JP2846342B2 - 高密度光再生装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ヘッドによる記録磁界により、磁気的
に記録された情報を、磁気光学効果を利用して再生する
磁気記録光再生装置に関する。
に記録された情報を、磁気光学効果を利用して再生する
磁気記録光再生装置に関する。
磁気ヘッドによる記録磁界により、記録媒体に磁気的
に記録する記録方式を用いると、例えばアイ・イー・イ
ー、トランザクション オン マグネチックス、エム
エー ジー20、第657頁(1984)に示す様に、線記録密
度としてビット長0.1μmの記録も可能であることが確
認されている。一方、磁気的に記録された情報を高感度
に再生する方式として、磁気光学効果を利用する方式
が、例えば公開特許公報、特開昭55−153142号で示され
ている。
に記録する記録方式を用いると、例えばアイ・イー・イ
ー、トランザクション オン マグネチックス、エム
エー ジー20、第657頁(1984)に示す様に、線記録密
度としてビット長0.1μmの記録も可能であることが確
認されている。一方、磁気的に記録された情報を高感度
に再生する方式として、磁気光学効果を利用する方式
が、例えば公開特許公報、特開昭55−153142号で示され
ている。
上記従来技術では、再生可能な記録密度は記録媒体に
照射した光のスポット径により制約される。光のスポッ
ト径は光源であるレーザの波長により決定され、現状で
は0.8μmである。一方、すでに述べた様に磁気的に記
録する方式では、線記録密度0.1μmの記録が可能であ
る。よって、線記録密度0.1μmの情報を磁気光学的手
段により再生するには、現状より1桁程度の短波長のレ
ーザを開発する必要があり、その開発には相当の困難が
伴うと予想される。
照射した光のスポット径により制約される。光のスポッ
ト径は光源であるレーザの波長により決定され、現状で
は0.8μmである。一方、すでに述べた様に磁気的に記
録する方式では、線記録密度0.1μmの記録が可能であ
る。よって、線記録密度0.1μmの情報を磁気光学的手
段により再生するには、現状より1桁程度の短波長のレ
ーザを開発する必要があり、その開発には相当の困難が
伴うと予想される。
本発明の目的は、光のスポット径よりも小さい磁化情
報を再生可能にする高密度光再生装置を提供することに
ある。
報を再生可能にする高密度光再生装置を提供することに
ある。
〔課題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するため、本発明では次の手段を講
じた。
じた。
1.情報トラック上の記録媒体に磁気的に記録された情報
を磁気光学的に再生する装置として、波長の異なる2種
類のレーザ光源と、その両レーザ光源のビームを記録媒
体に照射し、その照射両スポットが互いに一部分重なり
を有するよう照射する照射手段と、上記記録媒体の表面
からの反射光をそれぞれの異なる波長ごとに別個に検出
する検出手段と、これら両検出手段による検出信号の差
を再生信号とする手段とを備えることとした。
を磁気光学的に再生する装置として、波長の異なる2種
類のレーザ光源と、その両レーザ光源のビームを記録媒
体に照射し、その照射両スポットが互いに一部分重なり
を有するよう照射する照射手段と、上記記録媒体の表面
からの反射光をそれぞれの異なる波長ごとに別個に検出
する検出手段と、これら両検出手段による検出信号の差
を再生信号とする手段とを備えることとした。
本項には第1図が対応する。
2.上記第1項の光再生装置において、互いに一部分重な
りを有する両スポットは、楕円形状であり、両楕円形状
の長軸または短軸は上記トラック方向に一致し、かつ、
長波長光源のスポットの中に短波長光源による光スポッ
トを有して、両スポットはトラック方向の一端で接する
ように照射されるものであることとした。
りを有する両スポットは、楕円形状であり、両楕円形状
の長軸または短軸は上記トラック方向に一致し、かつ、
長波長光源のスポットの中に短波長光源による光スポッ
トを有して、両スポットはトラック方向の一端で接する
ように照射されるものであることとした。
本項には第3図が対応する。
3.上記、第2項の光再生装置において、異なる波長の二
つのスポットは、トラック幅方向の幅が一致するもので
あることとした。
つのスポットは、トラック幅方向の幅が一致するもので
あることとした。
本項には第3図が対応する。
4.上記、第1項項乃至第3項の光再生装置において、記
録媒体は、垂直異方性を有する記録膜であることとし
た。
録媒体は、垂直異方性を有する記録膜であることとし
た。
本項は例えば第1図の中に示されている。
5.上記、第1乃至第4項の光再生装置において、記録媒
体は、垂直異方性を有する記録膜の下地膜として軟磁性
膜の配置を有するものであることとした。
体は、垂直異方性を有する記録膜の下地膜として軟磁性
膜の配置を有するものであることとした。
本項には第5図が対応する。
