JP2008189523A - 単結晶の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】全長に亘り所定濃度以上の高酸素濃度を有すると共に、面内酸素濃度分布が均一な単結晶を得ることのできる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、単結晶Ｃと融液Ｍとの境界面である固液界面Ｍ２から、少なくとも所定深さｄ１までの融液内の領域において、単結晶の引上げ軸方向に沿って下方から上方に向かう磁場強度の減少率を、０．４ガウス／ｍｍ以上とした状態で、ルツボ３を０．２ｒｐｍ〜５．０ｒｐｍの範囲の回転速度で回転させ、単結晶Ｃの回転方向をルツボ３の回転方向とは逆方向に８ｒｐｍ以上の回転速度で回転させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、チョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」という）によって単結晶を育成しながら引上げる単結晶の製造方法に関する。

シリコン単結晶の育成に関し、ＣＺ法が広く用いられている。この方法は、ルツボ内に収容されたシリコンの溶融液の表面に種結晶を接触させ、ルツボを回転させるとともに、この種結晶を反対方向に回転させながら上方へ引上げることによって、種結晶の下端に単結晶を形成していくものである。

図７に示すように、従来のＣＺ法を用いた引上げ法は、先ず、石英ガラスルツボ５１に原料ポリシリコンを装填し、ヒータ５２により加熱してシリコン溶融液Ｍとする。しかる後、引上げ用のワイヤ５０に取り付けられた種結晶Ｐをシリコン溶融液Ｍに接触させてシリコン単結晶Ｃを引上げる。

一般に、引上げ開始に先立ち、シリコン溶融液Ｍの温度が安定した後、図８に示すように、種結晶Ｐをシリコン溶融液Ｍに接触させて種結晶Ｐの先端部を溶解するネッキングを行う。ネッキングとは、種結晶Ｐとシリコン溶融液Ｍとの接触で発生するサーマルショックによりシリコン単結晶に生じる転位を除去するための不可欠の工程である。このネッキングによりネック部Ｐ１が形成される。また、このネック部Ｐ１は、一般的に、直径が３〜７ｍｍで、その長さが３０〜４０ｍｍ以上必要とされている。
また、引上げ開始後の工程としては、ネッキング終了後、直胴部直径にまで結晶を広げた拡径部を形成するクラウン工程、製品となる単結晶（直胴部）を育成する直胴工程、直胴工程後の単結晶直径を徐々に小さくし縮径部を形成するテール工程が行われる。

ところで、このような工程を経て得られたシリコン単結晶には、石英ガラスルツボからシリコン融液に溶出した酸素が含有される。この単結晶中の酸素は、単結晶から切り出されたウエハ中においては、酸素析出物（核）からなる内部微小欠陥（ＢＭＤ）として現れる。ＢＭＤは、ウエハ中に含まれる重金属汚染を、その歪み応力により捕獲するＩＧ法（内部からの不純物ゲッタリング法）に利用できるため、ウエハ中のＢＭＤ密度は高いほうが好ましい。

ＢＭＤ密度を高くするには、酸素濃度が高く均一な単結晶、好ましくは全長に亘り酸素濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上の単結晶を育成する必要がある。
単結晶の酸素濃度を高くする方法として、ルツボ内の原料融液に対し磁場を印加しつつルツボの回転数を高める方法があるが、その場合、酸素濃度の面内分布が悪化したり、結晶径の変動により有転位化を生じ易いという問題があった。

このような問題に対し特許文献１には、ルツボ内の原料融液に電磁石により水平磁場を印加しつつ、融液面に対する電磁石の上下方向位置を変更することにより酸素濃度を制御する方法が開示されている。この方法によれば、ルツボ回転数を低く抑制した状態で、酸素濃度をある程度制御することができる。
特開２００４−１８９５５９号公報

しかしながら、特許文献１に開示の方法では、酸素濃度を高くする場合、単に融液表面位置に対する電磁石の高さ方向位置が低くなるよう制御するものであり、酸素濃度面内分布に影響を与える融液表面近傍の磁場強度を考慮した制御を行っていない。
即ち、特許文献１に開示の方法にあっては、融液表面近傍の磁場による対流抑制効果が最適な状態から大きくずれる虞があり、その場合、所望の酸素濃度（好ましくは１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³）以上の単結晶が得られない上、酸素濃度面内分布が悪化するという課題があった。

