JP6457099B2 - 波長変換部材および発光装置 - Google Patents

波長変換部材および発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6457099B2
JP6457099B2 JP2017538884A JP2017538884A JP6457099B2 JP 6457099 B2 JP6457099 B2 JP 6457099B2 JP 2017538884 A JP2017538884 A JP 2017538884A JP 2017538884 A JP2017538884 A JP 2017538884A JP 6457099 B2 JP6457099 B2 JP 6457099B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
layer
emitting unit
phosphor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017538884A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2017043122A1 (ja
Inventor
宜幸 高平
宜幸 高平
高橋 幸司
幸司 高橋
佳伸 川口
佳伸 川口
一規 安念
一規 安念
要介 前村
要介 前村
智洋 坂上
智洋 坂上
隆敏 森田
隆敏 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of JPWO2017043122A1 publication Critical patent/JPWO2017043122A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6457099B2 publication Critical patent/JP6457099B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V13/00Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
    • F21V13/02Combinations of only two kinds of elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • F21V9/32Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source characterised by the arrangement of the photoluminescent material
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/16Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use in conjunction with image converters or intensifiers, or for use with projectors, e.g. objectives for projection TV
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0607Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
    • H01S5/0608Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
    • H01S5/0609Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch acting on an absorbing region, e.g. wavelength convertors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/30Semiconductor lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Description

本発明は、励起光の波長を変換する波長変換部材、および当該波長変換部材を備える発光装置に関する。
近年、レーザ素子(LD:Laser Diode)などの発光素子を光源として備え、当該発光素子から出射された励起光を、蛍光体を含む発光部に照射して発生させた照明光を投光する発光装置が提案されている。
例えば、特許文献1には、半導体レーザ素子と、当該半導体レーザ素子に隣接する蛍光材料とを備え、半導体レーザ素子のレーザ光を受光した蛍光材料が前記レーザ光とは異なる波長の光を放出する発光装置が記載されている。また、特許文献1には、蛍光材料について、単結晶であれば、より安定した発光が得られることが記載されている。
日本国公開特許公報「特開2010−251686号(2010年11月4日公開)」
しかしながら、蛍光物質の種類によっては、単結晶を加工することは困難である。このため、単結晶を波長変換部材に用いる場合には、波長変換部材の歩留まりが低下するという問題がある。特許文献1には、このような問題およびその解決方法については、何ら記載されていない。
本願発明は、単結晶の蛍光体を含み、かつ高い歩留まりを有する波長変換部材を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る波長変換部材は、励起光源から出射された励起光の波長を変換する波長変換部材であって、単結晶の蛍光体からなる蛍光体層を含み、上記蛍光体層の、側面より面積の広い上面の面方位は{111}であり、複数の上記側面のうちの、一部の側面の面方位は{1−10}である。
また、本発明の一態様に係る波長変換部材は、励起光源から出射された励起光の波長を変換する波長変換部材であって、単結晶の蛍光体からなる蛍光体層を含み、上記蛍光体層の、側面より面積の広い上面の面方位は{001}であり、複数の上記側面のうちの、一部の側面の面方位は{110}である。
本発明の一態様によれば、単結晶の蛍光体を含み、かつ高い歩留まりを有する波長変換部材を提供することができる。
