JPH10120487A - 単結晶引上装置および引上方法 - Google Patents
単結晶引上装置および引上方法Info
- Publication number
- JPH10120487A JPH10120487A JP8294412A JP29441296A JPH10120487A JP H10120487 A JPH10120487 A JP H10120487A JP 8294412 A JP8294412 A JP 8294412A JP 29441296 A JP29441296 A JP 29441296A JP H10120487 A JPH10120487 A JP H10120487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- wire
- gripping
- pulling
- winding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/911—Seed or rod holders
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＺ法で製造する単結晶の重量増加に対応し
て、単結晶の絞り部の下方に形成するくびれ部を把持す
るとともに、リメルト可能な単結晶引上装置および引上
方法を提供する。 【解決手段】 引上ワイヤ５の中間に、把持ワイヤ巻取
機構１１、１２と、シードホルダ１に対して上下動可能
で２個１組からなる複数組のガイドパイプ４ａ、４ｃ等
と、両端をそれぞれ１組のガイドパイプに挿通し、中央
部をＵ字状に湾曲させた把持ワイヤ１３、１５とを設け
る。ガイドパイプ４ａ、４ｃ等を下降させ、把持ワイヤ
１３、１５の湾曲部をくびれ部１７ｂに掛止させて巻き
取ると、単結晶１７は把持ワイヤ１３、１５によって把
持される。引上ワイヤ５と把持ワイヤ１３、１５との荷
重配分は、それぞれの巻取手段に設けた重量センサの検
出値に基づいて行う。また、単結晶１７のリメルト時
は、把持ワイヤ１３、１５をゆるめてくびれ部１７ｂか
ら外す。
て、単結晶の絞り部の下方に形成するくびれ部を把持す
るとともに、リメルト可能な単結晶引上装置および引上
方法を提供する。 【解決手段】 引上ワイヤ５の中間に、把持ワイヤ巻取
機構１１、１２と、シードホルダ１に対して上下動可能
で２個１組からなる複数組のガイドパイプ４ａ、４ｃ等
と、両端をそれぞれ１組のガイドパイプに挿通し、中央
部をＵ字状に湾曲させた把持ワイヤ１３、１５とを設け
る。ガイドパイプ４ａ、４ｃ等を下降させ、把持ワイヤ
１３、１５の湾曲部をくびれ部１７ｂに掛止させて巻き
取ると、単結晶１７は把持ワイヤ１３、１５によって把
持される。引上ワイヤ５と把持ワイヤ１３、１５との荷
重配分は、それぞれの巻取手段に設けた重量センサの検
出値に基づいて行う。また、単結晶１７のリメルト時
は、把持ワイヤ１３、１５をゆるめてくびれ部１７ｂか
ら外す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＺ法による半導
体単結晶の製造装置に装着され、特に大重量の半導体単
結晶の引上げに好適な単結晶引上装置および引上方法に
関する。
体単結晶の製造装置に装着され、特に大重量の半導体単
結晶の引上げに好適な単結晶引上装置および引上方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶シリコンは一般にＣＺ法を用いて
製造されている。ＣＺ法は、半導体単結晶製造装置内に
設置した石英るつぼに多結晶シリコンを充填し、石英る
つぼの周囲に設けたヒータによって原料を加熱溶解した
上、シードホルダに取り付けた種結晶を融液に浸漬し、
シードホルダおよび石英るつぼを互いに同方向または逆
方向に回転しつつシードホルダを引上げて単結晶シリコ
ンを所定の直径および長さに成長させる方法である。
製造されている。ＣＺ法は、半導体単結晶製造装置内に
設置した石英るつぼに多結晶シリコンを充填し、石英る
つぼの周囲に設けたヒータによって原料を加熱溶解した
上、シードホルダに取り付けた種結晶を融液に浸漬し、
シードホルダおよび石英るつぼを互いに同方向または逆
方向に回転しつつシードホルダを引上げて単結晶シリコ
ンを所定の直径および長さに成長させる方法である。
【０００３】種結晶には、融液に浸漬したときの熱衝撃
で転位が発生する。この転位を単結晶に伝播させないよ
うにするため、単結晶を直径１〜４ｍｍに成長させた絞
り部を種結晶の下方に形成し、転位を絞り部の表面に逃
がす。そして、無転位化が確認された後、肩部を形成し
て単結晶を所定の直径まで拡大させ、次いで直胴部形成
に移行する。
で転位が発生する。この転位を単結晶に伝播させないよ
うにするため、単結晶を直径１〜４ｍｍに成長させた絞
り部を種結晶の下方に形成し、転位を絞り部の表面に逃
がす。そして、無転位化が確認された後、肩部を形成し
て単結晶を所定の直径まで拡大させ、次いで直胴部形成
に移行する。
【０００４】近年、単結晶の長大化に伴ってその重量が
増大し、絞り部の強度が限界に近づいている。この対策
として、絞り工程によって無転位化した後、肩部上端に
絞り部直径より大径のくびれ部を形成し、このくびれ部
で単結晶を把持することにより絞り部の破断を防止し、
あるいは絞り部が破断しても単結晶が落下することを防
止する工夫がなされている。たとえば特公平５−６５４
７７号公報で開示された単結晶成長装置は、単結晶に形
成したくびれ部に係合させて前記単結晶を吊り下げる開
閉可能なクランプアームを備えている。また、特公平７
−５１５号公報で開示された結晶引上装置は、上下動可
能な把持ホルダの下端に一定の角度で停止する複数の爪
を備え、これらの爪を単結晶のくびれ部に係合させて前
記単結晶を吊り下げる構成としている。更に、特公平７
−１０３０００号公報で開示された結晶引上装置は、単
結晶のくびれ部に係合する爪を有し、上下動することに
より開閉する複数の把持レバーと、把持レバーの開きを
防止するリングとを用いて前記単結晶を吊り下げる構成
としている。
