FR2589489A1 - Substrat de silicium monocristallin et ses procedes et appareil de fabrication - Google Patents
Substrat de silicium monocristallin et ses procedes et appareil de fabrication Download PDFInfo
- Publication number
- FR2589489A1 FR2589489A1 FR8615075A FR8615075A FR2589489A1 FR 2589489 A1 FR2589489 A1 FR 2589489A1 FR 8615075 A FR8615075 A FR 8615075A FR 8615075 A FR8615075 A FR 8615075A FR 2589489 A1 FR2589489 A1 FR 2589489A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- silicon
- oxygen
- concentration
- crucible
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
L'INVENTION CONCERNE LA FABRICATION DE SUBSTRAT DE SILICIUM. ELLE SE RAPPORTE A UN PROCEDE DANS LEQUEL UN CORPS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN 6 EST TIRE PAR UN DISPOSITIF 17 A UNE VITESSE PLUS ELEVEE QUE CELLE DES PROCEDES CONNUS. LA CONCENTRATION DE L'OXYGENE EST ALORS ACCRUE, ET, APRES TRAITEMENT THERMIQUE AU COURS DE LA FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR, LA QUALITE DES DISPOSITIFS OBTENUS EST ACCRUE. APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES.
Description
La présente invention concerne de façon générale un substrat de silicium
monocristallin capable d'absorber une contamination importante par des métaux. En outre, elle concerne un procédé de fabrication d'un substrat de silicium cristallin ayant une concentration importante d'oxygène. En particulier, l'invention concerne un procédé et un appareil de fabrication d'un substrat de silicium ayant une
concentration élevée en oxygène, par croissance de cristaux.
Les substrats de silicium sont très utilisés pour la fabrication de divers dispositifsà semi-conducteur. Dans ces dispositifs, il est en général préférable que le courant de fuite soit réduit au minimum. On sait que le courant de
fuite peut être réduit par un effet appelé fixation intrin-
sèque. Cet effet de fixation intrinsèque peut être obtenu par la présence de défauts dans la structure interne
du substrat de silicium.
On sait qu'un substrat de silicium est tiré d'un corps de silicium cristallin préparé par croissance
d'un monocristal de silicium à partir de silicium polycris-
tallin fondu, par le procédé de Czochralski (appelé dans la suite "procédé CZ") par exemple. Dans le procédé CZ, le corps de silicium monocristallin est tiré lentement d'un bain de silicium polycristallin fondu. Des substrats de silicium sont obtenus par découpe ou "tranchage" du corps
de silicium mnocristallin terminé.
Le corps terminé de silicium cristallin contient une grande quantité d'oxygène. L'oxygène présent dans le corps de silicium cristallin crée des défauts ou des dislocations du cristal, par exemple, des boucles de dislocation, des défauts d'empilement, etc. étant donné la ségrégation de l'oxygène pendant le traitement thermique du substrat de silicium. Les défauts du dispositif terminé à semi-conducteur réduisent ses caractéristiques nominales et abaissent en particulier sa tension de claquage et
augmentent son courant de fuite. En conséquence, le ren-
dement de production des dispositifs à semi-conducteur est
notablement réduit.
D'autre part, on a constaté que les défauts des dispositifs à semiconducteur pouvaient être utilisés pour l'absorption d'impuretés métalliques par l'effet précité de fixation intrinsèque. Par exemple, dans les dispositifs à semi-conducteur dans lesquels la surface du substrat de silicium constitue la principale région active, par exemple dans les transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET) ou les circuits intégrés utilisant de tels transistors, les défauts du substrat de silicium, en dehors de la région active principale, présentent l'effet de fixation intrinsèque et absorbent des impuretés méalliques provenant des régions actives. Ceci facilite la réduction
du courant de fuite des dispositifs à semi-conducteur.
Cependant, l'obtention d'un effet reproductible de fixation intrinsèque lors d'une production en grande série est difficile. Par exemple, lorsque le corps de silicium cristallin est formé par croissance par le procédé classique CZ, la concentration des défauts dans le corps cristallin a tendance à être notablement différente à la partie supérieure, correspondant au début de la croissance, et à la partie inférieure, correspondant à la fin de
la croissance, étant donné un phénomène d'hystérésis ther-
mique. En outre, bien qu'une concentration élevée d'oxygène soit préférable afin que l'effet de fixation intrinsèque
soit accru, lorsque la concentration de l'oxygène est exces-
sivement élevée, des défauts ont tendance à se former même
aux surfaces des dispositifs à semi-conducteur, et provo-
quent une détérioration des caractéristiques des dispositifs à semiconducteur, comme indiqué précédemment. En outre, dans certains procédés de production de semi-conducteur,
on doit prendre soin de régler avec précision la concentra-
tion d'oxygène, ou des traitements spéciaux de fixation intrinsèque doivent être réalisés étant donné les conditions de traitement thermique nécessaires à la fabrication
de certains dispositifs à semi-conducteur.
Ainsi, la technique de fabrication efficace de
substrats de silicium destinés à des dispositifs à semi-
conducteur afin qu'une concentration notablement élevée d'oxygène soit obtenue, cette concentration étant suffisante pour que l'effet de fixation intrinsèque soit accru et réduise le courant de fuite sans création d'effet nuisible d3 aux défauts du dispositif terminé à semi- conducteur, surtout après traitement thermique, continue à poser
un problème.
L'invention a de façon générale pour objet la réalisation d'un substrat de silicium, ainsi que son procédé de fabrication, permettant la résolution du problème précité. Elle concerne aussi un substrat de silicium ayant une concentration relativement élevée d'oxygène, sans
détérioration de ses caractéristiques du fait de la ségréga-
tion de l'oxygène, de la présence de boucles de dislocation et de défauts d'empilement, etc.
L'invention concerne aussi un procédé de fabrica-
tion de substrats de silicium constituant la matière pre-
mière pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteur,
donnant un rendement élevé sans détérioration des caracté-
ristiques des produits terminés.
