JP2855498B2 - 半導体単結晶引上げ装置 - Google Patents
半導体単結晶引上げ装置Info
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- JP2855498B2 JP2855498B2 JP8218692A JP8218692A JP2855498B2 JP 2855498 B2 JP2855498 B2 JP 2855498B2 JP 8218692 A JP8218692 A JP 8218692A JP 8218692 A JP8218692 A JP 8218692A JP 2855498 B2 JP2855498 B2 JP 2855498B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、るつぼ内の原料融液か
ら、均質な半導体単結晶を製造する半導体単結晶製造装
置に関する。
ら、均質な半導体単結晶を製造する半導体単結晶製造装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体単結晶の育成には、るつぼ内の原
料融液から円柱状の結晶を育成するＣＺ（チョクラルス
キー引上げ）法が広く用いられている。
料融液から円柱状の結晶を育成するＣＺ（チョクラルス
キー引上げ）法が広く用いられている。
【０００３】通常、半導体単結晶の育成に際し、育成さ
れる単結晶を高品質に維持するために、所定の真空度に
真空排気されたチャンバー内にるつぼを設置し、このる
つぼ内の原料融液から結晶を引き上げつつ育成するとい
う方法がとられている。
れる単結晶を高品質に維持するために、所定の真空度に
真空排気されたチャンバー内にるつぼを設置し、このる
つぼ内の原料融液から結晶を引き上げつつ育成するとい
う方法がとられている。
【０００４】このような装置においては、その引上げ方
法によってシャフトを引き上げるシャフト方式と、ワイ
ヤを巻き取るワイヤ方式とにわけられる。
法によってシャフトを引き上げるシャフト方式と、ワイ
ヤを巻き取るワイヤ方式とにわけられる。
【０００５】引上げ単結晶の直径を制御するために引上
げ速度を制御しなければならないが、これらのうちシャ
フト方式では、カメラを用いて引上げ単結晶の直径を検
出する光学式制御方法と、重量センサを用いて引上げ単
結晶の重量を検出する重量式制御方法とがある。
げ速度を制御しなければならないが、これらのうちシャ
フト方式では、カメラを用いて引上げ単結晶の直径を検
出する光学式制御方法と、重量センサを用いて引上げ単
結晶の重量を検出する重量式制御方法とがある。
【０００６】例えば、光学式制御方法を用いた従来の光
学式半導体単結晶育成装置は、図５に示すように、カメ
ラ１１を用いて引上げ単結晶の直径を検出するようにし
たもので、減圧下に保持されたチャンバー１内に設置さ
れた石英るつぼ２内に収容した原料３をヒータ４によっ
て加熱溶融し、この融液に引上げ軸５にとりつけた種結
晶を浸漬し、これを回転させつつ上方に引き上げて単結
晶（図示せず）を成長せしめるように構成されている。
ここでは、ヒータ４内に、ペディスタル（るつぼ支持
台）７に装着されたるつぼ受け８によって支持された黒
鉛るつぼ９内にさらに石英るつぼ２を装着し、この石英
るつぼ２内部でシリコン原料を溶融せしめ原料融液とし
て保持するようになっている。そして、この光学式制御
方法では、引上げ軸５は引上げ軸ガイドを介して引上げ
装置本体に取り付けられており、その引上げ軸５は長さ
方向に対し単一直径の細い丸棒で構成されその先端にシ
ードアダプター１６と呼ばれる種結晶１７の取り付け部
が連結されている。またこのシードアダプタ−が２種以
上の異なった部品で構成されたものもある。しかしなが
ら、これは光学的に引上げ単結晶の直径を検出するもの
であるため、カメラの位置に制限があり装置が大型化す
る上、反射などによる誤差が生じやすいという問題があ
った。
学式半導体単結晶育成装置は、図５に示すように、カメ
ラ１１を用いて引上げ単結晶の直径を検出するようにし
たもので、減圧下に保持されたチャンバー１内に設置さ
れた石英るつぼ２内に収容した原料３をヒータ４によっ
て加熱溶融し、この融液に引上げ軸５にとりつけた種結
晶を浸漬し、これを回転させつつ上方に引き上げて単結
晶（図示せず）を成長せしめるように構成されている。
ここでは、ヒータ４内に、ペディスタル（るつぼ支持
台）７に装着されたるつぼ受け８によって支持された黒
鉛るつぼ９内にさらに石英るつぼ２を装着し、この石英