増大し、絞り部の強度が限界に近づいている。この対策
として、絞り工程によって無転位化した後、肩部上端に
絞り部直径より大径のくびれ部を形成し、このくびれ部
で単結晶を把持することにより絞り部の破断を防止し、
あるいは絞り部が破断しても単結晶が落下することを防
止する工夫がなされている。たとえば特公平５−６５４
７７号公報で開示された単結晶成長装置は、単結晶に形
成したくびれ部に係合させて前記単結晶を吊り下げる開
閉可能なクランプアームを備えている。また、特公平７
−５１５号公報で開示された結晶引上装置は、上下動可
能な把持ホルダの下端に一定の角度で停止する複数の爪
を備え、これらの爪を単結晶のくびれ部に係合させて前
記単結晶を吊り下げる構成としている。更に、特公平７
−１０３０００号公報で開示された結晶引上装置は、単
結晶のくびれ部に係合する爪を有し、上下動することに
より開閉する複数の把持レバーと、把持レバーの開きを
防止するリングとを用いて前記単結晶を吊り下げる構成
としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
公平５−６５４７７号公報で開示された単結晶成長装置
は、単結晶の重量が大きくなるとクランプアームが開く
方向に作動するため、引上げ中に単結晶が落下する危険
性がある。これに対し、特公平７−５１５号公報、特公
平７−１０３０００号公報で開示された結晶引上装置
は、単結晶を把持したときの機械的衝撃あるいは振動に
よって育成中の単結晶が多結晶化するおそれがあり、単
結晶と爪とが点接触であるため単結晶が破壊される危険
性もある。更に、いったん把持した単結晶はメインチャ
ンバ内で把持手段から取り外すことが不可能のため、育
成中に単結晶が多結晶化してもリメルトすることができ
ない。
公平５−６５４７７号公報で開示された単結晶成長装置
は、単結晶の重量が大きくなるとクランプアームが開く
方向に作動するため、引上げ中に単結晶が落下する危険
性がある。これに対し、特公平７−５１５号公報、特公
平７−１０３０００号公報で開示された結晶引上装置
は、単結晶を把持したときの機械的衝撃あるいは振動に
よって育成中の単結晶が多結晶化するおそれがあり、単
結晶と爪とが点接触であるため単結晶が破壊される危険
性もある。更に、いったん把持した単結晶はメインチャ
ンバ内で把持手段から取り外すことが不可能のため、育
成中に単結晶が多結晶化してもリメルトすることができ
ない。
【０００６】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、ＣＺ法で製造する半導体単結晶の重量増加
に対応して、従来の絞り部以外の単結晶把持手段、具体
的には絞り部の下方に形成するくびれ部を把持すること
ができるとともにリメルト可能な単結晶引上装置および
引上方法を提供することを目的としている。
れたもので、ＣＺ法で製造する半導体単結晶の重量増加
に対応して、従来の絞り部以外の単結晶把持手段、具体
的には絞り部の下方に形成するくびれ部を把持すること
ができるとともにリメルト可能な単結晶引上装置および
引上方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る単結晶引上装置は、ＣＺ法による半導
体単結晶製造装置に装着され、引上ワイヤの下端に釣支
したシードホルダに対して上下動可能で、２個１組から
なる複数組のガイドパイプと、両端をそれぞれ１組のガ
イドパイプに挿通することによって中央部をＵ字状また
は輪状に湾曲させた複数本の把持ワイヤと、これらの把
持ワイヤの巻取手段とを備えたことを特徴とする。前記
構成によれば、把持ワイヤは両端をそれぞれ１組のガイ
ドパイプに挿通することによって中央部がＵ字状に湾曲
するので、単結晶のくびれ部に掛止させやすい。そし
て、把持ワイヤを巻き取ることにより、把持ワイヤはく
びれ部に密着して巻き付き、単結晶を把持することがで
きる。
め、本発明に係る単結晶引上装置は、ＣＺ法による半導
体単結晶製造装置に装着され、引上ワイヤの下端に釣支
したシードホルダに対して上下動可能で、２個１組から
なる複数組のガイドパイプと、両端をそれぞれ１組のガ
イドパイプに挿通することによって中央部をＵ字状また
は輪状に湾曲させた複数本の把持ワイヤと、これらの把
持ワイヤの巻取手段とを備えたことを特徴とする。前記
構成によれば、把持ワイヤは両端をそれぞれ１組のガイ
ドパイプに挿通することによって中央部がＵ字状に湾曲
するので、単結晶のくびれ部に掛止させやすい。そし
て、把持ワイヤを巻き取ることにより、把持ワイヤはく
びれ部に密着して巻き付き、単結晶を把持することがで
きる。
【０００８】上記単結晶引上装置において、把持ワイヤ
がタングステン、モリブデンまたはカーボンからなるこ
とを特徴とする。本発明に係る単結晶引上装置は引上げ
単結晶の回転とともに回転するので、単結晶製造装置の
メインチャンバ内に設置される。従って、把持ワイヤは
単結晶および単結晶製造装置内を汚染せず、耐熱性に優
れている必要があり、タングステン、モリブデンまたは
カーボンからなる把持ワイヤを用いれば前記要求が満た
される。
がタングステン、モリブデンまたはカーボンからなるこ
とを特徴とする。本発明に係る単結晶引上装置は引上げ
単結晶の回転とともに回転するので、単結晶製造装置の
メインチャンバ内に設置される。従って、把持ワイヤは
単結晶および単結晶製造装置内を汚染せず、耐熱性に優
れている必要があり、タングステン、モリブデンまたは
カーボンからなる把持ワイヤを用いれば前記要求が満た
される。
【０００９】また、本発明に係る単結晶引上装置は、引
上ワイヤおよび把持ワイヤの巻取手段にそれぞれ重量セ
ンサを設けたことを特徴とする。引上ワイヤの巻取手段
に設けた重量センサは、引上げ中の単結晶および把持ワ
イヤの巻取手段を含む全重量を検出し、その検出値から
単結晶の重量を算出することができる。重量式直径制御
法を用いる場合は前記算出値に基づいて単結晶の直径を
制御する。把持ワイヤにかかる荷重は、把持ワイヤの巻
取手段に設けた重量センサの検出値から算出されるの
