JPH04316021A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH04316021A JPH04316021A JP10827391A JP10827391A JPH04316021A JP H04316021 A JPH04316021 A JP H04316021A JP 10827391 A JP10827391 A JP 10827391A JP 10827391 A JP10827391 A JP 10827391A JP H04316021 A JPH04316021 A JP H04316021A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- injection
- cell container
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 59
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子（以下、
ＬＣＤと略称）の製造方法に係り、特に、セル容器内へ
の液晶の注入方法に関する。
ＬＣＤと略称）の製造方法に係り、特に、セル容器内へ
の液晶の注入方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤを製造する場合、図３に示すよう
に、一対の電極基板２，３をシール材４を介して積層・
接合してなるセル容器１を作製した後、枠状に塗布形成
されているシール材４の開口部分である液晶注入口５を
介してセル容器１内へ液晶を注入していき、注入完了後
に該注入口５に封止材（図示せず）を塗布形成して液晶
を封止する。
に、一対の電極基板２，３をシール材４を介して積層・
接合してなるセル容器１を作製した後、枠状に塗布形成
されているシール材４の開口部分である液晶注入口５を
介してセル容器１内へ液晶を注入していき、注入完了後
に該注入口５に封止材（図示せず）を塗布形成して液晶
を封止する。
【０００３】かかる液晶の注入方法としては、真空注入
法が広く採用されている。これは、注入槽内をほぼ真空
な状態にしておき、脱気したセル容器の液晶注入口に液
晶を接触させたなら直ちに真空状態を解除することによ
り、大気圧の水準に戻る槽内気圧とセル容器内の気圧と
の差を利用して液晶を注入していくという手法である。
法が広く採用されている。これは、注入槽内をほぼ真空
な状態にしておき、脱気したセル容器の液晶注入口に液
晶を接触させたなら直ちに真空状態を解除することによ
り、大気圧の水準に戻る槽内気圧とセル容器内の気圧と
の差を利用して液晶を注入していくという手法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の液晶注入方法は、図４の特性図に示すように注
入開始直後の液晶の注入スピードが大きいので、つまり
注入槽内の真空状態を解除した直後に液晶がセル容器内
へ急激に注入されていくので、電極基板の内表面に形成
されている配向膜が液晶注入口近傍において、注入され
る液晶の流れにより悪影響を受ける可能性があつた。特
に高テイルト角のＳ−ＴＮ型ＬＣＤを製造する際には、
液晶の速い流れで配向膜が悪影響を受けやすく、ＬＣＤ
の表示品位を損なう虞れがあつた。
た従来の液晶注入方法は、図４の特性図に示すように注
入開始直後の液晶の注入スピードが大きいので、つまり
注入槽内の真空状態を解除した直後に液晶がセル容器内
へ急激に注入されていくので、電極基板の内表面に形成
されている配向膜が液晶注入口近傍において、注入され
る液晶の流れにより悪影響を受ける可能性があつた。特
に高テイルト角のＳ−ＴＮ型ＬＣＤを製造する際には、
液晶の速い流れで配向膜が悪影響を受けやすく、ＬＣＤ
の表示品位を損なう虞れがあつた。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、その目的は、液晶注入時に配向膜に悪影響が及
ぶ虞れのないＬＣＤの製造方法を提供することにある。
もので、その目的は、液晶注入時に配向膜に悪影響が及
ぶ虞れのないＬＣＤの製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した本発明の目的は
、液晶注入時に、セル容器の液晶注入口に液晶を接触さ
せてから少なくとも３分間以上、注入槽内の真空状態を
維持し、しかる後、該注入槽内の真空状態を解除するこ
とによつて達成される。
、液晶注入時に、セル容器の液晶注入口に液晶を接触さ
せてから少なくとも３分間以上、注入槽内の真空状態を
維持し、しかる後、該注入槽内の真空状態を解除するこ
とによつて達成される。
【０００７】
【作用】上記手段によれば、セル容器の液晶注入口に液
晶を接触させて真空状態を維持している間に、毛細管現
象により液晶がゆつくり注入されていくので、真空状態
を解除して気圧差による液晶の注入が開始されても、そ
のときの液晶の注入スピードは抑制されたものとなる。
晶を接触させて真空状態を維持している間に、毛細管現
象により液晶がゆつくり注入されていくので、真空状態
を解除して気圧差による液晶の注入が開始されても、そ
のときの液晶の注入スピードは抑制されたものとなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【０００９】この実施例では、Ｓ−ＴＮ型ＬＣＤの製造
