KR100487576B1 - 열처리 공정용 반도체 제조장치 - Google Patents

열처리 공정용 반도체 제조장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 열처리 공정용 반도체 제조장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 열처리 공정용 반도체 제조장치는, 수직관상의 반응튜브 내에 복수의 반도체 기판을 로딩 하여 열처리 공정할 수 있는 열처리 공정용 반도체 제조장치에 있어서, 반응튜브 내에 장착되고, 수직 길이방향을 따라서 소정의 간격으로 형성되어 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 기판 홀더를 수용하는 슬롯들이 형성된 제1기판 로딩용 보트와, 제1기판 로딩용 보트의 내측으로 배치 장착되어 기판 홀더 상의 반도체 기판을 지지할 수 있도록 하부에 형성된 지지 돌출부를 갖는 제2기판 로딩용 보트와, 제1기판 로딩용과 제2기판 로딩용 보트를 하부에서 지지하는 보트 캡과, 보트 캡의 하부에서 보트 캡을 지지하는 도어 플레이트, 및 제1기판 로딩용 보트와 제2기판 로딩용 보트 중에 어느 하나를 소정거리 상하로 리프팅 하여 기판 홀더 상에 로딩 된 반도체 기판을 소정 높이로 이격시키는 리프팅 구동장치를 포함한다.
이렇게 반응튜브 내에 기판 홀더를 지지할 수 있는 제1기판 로딩용 보트 내측으로 반도체 기판을 지지할 수 있는 별도의 제2기판 로딩용 보트를 마련하면, 기판 핸들러(wafer handler)가 없이도 반도체 기판을 보트 내에 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 용이하게 할 수 있다.

Description

열처리 공정용 반도체 제조장치{Semiconductor manufacturing system for thermal process}
본 발명은 열처리 공정용 반도체 제조장치에 관한 것으로서, 특히, 한 번에 다량의 반도체 기판을 공정처리 할 수 있는 수직관상의 반응튜브를 가진 반도체 열처리 공정용 반도체 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 열처리용 반도체 제조장치는, 공정 특정상 시간이 많이 소요되므로 한 번에 다량의 반도체 기판을 처리할 수 있도록 구성되어 있다. 그리고 반응가스의 균일한 흐름에 의해서 공정의 균일도가 영향을 받기 때문에, 반도체 기판을 수평으로 적층할 수 있는 기판 로딩용 보트와 수직 관상용 반응 튜브 관을 사용하는 것이 일반적이다. 이때, 기판 로딩용 보트에는 반도체 기판을 수평으로 지지하기 위해서 상하 길이방향으로 일정한 간격을 두고 슬롯들이 형성되어 있다. 그리하여, 이들 슬롯에 반도체 기판의 가장자리 부분이 걸리도록 끼워 넣어 반도체 기판을 고정시킨다.
그런데, 이러한 종래의 열처리 공정용 반도체 제조장치는, 반도체 기판이 가장자리 부분에 걸려 지지되기 때문에 대부분의 지지력이 가장자리 부분에 집중된다. 고온의 공정을 진행할 경우에는 반도체 기판의 팽창에 의해서 가장자리 부분에 힘이 모여 반도체 기판에 스트레스를 가하게 되고, 이에 따라서 반도체 기판이 휘는 현상이 발생한다. 이러한 반도체 기판의 휨 현상은 반도체 기판의 구경이 12인치 이상 증가하는 차세대에서는 더 큰 문제가 되고 결국 공정의 신뢰성을 떨어뜨리는 원인이 된다.
