JP3051473B2 - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
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- JP3051473B2 JP3051473B2 JP3039526A JP3952691A JP3051473B2 JP 3051473 B2 JP3051473 B2 JP 3051473B2 JP 3039526 A JP3039526 A JP 3039526A JP 3952691 A JP3952691 A JP 3952691A JP 3051473 B2 JP3051473 B2 JP 3051473B2
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- transparent conductive
- conductive film
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は改良された透明導電性フ
ィルムに関し、更に詳しくは、リターデーション値が１
００〜８０００nmの範囲にある芳香族ポリエステルフィ
ルムをベースフィルムとする透明導電性フィルムに関す
る。
ィルムに関し、更に詳しくは、リターデーション値が１
００〜８０００nmの範囲にある芳香族ポリエステルフィ
ルムをベースフィルムとする透明導電性フィルムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータ、ワード
プロセッサはますます小型化し、これらのディスプレイ
装置として、軽量・コンパクトという特徴を生かした液
晶ディスプレイが多く用いられるようになってきた。液
晶ディスプレイの駆動方式には単純マトリクス、アクテ
ィブマトリクス方式等があり、最近ではＴＦＴ方式によ
るアクティブマトリクス方式の開発が盛んであるが、Ｔ
ＦＴ形成時の歩留まりが悪くコスト的に非常に高価とな
る欠点がある。単純マトリクス方式のＳＴＮは応答速度
はＴＦＴ方式に劣るもののパーソナルコンピュータ、ワ
ードプロセッサ等の静止画像を中心とした用途では充分
使用可能で、低コストであるため多く用いられている。
プロセッサはますます小型化し、これらのディスプレイ
装置として、軽量・コンパクトという特徴を生かした液
晶ディスプレイが多く用いられるようになってきた。液
晶ディスプレイの駆動方式には単純マトリクス、アクテ
ィブマトリクス方式等があり、最近ではＴＦＴ方式によ
るアクティブマトリクス方式の開発が盛んであるが、Ｔ
ＦＴ形成時の歩留まりが悪くコスト的に非常に高価とな
る欠点がある。単純マトリクス方式のＳＴＮは応答速度
はＴＦＴ方式に劣るもののパーソナルコンピュータ、ワ
ードプロセッサ等の静止画像を中心とした用途では充分
使用可能で、低コストであるため多く用いられている。
【０００３】ＳＴＮ方式では、液晶の複屈折を利用する
ためにパネルが着色する（イエローモード、ブルーモー
ド）という欠点があったが、補償用の液晶セル、複屈折
をもったフィルムを組み込むことにより白黒モードの液
晶デバイスが作られており、フルカラー化のためには着
色を抑えることは必須である。
ためにパネルが着色する（イエローモード、ブルーモー
ド）という欠点があったが、補償用の液晶セル、複屈折
をもったフィルムを組み込むことにより白黒モードの液
晶デバイスが作られており、フルカラー化のためには着
色を抑えることは必須である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、補償用
の液晶セルを組み込むと重量が増えコストアップとなる
し、補償用のフィルムを組み込むことは位置合わせが必
要で組立工数も増える。また、現在は透明電極としてガ
ラス基板が用いられているが、軽量化のためにプラスチ
ックフィルムを用いる検討がされている。さらに組立を
できるだけ単純化するために位相差フィルムと透明電極
を一体化する工夫もされているが、現在の位相差フィル
ムの主流であるポリカーボネートに直接透明電極を形成
したものでは、液晶デバイスの組立時に配向膜形成等の
プロセス温度（たとえば１５０℃）に耐えられないとい
う欠点がある。
の液晶セルを組み込むと重量が増えコストアップとなる
し、補償用のフィルムを組み込むことは位置合わせが必
要で組立工数も増える。また、現在は透明電極としてガ
ラス基板が用いられているが、軽量化のためにプラスチ
ックフィルムを用いる検討がされている。さらに組立を
できるだけ単純化するために位相差フィルムと透明電極
を一体化する工夫もされているが、現在の位相差フィル
ムの主流であるポリカーボネートに直接透明電極を形成
したものでは、液晶デバイスの組立時に配向膜形成等の
プロセス温度（たとえば１５０℃）に耐えられないとい
う欠点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは先に芳香族
ポリエステルをベースフィルムとして、特開昭６１−４
１５３９で透明導電性フィルム、特開平１ー２７０００
４で複屈折フィルムを示したが、引き続いて鋭意研究の
結果、リターデーション値が１００〜８０００nmの範囲
にある芳香族ポリエステルフィルムの上に透明導電性層
