JP2824819B2 - 液晶注入方法及び注入装置 - Google Patents
液晶注入方法及び注入装置Info
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像等の表示に用いら
れる液晶パネルの製造に関し、詳しくは、真空注入方法
により液晶の粘性を利用して、液晶をパネル内に注入す
る方法及び注入装置に関するものである。
れる液晶パネルの製造に関し、詳しくは、真空注入方法
により液晶の粘性を利用して、液晶をパネル内に注入す
る方法及び注入装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、スメクティック液晶或いは強誘電
性液晶を液晶パネル内に注入する方法としては、ネマテ
ィック液晶で利用されている真空注入方法が知られてい
る。この真空注入方法に用いられる注入装置の一例を図
１に示す。真空槽４内に液晶パネル１が注入口３を下に
向けて配置され、底部には液晶６の入った液晶皿５が置
いてある。この液晶皿５の下部にはヒーターが配され、
液晶の温度が制御される。１１はこの液晶６を注入口に
塗布するためのアプリケーターであり、アプリケーター
回転機１０により液晶保持面を上下に反転可能であり、
また、不図示のアプリケーター昇降機により上下移動可
能に構成されている。具体的な注入工程としては、初め
に真空槽４内を真空引きして、液晶セル１内を減圧状態
にする。その後、アプリケーター１１を液晶皿５上の液
晶６につけて液晶をアプリケーター１１に付着させる。
この時の液晶は通常粘度０．０００１〜０．００４ｋｇ
／ｍｓに調整されている。次にアプリケーター１１を上
昇させ、アプリケーター１１に付着している液晶を粘度
０．０１〜０．２ｋｇ／ｍｓに調整し、パネル注入口３
に塗布した後、専用注入機により液晶を加熱して粘度を
低下させ、毛細管現象を利用して液晶を液晶パネル１内
に注入し、さらに、真空槽４内の圧力を常圧に戻すこと
により圧力差を利用して液晶の注入を完了する。
性液晶を液晶パネル内に注入する方法としては、ネマテ
ィック液晶で利用されている真空注入方法が知られてい
る。この真空注入方法に用いられる注入装置の一例を図
１に示す。真空槽４内に液晶パネル１が注入口３を下に
向けて配置され、底部には液晶６の入った液晶皿５が置
いてある。この液晶皿５の下部にはヒーターが配され、
液晶の温度が制御される。１１はこの液晶６を注入口に
塗布するためのアプリケーターであり、アプリケーター
回転機１０により液晶保持面を上下に反転可能であり、
また、不図示のアプリケーター昇降機により上下移動可
能に構成されている。具体的な注入工程としては、初め
に真空槽４内を真空引きして、液晶セル１内を減圧状態
にする。その後、アプリケーター１１を液晶皿５上の液
晶６につけて液晶をアプリケーター１１に付着させる。
この時の液晶は通常粘度０．０００１〜０．００４ｋｇ
／ｍｓに調整されている。次にアプリケーター１１を上
昇させ、アプリケーター１１に付着している液晶を粘度
０．０１〜０．２ｋｇ／ｍｓに調整し、パネル注入口３
に塗布した後、専用注入機により液晶を加熱して粘度を
低下させ、毛細管現象を利用して液晶を液晶パネル１内
に注入し、さらに、真空槽４内の圧力を常圧に戻すこと
により圧力差を利用して液晶の注入を完了する。
【０００３】また、液晶を液晶セルの注入口に塗布する
方法としては、スメクティック液晶を加熱してアイソト
ロピック状態にして行なう方法が提案されている（特開
昭６１−３５４２９号公報）。
方法としては、スメクティック液晶を加熱してアイソト
ロピック状態にして行なう方法が提案されている（特開
昭６１−３５４２９号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た特開昭６１−３５４２９号公報に記載された従来の注
入方法ではスメクティック液晶を注入口へ塗布した際
に、スメクティック液晶がアイソトロピック相又はコレ
ステリック相になり、不安定な流動性を持つ。そのため
注入工程に移行する前にパネル内に液晶が注入されてし
まい、注入口への塗布量が一定せず制御が困難である。
塗布量が少ない場合は注入口より大気が侵入してしま
い、パネル内の真空を大気圧に戻し液晶注入不良を起こ
してしまい、塗布量が多い場合には液晶がパネル表示部
まで浸入して配向不良を引き起こすという問題が有っ
た。
た特開昭６１−３５４２９号公報に記載された従来の注
入方法ではスメクティック液晶を注入口へ塗布した際
に、スメクティック液晶がアイソトロピック相又はコレ
ステリック相になり、不安定な流動性を持つ。そのため
注入工程に移行する前にパネル内に液晶が注入されてし
まい、注入口への塗布量が一定せず制御が困難である。
塗布量が少ない場合は注入口より大気が侵入してしま
い、パネル内の真空を大気圧に戻し液晶注入不良を起こ
してしまい、塗布量が多い場合には液晶がパネル表示部
まで浸入して配向不良を引き起こすという問題が有っ
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上記
課題を解決し、安定して液晶注入が行なえる方法及び装
