JPS6135429A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPS6135429A JPS6135429A JP15702084A JP15702084A JPS6135429A JP S6135429 A JPS6135429 A JP S6135429A JP 15702084 A JP15702084 A JP 15702084A JP 15702084 A JP15702084 A JP 15702084A JP S6135429 A JPS6135429 A JP S6135429A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表示装置の製造方法、特に１強誘電性液晶で
あるカイラルスメクティック液晶を用いた液晶表示素子
の製造方法に関する。
あるカイラルスメクティック液晶を用いた液晶表示素子
の製造方法に関する。
近項、テレビ、パーソナル・コンピュータ等の情報機器
の急速な普及に伴って表示装置の需要も大幅に増大して
いる。これらの表示装置としては、その表示容量の犬舎
さから、圧倒的にＯＲ’Ｆが用いられている。これに対
し、液晶表示装置は、薄型になるという優位性を持って
いるが、表示容量が小さいという弱点のために、少し大
きな画面ではまったく用いられていない。
の急速な普及に伴って表示装置の需要も大幅に増大して
いる。これらの表示装置としては、その表示容量の犬舎
さから、圧倒的にＯＲ’Ｆが用いられている。これに対
し、液晶表示装置は、薄型になるという優位性を持って
いるが、表示容量が小さいという弱点のために、少し大
きな画面ではまったく用いられていない。
本発明者は、このような従来の液晶表示装置の限界を打
破する、まったく新しい表示方式のカイラルスメクティ
ック液晶を用いた表示装置を発明し、別途出願している
。
破する、まったく新しい表示方式のカイラルスメクティ
ック液晶を用いた表示装置を発明し、別途出願している
。
従来からカイラルスメクティック液晶を用いた液晶表示
素子は知られていた。たとえば、特開昭５６−１０７２
１６号公報、特開昭５９−５４５１６号公報に開示され
ている。
素子は知られていた。たとえば、特開昭５６−１０７２
１６号公報、特開昭５９−５４５１６号公報に開示され
ている。
強誘電性液晶は、１９７５年Ｍｅｙｅｒ（Ｊ。
ｄｅ、Ｐｈｙｓ、３６，６９．１９７５）らにより合成
されその存在が証明された。
されその存在が証明された。
その時合成された液晶は通称ＤＯＢＡＭＢＯ（２−メチ
ルブチルＰ（（Ｐ−舊一デシロキシベンジリデン）アミ
ノ〕） と呼ばれ、現在でも強誘電性液晶の研究に盛んに使われ
ている。一般にカイラルスメクティック液晶は第３図に
示すような分子配列をしている。
ルブチルＰ（（Ｐ−舊一デシロキシベンジリデン）アミ
ノ〕） と呼ばれ、現在でも強誘電性液晶の研究に盛んに使われ
ている。一般にカイラルスメクティック液晶は第３図に
示すような分子配列をしている。
すなわち、第３図（Ａ）に示すように液晶分子１は層状
をなしている。各層の液晶分子の長軸方向は層内で一定
であるが、層ごとに層の法線方向Ａに対してθ傾いてお
り、しがも傾きの方向ψは回転しており、全体としてら
せん構造をとる。
をなしている。各層の液晶分子の長軸方向は層内で一定
であるが、層ごとに層の法線方向Ａに対してθ傾いてお
り、しがも傾きの方向ψは回転しており、全体としてら
せん構造をとる。
カイラルスメクティック液晶はらせん構造をとるが、そ
のらせんの周期は通常数μＭ程度である。カイラルスメ
クティック液晶をらせんの周期よりも薄い１μｍから３
μｍ程度の間隙を有するセルに注入するとらせん構造が
消滅する。らせん構造が消失した後の分子配列構造が第
４図に示さもでいる。第４図は液晶セルを平面的に見た
場合の図であり、液晶分子はセル基板に対して平行にな
る。すなわち、液晶分子の長袖が基板と平行になり、か
つ、層の法線方向Ａがら＋θまたは一〇傾いた状態をと
る。二つの状態は共に安定であって、電圧を印加するこ
とにより両状態間で転移が起り、これを表示に利用する
のである。
のらせんの周期は通常数μＭ程度である。カイラルスメ
クティック液晶をらせんの周期よりも薄い１μｍから３
μｍ程度の間隙を有するセルに注入するとらせん構造が
消滅する。らせん構造が消失した後の分子配列構造が第
４図に示さもでいる。第４図は液晶セルを平面的に見た
場合の図であり、液晶分子はセル基板に対して平行にな
る。すなわち、液晶分子の長袖が基板と平行になり、か
つ、層の法線方向Ａがら＋θまたは一〇傾いた状態をと
る。二つの状態は共に安定であって、電圧を印加するこ
とにより両状態間で転移が起り、これを表示に利用する
のである。