を形成した透明導電性フィルムが上記欠点を解決するこ
とを見い出し本発明に到った。すなわち、本発明は、テ
レフタル酸とイソフタル酸の混合物、またはイソフタル
酸単独と下記一般式で表される２価のフェノール成分と
からなる、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１６０〜２４０℃
の芳香族ポリエステル樹脂からなり、リターデーション
値が１００〜８０００nmの範囲にある芳香族ポリエステ
ルフィルムの少なくとも片面に透明導電膜を形成したこ
とを特徴とする透明導電性フィルムを内容とするもので
ある。
ポリエステルをベースフィルムとして、特開昭６１−４
１５３９で透明導電性フィルム、特開平１ー２７０００
４で複屈折フィルムを示したが、引き続いて鋭意研究の
結果、リターデーション値が１００〜８０００nmの範囲
にある芳香族ポリエステルフィルムの上に透明導電性層
を形成した透明導電性フィルムが上記欠点を解決するこ
とを見い出し本発明に到った。すなわち、本発明は、テ
レフタル酸とイソフタル酸の混合物、またはイソフタル
酸単独と下記一般式で表される２価のフェノール成分と
からなる、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１６０〜２４０℃
の芳香族ポリエステル樹脂からなり、リターデーション
値が１００〜８０００nmの範囲にある芳香族ポリエステ
ルフィルムの少なくとも片面に透明導電膜を形成したこ
とを特徴とする透明導電性フィルムを内容とするもので
ある。
【０００６】
【化２】
【０００７】〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 は炭素数１〜４のアル
キル基、ハロゲン基、ハロゲン化炭化水素基、ｐ、ｑは
０又は１〜４の整数、Ｘは直接結合、アルキレン基、ア
ルキリデン基（アルキレン基、アルキリデン基中の水素
原子の１あるいはそれ以上が炭化水素基、ハロゲン基、
ハロゲン化炭化水素基で置換されていてもよい）、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＯ−を示
す。〕尚、リターデーションとは、複屈折体に直線偏光
が入射したとき、偏光は互いに直交する速度の異なる２
つの偏光に別れて進む（正常光と異常光）。従って、複
屈折体を出たとき正常光と異常光には位相差が生じる。
この位相差のことをリターデーションという。
キル基、ハロゲン基、ハロゲン化炭化水素基、ｐ、ｑは
０又は１〜４の整数、Ｘは直接結合、アルキレン基、ア
ルキリデン基（アルキレン基、アルキリデン基中の水素
原子の１あるいはそれ以上が炭化水素基、ハロゲン基、
ハロゲン化炭化水素基で置換されていてもよい）、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＯ−を示
す。〕尚、リターデーションとは、複屈折体に直線偏光
が入射したとき、偏光は互いに直交する速度の異なる２
つの偏光に別れて進む（正常光と異常光）。従って、複
屈折体を出たとき正常光と異常光には位相差が生じる。
この位相差のことをリターデーションという。
【０００８】本発明に用いられる芳香族ポリエステルと
しては、原料入手の面からテレフタル酸とイソフタル酸
の混合物、またはイソフタル酸単独と下記一般式で表さ
れる２価フェノール成分からなる芳香族ポリエステルが
望ましい。
しては、原料入手の面からテレフタル酸とイソフタル酸
の混合物、またはイソフタル酸単独と下記一般式で表さ
れる２価フェノール成分からなる芳香族ポリエステルが
望ましい。
【０００９】
【化３】
【００１０】〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 は炭素数１〜４のアル
キル基、ハロゲン基、ハロゲン化炭化水素基、ｐ、ｑは
０又は１〜４の整数、Ｘは直接結合、アルキレン基、ア
ルキリデン基（アルキレン基、アルキリデン基中の水素
原子の１あるいはそれ以上が炭化水素基、ハロゲン基、
ハロゲン化炭化水素基で置換されていてもよい）、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＯ−を示
す。〕
キル基、ハロゲン基、ハロゲン化炭化水素基、ｐ、ｑは
０又は１〜４の整数、Ｘは直接結合、アルキレン基、ア
ルキリデン基（アルキレン基、アルキリデン基中の水素
原子の１あるいはそれ以上が炭化水素基、ハロゲン基、
ハロゲン化炭化水素基で置換されていてもよい）、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＯ−を示
す。〕
【００１１】本発明に用いられる２価フェノールの具体
例を挙げると、２，２′−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、４，４′−（α−メチルベンジリデン）
ビスフェノール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、２，２′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタ
ン、３，３′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタ
ン、４，４′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタ
ン、４，４′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）２，５
−ジメチルヘプタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
メチルフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ジフェニルメタン、２，２′−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−フルオロフェニルメタン、ビス（３，５−ジ
メチル−４ヒドロキシフェニル）メタン、２，２′−ビ
ス（３，５−ジメチル−４ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）ジフェニルメタン、ビス（３，５−ジメチ
ル−４ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられ、こ
れらは単独または混合して用いることができるが、これ
らに限定されるものではない。
例を挙げると、２，２′−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、４，４′−（α−メチルベンジリデン）
ビスフェノール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、２，２′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタ
ン、３，３′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタ
ン、４，４′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタ
ン、４，４′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）２，５
−ジメチルヘプタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
メチルフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ジフェニルメタン、２，２′−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−フルオロフェニルメタン、ビス（３，５−ジ
メチル−４ヒドロキシフェニル）メタン、２，２′−ビ
ス（３，５−ジメチル−４ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）ジフェニルメタン、ビス（３，５−ジメチ
ル−４ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられ、こ
れらは単独または混合して用いることができるが、これ
らに限定されるものではない。
【００１２】これらのポリマーからなるフィルムは、押
出成形あるいはポリマーを溶媒に溶解した溶液からのキ
ャスティングによって得られるが、フィルムの厚みむ
ら、表面性が悪いと延伸むらが生じるため、キャスティ
ングによるフィルムが好適である。フィルムの厚みは通
常数μｍ〜数百μｍであり、より好ましくは１０〜３０
０μｍである。
出成形あるいはポリマーを溶媒に溶解した溶液からのキ
ャスティングによって得られるが、フィルムの厚みむ
ら、表面性が悪いと延伸むらが生じるため、キャスティ
ングによるフィルムが好適である。フィルムの厚みは通
常数μｍ〜数百μｍであり、より好ましくは１０〜３０
０μｍである。
【００１３】本発明に用いられる芳香族ポリエステルフ
ィルムは、そのリターデーション値が１００〜８０００
nmの範囲のものである。１００nm未満では位相差が小さ
すぎて補償用フィルムとするためには多くの枚数を使う
必要があり実用的でなく、また８０００nmを越えても補
償性能は変わらない。リターデーション値が１００〜８
０００nmの芳香族ポリエステルフィルムは、その原料ポ
リエステル樹脂のＴｇが１６０℃以上であることが望ま
しい。Ｔｇが１６０℃未満ではディスプレイ組立時のプ
ロセス温度、たとえば配向膜処理温度（１６０℃）に耐
えられない。Ｔｇの上限は余り高くなると延伸により均
一なリターデーションを付与することが困難となるので
２４０℃程度が好ましい。また延伸温度は１６０℃以
上、より好ましくは１８０℃以上、更に好ましくは２０
０℃以上である。延伸温度が１６０℃未満だと、透明導
電膜形成時あるいは液晶デバイス組立時（配向膜塗布乾
燥、セルのシール等）に延伸戻りが起きリターデーショ
ン値が変化するので好ましくない。延伸の均一性を良く
するためには、Ｔｇ以上の温度、好ましくはＴｇ〜Ｔｇ
より８０℃高い温度の範囲で延伸する必要があり、更に
好ましくはＴｇ〜Ｔｇより５０℃高い温度の範囲であ
る。延伸方法は、縦延伸、横延伸のどちらでもかまわな
いが、ＳＴＮ液晶デバイスの表示の均一性を確保するた
めには均一に延伸することが必要であり、同一面内のリ
