JP2762396B2 - サイリスタ - Google Patents

サイリスタ

Info

Publication number
JP2762396B2
JP2762396B2 JP63291008A JP29100888A JP2762396B2 JP 2762396 B2 JP2762396 B2 JP 2762396B2 JP 63291008 A JP63291008 A JP 63291008A JP 29100888 A JP29100888 A JP 29100888A JP 2762396 B2 JP2762396 B2 JP 2762396B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thyristor
type
type emitter
area
type base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63291008A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01161864A (ja
Inventor
ハンスヨアヒム、シユルツエ
ハインツ、ミツトレーナー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH01161864A publication Critical patent/JPH01161864A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2762396B2 publication Critical patent/JP2762396B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
    • H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
    • H01L29/32—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/7424—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action having a built-in localised breakdown/breakover region, e.g. self-protected against destructive spontaneous, e.g. voltage breakover, firing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristor
    • H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristor the device being a photothyristor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、陰極側電極が接触するｎ型エミッタとこ
れに境を接するｐ型ベースおよび陽極側電極が接触する
ｐ型エミッタとこれに境を接しpn接合によってｐ型ベー
スから分離されているｎ型ベースを備える半導体基体か
ら成るサイリスタとその製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
サイリスタの陰極側電極と陽極側電極の間に加えられ
るサイリスタブロッキング電圧がブレークオーバー電圧
と呼ばれている電圧値に達すると、半導体基体の主面に
ほぼ平行しｐ型ベースをｎ型ベースから分離するpn接合
に局部的な降伏が生ずる。このコントロール不可能でし
ばしばサイリスタの破壊に導く局部的降伏を避けるた
め、ｐ型ベースとｎ型ベースの間のpn接合にレーザー光
照射によりサイリスの中央トリガ電極に下においてｎ型
ベース層の厚さを減少させる隆起部を作り、低下させた
ブレークオーバー電圧において既にコントロール可能の
降伏が隆起部に生ずるようにすることは欧州特許出願公
開EP−Ａ−0088967号公報により公知である。このコン
トロール可能の降伏はサイリスタのオーバーヘッド・ト
リガリングに導くが、低いブレークオーバー電圧のため
熱破壊は生じない。しかしこの低下したブレークオーバ
ー電圧が所望の精度と再現性をもって特定の値に調整で
きないという欠点がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
この発明の目的は冒頭に挙げた種類のサイリスタにお
いて、ｐ型ベースとｎ型ベース間のpn接合が簡単に調節
可能の低下させたブレークオーバー電圧において熱破壊
を起こすことなく降伏するようにすることである。
〔課題を解決するための手段〕
この目的は、特許請求の範囲第１項に記載された構成
により達成される。
〔発明の効果〕
この発明により得られる利点は、ｐ型ベースとｎ型ベ
ース間pn接合を破壊する低下したブレークオーバー電圧
がこれにより損害を生じることなく十分な精度と再現性
をもって調整できることである。
〔実施例〕
図面についてこの発明を更に詳細に説明する。
第１図に４層の半導体層がその導電型を反転しながら
重ね合わされている電力サイリスタの断面を示す。１は
ｎ型エミッタ、２はｐ型ベース、３はｎ型ベース、４は
ｐ型エミッタである。ｎ型エミッタ１には接続端Ｋを持
つ陰極側電極５が接触し、ｐ型エミッタ４には接続端Ａ
を持つ陽極側電極６が接触する。接続端Ａに接続された
外部回路は動作抵抗Ｒとそれに直列接続された例えば10
00Vの直流電源Ｖから構成される。抵抗Ｒに結ばれてい
ない電源端子７と接続端Ｋは基準電位に置かれる。陽極
側の電極６に電源Ｖから供給される電圧はＫに対して正
の電位にあって、サイリスタはブロッキング状態にあ
る。
ｐ型ベース２に接触するゲート電極８はトリガ回路10
からサイリスタトリガリング用の正電圧パルスを受ける
接続端９を備える。ブロッキング状態にあるサイリスタ
がトリガリングにより導通状態に移されると、ＫとＡの
