JP3049311B2 - Ｃｕ２ＨｆＳ３とその製造方法 - Google Patents
Ｃｕ２ＨｆＳ３とその製造方法Info
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- JP3049311B2 JP3049311B2 JP9363481A JP36348197A JP3049311B2 JP 3049311 B2 JP3049311 B2 JP 3049311B2 JP 9363481 A JP9363481 A JP 9363481A JP 36348197 A JP36348197 A JP 36348197A JP 3049311 B2 JP3049311 B2 JP 3049311B2
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- hfs
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、Ｃｕ2 Ｈ
ｆＳ3 とその製造方法に関するものである。さらに詳し
くは、この出願の発明は、半導体材料や二次電池正極材
料等として有用な新規化合物であるＣｕ2 ＨｆＳ3 とそ
の製造方法に関するものである。
ｆＳ3 とその製造方法に関するものである。さらに詳し
くは、この出願の発明は、半導体材料や二次電池正極材
料等として有用な新規化合物であるＣｕ2 ＨｆＳ3 とそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来、Ｃｕ−Ｈｆ−Ｓ系にお
ける三元系化合物の相関関係については、立方晶系のス
ピネル相Ｃｕx ＨｆＳ2 を除いては全く報告されていな
かった。Ｃｕ−Ｈｆ−Ｓ系三元化合物は、半導体材料や
導電性材料、さらには二次電池正極材料等としての特性
を持つものと期待されてはいるが、実際に、この三元系
化合物はこれまでのところほとんど検討されておらず、
前記の公知例を除いては今後の手がかりが得られていな
いのが実情である。
ける三元系化合物の相関関係については、立方晶系のス
ピネル相Ｃｕx ＨｆＳ2 を除いては全く報告されていな
かった。Ｃｕ−Ｈｆ−Ｓ系三元化合物は、半導体材料や
導電性材料、さらには二次電池正極材料等としての特性
を持つものと期待されてはいるが、実際に、この三元系
化合物はこれまでのところほとんど検討されておらず、
前記の公知例を除いては今後の手がかりが得られていな
いのが実情である。
【０００３】そこで、この出願の発明は、従来の技術状
況の限界を克服し、今後の半導体材料等の展開が期待さ
れるＣｕ−Ｈｆ−Ｓ系において得られる新規な化合物と
その製造方法を提供することを目的としている。
況の限界を克服し、今後の半導体材料等の展開が期待さ
れるＣｕ−Ｈｆ−Ｓ系において得られる新規な化合物と
その製造方法を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この出願の発明は、上記
の課題を解決するものとして、Ｃｕ2 ＨｆＳ3 で示され
る三方晶系の構造を有する化合物（請求項１）を提供す
る。また、この発明は、金属ＣｕとＨｆとＨｆＳ2 、Ｃ
ｕＳまたはＳを、Ｃｕ：Ｈｆ：Ｓが原子比で実質的に
２：１：３の割合で混合し、当該混合粉末を加圧して圧
粉体とし、これを真空引きした封管中で加熱することに
よって焼結体を生成することを特徴とするＣｕ2 ＨｆＳ
3 の製造方法（請求項２）を提供する。
の課題を解決するものとして、Ｃｕ2 ＨｆＳ3 で示され
る三方晶系の構造を有する化合物（請求項１）を提供す
る。また、この発明は、金属ＣｕとＨｆとＨｆＳ2 、Ｃ
ｕＳまたはＳを、Ｃｕ：Ｈｆ：Ｓが原子比で実質的に
２：１：３の割合で混合し、当該混合粉末を加圧して圧
粉体とし、これを真空引きした封管中で加熱することに
よって焼結体を生成することを特徴とするＣｕ2 ＨｆＳ
3 の製造方法（請求項２）を提供する。
【０００５】さらにこの発明は、加熱温度が６００〜１
３００℃であること（請求項３）、加熱時間が２日以上
であること（請求項４）等の態様をも提供する。
３００℃であること（請求項３）、加熱時間が２日以上
であること（請求項４）等の態様をも提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】この発明のＣｕ2 ＨｆＳ3 で示さ
れる化合物は、Ｈｆが硫黄格子の六配位位置を、またＣ
ｕが四配位と三配位位置を３：１の割合で占める層状構
造物質である。三方晶系としての格子定数は、ａ＝６．
４５６±０．００１（Å）、ｃ＝１２．１８８±０．０
