JP2790400B2 - 光ディスク及びその製造方法 - Google Patents
光ディスク及びその製造方法Info
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- JP2790400B2 JP2790400B2 JP4317496A JP31749692A JP2790400B2 JP 2790400 B2 JP2790400 B2 JP 2790400B2 JP 4317496 A JP4317496 A JP 4317496A JP 31749692 A JP31749692 A JP 31749692A JP 2790400 B2 JP2790400 B2 JP 2790400B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク及びその製造
方法に関し、より詳細には基板素材に高分子媒体が用い
られ、サブミクロンオーダーのトラッキンググルーブ
や、プレピット等の微細パターンが光硬化性樹脂により
形成されている光ディスク及びその製造方法に関するも
のである。
方法に関し、より詳細には基板素材に高分子媒体が用い
られ、サブミクロンオーダーのトラッキンググルーブ
や、プレピット等の微細パターンが光硬化性樹脂により
形成されている光ディスク及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、光硬化性樹脂を基板上に塗布
し、表面に微細パターンを有するスタンパーと密着さ
せ、光照射で樹脂を硬化することにより、スタンパーの
微細パターンを樹脂の表面に転写形成する方法があり、
これはいわゆる２Ｐ（Photo-Polymer ）法として知られ
ている。この際、基板としては、厚さが１ｍｍ程度のガ
ラス、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メ
チル（ＰＭＭＡ）等の非晶性高分子材料からなる堅固な
基板、または厚さが１０〜１００μｍのポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）、塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリイミド（Ｐ
Ｉ）、ガラス等からなるフレキシブル基板を用いること
ができる。この２Ｐ法を用いると光ディスクの案内溝、
プレピット等の微細パターンを容易に形成することがで
きる。そして、微細パターンを形成した光硬化性樹脂膜
の上にスパッタリング法を用いて光記録膜を形成するこ
とにより、書き換え可能な光ディスクを作製できる。
し、表面に微細パターンを有するスタンパーと密着さ
せ、光照射で樹脂を硬化することにより、スタンパーの
微細パターンを樹脂の表面に転写形成する方法があり、
これはいわゆる２Ｐ（Photo-Polymer ）法として知られ
ている。この際、基板としては、厚さが１ｍｍ程度のガ
ラス、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メ
チル（ＰＭＭＡ）等の非晶性高分子材料からなる堅固な
基板、または厚さが１０〜１００μｍのポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）、塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリイミド（Ｐ
Ｉ）、ガラス等からなるフレキシブル基板を用いること
ができる。この２Ｐ法を用いると光ディスクの案内溝、
プレピット等の微細パターンを容易に形成することがで
きる。そして、微細パターンを形成した光硬化性樹脂膜
の上にスパッタリング法を用いて光記録膜を形成するこ
とにより、書き換え可能な光ディスクを作製できる。
【０００３】しかし、このようにして作製した光ディス
クは、２Ｐ法に用いた光硬化性樹脂膜の硬化収縮により
反りが生じる。この光ディスクの反りは情報の記録、再
生、消去に用いるレーザー光の焦点合わせを困難とし、
情報の読み取り、書き込みの誤りの原因となる。特にフ
レキシブルな基板は反り、カールが大きい。
クは、２Ｐ法に用いた光硬化性樹脂膜の硬化収縮により
反りが生じる。この光ディスクの反りは情報の記録、再
生、消去に用いるレーザー光の焦点合わせを困難とし、
情報の読み取り、書き込みの誤りの原因となる。特にフ
レキシブルな基板は反り、カールが大きい。
【０００４】これに対し、この反り及びカールを低減解
消するために、光ディスクの両面に光硬化性樹脂膜を塗
布する方法がある。例えば、特開平３−２４８３４１号
公報にあるように、光ディスクの案内溝を形成する光硬
化性樹脂膜と厚さの異なる光硬化性樹脂膜を、基板の案
内溝の無い面に形成することで、あらかじめ光ディスク
が反った状態とし、その上に光磁気記録膜を形成するこ
とによって反りを低減する方法がある。
消するために、光ディスクの両面に光硬化性樹脂膜を塗
布する方法がある。例えば、特開平３−２４８３４１号
公報にあるように、光ディスクの案内溝を形成する光硬
化性樹脂膜と厚さの異なる光硬化性樹脂膜を、基板の案
内溝の無い面に形成することで、あらかじめ光ディスク
が反った状態とし、その上に光磁気記録膜を形成するこ
とによって反りを低減する方法がある。
【０００５】また、特開平３−２６３６２５号公報に
は、基板上に記録層を設けた光ディスクの構造におい
て、基板上及び記録層の上、すなわち光ディスクの両面
に光硬化性樹脂を形成することで内部応力のバランスを
取り、光ディスクの反りを低減する方法が開示されてい
る。
は、基板上に記録層を設けた光ディスクの構造におい
て、基板上及び記録層の上、すなわち光ディスクの両面
に光硬化性樹脂を形成することで内部応力のバランスを
取り、光ディスクの反りを低減する方法が開示されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしこれらの方法で
作製した光ディスクは、ディスクの両面に光硬化性樹脂
を塗布するため、光ディスクの製造工程が複雑になり、
製造コストが増大するという課題があった。
作製した光ディスクは、ディスクの両面に光硬化性樹脂
を塗布するため、光ディスクの製造工程が複雑になり、
製造コストが増大するという課題があった。
【０００７】また、フレキシブルな基板の両面に光硬化
性樹脂膜を塗布すると、光ディスク全体が厚くなり、柔
軟性が損なわれてしまう。さらに光硬化性樹脂はスパッ
タリング法で記録膜を作製するときに生じる熱によって
加熱収縮を起こすため、これらの方法では設計したとお
りの反り及びカールの低減が得られないという課題があ
った。
性樹脂膜を塗布すると、光ディスク全体が厚くなり、柔
軟性が損なわれてしまう。さらに光硬化性樹脂はスパッ
タリング法で記録膜を作製するときに生じる熱によって
加熱収縮を起こすため、これらの方法では設計したとお
りの反り及びカールの低減が得られないという課題があ
った。
【０００８】本発明はこれらの課題に鑑みなされたもの
であり、反りが少なく、製造方法が容易で安価な光ディ