で、単結晶の絞り部と各把持ワイヤとに対する荷重配分
を所望の比率に調整することが可能となる。
上ワイヤおよび把持ワイヤの巻取手段にそれぞれ重量セ
ンサを設けたことを特徴とする。引上ワイヤの巻取手段
に設けた重量センサは、引上げ中の単結晶および把持ワ
イヤの巻取手段を含む全重量を検出し、その検出値から
単結晶の重量を算出することができる。重量式直径制御
法を用いる場合は前記算出値に基づいて単結晶の直径を
制御する。把持ワイヤにかかる荷重は、把持ワイヤの巻
取手段に設けた重量センサの検出値から算出されるの
で、単結晶の絞り部と各把持ワイヤとに対する荷重配分
を所望の比率に調整することが可能となる。
【００１０】更に、本発明に係る単結晶引上装置は、複
数組のガイドパイプをそれぞれ独立に上下動可能とした
ことを特徴とする。種結晶を融液に浸漬する際に、把持
ワイヤのＵ字状湾曲部は融液面に近づくが、把持ワイヤ
を保持する各ガイドパイプをそれぞれ独立に上下動させ
ることにより、把持ワイヤのＵ字状湾曲部のたれ下がり
状態に応じてその高さを調整することができる。これに
より、把持ワイヤと融液との接触が回避される。
数組のガイドパイプをそれぞれ独立に上下動可能とした
ことを特徴とする。種結晶を融液に浸漬する際に、把持
ワイヤのＵ字状湾曲部は融液面に近づくが、把持ワイヤ
を保持する各ガイドパイプをそれぞれ独立に上下動させ
ることにより、把持ワイヤのＵ字状湾曲部のたれ下がり
状態に応じてその高さを調整することができる。これに
より、把持ワイヤと融液との接触が回避される。
【００１１】次に、本発明に係る単結晶引上方法は、Ｃ
Ｚ法による半導体単結晶の製造において、単結晶の肩部
上端にくびれ部を形成し、前記くびれ部に把持ワイヤの
Ｕ字状または輪状に湾曲部を掛止した後、把持ワイヤを
巻き取ることにより単結晶を把持することを特徴とす
る。前記構成によれば、従来技術のように単結晶のくび
れ部に対する接触部分の小さいクランプアームあるいは
爪を用いず、可撓性に富む把持ワイヤを巻き付けること
にしたので、単結晶をより確実に把持することができ
る。また、把持ワイヤの巻取手段を巻き戻し方向に駆動
すれば、把持ワイヤをくびれ部から離脱させることがで
きるので、引上げ途中における単結晶のリメルトが容易
となる。
Ｚ法による半導体単結晶の製造において、単結晶の肩部
上端にくびれ部を形成し、前記くびれ部に把持ワイヤの
Ｕ字状または輪状に湾曲部を掛止した後、把持ワイヤを
巻き取ることにより単結晶を把持することを特徴とす
る。前記構成によれば、従来技術のように単結晶のくび
れ部に対する接触部分の小さいクランプアームあるいは
爪を用いず、可撓性に富む把持ワイヤを巻き付けること
にしたので、単結晶をより確実に把持することができ
る。また、把持ワイヤの巻取手段を巻き戻し方向に駆動
すれば、把持ワイヤをくびれ部から離脱させることがで
きるので、引上げ途中における単結晶のリメルトが容易
となる。
【００１２】また、本発明に係る単結晶引上方法は、引
上ワイヤの巻き取りと把持ワイヤの巻き取りとをそれぞ
れ独立に制御することを特徴とする。引上ワイヤ、把持
ワイヤの巻き取りを独立に制御すれば、単結晶の絞り部
にかかる荷重と各把持ワイヤにかかる荷重との配分を任
意の比率に調整することが可能となる。
上ワイヤの巻き取りと把持ワイヤの巻き取りとをそれぞ
れ独立に制御することを特徴とする。引上ワイヤ、把持
ワイヤの巻き取りを独立に制御すれば、単結晶の絞り部
にかかる荷重と各把持ワイヤにかかる荷重との配分を任
意の比率に調整することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態および実施例】次に、本発明に係る
単結晶引上装置の実施例について図面を参照して説明す
る。図１は単結晶引上装置の第１実施例の概略構成を示
す模式的縦断面図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、
図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図である。シードホルダ
１の外周面には円筒状のガイドボス２が嵌着され、ガイ
ドボス２の外周面にはガイドパイプ支持筒３が挿嵌され
ている。ガイドパイプ支持筒３は、図示しないソレノイ
ドによりガイドボス２の外周面に沿って上下動可能であ
る。ガイドパイプ支持筒３の下端にはＬ字状に屈曲した
ガイドパイプ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが固着されてい
る。
単結晶引上装置の実施例について図面を参照して説明す
る。図１は単結晶引上装置の第１実施例の概略構成を示
す模式的縦断面図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、
図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図である。シードホルダ
１の外周面には円筒状のガイドボス２が嵌着され、ガイ
ドボス２の外周面にはガイドパイプ支持筒３が挿嵌され
ている。ガイドパイプ支持筒３は、図示しないソレノイ
ドによりガイドボス２の外周面に沿って上下動可能であ
る。ガイドパイプ支持筒３の下端にはＬ字状に屈曲した
ガイドパイプ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが固着されてい
る。
【００１４】シードホルダ１に取着された引上ワイヤ５
は、把持機構取付部材６を介して上方に伸び、その端末
は半導体単結晶製造装置の上端に設けられた結晶引上機
構７の巻取ドラム８に巻着されている。前記結晶引上機
構７は、引上ワイヤ５によって釣支される全重量を検出
する重量センサ（図示せず）を備えている。また、把持
機構取付部材６には、重量センサ９、１０を介して把持
ワイヤ巻取機構１１、１２が釣支されている。
は、把持機構取付部材６を介して上方に伸び、その端末
は半導体単結晶製造装置の上端に設けられた結晶引上機
構７の巻取ドラム８に巻着されている。前記結晶引上機
構７は、引上ワイヤ５によって釣支される全重量を検出
