JP2716023B2 - シリコン単結晶育成装置 - Google Patents
シリコン単結晶育成装置Info
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- JP2716023B2 JP2716023B2 JP7304791A JP30479195A JP2716023B2 JP 2716023 B2 JP2716023 B2 JP 2716023B2 JP 7304791 A JP7304791 A JP 7304791A JP 30479195 A JP30479195 A JP 30479195A JP 2716023 B2 JP2716023 B2 JP 2716023B2
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- silicon single
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- pulling
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/917—Magnetic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチョクラルスキー法
によるシリコン単結晶を育成するための装置に関し、特
に成長縞の発生を抑制した装置に関する。
によるシリコン単結晶を育成するための装置に関し、特
に成長縞の発生を抑制した装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法によるシリコン単結
晶育成装置では、種結晶部分をチャックで固定し、この
種結晶にシリコン単結晶を成長させながら金属製のワイ
ヤでを溶融シリコン槽から上方に徐々に一定速度で引き
上げて単結晶を育成する方法がとられている。このた
め、直径が１２インチ以上で、１ｍ以上の長さのシリコ
ン単結晶棒を育成しようとしたときには、その重量が結
晶の育成に伴って増大されるため、種結晶部分に加えら
れる荷重、すなわち金属製ワイヤに加えられる張力や、
引き上げ機構に加わる荷重等が極めて大きなものにな
り、その引き上げが困難になり、結局育成そのものが困
難になる。
晶育成装置では、種結晶部分をチャックで固定し、この
種結晶にシリコン単結晶を成長させながら金属製のワイ
ヤでを溶融シリコン槽から上方に徐々に一定速度で引き
上げて単結晶を育成する方法がとられている。このた
め、直径が１２インチ以上で、１ｍ以上の長さのシリコ
ン単結晶棒を育成しようとしたときには、その重量が結
晶の育成に伴って増大されるため、種結晶部分に加えら
れる荷重、すなわち金属製ワイヤに加えられる張力や、
引き上げ機構に加わる荷重等が極めて大きなものにな
り、その引き上げが困難になり、結局育成そのものが困
難になる。
【０００３】このため、従来では、例えば特開昭６３−
２５２９９１号公報に記載されているように、育成して
いる結晶の肩部の直径を直胴部よりも大きくし、この部
分を安全リングで保持することにより、種結晶部分で担
っていた重量を安全リングで支えることができ、結晶の
重量が大きくなった場合にも結晶の引き上げを可能にし
たものが提案されている。
２５２９９１号公報に記載されているように、育成して
いる結晶の肩部の直径を直胴部よりも大きくし、この部
分を安全リングで保持することにより、種結晶部分で担
っていた重量を安全リングで支えることができ、結晶の
重量が大きくなった場合にも結晶の引き上げを可能にし
たものが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たように、徐々に育成される結晶を金属製のワイヤで引
き上げる構成では、結晶の重量の増加に伴って金属製の
ワイヤの張力が増加され、この張力の増加によってワイ
ヤの伸び量が変化されてしまう。また、育成炉内の温度
分布によってワイヤに伸縮が生じることもある。このた
め、結晶を引き上げる速度に変動が生じてしまい、一定
速度で引き上げを行った場合に比較すると、結晶の成長
速度の違いが原因とされる成長縞と称する不純物分布の
むらが生じてしまう。また、この引き上げ速度の変動
