JPH10197884A - 液晶素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶素子及びその製造方法Info
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- JPH10197884A JPH10197884A JP35680496A JP35680496A JPH10197884A JP H10197884 A JPH10197884 A JP H10197884A JP 35680496 A JP35680496 A JP 35680496A JP 35680496 A JP35680496 A JP 35680496A JP H10197884 A JPH10197884 A JP H10197884A
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- cell
- pressure
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- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶セルへの液晶の充填工程において、液晶
の注入不良やセルギャップの不均一を防止し、これらに
起因する配向不良や不均一な閾値特性のない液晶素子を
提供する。 【解決手段】 液晶セル１に、第一の開口部３と第二開
口部４を設け、第一の開口部３の圧力Ｐ1 、第二の開口
部４の圧力Ｐ2 、及び表示領域の圧力Ｐ3 を、それぞれ
Ｐ1 ＞Ｐ2 及びＰ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 とな
るように個々に制御し、第一の開口部３と第二の開口部
４との圧力差を利用して、セル１内に第一の開口部３よ
り液晶１０を注入し、第二の開口部４より不純物により
汚染された液晶を流出させ、引き続き、Ｐ1 ＝Ｐ2 で且
つ、０＜Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 とすること
により、セル１内の圧力差によるセルギャップを解消す
る。
の注入不良やセルギャップの不均一を防止し、これらに
起因する配向不良や不均一な閾値特性のない液晶素子を
提供する。 【解決手段】 液晶セル１に、第一の開口部３と第二開
口部４を設け、第一の開口部３の圧力Ｐ1 、第二の開口
部４の圧力Ｐ2 、及び表示領域の圧力Ｐ3 を、それぞれ
Ｐ1 ＞Ｐ2 及びＰ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 とな
るように個々に制御し、第一の開口部３と第二の開口部
４との圧力差を利用して、セル１内に第一の開口部３よ
り液晶１０を注入し、第二の開口部４より不純物により
汚染された液晶を流出させ、引き続き、Ｐ1 ＝Ｐ2 で且
つ、０＜Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 とすること
により、セル１内の圧力差によるセルギャップを解消す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの端
末ディスプレイ、各種フラットパネルディスプレイ等に
用いられる液晶素子の製造方法及び該方法によって製造
される液晶素子に関し、特に液晶素子の製造における液
晶注入技術に関する。
末ディスプレイ、各種フラットパネルディスプレイ等に
用いられる液晶素子の製造方法及び該方法によって製造
される液晶素子に関し、特に液晶素子の製造における液
晶注入技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶素子の製造において、液晶材料をセ
ル内（一般的には一対の基板を所定のシール材パターン
を介して対向して形成されたセルにおける該シール材に
囲まれた領域）へ充填する方法として、真空注入法と呼
ばれる方法が多く用いられている。この真空注入法は、
空セル内を真空にした後、該セルを液晶材料に含浸さ
せ、次に真空を破り液晶材料に大気圧を加えることによ
ってセル内へ液晶を注入する方法である。
ル内（一般的には一対の基板を所定のシール材パターン
を介して対向して形成されたセルにおける該シール材に
囲まれた領域）へ充填する方法として、真空注入法と呼
ばれる方法が多く用いられている。この真空注入法は、
空セル内を真空にした後、該セルを液晶材料に含浸さ
せ、次に真空を破り液晶材料に大気圧を加えることによ
ってセル内へ液晶を注入する方法である。
【０００３】上記真空注入法の他には、毛管現象を用い
た注入法（特開昭６１−１３２９２８号公報）、加圧に
よる注入法（特開平６−８２７３７号公報）等が知られ
ている。
た注入法（特開昭６１−１３２９２８号公報）、加圧に
よる注入法（特開平６−８２７３７号公報）等が知られ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記真
空注入法では、液晶材料が真空に曝されるため蒸発しや
すく、その変質が問題となることがある。特に、蒸気圧
が高い特性をもつ液晶材料、例えばフッ素を含有する材
料を成分とする液晶を注入する場合は、大きな問題であ
った。また、真空注入法では、液晶注入前にセル内に残
存する水分や細かい汚れ等の液晶に悪影響を及ぼす不純
物が、液晶注入時にセル内において注入口と対向するシ
ール内部の壁面へ押しやられ、その領域近傍の表示特性
が他の領域とは異なってしまう問題があった。さらに
は、セル内を真空にするため減圧工程を必要とするた
め、液晶注入に要する時間が長いという問題があった。
空注入法では、液晶材料が真空に曝されるため蒸発しや
すく、その変質が問題となることがある。特に、蒸気圧
が高い特性をもつ液晶材料、例えばフッ素を含有する材
料を成分とする液晶を注入する場合は、大きな問題であ
った。また、真空注入法では、液晶注入前にセル内に残
存する水分や細かい汚れ等の液晶に悪影響を及ぼす不純
物が、液晶注入時にセル内において注入口と対向するシ
ール内部の壁面へ押しやられ、その領域近傍の表示特性
が他の領域とは異なってしまう問題があった。さらに
は、セル内を真空にするため減圧工程を必要とするた
め、液晶注入に要する時間が長いという問題があった。
【０００５】また、前記の毛管現象を用いた注入法は、
