JPH04137406A - 導電性酸化物 - Google Patents
導電性酸化物Info
- Publication number
- JPH04137406A JPH04137406A JP2259416A JP25941690A JPH04137406A JP H04137406 A JPH04137406 A JP H04137406A JP 2259416 A JP2259416 A JP 2259416A JP 25941690 A JP25941690 A JP 25941690A JP H04137406 A JPH04137406 A JP H04137406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- element selected
- conductive oxide
- type
- perovskite structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 32
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 20
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 7
- 229910009973 Ti2O3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N titanium(III) oxide Chemical compound O=[Ti]O[Ti]=O GQUJEMVIKWQAEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 5
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- -1 La20 g Chemical compound 0.000 description 1
- 229910008649 Tl2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- QTQRFJQXXUPYDI-UHFFFAOYSA-N oxo(oxothallanyloxy)thallane Chemical compound O=[Tl]O[Tl]=O QTQRFJQXXUPYDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- WPFGFHJALYCVMO-UHFFFAOYSA-L rubidium carbonate Chemical compound [Rb+].[Rb+].[O-]C([O-])=O WPFGFHJALYCVMO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000026 rubidium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、チタンを含有する導電性酸化物に関する。
(従来の技術)
近年、銅を含むペロブスカイト構造の酸化物が、高い臨
界温度を示す超電導体となることが分って以来、各所で
銅を含む酸化物超電導体の研究が活発に行われている。
界温度を示す超電導体となることが分って以来、各所で
銅を含む酸化物超電導体の研究が活発に行われている。
このような銅を含む酸化物か高い臨界温度を示す理由に
ついては、また完全には明らかにはされていないが、銅
と酸素とか形成する2次元面とCu2+のもつ大きさl
/2のスピンとが、超電導機構と密接に関係しているの
ものと推測されている。
ついては、また完全には明らかにはされていないが、銅
と酸素とか形成する2次元面とCu2+のもつ大きさl
/2のスピンとが、超電導機構と密接に関係しているの
ものと推測されている。
一方、チタンを含む酸化物のうちいくつかのものは、高
い導電性を示す二とか知られており、各種電極材料や配
線材料としての応用か期待されていると共に、Ti”も
Cu2′″と同様に大きさ1/2のスピンをもつため、
上記した銅を含む酸化物が超電導性を示す理由に基づく
と、チタンを含む酸化物も超電導体となる可能性がある
ことからも実用化が期待されている。
い導電性を示す二とか知られており、各種電極材料や配
線材料としての応用か期待されていると共に、Ti”も
Cu2′″と同様に大きさ1/2のスピンをもつため、
上記した銅を含む酸化物が超電導性を示す理由に基づく
と、チタンを含む酸化物も超電導体となる可能性がある
ことからも実用化が期待されている。
このようなチタンを含む酸化物としては、TiO2、T
