JP3095110B2 - 液晶セルに対する液晶注入方法 - Google Patents
液晶セルに対する液晶注入方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶セルに対する液晶
注入方法に係り、特に、液晶のうち強誘電性液晶や反強
誘電性液晶等のスメクチック液晶の液晶セルに対する液
晶注入方法に関する。
注入方法に係り、特に、液晶のうち強誘電性液晶や反強
誘電性液晶等のスメクチック液晶の液晶セルに対する液
晶注入方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、強誘電性液晶を液晶セル
に注入するに際しては、当該強誘電性液晶を加熱してス
メクチック相から低粘度の液体状態に変化させ、この液
体状態になった液晶を、１０-5Ｔｏｒｒ程度の真空状態
に脱気した液晶セルの液晶注入口に付着させ、その後、
液晶セルの周囲を大気圧に戻して液晶セルの内外に差圧
を生じさせることにより、液体状態の強誘電性液晶を液
晶セル内に吸引させて注入するようにしている。
に注入するに際しては、当該強誘電性液晶を加熱してス
メクチック相から低粘度の液体状態に変化させ、この液
体状態になった液晶を、１０-5Ｔｏｒｒ程度の真空状態
に脱気した液晶セルの液晶注入口に付着させ、その後、
液晶セルの周囲を大気圧に戻して液晶セルの内外に差圧
を生じさせることにより、液体状態の強誘電性液晶を液
晶セル内に吸引させて注入するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、強誘電性液
晶を採用する液晶セル内のギャップは、ＴＮ型液晶セル
に比べて非常に薄いため、液晶注入抵抗が大きい。この
ため、液晶セル内の奥の部分、即ち先端の部分に、強誘
電性液晶の未充填部分が生じる。また、液晶セルを構成
する両基板の形成材料と強誘電性液晶との間に熱膨張率
の差があるため、同様に、液晶セル内に強誘電性液晶の
未充填部分が生じる。
晶を採用する液晶セル内のギャップは、ＴＮ型液晶セル
に比べて非常に薄いため、液晶注入抵抗が大きい。この
ため、液晶セル内の奥の部分、即ち先端の部分に、強誘
電性液晶の未充填部分が生じる。また、液晶セルを構成
する両基板の形成材料と強誘電性液晶との間に熱膨張率
の差があるため、同様に、液晶セル内に強誘電性液晶の
未充填部分が生じる。
【０００４】従って、上述のような液晶セル内の強誘電
性液晶の未充填部分が、液晶セルに表示不良部分を発生
させる原因となっている。これに対しては、特開平５−
３１３１１０号公報にて示されているように、液晶セル
内の未充填部分に対する強誘電性液晶の充填を促すため
に、強誘電性液晶の注入末期において、大気圧よりも高
い圧力を液晶セルの周囲に加え、液晶セルの内外間の圧
力差を大きくすることも考えられる。
性液晶の未充填部分が、液晶セルに表示不良部分を発生
させる原因となっている。これに対しては、特開平５−
３１３１１０号公報にて示されているように、液晶セル
内の未充填部分に対する強誘電性液晶の充填を促すため
に、強誘電性液晶の注入末期において、大気圧よりも高
い圧力を液晶セルの周囲に加え、液晶セルの内外間の圧
力差を大きくすることも考えられる。
【０００５】しかし、このような方法では、上記加圧状
態が、主として、室温近傍における強誘電性液晶のＳｍ
Ｃ* 相よりも体積膨張している液体状態（ＩＳＯ状態）
にて行われる。このため、液晶セルに対する強誘電性液
晶の充填密度の大きさが不十分となる。従って、液晶セ
ルの温度を室温に戻すに伴い、液晶セル内の強誘電性液
晶がＳｍＣ* 相に相転移して体積収縮を起こしたとき、
上述と同様に、液晶セル内に、強誘電性液晶の未充填部
分が生じるという不具合を招く。
態が、主として、室温近傍における強誘電性液晶のＳｍ
Ｃ* 相よりも体積膨張している液体状態（ＩＳＯ状態）
にて行われる。このため、液晶セルに対する強誘電性液
晶の充填密度の大きさが不十分となる。従って、液晶セ
ルの温度を室温に戻すに伴い、液晶セル内の強誘電性液
晶がＳｍＣ* 相に相転移して体積収縮を起こしたとき、
上述と同様に、液晶セル内に、強誘電性液晶の未充填部
分が生じるという不具合を招く。
【０００６】この場合、上記加圧状態の終わりにおい
て、強誘電性液晶を液体状態からコレステリック相（Ｃ
ｈ相）に相転移させているが、これによっても、液晶セ
ルに対する強誘電性液晶の充填密度の大きさが、なお、
不十分であって、上記不具合を解消することはできな
い。また、強誘電性液晶に代えて、反強誘電性液晶を採
用した場合、この反強誘電性液晶の相転移過程ではコレ
ステリック相が生じないため、上述した不具合は、強誘
電性液晶の場合に比べて、さらに著しいといえる。
て、強誘電性液晶を液体状態からコレステリック相（Ｃ
ｈ相）に相転移させているが、これによっても、液晶セ
ルに対する強誘電性液晶の充填密度の大きさが、なお、
不十分であって、上記不具合を解消することはできな
い。また、強誘電性液晶に代えて、反強誘電性液晶を採
用した場合、この反強誘電性液晶の相転移過程ではコレ
ステリック相が生じないため、上述した不具合は、強誘
電性液晶の場合に比べて、さらに著しいといえる。
【０００７】そこで、本発明は、以上のようなことに対
処すべく、スメクチック液晶の液晶セルに対する注入
を、液晶セル内における液晶未充填領域を無くするよう
に行う液晶注入方法を提供することを目的とする。
処すべく、スメクチック液晶の液晶セルに対する注入
を、液晶セル内における液晶未充填領域を無くするよう
に行う液晶注入方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、 スメクチック液
晶を液晶セルに注入する液晶注入方法において、スメク
チック液晶の液晶セル（１０）への注入後、この液晶セ
ル内のスメクチック液晶を液体状態に相転移させ、 液晶
セルに充填すべき新たなスメクチック液晶をその液体状
態にて加圧により液晶セル内に充填し、その後、上記加
圧の状態を維持したまま液晶セル内のスメクチック液晶
をスメクチック相に相転移させることを特徴とする液晶
セルに対する液晶注入方法が提供される。
