JP2909349B2 - 絶縁膜が形成されたナノ結晶軟磁性合金薄帯および磁心ならびにパルス発生装置、レーザ装置、加速器 - Google Patents
絶縁膜が形成されたナノ結晶軟磁性合金薄帯および磁心ならびにパルス発生装置、レーザ装置、加速器Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエキシマレーザ、ＴＥＡ
(Transversely Excited Atmospheric)-ＣＯ2レーサ゛、TEMA(T
ransversely Excited Multi-Atmospheric)-CO2レーザあ
るいは銅蒸気レーザを始めとするレーザ装置などに用い
られる高電圧パルス発生装置に使用される可飽和リアク
トル、可飽和トランス、トランスあるいは中性粒子ビー
ム入射装置に用いられるサージブロッカーなどのサージ
吸収用素子のように磁化速度△Ｂ／τが０.１〜１００
Ｔ／μｓ程度で動作される磁性部品に使用される軟磁性
合金薄帯およびこれを用いた磁心ならびにこの磁心を用
いたパルス発生装置、レーザ装置、加速器に関するもの
である。
(Transversely Excited Atmospheric)-ＣＯ2レーサ゛、TEMA(T
ransversely Excited Multi-Atmospheric)-CO2レーザあ
るいは銅蒸気レーザを始めとするレーザ装置などに用い
られる高電圧パルス発生装置に使用される可飽和リアク
トル、可飽和トランス、トランスあるいは中性粒子ビー
ム入射装置に用いられるサージブロッカーなどのサージ
吸収用素子のように磁化速度△Ｂ／τが０.１〜１００
Ｔ／μｓ程度で動作される磁性部品に使用される軟磁性
合金薄帯およびこれを用いた磁心ならびにこの磁心を用
いたパルス発生装置、レーザ装置、加速器に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】エキシマレーザ、ＴＥＡ−ＣＯ2レー
ザ、ＴＥＭＡ−ＣＯ2レーザあるいは銅蒸気レーザなど
のレーザ装置あるいは線形誘導加速器などの加速器で
は、一般に、コンデンサに蓄積されたエネルギ−をサイ
ラトロン等の放電管スイッチ素子やサイリスタなどの半
導体スイッチ素子を用いて放電させる高繰り返し高電圧
パルス発生装置が用いられている。
ザ、ＴＥＭＡ−ＣＯ2レーザあるいは銅蒸気レーザなど
のレーザ装置あるいは線形誘導加速器などの加速器で
は、一般に、コンデンサに蓄積されたエネルギ−をサイ
ラトロン等の放電管スイッチ素子やサイリスタなどの半
導体スイッチ素子を用いて放電させる高繰り返し高電圧
パルス発生装置が用いられている。
【０００３】この高電圧パルス発生装置の大出力化、高
繰り返し化、高効率化および高信頼性化を図るには、前
記スイッチ素子の低損失化を図ることが重要であり、畑
中、河原、緑川、田代、小原、“全固体素子を用いた１
ｋＷ ＴＥＡ ＣＯ2レーザー”レーザー科学研究、No.1
3、p.49〜50(1991年)、出口、竹田、畠山、木島、藤
原、井澤、村田、山中、“全固体化電源を用いた１００
Ｗ級銅蒸気レーザの開発”電気学会論文誌Ｃ、第１１１
巻 ８号、p.307〜315(1991年)、栗原、佐藤、柴田、重
田、升方、八井、“エキシマレーザ励起用可飽和トラン
ス付磁気パルス圧縮回路の開発（２）”電気学会プラズ
マ研究会資料、EP-91-37、p.109〜117(1991年)、野末、
溝口、天田、“エキシマレーザリソグラフィー １.エ
キシマレーザー”、No.114、O pulus E、p.89〜93(1991
年)またはDaniel L. Birx、"INDUCTION LINACAS RADIATI
ON PROCESSORS",Lawrence Livermore National Laborat
oryReport, UCID-20785(1986年)などに記載されている
ように昇圧トランス、可飽和トランスあるいは可飽和リ
アクトルなどの磁性部品が用いられる。
繰り返し化、高効率化および高信頼性化を図るには、前
記スイッチ素子の低損失化を図ることが重要であり、畑
中、河原、緑川、田代、小原、“全固体素子を用いた１
ｋＷ ＴＥＡ ＣＯ2レーザー”レーザー科学研究、No.1
3、p.49〜50(1991年)、出口、竹田、畠山、木島、藤
原、井澤、村田、山中、“全固体化電源を用いた１００
Ｗ級銅蒸気レーザの開発”電気学会論文誌Ｃ、第１１１
巻 ８号、p.307〜315(1991年)、栗原、佐藤、柴田、重
田、升方、八井、“エキシマレーザ励起用可飽和トラン
ス付磁気パルス圧縮回路の開発（２）”電気学会プラズ
マ研究会資料、EP-91-37、p.109〜117(1991年)、野末、
溝口、天田、“エキシマレーザリソグラフィー １.エ
キシマレーザー”、No.114、O pulus E、p.89〜93(1991
年)またはDaniel L. Birx、"INDUCTION LINACAS RADIATI
ON PROCESSORS",Lawrence Livermore National Laborat
oryReport, UCID-20785(1986年)などに記載されている
ように昇圧トランス、可飽和トランスあるいは可飽和リ
アクトルなどの磁性部品が用いられる。
【０００４】また、前記線形誘導加速器では、例えばD.
Birx, L. Reginato, D. Rogers, D.Trimble, "Inducti
on Linear Acclerator Tecnology for SDIO Applicatio
ns",Lawrence Livermore National Laboratory Report,
UCRL PREPRINT 95317 (1986年)などに記載されるよう
に電子ビームなどの荷電粒子ビームの発生あるいは加速
に磁心を利用した加速空洞が用いられる。
Birx, L. Reginato, D. Rogers, D.Trimble, "Inducti
on Linear Acclerator Tecnology for SDIO Applicatio
ns",Lawrence Livermore National Laboratory Report,
UCRL PREPRINT 95317 (1986年)などに記載されるよう
に電子ビームなどの荷電粒子ビームの発生あるいは加速
に磁心を利用した加速空洞が用いられる。
【０００５】さらに、特開平３−４８４０５に記載され
る中性粒子入射装置(Neutral BeamInjector)などのイオ
ン源では、例えば中島、平尾、渡辺、水野、“鉄基超微
結晶質合金を用いたサージブロッカー磁心の検討”、平
成３年電気学会全国大会 14-58〜59 (1991年)などに記
載されるようにサージブロッカーと呼ばれるサージ抑制
用の磁性部品が用いられる。
る中性粒子入射装置(Neutral BeamInjector)などのイオ
ン源では、例えば中島、平尾、渡辺、水野、“鉄基超微
結晶質合金を用いたサージブロッカー磁心の検討”、平
成３年電気学会全国大会 14-58〜59 (1991年)などに記
載されるようにサージブロッカーと呼ばれるサージ抑制
用の磁性部品が用いられる。
【０００６】これらの用途で用いられる磁性部品は一般
に磁心の小型化と低損失化が重要である。損失による磁
心の温度上昇を無視すれば、例えば、中島、香川、平
尾、渡部、“鉄基超微結晶質合金を用いた磁気スイッチ
磁心の動特性評価”、電気学会プラズマ研究会資料、EP
-91-13、p.1〜10(1991年)などに記載されるように、磁
心体積と損失は占積率Ｋと動作磁束密度量△Ｂの積で定
義される実効動作磁束密度量Ｋ・△Ｂの２乗に反比例す
ることが知られている。リセットエネルギーの大きさを
大とすれば△Ｂはおよそ実効飽和磁束密度Ｂmsの２倍と
なる。このため実効飽和磁束密度Ｂmsの高いFe基軟磁性
合金を用いた磁心を使用するのが好ましい。
に磁心の小型化と低損失化が重要である。損失による磁
心の温度上昇を無視すれば、例えば、中島、香川、平
尾、渡部、“鉄基超微結晶質合金を用いた磁気スイッチ
磁心の動特性評価”、電気学会プラズマ研究会資料、EP
-91-13、p.1〜10(1991年)などに記載されるように、磁
心体積と損失は占積率Ｋと動作磁束密度量△Ｂの積で定
義される実効動作磁束密度量Ｋ・△Ｂの２乗に反比例す
ることが知られている。リセットエネルギーの大きさを
大とすれば△Ｂはおよそ実効飽和磁束密度Ｂmsの２倍と
なる。このため実効飽和磁束密度Ｂmsの高いFe基軟磁性
合金を用いた磁心を使用するのが好ましい。
【０００７】しかし、これらの用途では磁化速度△Ｂ／
