JP3129445B2 - 基板を湿式処理するための装置 - Google Patents

基板を湿式処理するための装置

Info

Publication number
JP3129445B2
JP3129445B2 JP09536686A JP53668697A JP3129445B2 JP 3129445 B2 JP3129445 B2 JP 3129445B2 JP 09536686 A JP09536686 A JP 09536686A JP 53668697 A JP53668697 A JP 53668697A JP 3129445 B2 JP3129445 B2 JP 3129445B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
substrate carrier
container
transport carriage
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP09536686A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11507477A (ja
Inventor
ヴェーバー マーティン
マイスター ディーター
ヴェールレ フェリックス
フンクヘーネル ユルゲン
Original Assignee
ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング filed Critical ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Publication of JPH11507477A publication Critical patent/JPH11507477A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3129445B2 publication Critical patent/JP3129445B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S68/00Textiles: fluid treating apparatus
    • Y10S68/902Devices for storage and reuse of soap suds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Paper (AREA)
  • Blow-Moulding Or Thermoforming Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板キャリヤ内の基板を、処理流体を有す
る容器に挿入して、該容器内で基板を湿式処理するため
の装置もしくは方法に関する。
欧州特許出願公開第385536号明細書に基づき、半導体
ウェーハを液体中での処理の後に乾燥させるための方法
が公知である。さらに、上記欧州特許出願公開明細書に
基づき、カセット内に位置するウェーハを液体浴中で処
理することが公知である。その場合、ウェーハは処理の
間、カセット内の支持部に載置されている。処理の後
に、液体中に存在する、ウェーハを有するカセットに直
接に補助カセットが被せられる。カッタ状の持上げ装置
により、ウェーハは液体から持ち上げられ、この場合、
ウェーハは乾燥させられる。持上げ時にウェーハはま
ず、カセットに設けられた側方のガイドに沿って案内さ
れ、そして液体からの進出後には補助カセットに設けら
れた側方のガイドに沿って案内される。ウェーハが完全
に液体から持ち上げられると、カセットも同じく液体か
ら持ち上げられて、乾燥させられる。補助カセットはこ
の場合、上方に向かって運動させられるので、ウェーハ
は液体の外部で再びカセットの支持部に載置される。
しかし、このような装置では次のような問題が生じ
る。すなわち、カセット内のウェーハは容器内で十分に
位置調整されていないか、もしくは十分にセンタリング
されていないので、ウェーハを、外部のガイド、たとえ
ば液体の上方に位置する上記補助カセットに設けられた
ガイドにおいて損傷を受ける危険なしに引き出すことは
不可能である。ウェーハが鉛直な位置からたとえ極めて
僅かでもずれた場合には、ウェーハは外部のガイドに確
実に進入することができなくなくなるので、損傷の危険
が大となる。搬送用のカセットは著しい温度差にさらさ
れているので(たとえば処理プロセスでは最大170℃ま
での温度が生じる)、許容誤差寸法を維持することがで
きなくなるか、もしくはカセットにひずみが生じてしま
う。
したがって、本発明の課題は、基板が処理容器内で、
かつ処理容器からの引出し時にできるだけ正確に位置調
整可能でかつセンタリング可能となるような、基板を湿
式処理するための装置を提供することである。
本発明の別の課題は、基板のためのキャリヤの、処理
容器内での位置が、処理中に生じる温度変動にもかかわ
らず常に規定されているような、基板のためのキャリヤ
を提供することである。このことによっても、基板の位
置調整およびセンタリングが改善されることが望まし
い。
このように設定された課題は、本発明によれば、容器
が基板のための収容装置を有していることにより解決さ
れる。
さらに上記課題は、当該装置が、処理容器内に挿入可
能な少なくとも1つのアダプタを有していて、該アダプ
タが、基板キャリヤを支持するための複数の支持個所を
有していることによっても解決される。
さらに上記課題は、容器内に載置するために、長手方
向および/または横方向で中央に配置された少なくとも
2つの載置個所を有する基板キャリヤによって解決され
る。
本発明の利点は次の点に認められる。すなわち、特に
大きな基板、たとえば300mmの直径を有する半導体ウェ
ーハを、本発明による装置によって乾燥させることがで
きる。
本発明の別の利点は次の点に認められる。すなわち、
容器内部に設けられた、基板のための専用の収容装置に
より、ウェーハのためのカセットおよび特にカセットに
設けられた収容スリットを、処理流体が除去されるとカ
セットが最適に乾燥されるように構成することができ
る。すなわち、基板を最適に位置調整するためには、基
板のためのガイドスリットに、極めて乾燥させ難い特に
狭い区分が設けられている。
本発明による装置のさらに別の利点は次の点に認めら
れる。すなわち、本発明により設けられたアダプタによ
って、種々の大きさの基板キャリヤが同一の容器に挿入
可能となり、しかも規定された位置に保持され得るよう
になる。
本発明による基板キャリヤはこの場合、次のような利
点を有している。すなわち、温度変化に基づき基板キャ
リヤが変形した場合でも、基板キャリヤの規定された位
置が変化しない。
本発明の有利な構成では、基板のための収容装置と基
板キャリヤとが互いに相対的に運動可能である。このよ
うな相対運動により、基板キャリヤ内で容器に挿入され
た基板を、容器内部の基板ための収容装置に引き渡すこ
とが実現される。
基板のための収容装置と基板キャリヤとの相対運動は
鉛直な方向で行われると有利である。これにより、基板
の乾燥を最も有効に実施することができる。なぜなら
ば、こうして基板に付着した処理流体を、液体表面から
の進出時に極めて容易に除去することができるからであ
る。さらに、基板のための収容装置と基板キャリヤとの
鉛直方向の相対運動に基づき、基板を基板キャリヤから
基板のための収容装置に引き渡すか、または再び基板を
基板キャリヤへ引き渡すことを、基板または基板キャリ
ヤの持上げおよび乾燥と共に1つの連続的な運動で行う
ことができる。
本発明の別の有利な構成では、当該装置が、基板のた
めの収容装置のための第1の搬送キャリッジと、基板キ
ャリヤのための第2の搬送キャリッジとを有している。
第2の搬送キャリッジは基板キャリヤのための収容部を