する重量センサ（図示せず）を備えている。また、把持
機構取付部材６には、重量センサ９、１０を介して把持
ワイヤ巻取機構１１、１２が釣支されている。
【００１５】把持ワイヤ１３の一端は把持ワイヤ巻取機
構１１に固着され、他端はガイドパイプ４ａを貫通して
Ｕ字状に湾曲した後ガイドパイプ４ｂを貫通し、把持ワ
イヤ巻取機構１１の巻取ドラム１４に巻着されている。
これと同様に、把持ワイヤ１５の一端は把持ワイヤ巻取
機構１２に固着され、他端は前記ガイドパイプ４ｃを貫
通してＵ字状に湾曲した後ガイドパイプ４ｄを貫通し、
把持ワイヤ巻取機構１２の巻取ドラム１６に巻着されて
いる。把持機構取付部材６は、引上ワイヤ５とともに昇
降ならびに回転する。また、把持ワイヤ１３、１５はタ
ングステン、モリブデンまたはカーボンからなる。
構１１に固着され、他端はガイドパイプ４ａを貫通して
Ｕ字状に湾曲した後ガイドパイプ４ｂを貫通し、把持ワ
イヤ巻取機構１１の巻取ドラム１４に巻着されている。
これと同様に、把持ワイヤ１５の一端は把持ワイヤ巻取
機構１２に固着され、他端は前記ガイドパイプ４ｃを貫
通してＵ字状に湾曲した後ガイドパイプ４ｄを貫通し、
把持ワイヤ巻取機構１２の巻取ドラム１６に巻着されて
いる。把持機構取付部材６は、引上ワイヤ５とともに昇
降ならびに回転する。また、把持ワイヤ１３、１５はタ
ングステン、モリブデンまたはカーボンからなる。
【００１６】結晶引上機構７に設けられた重量センサお
よび把持機構取付部材６に取り付けられた重量センサ
９、１０の検出信号は、半導体単結晶製造装置の外部に
設置された制御装置（図示せず）に入力され、引上げ中
の単結晶重量、引上ワイヤ５および把持ワイヤ１３、１
５にそれぞれ配分されている単結晶重量が算出される。
よび把持機構取付部材６に取り付けられた重量センサ
９、１０の検出信号は、半導体単結晶製造装置の外部に
設置された制御装置（図示せず）に入力され、引上げ中
の単結晶重量、引上ワイヤ５および把持ワイヤ１３、１
５にそれぞれ配分されている単結晶重量が算出される。
【００１７】次に、本実施例による単結晶引上装置を用
いた引上方法について説明する。単結晶１７の育成に当
たり、ガイドパイプ支持筒３を最上位置に移動させると
ともに、把持ワイヤ巻取機構１１、１２とガイドパイプ
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとの間にある把持ワイヤ１３、
１５のたるみをなくすため、把持ワイヤ巻取機構１１、
１２を駆動して把持ワイヤ１３、１５を巻き取る。次
に、結晶引上機構７の巻取ドラム８を巻き戻し方向に駆
動してシードホルダ１を下降させ、融液１８に種結晶１
９を浸漬してなじませる。その後、シードホルダ１を回
転させつつ上昇させて種結晶１９より小径の絞り部１７
ａを形成する。そして、無転位状態になったことを確認
した後、引上速度を遅くして単結晶の直径を増大させ、
次に引上速度を速くして直径を縮小させ、くびれ部１７
ｂを形成する。その後、単結晶を所定の直径に拡大する
肩部形成工程を経て直胴形成工程に移行する。
いた引上方法について説明する。単結晶１７の育成に当
たり、ガイドパイプ支持筒３を最上位置に移動させると
ともに、把持ワイヤ巻取機構１１、１２とガイドパイプ
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとの間にある把持ワイヤ１３、
１５のたるみをなくすため、把持ワイヤ巻取機構１１、
１２を駆動して把持ワイヤ１３、１５を巻き取る。次
に、結晶引上機構７の巻取ドラム８を巻き戻し方向に駆
動してシードホルダ１を下降させ、融液１８に種結晶１
９を浸漬してなじませる。その後、シードホルダ１を回
転させつつ上昇させて種結晶１９より小径の絞り部１７
ａを形成する。そして、無転位状態になったことを確認
した後、引上速度を遅くして単結晶の直径を増大させ、
次に引上速度を速くして直径を縮小させ、くびれ部１７
ｂを形成する。その後、単結晶を所定の直径に拡大する
肩部形成工程を経て直胴形成工程に移行する。
【００１８】肩部形成工程が進んだ時点で、ガイドパイ
プ支持筒３を最下位置に下降させるとともに、把持ワイ
ヤ巻取機構１１、１２を巻き戻し方向に駆動する。ガイ
ドパイプ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの下端をくびれ部１７
ｂよりやや上方の位置まで下降させると、把持ワイヤ１
３、１５のＵ字状湾曲部は単結晶１７の肩部１７ｃに接
触した状態になる。次に、把持ワイヤ巻取機構１１、１
２を巻き取り方向に駆動すると、図３および図４に示す
ように把持ワイヤ１３、１５のＵ字状湾曲部が絞られて
くびれ部１７ｂに巻き付き、くびれ部１７ｂを把持す
る。このとき、くびれ部１７ｂに機械的衝撃を加えぬよ
うに把持ワイヤ１３、１５の巻取速度を制御する。
プ支持筒３を最下位置に下降させるとともに、把持ワイ
ヤ巻取機構１１、１２を巻き戻し方向に駆動する。ガイ
ドパイプ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの下端をくびれ部１７
ｂよりやや上方の位置まで下降させると、把持ワイヤ１
３、１５のＵ字状湾曲部は単結晶１７の肩部１７ｃに接
触した状態になる。次に、把持ワイヤ巻取機構１１、１
２を巻き取り方向に駆動すると、図３および図４に示す
ように把持ワイヤ１３、１５のＵ字状湾曲部が絞られて
くびれ部１７ｂに巻き付き、くびれ部１７ｂを把持す
る。このとき、くびれ部１７ｂに機械的衝撃を加えぬよ
うに把持ワイヤ１３、１５の巻取速度を制御する。
【００１９】単結晶１７の引上げ中、把持ワイヤ１３、
１５には所定の荷重、たとえば単結晶１７の重量の１／
６ずつがかかるように把持ワイヤ巻取機構１１、１２を
制御する。前記制御は、結晶引上機構７に設けられた重
量センサおよび把持機構取付部材６に取り付けられた重
量センサ９、１０の検出信号に基づいて図示しない制御
装置が行う。
１５には所定の荷重、たとえば単結晶１７の重量の１／
６ずつがかかるように把持ワイヤ巻取機構１１、１２を