め、請求項１に記載の発明においては、 スメクチック液
晶を液晶セルに注入する液晶注入方法において、スメク
チック液晶の液晶セル（１０）への注入後、この液晶セ
ル内のスメクチック液晶を液体状態に相転移させ、 液晶
セルに充填すべき新たなスメクチック液晶をその液体状
態にて加圧により液晶セル内に充填し、その後、上記加
圧の状態を維持したまま液晶セル内のスメクチック液晶
をスメクチック相に相転移させることを特徴とする液晶
セルに対する液晶注入方法が提供される。
【０００９】また、請求項２に記載の発明では、請求項
１に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、 ス
メクチック液晶のスメクチック相への相転移後、上記加
圧の状態を大気圧まで戻すことを特徴とする。また、請
求項３に記載の発明では、請求項１又は２に記載の液晶
セルに対する液晶注入方法において、スメクチック液晶
のスメクチック相への相転移は、上記加圧の状態を維持
したまま液晶セルを冷却することで行うことを特徴とす
る。 また、請求項４に記載の発明では、請求項１乃至３
のいずれか１つに記載の液晶セルに対する液晶注入方法
において、スメクチック液晶は強誘電性液晶及び反強誘
電性液晶の一方であることを特徴とする。
１に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、 ス
メクチック液晶のスメクチック相への相転移後、上記加
圧の状態を大気圧まで戻すことを特徴とする。また、請
求項３に記載の発明では、請求項１又は２に記載の液晶
セルに対する液晶注入方法において、スメクチック液晶
のスメクチック相への相転移は、上記加圧の状態を維持
したまま液晶セルを冷却することで行うことを特徴とす
る。 また、請求項４に記載の発明では、請求項１乃至３
のいずれか１つに記載の液晶セルに対する液晶注入方法
において、スメクチック液晶は強誘電性液晶及び反強誘
電性液晶の一方であることを特徴とする。
【００１０】また、請求項５に記載の発明では、液晶セ
ル（１０）を減圧状態におく第１工程（Ｓ２）と、液晶
セルをその外部にて上記減圧状態から解放させることに
より、液体状態のスメクチック液晶を液晶セル内に吸引
させて注入する第２工程（Ｓ３、Ｓ４）と、液晶セル内
のスメクチック液晶をその液体状態から他の相状態に相
転移させる第３工程（Ｓ５）と、この第３工程後、液晶
セル内のスメクチック液晶を液体状態に戻す第４工程
（Ｓ６）と、 液晶セルに充填すべき新たなスメクチック
液晶をその液体状態にて加圧により液晶セル内に充填す
る第５工程（Ｓ７）と、 上記加圧の状態を維持したまま
液晶セル内のスメクチック液晶をスメクチック相に相転
移させる第６工程（Ｓ８、Ｓ９）とを備える液晶セルに
対する液晶注入方法が提供される。
ル（１０）を減圧状態におく第１工程（Ｓ２）と、液晶
セルをその外部にて上記減圧状態から解放させることに
より、液体状態のスメクチック液晶を液晶セル内に吸引
させて注入する第２工程（Ｓ３、Ｓ４）と、液晶セル内
のスメクチック液晶をその液体状態から他の相状態に相
転移させる第３工程（Ｓ５）と、この第３工程後、液晶
セル内のスメクチック液晶を液体状態に戻す第４工程
（Ｓ６）と、 液晶セルに充填すべき新たなスメクチック
液晶をその液体状態にて加圧により液晶セル内に充填す
る第５工程（Ｓ７）と、 上記加圧の状態を維持したまま
液晶セル内のスメクチック液晶をスメクチック相に相転
移させる第６工程（Ｓ８、Ｓ９）とを備える液晶セルに
対する液晶注入方法が提供される。
【００１１】また、請求項６に記載の発明では、請求項
５に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、 ス
メクチック液晶のスメクチック相への相転移後、上記加
圧の状態を大気圧まで戻すことを特徴とする。 また、請
求項７に記載の発明では、請求項６に記載の液晶セルに
対する液晶注入方法において、 スメクチック液晶のスメ
クチック相への相転移は、上記加圧の状態を維持したま
ま液晶セルを冷却することで行うことを特徴とする。ま
た、請求項８に記載の発明では、請求項５乃至７のいず
れか１つに記載の液晶セルに対する液晶注入方法におい
て、スメクチック液晶は反強誘電性液晶であることを特
徴とする。
５に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、 ス
メクチック液晶のスメクチック相への相転移後、上記加
圧の状態を大気圧まで戻すことを特徴とする。 また、請
求項７に記載の発明では、請求項６に記載の液晶セルに
対する液晶注入方法において、 スメクチック液晶のスメ
クチック相への相転移は、上記加圧の状態を維持したま
ま液晶セルを冷却することで行うことを特徴とする。ま
た、請求項８に記載の発明では、請求項５乃至７のいず
れか１つに記載の液晶セルに対する液晶注入方法におい
て、スメクチック液晶は反強誘電性液晶であることを特
徴とする。
【００１２】また、請求項９に記載の発明では、請求項
５に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、ス
メクチック液晶は反強誘電性液晶であり、 この反強誘電
性液晶のスメクチック相への相転移が、液晶セル内に液
晶未充填領域を発生させない程度に反強誘電性液晶の体
積収縮を抑制して行われることを特徴とする。
５に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、ス
メクチック液晶は反強誘電性液晶であり、 この反強誘電
性液晶のスメクチック相への相転移が、液晶セル内に液
晶未充填領域を発生させない程度に反強誘電性液晶の体
積収縮を抑制して行われることを特徴とする。
【００１３】なお、上記各構成要素のカッコ内の符号
は、後述する実施例記載の具体的構成要素との対応関係
を示すものである。
は、後述する実施例記載の具体的構成要素との対応関係
を示すものである。
【００１４】
【発明の作用効果】上記請求項１〜４に記載の発明によ
れば、スメクチック液晶の液晶セルへの注入後、この液