이러한 휨 현상을 방지하기 위해서는 반도체 기판의 하부를 전면적으로 지지하는 별도의 지지판을 수용할 수 있는 기판 로딩용 보트가 필요하다. 그러나 별도의 지지판을 사용하는 반도체 제조장치는, 그 구성 자체가 복잡하고 반도체 기판을 로딩 및 언로딩 시에 조작이 복잡하다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 기판이 대구경화 되더라도 반도체 기판의 휨 현상을 방지할 수 있고, 통상적으로 기판 홀더를 이용하는 보트에 있어서 발생하는 반도체 기판 로딩 및 언로딩 시의 취급의 난해함을 해결하여 반도체 기판의 로딩 및 언로딩 시의 시간 단축 및 이에 따른 제조단가를 절감할 수 있는 열처리 공정용 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 열처리 공정용 반도체 제조장치는, 수직관상의 반응튜브 내에 복수의 반도체 기판을 로딩 하여 열처리 공정할 수 있는 열처리 공정용 반도체 제조장치에 있어서, 반응튜브 내에 장착되고, 수직 길이방향을 따라서 소정의 간격으로 형성되어 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 기판 홀더를 수용하는 슬롯들이 형성된 제1기판 로딩용 보트와, 제1기판 로딩용 보트의 내측으로 배치되어 장착되어 기판 홀더 상의 반도체 기판을 지지할 수 있도록 하부에 배치되어 형성된 지지 돌출부를 갖는 제2기판 로딩용 보트와, 제1기판 로딩용 보트와 제2기판 로딩용 보트를 하부에서 지지하는 보트 캡과, 보트 캡의 하부에서 보트 캡을 지지하는 도어 플레이트, 및 제1기판 로딩용 보트와 제2기판 로딩용 보트 중에 어느 하나를 소정거리 상하로 리프팅 하여 기판 홀더 상에 로딩 된 반도체 기판을 소정 높이로 이격시키는 리프팅 구동장치를 포함한다.
여기서, 제1기판 로딩용 보트는 적어도 두 개 이상의 지지기둥을 포함하고, 지지기둥에 상하 길이방향을 따라서 복수의 슬롯들이 형성되어 있다.
제2기판 로딩용 보트는, 적어도 두 개 이상의 지지기둥을 포함하고 있고, 지지기둥에 슬롯들과 대응하여 형성된 지지기둥에 대해서 내측으로 반도체 기판을 하부에서 지지하여 걸도록 복수의 기판 지지부가 형성되어 있다.
기판 홀더는, 원형 판상으로 형성된 본체판과, 이 본체판에 제2기판 로딩용 보트 및 기판 지지부가 본체판을 상하로 통과할 수 있도록 형성된 관통부를 포함한다. 이때, 관통부는 본체판의 가장자리로부터 중앙으로 연장되어 형성되어 있어 제2기판 로딩용 보트의 지지기둥과 기판 지지부가 통과할 수 있도록 하였다.
보트 캡은 제2기판 로딩용 보트의 하부를 지지하고 있다.
리프팅 구동장치는 상하 슬라이딩 이동 가능한 액츄에이터가 포함된 기계 구조물로, 상하로 부드럽게 움직일 수 있다. 그리고 리프팅 구동장치는 제2기판 로딩용 보트의 하부와 연결되어 제2기판 로딩용 보트를 상하로 이동시킴으로써, 반도체 기판과 기판 홀더를 이격시킬 수 있다.
한편, 리프팅 구동장치는 제1기판 로딩용 보트의 하부와 연결되어 상기 제1기판 로딩용 보트를 상하로 이동시킬 수도 있다.
이러한 리프팅 구동장치는, 제1기판 로딩용 보트와 제2기판 로딩용 보트 사이의 상하 이동거리를 제1기판 로딩용 보트에 형성된 슬롯과 인접한 슬롯 사이의 너비이내에서 움직일 수 있도록 제어하는 것이 반도체 기판을 기판 홀더로부터 적당한 높이로 들어 올릴 수 있어 바람직하다.
이렇게 본 발명의 열처리 공정용 반도체 제조장치는, 듀얼 보트를 마련하여 외측의 제1기판 로딩용 보트에는 기판 홀더를 로딩 할 수 있도록 하고, 내측의 제2기판 로딩용 보트는 반도체 기판을 들어올릴 수 있도록 구성함으로써, 기판 로딩용 보트로부터 기판 홀더를 언로딩 하지 않은 상태에서 반도체 기판을 언로딩 할 수 있다. 그리하여, 반도체 기판을 언로딩 하는 데 걸리는 시간을 절감할 수 있다. 그리고 반도체 기판을 로딩 시에 판상의 열전도체인 기판 홀더 상에 반도체 기판을 올려놓음으로써, 반도체 기판 상에 균일한 열전도를 보증할 수 있고, 따라서 공정 균일도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 다음에 예시하는 본 발명의 실시 예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시 예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시 예는 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 1은 본 발명의 열처리 공정용 반도체 제조장치의 개략도이다. 그리고 도 2a는 도 1의 'A'부분을 확대하여 나타낸 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 듀얼 보트전체를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 열처리 공정용 반도체 제조장치는, 내부에 공정용 수용공간을 마련하는 반응튜브(30)와, 이 반응튜브(30) 내에 반도체 기판(100)을 로딩하기 위해서 마련된 제1기판 로딩용 보트(10)와 제2기판 로딩용 보트(20)로 형성된 듀얼 보트와, 상기 제1기판 로딩용 보트(10)에 수평으로 걸쳐져서 로딩 된 복수의 기판 홀더(25)와, 상기 듀얼 보트(10,20)의 하부를 지지하고 있는 보트 캡(40)과, 상기 보트 캡(40)을 하부에서 연결지지하고서 듀얼 보트(10,20)를 반응튜브(30) 내로 인입 및 인출시키는 도어부(50)와, 이 듀얼 보트(10,20)에서 어느 하나의 보트를 상하로 소정 높이 구동시키는 리프팅 구동장치(70)를 포함한다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 듀얼 보트는 전술한 바와 같이, 외측에 배치된 제1기판 로딩용 보트(10)와, 제1기판 로딩용 보트(10)의 내측으로 배치된 제2기판 로딩용 보트(20)로 구성되어 있다.
