JPH0725552B2 - ＡｇＴａＳ▲下３▼で示される斜方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 - Google Patents
ＡｇＴａＳ▲下３▼で示される斜方晶系の構造を有する化合物及びその製造法Info
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- JPH0725552B2 JPH0725552B2 JP2052424A JP5242490A JPH0725552B2 JP H0725552 B2 JPH0725552 B2 JP H0725552B2 JP 2052424 A JP2052424 A JP 2052424A JP 5242490 A JP5242490 A JP 5242490A JP H0725552 B2 JPH0725552 B2 JP H0725552B2
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- Japan
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- agtas
- orthorhombic
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子材料並びにイオン伝導体などとして有用
な新規化合物であるAgTaS3で示される斜方晶系の構造を
有する化合物及びその製造法に関する。
な新規化合物であるAgTaS3で示される斜方晶系の構造を
有する化合物及びその製造法に関する。
（従来の技術及び解決しようとする課題） 従来、Ag−Ta−Ｓ系では、三元系化合物として900℃以
下の温度で合成される六方晶系のAg2/3TaS2や、菱面体
晶系のAg1/3TaS2の存在が知られている。
下の温度で合成される六方晶系のAg2/3TaS2や、菱面体
晶系のAg1/3TaS2の存在が知られている。
しかしながら、Ag−Ta−Ｓ系の相関係については、殆ど
報告がなく、斜方晶系の三元系化合物の存在については
全く知られていなかった。
報告がなく、斜方晶系の三元系化合物の存在については
全く知られていなかった。
本発明は、かゝる事情に鑑みて、Ag−Ta−Ｓ三元系で斜
方晶系の新規な化合物を得る技術を提供することを目的
とするものである。
方晶系の新規な化合物を得る技術を提供することを目的
とするものである。
（課題を解決するための手段） 前記目的を達成するため、本発明者は、石英封管法によ
り450〜500℃の温度範囲で、新規なAg−Ta−Ｓ三元系化
合物を見い出すべく鋭意研究を重ねた結果、ここに斜方
晶系の新規化合物を発見したものである。
り450〜500℃の温度範囲で、新規なAg−Ta−Ｓ三元系化
合物を見い出すべく鋭意研究を重ねた結果、ここに斜方
晶系の新規化合物を発見したものである。
すなわち、本発明に係る新規化合物は、化学式AgTaS3で
示される斜方晶系の構造を有する化合物である。
示される斜方晶系の構造を有する化合物である。
また、その製造法は、硫化銀、二硫化タンタル及び硫黄
のそれぞれの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で１対
１対３となるように混合した後に、加圧して圧粉体と
し、これをアルミナルツボに入れ、真空引きした石英封
管中で450〜500℃の温度に加熱することを特徴とするも
のである。
のそれぞれの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で１対
１対３となるように混合した後に、加圧して圧粉体と
し、これをアルミナルツボに入れ、真空引きした石英封
管中で450〜500℃の温度に加熱することを特徴とするも
のである。
以下に本発明を更に詳述する。
（作用） 本発明に係る化学式AgTaS3で示される化合物は、ｂ軸方
向に金属−硫黄−金属−硫黄と交互に連なる層より形成
される層状構造の斜方晶系物質であり、斜方晶系として
の格子定数は、 ａ＝3.3755±0.0002（Å） ｂ＝14.0608±0.0011（Å） ｃ＝7.7486±0.0007（Å） Ｖ＝367.77±0.04（Å3） で、空間群はCmc21である。
向に金属−硫黄−金属−硫黄と交互に連なる層より形成
される層状構造の斜方晶系物質であり、斜方晶系として
の格子定数は、 ａ＝3.3755±0.0002（Å） ｂ＝14.0608±0.0011（Å） ｃ＝7.7486±0.0007（Å） Ｖ＝367.77±0.04（Å3） で、空間群はCmc21である。
この化合物についての面指数（hkl）、面間隔ｄ（Å）
（ｄは実測値、dcは計算値）及び粉末Ｘ線回折強度Ｉ
（％）（I0は実測強度）を示すと第１表のとおりであ
る。
（ｄは実測値、dcは計算値）及び粉末Ｘ線回折強度Ｉ
（％）（I0は実測強度）を示すと第１表のとおりであ
る。
この化合物は、以下の方法により製造することができ
る。
る。
すなわち、まず、硫化銀、二硫化タンタル及び硫黄のそ
れぞれの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で１対１対
３となるように混合する。次いで、混合粉末を加圧して
圧粉体とし、これをアルミナルツボに入れ、真空引きし
た石英封管中で450〜500℃の温度に加熱する。
れぞれの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で１対１対
３となるように混合する。次いで、混合粉末を加圧して
圧粉体とし、これをアルミナルツボに入れ、真空引きし
た石英封管中で450〜500℃の温度に加熱する。
この方法の場合、出発原料は、市販のものをそのまま使
用してもよいが、得られる化合物を電子材料として用い
る場合には、不純物を含まずできるだけ純度の高いもの
を用いるのが望ましい。また、製造時には固相化学反応
促進のため、粒径は小さい方が良く、数μｍ以下である
ことが望ましい。
用してもよいが、得られる化合物を電子材料として用い
る場合には、不純物を含まずできるだけ純度の高いもの
を用いるのが望ましい。また、製造時には固相化学反応
促進のため、粒径は小さい方が良く、数μｍ以下である
ことが望ましい。
原料はそのまま、望ましくは不活性気体雰囲気中で充分
に混合し、加圧成形し圧粉体とする。加圧条件は、特に
限定するものではないが、１〜2ton/cm2の静水圧である
ことが望ましい。
に混合し、加圧成形し圧粉体とする。加圧条件は、特に
