JP2517099B2 - シェブレル化合物の製造法 - Google Patents
シェブレル化合物の製造法Info
- Publication number
- JP2517099B2 JP2517099B2 JP1042392A JP4239289A JP2517099B2 JP 2517099 B2 JP2517099 B2 JP 2517099B2 JP 1042392 A JP1042392 A JP 1042392A JP 4239289 A JP4239289 A JP 4239289A JP 2517099 B2 JP2517099 B2 JP 2517099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chevrel compound
- firing
- chevrel
- metal
- reaction tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910017267 Mo 6 S 8 Inorganic materials 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- WWNBZGLDODTKEM-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenenickel Chemical compound [Ni]=S WWNBZGLDODTKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- DZXKSFDSPBRJPS-UHFFFAOYSA-N tin(2+);sulfide Chemical compound [S-2].[Sn+2] DZXKSFDSPBRJPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical class [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G39/00—Compounds of molybdenum
- C01G39/006—Compounds containing, besides molybdenum, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ヘリウム温度域で電気抵抗がほとんどゼロ
になり高効率電力貯蔵、強磁場発生、高効率送電等に利
用できる超伝導体の材料、または、電気化学素子の電極
材料等に用いることのできるシェブレル化合物の製造法
に関する。
になり高効率電力貯蔵、強磁場発生、高効率送電等に利
用できる超伝導体の材料、または、電気化学素子の電極
材料等に用いることのできるシェブレル化合物の製造法
に関する。
従来の技術 シェブレル化合物は、液体ヘリウム温度以上の臨界温
度を有し、また、極めて高い臨界磁場を有することから
多くの研究がなされている。さらに、銅シェブレル化合
物のようにシェブレル化合物のMo6S8の骨格構造を壊す
ことなくシェブレル化合物中の金属元素を化学的、ある
いは、電気化学的に出し入れできるものについては電気
化学素子の電極材料への応用が期待される。しかしなが
ら、従来、シェブレル化合物の製造法としては、各種金
属粉末、金属モリブデン粉末、硫黄粉末を粉砕混合し、
この混合粉末を石英ガラス管内に減圧封入し、400℃で1
2時間焼成後、600℃で12時間焼成し、さらに、1000℃で
24時間焼成して製造していた。
度を有し、また、極めて高い臨界磁場を有することから
多くの研究がなされている。さらに、銅シェブレル化合
物のようにシェブレル化合物のMo6S8の骨格構造を壊す
ことなくシェブレル化合物中の金属元素を化学的、ある
いは、電気化学的に出し入れできるものについては電気
化学素子の電極材料への応用が期待される。しかしなが
ら、従来、シェブレル化合物の製造法としては、各種金
属粉末、金属モリブデン粉末、硫黄粉末を粉砕混合し、
この混合粉末を石英ガラス管内に減圧封入し、400℃で1
2時間焼成後、600℃で12時間焼成し、さらに、1000℃で
24時間焼成して製造していた。
この製造法では、原料中に多くの金属の反応し易い硫
黄があり、また、原料を反応管に入れて減圧封入して焼
成するため、反応管は、硫黄に対して安定で、加工が可
能な石英ガラス管を用いる必要がある。また、焼成後、
石英ガラス反応管を開管して合成物を取り出さなければ
ならず石英ガラス反応管を何回も使用することができな
い。さらに、1回の合成量を多くすると昇温次に硫黄が
ガス化し、そのガス圧が高くなり過ぎると石英ガラス反
応管を破裂させるなど製造工程が煩雑であり工業的な生
産に問題を有していた。
黄があり、また、原料を反応管に入れて減圧封入して焼
成するため、反応管は、硫黄に対して安定で、加工が可
能な石英ガラス管を用いる必要がある。また、焼成後、
石英ガラス反応管を開管して合成物を取り出さなければ
ならず石英ガラス反応管を何回も使用することができな
い。さらに、1回の合成量を多くすると昇温次に硫黄が
ガス化し、そのガス圧が高くなり過ぎると石英ガラス反
応管を破裂させるなど製造工程が煩雑であり工業的な生
