JP2814171B2 - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents
液晶パネルの製造方法Info
- Publication number
- JP2814171B2 JP2814171B2 JP4241413A JP24141392A JP2814171B2 JP 2814171 B2 JP2814171 B2 JP 2814171B2 JP 4241413 A JP4241413 A JP 4241413A JP 24141392 A JP24141392 A JP 24141392A JP 2814171 B2 JP2814171 B2 JP 2814171B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- panel
- pressure
- manufacturing
- crystal panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13392—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶パネルの製造方法
で、特に液晶の注入工程及び注入後の充填工程に関す
る。
で、特に液晶の注入工程及び注入後の充填工程に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶パネルの製造方法では、一対
の基板を接着粒子やシール材を介して貼合せる工程によ
りパネルを形成した後、減圧容器内に液晶とパネルを保
持して容器内を減圧かつ加熱し、パネルの注入口に液晶
を塗布させた後、容器内を大気圧に戻し、また更に加圧
することにより、低粘度化した液晶をパネル内に注入す
る方法が一般に行われている。
の基板を接着粒子やシール材を介して貼合せる工程によ
りパネルを形成した後、減圧容器内に液晶とパネルを保
持して容器内を減圧かつ加熱し、パネルの注入口に液晶
を塗布させた後、容器内を大気圧に戻し、また更に加圧
することにより、低粘度化した液晶をパネル内に注入す
る方法が一般に行われている。
【０００３】この注入工程では、液晶材料をパネル内に
完全に且つ短時間に充填することに主眼が置かれ、注入
時の圧力・温度条件を設定して液晶進行速度を制御する
試みはこれまでほとんどなされていない。従来では液晶
の注入時の液晶の進行速度が、液晶の配向状態に大きく
影響することが知られているのみであった。
完全に且つ短時間に充填することに主眼が置かれ、注入
時の圧力・温度条件を設定して液晶進行速度を制御する
試みはこれまでほとんどなされていない。従来では液晶
の注入時の液晶の進行速度が、液晶の配向状態に大きく
影響することが知られているのみであった。
【０００４】また、液晶注入後、常温に戻す際に、特に
大型パネルでは液晶材の収縮によりパネル内に空隙が生
じることがあるため、従来では更に液晶の加熱と注入口
からのセル内部側への加圧を併せて行なうことにより、
液晶の充填密度を均一に高め、空隙を消滅させることを
行なっていた。
大型パネルでは液晶材の収縮によりパネル内に空隙が生
じることがあるため、従来では更に液晶の加熱と注入口
からのセル内部側への加圧を併せて行なうことにより、
液晶の充填密度を均一に高め、空隙を消滅させることを
行なっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶注
入時の加圧条件を適正制御しないような従来方法では、
未注入領域が発生したり、図１４に示されるような注入
跡のスジ状の欠陥などの注入不良が起こり、注入工程で
の歩留りを著しく落していた。上記欠陥は特に、図１５
に示されるように最終圧力まで直線的に増圧するような
注入方法において顕著に現れる。
入時の加圧条件を適正制御しないような従来方法では、
未注入領域が発生したり、図１４に示されるような注入
跡のスジ状の欠陥などの注入不良が起こり、注入工程で
の歩留りを著しく落していた。上記欠陥は特に、図１５
に示されるように最終圧力まで直線的に増圧するような
注入方法において顕著に現れる。
【０００６】また、このような注入方法では、例えばＡ
４版サイズの液晶パネルに注入する場合、注入の初期段
階での液晶進行速度に対して、液晶が９０％以上充填さ
れた段階での液晶進行速度は１／１０以下である。この
ために、表示面内において配向状態にムラが生じ、画質
の低下を招くという欠点があり、特に大型パネルへの注
入で問題となっていた。
４版サイズの液晶パネルに注入する場合、注入の初期段
階での液晶進行速度に対して、液晶が９０％以上充填さ
れた段階での液晶進行速度は１／１０以下である。この
ために、表示面内において配向状態にムラが生じ、画質
の低下を招くという欠点があり、特に大型パネルへの注
入で問題となっていた。
【０００７】
【０００８】また、液晶注入後の前記充填工程におい
て、従来はパネル全体を液晶材がアイソトロピック状態
を維持する温度に保持しながら加圧しており、液晶材の
充填密度の均一性が未だ不十分なためか、再度常圧・常
温に戻すと空隙部が再発生したり、一見消滅したように
見えても、その後いくつかの工程を通し最終的に注入口
を封止した後、低温保存すると、また空隙が発生するこ
とが多かった。
て、従来はパネル全体を液晶材がアイソトロピック状態
を維持する温度に保持しながら加圧しており、液晶材の
充填密度の均一性が未だ不十分なためか、再度常圧・常
温に戻すと空隙部が再発生したり、一見消滅したように
見えても、その後いくつかの工程を通し最終的に注入口
を封止した後、低温保存すると、また空隙が発生するこ
とが多かった。
【０００９】また、この充填工程では高温加圧状態を長
時間保持する必要があったため、パネル内面に形成され
ている配向制御膜に悪影響を及ぼし、プレチルト角が変
化してしまうといった品質特性的な問題も生じることが
多かった。
時間保持する必要があったため、パネル内面に形成され
ている配向制御膜に悪影響を及ぼし、プレチルト角が変
化してしまうといった品質特性的な問題も生じることが
多かった。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題に鑑み
成された本発明の第１によれば、一対の基板をシール材
を介して一定間隔に保持させたパネルに液晶を封入して
成る液晶パネルの製造方法において、真空下で前記パネ
ル内を減圧した後、注入口にスメクチック状態の液晶を
塗布し、その後加温してアイソトロピック状態にした液
晶を加圧下で且つ昇圧しながら注入する際に、最終圧力
に到達するまでの間に例えば図１に示されるように少な
くとも一度は圧力一定の状態を保持するか、或いは図２
に示されるように圧力増加速度勾配を変化させることに
より、未注入領域や図１４に示したようなスジ状の欠陥
による注入不良を無くしたものである。
成された本発明の第１によれば、一対の基板をシール材
を介して一定間隔に保持させたパネルに液晶を封入して
成る液晶パネルの製造方法において、真空下で前記パネ
ル内を減圧した後、注入口にスメクチック状態の液晶を
塗布し、その後加温してアイソトロピック状態にした液
晶を加圧下で且つ昇圧しながら注入する際に、最終圧力
に到達するまでの間に例えば図１に示されるように少な
くとも一度は圧力一定の状態を保持するか、或いは図２
に示されるように圧力増加速度勾配を変化させることに
より、未注入領域や図１４に示したようなスジ状の欠陥
による注入不良を無くしたものである。
【００１１】本発明第１において、前記圧力一定の状態
を保持する時間は好ましくは１〜５時間、より好ましく
は２〜５時間である。この保持時間が１時間未満である
と、液晶パネルの駆動条件が厳しい場合には、配向状態
にムラを生じ、また、５時間を超えるとスジ状の欠陥が
現れるので好ましくない。