i203等が金属−絶縁体転移およびそれに伴う磁気転
移を示す典型的な物質として知られている。しかし、上
記した各酸化チタンにおいては、チタンと酸素とは2次
元面を形成せず、また超電導性も示さない。
i203等が金属−絶縁体転移およびそれに伴う磁気転
移を示す典型的な物質として知られている。しかし、上
記した各酸化チタンにおいては、チタンと酸素とは2次
元面を形成せず、また超電導性も示さない。
一方、チタンと酸素とか2次元面を形成する酸化物とし
てSr2 Tjo 4が知られており、上述したような
理由から興味ある特性を示すことが期待されている。し
かし、上記組成のチタンを含む酸化物は、室温における
電気抵抗が10−2Ω印以上あり、このままでは電極材
料や配線材料等としては利用できず、また金属−絶縁体
転移や磁気転移、超電導転移も見出だされていない。
てSr2 Tjo 4が知られており、上述したような
理由から興味ある特性を示すことが期待されている。し
かし、上記組成のチタンを含む酸化物は、室温における
電気抵抗が10−2Ω印以上あり、このままでは電極材
料や配線材料等としては利用できず、また金属−絶縁体
転移や磁気転移、超電導転移も見出だされていない。
(発明が解決しようとする課題)
チタンを含む酸化物は、銅を含む酸化物と比べて軽量で
あること等から、応用上非常に有望な材料として期待さ
れている。特に、上記5r2Ti04で表される酸化物
は、チタンと酸素が2次元面を形成するため、銅を含む
酸化物との類推から超電導になる可能性があり、その応
用が期待されているが、この物質の室温における電気伝
導度は、上述したように100Ω−’0111−’以下
とあまり高くなく、また金属−絶縁体転移や磁気転移、
超電導転移等も見付かっておらず、このままでは実用上
有用とは言いかたい。
あること等から、応用上非常に有望な材料として期待さ
れている。特に、上記5r2Ti04で表される酸化物
は、チタンと酸素が2次元面を形成するため、銅を含む
酸化物との類推から超電導になる可能性があり、その応
用が期待されているが、この物質の室温における電気伝
導度は、上述したように100Ω−’0111−’以下
とあまり高くなく、また金属−絶縁体転移や磁気転移、
超電導転移等も見付かっておらず、このままでは実用上
有用とは言いかたい。
本発明は、二のような課題に対処するためになされたも
のであり、チタンと酸素との2次元面を有すると共に、
導電性に優れ、かつ超電導を含めた電気・磁気特性を大
幅かつ容易に制御可能としたチタンを含む導電性酸化物
を提供することを目的とするものである。
のであり、チタンと酸素との2次元面を有すると共に、
導電性に優れ、かつ超電導を含めた電気・磁気特性を大
幅かつ容易に制御可能としたチタンを含む導電性酸化物
を提供することを目的とするものである。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明における第1の導電性酸化物は、Bi、T1およ
びPbから選ばれた少なくとも 1種の元素と、AE元
素(AEはBa5CaおよびSrから選ばれた少なくと
も 1種の元素を示す)およびRE元素(REはLa。
びPbから選ばれた少なくとも 1種の元素と、AE元
素(AEはBa5CaおよびSrから選ばれた少なくと
も 1種の元素を示す)およびRE元素(REはLa。
Ce、 Pr、 Nd、 !111m、Eu5Gd、
Tb、、Dy、、HoおよびErから選ばれた少なくと
も 1種の元素を示す)と、Tlとを構成成分とし、層
状ペロブスカイト構造を有することを特徴とするもので
ある。
Tb、、Dy、、HoおよびErから選ばれた少なくと
も 1種の元素を示す)と、Tlとを構成成分とし、層
状ペロブスカイト構造を有することを特徴とするもので
ある。
また、第2の導電性酸化物は、Bi%T1、Pbおよび
希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素と、A
E元素(AEはBa5CaおよびSrから選ばれた少な
くとも 1種の元素を示す)およびへ元素(AはLi、
Na、 K 、 RbおよびCsから選ばれた少なく
とも1種の元素を示す)と、Tjとを構成成分とし、層
状ペロブスカイト構造を有することを特徴とするもので
ある。
希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素と、A
E元素(AEはBa5CaおよびSrから選ばれた少な
くとも 1種の元素を示す)およびへ元素(AはLi、
Na、 K 、 RbおよびCsから選ばれた少なく
とも1種の元素を示す)と、Tjとを構成成分とし、層
状ペロブスカイト構造を有することを特徴とするもので
