JP3168405B2 - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの端
末ディスプレイ、各種フラットパネルディスプレイ等に
用いられる液晶素子の製造方法に関し、特に液晶素子の
製造における液晶注入技術に関する。
末ディスプレイ、各種フラットパネルディスプレイ等に
用いられる液晶素子の製造方法に関し、特に液晶素子の
製造における液晶注入技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶素子の製造において、液晶材料をセ
ル内（一般的には一対の基板を所定のシール材パターン
を介して対向して形成されたセルにおける該シール材に
囲まれた領域）へ充填する方法として、真空注入法と呼
ばれる方法が多く用いられている。この真空注入法は、
空セル内を真空にした後、該セルを液晶材料に含浸さ
せ、次に真空を破り液晶材料に大気圧を加えることによ
ってセル内へ液晶を注入する方法である。
ル内（一般的には一対の基板を所定のシール材パターン
を介して対向して形成されたセルにおける該シール材に
囲まれた領域）へ充填する方法として、真空注入法と呼
ばれる方法が多く用いられている。この真空注入法は、
空セル内を真空にした後、該セルを液晶材料に含浸さ
せ、次に真空を破り液晶材料に大気圧を加えることによ
ってセル内へ液晶を注入する方法である。
【０００３】上記真空注入法の他には、毛管現象を用い
た注入法（特開昭６１−１３２９２８号公報）、加圧に
よる注入法（特開平６−８２７３７号公報）等が知られ
ている。
た注入法（特開昭６１−１３２９２８号公報）、加圧に
よる注入法（特開平６−８２７３７号公報）等が知られ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記真
空注入法では、液晶材料が真空に曝されるため蒸発しや
すく、その変質が問題となることがある。特に、蒸気圧
が高い特性をもつ液晶材料、例えばフッ素を含有する材
料を成分とする液晶を注入する場合は、大きな問題であ
った。また、真空注入法では、液晶注入前にセル内に残
存する水分や細かい汚れ等の液晶に悪影響を及ぼす不純
物が、液晶注入時にセル内において注入口と対向するシ
ール内部の壁面へ押しやられ、その領域近傍の表示特性
が他の領域とは異なってしまう問題があった。更には、
セル内を真空にするため減圧工程を必要とするため、液
晶注入に要する時間が長いという問題があった。
空注入法では、液晶材料が真空に曝されるため蒸発しや
すく、その変質が問題となることがある。特に、蒸気圧
が高い特性をもつ液晶材料、例えばフッ素を含有する材
料を成分とする液晶を注入する場合は、大きな問題であ
った。また、真空注入法では、液晶注入前にセル内に残
存する水分や細かい汚れ等の液晶に悪影響を及ぼす不純
物が、液晶注入時にセル内において注入口と対向するシ
ール内部の壁面へ押しやられ、その領域近傍の表示特性
が他の領域とは異なってしまう問題があった。更には、
セル内を真空にするため減圧工程を必要とするため、液
晶注入に要する時間が長いという問題があった。
【０００５】また、前記の毛管現象を用いた注入法は、
減圧工程を必要としないものの、やはり液晶注入に要す
る時間が長いという問題があった。
減圧工程を必要としないものの、やはり液晶注入に要す
る時間が長いという問題があった。
【０００６】また、前記の加圧による注入法は、液晶槽
に空セルの注入口を含浸し、加圧のみによって注入する
方法である。このため、注入過程において空セル中央付
近の領域、具体的には液晶素子を光学変調素子とした場
合の有効光学変調領域の内圧が、セル周囲の圧力よりも
高くなることがあり、過度に液晶がセルに注入されギャ
ップ不良が発生しやすいという問題があった。
に空セルの注入口を含浸し、加圧のみによって注入する
方法である。このため、注入過程において空セル中央付
近の領域、具体的には液晶素子を光学変調素子とした場
合の有効光学変調領域の内圧が、セル周囲の圧力よりも
高くなることがあり、過度に液晶がセルに注入されギャ
ップ不良が発生しやすいという問題があった。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑み、液晶注入時
の液晶材料の蒸発による変質防止、セル内の不純物の液
晶材料への混入による表示特性の劣化防止を図ると共
に、セルギャップの不良を生じさせずに液晶を短時間で
注入し得る液晶素子の製造方法、更には表示品位の劣化
のない液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
の液晶材料の蒸発による変質防止、セル内の不純物の液
晶材料への混入による表示特性の劣化防止を図ると共
に、セルギャップの不良を生じさせずに液晶を短時間で
注入し得る液晶素子の製造方法、更には表示品位の劣化
のない液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく成
された本発明の構成は以下の通りである。
された本発明の構成は以下の通りである。
【０００９】即ち、本発明は、 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の開口部と、第二の
開口部を有するセルを形成する工程と、 ｂ）該セル内に充填すべき液晶を加熱する工程と、 ｃ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、加熱された液晶を第一の開口部から、所定
の時間、該セル内に注入し且つセル内を通過してきた液
晶を第二の開口部から排出させながら、セル内に前記液
晶を充填する工程と、を有し、 該工程ｃ）において、第一の開口部の圧力、第二の開口
部の圧力、セルの有効光学変調領域にかかる圧力を分割
して制御する ことを特徴とする液晶素子の製造方法にあ
る。また、本発明は、 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の開口部と、第二の
開口部を有するセルを形成する工程と、 ｂ）該セル内に充填すべき液晶を加熱する工程と、 ｃ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、加熱された液晶を第一の開口部から、所定
の時間、該セル内に注入し且つセル内を通過してきた液
晶を第二の開口部から排出させながら、セル内に前記液
晶を充填する工程と、を有し、 該工程ｃ）において、第一の開口部の圧力をＰ 1 、第二
の開口部の圧力Ｐ 2 、セルの有効光学変調領域にかかる
圧力をＰ 3 として、これらの関係をＰ 1 ＞Ｐ 2 であり、且
つ−１ｋｇｆ／ｃｍ 2 ≦Ｐ 1 −Ｐ 3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ 2
とする、ことを特徴とする液晶素子の製造方法にある。
また、本発明は、 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の開口部と、第二の
開口部を有するセルを形成する工程と、 ｂ）該セル内に充填すべき液晶を加熱する工程と、 ｃ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、加熱され た液晶を第一の開口部から、所定
の時間、該セル内に注入し且つセル内を通過してきた液
晶を第二の開口部から排出させながら、セル内に前記液
晶を充填する工程と、を有し、 該工程ｃ）において、第一の開口部の圧力をＰ 1 、第二
の開口部の圧力Ｐ 2 、セルの有効光学変調領域にかかる
圧力をＰ 3 として、これらの関係をＰ 1 ＞Ｐ 2 であり、且
つ−０．５ｋｇｆ／ｃｍ 2 ≦Ｐ 1 −Ｐ 3 ≦０．３ｋｇｆ／
ｃｍ 2 とする、ことを特徴とする液晶素子の製造方法に
ある。
開口部を有するセルを形成する工程と、 ｂ）該セル内に充填すべき液晶を加熱する工程と、 ｃ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、加熱された液晶を第一の開口部から、所定
の時間、該セル内に注入し且つセル内を通過してきた液
晶を第二の開口部から排出させながら、セル内に前記液
晶を充填する工程と、を有し、 該工程ｃ）において、第一の開口部の圧力、第二の開口
部の圧力、セルの有効光学変調領域にかかる圧力を分割
して制御する ことを特徴とする液晶素子の製造方法にあ
る。また、本発明は、 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の開口部と、第二の
開口部を有するセルを形成する工程と、 ｂ）該セル内に充填すべき液晶を加熱する工程と、 ｃ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、加熱された液晶を第一の開口部から、所定
の時間、該セル内に注入し且つセル内を通過してきた液
晶を第二の開口部から排出させながら、セル内に前記液
晶を充填する工程と、を有し、 該工程ｃ）において、第一の開口部の圧力をＰ 1 、第二
の開口部の圧力Ｐ 2 、セルの有効光学変調領域にかかる
圧力をＰ 3 として、これらの関係をＰ 1 ＞Ｐ 2 であり、且
つ−１ｋｇｆ／ｃｍ 2 ≦Ｐ 1 −Ｐ 3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ 2
とする、ことを特徴とする液晶素子の製造方法にある。
また、本発明は、 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の開口部と、第二の
開口部を有するセルを形成する工程と、 ｂ）該セル内に充填すべき液晶を加熱する工程と、 ｃ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、加熱され た液晶を第一の開口部から、所定
の時間、該セル内に注入し且つセル内を通過してきた液
晶を第二の開口部から排出させながら、セル内に前記液
晶を充填する工程と、を有し、 該工程ｃ）において、第一の開口部の圧力をＰ 1 、第二
の開口部の圧力Ｐ 2 、セルの有効光学変調領域にかかる
圧力をＰ 3 として、これらの関係をＰ 1 ＞Ｐ 2 であり、且
つ−０．５ｋｇｆ／ｃｍ 2 ≦Ｐ 1 −Ｐ 3 ≦０．３ｋｇｆ／
ｃｍ 2 とする、ことを特徴とする液晶素子の製造方法に
ある。
【００１０】また、本発明は、 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の開口部と、第二の
開口部を有するセルを形成する工程と、 ｂ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、液晶を第一の開口部から、所定の時間、該
セル内に注入し且つセル内を通過してきた液晶を第二の
開口部から排出させながら、セル内に前記液晶を充填す
る工程と、を有し、 該工程ｂ）において、第一の開口部の圧力をＰ1、第二
の開口部の圧力Ｐ2、セルの有効光学変調領域にかかる
圧力をＰ3として、これらの関係をＰ1＞Ｐ2であり、且
つ−１ｋｇｆ／ｃｍ2≦Ｐ1−Ｐ3≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2
とする、ことを特徴とする液晶素子の製造方法にある。
開口部を有するセルを形成する工程と、 ｂ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、液晶を第一の開口部から、所定の時間、該