を保持する時間は好ましくは１〜５時間、より好ましく
は２〜５時間である。この保持時間が１時間未満である
と、液晶パネルの駆動条件が厳しい場合には、配向状態
にムラを生じ、また、５時間を超えるとスジ状の欠陥が
現れるので好ましくない。
【００１２】また、前記圧力一定の状態を保持する期間
を除いては、圧力増加速度勾配は好ましくは１３５ｔｏ
ｒｒ／ｈｒ以上、より好ましくは２００ｔｏｒｒ／ｈｒ
以上である。この圧力増加速度勾配が１３５ｔｏｒｒ／
ｈｒ未満では、先と同様に液晶パネルの駆動条件が厳し
い場合に、スジ状の欠陥が現われやすい。
を除いては、圧力増加速度勾配は好ましくは１３５ｔｏ
ｒｒ／ｈｒ以上、より好ましくは２００ｔｏｒｒ／ｈｒ
以上である。この圧力増加速度勾配が１３５ｔｏｒｒ／
ｈｒ未満では、先と同様に液晶パネルの駆動条件が厳し
い場合に、スジ状の欠陥が現われやすい。
【００１３】次に、本発明の第２によれば、一対の基板
をシール材を介して一定間隔に保持させたパネルに液晶
を封入して成る液晶パネルの製造方法において、注入口
からパネル内に液晶を注入する際に、例えば液晶パネル
の周囲の圧力及び／または温度を経時変化させ、液晶注
入時の液晶のパネル内への進行速度を一定の範囲内に制
御することにより、大型パネルにおいても均一で良好な
配向状態を得られるようにしたものである。
をシール材を介して一定間隔に保持させたパネルに液晶
を封入して成る液晶パネルの製造方法において、注入口
からパネル内に液晶を注入する際に、例えば液晶パネル
の周囲の圧力及び／または温度を経時変化させ、液晶注
入時の液晶のパネル内への進行速度を一定の範囲内に制
御することにより、大型パネルにおいても均一で良好な
配向状態を得られるようにしたものである。
【００１４】本発明第２において、液晶の注入開始から
の時間ｔにおける液晶の進行速度ｖ（ｔ）は、液晶の平
均進行速度ｖa としたとき、０．５ｖa ≦ｖ（ｔ）≦
１．５ｖa となるように、また、ｖa は０．００５〜
０．５ｃｍ／ｍｉｎとなるように制御される。
の時間ｔにおける液晶の進行速度ｖ（ｔ）は、液晶の平
均進行速度ｖa としたとき、０．５ｖa ≦ｖ（ｔ）≦
１．５ｖa となるように、また、ｖa は０．００５〜
０．５ｃｍ／ｍｉｎとなるように制御される。
【００１５】尚、上記平均進行速度ｖａは、液晶の注入
開始から終了までの時間をＴとしたとき、ｖａ＝（１／
Ｔ）∫0 Tｖ（ｔ）ｄｔで示される。この平均進行速度ｖ
ａが０．００５ｃｍ／ｍｉｎ未満では、注入速度が遅す
ぎてスジ状の欠陥が発生する為好ましくない。また、
０．５ｃｍ／ｍｉｎを超えると、ｖ（ｔ）を上記範囲内
で制御したとしても配向ムラを生じやすい。また、ｖ
（ｔ）が上記範囲外の場合には、従来のように液晶注入
中の進行速度のバラツキが大きい為に、全面均一な配向
状態を得ることが難しい。
開始から終了までの時間をＴとしたとき、ｖａ＝（１／
Ｔ）∫0 Tｖ（ｔ）ｄｔで示される。この平均進行速度ｖ
ａが０．００５ｃｍ／ｍｉｎ未満では、注入速度が遅す
ぎてスジ状の欠陥が発生する為好ましくない。また、
０．５ｃｍ／ｍｉｎを超えると、ｖ（ｔ）を上記範囲内
で制御したとしても配向ムラを生じやすい。また、ｖ
（ｔ）が上記範囲外の場合には、従来のように液晶注入
中の進行速度のバラツキが大きい為に、全面均一な配向
状態を得ることが難しい。
【００１６】
【００１７】
【００１８】次に、本発明の第３によれば、一対の基板
をシール材を介して一定間隔に保持させたパネルに液晶
を封入して成る液晶パネルの製造方法において、パネル
に液晶を注入させた後に液晶の加熱と注入口からのパネ
ル内部側への加圧を併せて行う液晶の充填工程の際に、
注入口付近の液晶を常にアイソトロピック状態を維持す
る温度に保つと共に、注入口付近以外のパネル内部の液
晶をアイソトロピック状態を維持する温度からスメクチ
ック状態を維持する温度まで少なくとも一度は変化させ
ることにより、パネルの常温時の容積に近い量の液晶材
を充填し、パネルの常温時や低温保存後の空隙部の再発
を防ぐようにしたものである。
をシール材を介して一定間隔に保持させたパネルに液晶
を封入して成る液晶パネルの製造方法において、パネル
に液晶を注入させた後に液晶の加熱と注入口からのパネ
ル内部側への加圧を併せて行う液晶の充填工程の際に、
注入口付近の液晶を常にアイソトロピック状態を維持す
る温度に保つと共に、注入口付近以外のパネル内部の液
晶をアイソトロピック状態を維持する温度からスメクチ
ック状態を維持する温度まで少なくとも一度は変化させ
ることにより、パネルの常温時の容積に近い量の液晶材
を充填し、パネルの常温時や低温保存後の空隙部の再発
を防ぐようにしたものである。
【００１９】また、本発明の第３では、パネル内部の液
晶をスメクチック状態にして密度を高め、注入口付近の
粘度の低いアイソトロピック状態の液晶を内部に吸引す
ることで充填工程を短縮することができるため、充填工
程における高温加圧状態を従来より短時間にできる。
晶をスメクチック状態にして密度を高め、注入口付近の
粘度の低いアイソトロピック状態の液晶を内部に吸引す
ることで充填工程を短縮することができるため、充填工
程における高温加圧状態を従来より短時間にできる。
【００２０】このことにより、パネル内面に形成されて
いる配向制御膜への影響が小さく、プレチルト角の変化
をおさえることができ、品質の安定した液晶パネルを製
造できる。
いる配向制御膜への影響が小さく、プレチルト角の変化
をおさえることができ、品質の安定した液晶パネルを製
造できる。
【００２１】更に本発明は、前記本発明第１〜第３にお
いて、前記液晶が強誘電性を有することを特徴とする液
晶パネルの製造方法である。
いて、前記液晶が強誘電性を有することを特徴とする液
晶パネルの製造方法である。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２３】実施例１ 本実施例では、本発明第１により液晶パネルを作製し
た。先ず、ガラス基板２枚をシール材によって貼り合わ
せ、空の液晶パネルを用意した。このパネル内を大気中
から１０-6ｔｏｒｒまで真空に引き減圧する。その後液
晶に影響を与えない程度の圧力に戻しフェニルピリミジ
ン系化合物を主成分とする強誘電性液晶組成物をスメク
チック状態にしたものを注入口に塗布する。次に、この
液晶を塗布したパネルを大気に戻しさらに再び１ｔｏｒ
ｒまで減圧する。この際パネルを加温し液晶をアイソト
ロピック状態にする。このとき液晶がアイソトロピック
状態になったことを確認し加圧し始める。本実施例で
は、図１の注入加圧プロファイルに示されるように、圧
力一定保持期間を１段設けて加圧を行った。このときの
圧力増加速度勾配は１９０ｔｏｒｒ／ｈｒであり、圧力
一定保持時間を２時間とした。また、最終圧力は２００
０ｔｏｒｒであり、最終段での保持時間を６時間とし
た。このようにして注入された液晶パネルは注入跡のス
ジ状の欠陥や、未注入領域が無く、通常室温レベルで駆
動した場合に欠陥のない良好なパネルであった。
た。先ず、ガラス基板２枚をシール材によって貼り合わ
せ、空の液晶パネルを用意した。このパネル内を大気中
から１０-6ｔｏｒｒまで真空に引き減圧する。その後液
晶に影響を与えない程度の圧力に戻しフェニルピリミジ
ン系化合物を主成分とする強誘電性液晶組成物をスメク
チック状態にしたものを注入口に塗布する。次に、この
液晶を塗布したパネルを大気に戻しさらに再び１ｔｏｒ
ｒまで減圧する。この際パネルを加温し液晶をアイソト
ロピック状態にする。このとき液晶がアイソトロピック
状態になったことを確認し加圧し始める。本実施例で
は、図１の注入加圧プロファイルに示されるように、圧
力一定保持期間を１段設けて加圧を行った。このときの
圧力増加速度勾配は１９０ｔｏｒｒ／ｈｒであり、圧力
一定保持時間を２時間とした。また、最終圧力は２００
