JP2892829B2 - X線蛍光体作像スクリーン及びその製造方法 - Google Patents
X線蛍光体作像スクリーン及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2892829B2 JP2892829B2 JP2513712A JP51371290A JP2892829B2 JP 2892829 B2 JP2892829 B2 JP 2892829B2 JP 2513712 A JP2513712 A JP 2513712A JP 51371290 A JP51371290 A JP 51371290A JP 2892829 B2 JP2892829 B2 JP 2892829B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- corner
- cubic
- wafer
- forming
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、光を発生し放出させるX線活性化蛍光体を
使用するタイプのX線作像スクリーン(X−ray imagin
g screens)に関し、その放出された光が感光性(photo
sensitive)フィルム又は感光性(light sensitive)立
方形状センサーを露光するために使用されるような前記
X線作像スクリーンに関する。
使用するタイプのX線作像スクリーン(X−ray imagin
g screens)に関し、その放出された光が感光性(photo
sensitive)フィルム又は感光性(light sensitive)立
方形状センサーを露光するために使用されるような前記
X線作像スクリーンに関する。
背景技術 例えば15−115KeVのエネルギー範囲でX線を捕らえて
光を発生し放射する蛍光体層を、X線作像スクリーン内
に設けることは公知であり、この放射された光は、感光
性フィルム又は感光性立体形状センサーを露光させて、
所望のX線の像を作る。
光を発生し放射する蛍光体層を、X線作像スクリーン内
に設けることは公知であり、この放射された光は、感光
性フィルム又は感光性立体形状センサーを露光させて、
所望のX線の像を作る。
そのようなスクリーンの例が、第1図に示されてお
り、同図中X線作像スクリーン10は、基板12上に形成さ
れた蛍光体層11と、スクリーンの蛍光体11の側部に対し
て押圧付着された感光性フィルムシート13とからなる。
一束のX線エネルギー14が蛍光体層11内に入って蛍光体
分子15により吸収されるとき、分子は蛍光を発し、かく
して第1図中矢印で示す全ての方向へ比較的均一に光線
を放射する。蛍光体層11をその右端表面を介して出て行
く光線は、感光性フィルム13に入ってフィルムの感光乳
剤(エマルジョン)を露光させる。フィルムはそのとき
従来の現像技術により処理されて、フィルム13上にはX
線の像が永久的に記録される。フィルムをX線エネルギ
ーにより直接露光させる上記従来装置の利点は、大きな
原子番号の蛍光体材料を適当に選択することにより、ス
クリーンに一層大きな感度を持たせて、スクリーンのX
線吸収効率を増大させる得ることである。
り、同図中X線作像スクリーン10は、基板12上に形成さ
れた蛍光体層11と、スクリーンの蛍光体11の側部に対し
て押圧付着された感光性フィルムシート13とからなる。
一束のX線エネルギー14が蛍光体層11内に入って蛍光体
分子15により吸収されるとき、分子は蛍光を発し、かく
して第1図中矢印で示す全ての方向へ比較的均一に光線
を放射する。蛍光体層11をその右端表面を介して出て行
く光線は、感光性フィルム13に入ってフィルムの感光乳
剤(エマルジョン)を露光させる。フィルムはそのとき
従来の現像技術により処理されて、フィルム13上にはX
線の像が永久的に記録される。フィルムをX線エネルギ
ーにより直接露光させる上記従来装置の利点は、大きな
原子番号の蛍光体材料を適当に選択することにより、ス
クリーンに一層大きな感度を持たせて、スクリーンのX
線吸収効率を増大させる得ることである。
しかしながら、上記従来装置の一つの欠点は、活性化
された蛍光体11から放射された全光線の僅かの割合、即
ち50パーセント以下がフィルム13に指向されるに過ぎな
いことである。蛍光体層11の表面と平行の方向又はフィ
ルム13から逃げる方向へ指向される光線は失われてしま
い、かくしてフィルムに感光性を与えるに有効なX線エ
ネルギーから光への変換効率が限定されてしまう。
された蛍光体11から放射された全光線の僅かの割合、即
ち50パーセント以下がフィルム13に指向されるに過ぎな
いことである。蛍光体層11の表面と平行の方向又はフィ
ルム13から逃げる方向へ指向される光線は失われてしま
い、かくしてフィルムに感光性を与えるに有効なX線エ
ネルギーから光への変換効率が限定されてしまう。
このタイプの装置の光収集効率、即ち全体の感度は、
二枚のフィルムシート間に蛍光体層を挟んで、蛍光体ス
クリーンの両対向面から逃げる光線を捕らえることによ
り、増大させることができる。そのとき現像後に二枚の
フィルムを重ねることにより合成像が得られる。
二枚のフィルムシート間に蛍光体層を挟んで、蛍光体ス
クリーンの両対向面から逃げる光線を捕らえることによ
り、増大させることができる。そのとき現像後に二枚の
フィルムを重ねることにより合成像が得られる。
他の公知の感度を増大させる方法が、第2図の変形し
たスクリーン10′として示され、同図中、鏡18がフィル
ム13と対向するスクリーンの左側部に配置されている。
この蛍光体層11のフィルムの無い側から通常の態様で出
た光線は、鏡18で反射されてフィルムへ至る。鏡として
は、いわゆる鏡を使用してもよいが、或いは蛍光体基板
12に蛍光体11を積層する以前に蛍光体基板12の表面12a
をアルミニウムメッキして作ってもよい。第2図の鏡を
設けられた装置は光収集効率即ちスクリーン感度を改良
し得るという利点を有するが、鏡18からの反射光がある
ため、有効スポット寸法d′が大きくなり、その分だけ
解像度が低下してしまう。こに点については、第1図の
直線光線からのみ得られるより小さなスポット寸法dと
比較されたい。
たスクリーン10′として示され、同図中、鏡18がフィル
ム13と対向するスクリーンの左側部に配置されている。
この蛍光体層11のフィルムの無い側から通常の態様で出
た光線は、鏡18で反射されてフィルムへ至る。鏡として
は、いわゆる鏡を使用してもよいが、或いは蛍光体基板
12に蛍光体11を積層する以前に蛍光体基板12の表面12a
をアルミニウムメッキして作ってもよい。第2図の鏡を
設けられた装置は光収集効率即ちスクリーン感度を改良
し得るという利点を有するが、鏡18からの反射光がある
ため、有効スポット寸法d′が大きくなり、その分だけ
解像度が低下してしまう。こに点については、第1図の
直線光線からのみ得られるより小さなスポット寸法dと
比較されたい。
米国特許第4,912,333号(本出願人との共有であり、1
990年3月27日に発行)においては、蛍光体のX線像を
強化するスクリーンの光吸収効率が反射手段としての逆
反射性小レンズ群(lenslets)を使用することにより改
良され得ることが開示されている。逆反射面とは、反射
軸線に沿う反射した入射光線が当初の入射光線の軸線と
実質的に平行である特徴を有している。このためフィル
ム上の得られた照明スポット寸法は第1図の直接光線に
より作られるスポット寸法dと効果的に同一となるが、
それでいて一層大きな光強度を有している。結果的に、
逆反射面を使用することにより、像の解像度を大幅に低
下させることなく、作像スクリーンの感度を増大させ得
る。
990年3月27日に発行)においては、蛍光体のX線像を
強化するスクリーンの光吸収効率が反射手段としての逆
反射性小レンズ群(lenslets)を使用することにより改
良され得ることが開示されている。逆反射面とは、反射
軸線に沿う反射した入射光線が当初の入射光線の軸線と
