JPH0725551B2 - Ａｇ▲下７▼ＴａＳ▲下６▼で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 - Google Patents
Ａｇ▲下７▼ＴａＳ▲下６▼で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法Info
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- JPH0725551B2 JPH0725551B2 JP2052423A JP5242390A JPH0725551B2 JP H0725551 B2 JPH0725551 B2 JP H0725551B2 JP 2052423 A JP2052423 A JP 2052423A JP 5242390 A JP5242390 A JP 5242390A JP H0725551 B2 JPH0725551 B2 JP H0725551B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はAg−Ta−Ｓ系化合物に係り、特に半導体電子材
料並びにイオン伝導体などとして有用な新規化合物及び
その製造法に関する。
料並びにイオン伝導体などとして有用な新規化合物及び
その製造法に関する。
（従来の技術及び解決しようとする課題） 従来、Ag−Ta−Ｓ系では、三元系化合物として900℃以
下の温度で合成される六方晶系のAg2/3TaS2や、菱面体
晶系のAg1/3TaS2の存在が知られている。
下の温度で合成される六方晶系のAg2/3TaS2や、菱面体
晶系のAg1/3TaS2の存在が知られている。
しかしながら、Ag−Ta−Ｓ系の相関係については、殆ど
報告がなく、立方晶系の三元系化合物の存在については
全く知られていなかった。
報告がなく、立方晶系の三元系化合物の存在については
全く知られていなかった。
本発明は、かゝる事情に鑑みて、Ag−Ta−Ｓ系で立方晶
系の新規な三元系化合物を得る技術を提供することを目
的とするものである。
系の新規な三元系化合物を得る技術を提供することを目
的とするものである。
（課題を解決するための手段） 前記目的を達成するため、本発明者は、石英封管により
500〜600℃の温度範囲で、新規なAg−Ta−Ｓ系の三元系
化合物を見い出すべく研究を重ねた結果、ここに、立方
晶系の新規化合物を発見したのである。
500〜600℃の温度範囲で、新規なAg−Ta−Ｓ系の三元系
化合物を見い出すべく研究を重ねた結果、ここに、立方
晶系の新規化合物を発見したのである。
すなわち、本発明に係る新規化合物は、化学式Ag7TaS6
で示される立方晶系の構造を有する化合物である。
で示される立方晶系の構造を有する化合物である。
また、その製造法は、硫化銀、二硫化タンタル及び硫黄
のそれぞれの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で７対
１対６となるように混合した後に、加圧して圧粉体と
し、これをアルミナルツボに入れ、真空引きした石英封
管中で500〜600℃の温度に加熱することを特徴とするも
のである。
のそれぞれの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で７対
１対６となるように混合した後に、加圧して圧粉体と
し、これをアルミナルツボに入れ、真空引きした石英封
管中で500〜600℃の温度に加熱することを特徴とするも
のである。
以下に本発明を更に詳述する。
（作用） 本発明に係る化学式Ag7TaS6で示される化合物は、硫黄
が立方密充填し、金属原子がその間隙にある六配位位置
などを占める極めて等方的な構造を有する立方晶系の物
質である。
が立方密充填し、金属原子がその間隙にある六配位位置
などを占める極めて等方的な構造を有する立方晶系の物
質である。
立方晶系としての格子定数は、 ａ＝10.5139±0.0003（Å） Ｖ＝1162.23±0.09（Å3） で、空間群はＦ3m（No.216）である。
この化合物についての面指数（hkl）、面間隔ｄ（Å）
（但し、d0は実測値、dcは計算値）及び粉末Ｘ線回折強
度Ｉ（％）（但し、I0は実測強度）を示すと、第１表の
とおりである。
（但し、d0は実測値、dcは計算値）及び粉末Ｘ線回折強
度Ｉ（％）（但し、I0は実測強度）を示すと、第１表の
とおりである。
この新規化合物は、以下の方法により製造することがで
きる。
きる。
すなわち、まず、硫化銀、二硫化タンタル及び硫黄のそ
れぞれの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で７対１対
６となるように混合する。次いで、混合粉末を加圧して
圧粉体とし、これをアルミナルツボに入れ、真空引きし
た石英封管中で500〜600℃の温度に加熱する。
れぞれの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で７対１対
６となるように混合する。次いで、混合粉末を加圧して
圧粉体とし、これをアルミナルツボに入れ、真空引きし
た石英封管中で500〜600℃の温度に加熱する。
この方法の場合、出発原料は、市販のものをそのまま使
用してもよいが、得られる化合物を半導体電子材料とし
て用いる場合には、不純物の含まないできるだけ純度の
高いものを用いるのが望ましい。また、製造時には固相
化学反応促進のため、粒径は小さい方が良く、数μｍ以
下であることが望ましい。
用してもよいが、得られる化合物を半導体電子材料とし
て用いる場合には、不純物の含まないできるだけ純度の
高いものを用いるのが望ましい。また、製造時には固相
化学反応促進のため、粒径は小さい方が良く、数μｍ以
下であることが望ましい。
原料は、そのまま、望ましくは不活性気体雰囲気中で充
分に混合し、加圧成形して圧粉体とする。加圧条件は特
に限定するものではないが、１〜2ton/cm2の静水圧であ
ることが望ましい。
分に混合し、加圧成形して圧粉体とする。加圧条件は特