産に問題を有していた。
我々は、この問題を解決するため、シェブレル化合物
の製造法として金属(金属は、Li,Na,Mg,Ca,Sc,Cr,Mn,F
e,Co,Ni,Cu,Zn,Sr,Y,Pd,Ag,Cd,In,Sn,Ba,La,Pb,Ce,Pr,N
d,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luのうち少なくとも一
種の元素)モリブデン、硫化モリブデンからなる混合物
を石英ガラス製反応管に充填し、減圧下で焼成する方法
を提案した(特願昭63−87515出願参照)。
の製造法として金属(金属は、Li,Na,Mg,Ca,Sc,Cr,Mn,F
e,Co,Ni,Cu,Zn,Sr,Y,Pd,Ag,Cd,In,Sn,Ba,La,Pb,Ce,Pr,N
d,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luのうち少なくとも一
種の元素)モリブデン、硫化モリブデンからなる混合物
を石英ガラス製反応管に充填し、減圧下で焼成する方法
を提案した(特願昭63−87515出願参照)。
発明が解決しようとする課題 そのシェブレル化合物の製造法(特願昭63−87515出
願)では、合成量を100gより多くした場合、単一相のシ
ェブレル化合物を得るためには、1000℃の焼成温度で長
時間焼成するか、焼成時間を短縮するために、何回か焼
成途中で冷却して原料を混合する必要があった。焼成途
中で冷却して原料を混合しても130時間以上の焼成時間
を必要とし、このため石英ガラス製反応管が1000℃の長
時間使用に際して劣化したり、変形したりして使用でき
なくなるという課題を有していた。また、この製造法で
得られるシェブレル化合物は不定形結晶に近いものであ
った。
願)では、合成量を100gより多くした場合、単一相のシ
ェブレル化合物を得るためには、1000℃の焼成温度で長
時間焼成するか、焼成時間を短縮するために、何回か焼
成途中で冷却して原料を混合する必要があった。焼成途
中で冷却して原料を混合しても130時間以上の焼成時間
を必要とし、このため石英ガラス製反応管が1000℃の長
時間使用に際して劣化したり、変形したりして使用でき
なくなるという課題を有していた。また、この製造法で
得られるシェブレル化合物は不定形結晶に近いものであ
った。
本発明は、このような従来技術の課題を解決すること
を目的とする。
を目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は、金属硫化物(金属は、Li,Na,Mg,Ca,Sc,Cr,
Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Sr,Y,Pd,Ag,Cd,In,Sn,Ba,La,Pb,Ce,
Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luのうち少なくと
も一種の元素)、金属モリブデン、硫化モリブデンの混
合物を耐熱性セラミックス製反応管に充填し、減圧下で
1000〜1400℃(望ましくは1100〜1300℃)の焼成温度で
焼成して結晶性の良好なシェブレル化合物を製造するも
のである。
Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Sr,Y,Pd,Ag,Cd,In,Sn,Ba,La,Pb,Ce,
Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luのうち少なくと
も一種の元素)、金属モリブデン、硫化モリブデンの混
合物を耐熱性セラミックス製反応管に充填し、減圧下で
1000〜1400℃(望ましくは1100〜1300℃)の焼成温度で
焼成して結晶性の良好なシェブレル化合物を製造するも
のである。
作用 本発明によるシェブレル化合物の製造法において、原
料粉末として金属硫化物と硫化モリブデン、さらに金属
モリブデンを用いているために、従来の金属の酸化によ
る影響を受けることが少なく、また、反応容器として耐
熱性に優れたセラミックス製反応管を用いているために
高温度で焼成することができる。このようなことより原
料粉末の混合物をセラミックス製反応管に充填し、減圧
下1000〜1400℃(望ましくは1100〜1300℃)の焼成温度
で合成することにより、従来に比べて短時間で単一相の
結晶性の良好なシェブレル化合物を製造することがで
き、また、反応管を長時間使用することができ、経済性
にも優れている。
料粉末として金属硫化物と硫化モリブデン、さらに金属
モリブデンを用いているために、従来の金属の酸化によ
る影響を受けることが少なく、また、反応容器として耐
熱性に優れたセラミックス製反応管を用いているために
高温度で焼成することができる。このようなことより原
料粉末の混合物をセラミックス製反応管に充填し、減圧
下1000〜1400℃(望ましくは1100〜1300℃)の焼成温度
で合成することにより、従来に比べて短時間で単一相の
結晶性の良好なシェブレル化合物を製造することがで
き、また、反応管を長時間使用することができ、経済性
にも優れている。
また、上記特定の金属の硫化物を原料としているた