ある。
さらに、第3の導電性酸化物は、B15Tl、Pbおよ
び希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素と、
AE元素(AEはBa、 CaおよびSrから選ばれた
少なくとも 1種の元素を示す)と、T1およびX元素
(MはC「、AlおよびYから選ばれた少なくとも1種
の元素を示す)とを構成成分とし、層状ペロブスカイト
構造を有することを特徴゛とするものである。
び希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素と、
AE元素(AEはBa、 CaおよびSrから選ばれた
少なくとも 1種の元素を示す)と、T1およびX元素
(MはC「、AlおよびYから選ばれた少なくとも1種
の元素を示す)とを構成成分とし、層状ペロブスカイト
構造を有することを特徴゛とするものである。
またさらに、第4の導電性酸化物は、B15Tl、Pb
および希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素
と、AE元素(AEはBa、 CaおよびSrから選ば
れた少なくとも 1種の元素を示す)と、Tiと、X元
素(XはP、 ClおよびSから選ばれた少なくとも
1種の元素を示す)とを構成“成分とし、層状ペロブス
カイト構造を有することを特徴とする特許である。
および希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素
と、AE元素(AEはBa、 CaおよびSrから選ば
れた少なくとも 1種の元素を示す)と、Tiと、X元
素(XはP、 ClおよびSから選ばれた少なくとも
1種の元素を示す)とを構成“成分とし、層状ペロブス
カイト構造を有することを特徴とする特許である。
本発明の導電性酸化物の具体的な組成例としては、例え
ば以下に示すような化学式か例示される。
ば以下に示すような化学式か例示される。
第1の導電性酸化物の具体例としては、化学式0式%(
) (式中、DはB1%Tl、Pbおよび希土類元素から選
ばれた少なくとも 1種の元素を示し、口は正の整数を
、aはO< a≦0,5を満足する数を示す。δは酸
素欠損を表し、製造条件等により変動するものである。
) (式中、DはB1%Tl、Pbおよび希土類元素から選
ばれた少なくとも 1種の元素を示し、口は正の整数を
、aはO< a≦0,5を満足する数を示す。δは酸
素欠損を表し、製造条件等により変動するものである。
以下同じ)
で実質的に表されるものが挙げられる。上記(1)式お
よび(II)式におけるaの値が0では効果がなく、0
.5より大きいと半導体となる。
よび(II)式におけるaの値が0では効果がなく、0
.5より大きいと半導体となる。
第2の導電性酸化物の具体例としては、化学式0式%(
) (式中、bはo< b≦0.3を満足する数を示す)で
実質的に表されるものが挙げられる。上記(m)式およ
び(IV)式におけるbの値が0では効果がなく、0.
3より大きいと半導体となる。
) (式中、bはo< b≦0.3を満足する数を示す)で
実質的に表されるものが挙げられる。上記(m)式およ
び(IV)式におけるbの値が0では効果がなく、0.
3より大きいと半導体となる。
第3の導電性酸化物の具体例としては、化学式0式%(
) (式中、CはO< c≦0.3を満足する数を示す)
で実質的に表されるものか挙げられる。上記(V)式お
よび(VI)式におけるCの値が0では効果がなく、0
.3より大きいと半導体となる。なお、上記(V)式お
よび(Vl)式中のH元素として、■を用いてもよい。
) (式中、CはO< c≦0.3を満足する数を示す)
で実質的に表されるものか挙げられる。上記(V)式お
よび(VI)式におけるCの値が0では効果がなく、0
.3より大きいと半導体となる。なお、上記(V)式お
よび(Vl)式中のH元素として、■を用いてもよい。
第4の導電性酸化物の具体例としては、化学式0式%(
) (式中、dはO< d≦0.3を満足する数を示す)で
実質的に表されるものが挙げられる。上記(■)式およ
び(■)式におけるdの値が0では効果がなく、0.3
より大きいと半導体となる。
) (式中、dはO< d≦0.3を満足する数を示す)で
実質的に表されるものが挙げられる。上記(■)式およ
び(■)式におけるdの値が0では効果がなく、0.3
より大きいと半導体となる。
上記(I)式〜(■)式におけるnは正の整数を表し、
特に限定されるものではないが、製造上nはL 2.
3程度が実用的である。また、酸素数は使用元素等によ
って変動する。
特に限定されるものではないが、製造上nはL 2.