Plus précisément, l'invention concerne un procédé de fabrication de substrats de silicium comprenant la croissance d'un corps de silicium cristallin à une vitesse supérieure à celle qui est utilisée habituellement. On a constaté que la vitesse de croissance du corps de silicium cristallin avait une influence importante sur la création de défauts dans le corps de silicium cristallin. En outre, selon l'invention, la concentration de l'oxygène dans le substrat de silicium ou le corps de silicium cristallin est nettement supérieure à celle des corps ou substrats classiques de silicium cristallin. L'accélération de la croissance du corps de silicium cristallin assure une suppression importante de la séparation de l'oxygène dans le corps cristallin. Ceci réduit le nombre de défauts ou de dislocations formés dans le corps pendant le traitement thermique, au cours de la fabrication des dispositifs à semi-conducteur. Dans un procédé préféré selon l'invention, la vitesse de croissance du corps de silicium cristallin est supérieure ou égale à 1,2 mm/min. En outre, la concentration préférée d'oxygène dans le corps de silicium formé par croissance est supérieure ou égale à 1,8. 1010cm -3.
Selon l'invention, un substrat de silicium conte-
nant de l'oxygène à des concentrations supérieures ou
égales à 18.1018 cm 3 peut donner un courant de fuite infé-
rieur ou égal à 1.10-10 A.
L'invention concerne ainsi un procédé de fabrica-
tion d'un substrat de silicium contenant une concentration nettement élevée d'oxygène et destiné à des dispositifs à semi-conducteur, le procédé comprenant la croissance d'un monocristal de silicium à partir de silicium fondu, avec une vitesse élevée de croissance choisie afin qu'elle empêche la perte d'oxygène à partir du monocristal pendant un traitement thermique ultérieur ou cours de la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, et la formation du
substrat de silicium à partir du monocristal de silicium.
La vitesse préférée de croissance du monocristal de silicium est supérieure ou égale à 1,2 mm/min. D'autre part, la concentration préférée de l'oxygène dans le substrat de silicium est supérieure ou égale à 1,8. 1018 cma3 En outre, de préférence, la vitesse de croissance du silicium monocristallin est de préférence comprise entre
1,5 et 2,1 mm/min.
Dans le mode de réalisation préféré, l'étape de
croissance du monocristal de silicium comprend la disposi-
tion de silicium dans un creuset, le chauffage du silicium afin qu'il soit maintenu à un état fluide, et le tirage progressif du monocristal de silicium à partir du silicium
fondu placé dans le creuset.
Pendant l'étape de chauffage du silicium, la chaleur transmise est suffisamment importante pour que la surface du silicium ne puisse pas se solidifier. De préférence, dans l'étape de chauffage du silicium, une plus grande quantité de chaleur est appliquée à la surface
du silicium qu'au reste du silicium fondu.
Dans une variante, le procédé comporte en outre l'application d'un champ magnétique au silicium. De plus,
le procédé préféré peut aussi comprendre une, étape d'en-
traînement du creuset en rotation. La vitesse de rotation du creuset peut être réglée de manière que la concentration
de l'oxygène dans le substrat de silicium soit ajustée.
L'invention concerne aussi un appareil de forma-
tion de silicium monocristallin par croissance, ce silicium contenant une concentration très élevée d'oxygène, ce silicium monocristallin étant la source de substrat de
silicium destiné à la fabrication de dispositifs à semi-
conducteur, l'appareil étant destiné à la mise en oeuvre du procédé précité de fabrication du substrat de silicium et comprenant un creuset destiné à contenir du silicium, un dispositif de chauffage du silicium afin qu'il soit maintenu a un état fluide, et un dispositif de tirage du monocristal de silicium du silicium fondu se trouvant dans le creuset à une vitesse très élevée afin que la perte d'oxygène par le substrat soit évitée pendant un traitement
thermique ultérieur utilisé dans la fabrication des dispo-
sitifs à semi-conducteur. La vitesse de tirage du silicium monocristallin est de préférence supérieure ou égale à 1,2 mm/min. En outre, la concentration préférée d'oxygène
du substrat de silicium est supérieure ou égale à 1,8.1018 cm3.
Le dispositif de chauffage transmet suffisamment de chaleur pour qu'il empêche la solidification de la surface du silicium fondu. Le dispositif de chauffage applique ainsi plus de chaleur à la surface du silicium fondu qu'au reste
de celui-ci.
L'appareil comporte en outre un dispositif d'appli-
cation d'un champ magnétique au silicium fondu. De plus, l'appareil peut comporter un dispositif d'entraînement du creuset en rotation. Ce dispositif d'entraînement fait tourner le creuset à une vitesse variable et permet le réglage de la concentration de l'oxygène dans le substrat
de silicium.
Selon une autre caractéristique de l'invention, un dispositif à semiconducteur est réalisé à partir d'un substrat de silicium ayant une concentration d'oxygène supérieure ou égale à 1,8.1018 cm 3, et ayant un courant de fuite inférieur à 1.10- 10 A.
D'autres caractéristiques et avantages de l'inven-
tion seront mieux compris à la lecture de la description
qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels:
la figure 1 est une coupe d'un appareil de crois-
sance de cristaux de silicium, mettant en oeuvre un mode de réalisation préféré du procédé de fabrication de cristaux de silicium selon l'invention; la figure 2 est une perspective d'une partie de l'élément de chauffage de la figure 1;
la figure 3 est un graphique tridimensionnel indi-
quant les relations observées entre la vitesse de croissance des cristaux, la concentration d'oxygène et la densité des défauts d'empilement;
la figure 4 est un graphique représentant la va-
riation de la concentration de l'oxygène en fonction du temps de traitement thermique; les figures 5 et 6 représentent les résultats de mesure du courant de fuite d'un certain nombre de diodes chantill-ons obtenues -par le procédé de fabrication de substrat de siiicium selon 1 Tinvention et par un procédé connu respectivement; et À la figure 7 est une coupe d'une variante d'appareil de croissance de cristaux de silicium, mettant en oeuvre le mode de réalisation préféré de procédé de fabrication
de cristaux de silicium selon l'invention.