め、金属を原料とする場合に生じる金属の酸化による影
響を受けることが少なくなる。すなわち、金属を用いた
場合には、原料金属が酸化することにより、金属酸化物
が不純物として生成物に混入し、あるいは、金属酸化物
が硫化物に変わる場合には、酸素により硫黄が消費され
るために生成物の組成が変わるという問題を起こす。し
かし、本発明によれば、このような不都合は生じない。
め、金属を原料とする場合に生じる金属の酸化による影
響を受けることが少なくなる。すなわち、金属を用いた
場合には、原料金属が酸化することにより、金属酸化物
が不純物として生成物に混入し、あるいは、金属酸化物
が硫化物に変わる場合には、酸素により硫黄が消費され
るために生成物の組成が変わるという問題を起こす。し
かし、本発明によれば、このような不都合は生じない。
実施例 以下に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
(実施例1) 鉛シェブレル化合物PbMo6.2S8(200g)を製造した。
硫化鉛粉末(45.20g)、金属モリブデン粉末(48.94
g)、二硫化モリブデン粉末(105.85g)を秤量し、撹拌
形混合機にて1時間混合した後、アルミナ製反応管に充
填し、下記の焼成装置を用いて減圧下、1000℃/hrの昇
温速度で1200℃まで昇温し、1200℃で48時間焼成して鉛
シェブレル化合物を製造した。
g)、二硫化モリブデン粉末(105.85g)を秤量し、撹拌
形混合機にて1時間混合した後、アルミナ製反応管に充
填し、下記の焼成装置を用いて減圧下、1000℃/hrの昇
温速度で1200℃まで昇温し、1200℃で48時間焼成して鉛
シェブレル化合物を製造した。
第1図に減圧下でシェブレル化合物を製造するための
焼成装置の概略図を示した。第1図において、1は原
料、2は原料を充填したアルミナ製反応管、3は電気
炉、4は熱電対、5はトラップ、6は油回転式真空ポン
プである。
焼成装置の概略図を示した。第1図において、1は原
料、2は原料を充填したアルミナ製反応管、3は電気
炉、4は熱電対、5はトラップ、6は油回転式真空ポン
プである。
得られた鉛シェブレル化合物を粉末X線回折で分析し
た結果、ほぼ単一相のものであることがわかった。
た結果、ほぼ単一相のものであることがわかった。
また、1000℃で150時間焼成して合成したものが1μ
m程度の角状および鱗片状の結晶粒と1μm以下の微細
な結晶粒子の混合体であったのに対し、得られた鉛シェ
ブレル化合物は、4μm程度の角状結晶粒子であり、良
好な結晶性を持つものであった。
m程度の角状および鱗片状の結晶粒と1μm以下の微細
な結晶粒子の混合体であったのに対し、得られた鉛シェ
ブレル化合物は、4μm程度の角状結晶粒子であり、良
好な結晶性を持つものであった。
また、例えば、1300℃で24時間、1400℃で12時間のよ
うに焼成温度を高くすることにより短い焼成時間で結晶
性の良好な鉛シェブレルを製造することができた。
うに焼成温度を高くすることにより短い焼成時間で結晶
性の良好な鉛シェブレルを製造することができた。
(実施例2) ニッケルシェブレル化合物Ni2Mo6S8(200g)を製造し
た。以下、その製造法について述べる。
た。以下、その製造法について述べる。
硫化ニッケル粉末(38.24g),金属モリブデン粉末
(60.62g)、二硫化モリブデン粉末(101.14g)を秤量
し、撹拌形混合機を用いて1時間混合した後、この混合
粉末を炭化ケイ素製反応管内に充填し、実施例1と同様
の焼成装置を用いて減圧下、1000℃/hrの昇温速度で120
0℃まで昇温し、1200℃で48時間焼成してニッケルシェ
ブレル化合物を製造した。
(60.62g)、二硫化モリブデン粉末(101.14g)を秤量
し、撹拌形混合機を用いて1時間混合した後、この混合
粉末を炭化ケイ素製反応管内に充填し、実施例1と同様
の焼成装置を用いて減圧下、1000℃/hrの昇温速度で120
0℃まで昇温し、1200℃で48時間焼成してニッケルシェ
ブレル化合物を製造した。
得られたニッケルシェブレル化合物を粉末X線回折で
分析した結果、従来の石英ガラス管を封管して製造した
ものとほぼ同様の回折パターンを示した。
分析した結果、従来の石英ガラス管を封管して製造した
ものとほぼ同様の回折パターンを示した。
結晶粒子は、従来の製造法で製造したニッケルシェブ
レル化合物が1μm程度の角状結晶と鱗片状結晶が見ら
れたのに対し、得られたニッケルシェブレル化合物で
は、3〜4μm程度の粒径をもち、ほとんどが角状の良
好な結晶であった。
レル化合物が1μm程度の角状結晶と鱗片状結晶が見ら
れたのに対し、得られたニッケルシェブレル化合物で
は、3〜4μm程度の粒径をもち、ほとんどが角状の良
好な結晶であった。
実施例1と同様、焼成温度を高くすることにより短い
焼成時間で結晶性の良好なニッケルシェブレル化合物を
製造することができた。
焼成時間で結晶性の良好なニッケルシェブレル化合物を
製造することができた。
(実施例3) スズシェブレル化合物SnMO5S6(200g)を製造した。
以下、その製造法について述べる。
以下、その製造法について述べる。
硫化第一スズ粉末(38.13g)、金属モリブデン粉末