有していると有利である。基板キャリヤは基板キャリヤ
開口を有しており、基板キャリヤのための収容部が収容
部開口を有していて、両開口を通じて、収容装置が鉛直
な方向に運動可能であると有利である。したがって、基
板のための収容装置と、基板キャリヤとの間の相対運動
が可能となる。この基板は基板のための収容装置にセン
タリングされていて、連続的な運動で容器の処理流体か
ら引き出されて、乾燥させられる。
収容装置が、基板をセンタリングするための複数のス
リットを有していると有利である。これらのスリットの
幅はスリット開口部からスリット底部に向かって減少し
ていると有利である。特にスリットの第1の壁が鉛直に
延びていて、スリットの第2の壁が、鉛直線に対して予
め規定あれた第1の角度だけ傾けられていると有利であ
る。このような特別なスリット形状に基づき、基板を基
板のための収容装置にクランプすることによって基板の
最適なセンタリングが可能となる。スリットのこのよう
な構成はたしかに収容装置における基板のセンタリング
の点で有利であるが、しかし基板は処理流体からの進出
時にはこのようなクランプスリットに保持されないほう
が望ましい。なぜならば、さもないと処理流体の残分が
基板もしくは収容装置から剥離し得ないからである。
スリット開口部範囲に位置するスリット壁が鉛直線と
共に、第2の予め規定された角度を成していると有利で
あり、この場合、この第2の角度が前記第1の角度より
も大きく形成されていると特に有利である。これによ
り、クランプスリット内への基板の容易な導入が得られ
る。
本発明のさらに別の有利な構成では、容器が基板のた
めのカッタ状の持上げ装置、特にカッタ状の条片として
形成された持上げ装置を有しており、このカッタ状の持
上げ装置が、収容装置に設けられた貫通孔と、基板キャ
リヤ開口と、収容部開口とを通じて、鉛直な方向に運動
可能である。こうして、基板が外部のガイド、たとえば
容器の上方に設けられたガイドに進入して係合する際
に、カッタ状の持上げ装置は連続的な運動で基板を収容
装置と一緒に、または単独で支持することができる。カ
ッタ状の持上げ装置には、基板がちょうど液体表面から
進出した際に液滴がカッタ状の条片を伝わって下方へ流
下する、という特別な利点がある。
本発明のさらに別の有利な構成では、当該装置が、容
器の上に装着可能なフードを有している。このフードは
少なくとも1つの内壁に基板のためのガイドスリットを
有していると有利である。基板のための収容装置に設け
られたスリットは、フードのガイドスリットに対応して
形成されている。したがって、このフードは二重の機能
を満たしている。すなわち、このフードは一方では蒸気
から成る雰囲気を含んでいるので、マランゴニ効果(Ma
rangoni−Effekt)を利用して乾燥を行うことができる
(冒頭で挙げた欧州特許出願公開第0385536号明細書参
照)。他方では、このフードが外部のガイドを形成して
いるので、基板は容器の上方で単にカッタ状の持上げ装
置によってのみ支持されて、フードのガイドスリット内
に案内されて持ち上げられるようになる。この場合に
は、基板のための収容装置は基板を容器内に保持しかつ
センタリングするためにしか働かないので、この収容装
置は容器から引き出されなくて済む。これにより、上で
詳しく説明した、収容装置内に基板をセンタリングする
ためのクランプスリットのための最適の形状を使用する
ことができる。
本発明のさらに別の有利な構成では、乾燥のために基
板が基板キャリヤから分離される。基板を基板キャリヤ
から分離して別個に引き出すことにより、接触個所に処
理流体の残分もしくは乾燥斑が残ることが阻止される。
本発明のさらに別の有利な構成では、本発明による基
板キャリヤの載置個所が各側方プレートの中央に形成さ
れている。これらの載置個所は長手方向ロッドの中央
や、あるいは長手方向ロッドから斜め下方に向けられた
支持部分の中央に形成されていても有利である。
これらの載置個所は切欠き、特にセンタリング溝とし
て形成されていると有利である。これらの切欠き内に
は、容器に形成された複数の突起、特にくさび状のセン
タリングキーが係合する。本発明のこのような有利な構
成により、基板キャリヤの、処理容器内での正確に規定
された位置決めが可能となる。
本発明のさらに別の有利な構成では、基板キャリヤ
が、少なくとも2重壁を有する異形成形部材として形成
された側方プレートを有していてよい。これらの側方プ
レートは複数の横方向ウェブを備えていると有利であ
る。これらの横方向ウェブは基板キャリヤのハンドリン
グ、特に基板キャリヤの取出しおよび設置を可能にし、
しかもこの場合には基板キャリヤの全体的にコンパクト
でかつ取扱い易い形状が保証されている。
本発明のさらに別の有利な構成では、本発明による装
置が、容器内に挿入可能なアダプタを有しており、この
アダプタが、長手方向および/または横方向で中央に配
置された、本発明による基板キャリヤを支持するための
少なくとも2つの支持個所を有している。この場合、ア
ダプタに設けられた支持個所は、基板キャリヤに形成さ
れたセンタリング溝に対応してセンタリングキーとして
形成されていると有利である。
本発明のさらに別の有利な構成では、前記アダプタ
が、互いに間隔を置いて配置された2つの平行な長手方
向ビームを有しており、両長手方向ビームが、両長手方
向ビームに対して直交する横方向に配置された2つの横
方向ビームによって互いに結合されている。
本発明のさらに別の有利な構成では、前記アダプタが
少なくとも2つの位置固定用孔を有しており、これらの
位置固定用孔内に、当該装置の容器底部に形成された位
置固定用ピンが係合するようになっている。しかし、前
記アダプタと容器底部との間の結合部および/または前
記アダプタと基板キャリヤとの間の結合部が、前で説明
した溝およびセンタリングキーの形で有利には長手方向
側および/または横方向側の中央に形成されているよう
な構成も有利である。
本発明のその他の有利な構成は請求の範囲に記載され
ている。
以下に、本発明の実施例を図面につき詳しく説明す
る。
第1図は、基板を湿式処理するための本発明による装
置の容器の横断面図であり、 第2図は、第1図に示した容器を上から見た平面図で
あり、 第3図は、基板を湿式処理するための本発明による装
置の横断面図であり、 第4図は、基板のための本発明による収容装置の長手
方向断面図であり、 第5図は、第4図に示した基板のための本発明による
収容装置を上から見た平面図であり、 第6図は、第4図および第5図に示した基板のための
本発明による収容装置と、この収容装置に結合された保
持機構との長手方向の縦断面図であり、 第7図は、第6図に示した基板のための本発明による
収容装置と、この収容装置に結合された保持機構とを上
から見た平面図であり、 第8図は、第4図〜第7図に示した基板のための本発
明による収容装置の横方向の横断面図であり、 第9図は、第8図のC−C線に沿った部分断面図であ
り、 第10図は基板のための本発明によるカッタ状の持上げ
装置と、この持上げ装置に結合された保持機構との横方
向の横断面図であり、 第11図は基板キャリヤのための本発明による収容部
と、この収容部に結合された保持機構との長手方向の縦
断面図であり、 第12図は第11図に示した基板キャリヤのための収容部
と、この収容部に結合された保持機構との側面図であ
り、 第13図は第11図および第12図に示した基板キャリヤの
ための収容部と、この収容部に結合された昇降機構とを
上から見た平面図であり、 第14図は本発明による基板キャリヤの斜視図であり、 第15図は第14図に示した本発明による基板キャリヤの
横方向の横断面図であり、 第16図は第14図および第15図に示した本発明による基
板キャリヤを上から見た平面図であり、 第17図は第14図〜第16図に示した本発明による基板キ
ャリヤの長手方向の縦断面図であり、 第18図、第19図、第20図、第21図、第22図および第23