制御する。前記制御は、結晶引上機構７に設けられた重
量センサおよび把持機構取付部材６に取り付けられた重
量センサ９、１０の検出信号に基づいて図示しない制御
装置が行う。
【００２０】単結晶１７の引上げ中、把持ワイヤ１３、
１５に単結晶重量を分担させず、絞り部１７ａのみで単
結晶１７を保持し、把持ワイヤ１３、１５を絞り部１７
ａが破断したときの落下防止装置として使用してもよ
い。この場合、把持ワイヤ１３、１５にたるみが発生し
ないよう、把持ワイヤ巻取機構１１、１２のモータにト
ルクをかけ続けるか、またはブレーキ付きモータを使用
する。
１５に単結晶重量を分担させず、絞り部１７ａのみで単
結晶１７を保持し、把持ワイヤ１３、１５を絞り部１７
ａが破断したときの落下防止装置として使用してもよ
い。この場合、把持ワイヤ１３、１５にたるみが発生し
ないよう、把持ワイヤ巻取機構１１、１２のモータにト
ルクをかけ続けるか、またはブレーキ付きモータを使用
する。
【００２１】把持ワイヤ１３、１５は単結晶１７のくび
れ部１７ｂにほぼ半円周ずつ巻き付けられるので、全体
としてくびれ部１７ｂのほぼ全周を把持することにな
り、応力集中によってくびれ部１７ｂが破壊される危険
性がない。また、くびれ部１７ｂの直径が変動しても同
一把持ワイヤで支障なく把持することができる。更に、
くびれ部１７ｂを形成したとき、その形状が軸心に対し
て完全に対称にならないことがあるが、把持ワイヤ１
３、１５の巻き取り量を制御することにより、くびれ部
１７ｂを均等に把持することができる。
れ部１７ｂにほぼ半円周ずつ巻き付けられるので、全体
としてくびれ部１７ｂのほぼ全周を把持することにな
り、応力集中によってくびれ部１７ｂが破壊される危険
性がない。また、くびれ部１７ｂの直径が変動しても同
一把持ワイヤで支障なく把持することができる。更に、
くびれ部１７ｂを形成したとき、その形状が軸心に対し
て完全に対称にならないことがあるが、把持ワイヤ１
３、１５の巻き取り量を制御することにより、くびれ部
１７ｂを均等に把持することができる。
【００２２】図５および図６は、把持ワイヤ１３、１５
をくびれ部１７ｂに巻き付ける他の方法を示す。図５
は、２本の把持ワイヤ１３、１５をそれぞれくびれ部１
７ｂで輪状に１回巻き付ける方法を示す。このとき、１
本の把持ワイヤ１３（実線）はガイドパイプ４ｂとガイ
ドパイプ４ｄとの間でくびれ部１７ｂを把持する。他の
１本の把持ワイヤ１３（点線）はガイドパイプ４ａとガ
イドパイプ４ｃとの間でくびれ部１７ｂを把持する。こ
の１回巻き付けることにより確実に把持できる。図６
は、３組のガイドパイプ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４
ｅ、４ｆと３本の把持ワイヤ１３、１５、２０を用いて
いる場合を示す。図示の場合は、３本の把持ワイヤ１
３、１５、２０はそれぞれくびれ部１７ｂで輪状に１回
巻き付ける方法を示す。１本目の把持ワイヤ１３は、ガ
イドパイプ４ｂとガイドパイプ４ｆとの間でくびれ部１
７ｂを１回巻き付け把持する。２本目の把持ワイヤ１５
は、ガイドパイプ４ａとガイドパイプ４ｃとの間でくび
れ部１７ｂを１回巻き付け把持する。３本目の把持ワイ
ヤ２０は、ガイドパイプ４ｄとガイドパイプ４ｅとの間
でくびれ部１７ｂを１回巻き付け把持する。図示しない
が、３本の把持ワイヤ１３、１５、２０でくびれ部１７
ｂを挟み込んで把持しても良い。１本目の把持ワイヤ１
３はガイドパイプ４ｂとガイドパイプ４ｆとの間でくび
れ部１７ｂを、また、２本目の把持ワイヤ１５はガイド
パイプ４ａとガイドパイプ４ｃとの間でくびれ部１７ｂ
を、さらに、３本目の把持ワイヤ２０はガイドパイプ４
ｄとガイドパイプ４ｅとの間でくびれ部１７ｂを、それ
ぞれが掛けて、挟み込み把持している。
をくびれ部１７ｂに巻き付ける他の方法を示す。図５
は、２本の把持ワイヤ１３、１５をそれぞれくびれ部１
７ｂで輪状に１回巻き付ける方法を示す。このとき、１
本の把持ワイヤ１３（実線）はガイドパイプ４ｂとガイ
ドパイプ４ｄとの間でくびれ部１７ｂを把持する。他の
１本の把持ワイヤ１３（点線）はガイドパイプ４ａとガ
イドパイプ４ｃとの間でくびれ部１７ｂを把持する。こ
の１回巻き付けることにより確実に把持できる。図６
は、３組のガイドパイプ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４
ｅ、４ｆと３本の把持ワイヤ１３、１５、２０を用いて
いる場合を示す。図示の場合は、３本の把持ワイヤ１
３、１５、２０はそれぞれくびれ部１７ｂで輪状に１回
巻き付ける方法を示す。１本目の把持ワイヤ１３は、ガ
イドパイプ４ｂとガイドパイプ４ｆとの間でくびれ部１
７ｂを１回巻き付け把持する。２本目の把持ワイヤ１５
は、ガイドパイプ４ａとガイドパイプ４ｃとの間でくび
れ部１７ｂを１回巻き付け把持する。３本目の把持ワイ
ヤ２０は、ガイドパイプ４ｄとガイドパイプ４ｅとの間
でくびれ部１７ｂを１回巻き付け把持する。図示しない
が、３本の把持ワイヤ１３、１５、２０でくびれ部１７
ｂを挟み込んで把持しても良い。１本目の把持ワイヤ１
３はガイドパイプ４ｂとガイドパイプ４ｆとの間でくび
れ部１７ｂを、また、２本目の把持ワイヤ１５はガイド
パイプ４ａとガイドパイプ４ｃとの間でくびれ部１７ｂ
を、さらに、３本目の把持ワイヤ２０はガイドパイプ４
ｄとガイドパイプ４ｅとの間でくびれ部１７ｂを、それ
ぞれが掛けて、挟み込み把持している。
【００２３】図７は単結晶引上装置の第２実施例の概略
構成を示す模式的側面図、図８は図７のＡ−Ａ断面図で
ある。把持ワイヤ巻取機構１１、１２の下面にはガイド
パイプ支持筒２１、２２が取着され、これらのガイドパ
イプ支持筒内には図示しないソレノイドにより上下動す
るガイドパイプ支持軸２３、２４が挿嵌されている。ガ
イドパイプ支持軸２３、２４に支持アーム２５を介して
固着された２組のガイドパイプ４ａ、４ｂおよび４ｃ、
４ｄは、前記支持アーム２５がガイドパイプ支持筒２
１、２２に設けられたガイド溝２１ａ、２２ａに沿って
上下動することにより、それぞれ独立に上下動する。前