晶セル内のスメクチック液晶を液体状態に相転移させた
上で、液晶セルに充填すべき新たなスメクチック液晶を
その液体状態にて加圧により液晶セル内に充填する。こ
れにより、新たなスメクチック液晶の充填前において、
スメクチック液晶の注入済みの液晶セル内に液晶未充填
領域があっても、この液晶未充填領域を無くするよう
に、液晶セル内全体に亘りスメクチック液晶を充填でき
る。 ここで、上述のように、スメクチック液晶の充填
後、上記加圧の状態を維持したまま液晶セル内のスメク
チック液晶をスメクチック相に相転移させる。従って、
スメクチック液晶のスメクチック相への相転移時には液
晶セル内のスメクチック液晶は加圧されているので、ス
メクチック液晶の液晶セル内での液晶未充填領域がなく
なる。その結果、液晶セルの表示不良部分の発生を防止
できる。
れば、スメクチック液晶の液晶セルへの注入後、この液
晶セル内のスメクチック液晶を液体状態に相転移させた
上で、液晶セルに充填すべき新たなスメクチック液晶を
その液体状態にて加圧により液晶セル内に充填する。こ
れにより、新たなスメクチック液晶の充填前において、
スメクチック液晶の注入済みの液晶セル内に液晶未充填
領域があっても、この液晶未充填領域を無くするよう
に、液晶セル内全体に亘りスメクチック液晶を充填でき
る。 ここで、上述のように、スメクチック液晶の充填
後、上記加圧の状態を維持したまま液晶セル内のスメク
チック液晶をスメクチック相に相転移させる。従って、
スメクチック液晶のスメクチック相への相転移時には液
晶セル内のスメクチック液晶は加圧されているので、ス
メクチック液晶の液晶セル内での液晶未充填領域がなく
なる。その結果、液晶セルの表示不良部分の発生を防止
できる。
【００１５】また、請求項５〜８に記載の発明によれ
ば、液晶セルを、減圧後、その外部にて当該減圧から解
放させて、液体状態のスメクチック液晶を液晶セル内に
吸引させて注入する。然る後、液晶セル内のスメクチッ
ク液晶をその液体状態から他の相状態に相転移させた
上、液晶セル内のスメクチック液晶を液体状態に戻す。
ついで、液晶セル内に充填すべき新たなスメクチック液
晶をその液体状態にて加圧により液晶セル内に充填し、
その後、上記加圧の状態を維持したまま液晶セル内のス
メクチック液晶をスメクチック相に相転移させる。
ば、液晶セルを、減圧後、その外部にて当該減圧から解
放させて、液体状態のスメクチック液晶を液晶セル内に
吸引させて注入する。然る後、液晶セル内のスメクチッ
ク液晶をその液体状態から他の相状態に相転移させた
上、液晶セル内のスメクチック液晶を液体状態に戻す。
ついで、液晶セル内に充填すべき新たなスメクチック液
晶をその液体状態にて加圧により液晶セル内に充填し、
その後、上記加圧の状態を維持したまま液晶セル内のス
メクチック液晶をスメクチック相に相転移させる。
【００１６】これにより、請求項１に記載の発明と同様
の効果を達成できる。また、請求項９に記載の発明のよ
うに、反強誘電性液晶のスメクチック相への相転移が、
液晶セル内に液晶未充填領域を発生させない程度に反強
誘電性液晶の体積収縮を抑制して行われれば、液晶未充
填領域の再発防止に有効である。
の効果を達成できる。また、請求項９に記載の発明のよ
うに、反強誘電性液晶のスメクチック相への相転移が、
液晶セル内に液晶未充填領域を発生させない程度に反強
誘電性液晶の体積収縮を抑制して行われれば、液晶未充
填領域の再発防止に有効である。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図面により説明
する。図１は、本発明に係る液晶注入方法を主として示
す工程図である。まず、液晶セル形成工程Ｓ１におい
て、反強誘電性液晶が注入されていない液晶セル１０
（図４参照）を次のようにして形成する。
する。図１は、本発明に係る液晶注入方法を主として示
す工程図である。まず、液晶セル形成工程Ｓ１におい
て、反強誘電性液晶が注入されていない液晶セル１０
（図４参照）を次のようにして形成する。
【００１８】両ガラス基板の一方に透明導電膜を成膜し
た後、この透明導電膜にフォトリソグラフィックパター
ン形成技術を施して複数条の電極を形成する。そして、
これら各電極を介して一方のガラス基板に絶縁膜を成膜
する。ついで、この絶縁膜に配向膜を形成してラビング
処理を施す。そして、この一方のガラス基板に上記配向
膜の周囲にて熱硬化性エポキシ系接着剤によりシール
（図４にて符号１１により示す）を形成する。これによ
り、液晶セル１０のコモン基板１０ａが形成される。
た後、この透明導電膜にフォトリソグラフィックパター
ン形成技術を施して複数条の電極を形成する。そして、
これら各電極を介して一方のガラス基板に絶縁膜を成膜
する。ついで、この絶縁膜に配向膜を形成してラビング
処理を施す。そして、この一方のガラス基板に上記配向
膜の周囲にて熱硬化性エポキシ系接着剤によりシール
（図４にて符号１１により示す）を形成する。これによ
り、液晶セル１０のコモン基板１０ａが形成される。
【００１９】なお、シール１１は、両防止壁１１ｂを備
えており、これら両防止壁１１ｂは、液晶注入口１１ａ
の両側にて、コモン基板１０ａの対向基板１０ｂ（後述
する）からの延出板部上に延出形成される。他方のガラ
ス基板にも同様にして複数条の電極及び配向膜を形成す
る。そして、この配向膜上にスペーサ（１．７μｍ程度
の径を有する）及びエポキシ系接着粒子（５．５μｍ程
度の径を有する）を散布する。これにより、液晶セル１
０の対向基板１０ｂが形成される。なお、スペーサの散
布密度は、５００個／ｍｍ2程度とし、また、エポキシ
系接着粒子の散布密度は、５０個／ｍｍ2 程度とする。
えており、これら両防止壁１１ｂは、液晶注入口１１ａ
の両側にて、コモン基板１０ａの対向基板１０ｂ（後述
する）からの延出板部上に延出形成される。他方のガラ
ス基板にも同様にして複数条の電極及び配向膜を形成す
る。そして、この配向膜上にスペーサ（１．７μｍ程度
の径を有する）及びエポキシ系接着粒子（５．５μｍ程
度の径を有する）を散布する。これにより、液晶セル１
０の対向基板１０ｂが形成される。なお、スペーサの散