本発明の実施形態1に係る発光部の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態1に係る発光装置の構成を示す断面図である。 一般的なガーネット系蛍光物質の結晶構造を示す図である。 (a)は、支持層を備える発光部の構成を示す断面図であり、(b)は、支持層を有する発光部が分割される前の、発光部ウエハーの構成を示す断面図である。 本発明の実施形態2に係る発光装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態2に係る発光部の構成を示す断面図である。 (a)〜(d)は、いずれも発光部の製造工程を説明するための図である。 (a)は、発光部ウエハーの形状を示す斜視図である。(b)は、発光部の形状を示す斜視図である。 (a)、(b)はいずれも本発明の実施形態3に係る発光部の構成を示す断面図である。 (a)は、本発明の実施形態4に係る発光装置の構成を示す断面図である。(b)は、(a)に示した発光装置が備える蛍光体の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態5に係る発光装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態5に係る発光装置の構成を示す断面図である。
〔実施形態1〕
以下、本発明の実施の形態について、図1〜図3を用いて説明する。本実施形態では、単結晶のCe:YAG(セリウム添加イットリウムアルミニウムガーネット)(蛍光体)で構成される蛍光体層1aを含む発光部1(波長変換部材)を備える、反射型の発光装置10について説明する。ここで、「反射型」とは、発光部1において励起光が照射される面から蛍光が取り出される構成を意味する。
以下の説明では、結晶構造について、個別方位は[]、集合方位は<>、個別面は()、集合面は{}でそれぞれ示されている。また、通常、結晶面の面方位を示す指数が負である場合、当該指数に上付きのバーを付す。しかし、本発明の特許請求の範囲、明細書、および要約書においては、当該指数の前にマイナスを付すことによって、当該指数が負であることを表現することとする。さらに、面方位が{abc}(a、b、およびcはそれぞれ整数)である面について、{abc}面と表現する。また、六方晶系の単結晶の場合、面方位が{hklm}(h、k、lおよびmはそれぞれ整数)である面について、{hklm}面と表現する。
(発光装置10)
図2は、本実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。図2に示すように、発光装置10は、レーザ光源11と、第1ミラー12と、第2ミラー13と、発光部1と、筐体14と、透光部材15と、保持部材16とを備える。
レーザ光源11(励起光源)は、レーザ光(励起光)を発する光源である。本実施形態において、レーザ光源11は、レーザダイオードが直径9mmのレンズ付き金属パッケージに実装された構成を有する。また、上記レーザダイオードが発するレーザ光の波長は445nmであり、出力は5Wである。
なお、レーザ光源11が備えるレーザダイオードの大きさ、当該レーザダイオードが発するレーザ光の波長、出力、およびレーザ光源11の実装様式などは、上記のものに限定されない。レーザ光源11については、レーザダイオードが直径9mmのレンズ付き金属パッケージに実装されていることにより、構成を小さくしやすいメリットがある。ただし、必ずしもレンズ付き金属パッケージを用いる必要はなく、レンズと金属パッケージとが別体であってもよい。また、レーザ光源11に替えて、ガスレーザなど、半導体レーザ以外のレーザ、またはLED(Light Emitting Diode)などを励起光源として用いてもよい。
第1ミラー12および第2ミラー13は、レーザ光源11が発したレーザ光を発光部1へ案内する反射鏡である。第1ミラー12は、後述する筐体14内に配されている。第2ミラー13は、後述する透光部材15の、発光部1と対向する面に設けられている。
筐体14は、レーザ光源11および第1ミラー12を収容する部材である。筐体14には、開口14aが設けられている。レーザ光源11が発したレーザ光は、第1ミラー12で反射され、開口14aから筐体14の外部に出射される。
本実施形態において、筐体14は、金属(例えば、アルミニウム、ステンレス、銅または鉄)などの熱伝導性が高い材料で構成されている。そのため、筐体14は、レーザ光源11の発熱を効率的に吸収して放熱することができる。なお、筐体14は、金属以外の熱伝導性が高い物質(高熱伝導性樹脂、高熱伝導性セラミックスなど)を含んでもよい。
また、筐体14は、開口14aに透光性を有する部材が嵌め込まれ、内部が密閉された状態であってもよい。この場合、筐体14の内部に湿気が浸入して、結露などが生じることを抑制することができる。したがって、筐体14の内部に配設されたレーザ光源11などの光学部品を、湿気などから保護することができる。なお、溶接によって筐体14の内部が密閉されるようにすることで、筐体14の内部の気密性をさらに向上させることができる。
また、開口14aを塞いで筐体14の内部を密閉するのではなく、透光部材15まで含めて密閉してもよい。この場合、発光部1へのコンタミなども防止することができる。また、筐体14の内部を密閉する方法は、溶接に限られず、インコネルなどを介したろう材によるろう付けなど、別の方法であってもよい。
透光部材15は、ガラスなどの透光性を有する材料で構成された板状部材である。透光部材15は、発光部1が発生させた蛍光を、発光装置10の外部に取り出すための、発光装置10の窓部として作用する。
保持部材16は、発光部1を保持する部材である。具体的には、保持部材16は、筐体14の外面に固定された、円形の板である。保持部材16の厚さは、0.1mm以上である。保持部材16の中心には、孔部が設けられている。発光部1は、上記孔部に嵌合されることで、保持部材16に保持される。保持部材16は、筐体14と同様に、熱伝導性が高い材料で構成されている。そのため、発光部1の発熱を効率的に吸収して放出することができる。なお、発光部1は、保持部材16を介さず、ハンダなどのろう材を用いて筐体14に接着されていてもよい。
(発光部1)
図1は、発光部1の構成を示す断面図である。発光部1は、レーザ光源11から出射されたレーザ光の波長を変換する波長変換部材である。図1に示すように、発光部1は、蛍光体層1aと、反射層1cとを備える。発光部1は、1mm角であり、かつ厚さが約20μmの薄片形状を有する。
蛍光体層1aは、レーザ光源11から出射されたレーザ光により励起され、当該レーザ光とは異なる波長の蛍光を発生させる。蛍光体層1aは、分割面1d(側面)と、分割面1dより面積の広い主平面1b(上面)とを有する。レーザ光源11から出射されたレーザ光は、主平面1bから蛍光体層1aに入射する。蛍光体層1aで発生した蛍光は、主平面1bから出射される。また、蛍光体層1aは、主平面1bと対向する面において、反射層1cと接合されている。
蛍光体層1aは、単結晶の蛍光体からなる。本実施形態において、蛍光体層1aは、単結晶のCe:YAG(セリウム添加イットリウムアルミニウムガーネット)からなる。また、本実施形態において、蛍光体層1aの厚さは、20μmである。