実質的に平行である特徴を有している。このためフィル
ム上の得られた照明スポット寸法は第1図の直接光線に
より作られるスポット寸法dと効果的に同一となるが、
それでいて一層大きな光強度を有している。結果的に、
逆反射面を使用することにより、像の解像度を大幅に低
下させることなく、作像スクリーンの感度を増大させ得
る。
上記米国特許第4,912,333号は、X線増強スクリーン
における逆反射面の利点を認識してはいるが、逆反射媒
体としてマイクロビード(microbeads)の形状のレンズ
を使用することを開示するのみである。それらは本発明
の目的に対しても効果的ではあるが、近接集合されたビ
ードは本質的にビード間に反射効率を低下させる空隙を
有するという事実から生ずる欠陥を有する。それらはま
た、各ビードの外方周囲の回りに反射体として作用しな
いバンド部分を有する。
における逆反射面の利点を認識してはいるが、逆反射媒
体としてマイクロビード(microbeads)の形状のレンズ
を使用することを開示するのみである。それらは本発明
の目的に対しても効果的ではあるが、近接集合されたビ
ードは本質的にビード間に反射効率を低下させる空隙を
有するという事実から生ずる欠陥を有する。それらはま
た、各ビードの外方周囲の回りに反射体として作用しな
いバンド部分を有する。
それゆえ本発明の目的は、逆反射性後方面を使用する
ことにより、感度を強調し得るが、平面状反射面のとき
に相当程度生ずる解像度ロスを生じないX線活性化蛍光
体作像スクリーンを提供することを目的とする。
ことにより、感度を強調し得るが、平面状反射面のとき
に相当程度生ずる解像度ロスを生じないX線活性化蛍光
体作像スクリーンを提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、コーナー状立方体の逆反射表面
を伴って記述されるタイプの作像スクリーンであって、
該コーナー状立方体の空間(apertures)が微視的に小
さく、従って該空間が比較的薄い蛍光体層内に生ずる光
源付き逆反射体として効果的である前記作像スクリーン
を提供することを目的とする。
を伴って記述されるタイプの作像スクリーンであって、
該コーナー状立方体の空間(apertures)が微視的に小
さく、従って該空間が比較的薄い蛍光体層内に生ずる光
源付き逆反射体として効果的である前記作像スクリーン
を提供することを目的とする。
本発明の更に他の目的は、微視的に小さいコーナー状
立方体の整列を伴う表面を形成する方法を提供すること
を目的とする。
立方体の整列を伴う表面を形成する方法を提供すること
を目的とする。
本発明の更に他の目的は、X線活性化蛍光体作像スク
リーンに使用するの適した逆反射性材料のシートを製造
する方法を提供することを目的とする。
リーンに使用するの適した逆反射性材料のシートを製造
する方法を提供することを目的とする。
発明の開示 上記目的を達成するための本発明の構成は、 平面状整列のコーナー状立方体表面の製造方法であっ
て、 立方体構造の{111}平面内で配向されたウエファー
対向面を設けられた立方体格子構造を有する単結晶材料
のウエファーを形成す工程と、 所望整列状態で近接的に集合した等辺三角形開口部か
らなるフォトレジストパターンをウエファーの対向面上
に形成する工程であって、隣接する開口部は一対のかつ
同一広がりのかつ平行の辺を有し、三角形開口部の辺は
立方体構造の対向面の{111}平面内で立方体格子の〈1
10〉方向と平行であり、該隣接三角形開口部の該平行辺
は整列パターンの全範囲にわたり所定寸法だけ互に離間
しているような前記工程と、 立方体格子構造の{100}平面を選択的にエッチング
するに適した異方性エッチング液により液晶材料をエッ
チングして、フォトレジストパターンの三角形開口部の
下方の内部コーナー状立方体のピラミッド状表面の対応
整列を形成する工程とからなる。エッチング工程の終了
時には、フォトレジストパターンは、ウエファーの対向
面上に平面状整列のコーナー状立方体表面を残すように
除去される。
て、 立方体構造の{111}平面内で配向されたウエファー
対向面を設けられた立方体格子構造を有する単結晶材料
のウエファーを形成す工程と、 所望整列状態で近接的に集合した等辺三角形開口部か
らなるフォトレジストパターンをウエファーの対向面上
に形成する工程であって、隣接する開口部は一対のかつ
同一広がりのかつ平行の辺を有し、三角形開口部の辺は
立方体構造の対向面の{111}平面内で立方体格子の〈1
10〉方向と平行であり、該隣接三角形開口部の該平行辺
は整列パターンの全範囲にわたり所定寸法だけ互に離間
しているような前記工程と、 立方体格子構造の{100}平面を選択的にエッチング
するに適した異方性エッチング液により液晶材料をエッ
チングして、フォトレジストパターンの三角形開口部の
下方の内部コーナー状立方体のピラミッド状表面の対応
整列を形成する工程とからなる。エッチング工程の終了
時には、フォトレジストパターンは、ウエファーの対向
面上に平面状整列のコーナー状立方体表面を残すように
除去される。
平面状整列コーナー状立方体表面を作ったとき、X線
により活性化される蛍光体の作像スクリーンの後方反射
体として使用される逆反射性シートが、コーナー状立方
体表面の陰画マスターを金属メッキ等により形成し更に
該陰画マスターを単結晶表面から分離させることによ
り、製造される。そのとき、エッチングされた結晶のコ
ーナー状立方体表面とマッチングした平面状整列のコー
ナー状立方体表面を有するシートが、適当なモールディ
ング工程によって陰画マスター上に形成される。シート
を陰画マスターから除去した後、コーナー状立方体表面
が、アルミニウムを上記表面に蒸着させる等の適当な方
法によって反射性を有するよう形成される。
により活性化される蛍光体の作像スクリーンの後方反射
体として使用される逆反射性シートが、コーナー状立方
体表面の陰画マスターを金属メッキ等により形成し更に
該陰画マスターを単結晶表面から分離させることによ
り、製造される。そのとき、エッチングされた結晶のコ
ーナー状立方体表面とマッチングした平面状整列のコー
ナー状立方体表面を有するシートが、適当なモールディ
ング工程によって陰画マスター上に形成される。シート
を陰画マスターから除去した後、コーナー状立方体表面
が、アルミニウムを上記表面に蒸着させる等の適当な方
法によって反射性を有するよう形成される。
図面の簡単な説明 第1図はX線活性化蛍光体の作像スクリーンの従来技
術の概略構成の断面を示す。
術の概略構成の断面を示す。
第2図はX線活性化蛍光体の作像スクリーンの他の従
来技術の概略構成の断面を示す。
来技術の概略構成の断面を示す。
第3図は本発明によるX線活性化蛍光体の作像スクリ
ーンの概略構成の断面を示す。
ーンの概略構成の断面を示す。
第4図は本発明により製造されかつ第3図の作像スク
リーン内で具体化されたコーナー状立方体逆反射性表面
の一部の平面図である。
リーン内で具体化されたコーナー状立方体逆反射性表面
の一部の平面図である。
第5図は本発明の方法及び構造を説明するに有用な立
方体格子の実物大のダイアグラムを示す。
方体格子の実物大のダイアグラムを示す。
第6図は本発明の方法に使用されるフォトレジストマ
スクパターンの一部の平面図を示す。
スクパターンの一部の平面図を示す。
第7図は本発明の方法を示すためのコーナー状立方体
マスターパネルのセグメントの一連の断面図を示す。
マスターパネルのセグメントの一連の断面図を示す。
発明を行う最良の実施例 前述した通り、第1図及び第2図は、平面鏡を使用す
ることにより、もし該平面鏡が無ければ感光性フィルム
から逸れてしまう光線を反射することにより蛍光体スク
リーンの効率を高める場合に、光線収集効率とイメージ
(像)の解像力との間のジレンマを効果的に示したもの
である。第2図の鏡18は蛍光性の光線を外方へ反射させ
ることにより、第1図のスクリーンのスポット寸法dに
比して、フィルム13上のスポット寸法d′の領域がかな