スク及びその製造方法をを提供することを目的としてい
る。
であり、反りが少なく、製造方法が容易で安価な光ディ
スク及びその製造方法をを提供することを目的としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、樹脂基板と、該樹脂基板上に微細
パターンが形成された光硬化性樹脂層と、該光硬化性樹
脂層の上に形成された記録層とを有する光ディスクにお
いて、前記樹脂基板が、予めガラス転移点以上かつ融点
以下の温度でアニールされた基板からなり、前記光硬化
性樹脂層の全応力と、記録膜の全応力とが釣り合うよう
に光硬化性樹脂層の膜厚が調整されてなる光ディスクが
提供される。
に、本発明によれば、樹脂基板と、該樹脂基板上に微細
パターンが形成された光硬化性樹脂層と、該光硬化性樹
脂層の上に形成された記録層とを有する光ディスクにお
いて、前記樹脂基板が、予めガラス転移点以上かつ融点
以下の温度でアニールされた基板からなり、前記光硬化
性樹脂層の全応力と、記録膜の全応力とが釣り合うよう
に光硬化性樹脂層の膜厚が調整されてなる光ディスクが
提供される。
【００１０】また、本発明によれば、(i) 予め樹脂基板
をガラス転移点以上かつ融点以下の温度でアニールした
後、該基板の片面に光硬化性樹脂を塗布する工程、 (ii)該光硬化性樹脂が塗布された面と光ディスクの案内
溝、プレピットからなる微細パターンを表面にもつスタ
ンパーとを密着させながら、光硬化によって前記微細パ
ターンを前記光硬化性樹脂に転写形成する工程、 (iii) 前記基板を１２０〜１４０℃でアニールする工
程、 (iv)前記光硬化性樹脂上へ、スパッタリング法で記録膜
を成膜する工程を含む光ディスクの製造方法が提供され
る。
をガラス転移点以上かつ融点以下の温度でアニールした
後、該基板の片面に光硬化性樹脂を塗布する工程、 (ii)該光硬化性樹脂が塗布された面と光ディスクの案内
溝、プレピットからなる微細パターンを表面にもつスタ
ンパーとを密着させながら、光硬化によって前記微細パ
ターンを前記光硬化性樹脂に転写形成する工程、 (iii) 前記基板を１２０〜１４０℃でアニールする工
程、 (iv)前記光硬化性樹脂上へ、スパッタリング法で記録膜
を成膜する工程を含む光ディスクの製造方法が提供され
る。
【００１１】本発明の光ディスクは、基板上に光硬化性
樹脂膜と記録膜とが順次形成されているものである。こ
の光ディスクにおいて用いられる基板としては、通常光
ディスク等に用いられるものであれば特に限定されるも
のでなく、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル
酸メチル（ＰＭＭＡ）等の非晶性高分子材料からなる堅
固な基板、またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、塩化ビニ
ル（ＰＶＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ガラス等からなる
フレキシブル基板を用いることができる。なお、この基
板上にプライマーを適宜塗布してもよい。また、この基
板は、予め基板のガラス転移点以上かつ融点以下の温度
でアニールされる。これにより、基板内部に存在する残
留内部応力が除去される。
樹脂膜と記録膜とが順次形成されているものである。こ
の光ディスクにおいて用いられる基板としては、通常光
ディスク等に用いられるものであれば特に限定されるも
のでなく、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル
酸メチル（ＰＭＭＡ）等の非晶性高分子材料からなる堅
固な基板、またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、塩化ビニ
ル（ＰＶＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ガラス等からなる
フレキシブル基板を用いることができる。なお、この基
板上にプライマーを適宜塗布してもよい。また、この基
板は、予め基板のガラス転移点以上かつ融点以下の温度
でアニールされる。これにより、基板内部に存在する残
留内部応力が除去される。
【００１２】また、光硬化性樹脂としてはウレタンアク
リレート、アクリル酸エステル、スチレン、メタクリル
酸エステル、アクリロニトリル及びこれらの混合物を用
いることができる。そして、増感剤としてアゾビスイソ
ブチロニトリル、ベンゾフェノン及びこれらの混合物を
加えてもよいし、さらに架橋剤を加えてもよく、市販の
光硬化性樹脂を用いてもよい。
リレート、アクリル酸エステル、スチレン、メタクリル
酸エステル、アクリロニトリル及びこれらの混合物を用
いることができる。そして、増感剤としてアゾビスイソ
ブチロニトリル、ベンゾフェノン及びこれらの混合物を
加えてもよいし、さらに架橋剤を加えてもよく、市販の
光硬化性樹脂を用いてもよい。
【００１３】さらに、記録膜は光磁気記録膜であれば、
その構造は特に限定されるものではなく、反射層／記録
層／保護層／の３層構造、及び反射層／記録層の２層構
造を用いることができるが、反射層／保護層／記録層／
保護層／からなる４層構造が望ましい。そして、保護層
にはＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＯ、ＴｉＯ2 を用いることができる。
また、記録層には、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ガー
ネット、ＰｔＣｏを用いることができる。さらに、反射
層としては高い反射率をもつＡｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｒ、Ｎｉ及びこれらの合金を用いることができるが、
Ａｌが安価であるので望ましい。その他、記録膜に用い
る媒体として相変化媒体や、追記型記録媒体を用いても
かまわないが光磁気記録媒体が望ましい。
その構造は特に限定されるものではなく、反射層／記録
層／保護層／の３層構造、及び反射層／記録層の２層構
造を用いることができるが、反射層／保護層／記録層／
保護層／からなる４層構造が望ましい。そして、保護層
にはＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＯ、ＴｉＯ2 を用いることができる。
また、記録層には、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、
ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ガー
ネット、ＰｔＣｏを用いることができる。さらに、反射
層としては高い反射率をもつＡｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｒ、Ｎｉ及びこれらの合金を用いることができるが、
Ａｌが安価であるので望ましい。その他、記録膜に用い