図3は、一般的なガーネット系蛍光物質の結晶構造を示す図である。図3において、矢印aで示す紙面に平行な方向が、結晶の[001]方向である。矢印cで示す紙面に平行な方向が、結晶の[010]方向である。矢印b(紙面から手前へ伸びている矢印)が、結晶の[100]方向である。(図3は、“http://www.geo.shimane-u.ac.jp/akasaka/SaikoGakufu.htm”を出典とする。)
主平面1bは、第2ミラー13に反射したレーザ光が蛍光体層1aの内部へ入射する面である。また、主平面1bは、蛍光体層1aの内部から蛍光が出射される面でもある。本実施形態において、主平面1bの面方位は、{111}である。主平面1bには、複数の四角錘形状のテクスチャ1fが形成されている。上記四角錘のサイズは、サブミクロンオーダーである。主平面1bにテクスチャ1fが形成されていることにより、主平面1bから出射される光は、蛍光体層1aへのレーザ光の入射方向に関わらず等方的に分布する。
上記テクスチャの形状は、上述した四角錘形状に限定されない。例えば、テクスチャの形状は、円錐形状またはドーム形状などであってもよい。また、テクスチャは、断面がU字形状などである溝であってもよい。
反射層1cは、励起光としてのレーザ光、および蛍光体層1aで発生した蛍光を反射する反射層である。反射層1cは、励起光、および蛍光体層1aで波長変換された光の波長領域において、高い反射率を示す材質で構成されている。
反射層1cは、例えば、アルミニウム、または銀といった、所望の波長域(製品の仕様としての蛍光の波長域)の光に対する反射率が75%以上である金属を主成分とする(80%以上含有する)層である。この場合、反射率を増大させる増反射コートとなるような誘電体膜が、蛍光体層1aと反射層1cとの間に設けられていてもよい。また、蛍光体層1aと反射層1cとの密着性を向上させるため、厚さ100nm以下の、ニッケルなどの金属で構成される密着層が設けられていてもよい。または、反射層1cは、上述した所望の波長域の光に対する反射率が75%以上であるように構成された、誘電体多層膜であってもよい。
また、ハンダなどのろう材を用いて発光部1を保持部材16などへ接着する時に、反射層1cの内部にハンダ材が拡散することで、反射層1cの反射率が低下する虞がある。そこで、反射層1cへのハンダ材の拡散を防止するため、反射層1cの、保持部材16と接する部分には、バリアメタルであるプラチナまたはチタンの膜を形成することが好ましい。さらに、バリアメタルの膜の外側に、ハンダ材と共晶を形成するよう、金などの金属の膜を形成しておくことがより好ましい。
分割面1dは、発光部1の製造時に、単結晶蛍光体のウエハーから蛍光体層1aが切り出されるときの切断面であり、蛍光体層1aが有する複数の側面に相当する。複数の分割面1dのうちの、一部の分割面1dの面方位は、{1−10}である。本実施形態において、分割面1dの数は4つである。分割面1dのうち2つは、単結晶の{1−10}面である。分割面1dの残りの2つは、単結晶の{1−10}面および{111}面の両方に垂直な面である。
また、主平面1bの面方位は、{001}であってもよい。この場合、複数の分割面1dのうちの、一部の分割面1dの面方位は、{1−10}面である。
(発光部1の効果)
ガーネット系の蛍光物質は、単結晶の加工が困難な材料である。具体的には、ガーネット系の単結晶からなる蛍光体層の製造工程において、不定形な割れおよびチッピングが生じる。このため、蛍光体の歩留まりが低下するという問題がある。
このような問題が生じる原因としては、(i)ガーネット系の蛍光物質の単結晶が劈開性を有しないこと、(ii)蛍光物質を薄片状に加工する必要があること、および(iii)蛍光体表面に構造物を形成する必要があり、当該構造物を形成する過程で蛍光体にストレスおよびダメージが加わること、が挙げられる。
本願発明者は、ガーネット系の単結晶の蛍光体からなる蛍光体層について、作製を繰り返した。その結果、(i)主平面の面方位が{111}であり、かつ複数の分割面のうちの、一部の分割面の面方位が{1−10}である場合、または(ii)主平面の面方位が{001}であり、かつ複数の分割面のうちの、一部の分割面の面方位が{110}である場合に、上記単結晶に、上述した不定形な割れおよびチッピングが生じにくくなることを見出した。
本実施形態に係る発光部1において、蛍光体層1aは、ガーネット系の蛍光体であるCe:YAGの単結晶であり、上記の(i)または(ii)のいずれかの条件を満たすように構成されている。このため、発光部1の製造時に、蛍光体層1aに不定形な割れおよびチッピングが生じにくい。したがって、発光部1は、高い歩留まりを示す。
なお、蛍光体層1aを構成する蛍光体は、上述したCe:YAGの単結晶に限定されず、Ce:LuAG(セリウム添加ルテチウムアルミニウムガーネット)やCe:GAGG(セリウム添加ガドリニウムアルミニウムガリウムガーネット)など任意のガーネット系の蛍光体の単結晶を用いることができる。
なお、上述した通り、本実施形態において、蛍光体層1aの厚さは20μmである。しかし、蛍光体層1aの厚さはこの数値に限定されず、1mm以下であればよい。ただし、ハンドリングおよび分割時の発光部1の歩留まりを考慮すると、蛍光体層1aの厚さは、10μm以上、かつ170μm以下の範囲内であることが好ましい。
また、蛍光体層1aの厚さは、反射層1cの厚さより厚いことが好ましい。蛍光体層1aの厚さが反射層1cの厚さ以下の場合、反射層1cの物性によっては発光部1を分割することが困難になる。例えば、蛍光体層1aの厚さを100μmとし、反射層1cを厚さ500μmの銀で形成した場合、反射層1cを好ましい形状に分割(切断)することができず、発光部1の歩留まりが低下した。
また、図4の(a)は、支持層1eを備える発光部1の構成を示す断面図である。図4の(a)に示すように、発光部1は、支持層1eを備えていてもよい。支持層1eは、発光部1の分割時における、不定形な割れおよびチッピングの発生を抑制する部材である。支持層1eは、反射層1cの、蛍光体層1aと対向する面とは逆の面に設けられている。また、支持層1eは、蛍光体層1aより厚く形成されている。
図4の(b)は、支持層1eを有する発光部1が分割される前の、発光部ウエハー100の構成を示す断面図である。図4の(b)に示すように、発光部ウエハー100は、蛍光体層ウエハー100aと、反射層ウエハー100bと、複数の支持層1eとを有する。支持層1eは、図4の(b)に示すように、発光部1が分割される分割ライン以外の領域に配されている。このような発光部ウエハー100を上記分割ラインに沿って分割することで、図4の(a)に示す発光部1が形成されるときの歩留まりが向上する。
具体例として、蛍光体層ウエハー100aに、反射層ウエハー100bとして、厚さ100nmのアルミニウム膜を形成した。その後、反射層ウエハー100bに、フォトリソグラフィーの手法により、支持層1eとして、ニッケルを50μmの厚さにパターンメッキした。さらにその後、蛍光体層ウエハー100aを厚さ20μmまで薄膜化し、分割したところ、分割による仕損品は発生しなかった。