セル内に注入し且つセル内を通過してきた液晶を第二の
開口部から排出させながら、セル内に前記液晶を充填す
る工程と、を有し、 該工程ｂ）において、第一の開口部の圧力をＰ1、第二
の開口部の圧力Ｐ2、セルの有効光学変調領域にかかる
圧力をＰ3として、これらの関係をＰ1＞Ｐ2であり、且
つ−１ｋｇｆ／ｃｍ2≦Ｐ1−Ｐ3≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2
とする、ことを特徴とする液晶素子の製造方法にある。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の液晶素子の製造方法は、
一対の基板を対向配置し、第一及び第二の２つの開口部
を設けて得られたセル（空セル）に対し液晶を充填する
工程において、第一及び第二の開口部間に圧力差を設定
し、例えば、第一の開口部を注入口として加熱された液
晶を注入し、且つ第二の開口部を流出口として液晶を排
出し、この操作を所定時間行い、セル内への液晶充填を
完了させるものである。
一対の基板を対向配置し、第一及び第二の２つの開口部
を設けて得られたセル（空セル）に対し液晶を充填する
工程において、第一及び第二の開口部間に圧力差を設定
し、例えば、第一の開口部を注入口として加熱された液
晶を注入し、且つ第二の開口部を流出口として液晶を排
出し、この操作を所定時間行い、セル内への液晶充填を
完了させるものである。
【００１２】以下、図面を参照して、上記液晶素子の製
造方法の態様について詳細に説明する。尚、セルの第一
の開口部を注入口、第二の開口部を流出口として説明す
るが、これは便宜上であってこれに限定されるものでは
ない。
造方法の態様について詳細に説明する。尚、セルの第一
の開口部を注入口、第二の開口部を流出口として説明す
るが、これは便宜上であってこれに限定されるものでは
ない。
【００１３】まず、例えば図１（Ａ）及び図１（Ｂ）
（図１（Ａ）のａ−ａ’線に沿った断面図）に示すよう
な構造の液晶セル１（空セル）を形成する。具体的に
は、一対の基板１１ａ及び１１ｂを所定形状のシール材
パターン１０を介して対向し接着せしめセル１（空セ
ル）を形成する。かかるセル１において、シール材パタ
ーン１０により、液晶の充填工程で液晶の注入口となる
第一の開口部１２、及び液晶の充填工程で液晶の流出口
となる第二の開口部１３を設定する。尚、一対の基板１
１ａ，１１ｂ及びシール材パターン１０に囲まれたセル
内の周縁部を除く領域１６が、最終的に得られる液晶素
子における液晶による光学変調を行う有効光学変調領
域、特に素子が表示素子に適用される場合では表示領域
に相当する。基板１１ａ及び１１ｂの夫々には、液晶に
対して電界を付与する為の電極１４ａ及び１４ｂ、更に
必要に応じてセル内に充填される液晶の配向状態を制御
する膜（配向制御層）１５ａ及び１５ｂが設けられる。
（図１（Ａ）のａ−ａ’線に沿った断面図）に示すよう
な構造の液晶セル１（空セル）を形成する。具体的に
は、一対の基板１１ａ及び１１ｂを所定形状のシール材
パターン１０を介して対向し接着せしめセル１（空セ
ル）を形成する。かかるセル１において、シール材パタ
ーン１０により、液晶の充填工程で液晶の注入口となる
第一の開口部１２、及び液晶の充填工程で液晶の流出口
となる第二の開口部１３を設定する。尚、一対の基板１
１ａ，１１ｂ及びシール材パターン１０に囲まれたセル
内の周縁部を除く領域１６が、最終的に得られる液晶素
子における液晶による光学変調を行う有効光学変調領
域、特に素子が表示素子に適用される場合では表示領域
に相当する。基板１１ａ及び１１ｂの夫々には、液晶に
対して電界を付与する為の電極１４ａ及び１４ｂ、更に
必要に応じてセル内に充填される液晶の配向状態を制御
する膜（配向制御層）１５ａ及び１５ｂが設けられる。
【００１４】続いて、例えば図２に示すような系にて、
上記セル１に液晶を注入する。まず第一の開口部１２部
分と有効光学変調領域１６を加圧槽１７内に封入し、少
なくとも第二の開口部１３部分は加圧槽外に設置する。
この状態で第一の開口部１２を予め加熱された液晶１９
で満たされている液晶皿１８に含浸し、加圧槽１７内を
加圧する。これにより、液晶１９は注入口となる第一の
開口部１２にかかる圧力Ｐ1 （加圧槽内の圧力）と流出
口となる第二の開口部１３にかかる圧力Ｐ2 をＰ1 ＞Ｐ
2 の関係とし、その圧力差に応じて、界面張力によるス
ピードよりも速くセル１内に注入される（図２はセルに
液晶１９が半分ほど注入されている状態である。）。そ
して、液晶１９でセル１内が満たされた後も加圧しＰ1
及びＰ2の圧力差を保ち続けることによって、過剰な液
晶１９は流出口（第二の開口部）１３から排出すること
ができる。この操作を所定時間継続してセル内に液晶を
充填した後、セルに対する上記の各圧力を大気圧に戻
し、冷却し、第一の開口部及び第二の開口部の近傍に付
着した液晶を、例えば、布により乾拭きするか、或いは
必要に応じてアセトンやケトン系（メチルエチルケトン
等）等の溶剤にて拭き取ることにより除去する。続い
て、これら開口部を例えばシール材と同様の材料からな
る封口材を用いて封口して液晶素子が得られる。
上記セル１に液晶を注入する。まず第一の開口部１２部
分と有効光学変調領域１６を加圧槽１７内に封入し、少
なくとも第二の開口部１３部分は加圧槽外に設置する。
この状態で第一の開口部１２を予め加熱された液晶１９
で満たされている液晶皿１８に含浸し、加圧槽１７内を
加圧する。これにより、液晶１９は注入口となる第一の
開口部１２にかかる圧力Ｐ1 （加圧槽内の圧力）と流出
口となる第二の開口部１３にかかる圧力Ｐ2 をＰ1 ＞Ｐ
2 の関係とし、その圧力差に応じて、界面張力によるス
ピードよりも速くセル１内に注入される（図２はセルに
液晶１９が半分ほど注入されている状態である。）。そ
して、液晶１９でセル１内が満たされた後も加圧しＰ1
及びＰ2の圧力差を保ち続けることによって、過剰な液
晶１９は流出口（第二の開口部）１３から排出すること
ができる。この操作を所定時間継続してセル内に液晶を
充填した後、セルに対する上記の各圧力を大気圧に戻
し、冷却し、第一の開口部及び第二の開口部の近傍に付
着した液晶を、例えば、布により乾拭きするか、或いは
必要に応じてアセトンやケトン系（メチルエチルケトン
等）等の溶剤にて拭き取ることにより除去する。続い
て、これら開口部を例えばシール材と同様の材料からな
る封口材を用いて封口して液晶素子が得られる。
【００１５】上述したような液晶の充填工程では、第二
の開口部から流出させる液晶の量を、少なくともセル容
量の５％以上とすることが好ましい。より好ましくはセ
ル容量の１０％以上、特に好ましくは１５％以上の範囲
で設定する。
の開口部から流出させる液晶の量を、少なくともセル容
量の５％以上とすることが好ましい。より好ましくはセ
ル容量の１０％以上、特に好ましくは１５％以上の範囲
で設定する。
【００１６】本発明において、注入口となる第一の開口
部１２にかける圧力Ｐ1 は、大気圧より大きく５．０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 以下であることが好ましい。Ｐ1 が５．０
ｋｇｆ／ｃｍ2 を超える場合には、液晶中に注入口部分
を加圧するためのガスが過度に溶け込む可能性があり、
後工程（例えば液晶の再配向処理）で発泡する恐れがあ
り、またセルの耐久性の点でも問題となる可能性があ
る。
部１２にかける圧力Ｐ1 は、大気圧より大きく５．０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 以下であることが好ましい。Ｐ1 が５．０
ｋｇｆ／ｃｍ2 を超える場合には、液晶中に注入口部分
を加圧するためのガスが過度に溶け込む可能性があり、
後工程（例えば液晶の再配向処理）で発泡する恐れがあ
り、またセルの耐久性の点でも問題となる可能性があ
る。
【００１７】また、注入口となる第一の開口部１２にか
ける圧力Ｐ1 と流出口となる第二の開口部１３にかける
圧力Ｐ2 との差圧（Ｐ1 −Ｐ2 ）は、０．１〜５．０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 の範囲であることが好ましく、より好まし
くは０．３〜２．５ｋｇｆ／ｃｍ2 の範囲である。この
差圧（Ｐ1 −Ｐ2 ）が０．１ｋｇｆ／ｃｍ2 未満の場合
には、液晶の充填に長時間を要する。一方、この差圧
（Ｐ1 −Ｐ2 ）が５．０ｋｇｆ／ｃｍ2 を超える場合に
は、セルに歪みが生じ、セルギャップの分布不良が生じ
易くなる。
ける圧力Ｐ1 と流出口となる第二の開口部１３にかける
圧力Ｐ2 との差圧（Ｐ1 −Ｐ2 ）は、０．１〜５．０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 の範囲であることが好ましく、より好まし
くは０．３〜２．５ｋｇｆ／ｃｍ2 の範囲である。この
差圧（Ｐ1 −Ｐ2 ）が０．１ｋｇｆ／ｃｍ2 未満の場合
には、液晶の充填に長時間を要する。一方、この差圧
（Ｐ1 −Ｐ2 ）が５．０ｋｇｆ／ｃｍ2 を超える場合に
は、セルに歪みが生じ、セルギャップの分布不良が生じ
易くなる。
【００１８】本発明では以上のような工程で液晶注入を
行うものであるため、以下のようなメリットがある。 １．セル内への液晶注入及びセル外への流出を所定時間
連続的に行う為、セル内に不純物が残留している場合で
あっても、当該不純物で汚染された液晶を排出すること
ができ、液晶汚染による表示品位の劣化を防止すること
ができる。 ２．液晶注入時において、加熱によって液晶の粘度を下
げた状態で液晶注入を行うことで、粘性の高い液晶材
料、例えばスメクチック液晶をも短時間で注入すること
ができる。またこの場合、液晶材料が最も蒸発しやすい
液体相まで加熱されていても、当該液晶材料は減圧状態
に曝されないため、蒸気圧の高い液晶材料、特にフッ素
含有率が高い液晶材料であっても蒸発は改善され、これ
による液晶材料の変質も防止される。 ３．セル内の真空引きを必要とせず、かつ、注入口と流
出口との圧力差を利用するため、注入工程に要する時間
を短縮できると共に、注入速度を制御することもでき
る。
行うものであるため、以下のようなメリットがある。 １．セル内への液晶注入及びセル外への流出を所定時間
連続的に行う為、セル内に不純物が残留している場合で
あっても、当該不純物で汚染された液晶を排出すること
ができ、液晶汚染による表示品位の劣化を防止すること
ができる。 ２．液晶注入時において、加熱によって液晶の粘度を下
げた状態で液晶注入を行うことで、粘性の高い液晶材
料、例えばスメクチック液晶をも短時間で注入すること
ができる。またこの場合、液晶材料が最も蒸発しやすい
液体相まで加熱されていても、当該液晶材料は減圧状態
に曝されないため、蒸気圧の高い液晶材料、特にフッ素
含有率が高い液晶材料であっても蒸発は改善され、これ
による液晶材料の変質も防止される。 ３．セル内の真空引きを必要とせず、かつ、注入口と流
出口との圧力差を利用するため、注入工程に要する時間
を短縮できると共に、注入速度を制御することもでき
る。
【００１９】上述したように本発明の方法は、通常粘度
の高い液晶を注入する場合に好ましく、例えばスメクチ
ック中間相を持つ、あるいは潜在的スメクチック中間相
を持つものを含有する液晶組成物、特にカイラルスメク
チック液晶相を呈する液晶組成物を用いる場合に好適で
ある。
の高い液晶を注入する場合に好ましく、例えばスメクチ