6.上記、第1項乃至第5項の光再生装置において、記録
媒体は、記録膜の上に磁気光学的効果の大きい磁気転写
膜の配置を有するものであることとした。
媒体は、記録膜の上に磁気光学的効果の大きい磁気転写
膜の配置を有するものであることとした。
本項には第6図が対応する。
7.上記、第1項乃至第6項の光再生装置において、記録
媒体は、トラック間が、非磁性層または溝により磁気的
に分離されているものであることとした。
媒体は、トラック間が、非磁性層または溝により磁気的
に分離されているものであることとした。
本項には第7図が対応する。
レーザ光源からの光を偏光し、情報を磁化情報として
記録した記録媒体の領域上に照射すると、記録媒体の表
面から反射する光は磁気光学効果により、磁化の向きと
大きさに対応して偏光面の回転を生ずる。
記録した記録媒体の領域上に照射すると、記録媒体の表
面から反射する光は磁気光学効果により、磁化の向きと
大きさに対応して偏光面の回転を生ずる。
ここで、レーザ光源として2種類の波長の異なるもの
を用いて同一光学系を介して記録媒体上に照射すると、
記録媒体上の光スポット径は波長に依存して異なるの
で、第2図に示すように、二つのスポットが互いに一部
分重なりを有するようにすることが可能になる。(第2
図において、λ1>λ2である。)そして記録媒体の表
面からのそれぞれの反射光の偏光面の回転によって媒体
の情報を検出し、それぞれの検出信号の差を再生信号と
すると、二つの光スポットの重なりあわない部分(第2
図中、斜線で示す領域)の情報が強調されて検出され
る。
を用いて同一光学系を介して記録媒体上に照射すると、
記録媒体上の光スポット径は波長に依存して異なるの
で、第2図に示すように、二つのスポットが互いに一部
分重なりを有するようにすることが可能になる。(第2
図において、λ1>λ2である。)そして記録媒体の表
面からのそれぞれの反射光の偏光面の回転によって媒体
の情報を検出し、それぞれの検出信号の差を再生信号と
すると、二つの光スポットの重なりあわない部分(第2
図中、斜線で示す領域)の情報が強調されて検出され
る。
すなわち上記第1項の手段は、単一レーザ光源を用い
る場合に再生可能な記録波長よりも短い記録波長の情報
の再生を可能とするものであり、したがって高分解能の
再生を可能とする。
る場合に再生可能な記録波長よりも短い記録波長の情報
の再生を可能とするものであり、したがって高分解能の
再生を可能とする。
また上記第2項と第3項の手段によれば、楕円のトラ
ック方向の軸径を調整することにより、あるいは楕円の
トラック幅方向の幅を一致させることにより、光スポッ
トの重なりあわない部分のうち不要な部分(所要のビッ
ト情報に関係のない部分)を効果的に小さくすることが
容易になる。したがってS/Nを容易に向上させられる。
ック方向の軸径を調整することにより、あるいは楕円の
トラック幅方向の幅を一致させることにより、光スポッ
トの重なりあわない部分のうち不要な部分(所要のビッ
ト情報に関係のない部分)を効果的に小さくすることが
容易になる。したがってS/Nを容易に向上させられる。
また上記第4項乃至第6項の垂直記録膜の場合、垂直
に磁化された記録膜の上下両面に磁極が発生することに
より反磁界により、上記の垂直磁化を弱めるような現象
が記録膜にあるが、記録膜の下地に軟磁性下地膜を配置
することは、上記磁極の発生を弱めることになり、反磁
界を低減し、したがって垂直な残留磁化が大きくなり、
再生出力が向上し、S/Nを向上させる働きをする。
に磁化された記録膜の上下両面に磁極が発生することに
より反磁界により、上記の垂直磁化を弱めるような現象
が記録膜にあるが、記録膜の下地に軟磁性下地膜を配置
することは、上記磁極の発生を弱めることになり、反磁
界を低減し、したがって垂直な残留磁化が大きくなり、
再生出力が向上し、S/Nを向上させる働きをする。
また記録膜の上に磁気光学的効果の大きい磁気転写膜
を配置することは、例えば記録膜材料が高密度記録に好
都合でありながらカー効果については不十分なような材
料の場合でも、記録膜の磁化情報を軟磁性転写膜に転写
してカー効果については転写膜の特性を利用することを
可能にし、S/N向上に有効になる。
を配置することは、例えば記録膜材料が高密度記録に好
都合でありながらカー効果については不十分なような材
料の場合でも、記録膜の磁化情報を軟磁性転写膜に転写
してカー効果については転写膜の特性を利用することを
可能にし、S/N向上に有効になる。
さらに上記第7項の記録媒体を用いることにより、ト
ラック幅よりも幅の広いスポット径の照射をすれば、両
スポットの重なりあわない部分のうちの不要部分を再生
に寄与しないようにすることが容易になるので、S/Nの
大幅な向上に有効になる。
ラック幅よりも幅の広いスポット径の照射をすれば、両
スポットの重なりあわない部分のうちの不要部分を再生
に寄与しないようにすることが容易になるので、S/Nの