０ｔｏｒｒであり、最終段での保持時間を６時間とし
た。このようにして注入された液晶パネルは注入跡のス
ジ状の欠陥や、未注入領域が無く、通常室温レベルで駆
動した場合に欠陥のない良好なパネルであった。
【００２４】実施例２ 本実施例では、実施例１と同様のパネルを用意し、大気
中から１０-6ｔｏｒｒまで真空に引きパネル内を減圧す
る。その後液晶に影響を与えない程度の圧力に戻しフェ
ニルピリミジン系化合物を主成分とする強誘電性液晶組
成物をスメクチック状態にしたものを注入口に塗布す
る。次に、この液晶を塗布したパネルを大気に戻しさら
に再び１００ｔｏｒｒまで減圧する（２０分程度）。こ
の際パネルを加温し液晶をアイソトロピック状態にす
る。この状態を１００分保持し、加圧し始める。本実施
例では、図３の注入加圧プロファイルに示されるよう
に、圧力一定保持期間を２段設けて加圧を行った。この
とき１４００ｔｏｒｒまで圧力増加速度勾配を２１７ｔ
ｏｒｒ／ｈｒで６ｈｒ加圧し、この後圧力一定保持時間
を２．５時間とする。さらに１６７０ｔｏｒｒまで上記
圧力増加速度勾配で１．５時間加圧し、この後圧力一定
保持時間を２．５時間とする。さらに１９５０ｔｏｒｒ
まで上記圧力増加速度勾配で１．５時間加圧し、その後
１９５０ｔｏｒｒのまま６時間１５分保持し、１．５時
間かけて大気に戻し液晶注入を終わる。
中から１０-6ｔｏｒｒまで真空に引きパネル内を減圧す
る。その後液晶に影響を与えない程度の圧力に戻しフェ
ニルピリミジン系化合物を主成分とする強誘電性液晶組
成物をスメクチック状態にしたものを注入口に塗布す
る。次に、この液晶を塗布したパネルを大気に戻しさら
に再び１００ｔｏｒｒまで減圧する（２０分程度）。こ
の際パネルを加温し液晶をアイソトロピック状態にす
る。この状態を１００分保持し、加圧し始める。本実施
例では、図３の注入加圧プロファイルに示されるよう
に、圧力一定保持期間を２段設けて加圧を行った。この
とき１４００ｔｏｒｒまで圧力増加速度勾配を２１７ｔ
ｏｒｒ／ｈｒで６ｈｒ加圧し、この後圧力一定保持時間
を２．５時間とする。さらに１６７０ｔｏｒｒまで上記
圧力増加速度勾配で１．５時間加圧し、この後圧力一定
保持時間を２．５時間とする。さらに１９５０ｔｏｒｒ
まで上記圧力増加速度勾配で１．５時間加圧し、その後
１９５０ｔｏｒｒのまま６時間１５分保持し、１．５時
間かけて大気に戻し液晶注入を終わる。
【００２５】このようにして得られた液晶パネルは注入
跡のスジ状の欠陥や、未注入領域が無く、広い温度範囲
で駆動しても欠陥のない良好なパネルであった。
跡のスジ状の欠陥や、未注入領域が無く、広い温度範囲
で駆動しても欠陥のない良好なパネルであった。
【００２６】実施例３ 本実施例では、実施例１と同様のパネルを用意し、大気
中から１０-6ｔｏｒｒまで真空に引きパネル内を減圧す
る。その後液晶に影響を与えない程度の圧力に戻し、フ
ェニルピリミジン系化合物を主成分とする強誘電性液晶
組成物をスメクチック状態にしたものを注入口に塗布す
る。次に、この液晶を塗布したパネルを大気に戻しさら
に再び１００ｔｏｒｒまで減圧する（２０分程度）。こ
の際パネルを加温し液晶をアイソトロピック状態にす
る。この状態を１００分保持し、加圧し始める。本実施
例では、図４の注入加圧プロファイルに示されるよう
に、圧力一定保持期間を２段設け、特に、各圧力増加速
度勾配を変化させて加圧を行った。このとき１４００ｔ
ｏｒｒまで圧力増加速度勾配を２１７ｔｏｒｒ／ｈｒで
６ｈｒ加圧し、この後圧力一定保持時間を２．５時間と
する。さらに１６５０ｔｏｒｒまで圧力増加速度勾配１
６７ｔｏｒｒ／ｈｒで１．５時間加圧し、この後圧力一
定保持時間を２．５時間とする。さらに、１９５０ｔｏ
ｒｒまで圧力増加速度勾配２００ｔｏｒｒ／ｈｒで加圧
し、その後１９５０ｔｏｒｒのまま６時間保持し、１．
５時間かけて大気に戻し液晶注入を終わる。このように
して得られた液晶パネルは広い温度範囲で駆動しても欠
陥のない良好なパネルであった。
中から１０-6ｔｏｒｒまで真空に引きパネル内を減圧す
る。その後液晶に影響を与えない程度の圧力に戻し、フ
ェニルピリミジン系化合物を主成分とする強誘電性液晶
組成物をスメクチック状態にしたものを注入口に塗布す
る。次に、この液晶を塗布したパネルを大気に戻しさら
に再び１００ｔｏｒｒまで減圧する（２０分程度）。こ
の際パネルを加温し液晶をアイソトロピック状態にす
る。この状態を１００分保持し、加圧し始める。本実施
例では、図４の注入加圧プロファイルに示されるよう
に、圧力一定保持期間を２段設け、特に、各圧力増加速
度勾配を変化させて加圧を行った。このとき１４００ｔ
ｏｒｒまで圧力増加速度勾配を２１７ｔｏｒｒ／ｈｒで
６ｈｒ加圧し、この後圧力一定保持時間を２．５時間と
する。さらに１６５０ｔｏｒｒまで圧力増加速度勾配１
６７ｔｏｒｒ／ｈｒで１．５時間加圧し、この後圧力一
定保持時間を２．５時間とする。さらに、１９５０ｔｏ
ｒｒまで圧力増加速度勾配２００ｔｏｒｒ／ｈｒで加圧
し、その後１９５０ｔｏｒｒのまま６時間保持し、１．
５時間かけて大気に戻し液晶注入を終わる。このように
して得られた液晶パネルは広い温度範囲で駆動しても欠
陥のない良好なパネルであった。
【００２７】比較例１ 実施例１と同様のパネルを用意し、実施例１と同様に大
気中から１０-6ｔｏｒｒまで真空に引きパネル内を減圧
する。その後液晶に影響を与えない程度の圧力に戻しフ
ェニルピリミジン系化合物を主成分とする強誘電性液晶
組成物をスメクチック状態にしたものを注入口に塗布す
る。次に、この液晶を塗布したパネルを大気に戻しさら
に再び１ｔｏｒｒまで減圧する。この際パネルを加温し
液晶をアイソトロピック状態にする。このとき液晶がア
イソトロピック状態になったことを確認し加圧し始め
る。このとき、図１５の従来の注入加圧プロファイルに
示されるように、圧力一定保持期間がなく、最終圧力ま
で圧力増加速度勾配を１２０ｔｏｒｒ／ｈｒで直線的に
加圧を行った。その結果、図１４に示したような注入の
速度が変わったと思われる領域の境界線にスジ状の欠陥
が発生していた。この欠陥は、液晶を駆動した時も消え
ることがなかった。
気中から１０-6ｔｏｒｒまで真空に引きパネル内を減圧
する。その後液晶に影響を与えない程度の圧力に戻しフ
ェニルピリミジン系化合物を主成分とする強誘電性液晶
組成物をスメクチック状態にしたものを注入口に塗布す
る。次に、この液晶を塗布したパネルを大気に戻しさら
に再び１ｔｏｒｒまで減圧する。この際パネルを加温し
液晶をアイソトロピック状態にする。このとき液晶がア
イソトロピック状態になったことを確認し加圧し始め
る。このとき、図１５の従来の注入加圧プロファイルに
示されるように、圧力一定保持期間がなく、最終圧力ま
で圧力増加速度勾配を１２０ｔｏｒｒ／ｈｒで直線的に
加圧を行った。その結果、図１４に示したような注入の
速度が変わったと思われる領域の境界線にスジ状の欠陥
が発生していた。この欠陥は、液晶を駆動した時も消え
ることがなかった。
【００２８】実施例４ 本実施例では、本発明第２により図５に示されるような
形状の液晶セルに強誘電性液晶を注入し液晶パネルを作
製した。図５は液晶セルに液晶を注入している途中の状
態を模式的に表わしたものである。図中、５１，５２は
ガラス基板、５３はシール材、５４は注入途中の液晶、
５５は注入口に塗布した液晶である。
形状の液晶セルに強誘電性液晶を注入し液晶パネルを作
製した。図５は液晶セルに液晶を注入している途中の状
態を模式的に表わしたものである。図中、５１，５２は
ガラス基板、５３はシール材、５４は注入途中の液晶、
５５は注入口に塗布した液晶である。
【００２９】液晶注入部分のシール内側の長さＬ，幅Ｗ
はそれぞれＬ＝３０ｃｍ，Ｗ＝２５ｃｍでほぼＡ４版サ
イズの大きさである。また、セルギャップはＳｉＯ2 ス
ペーサを用いて１．５μｍ±０．０５μｍに設定した。