る媒体として相変化媒体や、追記型記録媒体を用いても
かまわないが光磁気記録媒体が望ましい。
【００１４】本発明において、光硬化性樹脂を基板上に
塗布する場合は、スピンコート法、ロールコート法等を
用いることによって、膜厚１〜１００μｍ程度塗布す
る。そして、この光硬化性樹脂の表面に、案内溝、プレ
ピットからなる微細パターンを形成するために、光硬化
性樹脂と、所望の光ディスクの案内溝、プレピットから
なる微細パターンを表面にもつスタンパーと密着させな
がら、光硬化によって光硬化性樹脂を硬化させる。光に
よる硬化は、例えば、通常光硬化性樹脂を硬化させる光
を照射させることにより行うことができる。その際、波
長２０〜５０ｎｍ程度の光線を１０〜３０℃程度で、１
〜１０分間程度照射することにより行うことができる。
塗布する場合は、スピンコート法、ロールコート法等を
用いることによって、膜厚１〜１００μｍ程度塗布す
る。そして、この光硬化性樹脂の表面に、案内溝、プレ
ピットからなる微細パターンを形成するために、光硬化
性樹脂と、所望の光ディスクの案内溝、プレピットから
なる微細パターンを表面にもつスタンパーと密着させな
がら、光硬化によって光硬化性樹脂を硬化させる。光に
よる硬化は、例えば、通常光硬化性樹脂を硬化させる光
を照射させることにより行うことができる。その際、波
長２０〜５０ｎｍ程度の光線を１０〜３０℃程度で、１
〜１０分間程度照射することにより行うことができる。
【００１５】また、上記光硬化性樹脂膜が形成された基
板を１２０〜１４０℃程度の温度で熱アニールを施す。
この際、３０〜１００分間程度アニールすることが好ま
しい。
板を１２０〜１４０℃程度の温度で熱アニールを施す。
この際、３０〜１００分間程度アニールすることが好ま
しい。
【００１６】さらに、記録層として、光硬化性樹脂上
へ、スパッタリング法で成膜する。この際、ターゲット
として所望の元素からなるターゲット又はその化合物か
らなるターゲットを用いるほかは、通常のスパッタリン
グ法で行うことができる。また、その際、記録層の構造
が反射層／記録層の２層構造の場合には、反射層と記録
層とがそれぞれ３０〜１００ｎｍ程度、１０〜５０ｎｍ
程度の膜厚で形成することが好ましい。反射層／記録層
／保護層／の３層構造の場合には、反射層、記録層と保
護層とがそれぞれ３０〜１００ｎｍ程度、１０〜５０ｎ
ｍ程度、１０〜２００ｎｍ程度の膜厚で形成することが
好ましい。さらに、反射層／保護層／記録層／保護層／
からなる４層構造の場合には、反射層、保護層、記録層
と保護層とがそれぞれ３０〜１００ｎｍ程度、１０〜１
００ｎｍ程度、１０〜５０ｎｍ程度、１０〜２００ｎｍ
程度の膜厚で形成することが好ましい。また、それ以上
の場合には、記録層全体として約１００〜７００ｎｍの
膜厚で形成することが好ましい。つまり、記録層の厚み
を光硬化性樹脂の膜厚の１／１０〜１／２００に形成す
ることが好ましい。
へ、スパッタリング法で成膜する。この際、ターゲット
として所望の元素からなるターゲット又はその化合物か
らなるターゲットを用いるほかは、通常のスパッタリン
グ法で行うことができる。また、その際、記録層の構造
が反射層／記録層の２層構造の場合には、反射層と記録
層とがそれぞれ３０〜１００ｎｍ程度、１０〜５０ｎｍ
程度の膜厚で形成することが好ましい。反射層／記録層
／保護層／の３層構造の場合には、反射層、記録層と保
護層とがそれぞれ３０〜１００ｎｍ程度、１０〜５０ｎ
ｍ程度、１０〜２００ｎｍ程度の膜厚で形成することが
好ましい。さらに、反射層／保護層／記録層／保護層／
からなる４層構造の場合には、反射層、保護層、記録層
と保護層とがそれぞれ３０〜１００ｎｍ程度、１０〜１
００ｎｍ程度、１０〜５０ｎｍ程度、１０〜２００ｎｍ
程度の膜厚で形成することが好ましい。また、それ以上
の場合には、記録層全体として約１００〜７００ｎｍの
膜厚で形成することが好ましい。つまり、記録層の厚み
を光硬化性樹脂の膜厚の１／１０〜１／２００に形成す
ることが好ましい。
【００１７】従って、本発明によれば、光硬化性樹脂膜
と記録膜との内部応力が互いに水平方向に逆向きで、か
つその大きさが等しくなる。内部応力としては、１．０
×１０6 〜１．０×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 程度の範囲が
好ましく、その方向は互いに逆向き、すなわち引張り方
向と圧縮方向であることが好ましい。
と記録膜との内部応力が互いに水平方向に逆向きで、か
つその大きさが等しくなる。内部応力としては、１．０
×１０6 〜１．０×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 程度の範囲が
好ましく、その方向は互いに逆向き、すなわち引張り方
向と圧縮方向であることが好ましい。
【００１８】
【作用】本発明によれば、樹脂基板と、該基板上に微細
パターンが形成された光硬化性樹脂層と、該光硬化性樹
脂層の上に形成された記録層とを有する光ディスクにお
いて、前記樹脂基板が、予めガラス転移点以上かる融点
以下の温度でアニールされた基板からなり、前記光硬化
性樹脂層の全応力と、記録膜の全応力とが釣り合うよう
に光硬化性樹脂層の膜厚が調整されてなるので、それら
の内部応力を光ディスクの片側で打ち消しあうことによ
って、設計したとおりの反り及びカールの低減が得られ
る。また、樹脂基板が、予めガラス転移点以上かつ融点
以下の温度でアニールされた基板からなるため、基板自
体に残留する内部応力が除去される。
パターンが形成された光硬化性樹脂層と、該光硬化性樹
脂層の上に形成された記録層とを有する光ディスクにお
いて、前記樹脂基板が、予めガラス転移点以上かる融点
以下の温度でアニールされた基板からなり、前記光硬化
性樹脂層の全応力と、記録膜の全応力とが釣り合うよう
に光硬化性樹脂層の膜厚が調整されてなるので、それら
の内部応力を光ディスクの片側で打ち消しあうことによ
って、設計したとおりの反り及びカールの低減が得られ
る。また、樹脂基板が、予めガラス転移点以上かつ融点
以下の温度でアニールされた基板からなるため、基板自
体に残留する内部応力が除去される。
【００１９】また、本発明によれば、(i) 予め樹脂基板
をガラス転移点以上かつ融点以下の温度でアニールした
後、該基板の片面に光硬化性樹脂を塗布する工程、 (ii)該光硬化性樹脂が塗布された面と光ディスクの案内
溝、プレピットからなる微細パターンを表面にもつスタ
ンパーとを密着させながら、光硬化によって前記微細パ
ターンを前記光硬化性樹脂に転写形成する工程、 (iii) 前記基板を１２０〜１４０℃でアニールする工
程、 (iv)前記光硬化性樹脂上へ、スパッタリング法で記録膜
を成膜する工程を含むので、光硬化性樹脂は、光硬化後
の熱アニールでその内部応力、すなわち加熱収縮が飽和
する。よって、スパッタリング法で前記記録膜を成膜す
る時の熱で、光硬化性樹脂がさらに収縮することがなく
なる。しかも、予め樹脂基板をガラス転移点以上かつ融
点以下の温度でアニールするため、基板自体に残存する
内部応力が完全に除去されることとなる。
をガラス転移点以上かつ融点以下の温度でアニールした
後、該基板の片面に光硬化性樹脂を塗布する工程、 (ii)該光硬化性樹脂が塗布された面と光ディスクの案内
溝、プレピットからなる微細パターンを表面にもつスタ
ンパーとを密着させながら、光硬化によって前記微細パ
ターンを前記光硬化性樹脂に転写形成する工程、 (iii) 前記基板を１２０〜１４０℃でアニールする工
程、 (iv)前記光硬化性樹脂上へ、スパッタリング法で記録膜
を成膜する工程を含むので、光硬化性樹脂は、光硬化後
の熱アニールでその内部応力、すなわち加熱収縮が飽和
する。よって、スパッタリング法で前記記録膜を成膜す
る時の熱で、光硬化性樹脂がさらに収縮することがなく
なる。しかも、予め樹脂基板をガラス転移点以上かつ融
点以下の温度でアニールするため、基板自体に残存する
内部応力が完全に除去されることとなる。
【００２０】従って、設計したとおりの反り及びカール
の低減が得られ、環境の変化による反りの増大がなくな
る。
の低減が得られ、環境の変化による反りの増大がなくな
る。
【００２１】
【実施例】本発明の光ディスク及び光ディスクの製造方
法の実施例を図面に基づいて説明するが、本発明は以下
の実施例に限定されるものではない。
法の実施例を図面に基づいて説明するが、本発明は以下
の実施例に限定されるものではない。
【００２２】実施例１ 図１（ｄ）に示したように、直径９０ｍｍ、厚さ１．２
ｍｍのＰＣ製光ディスク基板１０の片面に、光硬化性樹
脂膜１１として膜厚２０μｍ程度の大日本インキ製ダイ
キュアクリアＳＴＭ−４０２が塗布されている。この光
硬化性樹脂膜１１の表面には、光ディスクの微細パター
ンが転写されている。光硬化性樹脂膜１１上には、さら
にＡｌＮ保護層８０ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎ
ｍ、ＡｌＮ保護層２５ｎｍ、Ａｌ反射層５０ｎｍからな
る厚さが１７５ｎｍである光磁気記録膜１２が形成され
ている。
ｍｍのＰＣ製光ディスク基板１０の片面に、光硬化性樹
脂膜１１として膜厚２０μｍ程度の大日本インキ製ダイ
キュアクリアＳＴＭ−４０２が塗布されている。この光
硬化性樹脂膜１１の表面には、光ディスクの微細パター
ンが転写されている。光硬化性樹脂膜１１上には、さら
にＡｌＮ保護層８０ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎ
ｍ、ＡｌＮ保護層２５ｎｍ、Ａｌ反射層５０ｎｍからな
る厚さが１７５ｎｍである光磁気記録膜１２が形成され
ている。
【００２３】次に、このように構成される光ディスクの
製造方法について説明する。図１（ａ）に示したよう
に、ＰＣ製光ディスク基板１０の片面に、光硬化性樹脂
１１（大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−４０
２）を塗布した。次いで、図１（ｂ）に示したように、
光硬化性樹脂１１を塗布した基板１０を、光ディスクの
微細パターンを表面にもつスタンパー１３と密着させな
がら、２Ｐ装置（NIKKA ENGINEERING Co.LTD）の紫外光
光源を用いて、紫外光を５００秒間照射して光硬化性樹
脂１１を硬化させる。
製造方法について説明する。図１（ａ）に示したよう
に、ＰＣ製光ディスク基板１０の片面に、光硬化性樹脂
１１（大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−４０
２）を塗布した。次いで、図１（ｂ）に示したように、
光硬化性樹脂１１を塗布した基板１０を、光ディスクの
微細パターンを表面にもつスタンパー１３と密着させな
がら、２Ｐ装置（NIKKA ENGINEERING Co.LTD）の紫外光
光源を用いて、紫外光を５００秒間照射して光硬化性樹
脂１１を硬化させる。
【００２４】これにより、図１（ｃ）に示したように、
スタンパー１３の微細パターンを光硬化性樹脂１１の表
面に転写形成し、その後、約１３０℃で１時間、アニー
ルを施し、室温で除冷する。
スタンパー１３の微細パターンを光硬化性樹脂１１の表
面に転写形成し、その後、約１３０℃で１時間、アニー
ルを施し、室温で除冷する。
【００２５】さらに、図１（ｄ）に示したように、微細
パターンが転写した光硬化性樹脂１１上に、ＡｌＮ保護
層８０ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ、ＡｌＮ保護
層２５ｎｍ、Ａｌ反射層５０ｎｍからなる厚さが１７５
ｎｍの光磁気記録膜１２をスパッタリング法で成膜し
た。このようにして得られた光磁気ディスク１４は、中
心から外周部までの反りが１μｍ以内に収まっている。
パターンが転写した光硬化性樹脂１１上に、ＡｌＮ保護
層８０ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ、ＡｌＮ保護
層２５ｎｍ、Ａｌ反射層５０ｎｍからなる厚さが１７５
ｎｍの光磁気記録膜１２をスパッタリング法で成膜し
た。このようにして得られた光磁気ディスク１４は、中
心から外周部までの反りが１μｍ以内に収まっている。
【００２６】実施例２ 図２（ｆ）に示したように、基板として厚さ５０μｍの
ＰＥＴフィルム２０（帝人製）の片面に光硬化性樹脂２
１（大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−４０２）
が塗布されている。この光硬化性樹脂膜２１の表面に
は、光ディスクの微細パターンが転写されている。光硬
化性樹脂膜２１上には、さらにＡｌ反射層５０ｎｍ、Ａ
ｌＮ保護層２５ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ、Ａ
ｌＮ保護層８０ｎｍからなる厚さが１７５ｎｍの光磁気
記録膜２２が形成されている。そして、光磁気記録膜２
２及びＰＥＴフィルム２０の上に保護コートとして光硬
化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−３０１）２６ａ、２６
ｂが厚さ５μｍで形成されている。
ＰＥＴフィルム２０（帝人製）の片面に光硬化性樹脂２
１（大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−４０２）
が塗布されている。この光硬化性樹脂膜２１の表面に
は、光ディスクの微細パターンが転写されている。光硬
化性樹脂膜２１上には、さらにＡｌ反射層５０ｎｍ、Ａ
ｌＮ保護層２５ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ、Ａ
ｌＮ保護層８０ｎｍからなる厚さが１７５ｎｍの光磁気
記録膜２２が形成されている。そして、光磁気記録膜２
２及びＰＥＴフィルム２０の上に保護コートとして光硬
化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−３０１）２６ａ、２６
ｂが厚さ５μｍで形成されている。
【００２７】次に、このように構成される光ディスクの
製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に示した
ように、ＰＥＴフィルム２０を内径１５０ｍｍのドーナ
ッツ状治具２５に固定し、ＰＥＴフィルム２０の全方向
に均等な張力を与えながら、ＰＥＴのガラス転移点であ
る７０℃以上、融点以下である１００℃でＰＥＴフィル
ム２０を３０分間アニール処理し、このＰＥＴフィルム
２０の巻癖等の残留内部応力を緩和する。そして、室温
まで除冷した。そして、均一な張力を与えながらアニー
ルを施したＰＥＴフィルム２０を治具２５に取り付けた
まま、光硬化性樹脂２１として、大日本インキ製ダイキ
ュアクリアＳＴＭ−４０２をＰＥＴフィルム２０の片面
に塗布した（図２（ｂ））。
製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に示した
ように、ＰＥＴフィルム２０を内径１５０ｍｍのドーナ
ッツ状治具２５に固定し、ＰＥＴフィルム２０の全方向
に均等な張力を与えながら、ＰＥＴのガラス転移点であ
る７０℃以上、融点以下である１００℃でＰＥＴフィル
ム２０を３０分間アニール処理し、このＰＥＴフィルム
２０の巻癖等の残留内部応力を緩和する。そして、室温
まで除冷した。そして、均一な張力を与えながらアニー
ルを施したＰＥＴフィルム２０を治具２５に取り付けた
まま、光硬化性樹脂２１として、大日本インキ製ダイキ
ュアクリアＳＴＭ−４０２をＰＥＴフィルム２０の片面
に塗布した（図２（ｂ））。
【００２８】次いで、図２（ｂ）に示したように、光硬
化性樹脂２１を塗布したＰＥＴフィルム２０を、光ディ
スクの微細パターンを表面にもつスタンパー２３と密着
させながら、紫外光光源を用いて紫外光を５００秒間照
射して光硬化性樹脂２１を硬化させた。
化性樹脂２１を塗布したＰＥＴフィルム２０を、光ディ
スクの微細パターンを表面にもつスタンパー２３と密着
させながら、紫外光光源を用いて紫外光を５００秒間照
射して光硬化性樹脂２１を硬化させた。
【００２９】これにより、図２（ｃ）に示したように、
スタンパー２３の微細パターンを光硬化性樹脂２１の表
面に転写形成し、その後、約１３０℃で１時間、アニー
ルを施し、室温で除冷した。
スタンパー２３の微細パターンを光硬化性樹脂２１の表
面に転写形成し、その後、約１３０℃で１時間、アニー
ルを施し、室温で除冷した。
【００３０】さらに、図２（ｄ）に示したように、微細
パターンが転写した光硬化性樹脂２１上に、Ａｌ反射層
５０ｎｍ、ＡｌＮ保護層２５ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層
２０ｎｍ、ＡｌＮ保護層８０ｎｍからなる厚さが１７５
ｎｍの光磁気記録膜２２をスパッタリング法で成膜し
た。
パターンが転写した光硬化性樹脂２１上に、Ａｌ反射層
５０ｎｍ、ＡｌＮ保護層２５ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層
２０ｎｍ、ＡｌＮ保護層８０ｎｍからなる厚さが１７５
ｎｍの光磁気記録膜２２をスパッタリング法で成膜し
た。
【００３１】その後、図２（ｅ）に示したように、光磁
気記録膜２２及びＰＥＴフィルム２０の上に保護コート
として光硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−３０１）２
６ａ、２６ｂを厚さが５μｍになるように同じ厚さで塗
布し、紫外光照射によって硬化させた。
気記録膜２２及びＰＥＴフィルム２０の上に保護コート
として光硬化性樹脂（大日本インキ製ＳＤ−３０１）２
６ａ、２６ｂを厚さが５μｍになるように同じ厚さで塗
布し、紫外光照射によって硬化させた。
【００３２】さらに、上記のＰＥＴフィルム２０を外径
５０ｍｍで切り抜き、図２（ｆ）に示したような、フィ
ルム状フレキシブル光磁気ディスク２４を得た。このフ
レキシブル光磁気ディスク２４は中心からディスク外周
部までの反りが１μｍ以内に収まっており、光磁気ディ
スクとして使用するのに差し支えない。
５０ｍｍで切り抜き、図２（ｆ）に示したような、フィ
ルム状フレキシブル光磁気ディスク２４を得た。このフ
レキシブル光磁気ディスク２４は中心からディスク外周
部までの反りが１μｍ以内に収まっており、光磁気ディ
スクとして使用するのに差し支えない。
【００３３】製造例 図３にフレキシブル光ディスクの量産工程の一例を示
す。ロール状で厚さ１０〜１００μｍのＰＥＴ、ＰＣ、
ＰＥＮ、ＰＩからなるフィルム３１をフィルムの長軸及
び短軸の二軸に一定の張力をかけながら、それぞれのガ
ラス転移温度以上の温度（例えばＰＥＴは約１００℃、
ＰＣ、ＰＥＮは約１８０℃、ＰＩはガラス転移点が無い
ので約２００℃）に設定したオーブン３２に送り、熱ア
ニールを施し、フィルム３１の巻癖等の残留内部応力を
除去した。その後、クーラー３３へ送り、室温まで除冷
する。次にフィルム３１の二軸に均一な張力をかけたま
ま、コート用ローラー３４を用いて光硬化性樹脂３５
（大日本インキ製ＳＴＭ−４０２）をフィルム３１の片
面に塗布した。そして、光ディスクの微細パターンを表
面にもつスタンパー３６と密着させ、紫外光光源３７か
ら紫外光を照射して光硬化性樹脂３５を硬化し、スタン
パー３６の微細パターンを光硬化性樹脂３５の表面に転
写形成した。その後、１３０±１０℃に設定したオーブ
ン３８に送り、熱アニールを加えた後、クーラー３９へ
送り、室温まで除冷した。そして、スパッタリング成膜
装置４０を用いて、Ａｌ反射層５０ｎｍ、ＡｌＮ保護層
２５ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ、ＡｌＮ保護層
８０ｎｍからなる厚さが１７５ｎｍの４層構造の光磁気
記録膜を成膜した。さらに、コート用ローラー４１を用
いてフィルム３１の両面に光硬化性樹脂（大日本インキ
製ＳＤ−３０１）を厚さが５μｍになるように塗布し、
紫外光光源４２より紫外光によって保護コートを硬化さ
せた。そして、プレス機４３を用いてフィルム３１を外
径５０ｍｍのディスク状に切り抜き、フィルム状の光デ
ィスク４４を得た。残ったフィルム３１は巻き取られ
る。このようにして得たフレキシブル光ディスク４４は
中心から外周部までの反りが１μｍ以内に収まってい
た。
す。ロール状で厚さ１０〜１００μｍのＰＥＴ、ＰＣ、
ＰＥＮ、ＰＩからなるフィルム３１をフィルムの長軸及
び短軸の二軸に一定の張力をかけながら、それぞれのガ
ラス転移温度以上の温度（例えばＰＥＴは約１００℃、
ＰＣ、ＰＥＮは約１８０℃、ＰＩはガラス転移点が無い
ので約２００℃）に設定したオーブン３２に送り、熱ア
ニールを施し、フィルム３１の巻癖等の残留内部応力を
除去した。その後、クーラー３３へ送り、室温まで除冷
する。次にフィルム３１の二軸に均一な張力をかけたま
ま、コート用ローラー３４を用いて光硬化性樹脂３５
（大日本インキ製ＳＴＭ−４０２）をフィルム３１の片
面に塗布した。そして、光ディスクの微細パターンを表
面にもつスタンパー３６と密着させ、紫外光光源３７か
ら紫外光を照射して光硬化性樹脂３５を硬化し、スタン
パー３６の微細パターンを光硬化性樹脂３５の表面に転
写形成した。その後、１３０±１０℃に設定したオーブ
ン３８に送り、熱アニールを加えた後、クーラー３９へ
送り、室温まで除冷した。そして、スパッタリング成膜
装置４０を用いて、Ａｌ反射層５０ｎｍ、ＡｌＮ保護層
２５ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ、ＡｌＮ保護層
８０ｎｍからなる厚さが１７５ｎｍの４層構造の光磁気
記録膜を成膜した。さらに、コート用ローラー４１を用
いてフィルム３１の両面に光硬化性樹脂（大日本インキ
製ＳＤ−３０１）を厚さが５μｍになるように塗布し、
紫外光光源４２より紫外光によって保護コートを硬化さ
せた。そして、プレス機４３を用いてフィルム３１を外
径５０ｍｍのディスク状に切り抜き、フィルム状の光デ
ィスク４４を得た。残ったフィルム３１は巻き取られ
る。このようにして得たフレキシブル光ディスク４４は
中心から外周部までの反りが１μｍ以内に収まってい
た。
【００３４】試験例 光硬化性樹脂の内部応力を測定した。図４に示したよう
に、マツナミ・マイクロ・カバーガラス（MATSUNAMI MI
CROCOVER GLASS; 24 ×60mm 厚さ0.12〜0.17mm）５１
の表面にプライマー（信越シリコーンＫＢＭ５１０３）
５２を塗布し、９０℃、３０分のベークを施した後、光
硬化性樹脂（大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−
４０２）５３を塗布し、２Ｐ装置（NIKKA ENGINEERING
Co.LTD）の紫外光光源を用いて光硬化性樹脂を硬化した
ものを用いて測定した。
に、マツナミ・マイクロ・カバーガラス（MATSUNAMI MI
CROCOVER GLASS; 24 ×60mm 厚さ0.12〜0.17mm）５１
の表面にプライマー（信越シリコーンＫＢＭ５１０３）
５２を塗布し、９０℃、３０分のベークを施した後、光
硬化性樹脂（大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−
４０２）５３を塗布し、２Ｐ装置（NIKKA ENGINEERING
Co.LTD）の紫外光光源を用いて光硬化性樹脂を硬化した
ものを用いて測定した。
【００３５】図５に紫外光照射時間と光硬化性樹脂の引
っ張り応力の関係を示す。図５中、横軸は紫外光照射時
間、縦軸は光硬化性樹脂の引っ張り応力を示す。５００
秒以上の紫外光照射時間で光硬化性樹脂の内部応力が飽
和し、１×１０7 dyne／cm2の引っ張り応力を得た。
っ張り応力の関係を示す。図５中、横軸は紫外光照射時
間、縦軸は光硬化性樹脂の引っ張り応力を示す。５００
秒以上の紫外光照射時間で光硬化性樹脂の内部応力が飽
和し、１×１０7 dyne／cm2の引っ張り応力を得た。
【００３６】紫外光照射による内部応力が飽和した後、
熱アニールを加えると光硬化性樹脂がさらに収縮し、内
部応力が引っ張り応力の方向に増大する。
熱アニールを加えると光硬化性樹脂がさらに収縮し、内
部応力が引っ張り応力の方向に増大する。
【００３７】図６に引っ張り応力の熱アニール温度依存
性を示す。図６中、横軸はアニール温度、縦軸は光硬化
性樹脂の引っ張り応力を示す。１３０±１０℃の熱アニ
ールを加えることにより光硬化性樹脂の内部応力が５×
１０7 dyne／cm2 の引っ張り応力になった。
性を示す。図６中、横軸はアニール温度、縦軸は光硬化
性樹脂の引っ張り応力を示す。１３０±１０℃の熱アニ
ールを加えることにより光硬化性樹脂の内部応力が５×
１０7 dyne／cm2 の引っ張り応力になった。
【００３８】次に、図７に示したように、マツナミ・マ
イクロ・カバーガラス（MATSUNAMIMICRO COVER GLASS;
24 ×60mm 厚さ0.12〜0.17mm）６１の表面にスパッタ
リング法でＡｌ反射層５０ｎｍ６２、ＡｌＮ保護層２５
ｎｍ６３、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ６４、ＡｌＮ保
護層８０ｎｍ６５からなる厚さが１７５ｎｍである４層
構造の光磁気記録膜を作成し、内部応力を測定した。
イクロ・カバーガラス（MATSUNAMIMICRO COVER GLASS;
24 ×60mm 厚さ0.12〜0.17mm）６１の表面にスパッタ
リング法でＡｌ反射層５０ｎｍ６２、ＡｌＮ保護層２５
ｎｍ６３、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ６４、ＡｌＮ保
護層８０ｎｍ６５からなる厚さが１７５ｎｍである４層
構造の光磁気記録膜を作成し、内部応力を測定した。
【００３９】その結果、５×１０9 dyne／cm2 の圧縮応
力を得た。また保護層６３、６５にＳｉＮを用いたこと
以外は同じ構成である厚さが１７５ｎｍである光磁気記
録膜の内部応力も５×１０9 dyne／cm2 の圧縮応力であ
った。同様に記録層６４にＧｄＦｅＣｏを用いたこと以
外は同じ構成の厚さが１７５ｎｍである光磁気記録膜の
内部応力も５×１０9 dyne／cm2 の圧縮応力であった。
また、Ａｌ反射層５０ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎ
ｍ、ＡｌＮ保護層８０ｎｍからなる厚さが１５０ｎｍで
ある３層の光磁気記録膜の内部応力は４×１０9 dyne／
cm2 の圧縮応力であった。なお、これらの場合、基板上
に光磁気記録膜を形成して内部応力を測定したが、基板
上に形成した光硬化性樹脂上に光磁気記録膜を形成して
内部応力を測定しても、基本的に同じ程度の内部応力を
与えると考えられる。
力を得た。また保護層６３、６５にＳｉＮを用いたこと
以外は同じ構成である厚さが１７５ｎｍである光磁気記
録膜の内部応力も５×１０9 dyne／cm2 の圧縮応力であ
った。同様に記録層６４にＧｄＦｅＣｏを用いたこと以
外は同じ構成の厚さが１７５ｎｍである光磁気記録膜の
内部応力も５×１０9 dyne／cm2 の圧縮応力であった。
また、Ａｌ反射層５０ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎ
ｍ、ＡｌＮ保護層８０ｎｍからなる厚さが１５０ｎｍで
ある３層の光磁気記録膜の内部応力は４×１０9 dyne／
cm2 の圧縮応力であった。なお、これらの場合、基板上
に光磁気記録膜を形成して内部応力を測定したが、基板
上に形成した光硬化性樹脂上に光磁気記録膜を形成して
内部応力を測定しても、基本的に同じ程度の内部応力を
与えると考えられる。
【００４０】ここで膜の全応力は［全応力］＝［内部応
力］×［膜厚］である。従って、大日本インキ製ダイキ
ュアクリアＳＴＭ−４０２からなる光硬化性樹脂膜の膜
厚が、Ａｌ反射層５０ｎｍ、ＡｌＮ保護層２５ｎｍ、Ｄ
ｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ及びＡｌＮ保護層８０ｎｍか
らなる厚さが１７５ｎｍである４層構造の光磁気記録膜