置を提供するものである。
課題を解決し、安定して液晶注入が行なえる方法及び装
置を提供するものである。
【０００６】 即ち本発明の第１の発明は、真空注入方
式によるスメクティック液晶のパネル注入方法であっ
て、液晶を空の液晶パネルの注入口に塗布する際に、液
晶皿上の液晶をアイソトロピック相温度まで加熱し、室
温状態にあるアプリケーターに該液晶を付着させた後、
アプリケーター上で液晶をアイソトロピック相温度以上
に加熱してレベリングし、さらに自然冷却して液晶の粘
度を０．０００５〜０．００５ｋｇ／ｍｓに制御し、液
晶が流動性を示す温度よりも低温に保った液晶パネルの
注入口に該液晶を塗布することを特徴とする液晶注入方
法である。本発明においては、液晶パネルの注入口塗布
時の粘度としてはさらに、０．０００７〜０．０００９
ｋｇ／ｍｓが望ましい。
式によるスメクティック液晶のパネル注入方法であっ
て、液晶を空の液晶パネルの注入口に塗布する際に、液
晶皿上の液晶をアイソトロピック相温度まで加熱し、室
温状態にあるアプリケーターに該液晶を付着させた後、
アプリケーター上で液晶をアイソトロピック相温度以上
に加熱してレベリングし、さらに自然冷却して液晶の粘
度を０．０００５〜０．００５ｋｇ／ｍｓに制御し、液
晶が流動性を示す温度よりも低温に保った液晶パネルの
注入口に該液晶を塗布することを特徴とする液晶注入方
法である。本発明においては、液晶パネルの注入口塗布
時の粘度としてはさらに、０．０００７〜０．０００９
ｋｇ／ｍｓが望ましい。
【０００７】さらに、本発明第２の発明は、上記第１の
発明に用いる注入装置であって、アプリケーターが温度
調節機能を有し、該アプリケーターの液晶付着面が円弧
状の溝を有し、且つ表面がテフロンコーティングされて
いることを特徴とする。この装置により、最適な量の液
晶を注入口に塗布することがさらに容易となる。
発明に用いる注入装置であって、アプリケーターが温度
調節機能を有し、該アプリケーターの液晶付着面が円弧
状の溝を有し、且つ表面がテフロンコーティングされて
いることを特徴とする。この装置により、最適な量の液
晶を注入口に塗布することがさらに容易となる。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明がこれらの実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明がこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【０００９】 （参考例）本発明にかかる参考例 を以下に示す。図１（ｂ）に示し
たような幅４０ｍｍの注入口３を有し、シール幅が４ｍ
ｍ、パネルギャップ１．４μｍの液晶パネルを作製し
た。本参考例で使用した液晶は、ピリミジン系強誘電性
液晶で、その粘度は１０℃で０．１２５ｋｇ／ｍｓ、３
０℃で０．０４４ｋｇ／ｍｓ、５０℃で０．０１４ｋｇ
／ｍｓ、９０℃で０．０２ｋｇ／ｍｓ、１００℃で０．
０００３ｋｇ／ｍｓである。この液晶を用い、図１
（ａ）に示す真空注入装置により液晶の注入を行った。
たような幅４０ｍｍの注入口３を有し、シール幅が４ｍ
ｍ、パネルギャップ１．４μｍの液晶パネルを作製し
た。本参考例で使用した液晶は、ピリミジン系強誘電性
液晶で、その粘度は１０℃で０．１２５ｋｇ／ｍｓ、３
０℃で０．０４４ｋｇ／ｍｓ、５０℃で０．０１４ｋｇ
／ｍｓ、９０℃で０．０２ｋｇ／ｍｓ、１００℃で０．
０００３ｋｇ／ｍｓである。この液晶を用い、図１
（ａ）に示す真空注入装置により液晶の注入を行った。
【００１０】先ず真空槽４内に未注入パネル１と液晶皿
５を入れ、真空槽４内を真空ポンプ８により減圧すると
同時に、液晶皿を加熱するためのヒーター（不図示、液
晶下部に設置）により液晶皿５内の液晶６を１１０℃に
加熱した（この時の液晶粘度は、０．０００２ｋｇ／ｍ
ｓ）次に不図示のアプリケーター昇降機及びアプリケー
ター回転機１０を駆動し、アプリケーター１１に液晶６
を付着させた。次に、アプリケーター回転機１０により
アプリケーター１１を１８０度反転させアプリケーター
昇降機の速度を６０ｃｍ／ｍｉｎにて上昇させパネル１
の注入口３に液晶を付着させた（この時の液晶の粘度は
９０℃、０．００２ｋｇ／ｍｓであり、本発明の０．０
００５〜０．００５ｋｇ／ｍｓの粘度範囲領域内であ
る）。その結果、液晶パネル１内の注入口に適量の液晶
を注入させることができ、注入口より大気が侵入してパ
ネル内の真空を大気圧に戻すことによる液晶注入不良
や、注入口への塗布量が多過ぎてパネル表示部にまで液
晶が入り込むことによる配向不良といった問題を生ずる
ことなく、良好に液晶を注入することができた。
５を入れ、真空槽４内を真空ポンプ８により減圧すると
同時に、液晶皿を加熱するためのヒーター（不図示、液
晶下部に設置）により液晶皿５内の液晶６を１１０℃に
加熱した（この時の液晶粘度は、０．０００２ｋｇ／ｍ
ｓ）次に不図示のアプリケーター昇降機及びアプリケー
ター回転機１０を駆動し、アプリケーター１１に液晶６
を付着させた。次に、アプリケーター回転機１０により
アプリケーター１１を１８０度反転させアプリケーター