3程度が実用的である。また、酸素数は使用元素等によ
って変動する。
また、a、 b、 cおよびdて表されるRE、
A。
A。
MまたはXによる置換量を0からその上限値まで変化さ
せるにつれて、n−1では室温において反強磁性相関を
もつ半導体的伝導から金属的伝導へと移行し、n−2,
3では室温において金属的伝導を示し、その伝導度は置
換量の増加と共に急激に増大する。なお上記各式におい
て、nが1の場合にはに2 N1F4構造、nが2の
場合にはSra Ti2 0?構造というように、それ
ぞれ層状ペロブスカイト構造をとるものである。
せるにつれて、n−1では室温において反強磁性相関を
もつ半導体的伝導から金属的伝導へと移行し、n−2,
3では室温において金属的伝導を示し、その伝導度は置
換量の増加と共に急激に増大する。なお上記各式におい
て、nが1の場合にはに2 N1F4構造、nが2の
場合にはSra Ti2 0?構造というように、それ
ぞれ層状ペロブスカイト構造をとるものである。
また、a、 b、 eおよびdで表されるRE、
A。
A。
HまたはXによる置換量は、それぞれ上記範囲内であれ
ば本発明の効果が得られるが、例えばCl)式および(
n)式においてはaを0.05〜0.3の範囲、(m)
式および(IV)式においてはbを0.05〜0.2の
範囲、(V)式および(Vl)式においてはCを0.0
3〜0.1の範囲、(■)式および(■)式においては
dを0.02〜1.0の範囲とすることによって、超電
導性を付与することができる。
ば本発明の効果が得られるが、例えばCl)式および(
n)式においてはaを0.05〜0.3の範囲、(m)
式および(IV)式においてはbを0.05〜0.2の
範囲、(V)式および(Vl)式においてはCを0.0
3〜0.1の範囲、(■)式および(■)式においては
dを0.02〜1.0の範囲とすることによって、超電
導性を付与することができる。
本発明の導電性酸化物は、例えば以下に示す製造方法に
より得ることができる。
より得ることができる。
まず、Bi、 Sr、 La5Rb、 Ti、 Cr、
F等の目的とする導電性酸化物の構成元素を、所定
のモル比で十分に混合して原料組成物を調整する。混合
の際には、Bi203 、SrCO3、La20 g
、 Rb2 CO3。
F等の目的とする導電性酸化物の構成元素を、所定
のモル比で十分に混合して原料組成物を調整する。混合
の際には、Bi203 、SrCO3、La20 g
、 Rb2 CO3。
Ti2O3等の酸化物や炭酸塩等を出発原料として用い
ることかできる。また、X元素を使用する際には、Sr
P 2のような酸化物の構成金属元素のX化物を用いる
ことかできる。上述したような各出発原料は、基本的に
は上記各式のいずれかの原子比を満足するように混合す
るが、製造条件等との関係で10%程度ずれていても差
支えない。
ることかできる。また、X元素を使用する際には、Sr
P 2のような酸化物の構成金属元素のX化物を用いる
ことかできる。上述したような各出発原料は、基本的に
は上記各式のいずれかの原子比を満足するように混合す
るが、製造条件等との関係で10%程度ずれていても差
支えない。
次いで、上記原料組成物に対して、不活性ガス雰囲気中
や還元性雰囲気中にて800℃〜1600℃、好ましく
は800℃〜1200℃程度の温度で熱処理を施し、目
的とする酸化物を合成する。
や還元性雰囲気中にて800℃〜1600℃、好ましく
は800℃〜1200℃程度の温度で熱処理を施し、目
的とする酸化物を合成する。
また、導電性酸化物の均一化のために、上記熱処理によ
って合成した試料の粉砕と、還元性雰囲気中における9
00℃〜1200℃での10〜200時間の熱処理とを
繰返し行ってもよい。
って合成した試料の粉砕と、還元性雰囲気中における9
00℃〜1200℃での10〜200時間の熱処理とを
繰返し行ってもよい。
(作 用)
本発明の導電性酸化物においては、AE元素の一部を上
記RE元素や上記へ元素で置換することにより、さらに
はOの一部を上記X元素で置換することにより、電子ド
ープもしくはホールドープを行っている。また、T1の
一部を8元素で置換することにより、金属的導電性を付
与している。T1の酸化物におけるCr等の添加は、T
i203における金属−絶縁体転移にも見られるように
、系の電子構造を変化させることか知られている。これ
らにより系のキャリア濃度が増加し、導電性の向上が図
れ、さらには超電導性を付与することが可能となる。
記RE元素や上記へ元素で置換することにより、さらに
はOの一部を上記X元素で置換することにより、電子ド
ープもしくはホールドープを行っている。また、T1の
一部を8元素で置換することにより、金属的導電性を付
与している。T1の酸化物におけるCr等の添加は、T
i203における金属−絶縁体転移にも見られるように
、系の電子構造を変化させることか知られている。これ
らにより系のキャリア濃度が増加し、導電性の向上が図
れ、さらには超電導性を付与することが可能となる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例l