減圧工程を必要としないものの、やはり液晶注入に要す
る時間が長いという問題があった。
減圧工程を必要としないものの、やはり液晶注入に要す
る時間が長いという問題があった。
【０００６】また、前記の加圧による注入法は、液晶槽
に空セルの注入口を含浸し、加圧のみによって注入する
方法である。このため、注入過程において空セル中央付
近の領域、具体的には液晶素子を光学変調素子とした場
合の有効光学変調領域の内圧が、セル周囲の圧力よりも
高くなることがあり、過度に液晶がセルに注入されギャ
ップ不良が発生しやすいという問題があった。
に空セルの注入口を含浸し、加圧のみによって注入する
方法である。このため、注入過程において空セル中央付
近の領域、具体的には液晶素子を光学変調素子とした場
合の有効光学変調領域の内圧が、セル周囲の圧力よりも
高くなることがあり、過度に液晶がセルに注入されギャ
ップ不良が発生しやすいという問題があった。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑み、液晶注入時
の液晶材料の蒸発による変質防止、セル内の不純物の液
晶材料への混入による表示特性の劣化防止を図ると共
に、セルギャップの不良を生じさせずに液晶を短時間で
注入し得る液晶素子の製造方法、更には表示品位の劣化
のない液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
の液晶材料の蒸発による変質防止、セル内の不純物の液
晶材料への混入による表示特性の劣化防止を図ると共
に、セルギャップの不良を生じさせずに液晶を短時間で
注入し得る液晶素子の製造方法、更には表示品位の劣化
のない液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく成
された本発明の構成は以下の通りである。
された本発明の構成は以下の通りである。
【０００９】即ち、本発明の第一は、一対の基板を対向
配置し、相対する第一の開口部と第二の開口部を設けて
シール材により貼り合わせてなるセル内に、上記第一の
開口部から液晶を注入し、該セル内を通過した余剰の液
晶を第二の開口部から流出させて該セルに液晶を充填す
る工程を有し、当該工程において、第一の開口部の圧力
をＰ1 、セルの有効光学変調領域の圧力をＰ3 、第二の
開口部の圧力をＰ2 とした時、 （ａ）Ｐ1 ＞Ｐ2 ≧大気圧、で且つ、Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．
５ｋｇｆ／ｃｍ2 で第一の開口部より液晶をセル内に注
入する期間と、 （ｂ）Ｐ1 ＝Ｐ2 ＞大気圧、で且つ、０＜Ｐ1 −Ｐ3 ≦
０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 で各圧力を制御する期間とを有す
ることを特徴とする液晶素子の製造方法であり、本発明
の第二は、当該製造方法により製造したことを特徴とす
る液晶素子である。
配置し、相対する第一の開口部と第二の開口部を設けて
シール材により貼り合わせてなるセル内に、上記第一の
開口部から液晶を注入し、該セル内を通過した余剰の液
晶を第二の開口部から流出させて該セルに液晶を充填す
る工程を有し、当該工程において、第一の開口部の圧力
をＰ1 、セルの有効光学変調領域の圧力をＰ3 、第二の
開口部の圧力をＰ2 とした時、 （ａ）Ｐ1 ＞Ｐ2 ≧大気圧、で且つ、Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．
５ｋｇｆ／ｃｍ2 で第一の開口部より液晶をセル内に注
入する期間と、 （ｂ）Ｐ1 ＝Ｐ2 ＞大気圧、で且つ、０＜Ｐ1 −Ｐ3 ≦
０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 で各圧力を制御する期間とを有す
ることを特徴とする液晶素子の製造方法であり、本発明
の第二は、当該製造方法により製造したことを特徴とす
る液晶素子である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の液晶素子の製造方法は、
一対の基板を対向配置し、第一及び第二の２つの開口部
を設けてシール材により貼り合わせてなるセル（空セ
ル）に液晶を充填する工程において、上記開口部及び有
効光学変調領域のそれぞれの圧力を制御しながら、一方
の開口部から液晶を注入し、他方の開口部から液晶を流
出させてセル内への液晶充填を完了させるものである。
一対の基板を対向配置し、第一及び第二の２つの開口部
を設けてシール材により貼り合わせてなるセル（空セ
ル）に液晶を充填する工程において、上記開口部及び有
効光学変調領域のそれぞれの圧力を制御しながら、一方
の開口部から液晶を注入し、他方の開口部から液晶を流
出させてセル内への液晶充填を完了させるものである。
【００１１】以下、図面を参照して、上記液晶素子の製
造方法の態様について詳細に説明する。
造方法の態様について詳細に説明する。
【００１２】図１（ａ）は本発明の一実施態様を示す縦
断面図であり、（ｂ）はそのＡ−Ａ’部分でのセル横断
面図である。図中１はセル（空セル）で、一対の基板１
１ａ及び１１ｂを所定形状のシール材パターン２を介し
て対向し接着せしめて形成する。かかるセル１において
は、シール材パターン２により、２つの開口部が形成さ
れており、一方を液晶の充填工程において液晶を注入す
るための第一の開口部３、他方をセル内の余剰の液晶を
流出するための第二の開口部４とする。基板１１ａ及び
１１ｂの夫々には、液晶に対して電界を付与するための
電極１２ａ及び１２ｂ、さらに必要に応じてセル内に充
填される液晶の配向状態を制御する配向制御層１３ａ及
び１３ｂが設けられている。１４は液晶が充填される空
隙である。
断面図であり、（ｂ）はそのＡ−Ａ’部分でのセル横断
面図である。図中１はセル（空セル）で、一対の基板１
１ａ及び１１ｂを所定形状のシール材パターン２を介し
て対向し接着せしめて形成する。かかるセル１において
は、シール材パターン２により、２つの開口部が形成さ
れており、一方を液晶の充填工程において液晶を注入す
るための第一の開口部３、他方をセル内の余剰の液晶を
流出するための第二の開口部４とする。基板１１ａ及び
１１ｂの夫々には、液晶に対して電界を付与するための
電極１２ａ及び１２ｂ、さらに必要に応じてセル内に充
填される液晶の配向状態を制御する配向制御層１３ａ及