０２（Å）、Ｖ＝４３９．９±０．２（Å3 ）であり、
空間群はＰ３１ｃ（Ｎｏ．１６３）である。
れる化合物は、Ｈｆが硫黄格子の六配位位置を、またＣ
ｕが四配位と三配位位置を３：１の割合で占める層状構
造物質である。三方晶系としての格子定数は、ａ＝６．
４５６±０．００１（Å）、ｃ＝１２．１８８±０．０
０２（Å）、Ｖ＝４３９．９±０．２（Å3 ）であり、
空間群はＰ３１ｃ（Ｎｏ．１６３）である。
【０００７】また、この発明のＣｕ2 ＨｆＳ3 で示され
る化合物の製造方法については、出発原料は市販品をそ
のまま用いても良いが、半導体材料または二次電池用正
極材料として当該化合物を用いる場合には、不純物を含
まない、できるだけ純度の高い出発原料を用いることが
望ましい。さらに、熱処理の過程においては、反応を促
進させるため、粉体の粒径はできるだけ小さくするこ
と、空気中での酸化を避けるために、閉じた系でこれら
の処理を行うことが望ましい。加熱終了後は、石英封管
を水中に入れて急冷するのが適当である。
る化合物の製造方法については、出発原料は市販品をそ
のまま用いても良いが、半導体材料または二次電池用正
極材料として当該化合物を用いる場合には、不純物を含
まない、できるだけ純度の高い出発原料を用いることが
望ましい。さらに、熱処理の過程においては、反応を促
進させるため、粉体の粒径はできるだけ小さくするこ
と、空気中での酸化を避けるために、閉じた系でこれら
の処理を行うことが望ましい。加熱終了後は、石英封管
を水中に入れて急冷するのが適当である。
【０００８】この発明の方法によって得られた化合物Ｃ
ｕ2 ＨｆＳ3 の粉末は黒色であり、粉末および単結晶Ｘ
線回析法によって三方晶系の結晶構造を有することが確
認されている。その構成および作用効果の特徴につい
て、さらに詳しく以下の実施例に沿って説明する。もち
ろんこの発明は以下の例によって限定されるものではな
い。
ｕ2 ＨｆＳ3 の粉末は黒色であり、粉末および単結晶Ｘ
線回析法によって三方晶系の結晶構造を有することが確
認されている。その構成および作用効果の特徴につい
て、さらに詳しく以下の実施例に沿って説明する。もち
ろんこの発明は以下の例によって限定されるものではな
い。
【０００９】
【実施例】純度９９．９％以上のＣｕ粉末と純度９９．
７％以上のＨｆＳ2 粉末と純度９９．９９９９％以上の
Ｓ粉末を、Ｃｕ：Ｈｆ：Ｓの原子比が２：１：３の割合
になるようにグローブボックス中で秤量し、めのう乳鉢
内で５分間混合し、当該混合粉末を加圧して圧粉体を生
成した。
７％以上のＨｆＳ2 粉末と純度９９．９９９９％以上の
Ｓ粉末を、Ｃｕ：Ｈｆ：Ｓの原子比が２：１：３の割合
になるようにグローブボックス中で秤量し、めのう乳鉢
内で５分間混合し、当該混合粉末を加圧して圧粉体を生
成した。
【００１０】次に、これを透明石英管中に真空封入し、
６００℃に設定された横型管状電気炉で１日間加熱し、
さらに８００℃で２日間加熱し、その後、石英管を取り
出して水中で急冷した。得られたＣｕ2 ＨｆＳ3 相化合
物の面指数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（Å））（ｄo は実
測値、ｄO は計算値）および粉末Ｘ線回析強度（Ｉ
（％））（Ｉo は実測強度）を粉末Ｘ線回析法によって
計測した。その結果を表１に示した。
６００℃に設定された横型管状電気炉で１日間加熱し、
さらに８００℃で２日間加熱し、その後、石英管を取り
出して水中で急冷した。得られたＣｕ2 ＨｆＳ3 相化合
物の面指数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（Å））（ｄo は実
測値、ｄO は計算値）および粉末Ｘ線回析強度（Ｉ
（％））（Ｉo は実測強度）を粉末Ｘ線回析法によって
計測した。その結果を表１に示した。
【００１１】
【表１】また、前者の三方晶系としての格子定数は、ａ
＝６．４５６±０．００１（Å）、ｃ＝１２．１８８±
０．００２（Å）、Ｖ＝４３９．９±０．２（Å3 ）で
あった。これらの格子定数および表１に示した各面指数
（ｈｋｌ）より計算した面間隔ｄ（Å））は、実測の面
間隔（ｄo （Å））と極めて一致した。
＝６．４５６±０．００１（Å）、ｃ＝１２．１８８±
０．００２（Å）、Ｖ＝４３９．９±０．２（Å3 ）で
あった。これらの格子定数および表１に示した各面指数
（ｈｋｌ）より計算した面間隔ｄ（Å））は、実測の面
間隔（ｄo （Å））と極めて一致した。
【００１２】さらに、四端子法によって、室温から液体