(60.66g)、二硫化モリブデン粉末(101.21g)を秤量
し、撹拌形混合機を用いて1時間混合した後、アルミナ
製反応管に充填し、実施例1と同様の焼成装置を用いて
減圧下、1000℃/hrで1200℃まで昇温し、1200℃で48時
間焼成してスズシェブレル化合物を製造した。
(60.66g)、二硫化モリブデン粉末(101.21g)を秤量
し、撹拌形混合機を用いて1時間混合した後、アルミナ
製反応管に充填し、実施例1と同様の焼成装置を用いて
減圧下、1000℃/hrで1200℃まで昇温し、1200℃で48時
間焼成してスズシェブレル化合物を製造した。
得られたスズシェブレル化合物を粉末X線回折で分析
した結果、従来の石英ガラス管に封管して製造したもの
とほぼ同様のX線回折パターンを示した。結晶粒子は、
4μm程度の粒径をもち、ほとんどが角状の良好な結晶
であった。
した結果、従来の石英ガラス管に封管して製造したもの
とほぼ同様のX線回折パターンを示した。結晶粒子は、
4μm程度の粒径をもち、ほとんどが角状の良好な結晶
であった。
以上の実施例では、金属硫化物として鉛、ニッケル、
スズの硫化物について説明したが、Li、Na、Mg、Ca、S
c、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Sr,Y、Pd、Ag,Cd、In、B
a、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、T
m、Yb、Luの硫化物についても同様の方法で製造でき
る。
スズの硫化物について説明したが、Li、Na、Mg、Ca、S
c、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Sr,Y、Pd、Ag,Cd、In、B
a、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、T
m、Yb、Luの硫化物についても同様の方法で製造でき
る。
発明の効果 以上に述べたごとく、本発明は、金属モリブデン粉
末、硫化モリブデン粉末、および金属硫化物粉末の混合
粉末を耐熱性セラミックス反応管に充填し、減圧下、10
00〜1400℃の温度で焼成することにより従来より短時間
に結晶性の良好なシェブレル化合物を安価に製造するこ
とができる。
末、硫化モリブデン粉末、および金属硫化物粉末の混合
粉末を耐熱性セラミックス反応管に充填し、減圧下、10
00〜1400℃の温度で焼成することにより従来より短時間
に結晶性の良好なシェブレル化合物を安価に製造するこ
とができる。
第1図は本発明の一実施例に於ける減圧下でシェブレル
化合物を製造するための焼成装置の概略断面図である。 1……原料、2……反応管、3……電気炉。
化合物を製造するための焼成装置の概略断面図である。 1……原料、2……反応管、3……電気炉。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 尚道 東京都町田市鶴川6丁目9番地7号402 鶴川団地 (72)発明者 佐藤 敬之 埼玉県北足立群伊奈町栄5丁目176番地 22号 (72)発明者 吉田 栄 埼玉県北葛飾郡鷲宮町桜田3丁目6番5 号 (56)参考文献 特開 平1−261226(JP,A) 特開 平1−201028(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】金属硫化物(金属は、Li,Na,Mg,Ca,Sc,Cr,
Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Sr,Y,Pd,Ag,Cd,In,Sn,Ba,La,Pb,Ce,
Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luのうち少なくと
も一種の元素)、金属モリブデン、および硫化モリブデ
ンの混合物を耐熱性セラミックス製反応管に充填し、減
圧下で1000〜1400℃の焼成温度で焼成することを特徴と
するシェブレル化合物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1042392A JP2517099B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | シェブレル化合物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1042392A JP2517099B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | シェブレル化合物の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02221127A JPH02221127A (ja) | 1990-09-04 |