び１３ｂが設けられている。１４は液晶が充填される空
隙である。
【００１３】また、一対の基板１１ａ，１１ｂ及びシー
ル材パターン２に囲まれたセル内において、電極１２ａ
及び１２ｂによって電圧を印加される領域５が、最終的
に得られる液晶素子における液晶による光学変調を行う
有効光学変調領域、特に素子が表示素子に適用される場
合では表示領域に相当する。以下、表示領域と記す。
ル材パターン２に囲まれたセル内において、電極１２ａ
及び１２ｂによって電圧を印加される領域５が、最終的
に得られる液晶素子における液晶による光学変調を行う
有効光学変調領域、特に素子が表示素子に適用される場
合では表示領域に相当する。以下、表示領域と記す。
【００１４】本発明においては、セル１の第一の開口部
３、第二の開口部４、表示領域５の圧力をそれぞれ独立
して制御できる加圧槽７〜９に設置し、この状態で第一
の開口部３を液晶１０で満たされている液晶皿６に浸漬
し、加圧槽７、８、９のそれぞれの圧力Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ
3 を所定の値に設定し、差圧を利用してセル１内に液晶
１０を注入する。上記液晶１０は通常加熱して粘性を低
くしておく。本発明においては、先ずＰ1 ＞Ｐ2 ≧大気
圧、で且つ、Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件
に設定する［（ａ）期間］。これにより、液晶１０は、
第一の開口部３にかかる圧力Ｐ1 と第二の開口部４にか
かる圧力Ｐ2 との差圧により、表面張力による速度より
も速くセル内に注入される。この時、表示領域５にかか
る圧力Ｐ3 とＰ1 との差圧が０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 以下
に制御されているため、Ｐ1 とＰ 2 の差圧をいくら大き
くしても、セルの損傷（例えば破裂等）が生じ難い。好
ましくは、Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 である。
当該加圧を、液晶１０がセル１内に充満した後も続ける
ことによって、余剰の液晶を第二の開口部４から押し出
すことができる。即ち、セル内の不純物を含んで汚染さ
れた液晶を第二の開口部４から流出させることができ
る。
３、第二の開口部４、表示領域５の圧力をそれぞれ独立
して制御できる加圧槽７〜９に設置し、この状態で第一
の開口部３を液晶１０で満たされている液晶皿６に浸漬
し、加圧槽７、８、９のそれぞれの圧力Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ
3 を所定の値に設定し、差圧を利用してセル１内に液晶
１０を注入する。上記液晶１０は通常加熱して粘性を低
くしておく。本発明においては、先ずＰ1 ＞Ｐ2 ≧大気
圧、で且つ、Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件
に設定する［（ａ）期間］。これにより、液晶１０は、
第一の開口部３にかかる圧力Ｐ1 と第二の開口部４にか
かる圧力Ｐ2 との差圧により、表面張力による速度より
も速くセル内に注入される。この時、表示領域５にかか
る圧力Ｐ3 とＰ1 との差圧が０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 以下
に制御されているため、Ｐ1 とＰ 2 の差圧をいくら大き
くしても、セルの損傷（例えば破裂等）が生じ難い。好
ましくは、Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 である。
当該加圧を、液晶１０がセル１内に充満した後も続ける
ことによって、余剰の液晶を第二の開口部４から押し出
すことができる。即ち、セル内の不純物を含んで汚染さ
れた液晶を第二の開口部４から流出させることができ
る。
【００１５】尚、上述したような第二の開口部４から流
出させる余剰の液晶の量を、少なくともセル容量の５％
以上とすることが好ましい。より好ましくはセル容量の
１０％以上、特に好ましくは１５％以上の範囲で設定す
る。
出させる余剰の液晶の量を、少なくともセル容量の５％
以上とすることが好ましい。より好ましくはセル容量の
１０％以上、特に好ましくは１５％以上の範囲で設定す
る。
【００１６】次に、Ｐ1 ＝Ｐ2 ＞大気圧、で且つ、０＜
Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2で各圧力を制御する
［（ｂ）期間］。この状態でしばらく放置することによ
り、上記（ａ）期間において液晶がセル１に充満した時
点では図２に示すようにセル内部に生じていた圧力分布
が、図３に示すように均一になる。セルギャップ（上下
基板間の間隙）の分布はおおむねこの圧力分布に一致す
るため、この操作により、セルギャップの均一化を図る
ことができる。また、表示領域５の圧力Ｐ3 をＰ1 、Ｐ
2 よりも若干低くしておくことにより、この後の冷却工
程における液晶の体積収縮によって生じる諸問題を解決
することができる。但し、Ｐ3 とＰ1 及びＰ2 との圧力
差が大きすぎるとセルの破裂が発生する可能性も考えら
れるため、当該圧力差は０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 以下とす
る。好ましくは、０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 以下にとどめ
る。
Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．５ｋｇｆ／ｃｍ2で各圧力を制御する
［（ｂ）期間］。この状態でしばらく放置することによ
り、上記（ａ）期間において液晶がセル１に充満した時
点では図２に示すようにセル内部に生じていた圧力分布
が、図３に示すように均一になる。セルギャップ（上下
基板間の間隙）の分布はおおむねこの圧力分布に一致す
るため、この操作により、セルギャップの均一化を図る
ことができる。また、表示領域５の圧力Ｐ3 をＰ1 、Ｐ
2 よりも若干低くしておくことにより、この後の冷却工
程における液晶の体積収縮によって生じる諸問題を解決
することができる。但し、Ｐ3 とＰ1 及びＰ2 との圧力
差が大きすぎるとセルの破裂が発生する可能性も考えら