は、ワイヤを引き上げるための機械的伝動部での巻き上
げ緩みにもよって生じることがある。このよう成長縞
は、育成されたシリコン単結晶棒の結晶の均一性が損な
われ、これから製造されるシリコンウェハにおける結晶
欠陥の原因となる。
たように、徐々に育成される結晶を金属製のワイヤで引
き上げる構成では、結晶の重量の増加に伴って金属製の
ワイヤの張力が増加され、この張力の増加によってワイ
ヤの伸び量が変化されてしまう。また、育成炉内の温度
分布によってワイヤに伸縮が生じることもある。このた
め、結晶を引き上げる速度に変動が生じてしまい、一定
速度で引き上げを行った場合に比較すると、結晶の成長
速度の違いが原因とされる成長縞と称する不純物分布の
むらが生じてしまう。また、この引き上げ速度の変動
は、ワイヤを引き上げるための機械的伝動部での巻き上
げ緩みにもよって生じることがある。このよう成長縞
は、育成されたシリコン単結晶棒の結晶の均一性が損な
われ、これから製造されるシリコンウェハにおける結晶
欠陥の原因となる。
【０００５】本発明の目的は、直径が１２インチ以上で
長さが１ｍ以上のシリコン単結晶棒を、成長縞が生じる
ことなく育成することが可能なシリコン単結晶育成装置
を提供することにある。
長さが１ｍ以上のシリコン単結晶棒を、成長縞が生じる
ことなく育成することが可能なシリコン単結晶育成装置
を提供することにある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明のシリコン単結
晶育成装置は、チョクラルスキー法によるシリコン単結
晶育成装置において、成長されるシリコン単結晶の一部
に一体的に取着される磁性体リングと、シリコン単結晶
の引き上げ経路の周囲に配置して前記磁性体リングに引
き上げ方向の磁力を発生させる電磁石とを備えることを
特徴とする。ここで、電磁石は、環状をした複数の電磁
石がシリコン単結晶の引き上げ経路に沿って上下に配列
され、シリコン単結晶の引き上げ速度に準じて、下方位
置のものから上方位置のものに順序的に通電が制御さ
れ、各磁石により磁性体リングに生じさせる上方向への
磁力を順次上方に向けて移動させるように構成される。
晶育成装置は、チョクラルスキー法によるシリコン単結
晶育成装置において、成長されるシリコン単結晶の一部
に一体的に取着される磁性体リングと、シリコン単結晶
の引き上げ経路の周囲に配置して前記磁性体リングに引
き上げ方向の磁力を発生させる電磁石とを備えることを
特徴とする。ここで、電磁石は、環状をした複数の電磁
石がシリコン単結晶の引き上げ経路に沿って上下に配列
され、シリコン単結晶の引き上げ速度に準じて、下方位
置のものから上方位置のものに順序的に通電が制御さ
れ、各磁石により磁性体リングに生じさせる上方向への
磁力を順次上方に向けて移動させるように構成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の一実施形態の全体構
成を示す断面図である。チョクラルスキー法単結晶育成
炉１は、この炉を構成するハウンジングの下部内に、内
面に石英るつぼ２が一体化されたカーボンるつぼ３が配
置されており、その周囲に配置されたヒータ４によって
加熱される。育成されるシリコンは前記石英るつぼ２内
にいれられており、前記ヒータ４の熱により溶融状態と
される。そして、前記石英るつぼ２の周辺上方位置に
は、育成される単結晶棒を引き上げるための開口が設け
られた遮熱板５が配置され、前記各るつぼ２，３の熱が
育成炉１内の上部にまで影響することを防止している。
参照して説明する。図１は本発明の一実施形態の全体構
成を示す断面図である。チョクラルスキー法単結晶育成
炉１は、この炉を構成するハウンジングの下部内に、内
面に石英るつぼ２が一体化されたカーボンるつぼ３が配
置されており、その周囲に配置されたヒータ４によって
加熱される。育成されるシリコンは前記石英るつぼ２内
にいれられており、前記ヒータ４の熱により溶融状態と
される。そして、前記石英るつぼ２の周辺上方位置に
は、育成される単結晶棒を引き上げるための開口が設け
られた遮熱板５が配置され、前記各るつぼ２，３の熱が
育成炉１内の上部にまで影響することを防止している。
【０００８】一方、前記育成炉１の上部は前記石英まつ
