JPH0375225A - Ｃｕ↓２Ｔａ↓５Ｓ↓８で示される単斜晶系の構造を有する化合物及びその製造法 - Google Patents
Ｃｕ↓２Ｔａ↓５Ｓ↓８で示される単斜晶系の構造を有する化合物及びその製造法Info
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- JAAVTMIIEARTKI-UHFFFAOYSA-N [S--].[S--].[Ta+4] Chemical compound [S--].[S--].[Ta+4] JAAVTMIIEARTKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 229910004211 TaS2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004467 single crystal X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Powder Metallurgy (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
（産業上の利用分野）
本発明はＣｕ−Ｔａ−８三元系の新規な化合物とその製
造法に関する。 （従来の技術及び解決しようとする課題）従来、Ｃｕ−
Ｔａ−３系では、三元系化合物として９００℃以下の温
度で合成された立方晶系のＣｕ３ＴａＳい六方晶系のＣ
ＬＩｏｌｓＴａｓ、とＣｕＴａ５．の存在が知られてい
る。 しかしながら、１０００℃以上の温度でのＣｕ−Ｔａ−
８系の相関係については、殆ど報告がなく、単斜晶系の
三元系化合物の存在については全く知られていなかった
。 本発明は、１０００℃以上の温度で得られる新規なＣｕ
−Ｔａ−５三元系化合物を提供し、またその製造法を提
供することを目的とするものである。 （課題を解決するための手段） 前記目的を達成するため、本発明者は、石英封管法によ
り１０００〜１３００℃の温度範囲で、新規なＣｕ−Ｔ
ａ−８三元系化合物を見い出すべく研究した結果、ここ
に、化学式Ｃｕ、Ｔａ、Ｓ、で示される単斜晶系の構造
を有する化合物を発見したものである。 また、その製造法として、金属銅と、タンタルと、二硫
化タンタル又は硫黄を、ＣｕとＴａとＳの割合が原子比
で２対５対８の割合となるように混合し、該混合粉末を
加圧して圧粉体とし、これをアルミナルツボに入れ、真
空引きした石英封管中で１０００〜１３００℃の温度で
加熱することにより得る方法を見い出したものである。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 （作用） 本発明に係る化学式ＣｕｚＴａ、Ｓ、で示される化合物
は、Ｃ軸方向に金属−硫黄一金属一硫黄と交互に連なる
層より形成される層状構造物質であり、極めて特徴的な
（０（１）の選択配向性を有している。 単斜晶系としての格子定数は、 ａ＝５．７１５６±０．０００８（人）ｂ＝３．３０１
２±０．０００３（人）ｃ＝１２．９３１５±ｏ、ｏｏ
ｌｏ （Ａ）β＝９４．２２±０．０１（”） Ｖ＝２４３．３３＋０．０３ （人） で、空間群はＣ２である。 この化合物の面指数（ｈ ｋ ｌ ）、面間隔（ｄ（人
）、ここで、ｄｏは実測値、ｄａは計算値）及び粉末Ｘ
線回折強度（Ｉ（％）、ここで工。は実測強度）は第１
表に示すとおりである。 この化合物は次の方法により製造することができる。 すなわち、金属銅と、タンタルと、二硫化タンタル又は
硫黄を、ＣｕとＴａとＳの割合が原子比で２対５対８の
割合となるように混合し、該混合粉末を加圧して圧粉体
とし、これをアルミナルツボに入れ、真空引きした石英
封管中で１ｏｏｏ〜１３００℃の温度で加熱する方法で
ある。 この方法の場合、出発原料は、市販のものをそのまま使
用してもよいが、得られる化合物を電子材料として用い
る場合には、不純物の含まないできるだけ純度の高いも
のを用いるのが望ましい。 また、製造時には固相化学反応促進のため、粒径は小さ
い方が良く、数μｍ以下であることが望ましい。 原料はそのまま不活性気体雰囲気中で充分に混合し、加
圧成形し圧粉体とする。加圧条件は特に制限するもので
はないが、１〜２ ｔｏｎ ／ ｃｍ２の静水圧である
ことが望ましい。 原料の混合割合は、ＣｕとＴａとＳの割合が原子比で２
対５対８の割合であることが必要であり、これから組成
がずれると、目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。 次いで、該圧粉体をアルミナルツボに入れ、真空引きし
た石英封管中で加熱するが、その焼成温度は１０００℃
以上であることが必要である。１３００℃以上での加熱
は、試料と器壁との反応により、タンタル酸化物の生成