に限定するものではないが、１〜2ton/cm2の静水圧であ
ることが望ましい。
原料の混合割合は、AgとTaとＳの割合が原子比で７対１
対６の割合であることが必要であり、この割合から組成
がずれると、目的とする化合物の単一相を得ることがで
きない。
対６の割合であることが必要であり、この割合から組成
がずれると、目的とする化合物の単一相を得ることがで
きない。
次いで、該圧粉体をアルミナルツボに入れ、真空引きし
た石英封管中で加熱するが、その焼成温度は500〜600℃
であることが必要である。加熱時間は制限しないが、50
0℃で３〜４日が望ましく、それ以上の加熱は試料と器
壁との反応によりタンタル酸化物の生成が進行するた
め、好ましくない。
た石英封管中で加熱するが、その焼成温度は500〜600℃
であることが必要である。加熱時間は制限しないが、50
0℃で３〜４日が望ましく、それ以上の加熱は試料と器
壁との反応によりタンタル酸化物の生成が進行するた
め、好ましくない。
加熱終了後は、石英封管を水中に急冷する。得られる化
学式Ag7TaS6を有する化合物粉末は黒色であり、粉末Ｘ
線回折法によって立方晶系の結晶構造を有することが判
明した。
学式Ag7TaS6を有する化合物粉末は黒色であり、粉末Ｘ
線回折法によって立方晶系の結晶構造を有することが判
明した。
次に本発明の実施例を示す。
（実施例） 純度99.9％以上の硫化銀（Ag2S）粉末と、純度99.96％
以上の二硫化タンタル（TaS2）粉末と、純度99.9999％
以上の硫黄（Ｓ）粉末とを、AgとTaとＳの原子比が７対
１対６の割合となるようにグローブボックス中で秤量
し、めのう乳鉢内で約10分間混合し、該混合粉末を加圧
して圧粉体を得た。
以上の二硫化タンタル（TaS2）粉末と、純度99.9999％
以上の硫黄（Ｓ）粉末とを、AgとTaとＳの原子比が７対
１対６の割合となるようにグローブボックス中で秤量
し、めのう乳鉢内で約10分間混合し、該混合粉末を加圧
して圧粉体を得た。
次いで、これをアルミナルツボに入れ、透明石英管中に
真空封入し、500℃に設定された横型管状電気炉内に入
れ、４日間加熱し、その後、石英管を取り出し、水中に
急冷した。
真空封入し、500℃に設定された横型管状電気炉内に入
れ、４日間加熱し、その後、石英管を取り出し、水中に
急冷した。
得られた試料は、Ag7TaS6単一相であり、粉末Ｘ線回折
法により各反射の面間隔d0及び回折強度I0を測定した結
果、第１表に示すとおりであった。
法により各反射の面間隔d0及び回折強度I0を測定した結
果、第１表に示すとおりであった。
また、立方晶系としての格子定数は次のとおりであっ
た。
た。
ａ＝10.5139±0.0003（Å） Ｖ＝1162.23±0.09（Å3） 上記の格子定数、及び第１表に示した各面指数（hkl）
より計算した面間隔dc（Å）は、実測の面間隔d0（Å）
と極めてよく一致した。
より計算した面間隔dc（Å）は、実測の面間隔d0（Å）
と極めてよく一致した。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、化学式Ag7TaS6
で示される立方晶系の構造を有する新規なAg−Ta−Ｓ系
化合物を提供でき、特に半導体電子材料並びにイオン伝
導体などとして有用であり、その効果は大きい。
で示される立方晶系の構造を有する新規なAg−Ta−Ｓ系
化合物を提供でき、特に半導体電子材料並びにイオン伝
導体などとして有用であり、その効果は大きい。
Claims (2)
- 【請求項１】化学式Ag7TaS6で示される立方晶系の構造
を有する化合物。 - 【請求項２】硫化銀、二硫化タンタル及び硫黄のそれぞ
れの粉末を、AgとTaとＳの割合が原子比で７対１対６と
なるように混合した後に、加圧して圧粉体とし、これを
アルミナルツボに入れ、真空引きした石英封管中で500
〜600℃の温度に加熱することを特徴とするAg7TaS6で示
される立方晶系の構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052423A JPH0725551B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | Ａｇ▲下７▼ＴａＳ▲下６▼で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052423A JPH0725551B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | Ａｇ▲下７▼ＴａＳ▲下６▼で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257022A JPH03257022A (ja) | 1991-11-15 |
| JPH0725551B2 true JPH0725551B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=12914374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2052423A Expired - Lifetime JPH0725551B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | Ａｇ▲下７▼ＴａＳ▲下６▼で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725551B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2052423A patent/JPH0725551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03257022A (ja) | 1991-11-15 |
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