〔実施形態2〕
本発明の他の実施形態について、図5〜図8に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施形態では、Ce:YAGの単結晶を含む発光部2を備える、透過型の発光装置20について説明する。ここで、「透過型」とは、発光部1において励起光が照射される面と反対側の面から蛍光が取り出される構成を意味する。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
(発光装置20)
図5は、本実施形態に係る発光装置20の構成を示す断面図である。図5に示すように、発光装置20は、複数のレーザ光源11と、レンズ11aと、保持部材16と、光ファイバー21と、フェルール22と、固定冶具23と、レンズ24と、レンズ固定部25と、発光部2とを備える。
発光部2は、レーザ光源11から出射されたレーザ光の波長を変換する波長変換部材である。発光部2についての詳しい説明は後述する。レンズ11aは、複数のレーザ光源11のそれぞれが発するレーザ光を集光するレンズである。
光ファイバー21は、レーザ光源11から出射され、レンズ11aにより集光されたレーザ光を発光部2へ案内する導光部材である。光ファイバー21は、複数のレーザ光源11のそれぞれに対応する複数の入射側光ファイバー21aと、光ファイバーを結合させるコンバイナ21bと、マルチモードシングルコアファイバである出射側光ファイバー21cとを備える。光ファイバー21は、複数の入射側光ファイバー21aが、コンバイナ21bによって出射側光ファイバー21cと結合されている構成を有する。フェルール22は、出射側光ファイバー21cを、発光部2と対向する側の端部において保持する部材である。
固定冶具23は、発光部2が固定される部材である。固定冶具23は、円筒形状であり、光が通過可能な空洞を有する。発光部2は、保持部材16を介して固定冶具23に固定されている。また、固定冶具23は、出射側光ファイバー21cが内包されたフェルール22が固定されるフェルール固定部23aを有する。フェルール22に内包された出射側光ファイバー21cの端面より出射されたレーザ光は、結像レンズ26を経由して発光部2に入射する。
結像レンズ26は、出射側光ファイバー21cの端面と発光部2とが、略共役な関係となる様に設置されている。このため、出射側光ファイバー21cの、レーザ光が出射する端面における光強度分布が、発光部2に凡そ投影される。光ファイバー21の長さは、出射側光ファイバー21cの端面において、レーザ光の強度分布が略トップハット分布となる様に設定されている。このため、発光部2における光強度分布を均一化する事ができ、発光部2を、高輝度かつ高光束な光を発する光源とすることが可能となる。
また、発光部2の面積と、発光部2に略投影されるレーザ光の面積との比は、1:0.7以上であることが好ましく、1:0.9以上である事がより好ましい。発光部2の面積と、発光部2に略投影されるレーザ光の面積との比が上記の範囲内であれば、発光部2内におけるレーザ光の面内伝搬による光学ロスを低減させることができる。
また、固定冶具23は、熱伝導率の高い材料で構成されている。さらに、固定冶具23の、フェルール固定部23aの周囲には、鋸歯形状の放熱フィンが形成されている。このため、発光部2で発生した熱が、保持部材16および固定冶具23を経由して、外部へ放出されやすくなっている。
レンズ24は、発光部2で波長変換された光を外部に投光するメニスカスレンズである。このため、レンズ24は、LEDまたはレーザ光源といった、ランバーシアン配光である光源の光を効率よく投光することが可能なレンズである。また、レンズ24は、非球面レンズである。このため、レンズ24の収差は、球面レンズと比較して小さい。レンズ固定部25は、レンズ24を発光部2に対して固定する。本実施形態では、レンズ固定部25は、固定冶具23の側面、およびレンズ24の側部を囲む円筒形状を有する。ただし、レンズ固定部25の形状は、円筒形状に限られない。
(発光部2)
図6は、発光部2の構成を示す断面図である。図6に示すように、発光部2は、蛍光体層2aと、透光層2cとを備える。発光部2は、1mmΦであり、かつ厚さが0.12mmの薄片形状を有する。
蛍光体層2aは、レーザ光源11から出射されたレーザ光により励起され、当該レーザ光とは異なる波長の蛍光を発生させる部材である。蛍光体層2aは、分割面2d(側面)と、分割面2dより面積の広い主平面2b(上面)とを有する。本実施形態において、主平面2bは、主平面1bと同様、Ce:YAGの単結晶の{111}面である。また、分割面2dの数は、分割面1dと同様、4つである。さらに、分割面2dの一部は、分割面1dと同様、Ce:YAGの単結晶の{1−10}面である。さらに、蛍光体層2aの厚さは、蛍光体層1aと同様、20μmである。
透光層2cは、透光性を有する部材である。透光層2cは、蛍光体層2aの機械強度を補うため、および熱伝導率を向上させるために設けられる。透光層2cは、透光性の単結晶で構成されている。本実施形態において、透光層2cは、厚さが100μmであるサファイアの単結晶である。後述する発光部2の製造方法における加工性の観点から、透光層2cは単結晶であることが好ましい。また、熱伝導率の観点から、透光層2cはサファイアの単結晶であることが好ましい。
透光層2cは、分割面2eと、分割面2eより面積の広い主平面2gとを有する。透光層2cは、主平面2gにおいて、蛍光体層2aの主平面2bと対向する面(底面)と接合されている。主平面2gは、サファイアの(0001)面である。
透光層2cは、蛍光体層2aの分割面2dの数と同じ数の分割面2eを備える。すなわち、本実施形態において、分割面2eの数は4つである。複数の分割面2eの一部は、透光層2cを構成するサファイアの{1−100}面である。
それぞれの分割面2eは、それぞれ分割面2dと同一平面上に存在している。特に、分割面2eの{1−100}面は、分割面2dの{1−10}面と同一平面上に存在している。ただし、分割面2eは、必ずしもそれぞれ分割面2dと同一平面上に存在している必要はなく、少なくとも略平行であればよい。すなわち、透光層2cの、面方位が{1−100}である面は、蛍光体層2aの、面方位が{1−10}である分割面2dに平行であればよい。
また、蛍光体層2aの主平面2bの面方位は、主平面1bと同様、{001}であってもよい。その場合、複数の分割面2dについても、分割面1dと同様、一部の面方位が{110}となる。このような場合には、透光層2cの、面方位が{1−100}である面は、蛍光体層2aの、面方位が{110}である分割面に平行であればよい。
本実施形態においては、レーザ光は、透光層2cを経由して、透光層2cと蛍光体層2aとの接合面から蛍光体層2aに入射する。また、蛍光体層2aで発生した蛍光は、主平面2bから出射される。また、蛍光体層2aと透光層2cとの間に、励起光(レーザ光)を透過し、かつ蛍光を反射するダイクロイックミラーが設けられることが好ましい。