On se réfère aux dessins; la figure 1 représente un appareil de formation de mnocristaux de silicium par croissance, mettant en oeuvre un mode de réalisation préféré de procédé de fabrication d'un substrat de silicium selon la présente invention. Comme l'indique la figure 1, le mode de réalisation préféré du procédé de fabrication
de substrat de silicium met en oeuvre un procédé de crois-
sance d'un corps de silicium monocristallin comme matière
première pour la fabrication des substrats de silicium.
Dans ce procédé préféré, le monocristal de silicium est tire par le procédé CZ. Dans l'appareil de croissance de monocristaux selon l'invention, du silicium 3 placé dans un creuset 2 de quartz disposé à l'intérieur d'un creuset 1 de graphite, est fondu. Un générateur 4 de chaleur formé de graphite et
un matériau 9 d'isolation thermique entourent le creuset 1.
Des doubles enveloppes supplémentaires O10a, 10b et 10c de
refroidissement entourent le matériau 9 d'isolation.
La double enveloppe O10b a une fenêtre 12 destinée à per-
mettre l'observation du monocristal tiré 6. Une tuyauterie 13 d'évacuation est placée au fond de la double enveloppe b de refroidissement et est destinée à évacuer un gaz inerte formant une atmosphère introduite à l'intérieur des enveloppes O10a, 10b et 10c, par le haut. Un arbre 8 fixé à la face inférieure du creuset 1 passe avec du jeu par une ouverture O10d du fond de l'enveloppe 10a et est utilisé pour
l'entraînement en rotation du creuset 1 et pour son sou-
lèvement et son abaissement. Le bord inférieur du générateur 4 de chaleur est fixé à une plaque annulaire 14 qui est elle-même fixée à deux arbre 15 passant avec du jeu par deux ouvertures 10e et 10f formées au fond de l'enveloppe a de refroidissement. Les arbres 15 sont utilisés pour
le soulèvement ou l'abaissement du générateur 4 de chaleur.
Un blindage cylindrique 16 de molybdène assurant la protec-
tion contre la chaleur, ayant un diamètre interne légèrement supérieur au diamètre externe du monocristal 6, est disposé
au-dessus du silicium liquide 3 et entoure le monocristal 6.
Un cristal germe 5 est retenu dans le blindage thermique 16 par un mandrin 7 fixé à l'extrémité inférieure d'un arbre 17 de tirage afin qu'un monocristal cylindrique
6 puisse être formé à partir du cristal germe 5.
Dans le procédé CZ, la vitesse maximale Vmax de croissance du monocristal peut être exprimée de la manière suivante, dans l'hypothèse o l'interface solide-liquide du monocristal 6 et du liquide 3 est plate et o il n'existe pas de gradient de température radiale dans le monocristal 6: V = k dT max = h.p (dX) k désignant la conductibilité thermique du monocristal 6, h la chaleur de solidification, p la masse volumique et dT/dX
le gradient de température dans la phase solide du monocris-
tal 6 à l'interface solide-liquide. Plus précisément, X désigne la distance mesurée le long de l'axe longitudinal du monocristal 6. Dans l'expression qui précède, comme k, h et p sont des propriétés du matériau, le gradient de température dT/dX doit donc être accru lorsque la vitesse de croissance Vmax maximale du monocristal doit être accrue ou doit avoir une valeur élevée. Dans le procédé CZ précité cependant, comme le monocristal 6 est chauffé par rayonnement à partir de la surface du liquide 3, de la paroi interne du creuset 2 et du générateur-de chaleur 4,
la valeur du gradient de température dT/dX est obliga-
toirement limitée si bien que la vitesse de croissance a
toujours été relativement faible en pratique.
Comme on peut le noter d'après la description qui
précède, la vitesse de croissance du silicium monocristallin peut être augmentée par réduction de la quantité de chaleur appliquée au silicium fondu 3 par le générateur 4 de chaleur et ainsi par abaissement de la température du silicium fondu. Bien que ceci ait un effet proportionnel sur l'abaissement du gradient thermique selon la loi de Stefan-Boltzmann, la chaleur émise vers le monocristal est réduite en très grande quantité si bien que l'effet résultant est une augmentation du gradient de température dT/dX. Cependant, la réduction de la quantité de chaleur
dégagée par le générateur 4 afin que la vitesse de crois-
sance soit accrue provoque une tendance A la solidification de la surface du silicium fondu puisque cette surface
est refroidie par exposition à l'atmosphère gazeuse du four.
Ceci limite l'importance de la réduction possible de la
température du silicium fondu 3.
Le générateur 4 de chaleur de l'appareil de croissance de monocristaux de silicium est réalisé de manière qu'il applique suffisamment de chaleur à la surface du silicium fondu 3 pour que celui-ci reste à l'état liquide. En particulier, le générateur de chaleur 4 de la constuction préférée est réalisé afin qu'il applique plus de chaleur à la surface du silicium fondu qu'au
reste de la masse de silicium fondu, si bien que la tempéra-
ture du silicium fondu 3 peut être réduite au minimum.
La figure 2 représente la structure du générateur 4 de chaleur. Celui-ci est formé d'un matériau conducteur tel que le graphite, et est de façon générale sous forme d'un manchon cylindrique ayant une partie tronconique 4a à son extrémité supérieure. Le générateur 4 a des gorges supérieures 4b et inférieures 4c qui alternent et qui sont
parallèles à l'axe vertical du générateur 4. Cette cons-
truction donne à l'enveloppe cylindrique une configuration
sinueuse qui convient à un élément de chauffage électrique.
En outre, les extrémités supérieures des gorges inférieures 4c forment une fourche à dents inclinées constituant deux courtes gorges 4d et 4e formant un angle de 45 avec la gorge 4c. Le courant circule dans chaque tronçon délimité par les gorges adjacentes superieures et inférieures 4b et
4c et dégage de la chaleur sous l'action des pertes chmiques.
