JPH04137406A - 導電性酸化物 - Google Patents

導電性酸化物

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JPH04137406A
JPH04137406A JP2259416A JP25941690A JPH04137406A JP H04137406 A JPH04137406 A JP H04137406A JP 2259416 A JP2259416 A JP 2259416A JP 25941690 A JP25941690 A JP 25941690A JP H04137406 A JPH04137406 A JP H04137406A
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JP
Japan
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powder
element selected
conductive oxide
type
perovskite structure
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Pending
Application number
JP2259416A
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English (en)
Inventor
Hiromi Nibu
丹生 ひろみ
Shin Fukushima
福島 伸
Shigenori Tanaka
成典 田中
Takeshi Ando
健 安藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、チタンを含有する導電性酸化物に関する。
(従来の技術) 近年、銅を含むペロブスカイト構造の酸化物が、高い臨
界温度を示す超電導体となることが分って以来、各所で
銅を含む酸化物超電導体の研究が活発に行われている。
このような銅を含む酸化物か高い臨界温度を示す理由に
ついては、また完全には明らかにはされていないが、銅
と酸素とか形成する2次元面とCu2+のもつ大きさl
/2のスピンとが、超電導機構と密接に関係しているの
ものと推測されている。
一方、チタンを含む酸化物のうちいくつかのものは、高
い導電性を示す二とか知られており、各種電極材料や配
線材料としての応用か期待されていると共に、Ti”も
Cu2′″と同様に大きさ1/2のスピンをもつため、
上記した銅を含む酸化物が超電導性を示す理由に基づく
と、チタンを含む酸化物も超電導体となる可能性がある
ことからも実用化が期待されている。
このようなチタンを含む酸化物としては、TiO2、T
i203等が金属−絶縁体転移およびそれに伴う磁気転
移を示す典型的な物質として知られている。しかし、上
記した各酸化チタンにおいては、チタンと酸素とは2次
元面を形成せず、また超電導性も示さない。
一方、チタンと酸素とか2次元面を形成する酸化物とし
てSr2 Tjo 4が知られており、上述したような
理由から興味ある特性を示すことが期待されている。し
かし、上記組成のチタンを含む酸化物は、室温における
電気抵抗が10−2Ω印以上あり、このままでは電極材
料や配線材料等としては利用できず、また金属−絶縁体
転移や磁気転移、超電導転移も見出だされていない。
(発明が解決しようとする課題) チタンを含む酸化物は、銅を含む酸化物と比べて軽量で
あること等から、応用上非常に有望な材料として期待さ
れている。特に、上記5r2Ti04で表される酸化物
は、チタンと酸素が2次元面を形成するため、銅を含む
酸化物との類推から超電導になる可能性があり、その応
用が期待されているが、この物質の室温における電気伝
導度は、上述したように100Ω−’0111−’以下
とあまり高くなく、また金属−絶縁体転移や磁気転移、
超電導転移等も見付かっておらず、このままでは実用上
有用とは言いかたい。
本発明は、二のような課題に対処するためになされたも
のであり、チタンと酸素との2次元面を有すると共に、
導電性に優れ、かつ超電導を含めた電気・磁気特性を大
幅かつ容易に制御可能としたチタンを含む導電性酸化物
を提供することを目的とするものである。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 本発明における第1の導電性酸化物は、Bi、T1およ
びPbから選ばれた少なくとも 1種の元素と、AE元
素(AEはBa5CaおよびSrから選ばれた少なくと
も 1種の元素を示す)およびRE元素(REはLa。
Ce、 Pr、 Nd、 !111m、Eu5Gd、 
Tb、、Dy、、HoおよびErから選ばれた少なくと
も 1種の元素を示す)と、Tlとを構成成分とし、層
状ペロブスカイト構造を有することを特徴とするもので
ある。
また、第2の導電性酸化物は、Bi%T1、Pbおよび
希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素と、A
E元素(AEはBa5CaおよびSrから選ばれた少な
くとも 1種の元素を示す)およびへ元素(AはLi、
 Na、 K 、 RbおよびCsから選ばれた少なく
とも1種の元素を示す)と、Tjとを構成成分とし、層
状ペロブスカイト構造を有することを特徴とするもので
ある。
さらに、第3の導電性酸化物は、B15Tl、Pbおよ
び希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素と、
AE元素(AEはBa、 CaおよびSrから選ばれた
少なくとも 1種の元素を示す)と、T1およびX元素
(MはC「、AlおよびYから選ばれた少なくとも1種
の元素を示す)とを構成成分とし、層状ペロブスカイト
構造を有することを特徴゛とするものである。
またさらに、第4の導電性酸化物は、B15Tl、Pb
および希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素
と、AE元素(AEはBa、 CaおよびSrから選ば
れた少なくとも 1種の元素を示す)と、Tiと、X元
素(XはP、 ClおよびSから選ばれた少なくとも 
1種の元素を示す)とを構成“成分とし、層状ペロブス
カイト構造を有することを特徴とする特許である。
本発明の導電性酸化物の具体的な組成例としては、例え
ば以下に示すような化学式か例示される。
第1の導電性酸化物の具体例としては、化学式0式%(
) (式中、DはB1%Tl、Pbおよび希土類元素から選
ばれた少なくとも 1種の元素を示し、口は正の整数を
、aはO<  a≦0,5を満足する数を示す。δは酸
素欠損を表し、製造条件等により変動するものである。
以下同じ) で実質的に表されるものが挙げられる。上記(1)式お
よび(II)式におけるaの値が0では効果がなく、0
.5より大きいと半導体となる。
第2の導電性酸化物の具体例としては、化学式0式%(
) (式中、bはo< b≦0.3を満足する数を示す)で
実質的に表されるものが挙げられる。上記(m)式およ
び(IV)式におけるbの値が0では効果がなく、0.
