラリー中で原料粉のフェライト粒子の表面に吸
着することができるとともに、吸着状態で用いる非水系
溶媒に可溶化する。すなわち、通常はフェライト粒子表
面に吸着可能な親水性基と、用いる非水系溶媒に溶解す
る親油性基（疎水性基）を有する。そして、用いる界面
活性剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）と用いる非水系溶
媒の溶解度パラメータ（ＳＰ値）とが近似しているもの
が好ましい。また、スラリー中で原料粉に対し、添加し
たうちの実質的に全量が吸着するようなものが好まし
い。このような吸着および可溶化をおこしてミセル化す
ることにより、湿式粉砕後のスラリー中で１次粒子はき
わめて良好に分散し、これを湿式磁場中成形することに
より配向度の著しい向上が図られる。
【００３６】用いる界面活性剤としては、カチオン型、
アニオン型、ノニオン型、両性型のいずれであってもよ
いが、特に、カルボン酸またはその塩、例えばステアリ
ン酸、オレイン酸、ステアリン酸Ｚｎ、ステアリン酸Ｃ
ａ、ステアリン酸Ｓｒ、ステアリン酸Ｂａ、ステアリン
酸Ｍｇ、ステアリン酸Ａｌ、オレイン酸Ｚｎ、オレイン
酸Ｃａ、オレイン酸Ｓｒ、オレイン酸Ｂａ、オレイン酸
Ｍｇ、オレイン酸Ａｌ、オレイン酸アンモニウムなどの
炭素原子数４〜３０程度の飽和または不飽和の脂肪酸ま
たはその塩の１種以上を含むものが好適に使用される。
これらのうち、特に脂肪酸、より好ましくはステアリン
酸のＣａ塩の使用は、配向性が損われることなく成形時
の脱溶剤性が改善され成形体のクラック発生が防止され
るので有利である。これは、例えば３．０g/cm3 から
２．８g/cm3 に成形体密度が低下して、溶剤が抜けやす
くなるためであると考えられる。また特にＣａ、Ｂａ、
Ｓｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔ
ｉ等のフェライトに添加する可能性のある有効添加元素
を含む有機物（上記の脂肪酸の金属塩等の有機物界面活
性剤の金属塩）を添加することにより、このような元素
をフェライト粒子の周囲に高分散させることも可能であ
る。この他、公知のスルホン酸またはその塩；硫酸エス
テルまたはその塩；リン酸エステルまたはその塩；脂肪
族アミン塩あるいはその四級アンモニウム；芳香族四級
アンモニウム塩；ピリジニウム塩；イミダゾリニウム
塩；ベタイン；アミノカルボン酸塩；イミダゾリン誘導
体；天然界面活性剤のうち少なくとも一種も好適に使用
される。
アニオン型、ノニオン型、両性型のいずれであってもよ
いが、特に、カルボン酸またはその塩、例えばステアリ
ン酸、オレイン酸、ステアリン酸Ｚｎ、ステアリン酸Ｃ
ａ、ステアリン酸Ｓｒ、ステアリン酸Ｂａ、ステアリン
酸Ｍｇ、ステアリン酸Ａｌ、オレイン酸Ｚｎ、オレイン
酸Ｃａ、オレイン酸Ｓｒ、オレイン酸Ｂａ、オレイン酸
Ｍｇ、オレイン酸Ａｌ、オレイン酸アンモニウムなどの
炭素原子数４〜３０程度の飽和または不飽和の脂肪酸ま
たはその塩の１種以上を含むものが好適に使用される。
これらのうち、特に脂肪酸、より好ましくはステアリン
酸のＣａ塩の使用は、配向性が損われることなく成形時
の脱溶剤性が改善され成形体のクラック発生が防止され
るので有利である。これは、例えば３．０g/cm3 から
２．８g/cm3 に成形体密度が低下して、溶剤が抜けやす
くなるためであると考えられる。また特にＣａ、Ｂａ、
Ｓｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔ
ｉ等のフェライトに添加する可能性のある有効添加元素
を含む有機物（上記の脂肪酸の金属塩等の有機物界面活
性剤の金属塩）を添加することにより、このような元素
をフェライト粒子の周囲に高分散させることも可能であ
る。この他、公知のスルホン酸またはその塩；硫酸エス
テルまたはその塩；リン酸エステルまたはその塩；脂肪