ぼ２の上方に向けて延長された筒状部１ａとして形成さ
れ、この筒状部１ａの上端部に引き上げ機構６が配置さ
れ、金属製ワイヤ７を上方に向けて引き上げるための駆
動機構として構成される。また、この筒状部１ａの周囲
には、それぞれが円筒状をした複数個の電磁石８が筒軸
方向に沿って配列されている。これらの電磁石８は、石
英チューブ９で被覆されており、電磁石８による育成炉
１内の汚染が防止される。前記各電磁石８は磁石コント
ローラ１０によってその通電が制御されるように構成さ
れている。また、前記引き上げ機構６から垂下されるワ
イヤ７は、その下端部に種結晶１１が連結され、前記石
英るつぼ２内の溶融シリコンの表面から垂直上方に向け
て引き上げられるように構成される。
ぼ２の上方に向けて延長された筒状部１ａとして形成さ
れ、この筒状部１ａの上端部に引き上げ機構６が配置さ
れ、金属製ワイヤ７を上方に向けて引き上げるための駆
動機構として構成される。また、この筒状部１ａの周囲
には、それぞれが円筒状をした複数個の電磁石８が筒軸
方向に沿って配列されている。これらの電磁石８は、石
英チューブ９で被覆されており、電磁石８による育成炉
１内の汚染が防止される。前記各電磁石８は磁石コント
ローラ１０によってその通電が制御されるように構成さ
れている。また、前記引き上げ機構６から垂下されるワ
イヤ７は、その下端部に種結晶１１が連結され、前記石
英るつぼ２内の溶融シリコンの表面から垂直上方に向け
て引き上げられるように構成される。
【０００９】一方、前記育成炉１でのシリコン単結晶の
育成を行うために、図２に示す磁性体リング１２が用意
される。図２（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
この磁性体リング１２は、例えば鉄、ニッケル等の強磁
性体部材１３を半円環状に形成し、この強磁性体１３を
石英ガラス１４により被覆したものである。そして、一
対の半円環状の各リング１２は、各端部に形成されたフ
ック１５とフック凹部１６とを互いに嵌合させること
で、円環状をした磁性体リングとして構成されるように
なっている。なお、この磁性体リング１２の内径寸法
は、成長するシリコン単結晶棒の直径よりも若干小さな
径寸法、例えば１２インチのシリコン単結晶棒を育成す
る場合にはその内径を１０インチ程度とする。
育成を行うために、図２に示す磁性体リング１２が用意
される。図２（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
この磁性体リング１２は、例えば鉄、ニッケル等の強磁
性体部材１３を半円環状に形成し、この強磁性体１３を
石英ガラス１４により被覆したものである。そして、一
対の半円環状の各リング１２は、各端部に形成されたフ
ック１５とフック凹部１６とを互いに嵌合させること
で、円環状をした磁性体リングとして構成されるように
なっている。なお、この磁性体リング１２の内径寸法
は、成長するシリコン単結晶棒の直径よりも若干小さな
径寸法、例えば１２インチのシリコン単結晶棒を育成す
る場合にはその内径を１０インチ程度とする。
【００１０】以上のように構成されたシリコン単結晶育
成装置による、育成方法を説明する。図３はその工程説
明図である。先ず、図３（ａ）のように、これまでと同
様に、ワイヤ７の先端に固定された種結晶１１を石英る
つぼ２内の溶融シリコン１８に接触させ、シリコン単結
晶棒１７を育成する。肩部１９の成長が完成されたとこ
ろで、図３（ｂ）のように、ヒータパワーをコントロー
ルし、直径が肩部よりも２０％程度小さくし、その状態
でワイヤ７により２ｃｍ程度引き上げる。この後、再度
ヒータパワーをコントロールし、第２の肩部２０を成長
し、以降は所定の条件により引き上げを実行する。そし
て、図３（ｃ）のように第２の肩部２０が遮熱板の上部
にまで引き上げられた時点で、前記磁性体リングを第１
及び第２の肩部１９，２０の間に形成された小径部２１
の外周部に取り付ける。この取付方法としては、図３
（ｄ）のように、２つの分割されているリング１２を、
前記小径部２１の両側から挟み込み、フック１５とフッ
ク凹部１６とを嵌合させる方法が採用できる。
成装置による、育成方法を説明する。図３はその工程説
明図である。先ず、図３（ａ）のように、これまでと同