大幅な向上に有効になる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。波
長の異なる2種類の半導体レーザを用いる。半導体レー
ザ1により発生した波長λ1の光は、コリメートレンズ
2、偏光板3を通り、一定の偏光面のみ有する光束とな
り、ハーフミラー4により反射した後に、ビームスプリ
ッタ5で、半導体レーザ1′により発生した波長λ2の
光と合成される。合成された光はビームスプリッタ5′
を通過した後、絞り込みレンズ6により記録膜10の表面
に集束される。記録膜表面て反射された光はビームスプ
リッタ5′で反射して波長分離フィルタ7に入り、波長
に対応して分離された後、偏光板8、8′を通り光検出
器9、9′に導かれる。光検出器では記録膜表面11のカ
ー効果により、記録膜の磁化の方向および磁化の大小に
応じて偏光面が回転する性質を利用して光検出器に入る
光量を検出することにより、磁化情報を取り出すことが
できる。ここで記録膜表面に照射される光束のスポット
径は、同一の絞り込みレンズ6を用いているので波長に
依存する。従って、第2図に示す様にビームのスポット
中心をずらして、光検出器9、9′の差信号を再生信号
とすることにより、第2図で斜線で示した領域からの磁
化情報を強調した信号を取り出すことができる。2ビー
ムのスポット中心をずらすには、第1図のハーフミラー
4の角度を調整することにより波長λ1の光束のビーム
スプリッタ5への入射角を調整できる。なお、ハーフミ
ラー4はテーパ付ハーフミラー板を用いてテーパ角度に
より2ビームのスポット中心のずれを調整すると高精度
の調整が可能となる。
長の異なる2種類の半導体レーザを用いる。半導体レー
ザ1により発生した波長λ1の光は、コリメートレンズ
2、偏光板3を通り、一定の偏光面のみ有する光束とな
り、ハーフミラー4により反射した後に、ビームスプリ
ッタ5で、半導体レーザ1′により発生した波長λ2の
光と合成される。合成された光はビームスプリッタ5′
を通過した後、絞り込みレンズ6により記録膜10の表面
に集束される。記録膜表面て反射された光はビームスプ
リッタ5′で反射して波長分離フィルタ7に入り、波長
に対応して分離された後、偏光板8、8′を通り光検出
器9、9′に導かれる。光検出器では記録膜表面11のカ
ー効果により、記録膜の磁化の方向および磁化の大小に
応じて偏光面が回転する性質を利用して光検出器に入る
光量を検出することにより、磁化情報を取り出すことが
できる。ここで記録膜表面に照射される光束のスポット
径は、同一の絞り込みレンズ6を用いているので波長に
依存する。従って、第2図に示す様にビームのスポット
中心をずらして、光検出器9、9′の差信号を再生信号
とすることにより、第2図で斜線で示した領域からの磁
化情報を強調した信号を取り出すことができる。2ビー
ムのスポット中心をずらすには、第1図のハーフミラー
4の角度を調整することにより波長λ1の光束のビーム
スプリッタ5への入射角を調整できる。なお、ハーフミ
ラー4はテーパ付ハーフミラー板を用いてテーパ角度に
より2ビームのスポット中心のずれを調整すると高精度
の調整が可能となる。
スポット形状と両スポットの位置関係について、第3
図を用いて説明する。第3図は、垂直異方性を有する記
録膜に、ビット長l、トラックTwで記録された媒体に2
ビームによる光スポットを照射したところを示した図で
ある。本実施例では、スポット形状を楕円形状とし、楕
円の長軸を走行方向に一致させるとともに楕円の一端が
接する様に両スポットの位置を調整した。スポット形状
を楕円形状とし、両スポットの長軸の径を調整すること
により、あるいはさらに両スポットのトラック幅方向の
幅を一致させることにより、光スポットの重なり合わな
い部分(第3図の斜線部領域)の矢羽根の尾の部分を小
さくするように調整できる。本実施例では、長軸をトラ
ック方向に一致させたが、ビット長lに比べ記録トラッ
ク幅Twが大きい場合には、短軸をトラック方向に選べば
よい。
図を用いて説明する。第3図は、垂直異方性を有する記
録膜に、ビット長l、トラックTwで記録された媒体に2
ビームによる光スポットを照射したところを示した図で
ある。本実施例では、スポット形状を楕円形状とし、楕
円の長軸を走行方向に一致させるとともに楕円の一端が
接する様に両スポットの位置を調整した。スポット形状
を楕円形状とし、両スポットの長軸の径を調整すること
により、あるいはさらに両スポットのトラック幅方向の
幅を一致させることにより、光スポットの重なり合わな
い部分(第3図の斜線部領域)の矢羽根の尾の部分を小
さくするように調整できる。本実施例では、長軸をトラ
ック方向に一致させたが、ビット長lに比べ記録トラッ
ク幅Twが大きい場合には、短軸をトラック方向に選べば
よい。
次に本発明でS/Nのよい再生を行なうための原理を第
4図を用いて詳しく説明する。第4図は、2ビームの光
スポットのスポット径がそれぞれa、a′で、両ビーム
の光強度の最大値が等しい場合のトラック方向xに沿う