窒素温度における電気抵抗値を測定したところ、この発
明の化合物であるＣｕ2 ＨｆＳ3 は半導体であり、室温
で２０Ω／ｃｍの値を示した。
窒素温度における電気抵抗値を測定したところ、この発
明の化合物であるＣｕ2 ＨｆＳ3 は半導体であり、室温
で２０Ω／ｃｍの値を示した。
【００１３】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明に
よって、Ｃｕ2 ＨｆＳ3 で示される三方晶系の構造を有
する新規な化合物およびその製造方法を提供する。この
Ｃｕ2 ＨｆＳ3 は、半導体材料や二次電池用正極材料と
して有用である。
よって、Ｃｕ2 ＨｆＳ3 で示される三方晶系の構造を有
する新規な化合物およびその製造方法を提供する。この
Ｃｕ2 ＨｆＳ3 は、半導体材料や二次電池用正極材料と
して有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−271758（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−242456（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−136690（ＪＰ，Ａ) Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ： Ｃｏｎｄｅ ｎｓ．Ｍａｔｔｅｒ（1982），26 （５），2501−６ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 27/00 C04B 35/547 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｃｕ2 ＨｆＳ3 で示される三方晶系の構
造を有する化合物。 - 【請求項２】 金属ＣｕとＨｆとＨｆＳ2 、ＣｕＳまた
はＳを、Ｃｕ：Ｈｆ：Ｓが原子比で実質的に２：１：３
の割合となるように混合し、混合粉末を加圧して圧粉体
とし、これを真空引きした封管中で加熱することによっ
て焼結体を生成することを特徴とする請求項１のＣｕ2
ＨｆＳ3 の製造方法。 - 【請求項３】 加熱温度が６００〜１３００℃である請
求項２のＣｕ2 ＨｆＳ3 の製造方法。 - 【請求項４】 加熱時間が２日以上である請求項２ない
し３のＣｕ2 ＨｆＳ3 の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363481A JP3049311B2 (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | Ｃｕ２ＨｆＳ３とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9363481A JP3049311B2 (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | Ｃｕ２ＨｆＳ３とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11171545A JPH11171545A (ja) | 1999-06-29 |
| JP3049311B2 true JP3049311B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=18479426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9363481A Expired - Lifetime JP3049311B2 (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | Ｃｕ２ＨｆＳ３とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3049311B2 (ja) |
-
1997
- 1997-12-16 JP JP9363481A patent/JP3049311B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ： Ｃｏｎｄｅｎｓ．Ｍａｔｔｅｒ（１９８２），２６（５），２５０１−６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11171545A (ja) | 1999-06-29 |
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