族アミン塩あるいはその四級アンモニウム；芳香族四級
アンモニウム塩；ピリジニウム塩；イミダゾリニウム
塩；ベタイン；アミノカルボン酸塩；イミダゾリン誘導
体；天然界面活性剤のうち少なくとも一種も好適に使用
される。
【００３７】このような界面活性剤を仮焼体粉末を含む
非水系溶媒スラリー中に添加して湿式粉砕すれば、この
スラリーをそのまま用いて湿式成形することができる。
あるいはこの界面活性剤の一部または全部は、湿式成形
に先立って行われたり、それ単独で行われたりする仮焼
粉の乾式粉砕時に添加してもよい。また、界面活性剤の
一部または全部は非水系溶媒スラリーの湿式粉砕後に添
加してもよい。さらには乾式粉砕後に界面活性剤と非水
系溶媒とを加えて湿式成形用のスラリーを調製してもよ
い。いずれの場合も、湿式磁場成形時にスラリー中に界
面活性剤が存在するので成形体の配向度向上効果が実現
する。なお、各段階における界面活性剤の添加量は、最
終的に、湿式成形時のスラリー中にて前記の添加量とな
るように設定すればよい。
非水系溶媒スラリー中に添加して湿式粉砕すれば、この
スラリーをそのまま用いて湿式成形することができる。
あるいはこの界面活性剤の一部または全部は、湿式成形
に先立って行われたり、それ単独で行われたりする仮焼
粉の乾式粉砕時に添加してもよい。また、界面活性剤の
一部または全部は非水系溶媒スラリーの湿式粉砕後に添
加してもよい。さらには乾式粉砕後に界面活性剤と非水
系溶媒とを加えて湿式成形用のスラリーを調製してもよ
い。いずれの場合も、湿式磁場成形時にスラリー中に界
面活性剤が存在するので成形体の配向度向上効果が実現
する。なお、各段階における界面活性剤の添加量は、最
終的に、湿式成形時のスラリー中にて前記の添加量とな
るように設定すればよい。
【００３８】湿式粉砕に、水系溶媒、特にその取扱い性
等の点から好ましくは水または水の混合溶媒をもちいる
ときには、湿式粉砕時のスラリー中の原料粉は１０〜７
０重量％程度である。ただし、水スラリーに界面活性剤
を添加して湿式成形しても成形体の配向度向上は望めな
いので、非水系溶媒と溶媒置換することが好ましい。溶
媒置換を行うには、例えば原料粉を磁気的に保持した状
態でデカンテーションを行ったりすればよい。なお、こ
の湿式成形に際しても、前もって乾式粉砕を行うことも
できる。
等の点から好ましくは水または水の混合溶媒をもちいる
ときには、湿式粉砕時のスラリー中の原料粉は１０〜７
０重量％程度である。ただし、水スラリーに界面活性剤
を添加して湿式成形しても成形体の配向度向上は望めな
いので、非水系溶媒と溶媒置換することが好ましい。溶
媒置換を行うには、例えば原料粉を磁気的に保持した状
態でデカンテーションを行ったりすればよい。なお、こ
の湿式成形に際しても、前もって乾式粉砕を行うことも
できる。
【００３９】このように湿式成形時のスラリー溶媒とは
異なる好ましくは水系の溶媒を用いた湿式粉砕を行っ
て、その後、溶媒置換を行う場合、最終湿式成形時には
前記の添加量にて界面活性剤が存在している必要があ
る。このためには、乾式粉砕時、湿式粉砕時、最終スラ
リー調製時のいずれか１つの段階に界面活性剤を添加す
ればよい。以上いずれの場合であっても、最終の湿式成
形用スラリーは非水系溶媒量が５〜３０重量％程度、原
料粒子量は７０〜９５重量％程度であるように調整す
る。
異なる好ましくは水系の溶媒を用いた湿式粉砕を行っ
て、その後、溶媒置換を行う場合、最終湿式成形時には
前記の添加量にて界面活性剤が存在している必要があ
る。このためには、乾式粉砕時、湿式粉砕時、最終スラ
リー調製時のいずれか１つの段階に界面活性剤を添加す
ればよい。以上いずれの場合であっても、最終の湿式成
形用スラリーは非水系溶媒量が５〜３０重量％程度、原
料粒子量は７０〜９５重量％程度であるように調整す
る。
【００４０】このようにして界面活性剤を含む最終非水
系溶媒スラリーを調製した後、スラリー中の非水系溶媒