3より大きいと半導体となる。
第3の導電性酸化物の具体例としては、化学式0式%(
) (式中、CはO<  c≦0.3を満足する数を示す)
で実質的に表されるものか挙げられる。上記(V)式お
よび(VI)式におけるCの値が0では効果がなく、0
.3より大きいと半導体となる。なお、上記(V)式お
よび(Vl)式中のH元素として、■を用いてもよい。
第4の導電性酸化物の具体例としては、化学式0式%(
) (式中、dはO< d≦0.3を満足する数を示す)で
実質的に表されるものが挙げられる。上記(■)式およ
び(■)式におけるdの値が0では効果がなく、0.3
より大きいと半導体となる。
上記(I)式〜(■)式におけるnは正の整数を表し、
特に限定されるものではないが、製造上nはL  2.
3程度が実用的である。また、酸素数は使用元素等によ
って変動する。
また、a、  b、  cおよびdて表されるRE、 
 A。
MまたはXによる置換量を0からその上限値まで変化さ
せるにつれて、n−1では室温において反強磁性相関を
もつ半導体的伝導から金属的伝導へと移行し、n−2,
3では室温において金属的伝導を示し、その伝導度は置
換量の増加と共に急激に増大する。なお上記各式におい
て、nが1の場合にはに2  N1F4構造、nが2の
場合にはSra Ti2 0?構造というように、それ
ぞれ層状ペロブスカイト構造をとるものである。
また、a、  b、  eおよびdで表されるRE、 
 A。
HまたはXによる置換量は、それぞれ上記範囲内であれ
ば本発明の効果が得られるが、例えばCl)式および(
n)式においてはaを0.05〜0.3の範囲、(m)
式および(IV)式においてはbを0.05〜0.2の
範囲、(V)式および(Vl)式においてはCを0.0
3〜0.1の範囲、(■)式および(■)式においては
dを0.02〜1.0の範囲とすることによって、超電
導性を付与することができる。
本発明の導電性酸化物は、例えば以下に示す製造方法に
より得ることができる。
まず、Bi、 Sr、 La5Rb、 Ti、 Cr、
  F等の目的とする導電性酸化物の構成元素を、所定
のモル比で十分に混合して原料組成物を調整する。混合
の際には、Bi203 、SrCO3、La20 g 
、 Rb2 CO3。
Ti2O3等の酸化物や炭酸塩等を出発原料として用い
ることかできる。また、X元素を使用する際には、Sr
P 2のような酸化物の構成金属元素のX化物を用いる
ことかできる。上述したような各出発原料は、基本的に
は上記各式のいずれかの原子比を満足するように混合す
るが、製造条件等との関係で10%程度ずれていても差
支えない。
次いで、上記原料組成物に対して、不活性ガス雰囲気中
や還元性雰囲気中にて800℃〜1600℃、好ましく
は800℃〜1200℃程度の温度で熱処理を施し、目
的とする酸化物を合成する。
また、導電性酸化物の均一化のために、上記熱処理によ
って合成した試料の粉砕と、還元性雰囲気中における9
00℃〜1200℃での10〜200時間の熱処理とを
繰返し行ってもよい。
(作 用) 本発明の導電性酸化物においては、AE元素の一部を上
記RE元素や上記へ元素で置換することにより、さらに
はOの一部を上記X元素で置換することにより、電子ド
ープもしくはホールドープを行っている。また、T1の
一部を8元素で置換することにより、金属的導電性を付
与している。T1の酸化物におけるCr等の添加は、T
i203における金属−絶縁体転移にも見られるように
、系の電子構造を変化させることか知られている。これ
らにより系のキャリア濃度が増加し、導電性の向上が図
れ、さらには超電導性を付与することが可能となる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について説明する。
実施例l Bi2O3粉末、SrCO3粉末、La203粉末およ
び71203粉末を、原子比でBi:Sr:La:Ti
=2:1.8:0.2+1となるように所定量坪量し、
充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて110
0℃×24時間の条件で熱処理を施し、Bi2Sr+、
 s Lao、 2 Ti08−6て表される試料を合
成した。
このようにして得た上記試料の電気抵抗および磁化率の
測定を行った。電気抵抗は、室温で10−4Ω印で、温
度の低下と共に減少し、低温で急激に減少して約12に
で消失した。また、磁化率測定では、低温で反磁性を示
した。
実施例2 Bi203粉末、SrCO3粉末、La203粉末およ
びTi203粉末を、原子比でBi :Sr:La:T
i−2:2.7:0.3:2となるように所定量坪量し
