JP3054651B2 - 半導体圧力センサーおよびにその製造方法 - Google Patents

半導体圧力センサーおよびにその製造方法

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JP3054651B2
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豊 斉藤
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セイコーインスツルメンツ株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体圧力センサーのダイアフラム部形成方
法に関する。
〔発明の概要〕
本発明は半導体圧力センサーのダイアフラム部形成時
のエッチングにおいて、貼り合わせSOIウェハーを使用
することで厚み制御を正確かつ容易にならしめたもので
ある。
〔従来の技術〕
従来、ダイアフラム部のエッチングはエッチング液の
温度や時間の管理で行っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述したように、従来技術ではエッチング速度のバラ
ツキも大きくダイアフラム厚みの正確な制御は大変難し
かった。また同様の理由で数μｍオーダのダイアフラム
の製造も不可能であった。
〔課題を解決するための手段〕
前記課題を解決するため本発明では、貼り合わせSOI
ウェハーを使用するという手段を取った。
〔作用〕
前記手段を取ることでダイアフラム部のエッチングに
おいてSOIの絶縁層部分がエッチングのストッパーにな
り時間管理などのエッチング自体の管理が不要となっ
た。ダイアフラム部の厚みは貼り合わせSOI製作時の第
２半導体基板の研磨で決定される。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。第１
図は本発明の実施例による半導体圧力センサー。第２図
（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施例の工程順の断面図であ
る。
第１シリコン基板１上にSiO2膜２を形成する（第２図
（ａ））。次に第２シリコン基板13を接着する（第２図
（ｂ））。次に第２シリコン基板13を所望の厚みＡまで
研磨する（第２図（ｃ））。次にCMOSの製造工程を通
し、Ｐチャネルトランジスタ17やブリッヂ抵抗15を形成
する（第２図（ｄ））。次に第１のシリコン基板１をエ
ッチングするがSiO2膜２がストッパーとなって良好なダ
イアフラム厚が得られる（第２図（ｆ））。
〔発明の効果〕
以上説明してきたように、本発明を用いることで以下
の効果が期待できる。
（１） ダイアフラム部厚み制御が容易となり、バラツ
キも減少する。
（２） 数μｍオーダの薄いダイアフラムの作成も可能
となり大巾な感度向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例による半導体圧力センサーの断
面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施例の工程順
断面図である。 １……第１シリコン基板 ２……SiO2 ３……ダイアフラム ４……ブリッヂ抵抗 ５……ＮチャネルMOSトランジスタ ６……ＰチャネルMOSトランジスタ 11……第１シリコン基板 13……第２シリコン基板 14……研磨面 15……ブリッヂ抵抗 16……ＮチャネルMOSトランジスタ 17……ＰチャネルMOSトランジスタ 18……レジスト

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１の半導体基板表面に絶縁膜層を形成す
    る工程と、しかるのち前記絶縁膜層に接して第２の半導
    体基板を接着する工程と、前記第２の半導体基板を研磨
    する工程と、その後、前記第２の半導体基板表面にCMOS
    と前記CMOSと電気的に接続されるブリッヂ抵抗とを形成
    する工程と、しかるのち前記第１の半導体基板の前記ブ
    リッヂ抵抗と向かい合う位置を選択的に前記絶縁膜層が
    露出するまでエッチングする工程とを有することを特徴
    とする半導体圧力センサーの製造方法。
  2. 【請求項２】第１の半導体基板と前記第２の半導体基板
    の間に絶縁膜層を有し、前記第２の半導体基板表面にCM
    OSと前記CMOSと電気的に接続されるブリッヂ抵抗とを有
    し、前記第１の半導体基板の前記ブリッヂ抵抗と向かい
    合う位置に前記絶縁膜層を露出するような凹部を有する
    半導体圧力センサー。
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