τが０.１〜１００Ｔ／μｓにも達するためFe基軟磁性
合金のように電気抵抗率の低い材料を用いた場合渦電流
損失による磁心の温度上昇を無視することができない。
このため、例えば特開平１−９８２０６などに記載され
るように損失にともなう磁心の温度上昇を絶縁油や絶縁
性ガスを用いて磁心の温度上昇を実用上支障のない程度
に抑えることが行われているが、磁心の渦電流損失が大
きすぎる場合には磁心の温度上昇を十分抑えることがで
きなくなるとともに、この磁心が用いられている装置の
効率が著しく低下してしまう問題がある。
τが０.１〜１００Ｔ／μｓにも達するためFe基軟磁性
合金のように電気抵抗率の低い材料を用いた場合渦電流
損失による磁心の温度上昇を無視することができない。
このため、例えば特開平１−９８２０６などに記載され
るように損失にともなう磁心の温度上昇を絶縁油や絶縁
性ガスを用いて磁心の温度上昇を実用上支障のない程度
に抑えることが行われているが、磁心の渦電流損失が大
きすぎる場合には磁心の温度上昇を十分抑えることがで
きなくなるとともに、この磁心が用いられている装置の
効率が著しく低下してしまう問題がある。
【０００８】軟磁性合金を用い渦電流損失の小さな磁心
を得るためには、軟磁性合金を薄帯とし巻磁心あるいは
積層磁心として構成する方法と軟磁性合金を粉体とし圧
粉磁心として構成する方法がある。しかし、軟磁性合金
粉体を用い圧粉磁心として構成した場合、一般にその比
透磁率は数百程度以下になってしまうため、本用途では
軟磁性合金薄帯を用いた磁心が主に用いられる。
を得るためには、軟磁性合金を薄帯とし巻磁心あるいは
積層磁心として構成する方法と軟磁性合金を粉体とし圧
粉磁心として構成する方法がある。しかし、軟磁性合金
粉体を用い圧粉磁心として構成した場合、一般にその比
透磁率は数百程度以下になってしまうため、本用途では
軟磁性合金薄帯を用いた磁心が主に用いられる。
【０００９】軟磁性合金薄帯を用いた磁心の渦電流損失
を小さくするには、その表面に絶縁膜を形成した板厚が
薄く抵抗率の高い軟磁性合金薄帯を用いて磁心を構成す
る必要があることが知られている。
を小さくするには、その表面に絶縁膜を形成した板厚が
薄く抵抗率の高い軟磁性合金薄帯を用いて磁心を構成す
る必要があることが知られている。
【００１０】このため、Carl H. Smith、 David M. Nath
asingh、 "MAGNETIC PROPERTIES OFMETALLIC GLASSES UN
DER FAST PULSE EXCITATION"、 IEEE Confarence Record
16th Power Modulator Symposium, Arlington, Virgini
a, p.240〜244(1984年)、特開昭６０−３０１０３ある
いは Carl H. Smith、 "IMPROVED AMORPHOUS METAL MATE
RIALS FOR MAGNETIC PULSE COMPRESSION"、 Sandia Nati
onal Laboratories Report、 SAND89-7095(1989年)など
に記載されように熱処理したFe基非晶質軟磁性合金薄帯
とポリエチレンテレフタレートフィルムなどの絶縁体フ
ィルムを同時に巻回した巻磁心、Fe基非晶質軟磁性合金
薄帯とポリイミドフィルムを同時に巻回し巻磁心を構成
した後に熱処理した巻磁心、熱処理したFe基非晶質軟磁
性合金にポリイミドの絶縁膜を形成した後巻回して構成
した巻磁心あるいは Fe基非晶質軟磁性合金薄帯の表面
にSiO、SiO2ありはMgOなどのセラミック絶縁膜を形成し
て構成した巻磁心が用いられていた。
asingh、 "MAGNETIC PROPERTIES OFMETALLIC GLASSES UN
DER FAST PULSE EXCITATION"、 IEEE Confarence Record
16th Power Modulator Symposium, Arlington, Virgini
a, p.240〜244(1984年)、特開昭６０−３０１０３ある
いは Carl H. Smith、 "IMPROVED AMORPHOUS METAL MATE
RIALS FOR MAGNETIC PULSE COMPRESSION"、 Sandia Nati
onal Laboratories Report、 SAND89-7095(1989年)など
に記載されように熱処理したFe基非晶質軟磁性合金薄帯
とポリエチレンテレフタレートフィルムなどの絶縁体フ
ィルムを同時に巻回した巻磁心、Fe基非晶質軟磁性合金
薄帯とポリイミドフィルムを同時に巻回し巻磁心を構成
した後に熱処理した巻磁心、熱処理したFe基非晶質軟磁
性合金にポリイミドの絶縁膜を形成した後巻回して構成
した巻磁心あるいは Fe基非晶質軟磁性合金薄帯の表面
にSiO、SiO2ありはMgOなどのセラミック絶縁膜を形成し
て構成した巻磁心が用いられていた。
【００１１】しかし、Fe基非晶質軟磁性合金薄帯の飽和
磁歪定数は２０×１０-6程度以上と大きいためMgOまた
はコロイダルシリカの絶縁膜を０.３μｍ程度塗布した
場合、あるいは蒸着法によるSiO絶縁膜を０.２μｍ形成
した場合を除き、絶縁体フィルムとともに巻き込んだ
り、絶縁膜を表面に形成したときに同Fe基非晶質軟磁性
合金薄帯に加えられる応力歪の影響でFe基非晶質軟磁性
合金薄帯そのものの持つ直流磁気特性における実効飽和
磁束密度Ｂmsあるいは実効飽和残留磁束密度Ｂrmsが低
下してしまう問題があった。
磁歪定数は２０×１０-6程度以上と大きいためMgOまた
はコロイダルシリカの絶縁膜を０.３μｍ程度塗布した
場合、あるいは蒸着法によるSiO絶縁膜を０.２μｍ形成
した場合を除き、絶縁体フィルムとともに巻き込んだ
り、絶縁膜を表面に形成したときに同Fe基非晶質軟磁性
合金薄帯に加えられる応力歪の影響でFe基非晶質軟磁性
合金薄帯そのものの持つ直流磁気特性における実効飽和
磁束密度Ｂmsあるいは実効飽和残留磁束密度Ｂrmsが低
下してしまう問題があった。
【００１２】一方、前記MgOまたはコロイダルシリカの
絶縁膜を０.３μｍ程度塗布したFe基非晶質軟磁性合金
薄帯あるいは蒸着法によるSiO絶縁膜を０.２μｍ程度形
成したFe基非晶質軟磁性合金薄帯は、磁化速度△Ｂ／τ
が０.１〜１００Ｔ／μｓ程度の動作条件ではその絶縁
特性が十分でないことが知られている。
絶縁膜を０.３μｍ程度塗布したFe基非晶質軟磁性合金
薄帯あるいは蒸着法によるSiO絶縁膜を０.２μｍ程度形
成したFe基非晶質軟磁性合金薄帯は、磁化速度△Ｂ／τ
が０.１〜１００Ｔ／μｓ程度の動作条件ではその絶縁
特性が十分でないことが知られている。
【００１３】前記MgOまたはコロイダルシリカの絶縁膜
を０.３μｍ程度塗布したFe基非晶質軟磁性合金薄帯の
絶縁特性を向上させるため絶縁膜の厚みを厚くするとFe
基非晶質軟磁性合金薄帯と同絶縁膜の結合強度が弱くて
実用上支障をきたす問題があり、蒸着法によるSiO絶縁
膜を０.２μｍ形成したFe基非晶質軟磁性合金薄帯の場
合には絶縁特性を向上させるため絶縁膜の厚みを厚くす
るのは生産効率の点から問題があった。これに対し特開
昭６３−３０２５０４号あるいは特開平３−２０４４４
号に記載されるようなナノ結晶軟磁性合金薄帯の飽和磁
歪定数の絶対値はFe基非晶質軟磁性合金薄帯の飽和磁歪
定数の絶対値に比べて１桁以上小さい。このため特開平
２−２９７９０３号に記載されるようなシラノールオリ
ゴマーとセラミック微粒子の混合物からなる膜を加熱し
前記シラノールオリゴマーを架橋させたセラミック絶縁
膜を形成して層間絶縁したナノ結晶軟磁性合金磁心は、
例えば、中島、香川、平尾、渡部、“鉄基超微結晶質合
金を用いた磁気スイッチ磁心の動特性評価”、電気学会
プラズマ研究会資料、EP-91-13、p.1〜10(1991年) ある
いは中島、荒川、山下、志甫、“線形誘導加速器用鉄基
超微結晶軟磁性合金「ファインメット」磁心”、2nd TO
PICAL MEETING ON FEL AND HIGH POWER RADIATION、p.1
36〜151(1992年) などに示されるように、その直流磁気
特性がナノ結晶軟磁性合金薄帯そのものの持つ直流磁気
特性とほとんど同一で、磁化速度△Ｂ／τが数十Ｔ／μ
ｓ程度以上で動作させたときの磁心損失も前記特開昭６
０−３０１０３号に記載される手法で製作したFe基非晶
質軟磁性合金薄帯を用いた巻磁心より大幅に少ないこと
が知られている。
を０.３μｍ程度塗布したFe基非晶質軟磁性合金薄帯の