光強度分布を示し、さらにスポット径aの光強度からス
ポット径a′の光強度を差し引いた場合の光強度分布を
求めた結果を示す。
4図を用いて詳しく説明する。第4図は、2ビームの光
スポットのスポット径がそれぞれa、a′で、両ビーム
の光強度の最大値が等しい場合のトラック方向xに沿う
光強度分布を示し、さらにスポット径aの光強度からス
ポット径a′の光強度を差し引いた場合の光強度分布を
求めた結果を示す。
ここで、波長λ1の光スポットの強度分布をI
1(x)、波長λ2の光スポットの光強度分布をI
2(x)とすれば、 として表される。
1(x)、波長λ2の光スポットの光強度分布をI
2(x)とすれば、 として表される。
本発明では、斜線で示したAの領域の分布幅D(光強
度が最大値の1/e2となる分布幅)をビット長l以下とな
るように調整するとともに、BとCの領域の面積の総和
が、Aの領域の面積に比べ十分小さくなるように調整す
ることがS/N向上に重要である。そのためには、スポッ
ト径を決定する両ビームの波長λ1、λ2と、両ビーム
の光強度の最大値を調節すればよい。また、本実施例で
は第3図に示すように光スポットの短軸の径bを、記録
トラック幅TWに一致させたが、光スポットのトラック幅
方向に対する位置決め精度を考慮すると、S/Nの点で最
適な短軸の径bは、記録トラック幅よりも若干小さい方
が有利である。
度が最大値の1/e2となる分布幅)をビット長l以下とな
るように調整するとともに、BとCの領域の面積の総和
が、Aの領域の面積に比べ十分小さくなるように調整す
ることがS/N向上に重要である。そのためには、スポッ
ト径を決定する両ビームの波長λ1、λ2と、両ビーム
の光強度の最大値を調節すればよい。また、本実施例で
は第3図に示すように光スポットの短軸の径bを、記録
トラック幅TWに一致させたが、光スポットのトラック幅
方向に対する位置決め精度を考慮すると、S/Nの点で最
適な短軸の径bは、記録トラック幅よりも若干小さい方
が有利である。
レーザ光源として波長λ1が830nm、λ2が650nmのも
のを用いた結果では、両スポットの重なりあわない部分
の幅がλ2のスポット径の約1/4の0.25μmに短縮され
ることが確認された。したがって従来よりも約1/4のビ
ット長の再生が可能になる。
のを用いた結果では、両スポットの重なりあわない部分
の幅がλ2のスポット径の約1/4の0.25μmに短縮され
ることが確認された。したがって従来よりも約1/4のビ
ット長の再生が可能になる。
なお、以上の説明においては小スポットが大スポット
の一方に内接している場合について説明しているが、通
常のレーザ光では光ビームの強度分布はガウス分布形状
をしており、このため現実には上記両スポットの内接状
態を正確に実現することは困難である。実用的には再生
信号のS/N比が確保されておればよい訳であるから、信
号検出部、すなわち第4図におけるA部、の反射側とな
る内接部分、すなわち第4図におけるB部とC部の境界
位置、が必ずしも接している必要はなく、したがって内
接条件からの実用可能なずれ量は光学系、検出系および
演算処理系の特性に依存するものであり、上記両スポッ
トの位置関係について一律に限定する必要はない。
の一方に内接している場合について説明しているが、通
常のレーザ光では光ビームの強度分布はガウス分布形状
をしており、このため現実には上記両スポットの内接状
態を正確に実現することは困難である。実用的には再生
信号のS/N比が確保されておればよい訳であるから、信
号検出部、すなわち第4図におけるA部、の反射側とな
る内接部分、すなわち第4図におけるB部とC部の境界
位置、が必ずしも接している必要はなく、したがって内
接条件からの実用可能なずれ量は光学系、検出系および
演算処理系の特性に依存するものであり、上記両スポッ
トの位置関係について一律に限定する必要はない。
また、本実施例では、記録膜としてNi−P非磁性メッ
キ層を成長させたAl等の基板の上に垂直異方性を有する
飽和磁束密度0.5T、膜厚200nmのCo−Cr垂直記録膜を用
い、極カー効果により信号検出を行なっているが、Co−
Ni−Pなどの面内異方性を有する記録膜を用い、縦カー
効果により信号検出を行なってもよい。さらに、垂直記
録膜の場合、第5図に示すように、垂直記録膜11の下地
膜として軟磁性下地膜14を配置すると、記録膜の磁化の
反磁界が低減できるため、残留磁化が増大し、再生出力
向上に有効である。
キ層を成長させたAl等の基板の上に垂直異方性を有する
飽和磁束密度0.5T、膜厚200nmのCo−Cr垂直記録膜を用
い、極カー効果により信号検出を行なっているが、Co−
Ni−Pなどの面内異方性を有する記録膜を用い、縦カー
効果により信号検出を行なってもよい。さらに、垂直記
録膜の場合、第5図に示すように、垂直記録膜11の下地
膜として軟磁性下地膜14を配置すると、記録膜の磁化の
反磁界が低減できるため、残留磁化が増大し、再生出力
向上に有効である。
第6図は、記録膜の上にカー回転角の大きい磁気転写
