JP5287594B2 - シリコン単結晶の製造方法並びにシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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更に、上記のようにすれば、シリコン単結晶の外周面から中心に向かって50mm以内の外周部分の炭素濃度がシリコン単結晶の中心位置の炭素濃度より高くなり、また、シリコン単結晶の外周面から中心に向かって10mmの位置の炭素濃度がシリコン単結晶の中心位置の炭素濃度の1.2倍以上となるので、育成したシリコン単結晶の外周部における酸素濃度が中心部と比較して低くなったとしても、該シリコン単結晶のインゴットを用いて製造したウェーハの外周部におけるBMD密度の低下を抑制することができる。
ここで、本発明において、「炭素濃度」とは、FT−IR法で測定した濃度を指し、「シリコン単結晶の外周部分の炭素濃度」とは、FT−IR法で測定した外周部分の平均炭素濃度を指す。また、「シリコン単結晶の中心位置の炭素濃度」とは、FT−IR法で測定したシリコン単結晶の横断面の中心位置の炭素濃度を指す。
引き上げたシリコン単結晶中の炭素濃度が1×1016atoms/cm3以上となるように炭素を添加したシリコン融液を用いて、図1に示す単結晶製造装置で、磁束密度0.15Tの磁場を印加し、シリコン種結晶を0.52〜1.04rad/sの範囲内で回転速度を変化させながら回転させて引き上げ、結晶の長手方向の酸素濃度を12×1017〜17×1017atoms/cm3の範囲で変化させたシリコン単結晶のインゴットを製造した。
そして、製造したシリコン単結晶のインゴットからワイヤーソーでサンプルウェーハを切り出し、それぞれ酸素濃度が異なる(単結晶の長手方向の位置が異なる)サンプルウェーハ1〜5の中心の酸素濃度、並びに、ウェーハ面内の酸素濃度分布および炭素濃度分布を下記の方法で評価した。結果を表1に示す。
また、サンプルウェーハ1〜5に対して、ドライ酸化雰囲気下、温度800℃で3時間の熱処理を行った後、更に温度1000℃で16時間の熱処理を行った。その後、各ウェーハの表面に形成された酸化膜をフッ酸水溶液で除去した後、ウェーハを壁開し、ライト溶液を用いて断面を選択エッチングし、その断面のBMD密度を以下の方法で測定した。結果を表1に示す。
印加する磁場の磁束密度を0.18Tに変更した以外は、比較例1と同様にしてシリコン単結晶のインゴットを製造した。
そして、比較例1と同様にしてサンプルウェーハを切り出し、それぞれ酸素濃度が異なるサンプルウェーハ6〜10の中心の酸素濃度、並びに、ウェーハ面内の酸素濃度分布および炭素濃度分布を下記の方法で評価した。
また、サンプルウェーハ6〜10に対し、比較例1と同様の熱処理等を行い、BMD密度を測定した。これらの結果を表1に示す。
印加する磁場の磁束密度を0.2〜0.3Tの範囲で変化させ、引き上げ時のシリコン種結晶の回転速度を0.52〜0.84rad/sの範囲で変化させた以外は、比較例1と同様にしてシリコン単結晶のインゴットを製造した。
そして、比較例1と同様にしてサンプルウェーハを切り出し、それぞれ酸素濃度が異なるサンプルウェーハ12〜15の中心の酸素濃度、並びに、ウェーハ面内の酸素濃度分布および炭素濃度分布を下記の方法で評価した。
また、サンプルウェーハ12〜15に対し、比較例1と同様の熱処理等を行い、
BMD密度を測定した。これらの結果を表1に示す。
印加する磁場の磁束密度を0.3〜0.4Tの範囲で変化させ、引き上げ時のシリコン種結晶の回転速度を0.52〜0.84rad/sの範囲で変化させた以外は、比較例1と同様にしてシリコン単結晶のインゴットを製造した。
そして、比較例1と同様にしてサンプルウェーハを切り出し、それぞれ酸素濃度が異なるサンプルウェーハ16〜20の中心の酸素濃度、並びに、ウェーハ面内の酸素濃度分布および炭素濃度分布を下記の方法で評価した。
また、サンプルウェーハ16〜20に対し、比較例1と同様の熱処理等を行い、
BMD密度を測定した。これらの結果を表1に示す。
FT−IR装置(バイオラッド社製)を用いて、FT−IR(フーリエ変換型赤外吸収)法によりウェーハ中心の酸素濃度を測定した。
(面内酸素濃度分布の評価)
FT−IR装置(バイオラッド社製)を用いて、FT−IR(フーリエ変換型赤外吸収)法によりウェーハ中心から外周方向へ5mmピッチで酸素濃度を計測した。そして、中心部(0mm)の酸素濃度に対する外周から10mm(140mm)の位置での酸素濃度の比(酸素濃度面内比)を求めた。
(面内炭素濃度分布の評価)
FT−IR装置(バイオラッド社製)を用いて、FT−IR(フーリエ変換型赤外吸収)法によりウェーハ中心から外周方向へ5mmピッチで炭素濃度を計測した。そして、中心部(0mm)の炭素濃度に対する外周から10mm(140mm)の位置での炭素濃度の比(炭素濃度面内比)を求めた。
(BMD密度の測定)
光学顕微鏡を用いて、ウェーハ中心から外周方向へ5mmピッチでBMD密度を計測した。そして、中心部(0mm)のBMD密度に対する外周から10mm(140mm)の位置でのBDM密度の比(BMD密度面内比)を求めた。
11 チャンバ
12 るつぼ
13 融液
14 ヒーター
15 るつぼ回転機構
16 シリコン単結晶
17 シリコン種結晶
18 種結晶保持器
19 ワイヤーロープ
20 巻き取り機構
21 磁場印加器
Claims (5)
- 炭素を添加したシリコン融液をるつぼ中に準備し、前記るつぼ中のシリコン融液に対して磁束密度0.2〜0.4Tの磁場を印加しつつ、当該シリコン融液に接触させたシリコン種結晶を、0.52〜0.84rad/sの回転速度で回転させながら引き上げて、シリコン種結晶上にシリコン単結晶を育成することを含む、シリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン単結晶中の酸素濃度が13×1017〜17×1017atoms/cm3であることを特徴とする、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン融液に、引き上げたシリコン単結晶内の炭素濃度が1×1015〜1.317atoms/cm3となるように炭素を添加することを特徴とする、請求項1または2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 請求項1〜3の何れかに記載の製造方法で製造したシリコン単結晶のインゴットからシリコンウェーハを切り出すことを含む、シリコンウェーハの製造方法。
- 請求項1〜3の何れかに記載の製造方法で製造したシリコン単結晶のインゴットからシリコンウェーハを切り出し、前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することを含む、エピタキシャルウェーハの製造方法。
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