ターデーション値のバラツキは１０nm以下にすることが
望ましい。
ィルムは、そのリターデーション値が１００〜８０００
nmの範囲のものである。１００nm未満では位相差が小さ
すぎて補償用フィルムとするためには多くの枚数を使う
必要があり実用的でなく、また８０００nmを越えても補
償性能は変わらない。リターデーション値が１００〜８
０００nmの芳香族ポリエステルフィルムは、その原料ポ
リエステル樹脂のＴｇが１６０℃以上であることが望ま
しい。Ｔｇが１６０℃未満ではディスプレイ組立時のプ
ロセス温度、たとえば配向膜処理温度（１６０℃）に耐
えられない。Ｔｇの上限は余り高くなると延伸により均
一なリターデーションを付与することが困難となるので
２４０℃程度が好ましい。また延伸温度は１６０℃以
上、より好ましくは１８０℃以上、更に好ましくは２０
０℃以上である。延伸温度が１６０℃未満だと、透明導
電膜形成時あるいは液晶デバイス組立時（配向膜塗布乾
燥、セルのシール等）に延伸戻りが起きリターデーショ
ン値が変化するので好ましくない。延伸の均一性を良く
するためには、Ｔｇ以上の温度、好ましくはＴｇ〜Ｔｇ
より８０℃高い温度の範囲で延伸する必要があり、更に
好ましくはＴｇ〜Ｔｇより５０℃高い温度の範囲であ
る。延伸方法は、縦延伸、横延伸のどちらでもかまわな
いが、ＳＴＮ液晶デバイスの表示の均一性を確保するた
めには均一に延伸することが必要であり、同一面内のリ
ターデーション値のバラツキは１０nm以下にすることが
望ましい。
【００１４】リターデーション値が１００〜８０００nm
の範囲にある芳香族ポリエステルフィルムの少なくとも
片面に透明導電膜が形成される。透明導電膜の形成方法
は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法
などの物理的堆積法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等の化学的
堆積法が利用できる。上記の如くして得られる透明導電
フィルムは、必要に応じて、水分、酸素、窒素の透過の
防止、耐溶剤性の改良のためのバリアー膜を設けてもよ
い。バリアー膜を具体的に例示すると、ポリビニルアル
コール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、アクリ
ロニトリル、アクリロニトリル−アクリル酸メチル共重
合体、塩化ビニリデン等の有機高分子化合物フィルムを
ラミネートしたもの、あるいは樹脂溶液をコーティング
したもの、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＮ等
の無機材料を蒸着、ＣＶＤ等の物理的堆積法で積層した
もの、通常の市販されているシリコン系、アクリル系ハ
ードコート等が挙げられる。
の範囲にある芳香族ポリエステルフィルムの少なくとも
片面に透明導電膜が形成される。透明導電膜の形成方法
は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法
などの物理的堆積法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等の化学的
堆積法が利用できる。上記の如くして得られる透明導電
フィルムは、必要に応じて、水分、酸素、窒素の透過の
防止、耐溶剤性の改良のためのバリアー膜を設けてもよ
い。バリアー膜を具体的に例示すると、ポリビニルアル
コール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、アクリ
ロニトリル、アクリロニトリル−アクリル酸メチル共重
合体、塩化ビニリデン等の有機高分子化合物フィルムを
ラミネートしたもの、あるいは樹脂溶液をコーティング
したもの、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＮ等
の無機材料を蒸着、ＣＶＤ等の物理的堆積法で積層した
もの、通常の市販されているシリコン系、アクリル系ハ
ードコート等が挙げられる。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいて更に具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定さ
れるものではない。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定さ
れるものではない。
【００１６】実施例１ Ａ：非晶質芳香族ポリエステルの合成 ２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン２
０．１１ｇ、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン１５．０６ｇ、パラ−ｔ−ブチルフェ
ノール０．９５ｇ、ハイドロサルファイトナトリウム
０．２６ｇ、５Ｎ−ＮａＯＨ水溶液７８．２ml、水１７
６．８mlを窒素雰囲気中にて３００mlナス型フラスコ中
で混合し、５℃に冷却して２価フェノールのアルカリ水
溶液を調製した。一方、テレフタル酸クロライド２１．
３２ｇ、イソフタル酸クロライド９．１４ｇを塩化メチ
レン２５５mlに窒素雰囲気下に別の３００mlナス型フラ