記ガイドパイプ支持筒２１、２２は、ガイドパイプ支持
軸２３、２４の上下動や把持ワイヤ１３、１５で単結晶
のくびれ部を把持する際に発生する振動を抑止するた
め、支持アーム２６を介してシードホルダ１に連結され
ている。
構成を示す模式的側面図、図８は図７のＡ−Ａ断面図で
ある。把持ワイヤ巻取機構１１、１２の下面にはガイド
パイプ支持筒２１、２２が取着され、これらのガイドパ
イプ支持筒内には図示しないソレノイドにより上下動す
るガイドパイプ支持軸２３、２４が挿嵌されている。ガ
イドパイプ支持軸２３、２４に支持アーム２５を介して
固着された２組のガイドパイプ４ａ、４ｂおよび４ｃ、
４ｄは、前記支持アーム２５がガイドパイプ支持筒２
１、２２に設けられたガイド溝２１ａ、２２ａに沿って
上下動することにより、それぞれ独立に上下動する。前
記ガイドパイプ支持筒２１、２２は、ガイドパイプ支持
軸２３、２４の上下動や把持ワイヤ１３、１５で単結晶
のくびれ部を把持する際に発生する振動を抑止するた
め、支持アーム２６を介してシードホルダ１に連結され
ている。
【００２４】把持ワイヤ１３、１５のＵ字状湾曲部は、
単結晶１７のくびれ部１７ｂを把持する前の自由状態で
たれ下がるが、そのたれ下がり程度は必ずしも一定とは
限らない。そこで、第２実施例のように２組のガイドパ
イプをそれぞれ独立に上下動可能とすれば、把持ワイヤ
１３、１５のたれ下がり程度に応じてガイドパイプの高
さを調節することができ、融液に種結晶を浸漬する場合
等においても支障を来すことがない。
単結晶１７のくびれ部１７ｂを把持する前の自由状態で
たれ下がるが、そのたれ下がり程度は必ずしも一定とは
限らない。そこで、第２実施例のように２組のガイドパ
イプをそれぞれ独立に上下動可能とすれば、把持ワイヤ
１３、１５のたれ下がり程度に応じてガイドパイプの高
さを調節することができ、融液に種結晶を浸漬する場合
等においても支障を来すことがない。
【００２５】直胴形成工程の初期になんらかの理由で有
転位化または多結晶化が起こり、図３に示した単結晶１
７の育成を中止して固化部分をリメルトすることがあ
る。この場合、固化部分を融液１８に浸漬した後、把持
ワイヤ巻取機構を巻き戻し方向に駆動してくびれ部１７
ｂに巻き付けられている把持ワイヤ１３、１５をゆるめ
る。把持ワイヤ１３、１５はその張力によりくびれ部１
７ｂから離れ、単結晶１７を解放する。その後、ソレノ
イドを駆動してガイドパイプ支持筒３を上昇させれば、
単結晶１７を絞り部１７ａまでリメルトすることができ
る。そして、再度種結晶１９を融液１８に浸漬して絞り
部１７ａとくびれ部１７ｂとを形成し、くびれ部１７ｂ
に把持ワイヤ１３、１５を掛止して単結晶１７を引上げ
る。
転位化または多結晶化が起こり、図３に示した単結晶１
７の育成を中止して固化部分をリメルトすることがあ
る。この場合、固化部分を融液１８に浸漬した後、把持
ワイヤ巻取機構を巻き戻し方向に駆動してくびれ部１７
ｂに巻き付けられている把持ワイヤ１３、１５をゆるめ
る。把持ワイヤ１３、１５はその張力によりくびれ部１
７ｂから離れ、単結晶１７を解放する。その後、ソレノ
イドを駆動してガイドパイプ支持筒３を上昇させれば、
単結晶１７を絞り部１７ａまでリメルトすることができ
る。そして、再度種結晶１９を融液１８に浸漬して絞り
部１７ａとくびれ部１７ｂとを形成し、くびれ部１７ｂ
に把持ワイヤ１３、１５を掛止して単結晶１７を引上げ
る。
【００２６】上記第１、第２実施例ではワイヤ方式の半
導体単結晶製造装置に装着する単結晶引上装置および引
上方法について説明したが、本発明はシャフト方式の半
導体単結晶製造装置に適用することもできる。特にフォ
ースバー方式の半導体単結晶製造装置に装着した場合
は、単結晶のくびれ部に把持ワイヤが接触したときの単
結晶の振動や衝撃がワイヤ方式の場合よりも容易に緩和
され、好ましい結果が得られる。
導体単結晶製造装置に装着する単結晶引上装置および引
上方法について説明したが、本発明はシャフト方式の半
導体単結晶製造装置に適用することもできる。特にフォ
ースバー方式の半導体単結晶製造装置に装着した場合
は、単結晶のくびれ部に把持ワイヤが接触したときの単
結晶の振動や衝撃がワイヤ方式の場合よりも容易に緩和
され、好ましい結果が得られる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｃ
Ｚ法により引上げる半導体単結晶の絞り部直下に形成す
るくびれ部に複数本の把持ワイヤを巻き付けて単結晶を
把持する単結晶引上装置および引上方法としたので、く
びれ部の直径変動、形状変動にかかわらず単結晶を確実
に把持して引上げることができる。把持手段として可撓
性のあるワイヤを用いているため、把持時の単結晶に与
える衝撃が極めて小さく、かつ把持範囲が大きいので、
従来の技術による把持手段と異なり、くびれ部が破壊さ
れたり単結晶が落下する危険性は皆無となる。更に、育
成中に単結晶が有転位化または多結晶化しても、ガイド
パイプと把持ワイヤ巻取手段とを操作すればメインチャ
ンバ内で把持ワイヤの脱着が容易であるから、リメルト
作業を迅速かつ容易に遂行することが可能である。
Ｚ法により引上げる半導体単結晶の絞り部直下に形成す
るくびれ部に複数本の把持ワイヤを巻き付けて単結晶を
把持する単結晶引上装置および引上方法としたので、く
びれ部の直径変動、形状変動にかかわらず単結晶を確実
に把持して引上げることができる。把持手段として可撓
性のあるワイヤを用いているため、把持時の単結晶に与
える衝撃が極めて小さく、かつ把持範囲が大きいので、
従来の技術による把持手段と異なり、くびれ部が破壊さ
れたり単結晶が落下する危険性は皆無となる。更に、育
成中に単結晶が有転位化または多結晶化しても、ガイド
パイプと把持ワイヤ巻取手段とを操作すればメインチャ
ンバ内で把持ワイヤの脱着が容易であるから、リメルト
作業を迅速かつ容易に遂行することが可能である。
【図１】本発明の第１実施例の単結晶引上装置につい
て、その概略構成を示す模式的縦断面図である。
て、その概略構成を示す模式的縦断面図である。
【図２】単結晶引上装置の横断面を示し、（ａ）は図１