ック中間相を持つ、あるいは潜在的スメクチック中間相
を持つものを含有する液晶組成物、特にカイラルスメク
チック液晶相を呈する液晶組成物を用いる場合に好適で
ある。
【００２０】また、上述したフッ素含有率が高い液晶材
料等の蒸気圧のより高い液晶材料を用いる場合に好適で
ある。特に蒸気圧の高い液晶材料として、フルオロカー
ボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部
分が中心核によって結合され、スメクチック中間相又は
潜在的スメクチック中間相を持つフッ素含有液晶化合物
を含有する液晶組成物を用いる場合に最も好適である。
料等の蒸気圧のより高い液晶材料を用いる場合に好適で
ある。特に蒸気圧の高い液晶材料として、フルオロカー
ボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部
分が中心核によって結合され、スメクチック中間相又は
潜在的スメクチック中間相を持つフッ素含有液晶化合物
を含有する液晶組成物を用いる場合に最も好適である。
【００２１】尚、ここで潜在的スメクチック中間相を持
つ化合物とは、それ自身でスメクチック中間相を示さな
くとも、スメクチック中間相を持つ化合物又は他の潜在
的スメクチック中間相を持つ化合物との混合物におい
て、適当な条件下でスメクチック中間相を発現する化合
物を言う。
つ化合物とは、それ自身でスメクチック中間相を示さな
くとも、スメクチック中間相を持つ化合物又は他の潜在
的スメクチック中間相を持つ化合物との混合物におい
て、適当な条件下でスメクチック中間相を発現する化合
物を言う。
【００２２】また、上記フッ素含有化合物における中心
核とは、少なくとも２つの芳香族環、複素芳香族環、脂
肪族環、置換芳香族環、置換複素芳香族環、置換脂肪族
環から選ばれ、これらの環は、互いに−ＣＯＯ−，−Ｃ
ＯＳ−，−ＨＣ＝Ｎ−，−ＣＯＳｅ−から選ばれる官能
基によって結合されていてもよい。これらの環は縮合し
ていても、縮合していなくてもよい。複素芳香環中のヘ
テロ原子はＮ，Ｏ又はＳから選ばれる少なくとも１つの
原子を含む。脂肪族環中に隣接していないメチレン基
は、Ｏによって置換されていてもよい。
核とは、少なくとも２つの芳香族環、複素芳香族環、脂
肪族環、置換芳香族環、置換複素芳香族環、置換脂肪族
環から選ばれ、これらの環は、互いに−ＣＯＯ−，−Ｃ
ＯＳ−，−ＨＣ＝Ｎ−，−ＣＯＳｅ−から選ばれる官能
基によって結合されていてもよい。これらの環は縮合し
ていても、縮合していなくてもよい。複素芳香環中のヘ
テロ原子はＮ，Ｏ又はＳから選ばれる少なくとも１つの
原子を含む。脂肪族環中に隣接していないメチレン基
は、Ｏによって置換されていてもよい。
【００２３】上記フッ素含有液晶化合物の具体例として
は、特開平２−１４２７５３、米国特許５，０８２，５
８７号、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５
０６３６８等に記載されている化合物が挙げられる。
は、特開平２−１４２７５３、米国特許５，０８２，５
８７号、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５
０６３６８等に記載されている化合物が挙げられる。
【００２４】上述したような本発明の方法では、これら
の液晶材料を、好ましくは最終的な素子で使用される温
度より加熱し、好ましくは液体相（等方相）に加熱した
状態で、上記工程により空セル内に充填する。
の液晶材料を、好ましくは最終的な素子で使用される温
度より加熱し、好ましくは液体相（等方相）に加熱した
状態で、上記工程により空セル内に充填する。
【００２５】また、上述したような本発明の方法では、
図１に示すようなセル（空セル）の形成において、セル
の液晶注入口に対応する第一の開口部１２、流出口に対
応する第二の開口部１３の形状を、シール材１０のパタ
ーンを調整し、例えば図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）のよ
うな形状とすることもできる。かかる形状は、用いる液
晶材料の粘度特性、セルのサイズ、液晶充填時の圧力条
件をはじめ種々の要件を考慮して適宜設定する。尚、図
３（Ｂ）に示した例のように、第一の開口部１２及び第
二の開口部１３は夫々複数の開口領域で構成することも
できる。
図１に示すようなセル（空セル）の形成において、セル
の液晶注入口に対応する第一の開口部１２、流出口に対
応する第二の開口部１３の形状を、シール材１０のパタ
ーンを調整し、例えば図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）のよ
うな形状とすることもできる。かかる形状は、用いる液
晶材料の粘度特性、セルのサイズ、液晶充填時の圧力条
件をはじめ種々の要件を考慮して適宜設定する。尚、図
３（Ｂ）に示した例のように、第一の開口部１２及び第
二の開口部１３は夫々複数の開口領域で構成することも
できる。
【００２６】本発明の方法では、液晶の充填工程におい
て、上述したようなセルで液晶注入口に相当する第一の
開口部と、流出口に相当する第二の開口部の間に圧力差
を設けることが必須である。かかる方法でのセル内への
液晶の充填は、図２に示すような態様の他、図４に示す
ような態様で行うことができる（同図において図１及び
図２と同一の符号は同等部材を示す）。
て、上述したようなセルで液晶注入口に相当する第一の
開口部と、流出口に相当する第二の開口部の間に圧力差
を設けることが必須である。かかる方法でのセル内への
液晶の充填は、図２に示すような態様の他、図４に示す
ような態様で行うことができる（同図において図１及び
図２と同一の符号は同等部材を示す）。
【００２７】図４に示す態様では、セル（空セル）１に
対して第一の開口部１２、セル１の有効光学変調領域に
対応する部分、第二の開口部１３を夫々区分された槽２
１、２３、２２内に配置し、第一の開口部側の圧力Ｐ
1 、第二の開口部側の圧力Ｐ2、有効光学変調領域にか
かる圧力Ｐ3 を分割して制御する。
対して第一の開口部１２、セル１の有効光学変調領域に
対応する部分、第二の開口部１３を夫々区分された槽２
１、２３、２２内に配置し、第一の開口部側の圧力Ｐ
1 、第二の開口部側の圧力Ｐ2、有効光学変調領域にか
かる圧力Ｐ3 を分割して制御する。
【００２８】こうして、セル内の有効光学変調領域にか
かる圧力Ｐ3 を、液晶注入口に相当する第一の開口部側
の圧力Ｐ1 に近いレベルになるように、好ましくは、−
１ｋｇｆ／ｃｍ2 ≦Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ
2 、特に好ましくは、−０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 ≦Ｐ1 −
Ｐ3 ≦０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 、とした条件下で、液晶皿
中において加熱された液晶の第一の開口部１２からの注
入及び第二の開口部１３からの流出を行い、セル１内に
液晶を充填する。このような条件に設定した場合、液晶
の加熱を最小限に、材料によっては実質的に加熱を要す
ることなく注入させることもできる。
かる圧力Ｐ3 を、液晶注入口に相当する第一の開口部側
の圧力Ｐ1 に近いレベルになるように、好ましくは、−
１ｋｇｆ／ｃｍ2 ≦Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ
2 、特に好ましくは、−０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 ≦Ｐ1 −
Ｐ3 ≦０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 、とした条件下で、液晶皿
中において加熱された液晶の第一の開口部１２からの注
入及び第二の開口部１３からの流出を行い、セル１内に
液晶を充填する。このような条件に設定した場合、液晶
の加熱を最小限に、材料によっては実質的に加熱を要す
ることなく注入させることもできる。
【００２９】上記Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 の一設定例として、
図２に示した工程のように、セル１の第二の開口部１３
を加圧槽から出し、Ｐ1 ≒Ｐ3 ＞Ｐ2 ≧大気圧とするこ
とができる。
図２に示した工程のように、セル１の第二の開口部１３
を加圧槽から出し、Ｐ1 ≒Ｐ3 ＞Ｐ2 ≧大気圧とするこ
とができる。
【００３０】更に、液晶の充填工程において、Ｐ1 ，Ｐ
2 ，Ｐ3 を上記条件に設定する際には（特にＰ1 及びＰ
3 を上記関係に設定する際には）、Ｐ1 ＜Ｐ3 の場合、
セルの有効光学変調領域といった主要な領域の一対の基
板を最も高い圧力で加圧することになり、基板がその間
に配置されるスペーサービーズの大きさに倣おうとし、
結果としてセルの面内でのギャップ（セルにおける一対
の基板間の実効距離であって、基板間の液晶層の厚みに
相当する）の均一化がより好ましく実現される。一方、
Ｐ1 ＞Ｐ3 の場合では、セル内への液晶注入がより効率
的になされ、例えば液体相の温度ではセル内に過剰の液
晶が充填されることになる。この結果、液晶の材料によ
ってはセル内の液晶を室温程度の使用温度に戻して、液
晶が体積収縮した場合でも、セル容積に比較して液晶の
体積が小さくなり空隙等が生じるといった問題がより好
ましく防止される。
2 ，Ｐ3 を上記条件に設定する際には（特にＰ1 及びＰ
3 を上記関係に設定する際には）、Ｐ1 ＜Ｐ3 の場合、
セルの有効光学変調領域といった主要な領域の一対の基
板を最も高い圧力で加圧することになり、基板がその間
に配置されるスペーサービーズの大きさに倣おうとし、
結果としてセルの面内でのギャップ（セルにおける一対
の基板間の実効距離であって、基板間の液晶層の厚みに
相当する）の均一化がより好ましく実現される。一方、
Ｐ1 ＞Ｐ3 の場合では、セル内への液晶注入がより効率
的になされ、例えば液体相の温度ではセル内に過剰の液
晶が充填されることになる。この結果、液晶の材料によ
ってはセル内の液晶を室温程度の使用温度に戻して、液
晶が体積収縮した場合でも、セル容積に比較して液晶の
体積が小さくなり空隙等が生じるといった問題がより好
ましく防止される。
【００３１】
【実施例】以下、本発明を実施例に沿って更に詳細に説
明する。
明する。
【００３２】（実施例１）本実施例では、前述した図１
に示す構造のセル１（空セル）を作製し、図２に示す装
置及び方法によって液晶を充填した。
に示す構造のセル１（空セル）を作製し、図２に示す装
置及び方法によって液晶を充填した。
【００３３】ガラス基板１１ａと基板１１ｂの一方の主
面側にＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）からな
る透明電極１４ａ，１４ｂを１００ｎｍの厚さにスパッ
タ法によって形成し、フォトリソ法によってストライプ
状にパターニングする。
面側にＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）からな
る透明電極１４ａ，１４ｂを１００ｎｍの厚さにスパッ
タ法によって形成し、フォトリソ法によってストライプ
状にパターニングする。
【００３４】次に、上記透明電極１４ａを形成した基板
１１ａ上に下記繰り返し単位を有する構造のポリイミド
膜１５ａをスピンコート法によって形成する。