を除去しながら磁場中成形を行う。溶媒除去は常法に従
い例えば減圧強制除去によればよく、成形圧力は０．１
〜０．５ton/cm2 程度、印加磁場は５〜１５kG程度とす
る。得られた成形体の配向度、Ｉｒ／Ｉｓは７５％以
上、例えば７８〜８６％となる。そしてこのような高配
向度は、非水系溶媒と界面活性剤との併用によって初め
て実現し、界面活性剤を水スラリーに添加しても高配向
は得られない。
系溶媒スラリーを調製した後、スラリー中の非水系溶媒
を除去しながら磁場中成形を行う。溶媒除去は常法に従
い例えば減圧強制除去によればよく、成形圧力は０．１
〜０．５ton/cm2 程度、印加磁場は５〜１５kG程度とす
る。得られた成形体の配向度、Ｉｒ／Ｉｓは７５％以
上、例えば７８〜８６％となる。そしてこのような高配
向度は、非水系溶媒と界面活性剤との併用によって初め
て実現し、界面活性剤を水スラリーに添加しても高配向
は得られない。
【００４１】その後、この成形体を大気中または窒素中
にて１００〜５００℃の温度で熱処理して、添加した界
面活性剤を脱脂し分解除去する。そして、この成形体
を、例えば大気中で１１５０〜１２５０℃、特に１１６
０〜１２２０℃の温度で０．５〜３時間程度焼結して、
各種形状の異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石が得ら
れる。
にて１００〜５００℃の温度で熱処理して、添加した界
面活性剤を脱脂し分解除去する。そして、この成形体
を、例えば大気中で１１５０〜１２５０℃、特に１１６
０〜１２２０℃の温度で０．５〜３時間程度焼結して、
各種形状の異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石が得ら
れる。
【００４２】また、前記成形体をクラッシャー等を用い
て解砕し、ふるい等により平均粒径が１００〜７００μ
m 程度に整粒して磁場配向顆粒を得、これを用いて、乾
式磁場成形して前記と同様にして焼結を行なって種々の
形態をもつ異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石を得て
もよい。
て解砕し、ふるい等により平均粒径が１００〜７００μ
m 程度に整粒して磁場配向顆粒を得、これを用いて、乾
式磁場成形して前記と同様にして焼結を行なって種々の
形態をもつ異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石を得て
もよい。
【００４３】また、本発明の製造方法としては、界面活
性剤を用いずに粉砕による機械的歪の導入のみを行うこ
ともできる。粉砕は前記のとおり乾式または湿式粉砕に
よって行うが、好ましい形態において行われる湿式粉砕
時のスラリーの溶媒として、取扱いの容易さの点では水
または水の混合溶媒が好ましい。湿式粉砕に際しては、
溶媒がスラリー中の１０〜９０重量％程度、特に水スラ
リーでは３０〜９０重量％を構成し、スラリー中のフェ
ライト粒子が１０〜９０重量％、特に水スラリーでは１
０〜７０重量％であることが好ましい。
性剤を用いずに粉砕による機械的歪の導入のみを行うこ
ともできる。粉砕は前記のとおり乾式または湿式粉砕に
よって行うが、好ましい形態において行われる湿式粉砕
時のスラリーの溶媒として、取扱いの容易さの点では水
または水の混合溶媒が好ましい。湿式粉砕に際しては、
溶媒がスラリー中の１０〜９０重量％程度、特に水スラ
リーでは３０〜９０重量％を構成し、スラリー中のフェ
ライト粒子が１０〜９０重量％、特に水スラリーでは１
０〜７０重量％であることが好ましい。
【００４４】このような好ましくは水または水系スラリ
ーを用いて湿式粉砕すれば、このスラリーをそのまま用
いて湿式成形することができる。また上記のとおり、湿
式成形に先立って仮焼粉の乾式粉砕を行ってもよい。ま
た、乾式粉砕後に溶媒を加えて湿式成形用のスラリーを