この液晶セルを真空容器内に入れ、真空容器を１．０×
１０-3ｔｏｒｒに排気し、液晶セルの温度を９８℃に保
持した後、注入口にピリミジン系混合液晶を塗布し注入
口を液晶で封じ、真空容器にＮ2 を導入して大気圧に戻
した。ここで液晶セルの温度を図６に示されるように、
９８℃〜１０６℃まで変化させたところ、図７に示され
るような液晶進行速度を示した。この時、液晶の平均進
行速度ｖa は０．０２０ｃｍ／ｍｉｎであり、液晶進行
速度ｖ（ｔ）は０．０１８〜０．０２２ｃｍ／ｍｉｎの
範囲にあり、本発明第２の条件を満足するものであっ
た。この様に注入時の液晶進行速度を制御することによ
り、Ａ４版全面に良好な配向状態が得られた。
はそれぞれＬ＝３０ｃｍ，Ｗ＝２５ｃｍでほぼＡ４版サ
イズの大きさである。また、セルギャップはＳｉＯ2 ス
ペーサを用いて１．５μｍ±０．０５μｍに設定した。
この液晶セルを真空容器内に入れ、真空容器を１．０×
１０-3ｔｏｒｒに排気し、液晶セルの温度を９８℃に保
持した後、注入口にピリミジン系混合液晶を塗布し注入
口を液晶で封じ、真空容器にＮ2 を導入して大気圧に戻
した。ここで液晶セルの温度を図６に示されるように、
９８℃〜１０６℃まで変化させたところ、図７に示され
るような液晶進行速度を示した。この時、液晶の平均進
行速度ｖa は０．０２０ｃｍ／ｍｉｎであり、液晶進行
速度ｖ（ｔ）は０．０１８〜０．０２２ｃｍ／ｍｉｎの
範囲にあり、本発明第２の条件を満足するものであっ
た。この様に注入時の液晶進行速度を制御することによ
り、Ａ４版全面に良好な配向状態が得られた。
【００３０】比較例２ 実施例４と比較するため、液晶の進行速度をコントロー
ルすることなしに大型液晶セルに注入した場合の例を述
べる。まず、実施例４と全く同様の液晶セルを準備し、
真空容器内にセットし１．０×１０-3ｔｏｒｒに排気
後、液晶セルの温度を１０４℃に設定した。さらに、注
入口に液晶を塗布し注入口を液晶で封じた後、真空容器
内にＮ2 を導入して大気圧に戻した。本比較例の場合、
液晶が進行して注入される過程において、液晶セルの温
度は、図８に示すように１０４℃一定に保持した。この
時、液晶の進行速度は、図９に示されるように注入口付
近（注入初期）で最大となり０．０９ｃｍ／ｍｉｎ、注
入口と反対側（注入完了直前）で最小となり０．０１ｃ
ｍ／ｍｉｎであった。
ルすることなしに大型液晶セルに注入した場合の例を述
べる。まず、実施例４と全く同様の液晶セルを準備し、
真空容器内にセットし１．０×１０-3ｔｏｒｒに排気
後、液晶セルの温度を１０４℃に設定した。さらに、注
入口に液晶を塗布し注入口を液晶で封じた後、真空容器
内にＮ2 を導入して大気圧に戻した。本比較例の場合、
液晶が進行して注入される過程において、液晶セルの温
度は、図８に示すように１０４℃一定に保持した。この
時、液晶の進行速度は、図９に示されるように注入口付
近（注入初期）で最大となり０．０９ｃｍ／ｍｉｎ、注
入口と反対側（注入完了直前）で最小となり０．０１ｃ
ｍ／ｍｉｎであった。
【００３１】以上のようにして注入した液晶表示パネル
は、図１０に示されるように部分的に未注入部１０１が
残るだけでなく、注入口付近に液晶の配向不良１０２が
観察された。
は、図１０に示されるように部分的に未注入部１０１が
残るだけでなく、注入口付近に液晶の配向不良１０２が
観察された。
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】実施例５ 本実施例では、図１１に示されるような装置を用いて本
発明第３により液晶パネルを作製した。
発明第３により液晶パネルを作製した。
【００３９】図中、１１１はすでに液晶材が注入された
パネル、１１２はパネルを固定するための治具、１１３
は加圧槽、１１４はプレートヒーター、１１５は液晶材
料皿である。このときパネルの注入口は下側で液晶材料
皿１１５と接している。図１２は図１１の装置における
温度と圧力の関係の特徴を最もよく表すプログラムであ
り、１２１は槽内温度、１２２はプレートヒーター温
度、１２３は槽内の圧力である。まず、前工程にて液晶
材が注入されたものの、注入口付近等に若干の空隙部の
残ったパネル１１１を固定治具１１２により固定しセッ
トした。この状態にて、液晶材の加熱と注入口からセル
内部側への加圧を図１２に示したプログラムで行なっ
た。このとき、温度ｔ1 は８２℃、ｔ2 は６０℃、圧力
Ｐは２．５〜３．５ｋｇｆ／ｃｍ2 、時間Ｔは６〜１５
時間である。
パネル、１１２はパネルを固定するための治具、１１３
は加圧槽、１１４はプレートヒーター、１１５は液晶材
料皿である。このときパネルの注入口は下側で液晶材料
皿１１５と接している。図１２は図１１の装置における
温度と圧力の関係の特徴を最もよく表すプログラムであ
り、１２１は槽内温度、１２２はプレートヒーター温
度、１２３は槽内の圧力である。まず、前工程にて液晶
材が注入されたものの、注入口付近等に若干の空隙部の
残ったパネル１１１を固定治具１１２により固定しセッ
トした。この状態にて、液晶材の加熱と注入口からセル
内部側への加圧を図１２に示したプログラムで行なっ
た。このとき、温度ｔ1 は８２℃、ｔ2 は６０℃、圧力
Ｐは２．５〜３．５ｋｇｆ／ｃｍ2 、時間Ｔは６〜１５
時間である。
【００４０】本実施例では、パネルに注入・充填する液
晶としては、以下の転移温度を有する強誘電性スメクチ
ック液晶（チッソ（株）製、商品番号：ＣＳ−１０１
４）を使用した。
晶としては、以下の転移温度を有する強誘電性スメクチ
ック液晶（チッソ（株）製、商品番号：ＣＳ−１０１
４）を使用した。
【００４１】
【数１】 まず第一に、槽内およびプレートを加熱することによ
り、注入口付近を含めパネル全体の液晶材の温度を８２
℃としアイソトロピック状態とした。更に槽内加圧によ
る注入口からパネル内部側への加圧により、パネル内の
空隙部への充填を促進させた。次いで、この状態より槽
内温度のみ徐冷して、注入口付近を除いたパネル内部の
液晶材の温度のみを６０℃としスメクチック相に変化さ
せることにより、パネルの常温時の容積に近い量の液晶
材を充填させた。最後にプレートを冷却して注入口付近
の液晶材もスメクチック相状態に戻した後、槽内圧力も
常圧に戻した。
り、注入口付近を含めパネル全体の液晶材の温度を８２
℃としアイソトロピック状態とした。更に槽内加圧によ
る注入口からパネル内部側への加圧により、パネル内の
空隙部への充填を促進させた。次いで、この状態より槽
内温度のみ徐冷して、注入口付近を除いたパネル内部の
液晶材の温度のみを６０℃としスメクチック相に変化さ
せることにより、パネルの常温時の容積に近い量の液晶
材を充填させた。最後にプレートを冷却して注入口付近
の液晶材もスメクチック相状態に戻した後、槽内圧力も
常圧に戻した。
【００４２】これによりパネル内部の充填密度が均一化
され、最初にみられた注入口付近の液晶材の空隙部は全
て消滅した。更に、注入口を封止した後の低温保存にお
いても再度の空隙発生はあまりみられなかった。
され、最初にみられた注入口付近の液晶材の空隙部は全
て消滅した。更に、注入口を封止した後の低温保存にお
いても再度の空隙発生はあまりみられなかった。
【００４３】実施例６ 図１１の装置の温度と圧力を図１３に示されるようなプ
ログラムで制御して、液晶の充填を行った以外は、実施
例５と同様にして液晶パネルを作製した。
ログラムで制御して、液晶の充填を行った以外は、実施
例５と同様にして液晶パネルを作製した。
【００４４】本実施例では、加圧槽内温度変化を２回以
上繰り返すことにより、パネル常温時の容積により近い
量の液晶を充填することができ、注入口封止後の低温保
存においても再度の空隙発生はまったくみられなかっ
た。
上繰り返すことにより、パネル常温時の容積により近い
量の液晶を充填することができ、注入口封止後の低温保