布密度は、５００個／ｍｍ2程度とし、また、エポキシ
系接着粒子の散布密度は、５０個／ｍｍ2 程度とする。
【００２０】然る後、上記両ガラス基板をシール、スペ
ーサ及びエポキシ系接着粒子を介し重ね合わせて、１８
０℃にて１時間の間０．５ｋｇ／ｃｍ2 の加圧状態にて
上記シールを硬化させる。これにより、液晶セル１０の
形成が完了する。減圧工程Ｓ２においては、図４にて示
す液晶注入装置２０を利用し、次のようにして液晶セル
１０の内外部を減圧して真空状態にする。
ーサ及びエポキシ系接着粒子を介し重ね合わせて、１８
０℃にて１時間の間０．５ｋｇ／ｃｍ2 の加圧状態にて
上記シールを硬化させる。これにより、液晶セル１０の
形成が完了する。減圧工程Ｓ２においては、図４にて示
す液晶注入装置２０を利用し、次のようにして液晶セル
１０の内外部を減圧して真空状態にする。
【００２１】ここで、液晶注入装置２０は、恒温チャン
バ２１を備えており、この恒温チャンバ２１の内部は、
ヒータ２２により０℃〜２００℃の範囲で加熱されるよ
うになっている。また、液晶注入装置２０は、真空ポン
プ２３を備えており、この真空ポンプ２３は、バルブ２
４を介し恒温チャンバ２１内に接続されている。この真
空ポンプ２３は、恒温チャンバ２１の内部を１０-6Ｔｏ
ｒｒの真空度まで減圧することができる。
バ２１を備えており、この恒温チャンバ２１の内部は、
ヒータ２２により０℃〜２００℃の範囲で加熱されるよ
うになっている。また、液晶注入装置２０は、真空ポン
プ２３を備えており、この真空ポンプ２３は、バルブ２
４を介し恒温チャンバ２１内に接続されている。この真
空ポンプ２３は、恒温チャンバ２１の内部を１０-6Ｔｏ
ｒｒの真空度まで減圧することができる。
【００２２】また、液晶注入装置２０は、真空計２５及
び温度計２６を備えており、真空計２５は、恒温チャン
バ２１の内部に生ずる圧力を測定する。また、温度計２
６は、恒温チャンバ２１内における液晶セル１０の表面
温度を測定する。しかして、このように構成した真空装
置２０の恒温チャンバ２１内に液晶セル１０を図４にて
示すごとく各治具２７により位置決めして配置する。こ
のとき、液晶セル１０の対向基板１０ｂがコモン基板１
０ａの上に位置するように、恒温チャンバ２１の底壁上
に置く。また、コモン基板１０ａの延出板部上には、反
強誘電性液晶が、両防止壁１１ｂの間にて付着されてい
る（図４にて符号１３参照）。このとき、恒温チャンバ
２１の内部は大気圧及び常温になっている。
び温度計２６を備えており、真空計２５は、恒温チャン
バ２１の内部に生ずる圧力を測定する。また、温度計２
６は、恒温チャンバ２１内における液晶セル１０の表面
温度を測定する。しかして、このように構成した真空装
置２０の恒温チャンバ２１内に液晶セル１０を図４にて
示すごとく各治具２７により位置決めして配置する。こ
のとき、液晶セル１０の対向基板１０ｂがコモン基板１
０ａの上に位置するように、恒温チャンバ２１の底壁上
に置く。また、コモン基板１０ａの延出板部上には、反
強誘電性液晶が、両防止壁１１ｂの間にて付着されてい
る（図４にて符号１３参照）。このとき、恒温チャンバ
２１の内部は大気圧及び常温になっている。
【００２３】このような状態にて、バルブ２４を開いて
真空ポンプ２３により恒温チャンバ２１の内部を減圧す
る。この減圧は、圧力と時間との関係を表す圧力−時間
プログラムＰ１（図２参照）の点Ａから点Ｂにかけてな
される。この場合、点Ａから点Ａ’まで、即ち、大気圧
から１０Ｔｏｒｒまでは、３０分程度かけて減圧を行
う。
真空ポンプ２３により恒温チャンバ２１の内部を減圧す
る。この減圧は、圧力と時間との関係を表す圧力−時間
プログラムＰ１（図２参照）の点Ａから点Ｂにかけてな
される。この場合、点Ａから点Ａ’まで、即ち、大気圧
から１０Ｔｏｒｒまでは、３０分程度かけて減圧を行
う。
【００２４】これにより、急激な圧力変化が抑制される
ので、コモン基板１０ａ及び対向基板１０ｂからのエポ
キシ系接着粒子の剥がれによるセルギャップむらの発生
が防止され得る。なお、点Ａ’から点Ｂまでは、減圧速
度を特定することなく減圧を行う。然る後、加熱工程Ｓ
３において、液晶セル１０の延出板部に付着している反
強誘電性液晶がスメクチック相から液体状態（ＩＳＯ状
態）に相転移するように、恒温チャンバ２１の内部を、
ヒータ２２により、１２０℃まで加熱する。この加熱
は、温度と時間との関係を表す温度−時間プログラムＴ
１（図２参照）の点ａから点ｂにかけてなされる。
ので、コモン基板１０ａ及び対向基板１０ｂからのエポ
キシ系接着粒子の剥がれによるセルギャップむらの発生
が防止され得る。なお、点Ａ’から点Ｂまでは、減圧速
度を特定することなく減圧を行う。然る後、加熱工程Ｓ
３において、液晶セル１０の延出板部に付着している反
強誘電性液晶がスメクチック相から液体状態（ＩＳＯ状
態）に相転移するように、恒温チャンバ２１の内部を、
ヒータ２２により、１２０℃まで加熱する。この加熱
は、温度と時間との関係を表す温度−時間プログラムＴ
１（図２参照）の点ａから点ｂにかけてなされる。
【００２５】これにより、反強誘電性液晶がＩＳＯ状態
になると、この反強誘電性液晶の粘度が低下する。そし
て、この反強誘電性液晶が流動してシール１１の液晶注
入口１１ａを塞ぐ。ついで、圧力戻し工程Ｓ４におい
て、恒温チャンバ２１の内部を、バルブ２４及び真空ポ
ンプ２３を通して大気に開放して大気圧まで戻す。この
戻し過程は、図２の圧力−時間プログラムＰ１の点Ｃか
ら点Ｄに沿い、恒温チャンバ２１の内部の圧力を大気圧
まで３時間かけて行う。
になると、この反強誘電性液晶の粘度が低下する。そし
て、この反強誘電性液晶が流動してシール１１の液晶注
入口１１ａを塞ぐ。ついで、圧力戻し工程Ｓ４におい
て、恒温チャンバ２１の内部を、バルブ２４及び真空ポ
ンプ２３を通して大気に開放して大気圧まで戻す。この
戻し過程は、図２の圧力−時間プログラムＰ１の点Ｃか
ら点Ｄに沿い、恒温チャンバ２１の内部の圧力を大気圧
まで３時間かけて行う。
【００２６】このような圧力の戻し過程においては、液
晶セル１０の周囲の圧力が液晶セル１０内の圧力よりも
高くなるので、この差圧により、液体状態の反強誘電性