間を抵抗抗結合してＡ、Ｒ、Ｖ、７およびＫを通る外部
回路を閉結する。サイリスタをターンオフして高抵抗の
非導通状態に移すことは、電源Ｖを遮断するかあるいは
Ｖが交流電源の場合はターンオンの後交流電圧の最初の
ゼロ通過時に実現する。
ｐ型ベース２内に作られたｎ型領域11には導電被覆層
12があり、この領域はｎ型エミッタ１の方向に拡がって
11と２の間のpn接合を短絡する。領域11と層12は増幅ゲ
ートと呼ばれる補助エミッタを構成し、サイリスタの内
部ターンオン増幅を行う。サイリスタが回転対称構成の
とき一点破線13は対称軸となる。1aはｎ型エミッタ１に
作られた溝であって、ｐ型ベース２の突起部2aで埋めら
れる。この突起部には陰極側電極５が接触する。1aと2a
はエミッタ・ベース間の短絡を形成し、ブロッキング電
圧印加時にサイリスタの望ましくないトリガリングを阻
止する。
ｐ型ベース２とｎ型ベース３の間にはpn接合14があ
り、端子ＡとＫの間にブロッキング電圧が印加されたと
き逆方向にバイアスされる。ＡとＫの間のブロッキング
電圧をブレークオーバー電圧値まで上げると、pn接合に
発生する局部的な降伏によりサイリスタのコントロール
不能のトリガリングが起こり熱破壊に導くことがある。
この危険を除くためこの発明によりｐ型エミッタ４の
ドーピング濃度を部分区域15内で残りの部分よりも高く
する。この部分区域15はできるだけ迅速なトリガリング
伝播を確実にするためゲート電極８の下に置くか、ある
いは同心構成のサイリスタの場合対称軸13の区域内に置
く。第１図では部分区域15は直接ｐ型エミッタ４の陽極
側電極６に接する境界面4aから始まり、ｐ型エミッタ４
の厚さよりも短い侵入深さをもつ。この部分区域15の侵
入深さはｐ型エミッタ４の厚さに対応させることも可能
である。更に部分区域15を境界面4aから離し、その間に
ｐ型エミッタ層の一部をはさむうよにすることも可能で
ある。この場合は第１図において破線で示した部分区域
15を上方に移動させたものとなる。一例として部分区域
15が第１図に示した配置であり、ｐ型エミッタ４のドー
ピング密度が陽極側電極６との境界面4aにおいて約1018
cm-3であれば、部分区域15の対応する値は1020cm-3程度
とするのが効果的である。部分区域15内のドーピング密
度を上げることにより、対称軸13の周囲において層列
（２、３、４）の特性的な増幅係数αpnpが達成され、
ブレークオーバー電圧を低下したブレークオーバー電圧
値に下げることができる。部分区域15のドーピング濃度
の上昇はイオン注入とそれに続く焼もどし処理によって
行うのが有利である。この焼もどし処理では半導体が約
950℃から1200℃の間の温度に例えば30分から30時間の
間加熱される。
上記の方法で調整された低下ブレークオーバー電圧
は、半導体のトリガ電極付近の区域を電子又は陽子で照
射することによりより高い値に移すことができる。これ
は照射区域内でキャリアの寿命従って増幅係数αpnpが
低下することを起因するものである。第１図にはこのよ
うに照射されたほぼ円筒形の区域が破線16で囲んで示さ
れる。
区域16を電子又は陽子で照射した後更に別の焼もどし
熱処理により低下したブレークオーバー電圧の上昇分を
補正していくらか縮小させることができる。この別の焼
もどし処理では半導体が例えば250℃と350℃の間の温度
に例えば30分から20時間の間保持され、区域16内のキャ
リアの寿命がいくらか延ばされる。従ってこの照射と別
の焼もどし処理は低下ブレークオーバー電圧の微調整を
行うものである。
第２図には光トリガリング可能のサイリスタが示され
る。この場合トリガリングは対称軸13の周りに置かれた
感光サイリスタ領域17aを光パルスで照射することによ
って生ずる。この光パルスは第２図に17として示され
る。光パルスの導入には一般に光導波路が使用される
が、その詳細は欧州特許出願公開第EP−Ａ−0197512号
公報に記載されている。ここでも部分区域15によって低
下ブレークオーバー電圧が調整される。この場合感光サ
イリスタ領域から垂直方向に陽極側電極６まで拡がる区
域16が電子又は陽子で追加照射されることにより、低下
ブレークオーバー電圧がより高い値に移される。この移
動幅も焼もどし処理によりいくらか小さくすることがで
きる。高められた増幅率αpnpによりdU/dt特性に重大な
欠点を生ずることなく光感度が上昇することは、この原
則の応用に際して有利に作用する。
この発明によるサイリスタの製作に当たっては、第３
図に示すように平盤形で弱ｎ型導電性の半導体体18を素
材とし、線19、20まで半導体内に拡がるｐ型拡散領域を
縁端側に設ける。縁端部分を側面21と22まで除去する
と、ｐ型拡散領域の上部はｐ型ベース２となり、その下
部はｐ型エミッタ４を形成する。SiO2又は感光塗料のマ
スク23を取り付けた後フォトリソグラフィによりマスク
窓24をあけ、この窓を通してイオン注入25によりアクセ
プタイオンを例えば面密度1616cm-2で注入する。続く焼
もどし処理によりｐ型ベース４に高濃度ドープ部分領域
15が形成される。区域16の電子又は陽子照射は粒子線装
置中で実施し、孔26を備えるマスク27によって区域16の
外部のサイリスタ部分の照射を阻止する。この照射を例
えば電極８、12、５および６が設けられて完成したサイ
リスタに対しても実施することは特に有利である。マス
ク27は負荷電流導出用として動作中電極５の上に乗せら
れる圧接電極から構成することも可能である。電子又は
陽子の照射によるブレークオーバー電圧の移動の焼もど
し処理による補正もサイリスタの完成後に実施すること
ができる。
この発明によるサイリスタでは内部のトリガリング補
強用の部分11と12は除いてもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図と第２図はこの発明の互いに異なる実施例の断面
を示し、第３図は第１図、第２図のサイリスタの製造過
程を説明する図面である。 １…ｎ型エミッタ ２…ｐ型ベース ３…ｎ型ベース ４…ｐ型エミッタ ５…陰極側電極 15…ｐ型エミッタ部分領域 16…電子又は陽子照射区域