絶縁特性を向上させるため絶縁膜の厚みを厚くするとFe
基非晶質軟磁性合金薄帯と同絶縁膜の結合強度が弱くて
実用上支障をきたす問題があり、蒸着法によるSiO絶縁
膜を０.２μｍ形成したFe基非晶質軟磁性合金薄帯の場
合には絶縁特性を向上させるため絶縁膜の厚みを厚くす
るのは生産効率の点から問題があった。これに対し特開
昭６３−３０２５０４号あるいは特開平３−２０４４４
号に記載されるようなナノ結晶軟磁性合金薄帯の飽和磁
歪定数の絶対値はFe基非晶質軟磁性合金薄帯の飽和磁歪
定数の絶対値に比べて１桁以上小さい。このため特開平
２−２９７９０３号に記載されるようなシラノールオリ
ゴマーとセラミック微粒子の混合物からなる膜を加熱し
前記シラノールオリゴマーを架橋させたセラミック絶縁
膜を形成して層間絶縁したナノ結晶軟磁性合金磁心は、
例えば、中島、香川、平尾、渡部、“鉄基超微結晶質合
金を用いた磁気スイッチ磁心の動特性評価”、電気学会
プラズマ研究会資料、EP-91-13、p.1〜10(1991年) ある
いは中島、荒川、山下、志甫、“線形誘導加速器用鉄基
超微結晶軟磁性合金「ファインメット」磁心”、2nd TO
PICAL MEETING ON FEL AND HIGH POWER RADIATION、p.1
36〜151(1992年) などに示されるように、その直流磁気
特性がナノ結晶軟磁性合金薄帯そのものの持つ直流磁気
特性とほとんど同一で、磁化速度△Ｂ／τが数十Ｔ／μ
ｓ程度以上で動作させたときの磁心損失も前記特開昭６
０−３０１０３号に記載される手法で製作したFe基非晶
質軟磁性合金薄帯を用いた巻磁心より大幅に少ないこと
が知られている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに前記特開平２
−２９７９０３号に記載される従来技術によるナノ結晶
軟磁性合金薄帯を用いセラッミク絶縁膜による層間絶縁
を行った巻磁心では以下のような問題がある。
−２９７９０３号に記載される従来技術によるナノ結晶
軟磁性合金薄帯を用いセラッミク絶縁膜による層間絶縁
を行った巻磁心では以下のような問題がある。
【００１５】レーザ装置、加速器あるいはサージブロッ
カーで使用される磁心は通常０.１〜１００Ｔ／μｓ程
度の磁化速度△Ｂ／τで動作する。幅Ｗが２５ｍｍ、質
量測定法による板厚ｔが２０μｍの軟磁性合金薄帯を用
い巻磁心を構成し、この巻磁心の動作磁束密度量△Ｂが
２.５Ｔ、磁化速度△Ｂ／τが５０Ｔ／μｓ一定で動作
させたとき、巻磁心を構成する軟磁性合金薄帯の各層に
均一に電圧が誘起すると仮定すれば、この巻磁心の層間
に誘起する層間電圧の波高値Ｖpは（１）式から２５Ｖ
／層となる。
カーで使用される磁心は通常０.１〜１００Ｔ／μｓ程
度の磁化速度△Ｂ／τで動作する。幅Ｗが２５ｍｍ、質
量測定法による板厚ｔが２０μｍの軟磁性合金薄帯を用
い巻磁心を構成し、この巻磁心の動作磁束密度量△Ｂが
２.５Ｔ、磁化速度△Ｂ／τが５０Ｔ／μｓ一定で動作
させたとき、巻磁心を構成する軟磁性合金薄帯の各層に
均一に電圧が誘起すると仮定すれば、この巻磁心の層間
に誘起する層間電圧の波高値Ｖpは（１）式から２５Ｖ
／層となる。
【００１６】Ｖp≧（Ｗ・ｔ・△Ｂ）／τ （１）
【００１７】前記特開昭６３−３０２５０４号あるいは
特開平３−２０４４４号に記載されるようなナノ結晶軟
磁性合金薄帯を用いて構成した前記特開平２−２９７９
０３号に記載される巻磁心に用いられているナノ結晶軟
磁性合金薄帯は、一般に片ロ−ル法と呼ばれる超急冷法
で製造される非晶質軟磁性合金薄帯に絶縁膜を形成した
後、前記非晶質軟磁性合金薄帯をその結晶化温度以上に
熱処理することによって得られる。
特開平３−２０４４４号に記載されるようなナノ結晶軟
磁性合金薄帯を用いて構成した前記特開平２−２９７９
０３号に記載される巻磁心に用いられているナノ結晶軟
磁性合金薄帯は、一般に片ロ−ル法と呼ばれる超急冷法
で製造される非晶質軟磁性合金薄帯に絶縁膜を形成した
後、前記非晶質軟磁性合金薄帯をその結晶化温度以上に
熱処理することによって得られる。
【００１８】前記片ロ−ル法によって製造される非晶質
軟磁性合金薄帯表面のＪＩＳ ＢＯ６０１による十点平
均粗さＲzは一般に３μｍ程度あるため、この表面粗さ
の影響で絶縁膜の絶縁破壊電圧は低下する。このため絶
縁膜はこの面粗さの影響による絶縁耐圧の低下も考慮し
て前記（１）式で定められる値を満足するように選定し
なくてはならない。さらに、ＪＩＳ Ｃ ２１１０などで
定められる通常の絶縁耐圧試験の場合と異なり、実際の
巻磁心の磁束密度が大振幅動作したときに磁性薄帯幅方
向の両端のエッジ部に生ずる電界強度は中央部の電界強
度よりも大きくなるためこの点に関する考慮もしなくて
はならない。
軟磁性合金薄帯表面のＪＩＳ ＢＯ６０１による十点平
均粗さＲzは一般に３μｍ程度あるため、この表面粗さ
の影響で絶縁膜の絶縁破壊電圧は低下する。このため絶
縁膜はこの面粗さの影響による絶縁耐圧の低下も考慮し
て前記（１）式で定められる値を満足するように選定し
なくてはならない。さらに、ＪＩＳ Ｃ ２１１０などで
定められる通常の絶縁耐圧試験の場合と異なり、実際の
巻磁心の磁束密度が大振幅動作したときに磁性薄帯幅方
向の両端のエッジ部に生ずる電界強度は中央部の電界強
度よりも大きくなるためこの点に関する考慮もしなくて
はならない。
【００１９】このため前記SiO2の絶縁膜を形成したナノ
結晶質軟磁性合金薄帯を巻回してトロイダル形状の巻磁
心を構成し、その磁路方向に８００Ａ／ｍの直流磁界を
加えながら前記ナノ結晶軟磁性合金薄帯の結晶化温度以
上で熱処理して構成した巻磁心を繰り返し周波数５００
Ｈｚ、動作磁束密度量△Ｂが２.５Ｔ、磁化速度△Ｂ／
τが５０Ｔ／μｓ（層間電圧２５Ｖに相当）で動作させ
る耐久性試験を行うと、その層間絶縁耐圧が十分でない
ため高々１０5ショット程度のパルス電圧を加えただけ
でその磁心損失が急激に増加してしまう問題があった。
結晶質軟磁性合金薄帯を巻回してトロイダル形状の巻磁
心を構成し、その磁路方向に８００Ａ／ｍの直流磁界を
加えながら前記ナノ結晶軟磁性合金薄帯の結晶化温度以
上で熱処理して構成した巻磁心を繰り返し周波数５００
Ｈｚ、動作磁束密度量△Ｂが２.５Ｔ、磁化速度△Ｂ／
τが５０Ｔ／μｓ（層間電圧２５Ｖに相当）で動作させ
る耐久性試験を行うと、その層間絶縁耐圧が十分でない
ため高々１０5ショット程度のパルス電圧を加えただけ
でその磁心損失が急激に増加してしまう問題があった。
【００２０】一般に、パルス発生装置、レーザ装置ある
いは加速器で信頼性の高いシステムを実現するためには
最も厳しい場合、磁化速度△Ｂ／τが５０Ｔ／μｓで少
なくとも１０6ショット以上、さらに望ましくは１０9シ
ョット動作させても磁心損失の増加を始めとする磁気特
性に著しい経時変化のないことが要求される。前記特開
平２−２９７９０３号に記載される手法により、前記組
成の幅Ｗが２５ｍｍ、質量測定法による平均板厚ｔが２
０μｍ、自由面側の十点平均粗さＲzが３μｍのナノ結
晶軟磁性合金薄帯を用い磁化速度△Ｂ／τが５０Ｔ／μ
ｓで１０6ショット以上動作させても性能に支障のない
程度まで経時変化の少ない磁心を実現するには前記ナノ
結晶軟磁性合金薄帯の表面に質量測定法による平均膜厚
３μｍ程度以上のSiO2の絶縁膜を形成しなくてはならな
い。
いは加速器で信頼性の高いシステムを実現するためには
最も厳しい場合、磁化速度△Ｂ／τが５０Ｔ／μｓで少
なくとも１０6ショット以上、さらに望ましくは１０9シ
ョット動作させても磁心損失の増加を始めとする磁気特
性に著しい経時変化のないことが要求される。前記特開
平２−２９７９０３号に記載される手法により、前記組
成の幅Ｗが２５ｍｍ、質量測定法による平均板厚ｔが２
０μｍ、自由面側の十点平均粗さＲzが３μｍのナノ結
晶軟磁性合金薄帯を用い磁化速度△Ｂ／τが５０Ｔ／μ
ｓで１０6ショット以上動作させても性能に支障のない
程度まで経時変化の少ない磁心を実現するには前記ナノ
結晶軟磁性合金薄帯の表面に質量測定法による平均膜厚
３μｍ程度以上のSiO2の絶縁膜を形成しなくてはならな
い。
【００２１】しかるに、その飽和磁歪の絶対値が１０-6
オーダーと比較的小さく応力歪による磁気特性劣化の少
ない特開昭６３−３０２５０４号あるいは特開平３−２
０４４４号に記載されるようなナノ結晶軟磁性合金薄帯
であっても、質量測定法による平均板厚２０μｍの前記
ナノ結晶軟磁性合金薄帯にその厚みの２０％に達する質
量測定法による平均膜厚が３μｍ程度のセラッミク絶縁
膜を形成すると同セラッミク絶縁膜が形成される際に前
