JP2799731B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の製造方法に適用して有効な技
術に関するもので、例えば、接続孔を穴埋めする技術に
利用して有効な技術に関するものである。
術に関するもので、例えば、接続孔を穴埋めする技術に
利用して有効な技術に関するものである。
［従来の技術］ 従来、半導体基板表面の拡散層にコンタクトするコン
タクトホールや、金属配線にコンタクトするスルーホー
ル等の接続孔に対する導体層による穴埋めは、例えばア
ルミニウム等の金属の全面堆積、パターニングを行なう
ことによりなされていた。しかしながら、このような方
法により接続孔の穴埋めを行なうと、該接続孔に充填さ
れる金属のガバレジがあまり良好でないために、該接続
孔において導通不良等が発生する畏れがあった。しか
も、最近においては、高集積化の要請に伴って該接続孔
が小さくなってきており、その畏れは増々強まる傾向に
ある。
タクトホールや、金属配線にコンタクトするスルーホー
ル等の接続孔に対する導体層による穴埋めは、例えばア
ルミニウム等の金属の全面堆積、パターニングを行なう
ことによりなされていた。しかしながら、このような方
法により接続孔の穴埋めを行なうと、該接続孔に充填さ
れる金属のガバレジがあまり良好でないために、該接続
孔において導通不良等が発生する畏れがあった。しか
も、最近においては、高集積化の要請に伴って該接続孔
が小さくなってきており、その畏れは増々強まる傾向に
ある。
従って、近年においては、コンタクホールやスルーホ
ール等の接続孔の穴埋めを金属の単なる全面堆積により
行なわずに、例えばタングステン等の高融点金属の選択
気相成長法により行なうようにし、上記問題点に対処す
るようにしていた。
ール等の接続孔の穴埋めを金属の単なる全面堆積により
行なわずに、例えばタングステン等の高融点金属の選択
気相成長法により行なうようにし、上記問題点に対処す
るようにしていた。
この高融点金属の選択気相成長法とは、ガス条件をコ
ントロールして高融点金属を気相化学堆積させると（例
えば、温度は300〜350℃）、該高融点金属はシリコンや
アルミニウム等の特定の物質上のみに成長し、SiO2等の
上には形成されないという特性があることから、この特
性を利用してSiO2等よりなる無機絶縁膜から接続孔を通
して露出するシリコン（半導体基板）やアルミニウム
（金属配線）上るのみタングステン等の高融点金属を成
長させるというものであり、接続孔に高融点金属を入れ
て成長させる方法を採っているので、上記の従来技術に
比べてカバレジが極めて良好となるという利点がある。
ントロールして高融点金属を気相化学堆積させると（例
えば、温度は300〜350℃）、該高融点金属はシリコンや
アルミニウム等の特定の物質上のみに成長し、SiO2等の
上には形成されないという特性があることから、この特
性を利用してSiO2等よりなる無機絶縁膜から接続孔を通
して露出するシリコン（半導体基板）やアルミニウム
（金属配線）上るのみタングステン等の高融点金属を成
長させるというものであり、接続孔に高融点金属を入れ
て成長させる方法を採っているので、上記の従来技術に
比べてカバレジが極めて良好となるという利点がある。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、このような高融点金属の選択気相成長
法を用いて製造された半導体装置に対して本発明者は以
下の問題点を発見した。
法を用いて製造された半導体装置に対して本発明者は以
下の問題点を発見した。
すなわち、高融点金属を選択的に気相成長させる際
に、該高融点金属が付着しないと考えられていたSiO2等
よりなる無機絶縁膜上に、該高融点金属が稀に付着する
ことがあるということを発見した。この無機絶縁膜上へ
の高融点金属の付着をそのままにしておくことは品質的
に問題があるのでこの高融点金属を無機絶縁膜上から除
去しなければならないが、追加エッチ等の工程が必要と
され、製造プロセスが煩雑となり好ましくない。
に、該高融点金属が付着しないと考えられていたSiO2等
よりなる無機絶縁膜上に、該高融点金属が稀に付着する
ことがあるということを発見した。この無機絶縁膜上へ
の高融点金属の付着をそのままにしておくことは品質的
に問題があるのでこの高融点金属を無機絶縁膜上から除
去しなければならないが、追加エッチ等の工程が必要と
され、製造プロセスが煩雑となり好ましくない。
本発明は係る問題点に鑑みなされたものであって、製
造プロセスの簡略化が図られた半導体装置の製造方法を
提供することを目的としている。
造プロセスの簡略化が図られた半導体装置の製造方法を
提供することを目的としている。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴
については、本明細書の記述および添附図面から明らか
