JPH01150101A - 光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光ディスク装置に用いる光ディスク基板に関
するものである。

従来の技術 近年、情報化社会を背景に情報量の急速な増加に伴い、
データ処理システムやオフイヌオートメーション等の分
野において記録容量の大きい記録媒体、とシわけ光デイ
ヌクが注目されている。

以下、従来の光ディスクについて説明する。

光ディスクの基板は、用途によって様々な材料が使われ
ている。例えば、コンパクトディスク（以後ＣＤと呼ぶ
）ではポリカーボネート（以後ＰＣと呼ぶ）が、またビ
デオディスク（以後ＶＤと呼ぶ）の基板にはポリメタル
メタクリレート（以後ＰＭＭＡと呼ぶ）が用いられてい
る。その他に光磁気ディスク用に複屈折率を抑えたエポ
キシ基板や非晶質ポリオレフィン系の基板材料等が開発
されている。また、芳香族をスルホニウム塩を開始剤と
する光硬化型のエポキシ樹脂は、ガラス部品と金属との
接着剤や、トップコーティング等に利用されている０プ
ラスチツク基板以外にもガラスの平板に光硬化樹脂を塗
布し、溝を形成する方法で基板が形成されている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記の従来の基板では以下のような問題点
を有していた。すなわち、ＣＤに使用されているＰＣ基
板では複屈折率がエポキシ基板やＰＭＭＡ基板に較べて
大きく、まだ、ＰＭＭＡ基板は吸水率がＰＣ基板やエポ
キシ基板に較べて大きく、かつ熱変形温度が９０℃前後
と低いために耐熱、耐湿性に問題がある。従来のエポキ
シ基板は光硬化型の場合、基板厚さが１ｆ１前後と厚い
ために完全硬化できず未硬化部分が残存し、安定性。

耐湿性に問題があった。また熱硬化型の場合は完全硬化
するが、成形して脱形できる硬度に達するまでに時間が
かかるという問題点を有していた。

表１に、ＰＣ，ＰＭＭＡ、エポキシ基板の複屈折率、吸
水率、ガラス転移温度、透湿性を示す。

表　　　１ また、ガラスを基板に用いたものは溝形成用の光硬化樹
脂にはポリエヌテ／Ｌ’系メタクリレート等が使われて
おシ、これらはラジカル重合を利用したものであシ、嫌
気性があシ端面が十分に硬化しないという問題点を有し
ていた。

特に光磁気ディスクの場合、記録膜が希土類−遷移金属
のために酸化され易く、基板の吸水率。

透湿性に大きく依存する。また、再生信号量はレーザー
の偏光面の傾きを検知しているために基板の複屈折率が
大きいとノイズが増加せる。

ＰＣやＰＭＭＡ基板を用いた第８図で示す構造の光磁気
ディスクの特性を第６図、第７図に示す。

第６図、第７図は、ｓｏ℃、ｓｏ％ＲＨ環境下に放置し
たときの記録膜ＴｂＦｅＣｏの保磁力（以後、Ｈａと呼
ぶ）、θにの経時変化及び録再特性でキャリアとノイズ
の比（以後、Ｃ／Ｎと書く）の経時変化を示す。ＰＣ基
板を用いたものは初期特性でノイズが大きいためＣ／Ｎ
が低い。さらに１００ｈｒ前後で記録膜が水分によシ劣
化してしまうという問題点を有していた。

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、耐熱、耐
湿にすぐれかつ硬化収縮が低く、硬化時間が短い光ディ
スク基板を提供することを目的とする〇 問題点を解決するだめの手段 この目的を達成するために本発明はスルホニウム塩を硬
化開始剤とするエポキシ樹脂からなる基板を光ディスク
に用いている。

作　　用 本発明は、スルホニウム塩が、硬化開始剤であり光を照
射することにより瞬時の硬化が可能であシ、重合時間を
短縮できる。また、この場合のエポキシ基の開環結合は
カチオン重合でありラジカル重合に比較して硬化収縮が
小さく、基板上に形成される溝の変形を抑えることがで
きる０光硬化性樹脂でエポキシ系では硬化収縮率が３〜
４％であるがＰＭＭＡ等のアクリル系では１０％にも達
する。更に、カチオン重合は生長末端で酸素と反応がお
こなうために嫌気性がなく端面が未後化状態のままで残
らない。光照射を止めて熱によるアフター・キュアによ
シ完全に硬化させることができる。また、エポキシ樹脂
のために透湿率、吸水率を低く抑えることができる０ 実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図は本発明の一実施例における光磁気ディス
ク用のエポキシ基板の作製方法を示すものである。第１
図において、１はエポキシ樹脂モノマーに硬化開始剤と
してスルホニウム塩の１つトリフェニルスルホニウムへ
キサフルオロホスフェート（以後、トリフェニルスルホ
ニウム）とカルベニラムカチオンが含まれているエポキ
シ樹脂、２はスタンパ−１３はガラス平板、４は紫外線
である。

まず、第１図Ａに示すように、スタンパ−２上ニエホキ
シ樹脂モノマーニトリフエニルスルホニウムを加えたも
のを塗布する。次に、第１図Ｂに示すようにその樹脂の
上にガラス平板３をのせ、更に第１図Ｃに示すように、
紫外線４を上方よりガラス平板３を介して照射する。そ
して、スタンパ−２、ガラス平板３からエポキシ樹脂１
を順々に剥離し、第１図りに示すように８０〜１６０℃
で１０分〜６０分間加熱をおこなう。第１図Ｂで、ガラ
ス平板３とスタンパ−２の間隔は１〜１．５１であり、
スタンパ−２に形成されている溝の深さ−は６ｏ〜８０
ｎｍ、ピッチが１〜２μｍである。

開始剤の添加量は０．１〜５％程度である。

この方法により作成されたエポキシ基板に形成された溝
とスタンパ−２の溝を比較したのが第２図である。第２
図Ａはスタンパ−２の溝形状、Ｂはエポキシ基板上の溝
形状を示している。両方共にタリステソプにより測定を
行なった。明らかにスタンパ−２の溝が正確に転写され
ておシ硬化収縮による影響はなかった。またこの基板に
膜を形成し第３図に示す構造の光磁気ディスクを作成し
た。この光磁気ディスクを８０℃、８０％ＲＨの環境下
に放置し、耐熱、耐湿試験を行なった結果を、第４図、
第５図に示す。第４図、第６図に示すように、Ｈａ、θ
、、Ｃ／Ｎ　共に１０００ｈｒ経過して変化はなかった
。

以上のように本実施例によればスルホニウム塩を開始剤
とする光及び熱で硬化するエポキシ樹脂を基板に用いた
ことによシ、硬化収縮による溝の変形を無くし数秒程度
で光により硬化させスタンパ−からの型離れを速くし、
かつ熱によって完全に硬化させることができる。その上
、エポキシ樹脂の性質として吸水率、透湿率が低いため
に８０℃、８０％ＲＨの環境下で記録膜ＴｂＦｅＣｏが
１ｏＯＯｈｒ以上劣化しなかった。複屈折率も６ｎｍ以
下と小さくできＰＣ、ＰＭＭＡ基板を用いたときに較べ
てＣ／Ｎの初期特性で１〜３ｄＢ　アップした。

発明の効果 本発明は、基板にスルホニウム塩を開始剤とする光硬化
かつ熱硬化するエポキシ樹脂を用いることによりラジカ
ル重合に較べ、光カチオン重合の方が硬化収縮率が小さ
いため基板に形成された溝の転写性を改善でき、更に光
硬化によシ硬化時間を短くとることで基板の成型から脱
型までの時間を短縮し、その後にアフタキュアで熱によ
シ完全硬化でき、また、吸水率、透湿率もエポキシ樹脂
のためにＰＣやＰＭＭＡに較べて小さく、ガラス転移温
度もＰＣ並みに１１０〜１３０℃程度とれるので、耐熱
、耐湿性も改善でき、さらにカチオン重合は嫌気性でな
いために端面も完全硬化できるという効果を得ることが
できる優れた光ディスク基板を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光ディスクの基板の
作製方法を示す工程図、第２図は本発明の一実施例にお
けるスタンパ−によって基板上に形成された溝とスタン
パ−自身の溝を比較し、溝の転写性を示した特性図、第
３図は本発明の一実施例における光磁気ディスクの構造
図、第４図。 第５図は第３図の構造を有する光磁気ディスクの８０℃
、ａｏ％ＲＨ環境下におけるＨａ、θｋ　、　Ｃ／Ｎの
経時変化を示した特性図、第６図、第７図は従来構造の
光磁気ディスクの８Ｃ）Ｃ，８０％ＲＨ環境下における
Ｈａ、θに、Ｃ／Ｎの経時変化を示す特性図、第８図は
従来の光ディスクの構造図である。 １・・・・・・エポキシｍ脂、２・・・・・・スタンパ
−１３・・・・・・ガラス平板、４・・・・・・紫外線
。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第　
１　図 第２図 （Ａ） （Ｅｌ） 基板に形成された溝 第３１２ 第５図　　放置時間Ｔ　（ｈｏｕｒ） ５　　放萱譬間Ｔ　（ｈｏｕｒ”） 第６図 故蛋埒閉Ｔ　（ｈｏｕｒ） （Ｉ）　　ＰＣ基板渣粗いに場合 ｔ　ＲＱ　ｖｉＴ　（ｈｏｕｒ） （２）　　ＰＭＭＡ基販に用ＩＸた塙春第７図 放置時間Ｔ　（ｈｏｕｒ） ３−＝　　ＴｂＦｅＣｏＭ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）スルホニウム塩を硬化の開始剤とするエポキシ樹
   脂からなる基板を備えたことを特徴とする光ディスク基
   板。
2. （２）基板に凹凸状の溝を備えたことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の光ディスク基板。