の１００倍の膜厚である１７．５μｍであれば、光硬化
性樹脂膜は内部応力がそれぞれ互いに逆向きでその大き
さが等しくなる。またＡｌ反射層５０ｎｍ、ＤｙＦｅＣ
ｏ記録層２０ｎｍ及びＡｌＮ保護層８０ｎｍからなる厚
さが１５０ｎｍである３層構造の光磁気記録膜を用いた
ときは大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−４０２
からなる光硬化性樹脂膜の膜厚が１２μｍであれば光硬
化性樹脂膜と記録膜とは内部応力がそれぞれ互いに逆向
きでその大きさが等しくなる。
力］×［膜厚］である。従って、大日本インキ製ダイキ
ュアクリアＳＴＭ−４０２からなる光硬化性樹脂膜の膜
厚が、Ａｌ反射層５０ｎｍ、ＡｌＮ保護層２５ｎｍ、Ｄ
ｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ及びＡｌＮ保護層８０ｎｍか
らなる厚さが１７５ｎｍである４層構造の光磁気記録膜
の１００倍の膜厚である１７．５μｍであれば、光硬化
性樹脂膜は内部応力がそれぞれ互いに逆向きでその大き
さが等しくなる。またＡｌ反射層５０ｎｍ、ＤｙＦｅＣ
ｏ記録層２０ｎｍ及びＡｌＮ保護層８０ｎｍからなる厚
さが１５０ｎｍである３層構造の光磁気記録膜を用いた
ときは大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−４０２
からなる光硬化性樹脂膜の膜厚が１２μｍであれば光硬
化性樹脂膜と記録膜とは内部応力がそれぞれ互いに逆向
きでその大きさが等しくなる。
【００４１】そこで、図８に示したように、マツナミ・
マイクロ・カバーガラス（MATSUNAMI MICRO COVER GLAS
S; 24 ×60mm 厚さ0.12〜0.17mm）７１の表面にプライ
マー（信越シリコーンＫＢＭ５１０３）７２を塗布し、
９０℃、３０分のベークを施した後、光硬化性樹脂７３
（大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−４０２）を
塗布し、２Ｐ装置（NIKKA ENGINEERING Co.LTD）の紫外
光光源を用いて紫外光を５００秒間照射して樹脂を硬化
させ、厚さ１７．５μｍの樹脂膜７３を得た。光硬化
後、１３０±１０℃のアニールを１時間加えた後室温で
除冷し、Ａｌ反射層５０ｎｍ、ＡｌＮ保護層２５ｎｍ、
ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ及びＡｌＮ保護層８０ｎｍ
からなる厚さが１７５ｎｍである光磁気記録膜７４をス
パッタリング法で成膜した。
マイクロ・カバーガラス（MATSUNAMI MICRO COVER GLAS
S; 24 ×60mm 厚さ0.12〜0.17mm）７１の表面にプライ
マー（信越シリコーンＫＢＭ５１０３）７２を塗布し、
９０℃、３０分のベークを施した後、光硬化性樹脂７３
（大日本インキ製ダイキュアクリアＳＴＭ−４０２）を
塗布し、２Ｐ装置（NIKKA ENGINEERING Co.LTD）の紫外
光光源を用いて紫外光を５００秒間照射して樹脂を硬化
させ、厚さ１７．５μｍの樹脂膜７３を得た。光硬化
後、１３０±１０℃のアニールを１時間加えた後室温で
除冷し、Ａｌ反射層５０ｎｍ、ＡｌＮ保護層２５ｎｍ、
ＤｙＦｅＣｏ記録層２０ｎｍ及びＡｌＮ保護層８０ｎｍ
からなる厚さが１７５ｎｍである光磁気記録膜７４をス
パッタリング法で成膜した。
【００４２】このようにしてガラス薄片の片面に多層膜
を積層した測定試料の一端を固定端とし自由端までの反
りを測定すると、その反りが１μｍ以内に収まる。これ
はガラス薄片の片面に積層した光硬化性樹脂膜７３と光
磁気記録膜７４の内部応力が、それぞれ互いに逆向きで
大きさが等しいため、内部応力が相殺しあい、反りが抑
制されたことを示す。
を積層した測定試料の一端を固定端とし自由端までの反
りを測定すると、その反りが１μｍ以内に収まる。これ
はガラス薄片の片面に積層した光硬化性樹脂膜７３と光
磁気記録膜７４の内部応力が、それぞれ互いに逆向きで
大きさが等しいため、内部応力が相殺しあい、反りが抑
制されたことを示す。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂基板と、該基板上
に微細パターンが形成された光硬化性樹脂層と、該光硬
化性樹脂層の上に形成された記録層とを有する光ディス
クにおいて、前記樹脂基板が、予めガラス転移点以上か
つ融点以下の温度でアニールされた基板からなり、前記
光硬化性樹脂層の全応力と、記録膜の全応力とが釣り合
うように光硬化性樹脂層の膜厚が調整されてなるので、
それらの内部応力を光ディスクの片側で打ち消しあうこ
とによって、設計したとおりの反り及びカールの低減を
得ることができる。また、樹脂基板が、予めガラス転移
点以上かつ融点以下の温度でアニールされた基板からな
るため、基板自体に残留する内部応力を除去することが
でき、径時変化の極めて少ない光ディスクを得ることが
可能となる。
に微細パターンが形成された光硬化性樹脂層と、該光硬
化性樹脂層の上に形成された記録層とを有する光ディス
クにおいて、前記樹脂基板が、予めガラス転移点以上か
つ融点以下の温度でアニールされた基板からなり、前記
光硬化性樹脂層の全応力と、記録膜の全応力とが釣り合
うように光硬化性樹脂層の膜厚が調整されてなるので、
それらの内部応力を光ディスクの片側で打ち消しあうこ
とによって、設計したとおりの反り及びカールの低減を
得ることができる。また、樹脂基板が、予めガラス転移
点以上かつ融点以下の温度でアニールされた基板からな
るため、基板自体に残留する内部応力を除去することが
でき、径時変化の極めて少ない光ディスクを得ることが
可能となる。
【００４４】また、本発明によれば、(i) 予め樹脂基板
をガラス転移点以上かつ融点以下の温度でアニールした
後、該基板の片面に光硬化性樹脂を塗布する工程、 (ii)該光硬化性樹脂が塗布された面と光ディスクの案内
溝、プレピットからなる微細パターンを表面にもつスタ
ンパーとを密着させながら、光硬化によって前記微細パ
ターンを前記光硬化性樹脂に転写形成する工程、 (iii) 前記基板を１２０〜１４０℃でアニールする工
程、 (iv)前記光硬化性樹脂上へ、スパッタリング法で記録膜
を成膜する工程を含むので、光硬化性樹脂は、光硬化後
の熱アニールでその内部応力、すなわち加熱収縮を飽和
することができ、よって、スパッタリング法で前記記録
膜を成膜する時の熱で、光硬化性樹脂がさらに収縮する
ことを防止することができる。しかも、予め樹脂基板を
ガラス転移点以上かつ融点以下の温度でアニールするた
め、基板自体に残存する内部応力を完全に除去すること
ができるため、径時変化の極めて少ない光ディスクを得
ることが可能となる。
をガラス転移点以上かつ融点以下の温度でアニールした
後、該基板の片面に光硬化性樹脂を塗布する工程、 (ii)該光硬化性樹脂が塗布された面と光ディスクの案内
溝、プレピットからなる微細パターンを表面にもつスタ
