JP2780264B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法とその方法により製造されたライト／リードヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法とその方法により製造されたライト／リードヘッドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は膜の領域によって異なる材料を有する薄膜磁
気ヘッドを製造する方法に関する。また、この方法によ
って作られるライト／リードヘッドに関する。
気ヘッドを製造する方法に関する。また、この方法によ
って作られるライト／リードヘッドに関する。
（従来の技術） 従来の技術では、２〜５マイクロメータの厚さの薄膜
を作るとき、同じ膜に、区域毎に異なる組成物を作るこ
とは不可能であった。本発明によると、ある区域がより
固い材料で構成されるこの種の構造が、表面摩耗に対す
る大きな抵抗をもつ構造を提供する。
を作るとき、同じ膜に、区域毎に異なる組成物を作るこ
とは不可能であった。本発明によると、ある区域がより
固い材料で構成されるこの種の構造が、表面摩耗に対す
る大きな抵抗をもつ構造を提供する。
この構成は好ましくはライト／リード磁気ヘッドに提
供され得る。
供され得る。
集積された磁気ヘッドはハードディスクにおけるリー
ド又はライトの構成要素として実際に製造されている。
そのような使用の関係において、磁気ヘッドはディスク
の表面上を浮上する。その浮上の高さは約0.3マイクロ
メートルであり、一方磁気ヘッドが使用される間磁気ヘ
ッドはこのディスクがスタートされるか又はストップさ
れるときを除いてディスクを決してこすらない。
ド又はライトの構成要素として実際に製造されている。
そのような使用の関係において、磁気ヘッドはディスク
の表面上を浮上する。その浮上の高さは約0.3マイクロ
メートルであり、一方磁気ヘッドが使用される間磁気ヘ
ッドはこのディスクがスタートされるか又はストップさ
れるときを除いてディスクを決してこすらない。
対照的に、ビデオテープレコーダ型装置において、書
込み媒体は酸化物又は金属のいずれかで作られた磁気テ
ープであり、ヘッドはテープに接触している。この結
果、現在のVHSヘッド用標準によれば、稼働2000時間当
たり約20マイクロメートルである摩耗率になり、よって
ビデオテープレコーダの寿命を確定している。
込み媒体は酸化物又は金属のいずれかで作られた磁気テ
ープであり、ヘッドはテープに接触している。この結
果、現在のVHSヘッド用標準によれば、稼働2000時間当
たり約20マイクロメートルである摩耗率になり、よって
ビデオテープレコーダの寿命を確定している。
薄膜ヘッドにおいて、テープとライト／リードヘッド
の間のインタフェースの問題はきわめて重大であり、そ
の理由は活性磁気部分に対して数マイクロメートルの範
囲で広がりを伴うからである。約５マイクロメートルの
厚さ及び0.2マイクロメートルのギャップを有する薄膜
デポジットにおいて、膜の基板は約500マイクロメート
ルの厚さでデポジットされる。
の間のインタフェースの問題はきわめて重大であり、そ
の理由は活性磁気部分に対して数マイクロメートルの範
囲で広がりを伴うからである。約５マイクロメートルの
厚さ及び0.2マイクロメートルのギャップを有する薄膜
デポジットにおいて、膜の基板は約500マイクロメート
ルの厚さでデポジットされる。
ここで、その磁気ヘッドの早期な摩耗に対する予防策
を講じる理由がある。
を講じる理由がある。
現在市場での磁気薄膜は、Fe及びNiのような材料又は
FeSiAlのような混合物のカソードスパッタリングによっ
て製造されている。カソードスパッタリングから生ずる
構造は、多結晶で局部的には非均質構造である。
FeSiAlのような混合物のカソードスパッタリングによっ
て製造されている。カソードスパッタリングから生ずる
構造は、多結晶で局部的には非均質構造である。
対照的に、この種の構成要素の製造には、本発明によ
れば、論文“Siに対するGaAsのレーザ選択付着（“Lase
r Selective Depositing of GaAs on Si"by S.M.Bedair
et al in the jour january 1986）に記述されている
ようにレーザ加熱によるエピタクシャルデポジットの周
知の技術を用いることを要する。
れば、論文“Siに対するGaAsのレーザ選択付着（“Lase
r Selective Depositing of GaAs on Si"by S.M.Bedair
et al in the jour january 1986）に記述されている
ようにレーザ加熱によるエピタクシャルデポジットの周
知の技術を用いることを要する。
本発明の方法の技術的なフレッキシビリティにおい
て、隣接、積み重ねデポジットを有する構造を提供する
ことが可能であり、磁気ヘッドの設計に使用することが
できる。
て、隣接、積み重ねデポジットを有する構造を提供する
ことが可能であり、磁気ヘッドの設計に使用することが
できる。
（発明の概要） 本発明は固さのある成分を含む混合物を用いて基板上
に第１の複数の区域をデポジットさせる第１工程と、材
料の磁気特性を最適化した成分を含む混合物を用いて基