１１ａ上に下記繰り返し単位を有する構造のポリイミド
膜１５ａをスピンコート法によって形成する。
【００３５】
【化１】
【００３６】なお、上記ポリイミド膜１５ａは、その前
駆体のＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の０．７重量％溶液を２
７００ｒｐｍでスピンコートし、その後、８０℃で５分
間前乾燥を行った後、２００℃で１時間加熱焼成処理を
施し形成した。かかるポリイミド膜１５ａの膜厚は５ｎ
ｍであった。
駆体のＮＭＰ／ｎＢＣ＝２／１の０．７重量％溶液を２
７００ｒｐｍでスピンコートし、その後、８０℃で５分
間前乾燥を行った後、２００℃で１時間加熱焼成処理を
施し形成した。かかるポリイミド膜１５ａの膜厚は５ｎ
ｍであった。
【００３７】一方、上記透明電極１４ｂを形成した基板
１１ｂ上には、ＯＤＳ−Ｅ（チッソ社製／オクタデシル
エトキシシラン）をスピンコートして配向制御層１５ｂ
を形成した。スピンコートの条件は、ＯＤＳ−Ｅのエタ
ノールの０．５重量％溶液を２０００ｒｐｍでスピンコ
ートし、その後、８０℃で５分間前乾燥を行った後、１
８０℃で１時間加熱乾燥処理を施した。
１１ｂ上には、ＯＤＳ−Ｅ（チッソ社製／オクタデシル
エトキシシラン）をスピンコートして配向制御層１５ｂ
を形成した。スピンコートの条件は、ＯＤＳ−Ｅのエタ
ノールの０．５重量％溶液を２０００ｒｐｍでスピンコ
ートし、その後、８０℃で５分間前乾燥を行った後、１
８０℃で１時間加熱乾燥処理を施した。
【００３８】次に、基板１１ａのポリイミド膜１５ａを
ナイロン布で擦り、ポリイミド膜１５ａに一軸性配向処
理を施した。その後、純水で満たされた槽に基板１１ａ
を入れ、超音波をかけ３０分間洗浄し、窒素ブローで水
滴を飛ばした後、６０℃のオーブンで３０分間乾燥し
た。続いて、基板１１ａに直径２．６μｍのシリカビー
ズ（不図示）をエタノールに分散し、スピンコート散布
した。ビーズ密度は約３００個／ｍｍ2 とした。
ナイロン布で擦り、ポリイミド膜１５ａに一軸性配向処
理を施した。その後、純水で満たされた槽に基板１１ａ
を入れ、超音波をかけ３０分間洗浄し、窒素ブローで水
滴を飛ばした後、６０℃のオーブンで３０分間乾燥し
た。続いて、基板１１ａに直径２．６μｍのシリカビー
ズ（不図示）をエタノールに分散し、スピンコート散布
した。ビーズ密度は約３００個／ｍｍ2 とした。
【００３９】基板１１ｂには、接着剤粒子（トレパール
／東レ製、粒径５μｍ）を密度１３０個／ｍｍ2 で分散
させ、さらにディスペンサーによって図１（Ａ）に示す
ようにエポキシ樹脂をゲタ状にシール（シール材１０）
描画した。
／東レ製、粒径５μｍ）を密度１３０個／ｍｍ2 で分散
させ、さらにディスペンサーによって図１（Ａ）に示す
ようにエポキシ樹脂をゲタ状にシール（シール材１０）
描画した。
【００４０】上記基板１１ａ及び基板１１ｂを、互いの
ＩＴＯストライプが直交するように張り合せ、注入口と
なる第一の開口部１２と流出口となる第二の開口部１３
を有するセル（空セル）を構成した。セルサイズは、３
００ｍｍ×２７０ｍｍである。尚、有効光学変調領域
は、シール材より各辺１５ｍｍづつ内側に入った領域内
である。
ＩＴＯストライプが直交するように張り合せ、注入口と
なる第一の開口部１２と流出口となる第二の開口部１３
を有するセル（空セル）を構成した。セルサイズは、３
００ｍｍ×２７０ｍｍである。尚、有効光学変調領域
は、シール材より各辺１５ｍｍづつ内側に入った領域内
である。
【００４１】下記の化合物を、Ａ／Ｂ1 ／Ｂ2 ／Ｂ3 ／
Ｃ＝８０／３／３／４／５の重量比で混合し液晶組成物
を調製した。該組成物の２５℃での自発分極は２６ｎＣ
／ｃｍ2 、チルト角は２７°であり、冷却下での液体−
スメクチックＡ相転移温度は７５℃、スメクチックＡ−
カイラルスメクチックＣ相転移温度は４５℃、カイラル
スメクチックＣ−結晶相転移温度は０℃であった。尚、
上記液晶組成物のチルト角及び自発分極は、以下のよう
にして測定することができる。
Ｃ＝８０／３／３／４／５の重量比で混合し液晶組成物
を調製した。該組成物の２５℃での自発分極は２６ｎＣ
／ｃｍ2 、チルト角は２７°であり、冷却下での液体−
スメクチックＡ相転移温度は７５℃、スメクチックＡ−
カイラルスメクチックＣ相転移温度は４５℃、カイラル
スメクチックＣ−結晶相転移温度は０℃であった。尚、
上記液晶組成物のチルト角及び自発分極は、以下のよう
にして測定することができる。
【００４２】［チルト角の測定］±３０〜±５０Ｖ、１
〜１００ＨｚのＡＣ（交流）を液晶素子の上下基板間に
電極を介して印加しながら、直交クロスニコル下、その
間に配置された液晶素子を偏光板と平行に回転させると
同時に、フォトマル（浜松フォトニクス（株）製）で光
学応答を検知しながら、第１の消光位（透過率がもっと
も低くなる位置）及び第２の消光位を求める。そしてこ
の時の第１の消光位から第２の消光位までの角度の１／
２をチルト角とする。
〜１００ＨｚのＡＣ（交流）を液晶素子の上下基板間に
電極を介して印加しながら、直交クロスニコル下、その
間に配置された液晶素子を偏光板と平行に回転させると
同時に、フォトマル（浜松フォトニクス（株）製）で光
学応答を検知しながら、第１の消光位（透過率がもっと
も低くなる位置）及び第２の消光位を求める。そしてこ
の時の第１の消光位から第２の消光位までの角度の１／
２をチルト角とする。
【００４３】［自発分極の測定方法］自発分極は、Ｋ．
ミヤサト他「三角波による強誘電性液晶の自発分極の直
接測定方法」（日本応用物理学会誌２２、１０号（６６
１）１９８３、”Ｄｉｒｅｃｔ Ｍｅｔｈｏｄ ｗｉｔ
ｈ Ｔｒｉａｎｇｕｌａｒ Ｗａｖｅｓ ｆｏｒ Ｍｅ
ａｓｕｒｉｎｇ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｐｏｌａｒ
ｉｚａｔｉｏｎ ｉｎＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ”，ａｓ ｄｅｓｃｒｉ
ｂｅｄ ｂｙ Ｋ．Ｍｉｙａｓａｔｏ ｅｔ ａｌ（Ｊ
ａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．１０，Ｌ
６６１（１９８３）））によって測定した。
ミヤサト他「三角波による強誘電性液晶の自発分極の直
接測定方法」（日本応用物理学会誌２２、１０号（６６
１）１９８３、”Ｄｉｒｅｃｔ Ｍｅｔｈｏｄ ｗｉｔ
ｈ Ｔｒｉａｎｇｕｌａｒ Ｗａｖｅｓ ｆｏｒ Ｍｅ
ａｓｕｒｉｎｇ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｐｏｌａｒ
ｉｚａｔｉｏｎ ｉｎＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ”，ａｓ ｄｅｓｃｒｉ
ｂｅｄ ｂｙ Ｋ．Ｍｉｙａｓａｔｏ ｅｔ ａｌ（Ｊ
ａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．１０，Ｌ
６６１（１９８３）））によって測定した。
【００４４】
【化２】
【００４５】この液晶組成物を液晶皿に盛り、一度８０
℃に加熱し等方相（液体相）として脱泡処理を行った。
この脱泡済みの液晶にセルの第一の開口部１２を含浸
し、図２のように加圧槽１７内にセルの第一の開口部１
２と有効光学変調領域１６全体が封入されるようにセル
１をセットした。加圧槽１７とセル１の第二の開口部１
３側のパッキングにはシリコンゴムを用いた。
℃に加熱し等方相（液体相）として脱泡処理を行った。
この脱泡済みの液晶にセルの第一の開口部１２を含浸
し、図２のように加圧槽１７内にセルの第一の開口部１
２と有効光学変調領域１６全体が封入されるようにセル
１をセットした。加圧槽１７とセル１の第二の開口部１
３側のパッキングにはシリコンゴムを用いた。
【００４６】セル１をセットした加圧槽１７を恒温槽
（不図示）内に入れ、液晶皿１８中の液晶が等方相（液
体相）に転移する温度、９０℃に加熱し、相転移を確認
した後、加圧槽１７内の圧力を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）に
した。つまり、第一の開口部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝
有効光学変調領域の圧力Ｐ3 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、
第二の開口部（流出口）側の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 ）の圧力条件で第一の開口部１２からセル１内へ液
晶を注入した。注入開始から４時間後に、加圧槽１７内
を約２分間かけて徐々に１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻
し、温度を１℃／ｍｉｎの降温速度で室温まで下げた。
（不図示）内に入れ、液晶皿１８中の液晶が等方相（液
体相）に転移する温度、９０℃に加熱し、相転移を確認
した後、加圧槽１７内の圧力を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）に
した。つまり、第一の開口部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝
有効光学変調領域の圧力Ｐ3 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、
第二の開口部（流出口）側の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 ）の圧力条件で第一の開口部１２からセル１内へ液
晶を注入した。注入開始から４時間後に、加圧槽１７内
を約２分間かけて徐々に１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻
し、温度を１℃／ｍｉｎの降温速度で室温まで下げた。
【００４７】次に、セルの注入口及び流出口に付着した
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
【００４８】注入状態を観察したところ、未注入領域は
存在せず注入状態は良好で、注入口（第一の開口部）側
と流出口（第二の開口部）側で液晶分子の配向状態に違
いはなかった。
存在せず注入状態は良好で、注入口（第一の開口部）側
と流出口（第二の開口部）側で液晶分子の配向状態に違
いはなかった。
【００４９】続いて、素子の有効光学変調領域に、各辺
で等間隔となるように５×５のポイントを設定し、各ポ
イントにおいてリタデーションを測定し（ＯＬＹＭＰＵ
Ｓ製リタデーション測定装置、ＲＡ１００使用）、その
値に基づいて各ポイントでのセルギャップを求め、その
分布を評価した。この結果、有効光学変調領域内のセル
ギャップの分布は２．６±０．０５μｍで面内均一であ
った。
で等間隔となるように５×５のポイントを設定し、各ポ
イントにおいてリタデーションを測定し（ＯＬＹＭＰＵ
Ｓ製リタデーション測定装置、ＲＡ１００使用）、その
値に基づいて各ポイントでのセルギャップを求め、その
分布を評価した。この結果、有効光学変調領域内のセル
ギャップの分布は２．６±０．０５μｍで面内均一であ
った。
【００５０】また、素子のしきい値特性を、図１１に示
す駆動波形を用い（セル全面を白に書込む）、Ｖop＝Ｖ
1 ＋Ｖ2 ＝１５Ｖ（バイアス比＝Ｖ2 ／Ｖop＝１／３）