れるため、当該圧力差は０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 以下とす
る。好ましくは、０．３ｋｇｆ／ｃｍ2 以下にとどめ
る。
【００１７】本発明においては、上記セル１の液晶充填
工程の次工程として、当該セル１を大気圧に戻し、充填
工程において液晶を加熱した場合には冷却する。冷却を
必要とする場合には、先ず上記液晶を充填したセル１を
冷却して液晶の粘性が高まった後に、Ｐ1 〜Ｐ3 を大気
圧に戻すことが一つの手段として採用される。これは、
Ｐ1 〜Ｐ3 を大気圧に戻した瞬間に、Ｐ1 〜Ｐ3 と大気
圧との圧力差によりセル１内部に圧力分布が生じ、液晶
の移動が始まることがあるためであり、従って、この液
晶の移動があまり起きないうちに速やかに冷却を行う条
件に設定し、Ｐ 1 〜Ｐ3 を大気圧にもどした後に冷却を
行うこともできる。
工程の次工程として、当該セル１を大気圧に戻し、充填
工程において液晶を加熱した場合には冷却する。冷却を
必要とする場合には、先ず上記液晶を充填したセル１を
冷却して液晶の粘性が高まった後に、Ｐ1 〜Ｐ3 を大気
圧に戻すことが一つの手段として採用される。これは、
Ｐ1 〜Ｐ3 を大気圧に戻した瞬間に、Ｐ1 〜Ｐ3 と大気
圧との圧力差によりセル１内部に圧力分布が生じ、液晶
の移動が始まることがあるためであり、従って、この液
晶の移動があまり起きないうちに速やかに冷却を行う条
件に設定し、Ｐ 1 〜Ｐ3 を大気圧にもどした後に冷却を
行うこともできる。
【００１８】冷却し大気圧に戻したセル１の第一の開口
部３と第二の開口部４に付着した余分な液晶を、例え
ば、布によりふき取るか、或いは必要に応じてアセトン
やケトン系（メチルエチルケトン等）等の溶剤にてふき
取ることにより除去した後、両開口部を封口材によって
封口し、液晶素子が得られる。
部３と第二の開口部４に付着した余分な液晶を、例え
ば、布によりふき取るか、或いは必要に応じてアセトン
やケトン系（メチルエチルケトン等）等の溶剤にてふき
取ることにより除去した後、両開口部を封口材によって
封口し、液晶素子が得られる。
【００１９】本発明において、セル１に形成される第一
及び第二の開口部の形状は、図１に示される形状に限定
されず、例えば、図４（ａ）〜（ｃ）に示すような形状
でも構わない。本発明においては、第一及び第二の開口
部は基板上で相対する位置に配置されていれば良い。
及び第二の開口部の形状は、図１に示される形状に限定
されず、例えば、図４（ａ）〜（ｃ）に示すような形状
でも構わない。本発明においては、第一及び第二の開口
部は基板上で相対する位置に配置されていれば良い。
【００２０】本発明では以上のような工程で液晶注入を
行うものであるため、以下のようなメリットがある。
行うものであるため、以下のようなメリットがある。
【００２１】第二の開口部より、セル内に過剰に注入
された液晶を押し出すため、セル内に不純物が残留して
いる場合であっても、当該不純物で汚染された液晶を排
出することができ、液晶汚染による表示品位の劣化を防
止することができる。
された液晶を押し出すため、セル内に不純物が残留して
いる場合であっても、当該不純物で汚染された液晶を排
出することができ、液晶汚染による表示品位の劣化を防
止することができる。
【００２２】液晶注入時において、加熱によって液晶
の粘度を下げた状態で液晶注入を行うことで、粘性の高
い液晶材料、例えばスメクチック液晶をも短時間で注入
することができる。またこの場合、液晶材料が最も蒸発
しやすい液体相まで加熱されていても、当該液晶材料は
減圧状態に曝されないため、蒸気圧の高い液晶材料、特
にフッ素含有率が高い液晶材料であっても蒸発は改善さ
れ、これによる液晶材料の変質も防止される。
の粘度を下げた状態で液晶注入を行うことで、粘性の高
い液晶材料、例えばスメクチック液晶をも短時間で注入
することができる。またこの場合、液晶材料が最も蒸発
しやすい液体相まで加熱されていても、当該液晶材料は
減圧状態に曝されないため、蒸気圧の高い液晶材料、特
にフッ素含有率が高い液晶材料であっても蒸発は改善さ
れ、これによる液晶材料の変質も防止される。
【００２３】セル内の真空引きを必要とせず、且つ、
注入口と流出口との圧力差を利用するため、注入工程に
要する時間を短縮できると共に、注入速度を制御するこ
ともできる。
注入口と流出口との圧力差を利用するため、注入工程に
要する時間を短縮できると共に、注入速度を制御するこ
ともできる。
【００２４】上述したように本発明の方法は、通常粘度
の高い液晶を注入する場合に好ましく、例えばスメクチ
ック中間相を持つ、あるいは潜在的スメクチック中間相
を持つものを含有する液晶組成物、特にカイラルスメク
チック液晶相を呈する液晶組成物を用いる場合に好適で
ある。
の高い液晶を注入する場合に好ましく、例えばスメクチ
ック中間相を持つ、あるいは潜在的スメクチック中間相
を持つものを含有する液晶組成物、特にカイラルスメク
チック液晶相を呈する液晶組成物を用いる場合に好適で
ある。
【００２５】また、上述したフッ素含有率が高い液晶材
料等の蒸気圧のより高い液晶材料を用いる場合に好適で
ある。特に蒸気圧の高い液晶材料として、フルオロカー
ボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部
分が中心核によって結合され、スメクチック中間相又は
潜在的スメクチック中間相を持つフッ素含有液晶化合物
を含有する液晶組成物を用いる場合に最も好適である。
料等の蒸気圧のより高い液晶材料を用いる場合に好適で
ある。特に蒸気圧の高い液晶材料として、フルオロカー
ボン末端部分及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部
分が中心核によって結合され、スメクチック中間相又は
潜在的スメクチック中間相を持つフッ素含有液晶化合物
を含有する液晶組成物を用いる場合に最も好適である。
【００２６】尚、ここで潜在的スメクチック中間相を持
つ化合物とは、それ自身でスメクチック中間相を示さな
くとも、スメクチック中間相を持つ化合物又は他の潜在
的スメクチック中間相を持つ化合物との混合物におい
て、適当な条件下でスメクチック中間相を発現する化合
物を言う。
つ化合物とは、それ自身でスメクチック中間相を示さな
くとも、スメクチック中間相を持つ化合物又は他の潜在