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、全長に亘り所定濃度以上の高酸素濃度を有すると共に、面内酸素濃度分布が均一な単結晶を得ることのできる単結晶の製造方法を提供することを目的とする。

前記した課題を解決するために、本発明に係る単結晶の製造方法は、炉体内のルツボに溶融されたシリコン融液に磁場を印加し、チョクラルスキー法によって前記ルツボから単結晶を引上げる単結晶の製造方法であって、前記単結晶を引き上げる際、前記単結晶と前記融液との境界面である固液界面から、少なくとも所定深さまでの前記融液内の領域において、前記単結晶の引上げ軸方向に沿って下方から上方に向かう磁場強度の減少率を、０．４ガウス／ｍｍ以上とした状態で、前記ルツボを０．２ｒｐｍ〜５．０ｒｐｍの範囲の回転速度で回転させ、前記単結晶の回転方向を前記ルツボの回転方向とは逆方向に８ｒｐｍ以上の回転速度で回転させることに特徴を有する。

尚、前記磁場強度の減少率が制御される固液界面からの所定深さは、１００ｍｍであることが望ましい。
また、前記固液界面下のシリコン融液に印加される磁場強度が、１０００Ｇ〜５０００Ｇの範囲内であることが望ましい。
また、前記単結晶を引き上げる際、前記シリコン融液の表面高さと前記磁場を発生させる電磁石の高さとの相対位置のずれを、±１０ｍｍ以内に制御することが望ましい。

このような方法によれば、固液界面下の所定深さまでの領域内における融液内の対流が適度に拡散され、その領域における融液の酸素濃度が均一になされる。
さらに、このような磁場が形成された状態で、ルツボ及び単結晶の回転数が制御されることにより固液界面下における酸素濃度が向上されると共に、単結晶引上げ工程に亘り、固液界面下の対流拡散効果が維持される。
したがって、本発明の製造方法によれば、全長に亘り高酸素濃度であって、酸素濃度面内分布が均一な単結晶を得ることができる。

本発明によれば、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、全長に亘り所定濃度以上の高酸素濃度を有すると共に、面内酸素濃度分布が均一な単結晶を得ることのできる単結晶の製造方法を得ることができる。

以下、本発明に係る単結晶の製造方法の実施の形態について図面に基づき説明する。図１は本発明に係る単結晶の製造方法が実施される単結晶引上装置１の全体構成を示すブロック図である。
この単結晶引上装置１は、円筒形状のメインチャンバ２ａの上にプルチャンバ２ｂを重ねて形成された炉体２と、炉体２内に設けられたルツボ３と、ルツボ３に装填された半導体原料（原料ポリシリコン）Ｍを溶融するヒータ４と、育成される単結晶Ｃを引上げる引上げ機構５とを有している。尚、ルツボ３は、二重構造であり、内側が石英ガラスルツボ３ａ、外側が黒鉛ルツボ３ｂで構成されている。

また、引上げ機構５は、モータ駆動される巻取り機構５ａと、この巻取り機構５ａに巻き上げられる引上げワイヤ５ｂを有し、このワイヤ５ｂの先端に種結晶Ｐが取り付けられている。
また、ルツボ３の下方には、このルツボ３を回転させるモータ１０と、ルツボ３の高さを制御する昇降装置１１とが設けられている。

また、メインチャンバ２ａ内において、ルツボ３の上方且つ近傍には、単結晶Ｃの周囲を包囲するよう上部と下部が開口形成され、育成中の単結晶Ｃにヒータ４等からの余計な輻射熱を遮蔽すると共に、炉内のガス流を整流するための輻射シールド６が設けられている。尚、輻射シールド６下端と溶融液面との間の距離寸法（ギャップ）は、育成する単結晶の所望の特性に応じて所定の距離を維持するよう制御される。