とし１Ｈを変化させた際（徐々に大きくする）、有効光
学変調領域内の最も早く白反転する箇所の１Ｈと、最も
遅く白反転する箇所の１Ｈの差を測定することで評価し
たところ、有効光学変調領域内全面でムラはなかった。
す駆動波形を用い（セル全面を白に書込む）、Ｖop＝Ｖ
1 ＋Ｖ2 ＝１５Ｖ（バイアス比＝Ｖ2 ／Ｖop＝１／３）
とし１Ｈを変化させた際（徐々に大きくする）、有効光
学変調領域内の最も早く白反転する箇所の１Ｈと、最も
遅く白反転する箇所の１Ｈの差を測定することで評価し
たところ、有効光学変調領域内全面でムラはなかった。
【００５１】なお、本実施例における液晶注入時には、
第二の開口部１３（流出口）から液晶が約３０ｍｍ3 流
出しており、この量はセル内容積の約１４％に相当す
る。
第二の開口部１３（流出口）から液晶が約３０ｍｍ3 流
出しており、この量はセル内容積の約１４％に相当す
る。
【００５２】（実施例２）本実施例では、図５に示すよ
うな構造のセル２（空セル）を作製した。本実施例で得
たセルの構造は主要部では実施例１のもの（図１に示す
セル）と同様であるが、注入口となる第一の開口部側で
一対の基板を正対させず、一方の基板（１１ｂ）端部の
みを突出させ、その液晶が注入される側の面であって、
基板１１ｂに描画されるシール材１０の位置に対応する
ようにＵＶ硬化性樹脂を接着し、土手７１を形成した。
うな構造のセル２（空セル）を作製した。本実施例で得
たセルの構造は主要部では実施例１のもの（図１に示す
セル）と同様であるが、注入口となる第一の開口部側で
一対の基板を正対させず、一方の基板（１１ｂ）端部の
みを突出させ、その液晶が注入される側の面であって、
基板１１ｂに描画されるシール材１０の位置に対応する
ようにＵＶ硬化性樹脂を接着し、土手７１を形成した。
【００５３】このセル２に実施例１と同じ液晶を第一の
開口部１２側の土手７１に囲まれた内側の領域に図６に
示すように垂らし（符号の７２が液晶である）、加圧槽
１７内に第一の開口部１２と有効光学変調領域１６が封
入されるように設置した。この時、液晶７２が注入口と
なる第一の開口部１２を塞ぐように、流出口となる第二
の開口部１３よりも第一の開口部１２が高くなるように
傾けた。加圧槽１７とセル２の流出口側のパッキングに
はシリコンゴムを用いた。
開口部１２側の土手７１に囲まれた内側の領域に図６に
示すように垂らし（符号の７２が液晶である）、加圧槽
１７内に第一の開口部１２と有効光学変調領域１６が封
入されるように設置した。この時、液晶７２が注入口と
なる第一の開口部１２を塞ぐように、流出口となる第二
の開口部１３よりも第一の開口部１２が高くなるように
傾けた。加圧槽１７とセル２の流出口側のパッキングに
はシリコンゴムを用いた。
【００５４】セル２をセットした加圧槽１７を恒温槽
（不図示）内に入れ、液晶が等方相（液体相）に転移す
る温度、９０℃に加熱し、相転移後、加圧槽１７内の圧
力を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第一の開口
部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝有効光学変調領域の圧力Ｐ
3 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、第二の開口部（流出口）側
の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で第一の
開口部１２からセル２内へ液晶を注入した。注入開始か
ら４時間後に、加圧槽１７内を約２分間かけて徐々に１
（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻し、温度を１℃／ｍｉｎの降
温速度で室温まで下げた。
（不図示）内に入れ、液晶が等方相（液体相）に転移す
る温度、９０℃に加熱し、相転移後、加圧槽１７内の圧
力を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第一の開口
部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝有効光学変調領域の圧力Ｐ
3 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、第二の開口部（流出口）側
の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で第一の
開口部１２からセル２内へ液晶を注入した。注入開始か
ら４時間後に、加圧槽１７内を約２分間かけて徐々に１
（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻し、温度を１℃／ｍｉｎの降
温速度で室温まで下げた。
【００５５】次に、セルの注入口及び流出口に付着した
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
【００５６】注入状態を観察したところ、未注入領域は
存在せず注入状態は良好で、注入口（第一の開口部）側
と流出口（第二の開口部）側で液晶分子の配向状態に違
いはなかった。
存在せず注入状態は良好で、注入口（第一の開口部）側
と流出口（第二の開口部）側で液晶分子の配向状態に違
いはなかった。
【００５７】また、実施例１と同様に面内のセルギャッ
プの分布を評価したところ、２．６±０．０５μｍであ
りほぼ均一であった。更に、実施例１と同様にしきい値
特性を評価したところ、有効光学変調領域内で全面にム
ラはなかった。
プの分布を評価したところ、２．６±０．０５μｍであ
りほぼ均一であった。更に、実施例１と同様にしきい値
特性を評価したところ、有効光学変調領域内で全面にム
ラはなかった。
【００５８】なお、本実施例における液晶注入時には、
流出口（第二の開口部１３）から液晶が約３５ｍｍ3 流
出しており、この量はセル内容積の約１７％に相当す
る。
流出口（第二の開口部１３）から液晶が約３５ｍｍ3 流
出しており、この量はセル内容積の約１７％に相当す
る。
【００５９】（実施例３）本実施例においても、図５に
示したような平面構造であって、図１（Ｂ）に示す断面
構造のセル（空セル）を作製した。但し、実施例１にお
ける配向制御層１５ｂの代わりにポリイミド膜１５ａを
形成した。
示したような平面構造であって、図１（Ｂ）に示す断面
構造のセル（空セル）を作製した。但し、実施例１にお
ける配向制御層１５ｂの代わりにポリイミド膜１５ａを
形成した。
【００６０】ガラス基板１１ａと基板１１ｂの一方の主
面側に夫々ＩＴＯからなる透明電極１４ａ，１４ｂを１
００ｎｍの厚さにスパッタ法によって形成し、ホトリソ
法によってストライプ状にパターニングする。この上に
ポリイミド膜（東レ社製のＬＰ６４）をスピンコート法
によって形成する。なおこの膜は、ＬＰ６４のＮＭＰ／
ｎＢＣ＝２／１の０．７重量％溶液を２７００ｒｐｍで
スピンコートし、その後、８０℃で５分間前乾燥を行っ
た後、２００℃で１時間加熱焼成処理を施し形成した。
かかるポリイミド膜１５ａの膜厚は５ｎｍであった。
面側に夫々ＩＴＯからなる透明電極１４ａ，１４ｂを１
００ｎｍの厚さにスパッタ法によって形成し、ホトリソ
法によってストライプ状にパターニングする。この上に
ポリイミド膜（東レ社製のＬＰ６４）をスピンコート法
によって形成する。なおこの膜は、ＬＰ６４のＮＭＰ／
ｎＢＣ＝２／１の０．７重量％溶液を２７００ｒｐｍで
スピンコートし、その後、８０℃で５分間前乾燥を行っ
た後、２００℃で１時間加熱焼成処理を施し形成した。
かかるポリイミド膜１５ａの膜厚は５ｎｍであった。
【００６１】次に、ポリイミド膜をナイロン布で擦りポ
リイミド膜に一軸性配向処理を施した。その後、純水で
満たされた槽に基板を入れ、超音波をかけ３０分間洗浄
し、窒素ブローで水滴を飛ばした後、６０℃のオーブン
で３０分間乾燥した。
リイミド膜に一軸性配向処理を施した。その後、純水で
満たされた槽に基板を入れ、超音波をかけ３０分間洗浄
し、窒素ブローで水滴を飛ばした後、６０℃のオーブン
で３０分間乾燥した。
【００６２】そして、一方の基板に直径６μｍのシリカ
ビーズをエタノールに分散し、スピンコート散布した。
ビーズ密度は約３００個／ｍｍ2 とした。他方の基板に
は、エポキシ樹脂をディスペンサーによって図１に示す
ようにゲタ状にシール描画し、両基板をＩＴＯストライ
プが直交するように、そしてラビング方向がほぼ９０度
をなすように張り合せた。セルサイズは、３００ｍｍ×
２７０ｍｍである。尚、有効光学変調領域は、シール材
より各辺１５ｍｍづつ内側に入った領域内である。
ビーズをエタノールに分散し、スピンコート散布した。
ビーズ密度は約３００個／ｍｍ2 とした。他方の基板に
は、エポキシ樹脂をディスペンサーによって図１に示す
ようにゲタ状にシール描画し、両基板をＩＴＯストライ
プが直交するように、そしてラビング方向がほぼ９０度
をなすように張り合せた。セルサイズは、３００ｍｍ×
２７０ｍｍである。尚、有効光学変調領域は、シール材
より各辺１５ｍｍづつ内側に入った領域内である。
【００６３】尚、本実施例においても、実施例２と同様
にしてセルの注入口となる第一の開口部にＵＶ硬化性樹
脂を用いて土手７１を形成した（図５参照）。
にしてセルの注入口となる第一の開口部にＵＶ硬化性樹
脂を用いて土手７１を形成した（図５参照）。
【００６４】その後、脱泡済みの液晶（ＢＤＨ社製のＥ
７）をセルの注入口となる第一の開口部１２側の土手７
１に囲まれた内側の領域に垂らし、図６の様に加圧槽１
７内に第一の開口部１２と有効光学変調領域１６が封入
されるように設置した。この時、液晶７２が注入口（第
一の開口部１２）を塞ぐように、流出口（第二の開口部
１３）よりも第一の開口部１２が高くなるように傾け
た。加圧槽１７とセルの流出口側のパッキングにはシリ
コンゴムを用いた。
７）をセルの注入口となる第一の開口部１２側の土手７
１に囲まれた内側の領域に垂らし、図６の様に加圧槽１
７内に第一の開口部１２と有効光学変調領域１６が封入
されるように設置した。この時、液晶７２が注入口（第
一の開口部１２）を塞ぐように、流出口（第二の開口部
１３）よりも第一の開口部１２が高くなるように傾け
た。加圧槽１７とセルの流出口側のパッキングにはシリ
コンゴムを用いた。
【００６５】セルをセットした後、室温で加圧槽１７内
の圧力を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第一の
開口部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝有効光学変調領域の圧
力Ｐ3 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、第二の開口部（流出
口）側の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で
液晶を注入した。注入開始から７時間後に、加圧槽内を
約２分間かけて徐々に１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻し
た。
の圧力を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第一の
開口部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝有効光学変調領域の圧