Lors de la croissance du monocristal 6 à l'aide du cristal germe 5, à partir du silicium fondu, par mise en oeuvre de l'appareil de croissance de monocristaux réalisé comme décrit précédemment, les deux creusets 1 et 2 sont entraînés en rotation dans le sens des aiguilles d'une montre par un arbre 8 et le monocristal formé par croissance est entraîné en rotation par l'arbre 17, dans le sens contraire des aiguilles d'une montre par exemple, ou inversement. Simultanément, l'arbre 17 de tirage est progressivement soulevé par un mécanisme d'entraînement
(non représenté) afin que le monocristal 6 soit tiré à par-
tir de la matière fondue. En outre, les deux creusets 1 et 2 sont tous deux soulevés progressivement afin que la surface du liquide 3 puisse être maintenue en position
prédéterminée par rapport au générateur 4 de chaleur.
L'appareil décrit précédemment a les avantages suivants. L'extrémité supérieure 4a du générateur 4 a une forme tronconique et en outre les gorges 4d et 4e de la fourche sont formées aux extrémités supérieures des gorges inférieures 4c et la section de la partie tronconique 4a est inférieure à celle du reste du générateur 4 de chaleur. En particulier, la section est très faible à proximité des gorges 4d et 4e de la fourche. En conséquence, lorsque le courant circule dans le générateur 4 de chaleur, la partie tronconique 4a du générateur 4 est chauffée à une température supérieure à celle des autres parties
du générateur 4. En consequence, la différence de tempéra-
ture entre la matière fondue 3a disposée verticalement en face de la partie tronconique 4a et à la paroi interne du creuset 2, et la valeur maximale régnant dans la masse de
la matière fondue 3, est faible.
En outre, comme la partie tronconique 4a augmente la résistance électrique totale du générateur 4 de chaleur par rapport aux dispositifs classiques, la température du générateur de chaleur 4 est accrue, dans l'hypothèse o les courants ont les mêmes intensités. En conséquence, dans ce mode de réalisation, le courant circulant dans le générateur 4 de chaleur peut être plus faible que dans
les dispositifs classiques de chauffage de type semblable.
Comme décrit précédemment, le gradient de tempera-
ture (dT/dX) dans le monocristal 6 en phase solide, à l'interface solideliquide, doit être accru afin que la vitesse maximale de croissance Vmax soit accrue. Ainsi, il est préférable que la quantité de chaleur fournie par le générateur 4 soit réduite car le monocristal est chauffé
par rayonnement à partir du générateur 4.
Dans l'appareil selon la présente invention, même lorsque la quantité de chaleur fournie par le générateur 4 est réduite afin que le gradient de température (dT/dX)
augmente, comme la différence maximale précitée de tempéra-
ture entre la surface 3a et la masse de la matière fondue 3 est faible, il est possible que la solidification de la surface de la matière fondue 3 soit évitée à la paroi interne du creuset 2. En conséquence, il est possible d'accroître notablement la vitesse de croissance d'une valeur atteignant 0,2 mm/min par exemple par rapport à la vitesse des systèmes connus. En outre, il est possible d'assurer une croissance continue du monocristal 6, si bien que la productivité est accrue et le coet de la
fabrication des monocristaux est réduit.
Le mode de réalisation préféré de procédé de fabri-
cation du substrat de silicium selon la présente invention met en oeuvre l'appareil précité. On a constaté selon l'invention que la vitesse de croissance des cristaux avait une forte influence sur la création des défauts des cristaux et notamment des défauts d'empilement. En conséquence,
selon la présente invention, la vitesse de croissance cris-
talline est fixée à une valeur dépassant 1,2 mm/min afin
que la masse de silicium cristallin obtenue ait une concen-
tration d'oxygène supérieure à 1,8.1018 cm- 3. Des substrats de silicium sont alors fabriqués par tranchage de ce corps de silicium monocristallin. Le réglage de la vitesse de croissance des monocristaux de silicium à une valeur supérieure à celle des systèmes classiques empêche la ségrégation de l'oxygène dans les traitements ultérieurs et empêche ainsi la perte correspondante de qualité des
monocristaux de silicium formés par croissance. En consé-
quence, la concentration d'oxygène peut être augmentée.
Selon l'invention, des concentrations d'oxygène de 1,8.1018 cm et plus peuvent être obtenues et il est donc
possible d'obtenir un meilleur effet de fixation intrinsèque.
La discussion qui suit concerne un substrat terminé de silicium produit par mise en oeuvre du procédé
préféré selon l'invention, à l'aide de l'appareil des fi-
gures 1 et 2.
Un corps de silicium monocristallin a été tiré et formé par croissance par le procédé CZ. Une tranche a été coupée dans le corps monocristallin. Les surfaces de la tranche ont été polies à l'état de miroir, puis soumises deux fois à un traitement thermique a une température de
1100 C pendant 2 heures en atmosphère d'oxygène sec. En-
suite, la tranche a ôté attaquée chimiquement sur une profondeur de 13 microns par mise en oeuvre du procédé d'attaque à sec afin que les défauts apparaissent. Divers échantillons ont été obtenu- avec variation de la vitesse de croissance du corps de silicium monocristallin dans le
procédé CZ afin que cet essai soit réalisé. Divers échan-
tillons ont aussi été obtenus à diverses concentrations d'oxygène. La densité des défauts d'empilement dans ces échantillons a été mesurée. Les résultats de ces mesures
sont indiqués sur la figure 3.
Les résultats de la figure 3 indiquent qu'il ne se forme pratiquement aucun défaut d'empilement lorsque la vitesse de croissance des monocristaux de silicium est supérieure ou égale à 1,2 mm/min. En outre, on a aussi confirmé le fait qu'aucun défaut d'empilement n'est créé pendant le traitement du substrat ou de la tranche
de silicium, y compris le polissage des surfaces.