제1기판 로딩용 보트(10)는, 적어도 두 개 이상의 제1지지기둥(11)이 중앙에 추후 반도체 기판(100)이 수용할 수 있게 원기둥형의 공간이 형성되도록 상호 평행하게 배치되어 있다. 본 실시 예에서는 네 개의 제1지지기둥(11)이 마련되어 있다. 이들 제1지지기둥(11)의 길이방향의 양측단부에는 이들 제1지지기둥(11)을 하나의 평면에서 고정시키는 제1상부판(12a) 및 제1하부판(12b)이 연결되어 있다. 각각의 제1지지기둥(11)에는 소정 깊이의 슬롯(11a)이 제1지지기둥(11)의 중앙 내측으로 형성되어 있어, 판상의 원형 판을 올려놓을 수 있다. 이 슬롯들(11a)에는 원형 판상의 기판 홀더(25)가 올려지게 된다. 그리고 슬롯(11a)과 슬롯(11a) 사이의 간격은 추후에 언급되지만, 반도체 기판(100) 하부로 기판 로딩용 블레이드(미도시)가 들어갈 수 있을 정도 이상의 간격을 갖는다.
제2기판 로딩용 보트(20)는, 역시 적어도 두 개 이상의 제2지지기둥(21)이 중앙에 원기둥형의 공간을 형성할 수 있도록 평행하게 배치되어 있다. 이들 제2지지기둥들(21)의 상부와 하부 단부에는 이들 제2지지기둥(21)을 동일 면상에서 고정시키는 제2상부판(22a)과 제2하부판(22b)이 연결되어 있다. 여기서는, 제2지지기둥(21)이 세 개가 마련되어 있다.
각각의 제2지지기둥(21)에는 제2기판 로딩용 보트의 내측으로 소정 돌출되어 반도체 기판(100)의 가장자리를 들어올릴 수 있는 기판 지지부(20a)가 형성되어 있다. 이때, 기판 지지부(20a)의 위치는 기판 홀더(25)의 하부에 위치하여 반도체 기판 리프팅 시에는 슬롯(11a)과 슬롯(11a) 사이에 위치하게 된다.
여기서, 제1지지기둥들(11)과 제2지지기둥들(21)은 원주방향으로 상호 중첩되지 않도록 배치하여, 기판 홀더(25)의 관통부(25a)에 의해서 기판 홀더(25)에 슬롯이 관통되어 지지되지 못하는 것을 방지한다.
이들 제1기판 로딩용 보트(10)와 제2기판 로딩용 보트(20)는, 하부에서 하나의 보트 캡(40)으로 지지된다. 그리고 보트 캡(40)을 통하여 하부로부터 연장된 리프팅 구동장치(70)는 제1기판 로딩용 보트(10) 또는 제2기판 로딩용 보트(20)의 하부에 연결되어 이를 상하로 소정높이 구동함으로써, 반도체 기판(100)을 기판 홀더(25)로부터 소정 높이 들어올릴 수 있다.
그리고 제1기판 로딩용 보트와 제2기판 로딩용 보트는 일반적으로 전체가 고온에서도 잘 견디는 석영(quartz) 또는 실리콘 카바이드(SiC)로 형성되어 있다. 그리고 반도체 기판(100)을 올려놓는 기판 홀더(25)는 역시 석영이나 실리콘 카바이드로 형성되지만 열전도율이나 열 흡수율을 고려하여 고온에서는 실리콘 카바이드(SiC)로 형성하는 것이 바람직하다. 특히, 초고온의 열 공정을 진행하는 경우에는, 제1 및 제1기판 로딩용 보트(10,20) 및 기판 홀더(25)를 모두 실리콘 카바이드로 형성하는 것이 바람직하다.