スコに溶解し、５℃に冷却した。１リットルセパラブル
フラスコ中に水１３７ml、触媒としてベンジルトリブチ
ルアンモニウムクロライド０．１６ｇを窒素雰囲気下に
仕込んでおき同様に冷却した。これを激しく攪拌しなが
ら、上記の２液を同時に１０分間にわたってポンプで連
続的に添加した。添加終了後、２時間後にベンゾイルク
ロライド０．４２ｇを塩化メチレン５mlに溶解し、この
中に添加した後、２０分後に攪拌を停止した。水層をデ
カントした後、同量の水を加え攪拌しながら少量の塩酸
で中和した。デカントと水洗による脱塩を繰り返した
後、塩化メチレン３００mlを加えて希釈し、この溶液を
４０〜５０℃に加熱し、塩化メチレンとの共沸脱水によ
りポリマー塩化メチレン中の水を除去しポリマー濃度１
５重量％になるまで塩化メチレンを蒸留した。得られた
ポリマーのＴｇは２１５℃で、分子量（還元粘度）はη
ｓｐ／ｃ＝０．９０（３２℃、クロロホルム中０．３２
ｇ／dl）であった。
０．１１ｇ、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン１５．０６ｇ、パラ−ｔ−ブチルフェ
ノール０．９５ｇ、ハイドロサルファイトナトリウム
０．２６ｇ、５Ｎ−ＮａＯＨ水溶液７８．２ml、水１７
６．８mlを窒素雰囲気中にて３００mlナス型フラスコ中
で混合し、５℃に冷却して２価フェノールのアルカリ水
溶液を調製した。一方、テレフタル酸クロライド２１．
３２ｇ、イソフタル酸クロライド９．１４ｇを塩化メチ
レン２５５mlに窒素雰囲気下に別の３００mlナス型フラ
スコに溶解し、５℃に冷却した。１リットルセパラブル
フラスコ中に水１３７ml、触媒としてベンジルトリブチ
ルアンモニウムクロライド０．１６ｇを窒素雰囲気下に
仕込んでおき同様に冷却した。これを激しく攪拌しなが
ら、上記の２液を同時に１０分間にわたってポンプで連
続的に添加した。添加終了後、２時間後にベンゾイルク
ロライド０．４２ｇを塩化メチレン５mlに溶解し、この
中に添加した後、２０分後に攪拌を停止した。水層をデ
カントした後、同量の水を加え攪拌しながら少量の塩酸
で中和した。デカントと水洗による脱塩を繰り返した
後、塩化メチレン３００mlを加えて希釈し、この溶液を
４０〜５０℃に加熱し、塩化メチレンとの共沸脱水によ
りポリマー塩化メチレン中の水を除去しポリマー濃度１
５重量％になるまで塩化メチレンを蒸留した。得られた
ポリマーのＴｇは２１５℃で、分子量（還元粘度）はη
ｓｐ／ｃ＝０．９０（３２℃、クロロホルム中０．３２
ｇ／dl）であった。
【００１７】Ｂ：フィルムの作成 上記のごとくして得られたポリマーの塩化メチレン溶液
をガラス板上に流延し、室温で１時間乾燥した後、ガラ
ス板からフィルムを剥がし、四方を治具で固定して、１
５０℃で１５分、２５０℃で１０分間熱固定し約１００
μｍ厚のフィルムを得た。このフィルムから１０cm×１
０cmのサンプルを作り、２５０℃で縦方向に１．３倍の
延伸を行い、室温まで冷却した。この一軸延伸フィルム
のリターデーションは、得られた延伸フィルム中心部８
cm×８cmについて１cm間隔での６４点で測定した結果、
平均値で４００nmでありバラツキＲは８nmであった。ま
た全光線透過率は９０％、ヘイズ（Ｈａｚｅ）は０．２
％（ＡＳＴＭ Ｄ １００３）であった。このフィルム
にＤＣマグネトロンスパッタリング法により酸化錫を５
％含有した酸化インジウムをターゲットとしてＡｒ分圧
３×１０-3Torr. 、電力５００ＷにてＩＴＯ膜を１４０
０Å形成した。表面抵抗値は２０Ω／□、光線透過率
（５５０nm）は７７％であった。このフィルムを１９０
℃で２時間熱処理したが、上記物性は変わらなかった。
をガラス板上に流延し、室温で１時間乾燥した後、ガラ
ス板からフィルムを剥がし、四方を治具で固定して、１
５０℃で１５分、２５０℃で１０分間熱固定し約１００
μｍ厚のフィルムを得た。このフィルムから１０cm×１
０cmのサンプルを作り、２５０℃で縦方向に１．３倍の
延伸を行い、室温まで冷却した。この一軸延伸フィルム
のリターデーションは、得られた延伸フィルム中心部８
cm×８cmについて１cm間隔での６４点で測定した結果、
平均値で４００nmでありバラツキＲは８nmであった。ま
た全光線透過率は９０％、ヘイズ（Ｈａｚｅ）は０．２
％（ＡＳＴＭ Ｄ １００３）であった。このフィルム
にＤＣマグネトロンスパッタリング法により酸化錫を５
％含有した酸化インジウムをターゲットとしてＡｒ分圧
３×１０-3Torr. 、電力５００ＷにてＩＴＯ膜を１４０
０Å形成した。表面抵抗値は２０Ω／□、光線透過率
（５５０nm）は７７％であった。このフィルムを１９０
℃で２時間熱処理したが、上記物性は変わらなかった。
【００１８】実施例２ 実施例１のＢで得られたフィルムから１０cm×１０cmの
サンプルを作り、２５０℃で縦方向に１．２倍の延伸を
行い、室温まで冷却した。この一軸延伸フィルムのリタ
ーデーションは、得られた延伸フィルム中心部８cm×８
cmについて１cm間隔での６４点で測定した結果、平均値
で２００nmでありバラツキＲは６nmであった。また全光
線透過率は９０％、ヘイズ（Ｈａｚｅ）は０．２％（Ａ
ＳＴＭＤ １００３）であった。このフィルムにＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により酸化錫を５％含有し