ところが、上記力イラルスメクティック液晶は一般に室
温で糊状であり、流動性がないため、また、セル間隙を
非常に小さくする必要があるため、セルにカイラルスメ
クティック液晶を短時間で封入するのは非常に難しい。
温で糊状であり、流動性がないため、また、セル間隙を
非常に小さくする必要があるため、セルにカイラルスメ
クティック液晶を短時間で封入するのは非常に難しい。
この発明は、セル間隙が非常に小さくても、カイラルス
メクティック液晶を容易に、かつ、短時間でセル内に注
入することができる液晶表示素子の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
メクティック液晶を容易に、かつ、短時間でセル内に注
入することができる液晶表示素子の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
本発明の製造方法は、上記問題点を解決するものであり
、少なくとも一方が透明な上下基板間周辺部を接着層で
接着して空隙を設け液晶セルを形成する工程と、この液
晶セルに設けられた液晶注入孔近傍の基板上にカイラル
スメクティック液晶を塗布する工程と、液晶セルを真空
中に置き内部の空気を排除する工程と、その後、前記液
晶セルを加熱して前記力イラルスメクティック液晶の流
動性を上げ、これによって液晶注入孔をふさぐ工程と、
その後、液晶セル外部の真空度を下げる工程と、前記液
晶注入孔に封止材を充填する工程とからなる。
、少なくとも一方が透明な上下基板間周辺部を接着層で
接着して空隙を設け液晶セルを形成する工程と、この液
晶セルに設けられた液晶注入孔近傍の基板上にカイラル
スメクティック液晶を塗布する工程と、液晶セルを真空
中に置き内部の空気を排除する工程と、その後、前記液
晶セルを加熱して前記力イラルスメクティック液晶の流
動性を上げ、これによって液晶注入孔をふさぐ工程と、
その後、液晶セル外部の真空度を下げる工程と、前記液
晶注入孔に封止材を充填する工程とからなる。
このように液晶注入孔近傍の基板上に糊状のカイラルス
メクティック液晶を塗布し、液晶セル内の空気を排除し
た後、液晶セルを加熱していくと、カイラルスメクティ
ック液晶は液体に、あるいはコレステリック液晶等に相
転移し、流動性が上がる。すると、との゛流動化した液
晶は基板上に広がり液晶注入孔をふさぐことになる。そ
の後、液晶セル外部の真空度を下げれば、そのガス圧に
よって液晶はセル内に導入されることになる。
メクティック液晶を塗布し、液晶セル内の空気を排除し
た後、液晶セルを加熱していくと、カイラルスメクティ
ック液晶は液体に、あるいはコレステリック液晶等に相
転移し、流動性が上がる。すると、との゛流動化した液
晶は基板上に広がり液晶注入孔をふさぐことになる。そ
の後、液晶セル外部の真空度を下げれば、そのガス圧に
よって液晶はセル内に導入されることになる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。′。
第１図において、１２は上基板、１３は下基板であり、
少なくとも上基板１２はガラスなどの透明材料で形成さ
れる。上基板１２と下基板１３は接着層１４を用いて互
いに対向配置するように貼り合わされる。この際、２枚
の基板の間隔が１〜３μ惧の間で一定に保持されるよう
１基板間に所定ノ径のグラスファイバー片あるいはアル
ミナ粒子等のスペーサをまぶして両基板を外側から押圧
する。これらグラスファイバー片、アルミナ粒子等を接
着層１４中に混合し、この混合接着層１４をスペーサと
して兼用することもできる。また、上基板１２と下剤＆
１３は完全に一致してはおらず、下基板１３は下基板か
らはみ出している。
少なくとも上基板１２はガラスなどの透明材料で形成さ
れる。上基板１２と下基板１３は接着層１４を用いて互
いに対向配置するように貼り合わされる。この際、２枚
の基板の間隔が１〜３μ惧の間で一定に保持されるよう
１基板間に所定ノ径のグラスファイバー片あるいはアル
ミナ粒子等のスペーサをまぶして両基板を外側から押圧
する。これらグラスファイバー片、アルミナ粒子等を接
着層１４中に混合し、この混合接着層１４をスペーサと
して兼用することもできる。また、上基板１２と下剤＆
１３は完全に一致してはおらず、下基板１３は下基板か
らはみ出している。
接着層１４は下基板３の周辺部に２０〜５０μ情程度の
厚みにスクリーン印刷等の方法で形成される。接着層１
４としてはエポキシ樹脂、低融点ガラス等が用いられる
。この接着層１４は、下基板１３周辺部の上基板１２と
重なり合う部分からはみ出した部分にまで伸びており、
全体として閉じた長方形をなしている。したがうて、上
下基板を貼り合わせた後においては、この接着層１４は
、上下基板の重なり合った部分では数μｍの厚みにつぶ
されるが、はみ出した部分上では２０〜５０μ情の厚み