도 3은 듀얼 보트에 반도체 기판이 로딩 된 상태를 상부에서 본 평면도이고, 도 4는 도 3의 듀얼 보트를 분해하여 본 평면도이다.
이들을 참조하면, 최외각에는 제1기판 로딩용 보트(10)가 설치되고, 이 제1기판 로딩용 보트(10)에 형성된 슬롯(11a)에 기판 홀더(25)가 올려진다.
기판 홀더(25)는 원형 판상의 본체판(25)과, 가장자리 부분에서부터 중앙으로 연장된 소정 크기의 관통부(25a)를 포함한다. 이 관통부(25a)는 제2기판 로딩용 보트(20)의 제2지지기둥들(21)이 기판 홀더(25)를 상하로 통과할 수 있도록 제2지지기둥(21)과 대응하는 위치에 형성되어 있다. 그리고 관통부(25a)의 너비는 반도체 기판(100)을 들어올리기 위해서 형성된 기판 지지부(20a)까지 연장되어 형성되어 있다.
제1기판 로딩용 보트(10)의 내측으로는 제2기판 로딩용 보트(20)가 설치되어 있다. 그리고 이 제2기판 로딩용 보트(20)의 내측으로 반도체 기판(100)이 배치되고 이 반도체 기판(100)의 가장자리 부분은 제2기판 로딩용 보트(20)의 기판 지지부(20a)에 의해서 지지되어 있다. 그리하여, 기판 홀더(25)는 제1기판 로딩용 보트(10)의 슬롯(11a)에만 지지되어 있고, 반도체 기판(100)은 기판 홀더(25) 이외에도 제2기판 로딩용 보트(20)에 지지되어 있어, 제1기판 로딩용 보트(10)나 제2기판 로딩용 보트(20) 중 어느 하나를 상하로 이동시키면, 반도체 기판(100)을 기판 홀더(25)로부터 소정 높이 들어올릴 수 있다. 이때, 들어 올리는 높이는 기판 홀더(25)가 로딩 되는 슬롯과 슬롯(11a) 사이의 중앙에 위치하도록 하는 것이 로딩 된 반도체 기판(100) 전체에 대해서 상하로 일정한 공간이 발생하여 인접한 반도체 기판들(100)에 부딪히지 않고 로딩 또는 언로딩을 할 수 있다.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 듀얼 보트가 보트 내에 인입된 상태와 반도체 기판을 로딩 및 언로딩 할 때의 상태를 나타낸 확대 단면도이다.
도 5a를 참조하면, 듀얼 보트(10,20)에 반도체 기판(100)이 로딩 되어 공정을 진행할 때는, 제1기판 로딩용 보트(10)의 슬롯(11a)에 제2기판 로딩용 보트(20)의 기판 지지부(20a)가 수평으로 일치되도록 정렬된다. 그리하여, 반도체 기판(100)이 기판 홀더(25)와 접촉 지지되어 평평하게 안정된 상태로 유지된다. 그러면 반응튜브(30) 내로 공정가스를 공급하여 반도체 기판(100)을 열처리 혹은 열반응 공정을 진행한다.
도 5b를 참조하면, 공정을 진행하기 전에 혹은 공정을 진행한 후에 반도체 기판(100)을 로딩하거나 언로딩 할 때는, 먼저, 도어부(도 1의 50)가 하강하여 반응튜브(30) 내에서 듀얼 보트(10,20)가 밖으로 빠져나와 반도체 기판(100)을 언로딩 할 수 있는 위치로 대기한다. 그런 다음, 리프팅 구동장치(70)를 작동시켜 제1기판 로딩용 보트(10)나 제2기판 로딩용 보트(20) 중 어느 하나를 소정 높이 움직여 반도체 기판(100)을 기판 홀더(25)로부터 소정 높이 이격시킨다. 그러면, 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100)이 슬롯과 슬롯(11a) 사이에 위치되어 반도체 기판(100) 하부에 공간이 형성된다.
도 5c는 듀얼 보트로부터 기판 이동기를 이용하여 반도체 기판을 언로딩하는 것을 도시한 측 단면도 이다.