り増大する。
ることにより、もし該平面鏡が無ければ感光性フィルム
から逸れてしまう光線を反射することにより蛍光体スク
リーンの効率を高める場合に、光線収集効率とイメージ
(像)の解像力との間のジレンマを効果的に示したもの
である。第2図の鏡18は蛍光性の光線を外方へ反射させ
ることにより、第1図のスクリーンのスポット寸法dに
比して、フィルム13上のスポット寸法d′の領域がかな
り増大する。
本発明の作像スクリーンの現時点での好ましい具体例
が第3図に示されており、同図中第2図の平面鏡18がコ
ーナー状立方体の逆反射面(corner cube retroreflect
ive surface;逆反射性とは反射経路が入射経路と平行の
場合を指す)21を有するシート20により置き換えられて
おり、逆反射面21は蛍光体層11の対向面22に対面するよ
う位置決めされる。図示の具体例では、シート20は基板
12の外面に接触して位置決めされ、基板12には蛍光体層
11が積層される。他の例として、蛍光体層11はシート20
上に直接積層されてもよく、これにより中間基板12を省
略してもよい。図面は実物大にはなっていないが、本発
明の概念を最も良く示すように示されていることを理解
されたい。また、逆反射性シート20の製造に使用する材
料は好ましくは、蛍光体層11へのX線の進入が可能なる
よう検出されるX線にとって実質的に透過性でなければ
ならないことを理解されたい。
が第3図に示されており、同図中第2図の平面鏡18がコ
ーナー状立方体の逆反射面(corner cube retroreflect
ive surface;逆反射性とは反射経路が入射経路と平行の
場合を指す)21を有するシート20により置き換えられて
おり、逆反射面21は蛍光体層11の対向面22に対面するよ
う位置決めされる。図示の具体例では、シート20は基板
12の外面に接触して位置決めされ、基板12には蛍光体層
11が積層される。他の例として、蛍光体層11はシート20
上に直接積層されてもよく、これにより中間基板12を省
略してもよい。図面は実物大にはなっていないが、本発
明の概念を最も良く示すように示されていることを理解
されたい。また、逆反射性シート20の製造に使用する材
料は好ましくは、蛍光体層11へのX線の進入が可能なる
よう検出されるX線にとって実質的に透過性でなければ
ならないことを理解されたい。
逆反射面21は、第3図中二重の矢印線で示す如く、そ
の反射光線が入射光線照明の軸線に平行な軸線に実質的
に沿って戻る特徴を示すものとして知られている。コー
ナー状立方体反射セル(cell)の空間(aperture)が小
さいほど、入射及び反射軸線はより近接して一致する。
従って、反射性シート20の逆反射性特徴によれば、蛍光
体層11の左側の対向面22から通常出てくる光線、又は平
面鏡の場合には拡大する領域にわたって外方へ反射され
るであろう光線は、そうなる代わりに、最初の光源15を
通って伸びる軸線に沿って効果的に戻る。かくして、よ
り大きな明るさの場合は別として、第1図の無修正スク
リーンにより実現されるスポット寸法dと実質的に同一
の寸法dでフィルム13上に露出を強化するよう機能す
る。かくして、スクリーンの感度は解像力の相当程度の
ロスを伴うことなく改良される。
の反射光線が入射光線照明の軸線に平行な軸線に実質的
に沿って戻る特徴を示すものとして知られている。コー
ナー状立方体反射セル(cell)の空間(aperture)が小
さいほど、入射及び反射軸線はより近接して一致する。
従って、反射性シート20の逆反射性特徴によれば、蛍光
体層11の左側の対向面22から通常出てくる光線、又は平
面鏡の場合には拡大する領域にわたって外方へ反射され
るであろう光線は、そうなる代わりに、最初の光源15を
通って伸びる軸線に沿って効果的に戻る。かくして、よ
り大きな明るさの場合は別として、第1図の無修正スク
リーンにより実現されるスポット寸法dと実質的に同一
の寸法dでフィルム13上に露出を強化するよう機能す
る。かくして、スクリーンの感度は解像力の相当程度の
ロスを伴うことなく改良される。
周知の如く、第4図に最も良く示される如く、コーナ
ー状立方体逆反射面21は、3つの辺のかつ内部がピラミ
ッド状である平面状整列の複数の表面からなり、これら
は立方体の直径方向に反対のコーナー部を接続するライ
ンに直行する平面と立方体のコーナー部との交わりによ
り作られるであろう。かくして第4図において、各内部
ピラミッド状の面が、紙面上に横たわりかつ開放形状等
辺三角形の空間(aperture)を画成する3つの基部ライ
ン31a−31cと、紙面の下方に位置する共通頂点23で交わ
る二等辺三角形方面を画成する3つの平面状側部32a−3
2cとにより形成される。これらの、内部ピラミッド状表
面は適当な反射性表面処理、例えばアルミナ処理により
コーティングされて、所望の逆反射面21(第3図参照)
を形成する。
ー状立方体逆反射面21は、3つの辺のかつ内部がピラミ
ッド状である平面状整列の複数の表面からなり、これら
は立方体の直径方向に反対のコーナー部を接続するライ
ンに直行する平面と立方体のコーナー部との交わりによ
り作られるであろう。かくして第4図において、各内部
ピラミッド状の面が、紙面上に横たわりかつ開放形状等
辺三角形の空間(aperture)を画成する3つの基部ライ
ン31a−31cと、紙面の下方に位置する共通頂点23で交わ
る二等辺三角形方面を画成する3つの平面状側部32a−3
2cとにより形成される。これらの、内部ピラミッド状表
面は適当な反射性表面処理、例えばアルミナ処理により
コーティングされて、所望の逆反射面21(第3図参照)
を形成する。
逆反射面の性質により、光源が平面状整列の反射面か
ら遠ざかるほど、反射光線はそれだけ反射光線の散乱が
最小となりつつ真の逆反射性となる。別の言い方をすれ
ば、反射性セルの空間は理想的には、フィルム13上に結
ばれる像に所望の解像力を保持するために、光源15から
ピラミッド内空間までの距離に比して非常に小さくなけ
ればならない。本発明によって達成されるタイプの蛍光
体スクリーンにおいては、光源15から逆反射性面21まで
の距離は、X線が蛍光体層11に吸収されるまでに該蛍光
体層11中を進行する距離(もし蛍光体層11及び反射基板
間に蛍光体基板が使用されるなら、更には該蛍光体基板
の厚さをプラスしたもの)に依存して、蛍光の発生を生
ずる。
ら遠ざかるほど、反射光線はそれだけ反射光線の散乱が
最小となりつつ真の逆反射性となる。別の言い方をすれ
ば、反射性セルの空間は理想的には、フィルム13上に結
ばれる像に所望の解像力を保持するために、光源15から
ピラミッド内空間までの距離に比して非常に小さくなけ
ればならない。本発明によって達成されるタイプの蛍光
体スクリーンにおいては、光源15から逆反射性面21まで
の距離は、X線が蛍光体層11に吸収されるまでに該蛍光
体層11中を進行する距離(もし蛍光体層11及び反射基板
間に蛍光体基板が使用されるなら、更には該蛍光体基板
の厚さをプラスしたもの)に依存して、蛍光の発生を生
ずる。
より厚い蛍光体層11はスクリーンの吸収効率を増大さ
せかつ同時に反射体表面からの蛍光体の発生の平均距離
を増大させるが、最大の厚さは解像力を低下させる光散
乱の考察により限定される。蛍光体層11内をX線が極小
距離進行するのに対応してフィルム層から離れて生ずる
蛍光の発生は、フィルム層に近接して生ずる蛍光発生よ
りもフィルム上により大きな直径のスッポトを本質的に
生ぜしめる。典型的なX線蛍光体構成物では、その50ミ
クロン〜200ミクロンの厚さ範囲が一般的に許容可能と
されている。
せかつ同時に反射体表面からの蛍光体の発生の平均距離
を増大させるが、最大の厚さは解像力を低下させる光散
乱の考察により限定される。蛍光体層11内をX線が極小
距離進行するのに対応してフィルム層から離れて生ずる
蛍光の発生は、フィルム層に近接して生ずる蛍光発生よ
りもフィルム上により大きな直径のスッポトを本質的に