昇降機の速度を６０ｃｍ／ｍｉｎにて上昇させパネル１
の注入口３に液晶を付着させた（この時の液晶の粘度は
９０℃、０．００２ｋｇ／ｍｓであり、本発明の０．０
００５〜０．００５ｋｇ／ｍｓの粘度範囲領域内であ
る）。その結果、液晶パネル１内の注入口に適量の液晶
を注入させることができ、注入口より大気が侵入してパ
ネル内の真空を大気圧に戻すことによる液晶注入不良
や、注入口への塗布量が多過ぎてパネル表示部にまで液
晶が入り込むことによる配向不良といった問題を生ずる
ことなく、良好に液晶を注入することができた。
【００１１】 （比較例１） 比較例として、第１の発明の粘度領域外で液晶の注入を
行なった。液晶パネルの注入口に液晶を粘度０．００８
ｋｇ／ｍｓ（７５℃）で塗布する以外は参考例と同様に
液晶の注入を行なったところ、パネル内の真空が破ら
れ、大気が侵入する不良パネルが発生した。また逆にア
プリケーターの上昇速度を速くして塗布時の粘度を０．
０００３ｋｇ／ｍｓ（１００℃）にて塗布したところ、
パネル表示部にまで液晶が入り込み、配向不良を引き起
こした。
行なった。液晶パネルの注入口に液晶を粘度０．００８
ｋｇ／ｍｓ（７５℃）で塗布する以外は参考例と同様に
液晶の注入を行なったところ、パネル内の真空が破ら
れ、大気が侵入する不良パネルが発生した。また逆にア
プリケーターの上昇速度を速くして塗布時の粘度を０．
０００３ｋｇ／ｍｓ（１００℃）にて塗布したところ、
パネル表示部にまで液晶が入り込み、配向不良を引き起
こした。
【００１２】 （実施例１） 図１（ａ）に示した真空注入装置でアプリケーター１１
をＡｌ製で液晶付着面が図２に示すように円弧状の溝を
有し、且つ表面がテフロンコーティングされているもの
を用いた。比較のために図３に従来のアプリケーターの
液晶付着面を示す。また強誘電性液晶としてはピリミジ
ン系混合液晶を用いた。
をＡｌ製で液晶付着面が図２に示すように円弧状の溝を
有し、且つ表面がテフロンコーティングされているもの
を用いた。比較のために図３に従来のアプリケーターの
液晶付着面を示す。また強誘電性液晶としてはピリミジ
ン系混合液晶を用いた。
【００１３】初めに、真空槽４内に液晶パネルを注入口
が下になるようにセットする。次にシャッター１２を閉
じ、パネル側の真空槽を減圧にして１０-3ｔｏｒｒに到
達した状態で１２時間排気を継続した。一方液晶皿上に
は上記液晶をのせ、ヒーターで加熱し９５℃とした（こ
の加熱により、液晶はアイソトロピック相となる）。液
晶側の真空槽を減圧状態（１０-3ｔｏｒｒ）にした後、
室温状態のアプリケーター１１を液晶皿中の液晶に浸
し、ゆっくりと引き上げた。アプリケーターの温度を９
５℃まで上昇させ、１０分間レベリングした。このレベ
リングにより均一塗布が可能となる。レベリング後、自
然冷却して液晶の粘度を０．０００７〜０．０００９ｋ
ｇ／ｍｓとする。次にシャッター１２を解放してアプリ
ケーター１１上の液晶を注入口へ塗布した（この時の液
晶パネルは室温状態である）。このように塗布した液晶
を専用注入機により、注入した。その結果、気泡の混入
がなく、表示品位に優れた強誘電性液晶パネルが得られ
た。
が下になるようにセットする。次にシャッター１２を閉
じ、パネル側の真空槽を減圧にして１０-3ｔｏｒｒに到
達した状態で１２時間排気を継続した。一方液晶皿上に
は上記液晶をのせ、ヒーターで加熱し９５℃とした（こ
の加熱により、液晶はアイソトロピック相となる）。液
晶側の真空槽を減圧状態（１０-3ｔｏｒｒ）にした後、
室温状態のアプリケーター１１を液晶皿中の液晶に浸
し、ゆっくりと引き上げた。アプリケーターの温度を９
５℃まで上昇させ、１０分間レベリングした。このレベ
リングにより均一塗布が可能となる。レベリング後、自
然冷却して液晶の粘度を０．０００７〜０．０００９ｋ
ｇ／ｍｓとする。次にシャッター１２を解放してアプリ
ケーター１１上の液晶を注入口へ塗布した（この時の液
晶パネルは室温状態である）。このように塗布した液晶
を専用注入機により、注入した。その結果、気泡の混入
がなく、表示品位に優れた強誘電性液晶パネルが得られ
た。
【００１４】本実施例で用いた液晶の相転移温度特性を
下記に示す。
下記に示す。
【００１５】
【化１】 （Ｃｒｙ：結晶相、ＳｍＣ* ：カイラルスメクティック
Ｃ相、ＳｍＡ：スメクティックＡ相、Ｃｈ：コレステリ
ック相、Ｉｓｏ：アイソトロピック相） （比較例２）アプリケーター１１の温度調整を行なわず
に液晶を注入口へ塗布した。この方法では塗布時の液晶
の粘度が０．０００１〜０．０２ｋｇ／ｍｓと広い範囲
になり、最適値である０．００５〜０．０００５ｋｇ／
ｍｓをしばしば外れ、低粘度側に外れた場合には液晶が
注入口からパネル表示部に入り、配向不良を生じた。ま
た、高粘度側に外れた場合には注入口に均一塗布するこ
とができず、気泡の混入が生じる等の欠陥が生じた。い
ずれの場合にも表示品位を著しく低下させる結果となっ
た。
Ｃ相、ＳｍＡ：スメクティックＡ相、Ｃｈ：コレステリ
ック相、Ｉｓｏ：アイソトロピック相） （比較例２）アプリケーター１１の温度調整を行なわず
に液晶を注入口へ塗布した。この方法では塗布時の液晶