るつぼ２内部でシリコン原料を溶融せしめ原料融液とし
て保持するようになっている。そして、この光学式制御
方法では、引上げ軸５は引上げ軸ガイドを介して引上げ
装置本体に取り付けられており、その引上げ軸５は長さ
方向に対し単一直径の細い丸棒で構成されその先端にシ
ードアダプター１６と呼ばれる種結晶１７の取り付け部
が連結されている。またこのシードアダプタ−が２種以
上の異なった部品で構成されたものもある。しかしなが
ら、これは光学的に引上げ単結晶の直径を検出するもの
であるため、カメラの位置に制限があり装置が大型化す
る上、反射などによる誤差が生じやすいという問題があ
った。
【０００７】これに対し、重量式の直径制御方式は、図
６に示すように重量センサ１２を用いて引上げ単結晶の
重量を検出するもので、上述したような問題はない。し
かしながら近年引上げ単結晶の直径は太くなる一方であ
り、このような重量式の直径制御方式では、その引上げ
軸は下方で石英るつぼ２内の溶融液３やヒータ１４から
の輻射熱を多く受けるが、引上げ軸５は単一の丸棒で構
成されているため、この熱が上方の駆動部にも伝達さ
れ、シャフトの機械的精度を長時間保持することができ
なくなり、半導体単結晶の製造が不安定となるという問
題が出てきている。ここで１０は保温筒である。
６に示すように重量センサ１２を用いて引上げ単結晶の
重量を検出するもので、上述したような問題はない。し
かしながら近年引上げ単結晶の直径は太くなる一方であ
り、このような重量式の直径制御方式では、その引上げ
軸は下方で石英るつぼ２内の溶融液３やヒータ１４から
の輻射熱を多く受けるが、引上げ軸５は単一の丸棒で構
成されているため、この熱が上方の駆動部にも伝達さ
れ、シャフトの機械的精度を長時間保持することができ
なくなり、半導体単結晶の製造が不安定となるという問
題が出てきている。ここで１０は保温筒である。
【０００８】また、引上げ軸に熱的耐久性を持たせるた
めに長さ方向に対し直径を太くすることも考えられる
が、この場合は引上げ駆動軸の重量が著しく増加するた
めメンテナンスなどを容易にすることができなくなると
いう問題点があった。
めに長さ方向に対し直径を太くすることも考えられる
が、この場合は引上げ駆動軸の重量が著しく増加するた
めメンテナンスなどを容易にすることができなくなると
いう問題点があった。
【０００９】そこでこの問題を解決すべく、太径の半導
体単結晶を引上げる場合はワイヤ方式が多く採用されて
いる。しかしながら、ワイヤ方式は位置ずれが生じ易い
という問題がある。
体単結晶を引上げる場合はワイヤ方式が多く採用されて
いる。しかしながら、ワイヤ方式は位置ずれが生じ易い
という問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように太径の半導
体単結晶を引上げる場合、重量式の直径制御方式では、
その引上げ軸は単一の丸棒であるために、石英るつぼ内
の溶融液やヒータからの輻射熱を多く受け、この熱が上
方の駆動部にも伝達され、シャフトの機械的精度を長時
間保持することができなくなり、半導体単結晶の製造が
不安定となるという問題が出てきている。また太径の半
導体単結晶を引上げるために引上げ軸の機械的強度およ
び熱的強度を大きくしなければならないが、太くすると
重量が増大しメンテナンスが困難となるという問題があ
った。
体単結晶を引上げる場合、重量式の直径制御方式では、
その引上げ軸は単一の丸棒であるために、石英るつぼ内
の溶融液やヒータからの輻射熱を多く受け、この熱が上
方の駆動部にも伝達され、シャフトの機械的精度を長時
間保持することができなくなり、半導体単結晶の製造が
不安定となるという問題が出てきている。また太径の半
導体単結晶を引上げるために引上げ軸の機械的強度およ
び熱的強度を大きくしなければならないが、太くすると
重量が増大しメンテナンスが困難となるという問題があ
った。
【００１１】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、引上げ軸の熱的安定性を向上し、メンテナンスが容
易で長期にわたって安定した太径の半導体単結晶を形成
することのできる単結晶引上げ装置を提供することを目
的とする。
で、引上げ軸の熱的安定性を向上し、メンテナンスが容
易で長期にわたって安定した太径の半導体単結晶を形成
することのできる単結晶引上げ装置を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、引上
げ軸を上部シャフトと下部シャフトとの連結体で構成