になるであろう。
については、本明細書の記述および添附図面から明らか
になるであろう。
［課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
要を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体基板表面の絶縁膜上に形成された配
線の所望の位置に接触され、外部との接続のための端子
を形成する方法であって、上記配線を覆うように無機絶
縁膜と選択気相成長時の温度に耐え得る有機膜とを順に
形成し、上記配線の所望の位置に対応して上記有機膜お
よび無機絶縁膜にスルーホールを形成した後、気相成長
法より上記スルーホール内に高融点金属を上記無機絶縁
膜よりも高くなるように選択成長させてから上記有機膜
を除去することにより、上記無機絶縁膜の表面から突出
した高融点金属からなる外部接続用端子を形成するよう
にしたものである。
線の所望の位置に接触され、外部との接続のための端子
を形成する方法であって、上記配線を覆うように無機絶
縁膜と選択気相成長時の温度に耐え得る有機膜とを順に
形成し、上記配線の所望の位置に対応して上記有機膜お
よび無機絶縁膜にスルーホールを形成した後、気相成長
法より上記スルーホール内に高融点金属を上記無機絶縁
膜よりも高くなるように選択成長させてから上記有機膜
を除去することにより、上記無機絶縁膜の表面から突出
した高融点金属からなる外部接続用端子を形成するよう
にしたものである。
［作用］ 上記した手段によれば、半導体基板表面の絶縁膜上に
形成された配線の所望の位置に接触され、外部との接続
のための端子を形成する方法であって、上記配線を覆う
ように無機絶縁膜と選択気相成長時の温度に耐え得る有
機膜とを順に形成し、上記配線の所望の位置に対応して
上記有機膜および無機絶縁膜にスルーホールを形成した
後、気相成長法より上記スルーホール内に高融点金属を
上記無機絶縁膜よりも高くなるように選択成長させてか
ら上記有機膜を除去することにより、上記無機絶縁膜の
表面から突出した高融点金属からなる外部接続用端子を
形成するようにしたので、高融点金属の高温なる選択気
相成長時において、有機膜が溶融することなく選択マス
クとしての機能を充分果たすと共に、そのマスクには有
機膜の特性から該高融点金属が付着・成長することはな
いという作用によって、この任意の部位以外の部位に付
着していた高融点金属の除去工程が不要となり、製造プ
ロセスの簡略化を図るという上記目的が達成されること
になる。
形成された配線の所望の位置に接触され、外部との接続
のための端子を形成する方法であって、上記配線を覆う
ように無機絶縁膜と選択気相成長時の温度に耐え得る有
機膜とを順に形成し、上記配線の所望の位置に対応して
上記有機膜および無機絶縁膜にスルーホールを形成した
後、気相成長法より上記スルーホール内に高融点金属を
上記無機絶縁膜よりも高くなるように選択成長させてか
ら上記有機膜を除去することにより、上記無機絶縁膜の
表面から突出した高融点金属からなる外部接続用端子を
形成するようにしたので、高融点金属の高温なる選択気
相成長時において、有機膜が溶融することなく選択マス
クとしての機能を充分果たすと共に、そのマスクには有
機膜の特性から該高融点金属が付着・成長することはな
いという作用によって、この任意の部位以外の部位に付
着していた高融点金属の除去工程が不要となり、製造プ
ロセスの簡略化を図るという上記目的が達成されること
になる。
また、絶縁膜の表面から突出した外部接続用端子が形
成されるため、インナーリードに容易に接続可能な端子
を有する半導体装置を得ることができる。
成されるため、インナーリードに容易に接続可能な端子
を有する半導体装置を得ることができる。
［実施例］ 以下、本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例を
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図には本発明に係る半導体装置の製造方法の第１
の実施例を適用して得られた半導体装置が示されてい
る。
の実施例を適用して得られた半導体装置が示されてい
る。
この第１の実施例の半導体装置では、例えばアルミニ
ウムよりなる金属配線１の任意の位置にコンタクトする
スルーホールには、選択気相成長により形成された、例
えばタングステンよりなる高融点金属６が充填（成長）
されており、この第１の実施例の半導体装置にあって
は、このスルーホール以外の部位には選択気相成長時の
温度に耐え得る耐熱性を有すると共に上記高融点金属６
が付着・成長することのない、例えばポリイミド系樹脂
（PiQ:商標）よりなる有機膜３が途中工程において被膜
されている。
ウムよりなる金属配線１の任意の位置にコンタクトする
スルーホールには、選択気相成長により形成された、例