記ナノ結晶軟磁性合金薄帯に不可避的に加えられる応力
歪の影響でその直流磁気特性における実効飽和磁束密度
Ｂmsや実効飽和残留磁束密度Ｂrmsが低下したり、パル
ス駆動時の比透磁率の低下や磁心損失の増加が生じる問
題がある。
オーダーと比較的小さく応力歪による磁気特性劣化の少
ない特開昭６３−３０２５０４号あるいは特開平３−２
０４４４号に記載されるようなナノ結晶軟磁性合金薄帯
であっても、質量測定法による平均板厚２０μｍの前記
ナノ結晶軟磁性合金薄帯にその厚みの２０％に達する質
量測定法による平均膜厚が３μｍ程度のセラッミク絶縁
膜を形成すると同セラッミク絶縁膜が形成される際に前
記ナノ結晶軟磁性合金薄帯に不可避的に加えられる応力
歪の影響でその直流磁気特性における実効飽和磁束密度
Ｂmsや実効飽和残留磁束密度Ｂrmsが低下したり、パル
ス駆動時の比透磁率の低下や磁心損失の増加が生じる問
題がある。
【００２２】さらに、前記特開平２−２９７９０３号に
記載されるように非晶質合金薄帯にセラッミク絶縁膜を
形成した後、同非晶質合金薄帯の結晶化温度以上で熱処
理することにより粒径５０ｎｍ以下の微細なナノ結晶粒
が組織の少なくとも５０％を占めるようにして結晶化さ
せたナノ結晶軟磁性合金薄帯は、特開平４−２６０３１
０などに記載されるように結晶化に伴いその体積が非晶
質状態の時に比べて減少することが知られている。
記載されるように非晶質合金薄帯にセラッミク絶縁膜を
形成した後、同非晶質合金薄帯の結晶化温度以上で熱処
理することにより粒径５０ｎｍ以下の微細なナノ結晶粒
が組織の少なくとも５０％を占めるようにして結晶化さ
せたナノ結晶軟磁性合金薄帯は、特開平４−２６０３１
０などに記載されるように結晶化に伴いその体積が非晶
質状態の時に比べて減少することが知られている。
【００２３】このように質量測定法による平均厚みが３
μｍ程度と厚い絶縁膜が非晶質状態の軟磁性合金薄帯の
表面に形成されていた場合には、この結晶化にともなう
軟磁性合金薄帯の体積の減少により、前記絶縁膜にクラ
ックなどの欠陥が生じたり、前記軟磁性合金薄帯との結
合強度が減少して剥離し易くなる。セラミック絶縁膜に
欠陥が生じたり、セラミック絶縁膜と軟磁性合金薄帯の
結合強度の減少した巻磁心を磁化速度△Ｂ／τが０.１
Ｔ〜１００Ｔ／μｓ程度で動作させた場合、動作に伴い
生ずる磁心の磁歪振動による層間絶縁膜のクラックの増
加あるいは剥離が一層進行し、その層間絶縁耐圧が徐々
に不足して磁気特性が１０5ショット程度のパルス電圧
を加えただけで急激に変化してしまう問題もある。
μｍ程度と厚い絶縁膜が非晶質状態の軟磁性合金薄帯の
表面に形成されていた場合には、この結晶化にともなう
軟磁性合金薄帯の体積の減少により、前記絶縁膜にクラ
ックなどの欠陥が生じたり、前記軟磁性合金薄帯との結
合強度が減少して剥離し易くなる。セラミック絶縁膜に
欠陥が生じたり、セラミック絶縁膜と軟磁性合金薄帯の
結合強度の減少した巻磁心を磁化速度△Ｂ／τが０.１
Ｔ〜１００Ｔ／μｓ程度で動作させた場合、動作に伴い
生ずる磁心の磁歪振動による層間絶縁膜のクラックの増
加あるいは剥離が一層進行し、その層間絶縁耐圧が徐々
に不足して磁気特性が１０5ショット程度のパルス電圧
を加えただけで急激に変化してしまう問題もある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明はセラミック絶縁
膜が形成された粒径５０ｎｍ以下の微細なナノ結晶粒が
組織の少なくとも５０％を占めるナノ結晶軟磁性合金薄
帯において、前記セラミック絶縁膜が前記ナノ結晶軟磁
性合金薄帯の幅方向の中央部よりも端部側に厚い膜厚で
形成されており、この端部のセラミック絶縁膜の厚みｄ
xと質量測定法による絶縁膜の平均厚みｄaが１.２ｄa≦
ｄx≦５ｄaの関係を有し、かつｄx≦１０μｍであるこ
とを特徴とするナノ結晶軟磁性合金薄帯である。
膜が形成された粒径５０ｎｍ以下の微細なナノ結晶粒が
組織の少なくとも５０％を占めるナノ結晶軟磁性合金薄
帯において、前記セラミック絶縁膜が前記ナノ結晶軟磁
性合金薄帯の幅方向の中央部よりも端部側に厚い膜厚で
形成されており、この端部のセラミック絶縁膜の厚みｄ
xと質量測定法による絶縁膜の平均厚みｄaが１.２ｄa≦
ｄx≦５ｄaの関係を有し、かつｄx≦１０μｍであるこ
とを特徴とするナノ結晶軟磁性合金薄帯である。
【００２５】このようにナノ結晶軟磁性合金薄帯の表面
に形成されるセラミック絶縁膜が同ナノ結晶軟磁性合金
薄帯の幅方向の中央部よりも端部側に厚い膜厚で形成さ
れることにより、同薄帯に形成する絶縁膜の平均的な厚
みを薄くして磁化速度△Ｂ／τが速い動作条件のときに
端部のエッジに生じる電界に対しても十分な耐電圧特性
が得られるようにできるため、絶縁膜の形成による磁気
特性の劣化を緩和させることができる。
に形成されるセラミック絶縁膜が同ナノ結晶軟磁性合金
薄帯の幅方向の中央部よりも端部側に厚い膜厚で形成さ
れることにより、同薄帯に形成する絶縁膜の平均的な厚
みを薄くして磁化速度△Ｂ／τが速い動作条件のときに
端部のエッジに生じる電界に対しても十分な耐電圧特性
が得られるようにできるため、絶縁膜の形成による磁気
特性の劣化を緩和させることができる。
【００２６】また、非晶質軟磁性合金薄帯に同薄帯の幅
方向の中央部よりも端部側に厚い膜厚でセラミック絶縁
膜を形成した後に、この非晶質軟磁性合金薄帯をその結
晶化温度以上で熱処理して製造される前記ナノ結晶軟磁
性合金薄帯の場合には、前記非晶質軟磁性合金薄帯が前
記熱処理の過程で収縮する際の応力歪の影響で同軟磁性
合金薄帯に形成されたセラミック絶縁膜にクラックが生
じたり、同セラミック絶縁膜と軟磁性合金薄帯間の結合
力が低下するのを緩和することができる。このためセラ
ミック絶縁膜を形成したナノ結晶軟磁性合金薄帯の磁化
速度△Ｂ／τが速い動作の時の磁歪振動に伴う経時変化
を緩和することができ好ましい。
方向の中央部よりも端部側に厚い膜厚でセラミック絶縁
膜を形成した後に、この非晶質軟磁性合金薄帯をその結
晶化温度以上で熱処理して製造される前記ナノ結晶軟磁
性合金薄帯の場合には、前記非晶質軟磁性合金薄帯が前
記熱処理の過程で収縮する際の応力歪の影響で同軟磁性
合金薄帯に形成されたセラミック絶縁膜にクラックが生
じたり、同セラミック絶縁膜と軟磁性合金薄帯間の結合
力が低下するのを緩和することができる。このためセラ
ミック絶縁膜を形成したナノ結晶軟磁性合金薄帯の磁化
速度△Ｂ／τが速い動作の時の磁歪振動に伴う経時変化
を緩和することができ好ましい。
【００２７】前記ナノ結晶軟磁性合金薄帯の幅方向の中
央部よりも端部側に厚い膜厚で形成されている部分のセ
ラミック絶縁膜の最大厚みｄxは質量測定法による絶縁
膜の平均厚みｄaの１.２から５倍であるナノ結晶軟磁性
合金薄帯の場合、磁化速度△Ｂ／τが速い動作条件のと
きの経時変化が小さいため高い信頼性を確保できる。
央部よりも端部側に厚い膜厚で形成されている部分のセ
ラミック絶縁膜の最大厚みｄxは質量測定法による絶縁
膜の平均厚みｄaの１.２から５倍であるナノ結晶軟磁性
合金薄帯の場合、磁化速度△Ｂ／τが速い動作条件のと
きの経時変化が小さいため高い信頼性を確保できる。
【００２８】さらに前記ナノ結晶軟磁性合金薄帯の質量
測定法による平均板厚ｔを５μｍ≦ｔ≦３０μｍ、幅を
Ｗ、動作磁束密度量を△Ｂ、前記動作磁束密度量△Ｂが
１０％から９０％まで変化するまでの期間をτとしたと
きに前記セラミック絶縁膜の質量測定法による平均膜厚
ｄaが０.２μｍ≦ｄa≦４μｍかつｄa≧（４０×１０-9
・△Ｂ・Ｗ・ｔ）／τを満足する範囲とした場合には、使
用時の磁化速度△Ｂ／τに応じた経時安定性を有する動
作磁気特性に優れた軟磁性合金薄帯を得ることができ
る。
測定法による平均板厚ｔを５μｍ≦ｔ≦３０μｍ、幅を
Ｗ、動作磁束密度量を△Ｂ、前記動作磁束密度量△Ｂが
１０％から９０％まで変化するまでの期間をτとしたと
きに前記セラミック絶縁膜の質量測定法による平均膜厚
ｄaが０.２μｍ≦ｄa≦４μｍかつｄa≧（４０×１０-9
・△Ｂ・Ｗ・ｔ）／τを満足する範囲とした場合には、使
用時の磁化速度△Ｂ／τに応じた経時安定性を有する動
作磁気特性に優れた軟磁性合金薄帯を得ることができ
る。
【００２９】前記ナノ結晶軟磁性合金がFeを主体としC
u、Auから選ばれる少なくとも１種の元素およびTi、V、Zr、
Nb、Mo、Hf、Ta、Wから選ばれる少なくとも１種の元素を必
須成分として含むナノ結晶軟磁性合金薄帯である場合、
実効飽和磁束密度が高く磁歪定数も小さな磁性合金薄帯
が得られるため、前記絶縁膜の形成にともなう磁気特性
の劣化が小さくできるため、占積率Ｋと動作磁束密度量
