JPH04103177A - 半導体圧力センサーおよびにその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサーおよびにその製造方法Info
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- JPH04103177A JPH04103177A JP22183790A JP22183790A JPH04103177A JP H04103177 A JPH04103177 A JP H04103177A JP 22183790 A JP22183790 A JP 22183790A JP 22183790 A JP22183790 A JP 22183790A JP H04103177 A JPH04103177 A JP H04103177A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体圧力センサーのダイアフラム部形成方法
に関する。
に関する。
本発明は半導体圧力センサーのダイアフラム部形成時の
エツチングにおいて、貼り合わせＳｏｌウェハーを使用
することで厚み制御を正確かつ容易にならしめたもので
ある。
エツチングにおいて、貼り合わせＳｏｌウェハーを使用
することで厚み制御を正確かつ容易にならしめたもので
ある。
従来、ダイアフラム部のエツチングはエツチング液の温
度や時間の管理で行っていた。
度や時間の管理で行っていた。
前述したように、従来技術ではエツチング速度のバラツ
キも大きくダイアフラム厚みの正確な制御は大変難しか
った。また同様の理由で数−オーダのダイアフラムの製
造も不可能であった。
キも大きくダイアフラム厚みの正確な制御は大変難しか
った。また同様の理由で数−オーダのダイアフラムの製
造も不可能であった。
前記課題を解決するため本発明では、貼り合わせＳｏｌ
ウェハーを使用するという手段を取った。
ウェハーを使用するという手段を取った。
前記手段を取ることでダイアフラム部のエツチングにお
いてＳｏｌの絶縁層部分がエンチングのストッパーにな
り時間管理などのエツチング自体の管理が不要となった
。ダイアプラム部の厚みは貼り合わせＳｏｌ製作時の第
２半導体基板の研磨で決定される。
いてＳｏｌの絶縁層部分がエンチングのストッパーにな
り時間管理などのエツチング自体の管理が不要となった
。ダイアプラム部の厚みは貼り合わせＳｏｌ製作時の第
２半導体基板の研磨で決定される。
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例による半導体圧力センサ。第２
図ｔａ＋〜（ｆｌは本発明の実施例の工程順の断面図で
ある。
図ｔａ＋〜（ｆｌは本発明の実施例の工程順の断面図で
ある。
第１シリコン基板１上に５ｉｏｚｌｌ！２を形成する（
第２図（ａ））。次に第２シリコン基板１３を接着する
（第２図（ｂ））。次に第２シリコン基板１３を所望の
厚みＡまで研磨する（第２図（Ｃ））。次にＣＭＯ８の
製造工程を通し、Ｐチャネルトランジスタ１７やブリッ
ヂ抵抗１５を形成する（第２図（ｄ））。次に第１のシ
リコン基板１をエツチングするがＳｉＯ２膜２がストッ
パーとなって良好なダイアフラム厚が得られる（第２図
（ｆ））。
第２図（ａ））。次に第２シリコン基板１３を接着する
（第２図（ｂ））。次に第２シリコン基板１３を所望の
厚みＡまで研磨する（第２図（Ｃ））。次にＣＭＯ８の
製造工程を通し、Ｐチャネルトランジスタ１７やブリッ
ヂ抵抗１５を形成する（第２図（ｄ））。次に第１のシ
リコン基板１をエツチングするがＳｉＯ２膜２がストッ
パーとなって良好なダイアフラム厚が得られる（第２図
（ｆ））。
以上説明してきたように、本発明を用いることで以下の
効果が期待できる。
効果が期待できる。
［１） ダイアフラム部厚み制御が容易となり、バラ
ツキも減少する。
ツキも減少する。
（２）数−オーダの蒲゛いダイアフラムの作成も可能と
なり大巾な感度向上が可能となる。
なり大巾な感度向上が可能となる。
第１図は本発明の実施例による半導体圧力センサーの断
面図、第２図＋ａ＋〜（ｆ）は本発明の実施例の工程順
断面図である。 ・第１シリコン基板 ｉ ０２ ダイアフラム ブリッヂ抵抗 ＮチャネルＭＯＳトランジスタ ＰチャネルＭＯ３）ランジスタ 第１シリコン基板 第２シリコン基板 研磨面 ブリッヂ抵抗 ＮチャネルＭＯＳトランジスタ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ １８・・・レジスト 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
面図、第２図＋ａ＋〜（ｆ）は本発明の実施例の工程順
断面図である。 ・第１シリコン基板 ｉ ０２ ダイアフラム ブリッヂ抵抗 ＮチャネルＭＯＳトランジスタ ＰチャネルＭＯ３）ランジスタ 第１シリコン基板 第２シリコン基板 研磨面 ブリッヂ抵抗 ＮチャネルＭＯＳトランジスタ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ １８・・・レジスト 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
Claims (1)
- 第１の半導体基板表面に絶縁膜層を形成する工程と、
しかるのち該絶縁膜に接して第２の半導体基板を接着す
る工程と、該第２の半導体基板を研磨する工程と、その
後、第２の半導体基板表面にＩＣ素子を形成する工程と
、しかるのち第１半導体基板の裏面を選択的にエッチン
グする工程とを有することを特徴とする半導体圧力セン
サーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221837A JP3054651B2 (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 半導体圧力センサーおよびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221837A JP3054651B2 (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 半導体圧力センサーおよびにその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103177A true JPH04103177A (ja) | 1992-04-06 |
| JP3054651B2 JP3054651B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=16772973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2221837A Expired - Lifetime JP3054651B2 (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 半導体圧力センサーおよびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3054651B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6615668B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-09-09 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having signal processor circuit |
| US6653702B2 (en) | 2000-06-13 | 2003-11-25 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having strain gauge and circuit portion on semiconductor substrate |
| JP2009139339A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Seiko Epson Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器 |
| WO2012108121A1 (ja) | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせ基板及びその製造方法 |
| JP2013515949A (ja) * | 2009-12-23 | 2013-05-09 | エプコス アーゲー | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 |
| JP2014169915A (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Denso Corp | 半導体圧力センサの製造方法 |
-
1990
- 1990-08-23 JP JP2221837A patent/JP3054651B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653702B2 (en) | 2000-06-13 | 2003-11-25 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having strain gauge and circuit portion on semiconductor substrate |
| DE10128577B4 (de) * | 2000-06-13 | 2011-04-21 | DENSO CORPORATION, Kariya-shi | Halbleiterdrucksensor mit Dehnungsmesser und Schaltungsabschnitt auf einem Halbleitersubstrat |
| US6615668B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-09-09 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having signal processor circuit |
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| US7829960B2 (en) | 2007-12-10 | 2010-11-09 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor pressure sensor, method for producing the same, semiconductor device, and electronic apparatus |
| JP2013515949A (ja) * | 2009-12-23 | 2013-05-09 | エプコス アーゲー | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 |
| WO2012108121A1 (ja) | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせ基板及びその製造方法 |
| KR20140014115A (ko) | 2011-02-09 | 2014-02-05 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 기판 및 그 제조 방법 |
| US8900971B2 (en) | 2011-02-09 | 2014-12-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Bonded substrate and manufacturing method thereof |
| JP2014169915A (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-18 | Denso Corp | 半導体圧力センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3054651B2 (ja) | 2000-06-19 |
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