た酸化インジウムをターゲットとしてＡｒ分圧３×１０
-3Torr. 、電力５００ＷにてＩＴＯ膜を１０００Å形成
した。表面抵抗値は７０Ω／□、光線透過率（５５０n
m）は８０％であった。このフィルムを１９０℃で２時
間熱処理したが、上記物性は変わらなかった。
サンプルを作り、２５０℃で縦方向に１．２倍の延伸を
行い、室温まで冷却した。この一軸延伸フィルムのリタ
ーデーションは、得られた延伸フィルム中心部８cm×８
cmについて１cm間隔での６４点で測定した結果、平均値
で２００nmでありバラツキＲは６nmであった。また全光
線透過率は９０％、ヘイズ（Ｈａｚｅ）は０．２％（Ａ
ＳＴＭＤ １００３）であった。このフィルムにＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により酸化錫を５％含有し
た酸化インジウムをターゲットとしてＡｒ分圧３×１０
-3Torr. 、電力５００ＷにてＩＴＯ膜を１０００Å形成
した。表面抵抗値は７０Ω／□、光線透過率（５５０n
m）は８０％であった。このフィルムを１９０℃で２時
間熱処理したが、上記物性は変わらなかった。
【００１９】実施例３ 実施例１のＢで得られたフィルムから１０cm×１０cmの
サンプルを作り、２５０℃で縦方向に１．８倍の延伸を
行い、室温まで冷却した。この一軸延伸フィルムのリタ
ーデーションは、得られた延伸フィルム中心部８cm×８
cmについて１cm間隔での６４点で測定した結果、平均値
で７０００nmでありバラツキＲは１０nmであった。また
全光線透過率は９０％、ヘイズ（Ｈａｚｅ）は０．２％
（ＡＳＴＭ Ｄ １００３）であった。このフィルムに
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により酸化錫を５％
含有した酸化インジウムをターゲットとしてＡｒ分圧３
×１０-3Torr. 、電力５００ＷにてＩＴＯ膜を１０００
Å形成した。表面抵抗値は７０Ω／□、光線透過率（５
５０nm）は８０％であった。このフィルムを１９０℃で
２時間熱処理したが、上記物性は変わらなかった。
サンプルを作り、２５０℃で縦方向に１．８倍の延伸を
行い、室温まで冷却した。この一軸延伸フィルムのリタ
ーデーションは、得られた延伸フィルム中心部８cm×８
cmについて１cm間隔での６４点で測定した結果、平均値
で７０００nmでありバラツキＲは１０nmであった。また
全光線透過率は９０％、ヘイズ（Ｈａｚｅ）は０．２％
（ＡＳＴＭ Ｄ １００３）であった。このフィルムに
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により酸化錫を５％
含有した酸化インジウムをターゲットとしてＡｒ分圧３
×１０-3Torr. 、電力５００ＷにてＩＴＯ膜を１０００
Å形成した。表面抵抗値は７０Ω／□、光線透過率（５
５０nm）は８０％であった。このフィルムを１９０℃で
２時間熱処理したが、上記物性は変わらなかった。
【００２０】実施例４ Ａ：非晶質芳香族ポリエステルの合成 ４，４′−（α−メチルベンジリデン）ビスフェノール
３０．４５ｇ、パラ−ｔ−ブチルフェノール１．５８
ｇ、ハイドロサルファイトナトリウム０．５３ｇ、５Ｎ
−ＮａＯＨ水溶液１５３ml、水３６１mlを窒素雰囲気中
にて１．５リットルセパラブル型フラスコ中で混合し、
５℃に冷却して２価フェノールのアルカリ水溶液を調製
した。一方、テレフタル酸クロライド３０．４５ｇ、イ
ソフタル酸クロライド３０．４５ｇを塩化メチレン５０
０mlに窒素雰囲気下に別の１リットルフラスコに溶解
し、５℃に冷却した。１リットルセパラブルフラスコ中
に水２００ml、触媒としてベンジルトリブチルアンモニ
ウムクロライド０．３１ｇを窒素雰囲気下に仕込んでお
き同様に冷却した。これを激しく攪拌しながら、上記の
２液を同時に１０分間にわたってポンプで連続的に添加
した。添加終了後、２時間後にベンゾイルクロライド
０．４２ｇを塩化メチレン５mlに溶解し、この中に添加
した後、２０分後に攪拌を停止した。水層をデカントし
た後、同量の水を加え攪拌しながら少量の塩酸で中和し
た。デカントと水洗による脱塩を繰り返した後、塩化メ
チレン３００mlを加えて希釈し、この溶液を４０〜５０
℃に加熱し、塩化メチレンとの共沸脱水によりポリマー
塩化メチレン中の水を除去しポリマー濃度１５重量％に
なるまで塩化メチレンを蒸留した。得られたポリマーの
Ｔｇは２４０℃で、分子量（還元粘度）はηｓｐ／ｃ＝
０．８０（３２℃、クロロホルム中０．３２ｇ／dl）で
あった。
３０．４５ｇ、パラ−ｔ−ブチルフェノール１．５８
ｇ、ハイドロサルファイトナトリウム０．５３ｇ、５Ｎ
−ＮａＯＨ水溶液１５３ml、水３６１mlを窒素雰囲気中
にて１．５リットルセパラブル型フラスコ中で混合し、
５℃に冷却して２価フェノールのアルカリ水溶液を調製
した。一方、テレフタル酸クロライド３０．４５ｇ、イ
ソフタル酸クロライド３０．４５ｇを塩化メチレン５０
０mlに窒素雰囲気下に別の１リットルフラスコに溶解
し、５℃に冷却した。１リットルセパラブルフラスコ中
に水２００ml、触媒としてベンジルトリブチルアンモニ
ウムクロライド０．３１ｇを窒素雰囲気下に仕込んでお