(発光部2の製造方法)
図7の(a)〜(d)は、発光部2の製造工程を説明するための図である。発光部2の製造時には、まず、図7の(a)に示すように、単結晶の蛍光体からなる蛍光体層ウエハー100aと、透光性の単結晶で構成された透光層ウエハー100cとが別々に製造される。この時、透光層ウエハー100cの厚さは、600μmである。
次に、図7の(b)に示すように、蛍光体層ウエハー100aと、透光層ウエハー100cとが接合され、発光部ウエハー100が形成される。本実施形態では、蛍光体層ウエハー100aと透光層ウエハー100cとの間にアルミナバインダを配し、焼成することで、発光部ウエハー100が形成される。蛍光体層ウエハー100aと透光層ウエハー100cとの接着には、アルミナ系バインダを用いることが、屈折率の観点から好ましい。ただし、シリカ系バインダなど、他の無機バインダを用いてもよい。なお、本願発明者が有機バインダを用いて発光部ウエハーを作製し、長期信頼性試験を実施したところ、バインダーが変質し、励起光の透過率が低下するという結果になった。このことから、発光部ウエハーの作製に無機バインダを用いることが、長期信頼性の観点から好ましい。
また、本実施形態では、蛍光体層ウエハー100aの{111}面と、透光層ウエハー100cを構成するサファイアの{0001}面とが接合される。このとき、蛍光体層ウエハー100aの{1−10}面と、透光層ウエハー100cを構成するサファイアの{1−100}平面とが平行であるように接合される。
その後、図7の(c)に示すように、蛍光体層ウエハー100aの表面が研磨される。さらに、図7の(d)に示すように、蛍光体層ウエハー100aの研磨された表面に、テクスチャ2f(図6参照)が形成される。テクスチャ2fを形成する方法としては、フォトリソグラフィ、およびICP(Inductively Coupled Plasma、誘導結合プラズマ)によるエッチングなどが挙げられる。さらに、発光部ウエハー100を小片化(ブレーク)しやすくするために、厚さが600μmである透光層ウエハー100cを、研削および研磨により100μmの厚さとする。
なお、熱伝導率の観点からは、透光層ウエハー100cが厚い方が好ましい。したがって、歩留まりを無視し、熱伝導率を重視するようなアプリケーションの場合は、透光層ウエハー100cを、厚さが600μmのままで使用することが好ましい。
図8の(a)は、発光部ウエハー100の形状を示す斜視図である。図8の(b)は、発光部2の形状を示す斜視図である。図8の(a)に示す発光部ウエハー100は、レーザスクライバによるステルスダイシングによって、1mm角にブレークされる。その結果、図8の(b)に示す発光部2が形成される。
このとき、発光部ウエハー100は、蛍光体層ウエハー100aの{1−10}面および透光層ウエハー100cの{1−100}平面に平行な方向および垂直な方向に沿って切断される。この結果、分割面2dおよび分割面2eにおいて、蛍光体層2aの{1−10}面と、透光層2cのサファイアの{1−100}平面とが同一平面上に存在する状態になる。
(発光部2の効果)
発光部2は、発光装置20のような、透過型の発光装置に適用可能な発光部である。一般に、透過型の発光装置に用いられる発光部は、非常に薄いため、意図しない方向へ割れやすい。このため、発光部2においては、蛍光体層2aに透光層2cとしてサファイア基板を接合することで、発光部2の全体としての強度を向上させている。しかし、サファイアもまた、加工する時に、不定形な割れおよびチッピングが生じやすい材料である。
本願発明者は、透過型の発光装置に適用可能な蛍光体の作製を繰り返した。その結果、サファイア基板は、{1−100}面で割りやすく、分割しやすいという性質を有することを見出した。
そこで、本実施形態に係る発光部2においては、透光層2cの分割面2eが、サファイアの{1−100}面であるように構成されている。すなわち、透光層2cは、サファイアの{1−100}面に平行な方向に沿って切断される。これにより、上述した、不定形な割れおよびチッピングが生じにくくなり、発光部2の歩留まりが向上する。
また、本願発明者は、分割面2eの角度を変更しながら発光部2の作製を繰り返した。その結果、分割面2eが、サファイアの{1−100}面から±10°以内の傾きであれば、分割面2eがサファイアの{1−100}面である場合と比較して、発光部2の歩留まりに有意な差は現れなかった。
〔実施形態3〕
本発明の他の実施形態について、図9に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施形態では、拡散層を備える蛍光体について説明する。
図9は、本実施形態に係る発光部の構成を示す断面図である。図9の(a)は、反射型の発光装置に適用される発光部3Aの構成を示す断面図である。図9の(a)に示すように、発光部3Aは、蛍光体層3a、反射層1c、および拡散層3bを備える。また、図9の(b)は、透過型の発光装置に適用される発光部3Bの構成を示す断面図である。図9の(b)に示すように、発光部3Bは、蛍光体層3a、透光層2c、および拡散層3bを備える。
蛍光体層3aは、テクスチャが形成されていないことを除いて、蛍光体層1a・2aと同様の部材である。拡散層3bは、蛍光体層3aから出射される光を等方的に拡散させる部材である。拡散層3bの例としては、球状サファイアまたは空隙を多数含有する無機膜などが挙げられる。
このような発光部3Aまたは発光部3Bも、発光部1または発光部2と同様、当該発光部により波長変換された光を等方的に出射させることができる。
〔実施形態4〕
本発明の他の実施形態について、図10に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施形態では、プロジェクタ用光源などに適用可能な発光装置30について説明する。
(発光装置30)
図10の(a)は、本実施形態に係る発光装置30の構成を示す断面図である。図10の(a)に示すように、発光装置30は、複数のレーザ光源11と、集光レンズ31と、筐体32と、放熱部材33と、発光部4とを備える。
集光レンズ31は、複数のレーザ光源11が発するレーザ光を発光部4へ向けて集光するレンズである。本実施形態において、集光レンズ31は、凸形状の球面レンズである。
筐体32は、レーザ光源11および集光レンズ31を収容する筐体である。また、筐体32は、孔部32aが設けられている。孔部32aには、発光部4が設けられている。したがって、発光部4は、レーザ光源11からのレーザ光の波長を変換するとともに、発光装置30から光を取り出すための窓部として作用する。
放熱部材33は、熱伝導性の高い金属材料で構成されるヒートシンクである。放熱部材33は、レーザ光源11から熱を吸収し、吸収した熱を外気に放出させる。放熱部材33は、図10の(a)に示すように、鋸歯形状の放熱フィンを備えることで、放熱効率を向上させている。本実施形態において、放熱部材33の材質は、アルミニウムである。