限定するものではないが、１〜2ton/cm2の静水圧である
ことが望ましい。
原料の混合割合は、AgとTaとＳの割合が原子比で１対１
対３の割合であることが必要であり、この割合から組成
がずれると、目的とする化合物の単一相を得ることがで
きない。
対３の割合であることが必要であり、この割合から組成
がずれると、目的とする化合物の単一相を得ることがで
きない。
次いで、該圧粉体をアルミナルツボに入れ、真空引きし
た石英封管中で加熱するが、その焼成温度は450〜500℃
であることが必要である。それ以上の温度では分解を起
こし、目的とする化合物を得ることができない。なお、
加熱時間は500℃で３〜４日が望ましく、それ以上の加
熱は試料と器壁との反応によりタンタル酸化物の生成が
進行するため、好ましくない。
た石英封管中で加熱するが、その焼成温度は450〜500℃
であることが必要である。それ以上の温度では分解を起
こし、目的とする化合物を得ることができない。なお、
加熱時間は500℃で３〜４日が望ましく、それ以上の加
熱は試料と器壁との反応によりタンタル酸化物の生成が
進行するため、好ましくない。
加熱終了後は、石英封管を水中に急冷する。得られる化
合物粉末は、化学式AgTaS3のもので、黒色であり、粉末
Ｘ線並びに電子線回折法によって斜方晶系の結晶構造を
有することが判明した。
合物粉末は、化学式AgTaS3のもので、黒色であり、粉末
Ｘ線並びに電子線回折法によって斜方晶系の結晶構造を
有することが判明した。
次に本発明の実施例を示す。
（実施例） 純度99.9％以上の硫化銀（Ag2S）粉末と、純度99.96％
以上の二硫化タンタル（TaS2）粉末と、純度99.9999％
以上の硫黄（Ｓ）粉末とを、AgとTaとＳの原子比が１対
１対３の割合となるようにグローブボックス中で秤量
し、めのう乳鉢内で約10分間混合し、該混合粉末を加圧
して圧粉体を得た。
以上の二硫化タンタル（TaS2）粉末と、純度99.9999％
以上の硫黄（Ｓ）粉末とを、AgとTaとＳの原子比が１対
１対３の割合となるようにグローブボックス中で秤量
し、めのう乳鉢内で約10分間混合し、該混合粉末を加圧
して圧粉体を得た。
次いで、これをアルミナルツボに入れ、透明石英管中に
真空封入し、500℃に設定された横型管状電気炉内に入
れ、４日間加熱し、その後、石英管を取り出し、水中に
急冷した。
真空封入し、500℃に設定された横型管状電気炉内に入
れ、４日間加熱し、その後、石英管を取り出し、水中に
急冷した。
得られた試料は、AgTaS3単一相であり、粉末Ｘ線回折法
により各反射の面間隔d0（Å）及び回折強度I0を測定し
た結果、第１表に示すとおりであった。また、斜方晶系
としての格子定数は次のとおりであった。
により各反射の面間隔d0（Å）及び回折強度I0を測定し
た結果、第１表に示すとおりであった。また、斜方晶系
としての格子定数は次のとおりであった。
ａ＝3.3755±0.0002（Å） ｂ＝14.0608±0.0011（Å） ｃ＝7.7486±0.0007（Å） Ｖ＝367.77±0.04（Å） 上記の格子定数及び第１表に示した各面指数（hkl）よ
り計算した面間隔dc（Å）は、実測の面間隔d0（Å）と
極めてよく一致した。
り計算した面間隔dc（Å）は、実測の面間隔d0（Å）と
極めてよく一致した。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、化学式AgTaS3で
示される斜方晶系の構造を有する新規なAg−Ta−Ｓ系化
合物を提供でき、特に電子材料並びにイオン伝導体など
として有用であり、その効果は大きい。
示される斜方晶系の構造を有する新規なAg−Ta−Ｓ系化
合物を提供でき、特に電子材料並びにイオン伝導体など
として有用であり、その効果は大きい。
Claims (2)
- 【請求項１】化学式AgTaS3で示される斜方晶系の構造を
有する化合物。 - 【請求項２】硫化銀、二硫化タンタル及び硫黄のそれぞ
れの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で１対１対３と
なるように混合した後に、加圧して圧粉体とし、これを
アルミナルツボに入れ、真空引きした石英封管中で450
〜500℃の温度に加熱することを特徴とするAgTaS3で示
される斜方晶系の構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052424A JPH0725552B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | ＡｇＴａＳ▲下３▼で示される斜方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052424A JPH0725552B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | ＡｇＴａＳ▲下３▼で示される斜方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257023A JPH03257023A (ja) | 1991-11-15 |
| JPH0725552B2 true JPH0725552B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=12914400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2052424A Expired - Lifetime JPH0725552B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | ＡｇＴａＳ▲下３▼で示される斜方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725552B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2052424A patent/JPH0725552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03257023A (ja) | 1991-11-15 |
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|---|---|---|---|
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