調製してもよい。さらには、上記の湿式粉砕を成形用ス
ラリーとは異なる他の溶媒中で行い、その後、湿式成形
に先立って粉砕時に用いた溶媒を好ましくは水に置換し
てもよい。溶媒置換を行うには、例えば原料粉を磁気的
に保持した状態でデカンテーションを行ったりすればよ
い。なお、この湿式成形に際しても前もって乾式粉砕を
行うこともできる。以上いずれの場合であっても、最終
の湿式成形用スラリーは水等の溶媒量が５〜３０重量％
程度、原料粒子量は７０〜９５重量％程度であるように
調整する。
ーを用いて湿式粉砕すれば、このスラリーをそのまま用
いて湿式成形することができる。また上記のとおり、湿
式成形に先立って仮焼粉の乾式粉砕を行ってもよい。ま
た、乾式粉砕後に溶媒を加えて湿式成形用のスラリーを
調製してもよい。さらには、上記の湿式粉砕を成形用ス
ラリーとは異なる他の溶媒中で行い、その後、湿式成形
に先立って粉砕時に用いた溶媒を好ましくは水に置換し
てもよい。溶媒置換を行うには、例えば原料粉を磁気的
に保持した状態でデカンテーションを行ったりすればよ
い。なお、この湿式成形に際しても前もって乾式粉砕を
行うこともできる。以上いずれの場合であっても、最終
の湿式成形用スラリーは水等の溶媒量が５〜３０重量％
程度、原料粒子量は７０〜９５重量％程度であるように
調整する。
【００４５】なお、水系スラリーを湿式粉砕する場合、
粉砕時には、分散剤を添加することが望ましい。この分
散剤としては、高分子分散剤を用いることが望ましく、
特にポリカルボン酸アンモニウム型のものが望ましい。
また、分散剤は原料粉に対し０．１〜１重量％添加する
ことが好ましい。
粉砕時には、分散剤を添加することが望ましい。この分
散剤としては、高分子分散剤を用いることが望ましく、
特にポリカルボン酸アンモニウム型のものが望ましい。
また、分散剤は原料粉に対し０．１〜１重量％添加する
ことが好ましい。
【００４６】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例によって
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００４７】原料としては、次のものを用いた。 Ｆｅ2 Ｏ3 粉末（一次粒子径０．３μm ） １０００g ＢａＣＯ3 粉末（一次粒子径２μm ） ２１５．５g
【００４８】上記原料を水２L とともに湿式アトライタ
ーで２時間粉砕して乾燥し、整粒し、これを空気中１１
７５℃で３時間焼成して粉末状の仮焼体を得た。
ーで２時間粉砕して乾燥し、整粒し、これを空気中１１
７５℃で３時間焼成して粉末状の仮焼体を得た。
【００４９】得られた仮焼体の磁気特性を試料振動式磁
力計（ＶＳＭ）で測定した結果、σｓ＝６８emu/g 、ｉ
Ｈｃ＝４．６kOe であった。また、走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）で観察すると、その一次粒子径は０．３μm
であり、ＢＥＴ比表面積は２m2/gであった。
力計（ＶＳＭ）で測定した結果、σｓ＝６８emu/g 、ｉ
Ｈｃ＝４．６kOe であった。また、走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）で観察すると、その一次粒子径は０．３μm
であり、ＢＥＴ比表面積は２m2/gであった。
【００５０】この仮焼体に対し、ＳｉＯ2 （平均粒子径
０．０１μm ）を０．６wt% 添加し、これに加えてＢａ
ＣＯ3 またはＣａＣＯ3 （ともに平均粒子径１μm ）を
表１に示される量添加して、乾式振動ミルにより、粉末
の比表面積が７m2/gとなるまで粉砕を行なった。この処
理により、粉末に粉砕歪みが導入されて、ｉＨｃが４．
６kOe から２．０kOe に減少した。
０．０１μm ）を０．６wt% 添加し、これに加えてＢａ
ＣＯ3 またはＣａＣＯ3 （ともに平均粒子径１μm ）を