(発光部4)
図10の(b)は、発光装置30が備える発光部4の構成を示す断面図である。図10の(b)に示すように、発光部4は、蛍光体層2aと、透光層2cとを備える。
透光層2cの、レーザ光源11と対向する面、および透光層2cと蛍光体層2aとの接合面には、それぞれ励起光AR(Anti-Reflection)コート4a・4bが施されている。励起光ARコート4a・4bは、レーザ光源11から出射されるレーザ光の波長領域において、低い反射率を示すコート層である。このため、レーザ光源11から出射されたレーザ光は、これらの面でほとんど反射されることなく、蛍光体層2aへ入射する。
一方、蛍光体層2aの、発光装置30の外部に向く面には、励起光HR(High-Reflection)コート4c(コーティング)が施されている。励起光HRコート4cは、レーザ光源11から出射されるレーザ光の波長領域において、高い反射率を示すコート層である。一方、励起光HRコート4cは、上記レーザ光の波長領域以外においては、低い反射率を示す。このため、蛍光体層2aで波長変換されなかった上記レーザ光は、励起光HRコート4cで反射され、発光部4からはほとんど出射されない。これに対し、蛍光体層2aで波長変換された蛍光は、励起光HRコート4cで反射されることなく、発光部4から出射される。
本実施形態においては、レーザ光源11から出射されるレーザ光は、波長が445nmの青色光である。これに対し、Ce:YAGで波長変換された光は、波長が550nmの黄色光である。
そこで、本実施形態における励起光HRコート4cは、少なくとも波長が445nm近傍である光に対して高い反射率を示し、かつ波長が550nm近傍である光に対して低い反射率を示すように構成されている。これにより、レーザ光源11から出射された青色のレーザ光は発光部4から出射されず、Ce:YAGで波長変換された黄色の蛍光だけが発光部4から出射される。
このようなHRコート4cは、例えば誘電体多層膜を用いて形成されてよい。当該誘電体多層膜としては、例えばSiO/TiOの誘電体多層膜を使用することができる。
このように、発光部4を備える発光装置30によれば、発光部4により波長変換された光だけを取り出すことが可能である。すなわち、発光装置30は、例えば黄色など、特定の色の光を取り出せるように設計することが可能な発光装置である。
〔実施形態5〕
本発明の他の実施形態について、図11,12に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施形態では、発光部2を備える発光装置40、50について説明する。
(発光装置40)
図11は、発光装置40の構成を示す断面図である。図11に示すように、発光装置40は、複数のレーザ光源11と、複数のレンズ11aと、レンズ11bと、放熱部材11cと、光ファイバー41と、フェルール22と、固定冶具23と、レンズ24と、レンズ固定部25と、結像レンズ26と、発光部2とを備える。
光ファイバー41は、レーザ光源11から出射され、レンズ11aにより集光されたレーザ光を発光部2へ案内する導光部材である。光ファイバー41は、シングルコアの光ファイバーである。なお、光ファイバー41の代わりに、カレイドスコープまたはロッドレンズなどといった、出射端における出射光の強度分布が略トップハット分布になる光導波デバイスを用いてもよい。
レンズ11bは、複数のレーザ光源11から出射され、レンズ11aにより集光されたレーザ光を光ファイバー41の一端において結合させる平凸レンズである。放熱部材11cは、レーザ光源11で発生した熱を放熱する部材である。
発光装置40は、複数のレーザ光源11からのレーザ光を、レンズ11bにより、光ファイバー41の一端において結合させるように構成されている。このような構成を有する発光装置40は、発光装置20と比較して、コストおよび信頼性に優れる。
(発光装置50)
図12は、発光装置50の構成を示す断面図である。図12に示すように、発光装置50は、複数のレーザ光源11と、レンズ11aと、レンズ11dと、放熱部材11cと、筐体51と、保持部材16と、レンズ52と、発光部2とを備える。
レンズ11dは、レンズ11aにより集光されたレーザ光を発光部2に集光する凸レンズである。筐体51は、放熱部材11c、レンズ11d、保持部材16、およびレンズ52を保持した状態で収容する筐体である。本実施形態において、筐体51は、筒状の部材である。
レンズ52は、発光部2で波長変換された光を外部に投光する。レンズ52はCOB(Chip On Board)レンズである。COBレンズは、LEDまたはレーザ光源といった、ランバーシアン配光である光源の光を効率よく投光することが可能なレンズである。
発光装置50は、光ファイバーを使用せず、レーザ光源11からのレーザ光が直接蛍光体層2aを励起するように構成されている。このような発光装置50は、発光部2に照射される励起光のスポットは、発光装置20および40におけるスポットと比較して大きくなる。しかし、発光装置50は、発光装置20および40と比較して低コストである。
上述した発光装置40、50は、発光装置20と同様、発光部2を備える発光装置として好適に用いることができる。また、発光装置40、50は、発光部2の代わりに、発光部3Bまたは発光部4を備えていてもよい。
〔まとめ〕
本発明の態様1に係る波長変換部材(発光部1)は、励起光源から出射された励起光の波長を変換する波長変換部材であって、単結晶の蛍光体からなる蛍光体層(1a)を含み、上記蛍光体層の、側面(分割面1d)より面積の広い上面(主平面1b)の面方位は{111}であり、複数の上記側面のうちの、一部の側面の面方位は{1−10}である。
上記の構成によれば、励起光の波長を変換する波長変換部材は、上面の面方位が{111}であり、複数の側面の一部の面方位が{1−10}である、単結晶の蛍光体からなる蛍光体層を含む。
本願発明者は、ガーネット系の単結晶の蛍光体からなる蛍光体層について、上面の面方位が{111}であり、かつ複数の側面のうちの、一部の側面の面方位が{1−10}である場合に、上記蛍光体層の製造時に不定形な割れおよびチッピングが生じにくくなることを見出した。したがって、上面および側面の面方位を上記のようにすることで、単結晶の蛍光体を含み、かつ高い歩留まりを有する波長変換部材を提供することができる。
本発明の態様2に係る波長変換部材は、励起光源から出射された励起光の波長を変換する波長変換部材であって、単結晶の蛍光体からなる蛍光体層を含み、上記蛍光体層の、側面より面積の広い上面の面方位は{001}であり、複数の上記側面のうちの、一部の側面の面方位は{110}である。
上記の構成によれば、態様1と同様、単結晶の蛍光体を含み、かつ高い歩留まりを有する波長変換部材を提供することができる。