En outre, les variations de la concentration d'oxygène dues au traitement thermique à 750 C ont été mesurées. La figure 4 représente les résultats des mesures sous forme d'une courbe qui relie la concentration d'oxygène à la durée de traitement thermique. Sur la figure, les courbes 21 à 23 représentent la relation existant entre la concentration d'oxygène et la durée du traitement
thermique pour une vitesse de croissance du cristal supé-
rieure à 1,2 mm/min.Les concentrations initialesd'oxygène des courbes 21 à 26 étaient de 1,644.1018, 1,667.1018
1,709 1018, 1,866.1018, 2,019.1018 et 1,737. 1018cm-3 respecti-
vement. Bien que la concentration d'oxygène diminue fina-
lement lorsque l'oxygène est chassé du substrat de silicium ou du corps de silicium monocristallin par le traitement
thermique, il est manifeste que, dans le cas des concentra-
tions initiales élevées de l'oxygène obtenues selon l'inven-
tion, comme indiqué par les courbes 24 à 26, la variation est faible même après un temps de traitement thermique
relativement long et une perte mesurable d'oxygène n'appa-
rait qu'après une très longue période.
Comme l'indiquent les figures 3 et 4, il est mani-
feste qu'une croissance des cristaux à grande vitesse pro-
voque 1a présence d'un plus petit nombre de défauts. Dans l'essai suivant, des diodes ont été préparées
par formation d'une jonction n±P sur des substrats de sili-
cium obtenus selon la présente invention et selon le procédé classique, et le courant de fuite de la fonction p-n a été mesuré pour chaque diode. Dans ce cas, une région de type p a 'té formée sur le substrat de silicium de type n, -t des régions n+ ayant une étendue de 2,4.10-12 cm. pièce/cm2 ont eté formées. La mesure a été réalisée par application d'une tension d'essai de + 5 V à la région n+ Les resultats des essais réalisés sur des substrats de silicium foimms à partir d'un corps de silicium ronc. cristallin fabriqué par le procédé CZ avec une vitesse de croissance du cristal supérieure ou égale à 1,2 mm/min et ayant une concen-traticon d'oxygène de 2,0.1018 cm-3 sont
indiqués sur la figure 5. D'autre part, la figure 6 repré-
sente le résultat des essais réalisés sur des substrats
de silicium formés a partir d'un corps de silicium mono-
cristallin fabriqué par le procédé classique de croissance de s.licium monocristallin avec une vitesse de croissance
de cristaux comprise entre 0O, et 0,9 mm/min. Sur les fi-
gures S et 6, les abscisses représentent le courant mesuré
de fuite et les ordonnées Le nombre d'échantillons présen-
tant le courant de fuite indiqué. Comme on peut le com-
prendre par comparaison des figures 5 et 6, dans le cas des substrats de silicium fabriqués selon l'invention, le courant de fuite est réduit à une valeur inférieure ou égale à 1011 A d'une manière reproductible. Ceci peut être du à l'effet prononcé de fixation intrinsèque dû à la
concentration élevée d'oxygène.
Il faut noter que le procédé préféré selon la présente invention peut permettre la fabrication d'un corps
de silicium monocristallin de concentration élevée d'oxy-
gène. Il est aussi possible que la concentration d'oxygène soitsélectionnée avec précision dans une large plage par application d'un procédé de croissance de cristaux dans lequel un champ magnétique est appliqué à du silicium fondu placé dans un creuset de quartz, et le creuset est entraîné en rotation le cas échéant. Un exemple de ce procédé de croissance de cristaux mettant en oeuvre un champ magnétique est maintenant décrit en référence à la
figure 7.
Sur la figure, l'ensemble de l'appareil porte la référence générale 31. Un creuset 32 de quartzcontient du silicium fondu à partir duquel un cristal est tiré. Le creuset 32 est entraîne en rotation autour de son axe central à une vitesse réglable de rotation. Un dispositif 34 de chauffage entoure le creuset 32. Le dispositif 34 de chauffage peut être un organe cylindrique 35 de chauffage électrique analogue l'-organe 4 du mode de réalisation précédent. Un corps cylindrique d'isolation thermique ou une enveloppe refroidi par de l'eau le cas échéant est
placé à l'extérieur du dispositif de chauffage. Un généra-
teur 37 d'un champ magnétique en courant continu, formé d'un aimant permanent ou d'un électro-aimant, est placé à
l'extérieur de l'enveloppe 36. Un germe de silicium mono-
cristallin porte la référence 38 alors qu'un mandrin de tirage porte la référence 39. Le mandrin 39 de tirage lève le germe 38 de silicium monocrisallin avec entraînement en rotation de ce dernier autour de l'axe de rotation
du creuset.
Le courant électrique transmis au dispositif 34 de chauffageq est un courant continu ayant une ondulation inférieure ou égale à 4 % ou un courant pulsé ou alternatif ayant une fréquence de t kHz ou plus. On a montré que ce type de courant convenait car il empêchait une résonance superflue entre le dispositif 34 de chauffage et le champ
magnétique.
Le germe 38 de silicium monocristallin est tiré à partir de la surface du silicium fondu avec une vitesse prédéterminée afin que la croissance d'un monocristal 40 de silicium soit provoquée. Dans ce- cas, la variation
de la vitesse de rotation du creuset 32 en particulier mo-
difie aussi la concentration d'oxygène dans le cristal terminé 40. Ceci est dû à la raison suivante. Le silicium fondu placé dans le creuset a une viscosité efficace
qui augmente lors de l'application d'un champ magnétique.
Comme le silicium est entraîné en rotation par rapport au creuset, un existe un frottement entre le silicium
fondu 3 et les parois internes du creuset 32. En consé-
quence, l'oxgène se trouvant aux parois du creuset 32, plus précisément formées de quartz, se dissout dans le silicium fondu 33. La concentration d'oxygène dans le cristal augmente ainsi étant donné que la quantité d'oxygène dissous augmente losque le frottement de contact augmente, c'est-à-dire lorsque la vitesse de rotation du creuset par rapport au silicium fondu 33 augmente. En outre, il a été confirmé que, lorsque la vitesse de rotation du creuset est suffisamment élevée, la concentration de l'oxygène
dans le cristal pouvait être accrue lorsqu'un champ magné-
tique était appliqué, par rapport au cas o aucun champ
magnétique n'est appliqué.