Bi2O3粉末、SrCO3粉末、La203粉末およ
び71203粉末を、原子比でBi:Sr:La:Ti
=2:1.8:0.2+1となるように所定量坪量し、
充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて110
0℃×24時間の条件で熱処理を施し、Bi2Sr+、
s Lao、 2 Ti08−6て表される試料を合
成した。
び71203粉末を、原子比でBi:Sr:La:Ti
=2:1.8:0.2+1となるように所定量坪量し、
充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて110
0℃×24時間の条件で熱処理を施し、Bi2Sr+、
s Lao、 2 Ti08−6て表される試料を合
成した。
このようにして得た上記試料の電気抵抗および磁化率の
測定を行った。電気抵抗は、室温で10−4Ω印で、温
度の低下と共に減少し、低温で急激に減少して約12に
で消失した。また、磁化率測定では、低温で反磁性を示
した。
測定を行った。電気抵抗は、室温で10−4Ω印で、温
度の低下と共に減少し、低温で急激に減少して約12に
で消失した。また、磁化率測定では、低温で反磁性を示
した。
実施例2
Bi203粉末、SrCO3粉末、La203粉末およ
びTi203粉末を、原子比でBi :Sr:La:T
i−2:2.7:0.3:2となるように所定量坪量し
、充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて11
00℃X24時間の条件で熱処理を施し、Bi2 Sr
2.7 Lao、 3 Ti20.1−aで表される試
料を合成した。
びTi203粉末を、原子比でBi :Sr:La:T
i−2:2.7:0.3:2となるように所定量坪量し
、充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて11
00℃X24時間の条件で熱処理を施し、Bi2 Sr
2.7 Lao、 3 Ti20.1−aで表される試
料を合成した。
この試料についても実施例1と同様な測定を行ったとこ
ろ、電気抵抗は2X 10−’Ωcm(室温)を示し、
低温で急激に減少して約8にで消失した。磁化率も同様
に低温で負の値を示した。
ろ、電気抵抗は2X 10−’Ωcm(室温)を示し、
低温で急激に減少して約8にで消失した。磁化率も同様
に低温で負の値を示した。
実施例3
Bi203粉末、5rC(h粉末、Ti203粉末およ
びC「203粉末を、原子比でBi:Sr:Tj:Cr
−2:2:0.95:0.05となるように所定量坪量
し、充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて1
150℃×24時間の条件で熱処理を施し、Biz 5
r2Tjo、 95Cro、os 0s−aで表される
試料を合成した。
びC「203粉末を、原子比でBi:Sr:Tj:Cr
−2:2:0.95:0.05となるように所定量坪量
し、充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて1
150℃×24時間の条件で熱処理を施し、Biz 5
r2Tjo、 95Cro、os 0s−aで表される
試料を合成した。
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は10−4Ωc+n(室温)を示し、低
温で急激に減少して約6にで消失した。磁化率も同様に
低温で負の値を示した。
ころ、電気抵抗は10−4Ωc+n(室温)を示し、低
温で急激に減少して約6にで消失した。磁化率も同様に
低温で負の値を示した。
実施例4
Bi203粉末、SrCO3粉末、Ti2O3粉末およ
びCr2O3粉末を、原子比でBi:Sr:Ti:Cr
−2:3:1.9:0.1となるように所定量坪量し、
充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて120
0℃×24時間の条件で熱処理を施し、B1□Sri
Ti+9Cro、+ 0z−6で表される試料を合成
した。
びCr2O3粉末を、原子比でBi:Sr:Ti:Cr
−2:3:1.9:0.1となるように所定量坪量し、
充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて120
0℃×24時間の条件で熱処理を施し、B1□Sri
Ti+9Cro、+ 0z−6で表される試料を合成
した。
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は2X 10−’ΩC1l+(室温)を
示し、低温で急激に減少して約10にで消失した。
ころ、電気抵抗は2X 10−’ΩC1l+(室温)を
示し、低温で急激に減少して約10にで消失した。
磁化率も同様に低温で負の値を示した。
実施例5
Bi203粉末、SrCO3粉末、Ti2O3粉末およ
びSrF2粉末を、原子比でBj:Sr:Ti−2:2
:lとなるように所定量坪量し、充分に混合した後、こ
の混合粉に水素気流中にて1200℃×24時間の条件