膜15を配置した実施例である。本実施例では垂直記録膜
を用いたので垂直異方性を有する軟磁性膜を磁気転写膜
として用いたが、面内記録膜を用いる場合は、面内異方
性を有する軟磁性膜を磁気転写膜として用いればよい。
また図示はしていないが、記録膜の下に軟磁性下地膜
を、記録膜の上に磁気転写膜を配置することもできる。
膜15を配置した実施例である。本実施例では垂直記録膜
を用いたので垂直異方性を有する軟磁性膜を磁気転写膜
として用いたが、面内記録膜を用いる場合は、面内異方
性を有する軟磁性膜を磁気転写膜として用いればよい。
また図示はしていないが、記録膜の下に軟磁性下地膜
を、記録膜の上に磁気転写膜を配置することもできる。
第7図は、記録媒体として記録トラック間が、非磁性
層または溝16により磁気的に分離された、いわゆるディ
スクリートトラック媒体を用いた実施例である。この記
録媒体を用いると、図に示すように磁気トラック幅より
もトラック幅方向で広いスポット径のレーザ光源を用い
ることにより、両ビームの重なり合わない部分である斜
線部領域の矢羽根の尾の部分を再生に寄与しないように
できるため、S/Nの大幅な向上を達成できる。
層または溝16により磁気的に分離された、いわゆるディ
スクリートトラック媒体を用いた実施例である。この記
録媒体を用いると、図に示すように磁気トラック幅より
もトラック幅方向で広いスポット径のレーザ光源を用い
ることにより、両ビームの重なり合わない部分である斜
線部領域の矢羽根の尾の部分を再生に寄与しないように
できるため、S/Nの大幅な向上を達成できる。
本発明によれば、単一レーザを用いた場合の約1/4ビ
ット長の再生が可能なことが確認された。すなわち本発
明によれば、単一レーザを用いた場合よりも高分解能の
再生が可能なため、線記録密度の高い磁気記録光再生装
置を提供することができる。
ット長の再生が可能なことが確認された。すなわち本発
明によれば、単一レーザを用いた場合よりも高分解能の
再生が可能なため、線記録密度の高い磁気記録光再生装
置を提供することができる。
第1図は、本発明の第1の実施例の再生系の構成図、第
2図は第1の実施例の媒体近辺の詳細図、第3図は、光
スポットと記録トラックの位置関係を示した図、第4図
は2ビームの光スポットのトラック方向の強度分布と再
生信号の関係を説明した図、第5図は、本特許の他の実
施例で用いた垂直記録膜の下地に軟磁性下地膜を配置し
た媒体の断面図、第6図は、本特許の他の実施例で用い
た垂直記録膜の上に磁気転写膜を配置した媒体の断面
図、第7図は、本特許の他の実施例で用いたディスクリ
ート媒体と光スポットの関係を示した図。 符号説明 1、1′……レーザ光源 2、2′……コリメートレンズ 3、8、8′……偏光板、4……ハーフミラー 5、5′……ビームスプリッタ 6……絞り込みレンズ、7……波長分離フィルター 9……光検出器、10……差動アンプ 11……記録膜、12……基板 13……記録媒体、14……軟磁性膜 15……磁気転写膜、16……非磁性膜又は溝
2図は第1の実施例の媒体近辺の詳細図、第3図は、光
スポットと記録トラックの位置関係を示した図、第4図
は2ビームの光スポットのトラック方向の強度分布と再
生信号の関係を説明した図、第5図は、本特許の他の実
施例で用いた垂直記録膜の下地に軟磁性下地膜を配置し
た媒体の断面図、第6図は、本特許の他の実施例で用い
た垂直記録膜の上に磁気転写膜を配置した媒体の断面
図、第7図は、本特許の他の実施例で用いたディスクリ
ート媒体と光スポットの関係を示した図。 符号説明 1、1′……レーザ光源 2、2′……コリメートレンズ 3、8、8′……偏光板、4……ハーフミラー 5、5′……ビームスプリッタ 6……絞り込みレンズ、7……波長分離フィルター 9……光検出器、10……差動アンプ 11……記録膜、12……基板 13……記録媒体、14……軟磁性膜 15……磁気転写膜、16……非磁性膜又は溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仲尾 武司 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 二本 正昭 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 宮村 芳徳 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 高野 公史 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 松田 好文 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−206951(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 7/135 G11B 11/10
Claims (8)
- 【請求項1】情報トラック上の記録媒体に磁気的に記録