の粘度が０．０００１〜０．０２ｋｇ／ｍｓと広い範囲
になり、最適値である０．００５〜０．０００５ｋｇ／
ｍｓをしばしば外れ、低粘度側に外れた場合には液晶が
注入口からパネル表示部に入り、配向不良を生じた。ま
た、高粘度側に外れた場合には注入口に均一塗布するこ
とができず、気泡の混入が生じる等の欠陥が生じた。い
ずれの場合にも表示品位を著しく低下させる結果となっ
た。
【００１６】
【発明の効果】本発明によると、液晶の注入時に気泡が
混入したり、配向不良を生じることなく、良好に且つ均
一に液晶注入を行なうことができるため、高品質の液晶
パネルを高い信頼性で作製することができる。即ち、液
晶パネル製造時の歩留を向上させて製造効率を高め、液
晶パネルの単価を低下せしめることが可能となる。
混入したり、配向不良を生じることなく、良好に且つ均
一に液晶注入を行なうことができるため、高品質の液晶
パネルを高い信頼性で作製することができる。即ち、液
晶パネル製造時の歩留を向上させて製造効率を高め、液
晶パネルの単価を低下せしめることが可能となる。
【図１】真空注入方式による液晶注入装置を示す図であ
る。
る。
【図２】 本発明第２に係るアプリケーターの液晶付着
面を示す図である。
面を示す図である。
【図３】従来のアプリケーターの液晶付着面を示す図で
ある。
ある。
１ 液晶パネル ２ シール ３ 注入口 ４ 真空槽 ５ 液晶皿 ６ 液晶 ７ リーク弁 ８ 真空ポンプ １０ アプリケーター回転機 １１ アプリケーター １２ シャッター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三井 六男 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−26823（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1341 G02F 1/13
Claims (3)
- 【請求項１】 真空注入方式によるスメクティック液晶
のパネル注入方法であって、液晶を空の液晶パネルの注
入口に塗布する際に、液晶皿上の液晶をアイソトロピッ
ク相温度まで加熱し、室温状態にあるアプリケーターに
該液晶を付着させた後、アプリケーター上で液晶をアイ
ソトロピック相温度以上に加熱してレベリングし、さら
に自然冷却して液晶の粘度を０．０００５〜０．００５
ｋｇ／ｍｓに制御し、液晶が流動性を示す温度よりも低
温に保った液晶パネルの注入口に該液晶を塗布すること
を特徴とする液晶注入方法。 - 【請求項２】 液晶パネルの注入口に塗布時の液晶の粘
度が０．０００７〜０．０００９ｋｇ／ｍｓであること
を特徴とする請求項１記載の液晶注入方法。 - 【請求項３】 真空注入方式による液晶のパネル注入装
置であって、温度調節機能を有するアプリケーターを具
備し、該アプリケーターの液晶付着面が円弧状の溝を有
し、且つ表面がテフロンコーティングされていることを
特徴とする液晶注入装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4357906A JP2824819B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 液晶注入方法及び注入装置 |
| US08/165,848 US5417257A (en) | 1992-12-25 | 1993-12-14 | Method and apparatus for injecting liquid crystal |
| US08/390,660 US5546998A (en) | 1992-12-25 | 1995-02-17 | Apparatus for vacuum injecting liquid crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4357906A JP2824819B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 液晶注入方法及び注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06194675A JPH06194675A (ja) | 1994-07-15 |
| JP2824819B2 true JP2824819B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=18456548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4357906A Expired - Fee Related JP2824819B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 液晶注入方法及び注入装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5417257A (ja) |