えばタングステンよりなる高融点金属６が充填（成長）
されており、この第１の実施例の半導体装置にあって
は、このスルーホール以外の部位には選択気相成長時の
温度に耐え得る耐熱性を有すると共に上記高融点金属６
が付着・成長することのない、例えばポリイミド系樹脂
（PiQ:商標）よりなる有機膜３が途中工程において被膜
されている。
以下、上記実施例の半導体装置の製造方法の一例を第
２図（ａ）〜第２図（ｆ）に基づいて説明する。
２図（ａ）〜第２図（ｆ）に基づいて説明する。
先ず、例えばシリコンよりなる半導体基板５上の全面
に、例えばSiO2よりなる無機層間絶縁膜２、400〜450℃
迄の耐熱性を有する例えばポリイミド系樹脂よりなる有
機膜３、O2反応性イオンエッチング耐性を有するSi含有
ホトレジスト４をその順で順次塗付、成膜し、次いで周
知のホトリソ技術により感光、現像して金属配線１上の
任意の位置のスルーホールパターンをSi含有ホトレジス
ト４に転写し、第２図（ａ）に示される状態とする。
に、例えばSiO2よりなる無機層間絶縁膜２、400〜450℃
迄の耐熱性を有する例えばポリイミド系樹脂よりなる有
機膜３、O2反応性イオンエッチング耐性を有するSi含有
ホトレジスト４をその順で順次塗付、成膜し、次いで周
知のホトリソ技術により感光、現像して金属配線１上の
任意の位置のスルーホールパターンをSi含有ホトレジス
ト４に転写し、第２図（ａ）に示される状態とする。
次に、O2反応性ドライエッチング技術により上記Si含
有ホトレジスト４上のパターンを下層の有機膜３に転写
し、第２図（ｂ）に示される状態とする。
有ホトレジスト４上のパターンを下層の有機膜３に転写
し、第２図（ｂ）に示される状態とする。
次に、レジスト除去液を用いてSi含有ホトレジスト４
を剥離し、第２図（ｃ）に示される状態とする。
を剥離し、第２図（ｃ）に示される状態とする。
次に、有機膜３を加工マスクとしたCF4系ガス中にお
ける反応性イオンエッチング技術により、無機層間絶縁
膜２に上記スルーホールパターンを透孔し、第２図
（ｄ）に示される状態とする。
ける反応性イオンエッチング技術により、無機層間絶縁
膜２に上記スルーホールパターンを透孔し、第２図
（ｄ）に示される状態とする。
次に、上記有機膜３を残した状態、すなわちスルーホ
ールパターン以外の部位を有機膜３で覆った状態で、例
えばタングステンよりなる高融点金属の選択気相成長を
約300〜350℃の温度で行ない、透孔部にのみ選択的にタ
ングステンを成長させ、第２図（ｅ）に示される状態と
する。ここで、ポリイミド系樹脂３の耐熱温度は上述の
如く400〜450℃となっているので、該ポリイミド系樹脂
３が選択気相成長時に溶融することはなく、しかも該ポ
リイミド系樹脂３にはその特性上タングステン６が付着
・成長することはないので、タングステン６のアルミニ
ウム１とポリイミド系樹脂３とに対する選択性が良好に
確保され得るようになっている。
ールパターン以外の部位を有機膜３で覆った状態で、例
えばタングステンよりなる高融点金属の選択気相成長を
約300〜350℃の温度で行ない、透孔部にのみ選択的にタ
ングステンを成長させ、第２図（ｅ）に示される状態と
する。ここで、ポリイミド系樹脂３の耐熱温度は上述の
如く400〜450℃となっているので、該ポリイミド系樹脂
３が選択気相成長時に溶融することはなく、しかも該ポ
リイミド系樹脂３にはその特性上タングステン６が付着
・成長することはないので、タングステン６のアルミニ
ウム１とポリイミド系樹脂３とに対する選択性が良好に
確保され得るようになっている。
次いで、有機膜３をヒドラジンヒドラートとエチレン
ジアミンとの混合液によりエッチ除去して第２図（ｆ）
に示される状態とし、電極７を形成すると第１図に示さ
れる半導体装置が得られることになる。
ジアミンとの混合液によりエッチ除去して第２図（ｆ）
に示される状態とし、電極７を形成すると第１図に示さ
れる半導体装置が得られることになる。
その結果、上記第１の実施例の半導体装置の製造方法
によれば次のような効果を得ることができる。
によれば次のような効果を得ることができる。
すなわち、タングステンよりなる高融点金属をアルミ
ニウムよりなる金属配線１上の任意の部位（スルーホー
ル内）にのみ選択的に気相成長させるにあたり、前記任
意の部位（スルーホール内）以外の部位を、選択気相成
長時の温度に耐え得る耐熱性を有するポリイミド系樹脂
よりなる有機膜３で覆うようにしたので、高融点金属の
高温なる選択気相成長時において、有機膜３が溶融する
ことなく選択マスクとしての機能を充分果たすと共に、
そのマスクには有機膜３の特性から該高融点金属が付着
・成長することはないという作用によって、この任意の
部位（スルーホール内）以外の部位に付着していた高融
点金属の除去工程が不要となり、製造プロセスの簡略化
を図ることが可能となる。
ニウムよりなる金属配線１上の任意の部位（スルーホー