△Ｂの積である実効動作磁束密度量Ｋ・△Ｂが大きく、
単位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐcgを実効動作磁束
密度量Ｋ・△Ｂの２乗で割った損失係数Ｐcg/(Ｋ・△Ｂ)2
が小さくでき、小型で低損失の軟磁性合金薄帯が得られ
好ましい。
u、Auから選ばれる少なくとも１種の元素およびTi、V、Zr、
Nb、Mo、Hf、Ta、Wから選ばれる少なくとも１種の元素を必
須成分として含むナノ結晶軟磁性合金薄帯である場合、
実効飽和磁束密度が高く磁歪定数も小さな磁性合金薄帯
が得られるため、前記絶縁膜の形成にともなう磁気特性
の劣化が小さくできるため、占積率Ｋと動作磁束密度量
△Ｂの積である実効動作磁束密度量Ｋ・△Ｂが大きく、
単位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐcgを実効動作磁束
密度量Ｋ・△Ｂの２乗で割った損失係数Ｐcg/(Ｋ・△Ｂ)2
が小さくでき、小型で低損失の軟磁性合金薄帯が得られ
好ましい。
【００３０】また、以上説明したようなセラミック絶縁
膜の形成されたナノ結晶軟磁性合金薄帯を用いた磁心
は、占積率Ｋと動作磁束密度量△Ｂの積である実効動作
磁束密度量Ｋ・△Ｂが大きく、単位体積当たりの半周期
の磁心損失Ｐcgも小さくできるため実効動作磁束密度量
Ｋ・△Ｂの２乗で割った損失係数Ｐcg/(Ｋ・△Ｂ)2が小さ
くでき低損失となるため好ましい。
膜の形成されたナノ結晶軟磁性合金薄帯を用いた磁心
は、占積率Ｋと動作磁束密度量△Ｂの積である実効動作
磁束密度量Ｋ・△Ｂが大きく、単位体積当たりの半周期
の磁心損失Ｐcgも小さくできるため実効動作磁束密度量
Ｋ・△Ｂの２乗で割った損失係数Ｐcg/(Ｋ・△Ｂ)2が小さ
くでき低損失となるため好ましい。
【００３１】前記磁心を用いて構成したパルス発生装
置、レーザ装置あるいは加速器は、装置の小型化が容易
になるとともに、損失の発生源であった変圧器、可飽和
リアクトルあるいは可飽和トランスなど磁性部品の損失
を低減できるため高効率化も図れると同時にパルスを発
生させるときに前記磁性部品の磁心で生じる磁歪振動な
どの影響による同磁心の層間絶縁膜の絶縁特性の経時変
化も緩和されるため従来困難であった駆動条件における
高繰り返し連続稼動や大出力化も可能となり信頼性も向
上する。
置、レーザ装置あるいは加速器は、装置の小型化が容易
になるとともに、損失の発生源であった変圧器、可飽和
リアクトルあるいは可飽和トランスなど磁性部品の損失
を低減できるため高効率化も図れると同時にパルスを発
生させるときに前記磁性部品の磁心で生じる磁歪振動な
どの影響による同磁心の層間絶縁膜の絶縁特性の経時変
化も緩和されるため従来困難であった駆動条件における
高繰り返し連続稼動や大出力化も可能となり信頼性も向
上する。
【００３２】
（実施例１）片ロ−ルの融体急冷法により製造した組成
がFe73.5Cu1Nb3Si13.5B9、飽和磁歪定数λsが＋２０×
１０-6、幅Ｗが２５ｍｍ、質量測定法による平均板厚ｔ
が約２０μｍ、表面の十点平均粗さＲzが約３μｍの非
晶質軟磁性合金薄帯の表面に、質量測定法による平均膜
厚ｄaが約２μｍで磁性薄帯の幅方向端部の絶縁膜の最
大厚みｄxと前記平均厚みｄaの比ｄx／ｄaが１.５から
５の範囲にある表１に示す４種類の絶縁膜を有する非晶
質軟磁性合金薄帯を製造した。なお、表１には比較例と
して絶縁膜を塗布していない非晶質軟磁性合金薄帯およ
び前記磁性薄帯の幅方向の端部の絶縁膜の最大厚みｄx
と絶縁膜の平均厚みｄaの比ｄx／ｄaが１.２から５の範
囲外の非晶質軟磁性合金薄帯についても示した。
がFe73.5Cu1Nb3Si13.5B9、飽和磁歪定数λsが＋２０×
１０-6、幅Ｗが２５ｍｍ、質量測定法による平均板厚ｔ
が約２０μｍ、表面の十点平均粗さＲzが約３μｍの非
晶質軟磁性合金薄帯の表面に、質量測定法による平均膜
厚ｄaが約２μｍで磁性薄帯の幅方向端部の絶縁膜の最
大厚みｄxと前記平均厚みｄaの比ｄx／ｄaが１.５から
５の範囲にある表１に示す４種類の絶縁膜を有する非晶
質軟磁性合金薄帯を製造した。なお、表１には比較例と
して絶縁膜を塗布していない非晶質軟磁性合金薄帯およ
び前記磁性薄帯の幅方向の端部の絶縁膜の最大厚みｄx
と絶縁膜の平均厚みｄaの比ｄx／ｄaが１.２から５の範
囲外の非晶質軟磁性合金薄帯についても示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１に示す薄帯１〜６および薄帯Ｂ、Ｃの
非晶質軟磁性合金薄帯表面の絶縁膜はメチルトリメトキ
シシランCH3Si(OCH3)3の加水分解生成物のオリゴマー、
極微細なコロイダルSiO2をイソプロピルアルコール（以
下ＩＰＡと略す）で希釈し若干のNH3を加えたコーティ
ング液を前記非晶質軟磁性合金薄帯の表面に塗布し乾燥
させることによって形成した。
非晶質軟磁性合金薄帯表面の絶縁膜はメチルトリメトキ
シシランCH3Si(OCH3)3の加水分解生成物のオリゴマー、
極微細なコロイダルSiO2をイソプロピルアルコール（以
下ＩＰＡと略す）で希釈し若干のNH3を加えたコーティ
ング液を前記非晶質軟磁性合金薄帯の表面に塗布し乾燥
させることによって形成した。
【００３５】表１の９種類の非晶質軟磁性合金薄帯を用
いて外径６０ｍｍ、内径２５ｍｍ、高さ２５ｍｍのトロ
イダル形状の巻磁心を各非晶質合金薄帯について各１ヶ
構成し、構成した巻磁心の磁路方向に８００Ａ／ｍの直
流磁界を加えながら窒素雰囲気中で結晶化温度である５
５０℃で１時間の熱処理を行って非晶質軟磁性合金薄帯
をナノ結晶軟磁性合金薄帯に変態させた巻磁心を製作し
た。
いて外径６０ｍｍ、内径２５ｍｍ、高さ２５ｍｍのトロ
イダル形状の巻磁心を各非晶質合金薄帯について各１ヶ
構成し、構成した巻磁心の磁路方向に８００Ａ／ｍの直
流磁界を加えながら窒素雰囲気中で結晶化温度である５
５０℃で１時間の熱処理を行って非晶質軟磁性合金薄帯
をナノ結晶軟磁性合金薄帯に変態させた巻磁心を製作し
た。
【００３６】製作した９種類の巻磁心の占積率Ｋと直流
磁気特性を表２に示す。表２においてＢ80、Ｂr、Ｈcは
各々直流磁化力の波高値を８０Ａ／ｍとして測定したと
きの最大磁束密度、残留磁束密度、保磁力である。本発
明１〜６および比較例Ａ、Ｂはほぼ同程度の直流磁気特
性を持つのに対し、比較例Ｃは直流磁気特性におけるＢ
80、Ｂr、Ｂr／Ｂ80が低下し、Ｈcは増加していること
がわかる。
磁気特性を表２に示す。表２においてＢ80、Ｂr、Ｈcは
各々直流磁化力の波高値を８０Ａ／ｍとして測定したと
きの最大磁束密度、残留磁束密度、保磁力である。本発
明１〜６および比較例Ａ、Ｂはほぼ同程度の直流磁気特
性を持つのに対し、比較例Ｃは直流磁気特性におけるＢ
80、Ｂr、Ｂr／Ｂ80が低下し、Ｈcは増加していること
がわかる。
【００３７】
【表２】
【００３８】表２の各磁心を図１のパルス駆動時の磁気
特性測定回路における可飽和リアクトル１６の磁心とし
て用い、中島、香川、平尾、渡部、“鉄基超微結晶質合
金を用いた磁気スイッチ磁心の動特性評価”、電気学会
プラズマ研究会資料、EP-91-13、p.1〜10(1991年) にそ
の詳細が記載されている方法によってリセット磁化力を
８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時の磁心の磁束密度が動作磁
束密度量△Ｂの１０％から９０％まで変化する期間τを
０.０５μｓとなるようにして測定した結果を表３に示
す。表３において△Ｂは動作磁束密度量、Ｋ・△Ｂは占
積率Ｋと動作磁束密度量△Ｂの積で与えられる実効動作
磁束密度量、μrsは飽和領域の比透磁率、Ｐcgは単位体
積当たりの半周期の磁心損失である。
特性測定回路における可飽和リアクトル１６の磁心とし
て用い、中島、香川、平尾、渡部、“鉄基超微結晶質合
金を用いた磁気スイッチ磁心の動特性評価”、電気学会
プラズマ研究会資料、EP-91-13、p.1〜10(1991年) にそ
の詳細が記載されている方法によってリセット磁化力を
８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時の磁心の磁束密度が動作磁
束密度量△Ｂの１０％から９０％まで変化する期間τを
０.０５μｓとなるようにして測定した結果を表３に示
す。表３において△Ｂは動作磁束密度量、Ｋ・△Ｂは占
積率Ｋと動作磁束密度量△Ｂの積で与えられる実効動作
磁束密度量、μrsは飽和領域の比透磁率、Ｐcgは単位体
積当たりの半周期の磁心損失である。