| JP (1) | JP2824819B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751391A (en) * | 1995-04-27 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with elongated projection height smaller than liquid crystal thickness and process for producing same |
| JPH11295746A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-10-29 | Sharp Corp | 液晶素子の製造方法、液晶注入装置および液晶注入システム |
| KR100574276B1 (ko) * | 1999-01-22 | 2006-04-26 | 삼성전자주식회사 | 상변화 액정주입장치 |
| US6361389B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-03-26 | Honeywell International Inc. | Substrate coupling method |
| US6642991B2 (en) | 1999-09-30 | 2003-11-04 | Honeywell International Inc. | Method of utilizing absorbing means in coupling substrate |
| KR100480146B1 (ko) * | 1999-10-30 | 2005-04-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조장치 및 방법 |
| JP4190472B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2008-12-03 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子の製造方法及び製造装置 |
| TWI330729B (en) * | 2006-12-07 | 2010-09-21 | Au Optronics Corp | Liquid crystal injection method and liquid crystal tray thereof |
| WO2022069951A1 (en) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | Hakobyan Nune | Apparatus for filling liquid crystall device withliquide crystal substance |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840726B2 (ja) * | 1975-11-12 | 1983-09-07 | 株式会社日立製作所 | 液晶封入装置 |
| JPS6135429A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| DE3911359A1 (de) * | 1989-04-07 | 1990-10-11 | Nokia Unterhaltungselektronik | Verfahren zum befuellen einer fluessigkristallzelle |
| US5150239A (en) * | 1990-02-09 | 1992-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | One-pack type epoxy sealant with amine-type curing agent, for liquid crystal cell, display apparatus and recording apparatus |
| JP2808478B2 (ja) * | 1990-05-23 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 液晶パネルの製造方法およびその装置 |
| US5285300A (en) * | 1991-10-07 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP4357906A patent/JP2824819B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-14 US US08/165,848 patent/US5417257A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5417257A (en) | 1995-05-23 |
| JPH06194675A (ja) | 1994-07-15 |
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