JP3850500B2 - 磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器 - Google Patents
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Description
【発明の属する分野】
本発明は、シリコン等の溶湯に磁場を印加して引き上げるにあたり、種結晶を保持するために単結晶引上げ装置に設けられた種結晶保持器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコン等の単結晶インゴットを引き上げるに当たっては、図5に示すように溶湯6に側方からマグネット8により磁場を印加して、種結晶10をこの溶湯6に接触させて、この種結晶10を回転させながら半導体インゴット60を引き上げている。
【0003】
この種結晶を保持する種結晶保持器の要件としては、耐熱性に優れ、育成単結晶に汚染等の影響を与える危険がなく、種結晶の回転を安定して得られるものであることなどである。これらの要件を満たす素材としては、例えばモリブデンやグラファイトといったものがある。
【0004】
ところが、これらモリブデンやグラファイトといった導電性を有する材質の弊害として、磁場との相互作用により誘導される電流により、種結晶保持器の回転を制止しようとするトルクが生じる。この電流の大きさは、マグネットの磁束密度の高さと、種結晶回転速度の速さにより左右され、磁束密度が高く、回転速度が早いほど、電流も大きくなりトルクも強くなる。
【0005】
このトルクを解消する手段としては、例えば特公平5−11077号公告公報に示された「磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器」があり、これは保持器本体をセラミックなどの非導電性材料で形成することにより、磁場との相互作用による誘導を引き起こさないようにしたものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したように保持器本体をセラミックなどの非導電性材料で形成すると、モリブデン等に比べるとその比重が小さく、従来の種結晶保持器の重量の約1/3程度となってしまう。この軽量な種結晶保持器では近年の半導体インゴットの大口径化に伴う重量の増加に対応できず、安定した回転を得ることができないという問題点があった。
すなわち、半導体インゴットの大口径化に伴い種結晶保持器を吊り下げているケーブルも太くなり、この従来より太いケーブルに軽い種結晶保持器を取り付けると、ケーブルが鉛直に垂下した状態を保持できず、ケーブルの巻き癖や縒り戻しにより種結晶の回転にブレを生じて、その結果、インゴットが曲がったり、直径の制御に不具合が生じたりする。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、半導体インゴットの大口径化に伴い保持器吊り下げケーブルが太くなるのに対応して、安定した回転を確保できる磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
このため本発明では、磁場を印加して単結晶を引き上げるにあたり種結晶を保持するために単結晶引上げ装置に設けられた種結晶保持器において、該種結晶保持器が口径の異なる複数の円筒により構成され、それぞれの該円筒が種結晶の回転軸を同心として多層構造になるように配置したものである。
【0008】
また、磁場を印加して単結晶を引き上げるにあたり種結晶を保持するために単結晶引上げ装置に設けられた種結晶保持器において、該種結晶保持器が複数の円盤により構成され、それぞれの該円盤の中心が種結晶の回転軸を中心として積層されて形成するようにしたものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明は従来の種結晶保持器では半導体インゴットの大口径化に対応できないことから、磁場によるブレーキトルクを解消すると共に、種結晶の安定した回転を確保するために発明されたもので、その素材を従来と同様の比重の大きい金属で形成する一方、その形状を円柱または円盤が多層構造になるように設けて、磁場による誘導を抑えるようにしたものである。
【0010】
【実施例】
以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説明する。
実施例1
図1は本発明に係る実施例1の保持器の一部断面側面図である。
図1に示すように、本実施例1の種結晶保持器1は、下端に種結晶10を保持する保持部11と、この上部周囲に巻回するように多層構造に配置された口径の異なる内円筒12および外円筒13とから構成され、保持部11上端はワイヤ7により固定して吊り下げるように設けられている。
【0011】
保持部11は、上部が下部に比べ直径の小さい小口径部11aと、下部が上部に比べ直径の大きい大口径部11bとから構成され、この小口径部11aと大口径部11bとの段差面11cに口径の小さい方の内円筒12が載置されるように設けられている。内円筒12の内周面はその下端内周面12aのみ小口径部11aの外周面と接するように設けられ、この下端内周面12aより上の部分の内円筒内周面12bの内径は小口径部11aの直径より大きく形成され、小口径部11aと内円筒12との間に間隙14aが形成されるように設けられている。また、内円筒12の外周面上部には内円筒係止部12cが設けられ、外円筒13の内周面上部の外円筒係止部13aが係止して保持される。外円筒13の内周面は外円筒係止部13a以外の部分はその内径が内円筒12の外径より大きく形成され、間隙14b、14cが形成される。
【0012】
この間隙14a、14b、14cの厚さは約1mmであり、少なくとも0.05mm以上あれば実用的には十分な絶縁性を得ることができる。
【0013】
この種結晶保持器1による回転を検証した結果、磁束密度が4,000 ガウスの磁場において重量が7kgである種結晶保持器1は、回転速度が12rpm に達するまで円滑な回転を得られた。
【0014】
ここで、次に示す比較例により従来の種結晶保持器による回転と上記各実施例の種結晶保持器による回転とを比較する。
比較例1
重量が上記実施例1と同様であり、しかも本発明の積層構造を有しない単層構造のモリブデン製の種結晶保持器による回転を検証した結果は、磁束密度が4,000 ガウスの磁場において重量 7.2kgの種結晶保持器は、回転速度が4rpm 以下でその回転に安定を失い、これにより実行上引き上げは困難であることがわかった。
【0015】
比較例2