し、この連結部は保護筒内に位置するようにしている。
げ軸を上部シャフトと下部シャフトとの連結体で構成
し、この連結部は保護筒内に位置するようにしている。
【００１３】また望ましくはこの上部シャフトと下部シ
ャフトを着脱自在に装着している。さらに望ましくはこ
の、下部シャフトは上部シャフトよりも径大であるよう
に構成している。
ャフトを着脱自在に装着している。さらに望ましくはこ
の、下部シャフトは上部シャフトよりも径大であるよう
に構成している。
【００１４】
【作用】上記構成によれば、引上げ軸を上部シャフトと
下部シャフトとの連結体で構成するようにしているた
め、この連結部で一旦熱が遮断される状態になるため、
上部シャフトへの熱伝導は小さい。従って熱による劣化
は防止される。
下部シャフトとの連結体で構成するようにしているた
め、この連結部で一旦熱が遮断される状態になるため、
上部シャフトへの熱伝導は小さい。従って熱による劣化
は防止される。
【００１５】また、引上げ軸の上部シャフトと下部シャ
フトを着脱自在に装着することにより、熱輻射により下
部シャフトが劣化すれば下部シャフトのみを取り替えれ
ばよく、また、引上げ単結晶の直径に応じて下部シャフ
トの太さあるいは材質を変えるようにすれば、引上げ軸
の熱的安定性を向上することができる。
フトを着脱自在に装着することにより、熱輻射により下
部シャフトが劣化すれば下部シャフトのみを取り替えれ
ばよく、また、引上げ単結晶の直径に応じて下部シャフ
トの太さあるいは材質を変えるようにすれば、引上げ軸
の熱的安定性を向上することができる。
【００１６】また、引上げ軸を上部シャフトと前記上部
シャフトよりも径大の下部シャフトとの連結体で構成す
るようにすれば、熱輻射を受けるため、熱的耐久性の必
要な下部シャフトのみを径大にすれば、重量の増大を低
減し耐久性を持たせることが可能となる。また、引上げ
軸自体の重量を低減することにより、引上げ単結晶の直
径の制御のために引上げ軸に支持された引上げ単結晶の
重量を検出する重量センサの検出精度の必要範囲が小さ
くなる。
シャフトよりも径大の下部シャフトとの連結体で構成す
るようにすれば、熱輻射を受けるため、熱的耐久性の必
要な下部シャフトのみを径大にすれば、重量の増大を低
減し耐久性を持たせることが可能となる。また、引上げ
軸自体の重量を低減することにより、引上げ単結晶の直
径の制御のために引上げ軸に支持された引上げ単結晶の
重量を検出する重量センサの検出精度の必要範囲が小さ
くなる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明実施例について図面を参照しつ
つ詳細に説明する。
つ詳細に説明する。
【００１８】本発明の第１の実施例の単結晶育成装置
は、図１に断面図を示すように、単結晶引上げ軸１５が
ステンレス棒からなる上部シャフト１５ａと、この上部
シャフトよりも径大のステンレス棒からなる下部シャフ
ト１５ｂとから構成され、これらの連結部Ｒがステンレ
ス製の保温筒１０の下端よりも上にくるようにし、るつ
ぼ上に露呈する部分はすべて径大部であるように構成さ
れていることを特徴とする。
は、図１に断面図を示すように、単結晶引上げ軸１５が
ステンレス棒からなる上部シャフト１５ａと、この上部
シャフトよりも径大のステンレス棒からなる下部シャフ
ト１５ｂとから構成され、これらの連結部Ｒがステンレ
ス製の保温筒１０の下端よりも上にくるようにし、るつ
ぼ上に露呈する部分はすべて径大部であるように構成さ
れていることを特徴とする。
【００１９】ここで下部シャフト１５ｂの下にはカーボ
ン製のシードアダプター１６が設置され種結晶１７を支
持している。
ン製のシードアダプター１６が設置され種結晶１７を支
持している。
【００２０】他の部分は図６に示した従来例の装置と同
様に形成されており、減圧下に保持したチャンバー１内
の石英るつぼ２内に収容した単結晶原料３をヒータ４に
よって加熱溶融し、この融液に引上げ軸５にとりつけた
種結晶を浸漬し、これを回転させつつ上方に引き上げて
単結晶６を成長せしめるように構成されている。
様に形成されており、減圧下に保持したチャンバー１内
の石英るつぼ２内に収容した単結晶原料３をヒータ４に
よって加熱溶融し、この融液に引上げ軸５にとりつけた
種結晶を浸漬し、これを回転させつつ上方に引き上げて
単結晶６を成長せしめるように構成されている。
【００２１】次に、この単結晶製造装置を用いてシリコ
ン単結晶の育成を行う方法について説明する。
ン単結晶の育成を行う方法について説明する。