生ぜしめる。典型的なX線蛍光体構成物では、その50ミ
クロン〜200ミクロンの厚さ範囲が一般的に許容可能と
されている。
この厚さ範囲内の蛍光体層で蛍光を発生するとき、も
し反射物セルの空間寸法が基部ライン31a−31cの一つか
ら紙面上に横たわる対応する反対側頂点まで伸びる直交
ラインに沿って測ったときに約50ミクロン又はそれ以下
ならば、適切な逆反射が得られる。しかしながら、最小
の空間寸法は、回折効果を避けるために入射蛍光光線の
波長により限定される。このため、最小の空間寸法は約
10λであり、この場合λ(ラムダ)は入射光線の波長で
ある。約0.5ミクロンの典型的な波長λを仮定したとす
ると、これは、前述した如く約50ミクロンまでの一層大
きな反射物セル空間に対しても満足に機能するであろう
が、約5ミクロンの反射物セル空間が考察されるタイプ
のスクリーンに対して好ましい逆反射性の特徴を与える
であろう。
し反射物セルの空間寸法が基部ライン31a−31cの一つか
ら紙面上に横たわる対応する反対側頂点まで伸びる直交
ラインに沿って測ったときに約50ミクロン又はそれ以下
ならば、適切な逆反射が得られる。しかしながら、最小
の空間寸法は、回折効果を避けるために入射蛍光光線の
波長により限定される。このため、最小の空間寸法は約
10λであり、この場合λ(ラムダ)は入射光線の波長で
ある。約0.5ミクロンの典型的な波長λを仮定したとす
ると、これは、前述した如く約50ミクロンまでの一層大
きな反射物セル空間に対しても満足に機能するであろう
が、約5ミクロンの反射物セル空間が考察されるタイプ
のスクリーンに対して好ましい逆反射性の特徴を与える
であろう。
この小な寸法の空間を有する適当なコーナー状立方体
の反射物表面は、単結晶立方体格子のシリコンウエファ
ー(wafer)から製造され得るが、このウエファーは異
方性のエッチング液によりエッチングしてコーナー状立
方体反射物セルのマスターパターンを製造して得られ
る。この製法の説明の理解を助けるために、三次元結晶
格子構造及び更に詳しくは立方体格子の具体例に応用さ
れたものを記述する周知のミラー指標(Miller indice
s)の慣例を見直すのが有益である。
の反射物表面は、単結晶立方体格子のシリコンウエファ
ー(wafer)から製造され得るが、このウエファーは異
方性のエッチング液によりエッチングしてコーナー状立
方体反射物セルのマスターパターンを製造して得られ
る。この製法の説明の理解を助けるために、三次元結晶
格子構造及び更に詳しくは立方体格子の具体例に応用さ
れたものを記述する周知のミラー指標(Miller indice
s)の慣例を見直すのが有益である。
第5図を参照すると、立方体「abcdef」は6面を有
し、その各面は3つの互に直交する基準軸の標準化した
切片を表す一組の3つの座標により特定される。かくし
て面「abcd」はミラー指標において(100)平面として
その丸括弧( )内に表現され、面「efgh」は(00)
平面として表現される。均等対称の残りの4つの面は個
別に次のように表現される。
し、その各面は3つの互に直交する基準軸の標準化した
切片を表す一組の3つの座標により特定される。かくし
て面「abcd」はミラー指標において(100)平面として
その丸括弧( )内に表現され、面「efgh」は(00)
平面として表現される。均等対称の残りの4つの面は個
別に次のように表現される。
「cghd」=(010) 「bfgc」=(001) 「abfe」=(00) 「aehd」=(00) 同様にして、三角形「ahf」の傾斜面は(111)とし
て、三角形「bdg」の傾斜面は(11)として表現され
る。三角形の均等対称の残りの6つの傾斜面は個別に次
のように表現される。
て、三角形「bdg」の傾斜面は(11)として表現され
る。三角形の均等対称の残りの6つの傾斜面は個別に次
のように表現される。
「deg」=(11) 「hac」=(1) 「edb」=(11) 「cfh」=(1) 「gbd」=() 「fca」=(1) 均等対称の全ての平面は丸括弧の代わりにねじれ角型
括弧(ブレース){ }を使用した単一表現により表さ
れる。かくして全ての立方体表面は表現{100}により
表され、一方、立方体の全ての上述の傾斜面は表現{11
1}により表される。
括弧(ブレース){ }を使用した単一表現により表さ
れる。かくして全ての立方体表面は表現{100}により
表され、一方、立方体の全ての上述の傾斜面は表現{11
1}により表される。
立方体結晶の方向は、軸線ベクトルに言及した所望の
方向におけるベクトルの整数において表され、個別の方
向を表現するために角型括弧[ ]内に書かれるか、又
は均等対称の全ての方向を明示するために角度付き型括
弧〈 〉内に書かれる。第5図の立方体において、X軸
「ea」は[100]方向であり、−X軸「ae」は[00]
方向である。同様に、第5図のライン「af」は[01]
方向であり、ライン「fa」は「10]方向である。全部
の集合(set)の等価方向はかくして部分集合(subset
s)[01]、[10]、[01]、[01]、[1
0]及び[0]を伴う〈110〉として表され、こ
れらは立方体表面の図示された(111)平面の3つの交
差ラインの方向である。各等価対称平面{111}は、表
現〈111〉内に含まれる関連した方向の対応部分集合を
有するであろうことを理解されたい。
方向におけるベクトルの整数において表され、個別の方
向を表現するために角型括弧[ ]内に書かれるか、又
は均等対称の全ての方向を明示するために角度付き型括
弧〈 〉内に書かれる。第5図の立方体において、X軸
「ea」は[100]方向であり、−X軸「ae」は[00]
方向である。同様に、第5図のライン「af」は[01]
方向であり、ライン「fa」は「10]方向である。全部
の集合(set)の等価方向はかくして部分集合(subset
s)[01]、[10]、[01]、[01]、[1
0]及び[0]を伴う〈110〉として表され、こ
れらは立方体表面の図示された(111)平面の3つの交
差ラインの方向である。各等価対称平面{111}は、表
現〈111〉内に含まれる関連した方向の対応部分集合を
有するであろうことを理解されたい。
コーナー状立方体逆反射体表面が本発明によって作ら
れる工程を考察すると、立方体結晶対称を有する単結晶
材料のウエファーは、立方体格子構造の{111}平面に
配向された平面状対向面を有するように形成される。フ
ォトレジスト材料の層はそのときウエファーの対向面上
にコーティングされる。公知の平板印刷(lithographi
c)技術を使用して、第6図に示す如く、閉鎖状集合型
等辺三角形の開口部(openings)40の整列パターンがフ
ォトレジスト層42に形成される。三角形の各開口部40
は、第6図に示すパターンで配向され、その場合ウエフ
ァーの対向面の{111}平面内に横たわる立方体格子構
造の各〈110〉方向に対して平行の各三角形の辺を有
し、かつ後述する所定の量だけ離れた各隣接三角形の開
口部の平行辺を有している。この物理的配設は第6図の
ダイアグラムにより最も良く観察でき、同図は、第5図
に示される立方体格子構造に関しての三角形開口部40の
幾何学的配向を図示している。
れる工程を考察すると、立方体結晶対称を有する単結晶
材料のウエファーは、立方体格子構造の{111}平面に
配向された平面状対向面を有するように形成される。フ
ォトレジスト材料の層はそのときウエファーの対向面上
にコーティングされる。公知の平板印刷(lithographi
c)技術を使用して、第6図に示す如く、閉鎖状集合型
等辺三角形の開口部(openings)40の整列パターンがフ
ォトレジスト層42に形成される。三角形の各開口部40
は、第6図に示すパターンで配向され、その場合ウエフ
ァーの対向面の{111}平面内に横たわる立方体格子構
造の各〈110〉方向に対して平行の各三角形の辺を有
し、かつ後述する所定の量だけ離れた各隣接三角形の開
口部の平行辺を有している。この物理的配設は第6図の