にあたり、注入槽内の気圧を図１の如くに変化させなが
ら、次のような手順でセル容器内へ液晶を注入した。
にあたり、注入槽内の気圧を図１の如くに変化させなが
ら、次のような手順でセル容器内へ液晶を注入した。
【００１０】まず、注入槽内の空気を徐々に抜いていき
、槽内気圧を大気圧Ｐから真空に近い気圧ｐ（０．０１
〜０．１Ｔｏｒｒ）へと変化させ、このほぼ真空な状態
で、脱気したセル容器の液晶注入口に液晶を接触させて
注入を開始するが、注入開始時刻Ｓから所定の真空解除
遅延時間ｔ（約４分間）が経過するまでは真空状態を維
持しておく。したがつて、注入開始後、真空解除遅延時
間ｔが経過するまでの間は、毛細管現象により液晶はゆ
つくりとセル容器内へ注入されていく。そして、所定の
真空解除遅延時間ｔが経過したなら、注入槽内の真空状
態を解除し、それによつて槽内気圧は短時間で大気圧Ｐ
に戻るので、セル容器の内外の気圧差により液晶はひき
続いてセル容器内へ注入されていくが、この圧力差によ
る液晶の注入が開始される時点ではすでに、毛細管現象
によりセル容器内の液晶注入口近傍は液晶に満たされて
いる。したがつて、気圧差を利用した注入が開始されて
も、そのときの液晶の注入スピードは開始直後において
も抑制されたものとなり、図２に示すように、注入開始
時刻Ｓ以降の一連の注入工程において液晶の注入スピー
ドが極端に大きくなることはなく、ほぼ一定の穏やかな
注入スピードで液晶をセル容器内に充填させることがで
きる。
、槽内気圧を大気圧Ｐから真空に近い気圧ｐ（０．０１
〜０．１Ｔｏｒｒ）へと変化させ、このほぼ真空な状態
で、脱気したセル容器の液晶注入口に液晶を接触させて
注入を開始するが、注入開始時刻Ｓから所定の真空解除
遅延時間ｔ（約４分間）が経過するまでは真空状態を維
持しておく。したがつて、注入開始後、真空解除遅延時
間ｔが経過するまでの間は、毛細管現象により液晶はゆ
つくりとセル容器内へ注入されていく。そして、所定の
真空解除遅延時間ｔが経過したなら、注入槽内の真空状
態を解除し、それによつて槽内気圧は短時間で大気圧Ｐ
に戻るので、セル容器の内外の気圧差により液晶はひき
続いてセル容器内へ注入されていくが、この圧力差によ
る液晶の注入が開始される時点ではすでに、毛細管現象
によりセル容器内の液晶注入口近傍は液晶に満たされて
いる。したがつて、気圧差を利用した注入が開始されて
も、そのときの液晶の注入スピードは開始直後において
も抑制されたものとなり、図２に示すように、注入開始
時刻Ｓ以降の一連の注入工程において液晶の注入スピー
ドが極端に大きくなることはなく、ほぼ一定の穏やかな
注入スピードで液晶をセル容器内に充填させることがで
きる。
【００１１】このように上記実施例にあつては、セル容
器の液晶注入口に液晶を接触させたならまず、毛細管現
象を利用した第一段階の注入を約４分間行い、しかる後
、真空状態を解除して気圧差を利用した第二段階の注入
を行うので、液晶の注入スピードが極端に大きくなる心
配がなく、よつて注入される液晶の流れで電極基板の配
向膜が悪影響を受けるという不都合が回避されており、
常に良好な表示品位が期待できる。また、真空解除遅延
時間ｔは約４分間と短いので、注入工程に要する時間は
従来と比べてさほど増加せず、しかも液晶の注入スピー
ドを制御するための特別な装置を何ら必要としないので
、コストアツプを伴う心配もない。
器の液晶注入口に液晶を接触させたならまず、毛細管現
象を利用した第一段階の注入を約４分間行い、しかる後
、真空状態を解除して気圧差を利用した第二段階の注入
を行うので、液晶の注入スピードが極端に大きくなる心
配がなく、よつて注入される液晶の流れで電極基板の配
向膜が悪影響を受けるという不都合が回避されており、
常に良好な表示品位が期待できる。また、真空解除遅延
時間ｔは約４分間と短いので、注入工程に要する時間は
従来と比べてさほど増加せず、しかも液晶の注入スピー
ドを制御するための特別な装置を何ら必要としないので
、コストアツプを伴う心配もない。
【００１２】なお、本発明者らの実験によると、真空解
除遅延時間ｔを３分間以上に設定しておけば、気圧差を
利用した注入を開始しても液晶の注入スピードはさほど
大きくならないことが確認されたので、生産性をも考慮
すると、真空解除遅延時間ｔは３〜５分間に設定するこ
とが好ましい。
除遅延時間ｔを３分間以上に設定しておけば、気圧差を
利用した注入を開始しても液晶の注入スピードはさほど
大きくならないことが確認されたので、生産性をも考慮
すると、真空解除遅延時間ｔは３〜５分間に設定するこ
とが好ましい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、セル容器
の液晶注入口に液晶を接触させてもすぐには注入槽内の
真空状態を解除せず、気圧差を利用した注入を開始する
前に毛細管現象を利用してある程度液晶を注入しておく
というものなので、液晶の注入スピードが極端に大きく
ならず、そのため注入時の液晶の流れで配向膜に悪影響
が及ぶ虞れがなくなつて、常に良好な表示品位が期待で
きる。しかも、設備投資や生産性劣化の心配がないので
、既存の生産ラインがそのまま使用でき、コストアツプ
も伴わない。
の液晶注入口に液晶を接触させてもすぐには注入槽内の
真空状態を解除せず、気圧差を利用した注入を開始する
前に毛細管現象を利用してある程度液晶を注入しておく
というものなので、液晶の注入スピードが極端に大きく