が進行するため、好ましくない。加熱時間は、１０００
℃では２〜３日、１３００℃では２〜３時間が望ましい
。 加熱終了後は、石英封管を水中に急冷する。 得られたＣｕ、Ｔａ、Ｓ−化合物粉末は、黒色であり、
粉末Ｘ線回折法並びに単結晶Ｘ線回折法により単斜晶系
の構造を有することを確認することができる。
造法に関する。 （従来の技術及び解決しようとする課題）従来、Ｃｕ−
Ｔａ−３系では、三元系化合物として９００℃以下の温
度で合成された立方晶系のＣｕ３ＴａＳい六方晶系のＣ
ＬＩｏｌｓＴａｓ、とＣｕＴａ５．の存在が知られてい
る。 しかしながら、１０００℃以上の温度でのＣｕ−Ｔａ−
８系の相関係については、殆ど報告がなく、単斜晶系の
三元系化合物の存在については全く知られていなかった
。 本発明は、１０００℃以上の温度で得られる新規なＣｕ
−Ｔａ−５三元系化合物を提供し、またその製造法を提
供することを目的とするものである。 （課題を解決するための手段） 前記目的を達成するため、本発明者は、石英封管法によ
り１０００〜１３００℃の温度範囲で、新規なＣｕ−Ｔ
ａ−８三元系化合物を見い出すべく研究した結果、ここ
に、化学式Ｃｕ、Ｔａ、Ｓ、で示される単斜晶系の構造
を有する化合物を発見したものである。 また、その製造法として、金属銅と、タンタルと、二硫
化タンタル又は硫黄を、ＣｕとＴａとＳの割合が原子比
で２対５対８の割合となるように混合し、該混合粉末を
加圧して圧粉体とし、これをアルミナルツボに入れ、真
空引きした石英封管中で１０００〜１３００℃の温度で
加熱することにより得る方法を見い出したものである。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 （作用） 本発明に係る化学式ＣｕｚＴａ、Ｓ、で示される化合物
は、Ｃ軸方向に金属−硫黄一金属一硫黄と交互に連なる
層より形成される層状構造物質であり、極めて特徴的な
（０（１）の選択配向性を有している。 単斜晶系としての格子定数は、 ａ＝５．７１５６±０．０００８（人）ｂ＝３．３０１
２±０．０００３（人）ｃ＝１２．９３１５±ｏ、ｏｏ
ｌｏ （Ａ）β＝９４．２２±０．０１（”） Ｖ＝２４３．３３＋０．０３ （人） で、空間群はＣ２である。 この化合物の面指数（ｈ ｋ ｌ ）、面間隔（ｄ（人
）、ここで、ｄｏは実測値、ｄａは計算値）及び粉末Ｘ
線回折強度（Ｉ（％）、ここで工。は実測強度）は第１
表に示すとおりである。 この化合物は次の方法により製造することができる。 すなわち、金属銅と、タンタルと、二硫化タンタル又は
硫黄を、ＣｕとＴａとＳの割合が原子比で２対５対８の
割合となるように混合し、該混合粉末を加圧して圧粉体
とし、これをアルミナルツボに入れ、真空引きした石英
封管中で１ｏｏｏ〜１３００℃の温度で加熱する方法で
ある。 この方法の場合、出発原料は、市販のものをそのまま使
用してもよいが、得られる化合物を電子材料として用い
る場合には、不純物の含まないできるだけ純度の高いも
のを用いるのが望ましい。 また、製造時には固相化学反応促進のため、粒径は小さ
い方が良く、数μｍ以下であることが望ましい。 原料はそのまま不活性気体雰囲気中で充分に混合し、加
圧成形し圧粉体とする。加圧条件は特に制限するもので
はないが、１〜２ ｔｏｎ ／ ｃｍ２の静水圧である
ことが望ましい。 原料の混合割合は、ＣｕとＴａとＳの割合が原子比で２
対５対８の割合であることが必要であり、これから組成
がずれると、目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。 次いで、該圧粉体をアルミナルツボに入れ、真空引きし
た石英封管中で加熱するが、その焼成温度は１０００℃
以上であることが必要である。１３００℃以上での加熱
は、試料と器壁との反応により、タンタル酸化物の生成
が進行するため、好ましくない。加熱時間は、１０００
℃では２〜３日、１３００℃では２〜３時間が望ましい
。 加熱終了後は、石英封管を水中に急冷する。 得られたＣｕ、Ｔａ、Ｓ−化合物粉末は、黒色であり、
粉末Ｘ線回折法並びに単結晶Ｘ線回折法により単斜晶系
の構造を有することを確認することができる。
次に本発明の実施例を示す。
（実施例）
純度９９．９９％以上の銅（Ｃｕ）粉末と、純度９９．
９６％以上のタンタル（Ｔａ）粉末と、純度９９゜９６
％以上の二硫化タンタル（ＴａＳ２）粉末とを。 ＣｕとＴａとＳの原子比が２対５対８の割合となるよう
にグローブボックス中で秤量し、めのう乳鉢内で約１０
分間混合し、該混合粉末を加圧して圧粉体とした。 次いで、これをアルミナルツボに入れ、透明石英管中に
真空封入し、１０００℃に設定された横型管状電気炉内
に入れ、３日間加熱し、その後、石英管を取り出し、水
中に急冷した。−得られた試料は、ＣｕｚＴａ５Ｓ、単
一相であり、粉末Ｘ線回折法により、各反射の面間隔（