様に、ワイヤ７の先端に固定された種結晶１１を石英る
つぼ２内の溶融シリコン１８に接触させ、シリコン単結
晶棒１７を育成する。肩部１９の成長が完成されたとこ
ろで、図３（ｂ）のように、ヒータパワーをコントロー
ルし、直径が肩部よりも２０％程度小さくし、その状態
でワイヤ７により２ｃｍ程度引き上げる。この後、再度
ヒータパワーをコントロールし、第２の肩部２０を成長
し、以降は所定の条件により引き上げを実行する。そし
て、図３（ｃ）のように第２の肩部２０が遮熱板の上部
にまで引き上げられた時点で、前記磁性体リングを第１
及び第２の肩部１９，２０の間に形成された小径部２１
の外周部に取り付ける。この取付方法としては、図３
（ｄ）のように、２つの分割されているリング１２を、
前記小径部２１の両側から挟み込み、フック１５とフッ
ク凹部１６とを嵌合させる方法が採用できる。
【００１１】しかる上で、ワイヤ７による継続した引き
上げにより磁性体リング１２は単結晶棒１７と共に上方
に移動される。そして、育成されるシリコン単結晶棒１
７の長さとともにその重量が徐々に増加されるが、磁性
体リング１２が電磁石８の内側位置にまで引き上げられ
てくると、磁石コントローラ１０によって各電磁石８へ
の通電が制御される。これにより、電磁石８により磁場
が形成され、磁性体リング１２はこの磁場の影響により
上方への磁力を受けるようになる。これにより、それま
でワイヤ７の張力によって保持されていたシリコン単結
晶棒１７が磁力によって保持されるようになり、その分
ワイヤ７の張力が低減される。そして、複数個の電磁石
８に対する通電を適切に制御して電磁石８における磁極
を順序的に反転させることで、磁性体リング１２はワイ
ヤ７による引き上げと同期して電磁石８の配列に沿って
順次上方に移動される。したがって、各電磁石８への通
電制御により、好ましい結晶の引き上げ速度である、
０．５〜１．０ｍｍ／ｍｉｎの速度での引き上げが可能
となる。
上げにより磁性体リング１２は単結晶棒１７と共に上方
に移動される。そして、育成されるシリコン単結晶棒１
７の長さとともにその重量が徐々に増加されるが、磁性
体リング１２が電磁石８の内側位置にまで引き上げられ
てくると、磁石コントローラ１０によって各電磁石８へ
の通電が制御される。これにより、電磁石８により磁場
が形成され、磁性体リング１２はこの磁場の影響により
上方への磁力を受けるようになる。これにより、それま
でワイヤ７の張力によって保持されていたシリコン単結
晶棒１７が磁力によって保持されるようになり、その分
ワイヤ７の張力が低減される。そして、複数個の電磁石
８に対する通電を適切に制御して電磁石８における磁極
を順序的に反転させることで、磁性体リング１２はワイ
ヤ７による引き上げと同期して電磁石８の配列に沿って
順次上方に移動される。したがって、各電磁石８への通
電制御により、好ましい結晶の引き上げ速度である、
０．５〜１．０ｍｍ／ｍｉｎの速度での引き上げが可能
となる。
【００１２】したがって、このように磁性体リング１２
に生じる磁力、すなわち上方向への浮遊力を利用するこ
とで、シリコン単結晶棒１７の成長の進行に伴ってその
重量が増加される場合でもワイヤ７に生じる引き上げ張
力の増大が抑制でき、引き上げ機構６に加えられる負荷
を低減することが可能となる。これにより、金属製ワイ
ヤ７における伸びの発生が防止され、また、磁性体リン
グ１２が電磁石８によってその移動速度が規制されるこ
とで、育成炉１内の温度分布によって金属製ワイヤ７に
伸縮が生じた場合でも引き上げ速度が一定化される。し
たがって、シリコン単結晶棒１７を引き上げる速度が一
定化され、成長縞の発生が防止される。さらに、ワイヤ
７の引き上げ機構６での巻き上げ緩みが生じた場合で
も、引き上げ速度を一定化でき、成長縞の発生を防止す
ることができる。
に生じる磁力、すなわち上方向への浮遊力を利用するこ
とで、シリコン単結晶棒１７の成長の進行に伴ってその
重量が増加される場合でもワイヤ７に生じる引き上げ張
力の増大が抑制でき、引き上げ機構６に加えられる負荷
を低減することが可能となる。これにより、金属製ワイ
ヤ７における伸びの発生が防止され、また、磁性体リン
グ１２が電磁石８によってその移動速度が規制されるこ