이를 참조하면, 도 5b에 도시된 바와 같이 반도체 기판(100) 하부로 공간이 형성되면, 기판 이동기(150)의 블레이드(151)를 반도체 기판(100) 하부로 집어넣어 반도체 기판(100)을 제2기판 로딩용 보트(20)로부터 꺼내어 외부의 카세트(미도시)로 로딩 시킨다. 또는, 카세트로부터 반도체 기판(100)을 이동시켜 제2기판 로딩용 보트(20) 내의 기판 지지부(20a) 상에 로딩 한다.
리프팅 구동장치(70)는, 듀얼 보트(10,20)의 하부 보트 캡(40) 및 도어부(50)에 설치되어 있다. 리프팅 구동장치(70)는 원통형 샤프트(shaft) 형상으로 형성되어 있다. 이 샤프트는 일단이 제2기판 로딩용 보트(20)의 하부판(22b)에 연결되어 있고, 타단은 도어부(50)의 판 상에 지지되어 있다. 그리하여, 제2기판 로딩용 보트(20)를 하부에서 밀어 올려 반도체 기판(100)을 들어 올린다. 이때, 리프팅(lifting) 중에 반도체 기판(100)과 기판 홀더(25)가 상호 부딪히지 않도록 하기 위하여, 리프팅 구동장치(70)가 상하로 움직이는 길이는 슬롯과 슬롯(11a) 사이의 길이를 넘지 않도록 제어하는 것이 바람직하다. 구동장치(70)를 작동시키는 방식은 기계식 구조의 액츄에이터(actuator)가 포함된 방식이 바람직하다.
한편, 리프팅 구동장치(70)는, 제1기판 로딩용 보트(10)의 하부판(12b)과 연결될 수도 있다. 그리하여, 제1기판 로딩용 보트(10)를 상하로 움직여 반도체 기판(100)을 기판 홀더(25)로부터 들어올릴 수도 있다. 이 경우에는, 제1기판 로딩용 보트(10)를 하향 이동시켜야 한다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 열처리 공정용 반도체 제조장치는, 두 개의 보트(10,20)를 중첩하여 형성된 듀얼 보트를 마련하고 기판 홀더(25)를 이용하여 반도체 기판(100)을 지지하기 때문에, 대구경화 되는 12인치 이상의 반도체 기판에서 휨 현상 없이 고온의 열 공정을 진행할 수 있다. 그리고 열산화법(oxidation)에 의한 막 형성이나 화학기상 증착법(CVD)에 의한 막 형성 및 일반적인 어닐링(annealing) 공정에서 반도체 기판(100) 하부의 기판 홀더(25)가 히트 싱커(heat sinker) 역할을 하여 반도체 기판(100)에 균일하게 열전달을 한다. 따라서 반도체 기판(100)의 공정 균일도를 향상시킬 수 있다.
그리고 제1기판 로딩용 보트(10)와 제2기판 로디용 보트(20)를 별도로 소정 높이 리프팅 할 수 있게 구성하여, 듀얼 보트(10,20)로부터 기판 홀더(25)를 언로딩(unloading) 하지 않은 상태에서 직접 듀얼 보트(10,20) 내에 반도체 기판(100)을 로딩 및 언로딩할 수 있다. 그리하여, 듀얼 보트에 기판 홀더(25)를 사용하면서도 일반 보트와 동일하게 반도체 기판(100)을 로딩 및 언로딩할 수 있다.
한편, 본 발명의 열처리 공정용 반도체 제조장치는, 듀얼 보트(10,20) 중에서 어느 쪽 보트를 리프팅시키든지 반도체 기판(100)을 로딩 및 언로딩하는 데에는 큰 문제가 없으나, 가능하면, 중량이 적은 쪽의 보트를 리프팅하는 것이 조작의 안정성을 위하여 바람직하다.
또한, 전술한 기술에서와 같이, 리프팅 구동부(70)는, 제1 또는 제2 기판 로딩용 보트를 리프팅하기 위해서 보트 캡(40)의 하부 또는 도어부(50)에 별도로 마련할 수도 있다. 그리고 별도의 리프팅 구동부(70)를 마련하지 않고 도어부(50)가 반응튜브(30)의 밖으로 내려와 정지하여, 바닥면에 정지되면서 제1기판 로딩용 보트(10)에 대해서 제2기판 로딩용 보트(20)가 상부로 소정높이 단차가 발생하도록 보트를 설계할 수도 있다. 그러면, 듀얼 보트(10,20)의 중력에 의해서 자연스럽게 제1기판 로딩용 보트(10)에 대해서 제2기판 로딩용 보트(20)가 소정 높이 상승하여 반도체 기판(100)이 기판 홀더(25)로부터 이격되어 리프팅 효과를 거둘 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 열처리 공정용 반도체 제조장치는, 기판 홀더를 이용하여 반도체 기판을 하부로부터 지지하기 때문에 대구 경화된 반도체 기판도 휨 현상(warpage) 없이 지지할 수 있다.