表１に示される量添加して、乾式振動ミルにより、粉末
の比表面積が７m2/gとなるまで粉砕を行なった。この処
理により、粉末に粉砕歪みが導入されて、ｉＨｃが４．
６kOe から２．０kOe に減少した。
【００５１】次いで、非水系溶媒としてキシレンを用
い、界面活性剤としてオレイン酸を用いてボールミル中
で湿式粉砕を行なった。オレイン酸は、乾式粉砕により
得られた粉末に対して１．５wt% 添加した。キシレンス
ラリーのフェライト濃度は、３３wt% とした。粉砕は、
比表面積が８m2/gとなるまで行なった。得られたスラリ
ー中の粉末（Ｂａフェライト原料粉末）の磁気特性を前
記同様に測定した結果、σｓ＝６４emu/g 、ｉＨｃ＝
１．８kOe であった。また、平均粒子径は０．３μm で
あった。
い、界面活性剤としてオレイン酸を用いてボールミル中
で湿式粉砕を行なった。オレイン酸は、乾式粉砕により
得られた粉末に対して１．５wt% 添加した。キシレンス
ラリーのフェライト濃度は、３３wt% とした。粉砕は、
比表面積が８m2/gとなるまで行なった。得られたスラリ
ー中の粉末（Ｂａフェライト原料粉末）の磁気特性を前
記同様に測定した結果、σｓ＝６４emu/g 、ｉＨｃ＝
１．８kOe であった。また、平均粒子径は０．３μm で
あった。
【００５２】この粉砕スラリーを吸引ろ過により、スラ
リー中のＢａフェライト原料粉末の濃度が８０〜８５wt
% になるように調整した。このスラリーから溶媒を除去
しつつ、約１３kGの高さ方向磁場中で直径３０mm、高さ
１５mmの円柱に成形した。このときの成形体の配向度
（Ir/Is ）を、表１に示す。
リー中のＢａフェライト原料粉末の濃度が８０〜８５wt
% になるように調整した。このスラリーから溶媒を除去
しつつ、約１３kGの高さ方向磁場中で直径３０mm、高さ
１５mmの円柱に成形した。このときの成形体の配向度
（Ir/Is ）を、表１に示す。
【００５３】次に、各成形体を空気中で１２２０℃にて
１時間焼成した。なお、成形体を焼成する際に、オレイ
ン酸を除去するためあらかじめ空気中１００〜３００℃
で十分に脱脂した。得られた焼結体の磁気特性、配向
度、角形比Ｈk ／ iＨc 、焼結密度および高さ方向の縮
率Shｈ（ｃ軸方向）と径方向の縮率Shφ（ａ軸方向）と
の比（Shｈ／Shφ）を評価した。結果を表１に示す。 i
Ｈc は保磁力であり、Ｈk は、磁気ヒステリシスループ
の第２象限において磁束密度が残留磁束密度の９０％に
なるときの外部磁界強度である。Ｈk が低いと高エネル
ギー積が得られない。Ｈk ／ iＨc は、磁石性能の指標
となるものであり、磁気ヒステリシスループの第２象限
における角張りの度合いを表わす。結晶粒径の分布がシ
ャープであれば、Ｈk ／ iＨc は大きくなる。
１時間焼成した。なお、成形体を焼成する際に、オレイ
ン酸を除去するためあらかじめ空気中１００〜３００℃
で十分に脱脂した。得られた焼結体の磁気特性、配向
度、角形比Ｈk ／ iＨc 、焼結密度および高さ方向の縮
率Shｈ（ｃ軸方向）と径方向の縮率Shφ（ａ軸方向）と
の比（Shｈ／Shφ）を評価した。結果を表１に示す。 i
Ｈc は保磁力であり、Ｈk は、磁気ヒステリシスループ
の第２象限において磁束密度が残留磁束密度の９０％に
なるときの外部磁界強度である。Ｈk が低いと高エネル
ギー積が得られない。Ｈk ／ iＨc は、磁石性能の指標
となるものであり、磁気ヒステリシスループの第２象限
における角張りの度合いを表わす。結晶粒径の分布がシ
ャープであれば、Ｈk ／ iＨc は大きくなる。
【００５４】なお、ＢａＣＯ3 ＝２．９６重量％は、Ｃ
ａＣＯ3 ＝１．５０重量％とほぼ同じモル％となる。
ａＣＯ3 ＝１．５０重量％とほぼ同じモル％となる。
【００５５】
【表１】
【００５６】表１から、ＣａＣＯ3 にかえてＢａＣＯ3