ル内）にのみ選択的に気相成長させるにあたり、前記任
意の部位（スルーホール内）以外の部位を、選択気相成
長時の温度に耐え得る耐熱性を有するポリイミド系樹脂
よりなる有機膜３で覆うようにしたので、高融点金属の
高温なる選択気相成長時において、有機膜３が溶融する
ことなく選択マスクとしての機能を充分果たすと共に、
そのマスクには有機膜３の特性から該高融点金属が付着
・成長することはないという作用によって、この任意の
部位（スルーホール内）以外の部位に付着していた高融
点金属の除去工程が不要となり、製造プロセスの簡略化
を図ることが可能となる。
なお、この第１の実施例においては、万が一ポリイミ
ド系樹脂３上にタングステンが付着するような間違いが
あった場合のことも考えて、該ポリイミド系樹脂３を除
去するようにしているが、このポリイミド系樹脂３を除
去せずに残したまま電極７を形成し、第３図に示される
半導体装置とすることも勿論可能である。この場合、層
間膜として平坦性に優れたポリイミド系樹脂13を用いる
ようにしているので、多層構造をなす半導体装置の加工
性がさらに向上されるという効果も得られるようになっ
ている。
ド系樹脂３上にタングステンが付着するような間違いが
あった場合のことも考えて、該ポリイミド系樹脂３を除
去するようにしているが、このポリイミド系樹脂３を除
去せずに残したまま電極７を形成し、第３図に示される
半導体装置とすることも勿論可能である。この場合、層
間膜として平坦性に優れたポリイミド系樹脂13を用いる
ようにしているので、多層構造をなす半導体装置の加工
性がさらに向上されるという効果も得られるようになっ
ている。
第４図には本発明に係る半導体装置の製造方法の第２
の実施例を適用して得られた半導体装置が示されてい
る。
の実施例を適用して得られた半導体装置が示されてい
る。
この第２の実施例の半導体装置が先の第１の実施例の
それと違う点は、無機絶縁膜２の機能をポリイミド系樹
脂よりなる有機膜23に持たせるようにした、すなわち無
機絶縁膜２を不要とした点である。
それと違う点は、無機絶縁膜２の機能をポリイミド系樹
脂よりなる有機膜23に持たせるようにした、すなわち無
機絶縁膜２を不要とした点である。
この第２の実施例の半導体装置の製造方法の一例を第
５図（ａ）〜第５図（ｃ）に基づいて説明する。
５図（ａ）〜第５図（ｃ）に基づいて説明する。
先ず、例えばシリコンよりなる半導体基板５上の全面
に、400〜450℃迄の耐熱性を有する例えばポリイミド系
樹脂よりなる有機膜23を塗付、成膜し、第５図（ａ）に
示される状態とする。
に、400〜450℃迄の耐熱性を有する例えばポリイミド系
樹脂よりなる有機膜23を塗付、成膜し、第５図（ａ）に
示される状態とする。
次いで、O2反応性イオンエッチング耐性を有するSi含
有ホトレジスト14を塗付し、周知のホトリソ技術により
感光、現像して金属配線１上の任意の位置のスルーホー
ルパターンをSi含有ホトレジスト14に転写し、第５図
（ｂ）に示される状態とする。
有ホトレジスト14を塗付し、周知のホトリソ技術により
感光、現像して金属配線１上の任意の位置のスルーホー
ルパターンをSi含有ホトレジスト14に転写し、第５図
（ｂ）に示される状態とする。
次に、O2反応ドライエッチング技術により上記Si含有
ホトレジスト14上のパターンを下層の有機膜23に転写
し、その後レジスト除去液を用いてSi含有ホトレジスト
14を剥離して第５図（ｃ）に示される状態とする。
ホトレジスト14上のパターンを下層の有機膜23に転写
し、その後レジスト除去液を用いてSi含有ホトレジスト
14を剥離して第５図（ｃ）に示される状態とする。
次いで、この状態、すなわちスルーホールパターン以
外の部位を有機膜23で覆った状態で、例えばタングステ
ンよりなる高融点金属の選択気相成長を約300〜350℃の
温度で向上ない、透孔部にのみ選択的にタングステン16
を成長させると、第４図に示される半導体装置が得られ
ることになる。
外の部位を有機膜23で覆った状態で、例えばタングステ
ンよりなる高融点金属の選択気相成長を約300〜350℃の
温度で向上ない、透孔部にのみ選択的にタングステン16
を成長させると、第４図に示される半導体装置が得られ
ることになる。
このように、第２の実施例においても上記第１の実施
例の半導体装置の製造方法によるのと同様な効果、すな
わち任意の部位（スルーホール内）以外の部位に付着し
ていた高融点金属の除去工程が不要となり、製造プロセ
スの簡略化を図ることが可能となるという効果が得られ
るようになっている。
例の半導体装置の製造方法によるのと同様な効果、すな
わち任意の部位（スルーホール内）以外の部位に付着し
ていた高融点金属の除去工程が不要となり、製造プロセ
スの簡略化を図ることが可能となるという効果が得られ
るようになっている。
そして、第３の実施例として、第４図に示される半導