存においても再度の空隙発生はまったくみられなかっ
た。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明第１によれ
ば、加圧下で且つ昇圧しながら液晶を注入する際に、加
圧条件を適正に制御することにより、パネル内の液晶未
注入領域や、スジ状の注入欠陥などの注入不良を無くす
ることができる。さらに最終圧力まで直線的に増圧した
場合よりも注入時間を短縮することができる。
ば、加圧下で且つ昇圧しながら液晶を注入する際に、加
圧条件を適正に制御することにより、パネル内の液晶未
注入領域や、スジ状の注入欠陥などの注入不良を無くす
ることができる。さらに最終圧力まで直線的に増圧した
場合よりも注入時間を短縮することができる。
【００４６】また、本発明第２によれば、液晶注入時の
液晶の進行速度を適切な範囲に制御することにより、全
面に均一な配向状態を得ることが可能となり、良好な表
示品位の液晶表示パネル、特に大型の強誘電性液晶パネ
ルを歩留り良く製造することができる。
液晶の進行速度を適切な範囲に制御することにより、全
面に均一な配向状態を得ることが可能となり、良好な表
示品位の液晶表示パネル、特に大型の強誘電性液晶パネ
ルを歩留り良く製造することができる。
【００４７】
【００４８】また、本発明第３によれば、液晶注入後の
充填密度の均一化工程において、温度プログラムを使用
することにより、より確実な液晶材の空隙部の修正が実
施できるため歩留りが向上し、更には、高温加圧状態を
従来より短時間にできることにより、プレチルト角の変
化を極力おさえることができ、品質特性の安定した液晶
パネルが得られる。
充填密度の均一化工程において、温度プログラムを使用
することにより、より確実な液晶材の空隙部の修正が実
施できるため歩留りが向上し、更には、高温加圧状態を
従来より短時間にできることにより、プレチルト角の変
化を極力おさえることができ、品質特性の安定した液晶
パネルが得られる。
【図１】本発明第１に係る液晶注入工程の概略的な加圧
プロファイルの一例である。
プロファイルの一例である。
【図２】本発明第１に係る液晶注入工程の概略的な加圧
プロファイルの一例である。
プロファイルの一例である。
【図３】実施例２において本発明第１を実施した際の液
晶注入工程の詳細な加圧プロファイルである。
晶注入工程の詳細な加圧プロファイルである。
【図４】実施例３において本発明第１を実施した際の液
晶注入工程の詳細な加圧プロファイルである。
晶注入工程の詳細な加圧プロファイルである。
【図５】本発明第２により液晶セルに液晶を注入してい
る途中の状態を模式的に示す図である。
る途中の状態を模式的に示す図である。
【図６】実施例４において本発明第２を実施した際の液
晶注入時の液晶セル温度プロファイルである。
晶注入時の液晶セル温度プロファイルである。
【図７】実施例４における液晶の進行速度を示す図であ
る。
る。
【図８】比較例２において従来方法による液晶注入時の
液晶セル温度プロファイルである。
液晶セル温度プロファイルである。
【図９】比較例２における液晶の進行速度を示す図であ
る。
る。
【図１０】比較例２で作製した液晶パネルを示す図であ
る。
る。
【図１１】本発明第３に係る充填工程を行う装置の一例
を概略的に示す断面図である。
を概略的に示す断面図である。
【図１２】実施例５において本発明第３を実施した際の
加圧槽内とプレートヒーターの温度プログラム、及び加
圧槽内の圧力プログラムを示す図である。
加圧槽内とプレートヒーターの温度プログラム、及び加
圧槽内の圧力プログラムを示す図である。
【図１３】実施例６において本発明第３を実施した際の
加圧槽内とプレートヒーターの温度プログラム、及び加
圧槽内の圧力プログラムを示す図である。
加圧槽内とプレートヒーターの温度プログラム、及び加
圧槽内の圧力プログラムを示す図である。
【図１４】従来例の液晶注入方法による液晶パネルの欠
陥状態を示す図である。
陥状態を示す図である。
【図１５】従来例の液晶注入工程の加圧プロファイルで
ある。
ある。
【符号の説明】 ５１，５２ ガラス基板 ５３ シール材 ５４ パネル内の液晶 ５５ 注入口付近の液晶 １０１ 注入不良部分 １０２ 配向ムラ部分 １１１ パネル １１２ パネル固定治具 １１３ 加圧槽 １１４ プレートヒーター １１５ 液晶材料皿
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三井 六男 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 鈴木 正明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 中井 法行 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 榎本 隆 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 島宗 正幸 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 村田 辰雄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−137620（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−51258（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1341 G02F 1/13 G02F 1/141
Claims (9)
- 【請求項１】 一対の基板をシール材を介して一定間隔
に保持させたパネルに液晶を封入して成る液晶パネルの
製造方法において、真空下で前記パネル内を減圧した
後、注入口にスメクチック状態の液晶を塗布し、その後
加温してアイソトロピック状態にした液晶を加圧下で且
つ昇圧しながら注入する際に、最終圧力に到達するまで
の間に圧力増加速度勾配を変化させることを特徴とする
液晶パネルの製造方法。 - 【請求項２】 前記最終圧力に到達するまでの間の圧力
増加速度勾配が、１３５ｔｏｒｒ／ｈｒ以上であること
を特徴とする請求項１記載の液晶パネルの製造方法。 - 【請求項３】 一対の基板をシール材を介して一定間隔
に保持させたパネルに液晶を封入して成る液晶パネルの
製造方法において、真空下で前記パネル内を減圧した
後、注入口にスメクチック状態の液晶を塗布し、その後
加温してアイソトロピック状態にした液晶を加圧下で且
つ昇圧しながら注入する際に、最終圧力に到達するまで
の間に少なくとも一度は圧力を一定に保持することを特
徴とする液晶パネルの製造方法。 - 【請求項４】 前記圧力を一定に保持する時間が１〜５
時間であることを特徴とする請求項３記載の液晶パネル
の製造方法。 - 【請求項５】 前記最終圧力に到達するまでの間の圧力
増加速度勾配が、圧力を一定に保持する期間を除いて１
３５ｔｏｒｒ／ｈｒ以上であることを特徴とする請求項
３又は４記載の液晶パネルの製造方法。 - 【請求項６】 一対の基板をシール材を介して一定間隔
に保持させたパネルに液晶を封入して成る液晶パネルの
製造方法において、注入口からパネル内に液晶を注入す
る際に、注入開始から時間ｔにおける液晶の進行速度ｖ
（ｔ）が、液晶の平均進行速度をｖa としたとき、０．
５ｖa ≦ｖ（ｔ）≦１．５ｖa であり、且つ、ｖa が
０．００５〜０．５ｃｍ／ｍｉｎであることを特徴とす
る液晶パネルの製造方法。 - 【請求項７】 前記液晶の進行速度ｖ（ｔ）を、液晶パ
ネルの周囲の圧力及び／または温度を経時変化させるこ
とにより制御することを特徴とする請求項６記載の液晶
パネルの製造方法。 - 【請求項８】 一対の基板をシール材を介して一定間隔
に保持させたパネルに液晶を封入して成る液晶パネルの