を添加した焼結体No. １では、ｉＨｃが向上し、配向度
が高いにもかかわらず縮率比（Shｈ／Shφ）が１に近づ
くことがわかる。また、モル百分率での添加量が同等で
焼成温度が等しい焼結体No.１とNo. ２との比較から、
ＣａＣＯ3 にかえてＢａＣＯ3 を添加することにより焼
結密度が向上することがわかる。焼結密度の向上は、機
械的強度の向上に結び付く。
を添加した焼結体No. １では、ｉＨｃが向上し、配向度
が高いにもかかわらず縮率比（Shｈ／Shφ）が１に近づ
くことがわかる。また、モル百分率での添加量が同等で
焼成温度が等しい焼結体No.１とNo. ２との比較から、
ＣａＣＯ3 にかえてＢａＣＯ3 を添加することにより焼
結密度が向上することがわかる。焼結密度の向上は、機
械的強度の向上に結び付く。
【００５７】また、本発明では仮焼後にＢａＣＯ3 を加
えるため、仮焼体のＢａ濃度を高くする必要がない。Ｂ
ａ濃度の高い仮焼体にはＭ相フェライトとＢａリッチ相
とが存在するが、Ｂａリッチ相は分解されやすく、分解
により粉砕されやすくなる。このため、微粉が発生する
ので、成形性が悪くなり、取り扱いも面倒となる。そし
てこの微粉は溶媒に極めて分散しやすく、また、水に溶
けやすいため、特に水系溶媒を用いて粉砕した場合には
組成ずれが発生してしまう。しかし、本発明により製造
された焼結体No. １では、このような問題は生じない。
えるため、仮焼体のＢａ濃度を高くする必要がない。Ｂ
ａ濃度の高い仮焼体にはＭ相フェライトとＢａリッチ相
とが存在するが、Ｂａリッチ相は分解されやすく、分解
により粉砕されやすくなる。このため、微粉が発生する
ので、成形性が悪くなり、取り扱いも面倒となる。そし
てこの微粉は溶媒に極めて分散しやすく、また、水に溶
けやすいため、特に水系溶媒を用いて粉砕した場合には
組成ずれが発生してしまう。しかし、本発明により製造
された焼結体No. １では、このような問題は生じない。
【００５８】図２に、焼結体No. １の透過型電子顕微鏡
写真を示す。また、焼結体No. １および２のａ軸方向の
結晶粒径の分布を、図１に示す。結晶粒径は走査型電子
顕微鏡写真から求めた。図１から、焼結体No. １では結
晶粒径が小さく制御されていることがわかり、粒度分布
もシャープであることがわかる。焼結体No. １では、こ
のような結晶粒子を有するために保磁力が高くなってい
ると考えられる。
写真を示す。また、焼結体No. １および２のａ軸方向の
結晶粒径の分布を、図１に示す。結晶粒径は走査型電子
顕微鏡写真から求めた。図１から、焼結体No. １では結
晶粒径が小さく制御されていることがわかり、粒度分布
もシャープであることがわかる。焼結体No. １では、こ
のような結晶粒子を有するために保磁力が高くなってい
ると考えられる。
【００５９】ＴＥＭ−ＥＤＳによる分析 焼結体No. １を、ｃ軸に平行に厚さ約１００μm まで両
面から研磨し、Dimple-Grinderにより厚さ約３０μm と
した後、ＰＩＰＳ（Precision Ar Ion Pollishing Syst
em）により薄膜化し、測定用試料とした。各測定用試料
の多結晶粒界部分およびグレイン内部のそれぞれ４箇所
以上（Ｎ≧４）について、ＴＥＭ−ＥＤＳにより組成分
布を調べた。ＴＥＭは日本電子（株）製JEM2000FXII を
用い、ＥＤＳはTracor-Northern 社製TN5450を用いた。
この結果、焼結体No. １では、前記したＳｉO ／ＳｉI
は２〜１００の範囲にあり、ＢａO ／ＢａI は１．１〜
２０の範囲にあり、ＳｒO ／ＳｒI は１．１以下であっ
た。
面から研磨し、Dimple-Grinderにより厚さ約３０μm と
した後、ＰＩＰＳ（Precision Ar Ion Pollishing Syst
em）により薄膜化し、測定用試料とした。各測定用試料
の多結晶粒界部分およびグレイン内部のそれぞれ４箇所