で熱処理を施し、Bi25r2Ti 07.8−J
Fo、2で表される試料を合成した。
びSrF2粉末を、原子比でBj:Sr:Ti−2:2
:lとなるように所定量坪量し、充分に混合した後、こ
の混合粉に水素気流中にて1200℃×24時間の条件
で熱処理を施し、Bi25r2Ti 07.8−J
Fo、2で表される試料を合成した。
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は10−’Ωcm(室温)を示し、低温
で急激に減少して約12にで消失した。磁化率も同様に
低温で負の値を示した。
ころ、電気抵抗は10−’Ωcm(室温)を示し、低温
で急激に減少して約12にで消失した。磁化率も同様に
低温で負の値を示した。
実施例6
Bi2Sri Ti20+o、5−6F0.2で表され
る組成を有する試料を、実施例5と同様にして合成した
。
る組成を有する試料を、実施例5と同様にして合成した
。
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は2X 10−’ΩcII+(室温)を
示し、低温で急激に減少して約12にで消失した。
ころ、電気抵抗は2X 10−’ΩcII+(室温)を
示し、低温で急激に減少して約12にで消失した。
磁化率も同様に低温で負の値を示した。
実施例7
Bi2O3粉末、SrCO3粉末およびTi2O3粉末
を、原子比でBi:Sr:Ti=2:3:2となるよう
に所定量秤量し、さらにSrに対してlomo1%のR
bを添加した。
を、原子比でBi:Sr:Ti=2:3:2となるよう
に所定量秤量し、さらにSrに対してlomo1%のR
bを添加した。
次いで、この原料組成物を十分に混合した後、A「雰囲
気中にて1400℃× 2時間の条件で熱処理を行った
。
気中にて1400℃× 2時間の条件で熱処理を行った
。
次に、上記熱処理体を粉砕し石英アンプル中に真空封入
し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕と
熱処理とを繰返し行って、Bi25r29Rbo、+
Ti20□1〜6で表される試料を合成した。
し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕と
熱処理とを繰返し行って、Bi25r29Rbo、+
Ti20□1〜6で表される試料を合成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約1
01Ωmであった。また、温度を下げながらこの物質の
電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して減
少していき、約10Kにおいて超電導体となった。また
、この温度においてマイスナー効果も確認された。
01Ωmであった。また、温度を下げながらこの物質の
電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して減
少していき、約10Kにおいて超電導体となった。また
、この温度においてマイスナー効果も確認された。
実施例8
Bi203粉末、5rC(h粉末およびTi2O3粉末
を、原子比でBi:Sr:Ti−2:3:2となるよう
に所定量秤量し、さらにT1に対して5io1%の■を
■203の形て添加した。次いで、この原料組成物を十
分に混合した後、Ar雰囲気中にて1400℃× 2時
間の条件で熱処理を行った。
を、原子比でBi:Sr:Ti−2:3:2となるよう
に所定量秤量し、さらにT1に対して5io1%の■を
■203の形て添加した。次いで、この原料組成物を十
分に混合した後、Ar雰囲気中にて1400℃× 2時
間の条件で熱処理を行った。
次に、上記熱処理体を粉砕し、石英アンプル中に真空封
入し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、Bi2Sr。
入し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、Bi2Sr。
Ti+、5Vo、os O□1−6で表される試料を合
成した。
成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約1
0−3Ω(至)であった。また、温度を下げながらこの
物質の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例
して減少していき、約10Kにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
0−3Ω(至)であった。また、温度を下げながらこの
物質の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例
して減少していき、約10Kにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
実施例9
Bi2Sr4Tis O+3.5−5F0.2で表さ
れる組成を有する試料を、実施例5と同様にして合成し