製造方法において、パネルに液晶を注入させた後に液晶
の加熱と注入口からのパネル内部側への加圧を併せて行
う液晶の充填工程の際に、注入口付近の液晶を常にアイ
ソトロピック状態を維持する温度に保つと共に、注入口
付近以外のパネル内部の液晶をアイソトロピック状態を
維持する温度からスメクチック状態を維持する温度まで
少なくとも一度は変化させることを特徴とする液晶パネ
ルの製造方法。 - 【請求項９】 前記液晶が強誘電性を有することを特徴
とする請求項１〜８いずれかに記載の液晶パネルの製造
方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4241413A JP2814171B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 液晶パネルの製造方法 |
| US08/107,081 US5479284A (en) | 1992-08-19 | 1993-08-17 | Increasing temperature injection methods for a liquid crystal cell |
| DE69327082T DE69327082T2 (de) | 1992-08-19 | 1993-08-18 | Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristalltafel |
| EP93113214A EP0590291B1 (en) | 1992-08-19 | 1993-08-18 | Process for producing liquid crystal panel |
| US08/429,042 US5576865A (en) | 1992-08-19 | 1995-04-26 | Process for producing liquid crystal panel including reducing the pressure to no more than 25 torr/minute |
| US08/429,041 US5699138A (en) | 1992-08-19 | 1995-04-26 | Process for injecting liquid crystal into a liquid crystal panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4241413A JP2814171B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0667136A JPH0667136A (ja) | 1994-03-11 |
| JP2814171B2 true JP2814171B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=17073925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4241413A Expired - Fee Related JP2814171B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 液晶パネルの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5479284A (ja) |
| EP (1) | EP0590291B1 (ja) |
| JP (1) | JP2814171B2 (ja) |
| DE (1) | DE69327082T2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2814171B2 (ja) * | 1992-08-19 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
| GB9410261D0 (en) * | 1994-05-20 | 1994-07-13 | Glaverbel | Optical cell |
| US5751391A (en) * | 1995-04-27 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with elongated projection height smaller than liquid crystal thickness and process for producing same |
| US6144435A (en) * | 1995-04-28 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus |
| US5942066A (en) * | 1995-07-28 | 1999-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing liquid crystal device |
| JPH09166786A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-24 | Seiko Instr Inc | スメクチック液晶の注入装置及びスメクチック液晶の注入・封止方法 |
| US5858482A (en) * | 1996-07-26 | 1999-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and process for production thereof |
| GB2316756A (en) * | 1996-08-30 | 1998-03-04 | Lg Electronics Inc | Filling a liquid crystal panel |
| US5759046A (en) * | 1996-12-30 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Dendritic interconnection system |
| JPH10268331A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-09 | Denso Corp | 液晶セル及びその製造方法 |
| US6141072A (en) * | 1997-04-04 | 2000-10-31 | Georgia Tech Research Corporation | System and method for efficient manufacturing of liquid crystal displays |
| JPH10293310A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| US6271907B1 (en) * | 1997-09-14 | 2001-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Color liquid crystal device having injection port parallel to the stripe electrodes on the substrate with color filter and flattening film and the other substrate free from color filter and flattening film protruded |
| US5963281A (en) * | 1997-10-14 | 1999-10-05 | Rainbow Displays, Inc. | Method for fabricating AMLCD tiled displays with controlled inner seal perimeters |