板上に第２の複数の区域をデポジットさせる第２工程
と、第１及び第２の複数の区域上に非磁気材料の膜をデ
ポジットさせる第３工程と、誘導コイルをつくる第４工
程と、非磁気材料の膜上に固さのある成分を含む混合物
によって、第１の複数の区域に対応する第３の複数の区
域をデポジットさせる第５工程と、非磁気材料の膜上に
材料の磁気特性を最適化する成分要素を含む混合物によ
って、第２の複数に区域に対応する第４の複数の区域を
デポジットさせる第６工程とを含むことを特徴とする薄
膜磁気ヘッド製造方法に関する。
に第１の複数の区域をデポジットさせる第１工程と、材
料の磁気特性を最適化した成分を含む混合物を用いて基
板上に第２の複数の区域をデポジットさせる第２工程
と、第１及び第２の複数の区域上に非磁気材料の膜をデ
ポジットさせる第３工程と、誘導コイルをつくる第４工
程と、非磁気材料の膜上に固さのある成分を含む混合物
によって、第１の複数の区域に対応する第３の複数の区
域をデポジットさせる第５工程と、非磁気材料の膜上に
材料の磁気特性を最適化する成分要素を含む混合物によ
って、第２の複数に区域に対応する第４の複数の区域を
デポジットさせる第６工程とを含むことを特徴とする薄
膜磁気ヘッド製造方法に関する。
また、本発明は、基板に連続的にデポジットされ、磁
気材料の第１膜、非磁気材料の膜、磁気材料の第２膜を
有する薄膜磁気ヘッドに関する。前記磁気ヘッドは各膜
の端による側面を有し、この側面は磁気媒体と接触する
活性面を構成し、磁気材料による第１及び第２の膜は、
前記側面に隣接する第１区域と第３区域に磁気ヘッドの
摩擦に対する抵抗を増加させる固さのある材料を有す
る。
気材料の第１膜、非磁気材料の膜、磁気材料の第２膜を
有する薄膜磁気ヘッドに関する。前記磁気ヘッドは各膜
の端による側面を有し、この側面は磁気媒体と接触する
活性面を構成し、磁気材料による第１及び第２の膜は、
前記側面に隣接する第１区域と第３区域に磁気ヘッドの
摩擦に対する抵抗を増加させる固さのある材料を有す
る。
（実施例） 薄膜構造の設計は、多種多様の膜が異なった組成物を
備えた明確な区域からなる構造においては、例えば、薄
膜磁気ライト／リードヘッドに用いることができる。
備えた明確な区域からなる構造においては、例えば、薄
膜磁気ライト／リードヘッドに用いることができる。
第１図は、基板１上に次のものを含む薄膜構造の実施
例を示す。第１の薄膜２はいくつかの区域20,21からな
り、第２の薄膜４はいくつかのの区域40,41からなる。
例を示す。第１の薄膜２はいくつかの区域20,21からな
り、第２の薄膜４はいくつかのの区域40,41からなる。
薄膜2,4の多種の区域は異なる材料で作られる。第１
図に示される実施例によれば、２つの薄膜2,4の各々に
おける区域は２つのタイプを有する。それらは例えば2
0,40のようなドット区域とハッチド区域21,41である。
図に示される実施例によれば、２つの薄膜2,4の各々に
おける区域は２つのタイプを有する。それらは例えば2
0,40のようなドット区域とハッチド区域21,41である。
区域20,40は例えば耐摩耗材料で作られる。区域21及
び41は磁気材料から作られる。各膜２及び４の厚さは数
百オングストロームと約５マイクロメートルの間の範囲
でよく、21及び41の磁気特性に関係する。各区域は正方
形の形状で図示され、その一辺が数マイクロメートルか
ら数十マイクロメートルである。しかしながら、区域の
形は応用製品に従って異なってもよい。
び41は磁気材料から作られる。各膜２及び４の厚さは数
百オングストロームと約５マイクロメートルの間の範囲
でよく、21及び41の磁気特性に関係する。各区域は正方
形の形状で図示され、その一辺が数マイクロメートルか
ら数十マイクロメートルである。しかしながら、区域の
形は応用製品に従って異なってもよい。
応用製品に左右されるが、２つの膜２及び４の異なっ
た組成物を具備する複数の区域は互いに反対に配置され
る。すなわち膜２の区域20は膜４の区域41と対向して、
膜２の区域21は膜４の区域40に対向して配置される。
た組成物を具備する複数の区域は互いに反対に配置され
る。すなわち膜２の区域20は膜４の区域41と対向して、
膜２の区域21は膜４の区域40に対向して配置される。
上述した構造をつくるためには、金属−有機材料のエ
ピタクシー（MOCVD）を行なう装置が用いられる。第２
図に示すように、この装置はサセプタ70を具備するチェ
ンバすなわち反応室を有し、そのサセプタ70上に基板１
が置かれる。そのチェンバは入口71及び出口72を有す
る。複数のガス入口導管が入口71に接続されている。こ
れらの種々の導管は入口71に金属と有機物の混合物すな
わちOM1,OM2…OM5はそれぞれ一つの金属要素を含むも
の、例えばOM1に対してニッケル、OM2に対してシリコ
ン、OM3に対して鉄、OM4に対してアルミニウム、OM5に
対してクロムのようなものを供給する。他の導管は水素
又はタイプIII−Ｖ又はII−VIの化合物又は金属を供給
するために用いられる。レーザ源５は光ビームＲを発生
し、この光ビームによって、入口71から入ってくる流体
Ｆが基板１で局所加熱される。デフレクター６はビーム
Ｒを偏向させ基板１上のビームの加熱点を移動させ、一
つの区域を完全にスキャンできるようにする。このスキ
ャニングは計算機プログラムによって制御することがで
きる。各点での加熱時間は最適化されなければならず、
数ミリ秒から数秒の範囲である。
ピタクシー（MOCVD）を行なう装置が用いられる。第２
図に示すように、この装置はサセプタ70を具備するチェ
ンバすなわち反応室を有し、そのサセプタ70上に基板１
が置かれる。そのチェンバは入口71及び出口72を有す
る。複数のガス入口導管が入口71に接続されている。こ
れらの種々の導管は入口71に金属と有機物の混合物すな
わちOM1,OM2…OM5はそれぞれ一つの金属要素を含むも
の、例えばOM1に対してニッケル、OM2に対してシリコ
ン、OM3に対して鉄、OM4に対してアルミニウム、OM5に
対してクロムのようなものを供給する。他の導管は水素
又はタイプIII−Ｖ又はII−VIの化合物又は金属を供給
するために用いられる。レーザ源５は光ビームＲを発生
し、この光ビームによって、入口71から入ってくる流体
Ｆが基板１で局所加熱される。デフレクター６はビーム
Ｒを偏向させ基板１上のビームの加熱点を移動させ、一
つの区域を完全にスキャンできるようにする。このスキ
ャニングは計算機プログラムによって制御することがで
きる。各点での加熱時間は最適化されなければならず、
数ミリ秒から数秒の範囲である。
複数の区域が基板１上の広い領域に分布している場合
には、１以上の区域がスキャンされた後に基板１はレー
ザ源に関してシフトされ、他の複数の区域がスキャンさ
れるようになっている。
には、１以上の区域がスキャンされた後に基板１はレー
ザ源に関してシフトされ、他の複数の区域がスキャンさ
れるようになっている。
各区域に異なった組成物をデポジットさせるために、
まずある特有の性質を有する区域はある適切なガス混合
物を用いてデポジットされる。次に同一性質を有する全
ての区域がデポジットされるとチェンバはガスを放出
し、他の区域が別のガス混合物でデポジットされる。
まずある特有の性質を有する区域はある適切なガス混合
物を用いてデポジットされる。次に同一性質を有する全
ての区域がデポジットされるとチェンバはガスを放出
し、他の区域が別のガス混合物でデポジットされる。
第１図に示すように、チェッカボード状（格子模様）
の構造を得るためには、基板１はレーザに関して連続直
線運動、及び基板１の回転によって移動可能とすること
ができる。あるいはレーザビームは、基板１を固定して
同様に移動可能としてもよく、レーザと基板１との運動
の組み合わせもあり得る。
の構造を得るためには、基板１はレーザに関して連続直
線運動、及び基板１の回転によって移動可能とすること
ができる。あるいはレーザビームは、基板１を固定して
同様に移動可能としてもよく、レーザと基板１との運動
の組み合わせもあり得る。
摩擦抵抗性のある膜にこの方法を用いるにあたり、操
作は基板１で始まり次いでレーザスポット（10Å×10
Å）と同程度の寸法の正方形のチェッカボードパターン
に加熱が行なわれ、この操作はデポジットさせるために
ガス（エチレン、メチレン等）下でなされる。次いでレ
ーザビーム経路を再初期化して前記チェッカボードパタ
ーンの別の領域にシランを注入してSiをデポジットす
る。基板１又はレーザ、あるいは両者共に、望まれる形
状に従って移動し、回転するようにすることができる。
作は基板１で始まり次いでレーザスポット（10Å×10
Å）と同程度の寸法の正方形のチェッカボードパターン
に加熱が行なわれ、この操作はデポジットさせるために
ガス（エチレン、メチレン等）下でなされる。次いでレ
ーザビーム経路を再初期化して前記チェッカボードパタ
ーンの別の領域にシランを注入してSiをデポジットす
る。基板１又はレーザ、あるいは両者共に、望まれる形
状に従って移動し、回転するようにすることができる。
レーザMOCVDエピタクシーは表面、深さともに非常に
局部的にモノクリスタルデポジット層を作るために用い
ることができる。存在するガスはレーザによって加熱
（数百℃まで）される部分で分解し、その成長は関係部
分が照射されている時間に比例する。
局部的にモノクリスタルデポジット層を作るために用い
ることができる。存在するガスはレーザによって加熱
（数百℃まで）される部分で分解し、その成長は関係部
分が照射されている時間に比例する。
この方法の利点はマスキング操作が要求されないこと
にある。
にある。
第３図及び第４図について説明する。我々は、上述し
た構造を磁気ライト／リードヘッド製造に用いる例につ
いて記述する。
た構造を磁気ライト／リードヘッド製造に用いる例につ
いて記述する。
例えば、ビデオへの応用としての集積磁気ヘッド、つ
まり、酸化物又は金属磁気テープ上を5m/sで走るもの
は、テープと接触する部分で摩耗に耐えなければなら
ず、またS/Nを改善するためテープ近くでできるだけ大
きい透磁率を持たねばならない。これは、発明がこの種
の摩擦に耐える磁気ヘッド構造に関する理由である。
まり、酸化物又は金属磁気テープ上を5m/sで走るもの
は、テープと接触する部分で摩耗に耐えなければなら
ず、またS/Nを改善するためテープ近くでできるだけ大
きい透磁率を持たねばならない。これは、発明がこの種
の摩擦に耐える磁気ヘッド構造に関する理由である。
第４図において、この種の薄膜磁気ヘッドは、例えば
セラミック片にデポジットされた酸化アルミニウム膜を
有する基板上に、非磁気材料からなる膜３と並んだ磁気
材料からなる第１膜２を有する。フラットコイル８は磁
気膜２と重なる。磁気材料から第２膜４は、コイル８か
ら絶縁物質30によって絶縁され、第１の磁気膜と並んで
いる。２つの磁気膜２及び４はコイル８の中心で互いに
接触し、磁束を通過させることが可能な共通区域24を有
する。ヘッドの活性部分25は共通区域24の反対側にあ
る。この膜２及び４は非磁気材料３からなる膜によって
分離され、磁気回路は開であり、膜３は磁気ヘッドのギ
ャップを決定する。磁気媒体は活性部分25を通過すると
きにコイル８によってデータを書き込んだり読出したり
する。磁気ヘッドを完成するに、基板９は膜４の全体、
及びコイル８をボンディングによってカバーする。
セラミック片にデポジットされた酸化アルミニウム膜を
有する基板上に、非磁気材料からなる膜３と並んだ磁気
材料からなる第１膜２を有する。フラットコイル８は磁
気膜２と重なる。磁気材料から第２膜４は、コイル８か
ら絶縁物質30によって絶縁され、第１の磁気膜と並んで
いる。２つの磁気膜２及び４はコイル８の中心で互いに
接触し、磁束を通過させることが可能な共通区域24を有
する。ヘッドの活性部分25は共通区域24の反対側にあ
る。この膜２及び４は非磁気材料３からなる膜によって
分離され、磁気回路は開であり、膜３は磁気ヘッドのギ
ャップを決定する。磁気媒体は活性部分25を通過すると
きにコイル８によってデータを書き込んだり読出したり
する。磁気ヘッドを完成するに、基板９は膜４の全体、
及びコイル８をボンディングによってカバーする。
従来技術によるヘッドにおいて、活性部分は数マイク
ロメートルの厚さ（例として５マイクロメートル）で、
数十マイクロメートルの高さｈ（例として20から50マイ
クロメートル）を有する。本発明によれば、この活性部
分は耐摩耗材料から作られた区域20及び40を有する。第
４図において、これらの区域はヘッド活性部25の終端に
位置し膜２及び４の中に作られている。区域20及び40
は、耐摩耗領域と潤滑領域を併せて有するものとする。
ロメートルの厚さ（例として５マイクロメートル）で、
数十マイクロメートルの高さｈ（例として20から50マイ
クロメートル）を有する。本発明によれば、この活性部
分は耐摩耗材料から作られた区域20及び40を有する。第
４図において、これらの区域はヘッド活性部25の終端に
位置し膜２及び４の中に作られている。区域20及び40
は、耐摩耗領域と潤滑領域を併せて有するものとする。
前述した方法によれば、これらの区域はエピタクシャ
ルデポジットによって作られ、このデポジットは例えば
CSiを添加して機械的に膜を固くすることが可能であ
る。この添加は磁気特性の劣化と機械的固さとの間の妥
協を伴う。
ルデポジットによって作られ、このデポジットは例えば
CSiを添加して機械的に膜を固くすることが可能であ
る。この添加は磁気特性の劣化と機械的固さとの間の妥
協を伴う。
非耐摩耗な膜２及び４は優れた磁気特性を有すること
ができることに注意しなければならない。従って、膜の
磁気性能特性が再現できる。
ができることに注意しなければならない。従って、膜の
磁気性能特性が再現できる。
前述したように金属有機化合物及び水素化合物はレー
ザ線で分解され、数μm2より小さい領域で制御されたモ
ノクリスタル成長を誘起する。このようにして、異なっ
た材料からなり、方向のあるモノクリスタルが互いに隣
接して作られる。
ザ線で分解され、数μm2より小さい領域で制御されたモ
ノクリスタル成長を誘起する。このようにして、異なっ
た材料からなり、方向のあるモノクリスタルが互いに隣
接して作られる。
膜２及び４は、磁気媒体と接触する磁気ヘッド端26を
境界とするストリップ形状で作られる。
境界とするストリップ形状で作られる。
第４図に示すように、非磁気材料からなる膜３は区域
30で耐摩耗があるようにできる。
30で耐摩耗があるようにできる。
第５図に示すように、本発明による磁気ヘッドの別の
実施例によれば、膜２及び４は耐摩耗の区域を有さな
い。対照的に、ヘッドの活性部分25の表面26は非磁気材
料からなる膜27で被覆されている。この膜27は耐摩耗材
料から作られる区域（耐摩耗領域29）、例えばこの膜の
ハッチド区域、潤滑性材料からなる区域（潤滑領域2
8）、例えばドット区域を有する。実施例によれば、こ
れらの区域はチェッカボードパターンに配列される。
実施例によれば、膜２及び４は耐摩耗の区域を有さな
い。対照的に、ヘッドの活性部分25の表面26は非磁気材
料からなる膜27で被覆されている。この膜27は耐摩耗材
料から作られる区域（耐摩耗領域29）、例えばこの膜の
ハッチド区域、潤滑性材料からなる区域（潤滑領域2
8）、例えばドット区域を有する。実施例によれば、こ
れらの区域はチェッカボードパターンに配列される。
前述したライト／リード磁気ヘッドは前述した同一方
法に従ってレーザ加熱エピタクシャルデポジットによっ
てつくられることができる。磁気ヘッドは100μm2のレ
ーザビームスポット、毎分50マイクロメートルのスキャ
ニング速度、毎分100オングストロームのデポジット速
度で得られることができる。より厚い厚さを得るために
は、レーザの出力を変えるか、反応器に供給する金属有
機物の化合物の量を変えるかで十分である。
法に従ってレーザ加熱エピタクシャルデポジットによっ
てつくられることができる。磁気ヘッドは100μm2のレ
ーザビームスポット、毎分50マイクロメートルのスキャ
ニング速度、毎分100オングストロームのデポジット速
度で得られることができる。より厚い厚さを得るために
は、レーザの出力を変えるか、反応器に供給する金属有
機物の化合物の量を変えるかで十分である。
第６図は本発明の別の実施例を示す。磁気ヘッドは平
坦なヘッドで摩擦抵抗性があり、耐摩耗材料の複数の区
域（耐摩耗領域29）及び潤滑性のある材料の複数の区域
（潤滑領域28）からなる膜27で被覆されている。
坦なヘッドで摩擦抵抗性があり、耐摩耗材料の複数の区
域（耐摩耗領域29）及び潤滑性のある材料の複数の区域
（潤滑領域28）からなる膜27で被覆されている。
磁気ヘッドを製造する別の方法によれば、種々の膜の
エピタクシーはレーザビームなしでもなされ、例えば、
金属−有機物材料のエピタクシー（MOCVD）による通常
方法によって又は分子ビーム（MEB）デポジット法によ
ってなされる。
エピタクシーはレーザビームなしでもなされ、例えば、
金属−有機物材料のエピタクシー（MOCVD）による通常
方法によって又は分子ビーム（MEB）デポジット法によ
ってなされる。
MOCVD（又はMEB）法は運搬ガスによって、基板上にモ
ノクリスタル形態でFe,Mo,Co等の原子をデポジットする
ことにより行なうことができる。
ノクリスタル形態でFe,Mo,Co等の原子をデポジットする
ことにより行なうことができる。
提案した薄膜構造（ビデオヘッド、ウィンチェスタヘ
ッド等）はモノクリスタル膜（例としてNiFe/Al2O3/NiF
e）のスタックである。
ッド等）はモノクリスタル膜（例としてNiFe/Al2O3/NiF
e）のスタックである。
異なった組成物を具備する複数の区域はマスキングに
よって作られる。膜を作るには、ある複数の区域をマス
クし、エピタクシャルデポジットを特有の化合物を用い
て他の複数の区域上になされる。次いでマスクされた複
数の区域のマスクが除かれ、前にデポジットを行なった
複数の区域がマスクされる。最後に、別のデポジット
が、マスクがとられた複数の区域上に、異なった化合物
を用いてなされる。
よって作られる。膜を作るには、ある複数の区域をマス
クし、エピタクシャルデポジットを特有の化合物を用い
て他の複数の区域上になされる。次いでマスクされた複
数の区域のマスクが除かれ、前にデポジットを行なった
複数の区域がマスクされる。最後に、別のデポジット
が、マスクがとられた複数の区域上に、異なった化合物
を用いてなされる。
このように、磁気ヘッドの第１の膜２が作られる。次
いで非磁気材料３の膜がデポジットされる。コイル８が
作られ、絶縁材料30で覆われる。第２の膜４は膜２と同
じ方法でデポジットされる。最後にユニット全体が基板
９で、接着によって覆われ、磁気ヘッドを完成する。
いで非磁気材料３の膜がデポジットされる。コイル８が
作られ、絶縁材料30で覆われる。第２の膜４は膜２と同
じ方法でデポジットされる。最後にユニット全体が基板
９で、接着によって覆われ、磁気ヘッドを完成する。
このように、磁気ヘッドは改善された物理的特性を有
し、この特性はモノクリスタルデポジットから生ずる。
特に、磁気モーメントはカソードスパッタリングのよう
な他の方法によって与えられる値の10倍の値に達する。
し、この特性はモノクリスタルデポジットから生ずる。
特に、磁気モーメントはカソードスパッタリングのよう
な他の方法によって与えられる値の10倍の値に達する。
ヘッドに実際の実施例では、ヘッドの活性部分は比較
的長く（ｈ≒20から50μｍ）、磁気回路の質の向上に寄
与し、摩耗の問題を重大にさせない。巻回数に利点があ
り、すなわちこの巻数はヘッドで同一効率を維持して２
分の１にすることができる。
的長く（ｈ≒20から50μｍ）、磁気回路の質の向上に寄
与し、摩耗の問題を重大にさせない。巻回数に利点があ
り、すなわちこの巻数はヘッドで同一効率を維持して２
分の１にすることができる。
例えば膜２及び４は２から５マイクロメートルの厚さ
であってもよく、膜３は0.2〜0.3マイクロメートルの厚
さであってもよい。
であってもよく、膜３は0.2〜0.3マイクロメートルの厚
さであってもよい。
上記については拘束されない例としてのみ示したもの
であり、他に変わるものであっても本発明の範囲を越え
るものでないとみなしてもよい。数値例は発明の説明の
ためにのみ、また当業者が本発明を実施できるようにす
るために用いられたものである。
であり、他に変わるものであっても本発明の範囲を越え
るものでないとみなしてもよい。数値例は発明の説明の
ためにのみ、また当業者が本発明を実施できるようにす
るために用いられたものである。
第１図は本発明に係る摩擦抵抗性を有する膜の構造図、
第２図は本発明の方法を実現するために用いられる装置
の概略図、第３図及び第４図は本発明に係る磁気ヘッド
の構成図、第５図は本発明に係る磁気ヘッドの実施例、
第６図は本発明に係る平坦磁気ヘッドの実施例である。 1,9:基板、2:第１薄膜 3:膜、4:第２薄膜 5:レーザ源、6:デフレクター 7:反応室、8:コイル 20,21,40,41:区域 24:共通区域、25:活性部分 26:表面、27:膜 28:潤滑領域、29:耐摩耗領域 30:絶縁物質、70:サセプタ 71:入口 72:出口
第２図は本発明の方法を実現するために用いられる装置
の概略図、第３図及び第４図は本発明に係る磁気ヘッド
の構成図、第５図は本発明に係る磁気ヘッドの実施例、
第６図は本発明に係る平坦磁気ヘッドの実施例である。 1,9:基板、2:第１薄膜 3:膜、4:第２薄膜 5:レーザ源、6:デフレクター 7:反応室、8:コイル 20,21,40,41:区域 24:共通区域、25:活性部分 26:表面、27:膜 28:潤滑領域、29:耐摩耗領域 30:絶縁物質、70:サセプタ 71:入口 72:出口
フロントページの続き (72)発明者 ジャン ル ローラン フランス国，75014 パリ，リュ フロ ワデボー 71番地 (56)参考文献 特開 昭59−127214（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−219613（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−150123（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−142711（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/31 G11B 5/187
Claims (6)
- 【請求項１】記録媒体と対向する活性表面（26）を含む
薄膜層の磁気ヘッドにおいて、 活性表面（26）は、耐摩耗材料からなる領域（29）及び
潤滑性材料からなる領域（28）を含む非磁性材料の層
（27）によって覆われる、耐摩耗領域（29）及び潤滑領
域（28）は格子模様のパターンに配列される薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項２】非磁性材料（３）によって離間された薄い
層（2,4）に２つの磁極を有し、該磁極は、基板の表面
に平行な面を覆う基板の１つの面の上に配置され、磁極
の薄い層の面に平行な活性表面（26）を含み、前記活性
表面は耐摩耗領域及び潤滑領域を含む非磁性材料の層
（27）によって覆われる請求項１に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】耐摩耗領域及び潤滑領域は、耐摩耗領域と
潤滑領域を交互に構成して形成される請求項２に記載の
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】記録媒体と対向する活性部分（25）を含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 耐摩耗領域（29）及び潤滑領域（28）を有する非磁性材
料の層（27）が、活性部分の表面（26）の上に格子模様
のパターンに配列されて作られる工程を含むことを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】非磁性材料の層（27）の作成工程が、耐摩
耗領域（29）及び潤滑領域（28）を局部レーザ加熱によ
る金属−有機材料のエピタクシーによって実行される請
求項４記載の製造方法。 - 【請求項６】非磁性材料の層（27）を作る工程が、金属
−有機材料のエピタクシー（MOCVD）又は分子ビームエ
ピタクシー（MBE）により、あるゾーンの第１のマスキ
ングと他のゾーンの第２のマスキングにより実施される
請求項４記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8703073A FR2611970B1 (fr) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | Procede de realisation d'une tete magnetique en couches minces et application a une tete d'enretistrement/lecture |
| FR8703073 | 1987-03-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63279409A JPS63279409A (ja) | 1988-11-16 |
| JP2780264B2 true JP2780264B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=9348683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63051812A Expired - Fee Related JP2780264B2 (ja) | 1987-03-06 | 1988-03-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法とその方法により製造されたライト／リードヘッド |
Country Status (5)
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| EP (1) | EP0283372B1 (ja) |
| JP (1) | JP2780264B2 (ja) |
| DE (1) | DE3884244T2 (ja) |
| FR (1) | FR2611970B1 (ja) |
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| US5453315A (en) * | 1989-11-27 | 1995-09-26 | Censtor Corp. | Unitary micro-flexure structure and method of making same |
| US5483025A (en) * | 1989-11-27 | 1996-01-09 | Censtor Corporation | Unitary micro-flexure structure |
| US20020176210A1 (en) * | 1989-11-27 | 2002-11-28 | Hamilton Harold J. | Durable, low-vibration, dynamic-contact hard disk drive system |
| US6600631B1 (en) * | 1989-11-27 | 2003-07-29 | Censtor Corp. | Transducer/flexure/conductor structure for electromagnetic read/write system |
| US5116719A (en) * | 1990-02-15 | 1992-05-26 | Seagate Technology, Inc. | Top pole profile for pole tip trimming |
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| US5734519A (en) * | 1993-03-25 | 1998-03-31 | International Business Machines Corporation | Contact magnetic recording disk file with improved head assembly |
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| US5920538A (en) * | 1998-06-11 | 1999-07-06 | Tandberg Data Asa | Magneto-optical readout method and magneto-optical readout head and method for making same |
| NL1020903C2 (nl) * | 2002-06-19 | 2003-12-22 | Enschede Sdu Bv | Systeem en werkwijze voor het automatisch verifieren van de houder van een autorisatiedocument en het automatisch vaststellen van de authenticiteit en geldigheid van het autorisatiedocument. |
| US7864489B2 (en) * | 2007-02-26 | 2011-01-04 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head having an antistatic layer preventing a protective coat from being electrostatically charged |
| US8547665B2 (en) * | 2008-01-03 | 2013-10-01 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having a material formed in one or more recesses extending into the media support surface of at least one of the substrate and the closure |
| US11133029B2 (en) * | 2018-12-19 | 2021-09-28 | International Business Machines Corporation | Tape head with element-to-element spacing and adjustment and mechanism to control the spacing |
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|---|---|---|---|---|
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| US3710438A (en) * | 1970-12-23 | 1973-01-16 | Ibm | Method for making magnetic thin film heads with magnetic anisotropy |
| US4130847A (en) * | 1977-03-31 | 1978-12-19 | International Business Machines Corporation | Corrosion resistant thin film head assembly and method for making |