とで、育成炉１内の温度分布によって金属製ワイヤ７に
伸縮が生じた場合でも引き上げ速度が一定化される。し
たがって、シリコン単結晶棒１７を引き上げる速度が一
定化され、成長縞の発生が防止される。さらに、ワイヤ
７の引き上げ機構６での巻き上げ緩みが生じた場合で
も、引き上げ速度を一定化でき、成長縞の発生を防止す
ることができる。
【００１３】
【実施例】ここで、前記した実施形態の育成炉１を用い
て、直径が１２，１４，１６及び１８インチのシリコン
単結晶棒をそれぞれ育成した。各結晶棒は、電磁石８に
よる磁場の移動速度を１．０ｍｍ／ｍｉｎとした。育成
された結晶棒の長さと、その引き上げ軸方向の断面をＸ
線トポグラフで観察し、成長縞の有無を調べた結果を表
１に示す。また、比較例として、従来の育成装置で育成
を行った場合の結果を併せて示している。
て、直径が１２，１４，１６及び１８インチのシリコン
単結晶棒をそれぞれ育成した。各結晶棒は、電磁石８に
よる磁場の移動速度を１．０ｍｍ／ｍｉｎとした。育成
された結晶棒の長さと、その引き上げ軸方向の断面をＸ
線トポグラフで観察し、成長縞の有無を調べた結果を表
１に示す。また、比較例として、従来の育成装置で育成
を行った場合の結果を併せて示している。
【００１４】
【表１】
【００１５】この表１から、本発明の育成装置により育
成されたシリコン単結晶棒では、直径が１２インチ以上
の結晶を１ｍ以上の長さで引き上げて育成することが可
能であり、しかもこの場合、いずれの結晶においても成
長縞が生じないことが確認された。このことから、いず
れの結晶においても成長速度の変動がなく育成が可能で
あることが確認できた。
成されたシリコン単結晶棒では、直径が１２インチ以上
の結晶を１ｍ以上の長さで引き上げて育成することが可
能であり、しかもこの場合、いずれの結晶においても成
長縞が生じないことが確認された。このことから、いず
れの結晶においても成長速度の変動がなく育成が可能で
あることが確認できた。
【００１６】これに対し、従来の育成装置のものでは、
直径が１２インチの結晶が１ｍ以上の引き上げは可能で
あるが、直径が１４インチ以上になるとその引き上げが
困難であった。また、直径が１２インチの結晶では、成
長縞が発生しており、成長速度の変動があったことが判
る。この結果、本発明の育成装置では、従来装置に比較
て成長縞の発生を有効に防止でき、しかも１２インチ以
上の直径で１ｍ以上の長さのシリコン単結晶の育成が可
能となることが確認された。
直径が１２インチの結晶が１ｍ以上の引き上げは可能で
あるが、直径が１４インチ以上になるとその引き上げが
困難であった。また、直径が１２インチの結晶では、成
長縞が発生しており、成長速度の変動があったことが判
る。この結果、本発明の育成装置では、従来装置に比較
て成長縞の発生を有効に防止でき、しかも１２インチ以
上の直径で１ｍ以上の長さのシリコン単結晶の育成が可
能となることが確認された。
【００１７】なお、前記実施形態では、磁性体リングを
２分割してシリコン単結晶の両側から挟むようにして一
体化しているが、Ｃ字型のリングを弾性力をもってシリ
コン単結晶の一側方向から嵌合させるようにしてもよ
い。
２分割してシリコン単結晶の両側から挟むようにして一
体化しているが、Ｃ字型のリングを弾性力をもってシリ
コン単結晶の一側方向から嵌合させるようにしてもよ
い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、成長され
るシリコン単結晶の一部に一体的に取着される磁性体リ
ングと、シリコン単結晶の引き上げ経路の周囲に配置さ
れて磁性体リングに引き上げ方向の磁力を発生させる電
磁石とを備えているので、電磁石に対する通電制御を、
シリコン単結晶の引き上げ速度に従って磁性体リングに
生じさせる上方向への磁力を順次上方に向けて移動させ
るように行うことで、シリコン単結晶を引き上げるワイ
ヤに加えられる荷重を増加させることがなく、引き上げ
速度を一定化でき、シリコン単結晶における成長縞の発
生を防止して高品質のシリコン単結晶を育成することが
できる効果がある。
るシリコン単結晶の一部に一体的に取着される磁性体リ
ングと、シリコン単結晶の引き上げ経路の周囲に配置さ
れて磁性体リングに引き上げ方向の磁力を発生させる電