を維持している。
厚みにスクリーン印刷等の方法で形成される。接着層１
４としてはエポキシ樹脂、低融点ガラス等が用いられる
。この接着層１４は、下基板１３周辺部の上基板１２と
重なり合う部分からはみ出した部分にまで伸びており、
全体として閉じた長方形をなしている。したがうて、上
下基板を貼り合わせた後においては、この接着層１４は
、上下基板の重なり合った部分では数μｍの厚みにつぶ
されるが、はみ出した部分上では２０〜５０μ情の厚み
を維持している。
このように液晶セルが形成された後、第２図の工程ブロ
ック図に示されるように、糊状のカイラルスメクティッ
ク液晶が基板上に塗布される。
ック図に示されるように、糊状のカイラルスメクティッ
ク液晶が基板上に塗布される。
このように上下基板が貼り合わされた後、前記下基板１
５のはみ出した部分上の接着層１４αと上基板１２との
間の下基板上に適当量のカイラルスメクティック液晶１
５が塗布される。その後、この液晶セルは真空中に放置
され内部の空気が排除される。この際、セルの２側面す
べてが排気孔として機能するため排気速度は大幅に向上
する。
５のはみ出した部分上の接着層１４αと上基板１２との
間の下基板上に適当量のカイラルスメクティック液晶１
５が塗布される。その後、この液晶セルは真空中に放置
され内部の空気が排除される。この際、セルの２側面す
べてが排気孔として機能するため排気速度は大幅に向上
する。
その後、セルをカイラルスメクティック液晶が液体状態
になるまで、あるいはコレステリック相等になるまで加
熱すると、下基板上に塗布されている糊状のカイラルス
メクティック液晶１５は流動性を増し下基板１３上に広
がり、上下基板のすき間をふさぐことになる。しかしな
がら、下基板１３のはみ出した部分上にまで接着層が形
成されており、これが堰１４αとして機能するため、液
□晶が下基板上に広く流れ出てしまうということはな
い。下基板１３と上基板１２の側面と堰１４αの存在、
および表面張力とにより、流動化した液晶は盛り上った
状態を保ち、堰１４αの外へ流れ出ないようにすること
ができる。
になるまで、あるいはコレステリック相等になるまで加
熱すると、下基板上に塗布されている糊状のカイラルス
メクティック液晶１５は流動性を増し下基板１３上に広
がり、上下基板のすき間をふさぐことになる。しかしな
がら、下基板１３のはみ出した部分上にまで接着層が形
成されており、これが堰１４αとして機能するため、液
□晶が下基板上に広く流れ出てしまうということはな
い。下基板１３と上基板１２の側面と堰１４αの存在、
および表面張力とにより、流動化した液晶は盛り上った
状態を保ち、堰１４αの外へ流れ出ないようにすること
ができる。
次に液晶セル外部の真空度を下げる。すると、セル内部
は高真空を保っているため、上下基板間のすき間をふさ
いでいる流動化した液晶はこのすき間からセル内部に圧
入されていくことになる。
は高真空を保っているため、上下基板間のすき間をふさ
いでいる流動化した液晶はこのすき間からセル内部に圧
入されていくことになる。
この際、前述のように液晶が盛り上った状態を保ってい
るため、外部ガス圧によって液晶は有効にかつ、容易に
セル内に導入される。また、上下基板間のすき間１６が
セルの２側面すべてにわたって液晶注入孔としても機能
するため、液晶充填速度を大幅に向上させることができ
る。
るため、外部ガス圧によって液晶は有効にかつ、容易に
セル内に導入される。また、上下基板間のすき間１６が
セルの２側面すべてにわたって液晶注入孔としても機能
するため、液晶充填速度を大幅に向上させることができ
る。
液晶充填後、この液晶注入孔１６として用いた上下基板
間のすき間に、たとえばシリコンゴム接着剤等の注入孔
封止材が押し込まれ、セルは封止され液晶表示素子は完
成する。
間のすき間に、たとえばシリコンゴム接着剤等の注入孔
封止材が押し込まれ、セルは封止され液晶表示素子は完
成する。
第５図は他の実施例を示すものである。
第５図において、５２は上基板、５５は下基板、５４は
接着層、５４αは堰、５５はカイラルスメクティック液
晶であり、上基板５２と下基板５５を接着層５４および
スペーサを用いて一定の間隔を保持し貼り合わせる点で
は第１図の実施例と同じである。
接着層、５４αは堰、５５はカイラルスメクティック液
晶であり、上基板５２と下基板５５を接着層５４および
スペーサを用いて一定の間隔を保持し貼り合わせる点で
は第１図の実施例と同じである。
しかしながら、接着層５４が、上基板５２と下基板５３
の重なり合った部分の周辺部に設けられ、その一部のみ
が切シ欠かれ液晶注入孔５６を形成している点、および
堰５４αが接着層５４とは別に設けられている点が異な
っている。
の重なり合った部分の周辺部に設けられ、その一部のみ