液晶が液晶セル１０内に液晶注入口１１ａから吸引注入
される。但し、このような注入状態は、反強誘電性液晶
の液晶セル１０内への注入が完了するまで、温度−時間
プログラムＴ１の点ｂ〜点ｃにおける圧力−時間プログ
ラムＰ１の点Ｄ後の部分にて示すごとく、２時間程維持
される。
晶セル１０の周囲の圧力が液晶セル１０内の圧力よりも
高くなるので、この差圧により、液体状態の反強誘電性
液晶が液晶セル１０内に液晶注入口１１ａから吸引注入
される。但し、このような注入状態は、反強誘電性液晶
の液晶セル１０内への注入が完了するまで、温度−時間
プログラムＴ１の点ｂ〜点ｃにおける圧力−時間プログ
ラムＰ１の点Ｄ後の部分にて示すごとく、２時間程維持
される。
【００２７】次に、冷却工程Ｓ５において、恒温チャン
バ２１の内部を大気圧に維持したまま、当該恒温チャン
バ２１の内部の温度を温度−時間プログラムＴ１の点ｃ
〜点ｄに沿い低下させ常温に戻す。これにより、液晶セ
ル１０内に注入した反強誘電性液晶が液体状態からスメ
クチック相に戻る。なお、上述した各工程における液晶
セル１０の温度及び恒温チャンバ２１の内部の圧力は、
温度計２６及び真空計２５により視認される。
バ２１の内部を大気圧に維持したまま、当該恒温チャン
バ２１の内部の温度を温度−時間プログラムＴ１の点ｃ
〜点ｄに沿い低下させ常温に戻す。これにより、液晶セ
ル１０内に注入した反強誘電性液晶が液体状態からスメ
クチック相に戻る。なお、上述した各工程における液晶
セル１０の温度及び恒温チャンバ２１の内部の圧力は、
温度計２６及び真空計２５により視認される。
【００２８】ところで、上記冷却工程Ｓ５における液晶
セル１０内への反強誘電性液晶の注入完了時には、液晶
セル１０の内部の奥に液晶未充填部分が残っている場合
がある。このため、液晶セル１０内への強誘電性液晶の
充填密度を高めるとともに液晶セル１０内の液晶未充填
部分を無くする必要がある。そこで、図５にて示す加圧
装置３０を利用して、以下の各工程による処理をさらに
行う。
セル１０内への反強誘電性液晶の注入完了時には、液晶
セル１０の内部の奥に液晶未充填部分が残っている場合
がある。このため、液晶セル１０内への強誘電性液晶の
充填密度を高めるとともに液晶セル１０内の液晶未充填
部分を無くする必要がある。そこで、図５にて示す加圧
装置３０を利用して、以下の各工程による処理をさらに
行う。
【００２９】ここで、加圧装置３０は、圧力チャンバ３
１を備えており、この圧力チャンバ３１の内部は、プレ
ートヒータ３２により０℃〜２００℃の範囲で加熱され
るようになっている。なお、プレートヒータ３２は、コ
字状のプレート３２ａ内にヒータ部３２ｂを配置して構
成されている。また、加圧装置３０は、ガスボンベ３３
を備えており、このガスボンベ３３は、バルブ３４を介
し圧力チャンバ３１内に接続されている。このガスボン
ベ３３は、窒素ガス等の不活性ガスを、バルブ３４を通
し圧力チャンバ３１内に圧送し、この圧力チャンバ３１
の内部に５ｋｇ／ｃｍ2 程度まで加圧できるようになっ
ている。
１を備えており、この圧力チャンバ３１の内部は、プレ
ートヒータ３２により０℃〜２００℃の範囲で加熱され
るようになっている。なお、プレートヒータ３２は、コ
字状のプレート３２ａ内にヒータ部３２ｂを配置して構
成されている。また、加圧装置３０は、ガスボンベ３３
を備えており、このガスボンベ３３は、バルブ３４を介
し圧力チャンバ３１内に接続されている。このガスボン
ベ３３は、窒素ガス等の不活性ガスを、バルブ３４を通
し圧力チャンバ３１内に圧送し、この圧力チャンバ３１
の内部に５ｋｇ／ｃｍ2 程度まで加圧できるようになっ
ている。
【００３０】また、この加圧装置３０は、圧力計３５及
び温度計３６を備えており、圧力計３５は、圧力チャン
バ３１の内部に生ずる圧力を測定する。また、温度計３
６は、圧力チャンバ３１内における液晶セル１０の表面
温度を測定する。しかして、加熱工程Ｓ６において、上
述のように構成した加圧装置３０の圧力チャンバ３１内
に、冷却工程Ｓ５による処理後の液晶セル１０を、図５
にて示すごとく、プレートヒータ３２のプレート３２ａ
上に載置する。このとき、コモン基板１０ａの延出板部
上には、両防止壁１１ｂの間にて、液晶セル１０内に充
填すべき新たな反強誘電性液晶が付着している（図５に
て符号１３ａ参照）。
び温度計３６を備えており、圧力計３５は、圧力チャン
バ３１の内部に生ずる圧力を測定する。また、温度計３
６は、圧力チャンバ３１内における液晶セル１０の表面
温度を測定する。しかして、加熱工程Ｓ６において、上
述のように構成した加圧装置３０の圧力チャンバ３１内
に、冷却工程Ｓ５による処理後の液晶セル１０を、図５
にて示すごとく、プレートヒータ３２のプレート３２ａ
上に載置する。このとき、コモン基板１０ａの延出板部
上には、両防止壁１１ｂの間にて、液晶セル１０内に充
填すべき新たな反強誘電性液晶が付着している（図５に
て符号１３ａ参照）。
【００３１】このような状態にて、液晶セル１０に付着
している反強誘電性液晶がスメクチック相から液体状態
（ＩＳＯ状態）に相転移するように、圧力チャンバ３１
の内部を、プレートヒータ３２により、１２０℃まで加
熱する。この加熱は、温度と時間との関係を表す温度−
時間プログラムＴ２（図３参照）の点ｅから点ｆにかけ
てなされる。
している反強誘電性液晶がスメクチック相から液体状態
（ＩＳＯ状態）に相転移するように、圧力チャンバ３１
の内部を、プレートヒータ３２により、１２０℃まで加
熱する。この加熱は、温度と時間との関係を表す温度−
時間プログラムＴ２（図３参照）の点ｅから点ｆにかけ
てなされる。
【００３２】これにより、反強誘電性液晶がＩＳＯ状態
になると、この反強誘電性液晶の粘度が低下する。そし
て、この反強誘電性液晶が流動してシール１１の液晶注
入口１１ａを塞ぐ。その後、加圧工程Ｓ７において、バ
ルブ３４を開いてガスボンベ３３により圧力チャンバ３
１内に不活性ガスを圧送する。この加圧は、圧力と時間
との関係を表す圧力−時間プログラムＰ２（図３参照）
の点Ｅから点Ｆにかけてなされる。これにより、圧力チ
ャンバ３１の内部が３ｋｇ／ｃｍ2 程度まで加圧され
る。
になると、この反強誘電性液晶の粘度が低下する。そし
て、この反強誘電性液晶が流動してシール１１の液晶注
入口１１ａを塞ぐ。その後、加圧工程Ｓ７において、バ
ルブ３４を開いてガスボンベ３３により圧力チャンバ３
１内に不活性ガスを圧送する。この加圧は、圧力と時間
との関係を表す圧力−時間プログラムＰ２（図３参照）
の点Ｅから点Ｆにかけてなされる。これにより、圧力チ
ャンバ３１の内部が３ｋｇ／ｃｍ2 程度まで加圧され
る。
【００３３】このため、液晶セル１０の周囲の圧力が液
晶セル１０内の圧力、即ち大気圧よりも高くなるので、
この差圧により、液体状態の反強誘電性液晶が液晶セル
１０内に液晶注入口１１ａから吸引注入される。これに
より、液晶セル１０内の液晶未充填部分への反強誘電性
液晶の充填が確実に行われる。なお、この注入は、９０
分程度（図３にて点Ｆと点ｇとの間の時間）の経過によ
り完了する。
晶セル１０内の圧力、即ち大気圧よりも高くなるので、
この差圧により、液体状態の反強誘電性液晶が液晶セル
１０内に液晶注入口１１ａから吸引注入される。これに
より、液晶セル１０内の液晶未充填部分への反強誘電性
液晶の充填が確実に行われる。なお、この注入は、９０
分程度（図３にて点Ｆと点ｇとの間の時間）の経過によ
り完了する。
【００３４】その後、冷却工程Ｓ８において、上記加圧
状態を維持したまま、圧力チャンバ３１の内部を、温度
−時間プログラムＴ２の点ｇから点ｊに沿い冷却する。
この場合、点ｇから点ｈまでは、液体状態の反強誘電性
液晶に相転移を起こさせない範囲で後の冷却期間を短縮
するように、図３にて示すごとく急激な冷却がなされ
る。
状態を維持したまま、圧力チャンバ３１の内部を、温度
−時間プログラムＴ２の点ｇから点ｊに沿い冷却する。
この場合、点ｇから点ｈまでは、液体状態の反強誘電性
液晶に相転移を起こさせない範囲で後の冷却期間を短縮
するように、図３にて示すごとく急激な冷却がなされ
る。
【００３５】また、点ｈから点ｉまでは、図３にて示す
ごとく、緩やかな徐冷速度（−０．１℃／ｍｉｎ程度）
で冷却が行われる。これは、反強誘電性液晶の体積が、
この反強誘電性液晶のＩＳＯ状態からＳｍＡ相への相転
移開始温度から完全にＳｍＡ相になる温度までの間にお
いて、最も大きく収縮することを考慮して、反強誘電性
液晶の体積収縮割合を緩和することにより、液晶セル１
０内の未充填領域の再発を防止するためである。
ごとく、緩やかな徐冷速度（−０．１℃／ｍｉｎ程度）
で冷却が行われる。これは、反強誘電性液晶の体積が、
この反強誘電性液晶のＩＳＯ状態からＳｍＡ相への相転
移開始温度から完全にＳｍＡ相になる温度までの間にお
いて、最も大きく収縮することを考慮して、反強誘電性
液晶の体積収縮割合を緩和することにより、液晶セル１
０内の未充填領域の再発を防止するためである。
【００３６】上述のような冷却により、液晶セル１０内
の反強誘電性液晶が液体状態からスメクチック相に完全
に戻る。ここで、点ｈから点ｉまでは緩やかな徐冷速度
にて冷却がなされるので、反強誘電性液晶の初期配向
が、きめ細かく揃い良好な状態を維持する。このような
冷却後は、圧力チャンバ３１の内部が、温度−時間プロ
グラムＴ２の点ｉから点ｊに沿い常温まで冷却される。
この過程では、既に反強誘電性液晶がスメクチック相に
相転移済み故、冷却速度は、時間短縮のために高くされ
ている。然る後、この状態が、温度−時間プログラムＴ
２の点ｊから点ｋにて示すごとく、一定時間の間保持さ
れる。
の反強誘電性液晶が液体状態からスメクチック相に完全
に戻る。ここで、点ｈから点ｉまでは緩やかな徐冷速度
にて冷却がなされるので、反強誘電性液晶の初期配向
が、きめ細かく揃い良好な状態を維持する。このような
冷却後は、圧力チャンバ３１の内部が、温度−時間プロ
グラムＴ２の点ｉから点ｊに沿い常温まで冷却される。
この過程では、既に反強誘電性液晶がスメクチック相に
相転移済み故、冷却速度は、時間短縮のために高くされ
ている。然る後、この状態が、温度−時間プログラムＴ
２の点ｊから点ｋにて示すごとく、一定時間の間保持さ
れる。
【００３７】以上のようにして冷却工程Ｓ８の処理が終
了すると、圧力戻し工程Ｓ９において、圧力チャンバ３
１内の圧力を、圧力−時間プログラムＰ２の点Ｇから点
Ｈに沿い、大気圧まで戻す。これにより、液晶セル１０
内への反強誘電性液晶の加圧充填処理が終了する。この
ようにして反強誘電性液晶を充填した液晶セル１０に
は、液晶未充填領域がなく、その後再発することもな
い。
了すると、圧力戻し工程Ｓ９において、圧力チャンバ３
１内の圧力を、圧力−時間プログラムＰ２の点Ｇから点
Ｈに沿い、大気圧まで戻す。これにより、液晶セル１０
内への反強誘電性液晶の加圧充填処理が終了する。この
ようにして反強誘電性液晶を充填した液晶セル１０に
は、液晶未充填領域がなく、その後再発することもな
い。
【００３８】ちなみに、反強誘電性液晶を注入してない
液晶セルを、試料ＮＯ．１〜５として準備して、これら
の液晶セルに冷却工程Ｓ５までの処理を行って反強誘電
性液晶を注入した場合の各液晶セル内の液晶未充填領域
の面積と、これらの液晶セルに加熱工程Ｓ６以後の処理
をさらに行った場合の各液晶セル内の液晶未充填領域の
面積とを測定したところ、次の表１にて示す結果が得ら
れた。なお、各液晶セルのセルギャップは１．７μｍで
ある。
液晶セルを、試料ＮＯ．１〜５として準備して、これら
の液晶セルに冷却工程Ｓ５までの処理を行って反強誘電
性液晶を注入した場合の各液晶セル内の液晶未充填領域
の面積と、これらの液晶セルに加熱工程Ｓ６以後の処理
をさらに行った場合の各液晶セル内の液晶未充填領域の
面積とを測定したところ、次の表１にて示す結果が得ら
れた。なお、各液晶セルのセルギャップは１．７μｍで
ある。
【００３９】これによれば、各液晶セル共、最終的に
は、未充填領域が解消されていることが分かる。
は、未充填領域が解消されていることが分かる。
【００４０】
【表１】 なお、各液晶セルに用いた反強誘電性液晶の相転移デー
タは以下の通りである。
タは以下の通りである。