本発明の態様3に係る波長変換部材は、上記態様1において、上記上面と対向する底面に接合されている透光層(2c)をさらに備え、上記透光層は、透光性の単結晶で構成され、上記透光層の、面方位が{1−100}である面(分割面2e)は、上記蛍光体層の、面方位が{1−10}である側面(分割面2d)に平行であることが好ましい。
上記の構成によれば、波長変換部材は、透光層をさらに備える。透光層は、透光性の単結晶で構成されている。透光層の、面方位が{1−100}である面は、蛍光体層の、面方位が{1−10}である側面に平行である。
本願発明者は、透光層を構成する透光性の単結晶について、{1−100}面で割れが生じやすいという性質を有することを見出した。したがって、透光層の{1−100}面を、蛍光体層の{1−10}面と平行にし、蛍光体の製造時における分割方向を合わせることで、透光層に不定形な割れおよびチッピングが生じにくくなり、波長変換部材の歩留まりが向上する。
本発明の態様4に係る波長変換部材は、上記態様2において、上記上面と対向する底面に接合されている透光層をさらに備え、上記透光層は、透光性の単結晶で構成され、上記透光層の、面方位が{1−100}である面は、上記蛍光体層の、面方位が{110}面である側面に平行であることが好ましい。
上記の構成によれば、態様3と同様、波長変換部材の歩留まりが向上する。
本発明の態様5に係る波長変換部材は、上記態様1から4のいずれか1つにおいて、上記上面に、上記励起光を反射するコーティング(励起光HRコート4c)が施されていることが好ましい。
上記の構成によれば、励起光が波長変換部材の主平面と対向する面から入射する場合に、波長変換されなかった励起光は、コーティングに反射されて、主平面から出射されない。したがって、波長変換部材により波長変換された光だけを取り出すことができる。
本発明の態様6に係る発光装置(10)は、上記態様1から5のいずれか1つの波長変換部材を備える。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
1、2、3A、3B、4 発光部(波長変換部材)
1a、2a、3a 蛍光体層
1b、2b 主平面(上面)
1b、1d、2d、2e 分割面(側面)
4c 励起光HRコート(コーティング)
10、20、30 発光装置
11 レーザ光源(励起光源)

Claims (6)

  1. 励起光源から出射された励起光の波長を変換する波長変換部材であって、
    単結晶の蛍光体からなる蛍光体層を含み、
    上記蛍光体層の、側面より面積の広い上面の面方位は{111}であり、
    複数の上記側面のうちの、一部の側面の面方位は{1−10}であることを特徴とする波長変換部材。
  2. 励起光源から出射された励起光の波長を変換する波長変換部材であって、
    単結晶の蛍光体からなる蛍光体層を含み、
    上記蛍光体層の、側面より面積の広い上面の面方位は{001}であり、
    複数の上記側面のうちの、一部の側面の面方位は{110}であることを特徴とする波長変換部材。
  3. 上記上面と対向する底面に接合されている透光層をさらに備え、
    上記透光層は、透光性の単結晶で構成され、
    上記透光層の、面方位が{1−100}である面は、上記蛍光体層の、面方位が{1−10}である側面に平行であることを特徴とする請求項1に記載の波長変換部材。
  4. 上記上面と対向する底面に接合されている透光層をさらに備え、
    上記透光層は、透光性の単結晶で構成され、
    上記透光層の、面方位が{1−100}である面は、上記蛍光体層の、面方位が{110}面である側面に平行であることを特徴とする請求項2に記載の波長変換部材。
  5. 上記上面に、上記励起光を反射するコーティングが施されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の波長変換部材。
  6. 請求項1から5のいずれか1項に記載の波長変換部材を備えることを特徴とする発光装置。
JP2017538884A 2015-09-08 2016-05-12 波長変換部材および発光装置 Active JP6457099B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015176748 2015-09-08
JP2015176748 2015-09-08
PCT/JP2016/064123 WO2017043122A1 (ja) 2015-09-08 2016-05-12 波長変換部材および発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017043122A1 JPWO2017043122A1 (ja) 2018-03-22
JP6457099B2 true JP6457099B2 (ja) 2019-01-23

Family

ID=58239645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017538884A Active JP6457099B2 (ja) 2015-09-08 2016-05-12 波長変換部材および発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10320147B2 (ja)
JP (1) JP6457099B2 (ja)
WO (1) WO2017043122A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3693659B1 (en) * 2017-10-02 2022-04-06 Kyocera Corporation Light source device and illumination device
WO2019209548A1 (en) * 2018-04-24 2019-10-31 Becton, Dickinson And Company Multi-laser systems having modified beam profiles and methods of use thereof
EP3665727A4 (en) * 2018-04-28 2020-07-22 SZ DJI Technology Co., Ltd. LIGHT DETECTION AND DISTANCE SENSORS WITH SEVERAL EMITTERS AND SEVERAL RECEIVERS, AND RELATED SYSTEMS AND METHODS
JP7125327B2 (ja) * 2018-10-25 2022-08-24 浜松ホトニクス株式会社 発光素子及び発光装置
WO2020110962A1 (ja) * 2018-11-26 2020-06-04 京セラ株式会社 光源装置および照明装置