た。
れる組成を有する試料を、実施例5と同様にして合成し
た。
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は2X1.O−’Ωcm(室温)を示し
、低温で急激に減少して約12にで消失した。
ころ、電気抵抗は2X1.O−’Ωcm(室温)を示し
、低温で急激に減少して約12にで消失した。
磁化率も同様に低温で負の値を示した。
実施例10
Bi203粉末、5rC(h粉末およびTi2O3粉末
を、原子比で旧:Sr:Ti=2+4:3となるように
所定量秤量し、さらにSrに対してlOmo1%のRb
を添加した。
を、原子比で旧:Sr:Ti=2+4:3となるように
所定量秤量し、さらにSrに対してlOmo1%のRb
を添加した。
次いで、この原料組成物を十分に混合した後、Ar雰囲
気中にて1400℃×2時間の条件で熱処理を行った。
気中にて1400℃×2時間の条件で熱処理を行った。
次に、上記熱処理体を粉砕し石英アンプル中に真空封入
し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕と
熱処理とを繰返し行って、Bi25r3.9Rbo、+
Ti3 0□4−6で表される試料を合成した。
し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕と
熱処理とを繰返し行って、Bi25r3.9Rbo、+
Ti3 0□4−6で表される試料を合成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約1
0−3Ω国であった。また、温度を下げながらこの物質
の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して
減少していき、約10Kにおいて超電導体となった。ま
た、この温度においてマイスナー効果も確認された。
0−3Ω国であった。また、温度を下げながらこの物質
の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して
減少していき、約10Kにおいて超電導体となった。ま
た、この温度においてマイスナー効果も確認された。
実施例11
B1203粉末、5rC(h粉末およびTl2O3粉末
を、原子比でBi:Sr:Ti=2:4:3となるよう
に所定量秤量し、さらにTjに対して 5io 1%の
Vを■203の形で添加した。次いて、この原料組成
物を十分に混合した後、Ar雰囲気中にて1400℃×
2時間の条件で熱処理を行った。
を、原子比でBi:Sr:Ti=2:4:3となるよう
に所定量秤量し、さらにTjに対して 5io 1%の
Vを■203の形で添加した。次いて、この原料組成
物を十分に混合した後、Ar雰囲気中にて1400℃×
2時間の条件で熱処理を行った。
次に、上記熱処理体を粉砕し、石英アンプル中に真空封
入し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、Bi25r4Ti29s
Vo、os 0x−aで表される試料を合成した。
入し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、Bi25r4Ti29s
Vo、os 0x−aで表される試料を合成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約1
0−3Ω印であった。また、温度を下げながらこの物質
の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して
減少していき、約1. OKにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
0−3Ω印であった。また、温度を下げながらこの物質
の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して
減少していき、約1. OKにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明による導電性酸化物は、金
属的伝導を示し、さらに低温では超電導特性を示し、産
業上有益である。
属的伝導を示し、さらに低温では超電導特性を示し、産
業上有益である。
出願人 株式会社 東芝
Claims (4)
- (1)Bi、TlおよびPbから選ばれた少なくとも1
種の元素と、AE元素(AEはBa、CaおよびSrか
ら選ばれた少なくとも1種の元素を示す)およびRE元
素(REはLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd
、Tb、Dy、HoおよびErから選ばれた少なくとも
1種の元素を示す)と、Tiとを構成成分とし、層状ペ
ロブスカイト構造を有することを特徴とする導電性酸化
物。 - (2)Bi、Tl、Pbおよび希土類元素から選ばれた
少なくとも1種の元素と、AE元素(AEはBa、Ca
およびSrから選ばれた少なくとも1種の元素を示す)
およびA元素(AはLi、Na、K、RbおよびCsか