また、図１に示すようにメインチャンバ２ａの外側には、磁場印加用電気コイル１３（電磁石）が設置され、ルツボ３のシリコン溶融液内に水平磁場を印加して単結晶を育成するＭＣＺ法（Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄ ａｐｐｌｉｅｄ ＣＺ法）が使用される。
この磁場印加用電気コイル１３は、図示しない昇降機構により、その高さ位置が調整可能に構成されており、単結晶引上げ時のシリコン融液Ｍとの高さ方向の相対位置が制御されるようになされている。磁場印加用電気コイル１３によるシリコン融液Ｍへの磁場印加は次のように制御がなされる。

図２に示すように、固液界面Ｍ２から深さ寸法ｄ１が１００ｍｍ以上までの領域において、下方から上方の固液界面Ｍ２に向け、単結晶引き上げ軸方向の磁場強度減少率が０．４ガウス／ｍｍ以上となるよう磁場の印加がなされる。固液界面Ｍ２下の磁場強度は、１０００〜５０００Ｇとなされる。
即ち、固液界面Ｍ２下の磁場強度は、下方から上方に向けて徐々に弱くなされ、これにより固液界面Ｍ２下の対流が拡散された状態、即ち固液界面Ｍ２下の所定深さの領域における融液内の酸素濃度が均一な状態となされる。

また、固液界面Ｍ２下の磁場強度が１０００〜５０００Ｇとなされるのは、次の理由による。即ち、磁場強度が１０００Ｇより小さいと、固液界面Ｍ２周囲における低酸素融液の対流を抑えることができず、融液の温度変動が大きくなり、安定した結晶育成ができないためである。また、磁場強度が５０００Ｇより大きいと、対流の抑制効果が過大となり、高酸素濃度（１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上）の結晶を得ることができない上、固液界面Ｍ２下の対流拡散効果が維持されずに酸素濃度面内分布が悪化するためである。また、固液界面Ｍ２から深さ寸法ｄ１が１００ｍｍ以上までの領域で、前記磁場制御を行うのは、深さ寸法ｄ１が１００ｍｍより小さいと、対流の抑制効果が過大となり、酸素濃度面内分布が悪化するためである。

また、融液表面に印加される磁場強度は、１０００Ｇ以上になされる。この制御により、固液界面Ｍ２の外周における低酸素濃度融液の対流が抑制され、その低酸素濃度融液の固液界面Ｍ２下への取り込みが抑制される。また、これにより固液界面Ｍ２下における結晶Ｃの酸素濃度が上昇すると共に、酸素濃度の均一性が維持される。
また、融液表面Ｍ１における低酸素融液の対流が抑制されることによって、融液内部の酸素濃度は、対流が抑制された融液とルツボ３との相対速度差による酸素溶け込みが支配的となり、ルツボ回転による酸素濃度の制御が容易となる。

また、前記のように磁場が形成された状態において、ルツボ３の回転数は０．２〜５．０ｒｐｍの範囲内で制御され、単結晶引上時の回転がルツボ３の回転方向と逆方向で、回転数が８．０ｒｐｍ以上に制御される。
これにより、固液界面Ｍ２下の所定深さ領域における融液Ｍの酸素濃度が向上されると共に、磁場印加によって形成された対流拡散効果が維持される。

尚、単結晶Ｃの回転速度が８．０ｒｐｍ以上とされるのは、これより低いと、固液界面Ｍ２下の対流の抑制効果が過大となり、結晶回転による強制対流が弱くなり、酸素濃度分布が不均一となるためである。
また、ルツボ３の回転数が０．２ｒｐｍ〜５．０ｒｐｍとされるのは、０．２ｒｐｍより低いと融液表面Ｍ１の対流による酸素の拡散効果を維持できず、５．０ｒｐｍ以上より大きいと酸素の面内分布が悪化し、磁場分布による効果が得られないためである。

また、図２に示すように、融液表面Ｍ１の高さと磁場印加用電気コイル１３の高さ（例えば高さ方向中心位置ＭＣ）との相対位置のずれが、±１０ｍｍ以内となるよう制御される。これは、相対位置のずれが±１０ｍｍよりも大きいと、酸素輸送に影響する融液表面の流速と経路とが変化し、酸素濃度分布を均一にする効果が低下するためである。