力Ｐ3 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、第二の開口部（流出
口）側の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で
液晶を注入した。注入開始から７時間後に、加圧槽内を
約２分間かけて徐々に１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻し
た。
【００６６】次に、セルの注入口及び流出口に付着した
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
【００６７】注入状態を観察したところ、注入状態は良
好で、注入口側と流出口側で液晶分子の配向状態に違い
はなかった。
好で、注入口側と流出口側で液晶分子の配向状態に違い
はなかった。
【００６８】また、実施例１と同様に有効光学変調領域
内のセルギャップを測定したところ、基板間隔は６±
０．１μｍで面内均一であった。
内のセルギャップを測定したところ、基板間隔は６±
０．１μｍで面内均一であった。
【００６９】尚、本実施例における液晶注入時には、流
出口（第二の開口部１３）から液晶が約３０ｍｍ3 流出
しており、この量はセル内容積の約６％に相当する。
出口（第二の開口部１３）から液晶が約３０ｍｍ3 流出
しており、この量はセル内容積の約６％に相当する。
【００７０】（実施例４）実施例２と同様のセルを作製
した。但し、本実施例ではセル２を図７の様に第一の開
口部１２側のみを加圧槽１７内に封入し、これを恒温槽
（不図示）内に入れ、液晶が等方相（液体相）に転移す
る温度、９０℃に加熱し、転移後加圧槽１７内の圧力を
１．２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第一の開口
部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝１．２（ｋｇｆ／ｃｍ
2 ）、第二の開口部（流出口）側の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 ）、更に有効光学変調領域の加わる圧力を実
質的に流出口側と同様にした圧力条件で液晶の注入を行
った。注入開始から２０時間後に、加圧槽内を約２分間
かけて徐々に１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻し、温度を１
℃／ｍｉｎの降温速度で室温まで下げた。
した。但し、本実施例ではセル２を図７の様に第一の開
口部１２側のみを加圧槽１７内に封入し、これを恒温槽
（不図示）内に入れ、液晶が等方相（液体相）に転移す
る温度、９０℃に加熱し、転移後加圧槽１７内の圧力を
１．２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第一の開口
部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝１．２（ｋｇｆ／ｃｍ
2 ）、第二の開口部（流出口）側の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 ）、更に有効光学変調領域の加わる圧力を実
質的に流出口側と同様にした圧力条件で液晶の注入を行
った。注入開始から２０時間後に、加圧槽内を約２分間
かけて徐々に１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻し、温度を１
℃／ｍｉｎの降温速度で室温まで下げた。
【００７１】次に、セルの注入口及び流出口に付着した
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
【００７２】注入状態を観察したところ、注入状態は良
好で、注入口側と流出口側で液晶分子の配向状態に違い
はなかった。更に、実施例１と同様にしきい値特性を評
価したところ、有効光学変調領域内で全面にムラはなか
った。
好で、注入口側と流出口側で液晶分子の配向状態に違い
はなかった。更に、実施例１と同様にしきい値特性を評
価したところ、有効光学変調領域内で全面にムラはなか
った。
【００７３】なお、本実施例における液晶注入時には、
流出口（第二の開口部１３）から液晶が約４０ｍｍ3 流
出しており、この量はセル内容積の約１９％に相当す
る。
流出口（第二の開口部１３）から液晶が約４０ｍｍ3 流
出しており、この量はセル内容積の約１９％に相当す
る。
【００７４】（参考例１）実施例１と同様に図１に示す
ような構造のセル１（空セル）を作製した。このセルの
注入口となる第一の開口部１２を実施例１と同様に液晶
皿中に充填された脱泡済みの液晶（実施例１と同様の材
料）に含浸し、図８のように加圧槽１７内に注入口１２
部分が封入されるようにセットした。注入口１２側と、
流出口となる第二の開口部１３・有効光学変調領域１６
側とを隔てるパッキングにはシリコンゴムを用いた。
ような構造のセル１（空セル）を作製した。このセルの
注入口となる第一の開口部１２を実施例１と同様に液晶
皿中に充填された脱泡済みの液晶（実施例１と同様の材
料）に含浸し、図８のように加圧槽１７内に注入口１２
部分が封入されるようにセットした。注入口１２側と、
流出口となる第二の開口部１３・有効光学変調領域１６
側とを隔てるパッキングにはシリコンゴムを用いた。
【００７５】セル１をセットした加圧槽１７を恒温槽
（不図示）内に入れ、液晶皿１８中の液晶１９が液体相
に転移する温度、９０℃に加熱し、相転移後、加圧槽１
７内の圧力を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第
一の開口部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ
2 ）、第二の開口部（流出口）側の圧力Ｐ2 ＝有効光学
変調領域にかかる圧力Ｐ3 ＝１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧
力条件で液晶の注入を行った。注入開始から６時間後
に、加圧槽１７内を約２分間かけて徐々に１（ｋｇｆ／
ｃｍ2 ）まで戻し、温度を１℃／ｍｉｎの降温速度で室
温まで下げた。
（不図示）内に入れ、液晶皿１８中の液晶１９が液体相
に転移する温度、９０℃に加熱し、相転移後、加圧槽１
７内の圧力を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第
一の開口部（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ
2 ）、第二の開口部（流出口）側の圧力Ｐ2 ＝有効光学
変調領域にかかる圧力Ｐ3 ＝１（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧
力条件で液晶の注入を行った。注入開始から６時間後
に、加圧槽１７内を約２分間かけて徐々に１（ｋｇｆ／
ｃｍ2 ）まで戻し、温度を１℃／ｍｉｎの降温速度で室
温まで下げた。
【００７６】次に、セルの注入口及び流出口に付着した
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、実施例１と同様に有効光学
変調領域内でのセルギャップを測定したところ、一対の
基板間隔は、セル中央部が３．０μｍであるのに対し、
流出口側は部分的に２．６μｍ程度と面内均一性が必ず
しも充分ではないことがあった。
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、実施例１と同様に有効光学
変調領域内でのセルギャップを測定したところ、一対の
基板間隔は、セル中央部が３．０μｍであるのに対し、
流出口側は部分的に２．６μｍ程度と面内均一性が必ず
しも充分ではないことがあった。
【００７７】（参考例２）実施例１に準じて図１（Ｂ）
に示す断面構造のセル（空セル）を作製した。ただし、
本例ではシール材パターン１０の形状を図９のように
し、開口部（１２’）を１つとして流出口となる開口部
は設けなかった。尚、開口部１２’の幅は２３０ｍｍと
した。
に示す断面構造のセル（空セル）を作製した。ただし、
本例ではシール材パターン１０の形状を図９のように
し、開口部（１２’）を１つとして流出口となる開口部
は設けなかった。尚、開口部１２’の幅は２３０ｍｍと
した。
【００７８】このセルに真空注入法により実施例１と同
じ液晶を注入した。具体的には、液晶を注入する前に真
空容器内でセルを１００℃に温め、１０-6ｔｏｒｒに減
圧して２４時間保った後、１０-2ｔｏｒｒにＮ2 でリー
クし、一度９０℃に加熱し脱泡した液晶を注入口となる
開口部１２’に含浸し、９０℃に加熱後、約２分間かけ
て徐々に大気圧に戻した。１０時間後に、温度を１℃／
ｍｉｎの降温速度で室温まで戻し、セルを取り出した。
じ液晶を注入した。具体的には、液晶を注入する前に真
空容器内でセルを１００℃に温め、１０-6ｔｏｒｒに減
圧して２４時間保った後、１０-2ｔｏｒｒにＮ2 でリー
クし、一度９０℃に加熱し脱泡した液晶を注入口となる
開口部１２’に含浸し、９０℃に加熱後、約２分間かけ
て徐々に大気圧に戻した。１０時間後に、温度を１℃／
ｍｉｎの降温速度で室温まで戻し、セルを取り出した。
【００７９】次に、セルの開口部１２’に付着した液晶
を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボンド、
ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬化剤
０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで開口部１
２’に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボンド、
ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬化剤
０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで開口部１
２’に塗布し封口した後、種々の評価を行った。
【００８０】注入状態を観察したところ、図１０に示す
ように注入口１２’と相対するシール１０際において配
向が他の部分と異なる領域が発生していた。この領域の
しきい値特性について評価したところ、他の領域より
１．５倍から２倍程度高く、その面積は全注入領域（セ
ル内領域）の約１０％であった。
ように注入口１２’と相対するシール１０際において配
向が他の部分と異なる領域が発生していた。この領域の
しきい値特性について評価したところ、他の領域より
１．５倍から２倍程度高く、その面積は全注入領域（セ
ル内領域）の約１０％であった。
【００８１】（参考例３）実施例１と同様に図１に示す
ような構造のセル１（空セル）を作製した。このセルの
注入口となる第一の開口部１２を実施例１と同様に液晶
皿中に充填された脱泡済みの液晶に含浸し、図２のよう
に加圧槽１７内にセットした。加圧槽１７とセルのパッ
キングにはシリコンゴムを用いた。
ような構造のセル１（空セル）を作製した。このセルの
注入口となる第一の開口部１２を実施例１と同様に液晶
皿中に充填された脱泡済みの液晶に含浸し、図２のよう
に加圧槽１７内にセットした。加圧槽１７とセルのパッ
キングにはシリコンゴムを用いた。
【００８２】セル１をセットした後、室温（液晶がカイ
ラルスメクチック相をとる温度）で加圧槽１７内の圧力