のＡ−Ａ断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図である。
のＡ−Ａ断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】把持ワイヤで単結晶を把持した状態を示す模式
的縦断面図である。
的縦断面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面図である。
【図５】２本の把持ワイヤで単結晶を把持する他の状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図６】３本の把持ワイヤで単結晶を把持する場合を示
す平面図である。
す平面図である。
【図７】本発明の第２実施例の単結晶引上装置につい
て、その概略構成を示す模式的側面図である。
て、その概略構成を示す模式的側面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ断面図である。
１…シードホルダ、２…ガイドボス、３，２１，２２…
ガイドパイプ支持筒、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，
４ｆ…ガイドパイプ、５…引上ワイヤ、９，１０…重量
センサ、１１，１２…把持ワイヤ巻取機構、１３，１
５，２０…把持ワイヤ、１７…単結晶、１７ａ…絞り
部、１７ｂ…くびれ部、１７ｃ…肩部。
ガイドパイプ支持筒、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，
４ｆ…ガイドパイプ、５…引上ワイヤ、９，１０…重量
センサ、１１，１２…把持ワイヤ巻取機構、１３，１
５，２０…把持ワイヤ、１７…単結晶、１７ａ…絞り
部、１７ｂ…くびれ部、１７ｃ…肩部。
Claims (6)
- 【請求項１】 ＣＺ法による半導体単結晶製造装置に装
着され、引上ワイヤの下端に釣支したシードホルダに対
して上下動可能で、２個１組からなる複数組のガイドパ
イプと、両端をそれぞれ１組のガイドパイプに挿通する
ことによって中央部をＵ字状または輪状に湾曲させた複
数本の把持ワイヤと、これらの把持ワイヤの巻取手段と
を備えたことを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項２】 把持ワイヤがタングステン、モリブデン
またはカーボンからなることを特徴とする請求項１記載
の単結晶引上装置。 - 【請求項３】 引上ワイヤおよび把持ワイヤの巻取手段
にそれぞれ重量センサを設けたことを特徴とする請求項
１記載の単結晶引上装置。 - 【請求項４】 複数組のガイドパイプをそれぞれ独立に
上下動可能としたことを特徴とする請求項１記載の単結
晶引上装置。 - 【請求項５】 ＣＺ法による半導体単結晶の製造におい
て、単結晶の肩部上端にくびれ部を形成し、前記くびれ
部に把持ワイヤのＵ字状または輪状に湾曲部を掛止した
後、把持ワイヤを巻き取ることにより単結晶を把持する
ことを特徴とする単結晶引上方法。 - 【請求項６】 引上ワイヤの巻き取りと把持ワイヤの巻
き取りとをそれぞれ独立に制御することを特徴とする請
求項５記載の単結晶引上方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294412A JPH10120487A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 単結晶引上装置および引上方法 |
| TW086109839A TW380167B (en) | 1996-10-15 | 1997-07-11 | Device and method of lifting single crystals |
| US08/950,435 US5951759A (en) | 1996-10-15 | 1997-10-15 | Apparatus of pulling up single crystals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294412A JPH10120487A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 単結晶引上装置および引上方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10120487A true JPH10120487A (ja) | 1998-05-12 |
Family
ID=17807424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8294412A Withdrawn JPH10120487A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 単結晶引上装置および引上方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5951759A (ja) |
| JP (1) | JPH10120487A (ja) |
| TW (1) | TW380167B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19781966T1 (de) * | 1996-09-03 | 1999-07-15 | Sumitomo Sitix Corp | Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen |
| JP4149016B2 (ja) * | 1997-10-23 | 2008-09-10 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 結晶体引上げ装置の結晶体把持機構 |
| JPH11199374A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-27 | Komatsu Ltd | 単結晶の引き上げ装置および落下防止装置 |