JP7244745B2 (ja) * 2019-02-15 2023-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置、及び、光学装置
JPWO2022124057A1 (ja) * 2020-12-08 2022-06-16

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4992699A (en) * 1989-09-05 1991-02-12 Eastman Kodak Company X-ray phosphor imaging screen and method of making same
WO2003106743A1 (ja) * 2002-06-01 2003-12-24 住友電気工業株式会社 n型半導体ダイヤモンド製造方法及び半導体ダイヤモンド
JP2010251686A (ja) 2009-03-26 2010-11-04 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及びその製造方法
US8556437B2 (en) * 2009-12-17 2013-10-15 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light source apparatus and lighting unit
JP5508889B2 (ja) * 2010-02-16 2014-06-04 日本放送協会 薄膜蛍光体、ディスプレイ、ブラウン管および薄膜蛍光体の製造方法
JP5740645B2 (ja) * 2010-04-13 2015-06-24 国立研究開発法人産業技術総合研究所 配向ペロブスカイト酸化物薄膜
JP2012243624A (ja) * 2011-05-20 2012-12-10 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
JP5707618B2 (ja) * 2011-06-30 2015-04-30 シャープ株式会社 発光装置
JP5649202B2 (ja) * 2012-04-24 2015-01-07 株式会社光波 蛍光体及びその製造方法、並びに発光装置
JP6132204B2 (ja) * 2012-05-16 2017-05-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたled素子および半導体レーザ発光装置
JP5672622B2 (ja) * 2012-05-22 2015-02-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたled素子および半導体レーザ発光装置
WO2013180216A1 (ja) * 2012-05-31 2013-12-05 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP2014137973A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Stanley Electric Co Ltd 光源装置
JP6307703B2 (ja) * 2013-05-31 2018-04-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長変換素子、波長変換素子を備えた発光装置、発光装置を備えた車両、および波長変換素子の製造方法
JP6356522B2 (ja) * 2014-07-29 2018-07-11 ウシオ電機株式会社 蛍光発光部材およびその製造方法並びに蛍光光源装置
JP6538178B2 (ja) * 2015-09-03 2019-07-03 シャープ株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017043122A1 (ja) 2018-03-22
WO2017043122A1 (ja) 2017-03-16
US10320147B2 (en) 2019-06-11
US20190052052A1 (en) 2019-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6457099B2 (ja) 波長変換部材および発光装置
US10777711B2 (en) Wavelength conversion element and light emitting device
JP5552573B2 (ja) 光学素子及びそれを用いた半導体発光装置
EP2822111B1 (en) Light emitting device
JP6253392B2 (ja) 発光装置及びそれを用いたプロジェクター用光源
JP6776765B2 (ja) 発光装置
JP6742684B2 (ja) 光部品及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
WO2017056470A1 (ja) 波長変換素子及び発光装置
WO2010044240A1 (ja) 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
JP2013207049A (ja) 波長変換体を用いた発光装置
JP2014086566A (ja) 光波長変換装置
JP2018107298A (ja) 波長変換部材及びこれを用いた光源装置
JP7086199B2 (ja) 蛍光体素子および照明装置
US20150198305A1 (en) Light Source System
US11262046B2 (en) Phosphor element, method for producing same, and lighting device
WO2018116525A1 (ja) 蛍光体素子および照明装置
US11043789B2 (en) Light emitting device
WO2013175752A1 (ja) 波長変換部材、光学素子、発光装置、及び投影装置
JPWO2016035437A1 (ja) 発光装置、照明装置、スポットライト、車両用前照灯、および内視鏡
JP2020502569A (ja) 光変換装置
US11635189B2 (en) Phosphor element and lighting device
WO2017006796A1 (ja) グレーティング素子および発光装置
WO2020066077A1 (ja) 蛍光体素子、その製造方法および照明装置
CN110799877B (zh) 高亮度光转换装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6457099

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150