形状が上記実施例1とほぼ同様の種結晶保持器をセラミックにより製造すると、その重量は僅か 2.4kgであり、ワイヤは鉛直に垂下しないため、当初から安定した回転を得ることはできなかった。
【0016】
実施例2
図2は本発明に係る実施例2の種結晶保持器の一部断面側面図である。
図2に示すように本実施例の種結晶保持器2においては、下端に種結晶10を保持する保持部11は、上記実施例1と同様の形状であり、これに最下段に一枚の円盤2bと、その上に複数の円盤2aとが積層されている。それぞれの円盤はその中心に保持部11の小口径部11aが貫通されるようなドーナッツ状に形成され、段差面11cに載った状態で保持される。
【0017】
円盤2aの底面には環状の突起21が形成され、この突起21により間隙22が形成される。この間隙22により、積層された円盤2a、2bの間を保持部11の回転軸方向で誘導される電流は僅かな量となり、これによる種結晶10の回転は阻害されることなく安定した回転を得られる。
【0018】
この間隙22の厚さは約1mmであり、少なくとも0.05mm以上あれば実用的には十分な絶縁性を得ることができる。
【0019】
この種結晶保持器2による回転を検証した結果、磁束密度が4,000 ガウスの磁場において重量 7.2kgの種結晶保持器2は、回転速度が10rpm に達するまで円滑な回転を得られた。
【0020】
実施例3
図3は本発明に係る実施例3の種結晶保持器の一部断面側面図である。
図3に示すように本実施例の種結晶保持器3においては、上記実施例1と同様に口径の異なる内円筒31、外円筒32を配置し、これらの間には実施例1の間隙に替わり絶縁物、例えば絶縁性のセラミック33を介在させたものである。これによると実施例1と同様に種結晶10の安定した回転を得られた。
【0021】
この種結晶保持器3による回転を検証した結果、磁束密度が4,000 ガウスの磁場において重量 7.1kgの種結晶保持器3は、回転速度が13rpm に達するまでは円滑な回転を得られた。
【0022】
実施例4
図4は本発明に係る実施例4の種結晶保持器の一部断面側面図である。
尚、上記実施例1、2においては、円筒または円盤の積層により間隙が形成されるように設けられていたが、これに限られるものではなく、積層されるもの同士の間に間隙が形成されるものであれば、同様の効果を得られる。したがって、本実施例4の種結晶保持器4においては、図4に示すように円筒41a、41bと円盤42a、42bを組み合わせて形成している。
【0023】
また、上記各実施例の種結晶保持器の材質としては、導電性はあってもよいことから、加工しやすく耐熱性の金属を使用でき、従来技術に示された絶縁セラミックよりはるかに安価に製造できる。この金属としては、例えばモリブデン、タングステン、タンタル、ステンレス、インコネル等が好適である。
【0024】
【発明の効果】
本発明では以上のように構成したので、種結晶保持器が加工しやすく耐熱性の高いモリブデンといった金属で製造されるため、安定した回転を得るための十分な重量を得ることができ、しかも磁場印加による誘導電流を最小限に抑えることができる。したがって、大口径の半導体インゴットの引き上げも十分に対応できるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る実施例1の種結晶保持器の一部断面側面図である。
【図2】本発明に係る実施例2の種結晶保持器の一部断面側面図である。
【図3】本発明に係る実施例3の種結晶保持器の一部断面側面図である。
【図4】本発明に係る実施例4の種結晶保持器の一部断面側面図である。
【図5】単結晶引上げ装置を示す模式図である。
【符号の説明】
1‥‥‥種結晶保持器
11‥‥保持部
11a‥小口径部
11b‥大口径部
12‥‥内円筒
12a‥下端内周面
12b‥内円筒内周面
12c‥内円筒係止部
13‥‥外円筒
13a‥外円筒係止部
14a‥間隙
14b‥間隙
14c‥間隙
2‥‥‥種結晶保持器
2a‥‥円盤
2b‥‥円盤
21‥‥突起
22‥‥間隙
3‥‥‥種結晶保持器
31‥‥内円筒
32‥‥外円筒
33‥‥セラミック
5‥‥‥種結晶保持器
6‥‥‥溶湯
7‥‥‥ワイヤ
8‥‥‥マグネット
10‥‥種結晶
60‥‥半導体インゴット
Claims (8)
- 磁場を印加して単結晶を引き上げるにあたり種結晶を保持するために単結晶引上げ装置に設けられた種結晶保持器において、該種結晶保持器が口径の異なる複数の円筒により構成され、それぞれの該円筒が種結晶の回転軸を同心として多層構造になるように配置したことを特徴とする磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器。
- 磁場を印加して単結晶を引き上げるにあたり種結晶を保持するために単結晶引上げ装置に設けられた種結晶保持器において、該種結晶保持器が複数の円盤により構成され、それぞれの該円盤の中心が種結晶の回転軸を中心として積層されて形成されたことを特徴とする磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器。
- 円筒と隣接する他の円筒との間に間隙を形成するように設けたことを特徴とする請求項1記載の磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器。
- 円盤と隣接する他の円盤との間に間隙を形成するように設けたことを特徴とする請求項2記載の磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器。
- 円筒と他の円筒との間に絶縁質の円筒を配置したことを特徴とする請求項1記載の磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器。
- 円盤と他の円盤との間に絶縁質の円盤を配置したことを特徴とする請求項2記載の磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器。
- 下端に種結晶を保持し、上部が小口径で下部が大口径な円柱状に形成された保持部が設けられ、該保持部の小口径部分と大口径部分の段差により複数の円筒または円盤を保持するように設けられたことを特徴とする請求項1または2記載の磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器。
- 円筒または円盤がモリブデン、タングステン、タンタル、ステンレス、インコネルからなる群から選ばれた耐熱性金属材料により形成されたことを特徴とする請求項1または2記載の磁場印加単結晶引上げ装置用種結晶保持器。
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