的スメクチック中間相を持つ化合物との混合物におい
て、適当な条件下でスメクチック中間相を発現する化合
物を言う。
【００２７】また、上記フッ素含有化合物における中心
核とは、少なくとも２つの芳香族環、複素芳香族環、脂
肪族環、置換芳香族環、置換複素芳香族環、置換脂肪族
環から選ばれ、これらの環は、互いに−ＣＯＯ−，−Ｃ
ＯＳ−，−ＨＣ＝Ｎ−，−ＣＯＳｅ−から選ばれる官能
基によって結合されていてもよい。これらの環は縮合し
ていても、縮合していなくてもよい。複素芳香環中のヘ
テロ原子はＮ，Ｏ又はＳから選ばれる少なくとも１つの
原子を含む。脂肪族環中に隣接していないメチレン基
は、Ｏによって置換されていてもよい。
核とは、少なくとも２つの芳香族環、複素芳香族環、脂
肪族環、置換芳香族環、置換複素芳香族環、置換脂肪族
環から選ばれ、これらの環は、互いに−ＣＯＯ−，−Ｃ
ＯＳ−，−ＨＣ＝Ｎ−，−ＣＯＳｅ−から選ばれる官能
基によって結合されていてもよい。これらの環は縮合し
ていても、縮合していなくてもよい。複素芳香環中のヘ
テロ原子はＮ，Ｏ又はＳから選ばれる少なくとも１つの
原子を含む。脂肪族環中に隣接していないメチレン基
は、Ｏによって置換されていてもよい。
【００２８】上記フッ素含有液晶化合物の具体例として
は、特開平２−１４２７５３、米国特許５，０８２，５
８７号、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５
０６３６８等に記載されている化合物が挙げられる。
は、特開平２−１４２７５３、米国特許５，０８２，５
８７号、国際公開ＷＯ９３／２２３９６、特表平７−５
０６３６８等に記載されている化合物が挙げられる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。
的に説明する。
【００３０】［実施例１］図１に示した構成のセルを作
製した。先ず、２枚のガラス基板のそれぞれ一方の主面
側にＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）からなる
透明電極を１００ｎｍの厚さにスパッタ法によって形成
し、フォトリソ法によってストライプ状にパターニング
した。次に、上記透明電極を形成した基板の一方の該電
極上に下記繰り返し単位を有する構造のポリイミド膜を
スピンコート法により形成する。
製した。先ず、２枚のガラス基板のそれぞれ一方の主面
側にＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）からなる
透明電極を１００ｎｍの厚さにスパッタ法によって形成
し、フォトリソ法によってストライプ状にパターニング
した。次に、上記透明電極を形成した基板の一方の該電
極上に下記繰り返し単位を有する構造のポリイミド膜を
スピンコート法により形成する。
【００３１】
【化１】
【００３２】尚、上記ポリイミド膜はその前駆体の０．
７重量％ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）溶液を２７０
０ｒｐｍで回転している上記ガラス基板の一方の透明電
極上に垂らし、そのまま２０秒間回転させ、その後、８
０℃で５分間前乾燥を行った後、２００℃で１時間加熱
焼成処理を施し、膜厚５ｎｍのポリイミド膜を形成し、
配向制御層とした。
７重量％ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）溶液を２７０
０ｒｐｍで回転している上記ガラス基板の一方の透明電
極上に垂らし、そのまま２０秒間回転させ、その後、８
０℃で５分間前乾燥を行った後、２００℃で１時間加熱
焼成処理を施し、膜厚５ｎｍのポリイミド膜を形成し、
配向制御層とした。
【００３３】また、他方の基板（ポリイミド膜を形成し
ていない側）を２０００ｒｐｍで回転させ、界面活性剤
ＯＤＳ−Ｅ［チッソ（株）製、オクタデシルエトキシシ
ラン］の０．５重量％エタノール溶液を該ガラス基板の
透明電極上に垂らし、そのまま２０秒間回転させ、その
後、８０℃で５分間前乾燥を行った後、１８０℃で１時
間加熱乾燥処理を施し、配向制御層を形成した。
ていない側）を２０００ｒｐｍで回転させ、界面活性剤
ＯＤＳ−Ｅ［チッソ（株）製、オクタデシルエトキシシ
ラン］の０．５重量％エタノール溶液を該ガラス基板の
透明電極上に垂らし、そのまま２０秒間回転させ、その
後、８０℃で５分間前乾燥を行った後、１８０℃で１時
間加熱乾燥処理を施し、配向制御層を形成した。
【００３４】上記ポリイミド膜をナイロン布でラビング
し、一軸配向性を持たせた。その後、純水で満たされた
槽にこの基板を入れ、超音波をかけて３０秒間洗浄し、
窒素ブローで水滴を飛ばした後、６０℃のオーブンで３
０分間乾燥した。この基板に直径２．６μｍのシリカビ
ーズを約３００個／ｍｍ2 及び接着微粒子［東レ（株）
製、商品名：トレパール］を約８０個／ｍｍ2 散布し
た。また、他方の基板にはディスペンサーによってエポ
キシ樹脂を図１に示したシール材パターン２のように描
画し、両基板を互いの透明電極が直交するように貼り合
わせた。その後、加熱プレス器によって、１ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 の加重を加えながら、１５０℃で１時間加熱してシ
ール材（エポキシ樹脂）及び接着微粒子を硬化させた。
このセルサイズは３００ｍｍ×２７０ｍｍである。尚、
有効光学変調領域はシール材より各辺１５ｍｍずつ内側
に入った領域とする。
し、一軸配向性を持たせた。その後、純水で満たされた
槽にこの基板を入れ、超音波をかけて３０秒間洗浄し、
窒素ブローで水滴を飛ばした後、６０℃のオーブンで３
０分間乾燥した。この基板に直径２．６μｍのシリカビ
ーズを約３００個／ｍｍ2 及び接着微粒子［東レ（株）
製、商品名：トレパール］を約８０個／ｍｍ2 散布し
た。また、他方の基板にはディスペンサーによってエポ
キシ樹脂を図１に示したシール材パターン２のように描
画し、両基板を互いの透明電極が直交するように貼り合
わせた。その後、加熱プレス器によって、１ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 の加重を加えながら、１５０℃で１時間加熱してシ
ール材（エポキシ樹脂）及び接着微粒子を硬化させた。
このセルサイズは３００ｍｍ×２７０ｍｍである。尚、