図は本発明による装置を用いて基板を乾燥させるための
個々のステップを示しており、 第24図は本発明によるアダプタの平面図であり、 第25図は第24図に示した本発明によるアダプタを第24
図に書き込まれた断面線A−Aに沿って断面した長手方
向の縦断面図であり、 第26図は第24図および第25図に示した本発明によるア
ダプタを第24図に書き込まれた断面線B−Bに沿って断
面した横方向の横断面図である。
全ての図面において、基板を湿式処理するための本発
明による装置の同一の構成要素には同じ符号が付与され
ている。同一の構成要素を1つの図面につき詳しく説明
した場合、別の図面においてはこの構成要素の詳しい説
明を省略する。
第1図に示した容器1は内部に処理流体2を有してい
る。基板3、たとえば300mmの直径を有する半導体ウェ
ーハは、化学的な湿式処理のための容器1内に存在して
いる。基板3は、容器1内に設けられた基板3のための
収容装置4によって支持される。基板3はもはや基板キ
ャリヤ5には載置されていない。このことは第1図にお
いて、基板縁部が基板キャリヤ5に設けられた支持範囲
6(破線参照)から間隔を置いて配置されていることか
ら判る。基板キャリヤ5は容器1内で基板キャリヤのた
めの収容部7によって支持される。さらに容器1内に
は、容器1から基板3を持ち上げるためのカッタ状の持
上げ装置8が設けられている。基板キャリヤ5のための
収容部7を、第2図および第3図につき詳しく説明する
搬送装置に結合するためには、鉛直なロッド9,10が設け
られている。収容装置4は鉛直なロッド11,12に結合さ
れている。第1図には図示されていない搬送機構を備え
たカッタ状の持上げ装置8は、曲げられたロッドの鉛直
な区分13に結合されている。
第2図には、第1図に示した容器1を上から見た図が
示されている。この場合、図面を見易くする目的で、基
板3と基板キャリヤ5は図示されていない。第2図から
判るように、基板キャリヤ5(第2図には図示しない)
のための収容部7は方形の開口14を有している。収容装
置4の最下位の位置では収容部7の開口14の内側に配置
されているが、たとえば基板キャリヤ5(第2図には図
示しない)から基板を持ち上げて引き取るためには、収
容部7の開口14を通じて鉛直方向に運動可能である。基
板3のための収容装置4は方形の貫通孔15を有してい
る。この貫通孔15は方形の開口14よりも小幅に形成され
ている。方形の貫通孔15の内側には、カッタ状の持上げ
装置8が配置されており、この持上げ装置8は貫通孔15
を通じて鉛直方向に運動可能である。
第3図には、化学的な湿式処理のための本発明による
装置16の横断面図が示されている。鉛直なガイド17に
は、収容装置4のための第1の搬送キャリッジ18と、基
板キャリヤ5の収容部7のための第2の搬送キャリッジ
19と、カッタ状の持上げ装置8のための第3の搬送キャ
リッジ20とが、それぞれスライド式に配置されている。
これらの搬送キャリッジ18,19,20は駆動手段(図示しな
い)によってガイド17に沿って鉛直な方向に運動させら
れる。第1の搬送キャリッジ18を基板3のための収容装
置4に固く結合するためには、第1の搬送アーム23が設
けられている。この第1の搬送アーム23は第1の搬送キ
ャリッジ18を鉛直なロッド11,12に結合している。第2
の搬送キャリッジ19を、基板キャリヤ5のための収容部
7に結合するためには、第2の搬送アーム24が設けられ
ている。この第2の搬送アーム24は第2の搬送キャリッ
ジ19を鉛直なロッド9,10に結合している。第3の搬送キ
ャリッジ20をカッタ状の持上げ装置8に結合するために
は、第3の搬送アーム25が設けられている。この第3の
搬送アーム25は第3の搬送キャリッジ20を、持上げ装置
8を支持する曲げられたロッド26の鉛直な区分13に結合
している。
第1の搬送キャリッジ18はニューマチックシリンダ
(図示しない)を介して、第2の搬送キャリッジ19に結
合されている。第1の搬送キャリッジ18が基板3のため
の収容装置4に固く結合されていて、かつ第2の搬送キ
ャリッジ19が基板キャリヤ5のための収容部7に固く結
合されているので、ニューマチックシリンダを操作しか
つ引き出すことによって基板3は第1図に示した位置に
まで運動させられる。その場合、基板3はもはや基板キ
ャリヤ5に載置されておらず、基板3はセンタリングさ
れて収容装置4に収容されて保持される。
容器1の上には、取外し可能なフード21が配置されて
いる。このフード21は互いに向かい合って位置する内面
に、基板3のための収容装置4に設けられた複数のスリ
ットに対応する複数のガイドスリット22を有している。
第1の搬送キャリッジ18または第2の搬送キャリッジ
19は、カムディスク(図示しない)に沿って転動する枢
着結合部(図示しない)を介して第3の搬送キャリッジ
20に連結されており、これにより基板3の引出し時にカ
ッタ状の持上げ装置8に対して収容装置4が相対的に減
速させられるようになる。基板3のための収容装置4は
カッタ状の持上げ装置8に対して相対的に制動され、か
つ容器1から基板3を引き出すためにこの持上げ装置8
によって追い越される。このような枢着結合部の例はド
イツ連邦共和国特許出願第P19500239号明細書に記載さ
れているので、上記枢着結合部の詳しい説明は省略す
る。
第4図〜第9図につき、基板3のための収容装置4に
ついて詳しく説明する。
第5図から判るように、基板3(図示しない)のため
の収容装置4はフレームの形状を有している。収容装置
4は第5図に示したように軸線B−Bに対して対照的に
形成されている。収容装置4は互いに向かい合って位置
する2つの長辺27,28と、互いに向かい合って位置する
2つの短辺29,30とを有している。長辺27,28には一列の
(横方向の)スリット31が設けられている。このような
構成に基づき、収容装置4はセンタリングコームとも呼
ぶことができる。第8図につき、収容装置4の一方の長
辺27の横断面について詳しく説明する。第8図には、1
つのスリット31の横断面が示されている。長辺27は、こ
の長辺27の全長に沿って延びる溝32によって内側の区分
33と外側の区分34とに分割される。溝32には複数のもみ
下げ孔35が設けられており、これにより収容装置4は、
この収容装置4の下方に位置する、第6図に認められる
支持構造体36に結合される。長辺27の下面は水平に形成
されているのに対して、長辺27の上面は基板3の縁部に
対応する相補的な形状を有している。このことは、スリ
ット31の底部にも云える。第8図には、挿入された基板
3の縁輪郭を表す円セグメントが一点鎖線37によって概
略的に示されている。したがって、スリット底部は、基
板3の半径に相当する円周の一部を形成している。
第9図につき、スリット31の構成を詳しく説明する。
スリット31はスリット開口部に面した第1の区分38を有
しており、この第1の区分38ではスリット壁39,40が、
それぞれ鉛直線に対してたとえば30゜の角度βだけ傾け
られている。スリット底部に面した第2の区分41は、鉛
直な壁42と、この鉛直な壁42に対してたとえば10゜の角
度αだけ傾けられた壁43とを有している。第2の区分41
の構造により、基板3のクランプが可能となり、しかも
基板3の所要のセンタリングおよび位置調整が行われ
る。
第6図および第7図から判るように、支持構造体36は
水平なロッド44,45を介して、さいころ形の連結部材46,
47に結合されている。これらのさいころ形の連結部材4
6,47は水平なロッド44,45を鉛直なロッド11,12に結合し
ている。鉛直なロッド11,12の、連結部材46,47とは反対
の側の端部は、それぞれ減径部48を有しており、この減
径部48には、第1の搬送キャリッジ18の第1の搬送アー
ム23を係合させることができる。これにより第1の搬送
キャリッジ18を鉛直なロッド11,12に固く結合し、ひい