体装置の有機膜23をヒドラジンヒドラートとエチレンジ
アミンとの混合液によりエッチ除去すれば、第６図に示
される柱状を形成することができる。
体装置の有機膜23をヒドラジンヒドラートとエチレンジ
アミンとの混合液によりエッチ除去すれば、第６図に示
される柱状を形成することができる。
この柱状の形成は、従来においてはリフトオフ法によ
りなされており異物等の付着があり量産性に乏しいとい
う問題点があったが、この第３の実施例の製造方法によ
り形成すればそのような問題が回避されるという利点が
ある。
りなされており異物等の付着があり量産性に乏しいとい
う問題点があったが、この第３の実施例の製造方法によ
り形成すればそのような問題が回避されるという利点が
ある。
第７図には本発明に係る半導体装置の製造方法の第４
の実施例を適用して得られた半導体装置が示されてい
る。
の実施例を適用して得られた半導体装置が示されてい
る。
この第４の実施例の半導体装置にあっては、選択気相
成長により形成されたタングステンよりなる高融点金属
が半導体チップ15の上面より突出しており、ボンディン
グパッド26として機能している。
成長により形成されたタングステンよりなる高融点金属
が半導体チップ15の上面より突出しており、ボンディン
グパッド26として機能している。
この第４の実施例の半導体装置の製造は、先ず、例え
ばシリコンよりなる半導体基板５上の全面に、例えばSi
O2よりなる無機槽間絶縁膜12、400〜450℃迄の耐熱性を
有する例えばポリイミド系樹脂よりなる有機膜33、Si含
有ホトレジストをその順で順次塗付、成膜し、次いで周
知のホトリソ技術により感光、現像して金属配線１上の
任意の位置のスルーホールパターンをSi含有ホトレジス
トに転写し、次に、O2反応性ドライエッチング技術によ
り上記Si含有ホトレジスト上のパターンを下層の有機膜
33に転写し、次に、レジスト除去液を用いてSi含有ホト
レジストを剥離し、有機膜33を加工マスクとしたCF4系
ガス中における反応性イオンエッチング技術により、無
機層間絶縁膜12に上記スルーホールパターンを透孔し、
次に、上記有機膜33を残した状態、すなわちスルーホー
ルパターン以外の部位を有機膜33で覆った状態で、例え
ばタングステンよりなる高融点金属の選択気相成長を約
300〜350℃の温度で行ない、透孔部にのみ選択的にタン
グステンを成長させ、第８図に示される状態とする。
ばシリコンよりなる半導体基板５上の全面に、例えばSi
O2よりなる無機槽間絶縁膜12、400〜450℃迄の耐熱性を
有する例えばポリイミド系樹脂よりなる有機膜33、Si含
有ホトレジストをその順で順次塗付、成膜し、次いで周
知のホトリソ技術により感光、現像して金属配線１上の
任意の位置のスルーホールパターンをSi含有ホトレジス
トに転写し、次に、O2反応性ドライエッチング技術によ
り上記Si含有ホトレジスト上のパターンを下層の有機膜
33に転写し、次に、レジスト除去液を用いてSi含有ホト
レジストを剥離し、有機膜33を加工マスクとしたCF4系
ガス中における反応性イオンエッチング技術により、無
機層間絶縁膜12に上記スルーホールパターンを透孔し、
次に、上記有機膜33を残した状態、すなわちスルーホー
ルパターン以外の部位を有機膜33で覆った状態で、例え
ばタングステンよりなる高融点金属の選択気相成長を約
300〜350℃の温度で行ない、透孔部にのみ選択的にタン
グステンを成長させ、第８図に示される状態とする。
そして、有機膜33をヒドラジンヒドラートとエチレン
ジアミンとの混合液によりエッチ除去し、この除去によ
り突出するタングステンよりなるボンディングパッド26
にインナーリード30を接続すると第７図に示される半導
体装置が得られることになる。
ジアミンとの混合液によりエッチ除去し、この除去によ
り突出するタングステンよりなるボンディングパッド26
にインナーリード30を接続すると第７図に示される半導
体装置が得られることになる。
このように、本発明は上記ボンディング技術に対して
も応用することが可能となっている。
も応用することが可能となっている。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、上記各実施例においては、専ら金属配線１に
コンタクトするスルーホールに対しての適用例が述べら
れているが、本発明と半導体基板５表面に形成される拡
散層にコンタクトするコンタクトホールに対しても同様
に適用可能である。
コンタクトするスルーホールに対しての適用例が述べら
れているが、本発明と半導体基板５表面に形成される拡
散層にコンタクトするコンタクトホールに対しても同様
に適用可能である。
また、上記実施例においては、高融点金属6,16,26を
ダングステンとしているがダングステンに限定されるも
のではなく、選択気相成長を行ない得る高融点金属であ
れば何でも良い。
ダングステンとしているがダングステンに限定されるも