Comme décrit précédemment, comme une concentration élevée d'oxygène peut être conservée, la présente invention possède de nombreux avantages. Par exemple, les effets d'hystérésis thermiques lorsque le corps cristallin est
tiré peuvent être pratiquement éliminés. Comme la concentra-
tion de l'oxygène est élevée, un effet de fixation intrin-
sèque extrêmement élevé peut être obtenu pendant le trai-
tement thermique. En outre, des défauts cristallins présents à la surface du substrat peuvent être supprimés. Etant donné ces avantages, dans les éléments à semi-conducteur formés sur le substrat de silicium, de nombreux avantages importants sont obtenus, par exemple la réduction du courant de fuite, l'augmentation de la tension de claquage,
la plus grande uniformité des caractéristiques, l'augmenta-
tion du rendement en produits, etc. Bien entendu, diverses modifications peuvent
etre apportées par ''homme de l'art aux procédés et appa-
reils qui viennent d'être décrits uniquement à titres
d'exemples non limitatifs sans sortir du cadre de l'inven-
tion.
Claims (28)
1. Procédé de fabrication d'un substrat de silicium ayant une concentration élevée d'oxygène et destiné à former des dispositifs à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: - la formation d'un monocristal de silicium par croissance à partir de silicium fondu (3) à une vitesse de croissance élevée choisie afin que la perte d'oxygène du monocristal soit évitée pendant le traitement thermique ultérieur au cours de la fabrication du dispositif à semi-conducteur, et la formation du substrat de silicium à partir du
monocristal de silicium.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la vitesse de croissance du monocristal de
silicium est supérieure ou égale à 1,2 mm/min.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la concentration de l'oxygène dans le substrat
de silicium est supérieure ou égale à 1,8.1018 cm3.
4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la concentration de l'oxygène dans le substrat
de silicium est supérieure ou égale à 1,8.1018 cm-3.
5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la vitesse de croissance du monocristal de silicium est de préférence comprise entre environ 1,5 et
2,1 mm/min.
6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la formation du monocristal de silicium par croissance comprend les étapes suivantes: la disposition de silicium (3) dans un creuset (2), le chauffage du silicium afin qu'il soit maintenu à l'état fluide, et le tirage progressif du monocristal de silicium
à partir du silicium fondu dans le creuset (2).
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que, pendant l'étape de chauffage du silicium, la chaleur appliquée est suffisante pour que la surface du
silicium ne se solidifie pas.
8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que, pendant l'étape de chauffage du silicium, la quantité de chaleur appliquée à la surface du silicium est supérieure à celle qui est appliquée au reste du
silicium fondu (3).
9. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend l'application d'un champ magnétique
au silicium.
10. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'entraînement du creuset
(2) en rotation.
11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la vitesse de rotation du creuset (2) peut être réglée afin que la concentration de l'oxygène dans
le substrat de silicium soit réglée.
12. Appareil de formation d'un monocristal de silicium contenant une concentration élevée d'oxygène, par croissance, ce monocristal constituant une source de
substrat de silicium destiné à des dispositifs à semi-
conducteur, ledit appareil étant caractérisé en ce qu'il comprend: un creuset (2) destiné à contenir du silicium (3), un dispositif (4) de chauffage du silicium afin que celui reste à l'état fluide, et un dispositif (17) de tirage du monocristal de silicium à partir du silicium fondu dans le creuset à
une vitesse élevée de manière que la perte d'oxygène à par-
tir du substrat lors d'un traitement thermique ultérieur au cours d'un procédé de fabrication de dispositifs à
semi-conducteur soit évitée.
13. Appareil selon la revendication 12, caractérisé en ce que la vitesse de tirage du monocristal de silicium
est supérieure ou égale à 1,2 mm/min.
14. Appareil selon la revendication 13, caractérisé en ce que la concentration d'oxygène dans le substrat
de silicium est supérieure ou égale à 1,8.1018 cm3.
15. Appareil selon la revendication 13, caractérisé en ce que la vitesse de croissance du monocristal de
silicium est de préférence comprise entre 1,5 et 2,1 mm/min.
16. Appareil selon la revendication 12, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage (4) applique suffisam- ment de chaleur pour que la surface du silicium fondu
(3) ne puisse pas se solidifier.
17. Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage (4) applique plus de chaleur à la surface du silicium fondu (3) qu'au reste
du silicium fondu.
18. Appareil selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un dispositif (37) destiné à
appliquer un champ magnétique au silicium fondu (33).
19. Appareil selon la revendication 12, caractérisé
en ce qu'il comprend en outre un dispositif (8) d'entrai-
nement en rotation du creuset (2).
20. Appareil selon la revendication 19, caractérisé en ce que le dispositif (8) d'entraînement du creuset l'entraîne à une vitesse variable qui permet le réglage de
la concentration de l'oxygène dans le substrat de silicium.
21. Dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il est formé à partir d'un substrat de silicium ayant une concentration d'oxygène supérieure ou égale à 1,8.1018 cm -3 et ayant un courant de fuite inférieur à 1.10-10 A.
22. Procédé de fabrication d'un substrat de
silicium ayant une concentration accrue d'oxygène, carac-
t6risé en ce qu'il comprend: la formation d'un monocristal de silicium par croissance à partir de silicium fondu (3) avec une vitesse efficace élevée de croissance afin que le nombre de défauts formés au cours d'un traitement thermique ultérieur soit réduit, afin que la séparation d'oxygène dans le corps cristallin soit supprimée et afin que la quantité d'oxygène dans le corps cristallin soit accrue, si bien que le courant de fuite est réduit, la vitesse élevée de croissance étant reliée à la concentration accrue d'oxygène, et la formation du substrat de silicium à partir du
monocristal de silicium.