、充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて11
00℃X24時間の条件で熱処理を施し、Bi2 Sr
2.7 Lao、 3 Ti20.1−aで表される試
料を合成した。
この試料についても実施例1と同様な測定を行ったとこ
ろ、電気抵抗は2X 10−’Ωcm(室温)を示し、
低温で急激に減少して約8にで消失した。磁化率も同様
に低温で負の値を示した。
実施例3 Bi203粉末、5rC(h粉末、Ti203粉末およ
びC「203粉末を、原子比でBi:Sr:Tj:Cr
−2:2:0.95:0.05となるように所定量坪量
し、充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて1
150℃×24時間の条件で熱処理を施し、Biz 5
r2Tjo、 95Cro、os 0s−aで表される
試料を合成した。
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は10−4Ωc+n(室温)を示し、低
温で急激に減少して約6にで消失した。磁化率も同様に
低温で負の値を示した。
実施例4 Bi203粉末、SrCO3粉末、Ti2O3粉末およ
びCr2O3粉末を、原子比でBi:Sr:Ti:Cr
−2:3:1.9:0.1となるように所定量坪量し、
充分に混合した後、この混合粉に水素気流中にて120
0℃×24時間の条件で熱処理を施し、B1□Sri 
Ti+9Cro、+  0z−6で表される試料を合成
した。
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は2X 10−’ΩC1l+(室温)を
示し、低温で急激に減少して約10にで消失した。
磁化率も同様に低温で負の値を示した。
実施例5 Bi203粉末、SrCO3粉末、Ti2O3粉末およ
びSrF2粉末を、原子比でBj:Sr:Ti−2:2
:lとなるように所定量坪量し、充分に混合した後、こ
の混合粉に水素気流中にて1200℃×24時間の条件
で熱処理を施し、Bi25r2Ti 07.8−J  
Fo、2で表される試料を合成した。
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は10−’Ωcm(室温)を示し、低温
で急激に減少して約12にで消失した。磁化率も同様に
低温で負の値を示した。
実施例6 Bi2Sri Ti20+o、5−6F0.2で表され
る組成を有する試料を、実施例5と同様にして合成した
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は2X 10−’ΩcII+(室温)を
示し、低温で急激に減少して約12にで消失した。
磁化率も同様に低温で負の値を示した。
実施例7 Bi2O3粉末、SrCO3粉末およびTi2O3粉末
を、原子比でBi:Sr:Ti=2:3:2となるよう
に所定量秤量し、さらにSrに対してlomo1%のR
bを添加した。
次いで、この原料組成物を十分に混合した後、A「雰囲
気中にて1400℃× 2時間の条件で熱処理を行った
次に、上記熱処理体を粉砕し石英アンプル中に真空封入
し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕と
熱処理とを繰返し行って、Bi25r29Rbo、+ 
Ti20□1〜6で表される試料を合成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約1
01Ωmであった。また、温度を下げながらこの物質の
電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して減
少していき、約10Kにおいて超電導体となった。また
、この温度においてマイスナー効果も確認された。
実施例8 Bi203粉末、5rC(h粉末およびTi2O3粉末
を、原子比でBi:Sr:Ti−2:3:2となるよう
に所定量秤量し、さらにT1に対して5io1%の■を
■203の形て添加した。次いで、この原料組成物を十
分に混合した後、Ar雰囲気中にて1400℃× 2時
間の条件で熱処理を行った。
次に、上記熱処理体を粉砕し、石英アンプル中に真空封
入し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、Bi2Sr。
Ti+、5Vo、os O□1−6で表される試料を合
成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約1
0−3Ω(至)であった。また、温度を下げながらこの
物質の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例