以上（Ｎ≧４）について、ＴＥＭ−ＥＤＳにより組成分
布を調べた。ＴＥＭは日本電子（株）製JEM2000FXII を
用い、ＥＤＳはTracor-Northern 社製TN5450を用いた。
この結果、焼結体No. １では、前記したＳｉO ／ＳｉI
は２〜１００の範囲にあり、ＢａO ／ＢａI は１．１〜
２０の範囲にあり、ＳｒO ／ＳｒI は１．１以下であっ
た。
【００６０】以上の実施例から、本発明の効果が明らか
である。
である。
【図１】ａ軸方向の結晶粒径の分布を表わすグラフであ
る。
る。
【図２】結晶構造を示す図面代用写真であって、異方性
六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の透過型電子顕微鏡写真
である。
六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の透過型電子顕微鏡写真
である。
【図３】図２の透過型電子顕微鏡写真を説明するための
模式図である。
模式図である。
【図４】多結晶粒界部分を説明するための模式図であ
る。
る。
フロントページの続き (72)発明者 武石 卓 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 森 輝夫 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−275221（ＪＰ，Ａ)
Claims (11)
- 【請求項１】 六方晶Ｂａフェライトの仮焼体に、酸化
カルシウムまたは焼成により酸化カルシウムとなる化合
物であるＣａ成分を添加せずに、酸化ケイ素または焼成
により酸化ケイ素となる化合物であるＳｉ成分および酸
化バリウムまたは焼成により酸化バリウムとなる化合物
であるＢａ成分を添加して調整されたＢａフェライト原
料粉末を磁場中成形して成形体とし、 この成形体を焼結するか、または前記成形体を解砕した
後、磁場中成形して焼結することによりｃ軸方向の縮率
Ｓhcとａ軸方向の縮率Ｓhaとの比Ｓhc／Ｓhaが０．５〜
１．５である異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石を製
造する異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方
法。 - 【請求項２】 Ｂａフェライトを主相とし、粒界のＳｉ
含有量が主相グレイン内部のＳｉ含有量の２〜１００倍
であり、粒界のＢａ含有量が主相グレイン内部のＢａ含
有量の１．１〜２０倍である請求項１の異方性六方晶Ｂ
ａフェライト焼結磁石の製造方法。 - 【請求項３】 前記Ｓｉ成分がＳｉＯ2 換算で成形体の
０．１〜２．０wt％、前記Ｂａ成分がＢａＣＯ3 換算で
成形体の０．５〜７wt% 、前記Ｓｉ成分と前記Ｂａ成分
とのモル比がＢａＣＯ3 ／ＳｉＯ2 換算で０．５〜３と
なるように前記Ｓｉ成分および前記Ｂａ成分を成形体に
含有させる請求項１または２の異方性六方晶Ｂａフェラ
イト焼結磁石の製造方法。 - 【請求項４】 粒界のＢａ含有量が０．５〜１０at% で
ある異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石が製造される
請求項１〜３のいずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト
焼結磁石の製造方法。 - 【請求項５】 前記Ｂａフェライト原料粉末中に、酸化
ストロンチウムまたは焼成により酸化ストロンチウムと
なる化合物であるＳｒ成分を含有させる請求項１〜４の
いずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造
方法。 - 【請求項６】 前記Ｓｉ成分がＳｉＯ2 換算で成形体の
０．１〜２．０wt％、前記Ｓｒ成分がＳｒＣＯ3 換算で
成形体の０．５〜５wt% 、前記Ｓｉ成分と前記Ｓｒ成分