| JPH11295746A (ja) | 1998-02-16 | 1999-10-29 | Sharp Corp | 液晶素子の製造方法、液晶注入装置および液晶注入システム |
| US6337730B1 (en) | 1998-06-02 | 2002-01-08 | Denso Corporation | Non-uniformly-rigid barrier wall spacers used to correct problems caused by thermal contraction of smectic liquid crystal material |
| WO2000060407A1 (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-12 | Reveo, Inc. | Electro-optical glazing structures having scattering and transparent modes of operation |
| JP2001056410A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Nitto Denko Corp | 拡散偏光部材及び液晶表示装置 |
| US6361389B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-03-26 | Honeywell International Inc. | Substrate coupling method |
| US6642991B2 (en) | 1999-09-30 | 2003-11-04 | Honeywell International Inc. | Method of utilizing absorbing means in coupling substrate |
| KR100690005B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 강유전성 액정주입장치의 제조 방법 |
| KR20030077070A (ko) * | 2002-03-25 | 2003-10-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 중력불량측정용 카세트 |
| DE10217985A1 (de) * | 2002-04-22 | 2003-11-20 | Braun Gmbh | Scherkopf für ein Haarschneidegerät |
| KR101797703B1 (ko) * | 2011-03-04 | 2017-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 휴대용 정보 기기 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4691995A (en) * | 1985-07-15 | 1987-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal filling device |
| ES2043600T3 (es) * | 1985-12-18 | 1994-01-01 | Canon Kk | Dispositivo de cristal liquido. |
| US4802743A (en) * | 1986-03-20 | 1989-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having color filters wherein the color filters formed from a polyamino resin containing coloring materials |
| JPS62237422A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Canon Inc | 液晶素子の製造方法 |
| JPS6315218A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JP2571926B2 (ja) * | 1987-02-20 | 1997-01-16 | セイコー電子工業株式会社 | スメクチツク液晶の注入・封止方法 |
| JPS63223729A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JPS6431118A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Method for injecting liquid crystal exhibiting ferroelectric property |
| US4917473A (en) * | 1987-10-13 | 1990-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing liquid crystal devices |
| GB8812262D0 (en) * | 1988-05-24 | 1988-06-29 | Emi Plc Thorn | Display device |
| DE68928293T2 (de) * | 1988-06-23 | 1998-02-12 | Canon Kk | Vorrichtung mit einem Flüssigkristall |
| JPH02239225A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-21 | Ricoh Co Ltd | 液晶セルに液晶を注入する方法および装置 |
| JPH02262120A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示素子の液晶注入方法 |
| JPH03137620A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-12 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
| US5150239A (en) * | 1990-02-09 | 1992-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | One-pack type epoxy sealant with amine-type curing agent, for liquid crystal cell, display apparatus and recording apparatus |
| JP2872736B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1999-03-24 | 積水ファインケミカル株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
| JP2808478B2 (ja) * | 1990-05-23 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 液晶パネルの製造方法およびその装置 |
| JP2700945B2 (ja) * | 1990-08-30 | 1998-01-21 | キヤノン株式会社 | カラーフィルター付き基板 |