23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que lb vitesse élevée de croissance est au moins égale à 1,2 mm/min et la concentration d'oxygqne est t8 -3
au moins égale à 1,8.108 cm3.
24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que la vitesse élevée de croissance est comprise entre
environ 1,5 et 2,1 mm/min.
25. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que l'étape de formation par croissance comprend l'application d'une plus grande quantité de chaleur à une surface du silicium fondu (3) qu'au reste du silicium fondu afin que la surface du silicium fondu ne puisse pas se
solidifier.
26. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'application d'un champ
magnétique au silicium.
27. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'entraînement en rotation
d'un creuset (2) par rapport à la matière fondue.
28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce qu'il comprend en outre le réglage de la vitesse de rotation du creuset (2) afin que la concentration de
l'oxygène dans le substrat de silicium soit réglée.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60244562A JPS62105998A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | シリコン基板の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2589489A1 true FR2589489A1 (fr) | 1987-05-07 |
| FR2589489B1 FR2589489B1 (fr) | 1994-06-10 |
Family
ID=17120560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR868615075A Expired - Fee Related FR2589489B1 (fr) | 1985-10-31 | 1986-10-29 | Substrat de silicium monocristallin et ses procedes et appareil de fabrication |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62105998A (fr) |
| KR (1) | KR870004498A (fr) |
| CN (1) | CN1016191B (fr) |
| AT (1) | ATA289086A (fr) |
| AU (1) | AU597599B2 (fr) |
| CA (1) | CA1336061C (fr) |
| DE (1) | DE3637006A1 (fr) |
| DK (1) | DK518486A (fr) |
| FR (1) | FR2589489B1 (fr) |
| GB (1) | GB2182262B (fr) |
| IT (1) | IT1198454B (fr) |
| MY (1) | MY100449A (fr) |
| NL (1) | NL8602738A (fr) |
| SE (1) | SE8604627L (fr) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196085A (en) * | 1990-12-28 | 1993-03-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Active magnetic flow control in Czochralski systems |
| JP2613498B2 (ja) * | 1991-03-15 | 1997-05-28 | 信越半導体株式会社 | Ｓｉ単結晶ウエーハの熱処理方法 |
| JPH07247197A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP3443822B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2003-09-08 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
| DE19711922A1 (de) * | 1997-03-21 | 1998-09-24 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls |
| KR100508048B1 (ko) | 1997-04-09 | 2005-08-17 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 | 저결함 밀도 실리콘 잉곳의 제조 방법 |
| US6379642B1 (en) | 1997-04-09 | 2002-04-30 | Memc Electronic Materials, Inc. | Vacancy dominated, defect-free silicon |
| CN1316072C (zh) | 1997-04-09 | 2007-05-16 | Memc电子材料有限公司 | 低缺陷密度、理想氧沉淀的硅 |
| JPH11268987A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶およびその製造方法 |
| KR20010041957A (ko) | 1998-06-26 | 2001-05-25 | 헨넬리 헬렌 에프 | 임의인 대 직경의 무결함 실리콘 결정의 성장 공정 |
| US6236104B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-05-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon |
| WO2000022197A1 (fr) | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Tranches epitaxiales sensiblement exemptes de defauts intrinseques |
| EP1125008B1 (fr) | 1998-10-14 | 2003-06-18 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Tranche de silicium monocristallin thermorecuit presentant peu de defauts |
| US6312516B2 (en) | 1998-10-14 | 2001-11-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions |
| US7105050B2 (en) | 2000-11-03 | 2006-09-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the production of low defect density silicon |
| US6858307B2 (en) | 2000-11-03 | 2005-02-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the production of low defect density silicon |
| DE10103691A1 (de) * | 2001-01-26 | 2002-08-08 | Crystal Growing Systems Gmbh | Elektrische Energieversorgung für eine elektrische Heizung |
| EP1356139B1 (fr) | 2001-01-26 | 2006-08-09 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Silicium a faible densite de defauts dont la partie centrale dominee par des lacunes est pratiquement exempte de defauts d'empilement induits par l'oxydation |
| KR101385810B1 (ko) | 2006-05-19 | 2014-04-16 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. | Ｃｚ 성장 동안에 실리콘 단결정의 측면에 의해 유도되는 응집된 점 결함 및 산소 클러스터 형성을 제어하는 방법 |
| JP5974978B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2016-08-23 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶製造方法 |
| CN105780113B (zh) * | 2016-03-10 | 2017-11-28 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法 |
| CN112095154B (zh) * | 2019-06-18 | 2021-05-14 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种半导体晶体生长装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0042901A1 (fr) * | 1980-06-26 | 1982-01-06 | International Business Machines Corporation | Procédé pour contrôler la teneur en oxygène des barreaux de silicium tirés selon la méthode de Czochralski |
| EP0055619A1 (fr) * | 1980-12-29 | 1982-07-07 | Monsanto Company | Méthode pour régler la concentration et distribution en oxygène dans du silicium tiré selon la méthode Czochralski |
| EP0063837A1 (fr) * | 1981-04-29 | 1982-11-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Méthode de tirage d'un barreau de silicium |
| JPS6027684A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Fujitsu Ltd | 単結晶製造装置 |
| JPS6033289A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-20 | Toshiba Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5556098A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method and apparatus for producing si single crystal rod |
| GB2084046B (en) * | 1980-08-27 | 1984-07-25 | Secr Defence | Method and apparatus for crystal growth |