磁石とを備えているので、電磁石に対する通電制御を、
シリコン単結晶の引き上げ速度に従って磁性体リングに
生じさせる上方向への磁力を順次上方に向けて移動させ
るように行うことで、シリコン単結晶を引き上げるワイ
ヤに加えられる荷重を増加させることがなく、引き上げ
速度を一定化でき、シリコン単結晶における成長縞の発
生を防止して高品質のシリコン単結晶を育成することが
できる効果がある。
【図１】本発明のシリコン単結晶育成装置の一実施形態
の要部の断面図である。
の要部の断面図である。
【図２】磁性体リングの構成を説明するための平面図と
正面図である。
正面図である。
【図３】図１の育成装置を用いた単結晶棒の育成方法を
工程順に示す模式図である。
工程順に示す模式図である。
１ 育成炉 ２ 石英るつぼ ４ ヒータ ５ 遮熱板 ６ 引上げ機構 ７ 金属製ワイヤ ８ 電磁石 １０ 磁石コントローラ １１ 種結晶 １２ 磁性体リング １７ 単結晶棒 １８ シリコン溶融液 ２１ 小径部
Claims (5)
- 【請求項１】 下部に溶融シリコンを入れたるつぼが配
置され、上部に前記溶融シリコンからシリコン単結晶を
成長させる種結晶をワイヤにより引き上げる引き上げ機
構を備えるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶育
成装置において、成長されるシリコン単結晶の一部に一
体的に取着される磁性体リングと、前記シリコン単結晶
の引き上げ経路の周囲に配置して前記磁性体リングに引
き上げ方向の磁力を発生させる電磁石とを備えることを
特徴とするシリコン単結晶育成装置。 - 【請求項２】 電磁石は、環状をした複数の電磁石がシ
リコン単結晶の引き上げ経路に沿って上下に配列され、
磁石コントローラにより各電磁石への通電が制御される
請求項１のシリコン単結晶育成装置。 - 【請求項３】 各電磁石は、シリコン単結晶の引き上げ
速度に準じて、下方位置のものから上方位置のものに順
序的に通電が制御され、各磁石により磁性体リングに生
じさせる上方向への磁力を順次上方に向けて移動させる
請求項２のシリコン単結晶育成装置。 - 【請求項４】 磁性体リングは、シリコン単結晶よりも
内径が小さい環状をした強磁性体が石英ガラスで被覆さ
れ、シリコン単結晶の長さ方向の一部に設けられた小径
部に嵌合されて一体支持される請求項１ないし３のいず
れかのシリコン単結晶育成装置。 - 【請求項５】 磁性体リングは半円環状の一対のリング
で構成され、シリコン単結晶の両側からこれを挟むよう
にして互いに嵌合されてシリコン単結晶に一体支持され
る請求項４シリコン単結晶育成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7304791A JP2716023B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | シリコン単結晶育成装置 |
| CN96120692A CN1046972C (zh) | 1995-11-22 | 1996-11-21 | 抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长方法及装置 |
| US08/754,158 US5827366A (en) | 1995-11-22 | 1996-11-22 | Czochralski growing apparatus suppressing growth striation of long large-diameter monocrystalline silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7304791A JP2716023B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | シリコン単結晶育成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09142989A JPH09142989A (ja) | 1997-06-03 |
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