尚、融液表面Ｍ１及び固液界面Ｍ２の高さ位置測定は、炉体２の外側に設けられた液面位置検出装置１４により行われる。
この液面位置検出装置１４は、コヒーレントな検出光を発振するレーザ光発振器１５と、撮像装置、例えばＣＣＤカメラ１６と、このＣＣＤカメラ１６により撮像された画像を処理する画像処理装置１７とを有する。
レーザ光発振器１５は、メインチャンバ２ｂ上方に配置され、コンピュータ８からの指令信号により、グリーンレーザ光（波長４９０〜５５０ｎｍ）を発振し、このグリーンレーザ光を融液表面Ｍ１の所定スポットに照射するようになされている。

また、ＣＣＤカメラ１６は前記レーザ光発振器１５によりグリーンレーザ光が照射される融液面Ｍ１の所定スポットに焦点が合わされており、この所定スポットの画像を撮像し、撮像した画像を画像処理装置１７に出力するようになされている。
また、画像処理装置１７は、ＣＣＤカメラ１６から入力された画像信号を処理し、シリコン融液液面Ｍ１の高さ位置を検出して、コンピュータ８の演算制御装置８ｂに出力するようになされている。

また、図１に示すように単結晶引上装置１は、シリコン溶融液Ｍの温度を制御するヒータ４の供給電力量を制御するヒータ制御部９と、ルツボ３を回転させるモータ１０の回転数を制御するモータ制御部１０ａとを備えている。また、ルツボ３の高さを制御する昇降装置１１を制御する昇降装置制御部１１ａと、成長結晶の引上げ速度と回転数を制御するワイヤリール回転装置制御部１２とを備えている。さらには、磁場印加用電気コイル１３の動作制御を行う電気コイル制御部１３ａを備えている。これら各制御部９、１０ａ、１１ａ、１２、１３ａはコンピュータ８の演算制御装置８ｂに接続されている。

このように構成された単結晶引上装置１においては、最初に石英ガラスルツボ３ａに原料ポリシリコンＭを装填し、コンピュータ８の記憶装置８ａに記憶されたプログラムに基づき図３のフローに沿って結晶育成工程が開始される。

先ず、炉体２内を図示しない雰囲気制御手段により所定の雰囲気にした状態で、演算制御装置８ｂの指令によりヒータ制御部９を作動させてヒータ４を加熱し、石英ガラスルツボ３ａの原料ポリシリコンＭが溶融される（図３のステップＳ１）。
さらに、演算制御装置８ｂの指令によりモータ制御部１０ａと昇降装置制御部１１ａとが作動し、ルツボ３が所定の高さ位置において所定の回転速度で回転動作される。

次いで、演算制御装置８ｂの指令により電気コイル制御部１３ａを作動し、磁場印加用電気コイル１３に所定の電流が流される。これにより溶融液Ｍ内に所定の強度の磁場が印加される（図３のステップＳ２）。
ここで、溶融液Ｍに対する磁場印加は、固液界面Ｍ２から深さ寸法ｄ１が１００ｍｍ以上までの領域において、下方から上方の固液界面Ｍ２に向けて平均磁場強度勾配が０．４ガウス／ｍｍ以上の割合で減少するようになされ、固液界面Ｍ２下の磁場強度が１０００〜５０００Ｇとなされる。また、融液表面Ｍ１に印加される磁場強度が、１０００Ｇ以上になされる。

そして、演算制御装置８ｂの指令により、ワイヤリール回転装置制御部１２が作動し、巻取り機構５ａが作動してワイヤ５ｂが降ろされる。そして、ワイヤ５ｂに取付けられた種結晶Ｐがシリコン溶融液Ｍに接触され、種結晶Ｐの先端部を溶解するネッキングが行われてネック部Ｐ１が形成される（図３のステップＳ３）。