を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第一の開口部
（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、第二
の開口部（流出口）側の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇｆ／ｃｍ
2 ）の圧力条件で液晶の注入を行った。注入開始から４
時間後に、加圧槽１７内を約２分間かけて徐々に１（ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻した。
ラルスメクチック相をとる温度）で加圧槽１７内の圧力
を２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）にした。つまり、第一の開口部
（注入口）側の圧力Ｐ1 ＝２（ｋｇｆ／ｃｍ2 ）、第二
の開口部（流出口）側の圧力Ｐ2 ＝１（ｋｇｆ／ｃｍ
2 ）の圧力条件で液晶の注入を行った。注入開始から４
時間後に、加圧槽１７内を約２分間かけて徐々に１（ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 ）まで戻した。
【００８３】次に、セルの注入口及び流出口に付着した
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、注入状態を観察したとこ
ろ、液晶はほとんど注入されていなかった。
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、注入状態を観察したとこ
ろ、液晶はほとんど注入されていなかった。
【００８４】（実施例５〜１１及び参考例４〜７）実施
例１と同様の設計、同様の条件で、図１（Ａ）に示す平
面構造であり、且つ同図（Ｂ）に示す断面構造のセル１
（空セル）を作製した。
例１と同様の設計、同様の条件で、図１（Ａ）に示す平
面構造であり、且つ同図（Ｂ）に示す断面構造のセル１
（空セル）を作製した。
【００８５】続いて、実施例１で用いたものと同様の処
方の液晶組成物を液晶皿に盛り、一度８０℃に加熱し、
脱泡処理を行った。この脱泡済みの液晶に上記のように
作製したセル１の第一の開口部（注入口）を含浸せし
め、該セルを、図４に示す分割制御可能な加圧槽２１，
２２，２３にセットした。セルの各領域と加圧槽２１，
２２，２３はシリコンゴムを用いてパッキングした。こ
のようにセルをセットした加圧槽２１，２２，２３を治
具ごと恒温槽（不図示）に入れ、液晶が等方相（液体
相）に転移する温度、９０℃に加熱し、相転移後各加圧
槽での圧力（Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 ）を下記表１に示すよう
な種々の条件に設定し、第一の開口部からセル内に液晶
を充填させた。注入開始から４時間後、温度を１℃／ｍ
ｉｎの降温速度で室温まで下げた後、全ての加圧槽内を
約２分間かけて徐々に１ｋｇｆ／ｃｍ2 まで戻した。
方の液晶組成物を液晶皿に盛り、一度８０℃に加熱し、
脱泡処理を行った。この脱泡済みの液晶に上記のように
作製したセル１の第一の開口部（注入口）を含浸せし
め、該セルを、図４に示す分割制御可能な加圧槽２１，
２２，２３にセットした。セルの各領域と加圧槽２１，
２２，２３はシリコンゴムを用いてパッキングした。こ
のようにセルをセットした加圧槽２１，２２，２３を治
具ごと恒温槽（不図示）に入れ、液晶が等方相（液体
相）に転移する温度、９０℃に加熱し、相転移後各加圧
槽での圧力（Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 ）を下記表１に示すよう
な種々の条件に設定し、第一の開口部からセル内に液晶
を充填させた。注入開始から４時間後、温度を１℃／ｍ
ｉｎの降温速度で室温まで下げた後、全ての加圧槽内を
約２分間かけて徐々に１ｋｇｆ／ｃｍ2 まで戻した。
【００８６】次に、セルの注入口及び流出口に付着した
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、各セルについて実施例１と
同様に有効光学変調領域内のセルギャップの測定を行
い、液晶の注入状態を観察した。その結果を第二の開口
部から流出した液晶量とともに下記表１に併記する。
液晶を乾拭きした後、２液性の接着剤（ストラクトボン
ド、ＥＷ−４６０ＮＦ、三井東圧化学製）を主剤２：硬
化剤０．８４の比率で調合し、ディスペンサーで２つの
開口部に塗布し封口した後、各セルについて実施例１と
同様に有効光学変調領域内のセルギャップの測定を行
い、液晶の注入状態を観察した。その結果を第二の開口
部から流出した液晶量とともに下記表１に併記する。
【００８７】表１に示す結果より明らかなように、空セ
ルに対し注入口と流出口との差圧をもって液晶を充填す
る際には、特にセルの有効光学変調領域に対する圧力Ｐ
3 と、注入口にかかる圧力Ｐ1 の関係を、−１ｋｇｆ／
ｃｍ2 ≦Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 、特に−
０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 ≦Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．３ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、とすることが液晶のより有効な充填を実現する上
で好ましい。
ルに対し注入口と流出口との差圧をもって液晶を充填す
る際には、特にセルの有効光学変調領域に対する圧力Ｐ
3 と、注入口にかかる圧力Ｐ1 の関係を、−１ｋｇｆ／
ｃｍ2 ≦Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 、特に−
０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 ≦Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．３ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 、とすることが液晶のより有効な充填を実現する上
で好ましい。
【００８８】
【表１】
【００８９】（注入結果） ◎ ：有効光学変調領域内において、未充填領域が全く
なく、且つ有効光学変調領域でセルギャップの最大値と
最小値の差が０．２μｍ以下○ ：有効光学変調領域内
において、未充填領域が全くなく、且つ有効光学変調領
域でセルギャップの最大値と最小値の差が０．２μｍを
超え０．４μｍ以下 ×１：有効光学変調領域内において液晶未充填領域があ
るもの ×２：有効光学変調領域内においてセルギャップの最大
値と最小値との差が０．４μｍを超えるもの
なく、且つ有効光学変調領域でセルギャップの最大値と
最小値の差が０．２μｍ以下○ ：有効光学変調領域内
において、未充填領域が全くなく、且つ有効光学変調領
域でセルギャップの最大値と最小値の差が０．２μｍを
超え０．４μｍ以下 ×１：有効光学変調領域内において液晶未充填領域があ
るもの ×２：有効光学変調領域内においてセルギャップの最大
値と最小値との差が０．４μｍを超えるもの
【００９０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の効果を奏する。 （１）セル内への液晶注入及びセル外への流出を所定時
間連続的に行う為、セル内に不純物が残留している場合
であっても、当該不純物で汚染された液晶を排出するこ
とができ、液晶汚染による表示品位の劣化を防止するこ
とができる。 （２）液晶注入時において、加熱によって液晶の粘度を
下げた状態で液晶注入を行うことで、粘性の高い液晶材
料、例えばスメクチック液晶をも短時間で注入すること
ができる。またこの場合、液晶材料が最も蒸発しやすい
液体相まで加熱されていても、当該液晶材料は減圧状態
に曝されないため、蒸気圧の高い液晶材料、特にフッ素
含有率が高い液晶材料であっても蒸発は改善され、これ
による液晶材料の変質も防止される。 （３）セル内の真空引きを必要とせず、かつ、注入口と
流出口との圧力差を利用するため、注入工程に要する時
間を短縮できると共に、注入速度を制御することもでき
る。 （４）パネル面内での液晶分子の配向状態を均一にで
き、有効光学変調領域内全面でしきい値特性にむらの無
い高品位な液晶素子が得られる。 （５）注入口部にかかる圧力Ｐ1 と有効光学変調領域に
かかる圧力Ｐ3 を近い値に設定した場合には、液晶の加
熱を最小限に、液晶材料によっては実質的に加熱を要す
ることなく注入することもできる。また、Ｐ1 ＜Ｐ3 の
場合には、セルギャップの均一化がより好ましく実現さ
れ、Ｐ1 ＞Ｐ3 の場合には、セル内に空隙が生じる問題
をより好ましく防止される。
下の効果を奏する。 （１）セル内への液晶注入及びセル外への流出を所定時
間連続的に行う為、セル内に不純物が残留している場合
であっても、当該不純物で汚染された液晶を排出するこ
とができ、液晶汚染による表示品位の劣化を防止するこ
とができる。 （２）液晶注入時において、加熱によって液晶の粘度を
下げた状態で液晶注入を行うことで、粘性の高い液晶材
料、例えばスメクチック液晶をも短時間で注入すること
ができる。またこの場合、液晶材料が最も蒸発しやすい
液体相まで加熱されていても、当該液晶材料は減圧状態
に曝されないため、蒸気圧の高い液晶材料、特にフッ素
含有率が高い液晶材料であっても蒸発は改善され、これ
による液晶材料の変質も防止される。 （３）セル内の真空引きを必要とせず、かつ、注入口と
流出口との圧力差を利用するため、注入工程に要する時
間を短縮できると共に、注入速度を制御することもでき
る。 （４）パネル面内での液晶分子の配向状態を均一にで
き、有効光学変調領域内全面でしきい値特性にむらの無
い高品位な液晶素子が得られる。 （５）注入口部にかかる圧力Ｐ1 と有効光学変調領域に
かかる圧力Ｐ3 を近い値に設定した場合には、液晶の加
熱を最小限に、液晶材料によっては実質的に加熱を要す
ることなく注入することもできる。また、Ｐ1 ＜Ｐ3 の
場合には、セルギャップの均一化がより好ましく実現さ
れ、Ｐ1 ＞Ｐ3 の場合には、セル内に空隙が生じる問題
をより好ましく防止される。
【図１】本発明の方法で作製するセル（空セル）の構造
の一例を示す平面図及び断面図である。
の一例を示す平面図及び断面図である。
【図２】本発明における液晶充填工程の一例を説明する
ための模式図である。
ための模式図である。
【図３】本発明で空セルに形成する第一及び第二の開口
部のパターンの例を示す図である。
部のパターンの例を示す図である。
【図４】本発明における液晶充填工程の他の例を説明す
るための模式図である。
るための模式図である。
【図５】本発明の方法で作製するセル（空セル）の構造
の他の例を示す平面図である。
の他の例を示す平面図である。
【図６】本発明における液晶充填工程の更に他の例を説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
【図７】本発明における液晶充填工程の更に他の例を説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
【図８】本発明における液晶充填工程の更に他の例を説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