【００３９】図１において１１は入力直流高電圧電源、
１２はコンデンサ１５の充電抵抗、１３はサイラトロ
ン、１４は配線に伴い生じるインダクタンス、１５はコ
ンデンサ、１６は可飽和リアクトル、１７はサージ電流
吸収用のリアクトル、１８は可飽和リアクトル１６をリ
セットするための直流電源である。
１２はコンデンサ１５の充電抵抗、１３はサイラトロ
ン、１４は配線に伴い生じるインダクタンス、１５はコ
ンデンサ、１６は可飽和リアクトル、１７はサージ電流
吸収用のリアクトル、１８は可飽和リアクトル１６をリ
セットするための直流電源である。
【００４０】
【表３】 注）リセット磁化力８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時の磁心
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τは０.０５μｓ。
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τは０.０５μｓ。
【００４１】表３において比較例Ａは層間絶縁を行わな
かったため可飽和リアクトルとして機能しておらず飽和
領域の比透磁率μrsを算出することが困難であった。
かったため可飽和リアクトルとして機能しておらず飽和
領域の比透磁率μrsを算出することが困難であった。
【００４２】比較例Ａを除く本発明１〜６および比較例
Ｂ、Ｃの８種類の磁心を図２の回路構成のＫｒＦエキシ
マレーザの可飽和リアクトル２４の磁心として実装し高
電圧パルスを１０6ショットまで動作させた後、再度前
記図１のパルス駆動時の磁気特性測定回路の可飽和リア
クトル１６の磁心として用い、前記表３の結果を得たと
きと同一の方法で測定した。実装試験前後の動作磁束密
度△Ｂ、飽和領域の比透磁率μrsおよび単位体積当たり
の半周期の磁心損失Ｐcgの変化量の比較を表４に示す。
Ｂ、Ｃの８種類の磁心を図２の回路構成のＫｒＦエキシ
マレーザの可飽和リアクトル２４の磁心として実装し高
電圧パルスを１０6ショットまで動作させた後、再度前
記図１のパルス駆動時の磁気特性測定回路の可飽和リア
クトル１６の磁心として用い、前記表３の結果を得たと
きと同一の方法で測定した。実装試験前後の動作磁束密
度△Ｂ、飽和領域の比透磁率μrsおよび単位体積当たり
の半周期の磁心損失Ｐcgの変化量の比較を表４に示す。
【００４３】図２において２１は入力高電圧直流電源、
２２は主コンデンサ２５の充電抵抗、２３はサイラトロ
ン、２４は磁気アシスト用可飽和リアクトル、２５は主
コンデンサ、２６は主コンデンサ２５の充電用インダク
タンス、２７はピーキングコンデンサ、２８は紫外光予
備電離用ギャップ、２９はレーザ主放電電極である。な
お、実装試験では入力直流高電圧電源２１の電圧を２０
ｋＶ、主コンデンサ２２とピーキングコンデンサ２７の
容量を２０ｎＦ、レーザ主放電電極の有効長と間隔を各
々４００ｍｍｍおよび２０ｍｍ、繰り返し周波数を５０
０Ｈｚ、磁気アシスト用可飽和リアクトルの巻数を１と
し磁心はシリコンオイルを用いて強制冷却した。
２２は主コンデンサ２５の充電抵抗、２３はサイラトロ
ン、２４は磁気アシスト用可飽和リアクトル、２５は主
コンデンサ、２６は主コンデンサ２５の充電用インダク
タンス、２７はピーキングコンデンサ、２８は紫外光予
備電離用ギャップ、２９はレーザ主放電電極である。な
お、実装試験では入力直流高電圧電源２１の電圧を２０
ｋＶ、主コンデンサ２２とピーキングコンデンサ２７の
容量を２０ｎＦ、レーザ主放電電極の有効長と間隔を各
々４００ｍｍｍおよび２０ｍｍ、繰り返し周波数を５０
０Ｈｚ、磁気アシスト用可飽和リアクトルの巻数を１と
し磁心はシリコンオイルを用いて強制冷却した。
【００４４】
【表４】
【００４５】表４からわかるように本発明１〜６の磁心
を用いた場合、動作磁束密度量△Ｂの変化率は−４〜＋
１％、飽和領域の比透磁率μrsの変化量は０〜＋２、単
位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐcgの変化量は−１〜
＋５％であり、測定精度が±５％であることを考慮する
とほとんど変化していない。これに対し、比較例Ｂ、Ｃ
の磁心を用いた場合、動作磁束密度量△Ｂの変化率は−
１１〜−１３％、飽和領域の比透磁率μrsの変化量は＋
１０％、単位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐcgの変化
量は＋１２〜＋１６％で明らかに特性が変化しており、
信頼性の点から問題のあることがわかる。
を用いた場合、動作磁束密度量△Ｂの変化率は−４〜＋
１％、飽和領域の比透磁率μrsの変化量は０〜＋２、単
位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐcgの変化量は−１〜
＋５％であり、測定精度が±５％であることを考慮する
とほとんど変化していない。これに対し、比較例Ｂ、Ｃ
の磁心を用いた場合、動作磁束密度量△Ｂの変化率は−
１１〜−１３％、飽和領域の比透磁率μrsの変化量は＋
１０％、単位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐcgの変化
量は＋１２〜＋１６％で明らかに特性が変化しており、
信頼性の点から問題のあることがわかる。
【００４６】（実施例２）片ロ−ルの融体急冷法により
製造した組成がFe73.5Cu1Nb3Si13.5B9、飽和磁歪定数λ
sが＋２０×１０-6、幅Ｗが２５ｍｍ、質量測定法によ
る平均板厚ｔが約２０μｍ、表面の十点平均粗さＲzが
約３μｍの非晶質軟磁性合金薄帯の表面に、メチルトリ
メトキシシランCH3Si(OCH3)3の加水分解生成物のオリゴ
マー、極微細なコロイダルSiO2をＩＰＡで希釈し若干の
NH3を加えたコーティング液を塗布し乾燥させることに
よって質量測定法による平均膜厚ｄaと磁性薄帯の幅方
向の端部の最大厚みｄxの比ｄx／ｄaが３.０で前記平均
膜厚ｄaが０.１μｍから４.５μｍの範囲にある表５に
示す９種類の絶縁膜を有する非晶質軟磁性合金薄帯を製
造した。
製造した組成がFe73.5Cu1Nb3Si13.5B9、飽和磁歪定数λ
sが＋２０×１０-6、幅Ｗが２５ｍｍ、質量測定法によ
る平均板厚ｔが約２０μｍ、表面の十点平均粗さＲzが
約３μｍの非晶質軟磁性合金薄帯の表面に、メチルトリ
メトキシシランCH3Si(OCH3)3の加水分解生成物のオリゴ
マー、極微細なコロイダルSiO2をＩＰＡで希釈し若干の
NH3を加えたコーティング液を塗布し乾燥させることに
よって質量測定法による平均膜厚ｄaと磁性薄帯の幅方
向の端部の最大厚みｄxの比ｄx／ｄaが３.０で前記平均
膜厚ｄaが０.１μｍから４.５μｍの範囲にある表５に
示す９種類の絶縁膜を有する非晶質軟磁性合金薄帯を製
造した。
【００４７】表５の９種類の非晶質軟磁性合金薄帯を用
いて外径６０ｍｍ、内径２５ｍｍ、高さ２５ｍｍのトロ
イダル形状の巻磁心を各非晶質合金薄帯について各１ヶ
構成し、構成した巻磁心の磁路方向に８００Ａ／ｍの直
流磁界を加えながら窒素雰囲気中で結晶化温度である５
５０℃で１時間の熱処理を行って非晶質軟磁性合金薄帯
をナノ結晶軟磁性合金薄帯に変態させた巻磁心を製作し
た。
いて外径６０ｍｍ、内径２５ｍｍ、高さ２５ｍｍのトロ
イダル形状の巻磁心を各非晶質合金薄帯について各１ヶ
構成し、構成した巻磁心の磁路方向に８００Ａ／ｍの直
流磁界を加えながら窒素雰囲気中で結晶化温度である５
５０℃で１時間の熱処理を行って非晶質軟磁性合金薄帯
をナノ結晶軟磁性合金薄帯に変態させた巻磁心を製作し
た。
【００４８】
【表５】
【００４９】製作した９種類の巻磁心の占積率Ｋと直流
磁気特性を表６に示す。表６においてＢ80、Ｂr、Ｈcは
各々直流磁化力の波高値を８０Ａ／ｍとして測定したと
きの最大磁束密度、残留磁束密度、保磁力である。本発
明７〜１２はほぼ同程度の直流磁気特性を持つのに対
し、比較例Ｄ〜Ｆは直流磁気特性におけるＢ80、Ｂr、
Ｂr／Ｂ80が低下し、Ｈcは増加していることがわかる。
磁気特性を表６に示す。表６においてＢ80、Ｂr、Ｈcは
各々直流磁化力の波高値を８０Ａ／ｍとして測定したと
きの最大磁束密度、残留磁束密度、保磁力である。本発
明７〜１２はほぼ同程度の直流磁気特性を持つのに対
し、比較例Ｄ〜Ｆは直流磁気特性におけるＢ80、Ｂr、
Ｂr／Ｂ80が低下し、Ｈcは増加していることがわかる。
【００５０】
【表６】
【００５１】表６の各磁心を図１のパルス駆動時の磁気
特性測定回路における可飽和リアクトル１６の磁心とし