ンパーとを密着させながら、光硬化によって前記微細パ
ターンを前記光硬化性樹脂に転写形成する工程、 (iii) 前記基板を１２０〜１４０℃でアニールする工
程、 (iv)前記光硬化性樹脂上へ、スパッタリング法で記録膜
を成膜する工程を含むので、光硬化性樹脂は、光硬化後
の熱アニールでその内部応力、すなわち加熱収縮を飽和
することができ、よって、スパッタリング法で前記記録
膜を成膜する時の熱で、光硬化性樹脂がさらに収縮する
ことを防止することができる。しかも、予め樹脂基板を
ガラス転移点以上かつ融点以下の温度でアニールするた
め、基板自体に残存する内部応力を完全に除去すること
ができるため、径時変化の極めて少ない光ディスクを得
ることが可能となる。
【００４５】従って、設計したとおりの反り及びカール
の低減を得ることができ、環境の変化による反りを抑制
することができる。つまり、基板上の内部応力に起因す
るディスクの反りを抑制することができるので、情報の
記録、再生、消去に用いるレーザー光の焦点合わせを容
易とすることが可能となる。また、基板材料にフレキシ
ブルな高分子フィルムを用いることができる。
の低減を得ることができ、環境の変化による反りを抑制
することができる。つまり、基板上の内部応力に起因す
るディスクの反りを抑制することができるので、情報の
記録、再生、消去に用いるレーザー光の焦点合わせを容
易とすることが可能となる。また、基板材料にフレキシ
ブルな高分子フィルムを用いることができる。
【００４６】また、光硬化性樹脂を基板の片面にしか塗
布しないので、光ディスクを安価に低コストで製造する
ことができる。さらに、内部応力バランスをフィルム基
板の片面だけで行うので、フレキシブル基板の柔軟性を
損なわない。
布しないので、光ディスクを安価に低コストで製造する
ことができる。さらに、内部応力バランスをフィルム基
板の片面だけで行うので、フレキシブル基板の柔軟性を
損なわない。
【図１】本発明に係わる光ディスクの製造方法の実施例
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係わる光ディスクの製造方法の別の実
施例を示す概略断面図である。
施例を示す概略断面図である。
【図３】本発明に係わる光ディスクの製造工程を説明す
るための概略図である。
るための概略図である。
【図４】光硬化性樹脂の内部応力を測定するための光デ
ィスクの概略断面図である。
ィスクの概略断面図である。
【図５】光硬化性樹脂の引っ張り応力とＵＶ光照射時間
との関係を説明するためのグラフである。
との関係を説明するためのグラフである。
【図６】光硬化性樹脂の引っ張り応力と熱アニール温度
との関係を説明するためのグラフである。
との関係を説明するためのグラフである。
【図７】光磁気記録膜の内部応力を測定するための光デ
ィスクの概略断面図である。
ィスクの概略断面図である。
【図８】反りを測定するための光ディスクの概略断面図
である。
である。
１０、２０ 基板 １１、２１ 光硬化性樹脂膜 １２、２２ 記録膜 １３、２３ スタンパー
フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−285534（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−123333（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−38635（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−137141（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−150101（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/24 538
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂基板と、該樹脂基板上に微細パター
ンが形成された光硬化性樹脂層と、該光硬化性樹脂層の
上に形成された記録層とを有する光ディスクにおいて、 前記樹脂基板が、予めガラス転移点以上かつ融点以下の
温度でアニールされた基板からなり、前記光硬化性樹脂
層の全応力と、記録膜の全応力とが釣り合うように光硬
化性樹脂層の膜厚が調整されてなることを特徴とする光
ディスク。 - 【請求項２】 (i) 予め樹脂基板をガラス転移点以上か
つ融点以下の温度でアニールした後、該基板の片面に光
硬化性樹脂を塗布する工程、 (ii)該光硬化性樹脂が塗布された面と光ディスクの案内
溝、プレピットからなる微細パターンを表面にもつスタ
ンパーとを密着させながら、光硬化によって前記微細パ
ターンを前記光硬化性樹脂に転写形成する工程、 (iii) 前記基板を１２０〜１４０℃でアニールする工
程、 (iv)前記光硬化性樹脂上へ、スパッタリング法で記録膜
を成膜する工程を含むことを特徴とする光ディスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317496A JP2790400B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 光ディスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317496A JP2790400B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 光ディスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162573A JPH06162573A (ja) | 1994-06-10 |
| JP2790400B2 true JP2790400B2 (ja) | 1998-08-27 |
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ID=18088882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4317496A Expired - Fee Related JP2790400B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 光ディスク及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2790400B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-11-26 JP JP4317496A patent/JP2790400B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH06162573A (ja) | 1994-06-10 |
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