有効光学変調領域はシール材より各辺１５ｍｍずつ内側
に入った領域とする。
【００３５】本実施例に用いる液晶としては、下記の化
合物をＡ／Ｂ1 ／Ｂ2 ／Ｂ3 ／Ｃ＝８０／３／３／４／
５の重量比で混合して液晶組成物とした。該組成物の２
５℃での自発分極は２６ｎＣ／ｃｍ2 、チルト角は２７
°であり、液体−スメクチックＡ相転移温度は７５℃、
スメクチックＡ−カイラルスメクチックＣ相転移温度は
４５℃、カイラルスメクチックＣ−結晶相転移温度は０
℃であった。
合物をＡ／Ｂ1 ／Ｂ2 ／Ｂ3 ／Ｃ＝８０／３／３／４／
５の重量比で混合して液晶組成物とした。該組成物の２
５℃での自発分極は２６ｎＣ／ｃｍ2 、チルト角は２７
°であり、液体−スメクチックＡ相転移温度は７５℃、
スメクチックＡ−カイラルスメクチックＣ相転移温度は
４５℃、カイラルスメクチックＣ−結晶相転移温度は０
℃であった。
【００３６】尚、上記自発分極及びチルト角の測定方法
は以下の通りである。
は以下の通りである。
【００３７】［自発分極の測定方法］自発分極は、Ｋ．
ミヤサト他「三角波による強誘電性液晶の自発分極の直
接測定方法」（日本応用物理学会誌２２、１０号（６６
１）１９８３、”Ｄｉｒｅｃｔ Ｍｅｔｈｏｄ ｗｉｔ
ｈ Ｔｒｉａｎｇｕｌａｒ Ｗａｖｅｓ ｆｏｒ Ｍｅ
ａｓｕｒｉｎｇ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｐｏｌａｒ
ｉｚａｔｉｏｎ ｉｎＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”，ａｓ ｄｅｓｃｒｉｂ
ｅｄ ｂｙ Ｋ．Ｍｉｙａｓａｔｏ ｅｔ ａｌ．（Ｊ
ａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．１０，Ｌ
６６１（１９８３）））によって測定した。
ミヤサト他「三角波による強誘電性液晶の自発分極の直
接測定方法」（日本応用物理学会誌２２、１０号（６６
１）１９８３、”Ｄｉｒｅｃｔ Ｍｅｔｈｏｄ ｗｉｔ
ｈ Ｔｒｉａｎｇｕｌａｒ Ｗａｖｅｓ ｆｏｒ Ｍｅ
ａｓｕｒｉｎｇ Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ Ｐｏｌａｒ
ｉｚａｔｉｏｎ ｉｎＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”，ａｓ ｄｅｓｃｒｉｂ
ｅｄ ｂｙ Ｋ．Ｍｉｙａｓａｔｏ ｅｔ ａｌ．（Ｊ
ａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２．Ｎｏ．１０，Ｌ
６６１（１９８３）））によって測定した。
【００３８】［チルト角の測定方法］±３０〜±５０
Ｖ、１〜１００ＨｚのＡＣ（交流）を液晶素子の上下基
板間に電極を介して印加しながら、直交クロスニコル
下、その間に配置された液晶素子を偏光板と平行に回転
させると同時に、フォトマル（浜松フォトニクス（株）
製）で光学応答を検知しながら、第１の消光位（透過率
が最も低くなる位置）及び第２の消光位を求める。そし
てこの時の第１の消光位から第２の消光位までの角度の
１／２をチルト角とする。
Ｖ、１〜１００ＨｚのＡＣ（交流）を液晶素子の上下基
板間に電極を介して印加しながら、直交クロスニコル
下、その間に配置された液晶素子を偏光板と平行に回転
させると同時に、フォトマル（浜松フォトニクス（株）
製）で光学応答を検知しながら、第１の消光位（透過率
が最も低くなる位置）及び第２の消光位を求める。そし
てこの時の第１の消光位から第２の消光位までの角度の
１／２をチルト角とする。
【００３９】
【化２】
【００４０】上記液晶組成物を液晶皿に盛り、加熱して
液体相にした後脱泡処理を行った。この脱泡済みの液晶
にセルの第一の開口部を含浸し、図１のように加圧槽内
にセットした。尚、各加圧槽間のパッキングにはシリコ
ーンゴムを用いた。セット後、セルを治具ごと恒温槽内
に入れ、液晶が等方相（液体相）に転移する温度に加熱
し、転移後、加圧槽内圧力を図５に示すように変化させ
た。即ち、（ａ）期間はＰ1 ＝Ｐ3 ＝２ｋｇｆ／ｃｍ
2 、Ｐ2 ＝大気圧（≒１ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で
４時間保持し、続いて（ｂ）期間はＰ1 ＝Ｐ2 ＝１．３
ｋｇｆ／ｃｍ2 、Ｐ3 ＝大気圧（≒１ｋｇｆ／ｃｍ2 ）
の条件で１時間保持し、引き続き温度を室温に下げた後
に、Ｐ1 ＝Ｐ2 ＝Ｐ3 ＝大気圧にして、第一の開口部、
第二の開口部の余分な液晶をＭＥＫ（メチルエチルケト
ン）によってふき取り２液性の接着剤（ストラクトボン
ド ＥＷ４６０ＮＦ／三井東圧化学社製；主剤２．５、
硬化剤０．８４の比率で配合）をディスペンサーにより
塗布し、二つの開口部の封口を行った。
液体相にした後脱泡処理を行った。この脱泡済みの液晶
にセルの第一の開口部を含浸し、図１のように加圧槽内
にセットした。尚、各加圧槽間のパッキングにはシリコ
ーンゴムを用いた。セット後、セルを治具ごと恒温槽内
に入れ、液晶が等方相（液体相）に転移する温度に加熱
し、転移後、加圧槽内圧力を図５に示すように変化させ
た。即ち、（ａ）期間はＰ1 ＝Ｐ3 ＝２ｋｇｆ／ｃｍ
2 、Ｐ2 ＝大気圧（≒１ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で
４時間保持し、続いて（ｂ）期間はＰ1 ＝Ｐ2 ＝１．３
ｋｇｆ／ｃｍ2 、Ｐ3 ＝大気圧（≒１ｋｇｆ／ｃｍ2 ）
の条件で１時間保持し、引き続き温度を室温に下げた後
に、Ｐ1 ＝Ｐ2 ＝Ｐ3 ＝大気圧にして、第一の開口部、
第二の開口部の余分な液晶をＭＥＫ（メチルエチルケト
ン）によってふき取り２液性の接着剤（ストラクトボン
ド ＥＷ４６０ＮＦ／三井東圧化学社製；主剤２．５、
硬化剤０．８４の比率で配合）をディスペンサーにより
塗布し、二つの開口部の封口を行った。
【００４１】このセルの液晶注入状態を観察したとこ
ろ、未注入領域は存在せず注入状態は良好で、第一の開
口部側と第二の開口部側で液晶分子の配向状態に違いは
なく、上下基板間隔（セルギャップ）は２．６±０．０
５μｍで面内均一であり、且つ、閾値特性にも面内ムラ
はなかった。
ろ、未注入領域は存在せず注入状態は良好で、第一の開
口部側と第二の開口部側で液晶分子の配向状態に違いは
なく、上下基板間隔（セルギャップ）は２．６±０．０