ダイアグラムにより最も良く観察でき、同図は、第5図
に示される立方体格子構造に関しての三角形開口部40の
幾何学的配向を図示している。
第6図中、フォトレジスト材料42の層は、その中に閉
鎖状集合型等辺三角形開口部40の列のパターンを形成さ
れている。三角形開口部の各辺は、単一のシリコンウエ
ファー44(第7図参照)の対向面{111}平面内に横た
わる立方体格子構造(第5図中、ラインag,gf及びfa)
の〈110〉方向に対して平行に配向されており、ウエフ
ァー44上にはフォトレジスト材料層42が積層されてい
る。典型的には、シリコンウエファー44はその一側部に
基準端部切り込みを有して製造され、これによりウエフ
ァーの立方体格子の配向が明示される。この基準端部切
り込みは〈110〉方向に平行になるよう特定され、これ
により結晶軸に対するウエファーの所望の物理的配向が
明示される。かくして、等辺三角形の平板印刷マスクが
製造されたとき、対応する基準端部がマスク内に三角形
の一辺と平行になるよう組み込まれる。そのときマスク
がフォトレジスト層42上に適切に整合されるのを保証す
るべく、上記三角形の一辺はウエファーの基準端部に整
合され、これにより三角形の各開口部と立方体格子構造
の各〈110〉方向との間の平行度が得られる。三角形パ
ターンとウエファー面の{111}における各〈110〉方向
とが回転対称であるため、マスクの基準端部は一つの三
角形端部と平行であればよく、これにより三角形の各開
口部の立方体格子構造に対する所望の配向が得られる。
鎖状集合型等辺三角形開口部40の列のパターンを形成さ
れている。三角形開口部の各辺は、単一のシリコンウエ
ファー44(第7図参照)の対向面{111}平面内に横た
わる立方体格子構造(第5図中、ラインag,gf及びfa)
の〈110〉方向に対して平行に配向されており、ウエフ
ァー44上にはフォトレジスト材料層42が積層されてい
る。典型的には、シリコンウエファー44はその一側部に
基準端部切り込みを有して製造され、これによりウエフ
ァーの立方体格子の配向が明示される。この基準端部切
り込みは〈110〉方向に平行になるよう特定され、これ
により結晶軸に対するウエファーの所望の物理的配向が
明示される。かくして、等辺三角形の平板印刷マスクが
製造されたとき、対応する基準端部がマスク内に三角形
の一辺と平行になるよう組み込まれる。そのときマスク
がフォトレジスト層42上に適切に整合されるのを保証す
るべく、上記三角形の一辺はウエファーの基準端部に整
合され、これにより三角形の各開口部と立方体格子構造
の各〈110〉方向との間の平行度が得られる。三角形パ
ターンとウエファー面の{111}における各〈110〉方向
とが回転対称であるため、マスクの基準端部は一つの三
角形端部と平行であればよく、これにより三角形の各開
口部の立方体格子構造に対する所望の配向が得られる。
第7図を参照すると、所望のコーナー状立方体パター
ンがシリコンウエファー内でエッチングされる工程が示
されている。第7図はフォトレジスト層42をシリコンウ
エファー44上に積層する工程から始まるコーナー状立方
体パターンの成型の段階を概略的に示す。上述の如く、
フォトレジストを三角形整列のマスクを有して成型され
た後、複数の適当に配向された三角形開口部40がフォト
レジスト層42内に形成される。シリコンウエファー44の
立方体格子構造の{100}平面を選択液にエッチングす
るように選定された異方性のエッチング液が、公知の方
法によりフォトレジストパターンへ向いた表面上を流
れ、{100}平面32a−32cの異方性エッチングが開始さ
れる。シリコン内の{100}平面の異方性エッチングを
行う適当なエッチング液は、「集積回路製造技術」(In
tegrated Circuit Fabrication Technology)(248−25
0頁、David J.Eliott著、1982年マグローヒル社出版)
に記述されている。第7C図中矢印45により示す如く、
{100}平面32a−32cに沿って一度エッチングが始まる
と、そのプロセスは選定された{100}平面に沿ってキ
ャビティの寸法を増大させつつ続行し、作られた各セル
内で{111}平面の表面46は次第に減少する。最後に、
{111}平面が完全に消失しかつ{100}平面32a−32cが
互に頂点23で出会ったときにプロセスは終了する。X線
作像スクリーンを製造するためには、コーナー状立方体
の整列をつくるとき、{111}平面の表面が隣接するコ
ーナー状立方体間に全く残らないようにすることが望ま
しい。この結果を得るために、フォトレジストパターン
内の各三角形開口部40の隣接する平行辺間のスペース
は、選ばれたエッチング液のエッチング速度を勘案して
決定され、これにより隣接するコーナー状立方体の各
{100}平面は、少なくともコーナー状立方体の異方性
エッチングが終了する時までに、ウエファー44の対向面
内の各〈110〉方向に対応する交差基部ライン31a−31c
に出会うことが可能となる。エッチングプロセスの終了
時に、フォトレジスト材料42は公知の方法によりシリコ
ンから洗い流され、かくして所望のコーナー状立方体表
面が残される。
ンがシリコンウエファー内でエッチングされる工程が示
されている。第7図はフォトレジスト層42をシリコンウ
エファー44上に積層する工程から始まるコーナー状立方
体パターンの成型の段階を概略的に示す。上述の如く、
フォトレジストを三角形整列のマスクを有して成型され
た後、複数の適当に配向された三角形開口部40がフォト
レジスト層42内に形成される。シリコンウエファー44の
立方体格子構造の{100}平面を選択液にエッチングす
るように選定された異方性のエッチング液が、公知の方
法によりフォトレジストパターンへ向いた表面上を流
れ、{100}平面32a−32cの異方性エッチングが開始さ
れる。シリコン内の{100}平面の異方性エッチングを
行う適当なエッチング液は、「集積回路製造技術」(In
tegrated Circuit Fabrication Technology)(248−25
0頁、David J.Eliott著、1982年マグローヒル社出版)
に記述されている。第7C図中矢印45により示す如く、
{100}平面32a−32cに沿って一度エッチングが始まる
と、そのプロセスは選定された{100}平面に沿ってキ
ャビティの寸法を増大させつつ続行し、作られた各セル
内で{111}平面の表面46は次第に減少する。最後に、
{111}平面が完全に消失しかつ{100}平面32a−32cが
互に頂点23で出会ったときにプロセスは終了する。X線
作像スクリーンを製造するためには、コーナー状立方体
の整列をつくるとき、{111}平面の表面が隣接するコ
ーナー状立方体間に全く残らないようにすることが望ま
しい。この結果を得るために、フォトレジストパターン
内の各三角形開口部40の隣接する平行辺間のスペース
は、選ばれたエッチング液のエッチング速度を勘案して
決定され、これにより隣接するコーナー状立方体の各
{100}平面は、少なくともコーナー状立方体の異方性
エッチングが終了する時までに、ウエファー44の対向面
内の各〈110〉方向に対応する交差基部ライン31a−31c
に出会うことが可能となる。エッチングプロセスの終了
時に、フォトレジスト材料42は公知の方法によりシリコ
ンから洗い流され、かくして所望のコーナー状立方体表
面が残される。
ウエファー44の面上に得られたコーナー状立方体表面
は、次いでウエファー上に金属をメッキすることにより
陰画マスターを形成するためのパターンとして機能し、
この陰画マスターは次にシリコンを引きはがすか又は溶
かし去ることによりウエファーから分離される。この金
属マスターは次いで第4図のコーナー状立方体シート20
を作る際にフィルム基板を作るのに用いた如き適当な材
料によりコーティングされ、それは硬化及び除去の後例
えばシートのコーナー状立方体表面上のアルミニウムを
蒸発させることにより反射される。