| JPH0244799B2 (ja) * | 1981-10-26 | 1990-10-05 | Sony Corp | Ketsushoseichohoho |
| US4511428A (en) * | 1982-07-09 | 1985-04-16 | International Business Machines Corporation | Method of controlling oxygen content and distribution in grown silicon crystals |
| JPS6094722A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-05-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | シリコン・ウエハ |
| JPS6153187A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Sony Corp | 単結晶成長装置 |
| IT1207497B (it) * | 1985-05-29 | 1989-05-25 | Montedison Spa | Monocristalli di arseniuro di gallio a bassa densita' di dislocazioni e di elevata purezza. |
-
1985
- 1985-10-31 JP JP60244562A patent/JPS62105998A/ja active Pending
-
1986
- 1986-08-25 KR KR1019860007019A patent/KR870004498A/ko not_active Application Discontinuation
- 1986-10-16 CA CA000520610A patent/CA1336061C/fr not_active Expired - Fee Related
- 1986-10-28 IT IT48592/86A patent/IT1198454B/it active
- 1986-10-29 FR FR868615075A patent/FR2589489B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1986-10-30 DE DE19863637006 patent/DE3637006A1/de not_active Ceased
- 1986-10-30 NL NL8602738A patent/NL8602738A/nl not_active Application Discontinuation
- 1986-10-30 SE SE8604627A patent/SE8604627L/ not_active Application Discontinuation
- 1986-10-30 AU AU64550/86A patent/AU597599B2/en not_active Ceased
- 1986-10-30 AT AT0289086A patent/ATA289086A/de not_active Application Discontinuation
- 1986-10-30 DK DK518486A patent/DK518486A/da not_active Application Discontinuation
- 1986-10-31 GB GB8626074A patent/GB2182262B/en not_active Expired
- 1986-10-31 CN CN86106346A patent/CN1016191B/zh not_active Expired
- 1986-10-31 MY MYPI86000057A patent/MY100449A/en unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0042901A1 (fr) * | 1980-06-26 | 1982-01-06 | International Business Machines Corporation | Procédé pour contrôler la teneur en oxygène des barreaux de silicium tirés selon la méthode de Czochralski |
| EP0055619A1 (fr) * | 1980-12-29 | 1982-07-07 | Monsanto Company | Méthode pour régler la concentration et distribution en oxygène dans du silicium tiré selon la méthode Czochralski |
| EP0063837A1 (fr) * | 1981-04-29 | 1982-11-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Méthode de tirage d'un barreau de silicium |
| JPS6027684A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Fujitsu Ltd | 単結晶製造装置 |
| JPS6033289A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-20 | Toshiba Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 9, no. 145 (C-287), 20 juin 1985; & JP-A-60 027 684 (FUJITSU) 12-02-1985 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 9, no. 160 (C-289), 4 juillet 1985; & JP-A-60 033 289 (TOSHIBA) 20-02-1985 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2589489B1 (fr) | 1994-06-10 |
| NL8602738A (nl) | 1987-05-18 |
| JPS62105998A (ja) | 1987-05-16 |
| CN86106346A (zh) | 1987-06-17 |
| GB2182262A (en) | 1987-05-13 |
| CN1016191B (zh) | 1992-04-08 |
| AU597599B2 (en) | 1990-06-07 |
| DK518486A (da) | 1987-05-01 |
| IT1198454B (it) | 1988-12-21 |
| MY100449A (en) | 1990-10-15 |
| KR870004498A (ko) | 1987-05-09 |
| SE8604627D0 (sv) | 1986-10-30 |
| GB2182262B (en) | 1989-09-27 |
| DK518486D0 (da) | 1986-10-30 |
| AU6455086A (en) | 1987-05-07 |
| GB8626074D0 (en) | 1986-12-03 |
| SE8604627L (sv) | 1987-05-01 |
| DE3637006A1 (de) | 1987-05-07 |
| CA1336061C (fr) | 1995-06-27 |
| ATA289086A (de) | 1996-01-15 |
| IT8648592A0 (it) | 1986-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2589489A1 (fr) | Substrat de silicium monocristallin et ses procedes et appareil de fabrication | |
| EP0042901B1 (fr) | Procédé pour contrôler la teneur en oxygène des barreaux de silicium tirés selon la méthode de Czochralski | |
| US6592662B2 (en) | Method for preparing silicon single crystal and silicon single crystal | |
| JP5561918B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| KR102071304B1 (ko) | 초크랄스키 방법에 의해 성장시킨 잉곳으로부터 슬라이싱된 고농도로 도핑된 실리콘 웨이퍼에서의 산소 침전 | |
| FR2543980A1 (fr) | Procede de fabrication de materiaux semiconducteurs et four de traitement pour la mise en oeuvre de ce procede | |
| US8771415B2 (en) | Method of manufacturing silicon single crystal, silicon single crystal ingot, and silicon wafer | |
| JPH0633235B2 (ja) | 酸化膜耐圧特性の優れたシリコン単結晶及びその製造方法 | |
| FR2851259A1 (fr) | Procede de fabrication de monocristaux hexagonaux et leur utilisation comme substrat pour des composants semi-conducteurs. | |
| FR2590076A1 (fr) | Dispositif capteur d'image du type etat solide avec repartition uniforme d'agent de dopage, et son procede de production | |
| FR2515216A1 (fr) | Procede de solidification de materiaux tels que des semi-conducteurs, des dielectriques ou des materiaux magnetiques | |
| FR2548219A1 (fr) | Procede de formation d'une couche de matiere a constituants multiples | |
| WO2011013280A1 (fr) | Procédé permettant de traiter thermiquement une tranche de silicium | |
| EP0943703A2 (fr) | Monocristal de silicium et méthode pour sa production | |
| JP5287594B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法並びにシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2010040588A (ja) | シリコンウェーハ | |
| JPH0977595A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| EP0234984B1 (fr) | Procédé de préparation d'un lingot cristallin de Hg1-xo Cdxo Te | |
| JP3621290B2 (ja) | パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ | |
| JPH0699233B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2004250248A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPS6385100A (ja) | 珪素添加砒化ガリウム単結晶の製造方法 | |
| JP2017075082A (ja) | 単結晶シリコンインゴットおよびウェーハの形成方法 | |
| JP2002234794A (ja) | シリコン単結晶引上方法及びシリコンウェーハ | |
| JP2579027B2 (ja) | 半導体単結晶およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse | ||
| ST | Notification of lapse |