JP2517099B2 true JP2517099B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=12634796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1042392A Expired - Lifetime JP2517099B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | シェブレル化合物の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2517099B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111977692A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-11-24 | 陕西科技大学 | 一种作为高性能镁离子电池正极材料的类立方体形Mo6S8的制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0761866A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-07 | Mitsubishi Materials Corp | セラミックス製タペット材 |
-
1989
- 1989-02-22 JP JP1042392A patent/JP2517099B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02221127A (ja) | 1990-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AMIN et al. | Reaction of anatase and rutile with barium carbonate | |
JPH02502903A (ja) | 矩形プレーナー化合物系における超伝導 | |
US4840925A (en) | Compositions of transition metal manganites in the form of particles or ceramics, their preparation and their use in the production of thermistors | |
US5089222A (en) | Manufacturing process of chevrel compounds | |
US4152280A (en) | Molten salt synthesis of modified lead zirconate titanate solid solution powder | |
JP2517099B2 (ja) | シェブレル化合物の製造法 | |
US3851045A (en) | Lanthanide transition metal ternary chalcogenides | |
Zhao et al. | R5Ga3 compounds of selected rare earth metals R: structures and properties | |
CN114314648B (zh) | 充放电阶段具有电化学振荡现象的钛酸锂材料的制备方法 | |
JP2726952B2 (ja) | ドープ化酸化亜鉛の粉末、その製造方法、および前記粉末から得られるセラミック | |
US5026680A (en) | Method of manufacturing a powder of bi-based superconductive oxide containing lead and method of manufacturing a sintered body therefrom | |
Kumta et al. | Chemical processing of rare earth chalcogenides | |
JPH0624983B2 (ja) | シェブレル化合物の製造法 | |
JP4408353B2 (ja) | 希土類硫化物焼結体とその製造方法 | |
JPS6016373B2 (ja) | ペロブスカイト型鉛含有複合酸化物の製造方法 | |
US20100207075A1 (en) | Method for producing metal complex oxide powder | |
JPH01172256A (ja) | 易焼結性鉛含有酸化物製造用原料粉末 | |
JP2006057125A (ja) | クラスレート化合物、クラスレート化合物の製造方法及び熱電変換素子 | |
JPH0864873A (ja) | 熱電半導体材料 | |
JPS63288912A (ja) | 無機酸化物超電導体の調製方法 | |
JPH029713A (ja) | リン化ホウ素の製造方法 | |
JPH0761866B2 (ja) | シェブレル化合物の製造法 | |
Kelleher et al. | Cadmium substitution in miargyrite (AgSbS2) and related phases: an experimental reconnaissance | |
JP2777075B2 (ja) | 熱電半導体材料 | |
JPH03115124A (ja) | チタン酸バリウム粉末の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |