JPH10268331A - 液晶セル及びその製造方法 - Google Patents
液晶セル及びその製造方法Info
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- JPH10268331A JPH10268331A JP9077330A JP7733097A JPH10268331A JP H10268331 A JPH10268331 A JP H10268331A JP 9077330 A JP9077330 A JP 9077330A JP 7733097 A JP7733097 A JP 7733097A JP H10268331 A JPH10268331 A JP H10268331A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スメクチック液晶が、両電極基板の間への注
入後、温度低下に伴い体積収縮することを考慮して、当
該温度低下前のスメクチック液晶への圧力よりも高い圧
力を活用し、両電極基板の間にスメクチック液晶を補填
してなる液晶セル及びその製造方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 加熱プロフィールＸの点Ｘ１乃至点Ｘ２
では、所定の加圧力のもとに、スメクチック液晶が等方
相状態に維持される。加熱プロフィールＸの点Ｘ２乃至
点Ｘ３では、液晶セル内のスメクチック液晶が等方相か
らスメクチックＡ相に相転移するため、当該スメクチッ
ク液晶に体積収縮が発生する。一方、加熱プロフィール
Ｘの点Ｘ２から点Ｘ３への過程で液晶セルの温度が９５
℃に低下した時点から、加圧プロフィールＹの点Ｙ３か
ら点Ｙ４にかけ液晶セルに対する外圧を上昇させる。こ
れに伴い、スメクチック液晶が液晶セル内に補填され
る。
入後、温度低下に伴い体積収縮することを考慮して、当
該温度低下前のスメクチック液晶への圧力よりも高い圧
力を活用し、両電極基板の間にスメクチック液晶を補填
してなる液晶セル及びその製造方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 加熱プロフィールＸの点Ｘ１乃至点Ｘ２
では、所定の加圧力のもとに、スメクチック液晶が等方
相状態に維持される。加熱プロフィールＸの点Ｘ２乃至
点Ｘ３では、液晶セル内のスメクチック液晶が等方相か
らスメクチックＡ相に相転移するため、当該スメクチッ
ク液晶に体積収縮が発生する。一方、加熱プロフィール
Ｘの点Ｘ２から点Ｘ３への過程で液晶セルの温度が９５
℃に低下した時点から、加圧プロフィールＹの点Ｙ３か
ら点Ｙ４にかけ液晶セルに対する外圧を上昇させる。こ
れに伴い、スメクチック液晶が液晶セル内に補填され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電性液晶や反
強誘電性液晶等のスメクチック液晶を用いる液晶セル及
びその製造方法に関する。
強誘電性液晶等のスメクチック液晶を用いる液晶セル及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶セルにスメクチック液晶を注
入するにあたっては、真空容器に液晶セル及びスメクチ
ック液晶を配置する。そして、真空容器の内部を減圧加
熱することで、液晶セルの内部を真空にするとともにス
メクチック液晶を等方相の状態にして液晶セルの液晶注
入口に展開させる。
入するにあたっては、真空容器に液晶セル及びスメクチ
ック液晶を配置する。そして、真空容器の内部を減圧加
熱することで、液晶セルの内部を真空にするとともにス
メクチック液晶を等方相の状態にして液晶セルの液晶注
入口に展開させる。
【０００３】その後、真空容器の内部を大気圧まで戻す
ことで、液晶セルの内外に差圧を生じさせ、スメクチッ
ク液晶を液晶セル内に液晶注入口から注入する。
ことで、液晶セルの内外に差圧を生じさせ、スメクチッ
ク液晶を液晶セル内に液晶注入口から注入する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
注入方法では、スメクチック液晶を注入した液晶セルの
温度を常温に戻したとき、スメクチック液晶が等方相の
状態からスメクチック相（例えばスメクチックＡ相）の
状態に転移して体積収縮を起こす（図５参照）。このた
め、スメクチック液晶の未充填領域が液晶セルの内部に
発生し、表示不良の要因となる。
注入方法では、スメクチック液晶を注入した液晶セルの
温度を常温に戻したとき、スメクチック液晶が等方相の
状態からスメクチック相（例えばスメクチックＡ相）の
状態に転移して体積収縮を起こす（図５参照）。このた
め、スメクチック液晶の未充填領域が液晶セルの内部に
発生し、表示不良の要因となる。
【０００５】これに対しては、例えば、特開平６−５１
２５８号公報にて示すようにスメクチック液晶を液晶セ
ル内に加圧により強制充填する方法も考えられる。しか
し、この方法による場合、液晶セルを加熱しスメクチッ
ク液晶を等方相の状態に維持することにより、一定の圧
力を液晶セル内に加圧することで、スメクチック液晶の
充填を行う。そして、このような充填後、液晶セルの温
度を常温まで低下させるとともに液晶セルに対する加圧
を大気圧まで低下させる。
２５８号公報にて示すようにスメクチック液晶を液晶セ
ル内に加圧により強制充填する方法も考えられる。しか
し、この方法による場合、液晶セルを加熱しスメクチッ
ク液晶を等方相の状態に維持することにより、一定の圧
力を液晶セル内に加圧することで、スメクチック液晶の
充填を行う。そして、このような充填後、液晶セルの温
度を常温まで低下させるとともに液晶セルに対する加圧
を大気圧まで低下させる。
【０００６】このため、液晶セルの温度が常温まで低下
するとき、スメクチック液晶が等方相の状態からスメク
チック相の状態になり体積収縮を起こす。このとき、液
晶セルに対する加圧も大気圧まで低下するので、スメク
チック液晶が液晶セル内に補填されることはない。その
結果、特開平６−５１２５８号公報にて示す方法では、
液晶セル内の未充填領域の発生を防止することはできな
い。
するとき、スメクチック液晶が等方相の状態からスメク
チック相の状態になり体積収縮を起こす。このとき、液
晶セルに対する加圧も大気圧まで低下するので、スメク
チック液晶が液晶セル内に補填されることはない。その
結果、特開平６−５１２５８号公報にて示す方法では、
液晶セル内の未充填領域の発生を防止することはできな
い。
【０００７】そこで、本発明は、以上のようなことに対
処するため、スメクチック液晶が、両電極基板の間への
注入後、温度低下に伴い体積収縮することを考慮して、
当該温度低下前のスメクチック液晶への圧力よりも高い
圧力を活用し、両電極基板の間にスメクチック液晶を補
填してなる液晶セル及びその製造方法を提供することを
目的とする。
処するため、スメクチック液晶が、両電極基板の間への
注入後、温度低下に伴い体積収縮することを考慮して、
当該温度低下前のスメクチック液晶への圧力よりも高い
圧力を活用し、両電極基板の間にスメクチック液晶を補
填してなる液晶セル及びその製造方法を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１及び２に記載の発明によれば、スメクチッ
ク液晶が、両電極基板間への注入後、等方相温度にて圧
力を加えられ、その後、スメクチック相温度にて上記圧
力よりも高い圧力でもって両電極基板の間に補填されて
いる。
め、請求項１及び２に記載の発明によれば、スメクチッ
ク液晶が、両電極基板間への注入後、等方相温度にて圧
力を加えられ、その後、スメクチック相温度にて上記圧
力よりも高い圧力でもって両電極基板の間に補填されて
いる。
【０００９】しかして、両電極基板間への注入後のスメ
クチック液晶が等方相からスメクチック相への相転移に
より体積収縮を起こしても、その後に、スメクチック液
晶には、等方相の状態における圧力よりも高い圧力が加
えられる。このため、スメクチック液晶がその体積収縮
分だけ両電極基板間に補填される。その結果、液晶セル
内におけるスメクチック液晶の未充填領域の発生が確実
に防止され得る。
クチック液晶が等方相からスメクチック相への相転移に
より体積収縮を起こしても、その後に、スメクチック液
晶には、等方相の状態における圧力よりも高い圧力が加
えられる。このため、スメクチック液晶がその体積収縮
分だけ両電極基板間に補填される。その結果、液晶セル
内におけるスメクチック液晶の未充填領域の発生が確実
に防止され得る。
【００１０】また、請求項３、４、７、８に記載の発明
によれば、スメクチック液晶の両電極基板間への注入
後、当該スメクチック液晶にその等方相温度にて圧力を
加え、その後、スメクチック液晶の温度をスメクチック
相の温度に低下させるとともに上記圧力よりも高い圧力
にてスメクチック液晶を両電極基板の間に補填する。こ
れにより、請求項１に記載の発明の作用効果を達成でき
る液晶セルの提供が可能となる。
によれば、スメクチック液晶の両電極基板間への注入
後、当該スメクチック液晶にその等方相温度にて圧力を
加え、その後、スメクチック液晶の温度をスメクチック
相の温度に低下させるとともに上記圧力よりも高い圧力
にてスメクチック液晶を両電極基板の間に補填する。こ
れにより、請求項１に記載の発明の作用効果を達成でき
る液晶セルの提供が可能となる。
【００１１】また、請求項５乃至８に記載の発明によれ
ば、スメクチック液晶の注入後、当該スメクチック液晶
にその液体状態にて圧力を加え、その後、スメクチック
液晶をスメクチック相状態に転移させるとともに上記圧
力よりも高い圧力にて当該スメクチック相状態のスメク
チック液晶を両電極基板の間に補填する。これによって
も、請求項１に記載の発明の作用効果を達成できる液晶
セルの提供が可能となる。
ば、スメクチック液晶の注入後、当該スメクチック液晶
にその液体状態にて圧力を加え、その後、スメクチック
液晶をスメクチック相状態に転移させるとともに上記圧
力よりも高い圧力にて当該スメクチック相状態のスメク
チック液晶を両電極基板の間に補填する。これによって
も、請求項１に記載の発明の作用効果を達成できる液晶
セルの提供が可能となる。
【００１２】また、請求項９、１０に記載の発明によれ
ば、スメクチック液晶の注入後、当該スメクチック液晶
にその軟化温度にて圧力を加えた後、スメクチック液晶
を体積収縮させるように当該スメクチック液晶の温度を
上記軟化温度から低下させるとともに上記圧力よりも高
い圧力にてスメクチック液晶を両電極基板の間に補填す
る。
ば、スメクチック液晶の注入後、当該スメクチック液晶
にその軟化温度にて圧力を加えた後、スメクチック液晶
を体積収縮させるように当該スメクチック液晶の温度を
上記軟化温度から低下させるとともに上記圧力よりも高
い圧力にてスメクチック液晶を両電極基板の間に補填す
る。
【００１３】これによっても、請求項１に記載の発明の
作用効果を達成できる液晶セルの提供が可能となる。
作用効果を達成できる液晶セルの提供が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図１及び図２は、本発明に係る液
晶セルの例を示している。この液晶セルは、下側電極基
板１０と、上側電極基板２０とを備えており、これら両
電極基板１０、２０の間には、環状シール３０を介しス
メクチック液晶４０が複数条の隔壁５０と共に介装され
ている。
に基づいて説明する。図１及び図２は、本発明に係る液
晶セルの例を示している。この液晶セルは、下側電極基
板１０と、上側電極基板２０とを備えており、これら両
電極基板１０、２０の間には、環状シール３０を介しス
メクチック液晶４０が複数条の隔壁５０と共に介装され
ている。
【００１５】電極基板１０は、透明基板１１の内表面に
複数条の透明電極１２及び配向膜１３を順次形成して構
成されている。一方、電極基板２０は、透明基板２１の
内表面に複数条の透明電極２２及び配向膜２３を順次形
成して構成されている。ここで、複数条の透明電極２２
のうち互いに隣り合う各両透明電極の間に各隔壁５０が
位置している。なお、複数条の透明電極２２は複数条の
透明電極１２と共にマトリックス状の画素を構成する。
また、この液晶セルの表示面の対角線の長さは６×２．
５４（ｃｍ）である。
複数条の透明電極１２及び配向膜１３を順次形成して構
成されている。一方、電極基板２０は、透明基板２１の
内表面に複数条の透明電極２２及び配向膜２３を順次形
成して構成されている。ここで、複数条の透明電極２２
のうち互いに隣り合う各両透明電極の間に各隔壁５０が
位置している。なお、複数条の透明電極２２は複数条の
透明電極１２と共にマトリックス状の画素を構成する。
また、この液晶セルの表示面の対角線の長さは６×２．
５４（ｃｍ）である。
【００１６】次に、このように構成した液晶セルの製造
方法について図３乃至図５を参照して説明する。図３の
下側電極基板形成工程Ｓ１において、上記構成の電極基
板１０を形成し、一方、上側電極基板形成工程Ｓ２にお
いて、上記構成の電極基板２０を形成する。
方法について図３乃至図５を参照して説明する。図３の
下側電極基板形成工程Ｓ１において、上記構成の電極基
板１０を形成し、一方、上側電極基板形成工程Ｓ２にお
いて、上記構成の電極基板２０を形成する。
【００１７】次に、シール形成工程Ｓ３において、電極
基板１０の内表面外周部に環状のシール３０を形成す
る。このとき、シール３０には、図１にて示すごとく、
液晶注入口３１が形成される。一方、隔壁形成工程Ｓ４
において、電極基板２０の配向膜２３の内表面に複数条
の隔壁５０を、ホトレジスト（感光性樹脂）により、断
面矩形状にて、接着スペーサとして形成する。
基板１０の内表面外周部に環状のシール３０を形成す
る。このとき、シール３０には、図１にて示すごとく、
液晶注入口３１が形成される。一方、隔壁形成工程Ｓ４
において、電極基板２０の配向膜２３の内表面に複数条
の隔壁５０を、ホトレジスト（感光性樹脂）により、断
面矩形状にて、接着スペーサとして形成する。
【００１８】その後、重ね合わせ工程Ｓ５において、両
電極基板１０、２０をシール３０及び複数条の隔壁５０
を介し重ね合わせる。そして、シール硬化工程Ｓ６に
て、両電極基板１０、２０に加熱しながら加圧して、シ
ール３０を硬化させつつ両電極基板１０、２０間の間隔
（以下、セルギャップという）を所定の値（１μｍ乃至
２μｍ）にする。液晶注入前の空セルの形成が終了す
る。
電極基板１０、２０をシール３０及び複数条の隔壁５０
を介し重ね合わせる。そして、シール硬化工程Ｓ６に
て、両電極基板１０、２０に加熱しながら加圧して、シ
ール３０を硬化させつつ両電極基板１０、２０間の間隔
（以下、セルギャップという）を所定の値（１μｍ乃至
２μｍ）にする。液晶注入前の空セルの形成が終了す
る。
【００１９】ついで、液晶注入工程Ｓ７にて、電極基板
１０の内表面の液晶注入口３１近傍領域にスメクチック
液晶４０を塗布する。この塗布後、上記空セルを真空容
器内に収容し、この真空容器の内部を真空状態にしつつ
１２０℃程度に加熱する。なお、スメクチック液晶４０
の相系列は、次のようになっている。 ここで、ＳｍＣA * 相は、カイラルスメクチックＣＡ相
を表し、ＳｍＣ* 相は、カイラルスメクチックＣ相を表
す。また、ＳｍＡ相は、スメクチックＡ相を表し、等方
相はスメクチック液晶４０の等方性液体状態を表す。
１０の内表面の液晶注入口３１近傍領域にスメクチック
液晶４０を塗布する。この塗布後、上記空セルを真空容
器内に収容し、この真空容器の内部を真空状態にしつつ
１２０℃程度に加熱する。なお、スメクチック液晶４０
の相系列は、次のようになっている。 ここで、ＳｍＣA * 相は、カイラルスメクチックＣＡ相
を表し、ＳｍＣ* 相は、カイラルスメクチックＣ相を表
す。また、ＳｍＡ相は、スメクチックＡ相を表し、等方
相はスメクチック液晶４０の等方性液体状態を表す。
【００２０】上述のように真空容器の内部を真空状態に
しつつ加熱すると、上記空セル内の圧力が真空に向けて
低くなり、スメクチック液晶４０が軟化して等方性液体
となる。このような状態にて、真空容器の内部を大気圧
に戻すと、上記空セルの内外に差圧が発生し、軟化した
スメクチック液晶４０が当該空セル内に液晶注入口３１
を通して吸引される。
しつつ加熱すると、上記空セル内の圧力が真空に向けて
低くなり、スメクチック液晶４０が軟化して等方性液体
となる。このような状態にて、真空容器の内部を大気圧
に戻すと、上記空セルの内外に差圧が発生し、軟化した
スメクチック液晶４０が当該空セル内に液晶注入口３１
を通して吸引される。
【００２１】そして、一定時間放置した後、真空容器の
内部を常温に戻す。これにより、スメクチック液晶４０
の上記空セル内への注入が終了して、当該空セルが液晶
セルとして形成される。このとき、液晶セル内のスメク
チック液晶４０の相状態は、等方相からスメクチックＡ
相に変化して体積収縮を起こしている（図５参照）。そ
の結果、当該液晶セルのセルギャップ内にはスメクチッ
ク液晶の未充填領域が生じている。
内部を常温に戻す。これにより、スメクチック液晶４０
の上記空セル内への注入が終了して、当該空セルが液晶
セルとして形成される。このとき、液晶セル内のスメク
チック液晶４０の相状態は、等方相からスメクチックＡ
相に変化して体積収縮を起こしている（図５参照）。そ
の結果、当該液晶セルのセルギャップ内にはスメクチッ
ク液晶の未充填領域が生じている。
【００２２】液晶注入工程Ｓ７の処理の終了後、加圧加
熱処理工程Ｓ８において、次のような処理を行う。上述
のように液晶注入工程Ｓ７の処理を終了した液晶セルを
加圧加熱容器内に収容する。このとき、液晶セルの周囲
の温度及び圧力は、それぞれ、常温（図４にて時間ｔ＝
０の点Ｘ０参照）及び大気圧（図４にて点Ｙ０参照）と
なっている。
熱処理工程Ｓ８において、次のような処理を行う。上述
のように液晶注入工程Ｓ７の処理を終了した液晶セルを
加圧加熱容器内に収容する。このとき、液晶セルの周囲
の温度及び圧力は、それぞれ、常温（図４にて時間ｔ＝
０の点Ｘ０参照）及び大気圧（図４にて点Ｙ０参照）と
なっている。
【００２３】このような段階にて、加圧加熱容器の内部
を所定温度Ｔ１（＝１１５℃）に加熱する（図４の加熱
プロフィールＸのうち点Ｘ０乃至Ｘ１参照）。また、こ
れに併せて、加圧加熱容器内に窒素ガスを圧送し、この
加圧加熱容器の内部を所定圧Ｐ１（＝３ｋｇ／ｃｍ2 ）
まで加圧する（図４の加圧プロフィールＹのうち点Ｙ１
乃至Ｙ２参照）。
を所定温度Ｔ１（＝１１５℃）に加熱する（図４の加熱
プロフィールＸのうち点Ｘ０乃至Ｘ１参照）。また、こ
れに併せて、加圧加熱容器内に窒素ガスを圧送し、この
加圧加熱容器の内部を所定圧Ｐ１（＝３ｋｇ／ｃｍ2 ）
まで加圧する（図４の加圧プロフィールＹのうち点Ｙ１
乃至Ｙ２参照）。
【００２４】なお、加熱プロフィールＸは、液晶セルの
周囲の温度と加圧加熱処理工程Ｓ８における処理の時間
ｔの経過との関係を表す。また、加圧プロフィールＹ
は、液晶セルに対する加圧力と加圧加熱処理工程Ｓ８に
おける処理の時間ｔの経過との関係を表す。そして、こ
のような加熱加圧状態を２時間保持した（図４にて加熱
プロフィールＸの点Ｘ１乃至Ｘ２参照）。このとき、液
晶セル内のスメクチック液晶４０は等方相となっている
ため、電極基板１０の液晶注入口３１近傍領域に塗布し
たスメクチック液晶の残留部分が液晶注入口３１を通し
液晶セル内に補填される。
周囲の温度と加圧加熱処理工程Ｓ８における処理の時間
ｔの経過との関係を表す。また、加圧プロフィールＹ
は、液晶セルに対する加圧力と加圧加熱処理工程Ｓ８に
おける処理の時間ｔの経過との関係を表す。そして、こ
のような加熱加圧状態を２時間保持した（図４にて加熱
プロフィールＸの点Ｘ１乃至Ｘ２参照）。このとき、液
晶セル内のスメクチック液晶４０は等方相となっている
ため、電極基板１０の液晶注入口３１近傍領域に塗布し
たスメクチック液晶の残留部分が液晶注入口３１を通し
液晶セル内に補填される。
【００２５】その後、加圧加熱容器の内部の温度を、毎
分０．３℃の温度勾配で所定温度Ｔ２（＝８０℃）まで
低下させた（加熱プロフィールＸの点Ｘ２乃至Ｘ３参
照）。一方、このような温度低下の過程において、スメ
クチック液晶４０の液晶相が等方相からスメクチックＡ
相への相転移温度Ｔｃ（＝９１℃）より少し高い９５℃
まで低下したとき、加圧加熱容器の内部の圧力上昇を、
毎分０．６ｋｇ／ｃｍ 2 の圧力勾配で開始した（加圧プ
ロフィールＹの点Ｙ３参照）。この上昇は、加圧加熱容
器の内部の圧力を５ｋｇ／ｃｍ2 にするまで継続した
（加圧プロフィールＹの点Ｙ３乃至点Ｙ４参照）。
分０．３℃の温度勾配で所定温度Ｔ２（＝８０℃）まで
低下させた（加熱プロフィールＸの点Ｘ２乃至Ｘ３参
照）。一方、このような温度低下の過程において、スメ
クチック液晶４０の液晶相が等方相からスメクチックＡ
相への相転移温度Ｔｃ（＝９１℃）より少し高い９５℃
まで低下したとき、加圧加熱容器の内部の圧力上昇を、
毎分０．６ｋｇ／ｃｍ 2 の圧力勾配で開始した（加圧プ
ロフィールＹの点Ｙ３参照）。この上昇は、加圧加熱容
器の内部の圧力を５ｋｇ／ｃｍ2 にするまで継続した
（加圧プロフィールＹの点Ｙ３乃至点Ｙ４参照）。
【００２６】そして、以上のような８０℃及び５ｋｇ／
ｃｍ2 の加熱加圧状態を７時間保持した（加熱プロフィ
ールＸの点Ｘ３乃至点Ｘ４参照）。その後、上記５ｋｇ
／ｃｍ2 の加圧状態保持のまま、加圧加熱容器内の温度
を、毎分０．２５℃の温度勾配で常温まで徐冷（加熱プ
ロフィールＸの点Ｘ４乃至Ｘ５参照）した後、１時間の
間そのまま保持した上で加圧加熱容器の内部を大気圧に
開放した。
ｃｍ2 の加熱加圧状態を７時間保持した（加熱プロフィ
ールＸの点Ｘ３乃至点Ｘ４参照）。その後、上記５ｋｇ
／ｃｍ2 の加圧状態保持のまま、加圧加熱容器内の温度
を、毎分０．２５℃の温度勾配で常温まで徐冷（加熱プ
ロフィールＸの点Ｘ４乃至Ｘ５参照）した後、１時間の
間そのまま保持した上で加圧加熱容器の内部を大気圧に
開放した。
【００２７】以上のような加圧加熱処理工程Ｓ８の処理
が終了した段階で液晶セル内のスメクチック液晶の未充
填領域の発生の有無を調べてみたところ、液晶セル内の
未充填領域の発生は全くなかった。これは、以下のよう
な理由によるものである。加熱プロフィールＸの点Ｘ１
乃至点Ｘ２では、加圧力３ｋｇ／ｃｍ2 のもとに、電極
基板１０の液晶注入口３１近傍に残留しているスメクチ
ック液晶が等方相状態にて液晶セル内に予備的に補填さ
れる。
が終了した段階で液晶セル内のスメクチック液晶の未充
填領域の発生の有無を調べてみたところ、液晶セル内の
未充填領域の発生は全くなかった。これは、以下のよう
な理由によるものである。加熱プロフィールＸの点Ｘ１
乃至点Ｘ２では、加圧力３ｋｇ／ｃｍ2 のもとに、電極
基板１０の液晶注入口３１近傍に残留しているスメクチ
ック液晶が等方相状態にて液晶セル内に予備的に補填さ
れる。
【００２８】そして、加熱プロフィールＸの点Ｘ２乃至
点Ｘ３では、液晶セル内のスメクチック液晶が等方相か
らスメクチックＡ相に相転移するため、当該スメクチッ
ク液晶に体積収縮が発生する。一方、加熱プロフィール
Ｘの点Ｘ２から点Ｘ３への変化過程において液晶セルの
周囲の温度が９５℃に低下した時点から、加圧プロフィ
ールＹの点Ｙ３から点Ｙ４にかけて液晶セルに対する外
圧を上昇させる。
点Ｘ３では、液晶セル内のスメクチック液晶が等方相か
らスメクチックＡ相に相転移するため、当該スメクチッ
ク液晶に体積収縮が発生する。一方、加熱プロフィール
Ｘの点Ｘ２から点Ｘ３への変化過程において液晶セルの
周囲の温度が９５℃に低下した時点から、加圧プロフィ
ールＹの点Ｙ３から点Ｙ４にかけて液晶セルに対する外
圧を上昇させる。
【００２９】換言すれば、上述のようにスメクチック液
晶の体積収縮の発生過程に合わせて、液晶セルには、ス
メクチック液晶が等方相に保持されていたときの圧力
（３ｋｇ／ｃｍ2 ）よりも高い圧力が５ｋｇ／ｃｍ2 に
向けて上昇しつつ加えられる。これに伴い、圧力上昇分
の差圧の基づき、電極基板１０の液晶注入口３１近傍領
域に残留しているスメクチック液晶が液晶セル内にその
内部のスメクチック液晶の体積収縮分だけさらに補填さ
れる。
晶の体積収縮の発生過程に合わせて、液晶セルには、ス
メクチック液晶が等方相に保持されていたときの圧力
（３ｋｇ／ｃｍ2 ）よりも高い圧力が５ｋｇ／ｃｍ2 に
向けて上昇しつつ加えられる。これに伴い、圧力上昇分
の差圧の基づき、電極基板１０の液晶注入口３１近傍領
域に残留しているスメクチック液晶が液晶セル内にその
内部のスメクチック液晶の体積収縮分だけさらに補填さ
れる。
【００３０】その結果、液晶注入工程Ｓ７の処理終了時
に液晶セル内におけるスメクチック液晶の未充填領域の
発生が確実に防止され得る。また、本実施形態では、両
電極基板１０、２０が複数条の隔壁５０により強固に接
着支持されているため、両電極基板１０、２０の間隔は
スメクチック液晶の注入によっては殆ど広がらない。し
かし、上記加圧加熱処理工程Ｓ８の処理のため、両電極
基板１０、２０の間にスメクチック液晶をその未充填領
域を残すことなく充填できる。
に液晶セル内におけるスメクチック液晶の未充填領域の
発生が確実に防止され得る。また、本実施形態では、両
電極基板１０、２０が複数条の隔壁５０により強固に接
着支持されているため、両電極基板１０、２０の間隔は
スメクチック液晶の注入によっては殆ど広がらない。し
かし、上記加圧加熱処理工程Ｓ８の処理のため、両電極
基板１０、２０の間にスメクチック液晶をその未充填領
域を残すことなく充填できる。
【００３１】また、液晶セルが大画面型であっても、同
様に、両電極基板１０、２０の間にスメクチック液晶を
その未充填領域を残すことなく充填できる。因みに、１
７×２．５４ｍｍの大型液晶セル（上記液晶セルを同様
のセル構造からなる）を上記液晶セルと実質的に同様の
工程でもって製造してみた。但し、当該大型液晶セルの
スメクチック液晶注入容積は上記液晶セルの場合より大
きいことを考慮して、加熱プロフィールＸの点Ｘ１乃至
点Ｘ２の時間を５時間と長くするとともに、点Ｘ３乃至
点Ｘ４の時間を１０時間と長くした。
様に、両電極基板１０、２０の間にスメクチック液晶を
その未充填領域を残すことなく充填できる。因みに、１
７×２．５４ｍｍの大型液晶セル（上記液晶セルを同様
のセル構造からなる）を上記液晶セルと実質的に同様の
工程でもって製造してみた。但し、当該大型液晶セルの
スメクチック液晶注入容積は上記液晶セルの場合より大
きいことを考慮して、加熱プロフィールＸの点Ｘ１乃至
点Ｘ２の時間を５時間と長くするとともに、点Ｘ３乃至
点Ｘ４の時間を１０時間と長くした。
【００３２】これによっても、大型液晶セル内にはスメ
クチック液晶の未充填領域の発生は全くなかった。従っ
て、本実施形態によれば、液晶セルの外形寸法の大きさ
にかかわらず、液晶セル内へのスメクチック液晶の充填
後には、未充填領域の発生が全くないと認められる。
クチック液晶の未充填領域の発生は全くなかった。従っ
て、本実施形態によれば、液晶セルの外形寸法の大きさ
にかかわらず、液晶セル内へのスメクチック液晶の充填
後には、未充填領域の発生が全くないと認められる。
【００３３】なお、本発明の実施にあたっては、カラー
フィルタ付き電極基板を有する液晶セルや、各隔壁５０
に代えて球状スペーサ及び微粒子接着剤を用いた液晶セ
ルであっても、上記実施形態にて述べた加圧加熱処理工
程Ｓ８の処理によるスメクチック液晶の充填でもって、
スメクチック液晶の未充填領域を発生しない液晶セルの
提供が可能となる。
フィルタ付き電極基板を有する液晶セルや、各隔壁５０
に代えて球状スペーサ及び微粒子接着剤を用いた液晶セ
ルであっても、上記実施形態にて述べた加圧加熱処理工
程Ｓ８の処理によるスメクチック液晶の充填でもって、
スメクチック液晶の未充填領域を発生しない液晶セルの
提供が可能となる。
【００３４】また、上記実施形態では、液晶注入工程Ｓ
７の処理後に加圧加熱処理工程Ｓ８を行うようにした
が、これに代えて、両工程を次のように一体化して実施
してもよい。即ち、液晶注入工程Ｓ７における等方相に
あるスメクチック液晶の注入を、空セルの内部の大気圧
との差圧でもって行うのではなく、空セルの内部の大気
圧よりも高い圧力（例えば、３ｋｇ／ｃｍ2 ）との差圧
でもって行い、その後、加熱プロフィールＸの点Ｘ２及
びこれに対応する加圧プロフィールＹの点の双方の以後
の処理を行うようにしてもよい。但し、加圧プロフィー
ルＹの点Ｙ４の圧力は、点Ｙ３の前の圧力よりも所定圧
だけ高くする。
７の処理後に加圧加熱処理工程Ｓ８を行うようにした
が、これに代えて、両工程を次のように一体化して実施
してもよい。即ち、液晶注入工程Ｓ７における等方相に
あるスメクチック液晶の注入を、空セルの内部の大気圧
との差圧でもって行うのではなく、空セルの内部の大気
圧よりも高い圧力（例えば、３ｋｇ／ｃｍ2 ）との差圧
でもって行い、その後、加熱プロフィールＸの点Ｘ２及
びこれに対応する加圧プロフィールＹの点の双方の以後
の処理を行うようにしてもよい。但し、加圧プロフィー
ルＹの点Ｙ４の圧力は、点Ｙ３の前の圧力よりも所定圧
だけ高くする。
【００３５】これによれば、上記実施形態にて述べたス
メクチック液晶の充填による効果が、液晶注入工程Ｓ７
におけるスメクチック液晶の充填時間を短縮し、かつ、
加熱プロフィールＸの点Ｘ１乃至点Ｘ２の範囲及びこれ
に対応する加圧プロフィールＹの部分を廃止しつつ、達
成され得る。また、上記実施形態では、加圧加熱処理工
程Ｓ８の処理が、スメクチック液晶４０が等方相からス
メクチックＡ相に相転移する状態との関係で行われる例
について説明したが、これに代えて、例えば、スメクチ
ック液晶４０が等方相からカイラルスメクチックＣ相や
カイラルスメクチックＣＡ相へ相転移する状態との関係
で、加圧加熱処理工程Ｓ８の処理を行うようにしてもよ
い。これによっても、スメクチック液晶の体積収縮に伴
うその再補填でもって、液晶セル内のスメクチック液晶
の未充填領域の発生を防止できる。
メクチック液晶の充填による効果が、液晶注入工程Ｓ７
におけるスメクチック液晶の充填時間を短縮し、かつ、
加熱プロフィールＸの点Ｘ１乃至点Ｘ２の範囲及びこれ
に対応する加圧プロフィールＹの部分を廃止しつつ、達
成され得る。また、上記実施形態では、加圧加熱処理工
程Ｓ８の処理が、スメクチック液晶４０が等方相からス
メクチックＡ相に相転移する状態との関係で行われる例
について説明したが、これに代えて、例えば、スメクチ
ック液晶４０が等方相からカイラルスメクチックＣ相や
カイラルスメクチックＣＡ相へ相転移する状態との関係
で、加圧加熱処理工程Ｓ８の処理を行うようにしてもよ
い。これによっても、スメクチック液晶の体積収縮に伴
うその再補填でもって、液晶セル内のスメクチック液晶
の未充填領域の発生を防止できる。
【００３６】また、本発明の実施にあたり、スメクチッ
ク液晶の注入後、当該スメクチック液晶にその軟化温度
にて圧力を加えた後、当該スメクチック液晶の温度を上
記軟化温度よりも低い温度に低下させるとともに上記圧
力よりも高い圧力にてスメクチック液晶をその体積収縮
分を両電極基板１０、２０の間に補填するようにして
も、上記実施形態と実質的に同様の作用効果を達成でき
る。
ク液晶の注入後、当該スメクチック液晶にその軟化温度
にて圧力を加えた後、当該スメクチック液晶の温度を上
記軟化温度よりも低い温度に低下させるとともに上記圧
力よりも高い圧力にてスメクチック液晶をその体積収縮
分を両電極基板１０、２０の間に補填するようにして
も、上記実施形態と実質的に同様の作用効果を達成でき
る。
【００３７】また、本発明の実施にあたり、上記実施形
態にて述べた加熱プロフィールＸの点Ｘ１乃至点Ｘ２に
おける圧力３ｋｇ／ｃｍ2 の加圧及びスメクチック液晶
の等方相状態は、液晶セル内へのスメクチック液晶の予
備的補填を行うことなく、維持するようにしても、その
後のスメクチック液晶の補填でもって、両電極基板１
０、２０間へのスメクチック液晶の補填が適正に確保で
きる。
態にて述べた加熱プロフィールＸの点Ｘ１乃至点Ｘ２に
おける圧力３ｋｇ／ｃｍ2 の加圧及びスメクチック液晶
の等方相状態は、液晶セル内へのスメクチック液晶の予
備的補填を行うことなく、維持するようにしても、その
後のスメクチック液晶の補填でもって、両電極基板１
０、２０間へのスメクチック液晶の補填が適正に確保で
きる。
【００３８】また、本発明の実施にあたり、上記実施形
態とは異なり、加熱プロフィールＸの点Ｘ３以後に加圧
プロフィールＹの点Ｙ３以後の処理を開始しても、上記
実施形態と同様の作用効果を達成できる。
態とは異なり、加熱プロフィールＸの点Ｘ３以後に加圧
プロフィールＹの点Ｙ３以後の処理を開始しても、上記
実施形態と同様の作用効果を達成できる。
【図１】本発明の係る液晶セルの平面図である。
【図２】図１にて２−２線に沿う断面図である。
【図３】図１の液晶セルの製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図４】図３の加圧加熱処理工程にて用いる加熱プロフ
ィール及び加圧プロフィールを示すグラフである。
ィール及び加圧プロフィールを示すグラフである。
【図５】スメクチック液晶の温度による体積変化を示す
グラフである。
グラフである。
１０、２０…電極基板、４０…スメクチック液晶。
Claims (10)
- 【請求項１】 両電極基板（１０、２０）の間にスメク
チック液晶（４０）を注入してなる液晶セルにおいて、 前記スメクチック液晶が、その注入後、等方相温度にて
圧力を加えられ、その後、スメクチック相温度にて前記
圧力よりも高い圧力でもって前記両電極基板の間に補填
されていることを特徴とする液晶セル。 - 【請求項２】 前記スメクチック相温度がスメクチック
Ａ相の温度であることを特徴とする請求項１に記載の液
晶セル。 - 【請求項３】 両電極基板（１０、２０）の間にスメク
チック液晶（４０）を注入して製造するようにした液晶
セルの製造方法において、 前記スメクチック液晶の注入後、当該スメクチック液晶
にその等方相温度にて圧力を加え、その後、前記スメク
チック液晶の温度をスメクチック相の温度に低下させる
とともに前記圧力よりも高い圧力にてスメクチック液晶
を前記両電極基板の間に補填することを特徴とする液晶
セルの製造方法。 - 【請求項４】 前記スメクチック液晶の温度が前記スメ
クチック相の温度に低下する過程又はこの低下以後に、
前記圧力よりも高い圧力を前記スメクチック液晶に加え
ることを特徴とする請求項３に記載の液晶セルの製造方
法。 - 【請求項５】 両電極基板（１０、２０）の間にスメク
チック液晶（４０）を注入して製造するようにした液晶
セルの製造方法において、 前記スメクチック液晶の注入後、当該スメクチック液晶
にその液体状態にて圧力を加え、その後、前記スメクチ
ック液晶をスメクチック相状態に転移させるとともに前
記圧力よりも高い圧力にて当該スメクチック相状態の前
記スメクチック液晶を前記両電極基板の間に補填するこ
とを特徴とする液晶セルの製造方法。 - 【請求項６】 前記スメクチック液晶が前記スメクチッ
ク相の状態に転移する過程又はこの転移以後に、前記圧
力よりも高い圧力を前記スメクチック液晶に加えること
を特徴とする請求項５に記載の液晶セルの製造方法。 - 【請求項７】 前記圧力よりも高い圧力が、前記スメク
チック液晶を前記両電極基板の間に充分に補填できるよ
うに、維持されることを特徴とする請求項３乃至６のい
ずれか一つに記載の液晶セルの製造方法。 - 【請求項８】 前記スメクチック相がスメクチックＡ相
であることを特徴とする請求項３乃至７のいずれか一つ
に記載の液晶セルの製造方法。 - 【請求項９】 両電極基板（１０、２０）の間にスメク
チック液晶（４０）を注入して製造するようにした液晶
セルの製造方法において、 前記スメクチック液晶の注入後、当該スメクチック液晶
にその軟化温度にて圧力を加えた後、前記スメクチック
液晶を体積収縮させるように当該スメクチック液晶の温
度を前記軟化温度から低下させるとともに前記圧力より
も高い圧力にてスメクチック液晶を前記両電極基板の間
に補填することを特徴とする液晶セルの製造方法。 - 【請求項１０】 前記軟化温度が前記スメクチック液晶