ネック部Ｐ１が形成されると、演算制御装置８ｂの指令によりヒータ４への供給電力や、引上げ速度（通常、毎分数ミリの速度）などをパラメータとして引上げ条件が調整され、拡径部を形成するクラウン工程（図３のステップＳ４）、製品部分となる直胴部を形成する直胴工程（図３のステップＳ５）が順に行われる。
直胴工程においては、前記した磁場環境下において、ルツボ３の回転数が０．２〜５．０ｒｐｍの範囲内で制御され、単結晶Ｃの回転がルツボ３の回転方向と逆方向で、回転数が８．０ｒｐｍ以上に制御される。
直胴工程が終了すると、縮径部を形成するテール工程（図３のステップＳ６）が行われ、単結晶Ｃの形成が終了する。

以上のように本発明に係る実施の形態によれば、単結晶Ｃを引き上げる際、固液界面Ｍ２から深さ寸法ｄ１が１００ｍｍ以上までの領域において、下方から上方の固液界面Ｍ２に向けて平均磁場強度勾配が０．４ガウス／ｍｍ以上の割合で減少するようになされ、固液界面Ｍ２下の磁場強度が１０００〜５０００Ｇとなされる。
これにより、固液界面Ｍ２下の所定の深さまでの領域内における融液Ｍ内の対流が適度に拡散され、その領域における融液Ｍの酸素濃度が均一になされる。
また、融液表面Ｍ１に印加される磁場強度が、１０００Ｇ以上になされることで、固液界面Ｍ２周囲における低酸素濃度融液の対流が抑えられ、固液界面Ｍ２下への低酸素濃度融液の入り込みが抑制される。

さらに、このような磁場が形成された状態で、ルツボ３の回転数が０．２〜５．０ｒｐｍの範囲内で制御され、単結晶Ｃの回転がルツボ３の回転方向と逆方向で、回転数が８．０ｒｐｍ以上に制御されることで、固液界面Ｍ２下における酸素濃度が向上されると共に、単結晶引上げ工程に亘り、固液界面Ｍ２下の対流拡散効果が維持される。
したがって、本発明の製造方法によれば、全長に亘り高酸素濃度（１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上）であって、酸素濃度面内分布が均一な単結晶を得ることができる。

尚、前記実施の形態においては、融液面Ｍ１の高さ位置を測定する液面位置検出装置１４の構成として、レーザ光を利用した光学的手法により測定する構成としたが、この構成に限定されず、他の公知技術により液面位置を検出するようにしてもよい。

続いて、本発明に係る単結晶の製造方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に示した構成の単結晶引上装置を用い、実際に実験を行うことにより、その効果を検証した。
〔実施例１〕
実施例１では、本発明に係る単結晶の製造方法により引上げを行い、育成した単結晶の酸素濃度及び分布を測定した。
条件として、固液界面より深さ１００ｍｍまでの領域において、下方から上方に向けて単結晶引上げ軸上の磁場減少率が０．７ガウス／ｍｍとなるよう磁場の印加を行った。この磁場減少率は、ルツボ回転軸上の磁場中心０ｍｍ位置と、同軸上の１００ｍｍ離れた位置の磁場強度の差を距離１００ｍｍで除した値とした。

また、石英ガラスルツボのサイズは直径２４インチ、チャージ量は１００ｋｇ、ルツボ回転軸上の磁場中心の磁場強度は３０００Ｇ、磁場中心の位置は融液表面から１００ｍｍ下、結晶回転数は１２ｒｐｍ、ルツボ回転数は結晶と逆方向に１ｒｐｍとした。
また、電磁石と融液表面との相対位置のずれが１ｍｍ以内の精度で維持されるよう融液表面の高さ位置を測定し、磁場中心位置が一定となるようルツボ高さを制御した。
尚、単結晶の酸素濃度は、育成した単結晶をウエハ加工し、ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光法）にてウエハ面内中心の酸素濃度を測定した。

〔比較例１〕
比較例１では、固液界面より深さ１００ｍｍまでの領域において、下方から上方に向けて単結晶引上げ軸上の磁場減少率が０．３ガウス／ｍｍとなるよう磁場の印加を行った。
その他の条件は、実施例１と同様とした。
〔比較例２〕
比較例２では、実施例１と同じ条件で単結晶育成を行い、結晶長４００ｍｍを越えたところで電磁石を１０ｍｍ上方に移動させ、シリコン単結晶を育成した。このとき、電磁石と融液表面の相対位置のずれは、実施例１と同様に±１ｍｍ以内となるよう制御した。