のではなく、選択気相成長を行ない得る高融点金属であ
れば何でも良い。
また、半導体基板５をシリコン、金属配線１をアルミ
ニウムとしているがこれらに限定されるものではなく、
要は高融点金属の選択気相成長性が良い材質であればな
んでも良い。
ニウムとしているがこれらに限定されるものではなく、
要は高融点金属の選択気相成長性が良い材質であればな
んでも良い。
また同様に、有機膜3,13,23,33をポリイミド系樹脂と
しているがポリイミド系樹脂に限定されるものではな
く、高融点金属の選択気相成長時の温度に耐え得る耐熱
性を有すると共に高融点金属の付着・成長がなされない
有機膜であれば何でも良い。
しているがポリイミド系樹脂に限定されるものではな
く、高融点金属の選択気相成長時の温度に耐え得る耐熱
性を有すると共に高融点金属の付着・成長がなされない
有機膜であれば何でも良い。
さらにまた、無機絶縁膜2,12をSiO2としているがプラ
ズマ酸化膜の３層膜等を用いることも可能である。
ズマ酸化膜の３層膜等を用いることも可能である。
［発明の効果］ 本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりであ
る。
って得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりであ
る。
すなわち、半導体基板表面の絶縁膜上に形成された配
線の所望の位置に接触され、外部との接続のための端子
を形成する方法であって、上記配線を覆うように無機絶
縁膜と選択気相成長時の温度に耐え得る有機膜とを順に
形成し、上記配線の所望の位置に対応して上記有機膜お
よび無機絶縁膜にスルーホールを形成した後、気相成長
法より上記スルーホール内に高融点金属を上記無機絶縁
膜よりも高くなるように選択成長させてから上記有機膜
を除去することにより、上記無機絶縁膜の表面から突出
した高融点金属からなる外部接続用端子を形成するよう
にしたので、高融点金属の高温なる選択気相成長時にお
いて、有機膜が溶融することなく選択マスクとしての機
能を充分果たすと共に、そのマスクには有機膜の特性か
ら該高融点金属が付着・成長することはない。その結
果、この任意の部位以外の部位に付着していた高融点金
属の除去工程が不要となり、製造プロセスの簡略化を図
ることが可能となる。
線の所望の位置に接触され、外部との接続のための端子
を形成する方法であって、上記配線を覆うように無機絶
縁膜と選択気相成長時の温度に耐え得る有機膜とを順に
形成し、上記配線の所望の位置に対応して上記有機膜お
よび無機絶縁膜にスルーホールを形成した後、気相成長
法より上記スルーホール内に高融点金属を上記無機絶縁
膜よりも高くなるように選択成長させてから上記有機膜
を除去することにより、上記無機絶縁膜の表面から突出
した高融点金属からなる外部接続用端子を形成するよう
にしたので、高融点金属の高温なる選択気相成長時にお
いて、有機膜が溶融することなく選択マスクとしての機
能を充分果たすと共に、そのマスクには有機膜の特性か
ら該高融点金属が付着・成長することはない。その結
果、この任意の部位以外の部位に付着していた高融点金
属の除去工程が不要となり、製造プロセスの簡略化を図
ることが可能となる。
また、絶縁膜の表面から突出した外部接続用端子が形
成されるため、インナーリードに容易に接続可能な端子
を有する半導体装置を得ることができる。
成されるため、インナーリードに容易に接続可能な端子
を有する半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実
施例を適用して得られた半導体装置の縦断面図、 第２図（ａ）〜第２図（ｆ）は同上第１の実施例の各工
程図、 第３図は、本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の
実施例を応用して得られた半導体装置の縦断面図、 第４図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第２の実
施例を適用して得られた半導体装置の縦断面図、 第５図（ａ）〜第５図（ｃ）は同上第２の実施例の各工
程図、 第６図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第３の実
施例を適用して得られた半導体装置の縦断面図、 第７図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第４の実
施例を適用して得られた半導体装置の縦断面図、 第８図は同上第４の実施例の工程図である。 １……金属配線、3,13,23,33……有機膜、５……半導体
基板、6,16,26……高融点金属。
施例を適用して得られた半導体装置の縦断面図、 第２図（ａ）〜第２図（ｆ）は同上第１の実施例の各工