ては基板3のための収容装置4に固く結合することがで
きる。
第10図には、カッタ状の持上げ装置8と、この持上げ
装置に結合された昇降機構との横断面図が示されてい
る。カッタ状の持上げ装置8を第3の搬送キャリッジ20
に結合するためには、曲げられた管状のロッド26が設け
られている。このロッド26は鉛直な区分13と水平な区分
50とを有している。カッタ状の持上げ装置8は2つの鉛
直なロッド51,52を介して、直角に曲げられた管状のロ
ッド26の水平な区分50に結合されている。曲げられた管
状のロッド26の上端部には、減径部48に相当する減径部
54が設けられており、この減径部54には、カッタ状の持
上げ装置8を第3の搬送キャリッジ20に固く結合するた
めに第3の搬送アーム25を係合させることができる。カ
ッタ状の持上げ装置8は直方体形の区分55と、尖鋭化さ
れた区分56とを有している。先鋭化された区分56は複数
の先細りになった面を有しているが、第10図にはこれら
の面のうちの1つ57しか認められない。先細りになった
面は、複数の基板3を互いに別個に持ち上げるために複
数のスリットまたは溝58を有している。これらのスリッ
トまたは溝58は基板3のための収容装置4に設けられた
横方向スリット31と、フード21に設けられたガイドスリ
ット22とに対応して位置調整されているか、もしくは配
置されている。
第11図〜第13図につき、基板キャリヤ5のため収容部
7について詳しく説明する。第13図から判るように、収
容部7はフレームの形状を有している。収容部7は第13
図に書き込んだ線B−B線に対して対称的に形成されて
いる。収容部7は互いに向かい合って位置する2つの長
辺60,61と、互いに向かい合って位置する2つの短辺62,
63とを有している。各長辺60,61および各短辺62,63の中
央には、基板キャリヤ5(図示しない)を収容部7にお
いて位置調整するために、それぞれくさび状のセンタリ
ングキー65が設けられている。2つの水平なロッド67,6
8により、収容部7は長辺60,61の下で支持される。水平
なロッド67,68はさいころ形の連結部材69,70を介して鉛
直なロッド9,10に結合されている。鉛直なロッド9,10
の、さいころ形の連結部材69,70とは反対の側の端部
は、それぞれ減径部48,54に相当する減径部71を有して
いる。これらの減径部71は、第2の搬送アーム24の係合
を可能にし、かつ第2の搬送キャリッジ19を収容部7に
固く結合するために設けられている。
次に、第14図〜第17図につき、本発明による基板キャ
リヤ5について詳しく説明する。
基板キャリヤ5は4つのロッド80,81,82,83を有して
いる。これらのロッドのロッド軸線は、第15図に破線85
で示した基板3の外周に対して同心的に形成された円弧
に沿って配置されている。ロッド80〜83には、基板3の
中心点に向けられた複数のスリット86が形成されてお
り、この場合、スリット86の底部は、破線85で示した基
板周縁を表す円弧上に位置している。ロッド80〜83は、
互いに向かい合って位置する、異形成形体として形成さ
れた2つの側方支持部材90,91によって保持される。側
方支持部剤90,91とロッド81,82はその中央にセンタリン
グ溝92,93,94,95を有している。これらのセンタリング
溝には、基板キャリヤ5のための収容部7に設けられた
くさび状のセンタリングキー65が係合する。スリット86
は基板3のための収容装置4に設けられたスリット31
と、カッタ状の持上げ装置8に設けられたスリット58
と、フード21に設けられたガイドスリット22とに対して
位置調整されて形成されている。内側の2つのロッド8
1,82は方形の開口を規定しており、この開口を通じて基
板3のための収容装置4と、カッタ状の持上げ装置8と
が鉛直方向で運動可能となる。
基板キャリヤ5に長手方向および横方向においてそれ
ぞれ中央に形成された、当該装置の処理容器1内で基板
キャリヤ5のための収容部7に基板キャリヤ5を載置す
るためのこれらの載置個所により、処理プロセス時に生
じる温度変動に基づき基板キャリヤ5の寸法が変化した
場合でも、基板キャリヤ5は正確に規定された位置を維
持する。基板ディスクのこのような正確な位置決めは、
基板ディスクの問題のない取扱い性を得るため、および
破損の危険を回避するために有利である。択一的には、
基板キャリヤの単にそれぞれ2つの載置個所だけが長手
方向または横方向で中央に形成されていて、別の載置点
は容器底部に沿って移動可能な支持点として形成されて
いるような配置も可能である。これにより、基板キャリ
ヤの位置決めは温度変動時でもやはり不変のままとな
る。
異形成形部材として形成された側方支持部材90,91
は、第14図〜第17図から判るように横方向ウェブを有し
ており、この横方向ウェブは、基板キャリヤ5の「ハン
ドリング」のため、つまり基板キャリヤ5の取出しおよ
び容器1内への設置のために、下方から把持することが
できる。これにより、たとえばドイツ連邦共和国特許出
願第P4428169.2号明細書に記載されているような、側方
支持部材の外側に設けられる長手方向支持体が不要にな
る。これにより、基板キャリヤは全体的により一層コン
パクトになり、一層良好に取り扱い可能となる。
第18図〜第23図には、本発明による装置16の横断面図
が種々のプロセス段階で示されている。第18図〜第24図
につき、基板3のための本発明による乾燥方法について
詳しく説明する。
第18図から判るように、基板キャリヤ5は、この基板
キャリヤ5内に位置する基板3と共に容器1内に挿入さ
れて、基板キャリヤ5のための収容部7に支持されてい
る。ニューマチックシリンダ(図示しない)の操作によ
って、第1および第2の搬送キャリッジ18,19が約10mm
だけ互いに引き離され、この場合、収容部7が下方に向
かって10mmだけ移動させられると有利である。これによ
り、基板3が基板キャリヤ5から取り出されて、第1図
の拡大図から最も良く判るように基板3のための収容装
置4に収容される。
第19図には、乾燥プロセスの開始が示されている。こ
のためにはフード21が容器1に被さるように運動させら
れ、フード21の内室に蒸気雰囲気が形成されている。こ
の場合、蒸気は基板3に凝縮せずに、処理流体2と混合
可能となる。処理流体2と蒸気とから成る混合物は、処
理流体2よりも低い表面張力を有している。このような
乾燥方法の詳細は、冒頭で挙げた欧州特許出願公開第03
85536号明細書に開示されている。
連結された3つの搬送キャリッジ18,19,20の相応する
運動に基づき、カッタ状の持上げ装置8と、基板3のた
めの収容装置4と、基板キャリヤ5とが、一緒に上方に
向かって移動する。
第20図には、基板3のための収容装置4がカッタ状の
持上げ装置8に対して相対的に制動される状態が示され
ている。この差行程は、既に挙げたドイツ連邦共和国特
許出願第19500239号明細書に詳しく記載されているよう
に、第1の搬送キャリッジ18または第2の搬送キャリッ
ジ19と第3の搬送キャリッジ20との間に設けられた枢着
結合部によって実現される。
第21図に示した状態では、基板3のための収容装置4
が停止状態となり、基板3がさらに上方に向かって運動
させられて、カッタ状の持上げ装置8によってのみ保持
されている。基板3はこの場合、フード21に設けられた
ガイドスリット22内に突入するように滑動する。
第22図から判るように、基板キャリヤ5の収容部7、
ひいては基板キャリヤ5自体は、これ以上上方へは移動
しない。したがって、基板キャリヤ5は完全に容器1の
処理流体2の中に留まる。それに対して基板3はカッタ
状の持上げ装置8によって引き続き処理流体2から持ち
上げられる。
第23図に示した状態では、基板3が処理流体2から完
全に持ち上げられている。基板3は完全にフード21内に
位置していて、フード21の側方のガイドスリット22によ