ｄ、）及び回折強度を測定した結果は、第１表に示すと
おりである。また、単斜晶系としての格子定数は次のと
おりである。 ａ＝５．７１５６±０．０００８ （Ａ）ｂ＝３．３０
１２±０．０００３ （Ａ）ｃ＝１２．９３１５±０．
００１０（人）β＝９４．２２±０．０１（’） Ｖ＝２４３．３３±０．０３（人） 上記の格子定数及び第１表に示した各面指数（ｈｋｌ）
より計算した面間隔（ｄ ｃ（人））は、実測の面間隔
（ｄｏ（入））と極めてよく一致した。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、化学式Ｃｕ、Ｔ
ａ、Ｓ、で示される単斜晶系の構造を有する新規なＣｕ
−Ｔｑ−８系化合物を提供でき、特に電子材料として有
用であり、その効果は大きい。
９６％以上のタンタル（Ｔａ）粉末と、純度９９゜９６
％以上の二硫化タンタル（ＴａＳ２）粉末とを。 ＣｕとＴａとＳの原子比が２対５対８の割合となるよう
にグローブボックス中で秤量し、めのう乳鉢内で約１０
分間混合し、該混合粉末を加圧して圧粉体とした。 次いで、これをアルミナルツボに入れ、透明石英管中に
真空封入し、１０００℃に設定された横型管状電気炉内
に入れ、３日間加熱し、その後、石英管を取り出し、水
中に急冷した。−得られた試料は、ＣｕｚＴａ５Ｓ、単
一相であり、粉末Ｘ線回折法により、各反射の面間隔（
ｄ、）及び回折強度を測定した結果は、第１表に示すと
おりである。また、単斜晶系としての格子定数は次のと
おりである。 ａ＝５．７１５６±０．０００８ （Ａ）ｂ＝３．３０
１２±０．０００３ （Ａ）ｃ＝１２．９３１５±０．
００１０（人）β＝９４．２２±０．０１（’） Ｖ＝２４３．３３±０．０３（人） 上記の格子定数及び第１表に示した各面指数（ｈｋｌ）
より計算した面間隔（ｄ ｃ（人））は、実測の面間隔
（ｄｏ（入））と極めてよく一致した。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、化学式Ｃｕ、Ｔ
ａ、Ｓ、で示される単斜晶系の構造を有する新規なＣｕ
−Ｔｑ−８系化合物を提供でき、特に電子材料として有
用であり、その効果は大きい。
Claims (2)
- （１）Ｃｕ＿２Ｔａ＿５Ｓ＿８で示される単斜晶系の構
造を有する化合物。 - （２）金属銅と、タンタルと、二硫化タンタル又は硫黄
を、ＣｕとＴａとＳの割合が原子比で２対５対８の割合
となるように混合し、該混合粉末を加圧して圧粉体とし
、これをアルミナルツボに入れ、真空引きした石英封管
中で１０００〜１３００℃の温度で加熱することを特徴
とするＣｕ＿２Ｔａ＿５Ｓ＿８で示される単斜晶系の構
造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211068A JPH0639332B2 (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | Ｃｕ▲下２▼Ｔａ▲下５▼Ｓ▲下８▼で示される単斜晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211068A JPH0639332B2 (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | Ｃｕ▲下２▼Ｔａ▲下５▼Ｓ▲下８▼で示される単斜晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375225A true JPH0375225A (ja) | 1991-03-29 |
| JPH0639332B2 JPH0639332B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=16599876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1211068A Expired - Lifetime JPH0639332B2 (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | Ｃｕ▲下２▼Ｔａ▲下５▼Ｓ▲下８▼で示される単斜晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0639332B2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP1211068A patent/JPH0639332B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0639332B2 (ja) | 1994-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |