JP2770768B2 - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複写機、プリンターあ
るいはファクシミリ等電子写真プロセスにより画像形成
を行う際に用いられる電子写真用感光体の製造方法に関
するものである。
るいはファクシミリ等電子写真プロセスにより画像形成
を行う際に用いられる電子写真用感光体の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、この種の電子写真用感光体では、
コストや廃棄の容易さ等の点で有利な有機材料を用いた
ものが多く用いられるようになってきた。これらの電子
写真感光体は導電性の基体上に有機材料からなる光導電
層が形成された構造となっている。そして、これらの電
子写真感光体は暗所において十分に帯電し、光照射時に
表面電位が十分に下がることが重要である。通常、暗所
で十分な帯電を得るために光導電層と基体間に絶縁性の
有機物からなる中間層を形成するが、基体がアルミニウ
ムの場合にはアルミニウム表面に陽極酸化膜を形成して
いる。
コストや廃棄の容易さ等の点で有利な有機材料を用いた
ものが多く用いられるようになってきた。これらの電子
写真感光体は導電性の基体上に有機材料からなる光導電
層が形成された構造となっている。そして、これらの電
子写真感光体は暗所において十分に帯電し、光照射時に
表面電位が十分に下がることが重要である。通常、暗所
で十分な帯電を得るために光導電層と基体間に絶縁性の
有機物からなる中間層を形成するが、基体がアルミニウ
ムの場合にはアルミニウム表面に陽極酸化膜を形成して
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
陽極酸化皮膜では依然として帯電性が不十分でカブリ等
の印字欠陥が生じている。そのためにアルミニウム基体
ほどの洗浄技術ではないが、依然として複雑な基体洗浄
を必要としている。また、陽極酸化皮膜上に更に中間層
を設けたり、暗抵抗の非常に大きな光導電層を使用して
いる場合もある。
陽極酸化皮膜では依然として帯電性が不十分でカブリ等
の印字欠陥が生じている。そのためにアルミニウム基体
ほどの洗浄技術ではないが、依然として複雑な基体洗浄
を必要としている。また、陽極酸化皮膜上に更に中間層
を設けたり、暗抵抗の非常に大きな光導電層を使用して
いる場合もある。
【０００４】その結果、感光体製造工程が複雑になり、
材料の選択範囲も狭くなるという問題点があった。
材料の選択範囲も狭くなるという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的とするとこ
ろは特殊な材料、感光体製造工程を必要とせずにカブリ
発生を低減することである。
ろは特殊な材料、感光体製造工程を必要とせずにカブリ
発生を低減することである。
【０００６】このため本発明のアルミニウムの陽極酸化
皮膜では、特定の膜厚の該陽極酸化皮膜に特定の封孔処
理を施すことによって上記目的を達成している。封孔処
理は陽極酸化皮膜に生じた無数の孔（直径数百オングス
トローム）を埋める処理工程である。本発明では、該陽
極酸化皮膜の封孔処理を少なくとも２種類以上の方法で
複数回行うことを特徴とする。
皮膜では、特定の膜厚の該陽極酸化皮膜に特定の封孔処
理を施すことによって上記目的を達成している。封孔処
理は陽極酸化皮膜に生じた無数の孔（直径数百オングス
トローム）を埋める処理工程である。本発明では、該陽
極酸化皮膜の封孔処理を少なくとも２種類以上の方法で
複数回行うことを特徴とする。
【０００７】詳しくは、その複数回の封孔処理の内、最
終封孔処理が蒸気封孔処理方法である封孔処理方法にお
いて、最終封孔直前のアドミッタンスが４．５［Ｓ／ｍ
2 ］以上５０［Ｓ／ｍ2 ］以下であり、最終封孔処理後
のアドミッタンスが０．３［Ｓ／ｍ2 ］以上４．０［Ｓ
／ｍ2 ］以下であることを特徴とする。
終封孔処理が蒸気封孔処理方法である封孔処理方法にお
いて、最終封孔直前のアドミッタンスが４．５［Ｓ／ｍ
2 ］以上５０［Ｓ／ｍ2 ］以下であり、最終封孔処理後
のアドミッタンスが０．３［Ｓ／ｍ2 ］以上４．０［Ｓ
／ｍ2 ］以下であることを特徴とする。
【０００８】即ち、最終的なアドミッタンスがすべての
封孔を水蒸気封孔以外で行うと４．０［Ｓ／ｍ2 ］以上
であると残留電位が上昇してしまい感度低下を招き、
０．３［Ｓ／ｍ2 ］以下になると高温乾燥時に皮膜にク
ラックが発生してしまう。しかし、その封孔を水蒸気封
孔のみで行うと帯電ムラが生じ易くしてしまい、長時間
封孔を余儀なくされる。更に、最終封孔或いは全封孔を
蒸気封孔以外で行うとカブリが発生し易くなる。従っ
て、封孔工程の前半において水蒸気封孔以外の方法であ
る程度の半封孔が必要となる。その半封孔が弱いと帯電
ムラが起こり易くなり、強すぎるとカブリとなることか
ら、４．５［Ｓ／ｍ2 ］以上５０［Ｓ／ｍ2］以下に抑
えることが望ましい。
封孔を水蒸気封孔以外で行うと４．０［Ｓ／ｍ2 ］以上
であると残留電位が上昇してしまい感度低下を招き、
０．３［Ｓ／ｍ2 ］以下になると高温乾燥時に皮膜にク
ラックが発生してしまう。しかし、その封孔を水蒸気封
孔のみで行うと帯電ムラが生じ易くしてしまい、長時間
封孔を余儀なくされる。更に、最終封孔或いは全封孔を
蒸気封孔以外で行うとカブリが発生し易くなる。従っ
て、封孔工程の前半において水蒸気封孔以外の方法であ
る程度の半封孔が必要となる。その半封孔が弱いと帯電
ムラが起こり易くなり、強すぎるとカブリとなることか
ら、４．５［Ｓ／ｍ2 ］以上５０［Ｓ／ｍ2］以下に抑
えることが望ましい。
【０００９】次に、本発明を詳細に説明する。本発明の
感光体は、特定の陽極酸化皮膜を有するアルミニウム基
体上に光導電層が設けられる。基体に用いられるアルミ
ニウムは純Ａｌ系の材料の他にＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系、Ａ
ｌ−Ｍｎ系等のアルミニウム合金も使用できる。
感光体は、特定の陽極酸化皮膜を有するアルミニウム基
体上に光導電層が設けられる。基体に用いられるアルミ
ニウムは純Ａｌ系の材料の他にＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系、Ａ
ｌ−Ｍｎ系等のアルミニウム合金も使用できる。
【００１０】アルミニウム基体は、陽極酸化処理を施す
前にアルキンレン等の有機溶剤や界面活性剤、乳化脱脂
法等で脱脂処理し、さらにエッチングすることが好まし
い。陽極酸化皮膜は公知の方法、例えば硫酸、しゅう
酸、クロム酸、ホウ酸等の酸性浴中で陽極酸化処理する
ことによって形成することができるが、硫酸中での陽極
酸化が好ましい。硫酸中での陽極酸化処理の場合、硫酸
濃度は１００〜２００ｇ／ｌ、アルミイオン濃度１〜１
０ｇ／ｌ、液温２０℃前後、電解電圧は約２０Ｖで行う
のが望ましいが、これに限られるものではない。
前にアルキンレン等の有機溶剤や界面活性剤、乳化脱脂
法等で脱脂処理し、さらにエッチングすることが好まし
い。陽極酸化皮膜は公知の方法、例えば硫酸、しゅう
酸、クロム酸、ホウ酸等の酸性浴中で陽極酸化処理する
ことによって形成することができるが、硫酸中での陽極
酸化が好ましい。硫酸中での陽極酸化処理の場合、硫酸
濃度は１００〜２００ｇ／ｌ、アルミイオン濃度１〜１
０ｇ／ｌ、液温２０℃前後、電解電圧は約２０Ｖで行う
のが望ましいが、これに限られるものではない。
【００１１】形成された陽極酸化皮膜は純水沸騰水封孔
や酢酸ニッケル封孔等の各種の方法で封孔処理を施す
が、この封孔処理の方法および程度が感光体の性能に影
響を及ぼす。
や酢酸ニッケル封孔等の各種の方法で封孔処理を施す
が、この封孔処理の方法および程度が感光体の性能に影
響を及ぼす。
【００１２】純水沸騰水封孔処理は、表面に陽極酸化皮
膜が形成されたアルミニウム基体を純水沸騰水の漕に浸
して、孔をＡｌ2 Ｏ3 とＨ2 Ｏの水和物（酸化アルミ水
和物）で埋める処理である。また、酢酸ニッケル封孔処
理は、同じくアルミニウム基体を酢酸ニッケル液に浸し
て、孔を水酸化ニッケルで埋める処理である。本発明で
は、最初に酢酸ニッケル封孔などの沸騰水封孔や水蒸気
封孔以外の封孔処理を行う。これは、帯電ムラ発生防止
と封孔時間短縮のために望ましい。そして最終封孔処理
直前でアドミッタンスが４．５〜５０［Ｓ／ｍ2 ］にな
るように封孔処理し、最後に蒸気封孔すると、カブリの
発生がなくなる。前述したように最終アドミッタンスが
０．３〜４．０［Ｓ／ｍ2 ］で封孔処理を終了するとカ
ブリは完全になくなる。蒸気封孔とは陽極酸化皮膜に水
蒸気を吹き付ける処理で、これにより封孔は酸化アルミ
水和物で埋まる。
膜が形成されたアルミニウム基体を純水沸騰水の漕に浸
して、孔をＡｌ2 Ｏ3 とＨ2 Ｏの水和物（酸化アルミ水
和物）で埋める処理である。また、酢酸ニッケル封孔処
理は、同じくアルミニウム基体を酢酸ニッケル液に浸し
て、孔を水酸化ニッケルで埋める処理である。本発明で
は、最初に酢酸ニッケル封孔などの沸騰水封孔や水蒸気
封孔以外の封孔処理を行う。これは、帯電ムラ発生防止
と封孔時間短縮のために望ましい。そして最終封孔処理
直前でアドミッタンスが４．５〜５０［Ｓ／ｍ2 ］にな
るように封孔処理し、最後に蒸気封孔すると、カブリの
発生がなくなる。前述したように最終アドミッタンスが
０．３〜４．０［Ｓ／ｍ2 ］で封孔処理を終了するとカ
ブリは完全になくなる。蒸気封孔とは陽極酸化皮膜に水
蒸気を吹き付ける処理で、これにより封孔は酸化アルミ
水和物で埋まる。
【００１３】このようにして形成された陽極酸化皮膜は
必要に応じて純水による洗浄やラビング処理等の措置が
取られ、乾燥を行う。以上のようにして形成された陽極
酸化皮膜のアドミッタンスは以下のように測定される。
まず、皮膜表面に合成樹脂あるいはゴムなどの非導電性
の測定面積Ｓの電解セルを密着させ、３５ｇ／ｌの硫酸
カリウム水溶液を電解セルに注入し、３０分間放置す
る。そして、アドミッタンス測定装置の電極の一端と素
地を接続し、一方の電極を電解セル中の硫酸カリウム水
溶液中に挿入して、周波数１ｋＨｚのもとでアドミッタ
ンスＹを測定する。この測定法は、ＪＩＳ規格である。
なお、アドミッタンスの測定は、封孔処理の時間等のパ
ラメータを決定するときに使い、パラメータが決まれば
アドミッタンスの測定は不要となる。
必要に応じて純水による洗浄やラビング処理等の措置が
取られ、乾燥を行う。以上のようにして形成された陽極
酸化皮膜のアドミッタンスは以下のように測定される。
まず、皮膜表面に合成樹脂あるいはゴムなどの非導電性
の測定面積Ｓの電解セルを密着させ、３５ｇ／ｌの硫酸
カリウム水溶液を電解セルに注入し、３０分間放置す
る。そして、アドミッタンス測定装置の電極の一端と素
地を接続し、一方の電極を電解セル中の硫酸カリウム水
溶液中に挿入して、周波数１ｋＨｚのもとでアドミッタ
ンスＹを測定する。この測定法は、ＪＩＳ規格である。
なお、アドミッタンスの測定は、封孔処理の時間等のパ
ラメータを決定するときに使い、パラメータが決まれば
アドミッタンスの測定は不要となる。
【００１４】次に、この陽極酸化皮膜上に光導電層を設
ける。この光導電層には、電荷発生層と電荷移動層、場
合によってはさらに保護層を積層した複数の層より構成
されたもの、あるいは、電荷発生層のみ、または電荷発
生層中に電荷移動材を混合したような単一層で形成され
るもの等がある。電荷発生層は、電荷発生材料を樹脂に
分散した樹脂層、あるいは、さらにこの樹脂層に電荷移
動材料を混合したものなどで構成される。
ける。この光導電層には、電荷発生層と電荷移動層、場
合によってはさらに保護層を積層した複数の層より構成
されたもの、あるいは、電荷発生層のみ、または電荷発
生層中に電荷移動材を混合したような単一層で形成され
るもの等がある。電荷発生層は、電荷発生材料を樹脂に
分散した樹脂層、あるいは、さらにこの樹脂層に電荷移
動材料を混合したものなどで構成される。
【００１５】電荷発生材料としては、各種フタロシアニ
ン顔料、アゾ顔料、ジスアゾ顔料、インジゴ顔料、キナ
クリドン顔料等の公知の材料が用いられる。また、これ
らの電荷発生材料は、１種または２種以上組み合わせて
使う事もできる。電荷発生層を形成する樹脂としては、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、
ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、フェ
ノール樹脂等が用いられる。これらの樹脂は単独、また
は混合して用いられる。これらの樹脂により電荷発生層
を形成する際に用いられる塗布液の溶剤としては、トル
エン、塩化メチレン、モノクロルベンゼン、メチルアル
コール、エチルアルコール、酢酸エチル、テトラヒドロ
フラン、シクロヘキサン等がある。これらの溶剤も単
独、または混合して用いられる。電荷発生層の膜厚は、
電荷移動層を積層して用いる場合には、０．０５〜５μ
ｍ、好ましくは０．１〜２μｍ程度が適当である。電荷
発生層単独で用いる場合には、１０〜３０μｍ、好まし
くは１５〜２０μｍが適当である。
ン顔料、アゾ顔料、ジスアゾ顔料、インジゴ顔料、キナ
クリドン顔料等の公知の材料が用いられる。また、これ
らの電荷発生材料は、１種または２種以上組み合わせて
使う事もできる。電荷発生層を形成する樹脂としては、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、
ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、フェ
ノール樹脂等が用いられる。これらの樹脂は単独、また
は混合して用いられる。これらの樹脂により電荷発生層
を形成する際に用いられる塗布液の溶剤としては、トル
エン、塩化メチレン、モノクロルベンゼン、メチルアル
コール、エチルアルコール、酢酸エチル、テトラヒドロ
フラン、シクロヘキサン等がある。これらの溶剤も単
独、または混合して用いられる。電荷発生層の膜厚は、
電荷移動層を積層して用いる場合には、０．０５〜５μ
ｍ、好ましくは０．１〜２μｍ程度が適当である。電荷
発生層単独で用いる場合には、１０〜３０μｍ、好まし
くは１５〜２０μｍが適当である。
【００１６】電荷発生層を形成する塗布液を製造する際
に、電荷発生材料を塗布液中に分散させる方法として
は、ボールミル、サンドミル、ホモミキサー、ディスパ
ーザー、マイクロナイザー、超音波等の公知の方法が利
用できる。
に、電荷発生材料を塗布液中に分散させる方法として
は、ボールミル、サンドミル、ホモミキサー、ディスパ
ーザー、マイクロナイザー、超音波等の公知の方法が利
用できる。
【００１７】電荷移動層は、電荷移動材料を樹脂に相溶
させて形成される。電荷移動材料は、電子移動物質と正
孔移動物質がある。電子移動物質としては、クロルアニ
ル、ブロモアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フロオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレ
ノン等の電子吸引性物質やこれらを高分子化したもの等
がある。
させて形成される。電荷移動材料は、電子移動物質と正
孔移動物質がある。電子移動物質としては、クロルアニ
ル、ブロモアニル、テトラシアノエチレン、テトラシア
ノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フロオ
レノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレ
ノン等の電子吸引性物質やこれらを高分子化したもの等
がある。
【００１８】正孔移動物質としては、ピレン、Ｎ−エチ
ルカルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−
メチル−Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９
−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ
−３−メチリデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−
ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチル
フェノチアジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒ
ドラゾン等のヒドラゾン類、２，５−ビス（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、
１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−
［キノリル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［ピリジル（３）］−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン等のピラゾリン類、トリアリールメタン化合
物、オキサジアゾール系化合物、チアゾール系化合物、
トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等
があり、これら公知の電荷移動材料を１種または２種以
上組み合わせて用いる事ができる。電荷移動層の樹脂と
しては、ポリスチレン、ケント樹脂、フェノール樹脂、
ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリアクリルアミド、ポリ
アミド等が用いられる。これらの樹脂は単独、または混
合して用いられる。また、これら樹脂に通常用いられる
各種添加剤、例えば、紫外線吸収剤や酸化防止剤等を適
宜添加することができる。これらの樹脂により電荷移動
層を形成する際に塗布液の溶剤としては、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、シクロヘキサン、トルエン、ジク
ロルエタン、塩化メチレン、モノクロルベンゼン等が使
用できる。これらの溶剤も単独、または混合して使用で
きる。電荷移動層の膜厚は５〜４０μｍ、好ましくは１
５〜２５μｍ程度が適当である。
ルカルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−
メチル−Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９
−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ
−３−メチリデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−
ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチル
フェノチアジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒ
ドラゾン等のヒドラゾン類、２，５−ビス（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、
１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−
［キノリル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［ピリジル（３）］−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン等のピラゾリン類、トリアリールメタン化合
物、オキサジアゾール系化合物、チアゾール系化合物、
トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等
があり、これら公知の電荷移動材料を１種または２種以
上組み合わせて用いる事ができる。電荷移動層の樹脂と
しては、ポリスチレン、ケント樹脂、フェノール樹脂、
ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリアクリルアミド、ポリ
アミド等が用いられる。これらの樹脂は単独、または混
合して用いられる。また、これら樹脂に通常用いられる
各種添加剤、例えば、紫外線吸収剤や酸化防止剤等を適
宜添加することができる。これらの樹脂により電荷移動
層を形成する際に塗布液の溶剤としては、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、シクロヘキサン、トルエン、ジク
ロルエタン、塩化メチレン、モノクロルベンゼン等が使
用できる。これらの溶剤も単独、または混合して使用で
きる。電荷移動層の膜厚は５〜４０μｍ、好ましくは１
５〜２５μｍ程度が適当である。
【００１９】塗布液を用いて感光層を形成する場合の塗
布方法は、スピンコーター、アプリケーター、スプレー
コーター、バーコーター、浸漬コーター、ドクターブレ
ード等の公知の手法が用いられる。塗布された感光層は
熱風、赤外線などにより加熱して乾燥させる。
布方法は、スピンコーター、アプリケーター、スプレー
コーター、バーコーター、浸漬コーター、ドクターブレ
ード等の公知の手法が用いられる。塗布された感光層は
熱風、赤外線などにより加熱して乾燥させる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。
る。
【００２１】［実施例１］Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系のアルミ
ニウム合金からなる直径８０ｍｍ、肉厚１．２５ｍｍの
鏡面仕上げした円筒状のパイプを有機溶剤で脱脂洗浄
し、エッチングを行った。そして、水洗後、電解質溶液
として１５０ｇ／ｌの硫酸を用い、液温を２０℃に維持
しながら、直流電圧２０Ｖで１５分間陽極酸化を行い平
均膜厚約７μｍの陽極酸化皮膜を形成した。
ニウム合金からなる直径８０ｍｍ、肉厚１．２５ｍｍの
鏡面仕上げした円筒状のパイプを有機溶剤で脱脂洗浄
し、エッチングを行った。そして、水洗後、電解質溶液
として１５０ｇ／ｌの硫酸を用い、液温を２０℃に維持
しながら、直流電圧２０Ｖで１５分間陽極酸化を行い平
均膜厚約７μｍの陽極酸化皮膜を形成した。
【００２２】その後、陽極酸化皮膜を形成し水洗したア
ルミニウム基体を酢酸ニッケルを主成分とする封孔剤の
６ｇ／ｌ、５５℃の水溶液に５分間浸漬し、封孔処理を
行い、純水で簡単に洗浄した。この陽極酸化皮膜のアド
ミッタンスを測定したところ９．０Ｓ／ｍ2 であった。
その後、蒸気封孔を行い、アドミッタンスを０．８［Ｓ
／ｍ2 ］とした。
ルミニウム基体を酢酸ニッケルを主成分とする封孔剤の
６ｇ／ｌ、５５℃の水溶液に５分間浸漬し、封孔処理を
行い、純水で簡単に洗浄した。この陽極酸化皮膜のアド
ミッタンスを測定したところ９．０Ｓ／ｍ2 であった。
その後、蒸気封孔を行い、アドミッタンスを０．８［Ｓ
／ｍ2 ］とした。
【００２３】一方、チタニルフタロシアニン２部（重量
部、以下同様）、ポリビニルブチラール２部をテトラヒ
ドロフラン１００部と共にボールミルで２４時間分散し
た。この分散液に先の陽極酸化皮膜を設けたアルミニウ
ム基体を浸漬塗工した後、加熱乾燥して厚さ約０．２μ
ｍの電荷発生層を形成した。次に、下期構造式１で示さ
れる電荷移動物質２０部とポリカーボネート樹脂（Ｚ−
２００，三菱瓦斯化学製）２０部を塩化メチレン１００
部に溶解した塗布液を電荷発生層上に浸漬塗工した後、
加熱乾燥して厚さ約２０μｍの電荷移動層を形成した電
子写真用感光体を作製した。
部、以下同様）、ポリビニルブチラール２部をテトラヒ
ドロフラン１００部と共にボールミルで２４時間分散し
た。この分散液に先の陽極酸化皮膜を設けたアルミニウ
ム基体を浸漬塗工した後、加熱乾燥して厚さ約０．２μ
ｍの電荷発生層を形成した。次に、下期構造式１で示さ
れる電荷移動物質２０部とポリカーボネート樹脂（Ｚ−
２００，三菱瓦斯化学製）２０部を塩化メチレン１００
部に溶解した塗布液を電荷発生層上に浸漬塗工した後、
加熱乾燥して厚さ約２０μｍの電荷移動層を形成した電
子写真用感光体を作製した。
【００２４】
【式１】
【００２５】このようにして得られたドラムを感光体Ａ
とする。図１は、感光体Ａの一部断面図である。アルミ
ニウム基体１の陽極酸化皮膜２の上に電荷発生層３と電
荷輸送層４が形成される。
とする。図１は、感光体Ａの一部断面図である。アルミ
ニウム基体１の陽極酸化皮膜２の上に電荷発生層３と電
荷輸送層４が形成される。
【００２６】［比較例１，２］酢酸ニッケル封孔までは
実施例１と同様にして陽極酸化皮膜を形成した後、蒸気
封孔時間を変え、そして、実施例１同様な方法で感光体
Ｂ、Ｃを作製した。このとき形成された陽極酸化皮膜の
最終的なアドミッタンスは表１に示すとおりであった。
実施例１と同様にして陽極酸化皮膜を形成した後、蒸気
封孔時間を変え、そして、実施例１同様な方法で感光体
Ｂ、Ｃを作製した。このとき形成された陽極酸化皮膜の
最終的なアドミッタンスは表１に示すとおりであった。
【００２７】
【表１】
【００２８】［比較例３〜６］実施例１と同様にして陽
極酸化皮膜を形成し水洗したアルミニウム基体を酢酸ニ
ッケルを主成分とする封孔剤の６ｇ／ｌ水溶液に表２に
示す温度で５分間浸漬し、封孔処理を行い、純水で簡単
に洗浄した。このとき形成された陽極酸化皮膜のアドミ
ッタンスは表２に示すとおりであった。
極酸化皮膜を形成し水洗したアルミニウム基体を酢酸ニ
ッケルを主成分とする封孔剤の６ｇ／ｌ水溶液に表２に
示す温度で５分間浸漬し、封孔処理を行い、純水で簡単
に洗浄した。このとき形成された陽極酸化皮膜のアドミ
ッタンスは表２に示すとおりであった。
【００２９】その後、蒸気封孔を行い最終的なアドミッ
タンスすべて０．８［Ｓ／ｍ2 ］とした。そして実施例
１と同様な方法で感光体Ｄ〜Ｇを作製した。
タンスすべて０．８［Ｓ／ｍ2 ］とした。そして実施例
１と同様な方法で感光体Ｄ〜Ｇを作製した。
【００３０】
【表２】
【００３１】［比較例７］実施例１と同様にして陽極酸
化皮膜を形成し水洗したアルミニウム基体を酢酸ニッケ
ルを主成分とする封孔剤の６ｇ／ｌ、６５℃の水溶液に
５分間浸漬し、封孔処理を行い、純水で簡単に洗浄し
た。このとき形成された陽極酸化皮膜のアドミッタンス
は０．８６Ｓ／ｍ2 であった。
化皮膜を形成し水洗したアルミニウム基体を酢酸ニッケ
ルを主成分とする封孔剤の６ｇ／ｌ、６５℃の水溶液に
５分間浸漬し、封孔処理を行い、純水で簡単に洗浄し
た。このとき形成された陽極酸化皮膜のアドミッタンス
は０．８６Ｓ／ｍ2 であった。
【００３２】その後、蒸気封孔は行わずに実施例１と同
様な方法で感光体Ｈを作製した。
様な方法で感光体Ｈを作製した。
【００３３】［比較例８］実施例１において酢酸ニッケ
ル封孔と水蒸気封孔の順序を逆にした以外はすべて同様
な方法で感光体Ｉを作製した。
ル封孔と水蒸気封孔の順序を逆にした以外はすべて同様
な方法で感光体Ｉを作製した。
【００３４】上記感光体Ａ〜Ｈをページプリンタに搭載
して２５℃、５０％ＲＨの環境下で帯電位、露光部電位
の測定を行い、更にカブリの程度について評価を行っ
た。その結果を表３に示す。
して２５℃、５０％ＲＨの環境下で帯電位、露光部電位
の測定を行い、更にカブリの程度について評価を行っ
た。その結果を表３に示す。
【００３５】感光体Ａは良好な結果が得られたが、感光
体Ｂ〜Ｈには帯電性、残留電位、カブリ等に問題が認め
られた。
体Ｂ〜Ｈには帯電性、残留電位、カブリ等に問題が認め
られた。
【００３６】
【表３】