５μｍで面内均一であり、且つ、閾値特性にも面内ムラ
はなかった。
【００４２】尚、セルギャップの分布、閾値特性につい
ては以下のように評価した。
ては以下のように評価した。
【００４３】素子の有効光学変調領域に、各辺で等間隔
となるように５×５のポイントを設定し、各ポイントに
おいてリタデーションを測定し（ＯＬＹＭＰＵＳ製リタ
デーション測定装置、ＲＡ１００使用）、その値に基づ
いて各ポイントでのセルギャップを求め、その分布を評
価した。
となるように５×５のポイントを設定し、各ポイントに
おいてリタデーションを測定し（ＯＬＹＭＰＵＳ製リタ
デーション測定装置、ＲＡ１００使用）、その値に基づ
いて各ポイントでのセルギャップを求め、その分布を評
価した。
【００４４】また、素子の閾値特性を、図９に示す駆動
波形を用い（セル全面を白に書込む）、Ｖｏｐ＝Ｖ１
＋Ｖ２ ＝１５Ｖ（バイアス比＝Ｖ２ ／Ｖｏｐ＝１／
３）とし１Ｈを変化させた際（徐々に大きくする）、有
効光学変調領域内の最も早く白反転する箇所の１Ｈと、
最も遅く白反転する箇所の１Ｈの差を測定することで評
価した。
波形を用い（セル全面を白に書込む）、Ｖｏｐ＝Ｖ１
＋Ｖ２ ＝１５Ｖ（バイアス比＝Ｖ２ ／Ｖｏｐ＝１／
３）とし１Ｈを変化させた際（徐々に大きくする）、有
効光学変調領域内の最も早く白反転する箇所の１Ｈと、
最も遅く白反転する箇所の１Ｈの差を測定することで評
価した。
【００４５】［実施例２］図６に示すように、（ａ）期
間はＰ1 ＝Ｐ3 ＝３ｋｇｆ／ｃｍ2 、Ｐ2 ＝大気圧（≒
１ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で２時間保持し、続いて
（ｂ）期間はＰ1＝Ｐ2 ＝１．３ｋｇｆ／ｃｍ2 、Ｐ3
＝大気圧（≒１ｋｇｆ／ｃｍ２）の条件で１時間保持す
る以外は、実施例１と同様にしてセルを作製した。
（ａ）期間でＰ1 とＰ2 の差圧を高めたため、実施例１
の約半分の時間で液晶をセル内に充満させることがで
き、且つ、注入状態や配向状態、上下基板間隔、閾値特
性等は実施例１と同様に良好な結果が得られた。
間はＰ1 ＝Ｐ3 ＝３ｋｇｆ／ｃｍ2 、Ｐ2 ＝大気圧（≒
１ｋｇｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で２時間保持し、続いて
（ｂ）期間はＰ1＝Ｐ2 ＝１．３ｋｇｆ／ｃｍ2 、Ｐ3
＝大気圧（≒１ｋｇｆ／ｃｍ２）の条件で１時間保持す
る以外は、実施例１と同様にしてセルを作製した。
（ａ）期間でＰ1 とＰ2 の差圧を高めたため、実施例１
の約半分の時間で液晶をセル内に充満させることがで
き、且つ、注入状態や配向状態、上下基板間隔、閾値特
性等は実施例１と同様に良好な結果が得られた。
【００４６】［参考例１］図７（ａ）に示すように、第
二の開口部を設けない以外は実施例１と同様の構成の空
セルを作製し、実施例１と同じ液晶組成物を真空注入法
によって注入した。具体的には、セルを１００℃に温
め、１×１０-6ｔｏｒｒに減圧して２４時間保ち、その
後１×１０-2ｔｏｒｒにＮ2 でリークし、液晶を開口部
に含浸し、大気圧に戻した。１０時間後に温度を室温に
戻し、セルを取り出し、液晶の注入状態を観察したとこ
ろ、図７（ｂ）に示すように、開口部と相対するシール
際に配向が他の部分と異なる領域７１が発生していた。
この部分の閾値は、他の領域７２より１．５〜２倍程度
高く、その面積は注入領域の約１０％であった。
二の開口部を設けない以外は実施例１と同様の構成の空
セルを作製し、実施例１と同じ液晶組成物を真空注入法
によって注入した。具体的には、セルを１００℃に温
め、１×１０-6ｔｏｒｒに減圧して２４時間保ち、その
後１×１０-2ｔｏｒｒにＮ2 でリークし、液晶を開口部
に含浸し、大気圧に戻した。１０時間後に温度を室温に
戻し、セルを取り出し、液晶の注入状態を観察したとこ
ろ、図７（ｂ）に示すように、開口部と相対するシール
際に配向が他の部分と異なる領域７１が発生していた。
この部分の閾値は、他の領域７２より１．５〜２倍程度
高く、その面積は注入領域の約１０％であった。
【００４７】［参考例２］実施例１と同じ構成の空セル
を作製し、図８（ａ）に示すように、実施例１と同様の
脱泡済みの液晶に第一の開口部を含浸して、該第一の開
口部が加圧槽内に封入されるようにセットした。第一の
開口部側と表示領域側とを隔てるパッキングにはシリコ
ーンゴムを用いた。セット後、セルを治具ごと恒温槽内
に入れ、液晶が液体相に転移する温度に加熱し、転移後
加圧槽内の圧力を２ｋｇｆ／ｃｍ2とした。つまり、Ｐ1
＝２ｋｇｆ／ｃｍ2 、Ｐ2 ＝Ｐ3 ＝大気圧（≒１ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で６時間保持し、その後加圧槽
内の圧力を２分かけて１ｋｇｆ／ｃｍ2 に戻し、温度を
室温（１℃／ｍｉｎの冷却速度）に下げ、注入状態を観
察したところ、上下基板間隔は、第一の開口部付近では
３．０μｍをこえる領域があるのに対し（４．５μｍ程
度にもなる点もある）、第二の開口部付近は２．６μｍ
と面内不均一であった。これは、図８（ｂ）に示すよう
に液晶注入時に上下基板を接着している接着微粒子８１
がセルの内外の圧力差に耐えられずに剥離を起こしたた
めと考えられる。
を作製し、図８（ａ）に示すように、実施例１と同様の
脱泡済みの液晶に第一の開口部を含浸して、該第一の開
口部が加圧槽内に封入されるようにセットした。第一の
開口部側と表示領域側とを隔てるパッキングにはシリコ
ーンゴムを用いた。セット後、セルを治具ごと恒温槽内
に入れ、液晶が液体相に転移する温度に加熱し、転移後
加圧槽内の圧力を２ｋｇｆ／ｃｍ2とした。つまり、Ｐ1
＝２ｋｇｆ／ｃｍ2 、Ｐ2 ＝Ｐ3 ＝大気圧（≒１ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 ）の圧力条件で６時間保持し、その後加圧槽
内の圧力を２分かけて１ｋｇｆ／ｃｍ2 に戻し、温度を
室温（１℃／ｍｉｎの冷却速度）に下げ、注入状態を観
察したところ、上下基板間隔は、第一の開口部付近では
３．０μｍをこえる領域があるのに対し（４．５μｍ程
度にもなる点もある）、第二の開口部付近は２．６μｍ
と面内不均一であった。これは、図８（ｂ）に示すよう
に液晶注入時に上下基板を接着している接着微粒子８１
がセルの内外の圧力差に耐えられずに剥離を起こしたた