って案内される。この場合、基板3は、容器1内の処理
流体2の液面を越えて引き出されたカッタ状の持上げ状
態8によって支持される。基板キャリヤ5の処理流体の
排出によって乾燥させられる。ニューマチックシリンダ
を逆向きの行程方向で再び操作することにより、基板キ
ャリヤ5のための収容部7は約10mmだけ持ち上げられ
る。カッタ状の持上げ装置8を降下させることによっ
て、基板3は乾燥させられた基板キャリヤ5に装入され
る。
すなわち、本発明による装置では、基板は乾燥過程の
後では、もはや基板のための収容装置には持ち込まれな
い。これにより、基板のための収容装置の位置調整スリ
ットは乾燥していなくてもよいことになるので、この収
容装置の位置調整スリットは基板キャリヤのスリットと
は異なり、基板のセンタリングおよび保持に関して最適
化されていればよく、迅速な乾燥に関しては最適化され
ていなくてもよい。
最後に、フード21が開かれ、やはり乾燥させられた基
板キャリヤ内に位置する乾燥させられた基板は、この基
板キャリヤと共に別の処理のために取り出される。
第24図〜第26図には、基板を処理するための装置の処
理容器内に、種々異なる大きさを有する種々の基板キャ
リヤを収容するための本発明によるアダプタ装置が示さ
れている。
このアダプタは互いに間隔を置いて配置された2つの
平行な長手方向ビーム105,106を有しており、両長手方
向ビーム105,106は、これらの長手方向ビームに対して
直角に配置された2つの横方向ビーム107,108によって
互いに結合されている。長手方向ビーム105,106には扁
平な保持部材が形成されており、これらの保持部材は位
置固定用孔110〜113を有している。これらの位置固定用
孔110〜113には、処理容器の容器底部に形成された位置
固定用ピンが係合する。このアダプタは基板キャリヤを
支持するための支持個所101〜104を有している。これら
の支持個所101〜104は長手方向および横方向で中央に配
置されていて、くさび状のセンタリングキーとして形成
されている。これらのセンタリングキーには、本発明に
よる基板キャリヤに設けられた、センタリング溝として
形成された載置個所を載置させることができる。
種々のアダプタに設けられた支持個所は種々の基板キ
ャリヤの大きさに応じて種々様々に形成されているが、
種々のアダプタに設けられた位置固定用孔110〜113だけ
は常に同じ位置を有している。すなわち、1つの処理容
器内に種々異なるアダプタを用いて種々異なる大きさを
有する複数の基板キャリヤを挿入することが可能とな
る。したがって、処理容器の交換は不要となる。
本発明を有利な実施例につき説明したが、しかし当業
者には、本発明の根底を成す思想を逸脱することなく多
数の変化実施例が可能となる。たとえば、やはり基板を
下方から基板のための収容装置によって持ち上げること
ができるように形成された、改良されたタイプの基板キ
ャリヤを使用することができる。また、直接に基板キャ
リヤを、この基板キャリヤ内部に含まれた基板と共に挿
入する際に、基板キャリヤのための収容部を予め適当に
降下させることによって基板を基板キャリヤから持ち上
げることも可能である。基板のための本発明による収容
装置は同じく、基板キャリヤと同様に複数のスリットを
備えた丸形ロッドから形成されていてもよい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/68 H01L 21/68 D (72)発明者 フェリックス ヴェールレ ドイツ連邦共和国 D―78166 ドナウ エッシンゲン ヘルトシュトラーセ 12 (72)発明者 ユルゲン フンクヘーネル ドイツ連邦共和国 D―78166 ドナウ エッシンゲン アルターゼゲプラッツ 1 (56)参考文献 特開 平1−199432(JP,A) 特開 平6−232244(JP,A) 特開 平7−283195(JP,A) 特開 平5−211224(JP,A) 特表 平10−503327(JP,A) 特許2908277(JP,B2) 米国特許4722752(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304,21/68 B08B 3/04 B65G 49/04

Claims (47)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】処理流体(2)を有する容器(1)内で基
    板(3)を湿式処理するための装置(16)において、 −基板(3)を容器(1)内に導入するための基板キャ
    リヤ(5)が設けられており、 −容器(1)内に基板(3)のための収容装置(4)が
    設けられており、 −基板(3)のための持上げ装置(8)が設けられてお
    り、 しかも基板キャリヤ(5)と収容装置(4)と持上げ装
    置(8)とが、容器(1)内で互いに相対的に鉛直方向
    に運動可能であることを特徴とする、基板を湿式処理す
    るための装置。
  2. 【請求項2】収容装置(4)のための第1の搬送キャリ
    ッジ(18)と、基板キャリヤ(5)のための第2の搬送
    キャリッジ(19)とが設けられている、請求項1記載の
    装置。
  3. 【請求項3】第2の搬送キャリッジ(19)が基板キャリ
    ヤ(5)のための収容部(7)を有している、請求項1
    または2記載の装置。
  4. 【請求項4】第1の搬送キャリッジ(18)と第2の搬送
    キャリッジ(19)とが、互いに相対的に運動可能であ
    る、請求項1から3までのいずれか1項記載の装置。
  5. 【請求項5】第1の搬送キャリッジ(18)と第2の搬送
    キャリッジ(19)とが、容器(1)内に一緒に進入しか
    つ容器(1)から一緒に進出するために互いに結合され
    ている、請求項1から4までのいずれか1項記載の装
    置。
  6. 【請求項6】前記相対運動を実施するために駆動装置、
    有利にはニューマチックシリンダが設けられている、請
    求項1から5までのいずれか1項記載の装置。
  7. 【請求項7】収容装置(4)および/または基板キャリ
    ヤ(5)のための収容部(7)を鉛直方向に運動させる
    ための駆動装置が設けられている、請求項1から6まで
    のいずれか1項記載の装置。
  8. 【請求項8】基板キャリヤ(5)が基板キャリヤ開口を
    有していて、基板キャリヤ(5)のための収容部(7)
    が収容部開口(14)を有しており、両開口を通じて、収
    容装置(4)が鉛直方向に運動可能である、請求項1か
    ら7までのいずれか1項記載の装置。
  9. 【請求項9】収容装置(4)が複数のスリット(31)を
    有している、請求項1から8までのいずれか1項記載の
    装置。
  10. 【請求項10】前記スリット(31)が、基板(3)の縁
    部形状に対応して相補的に形成されている、請求項9記
    載の装置。
  11. 【請求項11】前記スリット(31)の幅が、スリット開
    口部からスリット底部に向かって減少している、請求項
    9または10記載の装置。
  12. 【請求項12】前記スリット(31)の第1の壁(42)が
    鉛直方向に延びており、前記スリット(31)の第2の壁
    (43)が、鉛直線に対して予め規定された第1の角度
    (α)だけ傾けられている、請求項11記載の装置。
  13. 【請求項13】スリット開口部の範囲(38)に位置する
    スリット壁(38,39)が、鉛直線と共に予め規定された
    第2の角度(β)を成している、請求項9から12までの
    いずれか1項記載の装置。
  14. 【請求項14】前記第1の角度(α)が、前記第2の角
    度(β)よりも小さく形成されている、請求項12または
    13記載の装置。