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| US4345367A (en) * | 1979-06-04 | 1982-08-24 | Ampex Corporation | Method of manufacturing an extended life multichannel magnetic transducer |
| JPS56137516A (en) * | 1980-03-29 | 1981-10-27 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | Wear resistant magnetic head and its manufacture |
| JPS57117118A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-21 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head |
| JPS57162113A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-05 | Toppan Printing Co Ltd | Magnetic pickup |
| JPS5835714A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁化記録用磁気ヘツド |
| JPS5867005A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 磁性体の微細処理方法 |
| JPS58121120A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-19 | Hitachi Ltd | 耐摩耗磁気ヘツド |
| JPS58141428A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁化記録用ヘツド |
| US4589043A (en) * | 1982-08-31 | 1986-05-13 | Grundtner Matthias J | Magnetic head having a thermoplastic or a thermosetting plastic housing |
| JPS59127214A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-23 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPS59210520A (ja) * | 1983-05-14 | 1984-11-29 | Yukio Ichinose | 磁気ヘツド |
| JPS60119609A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-27 | Kao Corp | 垂直磁気記録方式の磁気ヘツド |
| JPS60193112A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS60219613A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| DE3568507D1 (en) * | 1984-09-13 | 1989-04-06 | Philips Nv | Magnetic head |
-
1987
- 1987-03-06 FR FR8703073A patent/FR2611970B1/fr not_active Expired
-
1988
- 1988-03-04 DE DE88400514T patent/DE3884244T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-04 EP EP88400514A patent/EP0283372B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-04 US US07/164,133 patent/US4897747A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-07 JP JP63051812A patent/JP2780264B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| EP0283372B1 (fr) | 1993-09-22 |
| DE3884244T2 (de) | 1994-03-03 |
| DE3884244D1 (de) | 1993-10-28 |
| EP0283372A1 (fr) | 1988-09-21 |
| JPS63279409A (ja) | 1988-11-16 |
| US4897747A (en) | 1990-01-30 |
| FR2611970A1 (fr) | 1988-09-09 |
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