は、次いでウエファー上に金属をメッキすることにより
陰画マスターを形成するためのパターンとして機能し、
この陰画マスターは次にシリコンを引きはがすか又は溶
かし去ることによりウエファーから分離される。この金
属マスターは次いで第4図のコーナー状立方体シート20
を作る際にフィルム基板を作るのに用いた如き適当な材
料によりコーティングされ、それは硬化及び除去の後例
えばシートのコーナー状立方体表面上のアルミニウムを
蒸発させることにより反射される。
現代において、、シリコンウエファーは比較的小さな
寸法で製造され、典型的には直径が約6インチの円形ウ
エファーで作られる。X線作像スクリーンを製造するの
に使用するに十分な大きさのコーナー状立方体シートを
作るためには、適当な四角又は矩形の寸法にカットされ
た複数のシリコンウエファーがエッチングされて、マス
ターのコーナー状立方体表面が作製され、その後ウエフ
ァーは所望の寸法のシートを作るべく突き合わされる。
ウエファーのカッティングはエッチングプロセスの前又
は後に行い得る。
寸法で製造され、典型的には直径が約6インチの円形ウ
エファーで作られる。X線作像スクリーンを製造するの
に使用するに十分な大きさのコーナー状立方体シートを
作るためには、適当な四角又は矩形の寸法にカットされ
た複数のシリコンウエファーがエッチングされて、マス
ターのコーナー状立方体表面が作製され、その後ウエフ
ァーは所望の寸法のシートを作るべく突き合わされる。
ウエファーのカッティングはエッチングプロセスの前又
は後に行い得る。
本発明が現在の所好ましい具体例に言及して記述され
てきたが、種々の変形例及び修正例が本発明の範囲内で
実行可能であることを理解すべきである。
てきたが、種々の変形例及び修正例が本発明の範囲内で
実行可能であることを理解すべきである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G21K 4/00 G02B 5/00 - 5/136 H01L 21/302 - 21/308
Claims (15)
- 【請求項1】平面状整列のコーナー状立方体表面の製造
方法であって、 立方体構造の{111}平面内で配向されたウエファー対
向面を設けられた立方体格子構造を有する単結晶材料の
ウエファーを形成する工程と、所望整列状態で近接的に
集合した等辺三角形開口部からなるフォトレジストパタ
ーンをウエファーの対向面上に形成する工程であって、
隣接する開口部は一対のかつ同一広がりのかつ平行の辺
を有し、三角形開口部の辺は立方体構造の対向面の{11
1}平面内で立方体格子の〈110〉方向と平行であり、該
隣接三角形開口部の該平行辺は整列パターンの全範囲に
わたり所定寸法だけ互に離間しているような前記工程
と、 立方体格子構造の{100}平面を選択的にエッチングす
るに適した異方性エッチング液により液晶材料をエッチ
ングして、フォトレジストパターンの三角形開口部の下
方の内部コーナー状立方体のピラミッド状表面の対応整
列を形成することにより、隣接するコーナー状立方体間
に{111}平面状表面が残らないようにする工程と、 フォトレジストパターンを除去してウエファーの対向面
上に平面状整列コーナー状立方体表面を残す工程と、 から構成してなることを特徴とする平面状整列のコーナ
ー状立方体表面の製造方法。 - 【請求項2】請求項1記載の製造方法において、隣接す
る各三角形開口部の一対のかつ同一広がりのかつ平行の
辺は、整列パターンの全範囲にわたり等距離だけ互に離
間していることを特徴とする製造方法。 - 【請求項3】請求項1記載の製造方法において、ウエフ
ァーが立方体格子構造の単結晶シリコンであることを特
徴とする製造方法。 - 【請求項4】請求項2又は3記載の製造方法において、
隣接する各三角形開口部の一対のかつ同一広がりのかつ
平行の辺は、隣接するコーナー状立方体の各{100}平
面が少なくとも該コーナー状立方体の異方性エッチング
が終了する時までに互に出合うようにされていることを
特徴とする製造方法。 - 【請求項5】平面状整列のコーナー状立方体の逆反射性
表面を有するシートを製造する方法であって、 立方体構造の{111}平面内で配向されたウエファー対
向面を設けられた立方体格子構造を有する単結晶材料の
ウエファーを形成する工程と、 所望整列状態で近接的に集合した等辺三角形開口部から
なるフォトレジストパターンをウエファーの対向面上に
形成する工程であって、隣接する開口部は一対のかつ同
一広がりのかつ平行の辺を有し、三角形開口部の辺は立
方体構造の対向面の{111}平面内で立方体格子の〈11
0〉方向と平行であり、該隣接三角形開口部の該平行辺
は整列パターンの全範囲にわたり所定寸法だけ互に離間
しているような前記工程と、 立方体格子構造の{100}平面を選択的にエッチングす
るに適した異方性エッチング液により結晶材料をエッチ
ングして、フォトレジストパターンの三角形開口部の下
方の内部コーナー状立方体のピラミッド状表面の対応整
列を形成することにより、隣接するコーナー状立方体間
に{111}平面状表面が残らないようにする工程と、 フォトレジストパターンを除去してウエファーの対向面
上に平面状整列コーナー状立方体表面を残す工程と、 平面状整列コーナー立方体表面から陰画構造を形成する
工程と、 前記陰画構造上に十分な厚さを有するシートを形成する
工程であて、該シートはその一面上に形成された平面状
整列コーナー状立方体の表面の完全な陽画複写を伴うよ
うな前記シート形成工程と、 該シートを陰画構造から分離する工程と、 該シートのコーナー状立方体表面を光学的反射性材料に
よりコーティングして、コーティング立方体の逆反射面
を形成する工程と、 から構成してなることを特徴とする平面状整列のコーナ
ー状立方体の逆反射性表面を有するシートを製造する方
法 - 【請求項6】請求項5記載の製造方法において、隣接す
る各三角形開口部の一部のかつ同一広がりのかつ平行の
辺は、整列パターンの全範囲にわたり等距離だけ互に離
間していることを特徴とする製造方法。 - 【請求項7】請求項5記載の製造方法において、ウエフ
ァーが単一立方体シリコンであることを特徴とする製造
方法。 - 【請求項8】請求項6又は7記載の製造方法において、
隣接する各三角形開口部の一対のかつ同一広がりのかつ
平行の辺は、隣接するコーナー状立方体の各{100}平
面が少なくとも該コーナー状立方体の異方性エッチング
が終了する時までに互に出会うようにされていることを
特徴とする製造方法。 - 【請求項9】X線作像蛍光体スクリーンを製造する方法
であって、 立方体構造の{111}平面内で配向されたウエファー対
向面を設けられた立方体格子構造を有する単結晶材料の
ウエファーを形成する工程と、 所望整列状態で近接離間した等辺三角形開口部からなる
フォトレジストパターンをウエファーの対向面上に形成
する工程であって、隣接する開口部は一対のかつ同一広
がりのかつ平行の辺を有し、三角形開口部の辺は立方体
構造の対向面の{111}平面内で立方体格子の〈110〉方
向と平行であり、該隣接三角形開口部の該平行辺は整列
パターンの全範囲にわたり所定寸法だけ互に離間してい
るような前記工程と、 立方体格子構造の{100}平面を選択的にエッチングす
るに適した異方性エッチング液により結晶材料をエッチ
ングして、フォトレジストパターンの三角形開口部の下
方の内部コーナー状立方体のピラミッド状表面の対応整
列を形成することにより、隣接するコーナー状立方体間
に{111}平面状表面が残らないようにする工程と、 フォトレジストパターンを除去してウエファーの対向面
上に平面状整列コーナー状立方体表面を残す工程と、 平面状整列コーナー立方体表面から陰画構造を形成する
工程と、 前記陰画構造上に、十分な厚さを有する略X線透過性の
材料のシートを形成する工程であて、該シートはその一
面上に形成された平面状整列コーナー状立方体の表面の
完全な陽画複写を伴うような前記シート形成工程と、 該シートを陰画構造から分離する工程と、 該シートのコーナー状立方体表面を略X線透過性でかつ