  15. 【請求項15】前記持上げ装置(8)がカッタ状の条片
    として形成されている、請求項1から14までのいずれか
    1項記載の装置。
  16. 【請求項16】前記持上げ装置(8)が、収容装置
    (4)に設けられた貫通孔(15)と、基板キャリヤ開口
    と、収容部開口(14)とを通じて鉛直方向に運動可能で
    ある、請求項1から15までのいずれか1項記載の装置。
  17. 【請求項17】前記持上げ装置(8)のための第3の搬
    送キャリッジ(20)が設けられている、請求項1から16
    までのいずれか1項記載の装置。
  18. 【請求項18】第1の搬送キャリッジ(18)または第2
    の搬送キャリッジ(19)を前記第3の搬送キャリッジ
    (20)に結合するために、枢着結合部が設けられてい
    る、請求項1から17までのいずれか1項記載の装置。
  19. 【請求項19】第1の搬送キャリッジ(18)と第2の搬
    送キャリッジ(19)と第3の搬送キャリッジ(20)と
    が、1つのガイドロッドに沿ってスライド式に配置され
    ている、請求項1から18までのいずれか1項記載の装
    置。
  20. 【請求項20】当該装置(16)が、容器(1)の上に装
    着可能なフード(21)を有している、請求項1から19ま
    でのいずれか1項記載の装置、
  21. 【請求項21】前記フード(21)が、少なくとも1つの
    内壁に基板(3)のためのガイドスリット(22)を有し
    ている、請求項20記載の装置。
  22. 【請求項22】前記フード(21)内に、マランゴニ法に
    よる乾燥過程を改善するためのガスまたはガス混合物が
    導入可能である、請求項20または21記載の装置。
  23. 【請求項23】当該装置(16)が、基板を化学的に湿式
    処理するために働く、請求項1から22までのいずれか1
    項記載の装置。
  24. 【請求項24】当該装置(16)が、基板を乾燥させるた
    めに働く、請求項1から23までのいずれか1項記載の装
    置。
  25. 【請求項25】基板(3)が半導体ウェーハである、請
    求項1から24までのいずれか1項記載の装置。
  26. 【請求項26】基板キャリヤを支持するために、基板キ
    ャリヤ(5)の長手方向および/または横方向で見て中
    央に配置された少なくとも2つの支持個所を有する、基
    板キャリヤのための収容部(7)が設けられている、請
    求項1から25までのいずれか1項記載の装置。
  27. 【請求項27】前記支持個所がくさび状のセンタリング
    キーとして形成されている、請求項26記載の装置。
  28. 【請求項28】基板キャリヤが、長手方向を規定する少
    なくとも2つのロッド(80,81,82,83)を有しており、
    該ロッドが、該ロッドに対して直交する横方向に配置さ
    れた2つの側方プレート(90,91)の間に配置されてお
    り、基板キャリヤ(5)が、容器(1)内に載置するた
    めに長手方向および/または横方向で中央に配置された
    少なくとも2つの載置個所(92,93,94,95)を有してい
    る、請求項1から27までのいずれか1項記載の装置。
  29. 【請求項29】各側方プレート(90,91)の中央に、載
    置個所(94,95)が配置されている、請求項28記載の装
    置。
  30. 【請求項30】長手方向に配置された2つのロッド(8
    1,82)の中央に載置個所(92,93)が形成されている、
    請求項28または29記載の装置。
  31. 【請求項31】載置個所(92,93)が、長手方向に配置
    されたロッド(81,82)から斜め下方に向けられた2つ
    の支持部分(87,88)の中央に形成されている、請求項2
    8または29記載の装置。
  32. 【請求項32】載置個所(92,93,94,95)が切欠きとし
    て形成されており、該切欠きが、容器に形成された対応
    する突起に載置可能である、請求項28から31までのいず
    れか1項記載の装置。
  33. 【請求項33】前記切欠き(92,93,94,95)がセンタリ
    ング溝として形成されており、該センタリング溝内に、
    容器(1)に形成されたくさび状のセンタリングキーが
    係合可能である、請求項32記載の装置。
  34. 【請求項34】前記側方プレート(90,91)が異形成形
    部材として形成されている、請求項28から33までのいず
    れか1項記載の装置。
  35. 【請求項35】異形成形部材として形成された前記側方
    プレート(90,91)が、横方向ウェブを備えた二重壁を
    有するように形成されている、請求項34記載の装置。
  36. 【請求項36】長手方向に配置された少なくとも2つの
    ロッド(80,81,82,83)に、基板を保持するための複数
    の横方向スリット(86)が設けられている、請求項28か
    ら35までのいずれか1項記載の装置。
  37. 【請求項37】前記横方向スリット(86)が、互いに間
    隔を置いて配置されかつ前記ロッド(80,81,82,83)か
    ら半径方向に、保持される基板(85)の中心に向かって
    延びる扁平な複数の突起の間に形成されている、請求項
    36記載の装置。
  38. 【請求項38】容器(1)内に挿入可能な少なくとも1
    つのアダプタ(100)が設けられており、該アダプタ(1
    00)が、基板キャリヤ(5)を支持するための複数の支
    持個所(101〜104)を有している、請求項1から37まで
    のいずれか1項記載の装置。
  39. 【請求項39】種々の大きさおよび/または種々の構成
    を有する基板キャリヤ(5)を収容するために選択的に
    容器(1)内に挿入可能である複数のアダプタ(100)
    が設けられている、請求項38記載の装置。
  40. 【請求項40】アダプタ(100)が、基板キャリヤを支
    持するために、長手方向および/または横方向で見て中
    央に配置された2つの支持個所(101〜104)を有してい
    る、請求項38または39記載の装置。
  41. 【請求項41】アダプタの支持個所(101〜104)が、く
    さび状のセンタリングキーとして形成されている、請求
    項40記載の装置。
  42. 【請求項42】アダプタ(100)が、互いに間隔を置い
    て配置された2つの平行な長手方向ビーム(105,106)
    を有しており、両長手方向ビームが、該長手方向ビーム
    に対して直交する横方向に配置された2つの横方向ビー
    ム(107,108)によって結合されている、請求項38から4
    1までのいずれか1項記載の装置。
  43. 【請求項43】アダプタ(100)が、少なくとも2つの
    位置固定用孔(110〜113)を有しており、該位置固定用
    孔内に、容器底部に形成された位置固定用ピンが係合す
    る、請求項38から42までのいずれか1項記載の装置。
  44. 【請求項44】処理流体(2)を有する容器(1)内で
    基板(3)を湿式処理するための方法において、基板
    (3)を基板キャリヤ(5)内に保持した状態で容器
    (1)に挿入し、基板(3)を基板キャリヤ(5)か
    ら、容器(1)内に配置された、基板(3)のための収
    容装置(4)に引き渡し、基板(3)を持上げ装置
    (8)によって容器(1)から持ち上げ、この場合、基
    板(3)を基板キャリヤ(5)から収容装置(4)へ引
    き渡すために、基板キャリヤ(5)を降下させるか、も
    しくは収容装置(4)を持ち上げることを特徴とする、