【００２２】まず、チャンバー１を真空排気し、１０-2
〜１０-3Torrとする。
〜１０-3Torrとする。
【００２３】そして、ガス導入口（図示せず）からチャ
ンバー内にアルゴンガスを導入し、さらにチャンバー１
内の石英るつぼ２を加熱するためのヒータ４をオンし、
原料融液を得る。
ンバー内にアルゴンガスを導入し、さらにチャンバー１
内の石英るつぼ２を加熱するためのヒータ４をオンし、
原料融液を得る。
【００２４】そして、この原料融液内に種結晶を浸漬
し、重量センサ１２で引上げ軸を含めた成長単結晶の重
量を測定し、引上げ速度を調整しながら引上げ軸１５に
よって引き上げることにより単結晶を育成するようにな
っている。
し、重量センサ１２で引上げ軸を含めた成長単結晶の重
量を測定し、引上げ速度を調整しながら引上げ軸１５に
よって引き上げることにより単結晶を育成するようにな
っている。
【００２５】この装置を用いることにより、長期にわた
って安定で信頼性の高い良好な結晶を得ることができ
る。
って安定で信頼性の高い良好な結晶を得ることができ
る。
【００２６】さらに、本発明は前記実施例に限定される
ことなく、種々の応用例、例えば、シリコン以外の単結
晶の育成等においても適用可能である。
ことなく、種々の応用例、例えば、シリコン以外の単結
晶の育成等においても適用可能である。
【００２７】次に、本発明の第２の実施例として図２に
示すように、引上げ軸の上部シャフト２５ａと径大の下
部シャフト２５ｂとが取り付け金具２５ｃによって着脱
自在に取り付けられていることを特徴とするものであ
る。このようにすれば、熱輻射により下部シャフト２５
ｂが劣化すれば下部シャフトのみを取り替えればよく、
また、引上げ単結晶の直径に応じて下部シャフトの太さ
あるいは材質を変えるようにすれば、引上げ軸の熱的安
定性を向上することができる。
示すように、引上げ軸の上部シャフト２５ａと径大の下
部シャフト２５ｂとが取り付け金具２５ｃによって着脱
自在に取り付けられていることを特徴とするものであ
る。このようにすれば、熱輻射により下部シャフト２５
ｂが劣化すれば下部シャフトのみを取り替えればよく、
また、引上げ単結晶の直径に応じて下部シャフトの太さ
あるいは材質を変えるようにすれば、引上げ軸の熱的安
定性を向上することができる。
【００２８】また、本発明の第３の実施例として図３に
示すように、ステンレス製の上部シャフト３５ａと同径
の下部シャフト３５ｂとを連結するようにしてもよい。
この場合同径でかつ同一材料で構成されているが、一体
的に形成するのに比べ、連結界面で一旦熱が遮断される
ため、大幅に上部シャフトの劣化は少なくて済む。
示すように、ステンレス製の上部シャフト３５ａと同径
の下部シャフト３５ｂとを連結するようにしてもよい。
この場合同径でかつ同一材料で構成されているが、一体
的に形成するのに比べ、連結界面で一旦熱が遮断される
ため、大幅に上部シャフトの劣化は少なくて済む。
【００２９】また前記第３の実施例では同一材料で構成
したが、下部シャフトをより耐熱性の高い材料で構成す
ればなおよくなる。
したが、下部シャフトをより耐熱性の高い材料で構成す
ればなおよくなる。
【００３０】さらに本発明の第４の実施例として図４に
示すように、熱絶縁性の材料からなる連結部材４５Ｃを
介して上部シャフト４５ａと下部シャフト４５ｂとを連
結するようにしてもよい。
示すように、熱絶縁性の材料からなる連結部材４５Ｃを
介して上部シャフト４５ａと下部シャフト４５ｂとを連
結するようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、チャンバーの下方から導入されたアルゴンガスがメ
インヒータの下方から上端部に向かって上昇する流れを
形成し、酸化シリコンの付着により消耗品であるカーボ
ン炉内品の寿命を伸ばすことができ、また引上げ単結晶
の製造歩留まりを向上させることができる。
ば、チャンバーの下方から導入されたアルゴンガスがメ
インヒータの下方から上端部に向かって上昇する流れを
形成し、酸化シリコンの付着により消耗品であるカーボ
ン炉内品の寿命を伸ばすことができ、また引上げ単結晶
の製造歩留まりを向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の単結晶製造装置の断面
図
図
【図２】本発明の第２の実施例の単結晶製造装置の要部
図
図
【図３】本発明の第３の実施例の単結晶製造装置の要部
図
図
【図４】本発明の第４の実施例の単結晶製造装置の要部
図
図
【図５】従来例の単結晶製造装置の断面図