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】陰極側電極（５）が接触するｎ型エミッタ
    （１）とこれに境を接するｐ型ベース（２）および陽極
    側電極（６）が接触するｐ型エミッタ（４）とこれに境
    を接しpn接合（14）によってｐ型ベース（２）から分離
    されているｎ型ベース（３）を備える半導体基体から成
    るサイリスタにおいて、サイリスタの中心領域にまたは
    サイリスタが回転対称構成のときは対称軸上に備えられ
    たトリガ電極（８）又は感光サイリスタ領域（17a）の
    範囲内に、ｐ型エミッタ（４）の部分領域（15）が設け
    られ、この領域がｐ型エミッタ（４）の残りの部分より
    も高いドーピング濃度を示すことを特徴とするサイリス
    タ。
  2. 【請求項２】トリガ電極（８）又は感光サイリスタ領域
    （17a）の下部に電子又は陽子照射されたサイリスタ区
    域（16）が設けられることを特徴とする請求項１記載の
    サイリスタ。
  3. 【請求項３】ｎ型エミッタ（１）、ｐ型ベース（２）、
    ｎ型ベース（３）およびｐ型エミッタ（４）となる交互
    に導電型を反転する４層が重ねられているドープされた
    半導体基体を出発材料として、フォトリソグラフィマス
    ク（23）をｐ型エミッタとなる層（４）の外表面（4a）
    に設け、これに窓（24）をあけること、この窓を通して
    アクセプタイオンをｐ型エミッタ（４）に入れること、
    続く焼もどし処理によりｐ型エミッタ（４）の部分区域
    （15）を形成させることを特徴とする請求項１記載のサ
    イリスタの製造方法。
  4. 【請求項４】トリガ電極（８）又は感光サイリスタ領域
    （17a）の下部にある部分領域（17a）が電子又は陽子照
    射されることを特徴とする請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】部分領域（16）の電子又は陽子照射の後別
    の焼もどし処理が実施されることを特徴とする請求項４
    記載の方法。
JP63291008A 1987-11-20 1988-11-16 サイリスタ Expired - Lifetime JP2762396B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3739394 1987-11-20
DE3739394.4 1987-11-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01161864A JPH01161864A (ja) 1989-06-26
JP2762396B2 true JP2762396B2 (ja) 1998-06-04

Family

ID=6340918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63291008A Expired - Lifetime JP2762396B2 (ja) 1987-11-20 1988-11-16 サイリスタ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5049965A (ja)
EP (2) EP0564007B1 (ja)
JP (1) JP2762396B2 (ja)
DE (2) DE3851412D1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5510274A (en) * 1987-08-19 1996-04-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of controlling a carrier lifetime in a semiconductor switching device
JPH0680820B2 (ja) * 1989-10-16 1994-10-12 株式会社東芝 過電圧保護機能付半導体装置及びその製造方法
US5243205A (en) * 1989-10-16 1993-09-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with overvoltage protective function
JP3210013B2 (ja) * 1991-03-27 2001-09-17 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 調整可能なブレークオーバ電圧を有するサイリスタおよびその製造方法
DE4215378C1 (de) * 1992-05-11 1993-09-30 Siemens Ag Thyristor mit Durchbruchbereich
JPH0669449A (ja) * 1992-08-18 1994-03-11 Sony Corp ダイナミックｒａｍの配線構造およびその製造方法
US5554882A (en) * 1993-11-05 1996-09-10 The Boeing Company Integrated trigger injector for avalanche semiconductor switch devices
WO1998015010A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-09 Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg Thyristor mit durchbruchbereich
EP0970525B1 (de) * 1997-01-31 2003-05-21 Infineon Technologies AG Asymmetrischer thyristor
DE19947028A1 (de) 1999-09-30 2001-04-12 Siemens Ag Thyristor mit Spannungsstoßbelastbarkeit in der Freiwerdezeit
DE10330571B8 (de) * 2003-07-07 2007-03-08 Infineon Technologies Ag Vertikale Leistungshalbleiterbauelemente mit Injektionsdämpfungsmittel im Rand bereich und Herstellungsverfahren dafür
DE102006001252B4 (de) 2006-01-10 2012-01-26 Infineon Technologies Ag Bipolares Leistungshalbleiterbauelement mit einem p-Emitter und höher dotierten Zonen in dem p-Emitter und Herstellungsverfahren
DE102007041124B4 (de) * 2007-08-30 2009-06-04 Infineon Technologies Ag Thyristor mit verbessertem Einschaltverhalten, Thyristoranordnung mit einem Thyristor, Verfahren zur Herstellung eines Thyristors und einer Thyristoranordnung
RU2474926C1 (ru) * 2011-09-21 2013-02-10 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации Способ регулирования напряжения переключения силового полупроводникового прибора