して減少していき、約10Kにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
実施例9 Bi2Sr4Tis  O+3.5−5F0.2で表さ
れる組成を有する試料を、実施例5と同様にして合成し
た。
この試料についても、実施例1と同様な測定を行ったと
ころ、電気抵抗は2X1.O−’Ωcm(室温)を示し
、低温で急激に減少して約12にで消失した。
磁化率も同様に低温で負の値を示した。
実施例10 Bi203粉末、5rC(h粉末およびTi2O3粉末
を、原子比で旧:Sr:Ti=2+4:3となるように
所定量秤量し、さらにSrに対してlOmo1%のRb
を添加した。
次いで、この原料組成物を十分に混合した後、Ar雰囲
気中にて1400℃×2時間の条件で熱処理を行った。
次に、上記熱処理体を粉砕し石英アンプル中に真空封入
し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕と
熱処理とを繰返し行って、Bi25r3.9Rbo、+
 Ti3 0□4−6で表される試料を合成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約1
0−3Ω国であった。また、温度を下げながらこの物質
の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して
減少していき、約10Kにおいて超電導体となった。ま
た、この温度においてマイスナー効果も確認された。
実施例11 B1203粉末、5rC(h粉末およびTl2O3粉末
を、原子比でBi:Sr:Ti=2:4:3となるよう
に所定量秤量し、さらにTjに対して 5io 1%の
 Vを■203の形で添加した。次いて、この原料組成
物を十分に混合した後、Ar雰囲気中にて1400℃×
 2時間の条件で熱処理を行った。
次に、上記熱処理体を粉砕し、石英アンプル中に真空封
入し、1050℃、80時間の熱処理を行い、上記粉砕
と熱処理とを繰返し行って、Bi25r4Ti29s 
Vo、os 0x−aで表される試料を合成した。
得られた試料の電気抵抗を室温で測定したところ、約1
0−3Ω印であった。また、温度を下げながらこの物質
の電気抵抗を測ったところ、抵抗は温度にほぼ比例して
減少していき、約1. OKにおいて超電導体となった
。また、この温度においてマイスナー効果も確認された
[発明の効果] 以上説明したように、本発明による導電性酸化物は、金
属的伝導を示し、さらに低温では超電導特性を示し、産
業上有益である。
出願人      株式会社 東芝

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Bi、TlおよびPbから選ばれた少なくとも1
    種の元素と、AE元素(AEはBa、CaおよびSrか
    ら選ばれた少なくとも1種の元素を示す)およびRE元
    素(REはLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd
    、Tb、Dy、HoおよびErから選ばれた少なくとも
    1種の元素を示す)と、Tiとを構成成分とし、層状ペ
    ロブスカイト構造を有することを特徴とする導電性酸化
    物。
  2. (2)Bi、Tl、Pbおよび希土類元素から選ばれた
    少なくとも1種の元素と、AE元素(AEはBa、Ca
    およびSrから選ばれた少なくとも1種の元素を示す)
    およびA元素(AはLi、Na、K、RbおよびCsか
    ら選ばれた少なくとも1種の元素を示す)と、Tiとを
    構成成分とし、層状ペロブスカイト構造を有することを
    特徴とする導電性酸化物。
  3. (3)Bi、Tl、Pbおよび希土類元素から選ばれた
    少なくとも1種の元素と、AE元素(AEはBa、Ca
    およびSrから選ばれた少なくとも1種の元素を示す)
    と、TiおよびM元素(MはCr、AlおよびYから選
    ばれた少なくとも1種の元素を示す)とを構成成分とし
    、層状ペロブスカイト構造を有することを特徴とする導
    電性酸化物。
  4. (4)Bi、Tl、Pbおよび希土類元素から選ばれた
    少なくとも1種の元素と、AE元素(AEはBa、Ca
    およびSrから選ばれた少なくとも1種の元素を示す)
    と、Tiと、X元素(XはF、ClおよびSから選ばれ
    た少なくとも1種の元素を示す)とを構成成分とし、層
    状ペロブスカイト構造を有することを特徴とする導電性
    酸化物。
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