された情報を磁気光学的に再生する装置において、波長
の異なる2種類のレーザ光源と、その両レーザ光源のビ
ームを記録媒体に照射し、その両スポットが互いに一部
分重なりを有するよう照射する照射手段と、上記記録媒
体の表面からの反射光を波長ごとに分離し、これら分離
された波長の異なる二つの光ビームをそれぞれ別個の光
検出器で検出する検出手段と、両光検出手段による検出
信号の少なくとも差を求める演算処理を行なった結果を
再生信号とする手段とを備えることを特徴とする高密度
光再生装置。 - 【請求項2】情報トラック上の記録媒体に記録された情
報を再生する装置において、波長の異なる2種類のレー
ザ光源と、その両レーザ光源のビームを記録媒体に照射
し、その波長の異なる二つのスポットが互いに一部分重
なりを有し、かつこれら両スポットの重ならない部分の
トラック方向の長さの総量が最短ビット長よりも長くな
らないようなスポット径を有するよう照射する照射手段
と、上記記録媒体の表面からの反射光を波長ごとに分離
し、これら分離された波長の異なる二つの光ビームをそ
れぞれ検出する検出手段と、両光検出手段による検出信
号に演算処理を行なった結果を再生信号とする手段とを
備えることを特徴とする高密度光再生装置。 - 【請求項3】上記互いに一部分重なりを有する波長の異
なる二つのスポットは、楕円形状であり、両楕円形状の
長軸または短軸は上記トラック方向に一致し、かつ、長
波長光源の光スポットの中に短波長光源による光スポッ
トを有して、上記波長の異なる二つのスポットはトラッ
ク方向の一端で接するように照射されるものであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載
の高密度光再生装置。 - 【請求項4】上記、互いに一部分重なりを有する波長の
異なる二つのスポットは、トラック幅方向の幅が一致す
るものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃
至第3項のいずれかに記載の高密度光再生装置。 - 【請求項5】上記記録媒体は、垂直異方性を有する記録
膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第
4項のいずれかに記載の高密度光再生装置。 - 【請求項6】上記記録媒体は、垂直異方性を有する記録
膜の下地膜として軟磁性膜の配置を有するものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第5項のいず
れかに記載の高密度光再生装置。 - 【請求項7】上記記録媒体は、記録膜の上に磁気光学的
効果の大きい磁気転写膜の配置を有するものであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第6項のいずれ
かに記載の高密度光再生装置。 - 【請求項8】上記記録膜は、トラック間が、非磁性層ま
たは溝により磁気的に分離されているものであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第7項のいずれか
に記載の高密度光再生装置。
Priority Applications (3)
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US07/532,686 US5093822A (en) | 1989-06-07 | 1990-06-04 | High-density magnetic recording and optical reproducing apparatus |
DE4018275A DE4018275A1 (de) | 1989-06-07 | 1990-06-07 | Vorrichtung und verfahren zur magnetischen aufzeichnung und optischen wiedergabe mit hoher dichte |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1142945A JP2846342B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 高密度光再生装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0312044A JPH0312044A (ja) | 1991-01-21 |
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ID=15327304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1142945A Expired - Fee Related JP2846342B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 高密度光再生装置 |