光学的反射性材料によりコーティングして、コーナー状
立方体の逆反射面を形成する工程と、 X線を吸収して光線を放射する蛍光体の層を形成する工
程と、 前記シートを蛍光体層に対し、コーナー状立方体逆反射
面が該蛍光体層に対面するよう向かい合わせて配置する
工程と、 から構成してなることを特徴とするX線作像蛍光体スク
リーンを製造する方法。 - 【請求項10】請求項9記載の製造方法において、隣接
する各三角形開口部の一対のかつ同一広がりのかつ平行
の辺は、整列パターンの全範囲にわたり等距離だけ互に
離間していることを特徴とする製造方法。 - 【請求項11】請求項9記載の製造方法において、ウエ
ファーが単一立方体シリコンであることを特徴とする製
造方法。 - 【請求項12】請求項10又は11記載の製造方法におい
て、隣接する三角形開口部の一対のかつ同一広がりのか
つ平行な辺は、隣接するコーナー状立方体の各{100}
平面が少なくとも該コーナー状立方体の異方性エッチン
グが終了する時までに互に出合うようにされていること
を特徴とする製造方法。 - 【請求項13】請求項1、2、3、又は4の何れか1項
記載の製造方法により製造された、近接して集合した平
面状整列コーナー状立方体の表面を有する層。 - 【請求項14】請求項5、6、7又は8の何れか1項記
載の製造方法により製造された、平面状整列コーナー状
立方体の逆反射面を有するシート。 - 【請求項15】請求項9、10、11又は12の何れか1項記
載の製造方法により製造された、X線作像蛍光体スクリ
ーン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/403,246 US4992699A (en) | 1989-09-05 | 1989-09-05 | X-ray phosphor imaging screen and method of making same |
| US403,246 | 1989-09-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04501614A JPH04501614A (ja) | 1992-03-19 |
| JP2892829B2 true JP2892829B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=23595068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2513712A Expired - Lifetime JP2892829B2 (ja) | 1989-09-05 | 1990-08-29 | X線蛍光体作像スクリーン及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4992699A (ja) |
| EP (1) | EP0441958B1 (ja) |
| JP (1) | JP2892829B2 (ja) |
| DE (1) | DE69026369T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991003816A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391259A (en) * | 1992-05-15 | 1995-02-21 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a substantially uniform array of sharp tips |
| US5753130A (en) | 1992-05-15 | 1998-05-19 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a substantially uniform array of sharp tips |
| US5416821A (en) * | 1993-05-10 | 1995-05-16 | Trw Inc. | Grid formed with a silicon substrate |
| CA2131243A1 (en) * | 1993-09-27 | 1995-03-28 | Kenneth R. Paulson | Process for forming a phosphor |
| US5695658A (en) * | 1996-03-07 | 1997-12-09 | Micron Display Technology, Inc. | Non-photolithographic etch mask for submicron features |
| US6461003B1 (en) | 1997-06-12 | 2002-10-08 | Purdue Research Foundation | Corner cube arrays and manufacture thereof |
| AU3485997A (en) * | 1997-06-12 | 1998-12-30 | Purdue Research Foundation | Corner cube arrays and manufacture thereof |
| US6177236B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-01-23 | Xerox Corporation | Method of making a pixelized scintillation layer and structures incorporating same |
| US5981959A (en) * | 1997-12-05 | 1999-11-09 | Xerox Corporation | Pixelized scintillation layer and structures incorporating same |
| US6174449B1 (en) | 1998-05-14 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | Magnetically patterned etch mask |
| JP4053260B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2008-02-27 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| KR100490816B1 (ko) * | 2001-06-15 | 2005-05-24 | 샤프 가부시키가이샤 | 마이크로 코너 큐브 어레이, 마이크로 큐브 어레이의 제조방법 및 반사형 표시 장치 |
| JP3818906B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2006-09-06 | シャープ株式会社 | マイクロコーナーキューブアレイ、その作製方法、および表示装置 |
| JP2004086164A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-03-18 | Sharp Corp | コーナーキューブアレイおよびその作製方法 |
| US7201485B1 (en) | 2003-08-15 | 2007-04-10 | University Of South Florida | Corner cube retroreflector |
| JP4772102B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2011-09-14 | シャープ株式会社 | コーナーキューブアレイの作製方法 |