図４のグラフに実施例１及び比較例１におけるルツボ回転軸上の磁場強度分布を示し、図５のグラフに実施例１、比較例１及び比較例２において育成された単結晶の結晶長に対する酸素濃度分布を示す。また、図６のグラフに、実施例１、比較例１及び比較例２において育成した単結晶から得られたウエハのウエハ面内外周５ｍｍより内側の酸素濃度均一性を示す。この酸素濃度均一性は、（（酸素濃度最大値−最小値）／最小値）×１００％の式により求めた。

この結果、図５に示すように実施例１では、結晶長さ方向の酸素濃度が、１．４〜１．５×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³と均一な単結晶が得られた。一方、比較例１では、結晶長さ方向の酸素濃度が、１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³を下回る結果となった。
また、図６に示すように、実施例１の酸素濃度均一性は２％以内であったのに対し、比較例１では最大６％まで悪化した。比較例２では、単結晶の酸素濃度均一性は、結晶長４００ｍｍ以降で悪化した。

以上の実施例の実験結果から、本発明によれば、全長に亘り高酸素濃度（１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上）であって、酸素濃度面内分布が均一な単結晶を得ることができると確認した。

本発明は、チョクラルスキー法によって単結晶を引上げる単結晶の製造方法に関するものであり、半導体製造業界等において好適に用いられる。

図１は、本発明に係る単結晶の製造方法が実施される単結晶引上装置の構成を模式的に示すブロック図である。 図２は、図１の単結晶引上装置の一部拡大図である。 図３は、本発明に係る単結晶の製造方法による工程を示すフローである。 図４は、実施例の結果を示すグラフである。 図５は、実施例の他の結果を示すグラフである。 図６は、実施例の他の結果を示すグラフである。 図７は、従来のＣＺ法を用いた引上げ法を説明するための図である。 図８は、従来のＣＺ法を用いた引上げ法においてネック部の形成を説明するための図である。

符号の説明

１ 単結晶引上装置
２ 炉体
２ａ メインチャンバ
２ｂ プルチャンバ
３ ルツボ
３ａ 石英ガラスルツボ
３ｂ 黒鉛ルツボ
４ ヒータ
５ 引上げ機構
６ 輻射シールド
８ コンピュータ
８ａ 記憶装置
８ｂ 演算記憶装置
１３ 磁場印加用電気コイル
１４ 液面位置検出装置
１５ レーザ光発振器
１６ ＣＣＤカメラ
１７ 画像処理装置
Ｃ 単結晶
Ｍ 原料ポリシリコン、シリコン溶融液
Ｐ 種結晶
Ｐ１ ネック部

Claims (4)

1. 炉体内のルツボに溶融されたシリコン融液に磁場を印加し、チョクラルスキー法によって前記ルツボから単結晶を引上げる単結晶の製造方法であって、
   前記単結晶を引き上げる際、
   前記単結晶と前記融液との境界面である固液界面から、少なくとも所定深さまでの前記融液内の領域において、前記単結晶の引上げ軸方向に沿って下方から上方に向かう磁場強度の減少率を、０．４ガウス／ｍｍ以上とした状態で、
   前記ルツボを０．２ｒｐｍ〜５．０ｒｐｍの範囲の回転速度で回転させ、
   前記単結晶の回転方向を前記ルツボの回転方向とは逆方向に８ｒｐｍ以上の回転速度で回転させることを特徴とする単結晶の製造方法。
2. 前記磁場強度の減少率が制御される固液界面からの所定深さは、１００ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載された単結晶の製造方法。
3. 前記固液界面下のシリコン融液に印加される磁場強度が、１０００Ｇ〜５０００Ｇの範囲内であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された単結晶の製造方法。
4. 前記単結晶を引き上げる際、
   前記シリコン融液の表面高さと前記磁場を発生させる電磁石の高さとの相対位置のずれを、±１０ｍｍ以内に制御することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された単結晶の製造方法。

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