【００４１】 −１２℃ ７１℃ ７５℃ ９７℃ 結晶 → ＳｍＣA * → ＳｍＣ* → ＳｍＡ → ＩＳＯ ７３℃ ７７℃ ９７℃ 結晶 ← ＳｍＣA * ← ＳｍＣ* ← ＳｍＡ ← ＩＳＯ 次に、本発明の第２実施例について図６及び図７を参照
して説明する。
して説明する。
【００４２】この第２実施例においては、液晶セル１０
内への反強誘電性液晶の注入充填が、図６にて示す圧力
−時間プログラムＰ３及び温度−時間プログラムＴ３に
基づき、図７にて示す液晶注入加圧装置４０を利用して
なされる。ここで、圧力−時間プログラムＰ３は、上記
第１実施例にて述べた圧力−時間プログラムＰ１（図２
参照）と圧力−時間プログラムＰ２（図３参照）とを連
続的に実行するように合体させたものである。一方、温
度−時間プログラムＴ３は、上記第１実施例にて述べた
温度−時間プログラムＴ１（図２参照）と温度−時間プ
ログラムＴ２（図３参照）とを連続的に実行するように
合体させたものである。
内への反強誘電性液晶の注入充填が、図６にて示す圧力
−時間プログラムＰ３及び温度−時間プログラムＴ３に
基づき、図７にて示す液晶注入加圧装置４０を利用して
なされる。ここで、圧力−時間プログラムＰ３は、上記
第１実施例にて述べた圧力−時間プログラムＰ１（図２
参照）と圧力−時間プログラムＰ２（図３参照）とを連
続的に実行するように合体させたものである。一方、温
度−時間プログラムＴ３は、上記第１実施例にて述べた
温度−時間プログラムＴ１（図２参照）と温度−時間プ
ログラムＴ２（図３参照）とを連続的に実行するように
合体させたものである。
【００４３】また、液晶注入加圧装置４０は、上記第１
実施例にて述べた液晶注入装置２０に、加圧装置３０の
ガスボンベ３３、バルブ３４及び圧力計３５を付加して
構成されている。この第２実施例によれば、上記第１実
施例における各工程Ｓ１〜Ｓ９の処理が圧力−時間プロ
グラムＰ３及び温度−時間プログラムＴ３に基づき液晶
注入加圧装置４０の利用でもって達成される。
実施例にて述べた液晶注入装置２０に、加圧装置３０の
ガスボンベ３３、バルブ３４及び圧力計３５を付加して
構成されている。この第２実施例によれば、上記第１実
施例における各工程Ｓ１〜Ｓ９の処理が圧力−時間プロ
グラムＰ３及び温度−時間プログラムＴ３に基づき液晶
注入加圧装置４０の利用でもって達成される。
【００４４】なお、本発明の実施にあたっては、反強誘
電性液晶に限ることなく、強誘電性液晶等のスメクチッ
ク液晶を採用して実施してもよい。この場合、図２、図
３及び図６にて示す圧力−時間プログラム及び温度−時
間プログラムにおける各設定値は、液晶材料及び液晶セ
ルのサイズに基づき必要に応じて変更して実施すればよ
い。
電性液晶に限ることなく、強誘電性液晶等のスメクチッ
ク液晶を採用して実施してもよい。この場合、図２、図
３及び図６にて示す圧力−時間プログラム及び温度−時
間プログラムにおける各設定値は、液晶材料及び液晶セ
ルのサイズに基づき必要に応じて変更して実施すればよ
い。
【００４５】かかる場合、スメクチック液晶を液体状態
にて液晶セルに注入した後、このスメクチック液晶を常
温近くまで冷却してＳｍＣA * 相にし、その後、再び液
体状態まで昇温して加圧し、スメクチック液晶を高密度
で液晶セルに充填できるように上記各設定値を設定す
る。また、本発明の実施にあたっては、図１、図２及び
図６の各プログラムをコントローラに内蔵して図１の各
工程を自動的に実行するようにしてもよい。
にて液晶セルに注入した後、このスメクチック液晶を常
温近くまで冷却してＳｍＣA * 相にし、その後、再び液
体状態まで昇温して加圧し、スメクチック液晶を高密度
で液晶セルに充填できるように上記各設定値を設定す
る。また、本発明の実施にあたっては、図１、図２及び
図６の各プログラムをコントローラに内蔵して図１の各
工程を自動的に実行するようにしてもよい。
【図１】本発明に係る液晶注入方法の第１実施例を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】上記第１実施例における圧力−時間プログラム
及び温度−時間プログラムの各前半を示す図である。
及び温度−時間プログラムの各前半を示す図である。
【図３】上記第１実施例における圧力−時間プログラム
及び温度−時間プログラムの各後半を示す図である。
及び温度−時間プログラムの各後半を示す図である。
【図４】上記第１実施例における液晶注入装置の概略断
面図である。
面図である。
【図５】上記第１実施例における加圧装置の概略断面図
である。
である。
【図６】本発明の第２実施例における圧力−時間プログ
ラム及び温度−時間プログラムを示す図である。
ラム及び温度−時間プログラムを示す図である。
【図７】上記第２実施例における液晶注入加圧装置の概
略断面図である。
略断面図である。
１０・・・液晶セル、２０・・・液晶注入装置、３０・
・・加圧装置、４０・・・液晶注入加圧装置。
・・加圧装置、４０・・・液晶注入加圧装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−51258（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−262025（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1341 G02F 1/13 101
Claims (9)
- 【請求項１】 スメクチック液晶を液晶セルに注入する
液晶注入方法において、 前記スメクチック液晶の前記液晶セルへの注入後、この
液晶セル内のスメクチック液晶を液体状態に相転移さ
せ、 前記液晶セルに充填すべき新 たなスメクチック液晶をそ
の液体状態にて加圧により前記液晶セル内に充填し、そ
の後、前記加圧の状態を維持したまま前記液晶セル内の
スメクチック液晶をスメクチック相に相転移させること
を特徴とする液晶セルに対する液晶注入方法。 - 【請求項２】 前記スメクチック液晶のスメクチック相
への相転移後、前記加圧の状態を大気圧まで戻すことを
特徴とする請求項１に記載の液晶セルに対する液晶注入
方法。 - 【請求項３】 前記スメクチック液晶のスメクチック相
への相転移は、前記加圧の状態を維持したまま前記液晶