き同様に冷却した。これを激しく攪拌しながら、上記の
２液を同時に１０分間にわたってポンプで連続的に添加
した。添加終了後、２時間後にベンゾイルクロライド
０．４２ｇを塩化メチレン５mlに溶解し、この中に添加
した後、２０分後に攪拌を停止した。水層をデカントし
た後、同量の水を加え攪拌しながら少量の塩酸で中和し
た。デカントと水洗による脱塩を繰り返した後、塩化メ
チレン３００mlを加えて希釈し、この溶液を４０〜５０
℃に加熱し、塩化メチレンとの共沸脱水によりポリマー
塩化メチレン中の水を除去しポリマー濃度１５重量％に
なるまで塩化メチレンを蒸留した。得られたポリマーの
Ｔｇは２４０℃で、分子量（還元粘度）はηｓｐ／ｃ＝
０．８０（３２℃、クロロホルム中０．３２ｇ／dl）で
あった。
【００２１】Ｂ：フィルムの作成 上記のごとくして得られたポリマーの塩化メチレン溶液
をガラス板上に流延し、室温で１時間乾燥した後、ガラ
ス板からフィルムを剥がし、四方を治具で固定して、１
５０℃で１５分、２５０℃で１０分間熱固定し約１００
μｍ厚のフィルムを得た。このフィルムから１０cm×１
０cmのサンプルを作り２７０℃で縦方向に１．４倍の延
伸を行い、室温まで冷却した。この一軸延伸フィルムの
リターデーションは、得られた延伸フィルムの中心部８
cm×８cmについて１cm間隔での６４点で測定した結果、
平均値で６００nmでありバラツキＲは６nmであった。ま
た全光線透過率は９０％、ヘイズ（Ｈａｚｅ）は０．２
％（ＡＳＴＭ Ｄ １００３）であった。このフィルム
にＤＣマグネトロンスパッタリング法により酸化錫を５
％含有した酸化インジウムをターゲットとしてＡｒ分圧
３×１０-3Torr. 、電力５００ＷにてＩＴＯ膜を１５０
０Å形成した。表面抵抗値は２２Ω／□、光線透過率
（５５０nm）は７７％であった。このフィルムを２００
℃で２時間熱処理したが、上記物性は変わらなかった。
をガラス板上に流延し、室温で１時間乾燥した後、ガラ
ス板からフィルムを剥がし、四方を治具で固定して、１
５０℃で１５分、２５０℃で１０分間熱固定し約１００
μｍ厚のフィルムを得た。このフィルムから１０cm×１
０cmのサンプルを作り２７０℃で縦方向に１．４倍の延
伸を行い、室温まで冷却した。この一軸延伸フィルムの
リターデーションは、得られた延伸フィルムの中心部８
cm×８cmについて１cm間隔での６４点で測定した結果、
平均値で６００nmでありバラツキＲは６nmであった。ま
た全光線透過率は９０％、ヘイズ（Ｈａｚｅ）は０．２
％（ＡＳＴＭ Ｄ １００３）であった。このフィルム
にＤＣマグネトロンスパッタリング法により酸化錫を５
％含有した酸化インジウムをターゲットとしてＡｒ分圧
３×１０-3Torr. 、電力５００ＷにてＩＴＯ膜を１５０
０Å形成した。表面抵抗値は２２Ω／□、光線透過率
（５５０nm）は７７％であった。このフィルムを２００
℃で２時間熱処理したが、上記物性は変わらなかった。
【００２２】
【発明の効果】叙上の通り、本発明によれば、位相差を
有し且つ透明導電性で熱安定性に優れ、液晶ディスプレ
イ装置の光学補償用として好適なプラスチックフィルム
を提供することが出来る。
有し且つ透明導電性で熱安定性に優れ、液晶ディスプレ
イ装置の光学補償用として好適なプラスチックフィルム
を提供することが出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−224826（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−270004（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−96101（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−230215（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−292359（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−305852（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−2264（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−156426（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−41539（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/13363 G02B 5/30 G02F 1/1333 500
Claims (4)
- 【請求項１】 テレフタル酸とイソフタル酸の混合物と
下記一般式で表される２価のフェノール成分とからな
る、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１６０〜２４０℃の芳香
族ポリエステル樹脂からなり、リターデーション値が１
００〜８０００nmの範囲にある芳香族ポリエステルフィ
ルムの少なくとも片面に透明導電膜を形成したことを特
徴とする透明導電性フィルム。 【化１】 〔式中、Ｒ1 、Ｒ2 は炭素数１〜４のアルキル基、ハロ