【図９】参考例で作製するセル（空セル）の構造の示す
平面図である。
平面図である。
【図１０】参考例で作製するセル（空セル）を用いた場
合における液晶注入状態を説明するための模式図であ
る。
合における液晶注入状態を説明するための模式図であ
る。
【図１１】実施例において液晶素子のしきい値特性を測
定する際に用いた駆動波形を示す図である。
定する際に用いた駆動波形を示す図である。
１，２，２’ セル（空セル） １０ シール材パターン １１ａ，１１ｂ ガラス基板 １２ 第一の開口部（注入口） １３ 第二の開口部（流出口） １４ａ，１４ｂ 透明電極 １５ａ 配向制御層 １５ｂ 配向制御層 １６ 有効光学変調領域 １７ 加圧槽 １８ 液晶皿 １９ 液晶 ２１，２２，２３ 加圧槽 ７１ 土手 ７２ 液晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−230091（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−82737（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−180457（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1341
Claims (16)
- 【請求項１】 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の開
口部と、第二の開口部を有するセルを形成する工程と、 ｂ）該セル内に充填すべき液晶を加熱する工程と、 ｃ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、加熱された液晶を第一の開口部から、所定
の時間、該セル内に注入し且つセル内を通過してきた液
晶を第二の開口部から排出させながら、セル内に前記液
晶を充填する工程と、を有し、 該工程ｃ）において、第一の開口部の圧力、第二の開口
部の圧力、セルの有効光学変調領域にかかる圧力を分割
して制御する ことを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 工程ｂ）において、液晶を液体相にまで
加熱する請求項１に記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項３】 液晶としてスメクチック中間相をもつ、
あるいは潜在的スメクチック中間相を持つ成分を含有す
る液晶組成物を用いる請求項１に記載の液晶素子の製造
方法。 - 【請求項４】 液晶としてカイラルスメクチック相を呈
する液晶を用いる請求項３に記載の液晶素子の製造方
法。 - 【請求項５】 液晶としてフルオロカーボン末端部分及
び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核によ
って結合され、スメクチック中間相又は潜在的スメクチ
ック中間相を持つフッ素含有液晶化合物を用いる請求項
３に記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項６】 工程ｃ）において、前記第一の開口部の
圧力をＰ1、前記第二の開口部の圧力をＰ2として、これ
らの関係を０．１ｋｇｆ／ｃｍ2≦Ｐ1−Ｐ2≦５．０ｋ
ｇｆ／ｃｍ2とする、請求項１に記載の液晶素子の製造
方法。 - 【請求項７】 工程ｃ）において、前記第一の開口部の
圧力をＰ1、前記第二の開口部の圧力をＰ2として、これ
らの関係を０．３ｋｇｆ／ｃｍ2≦Ｐ1−Ｐ2≦２．５ｋ
ｇｆ／ｃｍ2とする、請求項１に記載の液晶素子の製造
方法。 - 【請求項８】 工程ｃ）において、前記第一の開口部の
圧力をＰ1、前記第二の開口部の圧力Ｐ2、前記セルの有
効光学変調領域にかかる圧力をＰ3として、これらの関
係をＰ1＞Ｐ2であり、且つ−１ｋｇｆ／ｃｍ2≦Ｐ1−Ｐ
3≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2とする、請求項１に記載の液晶
素子の製造方法。 - 【請求項９】 工程ｃ）において、前記第一の開口部の
圧力をＰ1、前記第二の開口部の圧力Ｐ2、前記セルの有
効光学変調領域にかかる圧力をＰ3として、これらの関
係をＰ1＞Ｐ2であり、且つ−０．５ｋｇｆ／ｃｍ2≦Ｐ1
−Ｐ3≦０．３ｋｇｆ／ｃｍ2とする、請求項１に記載の
液晶素子の製造方法。 - 【請求項１０】 工程ｃ）において、液晶をセル容積の
１０％以上排出させる請求項１に記載の液晶素子の製造
方法。 - 【請求項１１】 工程ｃ）において、液晶をセル容積の
５％以上排出させる請求項１に記載の液晶素子の製造方
法。 - 【請求項１２】 前記セルが四辺形状であり、該セルに
おける第一の開口部及び第二の開口部が、四辺形の対辺
に存在する請求項１に記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記セルが四辺形状であり、該セルに
おける第一の開口部及び第二の開口部の少なくとも一方
が、四辺形の一辺の実質的に全幅に亘る請求項１に記載
の液晶素子の製造方法。 - 【請求項１４】 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の
開口部と、第二の開口部を有するセルを形成する工程
と、 ｂ）該セル内に充填すべき液晶を加熱する工程と、 ｃ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、加熱された液晶を第一の開口部から、所定
の時間、該セル内に注入し且つセル内を通過してきた液
晶を第二の開口部から排出させながら、セル内に前記液
晶を充填する工程と、を有し、 該工程ｃ）において、第一の開口部の圧力をＰ 1 、第二
の開口部の圧力Ｐ 2 、セルの有効光学変調領域にかかる
圧力をＰ 3 として、これらの関係をＰ 1 ＞Ｐ 2 であり、且
つ−１ｋｇｆ／ｃｍ 2 ≦Ｐ 1 −Ｐ 3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ 2
とする、ことを特 徴とする 液晶素子の製造方法。 - 【請求項１５】 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の
開口部と、第二の開口部を有するセルを形成する工程
と、 ｂ）該セル内に充填すべき液晶を加熱する工程と、 ｃ） 該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、加熱された液晶を第一の開口部から、所定
の時間、該セル内に注入し且つセル内を通過してきた液
晶を第二の開口部から排出させながら、セル内に前記液
晶を充填する工程と、を有し、 該工程ｃ）において、第一の開口部の圧力をＰ1、第二
の開口部の圧力Ｐ2、セルの有効光学変調領域にかかる
圧力をＰ3として、これらの関係をＰ1＞Ｐ2であり、且
つ−０．５ｋｇｆ／ｃｍ2≦Ｐ1−Ｐ3≦０．３ｋｇｆ／
ｃｍ2とする、ことを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項１６】 ａ）一対の基板を対向配置し、第一の
開口部と、第二の開口部を有するセルを形成する工程
と、 ｂ）該セルにおける第一の開口部及び第二の開口部に圧
力差を設け、液晶を第一の開口部から、所定の時間、該
セル内に注入し且つセル内を通過してきた液晶を第二の
開口部から排出させながら、セル内に前記液晶を充填す
る工程と、を有し、 該工程ｂ）において、第一の開口部の圧力をＰ 1 、第二
の開口部の圧力Ｐ 2 、セルの有効光学変調領域にかかる
圧力をＰ 3 として、これらの関係をＰ 1 ＞Ｐ 2 であり、且
つ−１ｋｇｆ／ｃｍ 2 ≦Ｐ 1 −Ｐ 3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ 2
とする、ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34756696A JP3168405B2 (ja) | 1995-12-27 | 1996-12-26 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-351299 | 1995-12-27 | ||
| JP7-351298 | 1995-12-27 | ||
| JP35129995 | 1995-12-27 | ||
| JP35129895 | 1995-12-27 | ||
| JP34756696A JP3168405B2 (ja) | 1995-12-27 | 1996-12-26 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09236810A JPH09236810A (ja) | 1997-09-09 |
| JP3168405B2 true JP3168405B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=27341253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34756696A Expired - Fee Related JP3168405B2 (ja) | 1995-12-27 | 1996-12-26 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3168405B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2811214C1 (ru) * | 2023-06-16 | 2024-01-11 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Способ дистанционного управления оптоструйной системой |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11295746A (ja) | 1998-02-16 | 1999-10-29 | Sharp Corp | 液晶素子の製造方法、液晶注入装置および液晶注入システム |
| JP3669363B2 (ja) | 2003-03-06 | 2005-07-06 | ソニー株式会社 | エレクトロデポジション型表示パネルの製造方法、並びにエレクトロデポジション型表示パネルおよびエレクトロデポジション型表示装置 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34756696A patent/JP3168405B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2811214C1 (ru) * | 2023-06-16 | 2024-01-11 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Способ дистанционного управления оптоструйной системой |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09236810A (ja) | 1997-09-09 |
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