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---|---|
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DE4012071A1 (de) * | 1990-04-14 | 1991-10-17 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung mikromechanischer strukturen |
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JP3057517B2 (ja) * | 1991-02-05 | 2000-06-26 | ソニー株式会社 | 光記録媒体の信号再生方法 |
DE69120671T2 (de) * | 1991-02-13 | 1997-02-27 | Sony Corp | Verfahren zur wiedergabe von signalen in optischem aufzeichnungsmedium |
DE69128884T2 (de) * | 1991-02-15 | 1998-09-03 | Sony Corp | Magnetooptisches Wiedergabeverfahren und -vorrichtung |
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KR100371141B1 (ko) * | 2000-01-28 | 2003-02-06 | 한국전자통신연구원 | 2-대역 파장 레이저 조사에 의한 국소부의 온도 조절 장치 |
JP2001236671A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置及びレーザダイオードチップ |
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EP2141699A1 (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Deutsche Thomson OHG | Apparatus for reading from an optical recording medium |
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JPS52127242A (en) * | 1976-04-19 | 1977-10-25 | Minolta Camera Co Ltd | Magnetic brush developer |
JPS5584909A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-26 | Ricoh Co Ltd | Information reading system by laser beam |
US4544443A (en) * | 1983-05-13 | 1985-10-01 | Shap Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing an optical memory element |
JPS60236137A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-22 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 同時消録型光磁気記録方式並びにそれに使用する記録装置及び記録媒体 |
JPS60186222U (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-10 | 三菱自動車工業株式会社 | 車両用空調装置 |
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1989
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-
1990
- 1990-06-04 US US07/532,686 patent/US5093822A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-07 DE DE4018275A patent/DE4018275A1/de active Granted
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---|---|
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DE4018275A1 (de) | 1990-12-20 |
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