| US6315827B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-11-13 | Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. | Apparatus for producing single crystal |
| JP4052753B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2008-02-27 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | 単結晶成長装置及び単結晶成長方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4190630A (en) * | 1978-01-03 | 1980-02-26 | Vsesojuzny Nauchno-Isslekovatelsky Institut Monokristallov Stsintillyatsionnykh Materialov I Osobo Chistykh Khimicheskikh Veschestv | Apparatus for pulling single crystals from melt |
| US5173270A (en) * | 1987-04-09 | 1992-12-22 | Mitsubishi Materials Corporation | Monocrystal rod pulled from a melt |
| US5156822A (en) * | 1989-06-23 | 1992-10-20 | General Electric Company | Vibration detector and method for a rotating shaft |
| DE69112463T2 (de) * | 1990-03-30 | 1996-02-15 | Shinetsu Handotai Kk | Vorrichtung zur Herstellung von Monokristallen nach dem Czochralski-Verfahren. |
-
1996
- 1996-10-15 JP JP8294412A patent/JPH10120487A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-07-11 TW TW086109839A patent/TW380167B/zh active
- 1997-10-15 US US08/950,435 patent/US5951759A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW380167B (en) | 2000-01-21 |
| US5951759A (en) | 1999-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03285893A (ja) | 結晶引上装置 | |
| JPH07172981A (ja) | 半導体単結晶の製造装置および製造方法 | |
| JPH10120487A (ja) | 単結晶引上装置および引上方法 | |
| JP2990658B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2946933B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| WO1998010125A1 (fr) | Appareil pour tirage de monocristal | |
| JP3718921B2 (ja) | 単結晶保持方法および単結晶成長方法 | |
| JP3400312B2 (ja) | 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法 | |
| JP4068709B2 (ja) | 単結晶引上装置及び引上方法 | |
| JP4068711B2 (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JP4052753B2 (ja) | 単結晶成長装置及び単結晶成長方法 | |
| JP3949240B2 (ja) | 単結晶保持装置 | |
| JP2990662B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP4026695B2 (ja) | 単結晶保持装置 | |
| JP4026694B2 (ja) | 単結晶保持装置 | |
| JPH10265291A (ja) | 単結晶引き上げ装置及び引き上げ方法 | |
| JPH05301793A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP3559506B2 (ja) | 単結晶成長装置及び単結晶成長方法 | |
| JPH10139583A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP3474076B2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
| JPH10279388A (ja) | 単結晶把持装置及び単結晶の把持部育成方法 | |
| JPH10273383A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2000044382A (ja) | 単結晶製造方法 | |
| KR19990083018A (ko) | 실리콘 단결정 제조 방법 | |
| JPH11217292A (ja) | 単結晶製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040106 |