ゲン基、ハロゲン化炭化水素基、ｐ、ｑは０又は１〜４
の整数、Ｘは直接結合、アルキレン基、アルキリデン基
（アルキレン基、アルキリデン基中の水素原子の１ある
いはそれ以上が炭化水素基、ハロゲン基、ハロゲン化炭
化水素基で置換されていてもよい）、−Ｏ−、−Ｓ−、
−ＳＯ−、−ＳＯ2 −、−ＣＯ−を示す。〕 - 【請求項２】 芳香族ポリエステルフィルムが１６０℃
以上の温度で延伸したものである請求項１記載の透明導
電性フィルム。 - 【請求項３】 同一フィルム面内のリターデーション値
のバラツキが１０nm以下である請求項１又は２記載の透
明導電性フィルム。 - 【請求項４】 液晶ディスプレイ装置の光学補償用であ
る請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明導電性フィ
ルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039526A JP3051473B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039526A JP3051473B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 透明導電性フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04256922A JPH04256922A (ja) | 1992-09-11 |
| JP3051473B2 true JP3051473B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=12555491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039526A Expired - Lifetime JP3051473B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3051473B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995395B2 (en) * | 2003-12-23 | 2006-02-07 | Eastman Kodak Company | Multilayer optical compensator, liquid crystal display, and process |
| JP2008169384A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-24 | Kaneka Corp | コーティング用樹脂、光学補償用薄膜、光学補償用積層体、光学補償用偏光板、及び液晶表示装置。 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59224826A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-17 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 液晶表示セル |
| JPH0296101A (ja) * | 1987-12-28 | 1990-04-06 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 偏光性フィルムの製造方法 |
| JP2968531B2 (ja) * | 1988-04-22 | 1999-10-25 | 鐘淵化学工業株式会社 | 複屈折性を有する透明フィルム及びその製造方法 |
| JPH02230215A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-12 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子 |
| JPH02292359A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-12-03 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | エポキシ変性樹脂組成物 |
| JPH02305852A (ja) * | 1989-05-20 | 1990-12-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 熱可塑性樹脂組成物 |
| JPH032264A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | イソシアネート変性樹脂組成物 |
| JPH04156426A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3039526A patent/JP3051473B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04256922A (ja) | 1992-09-11 |
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