て用い、リセット磁化力を８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時
の磁心の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９
０％まで変化する期間τを１μｓ、０.５μｓ、０.３μ
ｓ、０.２μｓ、０.１μｓおよび０.０５μｓとして実
施例１の場合と同様の手法で測定した結果を表７〜表１
２に示す。表７〜表１２において△Ｂは動作磁束密度
量、Ｋ・△Ｂは占積率Ｋと動作磁束密度量△Ｂの積であ
る実効動作磁束密度量、μrsは飽和領域の比透磁率、Ｐ
cgは単位体積当たりの半周期の磁心損失である。
特性測定回路における可飽和リアクトル１６の磁心とし
て用い、リセット磁化力を８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時
の磁心の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９
０％まで変化する期間τを１μｓ、０.５μｓ、０.３μ
ｓ、０.２μｓ、０.１μｓおよび０.０５μｓとして実
施例１の場合と同様の手法で測定した結果を表７〜表１
２に示す。表７〜表１２において△Ｂは動作磁束密度
量、Ｋ・△Ｂは占積率Ｋと動作磁束密度量△Ｂの積であ
る実効動作磁束密度量、μrsは飽和領域の比透磁率、Ｐ
cgは単位体積当たりの半周期の磁心損失である。
【００５２】
【表７】 注）リセット磁化力８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時に磁心
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τは１μｓ。
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τは１μｓ。
【００５３】
【表８】 注）リセット磁化力８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時に磁心
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.５μｓ。
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.５μｓ。
【００５４】
【表９】 注）リセット磁化力８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時に磁心
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.３μｓ。
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.３μｓ。
【００５５】
【表１０】 注）リセット磁化力８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時に磁心
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.２μｓ。
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.２μｓ。
【００５６】
【表１１】 注）リセット磁化力８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時に磁心
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.１μｓ。
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.１μｓ。
【００５７】
【表１２】 注）リセット磁化力８Ａ／ｍ、パルス電圧駆動時に磁心
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.０５μｓ。
の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％ま
で変化する期間τはτh＝０.０５μｓ。
【００５８】表７からわかるように、絶縁膜の平均厚み
ｄａが０．１μｍの本発明７は、絶縁膜の絶縁耐圧が十
分でないためパルス電圧駆動時の飽和領域の比透磁率μ
rsおよび単位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐｃｇが劣
る。また、表７から絶縁膜の平均厚みｄaが４μｍ以上
あるいはリボン幅方向の端部の絶縁膜厚の最大値ｄxが
１０μｍを越える比較例Ｄ〜比較例Ｆの場合、厚みの厚
い絶縁膜が磁性薄帯に形成されることによって同磁性薄
帯に加えられる過大な応力歪が加えられるためパルス電
圧駆動時の飽和領域の比透磁率μrsと単位体積当たりの
半周期の磁心損失Ｐcgが本発明８〜１２に比べて大きい
ことがわかる。
ｄａが０．１μｍの本発明７は、絶縁膜の絶縁耐圧が十
分でないためパルス電圧駆動時の飽和領域の比透磁率μ
rsおよび単位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐｃｇが劣
る。また、表７から絶縁膜の平均厚みｄaが４μｍ以上
あるいはリボン幅方向の端部の絶縁膜厚の最大値ｄxが
１０μｍを越える比較例Ｄ〜比較例Ｆの場合、厚みの厚
い絶縁膜が磁性薄帯に形成されることによって同磁性薄
帯に加えられる過大な応力歪が加えられるためパルス電
圧駆動時の飽和領域の比透磁率μrsと単位体積当たりの
半周期の磁心損失Ｐcgが本発明８〜１２に比べて大きい
ことがわかる。
【００５９】一方、表８〜表１２からわかるように、絶
縁膜の平均厚みｄaが０.２μｍの本発明７はパルス電圧
駆動時に磁心の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％
から９０％まで変化する期間τが０.２μｓ、０.１μｓ
および０.０５μｓのときには絶縁膜の平均厚みｄaが２
μｍの本発明８や絶縁膜の平均厚みｄaが３μｍの本発
明９の場合に比べて飽和領域の比透磁率μrsと単位体積
当たりの半周期の磁心損失Ｐcgが異常に増加してしま
う。同様にして、絶縁膜の平均厚みｄaが０.５μｍの本
発明８はパルス電圧駆動時に磁心の磁束密度が動作磁束
密度量△Ｂの１０％から９０％まで変化する期間τが
０.０５μｓの時に前記本発明１０や本発明１１の場合
に比べて飽和領域の比透磁率μrsと単位体積当たりの半
周期の磁心損失Ｐcgが異常に増加していることがわか
る。
縁膜の平均厚みｄaが０.２μｍの本発明７はパルス電圧
駆動時に磁心の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％
から９０％まで変化する期間τが０.２μｓ、０.１μｓ
および０.０５μｓのときには絶縁膜の平均厚みｄaが２
μｍの本発明８や絶縁膜の平均厚みｄaが３μｍの本発
明９の場合に比べて飽和領域の比透磁率μrsと単位体積
当たりの半周期の磁心損失Ｐcgが異常に増加してしま
う。同様にして、絶縁膜の平均厚みｄaが０.５μｍの本
発明８はパルス電圧駆動時に磁心の磁束密度が動作磁束
密度量△Ｂの１０％から９０％まで変化する期間τが
０.０５μｓの時に前記本発明１０や本発明１１の場合
に比べて飽和領域の比透磁率μrsと単位体積当たりの半
周期の磁心損失Ｐcgが異常に増加していることがわか
る。
【００６０】本発明７〜１１の磁心を図３の回路構成の
高電圧パルス発生装置の可飽和リアクトル３４の磁心と
して実装し高電圧パルスを１０6ショットまで動作させ
た後、再度前記図１のパルス駆動時の磁気特性測定回路
の可飽和リアクトル１６の磁心として用い、前記表３の
結果を得たときと同一の方法で測定した。また、実装試
験開始時に各磁心の磁束密度がその動作磁束密度量△Ｂ
の１０％から９０％まで変化する期間τの設定値をτ0
は前記表７〜表１２の結果に基づき、パルス電圧駆動時
の飽和領域の比透磁率μrsが異常に増加し始めない範囲
の最も小さな値となるように設定した。図３において３
１は入力高電圧直流電源、３２は主コンデンサ３５の充
電抵抗、３３はサイラトロン、３４は磁気アシスト用可
飽和リアクトル、３５は主コンデンサ、３６はピーキン
グコンデンサ、３７は負荷抵抗である。
高電圧パルス発生装置の可飽和リアクトル３４の磁心と
して実装し高電圧パルスを１０6ショットまで動作させ
た後、再度前記図１のパルス駆動時の磁気特性測定回路
の可飽和リアクトル１６の磁心として用い、前記表３の
結果を得たときと同一の方法で測定した。また、実装試
験開始時に各磁心の磁束密度がその動作磁束密度量△Ｂ
