JPS6027684A - 単結晶製造装置 - Google Patents

単結晶製造装置

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JPS6027684A
JPS6027684A JP13508083A JP13508083A JPS6027684A JP S6027684 A JPS6027684 A JP S6027684A JP 13508083 A JP13508083 A JP 13508083A JP 13508083 A JP13508083 A JP 13508083A JP S6027684 A JPS6027684 A JP S6027684A
Authority
JP
Japan
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single crystal
silicon
heater
crucible
molten silicon
Prior art date
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Pending
Application number
JP13508083A
Other languages
English (en)
Inventor
Iesada Hirai
平井　家定
Tetsuo Fukuda
哲生 福田
Kazunari Amano
尼野　一成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6027684A publication Critical patent/JPS6027684A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 穎明の技術分野 本発明は単結晶製造装置に係り、特に単結晶中の酸素＃
度を低下せしめる単結晶製造装置に関すかものでがる。
技術の背景 ＩＣ，ＬＳＩを始めとする半導体装置の製造においては
例えばシリコン等の単結晶を製造する技術が重要である
。このような単結晶ｊ！！遣方法としてチックシルスキ
法（μ下Ｃ２法と記丁）がある０チ目クラルスキ法はシ
リコンの狂結乙にｆ３ＭＩＩｌシリコンを被着させて弓
１上げる力泳である０チヨクラルスキ法のメルト温度は
るつばで最高であり、結晶へ向って低下する。その温度
差はメルト中の対流と表面からの輻射で決まりるつは径
が大きい程大きい。
従来技術と問題点 従来、第１図に示す↓うに入方向に回転する例えば石英
るつぼ１円にカーボンヒータ２によって加熱溶融されに
溶融シリコン３が収納されている。
該溶融シリコン３は通常対流、４ａ、４ｂ、５ａ。
５ｂ’２生じている。溶融シリコン３はＢ方向に回転す
る＆結晶（図示せず）に被着され引上げ法によって一般
的には丸棒状のシリコン単結晶６が製造される０このよ
うな装置ではヒータ加熱にＬって石英るつは１も非常に
＾温（約１５５０℃以上）となシ上記対流４ａ、４ｂ、
５ｎ、５ｂの作用と相まってるつぼ中の酸素が溶融シリ
コン３中に取シ込ブれ最終的（二はシリコン単結晶６中
の酸素瀝度を上昇させ、狸々の特性を悪化させる。
このようなシリコン草結晶中の「１シ■モむ度るご低下
させる方式として酊ムシに臼楊を加える方式と、三相交
流で加熱する仁とによって耐湯をルツボとともに回転さ
せるつぼ中の酸素の浴湯中への混入を防ぐ方式とがあっ
た。しかしながら、前者は高価な装置を必要とし、後者
は大口径るつぼでのコントロールが離しくなるという欠
点があった。
発明の目的 上記欠点を鑑み本発明は酸素濃度を低下せしめに単結晶
製造装置を提供することを目的とする。
発明の構成 本発明の目的はるつば中の溶を独金属から単結晶を成長
させる単結晶製造装【紋において、該溶融金属表面直上
に環状ヒータを配設することを特徴とする単結晶製造装
置によって達成される０ 発明の実施例 以下本発明の実ｍ例を図面（二基づいて説明する。
第２図は本発明の１実施例を説明するための概略図であ
る。
第２因ははｙ第１図と同、家であるかたソ溶融シリコン
３の液面直上に外径が例えは２．５インチ内径が１．５
インチの環状カーボンヒータ７を設け、更にカーボンヒ
ータ７の熱の輻射防止のために２インチ幅の環状断熱材
をカーボンヒータ７１″一対し少し間隙を持たせて被覆
しである。石英るつぼｌは直径１．２インチ、高さ９イ
ンチのものを用い約２０ｋｆのシリコンなカーボンヒー
タｌに５０　ｋｗの電流を供給して溶融させた。カーボ
ンヒータ７には１０ｋｗの電流を供給し工。カーボンヒ
ータ７によって溶融シリコン３表面な加熱して該溶融シ
リコン３の温度低下を防止し、一方でるつは温度を約５
０℃低下させることによってるつばの溶融を抑えに結果
、得られに径４インチのシリコン単結晶６（丸棒状）中
の酸素濃度を従来のそれの約８０％に低下させることが
出来た。
発明の詳細 な説明したように本発明に係る装置によれば溶融金属表
面からの輻射を抑え、更に該表面を積極的ｌニヒータで
加熱しているので単結晶付近の温度勾配が大きくなシ一
方ヒータ加熱部からるつは迄の間の温度勾配を小さくす
ることが出来るのでるつほからの酸素等の不純物を抑え
ることが可能となる０更に又本装置は非常にその構造も
単純なので製造方法も容易で且つコストも安価である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術を説明する定めの概略図であり、′第
２図は本発明の１実施例を説明するための概略図である
。 １・・・・・・石英るっは、２・・・・・・カーボンヒ
ータ、３・・・・・・溶融シリコン、４ａ、４ｂ、５ａ
、５ｂ・・・・・・対流、６・・・・・・シリコン単結
晶、７・・・・・・カーボンヒータ、８・・・・・・断
熱材。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士　背　水　朗 弁理士　西　舘　和　之 弁理士　円　１）幸　男 弁理士　山　口　昭　之

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　るつは中の溶融金属から単結晶を成長させる単結
    晶製造装置において、 該溶融金属表面直上６−環状ヒータン配設することを特
    徴とする単結晶製造装置。
JP13508083A 1983-07-26 1983-07-26 単結晶製造装置 Pending JPS6027684A (ja)

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