とのモル比がＳｒＣＯ3 ／ＳｉＯ2 換算で０．５〜３と
なるように前記Ｓｉ成分および前記Ｓｒ成分を成形体に
含有させる請求項５の異方性六方晶Ｂａフェライト焼結
磁石の製造方法。 - 【請求項７】 粒界のＳｒ含有量が主相グレイン内部の
Ｓｒ含有量の１．１〜２０倍である異方性六方晶Ｂａフ
ェライト焼結磁石が製造される請求項５または６の異方
性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法。 - 【請求項８】 粒界のＳｉ含有量が２〜３０at% である
異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石が製造される請求
項１〜７のいずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト焼結
磁石の製造方法。 - 【請求項９】 前記Ｂａフェライト原料粉末の平均粒径
が１μm 以下である請求項１〜８のいずれかの異方性六
方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法。 - 【請求項１０】 前記主相のａ軸方向の平均結晶粒径が
１．０μm 以下である異方性六方晶Ｂａフェライト焼結
磁石が製造される請求項１〜９のいずれかの異方性六方
晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法。 - 【請求項１１】 周面が多極に配向している極異方性六
方晶Ｂａフェライト焼結磁石が製造される請求項１〜１
０のいずれかの異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07182081A JP3135203B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法 |
| US08/670,069 US5811024A (en) | 1995-06-26 | 1996-06-25 | Preparation of anisotropic hexagonal barium ferrite sintered magnet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07182081A JP3135203B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917669A JPH0917669A (ja) | 1997-01-17 |
| JP3135203B2 true JP3135203B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16112028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07182081A Expired - Fee Related JP3135203B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 異方性六方晶Ｂａフェライト焼結磁石の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5811024A (ja) |
| JP (1) | JP3135203B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945028A (en) * | 1992-04-24 | 1999-08-31 | Tdk Corporation | Hexagonal system ferrite particles and their production process |
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