    基板を湿式処理するための方法。
  45. 【請求項45】基板キャリヤ(5)と収容装置(4)と
    を互いに相対的に運動させる、請求項44記載の方法。
  46. 【請求項46】基板(3)と基板キャリヤ(5)とを乾
    燥のために分離する、請求項44または45記載の方法。
  47. 【請求項47】基板(3)を引き出す際に、基板(3)
    を収容装置(4)に保持する、請求項46記載の方法。
JP09536686A 1996-04-17 1997-03-27 基板を湿式処理するための装置 Expired - Fee Related JP3129445B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19615108 1996-04-17
DE19637875.3 1996-09-17
DE19637875A DE19637875C2 (de) 1996-04-17 1996-09-17 Anlage zur Naßbehandlung von Substraten
DE19615108.2 1996-09-17
PCT/EP1997/001574 WO1997039475A2 (de) 1996-04-17 1997-03-27 Anlage zur nassbehandlung von substraten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11507477A JPH11507477A (ja) 1999-06-29
JP3129445B2 true JP3129445B2 (ja) 2001-01-29

Family

ID=26024805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09536686A Expired - Fee Related JP3129445B2 (ja) 1996-04-17 1997-03-27 基板を湿式処理するための装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6269822B1 (ja)
EP (1) EP0894337B1 (ja)
JP (1) JP3129445B2 (ja)
KR (1) KR100310377B1 (ja)
AT (1) ATE274237T1 (ja)
DE (2) DE19637875C2 (ja)
ID (1) ID16828A (ja)
TW (1) TW455506B (ja)
WO (1) WO1997039475A2 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19655219C2 (de) * 1996-04-24 2003-11-06 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
DE19644779C2 (de) * 1996-10-28 2001-06-28 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere auch von Halbleiterwafern
DE19644253A1 (de) 1996-10-24 1998-05-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19644255C1 (de) 1996-10-24 1998-04-30 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Verwendung der Vorrichtung
DE19645425C2 (de) * 1996-11-04 2001-02-08 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
DE19648498C1 (de) 1996-11-22 1998-06-10 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere von Halbleiter-Wafern
KR100707107B1 (ko) * 1997-07-17 2007-12-27 동경 엘렉트론 주식회사 세정.건조처리방법및장치
JP3043709B2 (ja) * 1997-11-19 2000-05-22 株式会社カイジョー 基板の乾燥装置
US6520191B1 (en) 1998-10-19 2003-02-18 Memc Electronic Materials, Inc. Carrier for cleaning silicon wafers
US6318389B1 (en) 1999-10-29 2001-11-20 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus for cleaning semiconductor wafers
DE10017010C2 (de) * 2000-04-05 2002-02-07 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren zum Be- und Entladen eines Behandlungsbeckens
DE10215284B4 (de) * 2002-04-05 2007-05-31 Astec Halbleitertechnologie Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
KR101150850B1 (ko) * 2010-01-22 2012-06-13 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 세정장비용 카세트 지그 및 이를 구비한 카세트 어셈블리
US20110186088A1 (en) * 2010-01-31 2011-08-04 Miller Kenneth C Substrate nest with drip remover
JP2013041645A (ja) * 2011-08-16 2013-02-28 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体をuv処理する方法および装置
DE202011110123U1 (de) * 2011-11-29 2013-02-21 Rena Gmbh Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
KR102371454B1 (ko) * 2019-11-26 2022-03-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 반송 유닛 및 기판 처리 장치 제어 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4722752A (en) * 1986-06-16 1988-02-02 Robert F. Orr Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers
US4902350A (en) 1987-09-09 1990-02-20 Robert F. Orr Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
US4840530A (en) * 1988-05-23 1989-06-20 Nguyen Loc H Transfer apparatus for semiconductor wafers
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