が切シ欠かれ液晶注入孔５６を形成している点、および
堰５４αが接着層５４とは別に設けられている点が異な
っている。
堰５４αは液晶注入孔５６の近傍、下基板５５延長部上
に、注入孔５６開ロ面に対しほぼ垂直歇方向に伸びるよ
うにシリコンゴム接着剤などで形成されている。この堰
５４αは前記接着層５４と接触するように注入孔５６の
両側に設けられており、糊状のカイラルスメクティック
液晶はこの２本の堰の間の下基板５３上、注入孔５６寄
りに塗布される。その後、真空引き、加熱を行なうと、
液晶は流動性が増すが、表面張力により、堰５４ａおよ
び上基板５２側面に付着するように盛り上った状態で上
基板の側面に沿って広がっていくため、第５図に示すよ
うに、注入孔５６と反対側の堰５５端部が開いていても
、この堰の開口部から液晶が流れ出してしまうことはな
く、ことさら閉じていなければならないというものでは
ない。次に、真空度を下げてカイラルスメクティック液
晶を注入し、注入孔５６を封止すれば液晶表示素子がで
きあがる。
に、注入孔５６開ロ面に対しほぼ垂直歇方向に伸びるよ
うにシリコンゴム接着剤などで形成されている。この堰
５４αは前記接着層５４と接触するように注入孔５６の
両側に設けられており、糊状のカイラルスメクティック
液晶はこの２本の堰の間の下基板５３上、注入孔５６寄
りに塗布される。その後、真空引き、加熱を行なうと、
液晶は流動性が増すが、表面張力により、堰５４ａおよ
び上基板５２側面に付着するように盛り上った状態で上
基板の側面に沿って広がっていくため、第５図に示すよ
うに、注入孔５６と反対側の堰５５端部が開いていても
、この堰の開口部から液晶が流れ出してしまうことはな
く、ことさら閉じていなければならないというものでは
ない。次に、真空度を下げてカイラルスメクティック液
晶を注入し、注入孔５６を封止すれば液晶表示素子がで
きあがる。
なお、この実施例においても、堰５４αを接着層５４と
同じ材質、たとえばエポキシ系接着剤で、接着層５４と
同時にスクリーン印刷等の方法で形成してもよい。また
、液晶注入孔をセル側面でなく、上基板１２．５２ある
いは下基板１３．５３に孔をあけて形成してもよい。
同じ材質、たとえばエポキシ系接着剤で、接着層５４と
同時にスクリーン印刷等の方法で形成してもよい。また
、液晶注入孔をセル側面でなく、上基板１２．５２ある
いは下基板１３．５３に孔をあけて形成してもよい。
第１図あるいは第５図の実施例のように、液晶注入を左
右複数個所から行なえば、液晶充填時間が短縮されるば
かりでなく、混合液晶の成分が分離しにくくなり、均一
な液晶材料を充填することができる。
右複数個所から行なえば、液晶充填時間が短縮されるば
かりでなく、混合液晶の成分が分離しにくくなり、均一
な液晶材料を充填することができる。
本発明の製造方法は、液晶セルに設けられた液晶注入孔
近傍の基板上にカイラルスメクティック液晶を塗布し、
液晶セルを真空中に置き内部の空気を排除し、その後、
前記液晶セルを加熱して前記カイラルスメクティック液
晶の流動性を上げ、これによって液晶注入孔をふさぎ、
その後、液晶セル外部の真空度を下げて液晶を注入した
後、前記液晶注入孔に封止材を充填するものであるから
、セル間隙が非常に小さくても、また、カイラルスメク
ティック液晶が糊状であっても、きわめて容易に、かつ
、短時間で液晶をセル内に注入することができるという
効果を有する。
近傍の基板上にカイラルスメクティック液晶を塗布し、
液晶セルを真空中に置き内部の空気を排除し、その後、
前記液晶セルを加熱して前記カイラルスメクティック液
晶の流動性を上げ、これによって液晶注入孔をふさぎ、
その後、液晶セル外部の真空度を下げて液晶を注入した
後、前記液晶注入孔に封止材を充填するものであるから
、セル間隙が非常に小さくても、また、カイラルスメク
ティック液晶が糊状であっても、きわめて容易に、かつ
、短時間で液晶をセル内に注入することができるという
効果を有する。
第１図は本発明の製造方法を説明するための液晶表示素
子平面図、第２図は本発明の一実施例を示す工程ブロッ
クダイヤグラム、第３図（Ａ）。 （Ｂ）および第４図はカイラルスメクティック液晶の分
子整列を示す説明図、第５図は本発明の他の実施例を説
明するための液晶表示素子平面図である。 １２ 、５２・・・・・・上基板 １！＋、５３・・・・・・下基板 １４．５４・・・・・・接着層 １４ａ、５４α・・・・・・堰 １５．５５・・・・・・カイラルスメクティック液晶１
６．５６・・・・・・液晶注入孔 以 上
子平面図、第２図は本発明の一実施例を示す工程ブロッ
クダイヤグラム、第３図（Ａ）。 （Ｂ）および第４図はカイラルスメクティック液晶の分
子整列を示す説明図、第５図は本発明の他の実施例を説