| US9261301B2 (en) | 2013-05-28 | 2016-02-16 | M & M Electric Service, Inc. | Vehicle-transportable ice plant |
| CN105329847A (zh) * | 2014-08-15 | 2016-02-17 | 中国科学院物理研究所 | 一种微腔结构阵列的制备方法 |
| JP6457099B2 (ja) * | 2015-09-08 | 2019-01-23 | シャープ株式会社 | 波長変換部材および発光装置 |
| US11753991B2 (en) | 2019-06-25 | 2023-09-12 | Yantai Jereh Petroleum Equipment & Technologies Co., Ltd. | Intake-exhaust transport apparatus mobile power generation system and assembling method thereof |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2882413A (en) * | 1953-12-04 | 1959-04-14 | Vingerhoets Antonius Wilhelmus | Luminescent screen |
| US3944835A (en) * | 1974-09-25 | 1976-03-16 | General Electric Company | High energy radiation detector having improved reflective backing for phosphor layer |
| US4025662A (en) * | 1974-12-05 | 1977-05-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method for making ultra high resolution phosphor screens |
| JPS53120376A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-20 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| NL7806828A (nl) * | 1978-06-26 | 1979-12-28 | Philips Nv | Luminescentiescherm. |
| US4227942A (en) * | 1979-04-23 | 1980-10-14 | General Electric Company | Photovoltaic semiconductor devices and methods of making same |
| JPS5949141A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-21 | Shimadzu Corp | X線螢光増倍管の入力面 |
| JPS5993000A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-29 | Yoshihiro Hamakawa | 単結晶薄膜製造用基板 |
| JPS59202100A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-15 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-09-05 US US07/403,246 patent/US4992699A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-08-29 JP JP2513712A patent/JP2892829B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-29 WO PCT/US1990/004911 patent/WO1991003816A1/en not_active Ceased
- 1990-08-29 DE DE69026369T patent/DE69026369T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-29 EP EP90914577A patent/EP0441958B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0441958B1 (en) | 1996-04-03 |
| WO1991003816A1 (en) | 1991-03-21 |
| JPH04501614A (ja) | 1992-03-19 |
| DE69026369T2 (de) | 1996-10-31 |
| US4992699A (en) | 1991-02-12 |
| EP0441958A1 (en) | 1991-08-21 |
| DE69026369D1 (de) | 1996-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2892829B2 (ja) | X線蛍光体作像スクリーン及びその製造方法 | |
| KR100538298B1 (ko) | 차광성층을 갖춘 렌티큘라 렌즈시트 및 그 제조방법 | |
| WO1985005190A1 (fr) | Procede de formation de films discontinus sur la surface scabreuse ou ondulee d'un objet | |
| TW200539299A (en) | Light scattering EUVL mask | |
| CN1411562A (zh) | 制作集成光路的方法 | |
| US4231657A (en) | Light-reflection type pattern forming system | |
| JP2000075117A (ja) | 回折格子作製方法及び回折格子 | |
| JP2006038928A (ja) | 無反射周期構造体及びその製造方法 | |
| JP3455966B2 (ja) | 露光用マスク | |
| JP2001356673A (ja) | 計算機ホログラムおよびその製造方法、計算機ホログラムを用いた反射板、並びに計算機ホログラムを用いた反射型液晶表示装置 | |
| CN115185026A (zh) | 广视角光学膜及其制作方法、液晶显示装置 | |
| JP3321194B2 (ja) | フォトマスク | |
| JP2020520480A (ja) | 周波数倍増式干渉リソグラフィを使用したワイヤグリッド偏光板の製造方法 | |
| CN110727041A (zh) | 一种高光能利用率漫射器件的制备方法 | |
| JP2009217261A (ja) | 回折格子を使用した集光素子及びこれの製造方法{Light−condensingdeviceandmethodoffabricatingthesame} | |
| JP3989329B2 (ja) | 光機能素子およびその製造方法 | |
| JPH01159601A (ja) | アパーチヤ小レンズ・アレイおよびその製造方法 | |
| JP2889062B2 (ja) | X線マスクおよびその製造方法 | |
| JPS6124681B2 (ja) | ||
| CN114721076A (zh) | 视场控制装置的制造方法 | |
| JP4067162B2 (ja) | 視野選択性シートの製造方法 | |
| JPH0322601B2 (ja) | ||
| JP2771084B2 (ja) | 光量絞り装置用ndフィルター | |
| JPH0456284B2 (ja) | ||
| JP2011122395A (ja) | 電子情報可変表示機能付き遮光性窓用フィルム |