ら選ばれた少なくとも1種の元素を示す)と、Tiとを
構成成分とし、層状ペロブスカイト構造を有することを
特徴とする導電性酸化物。 - (3)Bi、Tl、Pbおよび希土類元素から選ばれた
少なくとも1種の元素と、AE元素(AEはBa、Ca
およびSrから選ばれた少なくとも1種の元素を示す)
と、TiおよびM元素(MはCr、AlおよびYから選
ばれた少なくとも1種の元素を示す)とを構成成分とし
、層状ペロブスカイト構造を有することを特徴とする導
電性酸化物。 - (4)Bi、Tl、Pbおよび希土類元素から選ばれた
少なくとも1種の元素と、AE元素(AEはBa、Ca
およびSrから選ばれた少なくとも1種の元素を示す)
と、Tiと、X元素(XはF、ClおよびSから選ばれ
た少なくとも1種の元素を示す)とを構成成分とし、層
状ペロブスカイト構造を有することを特徴とする導電性
酸化物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2259416A JPH04137406A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 導電性酸化物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2259416A JPH04137406A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 導電性酸化物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04137406A true JPH04137406A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17333806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2259416A Pending JPH04137406A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 導電性酸化物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04137406A (ja) |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2259416A patent/JPH04137406A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04137406A (ja) | 導電性酸化物 | |
JPH04137407A (ja) | 導電性酸化物 | |
JPH04130016A (ja) | 導電性酸化物 | |
JPH05503068A (ja) | バナジウムをベースとした超伝導金属酸化物 | |
JP3125021B2 (ja) | 体心立方晶系構造のビスマス希土類酸化物固溶体 | |
Shelke et al. | Open atmosphere synthesis and wide range colossal magnetoresistance in La0. 7Sr0. 3− xHgxMnO3 (0≤ x≤ 0.2) system | |
JPH01224229A (ja) | 超電導材料及びその製造方法 | |
JPH01275433A (ja) | 複合酸化物系超電導材料およびその製造方法 | |
James et al. | Preparation and properties of Ba2− xSrxSmTaO6 (x= 0–2): a group of new perovskite materials | |
JPH02221125A (ja) | 酸化物超電導体および製造方法 | |
JPH08239217A (ja) | 三斜晶系構造のビスマス希土類酸化物固溶体とその 製造方法 | |
JP2555505B2 (ja) | 金属酸化物材料 | |
JPH054819A (ja) | 導電性酸化物 | |
JPH04139023A (ja) | 酸化物超電導体 | |
JP3073229B2 (ja) | 酸化物超伝導材料の製造方法 | |
JPH0238359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
JPH01290530A (ja) | 複合酸化物系超電導材料およびその製造方法 | |
JPH01212225A (ja) | 酸化物超電導材料 | |
JP2801806B2 (ja) | 金属酸化物材料 | |
JP2859283B2 (ja) | 酸化物超電導体 | |
JPH0393626A (ja) | 酸化物超電導材料とその製造方法 | |
JPH02199024A (ja) | 酸化物超伝導体 | |
JPH03131521A (ja) | 酸化物超伝導体およびその製造方法 | |
JPH02275720A (ja) | 酸化物超伝導材料 | |
JPH01215722A (ja) | 超電導材料及びその製造方法 |