明するための液晶表示素子平面図である。 １２ 、５２・・・・・・上基板 １！＋、５３・・・・・・下基板 １４．５４・・・・・・接着層 １４ａ、５４α・・・・・・堰 １５．５５・・・・・・カイラルスメクティック液晶１
６．５６・・・・・・液晶注入孔 以 上
Claims (2)
- （１）少なくとも一方が透明な上下基板間周辺部を接着
層で接着して空隙を設け液晶セルを形成する工程と、こ
の液晶セルに設けられた液晶注入孔近傍の基板上にカイ
ラルスメクティック液晶を塗布する工程と、液晶セルを
真空中に置き内部の空気を排除する工程と、その後、前
記液晶セルを加熱して前記カイラルスメクティック液晶
の流動性を上げ、これによって液晶注入孔をふさぐ工程
と、その後、液晶セル外部の真空度を下げる工程と、前
記液晶注入孔に封止材を充填する工程とからなる液晶表
示素子の製造方法。 - （２）液晶注入孔を液晶セルの対向する側面にそれぞれ
形成し、液晶セルの両側から液晶を注入する特許請求の
範囲第１項記載の液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15702084A JPS6135429A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15702084A JPS6135429A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135429A true JPS6135429A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0449691B2 JPH0449691B2 (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=15640425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15702084A Granted JPS6135429A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135429A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247327A (ja) * | 1986-04-21 | 1987-10-28 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
| US5417257A (en) * | 1992-12-25 | 1995-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for injecting liquid crystal |
| US5546998A (en) * | 1992-12-25 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for vacuum injecting liquid crystal |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875113A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP15702084A patent/JPS6135429A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875113A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247327A (ja) * | 1986-04-21 | 1987-10-28 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
| US5417257A (en) * | 1992-12-25 | 1995-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for injecting liquid crystal |
| US5546998A (en) * | 1992-12-25 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for vacuum injecting liquid crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0449691B2 (ja) | 1992-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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