めと考えられる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による液晶
素子においては以下のような効果が得られる。 （１）セル内の不純物により汚染された液晶による表示
品位の劣化が防止される。 （２）高粘性のスメクチック液晶を短時間でセルに充填
することが可能であり、フッ素含有率の高い液晶材料で
あっても蒸発による変質を生じることなく充填すること
ができる。 （３）真空引きが不要であるため、液晶充填工程にかか
る時間を短縮できると共に、注入速度を制御することが
できる。 （４）パネル面内での液晶分子の配向状態を均一にで
き、有効光学変調領域内全面で閾値特性にムラのない高
品位な液晶素子が得られる。
素子においては以下のような効果が得られる。 （１）セル内の不純物により汚染された液晶による表示
品位の劣化が防止される。 （２）高粘性のスメクチック液晶を短時間でセルに充填
することが可能であり、フッ素含有率の高い液晶材料で
あっても蒸発による変質を生じることなく充填すること
ができる。 （３）真空引きが不要であるため、液晶充填工程にかか
る時間を短縮できると共に、注入速度を制御することが
できる。 （４）パネル面内での液晶分子の配向状態を均一にで
き、有効光学変調領域内全面で閾値特性にムラのない高
品位な液晶素子が得られる。
【図１】本発明の実施形態の説明図である。
【図２】本発明にかかる液晶充填工程におけるセル内の
圧力分布を示す図である。
圧力分布を示す図である。
【図３】本発明にかかる液晶充填工程においてセル内の
圧力分布が緩和された状態を示す図である。
圧力分布が緩和された状態を示す図である。
【図４】本発明にかかる空セルのシール材パターンの他
の実施形態を示す図である。
の実施形態を示す図である。
【図５】本発明の実施例１における各圧力の変化を示す
チャートである。
チャートである。
【図６】本発明の実施例２における各圧力の変化を示す
チャートである。
チャートである。
【図７】本発明の参考例１におけるセルの構成と得られ
た液晶素子の配向状態を示す図である。
た液晶素子の配向状態を示す図である。
【図８】本発明の参考例２における液晶の充填工程と得
られた液晶素子の配向状態を示す図である。
られた液晶素子の配向状態を示す図である。
【図９】本発明の実施例において液晶素子の閾値特性を
評価するために用いた駆動波形である
評価するために用いた駆動波形である
１ セル ２ シール材パターン ３ 第一の開口部 ４ 第二の開口部 ５ 表示領域 ６ 液晶皿 ７〜９ 加圧槽 １０ 液晶 １１ａ，１１ｂ 基板 １２ａ，１２ｂ 透明電極 １３ａ，１３ｂ 配向制御層 １４ 空隙 ７１，７２ 配向領域 ８１ 接着微粒子
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の基板を対向配置し、相対する位置
に第一の開口部と第二の開口部を設けてシール材により
貼り合わせてなるセル内に、上記第一の開口部から液晶
を注入し、該セル内を通過した余剰の液晶を第二の開口
部から流出させて該セルに液晶を充填する工程を有し、
当該工程において、第一の開口部の圧力をＰ1 、セルの
有効光学変調領域の圧力をＰ3 、第二の開口部の圧力を
Ｐ2 とした時、 （ａ）Ｐ1 ＞Ｐ2 ≧大気圧、で且つ、Ｐ1 −Ｐ3 ≦０．
５ｋｇｆ／ｃｍ2 で第一の開口部より液晶をセル内に注
入する期間と、 （ｂ）Ｐ1 ＝Ｐ2 ＞大気圧、で且つ、０＜Ｐ1 −Ｐ3 ≦
０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 で各圧力を制御する期間とを有す
ることを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の製造方法により製造した
ことを特徴とする液晶素子。 - 【請求項３】 液晶として、フルオロカーボン末端部分
及び炭化水素末端部分を有し、該両末端部分が中心核に
よって結合され、スメクチック中間相又は潜在的スメク
チック中間相を持つフッ素含有液晶化合物を含有する液
晶組成物を充填してなる請求項２記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35680496A JPH10197884A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 液晶素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35680496A JPH10197884A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 液晶素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10197884A true JPH10197884A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=18450864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35680496A Withdrawn JPH10197884A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 液晶素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10197884A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103543560A (zh) * | 2012-07-13 | 2014-01-29 | 苏州汉朗光电有限公司 | 近晶相液晶显示器封口工艺 |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35680496A patent/JPH10197884A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103543560A (zh) * | 2012-07-13 | 2014-01-29 | 苏州汉朗光电有限公司 | 近晶相液晶显示器封口工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040302 |