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は感光体に
使用するアルミニウム基体の陽極酸化皮膜の封孔処理を
異なった方法で複数回行い、そのうち最終封孔処理とし
て蒸気封孔を用いることでカブリの発生せず、かつ帯電
ムラがなく残留電位の少ない優れた感光体を得ることが
できる。特に、請求項２のように封孔処理を規定するこ
とにより帯電ムラ防止と封孔時間短縮につながる。ま
た、請求項３によれば帯電ムラ、カブリを完全に防止す
ることができ、きわめて良好な結果が得られる。
使用するアルミニウム基体の陽極酸化皮膜の封孔処理を
異なった方法で複数回行い、そのうち最終封孔処理とし
て蒸気封孔を用いることでカブリの発生せず、かつ帯電
ムラがなく残留電位の少ない優れた感光体を得ることが
できる。特に、請求項２のように封孔処理を規定するこ
とにより帯電ムラ防止と封孔時間短縮につながる。ま
た、請求項３によれば帯電ムラ、カブリを完全に防止す
ることができ、きわめて良好な結果が得られる。
【図１】本発明の実施例１の感光体の一部断面図であ
る。
る。
１ アルミニウム基体 ２ 陽極酸化皮膜 ３ 電荷発生層 ４ 電荷輸送層
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミニウム基体の表面に陽極酸化皮膜
を形成する工程と、前記工程で形成される陽極酸化皮膜
の封孔を埋めるための封孔処理工程と、封孔処理後、表
面に光導電層を形成する工程とを有する電子写真感光体
の製造方法において、 前記封孔処理工程では、２種類以上の封孔処理が行わ
れ、そのうち最終の封孔処理が水蒸気封孔処理であり、
かつ、前記最終封孔処理直前のアドミッタンスが４．５
［Ｓ／ｍ2］以上５０［Ｓ／ｍ2 ］以下、前記最終封孔
処理直後のアドミッタンスが０．３［Ｓ／ｍ2 ］以上
４．０［Ｓ／ｍ2 ］以下となるよう封孔処理することを
特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048362A JP2770768B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048362A JP2770768B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08248662A JPH08248662A (ja) | 1996-09-27 |
| JP2770768B2 true JP2770768B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=12801243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7048362A Expired - Fee Related JP2770768B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770768B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3012537B2 (ja) * | 1996-11-19 | 2000-02-21 | 新潟日本電気株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| JPWO2019077706A1 (ja) * | 2017-10-18 | 2020-02-06 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体、その製造方法および電子写真装置 |
| JP7001144B2 (ja) * | 2020-12-23 | 2022-01-19 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体、その製造方法および電子写真装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH075717A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電子写真感光体 |
-
1995
- 1995-03-08 JP JP7048362A patent/JP2770768B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08248662A (ja) | 1996-09-27 |
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