ならず、そのため注入時の液晶の流れで配向膜に悪影響
が及ぶ虞れがなくなつて、常に良好な表示品位が期待で
きる。しかも、設備投資や生産性劣化の心配がないので
、既存の生産ラインがそのまま使用でき、コストアツプ
も伴わない。
【図１】本発明の一実施例における液晶注入工程での注
入槽内の気圧の経時変化を示す特性図である。
入槽内の気圧の経時変化を示す特性図である。
【図２】同実施例における液晶注入工程での液晶の注入
スピードの経時変化を示す特性図である。
スピードの経時変化を示す特性図である。
【図３】ＬＣＤの製造過程における液晶注入工程を説明
するためのセル容器の断面図である。
するためのセル容器の断面図である。
【図４】従来の液晶注入工程での液晶の注入スピードの
経時変化を示す特性図である。
経時変化を示す特性図である。
１ セル容器
２，３ 電極基板
５ 液晶注入口
Ｓ 注入開始時刻
ｔ 真空解除遅延時間
Claims (1)
- 【請求項１】 注入槽内をほぼ真空な状態にして、一
対の電極基板を接合してなるセル容器の液晶注入口に液
晶を接触させた後、該注入槽内の真空状態を解除して気
圧差により上記セル容器内へ液晶を注入していく液晶表
示素子の製造過程において、セル容器の液晶注入口に液
晶を接触させてから少なくとも３分間以上、注入槽内の
真空状態を維持し、しかる後、該注入槽内の真空状態を
解除することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10827391A JPH04316021A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10827391A JPH04316021A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316021A true JPH04316021A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14480469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10827391A Pending JPH04316021A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04316021A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479284A (en) * | 1992-08-19 | 1995-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Increasing temperature injection methods for a liquid crystal cell |
| US5798813A (en) * | 1995-09-21 | 1998-08-25 | Ipics Corporation | Liquid crystal cell and method for producing the same in which a liquid crystal inlet port opening width is larger than an effective display area width |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP10827391A patent/JPH04316021A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479284A (en) * | 1992-08-19 | 1995-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Increasing temperature injection methods for a liquid crystal cell |
| US5576865A (en) * | 1992-08-19 | 1996-11-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing liquid crystal panel including reducing the pressure to no more than 25 torr/minute |
| US5699138A (en) * | 1992-08-19 | 1997-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for injecting liquid crystal into a liquid crystal panel |
| US5798813A (en) * | 1995-09-21 | 1998-08-25 | Ipics Corporation | Liquid crystal cell and method for producing the same in which a liquid crystal inlet port opening width is larger than an effective display area width |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990105 |