の等方相温度であることを特徴とする請求項９に記載の
液晶セルの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9077330A JPH10268331A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 液晶セル及びその製造方法 |
| US09/049,182 US5953095A (en) | 1997-03-28 | 1998-03-27 | Liquid crystal cell and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9077330A JPH10268331A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 液晶セル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10268331A true JPH10268331A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13630929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9077330A Pending JPH10268331A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 液晶セル及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5953095A (ja) |
| JP (1) | JPH10268331A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4028043B2 (ja) * | 1997-10-03 | 2007-12-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 液晶光変調素子および液晶光変調素子の製造方法 |
| KR100690005B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 강유전성 액정주입장치의 제조 방법 |
| US7219991B2 (en) * | 2005-06-16 | 2007-05-22 | Tom Weston | Auxiliary lens attachment for use on eyeglasses |
| CN103543560B (zh) * | 2012-07-13 | 2016-05-11 | 苏州汉朗光电有限公司 | 近晶相液晶显示器封口工艺 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634216A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Alps Electric Co Ltd | 液晶素子の製造方法 |
| JPH0534696A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-12 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学素子の製造方法 |
| JP2704809B2 (ja) * | 1992-05-11 | 1998-01-26 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶の注入方法 |
| US5548428A (en) * | 1992-07-27 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for injecting ferroelectric liquid crystal with injection completed above atmospheric pressure |
| JP2814171B2 (ja) * | 1992-08-19 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
| JP3095110B2 (ja) * | 1995-02-15 | 2000-10-03 | 株式会社デンソー | 液晶セルに対する液晶注入方法 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP9077330A patent/JPH10268331A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-27 US US09/049,182 patent/US5953095A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5953095A (en) | 1999-09-14 |
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