セルを冷却することで行うことを特徴とする請求項１又
は２に記載の液晶セルに対する液晶注入方法。 - 【請求項４】 前記スメクチック液晶は強誘電性液晶及
び反強誘電性液晶の一方であることを特徴とする請求項
１乃至３のいずれか１つに記載の液晶セルに対する液晶
注入方法。 - 【請求項５】 液晶セルを減圧状態におく第１工程と、 前記液晶セルをその外部にて前記減圧状態から解放させ
ることにより、液体状態のスメクチック液晶を前記液晶
セル内に吸引させて注入する第２工程と、 前記液晶セル内のスメクチック液晶をその液体状態から
他の相状態に相転移させる第３工程と、 この第３工程後、前記液晶セル内のスメクチック液晶を
液体状態に戻す第４工程と、 前記液晶セルに充填すべき新たなスメクチック液晶をそ
の液体状態にて加圧により前記液晶セル内に充填する第
５工程と、 前記加圧の状態を維持したまま前記液晶セル内のスメク
チック液晶をスメクチック相に相転移させる第６工程と
を 備える液晶セルに対する液晶注入方法。 - 【請求項６】 前記スメクチック液晶のスメクチック相
への相転移後、前記加圧の状態を大気圧まで戻すことを
特徴とする請求項５に記載の液晶セルに対する液晶注入
方法。 - 【請求項７】 前記スメクチック液晶のスメクチック相
への相転移は、前記加圧の状態を維持したまま前記液晶
セルを冷却することで行うことを特徴とする請求項６に
記載の液晶セルに対する液晶注入方法。 - 【請求項８】 前記スメクチック液晶は反強誘電性液晶
であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１つ
に記載の液晶セルに対する液晶注入方法。 - 【請求項９】 前記スメクチック液晶は反強誘電性液晶
であり、この反強誘電性液晶のスメクチック相への相転移が、前
記液晶セル内に液晶未充填領域を発生させない程度に前
記反強誘電性液晶の体積収縮を抑制して行われることを
特徴とする請求項５に記載の液晶セルに対する液晶注入
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07026957A JP3095110B2 (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 液晶セルに対する液晶注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07026957A JP3095110B2 (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 液晶セルに対する液晶注入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08220550A JPH08220550A (ja) | 1996-08-30 |
| JP3095110B2 true JP3095110B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=12207647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07026957A Expired - Fee Related JP3095110B2 (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 液晶セルに対する液晶注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3095110B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPH10268331A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-09 | Denso Corp | 液晶セル及びその製造方法 |
| JPH11295746A (ja) | 1998-02-16 | 1999-10-29 | Sharp Corp | 液晶素子の製造方法、液晶注入装置および液晶注入システム |
| KR100574276B1 (ko) * | 1999-01-22 | 2006-04-26 | 삼성전자주식회사 | 상변화 액정주입장치 |
| WO2016077325A1 (en) | 2014-11-10 | 2016-05-19 | The Procter & Gamble Company | Personal care compositions with two benefit phases |
| EP3217949B1 (en) | 2014-11-10 | 2020-06-17 | The Procter and Gamble Company | Personal care compositions with two benefit phases |
| US10966916B2 (en) | 2014-11-10 | 2021-04-06 | The Procter And Gamble Company | Personal care compositions |
| CN111212625B (zh) | 2017-10-20 | 2023-05-23 | 宝洁公司 | 气溶胶泡沫洁肤剂 |
| EP3697374B1 (en) | 2017-10-20 | 2022-02-16 | The Procter & Gamble Company | Aerosol foam skin cleanser |
-
1995
- 1995-02-15 JP JP07026957A patent/JP3095110B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08220550A (ja) | 1996-08-30 |
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|---|---|---|---|
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