JPH03116731A (ja) * 1989-09-28 1991-05-17 Dan Kagaku:Kk 半導体ウエハ用移送装置
US5505577A (en) * 1990-11-17 1996-04-09 Tokyo Electron Limited Transfer apparatus
JP3214503B2 (ja) * 1990-11-28 2001-10-02 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
DE4040132A1 (de) * 1990-12-15 1992-06-17 Semax Gmbh Prozesstechnik Vorrichtung zum spuelen und trocknen von siliziumscheiben oder substraten
JPH0532486A (ja) 1991-03-15 1993-02-09 Sumitomo Metal Ind Ltd 化合物半導体基板の製造方法
JPH05270660A (ja) * 1992-03-24 1993-10-19 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
US5299901A (en) * 1992-04-16 1994-04-05 Texas Instruments Incorporated Wafer transfer machine
JPH06232244A (ja) * 1993-01-29 1994-08-19 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウエハ熱処理方法および熱処理用ボ−トならびにカセットボ−ト
JPH06286869A (ja) * 1993-04-05 1994-10-11 Japan Energy Corp 基板保持具
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
DE4413077C2 (de) 1994-04-15 1997-02-06 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten
JPH0826380A (ja) * 1994-05-10 1996-01-30 Toshio Ishikawa 基板用カセットにおけるサイドレール及び基板用カセット
DE4425208C2 (de) * 1994-07-16 1996-05-09 Jenoptik Technologie Gmbh Einrichtung zur Kopplung von Be- und Entladegeräten mit Halbleiterbearbeitungsmaschinen
DE4428169C2 (de) * 1994-08-09 1996-07-11 Steag Micro Tech Gmbh Träger für Substrate
DE19549488C2 (de) * 1995-01-05 2001-08-02 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur chemischen Naßbehandlung
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
US5658123A (en) * 1995-09-15 1997-08-19 Advanced Micro Devices, Inc. Container-less transfer of semiconductor wafers through a barrier between fabrication areas
KR100248864B1 (ko) * 1995-12-29 2000-03-15 윤종용 웨이퍼 이송장치를 위한 챠저 어셈블리
KR100265757B1 (ko) * 1997-05-09 2000-09-15 윤종용 반도체 제조장비의 웨이퍼 오탑재 방지센서

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000005501A (ko) 2000-01-25
DE19637875C2 (de) 1999-07-22
KR100310377B1 (ko) 2001-11-17
DE59711856D1 (de) 2004-09-23
TW455506B (en) 2001-09-21
WO1997039475A2 (de) 1997-10-23
DE19637875A1 (de) 1997-11-06
ID16828A (id) 1997-11-13
WO1997039475A3 (de) 1998-01-08
ATE274237T1 (de) 2004-09-15
EP0894337B1 (de) 2004-08-18
EP0894337A2 (de) 1999-02-03
JPH11507477A (ja) 1999-06-29
US6269822B1 (en) 2001-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3129445B2 (ja) 基板を湿式処理するための装置
US5615988A (en) Wafer transfer system having rotational capability
KR960008905B1 (ko) 캐리어레스 웨이퍼 표면처리장치에 있어서, 웨이퍼 캐리어로부터 웨이퍼 반송장치로 웨이퍼를 옮겨 놓기 위한 방법 및 장치
US8800774B2 (en) Workpiece support structures and apparatus for accessing same
KR100491161B1 (ko) 반도체 제조장치
KR0146270B1 (ko) 웨이퍼 정렬장치
JPH03125453A (ja) 半導体ウエハ移送装置
KR100638942B1 (ko) 각각의 웨이퍼를 처리하기 위한 장치 및 방법
US6612801B1 (en) Method and device for arraying substrates and processing apparatus thereof
JP2005123583A (ja) 基板ホルダ内に基板支持体をローディングするための方法およびシステム
US4490087A (en) Elevating jig for semi-conductor wafers and similar articles
KR101768519B1 (ko) 기판 처리 설비
JP4254980B2 (ja) ウエハ移載装置
JP3514176B2 (ja) 縦型炉の半導体ウエハ移載装置
JP3273694B2 (ja) 処理装置及び処理方法
KR900007689B1 (ko) 반도체웨이퍼의 이체용구
JPH07183357A (ja) 基板配列ピッチ変換装置
KR100487576B1 (ko) 열처리 공정용 반도체 제조장치
JP2726317B2 (ja) ウエハ搬送処理装置とそれを用いた搬送処理方法
JPH04157752A (ja) 縦型半導体製造装置におけるキャリアステージ装置
JPS63122234A (ja) ウエハ移し替え装置
US6270585B1 (en) Device and process for treating substrates in a fluid container
US20030108409A1 (en) Method for charging and discharging a process tank
JP2003023058A (ja) ウエハ移載装置
CN117888084A (zh) 原子层沉积晶圆承载装置和半导体制造设备

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371