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1513238A (fr) * 1966-04-19 1968-02-16 Silec Liaisons Elec Thyristor à temps d'extinction court
DE2747945A1 (de) * 1976-11-01 1978-05-18 Electric Power Res Inst Thyristor-bauelement fuer eigenschutz
US4165517A (en) * 1977-02-28 1979-08-21 Electric Power Research Institute, Inc. Self-protection against breakover turn-on failure in thyristors through selective base lifetime control
CH622127A5 (ja) * 1977-12-21 1981-03-13 Bbc Brown Boveri & Cie
US4278475A (en) * 1979-01-04 1981-07-14 Westinghouse Electric Corp. Forming of contoured irradiated regions in materials such as semiconductor bodies by nuclear radiation
JPS57112073A (en) * 1980-12-27 1982-07-12 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
IE53895B1 (en) * 1981-11-23 1989-04-12 Gen Electric Semiconductor device having rapid removal of majority carriers from an active base region thereof at device turn-off and method of fabricating this device
JPS58169973A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Toshiba Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタ
JPS60187058A (ja) * 1984-03-07 1985-09-24 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS60189260A (ja) * 1984-03-09 1985-09-26 Toshiba Corp 逆阻止型ゲートターンオフサイリスタ
US4572947A (en) * 1984-05-29 1986-02-25 Westinghouse Electric Corp. Triggering method for light triggered thyristors
US4757366A (en) * 1985-04-12 1988-07-12 Siemens Aktiengesellschaft Light-triggerable thyristor having low-loss feed of the trigger energy

Also Published As

Publication number Publication date
EP0316881A3 (en) 1990-03-21
DE3856164D1 (de) 1998-05-14
EP0316881A2 (de) 1989-05-24
EP0564007B1 (de) 1998-04-08
US5049965A (en) 1991-09-17
JPH01161864A (ja) 1989-06-26
EP0564007A1 (de) 1993-10-06
EP0316881B1 (de) 1994-09-07
DE3851412D1 (de) 1994-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2762396B2 (ja) サイリスタ
US5904510A (en) Power transistor device having ultra deep increased concentration region
US4165517A (en) Self-protection against breakover turn-on failure in thyristors through selective base lifetime control
AU595735B2 (en) Semiconductor device
JPH0467343B2 (ja)
US5091766A (en) Thyristor with first and second independent control electrodes
US5766966A (en) Power transistor device having ultra deep increased concentration region
JP4653273B2 (ja) 半導体装置、および、その製造方法
US4060825A (en) High speed high power two terminal solid state switch fired by dV/dt
KR0163875B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JPH0117268B2 (ja)
KR940008217B1 (ko) 전력용 압접형 반도체장치
US5194394A (en) Thyristor and method of manufacturing the same
US4238761A (en) Integrated gate assisted turn-off, amplifying gate thyristor with narrow lipped turn-off diode
US6723586B1 (en) Thyristor provided with integrated circuit-commutated recovery time protection and production method therefor
JP2617497B2 (ja) 半導体装置
US5420045A (en) Process for manufacturing thyristor with adjustable breakover voltage
US4040170A (en) Integrated gate assisted turn-off, amplifying gate thyristor, and a method for making the same
US6091087A (en) Insulated gate thyristor
JPS63205958A (ja) 静電誘導サイリスタ
US5284780A (en) Method for increasing the electric strength of a multi-layer semiconductor component
JPH01123478A (ja) プレーナ形ｐｎ接合をもつ半導体デバイス
US5144402A (en) Semiconductor switching device and method of controlling a carrier life time in a semiconductor switching device
JP2561963B2 (ja) 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法
JPH04111358A (ja) 過電圧自己保護型サイリスタ

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080327

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090327

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090327

Year of fee payment: 11