程図、 第３図は、本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の
実施例を応用して得られた半導体装置の縦断面図、 第４図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第２の実
施例を適用して得られた半導体装置の縦断面図、 第５図（ａ）〜第５図（ｃ）は同上第２の実施例の各工
程図、 第６図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第３の実
施例を適用して得られた半導体装置の縦断面図、 第７図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第４の実
施例を適用して得られた半導体装置の縦断面図、 第８図は同上第４の実施例の工程図である。 １……金属配線、3,13,23,33……有機膜、５……半導体
基板、6,16,26……高融点金属。
フロントページの続き (72)発明者 星野 義典 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 日立マイクロコンピュータエンジニアリ ング株式会社内 (72)発明者 山田 光弘 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 日立マイクロコンピュータエンジニアリ ング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−111421（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−26691（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−172221（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3205 - 21/3213 H01L 21/60 H01L 21/768
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板表面の絶縁膜上に形成された配
線の所望の位置に接触され、外部との接続のための端子
を形成する方法であって、上記配線を覆うように無機絶
縁膜と選択気相成長時の温度に耐え得る有機膜とを順に
形成し、上記配線の所望の位置に対応して上記有機膜お
よび無機絶縁膜にスルーホールを形成した後、気相成長
法により上記スルーホール内に高融点金属を上記無機絶
縁膜よりも高くなるように選択成長させてから上記有機
膜を除去することにより、上記無機絶縁膜の表面から突
出した高融点金属からなる外部接続用端子を形成するよ
うにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】上記有機膜はポリイミド系樹脂であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】上記高融点金属はタングステンであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140571A JP2799731B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140571A JP2799731B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036024A JPH036024A (ja) | 1991-01-11 |
| JP2799731B2 true JP2799731B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=15271784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140571A Expired - Fee Related JP2799731B2 (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2799731B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653331A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60111421A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1140571A patent/JP2799731B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH036024A (ja) | 1991-01-11 |
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