の１０％から９０％まで変化する期間τの設定値をτ0
は前記表７〜表１２の結果に基づき、パルス電圧駆動時
の飽和領域の比透磁率μrsが異常に増加し始めない範囲
の最も小さな値となるように設定した。図３において３
１は入力高電圧直流電源、３２は主コンデンサ３５の充
電抵抗、３３はサイラトロン、３４は磁気アシスト用可
飽和リアクトル、３５は主コンデンサ、３６はピーキン
グコンデンサ、３７は負荷抵抗である。
【００６１】実装試験開始時に各磁心の磁束密度がその
動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％まで変化する期
間τの設定値をτ0、実装試験前後の最大動作磁束密度
△Ｂの変化率、飽和領域の比透磁率μrsの変化率および
単位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐcgの変化率の比較
を表１３に示す。
動作磁束密度量△Ｂの１０％から９０％まで変化する期
間τの設定値をτ0、実装試験前後の最大動作磁束密度
△Ｂの変化率、飽和領域の比透磁率μrsの変化率および
単位体積当たりの半周期の磁心損失Ｐcgの変化率の比較
を表１３に示す。
【００６２】
【表１３】
【００６３】表１３からわかるようにパルス電圧駆動時
に磁心の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９
０％まで変化する期間τと磁心を構成する磁性薄帯に設
けられた絶縁膜の平均板厚ｄaおよびパルス電圧駆動時
の磁心の磁気特性の関係を同磁性合金薄帯の板厚をｔ、
幅をＷ、動作磁束密度量を△Ｂとしたときに、前記磁性
合金薄帯に形成するセラミック絶縁膜の質量測定法によ
る平均膜厚ｄaが次式を満足するようにすれば信頼性の
点からより好ましいこともわかった。
に磁心の磁束密度が動作磁束密度量△Ｂの１０％から９
０％まで変化する期間τと磁心を構成する磁性薄帯に設
けられた絶縁膜の平均板厚ｄaおよびパルス電圧駆動時
の磁心の磁気特性の関係を同磁性合金薄帯の板厚をｔ、
幅をＷ、動作磁束密度量を△Ｂとしたときに、前記磁性
合金薄帯に形成するセラミック絶縁膜の質量測定法によ
る平均膜厚ｄaが次式を満足するようにすれば信頼性の
点からより好ましいこともわかった。
【００６４】 ｄa≧（４０×１０-9・△Ｂ・Ｗ・ｔ）／τ （ｍ） （２）
【００６５】前記実施例１および２では、SiO2絶縁膜が
構成された組成がFe73.5Cu1Nb３Si1 3.5Ｂ9のナノ結晶軟
磁性合金薄帯をエキシマレーザ等の高電圧パルス発生装
置の磁気アシスト用可飽和リアクトルの磁心に応用した
場合について述べたが、他の組成のセラミック絶縁およ
び他の組成のナノ結晶軟磁性合金薄帯の組み合わせによ
って、トランス、可飽和トランス、加速空胴あるいはサ
ージブロッカー等の他の用途の磁性部品の磁心およびこ
れを構成する軟磁性薄帯として用いても同様の効果が得
られる。
構成された組成がFe73.5Cu1Nb３Si1 3.5Ｂ9のナノ結晶軟
磁性合金薄帯をエキシマレーザ等の高電圧パルス発生装
置の磁気アシスト用可飽和リアクトルの磁心に応用した
場合について述べたが、他の組成のセラミック絶縁およ
び他の組成のナノ結晶軟磁性合金薄帯の組み合わせによ
って、トランス、可飽和トランス、加速空胴あるいはサ
ージブロッカー等の他の用途の磁性部品の磁心およびこ
れを構成する軟磁性薄帯として用いても同様の効果が得
られる。
【００６６】また、上記説明では本発明による磁心を用
いることによって信頼性の高い高性能の高電圧パルス発
生装置およびエキシマレーザが構成できることについて
述べたが、エキシマレーザ以外のＴＥＡ−ＣＯ2レー
ザ、ＴＥＭＡ−ＣＯ2レーザあるいは銅蒸気レーザなど
のレーザ装置、線形誘導加速器さらには中性粒子ビーム
入射装置に用いられるサージブロッカーなどのサージ吸
収用素子においても同様にして高い信頼性と高性能を両
立することができる。
いることによって信頼性の高い高性能の高電圧パルス発
生装置およびエキシマレーザが構成できることについて
述べたが、エキシマレーザ以外のＴＥＡ−ＣＯ2レー
ザ、ＴＥＭＡ−ＣＯ2レーザあるいは銅蒸気レーザなど
のレーザ装置、線形誘導加速器さらには中性粒子ビーム
入射装置に用いられるサージブロッカーなどのサージ吸
収用素子においても同様にして高い信頼性と高性能を両
立することができる。
【００６７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
キシマレーザ、ＴＥＡ−ＣＯ2レーザ、ＴＥＭＡ−ＣＯ2
レーザ、銅蒸気レーザを始めとするレーザ装置あるいは
線形誘導加速器などの加速器などで用いられる可飽和リ
アクトル、トランス、可飽和トランス、加速空胴、中性
粒子ビーム入射装置のサージブロッカーなどのサージ吸
収素子さらにはこれらの磁性部品を用いたシステムの高
信頼性と高性能化を両立することができる。
キシマレーザ、ＴＥＡ−ＣＯ2レーザ、ＴＥＭＡ−ＣＯ2
レーザ、銅蒸気レーザを始めとするレーザ装置あるいは
線形誘導加速器などの加速器などで用いられる可飽和リ
アクトル、トランス、可飽和トランス、加速空胴、中性
粒子ビーム入射装置のサージブロッカーなどのサージ吸
収素子さらにはこれらの磁性部品を用いたシステムの高
信頼性と高性能化を両立することができる。
【図１】パルス駆動時の可飽和リアクトル用磁心の磁気
特性を測定するための回路の構成を示す概念図である。
特性を測定するための回路の構成を示す概念図である。
【図２】磁気アシスト用可飽和リアクトルを用いたＫｒ
Ｆエキシマレーザ励起回路の構成を示す概念図である。
Ｆエキシマレーザ励起回路の構成を示す概念図である。
【図３】磁気アシスト回路を用いた高電圧パルス発生回
路の構成を示す概念図である。
路の構成を示す概念図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−110713（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−297903（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−98206（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−110707（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−142705（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−125408（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01F 1/16
Claims (7)
- 【請求項１】 セラミック絶縁膜がその表面に形成され
た粒径５０ｎｍ以下の微細なナノ結晶粒が組織の少なく
とも５０％を占めるナノ結晶軟磁性合金薄帯において、
前記セラミックの絶縁膜が前記ナノ結晶軟磁性合金薄帯
の幅方向の中央部よりも端部側に厚い膜厚で形成されて
おり、この端部のセラミック絶縁膜の厚みｄxと質量測
定法による絶縁膜の平均厚みｄaが１.２ｄa≦ｄx≦５ｄ
aの関係を有し、かつｄx≦１０μｍであることを特徴と
するナノ結晶軟磁性合金薄帯。 - 【請求項２】 前記ナノ結晶軟磁性合金薄帯の質量測定
法による平均板厚ｔを５μｍ≦ｔ≦３０μｍ、幅をＷ、
動作磁束密度量を△Ｂ、前記動作磁束密度量△Ｂが１０
％から９０％まで変化するまでの期間をτとしたとき
に、前記セラミック絶縁膜の質量測定法による平均膜厚
ｄaが０.２μｍ≦ｄa≦４μｍかつｄa≧（４０×１０-9
・△Ｂ・Ｗ・ｔ）／τを満足する範囲にある請求項１に記
載のナノ結晶軟磁性合金薄帯。 - 【請求項３】 ナノ結晶軟磁性合金薄帯はFeを主体とし
Cu、Auから選ばれる少なくとも１種の元素およびTi、V、Z
r、Nb、Mo、Hf、Ta、Wから選ばれる少なくとも１種の元素を
必須成分として含む請求項１または２に記載のナノ結晶
軟磁性合金薄帯。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載のナノ
結晶軟磁性合金薄帯を用いた磁心。 - 【請求項５】 請求項４に記載の磁心を用いて構成した
パルス発生装置。 - 【請求項６】 請求項４に記載の磁心を用いて構成した
レーザ装置。 - 【請求項７】 請求項４に記載の磁心を用いて構成した
加速器。
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