그리고, 열공정 중에 기판 홀더가 히트 싱커의 역할을 하기 때문에 균일한 온도 조절이 가능하여 공정 신뢰도를 높일 수 있다.
한편, 듀얼 보트를 적용하여, 기판 홀더를 언로딩하지 않고서도 기판 홀더로부터 반도체 기판을 로딩 및 언로딩할 수 있다. 그리하여, 반도체 기판을 로딩 및 언로딩 시에 소요 시간을 효과적으로 운용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 열처리 공정용 반도체 제조장치의 개략 단면도이다.
도 2a는 도 1의 'A' 부분을 확대하여 도시한 측 단면도 이다.
도 2b는 본 발명의 듀얼 보트의 측 단면도 이다.
도 3은 본 발명의 듀얼 보트를 상부에서 본 평단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 듀얼 보트를 상부에서 본 분해도이다.
도 5a는 튜브 내에 장착된 상태에서 듀얼 보트의 상태를 나타낸 측 단면도 이다.
도 5b는 로딩 및 언로딩 시 듀얼 보트의 상태를 나타낸 측 단면도 이다.
도 5c는 본 발명의 듀얼 보트에서 반도체 기판을 핸들링 하는 것을 나타낸 측 단면도 이다.

Claims (10)

  1. 수직관상의 반응튜브 내에 복수의 반도체 기판을 로딩하여 열처리 공정할 수 있는 열처리 공정용 반도체 제조장치에 있어서,
    상기 반응튜브 내에 장착되고, 수직 길이방향을 따라서 소정의 간격으로 형성되어 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 기판 홀더를 수용하는 슬롯들이 형성된 제1기판 로딩용 보트;
    상기 제1기판 로딩용 보트의 내측으로 배치되어 장착되어 상기 기판 홀더 상의 반도체 기판을 지지할 수 있도록 하부에 형성된 지지 돌출부를 갖는 제2기판 로딩용 보트;
    상기 제1기판 로딩용과 제2기판 로딩용 보트를 하부에서 지지하는 보트 캡;
    상기 보트 캡의 하부에서 상기 보트 캡을 지지하는 도어 플레이트; 및
    상기 제1기판 로딩용 보트와 제2기판 로딩용 보트 중에 어느 하나를 소정거리 상하로 리프팅(lifting)하여 상기 기판 홀더 상에 로딩된 상기 반도체 기판을 소정 높이로 이격시키는 리프팅 구동장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1기판 로딩용 보트는 적어도 두 개의 지지기둥을 포함하고, 상기 지지기둥에 상하 길이방향으로 상기 슬롯들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2기판 로딩용 보트는,
    적어도 두 개의 지지기둥을 포함하고 있고, 상기 지지기둥에 상기 슬롯들과 대응하여 형성된 상기 지지기둥에 대해서 내측으로 기판 지지부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판 홀더는,
    원형 판 상으로 형성된 본체판;
    상기 본체 판에 상기 제2기판 로딩용 보트 및 상기 지지 돌출부가 상기 본체 판을 상하로 통과할 수 있도록 형성된 관통부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 관통부는 상기 본체 판의 가장자리로부터 중앙으로 연장 열개되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 보트 캡은 상기 제2기판 로딩용 보트의 하부를 지지하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 리프팅 구동장치는 상하 슬라이딩 이동 가능한 액츄에이터가 포함된 기계 구조물인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 리프팅 구동장치는 상기 제2기판 로딩용 보트의 하부와 연결되어 상기 제2기판 로딩용 보트를 상하로 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 리프팅 구동장치는 상기 제1기판 로딩용 보트의 하부와 연결되어 상기 제1기판 로딩용 보트를 상하로 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 리프팅 구동장치는 상기 제1기판 로딩용 보트와 상기 제2기판 로딩용 보트 사이의 상하 이동거리를 상기 제1기판 로딩용 보트에 형성된 슬롯 너비만큼 움직일 수 있도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
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