【図６】従来例の単結晶製造装置の断面図
１ チャンバー ２ 石英るつぼ ３ 融液 ４ ヒータ ５ 引上げ軸 ７ ペディスタル ８ るつぼ受け ９ 黒鉛るつぼ １０ 保温筒 １１ カメラ １２ 重量センサ １５ａ 上部シャフト １５ｂ 下部シャフト １６ シードアダプタ １７ 種結晶 ２５ａ 上部シャフト ２５ｂ 下部シャフト ２５ｃ 連結金具 ３５ａ 上部シャフト ３５ｂ 下部シャフト ４５ａ 上部シャフト ４５ｂ 下部シャフト ４５ｃ 連結金具
Claims (2)
- 【請求項１】 原料を充填するるつぼと、 前記るつぼの周りに近接して設置され、前記るつぼ内の
原料を溶融し原料融液を形成する加熱ヒータとを具備し
たチャンバーと、 前記るつぼ内の原料融液に引上げ軸の先端に取り付けら
れた種結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ部
と、 前記引上げ軸に取り付けられ引上げ単結晶の重量を測定
する重量センサと、 前記重量センサの測定値に基づいて引上げ速度を制御す
る制御部とを備えた半導体単結晶製造装置において、 前記引き上げ軸は、 上部シャフトと下部シャフトの連結体から構成され、 前記上部シャフトと下部シャフトは着脱自在に装着され
ていることを特徴とする半導体単結晶引き上げ装置。 - 【請求項２】 原料を充填するるつぼと、 前記るつぼの周りに近接して設置され、前記るつぼ内の
原料を溶融し原料融液を形成する加熱ヒータとを具備し
たチャンバーと、 前記るつぼ内の原料融液に引上げ軸の先端に取り付けら
れた種結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ部
と、 前記引上げ軸に取り付けられ引上げ単結晶の重量を測定
する重量センサと、 前記重量センサの測定値に基づいて引上げ速度を制御す
る制御部とを備えた半導体単結晶製造装置において、 前記引き上げ軸は、 上部シャフトと下部シャフトの連結体から構成され、 前記下部シャフトは、前記上部シャフトよりも径大であ
ることを特徴とする半導体単結晶引き上げ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218692A JP2855498B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 半導体単結晶引上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218692A JP2855498B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 半導体単結晶引上げ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279175A JPH05279175A (ja) | 1993-10-26 |
| JP2855498B2 true JP2855498B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=13767414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8218692A Expired - Lifetime JP2855498B2 (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-03 | 半導体単結晶引上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2855498B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102534760A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-07-04 | 苏州优晶光电科技有限公司 | 用于监测晶体生长的装置 |
-
1992
- 1992-04-03 JP JP8218692A patent/JP2855498B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05279175A (ja) | 1993-10-26 |
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Legal Events
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