| JPH04316021A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| US5285300A (en) * | 1991-10-07 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| JP2777758B2 (ja) * | 1991-10-28 | 1998-07-23 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2704809B2 (ja) * | 1992-05-11 | 1998-01-26 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶の注入方法 |
| US5455696A (en) * | 1992-07-10 | 1995-10-03 | Kabushiki Kaisha Topcon | Display apparatus including a liquid and two plates bonded together by a fluorocarbon resin |
| US5548428A (en) * | 1992-07-27 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for injecting ferroelectric liquid crystal with injection completed above atmospheric pressure |
| JP2814168B2 (ja) * | 1992-07-27 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | 液晶の注入方法 |
| JP2814171B2 (ja) * | 1992-08-19 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
-
1992
- 1992-08-19 JP JP4241413A patent/JP2814171B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-17 US US08/107,081 patent/US5479284A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-18 DE DE69327082T patent/DE69327082T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-18 EP EP93113214A patent/EP0590291B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-26 US US08/429,042 patent/US5576865A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-26 US US08/429,041 patent/US5699138A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5699138A (en) | 1997-12-16 |
| EP0590291A3 (en) | 1995-04-26 |
| US5479284A (en) | 1995-12-26 |
| DE69327082D1 (de) | 1999-12-30 |
| EP0590291B1 (en) | 1999-11-24 |
| DE69327082T2 (de) | 2000-06-08 |
| JPH0667136A (ja) | 1994-03-11 |
| EP0590291A2 (en) | 1994-04-06 |
| US5576865A (en) | 1996-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2814171B2 (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| US5564479A (en) | Process and apparatus for producing liquid crystal panel | |
| JP3260511B2 (ja) | シール剤描画方法 | |
| US5548428A (en) | Process for injecting ferroelectric liquid crystal with injection completed above atmospheric pressure | |
| JP2824819B2 (ja) | 液晶注入方法及び注入装置 | |
| US5355236A (en) | Method of injecting ferroelectric liquid crystal including multiple pressure changes | |
| KR100240972B1 (ko) | 액정소자 제조방법 | |
| US5684556A (en) | Process for producing liquid crystal device | |
| JP3095110B2 (ja) | 液晶セルに対する液晶注入方法 | |
| US20020039168A1 (en) | Apparatus for injecting liquid crystal materials and methods for manufacturing liquid crystal panels by using the same | |
| US5953095A (en) | Liquid crystal cell and method of manufacturing the same | |
| JP2814168B2 (ja) | 液晶の注入方法 | |
| JP2805419B2 (ja) | 強誘電性液晶の注入方法 | |
| JP2893069B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH06160874A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
| JP3364157B2 (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| JPH11153799A (ja) | 液晶表示パネルおよびその製造方法 | |
| JP3544124B2 (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| JP2000221520A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JPH05181147A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JP2535506B2 (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
| JPS63237027A (ja) | 液晶セルの注入方法 | |
| JPH10197886A (ja) | 液晶素子及びその製造方法 | |
| JPH09236810A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JPH0289026A (ja) | 液晶素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980203 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980714 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |